Тема 2. nМДП и КМДП интегральные схемы.

nМДП-интегральные схемы.
В МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) – транзисторах роль диэлектрика выполняет двуокись
кремния SiO2, поэтому эти транзисторы также обозначают аббревиатурой МОП (металл-окисел-
полупроводник). В цифровых интегральных схемах наибольшее применение нашли МОП-транзисторы с
изолированным затвором и индуцированным каналом. В зависимости от типа проводимости канала
различают pМОП- и nМОП- транзисторы (транзисторы с каналами p- и n- типов проводимости,
соответственно). На их основе строятся элементы pМОП-, nМОП- и комплементарные МОП (КМОП)-
интегральные схемы, реализующие различные логические функции. Схемы этих элементов по сравнению с
биполярными ИС ТТЛ и ЭСЛ конструктивно просты, более технологичны, имеют более высокую
помехоустойчивость и малую мощность потребления, а также занимают гораздо меньшую площадь на
кристалле полупроводника. Однако их быстродействие существенно меньше. МОП-схемы допускают более
широкий диапазон питающих напряжений.
Рассмотрим принципы работы логических элементов (ЛЭ) на основе nМОП-транзисторов. На рис.
2.1 приведены схемы двухвходовых ЛЭ, реализующих логические функции И-НЕ и ИЛИ-НЕ. В этих
схемах, использующих положительное напряжение стокового питания, сигналу логической 1 соответствует
высокий уровень, а логическому 0 низкий уровень положительного напряжения. В этих схемах транзистор
Т0 выполняет роль нагрузки, а Т 1 и Т2 являются переключательными транзисторами, реализующими
логические функции. В схеме ЛЭ, выполненного на основе nМОП-транзисторов (рис.2.1,а), и
реализующего функцию И-НЕ, ключевые транзисторы Т 1 и Т2 соединены последовательно. Поэтому для
появления на выходе схемы напряжения низкого уровня на затворы транзисторов Т 1 и Т2 необходимо
подать напряжение высокого уровня.

а) б)
Рис. 2.1. Электрические схемы ЛЭ И-НЕ (а) и ИЛИ-НЕ (б) на nМОП-транзисторах

Таким образом, при наличии сигналов логической 1 на обоих входах элемента И-НЕ на ее выходе
будет сигнал логического 0. Максимальное число переключательных транзисторов (коэффициент
объединения по входу mи) обычно не превышает 4. Увеличение числа входных ключевых транзисторов в
схемах И-НЕ усложняет топологию, снижает степень интеграции и помехоустойчивость за счет увеличения
уровня напряжения логического 0. В схеме ИЛИ-НЕ (рис. 3.1,б) транзисторы Т 1 и Т2 включены
параллельно, поэтому при подаче хотя бы на один из входов схемы сигнала логической 1 на ее выходе
будет сформирован сигнал логического 0. Коэффициент объединения по входу mили равен 10. Объясняется
это тем, что у схемы ИЛИ-НЕ число mили ограничивается только снижением уровня «1» за счет падения
напряжения на выходе схемы от суммарного тока утечки в цепях сток-исток входных транзисторов. Так
как этот ток очень мал, mили имеет сравнительно высокое значение. Благодаря высокому входному
сопротивлению и существенно малому значению тока утечки МОП-транзисторов цифровые ИС,
построенные на их основе, имеют высокую нагрузочную способность (n = 10 – 20).
KМДП-интегральные схемы.
Комплементарная МОП (КМОП) – структура представляет собой схему инвертора (рис.2.2,а),
составленную из МОП-транзисторов разного типа проводимости. Подложка транзистора n-типа
проводимости Т1 подключена к нулевому потенциалу (к земле), подложка транзистора p-типа Т2 – к
положительному источнику питания, а затворы обоих транзисторов объединены и являются входами
схемы. КМОП-элементы выгодно отличаются от элементов nМОП малой мощностью потребления в
статическом режиме (единицы и менее мкВТ), относительно высоким быстродействием, высокой
нагрузочной способностью (n ¿ 15 – 20) и хорошей помехоустойчивостью за счет большего перепада
уровней сигналов лог.1 и лог.0 (низкий уровень ближе к нулю, высокий – к напряжению питания). В
статическом режиме мощность определяется величиной напряжения питания и токами утечки закрытого
транзистора, которые очень малы. Мощность, потребляемая КМОП ИС, расходуется в основном во время
переходного процесса на заряд паразитных емкостей нагрузки Cн.
 Рассмотрим работу простейших двухвходовых КМОП ЛЭ И-НЕ и ИЛИ-НЕ (рис.2.2,а и б) в режиме
положительной логики – прямых H (High) – активных сигналов. В этом режиме, в котором работают
наиболее широко применяемые серии КМОП ИС, высокому уровню напряжения соответствует сигнал
логической 1 (лог. 1), а низкому уровню – сигнал лог. 0. Из рис.3.2,б видно, что для реализации И-НЕ
используется последовательное включение nМОП-транзисторов и параллельное включение pМОП-
транзисторов. Для реализации функции ИЛИ-НЕ параллельно включаются nМОП-транзисторы, а
последовательно – pМОП-транзисторы. Кроме того, затворы каждой пары транзисторов nМОП и pМОП,
образующих КМОП-структуру, соединяются между собой и являются входами элементов КМОП.

а) б) в)
Рис.2.2. Схемы КМОП элементов: инвертора (а), И-НЕ (б) и ИЛИ-НЕ (в)

При подаче на вход A КМОП элемента И-НЕ сигнала лог. 0 закрывается nМОП-транзистор Т1, а
связанный с ним по затвору pМОП транзистор Т3 открывается. В результате на выходе элемента
(независимо от значения сигнала на входе B) формируется уровень лог. 1.
При подаче на входы A и B сигнала лог. 1 nМОП-транзисторы Т1 и Т2 открываются, а nМОП-
транзисторы Т3 и Т4 закрываются, что приводит к формированию на выходе элемента сигнала лог. 0. При
этом емкость нагрузки Cн всегда перезаряжается через открытый nМОП- или pМОП-транзистор, в
результате чего КМОП элемент переключается быстрее, в отличие от аналогичных nМОП элементов.
Минимальное напряжение питания элементов КМОП определяется пороговым напряжением
отпирания Uпор.p pМОП-транзистора, так как оно больше, чем напряжение Uпор.n nМОП-транзистора.
Напряжение питания выбирается большим, чем Uпор.p. В этом случае обеспечивается высокая
помехоустойчивость и хорошее быстродействие.
КМОП элементы ИЛИ-НЕ (рис.2.2,в) работают также, но на ее выходе сигнал лог. 1 формируется
только при одновременной подаче на входы A и B сигналов лог. 0. Обычно коэффициент объединения по
входу элементов КМОП не превышает 4 (m ¿ 4). Сравнение элементов КМОП И-НЕ и ИЛИ-НЕ с
аналогичными nМОП элементами показывает, что при реализации одних и тех же функций в элементах
КМОП используется большее число транзисторов, что можно считать их недостатком. Однако сверхмалая
потребляемая мощность и высокое быстродействие обеспечивают хорошее применение элементов КМОП,
особенно в разработках сверхбольших интегральных схем. Интересные возможности в построении
экономичных по числу транзисторов интегральных схем дает применение комплементарных МОП-
транзисторов с так называемыми нагрузочными и ВБ (вентильным и блокирующим) транзисторами.
Особый интерес представляет применение КМОП ИС с нагрузочными и ВБ транзисторами для
проектирования триггерных устройств, схем дешифраторов, сумматоров и других функциональных узлов и
устройств.

Основная литература: 1[36:41].

Дополнительная литература: 3[363:368].
Контрольные вопросы
1. Чему равно коэффициент объединения по входу в nМДП ЛЭ, реализующего логическую функцию
И-НЕ (ИЛИ-НЕ)?
2. Как включены при положительной логике переключательные транзисторы в nМДП ЛЭ И-НЕ и
ИЛИ-НЕ?
3. Какие достоинства и недостатки имеют схемы на МДП-транзисторах по сравнению с ТТЛ- и ЭСЛ-
схемами?
4. Перечислите достоинства КМДП логических элементов по сравнению с nМДП логическими
элементами?
5. Как при положительной логике включаются nМДП- и pМДП-транзисторы в КМДП логических
элементах И-НЕ и ИЛИ-НЕ?