Министерство образования Республики Беларусь

Учреждение образования
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Факультет компьютерного проектирования

Кафедра электронной техники и технологии

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА

по дисциплине
«Физико-химические основы микро- и наноэлектроники»

Выполнил: студент гр. 990241

_________________ Борисенок
С.М.

Проверил: профессор каф. ЭТТ

_________________ Василевич В.П.

Минск 2021
 СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ..............................................................................................................3
1 ВОПРОС №1 «Физические процессы обеспечения адгезии благородных
металлов к диэлектрикам»..................................................................................4
2 ВОПРОС №2 «Автоэпитаксия и гетероэпитаксия из газовой и жидкой фаз»
.............................................................................................................................12
3 ВОПРОС №3 «Влияние примесей в кремнии на скорость роста оксидных
слоев»..................................................................................................................15
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ............................................18

2
 ВВЕДЕНИЕ

Целью изучения курса физико-химические основы микро- и

наноэлектроники является овладение физико-химическими основами
материалов изделий микро- и наноэлектроники, характера взаимодействия
различных материалов, основанного на диаграммах фазового равновесия,
определяющих структуру, состав и свойства полученных микро- и
нанообъемов твердых тел, объединение которых позволяет создавать
устройства от дискретных приборов до интегральных схем c микро- и
наноразмерами различной степени интеграции, основываясь на физико-
химических процессах нанесения и удаления различных слоев на
поверхности твердых тел, модифицирование твердотельных структур,
образующих активные и пассивные электронные компоненты.
Исходя из целей, поставленных курсом ФХОМиН, будущие
специалисты должны обрести навыки:
1) умение проектировать микроэлектронную элементную базу с
применением прикладных пакетов;
2) осуществление поиска технических, и технологических решений в
области конструирования, технологии изготовления и эксплуатации микро- и
наноструктур в радиоэлектронных, электронно-оптических системах,
обеспечивающих научно-технический прогресс;
3) способность использовать результаты научно-исследовательских
работ при создании образцов новой техники и высокоэффективных
технологий.
4) разрабатывать технологические процессы с учётом мировой практики
производства радиоэлектронных средств;
5) контролировать трудовую и производственную дисциплину;
6) в составе группы специалистов разрабатывать технологическую
документацию, принимать участие в создании стандартов и нормативов;
7) обеспечивать контроль заданных технологических параметров при
производстве электронных компонентов;
8) владеть принципами физико-химических основ материалов и
процессов изготовления изделий микро- и наноэлектроники;
9) владеть теоретическими и экспериментальными методами анализа
физических характеристик материалов и параметров изделий микро- и нано-
электроники в целях оценки их качества, надежности.

3
 1 ВОПРОС №1 «Физические процессы обеспечения адгезии
благородных металлов к диэлектрикам»

Адгезия пленки в очень сильной степени зависит от наличия окисного

слоя, который может возникнуть в процессе осаждения между пленкой и
подложкой. Такой окисный слой образуется, например, при осаждении
железа и нихрома, чем и объясняется хорошая адгезия этих пленок. Пленки
из золота, которое не подвержено окислению, имеют плохую адгезию, и
поэтому между золотом и подложкой приходится создавать промежуточный
подслой из материала с высокой адгезией. Желательно, чтобы образующийся
слой окисла был сосредоточен между пленкой и подложкой. Если же окисел
будет диспергирован по всей пленке или же будет располагаться на ее
поверхности, то свойства пленки могут сильно измениться. На образование
окислов сильное влияние оказывают состав остаточных газов в рабочем
объеме установки и в особенности наличие паров воды.
Перед проведением ряда технологических процессов (например,
высокотемпературное окисление, первая фотолитография, нанесение
металлической либо диэлектрической пленки и т.д.) следует провести
очистку подложек для удаления как органических, так и неорганических
загрязнений в виде инородных атомов и молекул, появляющихся на
предыдущих этапах технологических процессов или во время переноса
подложек с одной технологической линии на другую. Если такие загрязнения
не удалить, то возможно ухудшение электрических характеристик приборов,
а также понижение надежности интегральных микросхем.
Плазменная очистка поверхности подложек происходит вследствие
химического взаимодействия загрязнений с ионами и радикалами активных
газов с образованием летучих соединений, которые удаляются из
реакционного объема в процессе откачки. Очищенные и активированные
поверхности подложек обладают высокой прочности связью с наносимыми
пленками.
Травление и очистка пластин перед осаждением пленок в едином
вакуумном цикле позволяют уменьшить уровень загрязнений, получить
хорошую текстуру, адгезию, микроструктуру и снизить электромиграцию в
пленках. Основными компонентами газовой смеси для очистки поверхности
подложки от органических загрязнений с использованием СВЧ разряда
является кислород с небольшими (до 1 об. %) добавками аргона, азота или
гелия. Добавки H2, N2, Ar, He катализируют процессы диссоциации молекул
кислорода в плазме до атомарного состояния и тем самым ускоряют процесс
очистки. Плазменная обработка используется также с целью удаления

4
собственного оксида, т.е. оксида, образующегося на чистой поверхности
кремния в атмосфере кремния в качестве предварительной очистки перед
осаждением пленочных слоев различных материалов и составов. В этом
случае используется H2 с добавками H2O и NF3. Как правило, процесс
реализуется способом травления "вне зоны разряда". Это позволяет свести к
минимуму поверхностные повреждения и переосаждение.
Низкотемпературная очистка позволяет получить чистую поверхность
без каких-либо дефектов. Установлено, что в случае плазменной очистки,
проводимой в режиме реактивной ионно-лучевой обработки, имеется
критическая доза облучения ионами водорода, выше которой на очищенной
поверхности начинают наблюдаться кристаллические дефекты. Они
впоследствии могут сказаться на качестве наносимых поверх
эпитаксиальных слоев. Кроме того, определенные режимы
низкотемпературной очистки в водородной плазме с источником,
работающим в режиме электронного циклотронного резонанса (ЭЦР),
способствуют процессу образования шероховатости поверхности кремниевой
пластины. По данным исследований установлено, что шероховатость
поверхности, в частности пластины Si (100), в сильной степени связана с
зародышеобразованием и ростом пластинчатых дефектов (100) в
подповерхностной области кремния: травление протекает в основном в
местах пересечения этих дефектов и поверхности кремния. Уровень
содержания этих дефектов и, следовательно, степень шероховатости
поверхности кремниевой пластины можно контролировать, управляя
величинами потока ионов водорода и температурой подложки в интервале
170 – 450 0С. Разработанный и исследованный процесс очистки in situ
контактных отверстий размером < 0,5 мкм в схемах динамических ЗУПВ с
использованием плазмы Н2, Ar и их смесей, возбуждаемой от источника ЭЦР,
показал, что плазма высокой плотности, но с малой энергией ионов вносит
минимальные повреждения в поверхностный слой, а благодаря высокой
направленности эффективно удаляет поверхностные примеси из контактных
отверстий, что обеспечивает получение низкого и стабильного контактного
сопротивления. Кроме того, при такой очистке создается форма профиля
контакта, способствующая заполнению отверстия алюминием.
Подготовка поверхности перед нанесением пленки для улучшения
адгезии и управления составом границы раздела в режиме ионно-лучевой
очистки проводится с использованием инертных газов в диапазоне энергий
ионов от нескольких десятков до нескольких сотен электронвольт. СВЧ
ионные источники, обеспечивающие большую плотность тока ионного пучка
и сравнительно низкие энергии ионов, хорошо подходят для подготовки

5
поверхности полимеров и других синтетических материалов перед
нанесением металлов. Эти процессы могут также проводиться с
применением активных газов, таких, как кислород или фторуглероды.
Еще одной перспективной областью применения ЭЦР источников
является очистка поверхности полупроводниковой пластины перед
процессом эпитаксии от примесей углерода и оксидов. Если оксид можно
удалить высокотемпературным отжигом (800–1000°С), то для удаления
углерода приходится применять методы ионно-плазменного распыления,
которые, однако, вносят радиационные нарушения, устраняемые также
высокотемпературным отжигом (700°С). Обработка в ЭЦР источнике в
плазме водорода позволяет легко удалить углерод и оксид при температуре
не выше 400°С.
Процесс СВЧ плазмохимической обработки весьма перспективен для
межоперационной очистки технологических и плазменных камер
плазменных установок. Имеются методы высокоэффективной СВЧ
плазменной очистки плазменного технологического оборудования от
остатков продуктов плазменных реакций. В частности, это может быть
двухстадийный процесс.
На первой стадии производятся напуск в плазменную камеру из системы
газоснабжения плазмообразующего газа и возбуждение плазмы под
действием СВЧ энергии. Химически активные радикалы, образующиеся в
плазме разряда, взаимодействуют с остатками загрязнений на внутренней
поверхности технологической камеры и оснастки. На второй стадии к
реакционноспособному газу добавляется инертный газ, после чего вновь
возбуждается газовый разряд. Инертный газ, кроме того, может продуваться
через технологическую камеру перед первой стадией с целью удаления
осевших частиц, не связанных с конструктивными элементами. Реакционным
способным (реактивным) газом рекомендовано выбирать NF 3, однако могут
использоваться и другие фторсодержащие газы, такие, как CF4, SF6 и др.
Более того, в качестве реактивных газов могут быть использованы вместо
фторсодержащих газов хлор- или другие галогенсодержащие газы.
Распылением в атмосфере Ar получают пленки металлов с ровной
зеркальной поверхностью и хорошей адгезией к подложке. Энергия ионов,
бомбардирующих подложку, составляет (1,6 – 4,8)·10-18 Дж (10–30 эВ) и
зависит от СВЧ мощности и давления рабочего газа. С помощью ЭЦР
устройства с кольцевой мишенью были без последующего отжига получены
ВТСП пленки Y – Ba – Cu – O c T c = 73 K. На мишень подавалось ВЧ-
напряжение смещения с частотой 13,56 МГц (ВЧ мощность на мишени 700
Вт). Температура подложки в процессе нанесения составляла 650°С, рабочее

6
давление – 0,02 Па. После нанесения на подложку пленки сначала охлаждали
в атмосфере азота со скоростью 100°C/мин до температуры 400°С, а затем на
воздухе со скоростью 50°С/мин до комнатной температуры.
Таким образом, катодным распылением с использованием СВЧ разряда
получают проводящие (металлические), диэлектрические (оксидные,
нитридные), силицидные и другие пленки, характеризующиеся большой
прочностью сцепления с подложкой и высокими электрофизическими
показателями. Улучшение свойств пленок по сравнению с широко
распространенными способами термического испарения в вакууме и ионного
распыления может быть связано с воздействием плазмы при ЭЦР и ионной
бомбардировки, что ведет к повышению скорости распыления мишени и
интенсификации реакций формирования пленочного покрытия.
Платина и другие благородные металлы нашли широкое применение в
качестве токопроводящих и резистивных материалов микросистемных
датчиков благодаря своей химической инертности и высокой температуре
плавления. При формировании тонкопленочных элементов из платины
необходимо обеспечивать заданную величину поверхностного
сопротивления, заданную величину температурного коэффициента
сопротивления (ТКС), минимальные механические напряжения при условии
хорошей адгезии к подложке. По причине химической инертности пленки
платины характеризуются плохой адгезией к кремнию, оксиду и нитриду
кремния. Поэтому при ее нанесении используют промежуточные
адгезионные слои. Однако использование в качестве таких слоев чистых
металлов затруднено из-за их диффузии в пленку платины, дополнительно
возникающих остаточных напряжений на границах разделов,
электромиграции и др.
Тонкие пленки платины, как правило, получают магнетронным
распылением платиновой мишени в среде рабочего газа аргона. Для
формирования адгезионного подслоя процесс поводят в два этапа. Вначале
наносят тонкий слой путем распыления при комнатной температуре в среде
кислорода и аргона для формирования слоя Pt xO1-x. Затем наносят слой
платины требуемой толщины распылением в среде аргона. Далее полученная
структура отжигается для стабилизации свойств и удаления избыточного
кислорода, присутствующего в PtxO1-x. Однако наличие кислорода в пленках
платины замедляет травление платины в хлорсодержащих растворах, что, в
свою очередь, затрудняет формирование топологического рисунка.
Для улучшения адгезии также можно использовать адгезионный слой из
наноструктурированного оксида алюминия, который обладает высокой
структурной и химической стойкостью даже при высоких температурах.

7
Улучшение адгезии при использовании наноструктурированного оксида
алюминия обеспечивается за счет увеличения эффективной площади
контакта нанесенной пленки с поверхностью подложки, так как наносимая
пленка проникает вглубь пор, и в зависимости от их диаметра площадь
соприкосновения увеличивается в 5 − 6 раз. При этом в случае использования
пленок платины толщиной 0,2 – 0,3 мкм диаметр пор
наноструктурированного оксида алюминия не должен превышать 200 Ǻ.
Наноструктурированный оксид алюминия получают из пленок чистого
алюминия толщиной порядка 0,2 мкм, нанесенных термовакуумным
испарением или магнетронным распылением, путем их анодирования в
растворе 0,3 мол. щавелевой кислоты при 283 К в потенциостатическом
режиме при напряжении 60 В (рисунок 1.1, а). Затем для увеличения
эффективной площади контакта проводят травление вершин пор в
концентрированной ортофосфорной кислоте (рисунок 1.1, б).

а б

Рисунок 1.1 – РЭМ фото пленок наноструктурированного оксида алюминия:

а – после анодирования, б – после травления в ортофосфорной кислоте

После анодирования пленки наноструктурированного оксида алюминия

подвергали бомбардировке ионами аргона с ускоряющим напряжением 3 кВ,
при постоянном токе равном 30 мА в течение времени от 10 до 20 минут. В
результате получается однородная наноструктурированная поверхность,
обеспечивающая адгезию пленки платины вплоть до температуры образца
850°С (рисунок 1.2).
На рисунок 1.,3,а представлены зависимости поверхностного
сопротивления пленок платины, отожженных при температуре 1120 К и без
отжига, а на рисунок 5.12, б – зависимости ТКС от толщины пленок платины,
отожженных при различных температурах. Анализ зависимостей показывает,
8
что требуемые параметры резистивных элементов достигаются
соответствующими режимами термообработки.
Величина механических напряжений пленок платины линейно
возрастает с увеличением толщины пленки (рисунок 1.4). Таким образом,
целесообразно использовать пленки платины толщиной до 0,3 мкм,
поскольку в противном случае увеличивается риск отслоения пленок от
подложки из-за механических напряжений.
Пленки никеля, используемые в качестве резистивных элементов, как
правило, формируют электронно-лучевым испарением, что связано с
магнитными свойствами никеля. Данный метод позволяет получать пленки с
величиной ТКС порядка 10-3 К-1.

а б

Рисунок 1.2 – РЭМ фото поверхности пленок наноструктурированного

оксида алюминия после ионно-лучевого травления:
а – в течение 10 минут, б – в течение 20 минут

а б
Рисунок 1.3 – Температурные зависимости поверхностного сопротивления
пленок платины: а – толщиной 0,6 мкм от температуры окружающей среды, б
– пленок, отожженных при различной температуре, от их толщины.
9
 Одним из методов изменения ТКС пленок Ni является
высокотемпературный отжиг в восстановительной атмосфере формир-газа.
На рисунке 1.4,a представлена зависимость поверхностного сопротивления
пленок никеля от их толщины до и после термообработки. После отжига
пленок величина поверхностного сопротивления пленки снижается на 20 −
30 %., а величина остаточных напряжений растет с увеличением толщины
пленки (рисунок 1.4, б).

Рисунок 1.4 – Зависимость величины механических напряжений от толщины

пленок платины

а б
Риснок 1.5 – Зависимости поверхностного сопротивления пленок никеля и
величины остаточных напряжений от толщины пленки до и после
термообработки в формир-газе при температуре 670 К,
а – поверхностное сопротивление, б – механические напряжения

10
 На рисунок 1.6 представлена зависимость ТКС пленок никеля от
температуры подложки при ее нанесении для разных температур отжига.
ТКС пленок никеля не подвергаемых дальнейшему отжигу стабилизируется
при температуре 580 К. Для пленок никеля, отжигаемых при температуре 670
К стабилизация ТКС наблюдается при температуре подложки выше 600 К.
Таким образом, для получения заданных свойств пленок никеля
необходимо выбирать оптимальную толщину, а также контролировать как
температуру подложки приэлектронно-лучевого испарении никеля, так и
условия проведения последующей термообработки [1].

Рисунок 1.7 – Зависимость ТКС пленок никеля толщиной 0,3 мкм от

температуры подложки для различных температур отжига в формир-газе.

11
 2 ВОПРОС №2 «Автоэпитаксия и гетероэпитаксия из газовой и
жидкой фаз»

Термин «эпитаксия» (происходит от греческих слов «επί» – на и «ταξίζ»

– расположение в порядке) обозначает ориентированное нарастание одного
кристаллического вещества на монокристаллической поверхности другого.
Ориентированное нарастание материалов на собственных подложках
называется автоэпитаксией, а на инородных подложках – гетероэпитаксией
или просто эпитаксией. Гетероэпитаксия переходит в автоэпитаксию, когда
пленка утолщается настолько, что первоначальная подложка уже не будет
оказывать ориентирующего влияния. Решающую роль в ориентированном
нарастании пленок играют температура монокристаллической подложки,
скорость осаждения пленки, а также концентрация и вид примесей.
Эпитаксиальная монокристаллическая пленка должна иметь определенную
кристаллографическую ориентацию относительно подложки.
Кристаллохимические особенности подложки влияют на скорость
поверхностной диффузии адсорбированных атомов. Эпитаксиальным
образом могут срастаться два вещества с совершенно различными видами
химической связи. На поверхности раздела между ними имеются нарушения
непрерывности периодической структуры бикристаллической системы и
несоответствия в расположении атомов по обеим сторонам поверхности
раздела. В то же время между подложкой и адсорбированными атомами
возникают силы связи, удерживающие эти атомы на поверхности.
Допустим, на кристалле есть выход на поверхность винтовой
дислокации. Наличие дефектов облегчает диффузию в твердом теле и
повышает подвижность различных атомов вдоль границ зерен и блоков.
Повышению подвижности могут способствовать и дислокации, не
находящиеся на границах. Вдоль дислокационных трубок коэффициент
диффузии может на несколько порядков превышать объемный.
Для эпитаксиального выращивания используют подложки,
изготовленные различными способами, например, сколами на воздухе или в
вакууме, с механическим или химическим полированием поверхности. Для
каждой пары срастающихся веществ существует своя эпитаксиальная
температура, которая зависит от условий осаждения (νос). Существует
некоторая минимальная эпитаксиальная температура (Тэп), связанная со
скоростью осаждения νос соотношением
ΔE
ν ос ≤ А⋅exp(− )
kT эп , (2.1)
где А – постоянная, ∆E – энергия активации.

12
 Рост эпитаксиальных пленок ускоряется в электронном поле,
приложенном к подложке в поперечном направлении. При этом улучшается
и качество пленок. Эпитаксиальные пленки обладают очень высокими
электрофизическими свойствами и благодаря этому находят широкое
применение в микроэлектронике. Современные методы эпитаксиального
выращивания кристаллов позволяют управлять легированием пленок в
процессе их роста, что открывает широкие возможности для создания
многослойных структур и новых типов электронных приборов. Например,
при изготовлении полупроводниковых приборов используют тонкие
эпитаксиальные слои полупроводников на высокоомных подложках, а в
производстве полупроводниковых лазеров широко распространен
эпитаксиальный рост очень чистого материала. Большие перспективы имеют
эпитаксиальные переходы [2].
При соответствующих условиях осаждения атомы кремния, двигаясь по
нагретой поверхности, занимают положения, соответствующие
кристаллической структуре подложки. Иными словами эпитаксиальное
наращивание состоит в образовании центров кристаллизации и
последовательном формировании двумерной решетки из островков,
растущих вдоль поверхности. Процесс эпитаксиального наращивания на
поверхности пластины (рисунок 2.1) происходит в следующей
последовательности:
– массопередача вступающих в реакцию молекул посредством диффузии
из турбулентного потока через граничный слой к поверхности кремния;
– адсорбция молекул поверхностью;
– процесс реакции на поверхности;
– десорбция продуктов реакции;
– массопередача молекул продуктов реакции посредством диффузии
через граничный слой к основному потоку газа;
– упорядочение адсорбированных атомов кремния в решетке.

Рисунок 2.1 – Механизм формирование эпитаксиального слоя кремния на

подложке.
13
 Результирующая скорость роста пленки определяется самым медленным
процессом в приведенной выше последовательности. Энергия активации
процесса равна приблизительно 5 эВ и соответствует энергии активации
самодиффузии кремния. Попытка увеличения скорости роста пленки выше
оптимального значения, зависящего от температуры, приводит к росту
поликристаллической пленки (уменьшается время поверхностной миграции и
происходит встраивание кремния в произвольные, а не только
кристаллографически благоприятные места). Выделяют прямые и непрямые
механизмы эпитаксиального роста. Непрямое наращивание происходит,
когда атомы кремния образуются за счет разложения кремниевых
соединений на поверхности нагретой подложки (газофазная эпитаксия).
Прямое наращивание происходит, когда атомы кремния непосредственно
попадают на поверхность подложки и осаждаются на ней, как это имеет
место при молекулярно-лучевой эпитаксии.
Эпитаксиальное выращивание кремния из парогазовой фазы обычно
проводят в кварцевом реакторе. Для выращивания эпитаксиального кремния
используется один из четырех кремнесодержащих реагентов (тетрахлорид
кремния - SiCl4, трихлорсилан - SiHCl3, дихлорсилан - SiH2Cl2 и силан -
SiH4) и водород. Используют химические реакций типа восстановления SiCl4
или пиролиза (термического разложения).
Пьедестал (подложкодержатель) служит для установки подложек и их
нагрева во время процесса. Выращивание кремния проводится в потоке
парогазовой смеси при высоких температурах (см. рисунок 2.2).

Рисунок 2.2 – Схема реактора для эпитаксии из парогазовой смеси.

1- держатель; 2- кремниевая пластина; 3- пленка.

Газ разлагается на поверхности пластины и на нее осаждаются атомы

кремния. Разложение кремнесодержащих компонент происходит
пиролитически, т.е. только за счет тепла. Скорость роста пленки
пропорциональна парциальному давлению силана. Формирование
эпитаксиальных пленок осуществляется при ламинарном течении газа по
трубе [3].
14
 3 ВОПРОС №3 «Влияние примесей в кремнии на скорость роста
оксидных слоев»

В процессе изготовления интегральной схемы отдельные участки

поверхности полупроводниковой пластины легируются донорными или
акцепторными примесями (бором, фосфором, мышьяком и т.д.), причем
концентрация примесей вблизи поверхности может изменяться в
чрезвычайно широких пределах - от 1015 до 5·1020 см-3. Физические процессы,
происходящие в ходе окисления на границе раздела оксид - кремний и в
объеме оксидной пленки, будут зависеть от содержания примеси в исходном
материале. Экспериментально установлено, что скорость окисления
сильнолегированных областей (N>>1019 см-3) выше, чем низколегированных.
Это может быть обусловлено либо изменением скорости реакции окисления
на границе раздела Si – SiO2, либо изменением коэффициента диффузии
окислителя в слое оксида. Действительно, высокая концентрация примеси в
кремнии у поверхности раздела Si – SiO2 может модифицировать его решетку
и тем самым ослабить прочность связей Si - Si. В результате скорость
окисления на реакционной поверхности увеличивается и характеризуется
большей константой линейного роста.
С другой стороны, если концентрация примеси в оксиде достаточно
велика, то структура пленки оксида может измениться таким образом, что
коэффициент диффузии кислорода сквозь нее увеличится и константа
параболического роста возрастет.
По мере окисления легированного кремния на реакционной поверхности
Si – SiO2 будет устанавливаться некоторое динамическое равновесие,
характеризуемое величиной коэффициента сегрегации примеси m на
поверхности раздела оксид – кремний:

равновесная концентраци примеси в Si

m=
равновесная концентраци примеси в SiO 2 . (3.1)

Если коэффициент сегрегации примеси m << 1, например, при

легировании подложки бором m = 0,3, то при окислении бор стремится
перейти из кремния в оксид, в результате растущий слой обогащается бором.
Коэффициент диффузии окислителя через такой слой увеличивается.
Поэтому закон роста оксида будет оставаться линейно параболическим, но
скорость окисления на обоих участках будет несколько выше, чем для
слаболегированных образцов.

15
 Если коэффициент сегрегации примеси m >> 1, например, при
легировании подложки фосфором m = 10, то при окислении поверхность
кремния будет обогащаться фосфором в результате оттеснения его растущим
оксидом, при этом скорость химической реакции окислителя с кремнием
возрастет. Данный эффект усиливается при сравнительно низких
температурах (700 - 900 °С), когда скорость процесса определяется
химической реакцией.
На скорость термического окисления влияют не только примеси,
содержащиеся в кремниевой подложке, но и примеси в растущем слое
оксида, главным образом ионы натрия, свинца. Присутствие их на границе
раздела Si – SiO2 может привести либо к каталитическому действию в
процессе реакции окисления (Na), либо к ускорению диффузии окислителя
из-за модификации структуры (Pb).
Влияние бора на величину линейной константы скорости роста окисла
незначительно. Поэтому скорость окисления кремния, легированного бором,
от концентрации примеси зависит слабо. Иначе проявляется влияние
концентрации донорных примесей, особенно фосфора, на скорость
окисления кремния. При низкой (<<10–19см-–3) концентрации фосфора в
кремнии как параболическая, так и линейная константы скорости роста не
зависят от концентрации примеси. Высокая концентрация фосфора на
параболическую константу также влияет очень слабо, поскольку при
окислении фосфор слабо перераспределяется в окисел, интенсивно
оттесняясь в кремний.
Что же касается линейной константы роста, то она сильно зависит от
концентрации фосфора, особенно при низких температурах, когда окисление
лимитируется скоростью химической реакции на границе раздела Si - SiO 2
(рисунок 3.1).
Наблюдаемые явления объясняются моделью, которая предполагает, что
при оттеснении фосфора в кремний во время окисления растет концентрация
вакансий вблизи границы раздела Si - SiO 2, что облегчает протекание
химической реакции окисления.

16
 Рисунок 3.1 – Зависимость параболической и линейной констант скорости
окисления в сухом кислороде от концентрации примеси (фосфор) в
подложке.

Однако для мышьяка, имеющего примерно такой же, как и фосфор,

коэффициент сегрегации, приведенная модель оказалась несостоятельной.
Эксперименты показали, что при окислении диффузия мышьяка замедляется.
Предполагается, что в этом случае, помимо вакансий, могут генерироваться
междоузельные атомы кремния, рекомбинирующие с вакансиями и тем
самым уменьшающие концентрацию последних.

17
 СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

[1] Электрофизические процессы и оборудование в технологии микро- и

наноэлектроники: монография / А. П. Достанко [и др.]; под ред. акад. НАН
Беларуси А. П. Достанко и д-ра техн. наук А. М. Русецкого. – Минск:
Бестпринт, 2011. – 210 с.
[2] Физико-химические основы микроэлектроники: учеб.-метод.
комплекс для студ. спец. 1-39 02 01 «Моделирование и компьютерное
проектирование радио-электронных средств» / сост. и общ. ред. Д. А.
Довгяло. – Новополоцк: ПГУ, 2006. – 192 с.
[3] Королев М.А. Технология, конструкции и методы моделирования
кремниевых интегральных микросхем. Часть 1/ М.А.Королев, Т.Ю.Крупкина,
М.Г.Путря, В.И.Шевяков — М. БИНОМ, 2009 —-422с.
[4] Базовые технологические процессы изготовления интегральных схем и
микроэлектро-механических систем. Лаб. практикум: учеб.-метод. пособие / Д.
А. Котов, Ю. А. Родионов. – Минск: БГУИР, 2011. – 44 с.

18