Полупроводниковые соединения делят на несколько типов:

простые полупроводниковые материалы

— собственно химические элементы:
бор B,
углерод C,
германий Ge,
кремний Si,
селен Se,
сера S,
сурьма Sb,
теллур Te
йод I.
Самостоятельное применение широко нашли германий, кремний
и селен. Остальные чаще всего применяются в качестве
легирующих добавок или в качестве компонентов сложных
полупроводниковых материалов.
В группу сложных полупроводниковых материалов входят
химические соединения, обладающие полупроводниковыми
свойствами и включающие в себя два, три и более химических
элементов.
Полупроводниковые материалы этой группы, состоящие из двух
элементов, называют бинарными, и так же, как это принято в
химии, имеют наименование того компонента, металлические свойства
которого выражены слабее.
Так, бинарные соединения, содержащие
- мышьяк, называют арсенидами,
серу — сульфидами,
теллур — теллуридами,
углерод — карбидами.
Сложные полупроводниковые материалы объединяют по номеру
группы Периодической системы элементов Д. И. Менделеева, к
которой принадлежат компоненты соединения, и обозначают
буквами латинского алфавита
(A — первый элемент, B — второй и т. д.).
Например, бинарное соединение фосфид индия InP имеет
обозначение AIIIBV
Электронная проводимость полупроводников

Проводимость полупроводника можно увеличить добавлением атомов других

элементов (легирование). При введении в решетку полупроводника примесей
возникает примесная проводимость (в отличие от собственной проводимости).
Например, при легировании четырехвалентного германия пятивалентным
мышьяком (или сурьмой, или фосфором) в месте нахождения атома примеси
появляется лишний свободный электрон.

Электронная проводимость полупроводников

5 6
Один атом примеси приходится на 10  — 10  атомов решетки полупроводника.

Донорные примеси

Примеси, приводящие к появлению свободных электронов, называются

донорными. Энергетические уровни донорных электронов WD лежат ниже зоны
проводимости.

Энергетические уровни - Электронная проводимость полупроводников

В данном случае справедлива формула собственной проводимости.

Полупроводник n-типа
3
Поскольку наличие примеси приводит к увеличению приблизительно в 10  раз
концентрации электронов, во столько же раз должна уменьшиться концентрация
дырок:
 n  ≈ 10
−

1. 6

n +

Поскольку
2. n  >> n
− +

, электроны называются основными носителями, а дырки — неосновными

носителями.
Германий в этом случае называют полупроводником с электронной
проводимостью, или полупроводником n-типа.
Проводимость в полупроводнике n-типа обусловлена почти исключительно
электронами.

Дырочная проводимость полупроводников

Проводимость полупроводника можно увеличить, легируя его элементами с

меньшей валентностью. Если, например, легировать германий трехвалентным
индием (либо бором, либо галлием), то в месте нахождения атома примеси
возникает лишняя дырка.

Дырочная проводимость полупроводников

Акцепторные примеси

Такие примеси, уменьшающие число свободных электронов, называются

акцепторными. Соответствующий им энергетический уровень лежит немного
выше валентной зоны.
 Энергетические уровни - Дырочная проводимость полупроводников

При увеличении концентрации дырок, согласно формуле собственной

проводимости, концентрация электронов уменьшается.

Полупроводник p-типа

Поскольку
1. n  >> n
+ −

Дырки будут основными носителями, а электроны — неосновными. Такой тип

полупроводника называют дырочным полупроводником, или полупроводником
p-типа.
Проводимость в полупроводнике p-типа осуществляется почти исключительно
дырками.

Полупроводники, вещества, характеризующиеся увеличением

электрической проводимости с ростом температуры.
На электрическую проводимость П оказывает влияние кроме
температуры сильное электрическое поле, давление,
воздействие оптического и ионизирующего излучения, наличие
примесей и другие факторы, способные изменять структуру
вещества и состояние электронов.
Это обстоятельство играет решающую роль в многочисленном и
разнообразном использовании полупроводников.
Полупроводниковые свойства могут наблюдаться как в
кристаллических веществах, так и в неупорядоченных
системах - твердых аморфных веществах (стеклах) и
жидкостях.
Существуют полупроводники с любым типом химической
связи, кроме чисто металлической и чисто ионной (т.е.
ковалентной, ковалентно-металлической, ковалентно-ионной и
т.п.), причем ковалентная составляющая связи является
обычно преобладающей.
Широкое практическое применение получили полупроводники,
являющиеся простыми веществами (Ge, Si и др.), а также
химические соединения элементов III группы периодической
системы с элементами V группы, например GaAs, GaP, InAs, CdTe
и т.п. (бинарные полупроводники). Все такие вещества имеют
кристаллическую решетку, подобную решетке алмаза, и
называются алмазоподобными полупроводниками.
Повышение температуры, а также других внешнего
воздействия (облучение светом или сильное
электрическое поле) могут вызвать разрыв ковалентной
связи, ионизацию атомного остова и образование
свободного электрона. Этот электрон в условиях
непрерывного обмена валентными электронами между
атомами кристалла может переходить из ячейки в
ячейку и переносить с собой отрицательный заряд,
который повсюду является избыточным, т.е. свободный
электрон становится электроном проводимости.
Недостаток электрона у разорванной ковалентной связи
становится блуждающей по кристаллу дыркой, с
которой связан единичный положит. заряд.

Электроны проводимости и дырки - два типа свободных носителей

заряда в полупроводниках. В идеальных кристаллах их
концентрации равны, т.к. превращение одного из валентных
электронов в электрон проводимости неизбежно вызывает
появление дырки. Электропроводность полупроводников,
обусловленная электронами атомов данного вещества (так
называемая собственная проводимость).