Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего образования
«Московский государственный технический университет имени Н.Э.
Баумана (национальный исследовательский университет)
(МГТУ им. Н.Э. Баумана)
__________________________________________________________________

ФАКУЛЬТЕТ «РАДИОЭЛЕКТРОНИКА И ЛАЗЕРНАЯ ТЕХНИКА» (РЛ)

КАФЕДРА «РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ И УСТРОЙСТВА» (РЛ-1)

ДИСЦИПЛИНА: ОСНОВЫ КОМПЬЮТЕРНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ И

ПРОЕКТИРОВАНИЯ РЭС

ОТЧЁТ
По лабораторной работе №1 на тему: «Изучение амплитудной модуляции»

Вариант № 11

Выполнил: студент гр. РЛ1-74 Сунцев М.Г.

Преподаватель: к.т.н., доцент кафедры РК-6 Оглоблин Д.И.

Москва 2021
ОГЛАВЛЕНИЕ
СОКРАЩЕНИЯ ТЕРМИНОВ,
АББРЕВИАТУРЫ.................................................................................... 3
ЧАСТЬ №1 ФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ АМПЛИТУДНЫЙ
МОДУЛЯТОР……………………………………………………..……..4
ЧАСТЬ №2 ПОСТРОЕНИЕ СХЕМЫ
АМПЛИТУДНОГОМОДУЛЯТОРА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ
МАКРОСОВ..............................................................................................6
ЧАСТЬ №3 ИССЛЕДОВАНИЕ СХЕМЫ АМПЛИТУДНОГО
МОДУЛЯТОРА НА БИПОЛЯРНОМ
ТРАНЗИСТОРЕ.........................................................................................7
ЗАКЛЮЧЕ..................................………………………….……………..15

2
СОКРАЩЕНИЯ ТЕРМИНОВ, АББРЕВИАТУРЫ
MC – программная среда Micro-Cap версии 12;
ЕСКД – единая система конструкторской документации;
MSxx – программная среда NI Multisim 10,12 или 14 версии.

3
Часть 1.
Задание на работу
1. Использовать схему амплитудного модулятора с транзистором своего
варианта из предыдущего задания с рассчитанным смещением на базе
транзистора.
2. Задать самостоятельно (на основе лаб.1) один из параметров L или C
контура для получения резонанса на несущей частоте Fнес кГц, с
добротностью, достаточной для выделения вбп.
Рассчитать при помощи оптимизатора величину второй реактивности,
обеспечивающей настройку каскада, включающего транзистор, точно на
несущую частоту.
3. Проверить расчет измерением АЧХ контура с транзистором в РТ.
Определить добротность контура.
4. Подать на вход модулятора с нагрузкой в виде рассчитанного контура
низкочастотный сигнал с параметрами: Fм = 5 кГц - частота низкочастотного
сигнала;
и высокочастотный сигнал с параметрами Fнес - частота несущая в
соответствии с вариантом;
Выбрать амплитуду сигналов в соответствии с требованием линейности,
максимального коэффициента преобразования и чистоты спектра.
Продемонстрировать спектр АМ выходного сигнала. Если необходимо,
произвести подстройку. Указать на схеме тип транзистора, рабочее
напряжение на базе и коллекторе, рассчитанные номиналы реактивностей.
Посмотрим на начальные данные, полученные после моделирования в первой
лабораторной работе, указанные на рисунке 1.

4
 Рисунок 1 – Схема колебательного контура и результаты моделирования
Оптимизируем резонансный контур так, чтобы он был настроен на
частоту, указанную в данной лабораторной работе, то есть на 350 кГц.
Оптимизация показана на рисунке 2.

Рисунок 2 - Оптимизация

5
Рисунок 3 – Зависимость напряжения на коллекторе от напряжения V3

6
Рисунок 4 – Схема с включенным транзистором и ее АЧХ

7
Часть 2. Cтатистический анализ в программе MC10.
Задание на работу. Использовать схему из предыдущего задания с
транзистором по варианту и частотой согласноТабл.2-1. Провести
статистический анализ влияния на резонансную частоту колебательного
контура его элементов L и C контура при 10% разбросе их значений.
Привести в отчете полученные гистограммы.
Проведем анализ методом Монте-Карло.

Рисунок 5 – Результат анализа методом Монте-Карло

8
 Рисунок 6

Рисунок 7 – Гистограмма

9
Часть 3. Умножитель частоты.
Задание: Убрать низкочастотный сигнал и использовать схему в качестве
умножителя. Для этого а) настроить транзистор на работу в ключевом
режиме: - увеличить амплитуду несущей до 0,5 В (так, чтобы транзистор в
одном состоянии был гарантированно открыт 0.7 + 0.5 = 1.2 В, а в другом –
закрыт 0.7 - 0.5 = 0.2 В).
б) перестроить контур на 41 (согласно заданию fнес) гармонику с условием
максимальной добротности (в том числе сократить сопротивление потерь в
контуре до 0.1 Ом и увеличить Rk до 1-1.5k). Обычно, емкость 10-50 пФ, а
индуктивность подбирается в зависимости от частоты и добротности.
в) получить спектр в диапазоне от f нес до 12 МГц. Определить уровень ~41
гармоники по сравнению с входным сигналом f нес.
Перестроим контур и изменим напряжение модулирующего сигнала так, как
показано на следующих двух рисунках.

10
 Рисунок 8 – Анализ на 41-й гармонике

Анализ на 41-й гармонике показал, что частота 41-й гармоники

несущей – 15 352 000 Гц.

11
Рисунок 9 – Результаты моделирования

12