Открыть Электронные книги
Категории
Открыть Аудиокниги
Категории
Открыть Журналы
Категории
Открыть Документы
Категории
ВЕСТНИК
РОССИЙСКО-АРМЯНСКОГО
УНИВЕРСИТЕТА
СЕРИЯ:
ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ
И ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ
№2
Издательство РАУ
Ереван 2016
ՀԱՅ-ՌՈՒՍԱԿԱՆ ՀԱՄԱԼՍԱՐԱՆ
ԼՐԱԲԵՐ
ՀԱՅ-ՌՈՒՍԱԿԱՆ ՀԱՄԱԼՍԱՐԱՆԻ
ՍԵՐԻԱ
ՖԻԶԻԿԱՄԱԹԵՄԱՏԻԿԱԿԱՆ
ԵՎ ԲՆԱԿԱՆ ԳԻՏՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐ
№2
ՀՌՀ Հրատարակչություն
Երևան 2016
Печатается по решению Ученого совета РАУ
Редакционная коллегия:
Члены редколлегии:
ISBN 1829-0450
МАТЕМАТИКА
УДК 517.518.23
Российско-Армянский университет
michael.arakel@gmail.com
heghin.petrosyan@gmail.com
АННОТАЦИЯ
Введение
1
Работа выполнена в рамках тематического финансирования РАУ из средств
МОБНРФ.
6 Теоремы вложения для трехмерных мультианизотропных пространств с двумя вершинами анизотропности
G0 (ν ,ξ ) = e − P (ν ,ξ ) . (1.2)
( )
G1, j (ν , ξ ) = 2k νξ α
j 2 k −1
e − P (ν ,ξ ) , ( j = 1,...,5). (1.3)
⎧ α1 β1
⎪x + α y + β3
z = m1 + 1
⎪ 2
⎪ β2
⎨ y + z = m2 + 1
⎪ β3 (1.6)
⎪ α3
⎪ y + z = m3 + 1
⎩ α2
⎧ β1
⎪ x + z = m1 + 1
⎪ β3
⎪α 2 β2
⎨ x + y + z = m2 + 1 (1.7)
⎪ α1 β3
⎪α 3
⎪α x + z = m3 + 1
⎩ 1
α1 β1
m1 + 1
α2 β3
β2
m2 + 1 1 m1 + 1 m2 + 1 m3 + 1
β3
α3 α1 α2 α3
m3 + 1 1
α2 β1 β2 β3 Δ
x0 = = =: ,
α3 β2 α 2 β3 − α 3β 2 α 2 β3 − α 3β 2
1− ⋅
α 2 β3
то при Δ ≥ 0 x ≥ 0 . Следовательно, утверждение леммы верно. Пусть
0
α 2 m2 + 1 β m +1
3.2) ≤ или 1 ≤ 1 .
α 3 m3 + 1 β2 m2 + 1
Пусть в варианте 3.1) α1 α 3 ≤ (m1 + 1) (m3 + 1) . При
β1 β 2 ≤ ( m1 + 1) ( m2 + 1) доказательство проверяется аналогично.
Тогда из (1.8) с применением (1.9) в силу (1.5) и отсюда имеем
(m + 1)α 2 (m + 1)α3 m +1
Δ ≥ (m1 + 1)Δ1 + 1 Δ2 + 1 Δ3 = 1 (α1Δ1 + α2Δ2 + α3Δ3 ) = 0,
α1α1 α1
что опять противоречит условию Δ < 0 .
Рассмотрим вариант 3.1). Так как в этом случае Δ < 0, Δ 2 < 0 и по
правилу Крамера для системы (1.7)
β1
1 m1 + 1
β3
α2 β2
m2 + 1 α1 α2 α3
α1 β3
α3 m1 + 1 m2 + 1 m3 + 1
m3 + 1 1
α1 β1 β2 β3 Δ
y1 = = = > 0,
α 3 β1 α 2 β1 − α1β 2 Δ2
1− ⋅
α1 β 3
αi αi
одного номера i0 , т.е. < 0
, i ≠ i0 (i = 1,2,3) . Пусть i0 = 3 .
mi + 1 mi0 + 1
Рассмотрим грань ℜ32 . Пусть данная грань имеет внешнюю нормаль μ 3 .
3
Тогда в (1.10) сначала после замены переменных ξ = ν − μ η и затем
α1 α2
α3 α3
η1 = η1 ,η 2 = η 2 ,t = η1 η2 η3 имеем
∞∞∞
− ( μ 3 + ( m , μ 3 )) −η 2 kα
∫ ∫ ∫η
2 kl1
−η 22 kl2
I m (ν ) ≤ Cν m1
1 η 2m η3m e −η
2 3 1
dη1dη 2 dη3
0 0 0
∞ ∞ α1 α ∞ α2 α
3 3
− ( μ + ( m , μ )) m1 − m − 1 m1 − m − 2
∫e t dt ∫ η1
− t 2 kα3 m3 α 3 3 α 3 −η12 kl1
dη1 ∫ η2 α3 3 α3 2 kl2
≤ Cν e e −η2 dη 2
0 0 0
3
− ( μ + ( m , μ )) 3 − max ( μ + ( m , μ i ))
i
≤ Cν ≤ Cν i =1,..., 5
.
αi α2 βj β3
а) max = и max = ;
i =1, 2 , 3 mi + 1 m2 + 1 j =1, 2 , 3 mj +1 m3 + 1
αi α1 βj β3
б) max = . и max =
mi + 1 m1 + 1
i =1, 2 , 3 m j + 1 m3 + 1 j =1, 2 , 3
либо
5 2 kα1 2 kl2 2 kβ 3
∫∫∫t1 t2 t3 e
− ( μ + ( m , μ 5 )) − t1 −t2 −t3
I m (ν ) ≤ Cν K M L
dt1dt2 dt3 .
R+3
(i = 1,2) .
− μ10 − μ 20 − μ 20
ν ν ∞ 0 ν ∞
∫ dξ ∫ dξ ∫ ξ dξ3 + ∫ dξ1 ∫ dξ ∫ ξ
m − P (ν ,ξ ) m − P (ν ,ξ )
I m (ν ) ≤ 1 2 e 2 e dξ3
0 0 0 − μ10 0 0
ν (1.12)
М.К. Аракелян, Г.А. Петросян 13
− μ10 − μ10 − μ20
ν 0 ∞ ν ν ∞
∫ dξ ∫ dξ ∫ ξ ∫ dξ ∫ dξ ∫ ξ
m − P (ν ,ξ ) m − P (ν ,ξ )
+ 1 2 e dξ 3 + 1 2 e dξ 3
0 − μ20 0 0 0 0
ν
= I m1 + I m2 + I m3 + I m4 .
1
После замены переменных ξ = ν − μ η в интеграле I m1 , получаем:
1 1 ∞
− ( μ 1 + ( m , μ 1 )) 2 kl2 2 kl3
−η 2 kβ
∫ dη1 ∫ dη2 ∫ η e 2
m −η −η 3
I m1 ≤ Cν dη 3
0 0 0
1 1
∞
− ( μ + ( m , μ )) η 32 kl3 − ( μ 1 + ( m , μ 1 ))
≤ Cν ∫ η3 e dη 3 ≤ Cν
m 3
,
0
0 0
так как интеграл неотрицателен, и если 0 ≤ ξ1 ≤ ν − μ1 и 0 ≤ ξ 2 ≤ ν − μ 2 , то
1 0 1 0
0 ≤ η1 ≤ ν μ1 − μ1 ≤ 1 и 0 ≤ η2 ≤ ν μ 2 − μ 2 ≤ 1.
Используя решение СЛУ (1.6), оценим I m2 . Имеем, что x = 0, y > 0 и
2
z > 0 . Таким образом, после замены переменных ξ = ν − μ η имеем:
∞ ∞ ∞
− ( μ 2 + ( m , μ 2 )) 1 2 kl 2 kα 2 kβ3
∫ dη ∫ dη ∫ η η
y −1 z −1 −η1 1 −η 2 2 −η 3
I ≤ Cν
2
m 1 2 2 3 η e dη3
μ12 − μ10 0 0
ν
− ( μ 2 + ( m , μ 2 ))
≤ Cν (C1 lnν + C2 ) .
Аналогичным образом можно оценить интегралы I m3 и I m4 ,
используя решения СЛУ (1.7) и (1.6), с помощью соответствующих замен
2
переменных ξ = ν − μ 3η и ξ = ν − μ η .
Подытожив все случаи, имеем, что
− max ( μ i + ( m , μ i ))
I m (ν ) ≤ (C1 lnν + C2 )ν i =1,..., 5
.
Пусть теперь в случае а) выполняются нестрогие неравенства.
α m +1 α m +1
Если 1 = 1 и 3< 3 , то решение СЛУ (1.6) – неотри-
α 2 m2 + 1 α 2 m2 + 1
цательное, и интеграл может быть оценен как в случае, когда Δ = 0 .
α m +1 α m +1 α m +1
Если 1 < 1 и 3 = 3 , то 1 < 1 . Этот случай уже
α 2 m2 + 1 α 2 m2 + 1 α 3 m3 + 1
был рассмотрен.
14 Теоремы вложения для трехмерных мультианизотропных пространств с двумя вершинами анизотропности
β1 m1 + 1 β 2 m2 + 1 β 2 m2 + 1
Если = и < , то < . Этот случай
β3 m3 + 1 β3 m3 + 1 β1 m1 + 1
доказывается таким же образом, как и при j0 = 1 .
β1 m1 + 1 β 2 m2 + 1 β1 m1 + 1
Если < и = , то < , и можем
β3 m3 + 1 β3 m3 + 1 β 2 m2 + 1
применить случай j0 = 2 .
Лемма 1.2 доказана.
1 − min μ i 2
⋅ − N Nγ
≤ ν i =1,2,3
(C2 lnν + C1 lnν + C0 ) .
1 +ν (t + t + t )Nk Nm
⎛1 1 1⎞
Лемма 2.7. Пусть λ = (λ1 , λ2 , λ3 ) = ⎜ , , ⎟ . Тогда существует
⎝ l1 l2 l3 ⎠
постоянная C > 0 такая, что для любого ν ∈ (0,1)
− λ − max (( λ ,α i ) −1) 1
Gˆ 0 (t,ν ) ≤ Cν i=1,...,5 (2.7)
1 +ν (t1 + t 2Nl2 + t 3Nl3 )
− N Nl1
1 ˆ (t − x,ν ) dt .
fν (x) = 3 ∫ f (t) G 0 (3.1)
(2π ) 2 R3
( )∑ D
5
2 αi
Dm f 3
≤ h1− χ a 2 ln h + a1 ln h + a 0 f
Lq (R )
i =1 L p (R 3 )
(4.1)
(
+ h− χ b2 ln h + b1 ln h + b0
2
)f Lp (R 3 )
,
где a 0 , a1 , a2 , b0 , b1 , b2 некоторые постоянные, не зависящие от f и h .
18 Теоремы вложения для трехмерных мультианизотропных пространств с двумя вершинами анизотропности
ЛИТЕРАТУРА
M. Araqelyan, H. Petrosyan
ABSTRACT
ՆԵՐԴՐՄԱՆ ԹԵՈՐԵՄՆԵՐ
ԱՆԻԶՈՏՐՈՊՈՒԹՅԱՆ ԵՐԿՈՒ ԳԱԳԱԹՆԵՐՈՎ ԵՌԱՉԱՓ
ՄՈՒԼՏԻԱՆԻԶՈՏՐՈՊ ՏԱՐԱԾՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐՈՒՄ
ԱՄՓՈՓՈՒՄ
Г.С. Мелкумян
Российско-Армянский университет
gevorgmelkoumyan@gmail.com
АННОТАЦИЯ
∑ξ
ν ν1 νn
обозначим ξ = ξ1 ... ξ n , ξ α = ξ1α ... ξ nα ,
1 n
ξ = i
2
,
i =1
Г.С. Мелкумян 33
n
∂
ν = ∑ν i , tξ = (tξ1 ,..., tξ n ), D α = D1α ...Dnα , где D j = i −1
1 n
, либо
i =1 ∂x j
∂
Dj = , j = 1,..., n.
∂ξ j
Пусть A ⊂ R+n некоторый конечный набор.
Определение 1. (см. например [1] или [2]) Характеристическим
многогранником набора A называется минимальный выпуклый мно-
гогранник ℜ( A) ⊂ R+n , содержащий множество A ∪ {0}.
Определение 2. (см. [1] или [2]) Многогранник ℜ ⊂ R+n
называется полным, если ℜ имеет вершину в начале координат и от-
личные от начала координат вершины на каждой оси координат.
Определение 3. (см. [1] или [2]) Полный многогранник ℜ ⊂ R+n
называется вполне правильным, если компоненты внешних (относи-
тельно ℜ ) нормалей всех (n-1)-мерных некоординатных граней поло-
жительны.
Для вполне правильного многогранника ℜ через Λ (ℜ)
обозначим множество внешних нормалей λ = (λ1 ,..., λ n ) (n-1)-мерных
некоординатных граней, для которых min λi = 1.
1≤i ≤ n
α ∈ℜ ( P ) ∩ N 0n
∑ξ
ν
hℜ (ξ ) = ,
ν ∈ℜ0
∫ dξ ≥ ∑ ∫ dξ = ∑ ∫ d ξ = +∞.
d p (ξ ) ≤ M + d p (0) k =1 S k k =1 S d ( 0 ) (0)
d p ( 0 ) (ξ ) p
2 2
∑ξ
2
ξ − αξ = i − [ξi ] ≤ n .
i =1
d (αξ ) = d (ξ + αξ − ξ ) ≤ d (ξ ) + αξ − ξ ≤ t − n + n = t .
Следовательно,
Φ 2 (d , t − n ) ⊆ U I (α ) ,
α ∈Φ3 ( d ,t )
⎛ ⎞
mes(Φ 2 (d , t − n )) ≤ mes ⎜ U I (α ) ⎟ = ∑ mes( I (α )) = card (Φ3 (d , t )).
⎜ α∈Φ ( d ,t ) ⎟ α∈Φ ( d ,t )
⎝ 3 ⎠ 3
(2.8)
Из неравенств (2.7) и (2.8) при t > n имеем
n
mes (Φ 2 (d , t − n )) ≤ card (Φ 3 (d , t )) ≤ mes (Φ 2 (d , t +
)) , (2.9)
2
откуда непосредственно следует утверждение теоремы 4. Теорема 4
доказана.
F1 (d ) ≤ F2 (d ).
ЛИТЕРАТУРА
2. Gindikin S.G. and Volevich L.R. The Method of Newton's Polyhedron in the
Theory of Partial Differential Equations. Kluwer Acad. Publ. 1992. 265 р.
G. Melkumyan
ABSTRACT
Գ.Ս. Մելքումյան
ԱՄՓՈՓՈՒՄ
garakov@yandex.com
АННОТАЦИЯ
(1) (2)
0 x
h
Рис. 1
( )
H 3 = c3 sin k2 θη − 1x + c4 cos k2 θη − 1x exp i ( ωt − k2 y ) (2.7)
k
( )
+e15ω C1 sin k2 η − 1h + C2 cos k2 η − 1h ⎤ = 1 A 2 exp ( −ik1h )
⎦ ε0ω
(
c44 (1 + χ ) η − 1 C1 cos k2 η − 1h − C2 sin k2 η − 1h + )
e15
+
εω
(C3 sin k2 θη − 1h + C4 cos k2 θη − 1h = 0 )
48 Отражение электромагнитной волны от пьезоупругого слоя
образом:
2 A1 ⎡ ik2 ε 0 e15 ⎛ ik k ⎞ ⎤
C2 = − ⎢ 2 θη − 1ψ1 sin β + ⎜ 2 θη − 1 cos β − 1 sin β ⎟ ψ 2 ⎥
c44 Δ ⎣ ε k1ω ⎝ ε ε0 ⎠ ⎦
(3.5)
2A ⎡ ik e ω ⎤
C3 = − 1 ⎢(1 + χ ) η − 1ψ1 sin α + 2 15 ψ 2 cos α ⎥
Δ ⎣ εc44 ⎦ .
В (3.5) использованы новые обозначения:
α = k2 h η − 1, β = k2 h θη − 1
ik2 k ik e 2 ω sin α
ψ1 = θη − 1sin β + 1 cos β + 2 215
ε ε0 ε ωc44 (1 + χ ) η − 1
(3.6)
e
ψ 2 = 15 ( cos β − cos α )
εω
⎛ ik k ⎞
Δ = (1 + χ ) η − 1 ⎜ 2 θη − 1cos β − 1 sin β ⎟ sin α +
⎝ ε ε0 ⎠
ik2ε0
+ik2 χ cos α sin β + ⎡⎣(1 + χ ) θη − 1 η − 1sin α + χ sin β⎤⎦ ψ1 +
k1
⎡⎛ ik k ⎞ ik ε ⎤ ik e ω
+ ⎢⎜ 2 θη − 1cos β − 1 sin β ⎟ − 2 0 θη − 1cos α ⎥ 2 15 ψ 2
⎣⎝ ε ε0 ⎠ k1ε ⎦ εc44 .
Остальные постоянные определяются через C2 , C3
ik2 ε 0
B1 = A1 −
k1ε
( θη − 1C3 + e15ωC2 )
A2 = ⎡⎣C3 sin β + ( A1 + B1 ) cos β ⎤⎦ exp ( ik1h ) (3.7)
e15
C1 = − ( A1 + B1 ) , C4 = A1 + B1
εωc44 (1 + χ ) η − 1
.
Из (3.7) следует, что пьезоэффект влияет как на амплитуды отра-
женной и прошедшей электромагнитной волны, так и на фазу.
В.Г. Гараков 49
C1 cos k2 η − 1h − C2 sin k2 η − 1h = 0
(4.4)
C3 cos k2 θη − 1h + C4 sin k2 θη − 1h = 0 .
ЛИТЕРАТУРА
V. Garakov
ABSTRACT
Վ.Գ. Գարակով
ԱՄՓՈՓՈՒՄ
REFERENCES
Т.Н. Арутюнян
АННОТАЦИЯ
Мы доказываем что в общем случае для системы Дирака из-
вестная теорема Амбарцумяна не имеет места. В тоже время мы
описываем частные случаи, для которых имеют место аналоги
теоремы Амбарцумяна.
Ключевые слова: обратная задача, теорема Амбарцумяна, ка-
ноническая система Дирака.
Տ.Ն. Հարությունյան
ԱՄՓՈՓՈՒՄ
Մենք ապացուցում ենք որ ընդհանուր դեպքում Դիրակի հա-
մակարգի համար Համբարձումյանի հայտնի թեորեմը տեղի չունի:
Միաժամանակ մենք նկարագրում ենք մասնավոր դեպքեր, որոնց
համար տեղի ունեն Համբարձումյանի թեորեմի անալոգները
(նմանակները):
Հիմնաբառեր՝ հակադարձ խնդիր, Համբարձումյանի թեորեմ,
Դիրակի կանոնական համակարգ:
58 Вестник РАУ № 2, 2016, 58-67
ФИЗИКА
УДК 621.315
ОПТИЧЕСКИЕ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
И МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
НАНОМЕТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ ОКСИДА ИНДИЯ-
ОЛОВА, ОСАЖДЕННЫЕ МЕТОДОМ
МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ
Л.А. Ахоян
Российско-Армянский университет
hakhlev@mail.ru
АННОТАЦИЯ
Данная научная статья посвящена изучению влияния вакуум-
ного термоотжига наноразмерных пленок оксида индия-оло-
ва (ITO) на их оптические, морфологические и электрические ха-
рактеристики. Пленки ITO были осаждены методом магнетронно-
го распыления при постоянном токе (DC magnetron sputtering) при
температуре подложки 1750C. После процесса осаждения пленки
ITO подверглись вакуумной термообработке при температурах
2500C, 3250C и 4000C в течение 20 минут при давлении 0,4 Па. Из-
мерения спектров пропускания и отражения показали, что полу-
ченные пленки ITO имеют высокую прозрачность (в среднем
82%) в видимом диапазоне длин волн. Электрические измерения
показали, что вакуумная термообработка приводит к значительно-
му, почти на порядок, снижению удельного сопротивления от
1,3·10-3 до 1,8·10-4 ом·см. АСМ исследования морфологии поверх-
ности слоев ITO показали, что пленки, осажденные при темпера-
туре подложки 1750C с последующим термоотжигом при 3250C
проявляют наиболее высокие показатели пропускания и имеют
Л.А. Ахоян 59
-4
близкое к металлическому значение (2,5 x 10 Ом · см) удельного
сопротивления.
Ключевые слова: оксид индия-олова (ITO), магнетронное
распыление, тонкие пленки, вакуумный термоотжиг.
Введение
1. Методика эксперимента
2. Оптические характеристики
100
80
60
transmittance (%)
40
0
175 C
20 0
250 C
0
325 C
0
0
400 C
3. Электрические свойства
4. Морфологические свойства
5. Заключение
ЛИТЕРАТУРА
1. Chopra K.L., Major S., Pandya D.K. Transparent conductors – a status review.
Thin Solid Films, 1983, 102: 1.
2. Miro Z. Thin film solar cells: fabrication, characterization and applications.
John Wiley & Sons, Ltd, 2006.
3. Salehi A. The effects of deposition rate and substrate temperature of ITO thin
films on electrical and optical properties. Thin Solid Films, 1998, 328: 72.
4. Kim H., Gilmore C.M., Pique A., et al. Electrical, optical, and struc-tural
properties of indium-tin-oxide thin films for organic light-emitting devices. J
Appl Phys, 1999, 86: 6451.
5. Romeo A., Terheggen M., Abou-Ras D. Development of thin-film
Cu(In,Ga)Se2 and CdTe solar cells. Progress in Photovoltaics: Research and
Applications, 2004, 12: 93.
6. Bender M., Seelig W., Daube C., et al. Dependence of oxygen flow on optical
and electrical properties of DC-magnetron sputtered ITO films. Thin Solid
Films, 1998, 3326: 72.
7. Hu Y.L., Diao X.G., Wang C., et al. Effects of heat treatment on properties of
ITO films prepared by RF magnetron sputtering. Vacuum, 2004, 75: 183.
8. Teixeira V., Cui H.N., Meng L.J., et al. Amorphous ITO thin films prepared by
DC sputtering for electro chromic applications. Thin Solid Films, 2002, 420:
70.
9. Kim S.S., Choi S.Y., Park C.G., et al. Transparent conductive ITO thin films
through the sol–gel process using metal salts. Thin Solid Films, 1999, 347:
155.
66 Оптические, электрические и морфологические свойства нанометрических слоев оксида индия-олова
L. Hakhoyan
АBSTRACT
The work is devoted to the effect of vacuum thermal annealing of
Indium tin Oxide (ITO) nanometric films on their optical,
morphological and electrical characteristics. ITO films were deposited
by method of DC magnetron sputtering at substrate temperature of
1750C. After deposition the ITO films were subjected to heat treatment
at temperatures of 2500C, 3250C and 4000C for 20 minutes at a
pressure of 0.4 Pa. Transmittance and reflectance spectra showed that
the ITO films has high transparency (82% on average) in the visible
spectrum. The electrical measurements showed that the vacuum heat
treatment leads to a significant (almost an order of magnitude)
decrease in resistivity from 1,3 · 10-3 up to 1,8 · 10-4 ohm • cm. AFM
studies of ITO layers surface morphology revealed that the films
deposited at substrate temperature of 1750C with post-deposition
thermal annealing at 3250C exhibit the highest transmittance and has
the resistivity of 2,5 x 10-4 ohm · cm close to the value of resistivity of
metals.
Keywords: Indium Tin Oxide (ITO), magnetron sputtering, thin
films, vacuum thermal annealing.
Լ.Ա. Հախոյան
ԱՄՓՈՓՈՒՄ
Աշխատանքը նվիրված է վակուումային ջերմամշակման ազ-
դեցության ուսումնասիրմանը նանոչափային ինդիումի-օլովի օք-
սիդի (ITO) օպտիկական, էլեկտրական և մորֆոլոգիական հատ-
կությունների վրա: ITO բարակ թաղանթները ստացվել են տակ-
դիրների 1750C ջերմաստիճանային պայմանում մագնետրոնային
Л.А. Ахоян 67
УДК 621.315
В.А. Хачатрян1
Российско-Армянский Университет
vars.khachatryan1990@gmail.com
АННОТАЦИЯ
В работе представлена элементарная аналитическая модель
для оценки критического радиуса полного истощения в полупро-
водниковых нанопроволоках из арсенида галлия. Истощение по-
лупроводника имеет место за счет захвата носителей заряда на по-
верхностные центры, вследствие чего наблюдается изгиб зон.
Приведенная модель описывает зависимость критического радиу-
са от уровня легирования и параметров поверхностных состояний,
что позволяет оценить проводящие свойства нанопроволок, лими-
тированные, в частности, поверхностными эффектами.
Ключевые слова: полупроводник, нанопроволоки, критичес-
кий радиус, полное истощение.
1. Введение
Среди других наноструктур, полупроводниковые нанопроволоки
(НП) с диаметрами от 10 до 100 нм и довольно большим аспектным
отношением (радиус/длина), порядка 102, даже при отсутствии кванто-
размерных эффектов, возможно использовать в качестве различных
фотоэлектрических устройств, в частности, для фоточувствительных
элементов, высоко интегрированных оптоэлектронных устройств [1], а
также солнечных элементов третьего поколения [2]. Фотодетекторы на
основе НП обладают высокой светочувствительностью по сравнению
с их объемными или тонкопленочными аналогами благодаря их боль-
шому объему и соотношению малых размеров, сравнимых с диффу-
зионной длиной носителей заряда [3,4].
В.А. Хачатрян 69
ND R
NS > .
2
ϕ ( R − ω ) = 0,
dϕ (2)
= 0,
dr r = R −ω
dϕ ens
=− .
dr r=R εε 0
Ns
ns = , (3)
E A − EF
1 + exp[ ]
kT
e NS
ϕ ′(R) = − ⋅ .
εε 0 NC ES eϕ ( R)
1+ exp[− ] ⋅ exp[− ]
ND kT kT
NC E
Введя обозначение a = exp[− S ] , получим:
ND kT
eN S 1
ϕ ′(R) = − ⋅ . (5)
εε 0 1 + a ⋅ exp[− eϕ ( R) ]
kT
2NS R 1
2 Rω − ω 2 = ⋅ 2
,
ND e ND R
1 + a exp[ (2 Rω − ω 2 − 2( R − ω ) 2 ln )]
4εε 0 kT R −ω
2NS 4εε 0 kT R′ R
где: R′ = , R′′ = ,b = , x = C .
ND 2
e ND R′′ R′′
3. Результаты и обсуждение
В работе исследована зависимость критического радиуса GaAs-
НП от уровня легирования, плотности поверхностных состояний и их
энергии ионизации.
Рис.2 показывает изменение критического радиуса для различ-
ных значений энергии ионизации поверхностных состояний при фик-
сированных значениях уровня легирования (Рис.2). С ростом энергии
ионизации значение критического радиуса увеличивается. Эта зависи-
мость обусловлена тем, что более глубокие поверхностные центры
72 Критический радиус полного обеднения нанопроволоки из арсенида галлия
Заключение
Захват заряда на поверхностные состояния НП приводит к обра-
зованию обедненной области вблизи поверхности НП. Описанное яв-
ление приводит к уменьшению его электропроводящих характеристик,
что является важной функцией в большинстве электронных устройств.
Для НП с малыми радиусами или с низким уровнем легирования коли-
чество свободных носителей мало, и, в результате их захвата на по-
верхностные центры, НП может быть почти или полностью истощена.
Простой аналитический подход был предложен для оценки критичес-
кого радиуса НП, который соответствует полному истощению для
данной плотности поверхностных состояний, энергии ионизации и
уровня легирования объема.
Все выше рассмотренные эффекты истощения должны быть при-
няты во внимание при разработке конкретных устройств на основе
НП. Одним из способов уменьшения негативного воздействия поверх-
74 Критический радиус полного обеднения нанопроволоки из арсенида галлия
ЛИТЕРАТУРА
1. Soci C., Zhang A., Bao X.Y.,Kim H., Lo Y.,Wang D. Journal of nanoscience and
nanotechnology, vol. 10 (3), PP. 1430–1449 (2010).
2. Sivakov V., Andra G., Gawlik A., Berger A., Plentz J., Falk F. and
Christiansen S.H., Nano Lett., vol. 9 (4), PP. 1549–1554 (2009).
4. Mariani G., Wong P.-S., Katzenmeyer A.M., Leonard F., Shapiri J. and
Huffaker D.L. Nano Lett., vol. 11. PP. 2490 (2011).
5. Chen R-S., Chen H.Y., Lu C.Y. et al. Appl. phys. Lett., vol. 91. PP. 223106–1–
223106–3 (2007).
6. Kind H., Yan H., Messe B. et al. Adv. Mater., vol. 14(2). PP. 158 (2002).
7. Calarco R., Marso M. Appl. Phys., vol. 87. PP. 499 (2007).
8. Schmidt V., Senz S. and Gosele U. “Influence of the Si/Sio2 interface on the
charge carrier density of Si nanowires”, Appl. Phys., vol. 86. PP. 187–191
(2004).
В.А. Хачатрян 75
V.A. Khachatryan1
Russian-Armenian University
vars.khachatryan1990@gmail.com
ABSTRACT
We have presented a simple analytical model for estimating critical
radius of full depletion in GaAs semiconductor nanowires due to
charge carrier trapping at surface states and radial band bending. The
model describes the critical radius functional dependences on doping
level, surface states parameters and appears as a very useful tool to
understand transport properties of nanowires limited particularly by
surface effects.
Keywords: semiconductor, nanowires, critical radius, full depletion.
Վ.Ա. Խաչատրյան1
Հայ-Ռուսական համալսարան
ԱՄՓՈՓՈՒՄ
Աշխատանքում ներկայացված պարզ մոդելը թույլ է տալիս
գնահատել կիսահաղորդչային նանոլարի կրիտիկական շառավի-
ղը այն դեպքում, երբ ծավալային լիցքի տիրույթը գրավում է ամ-
բողջ նանոլարը: Լիցքակիրները կլանվում են մակերևույթային
վիճակների կողմից, ինչի հետևանքով ձևավորվում է ծավալային
լիցքի տիրույթ, և գոտիների շեղում: Ներկայացված մոդելը նկա-
րագրում է կրիտիկական շառավղի կախվածութը ու նըլեգիրաց-
ման աստիճանից և մակերևույթային վիճակներից, ինչը թուլ է
տալիս գնահատել նանոլարի հաղորդականությունը՝ սահմանա-
փակված, մասնավորապես, մեկերևույթային վիճակներով:
Հիմնաբառեր` կիսահաղորդիչ, նանոլար, կրիտիկական շա-
ռավիղ:
Вестник РАУ № 2, 2016, 76-85
76
ХИМИЯ
УДК 547.491.8.07
СИНТЕЗ ПРОИЗВОДНЫХ
5-((ПИРАЗОЛ-4-ИЛ)ТИО)-1,3,4-ТИАДИАЗОЛА
Российско-Армянский университет
Национальный аграрный университет Армении
ayengoyan@mail.ru
АННОТАЦИЯ
На базе 3-фенил(бензил)-1,3,4-тиадиазолидин-2,5-дитионов и
5-(алкилтио)-1,3,4-тиадиазол-2(3H)-тионов синтезированы их со-
ответствующие S-пентан-2,4-дионы. Гетероциклизацией послед-
них гидразином и его различными N-замещенными производными
получен ряд бициклических и трициклических соединений с соче-
танием в молекулах 1,3,4-тиадиазольного, пиразольного и пири-
мидинового циклов. При предварительных лабораторно-вегета-
ционных испытаниях синтезированные соединения проявили
свойства стимуляторов роста растений.
Ключевые слова: 1,3,4-тиадиазол, гетероциклизация, пиразо-
лилтио-тиадиазол, ростостимуляторы.
Экспериментальная часть
Синтез соединений 3, 4
Синтез соединений 9, 10
2-(Метилтио)-5-((1,3,5-триметил-1H-пиразол-4-ил)тио)-1,3,4-
тиадиазол (11b).
Выход 83%, т.пл. 73-75 0С. Спектр 1H ЯМР δ м.д.: 2.19 и 2.33 (сс,
3H,3H, 3-CH3 и 5-CH3); 2.69 (с, 3H, SCH3); 3.77 (с, 3H, NCH3). Спектр
13
С ЯМР δ м.д.: 9.41, 11.21, 15.67, 6.25, 101.75, 143.17, 149.28, 164.69,
169.29. Найдено: N, 20.57; S, 35.31. C9H12N4S3. Вычислено: N, 20.57; S,
35.31.
SCH3); 6.30 (ушс, 2H, NH2); 6.94 (с, 1H, CH-пирим.). Найдено, (%): N,
26.58; S, 26.10. C13H15N7S3. Вычислено, (%): N, 26.83; S, 26.32.
ЛИТЕРАТУРА
SYNTHESIS OF 5-((PYRAZOL-4-YL)THIO)-1,3,4-THIADIAZOLE
DERIVATIVES
ABSTRACT
5-((ՊԻՐԱԶՈԼ-4-ԻԼ)ԹԻՈ)-1,3,4-ԹԻԱԴԻԱԶՈԼԻ
ԱԾԱՆՑՅԱԼՆԵՐԻ ՍԻՆԹԵԶԸ
ԱՄՓՈՓՈՒՄ
3-Ֆենիլ(բենզիլ)-1,3,4-թիադիազոլիդին-2,5-դիթիոնների և 5-(ալկիլ-
թիո)-1,3,4-թիադիազոլ-2(3H)-թիոնների հիմքի վրա սինթեզվել են
դրանց համապատասխան S-պենտան-2,4-դիոնները: Վերջիննե-
րիս հետերոցիկլումը հիդրազինով և դրա N-տեղակալված ածան-
ցյալներով հանգեցնում է բիցիկլիկ և տրիցիկլից միացություն-
ների՝ մոլեկուլներում 1,3,4-թիադիազոլային, պիրազոլային և պի-
րիմիդինային ցիկլերի համադրությամբ: Նախնական լաբորա-
տոր-վեգետացիոն փորձարկումների ընթացքում սինթեզված
միացությունները ցուցաբերել են բույսերի աճը խթանող հատկու-
թյուններ:
Հիմնաբառեր՝ 1,3,4-թիադիազոլ, հետերոցիկլում, պիրազո-
լիլթիո-թիադիազոլ, բույսերի աճախթանիչներ:
86 Вестник РАУ № 2, 2016, 86-93
БИОЛОГИЯ
АНТИРАДИКАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА
ЭТАНОЛЬНЫХ ЭКСТРАКТОВ ЛИСТЬЕВ
PRUNELLA VULGARIS L. И OCIMUM BASILICUM L.
shkazaryan1@gmail.com
АННОТАЦИЯ
Кверцетин 15,77±0,23 -
ЛИТЕРАТУРА
5. Yamasaki K., Nakano M., Kawahata T., Mori H., Otake T., Ueba N., Oishi I.,
Inami R., Yamane M., Nakamura M., Murata H. and Nakanishi T. Biological
& Pharmaceutical Bulletin, No. 21. P.829 (1998).
6. Kusamran W.R., Ratanavila A. and Tepsuwan A. Food and Chemical
Toxicology, No.36, 475 (1998).
7. Deshpande R.S., Tipnis H.P. Intecticidal activity of Ocimum Basilicum L.
Pesticides, No. 12, 21-28, (1997).
8. Zarlaha A., Kourkoumelis N., Stanojkovic T.P., Kovala-Demertzi D. Journal of
Nanomaterials and Biostructures, Vol.9 (No.3). PP.907–917, (2014).
9. Fale P.L.V., Madeira P.J.A., Florencio M.H., Ascensao L. and
Serralheiro M.L.M. Food & Function, No. 2. PP. 130 (2011).
10. Cook N.C., Samman S., Nutr J. Biochem, No.7. PP. 66–76, (1996).
11. Jitka, P., Milan, K., Jaromír, S., Zden., Jaroslav V., Jitka, Phytother U. Res.,
No. 17. PP.1082–1087, (2003).
12. Liang Feng, Xiaobin Jia, Mao-Mao Zhu, Yan Chen, Feng Shi, Molecules,
No.15. PP.9145–9156, (2010).
13. Kojima H., Ogura H. Triterpenoids from Prunella vulgaris, Phytochemistry,
Vol. 25, No. 3. PP. 729–733, (1986).
14. Dmitruk SI, Dmitruk SE, Berezovskaya TP, Khim Prir Soedin, Vol. 3. PP. 449–
450, (1987).
15. Meehye Kim, Food and Nutrition Sciences, No.3. PP.1290–1295, (2012).
16. Mohaddese Mahboubi, Atefeh Mahboubi, Nastaran, Herba Polonica, Vol. 61,
No. 1. PP. 32–38, (2015).
17. Procházková D., Boušová I., Wilhelmová N. Fitoterapia, No.82. PP. 513–523,
(2011)
18. Liu F, Ng TB, Life Sciences, Vol. 66, No. 8. PP. 725–735, (2000).
19. Vardapetyan H., Tiratsuyan S. and Hovhannisyan A. Journal of Experimental
Biology and Agricultural Sciences, PP.300–308, (2014).
20. Vardapetyan H., Tiratsuyan S., Hovhannisyan A., Martirosyan A. Biological
Journal of Armenia, No.64. PP. 111–116, (2012).
21. Ryu S.Y., Lee C.K., Lee C.O., Kim H.S., Zee O.P. Arch Pharm Res; No. 15(3).
PP. 242–245, (1992).
92 Антирадикальные свойства этанольных экстрактов листьев Prunella vulgaris l. и Ocimum basilicum l.
Kazaryan Sh., Rshtuni L., Gevorkyan M., Ohanyan A., Vardapetyan H.R.
SUMMERY
ԱՄՓՈՓՈՒՄ
УДК 502(479):06
ИССЛЕДОВАНИЕ СИНАНТРОПИЗМА
У НЕКОТОРЫХ ПРЕДСТАВИТЕЛЕЙ
МЛЕКОПИТАЮЩИХ МЕТОДОМ
ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ФОТОЛОВУШЕК
lyov.papyan@gmail.com, hayk.s.mdd@gmail.com
АННОТАЦИЯ
Введение
Материалы и методы
Результаты и обсуждение
Заключение
ЛИТЕРАТУРА
L. Papyan, H. Sargsyan
ABSTRACT
ԱՄՓՈՓՈՒՄ
СВЕДЕНИЯ ОБ АВТОРАХ
СОДЕРЖАНИЕ
Математика
М.К. Аракелян, Г.А. Петросян. Теоремы вложения для трех-
мерных мультианизотропных пространств с двумя вершинами
анизотропности ……………………………………………….……. 5
В.Н. Маргарян, А.Г. Хоршикян. Сравнение многочленов
многих переменных ………………………………………………... 20
Г.С. Мелкумян. О некоторых свойствах медленно
меняющихся весовых функций …………………………………… 32
В.Г.Гараков. Отражение электромагнитной волны от 43
пьезоупругого слоя …………………………………………………
T.N. Harutyunyan. Оn the theorem of Ambarzumian
for Dirac system ……………………………………………………... 52
Физика
Л.А. Ахоян. Оптические, электрические и морфологические
свойства нанометрических слоев оксида индия-олова,
осажденные методом магнетронного распыления ………………. 58
В.А. Хачатрян. Критический радиус полного обеднения
нанопроволоки из арсенида галлия ……………………………….. 68
Химия
А.А.Григорян, Э.Н.Амбарцумян, А.С.Ворсканян,
А.П.Енгоян. Синтез производных 5-((пиразол-4-ил)тио)-
1,3,4-тиадиазола ……………………………………………………. 76
Биология
Ш.А. Казарян, Л.Р. Рштуни, М.Л. Геворкян, А.Ж. Оганян,
Г.Р.Вардапетян. Антирадикаль-ные свойства этанольных
экстрактов листьев Prunella vulgaris L. и Ocimum basilicum L. …. 86
Л.Г. Папян, А.М. Саргсян. Исследование синантропизма
у некоторых представителей млекопитающих методом
использования фотоловушек ……………………………………… 94
Заказ № 30
Подписано к печати 22.12.2016г.
Формат 60х701/16. Бумага офсетная № 1.
Объем 6.5 усл. п.л. Тираж 200 экз.