Вы находитесь на странице: 1из 3

Вопросы к экзамену по курсу ФХОМиНЭ

1.Классификация материалов электронной техники по электропроводности

2. Особенности химической связи атомов в твердом теле

3. Основные положения зонной теории твердого тела

4.Полупроводниковые вещества и их строение на примере кристаллического кремния

5. Носители заряда в полупроводниках

6.Основние характеристики полупроводников

7. Собственная концентрация носителей и её температурная зависимость в полупроводниках

8. Типы легирования полупроводникового кремния, основные и неосновные носители заряда

9. Равновесная концентрация носителей в полупроводниках

10. Физическое явление поглощения света полупроводником

11. Генерация и рекомбинация носителей заряда в полупроводниках

12. Время жизни неосновных носителей

13. Диффузионная длина неосновных носителей

14. Хаотическое движение свободных носителей в полупроводнике

15. Диффузия носителей в полупроводнике

16. Дрейф носителей в электрическом поле

17. Кристаллографическая ориентация и легирование монокристаллического кремния

18. Методы получения полупроводникового кремния

19. Образование p-n перехода, движение носителей в p-n переходе при равновесии

20. Движение носителей в p-n переходе во внешнем поле при прямом и обратном смещении

21. Взаимодействие электрона с кристаллической решеткой и его природа

22. Потенциальная энергия электрона

23. Работа выхода электрона из кристалла

24. Явление термоэлектронной эмиссии электронов

25. Влияние внешнего электрического поля на эмиссионный ток электронов из кристалла

26. Выпрямление на контакте металл-полупроводник

27. Классификация электрических контактов в электронике

28. Диффузионно-планарная структура ИС

29. Понятие о базовой технологии ИС


30. Понятие о топологии ИС и её формировании

31. Группы технологических процессов ИС и их особенности

32. Конструктивно-технологические показатели структур ИС

33. Градация сырьевого кремния по чистоте

34. Производство и очистка металлургического кремния

35. Химическая Siemens- технология производства сверхчистого поликристаллического


кремния.
36. Выращивание монокристаллического кремния по методу Чохральского

37. Легирование для получения кремния p- и n-типа проводимости

38. Конструктивные элементы и кристаллографическая ориентация кремниевой пластины-


подложки для ИС

39. Геометрические параметры и параметры качества поверхности кремниевых пластин

40. Технологический маршрут изготовления кремниевых пластин-подложек

41. Получение топологического рисунка слоя ИС методом фотолитографии

42. Генерация изображения методом микрофотонабора в фотолитографии

43. Особенности позитивных и негативных фоторезистов

44. Типовой технологический маршрут фотолитографии

45. Отличительные особенности контактной и проекционной фотолитографий

46. Методы химического травления полупроводников

47. Механизмы химического и электрохимического травления

48. Методы «сухого» травления в микроэлектронике

49. Особенности ионного травления

50. Особенности ионно-химического травления

51. Особенности плазмохимического травления

52. Применение слоёв термического SiO2 и требования к ним в технологии формирования ИИЭ

53. Основы теории роста SiO2 в сухом и влажном кислороде

54. Кинетика термического окисления кремния, влияние температуры и давления окислителя

55. Оборудование для пирогенного окисления кремния

56. Применение процессов диффузии в технологии ИИЭ

57. Основные механизмы диффузии в кристаллической решетке

58. Особенности диффузии из ограниченного источника

59. Особенности диффузии из неограниченного источника


61. Диффузия из газообразного источника

62. Диффузия из жидкого источника

63. Диффузия из твердого источника

64. Особенности многостадийной диффузии

65. Классификация эпитаксиальных процессов по природе взаимодействий «подлодка –


растущая кристаллическая фаза»

66. Классификация эпитаксиальных процессов по химическому состоянию вещества

67. Классификация эпитаксиальных процессов по агрегатному состоянию исходной фазы

68. Реагенты для автоэпитаксиального наращивания кремния

69 Жидкостное и газовое легирование эпитаксиальных слоёв

70. Контроль параметров эпитаксиальных слоёв

71. Классификация методов нанесения металлических плёнок

72. Методы термического испарения

73. Методы ионного распыления

74. Метод химического осаждения металлов из газовой фазы

Вам также может понравиться