Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего образования
«Московский государственный технический университет имени Н.Э.
Баумана (национальный исследовательский университет)
(МГТУ им. Н.Э. Баумана)
__________________________________________________________________

ФАКУЛЬТЕТ «РАДИОЭЛЕКТРОНИКА И ЛАЗЕРНАЯ ТЕХНИКА» (РЛ)

КАФЕДРА «РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ И УСТРОЙСТВА» (РЛ-1)

ДИСЦИПЛИНА: ОСНОВЫ КОМПЬЮТЕРНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ И

ПРОЕКТИРОВАНИЯ РЭС

ОТЧЁТ
По лабораторной работе №1 на тему: «Изучение амплитудной модуляции»

Вариант № 67

Q2T603A

Выполнил: студент гр. РЛ1-74 Сунцев М.Г.

Преподаватель: к.т.н., доцент кафедры РК-6 Оглоблин Д.И.

Москва 2021
ОГЛАВЛЕНИЕ
СОКРАЩЕНИЯ ТЕРМИНОВ,
АББРЕВИАТУРЫ................................................................................... 3
ЧАСТЬ №1 ФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ АМПЛИТУДНЫЙ
МОДУЛЯТОР……………………………………………………….…..4
ЧАСТЬ №2 ПОСТРОЕНИЕ СХЕМЫ
АМПЛИТУДНОГОМОДУЛЯТОРА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ
МАКРОСОВ..............................................................................................6
ЧАСТЬ №3 ИССЛЕДОВАНИЕ СХЕМЫ АМПЛИТУДНОГО
МОДУЛЯТОРА НА БИПОЛЯРНОМ
ТРАНЗИСТОРЕ........................................................................................7
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.......................................................……………..……..15

2
СОКРАЩЕНИЯ ТЕРМИНОВ, АББРЕВИАТУРЫ
MC – программная среда Micro-Cap версии 12;
ЕСКД – единая система конструкторской документации;
MSxx – программная среда NI Multisim 10,12 или 14 версии.

3
ЧАСТЬ №1 Функциональный амплитудный модулятор
Цель работы:
Амплитудный модулятор, реализованный c использованием
функциональных генераторов
Выполнение:

Рисунок 1 – Схема и параметры модулятора

4
Рисунок 2 – Результаты моделирования

5
ЧАСТЬ №2 Построение схемы амплитудного модулятора с
использованием макросов
Цель работ: Используя макросы, построить схему амплитудного модулятора.
Получить частотный спектр для несущей частоты и частоты модуляции,
заданные в первой части. Установить индекс модуляции 0.5.
Выполнение:

Рисунок 3 – Схема модулятора

6
Рисунок 4 – Результаты моделирования

7
ЧАСТЬ №3 Исследование схемы амплитудного модулятора на
биполярном транзисторе
Цель работ:
Для схемы с параметрами: V4=10 В - напряжение питания; V3= 0,8 В –
начальное напряжение смещения базы; R3 = R4 = 300 Ом – начальное
сопротивление в базе и коллекторе для заданного варианта транзистора в табл.
1-1:
1. Смоделировать амплитудный модулятор. Для выделения частот
использовать контур c добротностью, достаточной для выделения верхней
боковой полосы. Определить параметры контура (L, C, R), руководствуясь
E24.
2. Установить амплитуду несущей 100 mV, модулирующего сигнала (20-50-
100 mV), определить коэффициент модуляции на временной развертке и
измерить в спектре уровень верхней боковой гармоники относительно
несущей в дБ.
3. Определить оптимальное смещение на базе транзистора своего варианта,
для чего установить Slider (Options/ Preferences/ Slider) на источник смещения
на базе (V3) в диапазоне от 0.5 до 1.2 В с шагом не более 0.05 В и подобрать
такое смещение на базе, при котором спектр на контуре близок к идеальному
(см. часть.1) и уровень боковых частот максимален *(1- 0.5 от уровня
модулирующей). Для достижения результата возможна подстройка амплитуд
несущей и модулирующей частот, резисторов в базе и коллекторе (β
транзисторов различается).
4. Определить смещение резонансной частоты контура, вызванное влиянием
на контур транзистора в выбранной РТ.
5. Создать макрос спроектированного амплитудного модулятора, в котором
привести все параметры, по которым можно повторить модулятор (входные и
выходные частоты, амплитуды, смещение на базе, параметры контура и
транзистор, коэффициент преобразования (по амплитуде) модулирующей
частоты в боковую (в дБ)).

8
Рисунок 5- Схема устройства

9
Рисунок 6 – Результаты моделирования

10