Вы находитесь на странице: 1из 68

ISSN 1817-2369

№ 1 (229)
Январь-март 2020
Electronic Components and Systems

ToF-технологии определения расстояния

В номере:
• Размещение развязывающего конденсатора на печатной плате
• Источник питания с низким уровнем электромагнитных помех
• Оперативный мониторинг и диагностика состояния машин
и механизмов в процессе эксплуатации
• Особенности применения ToF-технологии для измерения
расстояния
• Управление SPI-интерфейсом микроконтроллера
• GOWIN: новое имя на рынке FPGA
• Электромеханические реле производства компании Omron
• Технология Li-Fi как альтернатива Wi-Fi
• Мощный драйвер светодиодов компании Mean Well – XLG-240
• Неизолированные DC/DC-преобразователи компании Mean Well
• DC/DC-преобразователи Silent Switcher®2 компании
Analog Devices
КОНТРАКТНОЕ ПРОИЗВОДСТВО ЭЛЕКТРОНИКИ
Полный цикл контрактного производства электроники:
• проектирование и изготовление печатных плат и трафаретов по стандарту IPC-A-600J
• комплексная поставка комплектующих элементов
• автоматизированный монтаж компонентов по технологии SMT и THT, включая монтаж в азотной
среде, в соответствии со стандартом IPC-A-610G (до 2 500 000 SMDкомпонентов в сутки)
• монтаж печатных плат любой сложности при серийном и мелкосерийном производстве
• нанесение лазерной маркировки на печатные платы
• 100% автоматический оптический контроль качества монтажа
• внутрисхемный контроль готовых изделий
• нанесение акриловых, силиконовых, полиуретоновых конформных (защитных) покрытий
• проведение климатических испытаний
• проведение механических испытаний на вибростенде
• резка и зачистка проводов, обжимка контактов, изготовление кабельных жгутов.
Cистема менеджмента качества фирмы сертифицирована на соответствие требованиям стандартов ISO 9001:2015,
ISO 14001:2015, IATF 16949:2016 и ISO 13485:2016.
Автоматизированная пайка выводных компонентов выполняется на установке селективной пайки
PowerSelective производства компании SEHO. Пайка выполняется мини-волной в азотной среде.
Скорость пайки 1...5 секунд на точку. Скорость пайки разъемов 3 мм в секунду.
Украина, 03061, Киев, тел./факс: (044) 2010202, (057) 719-6718, (0562) 319-128, (095) 283-8246,
ул. Михаила Донца, 6 (048) 734-1954, (095) 2746897, info@vdmais.ua; www.vdmais.ua
№ 1, январь-март 2020
СОДЕРЖАНИЕ

В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ


ЭЛЕКТРОННЫЕ
КОМПОНЕНТЫ Ф. Достал
И СИСТЕМЫ
Как следует размещать развязывающий конденсатор
2020 январь-март на печатной плате импульсного преобразователя
№ 1 (229) напряжения ..................................................................3
МАССОВЫЙ Б. Вагхмаре, Д. Кэри
НАУЧНО
ТЕХНИЧЕСКИЙ
Можно ли спроектировать источник питания с низким уровнем
ЖУРНАЛ электромагнитных помех для размещения на печатной плате
с плотной компоновкой электронных компонентов? . ............4

Учредитель и издатель:
НАУЧНО ПРОИЗВОДСТВЕННАЯ С. Сервис
ФИРМА VD MAIS Оперативный мониторинг и диагностика состояния машин
и механизмов в процессе эксплуатации ..........................11
Зарегистрирован
Министерством информации
Украины 24.07.96 г. К. Слаттери, Ю. Шида
Свидетельство о регистрации: Особенности применения ToF-технологии для измерения
серия КВ, № 2081Б расстояния........ ..........................................................15
Издается с мая 1996 г.
Подписной индекс 40633 С. Кси
Управление SPI-интерфейсом микроконтроллера
Директор фирмы VD MAIS:
В.А. Давиденко для обеспечения доступа к нестандартному
SPI-интерфейсу АЦП ....................................................24
Главный редактор:
В.А. Романов НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Редакционная коллегия:
В.А. Давиденко В. Котигорошко
В.В. Макаренко
В.Р. Охрименко
GOWIN: новое имя на рынке FPGA ......................................29
Д р Илья Брондз,
факультет биологии В. Макаренко
Университета г. Осло, Норвегия Электромеханические реле производства
компании Omron ...............................................................39

НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Адрес редакции:
Украина, Киев,
ул. М. Донца, 6 В. Макаренко
Тел.: (0 44) 492 8852, 201 0202 Технология Li-Fi как альтернатива Wi-Fi ................................46
Факс: (0 44) 202 1110
Email: ekis@vdmais.ua ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ
Интернет: www.vdmais.ua
www.ekis.kiev.ua
Адрес для переписки: В. Котигорошко
Украина, 03061 Киев, ул. М. Донца, 6
Новый мощный драйвер светодиодов компании
Mean Well – XLG-240 ........................................................53

В. Котигорошко
Неизолированные модульные DC/DC-преобразователи
компании Mean Well ..........................................................56

В. Макаренко
DC/DC-преобразователи Silent Switcher®2 компании
Analog Devices .................................................................59

Перепечатка опубликованных в журнале


материалов допускается c разрешения редакции.
За рекламную информацию ответственность несет
рекламодатель.

1
No. 1, January-March 2020
CONTENTS

ASK THE APPLICATIONS ENGINEER ELECTRONIC


COMPONENTS
F. Dostal AND SYSTEMS
Bypass Capacitor and Coupling Capacitor: Stabilizing January-March 2020
Voltage the Right Way ................................................ 3 No. 1 (229)

B. Waghmare, D. Carey
Is It Possible to Fit Low EMI Power Supplies onto Crowded Scientific and Technical
Boards? .................................................................. 4 Journal

S. Servis
The Wearable for Machine Health: Condition-Based
Monitoring ............................................................ 11 Founder and Publisher:
ScientificProduction Firm
VD MAIS
C. Slattery, Y. Shida
ADI ToF Depth Sensing Technology: New and Emerging
Director
Applications in Industrial, Automotive Markets, and More .. 15 V.A. Davidenko

S. Xie Head Editor


Manipulating MCU SPI Interface to Access a Nonstandard V.A. Romanov
SPI ADC ................................................................ 24
Editorial Board
NEW COMPONENTS V.A. Davidenko
V.V. Makarenko
V. Kotigoroshko V.R. Okhrimenko
GOWIN: new FPGA market name ..................................29 Dr. Ilia Brondz,
Department of Biology,
University of Oslo,
V. Makarenko
Norway
Omron electromechanical relays ..................................39

NEW TECHNOLOGIES

V. Makarenko Address:
Li-Fi technology as an alternative to Wi-Fi ......................46 M. Dontsia Str., 6,
03061 Kyiv, Ukraine
POWER SUPPLIES Tel.:
(38044) 2010202,
4928852 (multichannel)
V. Kotigoroshko Fax:
New Mean Well LED power supply: XLG-240....................53
(38044) 2021110
Email:
V. Kotigoroshko ekis@vdmais.ua
Non-isolated DC/DC: NID35/65/100 ............................56 Web address:
www.vdmais.ua
V. Makarenko www.ekis.kiev.ua
Silent Switcher®2 DC/DC Converters from Analog Devices.. 59 Printed in Ukraine

2
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

КАК СЛЕДУЕТ РАЗМЕЩАТЬ РАЗВЯЗЫВАЮЩИЙ


КОНДЕНСАТОР НА ПЕЧАТНОЙ ПЛАТЕ ИМПУЛЬСНОГО
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ *
INDUCTOR CURRENT MEASUREMENT IN SWITCHED
POWER SUPPLIES

Р азвязывающие конденсаторы исполь-


зуются в источниках питания для фильтра-
ции помех и стабилизации их работы. Осо-
Аbstract –
Bypass capacitors are frequently needed in electronics
development. It has to support the switched currents
on the input path so that the supply voltage is stable enough
бенности размещения развязывающих кон- to enable operation. Features of their placement on a printed
денсаторов на печатной плате рассмотрены в circuit board are discussed in this publication.
настоящей публикации.
Ф. Достал F. Dostal

На рис. 1 приведена схема понижающего пре- ближе друг к другу, чем в аналогичной конструкции
образователя ADP2441 с развязывающим конден- печатной платы слева. Конструкция печатной платы
сатором CBYP на входе. Одним из основных требова- на рис. 2, справа, позволяет уменьшить площадь
ний к выбору типа этого конденсатора и его разме- контура между конденсатором и интегральной схе-
щению на печатной плате является обеспечение мой.
минимально возможной паразитной индуктивности
выводов, а также проводников на печатной плате,
так как большая индуктивность может привести к
потере устойчивости преобразователя.

Рис. 2. Два способа подключения развязываю-


Рис. 1. Схема включения понижающего
щего конденсатора к ИМС
преобразователя ADP2441 с развязывающим
конденсатором CBYP на входе
Отметим, что, исходя из тех же соображений
С этой точки зрения важным является оптималь- (минимизации паразитной индуктивности), реко-
ное размещение развязывающего конденсатора на мендуется размещать конденсатор и ИМС на одной
печатной плате. Слева на рис. 2 показано, как раз- и той же стороне печатной платы. Если это выпол-
вязывающий конденсатор подключается к ИМС нить затруднительно, для установки конденсатора
преобразователя с помощью тонких печатных про- используются металлизированные переходные от-
водников, что снижает эффективность от его при- верстия, как показано на рис. 3a, б, в и г. Вариант
менения за счет высокой паразитной индуктивно- подключения конденсатора, приведенный на рис.3а
сти этих проводников. На рис. 2 справа показано, наименее эффективен с точки зрения минимизации
как подключить этот же конденсатор к ИМС пре- паразитной индуктивности печатных проводников.
образователя, обеспечив при этом минимально Наилучшим является вариант, приведенный на рис. 3в,
возможную паразитную индуктивность проводни- однако не всегда имеется возможность размещать
ков на печатной плате. Кроме того, на рис. 2 справа переходные отверстия непосредственно под эле-
показано, что контакты ИМС VIN и GND расположены ментом на печатной плате. Если позволяет кон-

* F. Dostal. Bypass Capacitor and Coupling Capacitor: Stabilizing Voltage the Right Way. https://www.ana-
log.com/media/en/technical-documentation/tech-articles/Bypass-Capacitor-and-Coupling-Capacitor-
Stabilizing-Voltage-the-Right-Way.pdf.
Сокращенный перевод с английского и комментарии В. Романова.

email: ekis@vdmais.ua 3
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

мещение конденсатора, как показано на рис. 3г.


а) в) Для обеспечения устойчивой работы импульс-
ных преобразователей напряжения следует внима-
тельно отнестись к топологии печатной платы,
б) г) включая оптимизацию выбора и установки развязы-
вающего конденсатора. Это позволяет свести к ми-
нимуму паразитную индуктивность выводов кон-
Рис. 3. Варианты размещения переходных от-
верстий на печатной плате для установки раз- денсатора и проводников на печатной плате при его
вязывающего конденсатора подключении к ИМС, и тем самым повысить устой-
чивость работы преобразователя в целом.
струкция, может быть использовано боковое раз-

МОЖНО ЛИ СПРОЕКТИРОВАТЬ ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ С


НИЗКИМ УРОВНЕМ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОМЕХ ДЛЯ
РАЗМЕЩЕНИЯ НА ПЕЧАТНОЙ ПЛАТЕ С ПЛОТНОЙ
КОМПОНОВКОЙ ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ? *

М алые размеры печатной платы, ограниченные


сроки, как правило, отводимые на разработку
источника питания, жесткие требования к уровню
электромагнитных помех, разработанные Между- IS IT POSSIBLE TO FIT LOW EMI POWER SUPPLIES
народным комитетом по радиопомехам, такие как ONTO CROWDED BOARDS?
CISPR 32 и CISPR 25, являются теми факторами, ко-
торые затрудняют проектирование источников пи-
тания с высокой эффективностью и хорошими теп-
ловыми характеристиками. В этой публикации рас-
Аbstract –
L imited and shrinking board real estate, tight design cy-
cles, and stringent electromagnetic interference (EMI)
specifications, such as CISPR 32 and CISPR 25, are limita-
сматривается стратегия снижения электромагнит- tions that make it difficult to produce power supplies that fea-
ных помех и повышения эффективности источников ture high efficiency and good thermal performance.This arti-
питания, устанавливаемых на печатную плату с cle addresses EMI reduction strategies, presenting a solution
плотной компоновкой электронных компонентов. to reduce EMI, maintain efficiency, and fit power supplies into
limited solution volumes.
Б. Вагхмаре, Д. Кэри B. Waghmare, D. Carey

Электромагнитные помехи (EMI, Electromagnetic личением производительности, плотности компо-


Interference), а также RFI (Radio Frequency Interfer- новки, повышением частоты коммутации и увеличе-
ence) – это воздействие электрических, магнитных нием тока нагрузки импульсных источников пита-
или электромагнитных полей, которое нарушает ния. При проектирования таких источников необхо-
нормальную работу технических средств, или вызы- димо руководствоваться требованиями междуна-
вает ухудшение технических характеристик и пара- родных стандартов к электромагнитной совмести-
метров этих средств. Борьба с электромагнитными мости. Без выполнения этих требований невозмож-
помехами – важная задача проектирования и но поставлять изделия на мировые рынки. Электро-
производства автомобильного, медицинского, магнитные помехи могут проникать в устройство по
контрольно-измерительного и другого электрон- цепям питания – кондуктивные помехи (Conducted
ного оборудования. Уровень помех растет с уве- EMI) и в виде наводок, как паразитное излучение –

* Waghmare B., Carey D. Is It Possible to Fit Low EMI Power Supplies onto Crowded Boards? Analog Dia-
logue, N 3, Volume 53, 2019. Сокращенный перевод с английского и комментарии В. Романова.

4 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

радиационные помехи (Radiated interference). Кон- 4. Применение частотной модуляции с расши-


дуктивные помехи имеют частотный диапазон от ренным спектром (Spread spectrum frequency modu-
450 кГц до 30 МГц и проникают в изделие через па- lation – SSFM): эта функция реализована во многих
разитные импедансы, цепи питания и заземления. импульсных преобразователях питания компании
Их можно представить в виде синфазной и диффе- Analog Devices и обеспечивает успешное прохожде-
ренциальной помехи (помехи общего и нормально- ние испытаний источников питания на соответствие
го вида). Синфазная помеха передается через па- требованиям стандартов на электромагнитную со-
разитную емкость и может быть представлена вы- вместимость. В этих источниках питания частота
ражением C×dV/dt. Она следует от источника сиг- переключения коммутатора модулируется в из-
нала (положительной или отрицательной полярно- вестном диапазоне (например, с отклонением
сти) к земляной шине через паразитную емкость, ±10% от запрограммированного значения fSW). Это
как показано на рис. 1. Дифференциальная помеха помогает распределить пиковую энергию шума в
передается через паразитную индуктивность (маг- более широком частотном диапазоне.
нитную связь) и может быть представлена выраже- 5. Применение фильтров и экранирования:
нием L×di/dt, как.показано на рис. 1. фильтры и экранирование увеличивают стоимость и
габариты проектируемого устройства. Они также
усложняют изготовление устройств в серийном
производстве.
Отметим, что перечисленные способы позво-
ляют снизить уровень шумов, генерируемых им-
пульсными источниками питания, но каждый из них
не свободен от недостатков. Минимизация шума
при проектировании источника питания, как прави-
Рис. 1. Помехи синфазные ло, является самым надежным путем его ослабле-
и дифференциальные ния, Преобразователи компании Analog Devices се-
мейства Silent Switcher® и Silent Switcher 2 обес-
Излучаемые помехи занимают полосу от 30 МГц печивают низкий уровень излучаемых помех, при
до 1 ГГц. Основным источником высокочастотных этом не требуют дополнительной фильтрации, эк-
помех в современной аппаратуре, как правило, яв- ранирования или значительных итераций при их
ляется импульсный преобразователь напряжения. компоновке. Это позволяет без удорожания и уве-
Основные методы ослабления этих помех пред- личения габаритов проектируемого устройства
ставлены ниже: ускорить его выход на рынок.
1. Оптимизация компоновки. Тщательная компо- Еще одним методом уменьшения электромаг-
новка блока питания так же важна, как и выбор спе- нитных помех является минимизация токовых кон-
циальных компонентов для источника питания. Оп- туров (петель). Чтобы уменьшить электромагнит-
тимальная компоновка во многом зависит от опыта ные помехи, необходимо определить горячую токо-
разработчика источника питания. Эта процедура вую петлю (петлю с высоким di/dt) в цепи электро-
является итеративной. Опытный разработчик мини- питания и уменьшить ее влияние на соседние узлы.
мизирует количество итераций, сокращая таким об- Такой горячий контур показан на рис. 2.
разом время проектирования источника питания. В первом цикле стандартного понижающего
2. Использование демпфирующего RC-фильтра преобразователя переменный ток проходит через
в коммутаторе импульсного источника питания, ос- синий контур с замкнутым ключом M1 и разомкну-
новного источника помех. Это уменьшает уровень тым ключом M2. Во время второго цикла с разо-
помех коммутатора, но приводит к увеличению по- мкнутым ключом M1 и замкнутым ключом M2 ток
терь, что уменьшает эффективность источника проходит через зеленый контур. При этом контур,
питания в целом. создающий самый высокий уровень электромаг-
3. Снижение скорости нарастания фронтов нитных помех, это фиолетовый контур, в котором
управляющих сигналов в коммутаторе тоже приво- переменный ток переключается с нулевого значе-
дит к уменьшению уровня помех. К сожалению, как ния на максимальное IPEAK и обратно. Этот контур на-
и применение RC-фильтра, это снижает эффектив- зывается горячим контуром, потому что он излучает
ность источника питания. наибольшую энергию переменного тока, и, следо-

email: ekis@vdmais.ua 5
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

Рис. 2. Горячие контура в понижающем


преобразователе источника питания

вательно, и максимальную электромагнитную по-


меху. Чтобы уменьшить уровень электромагнитных
помех, необходимо максимально уменьшить излу-
чающий эффект горячего (в нашем случае фиолето-
вого) контура. Излучение горячего контура увеличи-
вается вместе с его площадью. Поэтому уменьше-
ние площади горячего контура на печатной плате до Рис. 3. Принцип магнитного гашения помех
нуля и использование идеального конденсатора с в преобразователях напряжения семейства
нулевым импедансом (на сколько это возможно) Silent Switcher
может решить проблему минимизации помех, излу-
чаемых источником питания.
Понятно, что уменьшить площадь горячего кон-
тура до нуля практически невозможно. Но его мож-
но разделить на две части с противоположными по-
лярностями тока (рис. 3). Это приведет к образова-
нию двух электромагнитных полей эффективно по-
давляющих друг друга. Данный эффект получил на-
звание эффекта магнитного гашения. На его основе
построены импульсные преобразователи напряже-
ния компании Analog Devices семейства Silent
Switcher. Рис. 4. Традиционные проволочные выводы
Еще один способ снижения электромагнитных кристалла в корпусе на примере разобранной
помех заключается в уменьшении длины выводов ИМС LT8610
ИМС, охваченных горячим контуром. Он получил на- На рис. 6 показана схема включения и располо-
звание метода перевернутого чипа или кристалла жение на печатной плате импульсного преобразо-
(Flip Chip method). Применение это метода установ- вателя напряжения семейства Silent Switcher. Как
ки кристалла в ИМС (рис. 4, 5) минимизирует пло- видно из рисунка, конденсаторы на выводах вход-
щадь горячих контуров за счет сокращения рас- ного напряжения VIN1, VIN2 расположены симметрич-
стояния от кристалла до пассивных компонентов. но друг относительно друга. Такое расположение в
(Примечание: Монтаж методом перевернутого соответствии с технологией Silent Switcher обес-
чипа, рис. 5, имеет особые преимущества в случае печивает взаимное ослабление электромагнитного
применения интегральных схем с высокой степенью поля горячего контура.
интеграции. Метод экономичен, надежен с точки Если внешним монтажом такую симметрию
зрения термических и механических напряжений, обеспечить затруднительно, следует использовать
делает возможной сборку интегральных схем на импульсные преобразователи напряжения семей-
обычной подложке и обеспечивает высокую плот- ства Silent Switcher 2 (рис. 7).
ность компоновки проектируемого устройства). Согласно технологии Silent Switcher 2 симмет-

6 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

Рис. 5. Сборка кристалла методом перевернутого чипа

Рис. 6. Типовая схема включения импульсного преобразователя напряжения семейства Silent


Switcher и расположение этого преобразователя на печатной плате

Рис. 7. Типовые схемы включения импульсных преобразователей напряжения семейств


Silent Switcher и Silent Switcher 2 (справа)
рично рассоложенные конденсаторы встроены не-
посредственно в корпус ИМС преобразователя
LQFN, рис. 8. Они расположены в непосредствен-
ной близости от соответствующих выводов ИМС.
Все горячие контура в этом случае являются внут-
ренними, что обеспечивает минимизацию излучае-
мых электромагнитных помех и уменьшение зани-
маемой на печатной плате площади под данную
ИМС.
Преобразователи, выполненные по технологии
Рис. 8. Расположение конденсаторов внутри
Silent Switcher 2, имеют улучшенные тепловые ха-
корпуса ИМС преобразователя напряжения
рактеристики. Большие контактные площадки с не- LT8640S семейства Silent Switcher 2
сколькими заземлениями, сборка кристалла в кор-
пусе LQFN методом перевернутого чипа увеличи- вают отвод тепла из ИМС. Более высокая эффек-

email: ekis@vdmais.ua 7
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

тивность преобразователя является следствием лым падением напряжения на регулирующем тран-


отказа от проволочных соединений внутри ИМС, зисторе), как показано на рис. 10. Импульсный пре-
имеющих сравнительно высокое сопротивление. образователь обеспечивает необходимое значение
При тестировании на уровень излучаемых электро- напряжения, но создает достаточно большой уро-
магнитных помех ИМС LT8640S показала отличные вень шумов на выходе. LDO-стабилизатор имеет
результаты. Пиковые значения амплитуды помех, относительно невысокую эффективность, но он мо-
излучаемых этой ИМС, во много раз ниже разре- жет подавлять большую часть шума, генерируемого
шенных стандартом CISPR 25 Class 5. импульсным преобразователем. Совместное
Использование технологии Silent Switcher со- использование двух типов источников питания
вместно с технологией µModule® позволило создать – импульсного преобразователя и LDO-стабили-
источники питания с высокой надежностью, точ- затора напряжения обеспечивает АЦП напряжени-
ностью и эффективностью, отличающихся низким ем питания необходимого качества. Однако недо-
уровнем излучаемых помех. На рис. 9 показана кон- статком такого решения является увеличение габа-
струкция такого источника и диаграмма излучаемых ритов конечного устройства и необходимость отво-
им электромагнитных помех. да дополнительного тепла, выделяемого этими
В быстродействующих АЦП применяется не- ИМС.
сколько уровней напряжения питания, каждый из В источнике питания на рис. 10 приоритетом яв-
источников которых должен иметь низкий уровень ляется низкий уровень шумов в цепях питания, в то
шумов. Общепринятым решением является объ- же время этот источник имеет сравнительно боль-
единение импульсного преобразователяа напряже- шие габариты. Кроме того, дополнительный отвод
ния с LDO-стабилизатором (стабилизатором с ма- тепла требует усложнения конструкции источника

Рис. 9. Внутренняя конструкция ИМС источника питания LTM8053 семейства Silent Switcher
и спектр излучаемых источником питания электромагнитных помех

Рис. 10. Типовая схема источника питания для АЦП AD9625

8 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

питания. Источник питания, построенный с ис- ущерба для его производительности. Достоин-
пользованием технологий Silent Switcher и ством такого решения является значительное
µModule, совмещает в себе преимущества им- уменьшение количества внешних компонентов, что
пульсного стабилизатора и стабилизатора напря- упрощает схему источника питания и приводит к
жения с низким уровнем шумов, при этом такой ис- уменьшению площади печатной платы устройства в
точник имеет приемлемые габариты, простую кон- целом.
струкцию и высокую эффективность. ВЫВОДЫ
Отметим, что сразу несколько стабилизаторов
напряжения может питаться от одного стабилизато- Новые технологии Silent Switcher и µModule ком-
ра типа µModule, что позволяет уменьшить габари- пании Analog Devices для построения источников
ты источника питания в целом. Схема такого источ- питания имеют следующие преимущества:
ника питания приведена на рис. 11. • экономят время проектирования печатной пла-
Схемы источников питания, приведенные на ты
рис. 10, 11, были протестированы в следующих кон- • позволяют отказаться от использования до-
фигурациях: полнительных фильтров для ослабления электро-
• стандартная конфигурация с использованием магнитных помех, что приводит к уменьшению раз-
импульсного и LDO-стабилизатора для питания АЦП меров печатной платы проектируемого устройства
(рис. 10) • обеспечивают высокую эффективность в ши-
• использование стабилизатора LTM8065 для роком диапазоне рабочих частот
непосредственного питания АЦП без фильтрации • позволяют исключить дополнительный LDO-
выходного напряжения стабилизатор при питании чувствительных к шуму
• использование стабилизатора LTM8065 с устройств
включением выходного LC-фильтра (рис. 11). • сокращают время проектирования устройства
Результаты измерения динамического диапазо- в целом
на неискаженного сигнала (SFDR) и отношения сиг- • имеют высокую эффективность при использо-
нал/шум от полной шкалы (SNRFS) АЦП показали, вании минимальной площади печатной платы
что стабилизатор напряжения LTM8065 можно не- • имеют хорошие тепловые характеристики.
посредственно использовать для питания АЦП без

Рис. 11. Схема источника питания АЦП AD9625 на основе ИМС LTM8065, выполненной
по технологи Silent Switcher и µModule

email: ekis@vdmais.ua 9
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

ОПЕРАТИВНЫЙ МОНИТОРИНГ И ДИАГНОСТИКА


СОСТОЯНИЯ МАШИН И МЕХАНИЗМОВ В ПРОЦЕССЕ
ЭКСПЛУАТАЦИИ *
М ониторинг состояния машин и механизмов
является аналогом функций, выполняемых но-
симыми фитнес-устройствами. В промышленных
THE WEARABLE FOR MACHINE HEALTH:
CONDITION-BASED MONITORING

системах одним из важных процессов является


процесс старения оборудования и машин. Это
важно учитывать прежде всего в нефтедобываю-
Аbstract –
ondition-based monitoring (CbM) is the Industry
С
4.0 equivalent of wearable fitness devices. With
the explosion of connectivity comes the opportunity to
щей и перерабатывающей промышленности, газо- observe the physical world like never before and to see
добывающей отрасли, ветроэнергетике и в управ- physical processes in action, in real time, in fine detail. In
лении производственными процессами, где капи- industrial systems, one of the processes important for us
тальные затраты на технологическое оборудова- to understand is the process of the aging of equipment
ние высоки, а время простоя стоит дорого. Осо- and machines. This is important in diverse markets from oil
бенности оперативного мониторинга сложного and gas, wind power generation, and industrial process
технологического оборудования рассмотрены в control, where capital equipment costs are high.
настоящей публикации.
С. Сервис S. Servis

Незапланированные простои технологического боте оборудования во времени, старение может


оборудования могут стоить тысячи долларов в час. остаться незамеченным в течение продолжительно-
Исследования, проведенные в 2017 году, показали, го времени. В результате чего происходит внезап-
что компании, эксплуатирующие сложное техноло- ный сбой или катастрофический отказ, а значит,
гическое оборудование, имели потери в среднем до оборудование должно быть остановлено для прове-
двух миллионов долларов из-за одних только про- дения ремонта. Конечные пользователи должны
стоев такого оборудования, причем незапланиро- своевременно получать уведомление о предстоя-
ванные простои стоили значительно дороже, чем щем сбое или отказе для заблаговременного пла-
плановое выведение оборудования из эксплуата- нирования простоев. Они также нуждаются в инди-
ции на его обслуживание. Это связано с тем, что та- каторах более тонких изменений в машинах и меха-
кое оборудование необходимо вывести из эксплуа- низмах, которые могут повлиять на качество конеч-
тации для проведения внеплановой диагностики, ного продукта, например, такого как бумага и ли-
должны быть заказаны запчасти и произведен вне- стовой металл, энергоносители и т.п.
плановый ремонт. Комплексная потребность в более ранней инди-
На длительность непрерывной работы оборудо- кации износа оборудования или его частей и ин-
вания и его срок службы влияют такие факторы, как формация о качестве конечной продукции приводят
изменение нагрузки и условий эксплуатации, а так- к необходимости внедрения более чувствительного
же различные неблагоприятные факторы в период и полноценного мониторинга. Расширяются виды
эксплуатации. Мониторинг состояния технологиче- измерений, такие методы, как измерение темпера-
ского оборудования основан на количественной туры и вибраций, дополняются акустическими из-
оценке всех влияющих факторов и прогнозирова- мерениями, измерением тока двигателя и напряже-
нии неблагоприятных событий для своевременного ния на его обмотках и т.п.
вмешательства в непрерывный технологический Отдельные измерительные системы объеди-
процесс. Каждое устройство в составе оборудова- няются в комплексную систему мониторинга, чтобы
ния имеет свой срок старения (службы), хотя про- дать представление о состоянии оборудования в
цесс старения, как правило, достаточно медленный целом. Это приводит к увеличению количества из-
и малозаметный. Если не заниматься активным по- мерительных каналов на конкретный механизм или
иском признаков незначительных изменений в ра- устройство. Отдельные измерения необходимо хо-

* Servis S. The Wearable for Machine Health: Condition-Based Monitoring. www.analog.com/TechnicalArticle.


Сокращенный перевод с английского и комментарии В. Романова.

email: ekis@vdmais.ua 11
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

рошо синхронизировать, чтобы оценивать взаимо- няться в широкой полосе частот. Так, например, мо-
связь, например, между измерениями вибраций по торные оси и зубчатые передачи имеют характер-
осям x, y и z. Это еще больше увеличивает слож- ные вибрации на относительно низких частотах,
ность систем мониторинга. близких к скорости вращения оси. Однако в таких
Растущее число измерений и измерительных ка- системах, кроме того, есть компоненты, которые
налов означает то, что процедуры ручного контроля имеют более высокие частотные характеристики.
и индивидуальных измерений (рис. 1) уходит в про- Чтобы обнаружить изменения в износе таких компо-
шлое и больше не в состоянии обеспечить полно- нентов с более высокими частотными характери-
ценный контроль работоспособности сложного тех- стиками, а к ним относятся шариковые и масляные
нологического оборудования. Системы мониторин- подшипники, измерительные системы должны
га должны быть развернуты непосредственно на обеспечивать высокое разрешение и большой ди-
производстве с использованием сетевой (провод- намический диапазон на частотах вплоть до 80 кГц
ной или беспроводной) архитектуры. Громоздкие и (рис. 2).
дорогие датчики следует заменить миниатюрными
смарт-сенсорами, отличающимися высокой энер-
гоэффективностью и небольшой стоимостью.

Рис. 2. Типовая полоса частот вибраций


отдельных устройств в технологическом
оборудовании
Рис. 1. Контроль оборудования
с использованием пьезодатчиков и ручного Исходя из этого, системы мониторинга должны
регистрирующего прибора иметь большой динамический диапазон и низкий
Достижения современной микроэлектроники уровень нелинейных искажений. В этих системах в
позволяют уже сейчас создавать системы монито- качестве АЦП используются новейшие прецизион-
ринга с высоким уровнем интеграции, позволяю- ные сигма-дельта преобразователи с широкой по-
щим вывести эти системы на уровень требований 4 лосой пропускания. Эти преобразователи имеют
индустриальной революции (Industry 4). Чтобы на улучшенный динамический диапазон (до 108 дБ) и
ранних стадиях определить признаки износа обору- низкий уровень нелинейных искажений (-120 дБ),
дования, необходимо выполнить множество изме- которые обеспечиваются в широкой полосе частот.
рений и получить данные от большого числа сенсо- Кроме АЦП, в составе этих систем используются
ров, таких как сенсоры температуры, вибраций, аку- различные аналоговые интерфейсы, встроенные
стических сигналов и многие другие, что позволит цифровые фильтры и многие другие узлы. В много-
обнаружить самые незначительные отклонения в канальных системах мониторинга должна поддер-
работе оборудования. живаться одновременная выборка сигналов для со-
Например, для обнаружения начала износа хранения фазовых отношений между наборами дан-
поршневого насоса может потребоваться фиксация ных во временной области.
изменения конечного положения поршня с погреш- Например, при использовании двух ортогональ-
ностью не более чем 0.1 мм при движении поршня в но расположенных датчиков вибраций, появляется
пределах 300 мм. Для такого разрешения может по- возможность определять направление и амплитуду
требоваться прецизионный 16-разрядный АЦП с векторов вибраций. На практике фазовые задержки
динамическим диапазоном 96 дБ. сигналов в каждом измерительном тракте многока-
Во многих случаях мониторинг должен выпол- нальной системы мониторинга должны быть хоро-

12 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

шо согласованы. В таких системах могут использо- вень шумов и хорошо согласуются с параметрами
ваться, наряду с сигма-дельта АЦП, преобразовате- модулей типа µModule®. Их потребление на порядок
ли поразряднго уравновешивания. ниже пьезоэлектрических датчиков вибраций, что
Эти АЦП компании Analog Devices имеют частоту позволяет строить на их основе миниатюрные мно-
выборки до 2 МГц, большой динамический диапа- гоосные системы измерения вибраций.
зон и отличаются простотой применения. Кроме Отметим, что измерение температуры, вибра-
того, они отличаются малым энергопотреблением и ций или шума оборудования и преобразование этих
высокой плотностью компоновки измерительных параметров в цифровую форму хоть и является ос-
каналов. Для таких систем мониторинга компанией новной задачей системы мониторинга, но этими по-
Analog Devices разработаны миниатюрные измери- казателями требования к таким системам не исчер-
тельные модули сбора данных типа µModule® с вы- пываются. Для достижения низкого уровня шума в
сокой степенью интеграции (рис. 3). Эти модули со- системе сбора данных требуются не только мало-
держать все необходимые узлы, включая сенсоры, шумящие датчики и компоненты аналого-цифрово-
для построения многоканальных систем монито- го преобразования, но и специально разработанная
ринга, предназначенных, в том числе, для встраива- конструкция корпуса, ослабляющая внешние шумы
ния в технологическое оборудование. и вибрации. Отметим, что для достижения низкого
энергопотребления в системе сбора данных долж-
ны использоваться узлы, которые могут обеспечить
продолжительную работу от аккумуляторной бата-
реи (рис. 4).

Рис. 3. Внешний вид модуля µModule® Рис. 4. Структурная схема типового


измерительного канала системы сбора данных
Обеспечение большого динамического диапа-
зона, широкой полосы пропускания, большей энер- Новые системы мониторинга для оценки состоя-
гоэффективности и более высокой плотности ком- ния технологического оборудования могут быть ис-
поновки измерительных каналов является частич- пользованы не только в новых машинах и механиз-
ным решением задачи построения систем монито- мах, но и в оборудовании, которое уже находится в
ринга для сбора данных. эксплуатации.
Так, например, широко распространенные пье- Возможность замены старого диагностического
зоэлектрические датчики вибраций являются круп- оборудования в таком оборудовании сопряжена с
ногабаритными и дорогими устройствами. Они, как рядом особенностей. На многих промышленных
правило, выполнены в металлических корпусах, ра- объектах уже имеется разветвленная кабельная
ботают при напряжениях питания -24 В и токе по- сеть для измерения некоторых параметров обору-
требления не менее 2 мА, в то время, как система дования и параметров окружающей среды. Однако
сбора данных может работать при напряжениях пи- большая часть существующей инфраструктуры не в
тания 5 или 3 В с более низким потреблением. состоянии поддерживать большие потоки данных,
Таким образом, пьезодатчики вибраций плохо обеспечивать их передачу с требуемой скоростью
вписываются в концепцию миниатюризации и повы- для решения задач комплексного мониторинга.
шения плотности компоновки измерительных кана- Один из подходов расширения возможностей
лов в системах сбора данных. В тоже время вибра- уже существующей инфраструктуры со своей ка-
ционные и инерционные датчики на основе MEMS- бельной разводкой заключается во введении в си-
технологий отвечают требованиям таких систем. стему мониторинга дополнительных измеритель-
Новые MEMS-устройства компании Analog Devices ных каналов так, чтобы это не влияло на работу си-
имеют широкую полосу пропускания, низкий уро- стемы в целом. Например, технология HART® ис-

email: ekis@vdmais.ua 13
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

пользуется для сбора дополнительной диагности- станке или другом оборудовании.


ческой информации в цифровом виде совместно с
данными, снимаемыми с аналогового интерфейса в ВЫВОДЫ
виде токовой петли в диапазоне токов от 4 мА до 20 мА.
Кроме того, может быть использована кабельная Мониторинг состояния и диагностика сложного
сеть промышленного Ethernet для обеспечения бо- технологического оборудования основаны на коли-
лее высокой пропускной способности системы мо- чественной оценке состояния отдельных его узлов
ниторинга. путем оценки измеренных с помощью сенсоров па-
Другой подход заключается в использовании раметров этого оборудования.
беспроводных сетей для сбора диагностической Повышение точности и чувствительности этих
информации. В промышленных условиях требуется измерений, а также уменьшение размеров, веса и
надежная и безопасная беспроводная сеть. Новей- потребляемой мощности систем сбора данных поз-
шие сетевые приемопередатчики – это микросхемы воляет эффективно использовать системы монито-
и сертифицированные модули для беспроводной ринга в производственных условиях. Капитальные
связи, которые обеспечивают низкое энергопо- затраты на оборудование могут быть снижены бла-
требление и надежность передачи данных в про- годаря гибкой системе мониторинга его состояния.
мышленных условиях эксплуатации с вероятностью Раннее обнаружение и замена изношенных компо-
не ниже 99,999%. Перспективным направлением нентов сможет защитить производство от внепла-
развития систем мониторинга для диагностики тех- новых простоев.
нологического оборудования является встраивание Срок службы оборудования может быть увели-
датчиков вместе с измерительным каналом в си- чен за счет своевременного ремонта и замены из-
стемный блок оборудования. носившихся узлов. Это позволит снизить себестои-
Это значит, что двигатели будут поставляться с мость и повысить качество производимого продук-
встроенными датчиками вибраций и тока, то же са- та. Компания Analog Devices уже в настоящее время
мое может произойти с подшипниками, коробками позволяет обеспечить измерительные каналы раз-
передачи и другим оборудованием. Будут созданы личных систем мониторинга и диагностики техноло-
автономные сенсорные модули, которые будут пе- гического оборудования необходимым набором
редавать на мобильное устройство оператора ин- электронных компонентов, начиная от MEMS-дат-
струкции по оптимальному управлению оборудова- чиков с низким энергопотреблением, высокопроиз-
нием и технологическим процессом в целом. Изме- водительных и энергоэффективных АЦП и ЦАП, и
рительные каналы будут унифицированными и заканчивая микросхемами и модулями для орга-
обладать способностью обрабатывать сигналы, низации и построения беспроводных сенсорных
снимаемые с датчиков разных типов. Появится воз- сетей.
можность использовать один и тот же узел системы
мониторинга, например, в стиральной машине, в

14 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ TOF-ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ


ИЗМЕРЕНИЯ РАССТОЯНИЯ *
THE WEARABLE FOR MACHINE HEALTH:
CONDITION-BASED MONITORING

В ремяпролетные или ToF-технологии опре-


деления глубины получили распростране-
Аbstract –
ime-of-flight (ToF) cameras have gained attention as
T
the depth sensing method of choice for its smaller form
factor, wide dynamic range of sensing, and its ability to oper-
ние благодаря малым габаритам, широкому ate in a variety of environments. Though ToF technology has
динамическому диапазону и возможности ра- been used for years in the scientific and military fields, it has
боты в различных средах. Несмотря на то, что become more prevalent starting in the early 2000s with
ToF-технологии используются давно в научной advances in image sensing technology. This evolution in per-
сфере и обороне, только сейчас в связи с раз- formance means that technologies such as ADI’s ToF tech-
витием микроэлектронной элементной базы, nology will become more ubiquitously deployed beyond the
в том числе с появлением новых микросхем consumer market, where it is currently being designed into
компании Analog Devices, они начали широко smartphones, consumer devices, and gaming devices. As the
применяться в различных сферах человече- technology matures, there will be opportunities to further
ской деятельности. Особенности применения leverage mainstream manufacturing processes to increase
этих технологий рассмотрены в настоящей system efficiencies in the design, manufacturing, and trans-
публикации. port of goods. Features of application of the ToF technology
are considered in the article.
К. Слаттери, Ю. Шида C. Slattery, Y. Shida

На рис. 1. показан принцип работы ToF- или вре- на основе применения искусственного интеллекта
мяпролетных систем определения расстояния меж- открывают новые возможности при решении пере-
ду объектами. Логистика, контроль качества, нави- численных выше задач.
гация, робототехника, распознавание лиц, здраво- В статье рассмотрены два основных метода из-
охранение и мониторинг движения транспортных мерения расстояния с помощью ToF-технологии,
средств – это основные области использования выполнено их сравнение с другими, получившими
ToF-систем с 3D-зондированием расстояния для распространение на практике методами и техноло-
решения задач, которые практически невозможно гиями измерения расстояния, показаны особенно-
было решить с помощью 2D-технологии. Объедине- сти использования ИМС ADDI9036 производства
ние данных о глубине алгоритмами классификации компании Analog Devices для обработкти ToF-сигна-

Рис. 1. ToF-технология для определения расстояния до объекта

* Slattery C., Shida Y. ADI ToF Depth Sensing Technology: New and Emerging Applications in Industrial, Auto-
motive Markets, and More. Analog Dialogue, N 4, 2019. www.analogdialogue.com. Сокращенный перевод
с английского и комментарии В. Романова.

email: ekis@vdmais.ua 15
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

лов при измерении расстояния в 3D-формате. ИМС а сдвиг фазы отраженного света измеряется с по-
ADDI9036 представляет собой устройство для обра- мощью демодуляции принятого фотоприемником
ботки ToF-сигналов, которое содержит процессор сигнала. Например, можно использовать синусои-
расстояния, обрабатывющий данные изображения, дальную модуляцию, где излучаемый сигнал имеет
снимаемые с ПЗС-сенсоров. вид
На рис. 2. приведена схема измерения расстоя- s(t) = AScos(2πfmodt) + BS,
ния, в соответствии с которой объект облучается
лазером или светодиодом, а чувствительный к дли- где AS – амплитуда сигнала, BS – постоянная со-
не волны лазера фотоприемник захватывает отра- ставляющая (смещение сигнала), fmod – частота мо-
женный свет. Фотоприемник с таймером измеряет дулирующего сигнала.
временную задержку ∆T между моментом начала Принятый фотоприемником сигнал r(t) является
излучения света и моментом его захвата. Задержка по сути задержанным и ослабленным сигналом
пропорциональна удвоенному расстоянию между облучения объекта
камерой и объектом облучения, поэтому расстоя-
ние может быть оценена по формуле как r(t) = αS(t – ∆T)

d = c∆T/2, (1) где 0 ≤ α <1 – коэффициент ослабления, который


зависит от расстояния и отражательной способно-
где c – скорость света. сти объекта, а ∆T – задержка сигнала.
Функция устройства заключается в измерении Время пролета CW-волны пропороционально
задержки ∆T между излучаемым и отраженным сиг- расстоянию и измеряется до каждого пикселя пу-
налом. Существуют различные методы измерения тем выборки корреляционной функции между при-
интервала ∆T, два из которых получили наибольшее нятым отраженным сигналами r (t) и демодулиро-
распространение. Это метод незатухающих волн ванным сигналом g(t) с той же частотой, что и s(t). В
(CW-метод) и импульсный метод. идеальном случае демодулирующий сигнал также
В методе незатухающих CW-волн периодиче- является синусоидальной волной
ский модулированный сигнал используется для
активного облучения объекта, как показано на рис. 3, g(t)=Agcos(2πfmodt) + Bg.

Рис. 2. Упрощенная схема измерения глубины с применением ToF-технологии

Рис. 3. Принцип действия ToF-системы на основе метода незатухающих волн

16 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

Операция, выполняемая пикселем, является


операцией корреляции

Если излучаемый сигнал и демодулирующий


сигнал являются синусоидальными волнами, значе-
ние корреляции как функция задержки τ, применяе- Рис. 5. Временные окна затвора для захвата
мой к демодулирующему сигналу, записывается отраженного света
следующим образом
BG захватывает внешний световой поток, который в
c(τ) = Acos(2πfmodt(∆T-τ)) + B. процессе обработки вычитается из результатов
других измерений.
где A = αAgAS, B = αBgBS. Интервал времени ∆T определяется по измерен-
Корреляционная функция c(τ) дискретизируется ным значениям в различных окнах в соответствии со
с четырьмя равными шагами в течение одного пе- следующим выражением
риода (путем изменения фазового сдвига облуче-
ния с шагом 90°), как показано на рис. 4. Сдвиг ∆T = (S1 – BG)/(S0 + S1 – 2BG). (2)
фазы Φ=2πfmod∆T между излучаемым сигналом и де-
модулирущим сигналом определяется с помощью Исходя из (2), можно рассчитать расстояние d,
следующего выражения подставив значение интервала ∆T в выражение (1),
т.е. d будет равно

d = [(S1 – BG)/(S0 + S1 – 2BG)]c/2.


где Tmod =1/fmod,
а расстояние d, которое пропорционально сдви- Следует отметить, что приведеннные выражения
гу фаз, равно основаны на предположении о том, что световые
d = сΦ/(4πfmod). импульсы облучения являются строго прямоуголь-
ным, а это, как правило, невозможно обеспечить на
практике из-за несовершенства аппаратных
средств. Кроме того, в практических применениях
необходимо накопить от нескольких сотен до не-
скольких тысяч импульсов облучения, чтобы полу-
чить достаточное большое отношение сигнал/шум
(SNR) для точного измерения расстояния.
Преимущества и недостатки систем
на основе метода незатухающих волн
и импульсного метода
Оба ToF-метода имеют свои преимущества и не-
достатки. При их применении на практике необхо-
димо учитывать величину измеряемого расстояния,
Рис. 4. Диаграмма процесса выборки параметры окружающей среды, в которой исполь-
корреляционной функции зуется система, требования к точности, ограниче-
ния на потребляемую мощность, требования к габа-
В импульсном методе источник облучения излу- ритам и электропитанию. Следует отметить, что в
чает серию N коротких световых импульсов, кото- подавляющем большинстве CW-систем, которые
рые отражаются от объекта на фотоприемник, снаб- были внедрены, используются КМОП-сенсоры, в то
женный электронным затвором. Затвор захватыва- время как в импульсных системах используются
ет свет в несколько коротких временных окон. На ПЗС-сенсоры.
рис. 5 показаны три окна, которые используются Исходя из этого, преимущества и недостатки
для захвата отраженных световых импульсов. Окно этих систем основаны на следующием.

email: ekis@vdmais.ua 17
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

Преимущества систем на основе требуется четыре выборки корреляционной функ-


незатухающих волн: ции на нескольких частотах модуляции, а также
1. Для приложений, в которых не предъявляется многокадровая обработка для расчета расстояния.
высоких требований к точности, CW-система может Более длительное время экспонирования может по-
быть проще в реализации по сравнению с импульс- тенциально ограничить общую частоту кадров CW-
ной системой, т. к. в ней источник света не должен системы или вызвать размытость изображения, что,
генерировать короткие импульсы света с крутыми в свою очередь, может ограничить использование
фронтами. Однако, если требования к точности та- ситемы в целом в некоторых приложениях. Напри-
ких систем велики, то растут трудности в формиро- мер, может увеличиться сложность обработки с
вании высокочастотных сигналов модуляции. применением дополнительного внешнего процес-
2. Из-за периодичности сигнала облучения лю- сора.
бое измерение фазы в CW-системе будет охваты- 2. Для измерения больших расстояний или рабо-
вать интервал в целый период, что может привести ты в средах с высоким уровнем внешнего освеще-
к наложению периодически повторяемых выборок ния в CW-системах требуется более высокая опти-
и, как следствие, к увеличению погрешности изме- ческая мощность по сравнению с импульсной си-
рения. Поэтому приходится использовать несколь- стемой.
ко разных частот модуляции, причем истинное рас- Преимущества импульсных систем:
стояние объекта можно определить, если два (или 1. В импульсных системах часто используются
более) измерения фазы с разными частотами моду- высокоэнергетические световые импульсы, излу-
ляции согласуются с измеряемым расстоянием. Та- чаемые короткими пакетами в течение малого ин-
кая частотная схема с множественной модуляцией тервала времени. Это дает следующие преимуще-
также может быть полезна для уменьшения ошибки ства: облегчает проектирование системы, устойчи-
многолучевого распространения световой волны, вой к внешнему освещению, что важно для наруж-
которая возникает, когда отраженный свет от объ- ного применения, имеет более короткое время экс-
екта попадает на другой объект перед возвратом к позиции, что минимизирует эффект размытия при
фотоприемнику, что тоже может привести к росту движении объектов.
погрешности измерения. 2. Рабочий цикл облучения в импульсной систе-
3, Как и во всех системах формирования изобра- ме, как правило, намного короче, чем в сопостави-
жений с помощью КМОП-сенсоров, в них могут быть мой CW-системе, что дает следующие преимуще-
использованы источники питания со стандартными ства: снижается рассеиваемая мощность системы в
уровнями напряжения: +5 В, +3.3 В, +1.2 В, в отли- приложениях с большей дальностью действия,
чие от ПЗС-сенсоров, для которых, как правило, мо- уменьшается уровень помех от других импульсных
гут потребоваться более высокие отрицательные систем за счет размещения импульсов в другой
до -9 В и положительные до +14 В напряжения пи- области кадра.
тания. Недостатки импульсных систем:
4. В зависимости от конфигурации КМОП-сенсо- 1. Поскольку длительность передаваемого све-
ры, как правило, обладают более высокой скоро- тового импульса и длительность электронного за-
стью считывания данных. твора должны быть одинаковыми, управление син-
5. Калибровка CW-системы по температуре про- хронизацией системы должно быть точным, для
ще, чем импульсной системы. Когда температура чего могут потребоваться минимальные в пределах
окружающей среды увеличивается, сигнал демоду- нескольких пикосекунд отклонения в импульсах
ляции и степень освещенности будут смещаться синхронизации.
друг относительно друга из-за изменения темпера- 2. Для высокой эффективности длительность
туры. Этот сдвиг влияет только на измеренное рас- импульса облучения должна быть максимально ко-
стояние с ошибкой смещения, которая постоянна роткой, а импульс должен иметь большую мощ-
во всем измеряемом диапазоне и может быть учте- ность. По этой причине необходимо формировать
на в процессе обработки. импульсы управления лазером или лазерным дио-
Недостатки CW-систем: дом с короткими фронтами (<1 нс).
1. Несмотря на то, что КМОП-сенсоры имеют бо- 3. Калибровка температуры, как правило, слож-
лее высокую скорость фиксации передачи данных нее чем в CW-системах, поскольку изменение тем-
по сравнению с другими датчиками, в CW-системах пературы будет влиять на длительность отдельных

18 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

импульсов, а не только на смещение и коэффициент образца. 3D-объект искажает этот эталонный


усиления, а также на его линейность образец, а 2D-камера фиксирует эти искажения.
4. Как указывалось ранее, в большинстве им- Полученные искажения сравниваются с эталонным
пульсных систем КМОП-сенсоры не используются. шаблоном, который был спроецирован, а затем
Коротко остановимся на других системах анало- вычисляется карта расстояния на основе степени
гичного назначения. искажения (рис. 7).
Стереосистемы
Стереосистемы для измерения расстояния ра-
ботают с использованием более чем одной камеры,
которые находятся на определенном расстоянии
друг от друга, как показано на рис. 6. Подобно чело-
веческому глазу, заданная контрольная точка в про-
странстве будет находиться в разных положениях в
каждой камере, что позволяет системе вычислять
положение этой точки в пространстве, если соот-
ветствие этой точки выполняется в двух камерах.
Определение этого соответствия требует примене- Рис. 7. Принцип измерения расстояния
ния сложных алгоритмов. с использованием метода структурированного
освещения

Преимущества метода структуированного осве-


щения заключаются в возможности достижения вы-
сокого пространственного разрешения, а также вы-
сокой точности измерения на небольших расстоя-
ниях, не более 2 м.
Недостатки метода структуированного
освещения:
1. Для извлечения одного кадра информации
требуется несколько проекций, что может привести
к снижению частоты кадров и, как следствие, к уве-
Рис. 6. 3D-измерение расстояния с помощью личению погрешности измерения расстояния меж-
стереосистемы ду движущимися объектами.
2. При больших расстояниях камера должна рас-
Преимущества стереосистем: полагаться вдали от источника облучения, посколь-
• не требуется облучать объекты с помощью ку искажение рисунка может быть не различимо,
искусственного источника света если источник обьлучения расположен рядом с ка-
• для сбора данных требуются только две камеры. мерой. По этой причине структурированные свето-
Недостатки стереосистем: вые системы обычно не используются в измерениях
• если контраст между двумя камерами от- расстояния более 2 м.
сутствует, расстояние не может быть рассчитано. 3. Внешнее освещение также может вносить по-
Это, как правило, имеет место в помещениях с грешность в искаженный рисунок, поэтому такие
белыми стенами, или в помещениях с недостаточ- системы преимущественно предназначены для ис-
ным внешним освещением пользования в помещениях.
• на больших расстояниях две камеры должны ToF-технология компании Analog Devices
быть расположены дальше друг от друга, чтобы Это импульсная технология на основе ПЗС-сен-
соответствующая точка была расположена в раз- соров, как показано на рис. 8. В системе использу-
ных местах в каждой из двух камер. ется ИМС ADDI9036, которая содержит устройство
Системы на основе метода обработки ToF-сигналов. Она включает 12-разряд-
структурированного света ный АЦП, процессор расстояния, который обраба-
Метод структурированного света основан на тывает данные изображения, снимаемые с ПЗС-
проецировании точек на объект от эталонного сенсоров, а также высокоточный тактовый генера-

email: ekis@vdmais.ua 19
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

Рис. 8. Функциональная схема ИМС ADDI9036 и особенност ее применения


для измерения расстояния

тор, который генерирует синхроимпульсы как для засветкой.


ПЗС-матрицы, так и для лазера. Точный синхрони- Встроенный в ИМС процессор, использующий
зирующий тактовый генератор позволяет формиро- алгоритм обработки псевдослучайных сигналов в
вать тактовые импульсы и выходной сигнал драйве- сочетании с новой технологией обработки изоб-
ра лазерных диодов с разрешением не хуже174 пс ражений, позволяет подавлять помехи, генери-
на тактовой частоте 45 МГц. руемые другими системами, что позволяет обес-
ToF-система компании Analog Devices отличается печить одновременную работу нескольких анало-
от аналогичных тем, что в ней используются фото- гичных систем.
приемники с числом элементов 640×480, что в че- На рис. 10 показан пример использования си-
тыре раз превышает разрешение аналогичных си- стем разного типа для измерения расстояния. Как
стем других производителей. В фотоприемниках следует из рис.10, система на основе КМОП-сен-
ToF-системы компании Analog Devices используют- соров с источником света длиной волны 850 нм
ся высокочувствительные фотоприемники с макси- показала результат низкого качества, а система
мальной чувствительностью на длине волны 940 нм. на основе ПЗС-сенсоров изображения продемон-
Отметим, что внешнее освещение существенно стрировала четкое изображение объектов, рас-
влияет на отношение сигнал/шум при считывании стояние между которыми может быть легко изме-
отраженного сигнала, однако на выбранной длине рено.
волны плотность потока фотонов в спектре солнеч- Таким образом, использование изображения в
ного излучения относительно мала (рис. 9). Это формате 2D совместно с 3D-зондированием мо-
позволяет производить высокоточные измерения жет значительно улучшить качество информации
расстояния в условиях со значительной внешней при измерении расстояний между разными объ-
ектами (рис. 11). В частности, 2D-зондирование
не может отличить лицо реального человека от его
фотографии. Извлечение информации о глубине
позволяет лучше классифицировать людей, от-
слеживая их черты лица, особенности фигуры, по-
ходки и т.п. Определение расстояния может обес-
печить высокое качество распознавания лиц в
толпе, например, для быстрого распознавания
преступника. Чем выше разрешение и точность
измерения расстояния, тем лучше работает алго-
ритм классификации. Это может быть использо-
вано для предоставления доступа к мобильным
устройствам, санкционированного доступа к слу-
Рис. 9. Распределение спектра потока жебным помещениям и для повышения безопас-
фотонорв в полосе солнечного света ности в целом.

20 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

томатического открывания дверей, которая на-


дежно выполняется даже при интенсивном сол-
нечном освещении.
Рассмотренные системы могут успешно при-
меняться в промышленности. Способность точно
измерять и классифицировать детали в реальном
времени в процессе производственного процес-
са является важной задачей. Точное определение
расстояния помогает эффективно распределить
пространство складских помещений. Детали, ко-
торые сходят с производственной линии, могут
быть быстро направлены в сборочные цеха. Опре-
деление расстояния с высоким разрешением поз-
Рис. 10. Сравнение результатов измерения
воляет определять края строительных конструк-
расстояния изображения для систем разного
типа ций в режиме реального времени, рис. 13, 14, а
также производить быстрые вычисления объемов.
При определении объема используется нейросе-
тевой подход.

Рис. 11. Распознавание лица


с 3D-зондированием

По мере того, как технологии глубинного зон-


дирования будут совершенствоваться, обеспечи-
вая высокое разрешение и точность измерения
расстояния, процедуры классификации и в случае
необходимости отслеживания людей существен- Рис. 13. ToF-cистема для измерения
но упростяться. Один из вариантов использования 3D-размеров
таких систем показан на рис. 12. Это функция ав-
Автономные транспортные средства широко
применяются на предприятиях. Они должны иметь
возможность быстрого перемещения по фабрич-
ному цеху или складу. Технология высокоточного
зондирования расстояния позволит составить
карту производственного пространства в реаль-
ном времени, локализовать транспортное сред-
ство на карте и построить наиболее эффективный
маршрут для его передвижения. Одна из проблем
внедрения подобных систем в промышленность
заключается в защите от помех, генерируемых
датчиками сходных устройств и систем. Разраба-
тываемые в настоящее время протоколы для по-
Рис. 12. ToF-cистема управления давления помех позволят таким системам рабо-
автоматическим открыванием дверей при тать одновременно в зоне прямой видимости, не
интенсивном солнечном освещении влияя друг на друга.

email: ekis@vdmais.ua 21
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

Рис. 14. Примеры использования ToF-cистем для измерения расстояния на производстве

Компания Analog Devices разработала отладоч-


ную плату оптических датчиков AD-96TOF1-EBZ
(рис. 15), которая совместима с платформой процес-
сора Arrow 96. Оптические характеристики платы
96TOF1 приведены в таблице.
Таблица. Параметры отладочной платы
AD-96TOF1-EBZ
Расстояние до 6 м

Угол обзора 90×69.2°

Длина волны 940 нм Рис. 16. Демонстрационный модуль DCAM710

Частота кадров 30 кадров/с 2D-технологии. В ближайшем будущем эта техноло-


640×480 точек гия найдет широкое применение для классифика-
Разрешение
ции людей, определения преступников в местах
Кроме того, фирмой-партнером компании Ana- большого скопления людей, учета и быстрой пере-
log Device разработан демонстрационный модуль дачи изготовленных деталей в сборочные цеха, из-
DCAM710, который позволяет оценить предпроект- мерения в реальном времени габаритов строитель-
ное решение будущей разработки, рис. 16. Де- ных конструкции при выполнении монтажных работ
монстрационный модуль поддерживает потоковую и т.п. Новая ИМС ADDI9036 компании Analog De-
передачу данных в ПК через USB-порт. vices предназначена для реализации этой техноло-
гии. Она построена на основе импульсного метода с
ВЫВОДЫ применением ПЗС-сенсоров, которые отличаются
высокой чувствительностью и быстродействием.
Разработанная компанией Analog Devices ToF- Разработанная отладочная плата дает возможность
технология с использовавнием 3D-зондирования быстро раработать устройства на ИМС ADDI9036
расстояния, предназначена для решения задач, ко- для применеия ее в промышленном производстве и
торые практически невозможно решить с помощью других приложениях.

Рис. 15. Отладочна плата для программирования системы измерения расстояния

22 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

УПРАВЛЕНИЕ SPI-ИНТЕРФЕЙСОМ МИКРОКОНТРОЛЛЕРА


ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ДОСТУПА К НЕСТАНДАРТНОМУ
SPI-ИНТЕРФЕЙСУ АЦП *
MANIPULATING MCU SPI INTERFACE TO ACCESS

М ногие современные прецизионные АЦП


имеют последовательный интерфейс
(SPI) для связи с микроконтроллерами,
A NONSTANDARD SPI ADC

микропроцессорами, сигнальными процес-


сорами, в том числе на основе ПЛИС FPGA.
Аbstract –
any current precision analog-to-digital converters
M
(ADCs) have a serial peripheral interface (SPI) or
some serial interface to communicate with controllers includ-
Благодаря этому АЦП легко подключить к ing a microcontroller unit (MCU), a DSP, or an FPGA. And, it is
контроллеру со стандартным SPI-интерфей- easy to connect an ADC to the controller with a standard SPI.
сом. Особенности такого подключения рас- The features of such communication is considered in the arti-
смотрены в этой статье. cle.
С.Кси S. Xie

жиме ведущего устройства. Пользователи, как пра-


вило, сталкиваются с трудностями при сопряжении
микроконтроллера с такими преобразователями.

Вопрос: Рис. 1. АЦП AD7768 в режиме ведущего


устройства с двумя последовательными
Можно ли подключить АЦП с нестандартным
шинами данных
последовательным интерфейсом к микроконтрол-
леру со стандартным SPI-интерфейсом? SPI-интерфейс – это синхронный полнодуплекс-
Ответ: ный интерфейс, работающий в режиме master/slave
Да, можно, но при определенной доработке та- (ведущего/ведомого устройства). Данные от веду-
кого интерфейса. щего устройства (master) или ведомого устройства
Некоторые новые АЦП имеют стандартные SPI- (slave) синхронизируются по фронту или спаду так-
интерфейсы, наряду с ними выпускаются АЦП, тового импульса. Как ведущие, так и ведомые
использующие нестандартный 3-проводной или устройства могут передавать данные по интерфей-
4-проводной SPI-интерфейс для обеспечения бо- су одновременно. На рис. 2 показано типовое 4-
лее высокой пропускной способности. Например, проводное соединение АЦП с микроконтроллером
семейство AD7616, AD7606 и AD7606B имеет две по SPI-интерфейсу.
или четыре линии (шины) для передачи данных с це- Чтобы начать считывание данных по стандартно-
лью обеспечения более высокой пропускной спо- му SPI-интерфейсу, контроллер должен по тактово-
собности в последовательном режиме обмена дан- му импульсу выбрать АЦП (сигнал CS, низкий уро-
ными. Семейства AD7768, AD7779 и AD7134 имеют вень которого обычно является активным). По-
несколько линий передачи данных и работают в ре- скольку SPI-интерфейс является полнодуплексным

* Xie S. Manipulating MCU SPI Interface to Access a Nonstandard SPI ADC. www.analog.dialogue. Analog Di-
alogue, N 4, December, 2019. Сокращенный перевод с английского и комментарии В. Романова.

24 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

пает в качестве ведомого устройства и взаимодей-


ствует по одной шине DOUT с АЦП, который являет-
ся ведущим устройством
2. Решение 2: Микроконтроллер (MCU) высту-
пает в качестве ведомого устройства и взаимодей-
ствует по двум шинам DOUT с АЦП, который являет-
Рис. 2. Соединение АЦП и микроконтроллера ся ведущим устройством
по стандартному SPI-интерфейсу 3. Решение 3: Микроконтроллер (MCU) высту-
пает в качестве ведомого устройства и взаимодей-
интерфейсом, контроллер и АЦП могут одновре- ствует через DMA-порт с АЦП, который является ве-
менно выводить данные по шинам MOSI/DIN и дущим устройством
MISO/DOUT соответственно. 4. Решение 4: Микроконтроллер (MCU) высту-
SPI-интерфейс контроллера предоставляет пает в качестве ведущего и ведомого устройства
пользователю гибкость в выборе фронта или спада для считывания данных по двум шинам DOUT.
тактового импульса для выборки и/или сдвига дан- В качестве примера рассмотрим считывание
ных. Для надежной связи между ведущим и ведо- данных АЦП AD7768 по SPI-интерфейсу (шина
мым устройствами, пользователи должны следо- DOUT) микроконтроллером STM32F429. Как видно
вать спецификациям по синхронизации цифрового из рис. 3, по каналу 0 – 7 данные считываются из
интерфейса микроконтроллера и АЦП, которые АЦП только по шине DOUT, причем АЦП
приведены в технической документации (data sheet) AD7768/AD7768-4 работает как ведущее устрой-
на применяемые микросхемы. ство и передает данные, тактовые и служебные сиг-
Если SPI-интерфейс микроконтроллера и после- налы DCLK и DRDY в микроконтроллер, как в ведо-
довательный интерфейс АЦП имеют стандартный мое устройство. Отметим, что семейство микро-
режим синхронизации, у пользователей не возни- контроллеров STM32Fxxx широко используется во
кает проблем при проектировании печатной платы многих приложениях. Эти микроконтроллеры
устройства в целом и разработке встроенного про- имеют несколько портов SPI, которые могут быть
граммного обеспечения для поддержки работы та- запрограммированы как ведущие или ведомые с
кого интерфейса. Но некоторые новые АЦП содер- стандартными режимами синхронизации. Пред-
жат нестандартные последовательные интерфейсы, ставленные ниже рекомендации могут, кроме того,
которые не отвечают общепринятым требованиям к применяться в других микроконтроллерах с 8-бит-
синхронизации работы SPI-интерфейса. На первый ным, 16-битным или 32-битным размерами кадра.
взгляд кажется невозможным, чтобы микроконтрол- Преобразователи AD7768 / AD7768-4 – это 8- и
лер или сигнальный процессор считывал данные че- 4-канальные сигма-дельта АЦП с модулятором и
рез нестандартный последовательный порт АЦП цифровым фильтром на канал, что позволяет син-
AD7768, как показано на рис. 3. хронизировать выборку сигналов на входах АЦП.
Для преодоления такого неудобства, вызванно- Они имеют динамический диапазон входного сигна-
го различиями в схемах последовательных интер- ла до 108 дБ при максимальной входной полосе
фейсов АЦП и микроконтроллера (сигнального про- пропускания 110.8 кГц, интегральную нелинейность
цессора) автором статьи предлагаются следующие не хуже ±2 ppm, погрешность смещения нуля не бо-
подходы для организации связи таких устройств: лее ±50 мкВ и погрешностью усиления не более ± 30
1. Решение 1: Микроконтроллер (MCU) высту- ppm. Пользователь AD7768 / AD7768-4 может зада-

Рис. 3. Временные диаграммы сигналов считывания данных по DOUT0-шине АЦП AD7768

email: ekis@vdmais.ua 25
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

вать ширину полосы пропускания входного сигнала, • по сигналу DCLK данные непрерывно выводят-
скорость передачи выходных данных и один из трех ся из АЦП, а сигнал DRDY имеет низкий уровень, ко-
режимов питания, чтобы оптимизировать его исхо- гда завершен вывод всех разрядов последователь-
дя из допустимых шумов и энергопотребления. Гиб- ных данных, рис. 5.
кость АЦП AD7768/AD7768-4 позволяет им стать ба- Решение 1: Микроконтроллер используется в ка-
зовыми устройствами для измерения сигналов низ- честве ведомого устройства, а АЦП – в качестве ве-
кого уровня. К сожалению, последовательный ин- дущего с одной шиной данных DOUT:
терфейс AD7768 является нестандартным, поэтому 1. Необходимо настроить микроконтроллер
АЦП AD7768 работает как ведущее устройстве при STM32F429, его SPI-порт, например, SPI4, в каче-
связи с микроконтроллером. Как правило, разра- стве ведомого устройства для считывания данных.
ботчики при сопряжении такого АЦП с микроконт- 2. Необходимо подключить вывод сигнала DRDY
роллером должны использовать дополнительный АЦП AD7768 к входному выводу внешнего прерыва-
промежуточный контроллер, выполненный на ПЛИС ния микроконтроллера STM32F429 (EXTI0 и NSS SPI
типа FPGA/CPLD. Пример такой реализации приве- CS). Фронт сигнала DRDY запустит обработчик
ден на рис. 4, где АЦП AD7768 и дополнительный EXTI0 для разрешения начала приема данных мик-
контроллер на ПЛИС типа 32F429IDISCOVERY рас- роконтроллером через SPI-порт по первому спаду
положены на общей оценочной плате, причем дан- сигнала DCLK с момента, когда уровень сигнала
ные, снимаемые с 8-канального АЦП, выводятся на DRDY перейдет в низкое состояние.
одну шину DOUT0. 3. После приема всех данных от каналов 0 – 7
SPI-порт следует отключить, чтобы запретить чте-
ние иных дополнительных данных.
Листинг программы, поддерживающей работу
связи АЦП с микроконтроллером в этом режиме,
содержится в оригинале статьи
Решение 2: Микроконтроллер используется в ка-
честве ведомого устройства, а АЦП – в качестве ве-
дущего с двумя шинами данных DOUT:
Рис. 4. Пример вывода данных АЦП AD7768 В первом случае (решение 1) шина данных
на микроконтроллер STM32F429 по шине
DOUT0 используется для вывода всех данных, сни-
данных DOUT0
маемых с 8 входов АЦП. Таким образом, чтение дан-
Проблемы, которые необходимо учесть при ор- ных ограничено частотой 8 кГц. Как следует из рис. 1,
ганизации такой связи, состоят в следующем: выходы каналов 0...3 подключены к шине DOUT0 и
• АЦП AD7768 работает как ведущее устройство, выходы каналов 4...7 подключены к шине DOUT1,
поэтому микроконтроллер STM32F429I должен что позволяет увеличить частоту съема данных с
быть запрограммирован как ведомое устройство выхода АЦП в два раза. Схема подключения АЦП к
• высокий уровень сигнала DRDY – это один пе- микроконтроллеру для этого случая приведена на
риод длительности тактового сигнала DCLK, кото- рис. 6. При этом частота передачи данных увеличи-
рый не является типичным сигналом CS. вается до 16 кГц. Листинг программы, поддержи-

Рис. 5. Считывание данных с выхода АЦП AD7768 по нестандартному


последовательному интерфейсу

26 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

Рис. 6. Схема подключения АЦП AD7768 Рис. 7. Схема контроллера для считывания
к микроконтроллеру STM32F429 с выводом данных АЦП с шин DOUTA и DOUTB
данных по двум шинам DOUT0 и DOUT1 по нескольким SPI-портам

вающей работу в таком режиме, содержится в ори-


гинале статьи.
Решение 3: Микроконтроллер используется в ка-
честве ведомого устройства, а АЦП – в качестве ве-
дущего устройства и связан с микроконтроллером
через DMA-порт:
Прямой доступ к памяти (DMA) используется для
обеспечения высокоскоростной передачи данных
между периферийными устройствами и памятью, а
также между памятью и памятью двух цифровых
устройств. Данные могут быть быстро записаны в
память микроконтроллера через DMA-порт без об-
ращения к микроконтроллеру. Листинг программы,
поддерживающей работу с DMA-портом, содержит-
ся в оригинале статьи. Рис. 8. Осциллограмма сигналов данных
Решение 4: Микроконтроллер используется как и служебных сигналов BUSY и SCLK при работе
ведущее и ведомое устройство для считывания дан- АЦП по последовательному SPI-интерфейсу
ных с двух шин DOUT:
АЦП с высокой пропускной способностью под- последовательными интерфейсами. Эти подходы
держивает работу с внешними устройствами по целесообразно использовать при работе с новыми
двум, четырем и даже восьми линиям для ускорения сигма-дельта АЦП, например, семейства AD7616,
считывания данных в последовательном режиме, AD7606 и семейства AD7768, AD7779 и AD7134 для
рис. 7. Для микроконтроллеров с двумя или более повышения пропускной способности канала связи.
SPI-портами предусмотрен режим быстрого чтения
данных. В этом случае частота считывания данных
может составить 800 кГц. Листинг программы, под-
держивающей такой режим работы преобразовате-
ля и микроконтроллера, содержится в оригинале
статьи.
На рис. 8 приведена осциллограмма с визуали-
зацией сигналов данных и служебных сигналов
BUSY и SCLK для АЦП AD7606B при считывании
данных микроконтроллером.

ВЫВОДЫ

В статье рассмотрены подходы и даны рекомен-


дации к использованию SPI-интерфейса микро-
контроллера для считывания данных высокоточных
и высокопроизводительных АЦП с нестандартными

email: ekis@vdmais.ua 27
№ 1, январь-март 2020
В ПОМОЩЬ РАЗРАБОТЧИКУ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

28 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

GOWIN: НОВОЕ ИМЯ НА РЫНКЕ FPGA


GOWIN: NEW FPGA MARKET NAME

В статье приведены основные технические


характеристики и возможности микросхем
FPGA китайской компании GOWIN.
Аbstract –
his article describes the main technical characteristics
T
and capabilities of the FPGA chips produced by Chi-
nese company GOWIN.
В. Котигорошко V. Kotigoroshko

ВВЕДЕНИЕ алгоритм на аппаратном уровне, а не код, предна-


FPGA (Field-Programmable Gate Array) – програм- значенный для выполнения микропроцессором.
мируемые пользователем вентильные матрицы. Микросхема FPGA – это не микропроцессор, в
Это, возможно, не очень точная, но наиболее часто котором последовательно выполняется пользова-
встречающаяся трактовка аббревиатуры FPGA. тельский набор инструкций. В FPGA реализуется на
Микросхемы FPGA представляют собой только одну аппаратном уровне именно алгоритм с использова-
из разновидностей программируемых логических нием встроенных элементарных логических ячеек.
интегральных схем (ПЛИС), хотя очень часто в бо- Проект для FPGA может быть разработан, напри-
лее общих случаях их также называют ПЛИС, под ко- мер, в виде принципиальной электрической схемы.
торыми, как правило, подразумевается полупро- Также существуют специальные языки программи-
водниковый электронный компонент, используемый рования (Verilog или VHDL).
для создания конфигурируемых цифровых узлов, Суперсовременные мощные FPGA ведущих про-
логика работы которых, в отличие от классических изводителей изготавливаются с соблюдением тех-
цифровых микросхем, определяется не в процессе нологических процессов с разрешающей способ-
изготовления, а задается пользователем посред- ностью 10/16 нм и могут содержать десятки млрд
ством его программирования [1-9]. транзисторов (например, кристалл VU19P семей-
Для реализации любого алгоритма обработки ства Virtex Ultrascale+ компании Xilinx Inc.).
данных в процессоре выполняется определенный Важная отличительная особенность FPGA – воз-
набор инструкций. В ПЛИС алгоритм реализуется можность их оперативной реконфигурации и бы-
на аппаратном уровне (в "железе"), благодаря соот- строй адаптации к изменившимся требованиям за-
ветствующей конфигурации элементарных логиче- казчика. Сегодня это контроллер 100Gb Ethernet, а
ских ячеек. завтра контроллер интерфейса PCI-е или HDMI.
Микросхема FPGA – содержит матрицу логиче- Основные области применения – это радары,
ских элементов с набором связей, триггеров, муль- сонары, базовые станции беспроводной связи, про-
типлексоров, портов ввода/вывода, блоки памяти граммно-управляемые радиоустройства, системы
типа SRAM или Flash, а кроме того, может содер- видеонаблюдения, различные аудио и видео прило-
жать вычислительное ядро микропроцессора обще- жения, автомобильная промышленность (видеока-
го назначения или сигнального процессора (DSP), меры, радары, лазерные системы), устройства об-
блок фазовой автоподстройки частоты (PLL) и пр. работки мультимедийной информации в широкопо-
После включения питания необходима начальная лосных сетях, медицинские приборы визуализации,
загрузка конфигурации логических элементов и их сетевые маршрутизаторы, аппаратура для волокон-
связей, которая сохраняется во встроенной энерго- но-оптических линий связи, реконфигурируемые
зависимой или энергонезависимой памяти микро- суперкомпьютеры, робототехника, специальная и
схемы. Число модификаций, т.е. перепрограммиро- военная техника, а также другие устройства для вы-
ваний структуры, не ограничивается. Микросхемы сокопроизводительной и высокотехнологичной об-
FPGA – наиболее востребованная разновидность работки данных. FPGA эффективно используются в
ПЛИС. качестве ускорителей вычислений специализиро-
При использовании FPGA в буквальном смысле ванных функций. Это:
проектируются цифровые микросхемы разной • фильтрация
сложности, т.к. в результате проектирования "рож- • быстрое преобразование Фурье
дается" микросхема, реализующая определенный • криптография

email: ekis@vdmais.ua 29
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

• компрессия
• обработка случайных процессов по методу
Монте-Карло
• получение трехмерных изображений в меди-
цине
• пакетная и сетевая обработка.
Для реализации таких вычислений в FPGA
имеются встроенные в специализированные DSP- Рис. 1. Прогноз развития
блоки многоразрядные умножители, которые также телекоммуникационного рынка FPGA
можно объединять для повышения производитель-
ности при решении задач фильтрации и обработки (США), Microsemi Corporation (США), Achronix
видеоизображения. (США), Teledyne e2v (Великобритания), Lattice Semi-
Кроме того, микросхемы FPGA традиционно ис- conductor Corporation (США), QuickLogic (США), At-
пользуются для создания прототипов при проекти- mel Corporation (США), Tabula Inc. (США) и другие.
ровании новых заказных микросхем. Вначале вы- Причем компании Xilinx и Intel контролируют при-
пускаются малые партии устройств с использовани- мерно 90% мирового рынка.
ем реконфигурируемых FPGA, а в дальнейшем Глобальный рынок микросхем ПЛИС условно
после их всесторонней проверки в реальных усло- можно сегментировать по многим признакам, в том
виях эксплуатации, приступают к организации се- числе в зависимости от технологии изготовления,
рийного производства уже с использованием заказ- типа памяти для хранения информации о конфигу-
ных микросхем (application specific integrated circuit рации, области применения, иногда используются
– ASIC), что позволяет снизить стоимость и габа- региональные признаки, а также многие другие.
ритные размеры устройства. По степени интеграции микросхем рынок разде-
В новейших микросхемах FPGA ведущих миро- лен на сегменты с низкой, средней (технологиче-
вых производителей содержатся десятки высоко- ские нормы 28…90 нм) и высокой степенью интег-
скоростных последовательных портов, обеспечи- рации (менее 28 нм).
вающих скорость передачи данных по каждому из По типу памяти микросхемы подразделяются на
них до 32 Гбит/с, а также аппаратные IP-ядра конт- те, в которых для хранения конфигурации использу-
роллеров памяти типа DDR4, интерфейсов 100Gb ется память типа SRAM, FLASH, EEPROM или ис-
Ethernet, PCI-e Gen4 и пр. пользуются пережигаемые перемычки (antifuse).
Традиционно основными потребителями микро- По области применения рынок сегментирован
схем FPGA являются высокотехнологичные компа- на автомобильную и бытовую электронику, военную
нии – IBM, Dell, Hewlett Packard, Cisco, Ericsson, и аэрокосмическую промышленность, приложения
Huawei, Sony, Harman International, Samsung, для центров обработки данных и многие другие
Siemens, Toshiba, Raytheon и многие другие. сферы.
Преимущество технологии, при которой инфор-
ОБЗОР РЫНКА FPGA мация о конфигурации хранится в ячейках статиче-
В отчете "Глобальный рынок программируемых ской памяти (SRAM), – возможность многократного
вентильных матриц (FPGA): краткий обзор", опубли- перепрограммирования. Недостаток – сравнитель-
кованном ассоциацией Market Research Future но большая продолжительность начальной загруз-
(MRFR), отмечается, что совокупный среднегодо- ки. После каждого включения питания необходимо
вой темп роста (compound annual growth rate – инициировать загрузку информации о конфигура-
CAGR) глобального рынка микросхем FPGA будет ции. В большинстве классических микросхем FPGA,
составлять примерно 10-13% в течение прогнози- как правило, используется именно память типа
руемого периода 2020-2023 гг. По оценкам в 2023 г SRAM.
общий объем рынка составит порядка 25 млрд дол- Если в микросхемах для хранения конфигурации
ларов США, в секторе телекоммуникаций – 1.625 используется встроенная память типа FLASH или
млрд долларов США (рис. 1) [1]. EEPROM, то при выключении питания информация
Основными представленными в докладе MRFR не исчезает и после включения напряжения питания
производителями на мировом рынке микросхем микросхема готова к работе. Недостаток таких мик-
FPGA являются Xilinx Inc. (США), Intel Corporation росхем – ограниченное количество циклов переза-

30 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

писи. мику роста продаж и перспективы развития своих


В некоторых микросхемах используется специ- продуктов, ориентированных на применение в раз-
альная технология, при которой программирование личных областях радиоэлектроники, автомобиль-
заключается в расплавлении специальных перемы- ной индустрии, системах видеонаблюдения, высо-
чек (antifuse) для формирования требуемой струк- коскоростных интерфейсах обмена данными, теле-
туры логических ячеек. Недостаток – однократное коммуникационном оборудовании, обороне и кос-
программирование, после чего естественно испра- мосе.
вить уже ничего нельзя. Преимущество – ниже ве- Стремительный рост продаж аналитики связы-
роятность сбоев в условиях внешней радиации, т.к. вают с запретом американским фирмам продавать
для конфигурации используются перемычки, а не компоненты известному производителю телеком-
полупроводниковые структуры ячеек SRAM-памяти. муникационного оборудования и мобильных теле-
Рынок современных высокопроизводительных фонов в Китае – компании ZTE – вследствии нару-
микросхем FPGA определяется весьма специфиче- шения ею санкций США в отношении Ирана и Се-
ской структурой сфер потребления. Это обусловле- верной Кореи. Это послужило хорошим стимулом
но как стоимостью микросхем, так и особенностями для роста выпуска высокопроизводительных ИМС
их использования в серийном производстве, и осо- китайских производителей, а также развития на-
бенностями процесса проектирования цифровых учных исследований и разработок с целью умень-
систем на их базе. Львиная доля (более 40%) – это шения зависимости от Запада.
сектор телекоммуникаций. Примерно те же 40% в По оценкам специалистов компании GOWIN,
суммарном исчислении приходится на оборудова- произведенные по технологии 55 нм микросхемы
ние для гражданской авиации, военное оборудова- FPGA могут конкурировать с существующими на
ние и системы промышленного назначения. Остав- рынке кристаллами FPGA низкой и средней степени
шиеся, около 20%, – это автомобильная промыш- интеграции других производителей.
ленность, устройства обработки данных (аппарат- Хотя на web-сайте компании сведений нет, но из
но-программные акселераторы для рабочих стан- сообщений некоторых новостных агентств следует,
ций) и медленно, но постоянно растущий сегмент что компания планирует выпуск нового семейства
массовой бытовой электроники. GW3AT-100 с использованием технологических
норм 28 нм [9]. В этих микросхемах будет поддер-
GOWIN SEMICONDUCTOR CORP. живаться интерфейс PCI-e 2.0/5 Гбит/с (x1, x2, x4,
Штаб-квартира основанной в 2014 году компа- x8), а также другие высокоскоростные протоколы
нии GOWIN Semiconductor Corp. располагается в обмена данными (XAUI/3.125 Гбит/с, RXAUI/6.25
Китайской Народной Республике. Кроме того, под- Гбит/с и CEI-6G/6.25 Гбит). Типичные области при-
разделения компании, занимающиеся исследова- менения микросхем GW3AT – беспроводные базо-
ниями и разработками микросхем, размещены в вые станции Microcell, машинное зрение, робото-
США и Гонконге. Компания GOWIN сотрудничает с техника, вычислительные устройства с параллель-
ведущими мировыми корпорациями, работающими ными вычислениями и пр. Предполагается, что мик-
в сфере программируемой логики. Компания пред- росхемы GW3AT могут быть ориентированы на ры-
лагает на рынке микросхемы FPGA, ПО для разра- нок приложений, в которых применяются некоторые
ботки IP-ядер, варианты эталонных дизайнов, а так- из модификаций FPGA Kintex-7 (Xilinx).
же комплекты для разработки. Микросхемы FPGA В настоящее время компания предлагает два се-
компании используются в промышленных системах, мейства микросхем FPGA: Arora (GW2A/AR) и
телекоммуникационных сетях, а также в изделиях LittleBeе (GW1N).
для массового потребительского рынка, медицин-
ского и автомобильного оборудования. FPGA ARORA
Микросхемы компании выпускаются крупней- GW2A – классические изготавливаемые по тех-
шим расположенным на Тайване мировым произво- нологическим нормам 55 нм микросхемы FPGA, со-
дителем полупроводниковых приборов – TSMC (Tai- держащие до 55 тыс. четырехвходовых таблиц ис-
wan Semiconductor Manufacturing Company) с ис- тинности LUT4 (Look-Up Table). Основные характе-
пользованием технологических норм 55 нм. ристики микросхем FPGA семейства Arora приведе-
Компания появилась на рынке FPGA сравнитель- ны в табл. 1. Структура микросхем GW2AR-18 при-
но недавно, однако демонстрирует высокую дина- ведена на рис. 2. Отличительная особенность – на-

email: ekis@vdmais.ua 31
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Рис. 2. Структура микросхем GW2AR-18

Таблица. 1. Характеристики микросхем FPGA Таблица. 2. Параметры встроенных блоков


семейства Arora памяти

Характеристика GW2A-18 GW2A-55 GW2AR-18 SDR DDR


Характеристика PSRAM
SDRAM SDRAM
LUT4 20736 54720 20736
Объем памяти, Мбит 64 64 128
Триггеры 15552 41040 15552 Разрядность шины
16 32 16
данных, бит
Объем памяти
41472 109440 41472 Время доступа, нс — 5.4 —
S-SRAM, бит
Объем памяти Тактовая частота,
828 2520 828 166 166 250/200
B-SRAM, Кбит МГц
Кол. блоков Интерфейс — LVTTL SSTL_2
46 140 46
памяти B-SRAM
Напряжение
Объем памяти 1.8 3.3 2.5
питания, В
SDR SDRAM/DDR — — 64/128
SDRAM, Mбит ведены в табл. 2. В FPGA семейства Arora для хране-
Объем памяти ния информации о конфигурации используется па-
— — 64
PSRAM, Mбит мять типа S-SRAM. В качестве внешней памяти для
Кол. умножителей загрузки FPGA можно использовать любые стан-
48 40 48
18×18
дартные микросхемы Serial Flash.
Кол. PLL/DLL 4/4 6/4 4/4 Конфигурируемый функциональный блок (con-
figurable function unit – CFU) является базовым бло-
Кол. банков I/O 8 8 8
ком для микросхем FPGA семейства Arora и LittleBeе
Макс. число (рис. 3). Каждый блок CFU состоит из конфигурируе-
384 608 384
портов I/O мого логического блока (configurable logic unit – CLU)
Напряжение и настраиваемого маршрутизатора (configurable
1.0 1.0 1.0
питания ядра, В routing unit – CRU), обеспечивающего соединения
личие встроенных блоков высокоскоростной дина- входа, выхода, а также блоков, содержащихся в
мической SDR SDRAM/DDR SDRAM и псевдостати- CFU. В каждом блоке CLU имеется четыре конфигу-
ческой памяти типа PSRAM (Pseudo-Static RAM) рируемые логические ячейки (configurable logic
объемом до 128 Мбит. Тип и объем памяти зависят slices – CLS), в состав которых входит таблица ис-
от модификации, определяемой типоразмером тинности (LUT) и триггер (рис. 3.).
корпуса. Микросхема GW2AR, которая является ба- Порты ввода/вывода в микросхемах серии GW2A
зовой в семействе Arora, не содержит памяти этих расположены по периферии кристалла в блоках
типов. Параметры встроенных блоков памяти при- (рис. 4), называемых банками (IOBank0…IOBank7).

32 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Каждый их банков I/O содержит вывод (VCCO) для росхем с числом логических элементов до 55 тыс.,
подключения напряжения питания (3.3, 2.5, 1.8, 1.5 однако едва ли можно полагать, что микросхемы се-
или 1.2 В). мейства GW2A являются их аналогами или предна-
значены для их непосредственной замены.

FPGA LITTLEBEЕ
Микросхемы FPGA (GW1N) семейства LittleBeе
изготавливаются на основе техпроцесса с про-
ектными нормами 55 нм и содержат до 9 тыс. LUT, а
также встроенный массив памяти типа флэш объе-
мом до 128 Кбайт, в которой может храниться кон-
фигурация структуры логических ячеек микросхемы.
Кроме того, FPGA семейства LittleBeе в зависимо-
сти от модификации могут содержать массив дина-
мической памяти типа SDR SDRAM, АЦП, модуль
Bluetooth LE, криптографический модуль, а также
встроенную аппаратную микропроцессорную си-
стему на базе 32-разрядного процессорного ядра
Рис. 3. Структура конфигурируемого ARM Cortex-M3 (в отличие от ряда микросхем FPGA
логического блока компаний Intel и Xilinx, в которых используется бо-
лее "громоздкое" и мощное ядро ARM Cortex-A9).
Основные характеристики микросхем GW1NS
семейства LittleBeе даны в табл. 3. Структура мик-
росхемы GW1NS-2C приведена на рис. 5. Пользова-
тельская флэш-память объемом 128 Кбайт
(GW1NS-2C/2) или 32 Кбайт (GW1NS-4C/4) может
использоваться в качестве программной памяти
процессора Cortex-M3 или в качестве энергонеза-
висимой памяти для хранения пользовательских
данных, а кроме того, в микросхемах GW1NS-2C/2
Рис. 4. Структура банков ввода/вывода для сохранения кода конфигурации в режиме DUAL
BOOT. В таком случае, после включения напряжения
В микросхемах FPGA компании Intel, например, питания код конфигурации загружается из встроен-
серий Cyclone II, Cyclone III, Cyclone IV E, Cyclone 10 LP ной флэш-памяти в память типа SRAM – т.н. режим
или ECP5U (Lattice) можно найти модификации мик- "быстрого старта". Продолжительность загрузки –

Рис. 5. Структура микросхемы GW1NS-2C

email: ekis@vdmais.ua 33
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Таблица 3. Основные характеристики микросхем GW1NS семейства LittleBeе

Характеристика GW1NS-2 GW1NS-2C GW1NS-4 GW1NS-4C

LUT4 1728 1728 4608 4608

Триггеры 1296 1296 3456 3456

Объем памяти B-SRAM, Кбит 72 72 180 180

Кол. блоков памяти B-SRAM 4 4 10 10

Кол. умножителей 18Ч18 — — 16 16

Объем флэш-памяти, Кбайт 128 128 32 32

Кол. PLL/DLL 1/2 1/2 2/2 2/2

Генератор (погрешность, %) 1 (±5) 1 (±5) 1 (±5) 1 (±5)

Процессорное ядро — Cortex-M3 — Cortex-M3

Контроллер USB USB 2.0 PHY USB 2.0 PHY —

АЦП 1 1 — —

Кол. банков I/O 4 4 4 4

Макс. число портов I/O 102 102 106 106

Напряжение питания ядра, В 1.2 1.2 1.2 1.2

несколько мс. Массив памяти объемом 128 Кбайт ниже по сравнению с предлагаемыми конкурентами
разбит на 256 страниц. Шина данных – 32-разряда. микросхемами FPGA с флэш-памятью. Структура
Время операции считывания – 30 нс, записи – 30 микросхемы GW1NZ приведена на рис. 6.
мкс, длительность стирания страницы – 2 мс. Мини-
Таблица. 4. Характеристики микросхем GW1NZ
мальное число циклов стирания/записи – 100 тыс., семейства LittleBeе
ориентировочное время хранения данных – 10 лет.
Микропроцессорная система, кроме процес- Характеристика GW1NZ-1
сорного ядра ARM Cortex-M3, содержит два универ-
LUT4 1152
сальных таймера (Timer0/Timer1), а также стороже-
вой таймер (watchdog). Кроме того, имеется два Триггеры 864
модуля UART. В микропроцессорной системе благо-
Объем памяти S-SRAM, Kбит 4
даря контроллеру прерываний обеспечивается мо-
ниторинг сигналов прерываний на линиях ввода/вы- Объем памяти B-SRAM, Кбит 72
вода (GPIO), а также от интерфейсных модулей
Объем флэш-памяти, Kбит 64
(UART0, UART1) и таймеров.
Частота выборки 8-канального АЦП последова- Кол. PLL/DLL 1/0
тельного приближения – 1 МГц. Интегральная нели-
Макс. число портов I/O 48
нейность – менее единицы младшего разряда, диф-
ференциальная – 0.5 младшего разряда. Динамиче- Напряжение (VCC), В 1.2(LV), 0.9(ZV)
ский диапазон (Spurious-Free Dynamic Range –
SFDR) – более 81 дБ, отношение сигнал/шум FPGA с низким уровнем энергопотребления
(Signal-to-noise and distortion ratio – SINAD) – более имеют явное преимущество в сравнении с микро-
62 дБ. контроллерами для тех приложений, в которых тре-
Отличительная особенность микросхем GW1NZ буется постоянный мониторинг состояния перифе-
(табл. 4, 5) – ультранизкая потребляемая статиче- рийных устройств в системе. В микроконтроллерах
ская мощность. При напряжении питания ядра 0.9 В для обеспечения мониторинга необходима посто-
статическая потребляемая мощность микросхемы янная работа процессора. И хотя, чтобы уменьшить
GW1NZ-ZV – всего 28 мкВт, что более чем в 2.4 раза динамическое энергопотребление, тактовую часто-

34 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Таблица. 5. Типы корпусов микросхем


мощность.
GW1NZ-1
Это особенно важно для таких приложений как
Расстояние IoT (Internet of Things – интернет вещей) и других
Тип между Размер, Порты
"постоянно включенных" приложений, поскольку
корпуса выводами, мм ввода/вывода
для них крайне важен низкий уровень энергопо-
мм
требления в процессе непрерывного мониторинга
FN32 0.4 4×4 25 состояния устройства.
Основные параметры микросхем FPGA (GW1NR)
CS16 0.4 1.8×1.8 11
семейства LittleBeе приведены в табл. 6, 7. Их от-
QN48 0.4 6×6 40 личительная особенность – наличие большого
объема динамической памяти. Память SDR SDRAM
ту в ряде случаев можно снизить, тем не менее, уро- работает с тактовой частотой 200/166/143 МГц
вень энергопотребления микроконтроллера и в та- (время доступа 4.5 нс), шина данных 16 разрядов,
ком случае все еще остается довольно высоким. В напряжение питания 3.3 В, интерфейс LVTTL. Струк-
качестве альтернативы, если статическая потреб- тура микросхемы GW1NR приведена на рис. 7.
ляемая мощность FPGA низка, то для выполнения Особенность микросхем GW1NSR (табл. 8) – на-
процедуры мониторинга его логическая структура личие микропроцессорной системы на базе ARM
может быть оптимизирована, что позволит в ре- Cortex-M3, АЦП, контроллера USB 2.0 PHY, массива
зультате уменьшить суммарную потребляемую программируемой логики, а также дополнительного

Рис. 6. Структура микросхемы GW1NZ

Рис. 7. Структура микросхемы GW1NR

email: ekis@vdmais.ua 35
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Таблица. 6. Характеристики микросхем GW1NR семейства LittleBeе

Характеристика GW1NR-4/ GW1NR-4B GW1NR-9


LUT4 4608 8640
Триггеры 3456 6480
Объем памяти S-SRAM, бит 0 17280
Объем памяти B-SRAM, Кбит 180 468
Количество блоков памяти B-SRAM 10 26
Объем флэш-памяти, Kбит 256 608
Объем памяти SDR SDRAM, Mбит 64 64
32 (QN88) 64 (MG81)
Объем памяти PSRAM, Mбит (тип корпуса)
64 (QN88/LQ144) 128 (MG100)
Количество умножителей 18×18 16 20
Количество PLL/DLL 2/2 2/4
Количество банков I/O 4 4
Максимальное число портов I/O 218 276
Напряжение питания ядра (LV), В 1.2 1.2
Напряжение питания ядра (UV), В 2.5/3.3

В режиме PSRAM поддерживается обмен данны-


Таблица. 7. Типы корпусов микросхем GW1NR
ми по 8-разрядной шине данных с использованием
Тип спецификации DDR (Double Data Rate) с тактовой
Тип Память
корпуса частотой 166 МГц. Напряжение питания – 1.8 В.
В режиме HyperRAM тактовая частота состав-
GW1NR-4/4B SDR SDRAM, PSRAM
QN88 ляет 200 МГц, шина данных – 8 разрядов, интер-
GW1NR-9 SDR SDRAM, PSRAM фейс – DDR. Напряжение питания – 1.7…2.0 В или
2.7…3.6 В. HyperRAM – это высокоскоростная дина-
MG81 GW1NR-4/4B PSRAM
мическая память с интерфейсом HyperBUS. По
MG100 GW1NR-9 PSRAM сути, для внешнего контроллера это псевдостатиче-
ская память (PSRAM).
LQ144 GW1NR-9 PSRAM Для обмена данными с блоком памяти типа
комбинированного блока ОЗУ HyperRAM/PSRAM NOR-флэш объемом 32 Мбит используется интер-
объемом до 64 Мбит и блока памяти типа NOR- фейс SPI/Dual SPI/Quad SPI/QPI. Тактовая частота –
флэш (32 Мбит), которую можно использовать для 120 МГц. Время стирания сектора данных – 90 мс,
хранения программного кода Cortex-M3 (рис. 8). всего блока – 20 с. Минимальное число циклов сти-

Рис. 8. Структура микросхемы GW1NSR

36 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Таблица. 8. Характеристики микросхем GW1NSR семейства LittleBeе

Характеристика GW1NSR-2 GW1NSR-2C GW1NSR-4 GW1NSR-4C


LUT4 1728 1728 4608 4608
Триггеры 1296 1296 3456 3456
Объем памяти B-SRAM, Кбит 72 72 180 180
Кол. блоков памяти B-SRAM 4 4 10 10
Кол. умножителей 18×18 — — 16 16
Объем флэш-памяти, Kбайт 128 128 32 32
Объем памяти PSRAM, Mбит 32 32 64 64
Объем памяти HyperRAM, Мбит — — — 64
NOR-флэш, Мбит — — — 32
Кол. PLL/DLL 1/2 1/2 2/2 2/2
Генератор (погрешность, %) 1 (±5) 1 (±5) 1 (±5) 1 (±5)
Процессорное ядро — Cortex-M3 — Cortex-M3
Контроллер USB USB 2.0 PHY USB 2.0 PHY — —
АЦП 1 1 — —
Кол. банков I/O 4 4 4 4
Макс. число портов I/O 102 102 106 106
Напряжение питания ядра, В 1.2 1.2 1.2 1.2

рания/записи – 100 тыс., ориентировочное время • конфигурируемые функциональные блоки


хранения данных – 20 лет. CFU, в состав которых входит 4.6 тыс. LUT4
Микросхемы серии GW1NSE, кроме массива • оптимизированный по уровню потребляемой
программируемой логики, содержат аппаратное мощности 32-разрядный микропроцессор ARC
процессорное ядро ARM Cortex-M3 и специализи- (Synopsys)
рованный криптографический блок. • приемопередатчик Bluetooth 5.0 Low Energy
Микросхема GW1NRF-4B (рис. 9) – изготовлен- (Bluetooth LE).
ная в одном корпусе типа QFN-48 (размерами всего Области применения – беспроводное радио,
6×6 мм) система на кристалле, содержащая: беспроводные датчики, аудио и видео приложения,

Рис. 9. Структура системы на кристалле GW1NRF

email: ekis@vdmais.ua 37
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Рис. 10. Варианты применения GW1NRF

устройства IoT и другие портативные устройства, предлагает также IP-ядра (контроллеры внешней
использующие интерфейс Bluetooth LE. В микро- памяти, контроллер CAN и Ethernet, процессорные
схеме GW1NRF-4B содержится блок управления, ядра ARM Cortex-M1, RISC-V и др.), а также разно-
обеспечивающий различные энергосберегающие образные аппаратные модули, которые можно ис-
режимы работы, в том числе, возможность полного пользовать в процессе разработки пользователь-
отключения устройства, что позволяет снизить ток ских проектов (рис. 11), с подробным описанием
потребления до 5 нА. Как правило, Bluetooth-прило- которых можно ознакомиться на web-сайте компа-
жения работают от автономных элементов питания, нии GOWIN Semiconductor.
в связи с чем остро стоит проблема энергосбере- Более полную информацию о продукции фирмы
жения. Возможные варианты применения микро- GOWIN Semiconductor можно найти на web-сайте
схемы GW1NRF-4B приведены на рис. 10. https://gowinsemi.com.
Ориентировочно микросхемы семейства GW1N
можно рассматривать в качестве альтернативы ЛИТЕРАТУРА
FPGA MAX10 (Intel), а также iCE40, MachXO2 и
MachXO3 (Lattice). 1. World High-End FPGA market: comprehensive
study explores huge growth by 2025.
СРЕДСТВА РАЗРАБОТКИ 2. ‘Made in China 2025’: the Guangzhou start-up
САПР GOWIN EDA для разработки проектов с ис- aiming big in semiconductors.
пользованием микросхем FPGA компании GOWIN, 3. GW1NS series of FPGA Products Data Sheet.
как и документацию на продукты компании, можно 4. GW1NSER series of Secure FPGA Products
загрузить после регистрации с web-сайта компа- Datasheet.
нии. Для работы с САПР требуется лицензионный 5. GW2A series of FPGA Products Data Sheet.
файл (бесплатный), который предоставляется по 6. GW2AR series of FPGA Products Data Sheet.
запросу на web-сайте компании. Среда разработки 7. DK-START-GW2AR18 User Guide.
содержит все необходимые для процесса проекти- 8. Wireless Edge Connectivity with Bluetooth Inte-
рования этапы (от собственно описания проекта до grated FPGAs White Paper.
аппаратной внутрисхемной отладки). Компания 9. http://www.mat7lab.com/m/news.asp?id=386.

Рис. 11. Плата DK-START-GW2AR18 и DK-START-GW1NR9

38 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ РЕЛЕ ПРОИЗВОДСТВА


КОМПАНИИ OMRON
OMRON ELECTROMECHANICAL RELAYS

В статье приведена краткая информация о


характеристиках электромеханических
реле общего назначения, производимых ком-
Аbstract –
he article provides brief information about the charac-
T
teristics of general-purpose electromechanical relays
панией Omron. manufactured by Omron.
В. Макаренко V. Makarenko

Корпорация Omron является хорошо известным – для установки в сквозные отверстия


в мире поставщиком высококачественного и высо- (through-hole)
копроизводительного электронного оборудования – для поверхностного монтажа (PCB)
и компонентов. Управление деятельностью, связан- – миниатюрные (small outline).
ной с продажей электронных компонентов в Европе, Корпорацией Omron выпускаются уникальные по
странах СНГ, Ближнем и Среднем Востоке и Афри- своим характеристикам реле. К ним относятся сиг-
ке, осуществляется европейской штаб-квартирой нальные высокочастотные электромагнитные реле
Omron Electronic Components Europe в Нидерландах с малыми потерями, которые можно использовать
[1], которая, в свою очередь, подчиняется непо- для коммутации сигналов в диапазоне частот до
средственно штаб-квартире Omron в Японии. Всю 26.5 ГГц [2].
необходимую техническую поддержку потребите- Компания постоянно совершенствует характе-
лям продукции напрямую оказывают специалисты ристики выпускаемых реле. Рассмотрим характери-
европейской штаб-квартиры в Нидерландах. стики освоенных в производстве в 2019 году элек-
Подразделения компании работают по многим тромагнитных реле [3].
направлениям. Omron Healthcare является лидером
в производстве медицинского оборудования для РЕЛЕ G2RL
лечения и диагностики. Ассортимент продукции
включает устройства для контроля кровяного дав- Мощное реле G2RL [4] для установки на печат-
ления, измерения температуры, приборы для рес- ную плату (рис. 1).
пираторной терапии, электронные термометры и Низкопрофильное силовое реле с высотой кор-
жироанализаторы. Omron Industrial Automприion – пуса 15.7 мм для установки в малогабаритное обо-
ведущий производитель высокотехнологичных про- рудование.
дуктов и приложений для промышленной автомати- Широкий выбор однополюсных и двухполюсных
зации. Omron Inspection Systems – производитель вариантов исполнения, коммутируемый ток до 16 А,
систем автоматики. Omron Electronic Components – потребляемая мощность не более 250 мВт. Основ-
производитель электронных компонентов высокой ные параметры реле серии G2RL:
надежности для любой области электронной про- • максимальное коммутируемое напряжение
мышленности. 400 В(AC), 300 В (DC)
Одним из ведущих направлений выпускаемой • время включения 15 мс
компанией продукции являются реле. Все реле • время выключения 5 мс
можно разделить на шесть больших групп: • сопротивление контактов 100 мОм
• мощные реле для установки на печатные платы • диапазон рабочих температур -40…85 °C
(PCB Power) (105 °C для варианта исполнения -CV)
• сигнальные реле для установки на печатные • габаритные размеры 29×12.7×15.7 мм
платы (PCB Signal) • соответствует VDE (EN61810-1), UL508 и
• автомобильные реле CSA22.2
– съемные реле (plug-in) • соответствует требованиям IEC / EN 60335-1
– реле для установки на печатные платы (PCB) (модель -HA)
• универсальные реле (general purpose) • система изоляции катушки: класс F (UL1446)
• твердотельные (оптоэлектронные) реле • соответствует IEC / EN 60079-15 (за исключе-
• реле на полевых транзисторах нием моделей G2RL-1 (A) -H, G2RL-1A-E-CV (-HA)).

email: ekis@vdmais.ua 39
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

ведены в табл. 1...4. В табл. 5 приведена расшиф-


ровка названий контактных групп реле.

G5NB-EL

Тонкое компактное реле G5NB-EL [5] с током на-


грузки до 7 А для монтажа на печатную плату (рис. 2).
Обеспечивает не менее 200 000 переключений при
токе нагрузки 5 А (250 В переменного тока). Соот-
ветствует требованиям стандарта IEC/EN 60335-1 и
Рис. 1. Реле серии G2RL
IEC/EN 60079-15 (только для модели G5NB-1A4-EL-HA).
Параметры различных моделей реле G2RL при- Максимальная рабочая температура 85 °С.

Таблица 1. Параметры различных моделей реле серии G2RL

Рабочее
Назначение Классификация Контакты Особенности Модель напряжение
постоянного тока, В

Влагозащищенное G2RL-1A
SPST-NO (1a)
Герметичное G2RL-1A4
Влагозащищенное G2RL-1
SPDT (1c)
Герметичное G2RL-14
Стандартное Влагозащищенное G2RL-2A
DPST-NO (2a)
Герметичное G2RL-2A4 5, 12, 24, 48
G2RL-2
Влагозащищенное
DPDT (2c) G2RL-2-ASI
Герметичное G2RL-24
Общего
G2RL-1A-E
назначения
Влагозащищенное G2RL-1A-E-ASI
SPST-NO (1a)
G2RL-1A-E-CV 5, 12, 24
Герметичное G2RL-1A4-E
Мощное
G2RL-1-E 5, 12, 24, 48
Влагозащищенное G2RL-1-E-ASI
SPDT (1c)
G2RL-1-E-PW 5, 12, 24
Герметичное G2RL-14-E 5, 12, 24, 48

Высокой чувстви- SPST-NO (1a) G2RL-1A-H


тельности SPDT (1c) G2RL-1-H
SPDT (1c) G2RL-1-HA
Стандартное DPST-NO (2a) G2RL-2A-HA
Влагозащищенное 5, 12, 24
Домашнее DPDT (2c) G2RL-2-HA
оборудование G2RL-1A-E-HA
SPST-NO (1a)
Мощное G2RL-1A-E-CV-HA
SPDT (1c) G2RL-1-E-HA

40 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Таблица 2. Электрические характеристики реле серии G2RL

Рабочее Сопротивление Потребляемая


Тип Рабочий ток, мА
напряжение (DC), В катушки, Ом мощность, мВт
5 80.0 62.5

Стандартное, 12 33.3 360 400


мощное 24 16.7 1440
48 8.96 5358
5 50 96
Высокой 250
12 20.8 576
чувствительности
24 10.42 2304

Таблица 3. Нагрузочные характеристики реле серии G2RL

Большой Высокой
Стандартное (активная нагрузка) мощности чувствительности
Тип реле (активная нагрузка) (активная нагрузка)
1 группа 2 группы
1 группа контактов
контактов контактов
Тип контакта одиночный
Материал контакта Ag-легированный (Cd)
12 A при 250 В (AC) 8 A при 250 В (AC) 16 A при 250 В (AC)
Номинальная нагрузка 10 A при 250 В (AC)
12 A при 24 В (DC) 8 A при 30 В (DC) 16 A при 24 В (DC)
Номинальный ток 12 А 8 A (70 °C)/5 A (85 °C) 16 A 10 A
Максимальное
440 В (AC), 300 В (DC)
коммутируемое напряжение
Максимальный
12 A 8A 16 A 10 A
коммутируемый ток
Время срабатывания и отпускания по 10 мс. На-
пряжение пробоя, импульсное допустимое напря-
жение, ударопрочность, механическая долговеч-
ность как у реле G5NB-EL (табл. 7). Электрическая
долговечность обеспечивает не менее 200 000 пе-
реключений при напряжении 250 В(AC) и токе 3 A.
Аналогичный показатель и для постоянного тока
30 В/3 А. Потребляемая мощность не превышает
200 мВт. Диапазон рабочих температур -40…85 °C.
Рис. 2. Реле серии G5NB-EL

G5NB

Однополюсные реле G5NB [6] имеют характери-


стики схожие с реле серии G2RL. Эти реле имеют
одну группу нормально-разомкнутых контактов.
Они выпускаются в двух модификациях – стандарт-
ные и мощные (рис. 3). Напряжение питания реле 5,
12, 18 и 24 В. Коммутируемый ток 3 A при 125 В(AC),
Рис. 3. Реле серии G5NB
5 A при 250 В(AC) и 3 A при 30 В(DC).

email: ekis@vdmais.ua 41
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Таблица 4. Характеристики надежности реле серии G2RL


Параметр Значение
Время срабатывания, мс 15
Время отпускания, мс 5
Сопротивление изоляции, МОм 1000
Между катушкой и контактами 5000 (AC), 50/60 Гц, 1 мин.
Напряжение пробоя, В
Между разомкнутыми контактами 1000 (AC), 50/60 Гц, 1 мин.
Импульсное выдерживаемое
Между катушкой и контактами 10 (1.2×50 мкс)
напряжение, кВ
До разрушения 1 000 м/с2
Ударопрочность
До возникновения сбоев 100 м/с2
Долговечность механическая 20 000 000 операций, минимум

50 000 переключений при 250 В(AC), 12 A


(однополюсн.) *
При 25 °С
Долговечность 30 000 переключений при 24 В(DC), 12 A
электрическая (однополюсн.) *
(при активной нагрузке)
(G5NB-1A-EL-HA-A85)
При 85 °С 100 000 переключений при 250 В(AC), 5 A
50 000 переключений при 250 В(AC), 7 A
Диапазон рабочих температур -40…85 °C
Относительная влажность 5… 85%
Масса 4г
* – для двухполюсных реле ток через контакты снижается до 8 А.
Для G2RL-1A-E(-ASI,-HA), G2RL-1-E(-ASI,-HA, -PW):
30 000 переключений при 250 В(AC), 16 A,
30 000 переключений при 24 В(DC), 16 A.
Для G2RL-1A-E-CV(-HA): 50 000 переключений при 250 В(AC), 16 A при 105 °C.

Таблица 5. Расшифровка названий контактных групп реле

Обозначение
Наименование
Буквенное США Графическое

Нормально-разомкнутый SPST-NO (1a)


контакт (Single Pole, Single Throw, Normaly Open)

Нормально-замкнутый SPST-NC (1b)


контакт ( Single Pole, Single Throw, Normaly Closed)

SPDT (1c)
Переключатель
(Single Pole, Double Throw)

Двойной DPSТ-NO (2a)


нормально-разомкнутый (Double Pole, Single Throw, Normaly Open)

DPDT (2c)
Двойной переключатель
(Double Pole, Double Throw)

42 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Таблица 6. Нагрузочные характеристики реле серии G5NB-EL


Постоянное рабочее
напряжение/рабочий Рассеиваемая Сопротивление
Контакты Особенности Тип
ток/сопротивление мощность, мВт контактов, мОм
катушки, В
G5NB-1A4-EL-HA(-SP) 5 В/40 мА/ 125 Ом
Герметичное
SPST-NO (1a) G5NB-1A4-EL-HA-PW(-SP) 12 В/16.7 мА/720 Ом 200 не боле 100
Влагозащи-
G5NB-1A-EL-HA-A85 24 В/8.3 мА/2.88 кОм
щенное

Таблица 7. Характеристики надежности реле серии G5NB-EL


Параметр Значение
Время срабатывания, мс 10
Время отпускания, мс 10
Сопротивление изоляции, МОм 1000
Между катушкой
4000 (AC), 50/60 Гц, 1 мин.
и контактами
Напряжение пробоя, В
Между разомкнутыми
750 (AC), 50/60 Гц, 1 мин.
контактами
Импульсное выдерживаемое напря- Между катушкой
10 (1.2×50 мкс)
жение, кВ и контактами
До разрушения 1 000 м/с2
Ударопрочность
До возникновения сбоев 100 м/с2
Долговечность механическая 5 000 000 переключений минимум
200 000 переключений при 250 В(AC), 5 A
При 25 °С 50 000 переключений при 250 В(AC), 7 A
Долговечность электрическая 100 000 переключений при 30 В(DC), 5 A
(при активной нагрузке) (G5NB-1A-EL-HA-A85)
При 85 °С 100 000 переключений при 250 В(AC), 5 A
50 000 переключений при 250 В(AC), 7 A
Диапазон рабочих температур -40…85 °C
Относительная влажность 5… 85%

Масса 4г

G5Q

Однополюсные миниатюрные реле серии G5Q


[7] имеют характеристики схожие с реле серии
G5NB, но имеют либо одну группу нормально-ра-
зомкнутых контактов (потребляемая мощность
200 мВт), либо одну группу контактов на пере-
ключение (потребляемая мощность 400 мВт).
Внешний вид реле приведен на рис. 4.
Реле серии G5Q выпускаются на рабочее напря-
жение 5, 9, 12 и 24 В в двух вариантах исполнения – Рис. 4. Реле серии G5Q
герметичное и влагозащищенное.
Время срабатывания 10 мс, время отпускания 5 Электрическая долговечность обеспечивает:
мс. Напряжение пробоя 4 кВ, импульсное допусти- – для нормально разомкнутых контактов
мое напряжение 8 кВ, ударопрочность, механиче- • 25 000 переключений при напряжении 250
ская долговечность как у реле G5NB-EL (табл. 7). В(AC) и токе 10 A

email: ekis@vdmais.ua 43
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

• 50 000 переключений при напряжении


125 В(AC) и токе 10 A
• 200 000 переключений при напряжении
125 В(AC) и токе 3 A
• 50 000 переключений при напряжении
250 В(AC) и токе 5 A
• 100 000 переключений при напряжении
250 В(AC) и токе 3 A
• 100 000 переключений при напряжении
30 В(DC) и токе 5 A Рис. 5. Реле серии G7EB
– для нормально замкнутых контактов
• 200 000 переключений при напряжении Напряжение питания 12 или 24 В. Потребляемая
125 В(AC) и токе 3 A мощность 2.8 Вт. При подаче на реле удерживающе-
• 100 000 переключений при напряжении го напряжения (приблизительно 45% от напряжения
250 В(AC) и токе 3 A срабатывания) мощность потребления уменьшает-
• 100 000 переключений при напряжении ся до 575 мВт.
30 В(DC) и токе 3 A. Номинальный ток нагрузки 100 А при 480 В пере-
Диапазон рабочих температур -40…85 °C. менного тока (40 А при 800 В переменного тока).
Масса реле не более 6.5 г. Максимальное коммутируемое напряжение 800 В.
Сопротивление контактов в замкнутом состоя-
G7EB нии 1.5 мОм. Сопротивление изоляции 1000 МОм.
Время срабатывания реле 30 мс, время отпускания
Мощное высокотемпературное силовое реле с – 10 мс.
максимальным коммутируемым током 100 А (рис. Диэлектрическая прочность между катушкой и
5). Имеет одну группу сдвоенных нормально разо- контактами 5 000 В(AC), 50/60 Гц в течении 1 мин,
мкнутых контактов. между контактами 2 000 В(AC), 50/60 Гц в течении
Реле выпускается в двух модификациях: 1 мин. Выдерживаемое импульсное напряжение
• стандартная G7EB-1A между катушкой и контактами 10 кВ (1.2×50 мкс).
• специальная G7EB-1AP1. Ударопрочность до разрушения 1000 м/с2, до

Таблица 8. Нагрузочные характеристики реле серии G5Q

Нагрузка/Параметр Активная нагрузка


Нормально-разомкнутый контакт Группа на переключение
Стандартное Большой мощности Стандартное Большой мощности
Число контактных групп одна
Материал контактов Ag-легированный (Cd)
10 A при 125 В(AC) (NO) 10 A при 250 В(AC) (NO)
10 A при 125 В(AC) 10 A при 250 В(AC) 3 A при 125 В(AC) (NO) 3 A при 125 В(AC) (NO)
3 A при 125 В(AC) 3 A при 125 В(AC) 5 A при 250 В(AC) (NO) 5 A при 250 В(AC) (NO)
5 A при 250 В(AC) 5 A при 250 В(AC) 3 A при 250 В(AC) (NO) 3 A при 250 В(AC) (NO)
Номинальная нагрузка
3 A при 250 В(AC) 3 A при 250 В(AC) 5 A при 30 В(DC) (NO) 5 A при 30 В(DC) (NO)
5 A при 30 В(DC) 5 A при 30 В(DC) 3 A при 125 В(AC) (NC) 3 A при 125 В(AC) (NC)
3 A при 250 В(AC) (NC) 3 A при 250 В(AC) (NC)
3 A при 30 В(DC) (NC) 3 A при 30 В(DC) (NC)
Номинальный ток 10 A (NO)/3 A (NC)
Максимальное
277 В(AC), 30 В(DC)
коммутируемое напряжение
Максимальный
AC: 10 A (NO)/3 A (NC) DC: 5 A (NO)/3 A (NC)
коммутируемый ток
NO – нормально разомкнутый контакт, NC – нормально замкнутый контакт

44 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ

возникновения сбоев 100 м/с2. Механическая дол- каются твердотельные реле и реле на полевых тран-
говечность 1 000 000 срабатываний. Электрическая зисторах, еще во многих случаях электромеханиче-
долговечность обеспечивает: ские реле не могут быть заменены ими. В [1] приве-
• 300 переключений при напряжении 480 В(AC), дена сравнительная характеристика некоторых па-
токе 100 A и температуре 85 °C раметров твердотельных и электромеханических
• 30 000 переключений при напряжении 800 В(AC) реле. Как следует из этих данных электромеханиче-
и токе 40 A (1 секунда контакты замкнуты, 9 секунд ские реле во многих случаях невозможно заменить.
контакты разомкнуты). Более подробную информацию о продукции компа-
Диапазон рабочих температур -40…85 °C. Масса нии Omron можно найти на сайте
реле не более 100 г. https://industrial.omron.eu/en/home.
Несмотря на то, что в настоящее время выпус-

ЛИТЕРАТУРА

1. https://omron.eu/en/home
2. В. Макаренко Электронные компоненты производства компании Omron //
http://www.ekis.kiev.ua/UserFiles/Image/pdfArticles/ekis101_p32_37o.pdf
3. http://components.omron.eu/ProductFinder.aspx
4.https://omronfs.omron.com/en_US/ecb/products/pdf/en-g2rl.pdf
5.http://omronfs.omron.com/en_US/ecb/products/pdf/en-g5nb_el.pdf
6.http://omronfs.omron.com/en_US/ecb/products/pdf/en-g5nb.pdf
7.http://omronfs.omron.com/en_US/ecb/products/pdf/en-g5q.pdf
8.http://components.omron.eu/getattachment/6c33caed-a941-4374-a891-
c68a543d11fc/%E3%80%90G7EB%E3%80%91%E8%8B%B1%E6%96%87-English_J236-E1-01.pdf.aspx

email: ekis@vdmais.ua 45
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

ТЕХНОЛОГИЯ LI-FI КАК АЛЬТЕРНАТИВА WI-FI


статье приведена краткая информация о
В перспективной технологии беспроводной
связи, обеспечивающей высокую скорость
LI-FI TECHNOLOGY AS AN ALTERNATIVE TO WI-FI

передачи данных, использующей для этого


модуляцию интенсивности светового потока
Аbstract –
he article provides brief information about a promising
T
wireless communication technology that provides high
data transfer rates, using for this modulation of the light flux
светодиодных светильников либо отдельных
intensity of LED lamps or individual LEDs. Examples of possi-
светодиодов. Приведены примеры возмож-
ных применений технологии Li-Fi. ble applications of Li-Fi technology are given.
В. Макаренко V. Makarenko

Учитывая нехватку спектральных ресурсов в тра- ванным программным обеспечением. Как и Wi-Fi,
диционных беспроводных сетях, стало популярным данные, поступающие через интернет-маршрутиза-
создание систем связи в видимом свете (Visible тор, передаются в сигнальный процессор, который
Light Communication – VLC). Они обеспечивают вы- и осуществляет модуляцию света. Фотоприемник
сокую энергоэффективность, широкую полосу про- преобразует световой сигнал в цифровой сигнал
пускания канала связи, высокую безопасность и не данных (рис. 1). Для организация двухсторонней
требуют лицензирования, что позволит им стать связи в системе Li-Fi используется дополнительно
частью будущих беспроводных систем. Однако, инфракрасные светодиод и фотодиод в восходя-
традиционные стратегии построения сетей не все- щем канале. Для организации нескольких незави-
гда применимы к сетям VLC. Поэтому, для таких се- симых нисходящих каналов оптической связи мож-
тей предполагается использовать точки доступа с но использовать светодиоды разного цвета [2]. Тео-
несколькими светодиодами, разработанные для ретически достижимая скорость передачи данных в
гибридных систем связи LiFi-WiFi внутри помеще- системе Li-Fi составляет более 200 Гбит/с.
ний. Это позволит получить значительный выигрыш
в пропускной способности внутренних сетей Wi-Fi с
помощью комбинированных сетей.
Термин Li-Fi (Light Fidelity) был предложен про-
фессором Харальдом Хассом из Эдинбургского
университета. Light Fidelity – беспроводная техноло-
гия связи при помощи видимого света. Как и любая
оптическая беспроводная связь, Li-Fi использует
оптическое излучение для передачи данных, пре-
имущественно в видимом диапазоне спектра [1].
Светодиодные источники света идеальны для реа-
лизации технологии Li-Fi. Ток через светодиоды, ис-
пользуемые для передачи данных в Li-Fi, модулиру-
ется сигналами высокой частоты и поэтому челове-
ческий глаз не замечает изменения яркости свече-
ния светильников в виде мерцаний.
Одно из наиболее существенных преимуществ
технологии Li-Fi заключается в очень высокой про-
пускной способности системы связи, построенной
на ее основе. Это объясняется тем, что спектр види-
мого света на несколько порядков шире радиоча-
стотного спектра.
Рис. 1. Структурная схема системы связи Li-Fi
Система связи Li-Fi может быть реализована с
с двухсторонней передачей данных
помощью светодиодных осветительных приборов
(или отдельных светодиодов), которые нужно до- Использование света для создания высокоско-
полнить сигнальным процессором и специализиро- ростной системы связи открывает доступ к огром-

46 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

ному нелицензированному диапазону частот за та IEEE 802.11bb.


пределами традиционного радиочастотного спек- По прогнозам Cisco, число Интернет вещей (IoT)
тра. Широкое использование систем светодиодно- в 2020 году увеличится до 50 миллиардов подклю-
го освещения позволяет использовать такую систе- ченных устройств. Для обеспечения высокоско-
му связи в любых помещениях со светодиодными ростной связью одновременно большого числа
светильниками пользователей наиболее подходящей технологией
По словам Николая Серафимовски, председате- является связь в видимом диапазоне света. Это
ля IEEE 802.11 Light Communication (LC) Task Group особенно актуально в условиях значительных элек-
(TG), цель Тематической группы состояла в том, что- тромагнитных помех. Такая технология может ис-
бы определить технические и экономические воз- пользоваться в больницах, супермаркетах, бизнес-
можности, при использовании оптического диапа- центрах, пресс-центрах, на нефтехимических заво-
зона для беспроводной связи, и сформировать тех- дах, в самолетах и во многих других случаях. Кроме
нические спецификации [3]. того, Li-Fi также будет использоваться для суще-
Считается, что IEEE 802.11 является лучшим фо- ственного улучшения внутренних беспроводных
румом для продвижения глобальных усилий по коммуникаций в жилых домах.
стандартизации для коммуникаций с производите- У технологии Li-Fi есть и другие преимущества.
лями, операторами и конечными пользователями, Одним из основных является повышенный уровень
возникающими в процессе стандартизации. Про- безопасности, связанный с тем, что свет не прони-
движение этой работы в TG поможет пользователям кает сквозь стены. Еще одним преимуществом яв-
в домашних, корпоративных и промышленных сре- ляется повышение надежности сети. Li-Fi передат-
дах, а также поможет производителям и операто- чики могут быть встроены в каждый светильник в
рам предоставлять общие компоненты и услуги для комнате или в здании, тем самым устраняя узкое
пользователей IEEE 802.11. место структуры сети Wi-Fi. Эти качества делают Li-Fi
Разработка стандарта IEEE 802.11bb позволит особенно привлекательной альтернативой в слу-
заложить основу для внедрения продуктов массо- чаях, когда сигналы Wi-Fi значительно ослабляются,
вого рынка, используя систему светодиодного или там, где использование Wi-Fi не разрешается
освещения, которая имеет глобальное развертыва- (например, на атомных электростанциях), а также
ние и насчитывает миллиарды устройств. там где требуется быстрая и безопасная передача
Хотя в 2011 году опубликована первая версия больших объемов данных (например, в больницах).
стандарта для беспроводных компьютерных сетей, Поскольку Li-Fi приемники реагируют на измене-
использующих видимый свет для передачи данных: ния интенсивности света, то Li-Fi может работать
IEEE 802.15.7-2011 – IEEE Standard for Local and Met- при дневном освещении. При использовании Li-Fi
ropolitan Area Networks – Part 15.7: Short-Range Wire- во внутренних помещениях зданий не требуется
less Optical Communication Using Visible Light [4], он прямой видимости между светильником и приемни-
не обеспечивает высокую скорость передачи дан- ком оптического излучения, так как отраженный от
ных. стен и других поверхностей свет может также вос-
Стандарт IEEE 802.15.7 определяет физический приниматься приемником.
уровень (PHY) и уровень управления доступом к Но, как и в случае с любой технологией у Li-Fi
среде (MAC). Стандарт определяет три физических также есть недостатки, наиболее заметным из кото-
(PHY) уровня с разными пропускными способностя- рых является высокая стоимость внедрения, по
ми: крайней мере, на данный момент времени. Кроме
1. PHY I для наружного применения и обеспечи- того, дальность связи не превышает 10 м, в то вре-
вает скорость передачи данных от 11.67 до мя как для Wi-Fi до 32 м. Помимо этого, технология
267.6 Кбит/сек. Li-Fi не обеспечивает связь в темноте или при отсут-
2. PHY II позволяет достигать скоростей переда- ствии светодиодных светильников.
чи данных от 1.25 до 96 Мбит/с. В последние несколько лет Li-Fi уже использу-
3. PHY III предназначен для множественных ис- ется в ограниченном числе мобильных приложений.
точников с определенным методом модуляции Наиболее известным из них является использова-
Color Shift Keyring (CSK), скорость передачи данных ние Li-Fi в больших торговых центрах с целью уве-
от 12 до 96 Мбит/с. личения продаж путем предоставления купонов или
Поэтому и осуществляется разработка стандар- другой рекламной информации. Связь является од-

email: ekis@vdmais.ua 47
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

носторонней и требует, чтобы мобильные телефоны


покупателей могли принимать сигналы Li-Fi через
специальное приложение.
Заметным выходом на рынок Li-Fi является не-
давно анонсированный набор систем от компании
Signify (ранее Philips Lighting), получивший наиме-
нование Trulifi. Компания заявляет о скорости пере-
дачи данных до 150 Мбит/с при передаче данных от
различных светильников к пользователю, а при фик-
сированной паре точка-точка – до 250 Мбит/с. На-
бор предназначен для включения в новые или моди-
Рис. 2. Внешний вид смартфона от компании
фицированные системы освещения Signify. Oledcomm
Недавно в пресс-центре стадиона немецкого
футбольного клуба Гамбург [1] была установлена смартфоны, что позволит расширить область при-
система освещения с использованием ламп серии менения технологии Li-Fi.
Trulifi для обеспечения высокоскоростной связью Следует учесть, что практически все, выпускае-
журналистов. Каждому журналисту предоставляет- мые в настоящее время смартфоны и планшеты,
ся модуль с USB-портом, который обеспечивает способны принимать сигналы системы Li-Fi исполь-
двустороннюю высокоскоростную связь с исполь- зуя либо датчик освещенности, либо фронтальную
зованием технологии Li-Fі через светильники камеру. Необходимо только установить на них спе-
пресс-центра. циализированное программное обеспечение.
Хотя технология имеет много привлекательных Приведем некоторые примеры возможных при-
функций, широкое распространение она пока не по- менений технологии Li-Fi.
лучила. Основным сдерживающим фактором яв-
ляется отсутствие отраслевого стандарта, работа ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В МЕДИЦИНЕ
над которым ведется в настоящее время [5, 6].
Для реализации системы Li-Fi необходимо сле- Особенность системы Li-Fi в том, что она не соз-
дующее аппаратное обеспечение: дает электромагнитные помехи для медицинского
1. Светодиодная система освещения либо от- оборудования. К тому же эта технология не подвер-
дельные светодиоды. жена действию МРТ-сканеров. Эти факторы позво-
2. Маршрутизатор, установленный вместе с си- ляют организовать систему высокоскоростной сети
стемой освещения. передачи данных в больницах и крупных медицин-
3. Приемник, который оснащен декодером с це- ских центрах (рис. 3).
лью расшифровки светового сигнала.
Одна из последних разработок мобильных
устройств, поддерживающих работу с системой
Li-Fi – смартфон от компании Oledcomm, который
работает под управлением ОС Android (рис. 2).
У смартфона имеется одна важная модифика-
ция: вместо фронтальной камеры в него встроен
Li-Fi сенсор, который получает команды от свето-
диодных ламп, расположенных поблизости от
смартфона, что позволяет просматривать на Рис. 3. Пример использования технологии
устройстве изображения и видеоролики. Li-Fi в больнице
Кроме того, компания продемонстрировала
прототип компактного внешнего Li-Fi-приемника, ОПАСНОЕ ПРОИЗВОДСТВО
который подключается к смартфону посредством
3.5-миллиметрового разъема. Такой приемник поз- Использование Li-Fi-технологии позволяет соз-
воляет получать данные Li-Fi на устройствах, кото- дать безопасную альтернативу системам связи с
рые не оборудованы модулем. Компания Oledcomm электромагнитным излучением на нефтехимиче-
планирует внедрять свою разработку в планшеты и ских предприятиях.

48 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Датчики, использующие технологию Li-Fi, могут протяженных туннелях, в поездах метро и во многих
определять положение человека в помещении с других случаях.
точностью до 30 см [7], что позволяет использовать
их на промышленных предприятиях. Это дает воз- КОММУНИКАЦИИ ПОД ВОДОЙ
можность постоянно следить за безопасностью ра-
ботников. Например, они могут обнаруживать, ко- Вследствие сильного поглощения сигнала при-
гда работники находятся слишком близко к потен- менение радиосигналов в воде нецелесообразно.
циально опасному оборудованию. На основе дан- Акустические сигналы отличаются низкой скоростью
ных и функциональных возможностей подключен- передачи данных, к тому же тревожат морских жи-
ной системы освещения управляющее программ- вотных. Использование Li-Fi-технологии позволяет
ное обеспечение интеллектуального промышленно- успешно решать данные проблемы для связи на
го объекта может использовать систему связи Li-Fi небольшом расстоянии (рис. 5).
для оповещения работников путем отправки звуко-
вых или вибрационных сигналов, предупреждаю-
щих об опасности, а также для отключения или авто-
номного перемещения оборудования, если это воз-
можно.
ШАХТЫ И ТУННЕЛИ

Система связи в видимом свете могут широко


использоваться в подземных шахтах для поддержки
надежной связи благодаря своим преимуществам
по сравнению с Wi-Fi. К этим преимуществам можно
отнести низкое энергопотребление, широкий диа-
пазон частот (430…790) ТГц, более высокие скоро-
сти передачи данных и малое количество требуемо- Рис. 5. Использование технологии Li-Fi
го оборудования. Если учесть, что радиоволны бы- для подводной связи
стро затухают (если подземные выработки имеют
изгибы или ответвления) и не позволяют обеспе- АВИАЦИЯ
чить надежную беспроводную связь, то альтернати-
вы для беспроводной связи с помощью света про- Технология Li-Fi может быть задействована с це-
сто нет. Даже с учетом запыления в шахтах при не- лью уменьшения длины проводки, снижения веса,
больших расстояниях между источником света и повышения гибкости в установке оборудования, а
приемником будет обеспечиваться надежная опти- также сидений пассажирского салона, в которых
ческая связь (рис. 4). Такую систему связи можно уже установлены LED-светильники. Система раз-
использовать как для сбора данных с различных влечений на борту сможет поддерживаться и взаи-
датчиков, так и для предупреждения об опасности. модействовать с устройствами пассажиров (рис. 6).

Рис. 4. Использование технологии


Li-Fi в шахтах
Рис. 6. Использование технологии Li-Fi
Аналогичные системы можно использовать в в самолетах

email: ekis@vdmais.ua 49
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

ТРАНСПОРТ И ТРАНСПОРТНЫЕ СРЕДСТВА порта. В будущем, когда беспилотные транспорт-


ные средства заменят нашу нынешнюю систему до-
На сегодняшний день уже производятся вывески рожного движения, основанную на управлении
и светофоры, уличные светильники, задние фонари транспортом людьми, интеллектуальная система
и фары, где применяются LED-лампы. Благодаря дорожного движения позволит обеспечить связь
этому может быть обеспечена коммуникация между между автомобилями и их транспортной средой.
дорожной инфраструктурой и автомобилями в си- Обычно это называется технологией V2X. Исполь-
стемах управления дорожным движением, а также зуя Li-Fi, систему связи видимого света, автоном-
обеспечения безопасности. ные автомобили смогут обмениваться информаци-
Мониторинг погоды в настоящее время выпол- ей между собой и с транспортной сетью, чтобы не
няется дорогими профессиональными метеостан- допускать ошибок, которые может допустить во
циями. Они собирают информацию и могут обраба- время вождения человек. Система на основе Li-Fi
тывать данные, каталогизировать статистику пого- дополняет существующие автономные системы, ко-
ды и даже предоставлять прогнозы относительно торые используются в автомобилях, такие как ра-
ожидаемых условий в ближайшем будущем. Однако дар, LIDAR или видеокамеры. Используя световые
у этих сообщений есть ряд недостатков: они носят импульсы можно отправлять уникальные сигналы от
общий характер, они не могут быть детализированы каждого светофора, знака и автомобиля.
для определенных небольших участков местности, На рис. 7 приведен пример дорожной инфра-
и информация не попадает к водителям, если она структуры связи с использованием нескольких тех-
предоставляются в короткие интервалы времени. нологий.
Применение новых интеллектуальных автомобилей ИГРУШКИ
с возможностью связи между ними позволяет уста-
новить недорогие датчики, измеряющие параметры Светодиоды сегодня активно применяются во
окружающей среды, на каждом автомобиле. Перио- многих игрушках, благодаря чему может быть по-
дически регистрируя параметры окружающей сре- строена недорогая система связи между интерак-
ды и положение с помощью системы GPS, система- тивными игрушками.
контроля автомобиля может с помощью технологии
Li-Fi отправлять эту информацию всем автомоби- ИНФОРМАЦИОННЫЕ СЛУЖБЫ
лям в зоне доступности и информировать водите-
лей о рискованных ситуациях на дороге, о положе- Локальные и высокоточные информационные
нии движущего впереди транспорта, скрытого от службы, к примеру, реклама и навигация. Они обес-
водителя, и о многом другом. печат людей точной информацией, которая связана
Во многих городах пытаются справиться с про- с конкретным местом и временем. Возможно при-
блемами, вызванными возросшим трафиком транс- менение в госучреждениях, банках и других объ-

Рис. 7. Дорожная инфраструктуры связи с использованием нескольких технологий

50 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

ектах, то есть там, где важна безопасность и высо- имеющиеся лампы. Технология также может ис-
кая скорость передачи информации. пользоваться для беспроводного соединения двух
ПРИМЕНЕНИЕ В БЫТУ точек со скоростью передачи данных до
Планируется, что в будущем светодиодные лам- 250 Мбит/с.
пы будут сразу выполнять две функции: освещать Для подключения к сети Li-Fi разрабатываются
помещение и создавать беспроводную коммуника- специализированные модули (рис. 9), которые поз-
ционную сеть, которая позволит подключаться к воляют подключать любые устройства, оснащенные
устройствам и к сети Интернет (рис. 8). интерфейсом USB (рис. 9).

Рис. 9. Специализированный модуль PureLIFI


для подключения к сети Li-Fi через порт USB
Рис. 8. Примеры применения технологии
Li-Fi в быту Из проведенного краткого обзора следует, что
применение технологии связи Li-Fi во многих слу-
ЛИКВИДАЦИЯ ПОСЛЕДСТВИЙ чаях позволит обеспечить высокоскоростную на-
СТИХИЙНЫХ БЕДСТВИЙ дежную связь различных устройств между собой.
Путем использования специализированных моду-
При ликвидации последствий стихийных бед- лей можно будет подключать устройства, не имею-
ствий, таких как землетрясения, наводнения или щие встроенных элементов для оптической комму-
ураганы, когда разрушены многие объекты инфра- никации, к сети Li-Fi. Комбинация нескольких техно-
структуры, для спасения людей и восстановления логий совместно с Li-Fi позволит значительно рас-
разрушенных объектов необходима надежная бес- ширить возможности беспроводных систем связи
проводная связь. Такую связь можно организовать с как в общественных местах, так и в быту.
помощью технологии Li-Fi.
Если модули Li-Fi установить на воздушные ЛИТЕРАТУРА
шары и сформировать из них сеть, то можно на
ограниченной территории обеспечить высокоско- 1. Yoelit Hiebert Li-Fi: An attractive alternative to Wi-Fi //
ростную связь. EDN Network, November 14, 2019.
Компания Signify, ранее известная как Philips 2. http://www.irisprojects.com/ieee-2018-2019-pro-
Lighting и выпускающая "умные" лампочки под мар- ject-titles-on-lifi/.
кой Hue, анонсировала новую модель ламп Truelifi. 3. http://www.ieee802.org/11/Reports/tgbb_update.htm.
Они поддерживают передачу данных Li-Fi и могут 4. http://www.ieee802.org/15/pub/SG7a.html.
обеспечивать передачу данных на планшеты и 5. https://beyondstandards.ieee.org/?s=802.11bb.
смартфоны со скоростью до 150 Мбит/с [7]. Эта 6. LiFi standardization: LiFi as the IEEE starts working on
скорость передачи данных выше, чем в среднем standardization // https://www.i-scoop.eu/lifi-market-
обеспечивают сети 4G и Wi-Fi. Линейка устройств ieee-lifi-standardization/.
Truelifi будет включать как непосредственно из при- 7.https://www.signify.com/global/search?query=LiFi&
боров освещения с функцией передачи данных, так page=1.
и трансиверов, которыми можно дооснастить уже

email: ekis@vdmais.ua 51
№ 3, июль-сентябрь 2017

Установщики серии SM PLUS


Скоростные установщики EXCEN

SM471P • приводные двигатели с более высоким разрешением


• кол-во устанавливающих головок – • повышение точности позиционирования при установке
2 моста по 10 головок
компонентов на 20%
• скорость установки 78000 комп/час
• точность установки (CHIP) ±40 мкм • усовершенствование процесса распознавания
• точность установки (QFP) ±50 мкм компонентов с помощью системы технического
• максимальные габариты ПП 510×460,
зрения до и после размещения
610×460 опционально
• работа с печатными платами длиной более 1000 мм

SM481P
• кол-во устанавливающих головок –
1 мост на 10 головок
• скорость установки 40000 комп/час
• точность установки (CHIP) ±40 мкм
• точность установки (QFP) ±30 мкм
• максимальные габариты ПП 460×400,
1200×460 опционально

SM482P
• кол-во устанавливающих головок –
1 мост на 6 головок
• скорость установки 30000 комп/час
• точность установки (CHIP) ±40 мкм
• точность установки (QFP) ±30 мкм
• максимальные габариты ПП 460×400,
1200×510 опционально

EXCEN PRO D/EXCEN PRO M

• кол-во устанавливающих головок –


2/4 моста по 2/8/16 головок
• скорость установки
60000/120000 комп/час
• точность установки (CHIP) ±35 мкм
• точность установки (QFP) ±30 мкм
• максимальные габариты ПП 350×310

VD MAIS – официальный дистрибьютор


компании Hanwha Techwin в Украине

тел.: (044) 220-0101, (057) 719-6718,


(0562) 319-128, (032) 245-5478,
(095) 274-6897, (048) 734-1954,
info@vdmais.ua, www.vdmais.ua
№ 1, январь-март 2020
ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ

НОВЫЙ МОЩНЫЙ ДРАЙВЕР СВЕТОДИОДОВ КОМПАНИИ


MEAN WELL – XLG-240
NEW MEAN WELL LED POWER SUPPLY: XLG-240
статье приведены основные технические
В характеристики и возможности мощного
драйвера светодиодов XLG-240.
Аbstract –
he main characteristics and possibilities of LED power
T
supplies XLG-240 are considered in the article.

В. Котигорошко V. Kotigoroshko

Компания Mean Well, предлагает мощный драй- (Eurasian Conformity – EAC), т.е. соответствие требо-
вер светодиодов выходной мощностью 240 Вт – ваниям Технических Регламентов Таможенного
XLG-240 [1, 2]. Основные параметры драйвера XLG- Союза (TP TC 004). TP TC 004 – это Технический Рег-
240 даны в таблице. ламент Таможенного Союза "О безопасности низко-
Высоконадежный драйвер светодиодов XLG-240 вольтного оборудования".
(рис. 1) соответствуют классу защиты электротех- В драйверах XLG-240 в зависимости от модифи-
нического оборудования IP67 и ориентирован на кации реализовано несколько вариантов плавной
применение в системах внутреннего и наружного регулировки выходного тока и, соответственно, яр-
светодиодного освещения (стадионов, железнодо- кости свечения светодиодов.
рожных станций, морских портов и т.п.), декоратив- Предусмотрено использование сигнала посто-
ной архитектурной подсветки, в качестве источни- янного тока напряжением 0…10 В, ШИМ-сигнала
ков питания прожекторов и пр. частотой 0.1…3 кГц с регулируемой скважностью и
амплитудой 10 В или внешнего резистора. В этом
случае сигналы управления уровнем выходного
тока или внешний резистор подключаются к выво-
дам драйвера DIM+ и DIM-. Кроме того, выходной
ток можно регулировать с помощью встроенного
потенциометра. График зависимости срока службы
от температуры корпуса, а также величины нагрузки
от температуры окружающей среды приведены, со-
ответственно, на рис. 2, 3.
Дополнительную информацию о продукции ком-

Рис. 1. Драйвер светодиодов XLG-240

Драйверы XLG-240 поддерживают режим рабо-


ты со стабилизацией выходной мощности в диапа-
зоне входных напряжений переменного (180…305
В) и постоянного (142…431 В) тока. Конструктивно
драйверы выполнены в закрытом металлическом
корпусе (IP67) габаритными размерами
219×63×35.5 мм. Гарантийный срок – пять лет. Драй-
веры XLG-240 выдерживают вибрации с ускорени-
ем до 5 g в диапазоне частот 10…500 Гц. Ориенти-
ровочный срок службы – 60 тыс. ч при температуре Рис. 2. График зависимости срока службы
корпуса 70 °С и 100 тыс. ч при температуре 75 °С. от температуры корпуса
Драйверы светодиодов XLG-240 соответствуют пании Mean Well можно найти в сети Интернет по
рекомендациям ряда европейских и международ- адресу www.meanwell.com или получить в фирме VD
ных стандартов по электромагнитной совместимо- MAIS – официальном дистрибьюторе Mean Well в
сти и безопасности. Кроме того, драйверы серти- Украине.
фицированы на т.н. Евразийское соответствие

email: ekis@vdmais.ua 53
№ 1, январь-март 2020
ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ

Таблица. Характеристики драйверов светодиодов XLG-240

Параметр XLG-240-L XLG-240-M XLG-240-H

Выход

Номинальный вых. ток, мА 700 1400 4900

Макс. вых. напряжение на х.х., В 370 186 60

Номинальная вых. мощность, Вт 239.4 239.4 239.6

Вых. напряжение в режиме стабилизации тока, В 178…342 90…171 27… 56

Уровень пульсаций вых. тока, % IНОМ ±4

Диапазон регулирования тока, мА 350…1050 700…2100 2200…6660

Время старта, мс (вх. напряж. перем. тока, В) 500 (230), 1200 (115)

Защита от КЗ, перегрева и перенапряжения +

Вход
100-305 переменного тока (47-63 Гц),
Диапазон входных напряжений, В
142...431 постоянного тока
Входной ток, А (вх. напряж. перем. тока, В) 2.7(115), 1.3 (230), 1.1 (277)

PF ≥0.97 (115 В), PF ≥0.95 (230 В), PF ≥0.92 (277 В)


Коэффициент мощности PF (тип.)
при нагрузке 100%

Коэффициент гармоник (THD), не более, % 10

КПД (тип.), % 93 92.5 91

Ток утечки, не более, мА 0.75 (277 В переменного тока)

Пусковой ток, А (тип.) 85 (230 В переменного тока)

Безопасность, надежность, окружающая среда, габаритные размеры

UL8750(HL), CSA C22.2 No. 250.13-12, ENEC EN61347-1,


Стандарты безопасности EN61347-2-13, EN62384, GB19510.1, GB19510.14,
EAC TP TC 004, IP67

Прочность изоляции, кВ переменного тока 3.75 (вход/выход), 2.0 (вход/корпус), 1.5 (выход/корпус)

Вход-выход, вход-корпус, выход-корпус:


Сопротивление изоляции, не менее, МОм 100 (500 В пост. тока, 25 °С, влажность 70%)

Среднее расчетное время между отказами 219.75 (MIL-HDBK-217F, 25℃)


(MTBF), мин., тыс. ч
830.77 (Telcordia SR-332, Bellcore)

Диапазон рабочих температур, °С -40...90

Относительная влажность воздуха, % 20…95 (без выпадения конденсата)

Габаритные размеры, мм 219×63×35.5

Масса, кг 1

Срок службы, тыс. ч >50

Гарантия 5 лет

54 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ

Продолжение таблицы. Характеристики драйверов светодиодов XLG-240

Электромагнитная совместимость (ЭМС)

Наименование Стандарты Примеч.

Кондуктивные помехи EN55015 —


Электромагнитные Излучаемые помехи (CISPR15) —
помехи Эмиссия гармонических состав-
(EMC Emission) EN61000-3-2 Класс С
ляющих потребляемого тока
Ограничение изменений напряже-
ния, колебаний напряжения и фли- EN61000-3-3 —
кера (Voltage Flicker)
Помехоустойчивость светового
оборудования общего назначения EN61547 —
Требования и методы испытаний
Степень жесткости испытаний 3,
Устойчивость к электростатиче- 8 кВ (воздушный разряд).
EN61000-4-2
ским разрядам (ESD) Степень жесткости испытаний 2,
4 кВ (контактный разряд).
Устойчивость к излучаемому элек-
EN61000-4-3 Испытательный уровень 2
тромагнитному полю
Устойчивость к наносекундным им-
EN61000-4-4 Степень жесткости испытаний 3
пульсным помехам
Электромагнитная
Устойчивость к выбросу напряже- • 4 кВ (линия-линия)
устойчивость EN61000-4-5
ния • 6 кВ (линия-земля)
(EMC Immunity)
Устойчивость к кондуктивным по-
мехам, наведенным электромаг- EN61000-4-6 Степень жесткости испытаний 2
нитным полем
Устойчивость к магнитному полю
EN61000-4-8 Степень жесткости испытаний 4
промышленной частоты
-провалы >95% в течение 0.5 пе-
Устойчивость к провалам, кратко- риода
временным прерываниям и изме- -провалы >30% в течение 25 пе-
EN61000-4-11
нениям напряжения электропита- риодов
ния -прерывания напряжения >95% в
течение 250 периодов

ЛИТЕРАТУРА

1. 240W constant power mode LED driver XLG-240


series.
2. Standard LED driver manufacturer. – Mean Well,
June 2019.

Рис. 3. График зависимости величины нагрузки


от температуры окружающей среды

email: ekis@vdmais.ua 55
№ 1, январь-март 2020
ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ

НЕИЗОЛИРОВАННЫЕ МОДУЛЬНЫЕ
DC/DC-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ КОМПАНИИ MEAN WELL
статье приведены основные технические NON-ISOLATED DC/DC: NID35/65/100
В характеристики и возможности неизолиро-
he main characteristics and possibilities of power
ванных модульных DC/DC-преобразователей
NID35/65/100 компании Mean Well.
Аbstract –
T
supplies NID35/65/100 are considered in this
article.
В. Котигорошко V. Kotigoroshko

NID35/65/100 (рис. 1) – семейства неизолиро-


ванных модульных понижающих DC/DC-преобразо-
вателей компании Mean Well, соответственно, вы-
ходной мощностью 35/65/100 Вт [1-3]. В каждом из
семейств имеется четыре модификации, рассчи-
танные на выходное напряжение 5, 12, 15 или 24 В.
Максимальное входное напряжение постоянного
тока 53 В. Преобразователи выпускаются в бескор- Рис. 2. Вариант подключения
пусном исполнении, предназначены для работы в преобразователя NID100
диапазоне температур -30…85 °C без использова-
ния принудительного охлаждения и соответствуют ность дистанционного включения и выключения
существующим международным стандартам без- преобразователей.
опасности. КПД – 92…97% в зависимости от моди- DC/DC-преобразователи серии NID35/65/100
фикации и выходного напряжения. Вариант схемы выдерживают вибрации с ускорением до 2 g в диа-
подключения DC/DC-преобразователя типа NID- пазоне частот 10…500 Гц. Диапазон рабочих темпе-
100 приведен на рис. 2, основные характеристики – ратур -30…85 °С.
в табл. 1. График зависимости величины нагрузки от Габаритные размеры:
температуры окружающей среды приведен на рис. 3. • NID35 – 50.8×13×11 мм (Д×Ш×В)
Новые DC/DC-преобразователи NID35/65/100 • NID65 – 50.8×26×11 мм
ориентированы на применение в системах про- • NID100 – 50.8×27.2×12 мм.
мышленной автоматизации и в устройствах для те- DC/DC-преобразователи NID35/65/100 соответ-
лекоммуникационных систем. Ожидается, что они ствуют рекомендациям основных европейских и
смогут заменить выпускаемые прежде и хорошо за- международных стандартов по электромагнитной
рекомендовавшие себя DC/DC-преобразователи совместимости (EN61000, критерий А). Кроме того,
типа NID30 и NID60. Преобразователи NID35 и драйверы сертифицированы на т.н. Евразийское
NID65 имеют те же габаритные размеры, что и их соответствие (Eurasian Conformity – EAC), т.е. соот-
предшественники, однако отличаются большей ветствие требованиям Технического Регламента Та-
удельной мощностью и КПД, а также расширенным моженного Союза (TP TC 004). TP TC 004 – это Тех-
температурным диапазоном. Кроме того, гарантий- нический Регламент Таможенного Союза "О без-
ный срок увеличен до трех лет. опасности низковольтного оборудования".
Предусмотрена защита от перегрузки, перена- Основные характеристики DC/DC-преобразова-
пряжения и короткого замыкания, а также возмож- телей NID35/65 приведены в табл. 2, 3.

Рис. 1. DC/DC-преобразователи NID35/65/100

56 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ

Таблица 1. Основные характеристики DC/DC-преобразователей семейства NID100

Обозначение
Наименование параметра
NID100-5 NID100-12 NID100-15 NID100-24
Вход
Диапазон вх. напряжений, В 10.5…53 20…53 20…53 30…53
Номинальное напряжение, В 24 или 48 24 или 48 24 или 48 48
Вх. ток, мА (вх. напряж, В) 5400 (12) 4500 (24) 4600 (24) 2300 (48)
Вх. ток, мА (на х.х ) 20 30 30 50
93 (12/24), 96 (12/24), 97 (12/24), 96 (48)
КПД, типов., % (вх. напряжение, В)
92 (48) 95 (48) 95 (48)
Выход
Номинальное вых. напряж., В 5 12 15 24
Номинальный вых. ток, А 11 7.5 6.5 4.2
Номинальная вых. мощность, Вт 55 90 97.5 100.8
Суммарная погрешность вых. напряж., % ±2

Погрешность вых. вх. напряжения ±0.5


напр., % при изменении тока нагрузки ±0.5
Уровень шумов и пульсаций вых. напряж.,
100 120 150 200
п-п, макс. в полосе 20 МГц, мВ
Емкость внешнего конденсатора с низ-
100 68 47 47
ким значением ESR, мкФ
Частота переключения, кГц 200
КЗ + (с авт. восстановлением после устранения причины)
перегрузки 120…250% PНОМ (с авт. восстановлением после устранения причины)
Защита от
6.4…7.5 В 15.6…18 В 17.5…21В 28…33 В
перенапряжения
Защита с использованием TVS диода
Электромагнитная совместимость (ЭМС)
Параметр Стандарты Примечание
Электромагнитные Кондуктивные помехи EN55032 Класс А/В
помехи (EMC Emission) Излучаемые помехи EN55032 Класс А/В
Устойчивость к излучаемому
EN61000-4-3 Уровень 2, 3 В/м (критерий А)*
электромагнитному полю
Электромагнитная Устойчивость к наносекундным
EN61000-4-4 Уровень 2, 1 кВ (критерий А)*
устойчивость импульсным помехам
(EMC Immunity) Устойчивость к выбросу напряжения EN61000-4-5 Уровень 2, 1 кВ (критерий А)*
Устойчивость к кондуктивным помехам,
EN61000-4-6 Уровень 2, 3 В (критерий А)*
наведенным радиочастотным полем
*критерий А – Характеристики в пределах спецификации
Безопасность, окружающая среда, габаритные размеры
Стандарты безопасности UL62368-1 (LVD), EAC TP TC 004
Диапазон рабочих температур, °С -30…85
Относительная влажность воздуха, % 20…85 (без выпадения конденсата)
Габаритные размеры, мм 50.8×27.2×12
Масса, г 35
Гарантия 3 года

email: ekis@vdmais.ua 57
№ 1, январь-март 2020
ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ

Таблица 2. Основные характеристики DC/DC-преобразователей семейства NID35

Параметр NID35-5 NID35-12 NID35-15 NID35-24


Мощность, Вт 17.5 34.8 36 36
Входное напряжение, В 10.5…53 20…53 20…53 30…53
Выходное напряжение, В 5 12 15 24
Макс. ток, А 3.5 2.9 2.4 1.5
Уровень шумов и пульсаций вых. напряж.,
100 120 150 200
п-п, макс. в полосе 20 МГц, мВ
КПД, % 93 95 96 95

Таблица 3. Основные характеристики DC/DC-преобразователей семейства NID65

Параметр NID65-5 NID65-12 NID65-15 NID65-24

Мощность, Вт 32.5 58.8 64.5 64.8

Входное напряжение, В 10.5…53 20…53 20…53 30…53

Выходное напряжение, В 5 12 15 24

Макс. ток, А 6.5 4.9 4.3 2.7


Уровень шумов и пульсаций вых. напряж.,
100 120 150 200
п-п, макс. в полосе 20 МГц, мВ
КПД, % 93 96 97 96

Дополнительную информацию о новых DC/DC-


преобразователях компании Mean Well можно найти
в [1-3] или в фирме VD MAIS – официальном дистри-
бьюторе Mean Well в Украине.

ЛИТЕРАТУРА

1. 100W DC-DC Non-isolated regulated converter. –


Mean Well. 2018.
2. 65W DC-DC Non-isolated regulated converter. –
Mean Well. 2018.
Рис. 3. График зависимости величины нагрузки 3. 35W DC-DC Non-isolated regulated converter. –
от температуры окружающей среды Mean Well. 2018.

58 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ

DC/DC-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ SILENT SWITCHER®2


КОМПАНИИ ANALOG DEVICES
SILENT SWITCHER®2 DC/DC CONVERTERS
статье приведена краткая информация об FROM ANALOG DEVICES
В основных параметрах понижающих преобра-
he article provides brief information about the
зователей, изготовленных по технологии Silent
Switcher 2, отличающихся низким уровнем
Аbstract –
T
main parameters of step-down converters made
using Silent Switcher 2 technology, characterized by a
электромагнитных помех. Приведены резуль-
таты моделирования этих преобразователей в low level of electromagnetic interference. The simulation
программе LTspice. results of these converters in the LTspice program are
presented.
В. Макаренко V. Makarenko

Один из реальных способов уменьшения слож- LT8648S


ности проектирования и ускорения разработки ис-
точников питания заключается в использовании го- Низкое значение ЭМП при размещении на пе-
товых модульных решений или использовании чатной плате любой конструкции. Возможность ра-
ИМС, объединяющих множество дискретных ком- боты в режиме расширения спектра. Основные па-
понентов. Такой подход обеспечивает целый ряд раметры преобразователя [2]:
важных преимуществ – сокращаются сроки разра- • высокая эффективность на высокой частоте
ботки устройств и уменьшаются их габариты. ♦ КПД до 95.5% при частоте коммутации клю-
Значительным шагом на пути миниатюризации чей 1 МГц, Uвх = 12 В, Uвых = 5 В
стало увеличение частоты коммутации ключей им- ♦ КПД до 93% при частоте коммутации ключей
пульсных преобразователей. Рост частоты привел к 2 МГц, Uвх = 12 В, Uвых = 5 В
существенному снижению индуктивности и габари- • широкий диапазон входного напряжения от 3
тов катушек преобразователей и фильтров. Однако до 42 В
использование более высоких частот переключения • максимальный выходной ток 15 A
ключей часто приводит к проблемам с электромаг- • пульсации выходного напряжения <10 мВ (от
нитной совместимостью (ЭМС). При разработке пика до пика)
модулей питания проблеме ЭМС приходится уде- • малое время переходного процесса
лять большое внимание. • время включения из спящего режима не более
Большинство производителей модулей питания 25 нс
в настоящее время предлагают семейства модулей • возможность работы в принудительном непре-
и микросхем, что дополнительно упрощает про- рывном режиме
ектирование систем электропитания. Но, как и во • диапазон изменения частоты коммутации клю-
всех других областях, не все модули одинаковы. чей (регулируемый и синхронизируемый) от 200 кГц
Они отличаются габаритами, КПД, способом и каче- до 2,2 МГц
ством отвода тепла, сложностью их использования. • формирование сигнала Power Good
Компания Analog Devices выпускает целую се- • безопасно выдерживает значительный обрат-
рию понижающих DC/DC-преобразователей, реа- ный ток
лизующих технологию Silent Switcher 2 [1]. Отличи- • диапазон рабочих температур
тельной чертой этих преобразователей является ♦ –40…125 °C для ИМС LT8648SEV
очень низкий уровень электромагнитных помех, ♦ –40…150 °C для ИМС LT8648SJV, LT8648SHV
создаваемых ими при работе. Рассмотрим работу • корпус LQF-36
таких преобразователей, параметры которых при- • габаритны размеры 7×4 мм.
ведены в табл. 1. Типовая схема включения LT8648S приведена на
Рассмотрим кратко основные характеристики рис. 1, а на рис. 2 зависимости КПД и рассеиваемой
этих преобразователей. мощности от тока нагрузки при различных значе-
ниях частоты коммутации ключей. С функциональной
схемой преобразователя можно ознакомиться в [2].

email: ekis@vdmais.ua 59
№ 1, январь-март 2020
ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ

Таблица 1. Параметры понижающих преобразователей Silent Switcher 2

Число Uвх.макс., Ток ключа,


Тип Uвх.мин., B Iвых, A Iпотр., мкА Корпус
выходов B A
LTC3307A * 1 2.25 5.5 3 3.6 40 LQFN-12, 2×2×0.74 мм
LTC3308A * 1 2.25 5.5 4 6.4 40 LQFN-12, 2×2×0.74 мм
LTC3309A * 1 2.25 5.5 6 7.8 40 LQFN-12, 2×2×0.74 мм
LTC3310S 1 2.25 5.5 10 16 1300 LQFN-18, 3×3×0.94 мм
LT8609S 1 3 42 2 4.75 1.7 DFN -10 , 3×3 мм
LT8640S 1 3.4 42 6 10 1.7 DFN -8, 2×2 мм
LT8640S-2 1 3.4 42 6 10 1.7 LQFN-24, 4×4×0.94 мм
LT8642S 1 2.8 18 10 18 230 LQFN-24, 4×4×0.94 мм
LT8643S 1 3.4 42 6 10 1.7 LQFN-24, 4×4×0.94 мм
LT8643S-2 1 3.4 42 6 10 1.7 LQFN-24, 4×4×0.94 мм
LT8645S 1 3.4 65 8 14 1.7 LQFN-32, 6×4×0.94 мм
LT8646S 1 3.4 65 8 14 17 LQFN-32, 6×4×0.94 мм
LT8648S * 1 3 42 15 30 320 LQFN-36, 7×4×0.94 мм
LT8650S 2 3 42 4 8,5 3.7 LQFN-32, 6×4×0.94 мм
LT8650S-1 2 3 42 4 8,5 3.7 LQFN-32, 6×4×0.94 мм
LT8652S * 2 3 18 8.5 28.5 210 LS8, 4×7×1.45 мм
LTC7150S 1 3.1 20 20 24 2000 BGA-42, 6×5×1.3 мм
LTC7151S 1 3.1 20 15 18 2000 LQFN-28, 4×5×0.74 мм
* Преобразователи, которые были освоены в производстве в четвертом квартале 2019 г.

Проверить работу этого преобразователя можно


с помощью моделирования в программе LTspice
компании Analog Devices [3-7]. На рис. 3 приведена
модель для исследования преобразователя
LT8648S.

Рис. 1. Типовая схема включения


преобразователя LT8648S

Рис. 3. Модель для исследования


преобразователя LT8648S

Модель позволяет контролировать форму токов


и напряжений в различных точках схемы, измерять
Рис. 2. Зависимости КПД и рассеиваемой спектр и рассчитывать КПД.
мощности LT8648S от тока нагрузки при Директива .tran 0 1m 0.1m задает время анали-
различных значениях частоты коммутации ключей за 1 мс и начало фиксации результатов моделиро-

60 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ

вания через 0.1 мс после начала работы. Длитель- Как следует из рис. 4, амплитуда пульсаций вы-
ность переходного процесса для LT8648S состав- ходного напряжения не превышает 10 мВ (от пика
ляет примерно 70 мкс при выходном напряжении до пика). Спектры выходного напряжения преобра-
5 В, токе нагрузки 15 А и входном напряжении 12 В. зователя и тока источника входного напряжения
Для анализа спектрального состава тока источ- приведены на рис. 5 и 6, соответственно.
ника входного напряжения и оценки КПД преобра-
зователя необходимо:
• начать регистрацию результатов моделирова-
ния после завершения переходного процесса
• добавить директиву анализа спектрального
состава исследуемых сигналов
• добавить директиву для измерения КПД пре-
образователя.
Набор директив для указанных типов анализа
имеет вид:
• .four 100 10 100
• .meas Pin AVG -I(V1)*V(Vin)
• .meas Pout AVG I(R3)*V(Vout)
• .meas eff param Pout/Pin
Преобразование Фурье осуществляется с раз-
решающей способностью 100 Гц (первая цифра в
Рис. 5. Спектр выходного напряжения
директиве .four). преобразователя на ИМС LT8648S
Для расчета КПД вычисляется мощность, отби-
раемая от источника входного напряжения, с помо-
щью директивы .meas Pin AVG -I(V1)*V(Vin) и мощ-
ность, рассеиваемая на сопротивлении нагрузки, с
помощью директивы .meas Pout AVG I(R3)*V(Vout).
КПД рассчитывается как отношение выходной мощ-
ности к мощности, потребляемой от источника
входного напряжения, с помощью директивы .meas
eff param Pout/Pin.
Временные диаграммы тока источника входного
напряжения и напряжения на нагрузке приведены
на рис. 4.

Рис. 6. Спектр тока источника входного


напряжения преобразователя на ИМС LT8648S

Коэффициент полезного действия, рассчитан-


ный программой можно прочесть, открыв пункт
меню Spice Error Log (рис. 7).
Фрагмент файла Spice Error Log приведен ниже.
pin: AVG(-i(v1)*v(vin))=78.9441 FROM 0 TO 0.0009
pout: AVG(i(r5)*v(vout))=75.1396 FROM 0 TO 0.0009
Рис. 4. Временные диаграммы тока источника
входного напряжения (зеленая кривая) eff: pout/pin=0.951808
и напряжения на нагрузке преобразователя Полученный при моделировании КПД равен
на ИМС LT8648S 95.18%, а в datasheet (рис. 2) при частоте коммута-
ции силовых ключей 2 МГц КПД составляет пример-

email: ekis@vdmais.ua 61
№ 1, январь-март 2020
ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ

Рис. 7. Выбор пункта меню Spice Error Log Рис. 9. Спектр напряжения на нагрузке
при использовании ФНЧ в преобразователе
на ИМС LT8648S
но 92%. Т.е. результаты моделирования показывают
более высокий КПД и это нужно учитывать при
оценке параметров преобразователя.
В [2] для уменьшения уровня помех рекоменду-
ется использовать фильтр нижних частот, включен-
ный между источником питания и входом преобра-
зователя, как показано на рис. 8. В результате при-
менения фильтра КПД уменьшился незначительно,
до 95%, характер спектра выходного напряжения
практически не изменился (рис. 9), а спектр тока
потребляемого от источника питания существенно
изменился (рис. 10). Уровень спектральной состав-
ляющей с максимальной амплитудой с 15 дБ умень-
шился до -32 дБ. Изменился и характер спектра.
Уровень составляющей с частотой коммутации клю- Рис. 10. Спектр тока, потребляемого
чей 2 МГц снизился до -85 дБ. от источника питания при использовании ФНЧ
(зеленый) и без ФНЧ (красный)
ИМС LTC8648S может работать в трех различных
в преобразователе на ИМС LT8648S
режимах, устанавливаемых изменением напряже-
ния на входе MODE/SYNC: обратной связи FB на величину не менее 7.7% от
1. Режим пропуска импульсов. На вывод UFB.
MODE/SYNC необходимо подать напряжение, ве- 2. Принудительный непрерывный режим. Вывод
личина которого превышает напряжение на выводе MODE/SYNC не подключен (плавающий потенциал).

Рис. 8. Схема включения преобразователя LT8648S с дополнительным фильтром нижних частот

62 www.ekis.kiev.u
№ 1, январь-март 2020
ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ

3. Прерывистый режим (Burst Mode). Вывод


MODE/SYNC подключен к общему проводу или к вы-
ходу логической ИМС с низким напряжением логи-
ческого нуля (не более 0.7 В).
В режиме пропуска импульсов генератор рабо-
тает непрерывно, а для регулирования выходного
напряжения некоторые импульсы управления сило-
выми ключами пропускаются. В этом режиме обрат-
ный ток через катушку индуктивности не протекает.
В принудительном непрерывном режиме (FCM –
Forced Continuous Mode) генератор работает непре-
рывно. Верхний транзисторный ключ открывается
при поступлении каждого импульса от генератора, а Рис. 12. Временные диаграммы сигналов при
регулировка выходного напряжения осуществляет- малых токах нагрузки в режиме Burst Mode
ся реверсом направления протекания тока через преобразователя на ИМС LT8648S
катушку при малых токах в нагрузке. В этом режиме
обеспечивается минимальный уровень пульсаций работы с регулировкой выходного напряжения с по-
выходного напряжения. мощью ШИМ-модуляции.
В преобразователе LT8648S в принудительном Преобразователь LT8648S может работать в
непрерывном режиме сокращается время переход- режиме внешней синхронизации, сигнал которой
ного процесса при скачкообразном изменении на- подается на вход MODE/SYNC. Длительность им-
грузки. На рис. 11 проиллюстрирована эффектив- пульсов сигнала внешней синхронизации должна
ность использования режима FCM. быть не менее 50 нс и период следования не менее
100 нс.
Для уменьшения уровня ЭМП предусмотрен ре-
жим расширения спектра (Spread Spectrum Mode)
сигнала управления силовыми ключами преобразо-
вателя. Чтобы включить режим Spread Spectrum вы-
вод SYNC/MODE нужно соединить с выводом
INTVCC. В этом режиме сигнал управления моду-
лируется по частоте треугольным сигналом 3 кГц.
К сожалению, в модели, приведенной на рис. 3 ре-
жим Spread Spectrum не поддерживается.
Выходное напряжение устанавливается делите-
лем напряжения R2 и R3 (рис. 3), подключенным к
Рис. 11. Временные диаграммы выходного выводу обратной связи FB. Сопротивление ре-
напряжения при скачкообразном изменении зисторов можно рассчитать по формуле
нагрузки в преобразователе на ИМС LT8648S
R2 = R3[(VOUT/0.6 В) – 1].
В режиме Burst Mode при малых токах нагрузки
выходной конденсатор заряжается до напряжения Если сопротивление резистора R2 больше 20
немного выше требуемого. Затем преобразователь кОм, то параллельно резистору следует подключать
переходит в состояние сна, а выходной конденса- конденсатор емкостью 4.7…47 пФ. Рекомендуется
тор обеспечивает необходимый ток в нагрузке. сопротивления резисторов выбирать из ряда Е192 с
Когда выходное напряжение падает ниже задан- точностью 0.1%.
ного значения, преобразователь включается и Частота коммутации силовых ключей задается
опять начинается заряд конденсатора пакетом им- внутренним генератором, построенном на основе
пульсов (рис. 12). Длительность интервала сна системы ФАПЧ, и может изменяться в диапазоне от
уменьшается с увеличением тока нагрузки. 200 кГц до 2.2 МГц. Частота сигнала на выходе гене-
При значительном увеличении тока нагрузки ратора определяется сопротивлением резистора,
преобразователь переходит в режим непрерывной подключенного к выводу RT (резистор R1 на рис. 3),

email: ekis@vdmais.ua 63
№ 1, январь-март 2020
ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ

величину которого можно рассчитать по формуле

RT = (44.8/fsw) – 5.9,

где RT задается в кОм, fsw – в МГц в диапазоне от 0.2


до 2.2 МГц.
Для уменьшения влияния входной емкости цепи
обратной связи на длительность переходного про-
цесса, параллельно резистору R2 (рис. 8) включает-
ся дополнительный корректирующий конденсатор
C7. Значение емкости этого конденсатора может
находится в диапазоне 1…22 пФ и определяется
экспериментально либо путем моделирования. Рис. 13. Функциональная схема соединения
Значения емкости для типовых случаев применения двух ИМС LT8648S параллельно
LTC8648A можно найти в [2]. лей, схемами их включения и рекомендациями по
При выборе катушки индуктивности следует учи- расчету параметров элементов можно найти в [1] и
тывать среднеквадратическое значение выходного на сайте компании Analog Devices.
тока, номинальное значение тока насыщения и со-
противление катушки. Индуктивность катушки мож- ЛИТЕРАТУРА
но рассчитать по формулам
1. https://www.analog.com/en/parametricsearch/11001#/
для VOUT/VIN.max≤ 0.5 (1) 2. https://www.analog.com/media/en/technical-docu-
mentation/data-sheets/LT8648S.pdf
и 3. https://www.analog.com/en/design-center/design-
tools-and-calculators/ltspice-simulator.html
для VOUT/VIN.max ≥ 0.5, (2) 4. В. Макаренко Программа моделирования элек-
тронных схем LTspice от Linear Technology, часть 1/
где K = 1.2 А, fsw – подставляется в Гц. Электронные компоненты и системы, №4(220),
Например, для выходного напряжения 1.2 В при 2017. c. 46-56. Url:
максимальном значении входного напряжении 5.5 В http://www.ekis.kiev.ua/UserFiles/Image/pdfArticles/2
значение индуктивности, рассчитанное по формуле 017_4/V.Makarenko_The_software_for_modeling_elect
(1) составит 0.39 мкГн. ronic_circuits_LTspice_part_1_EKIS_4_2017.pdf
Катушку следует выбирать так, чтобы ток насы- 5. В. Макаренко Программа моделирования элек-
щения катушки (обычно обозначается ISAT) был боль- тронных схем LTspice от Linear Technology, часть 2/
ше чем сумма максимального ожидаемого тока на- Электронные компоненты и системы, №1(221),
грузки и половины амплитудного значения тока 2018/ c. 36-47. Url:
пульсаций ∆IL, протекающего через катушку. Ток че- http://www.ekis.kiev.ua/UserFiles/Image/pdfArticles/2
рез катушку можно рассчитать по формуле 018_1/EKIS_1(221)_2018s.pdf
6. В. Макаренко Программа моделирования элек-
тронных схем LTspice, часть 3 / Электронные компо-
Ток пульсаций можно рассчитать по формуле ненты и системы, №2(222), 2018/ c. 52-62. Url:
http://www.ekis.kiev.ua/UserFiles/Image/pdfArticles/2
018_2/Makarenko_V._The_software_for_modeling_ele
ctronic_circuits_LTspice,_part_3_EKIS_2(222)_2018.p
df
Многие из ИМС преобразователей позволяют 7. В. Макаренко Программа моделирования элек-
соединять их параллельно для увеличения выходно- тронных схем LTspice, часть 4 / Электронные компо-
го тока. Например, на рис. 13 приведена функцио- ненты и системы, №3(223), 2018. c. 52-62. Url:
нальная схема соединения двух ИМС LT8648S, поз- http://www.ekis.kiev.ua/UserFiles/Image/pdfArticles/2
воляющая сформировать выходной ток 30 А. 018_3/Makrenko_V.V._LTspice_part4_EKIS_3(223)_20
Более подробно с параметрами преобразовате- 18.pdf

64 www.ekis.kiev.u
Научно-технический журнал.
Предназначен для разработчиков
и производителей электронной
и электротехнической аппаратуры,
средств телекоммуникаций, компьютерных
и управляющих систем, промышленной
и транспортной электроники.
Издается с 1996 года.
Учредитель и издатель журнала –
НПФ VD MAIS.

НПФ VD MAIS

Центральный офис: Региональные представительства:

03061 Киев 61070 Харьков


ул. М. Донца, 6 ул. Академика Проскуры, 1
Тел.: (+38-044) 201-0202, 492-8852 тел./факс: (057) 719-6718, 716-4266
Факс: (+38-044) 202-1110 s.momot@vdmais.ua
E-mail: info@vdmais.ua
http:// www.vdmais.ua 49006 Днепр
пр. Пушкина, 55, оф. 504
Ukraine тел./факс: (0562) 319-128
03061 Kyiv, M. Dontsia St. 6 g.boreyko@vdmais.ua
tel.: (+38-044) 201-0202, 492-8852
fax: (+38-044) 202-1110 65005 Одесса
ул. Головковская, 36, оф. 20
тел./факс: (048)734-1954
a.bilous@vdmais.ua

79058 Львов
пр. В. Чорновола, 67, оф. 319
тел./факс: (095) 283-8246
s.luschak@vdmais.ua

69000 Запорожье
бульвар Шевченко, 25, оф. 14
Руслан Моисеенко
r.moiseienko@vdmais.ua
тел. (095) 2746897

Вам также может понравиться