Тема 12. Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ).

Масочные, программируемые
и репрограммируемые постоянные запоминающие устройства
Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) предназначены для хранения и считывания
информации, которая остаётся неизменной в течение всего времени работы устройства. Эта
информация не исчезает даже при снятии напряжения питания, поэтому ПЗУ в отличие от ЗУПВ
статического и динамического типов, называется энергонезависимой памятью. В то же время ПЗУ
представляет собой матричный набор ЗЭ и по своей структуре является устройством с
произвольной выборкой. В ПЗУ тоже, подобно ЗУПВ, время выборки информации из любого ЗЭ
не зависит от его местоположения (адреса) в наборе. Основным режимом работы ПЗУ является
режим считывания информации, а некоторые типы ПЗУ после занесения информации допускают
только считывание. Этим и объясняется их общее название ROM (Read Only Memory – память
только для чтения) или ПЗУ (постоянное запоминающее устройство). Следует отметить, что в
ПЗУ так же, как и в ЗУПВ статического типа, считывание информации не сопровождается её
разрушением. Запись информации в ПЗУ называется “программированием” и происходит
значительно сложнее, чем считывание, а также требует больших затрат времени, энергии и
средств, чем считывание. По способу программирования различают следующие основные типы
ПЗУ: масочные, программируемые и репрограммируемые. К масочным ПЗУ относятся
микросхемы ROM, которые программируются в процессе изготовления. В программируемые ПЗУ
(ППЗУ), выпускаемые в виде микросхем PROM (Programmable ROM), информация записывается в
соответствии с их потребительскими свойствами и сферой применения однократно после
изготовления перед установкой в целевое устройство, причем программирование осуществляется
путем прожигания плавких перемычек. Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ) или программируемые
многократно называются также стираемыми (СПЗУ). Процедуры стирания обычно существенно
дольше записи.
В масочные ПЗУ информация записывается на одном из последних технологических этапов
их производства. В ПЗУ запоминающие элементы (ЗЭ) образуются биполярными и МОП-
транзисторами, включенными в узлах между шинами ША и ШД. Нанесение «рисунка» структуры
на исходный материал выполняется при помощи нескольких последовательных циклов фотоли-
тографии. При этом отдельные элементы формируемых полупроводниковых приборов (например,
эмиттерные и коллекторные переходы биполярных транзисторов или выводы истока и стока
МОП-транзисторов) выполняется использованием масок-фотошаблонов. Этим и объясняется
название ПЗУ данного типа.
Масочные ПЗУ особенно рентабельны при крупносерийном производстве, когда с помощью
одной маски можно запрограммировать большое число микросхем. Рассмотрим фрагменты
матриц ЗЭ масочных ПЗУ, выполненных на биполярных МОП-транзисторах (рис. 12.1). Выходная
шина данных, обозначенная на рис. 13.1 как разрядная шина данных РШ, является общей для всех
транзисторов (выполняющих функцию ЗЭ) в столбце, включенных по схеме ИЛИ-НЕ. Нормально
на этой шине имеется напряжение высокого уровня (лог. 1), и это напряжение может стать низким
только при считывании за счет шины дешифрированного адреса ША (линии выборки строки ЛВi).
Например, если соединительный биполярный транзистор T 1 (рис. 13.1, а), база которого
подключена к i-й линии выборки строки ЛВi, выполнен полностью, то при появлении на этой i-й
линии напряжения высокого уровня транзистор T 1 открывается и, следовательно, на разрядной
шине данных РШ формируется напряжение низкого
уровня (лог. 0).

а) б)
 Рис. 12.1. Фрагменты масочных ПЗУ на биполярных (а) и nМОП-транзисторах(б)

Если транзистор, например T2, в процессе изготовления был лишен своего коллекторного
перехода, то появление напряжения высокого уровня на линии ЛВ i+1 не приводит к отпиранию
транзистора T2 и поэтому на разрядной шине данных РШ остается неизменным напряжение
логической 1.
В другой схеме (рис. 12.1, б) операция ИЛИ – НЕ над сигналами на линиях выборки
выполняются при помощи нормально закрытых nМОП-транзисторов.
Как и в предыдущей схеме, здесь присутствие вывода стока nМОП-транзистора Т1
соответствует логическому 0 в данном разряде, а отсутствие – логической 1. Отметим, что
масочные ПЗУ (ROM) имеют самое высокое быстродействие (время доступа 30-70 мс). Кроме
того, они имеют простую и регулярную структуру, что позволяет изготавливать микросхемы,
способные хранить большие объёмы информации. Однако микросхемы ROM, главным образом,
из-за дороговизны масок и, следовательно, сложности модификации их содержимого не нашли
широкого применения в современных компьютерах.
Программируемые ПЗУ.
В ПЗУ типа PROM программирование (однократное) осуществляется путем устранения или
создания специальных перемычек. Перемычки могут быть металлическими или
поликристаллическими (кремниевыми). Металлические изготавливаются из нихрома, а в
последнее время в основном из титановольфрамовых и других сплавов. В качестве перемычек
применяется также тонкий диэлектрический слой или пара встречно включенных диодов.
Программирование микросхем PROM осуществляется с помощью специальных программаторов,
для чего эти микросхемы устанавливаются в «кроватки» и запаиваются.
Рассмотрим принцип работы программируемого ПЗУ (ППЗУ) с плавкими перемычками со
структурой типа 2 D, матрица запоминающих элементов (3Э) которого имеет однокоординатную
(одноадресную) организацию (рис. 13.2). Матрица 3Э, содержащая 32 столбца и 8 строк,
построена на 8-ми эмиттерных транзисторах, в которых каждый p-n-переход база-эмиттер
соответствует одному 3Э.

Рис. 12.2. Схема программируемого ПЗУ с плавкими перемычками

Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ), базы которых присоединены к выходным линиям
выборки дешифратора адреса строк, работают в режиме эмиттерного повторителя. Эмиттеры
МЭТ, являющиеся одновременно входами (при программировании) и выходами (при считывании)
матрицы 3Э, соединены с внешними шинами данных (ШD) через буферные каскады –
тристабильные схемы (элементы 1 и 2), имеющие инверсные выходы.
В исходной заготовке имеются все перемычки, а при программировании некоторая часть
перемычек прожигается (устраняются) путем пропускания через них импульсных токов
достаточно большой величины (несколько десятков миллиампер) и длительности.
При программировании сигнал разрешения работы формирователей импульсов
программирования ОЕ2 имеет активное значение (ОЕ 2 = 1), а сигнал разрешения процесса
считывания данных ОЕ1 отсутствует (ОЕ1 = 0). При этом тристабильные схемы (элементы 1)
переводятся в высокоимпедансное состояние и не влияют на процесс программирования, а также
блокируют передачу данных из матрицы 3Э во внешнюю ШD.
 Байт информации, которую нужно записать в ППЗУ, подается с разрядных линий D7...D0
внешней ШD, через формирователи импульсов (элементы 2), на выбранную дешифратором адреса
строку матрицы 3Э. При этом те разряды байта информации, в которых, например, имеется 1,
инвертируются на выходах формирователей, и соответствующие эмиттеры МЭТ окажутся под
низким напряжением. Через эти эмиттерные p-n-переходы МЭТ потекут токи, которые прожигают
перемычки. При считывании сигнал ОЕ 1 имеет активное значение (ОЕ 1 = 1), а сигнал ОЕ 2
отсутствует (ОЕ2 = 0), поэтому на выходах элементов 2 формируются высокие уровни напряжения
и они не оказывают влия-ния на процесс считывания данных. Например, если в 3Э отсутствует
(устранена) перемычка, то на вход тристабильной схемы (элемента 1) поступает низкий уровень
напряжения. Так как элемент 1 инвертирующий, то с его выхода на разрядную линию внешней
ШD передается единичный сигнал, т. е. тот сигнал, который записывается при программировании.
Плавкие перемычки занимают на кристалле микросхемы много места, поэтому степень
интеграции ППЗУ с такими перемычками существенно ниже, чем у масочных ПЗУ. Тем не менее,
благодаря возможности программирования микросхем самим пользователем ППЗУ находит более
широкое применение для хранения кодов BIOS и в графических адаптерах.
Репрограммируемые ПЗУ.
Стирание и программирование микросхем репрограммируемых ПЗУ (РПЗУ) может
выполняться либо на программаторе, либо (из-за относительно простого интерфейса записи) в
самом целевом устройстве, если у него предусмотрены соответствующие средства. Для
микросхем, не извлекаемых из целевого устройства (РС), возможны два способа их
перепрограммирования: с использованием собственного процессора и с подключением на плате
внешнего программатора. Процесс перезаписи (стирание старой информации и замена ее новой)
требует времени, значительно (на несколько порядков) превышающей время ее считывания,
которое выполняется в рабочем режиме РПЗУ достаточно быстро. Стирание информации
выполняется либо для всей микросхемы, либо для определенного блока, либо для одной ячейки
(байта). Стирание приводит все биты стираемой области в одно состояние (обычно во все
единицы, реже во все нули). Процедура стирания обычно существенно дольше записи.
В зависимости от способа стирания информации различают два типа РПЗУ:
 репрограммируемые ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием (РПЗУ-УФ),  их обычно
называют просто EPROM (Erasable PROM) или UV-EPROM (Ultra-Violet EPROM);
 репрограммируемые ПЗУ с электрическим стиранием (РПЗУ-ЭС или EEPROM).
В микросхемах РПЗУ в качестве запоминающих элементов (3Э) используются два типа
транзисторов: МОП-транзистор с «плавающим» затвором и МНОП-транзистор. Принцип работы
МОП-транзисторов с «плавающим» затвором основан на лавинной инжекции зарядов (ЛИЗ),
поэтому их также называют ЛИЗМОП-транзисторами. Существуют два вида ЛИЗМОП-
транзисторов: МОП-транзисторы с одним «плавающим» затвором, которые применяются в
микросхемах РПЗУ типа EPROM и МОП-транзисторы с двойным затвором (с «плавающим» и
управляющим затворами). Последние более уни-версальны, они могут быть использованы в
микросхемах EPROM и EEPROM.
Стирание информации в РПЗУ в зависимости от их типов осуществляется двумя способами:
ультрафиолетовым облучением и электрическими сигналами. В микросхемах EPROM стирание
информации осуществляется ультрафиолетовым облучением. Для этого корпус микросхемы
специально для стирания имеет прозрачное (стеклянное) окошко. Ультрафиолетовые лучи,
направленные в окошко, позволяют заряду электронов покинуть «плавающий» затвор. При
ультрафиолетовом облучении информация стирается стразу во всей микросхеме. Кроме того, под
воздействием ультрафиолетовых лучей свойство материалов постепенно ухудшается, что
приводит к существенному сокращению числа циклов перепрограм-мирования микросхем
EPROM. Число циклов перезаписи у российских микросхем РПЗУ-УФ равно 10100. После
программирования стеклянное окошко микросхем заклеивается для предотвращения стирания под
действием солнечного и люминесцентного облучения.
Стирание информации в микросхемах EEPROM осуществляется электрическим способом.
Для этого на управляющие затворы подается напряжение низкого уровня, а на стоки  импульсы
высокого напряжения программирования (1030 В) с длительностью более десятка миллисекунд,
что приводит к значительному расходу энергии. Тем не менее электрическое стирание позволяет
стирать информацию не со всей микросхемы, а выборочно (индивидуально для каждого адреса).
Длительность процесса «стирание-запись» значительно меньше, а число перепрограммирования
на несколько порядков больше (104–106 циклов перезаписи), чем у микросхем EPROM. Кроме
того, перепро-граммировать микросхемы EEPROM можно не извлекая их из целевого устройства,
в котором они работают. Микросхемы EEPROM с электрическим стиранием занимают больше
места на кристалле, в связи с чем уровень их интеграции меньше, а стоимость больше по
сравнению с микросхемами EPROM.
Микросхемы EEPROM относительно небольшого объема памяти широко применяются в качестве
энергонезависимой памяти конфигурирования различных адаптеров.

Основная литература 1[170:179], 2[195:203]

Дополнительная литература 3[710:719].
Контрольные вопросы
1. В масочных ROM(M) постоянных запоминающих устройствах в качестве запоминающих
элементов (ЗЭ) используются какие компоненты?
2. Построить фрагмент масочных ПЗУ на биполярных и nМДП-
транзисторах и обьяснить особенности их работы, достоинства и недостатки и указать области их
применения.
3. Построить схему программируемого ПЗУ с плавкими перемычками и
обьяснить ее работу в режимах программирования и считывания.
4. Как различают репрограммируемые ПЗУ по способу стирания
информации и какие транзисторы в микросхемах репрограммируемых ПЗУ используются в
качестве ЗЭ?
5. Обьяснить особенности работы репрограммируемых ПЗУ EPROM и
EEPROM.
6. Какому классу памяти относится ФЛЭШ память по типу ЗЭ и основному
принципу работы?