< г и.

ЕПИФАНОВ
с;
ш
I-
о Ф И З И К А
ТВЕРДОГО ТЕЛА
ББК 22.37я73
Е67 ПРЕДИСЛОВИЕ
Е п и ф а н о в Г. И.
Е 67 Ф и з и к а твердого тела: Учебное пособие. 4-е и з д . , стер. —
СПб.: Издательство «Лань», 2011. — 2 8 8 с . : ил. — (Учеб­
ники д л я вузов. Специальная литература).
ISBN 978-5-8114-1001-9
В книге в доступной форме изложены основы физики твердо­
го тела, включающие описание внутренней структуры твердых тел,
механических, тепловых, электрических и магнитных свойств С момента выхода первого издания учебного пособия прошло более
твердых тел, контактных, термоэлектрических и гальваномагнит­ 10 лет. З а это время физика твердого тела, как научная основа многих
ных явлений в них. Приведены необходимые сведения по физиче­ передовых отраслей техники, бурно развивалась и обогащалась но­
ской статистике.
Учебное пособие предназначено для студентов вузов, обучаю­
выми исследованиями, открытиями и теоретическими разработками,
щихся по физическим и техническим направлениям подготовки и которые нельзя было не учитывать при подготовке нового издания.
специальностям. Книга также может быть полезной для широко­ С другой стороны, учебные планы вузов претерпели за прошедшие
го круга инженерно-технических работников. годы существенные изменения в направлении усиления фундаменталь­
ББК 2 2 . 3 7 я 7 3 ной, прежде всего физико-математической, подготовки будущих ин­
женеров широкого профиля, что, естественно, также должно было
ЛР № 065466 от 21.10.97. Гигиенический сертификат 7 8 . 0 1 . 0 7 . 9 5 3 . П . 0 0 7 2 1 6 . 0 4 . 1 0 шшти свое отражение в учебном пособии.
от 21.04.2010 г., выдан ЦГСЭН в СПб Наконец, за годы, прошедшие с момента выхода первого издания,
Издательство «ЛАНЬ» было получено большое число отзывов, критических за.мечанин и по­
lan@lanbook.ru; www.lanbook.cora. 192029, Санкт-Петербург,
Общественный пер., 5. Тел./факс: (812)412-29-35, 412-05-97, 412-92-72. желаний от широкого круга советских и зарубежных читателей — сту­
Бесплатный звонок по России: 8-800-700-40-71 дентов и преподавателей вузов, преподавателей техникумов и сред­
ГДЕ КУПИТЬ
них школ, инженеров и научных работников, которые автор с благо­
дарностью принял и учел при подготовке нового издания.
Д Л Я ОРГАНИЗАЦИЙ: Все это привело в конечном итоге к необходимости полной перера­
Для того, чтобы заказать необходимые Вам книги, достаточно обратиться ботки содержания практически всего учебного пособия.
в любую аз торговых компаний Издательского Дома «ЛАНЬ»:
Как и в прошлом издании, при изложении материала основное
по России и зарубежью. «ЛАНЬ-ТРЕЙД». 192029, Санкт-Петербург,
ул. Крупской, 13. тел.: (812)412-85-78, 412-14-45, 412-85-82;
внимание уделено выяснению физической сущности рассматриваемого
тел./факс: (812) 412-54-93. e-mail: trade@lanbook.ru; ICQ: 446-869-967 явления. Однако там, где возможно, дается также количественное
www. lanpbl. spb. ru/price. htm оформление этого материала, правда, часто без приведения строгих
в Москве и в Московской области. «ЛАНЬ-ПРЕСС».
109263, Москва, 7-ая ул. Текстильщиков, д . 6/19. тел.: (499) 178-65-85;
последовательных выкладок.
e-mail: Ianpress@lanbook.ru Рукопись была тщательно прорецензирована докт. техн. наук,
в Краснодаре и в Краснодарском крае. «ЛАНЬ-ЮГ». проф. Л. Л. Дашкевичем; засл. деятелем науки БССР, проф. И. Г. Не-
350072, Краснодар, ул. Жлобы, д . 1/1. тел.: (861) 274-10-35;
e-mail: lankrd98@mail. ru
крашевичем, а также внимательно просмотрена докт. физ.-мат. наук,
Д Л Я РОЗНИЧНЫХ ПОКУПАТЕЛЕЙ:
проф. Л. А. Грибовым, доц. В. Б. Зерновым и 3. С. Сазоновой. Автор
интернет-магазины:
искренне благодарен им за труд и критические замечания, которые
Издательство «Лань»: http://www.lanbook.com были учтены при доработке рукописи.
«Сова»: http;//www.symplex.ru; «Ozon.ru»: http;//www.ozon.ru Автор благодарит также канд. техн. наук, ст. преп. Ф. Ж. Вильфа
«Библион»: http://www.biblion.ru
и канд. техн. наук, доц. Ю. А. Маму за предоставление методических
Подписано в печать 22.07.11. разработок по сверхпроводимости, эффекту Ганна и физике работы
Бумага офсетная. Гарнитура Литературная. Формат 84x108 '/зг-
Печать офсетная. Усл. п. л. 15,12. Тираж 1000 экз. импульсных и высокочастотных диодов, использованных в данном по­
Заказ № 1620 собии, и 3. И. ^^«(уЬадая//за огромный труд по техническому оформле­
Отпечатано в полном соответствии с качеством предоставленных нию рукописи.
д и а п о з и т и в о в в ОАО « И з д а т е л ь с к о - п о л и г р а ф и ч е с к о е п р е д п р и я т и е
« П р а в д а С е в е р а » . 163002, г. А р х а н г е л ь с к , п р . Н о в г о р о д с к и й , 32. Автор
Т е л . / ф а к с (8182) 64-14-54, т е л . : (8182) 65-37-65, 65-38-78, 20-50-52
www.ippps.ru, e-mail: zakazCgiippps.ru
© И з д а т е л ь с т в о « Л а н ь » , 2011
© Г. И . Е п и ф а н о в , н а с л е д н и к и , 2011
© Издательство «Лань», *
х у д о ж е с т в е н н о е о ф о р м л е н и е , 2011
 ГЛАВА І В'гм силы могут иметь двоякий характер. Если движение электронов
СИПЫ СВЯЗИ.
ВНУТРЕННЯЯ СТРУКТУРА ТВЕРДЫХ ТЕЛ
Возможность существования твердого состояния вещества обуслов­
лена возникновением сил взаимодействия между структурными час­
тицами при сближении их на достаточно малые расстояния. Такими
частицами могут быть атомы, ионы или молекулы. Д л я возникновения
устойчивой структуры твердого тела необходимо, чтобы между части­
цами действовали двоякого рода силы: силы притяжения, препятствую­
щие удалению частиц друг от друга, и силы оггалкивания, не позво­
ляющие частицам слиться друг с другом.
Рассмотрим кратко природу этих сил.
§ 1. Силы Ван-дер-Ваапьса
Маиболее общим видом связи, возникающим между любыми атома­
ми и молекулами, являются силы Ван-дер-Ваальса. Впервые они бы­
ли введены для обоснования уразнения состояния реальных газов —
уравнения Ван-дер-Ваальса
[р + ^,)(У-Ь)^нт, (1.1)
в которо.м определяют поправки а'У^ и Ь, учитывающие действие соот­
ветственно сил притяжения и отталкивания между молекулами реаль­
ного газа. Почти в чистом виде эти силы проявляются между молеку­
лами с насыщенными химическими связями (О,, Нг, N2, СН^ и др.),
а также между атомами инертных газов, обусловливая существование
их жидкого и твердого состояний.
в общем случае ван-дер-ваальсова связь включает в себя диспер­
сионное, ориентационное и индукционное взаимодействия. Рассмот­
рим кратко каждое из них.
Дисперсионное взаимодействие. Рассмотрим простейший пример
взаимодействия двух атомов гелия, показанный на рис. 1.1. Распреде­
ление электронной плотности атома гелия обладает сферической сим­
метрией, вследствие чего его электрический момент равен нулю. Но
это означает лишь, что равно нулю среднее значение электрического мо­
мента атома. В каждый же момент вре.мени электроны расположены
в определенных точках пространства, создавая мгновенные быстро ме­
няющиеся электрические диполи. При сближении двух атомов гелия
в движении электронов этих атомов устанавливается корреляция (со­
гласование), которая и приводит к возникновению сил взаимодействия.
4
сиоррелировано так, как показано на рис. 1.1, а, то между мгновенны­
ми диполями возникает притяжение, приводящее к появлению сил
связи между атомами; при корреляции, показанной на рис. 1.1, б,
м е ж д у атомами возникает отталкивание. Так как при реализации кон­
фигурации {рис. 1.1, о) энергия системы понижается, то эта конфигу-
роция является более вероятной и осуществляется наиболее часто. Это
II обусловливает появление постоянно действующей силы притяжения,
синзывающей атомы гелия.
Рассмотренные силы связи, возникающие вследствие согласован­
ного движения электронов в соседних атомах, называются дисперсион­
ными силами. Расчет их был проведен впервые Лондоном в 1930 г.
Притяжение ОтталниВание
Атомы гепия Атомы гшя
ИгноВетые Мгнодеиные
диполи Виполи
«і В)
Рис. 1.1
И основу расчета была положена следующая модель: под влиянием
мгновенного электрического диполя одного атома другой атом поля­
ризуется и в нем возникает «аее(?еи««й диполь, способствующий реали-
йпцни конфигурации (рис. 1.1, а), отвечающей притяжению. Расчет
привел к следующему выражению для энергии дисперсионного взаи­
модействия частиц:
где а — поляризуемость частиц*; О — энергия их возбуждения; г —
расстояние между ними.
Ориентационное взаимодействие. Если молекулы обладают по­
стоянным дипольным моментом М, т. е. являются полярными, то меж­
ду ними возникает электростатическое взаимодействие, стремящееся
рпсположить молекулы в строгом порядке (рис. 1.2), так как при таком
рпсположеиип энергия системы уменьшается. Правильная ориентация
• Напомним физический смысл а. Под действием внешнего поля напряжен­
ностью » происходит смещение зарядов в молекуле и возникает диполы;ыи мо­
мент М. пропорциональный 8' : уИ = а^, коэффициент пропорциональности а
И называется поляризуемостью молекулы.
5
 молекул нарушается тепловым движением. Поэтому энергия системы,
определяемая ориентацией .молекул, сильно зависит от температуры. составляющих в общей энергии связи для воды, аммиака, хлористого
При низких температурах, когда достигается полная ориентация моле­ водорода и окиси углерода.
кул, энергия взаимодействия определяется соотношением Из данных табл. 1.1 видно, что индукционное взаимодействие для
Dcex веществ мало. У веществ с полярными молекулами энергия связи
ЦП "/4 или состоит из энергии ориентационного взаимодействия
жестких диполей, у веществ же с неполярными молекулами энергия
где г — расстояние между молекулами, — диэлектрическая по­ связи почти целиком является энергией дисперсионного взаи.мо-
стоянная. действия.
Для высоких же температур энергия взаимодействия дипольних Таблица 1.2
молекул, как показал Кеезом, выражается формулой Uc, 1 0 - ' Д ж / м о л ь
Неон (Ne) 1,9 Кислород (Ог) 8,2
Аргон (Аг) 8,4 Окись углерода (СО) . . 8,4
Азот (N2) 6,6 Метан (CHJ 10,8

сзсэ> в табл. 1.2 приведены значения энергий связи для ряда молеку­
лярных кристаллов, образованных под действием сил Ван-дер-Ваальса.

§ 2. Ионная связь
Рчс. 1.2 р„с. 1.3
Атомы, стоящие в периодической системе Менделеева рядом
Рассмотренный вид взаимодействия называется ориентационным. с инертными газами, обладают склонностью принимать их конфигура­
Индукционное взаимодействие. Наконец, у полярных молекул, цию путем отдачи или принятия электронов. У атомов щелочных ме­
обладающих высокой поляризуемостью, может возникать наведенный таллов", стоящих непосредственно за
(и!!дуцированный) момент под действием поля постоянных диполей инертными газами, валентный элект­
соседних молекул (рис. 1.3; пунктиром показаны индуцированные ди­ рон движется вне заполненного слоя
поли). Энергия взаимного притяжения, возникающая вследствие и связан с ядром слабо. У галои­
взаимодействия между жестким диполем первой молекулы и индуци­ дов, стоящих непосредственію перед
рованным диполем второй молекулы, как показал Дебай, не зависит инертными газами, недостает одного
от температуры и определяется соотношением электрона для заполнения устойчиво­
го слоя благородного газа. Поэтому
они обладают высоким сродством к
дополнительному электрону.
где, как и прежде, М — постоянный дипольнын момент молекулы, Связь между такого рода атома­
а — ее поляризуемость. ми, Ї. е. между типичными металла­
Такое взаимодействие называет­ ми и галоидами, осуществляется сле­
Т а б л и ц а І.І ся индукционньил, или деформаци­ дующим образом. Вначале происхо­
онным. дит перезарядка обоих атомов: эле­
Вид пзянмодей- В общем случае при сближении ктрон от атома металла переходит к
С7ВИЛ дв)х молекул могут возникать все атому галоида. При этом атом металла
RriuecTDO 1 о . s но три вида связи, н энергия взаимо­ превращается в положительно заря­
действия и складывается из энер­ женный ион, атом галоида — в отри­ Рис. 1.4
ао =X
ио S О гий днсперсионігого {{/д), ориента- цательно заряженный ион. Эти ионы
55 X =î &5
цнонного Шо^) и индукционного взаимодействуют по закону Кулона, как два разноименных заряда.
Вода 19 А 77 (6'„„) взак.модействий: Такая связь получила название ионной, или полярной.
Лм.миак 5 45 Энергия притяжения ионов, отстояи;их друг от друга на расстоя­
Хлористый водород 81 4 15 нии г, равна
Окись углірода гоо — — в іабл. 1.1 приведена относи­
тельная доля (%) каждой из этих (1.6)
4лЕи г
7
 где q — заряд ионов.
На рис. 1.4 кривой / показана зависимость f/^ от г С уменьшением
г энергия непрерывно растет по абсолютной величине, и при г О
она стремится к бесконечности. Под действием силы притяжения ионы
стремятся максимально приблизиться друг к другу. Однако этому пре­
пятствуют силы отталкивания, которые начинают проявляться на ма-
лы.ч расстояниях п очень быстро растут с уменьиіением этого расстоя­
ния. На рис. 1.4 энергия отталкивания Uo, показана кривой 2. Берн
и другие исследователи выражали энергию отталкивания следующим
соотношением:
Vor = В/г",
где ß и « — постоянные.
Результирующая энергия взаимодействия ионов равна
§ 3. Ковалентная связь
Наличием ионной и ван-дер-ваальсовой связи невозможно объяс­
нить существование соединений типа Но, О^, N2, ... и т. п., а также свя-
;1И в атомных кристаллах типа алмаза. Однородные атомы не могут об­
разовать, очевидно, противоположно заряженные ионы путем пере­
распределения валентных электронов, как в случае взаи.модействия
металлов с галоидами. С другой стороны, прочность связи в молеку-
дпх Нг, О2, N2, ... значительно больше той, которую способны обеспе­
чить силы Ван-дер-Ваальса. Для такого рода соединений силы Ван-
(1.7)

На рис. 1.4 эта энергия показана кривой 3, которая при г =-- л»

проходит через минимум; глубина этого минимума определяет энер­
гию связи и\., а расстояние г„ — расстояние между нонами в моле­ А S
куле. Используя тот факт, что в равновесном состоянии (при г = г„)
Рис. 1.5
сила притяжения = равна силе отталкивания

-^—•j ^ , выражение (1.8) легко привести к виду дгр-Ваальса играют обычно роль небольшой поправки к той связи,
которая определяет прочность соединений. Эта связь получила назва­
ние ковалентной связи.
Рассмотрим природу этой связи на примере молекулы водорода.
Энергия решетки, построенной из Л' таких молекул, равна Предположим, что на сравнительно большом расстоянии г друг
от друга находятся два атома водорода: атом А, состоящий из ядра а
и електрона / , и атом В, состоящий из ядра Ь и электрона 2 (рис. 1.5).
С-т)
и рсш • (1.10)
4ПЕо Го Вспедствие того, что плотность электронного облака, описывающего
где А — так называемая постояннал Маделунга, учитывающая энер­ гостояние электрона в атоме, очень быстро падает с расстоянием, обна­
гию взаимодействия данной молекулы с ее соседями в кристалле. ружить электрон / у ядра Ь, а электрон„2 у ядра а весьма мало вероят­
но. Расчет показывает, что при г « 50 А каждый из электронов может
Таблица 1.3 побывать у «чужого» ядра один раз в среднем па 10'^ лет. Поэтому ато­
мы А\\ В можно рассматривать как изолированные н энергию систе­
.G ж/моль
мы, состоящей из таких атомов, принимать равной 2Е^, где £•„ -— энер­
Кристалл
эксперименталь­ теоретическое
гии изолированного атома в нормальном состоянии.
ное
По мере сближения атомов вероятность перехода электронов к
Хлористый натрий (N301) . . . . ічужим» ядрам увеличивается. При г « 2А наступает заметное пере-
—752 —754
Йодистый калий (К1) —650 —6,30
Крі.ітие электронных облаков этих атомов и частота перехода увеличп-
Бромистый рубидий (КЬВг) . . —635 —645 вмсгся уже примерно до 10" с - ' . При дальнейшем сближении СТЄПЄЇІЬ
Йодистый цезий (Сз!) -595 -585 перекрытия облаков растет и частота обмена электронов местами уве-
Личіпіается настолько, что теряет смысл говорить о принадлежности
илекгрона / к атому А, электрона 2 — к атому В. Это соответствует
В качестве примера в табл. 1.3 приведены экспериментальные зна­ вомникіговению нового состояния, не свойственного системе, состоящей
чения энергии связи ряда ионных кристаллов и значения, вычислен­ Н,і лпух изолированных атомов, и замечательного тем, что электроны
ные по (1.10). Расхождения не превышают 1—2%, что свидетельст­ й »том состоянии принадлежат одновременно обоим ядрам, или, как
вует о хорошем согласии теории с опытом. Гопорят, обобществлены.
9
 Обобществление электронов сопровождается перераспределением Здесь 2Ео — суммарная энергия двух изолированных атомов во­
электронной плотности и изменением энергии системы по сравнению дорода, К—энергия электростатического взаимодействия электронов
с суммарной энергией 2Ед изолированных атомов. На рис. 1.6 пунктир- с ядрами, электронов между собой и ядер между собой. Ее называют
ны.ми линиями / показана плотность электронных облаков изолиро­ также кулоновской энергией; по знаку она отрицательна. А представ­
ванных атомов, тонкой сплошной линией 2 — суммарная плотность, ляет собой энергию обменного взаимодействия, возникающую вслел-
которая получилась бы при простом наложении электронных облаков стпие обмена атомов электронами. Это как раз та дополнительная энер­
изолированных атомов; и наконец, жирной линией 3 — распределе­ гия взаимодействия, которая появляется вследствие перераспределе­
ние плотности вдоль оси, соединяющей ядра а V. Ь, фактически уста­ ния электронной плотности атомов при образовании из них молекулы;
навливающиеся при обобществлении электронов. Из рисунка видно, по знаку она отрицательна, по аб­
что при обобществлении электронов происходит втягивание электрон­ солютной величине значительно
ных облаков в пространство между ядрами: на небольшом расстоянии превосходит К (\А\>\К\); 5—
так называемый интеграл неорто­
гональности, величина которого
заключена в следующих пределах:
0^.^<1.
Состояние с энергией назы­
вают симметричным, а с энергией
Уа — антисимметричным. Так
как К У1 А отрицательны, а 5 < 1,
то при образован1т симметрич­
ного состояния энергия системы ——• г
уменьшается по сравнению с энер­ О
гией двух изолированных атомов:
и, Го--^'^-^^
Рис. 1.6 и,<2Е,. (1.13)
Рис. 1.7
от ядра вне этого пространства плотность облаков уменьшается по Это соответствует возникновению
сравнению с плотностью в изолированных атомах, в то время как в про­ сил притяжения. Вследствие того,
странстве между ядрами она повышается по сравнению с суммарной что по абсолютной величине обменная энергия А значительно прево­
плотностью, которая могла получиться от сложения в этом простран­ сходит кулоновскую к, у.меньшение энергии системы происходит
стве облаков изолированных атомов. Появление состояния с повышен­ 11 основном за счет Л. Поэтому силу притяжения, возникающую между
ной плотностью электронного облака, заполняющего межъядерное про­ итомя.ми, называют обменной силой, или обменной связью. По той же
странство, вызывает всегда уменыиение энергии системы и приводит причине, т. е. вследствие того что I л I < 1 /(I, при образовании анти­
к возникновению сил притяжения между атомами. Образно говоря, симметричного состояния энергия системы увеличивается. Это соот­
электронное облако, которое образуется в межъядерном пространстве ветствует возникновению сил отталкивания.
обобществленной парой электронов, как бы стягивает ядра, стремясь На рис. 1,7 приведена зависимость б'., и от г1а, где г — расстоя­
максимально приблизить их друг к другу. ние между атомами, о = 0,53 А —радиус первой боровской орбиты.
Такова качественная картина возникновения ковалентной связи. За нулевой уровень отсчета энергии принято 2Е^. Из рис. 1.7 видно, что
Количественно молекула водорода была рассчитана впервые Гейт- для антисимметричного состояния (кривая /) энергия системы непре­
лером и Лондоном в 1927 г. Эти расчеты показали, что система, состоя­ рывно растет по мере сближения атомов, что соответствует отталки­
щая из двух сближенных атомов водорода, в зависимости от направле­ ванию атомов друг от друга. Поэтому в этом состоянии молекула водо­
ния спина в них может обладать двумя значениями энергии: рода образоваться не может. Для симметричного состояния (кривая 2)
с уменьшением г энергия системы в начале уменьшается и при г — Гд
І / , = 2Я„ + ^ (1.11) достигает минимального значения. При дальнейшем уменьшении г энер­
гия 1 г а ч и п а е т увеличиваться вследствие появления больших сил оттал-
— при антипараллельном направлении спинов и Кива1П1я. Наличие минимума на кривой потенциальной энергии .ае-
лиет возможным существование устойчивой системы из двух атомов
^-' = 2^» + 1 ^ ('-'2) ВО.'юрода, т. е. образование молекулы водорода. Д л я разрушения этой
— при параллельном направлении спинов. системы требуется работа, равная глубине потенциальной нмы и с-
10 II
 Таблица 1.4 ми. Так, атом меди имеет один валентный электрон и может образо-
Плгь валентную связь с одним атомом. В решетке же меди каждый ато.м
Гаэ и^^ 10' Дж/моль Кристалл 10' Дж/моль окружен двенадцатью ближайшими соседями, с которыми он должен
находиться в силовой связи. Это указывает на то, что в металлах дей­
ствует особый вид связи, получивший название металлической. Рас­
Окись углерода Алмаз (С) . . . 6.8 смотрим природу этой связи.
(СО) 10,8 Кремний (5і) . . 4,4
Азот (N2) . . . . 9,5 Германий (Се) . 3,5 Внешние валентные электроны в атомах металла связаны с ядром
Кислоро.ц (О2) . . 5,0 относительно слабо. При образовании жидкого и твердого состояний
Водород (Нг) . . 4,4 втомы располагаются настолько близко друг к другу, что валентные
Мектроны приобретают способность покидать свои атомы и свободно
перемещаться внутри решетки. Таким образом возникает весьма одно­
Расчет приводит к следующим значениям (Ус и Го', и а = 4,37 эВ, = родное распределение отрицательного заряда в кристаллической ре­
= 0,735 А; экспериментальное же измерение этих величин дает: шетке металла. Это подтверждается
V^ = 4,38 эВ, /"о — 0,753 А. Согласие теории с опытом хорошее. прямыми опытами. В качестве при­
мера на рис. 1.8 показана экспе­

<? 9
В табл. 1.4 приведена энергия связи для ряда ковалентных соеди­
риментальная кривая распределе­
нений — молекул Нз, N2, Оз, СО, а также для кристаллов алмаза,
ния электронной плотности между
кремния и германия, в которых связь осуществляется ковалентными
у.члами кристаллической решетки
силами.
алюминия, полученная рентгено- «пГ
Из данных табл. 1.4 видно, что ковалентная связь является весьма графическим методом. На значи- ^
сильной: энергия этой связи достигает Ю'* — 10' Дж/моль. ТРЛьной части пространства между
Характерными особенностями ковалентрюй связи, отличающей ее узлами электронная плотность со- Ю-
от других видов связи, являются насыщаемость и направленность. храняется неизменной. Только
Насыщаемость выражает то, что каждый атом способен образовать непосредственно у узлов она рез­
ковалентную связь лишь с определенным числом своих соседей. ко возрастает из-за наличия здесь
Так, каждый атом водорода может устанавливать связь лишь с од­ внутренних оболочек атома алюми- /\
ним своим соседом. Пара электронов, образующих эту связь, обладает ни я.
антипараллельнымн спинами и занимает одну квантовую ячейку. Тре­
тий атом в этих условиях будет уже не притягиваться, а отталки­ Связь в решетке металла возни- Р""^- '-^
ваться. кает вследствие взаимодействия по­
Валентная связь образуется в том направлении, в котором располо­ ложительных ионов с электронным газом. Электроны, находящиеся
жена наибольшая часть электронного облака, соответствующего ва­ Между ионами, «стягивают» их, стремясь уравновесить силы отталки-
лентным электронам. При этом осуществляется макси.мальное перекры­ иимия, действующие между одноименно заряженными ионами. С умень­
тие облаков связующих электронов. Это и означает, что валентная шением расстояния между ионами увеличивается плотность электрон­
связь имеет направленный характер. ного газа, вследствие чего растет сила, стягивающая ионы. С другой
стороны, по мере уменьшения расстояния между ионами увеличиваются
силы отталкивания, стремящиеся удалить ионы друг от друга. При до­
стижении такого расстояния между ионами, при котором силы притя­
§ 4. Металлическая связь
жения уравновешиваются силами отталкивания, решетка становится
устойчивой.
Особую группу тел составляют металлы, стоящие в начале каждого Как видим, металлическая связь имеет сходство с валентной связью.
периода таблицы Менделеева. Образование металлического состояния Тик как в их основе лежит обобществление внешних валентных элект­
невозможно объяснить ни с точки зрения ионной, ни с точки зрения ко- ронов. Однако в случае валентной связи в обобществлении электронов
валентной связей. В самом деле, ионная связь возникает лишь между участвуют пары атомов, являющиеся ближайшими соседями, и обоб-
атомами, имеющими резко различное сродство к дополнительному Н1сствлению подвергаются только пары электронов; эти электроны все
электрону, например между атомами металла и галоида. Такая связь время находятся меж.ау атомами. В случае же металлической связи
не может, очевидно, возникать между однородными атомами металла, П обобществлении электронов участвуют все атомы кристалла и обоб­
обладающими одинаковым сродством к электрону. С другой стороны, ществленные электроны не локализуются уже у своих атомов, а сво­
атомы металла не имеют достаточного количества валентных электро­ бодно перемещаются внутри всей решетки.
нов для образования валентной связи со своими ближайшими соседя-
12 13
 § 5. Водородная связь
Водородная связь возникает в том случае, когда атом водорода свя­
зан с очень электроотрицательным атомом, например атомом кислоро­
да, фтора, азота, хлора и т. п. Такой атом притягивает электроны свя­
зи и приобретает отрицательный заряд; атом водорода, от которого
электрон связи оттянут, приобретает положительный заряд. Водород­
ная связь обусловлена электростатическим притяжением этих зарядов.
Типичным примером может служить водородная связь, возникаю­
щая между молекулами воды (рис. 1.9). Связь О — Н, устанавливаю­
щаяся между атомом кислорода одной молекулы воды и атомом водо­
рода другой молекулы, ведет
себя как маленький диполь
с зарядом —б на кислороде
и + б на водороде. Притяже­
ние между этими зарядами и
приводит к возникновению
водородной связи, показан­
ной на рис. 1.9 точками.
Притяжению способствуют
малые размеры атома водо­
Рис. 1.9
рода, позволяющие ему сбли­
зиться с электроотрицательным атомом. Тем не менее это расстояние,
Гон = 2,76 А, значительно больше длины Гд ковалентной связи Н—
О в самой молекуле поды, равной 0,96 А, что вполне естественно, так
как энергия ковалентной связи примерно на порядок выше энергии
водородной связи. Для воды она составляет (21—25)-10'' Дж'моль.
Водородная связь вызывает ассоциацию молекул жидкостей (воды,
кислот, спиртов и др.), приводящую к повышению их вязкости, уве­
личению точки кипения, аномальному изменению объема при нагрева­
нии и т. д. Показательной в это.м отношении является вода. Если бы
между молекулами воды не действовала водородная связь, то она кипе­
ла бы при нормальном давлении не при +100" С, а при —віГ С; ее
вязкость была бы почти на порядок ниже. При нагревании воды выше
0° С происходит разрушение водородных связей, обусловливающих
рыхлую структуру ассоциированных комплексов, в которых молекулы
воды отстоят друг от друга на значительных расстояниях (2,76 А).
Разрушение такой рыхлой структуры должно приводить к уплотнению
воды — повышению ее плотности, с другой стороны, повышение тем­
пературы, увеличивая интенсивность теплового движения молекул,
должно приводить к термическому расширению и уменьшению плот­
ности воды. Как показывает опыт, в интервале температур от О до 4° С
превалирующим является первый фактор — увеличение плотности
воды вследствие разрыва водородных связей. Поэтому в этом интер­
вале температур нагревание воды сопровождается увеличением ее
плотности. Выше 4^ С превалирующим оказывается второй фактор —
термическое расширение воды. Поэтому при дальнейшем нагревании
плотность воды уменьшается, как и у других («нормальных»)
жидкостей.
14
§ 6. Сопоставление различных видов связи
Наиболее универсальной является связь Ван-дер-Ваальса. Она воз-
1Н1кает во всех без исключения случаях. Вместе с тем это наиболее сла­
бая связь с энергией порядка 10^ Дж/моль. В чистом виде она прояв­
ляется при взаимодействии нейтральных атомов и молекул, имеющих
заполненные внутренние электронные оболочки. В частности, силы
Ван-дер-Ваальса обусловливают существование жидкого и твердого
состояний инертных газов, водорода, кислорода, азота и многих орга­
нических и неорганических соединений, обеспечивают связь в широкой
группе валентно-молекулярных кристаллов, что будет более подробно
изложено далее. Вследствие того что энергия ван-дер-ваальсовой свя­
зи низка, все структуры, обусловленные ею, мало устойчивы, легко
летучи и имеют низкие точки плавления.
Ионная связь является типичной химической связью, широко рас­
пространенной среди неорганических соединений. К ним относятся
соединения металлов с галоидами, окислы металлов, сульфиды и
другие полярные соединения. Ионная связь присуща также многим
интерметаллическим соединениям (карбиды, селениды, нитриды и др.).
Энергия ионной связи значительно выше энергии ван-дер-ваальсовой
И достигает ~10« Дж/моль. Поэтому твердые тела с ионной связью
имеют высокие теплоты сублимации и высокие точки плавления.
Валентная связь имеет исключительно пшрокое распространение
П органических соединениях, но встречается также в неорганических
соединениях, в некоторых металлах и во многих интерметаллическнх
соединениях. Эта связь обусловливает образование валентных кристал­
лов типа алмаза, германия и т. п., что подробно будет рассмотрено да­
лее. Энергия ковалентной связи также высока (~10'' Дж/моль), о чем
свидетельствуют высокая температура плавления и большая теплота
сублимации тел с этим видом связи.
Металлическая связь, возникающая в результате обобществления
валентных электронов, характерна для типичных металлов и многих
интерметаллических соединений. Энергия этой связи по порядку ве­
личины сравнима с энергией валентной связи.
Наконец, водородная связь, хотя и является относительно слабой
связью, тем не менее играет исключительно важную роль в природе.
В заключение следует подчеркнуть, что в реальных твердых телах
каждая из рассмотренных связей в чистом виде почти никогда не встре­
чается. Практически всегда имеет место наложение двух и более типов
связи. Одна из них имеет, как правило, превалирующее значение, оп-
[ 1 е д е л я я структуру и свойства тела.
§ 7. Силы отталкивания
Для образования устойчивой систе.мы из взаимодействующих атомов
или молекул необходимо, чтобы между ними возникали не только сил^1
притяжения, но и силы отталкивания, препятствующие беспредель-
иому сближению частиц и их полному слиянию.
15
 Источником сил отталкивания является прежде всего взаимодейст­
вие ядер, концентрирующих в себе значительные положительные заря­
ды. Энергия этого взаимодействия ilôt зависит от расстояния между
ядрами и от степени экранирования их электронными оболочками.
Квантовомеханический расчет приводит к следующему выражению
для (7ôi:
^ÔT~e-^/-, (1.14)
где г — расстояние между ядрами, а = 0,53 А — радиус первой бо-
ровской орбиты.
Такой вид зависимости Щт (г) определяет характер сил отталки­
вания: они достигают огромной величины на малых расстояниях и
резко падают с увеличением г. Так, при уменьшении расстояния между
протоном и атомом водорода с г = 2 а до г = а/2 (в 4 раза) энергия от­
талкивания увеличивается почти в 300 раз.
Силы отталкивания, обусловленные взаимодействием ядер, играют
основную роль при сближении легких атомов, ядра которых сравни­
тельно слабо экранированы электронными оболочками. Во всех других
случаях основное значение приобретает отталкивание, возникающее
вследствие перекрытия заполненных электронных оболочек сбли­
женных атомов. В качестве примера рассмотри.м взаимодействие
иона хлора, имеющего заполненную 3 р-оболочку, и иона натрия
с заполненной 2 р-оболочкой. При сближении их до расстояния, на
котором оболочки З р и 2 р перекрываются, число электронов в каж­
дой из них становится выше того количества, которое требует принцип
Паули. Поэтому часть электронов должна перейти на более высокие
энергетические уровни (например, 3d или 4s). Это связано с повышением
энергии системы, а следовательно с появлением сил отталкивания.
Квантовомеханический расчет показывает, что энергия такого оттал­
кивания убывает с расстоянием г также по экспоненте:
(7;т~е-'/Р,
где р — постоянная, определяемая обычно экспериментально.
Часто энергию отталкивания выражают формулой (1.7). Она дает
менее крутой спад U„^ при росте г и хуже отвечает опыту, чем (1.14)
и (1.15), хотя широко использовалась многими исследователями,
§ 8. Кристаллическая решетка
Независимо от природы сил, возникающих при сближении частиц,
общий характер их остается одинаковым (рис. 1.10, а): на относи­
тельно больших расстояниях появляются силы притяжения Fn, быст­
ро увеличивающиеся с уменьшением расстояния г между частицами
(кривая /); на малых расстояниях возникают силы отталкивания for,
которые с уменьшением г увеличиваются значительно быстрее, чем
Fn (кривая 2). На расстоянии г = силы отталкивания уравновеши­
вают силы притяжения и р е з у л ь т и р у ю и 1 , а я сила взаимодействия. F
обращается в нуль (кривая 3), а энергия взаимодействия достигает
минимального значения L/^ (рис, 1,10, б). Поэто.му состояние частиц.
16
сближенных на расстояние Го, является состоянием устойчивого рав­
новесия, вследствие чего частицы, предоставленные самим себе, должны
выстраиваться в строгом порядке на расстоянии Га Друг от друга, об­
разуя тело с правильной внутренней структурой — кристалл. Такая
структура будет сохраняться до тех пор, пока энергия связи остается
выше по абсолютному значению энергии
теплового движения частиц. Частицы кри­
сталла не могут свободно покидать свои
положения равновесия, так как при удале­
нии от этих положений энергия частиц уве­
личивается и появляются силы, стремя­
щиеся вернуть их в положения равновесия.
Частицы как бы закреплены в положе­
ниях равновесия. Единственной доступной
формой движения для них является беспо-
рядочіюе колебание около положений рав-
ІЮВОСИЯ.
Для описания правильной внутрен­
ней структуры кристаллов удобно поль­
зоваться понятием кристаллической ре­
шетки. Различают трансляционные решет­
ки Бравэ и решетки с базисом.
Решетки Бравэ. С геометрической точ­
ки зрения, правильное периодически пов­
торяющееся размещение частиц в кристал­
ле можно описать с помощью операции па­
раллельного перемещения, или трансляции.
На рис. 1.11, а показана решетка, полу­
ченная трансляцией частицы вдоль трех
осей: ОХ на отрезки п, 2а, За, та; ОУ
па отрезки Ь, 2Ь, ЗЬ, пЬ, 02 на от­
(1.15)
резки с, 2с, Зб-,.... рс, ... (т, п, р —целые
числа). Положение любой частицы в та­
кой решетке определяется вектором
г = тя + пЪ + рс. (1.16)
Векторы, а, Ь, с называются наименьшими векторами трансляции,
а численные их величины — периодами трансляции.
Решетка, построенная путем параллельного переноса (трансляции)
какого-либо узла по трем направлениям, называется трансляционной
реиіеткой, или решеткой Бравэ. Наименьший параллелепипед, пост­
роенный на векторах а, Ь, с, называют элементарной ячейкой кристалла
(рис. 1.11,6). Все элементарные ячейки, составляющие решетку,
имеют одинаковые форму и объем. Во всех вершинах ячеек распола­
гаются одинаковые атомы или группы атомов. Поэтому все вершины
ячеек эквивалентны друг другу. Их называют узлами решетки.
Для характеристики элементарной ячейки необходимо задать в
общем случае шесть величин: три ребра ячейки (а, Ь, с) и три угла меж-
17
 ду ними (а, р, у). Эти величины называются параметрами элементар­
ной ячейки. Часто за единицу измерения длины в решетках прини­
мается не метр, а отрезки а, Ь, с. Их называют осевыми единицами.
Элементарные ячейки, содержащие частицы только в вершинах,
называют простыми, или примитивными. На каждую такую ячейку
приходится одна частица.
Рис. 1.11
В ряде случаев для достижения более полного выражения симмет­
рии решетки элементарные ячейки строят таким образом, что они со­
держат частицы не только в вершинах, но и в других точках. Такие
ячейки называют сложными. Наиболее распространенными из них
ба он
6) й)
Рис. 1.12
ЯВЛЯЮТСЯ (рис. І.І2): объемноцентрированные (ОЦ), гранецентриро-
ванные (ГЦ) я базоцентрированные (БЦ). ІЛожяо показать, что эти ячей­
ки легко приводятся к простым ячейкам, поэтому решетки с такими
ячейками являются решетками Бравэ.
Решетки с базисом. Не всякую решетку можно получить трансля­
цией одного узла. В качестве примера на рис. 1.13 показана двухмер­
ная решетка с базисом общего типа. Легко видеть, что элементарная
ячейка этой решетки никаким способом не может быть выбрана одко-
узельной. Такую решетку можно представить в виде двух вставлен-
18
иых одна в другую решеток Бравэ /, 2, , ПоЗрттт 1
каждая из которых определяется трансля­ . Подртетна 2
ционными векторами а и Ь. Смещение реше­
ток друг относительно друга описывается до­ 9- / _ — с р - 9
полнительным вектором А, называемым ба- 11
11
эисным. Число таких векторов может быть 11
1
каким угодно.
Решетку общего типа называют реисет-
кой с базисом. Ее можно построить с по­
мощью тех же трансляций, что и каждую из 1.-6.-.
составляющих решеток Бравэ, только при ->--;
этом надо транслировать не один узел, а не­
сколько узлов — базис, задаваемый совокуп- Рис. 1,13
іюстью базисных векторов. Так, двухмерную
решетку, показанную на рис. 1.13, можно по­
лучить трансляцией базиса, состоящего из .чвух узлов: О и О'. В каче­
стве примера трехмерной решетки с базисом на рис. 1.14, а показа­
на решетка алмаза. Ее можно образовать двумя вставленными одна в
Рис. 1.14
другую ГЦК-решетками, смещенными по пространственной диагона­
ли на \ \ диагонали. На рис. 1.14, б приведена элементарная ячей­
ка решетки алмаза, выделенная на рис. 1.14, а пунктиром.
§ 9. Обозначения узлов, направлений
и плоскостей в кристалле
Познакомимся кратко с общепринятыми обозначениями узлов, на­
правлений и плоскостей в решетке — с так называемыми индексами
Миллера.
Индексы узлов. Положение любого узла решетки относительно
выбранного начала координат определяется заданием трех его коорди-
19
 нат (рис. 1.15): х, у, г. Эти координаты можно выразить саедуїоіди.м числа к==01А, к^В1В, 1 = 0/С и являются индексами плоскости.
образом: Они записываются так: (ЛА/).
Определим, например, индексы плоскости, отсекающей на осях
л- = та, у — пЬ, г — рс,
отрезки Л = 1 / 2 , В = 2 . С = 1 / 3 . Отношения 1М:1/В:1/С = - , у 2 :
где а, Ь, с — параметры решетки; т, п, р — целые числа.
Если за единицу измерения длин вдоль осей решетки принять па­ :1/2:7^ = 2 : - | - : 3 . Общий знаменатель О = 2. Индексами плоскости
раметры решетки, то координатами узла будут просто числа т, п, р. 1/3 2
Эти числа называются индексами узла являются: Л = щ = 4, А = у = 1, / = з у 2 = 6 . Плоскость обозначают
^ и записываются так: [[тпр]]. Д л я от­
/ рицательного индекса знак минус ста­
вится над индексом. Например, для узла
с координатами х — — 2 а , у = —\Ь, г=
[СтпрЛ = 3 с индексы записывают в следующем
0/ Р виде: [2131.
Индексы направления. Д л я опи­
сания направления в кристалле выби­
т
рается прямая, проходящая через нача­
ло координат. Ее положение однознач­
Рис. 1.15
но определяется индексами [\тпр]]
первого узла, через который она
проходит (рис. 1.15). Поэтому индексы узла [[/п/гр]1 являются од­
новременно и индексами направления. Индексы направления
обозначают так: [тпр\. По определению, индексы направления пред­
ставляют собой три наименьших целых числа, характеризующих поло-

жение ближайшего узла, лежащего на дан1юм направлении. Так, ин­

дексами направления, проходящего через начало координат и узел
[[435]], являются (4351. В качестве примера на рис. 1.16 приведены
основные направления в кубическом кристалле и их обозначения.
Индексы плоскости. Положение плоскости определяется заданием
трех отрезков Л, В, С, которые она отсекает на осях решетки. Индексы
такой плоскости отыскиваются следующим образом.
Выражают отрезки А, В, С ъ осевых единицах и записывают- ве­
личины, обратные этим отрезкам: \1А, \1В, \1С. Полученные дроби
приводят к общему знаменателю. Пусть таковым будет число В. Целые Рис. 1.17

20
 так: (416). На рис. 1.17 показаны индексы основных плоскостей куби
ческой решетки.
Легко показать, что для кубического кристалла расстояния между
плоскостями данного семейства выражаются через индексы этих пло­
скостей следуюш,им соотношением:
(1.17)
где а — параметр решетки. Из этой
формулы видно, что чем выше ин­
дексы плоскостей, тем меньше рас­
(ÏWO)
стояние между ни.ми.
Для обозначения плоскостей гек­
сагональных кристаллов пользу­
ются четырехосной системой коор­
динат (рис. 1.18): три оси (а,, о,,
Рис. 1.18
аз), расположенные под углом 120"
друг по отношению к другу, лежат
в основании шестигранной призмы
(в плоскости базиса), четвертая ось
(с) перпендикулярна плоскости базиса. Каждая плоскость обозна­
чается четырьмя индексами: НкіС. Дополнительный индекс і ставится
на 3-м месте и вычисляется через индексы к и к: і = —(Л + к). Пло­
скость базиса, параллельная осям а^, а^, Я з , имеет индексы (0001).
Плоскости, параллельные боковым граням призмы, имеют индексы
типа (1010). Таких плоскостей (непараллельных) три. Они называются
плоскостями первого рода.
§ 10. Классификация твердых тел
по характеру сил связи
Характер кристаллической структуры твердых тел определяется
главным образом характером сил связи, которые действуют между
структурными частицами (атомами, ионами, молекулами), образую­
щими твердое тело. В соответствии с наличием пяти основных видов
связи различают пять основных типов кристаллических решеток;
ионные, или координационные, решетки, у которых основным видом
связи является ионная; поляризационные, или молекулярные, решетки,
у которых связь осуществляется в основном силами Ван-дер-Ваальса;
атомные решетки с резко выраженной ковалентной связью; металли­
ческие решетки с характерной металлической связью и решетки с водо­
родной связыо.
Проанализируем с этой точки зрения кристаллическую структуру
химических элементов и типичных химических соединений (см.
прнл. IV, табл. 1).
По типам кристаллических структур химические элементы можно
разбить грубо на четыре класса. .Лнализ удобно начать с IV класса.
IV к л а с с. В этот класс входят все инертные газы. При их сжи-
22
жении и кристаллизации между атомами, обладающими сферически
симметричными электронными оболочками, возникают лишь сравни­
тельно слабые силы Ван-дер-Ваальса. Под действием этих сил симмет­
ричные атомы комплектуются в предельно упакованную кубическую
гранецентрированную решетку. Каждый атом такой решетки окружен
12 ближайшими соседями. Принято называть число ближайших сосе­
дей, окружающих данный атом, координационным числом решетки.
ІП к л а с с . В ІП класс входят кремний и углерод из коротких
периодов, германий и олово из группы IV В и все элементы групп УВ,
У1В, V I I B . Элементы этого класса кристаллизуются по правилу 8—М:
каждый атом решетки окружен 8 — б л и ж а й ш и м и соседями, где N—
4
8в
г®)
f
©
ш
IVгр.: C,Si,Gs,Sn Угр.: fis,BL,Sb,P Пгр.: Se, те ]ИГг/).: Г
Ô) В) г)
aj
Рис. 1.19
помер группы, к которой принадлежит элемент. Так, алмаз, кремний,
германий и серое олово являются элементами IV группы периодичес­
кой таблицы элементов. Поэтому координационное число их решетки
должно быть равно 8 — 4 = 4. Действительно, все они имеют тетра-
эдрическую решетку, в которой каждый атом окружен 4 ближайшими
соседями, как показано на рис. 1.19, а. Фосфор, мышьяк, сурьма и
висмут принадлежат к V группе периодической системы. Для них коор­
динационное число равно 8 — 5 = 3. Каждый атом имеет в плоскости
3 ближайших соседа, как показано на рис. 1.19, б. Решетка имеет
слоистый характер. Атомные слои связаны друг с другом силами Ван-
дер-Ваальса.
Селен и теллур, принадлежащие к VI группе, имеют координацион­
ное число 2. Атомы их расположены в длинные спиральные цепочки
так, что каждый имеет двух ближайших соседей (рис. 1.19, в). Цепочки
связаны между собой силами Ван-дер-Ваальса. Наконец, иод принад­
лежит к VI] группе (рис. 1.19, г). Он имеет координационное число 1.
В решетке атомы иода располагаются парами, которые связываются
между собой силами Ван-дер-Ваальса. Этим объясняется высокая ле­
тучесть иода.
Такой характер структур химических элементов, кристаллизую­
щихся по правилу 8 — N, вполне понятен. Атс.мы элементов IV груп-
23
 пы имеют на внешней оболочке 4 электрона. Д л я формирования устой­
чивой 8-электронной конфигурации им недостает еще 4 электронов.
Этот недостаток они пополняют путем обмена электронами с 4 ближай­
шими соседями, как показано на рис. 1.19, а, устанавливая с ними
прочную ковалентную связь. Поэтому каждый атом в кристаллической
решетке этих элементов имеет 4 ближайших соседа. Подобным же об­
разом происходит дополнение до 8 электронов оболочек атомов V, V I ,
VII группы периодической таблицы Менделеева.
К кристаллам с ковалентной связью относятся многие химические
соединения. Типичным примером может служить кварц ЗіОг. В крис­
талле кварца каждый атом кремния окружен тетраэдром из атомов
Рис. ! 20
кислорода (рис. 1.20). соединенных с кремнием ковалентными связями.
Каждый атом кислорода связан с двумя атомами кремния и соединяет
два тетраэдра. Таким образом возникает трехмерная сетка из связей
5 1 — 0 — 51, образующая кристалл с большой твердостью и высокой
точкой плавления.
Интересно отметить, что связи 5 1 — 0 - 5 1 можно выстроить в од.
номерную нитевидную цепь. Такого рода соединения с общей химиче­
ской формулой
« /?
I I I ку с 5 ближайшими соседями, что также соответствует правилу 8 — N,
... — 0 — 5 1 - 0 — 5 1 — 0 — 5 1 — 0 — . . .
I 1 . 1
^ ^« R численных ионных кристаллах, типичным представителем которых
п является кристалл каменной соли NaCl (рис. 1.21). В таких кристаллах
где — любая органическая группа, называются силиконами. Чис­
ло п в цепи может достигать миллионов. Посредством боковых групп R
цепи можно соединять в отдельных местах между собой («сшивать»).
При этом образуются новые вещества — силиконовые каучуки. Вслед­
ствие высокой прочгюсти связей 5)' — О — 51 и большой гибкости сили­
коновых цепей такие каучуки выдерживают гораздо более высокие
и гораздо более низкие температуры, чем натуральные каучуки. Это
24
позволяет применять их для тепловой изоляции космических кораб­
лей, самолетов, а также использовать в суровых условиях севера.
I к л а с с . Самым многочисленным классом является первый,
включающий в себя металлы. Так как в узлах металлических решеток
находятся не атомы, а ионы, обладающие сферической симметрией
инертных газов, то имеются основания ожидать, что металлы будут
кристаллизоваться в столь же плотно упакованные решетки, как и
инертные газы. Действительно, для металлов характерны следующие
три типа кристаллических решеток: кубическая гранецентрированная
с координационным числом 12 (см.
рис. 1.12), гексагональная плотной
упаковки с координационным чи­
слом 12 (см. рис. 1.18) и кубичес­
кая объемноцентрированная с ко­
ординационным числом 8 (см. рис.
1.12). Это наиболее рыхлая для
металлов решетка (в смысле за­
полнения пространства).
II к л а с с . Химические эле­
менты II класса являются до неко­
торой степени промежуточными
между металлами и элементами III
класса, кристаллизующимися по
правилу 8—Л^. Так, элементы груп­
пы ПВ — Z n , Cd и Hg являются
металлами и, казалось бы, должны
были иметь типичную металлическую решетку с высоким координа-
(, ционным числом, в действительности же Zn и Cd кристаллизуются
вособую модификацию гексагональной компактной структуры, в кото­
рой каждый атом имеет не 12, а 6 ближайших соседей, что как раз тре­
буется правилом 8 — N. Эти атомы расположены в плоскости базиса.
Для ртути правило 8 — Л' соблюдается еще более полно: она имеет
простую ромбоэдрическую структуру, в которой каждый атом окру­
жен 6 ближайшими соседями. Бор, принадлежащий к группе IIIB,
имеет решетку, которую можно описать как деформированную решет­
и т. д.
Ионная связь является, как уже указывалось, одним из основных
видов связи в мире неорганических соединений, в частности в много­
невозможно выделить отдельные молекулы. Кристалл следует рассмат­
ривать как плотнейшую упаковку из положительных и отрицательных
ионов, чередующихся так, чтобы создать максимальное электростати­
ческое притяжение между ближайшими соседями. При наиболее бла­
гоприятном соотношении размеров положительных {М+) и отрицатель­
ных (Х-) ионов, имеющем место в кристалле NaCi, ионы касаются друг
друга (рис. 1.22, а) и достигается предельно высокая степень упаковки,
при которой каждый ион окружен 6 ближайшими соседями противо-
25
 положь'ого знака. При менее благоприятном соотношении размеров
М+ и Х - (рис. 1.22, б, в) возникают кристаллические структуры
с другими координационными числами — 4 или 8.
Еще более сложные решетки имеют ионные соединения типа МХ^,
такие, например, как СаС12, Ма^О и т. п. Но принцип их построения
остается прежним: ионы упаковываются таким образом, чтобы отри­
цательные были окружены положительными, и наоборот, в соответ­
ствии с формулой соединения и соотношением их размеров.
Рігс. 1.22
Рассмотрим, наконец, кристаллы с водородной связью. Типичным
представителем таких кристаллов является лед. На рис. 1.23, а пока­
зана плоская схема расположения молекул воды в кристалле льда:
каждая молекула окружена четырьмя ближайшими соседями, отстоя-
6) 3)
Рис. 1.23
щими от нее на расстоянии Гон = 2,76 А, с которыми она образует во­
дородную связь. В пространстве эти молекулы располагаются в вер­
шинах правильного тетраэдра (рис. 1.23, б), сочетание которых и дает
кристаллическую структуру льда (рис. 1.23, е). Структура весь.ма ажур­
ная, что обусловливает аномально низкую плотность льда. При плав­
лении часть водородных связей (~15%) рвется, плотность упаковки
молекул несколько возрастает, вызывая увеличение плотности воды:
плотность льда при О" С составляет 916,8 кг/м^, плотность воды при
той же те.мпературе равна 999,87 кг'м'.
Интересно отметить, что если бы между ^юлcкyлaми воды не су­
ществовало водородной связи, то точка плавления льда равнялась
бы не 0^ С, а —100° С.
26
В заключение еще раз подчеркнем, что водородная связь играет
исключительную роль в биологически важных соединениях; молекулы
протеинов сохраняют своюспиральнуюформу только из-за водородных
связей; те же связи удерживают вместе двойные спирали в Д Н К .
«Не будет преувеличением утверждать, что формы жизни на нашей планете
были бы совершенно иными, а может быть, на Земле и вовсе не было бы жизни,
но будь водородных связей в воде, в протеинах и в нуклеиновых кислотах, ко­
торые образуют живые клетки и управляют наследственностью»*.
На схеме (см. прил. IV, табл. 2) показана общая классификация
твердых тел. В левом верхнем углу помещены типичные металлы с
обобществленными электронами (серебро, медь), в правом — типич­
ные валентные кристаллы с резко локализованными электронными
связями, еще правее — кристаллы с ван-дер-ваальсовой связью. Про­
межуточное положение между металлами и валентными кристаллами
занимают такие элементы, как кремний и германий. При абсолютном
нуле они являются типичными валентными кристаллами; однако с
повышением температуры валентная связь у них постепенно разру­
шается и они все в большей мере приобретают металлические свой­
ства. Такие твердые тела, как сера, фосфор и селен, занимают про­
межуточное положение между валентными кристаллами и кристалла­
ми с взн-дер-ваальсовой связью.
В левом нижнем углу схемы помещены сплавы типа NiCu с харак­
терной металлической связью, в правом — ионные кристаллы (хло­
ристый натрий). Промежуточное положение между ними занимают мно­
гочисленные интерметаллические соединения типа MggSbj, в которых
проявляется ионная связь (Algr^b.^ соответствует соединению ионов
Mg+'' и Sb~^) Промежуточное положение между ионными и валентны­
ми кристаллами занимают такие соед1П)уния, как SiOj, .SiC, у которых
связь носит частично ионный характер, вызванный смещением элект­
ронов. Соединения типа FeS (сернистое железо) и TiOj (двуокись ти­
тана) занимают промежуточное положение между ионными кристал­
лами и кристаллами с ван-дер-ваальсовой связью.
Весьма распространенными являются кристаллы, в атомных пло­
скостях которых действует ионная, или ковалентная, связь, а между
плоскостями — силы Ван-дер-Ваальса.
§ 11. Явление полиморфизма
Некоторым твердым телам свойственна не одна, а две и более кри­
сталлические структуры, устойчивые при различных температурах
и давлениях. Такие структуры называют полцлюрфньши формами,
или модификациями вещества, а переход от одной модификации к дру­
гой — полиморфным превращением.
Полиморфные модификации принято обозначать греческими буква­
ми: модификацию, устойчивую при нормальной и более низкой те.ч-
* П и м е н т е л Г., С п р а т л и Р. Как квантовая механика объяс­
няет химическую связь. М., «Л\мр», 1973, с. 286.
27
 пературє, обозначают буквой а ; модификации, устойчивые при более
высоких температурах, обозначают соответственно буквами р, у, б и
т. д. Классическим примером полиморфизма является полиморфизм
олова. При температуре ниже 13,3° С устойчива «-модификация олова,
имеющая тетрагональную кубическую решетку типа алмаза. Это так
называемое серое олово. Оно хрупкое и легко разрушается в порошок.
Выше 13,3° Са-5п переходит в р-5п, имеющее объемноцентрированную
тетрагональную решетку. Это хорошо известное всем белое металли­
ческое олово, обладающее значительной пластичностью. Переход от
р-Зп к а-5п сопровождается зна-
чительным увеличением удельно­
го объема (-^на 25%). В давние
времена, когда многие изделия из­
готовлялись из олова, загадочное
явление возникновения наростов
на этих изделиях и их разруше­
ние при сильном охлаждении при­
писывалось таинственной болезни
металла — «оловянной чуме».
Кроме олова полиморфизм на­
блюдается у многих других хими­
ческих элементов — углерода, же­
леза, никеля, кобальта, вольфра­
ма, титана, бора, бериллия и т. д.,
Рис. 1.24 а также у многих химических сое­
динений и сплавов.
Интересным и практически важным случаем является полиморфизм
углерода —• существование его в виде алмаза и графита; этот случай
заслуживает более подробного рассмотрения. В решетке алмаза каж­
дый атом окружен 4 ближайшими соседями, расположенными в вер­
шинах тетраэдра (см. рис. 1.14), с которыми он связан прочными ко-
валентными силами; длина связи равна 1,544 А., энергия отдельной
связи составляет примерно 3,5-10'^ Дж/моль.
Решетка графита построена по типу решетки химических элементов
группы УВ таблицы Менделеева: атомы углерода образуют двумер­
ные слои, располагаясь в них так, что каждый из них окружен 3 бли­
жайшими соседями, с которыми он связан ковалентными силами
(рис. 1.24); длина связи Гщ = 1,42 А, т. е. меньше, чем у алмаза, по­
этому ее прочность выше, чем у алмаза. Расстояния между слоями на­
много больше длины связи С—С и составляют л^^ =3,6 А. На столь
большом расстоянии могут проявляться лишь слабые силы Ван-дер-
Ваальса, которые и связывают слои друг с другом. Энергия этой связи
составляет ~(4—8)-10^ Дж/моль.
Столь резкое различие в характере сил связи в структуре алмаза
и графита должно, естественно, приводить к резкому различию их
свойств, что и имеет место в действительности. Алмаз очень тверд и
прочен и является идеальным абразивным материалом; графит легко
скользит по плоскостям, которые связаны слабыми силами Ван-дер-
Ваальса. Поэтому он с успехом используется для изготовления каран-
28
дашных грифелей и в качестве сухой смазки. Электроны в алмазе проч­
но удерживаются между атомами, осуществляя связь между ними.
Свет видимого участка спектра не способен вырывать такие электроны,
вследствие чего не поглощается. Поэтому алмаз является красивым
прозрачным кристаллом, не проводящн.м электрического тока (изоля­
тор). У графита один из четырех валентных электронов атома углеро­
да фактически обобществлен атомами, образующими слой; такие
влектроны легко смещаются под действием внешнего электрического
поля, делая графит двухмерным проводником тока. Наличием по­
движных электронов объясняются поглощение света (серый цвет гра­
фита) и характерный металлический блеск.
В обычных условиях графит является несколько более устойчи­
вой модификацией, чем алмаз, хотя разница в энергии этих модифи­
каций очень невелика — порядка 2 • 10^ Дж/моль:
С (алмаз) ->- С(графит), Ш = —1,88-10' Дж/моль.
Тем не менее такого различия уже достаточно, чтобы при нагревании
алмаза без доступа воздуха до температур выше 1000° С он с за­
метной скоростью переходил в графит.
Плотность алмаза больше, чем графита (3500 и 2250 кг/м' соответ­
ственно), что объясняется неплотной упаковкой атомных слоев в гра­
фите. Поэтому при повышении давления устойчивость алмаза растет,
я графита падает, и при достаточно высоких давлениях алмаз стано­
вится более устойчивым, чем графит: если при этом повысить темпера­
туру, чтобы увеличить подвижность атомов, то графит можно переве­
сти в ал.маз.
Расчет условий, при которых такое превращение будет идти с за­
метной скоростью, был проведен советским физиком о . И. Лейпунским.
«Во-первых, — пишет Лейпуиский, — надо нагреть графит не менее чем
до 2000° с , чтобы атомы углерода могли переходить с места на место. Во-вторых,
его надо при этом сжать чудовищным давлением, не меньшим, чем в 60 ООО ат­
мосфер»*.
Эти условия были впервые осуществлены сотрудниками американ­
ской фирмы «Дженерал электрик», которым удалось получить в 1955 г,
первые искусственные алмазы в виде темных невзрачных кристаллов;
самый крупный из них имел длину 1,5 мм. Вслед за этим синтез алма­
зов был освоен Швецией, Голландией и Японией.
В Советском Союзе промышленное производство сиптетігческих
алмазов было налажено с 1961 г. Синтез ведется при давлешпі по­
рядка 100 ООО агм и температуре порядка 2000^^ С. Полученные таким
способом искусственные алмазы оказались прочнее и тверже природ-
ІП.ІХ и их применение в промышленности примерно на 40% эффективнее
естественных.
По типу алмаза синтезирован другой материал исключительно вы­
сокой твер.юстн — кубический нитрид бора ВЫ, получивший название
* Л с й п у н с к и й О. И. Цит. по И. И. Шафрановскому. Алмазы. М.,
іНаука», 1964.
29
 боразона. Он тверже алмаза н выдерживает нагрев в атмосферных усло­
виях до 2000° С. В своей гексагональной модификации нитрид бора по­
добен графиту, представляя собой белый порошок, жирный на ощупь,
С теоретической точки зрения полиморфизм должен был бы наблю­
даться у всех твердых тел, если бы область их устойчивого существова­
ния не ограничивалась процессами плавления и сублимации. Сущест­
вование полиморфизма непосредственно связано с изменением интен­
сивности и характера сил связи в решетке кристалла при изменении
интенсивности движения атомов и расстояния между ними вследствие
нагревания кристалла или приложения внешнего давления. Вблизи
абсолютного нуля устойчивой должна быть структура с наиболее проч­
ной связью, возможной для данной совокупности атомов. Для олова,
относящегося к IV группе таблицы Менделеева, такой структурой яв­
ляется структура алмаза, в которой каждый атом связан с 4 ближай­
шими соседями прочными валентными связями Однако с повышением
температуры эти связи вследствие резкой своей направленности и
жесткости легко разрушаются тепловым движением и уже при темпе­
ратуре выше 13,3° С более выгодной оказывается гибкая металлическая
связь, возникающая путем обобществления валентных электронов.
Этой связи соответствует своя устойчивая кристаллическая структу­
ра — тетрагональная объе.мноцентрированная.
Переход от одной модификации к другой сопровождается выделе­
нием или поглощением скрытой теплоты превращения и поэтому яв­
ляется фазовым переходом 1-го рода. Так как такой переход связан
с перестройкой решетки, а подвижность атомов в твердых телах низ­
кая, то модификация, термодинамически неустойчивая в данных усло-
спях, может существовать в этих условиях практически неограничен­
ное время. Ярким примером этого служит алмаз, который в обычных
условиях может существовать сколь угодно долго, не превращаясь
в более устойчивую в этих условиях модификацию — графит.
Полиморфизм имеет исключительно важное практическое значение.
Так, придание сталям различных свойств при их термической обработ­
ке, получение нержавеющих сталей, сообщение разнообразным спла­
вам необходимых свойств в значительной мере основаны на использо­
вании явления полиморфизма.
§ 12. Несовершенства и дефекты
кристаллической решетки
Мозаическая структура. Обширный материал по изучению струк­
туры реальных кристаллов показывает, что их внутреннее строение
существенно отличается от строения идеальных кристаллов. Прежде
всего реальные кристаллы имеют мозаическую структуру: они по­
строены из блоков правильного строения, расположенных лишь при­
близительно параллельно друг другу. Размеры блоков колеблются от
10-' до 10-*м, величина углов между ними—от нескольких секунд до
десятков минут. Так как кристаллическая решетка в соприкасающихся
блоках имеет различную ориентацию, то возникает переходной слой,
в котором решетка постепенно переходит от ориентации, свойственіюй
30
одному блоку, к ориентации, свойственной другому блоку. Поэтому
решетка в этом слое искажена по сравнению с решеткой идеального
кристалла.
Еще большему искажению подвергается решетка у границ зерен
поликристалла, так как ориентация зерен друг относительно друга
может отличаться на десятки градусов. Границы зерен и блоков яв­
ляются носителями избыточной свободной энергии, обусловливающей
повышенную скорость протекания химических реакций полиморфных
превращений, диффузии и др.; они являются также эффективными
центрами рассеяния носителей тока, определяющими значительную
долю электрического сопротивления твердого тела (металла, полупро-
водни ка).
а) б) 6)
Рис. 1.25
Дефекты по Френкелю. Распределение энергии между атомами
твердого тела, как и между молекулами газа и жидкости, является
весьма неравномерным. При любой температуре в кристалле имеются
атомы, энергия которых во много раз больше и во много раз меньше
среднего значения, отвечающего закону равномерного распределения
ее по степеням свободы. Атомы, обладающие в данный момент доста­
точно высокой энергией, могут не только удалиться на значительное
расстояние от положений равновесия, но преодолеть потенциальный
барьер, созданный соседними атомами, и перейти в новое окружение,
в новую ячейку. Такие атомы приобретают способность как бы «испа­
ряться» из своих узлов решетки и «конденсироваться» во внутренних ее
полостях — в междоузлиях (рис. 1.25, а). Этот процесс сопровождается
возникновением вакантного узла (вакансии) и атома в междоузлии
(дислоцированного атома) Такого рода дефекты решетки называются
дефектами по Френкелю.
Расчет показывает, что равновесное количество внедрившихся ато­
мов Лф при данной температуре определяется следующим соотношением:
rtф = Л^Ve-'^*/*^ (1.18)
где Еф — энергия образования внедрения, по порядку величины рав­
ная единицам электропвольт; — число узлов решетки в данном
объеме; А — целое число (обычно близкое 1), характеризующее коли­
чество одинаковых междоузлий в расчете на один атом решетки.
Как атомы в междоузлии, так и вакансии не остаются локализован­
ными в одном месте и диффундируют в решетке. Диффузия дислони-
31
 рованного атома происходит путем перехода его из одного междоузлия
в другое, диффузия вакансии—путем последовательного эстафет­
ного заполнения ее соседними атомами (рис. 1.25, а): при переходе на
вакантное место / атома 2 вакансия перемещается в узел 2, при пере­
ходе атома 3 в освободившийся узел 2 вакансия перемещается в узел 3
и т. д.
Дефекты по Шоттки. Помимо внутреннего испарения возможно
полное или частичное испарение атомов с поверхности кристалла. При
полном испарении атом покидает поверхность кристалла и переходит
в пар (рис. 1.25, б). При частичном испарении атом переходит с по­
верхности в положение над поверхностью (рис. 1.25, в). В том и другом
случаях в поверхностном слое кристалла образуется вакансия. При
замещении вакансии глубжележащим атомом она втягивается внутрь
кристалла и диффундирует по его объему. Этим вакансиям уже нельзя
сопоставить дислоцированные атомы, так как их образование не сопро­
вождается одновременным внедрением атомов в междоузлия. Такого
рода вакансии называют дефектами по Шоттки. Расчет показывает,
что в кристалле, содержащем N узлов, равновесное количество вакан­
сий пш равно
пш = ^е » ^ (1.19)
где ^"ш — энергия образования вакансии. Она несколько ниже Еф
и для алюминия, например, составляет 0,75 эВ. Подставив это в (1.19)
и положив Т = 300 К, получим «ш « 10^* м - ' ; при Т л ; 923 К, т. е.
при температуре, близкой точке плавления алюминия (7'пл = 933К),
лш « 10^5 м"^. Это значение характерно для всех металлов вблизи их
точки плавления.
Энергия образования дефектов по Френкелю приблизительно равна
сумме образования вакансии и внедрения.
Дефекты по Френкелю и по Шоттки оказывают большое влияние на
многие процессы в кристаллах. Они являются центрами рассеяния но­
сителей, понижающими их подвижность. Дефекты могут служить ис­
точником носителей, т. е. действовать подобно донорам и акцепторам
(обычно дефекты проявляют акцепторное действие); могут оказывать
сильное влияние на оптические, магнитные, механические и термоди­
намические свойства кристаллов, особенно на свойства тонких полу­
проводниковых пленок и мелкокристаллических образцов.
Примеси. Примеси являются одним из наиболее важных и распро­
страненных дефектов структуры реальных кристаллов. Современні.іе
способы очистки не позволяют получать абсолютно чистые материалы.
Даже наиболее чистые из них содержат до 10-'% примесей, что соот­
ветствует содержанию 10" атомов примеси в 1 м' вещества. Чтобы об­
разно представить себе степень чистоты такого вещества, укажем, что
она эквивалентна загрязнению примерно 10 т пшеницы одним зерном
яч.ченя.
В зависимости от природы примесей они могут находиться в кри­
сталле или в растворенном состоянии, или в виде более иЛи менее
крупных включений. Процесс растворения состоит в том, что примес-
32
ные атомы внедряются в промежутки между атомами кристалла или
замещают часть этих атомов, размещаясь в узлах решетки. В первом
случае твердый раствор называют раствором внедрения (рис. 1.26, а),
во"втором случае —- раствором замещения (рис. 1.26, б). Так как чуже­
родные атомы по своей физической природе н размерам отличаются от
атомов основного кристалла, то их присутствие вызывает искажение ре­
шетки кристалла.
Примеси могут оказывать существенное влияние на химические,
оптические, магнитные и механические свойства твердых тел. Они
являются эффективными центрами рассеивания носителей тока, обу­
словливая электрическое сопротивление, не исчезающее при абсолют­
ном нуле. В полупроводниковых
кристаллах примеси создают но­
вые энергетические уровни и при­
водят к появлению примесной
проводимости. Как показывает
расчет, совершенно чистый крем­
ний должен иметь удельное сопро­
тивление порядка 2000 Ом-м; со­
держание в нем активных приме­
сей в количестве 10-'*% снижает
удельное сопротивление до единиц.
Технически чистый германий дол­
гое время считался металлом, так как его удельное сопротивление
такого же гюрядка, что и у металлов. Только глубокая очистка, до­
ведшая содержание примесей в германии до 1 0 - ^ - 1 0 - ' % , «сделала»
его типичным полупроводником.
Интересные данные получены по исследованию свойств предельно
чистых металлов. Так, тщательно очищенное железо оказалось хими­
чески инертным и не подвергается коррозии даже в условиях тропичес­
кой влажности; титан, хром, висмут, вольфрам, молибден, имевшие
репутацию хрупких, оказались пластичными даже в условиях глубоко­
го охлаждения; олово, очищенное досодержания примесей «5-10-'^%,
настолько мягко, что изгибается под действием собственного веса,
как тесто.
Поразительными оказались опыты по эффекту обезвоживания:
вещества, осушенные до ничтожного содержания остаточной влаги,
сильно меняют свои свойства. Так, осушенный гремучий газ не взры­
вается при высокой температуре; окись углерода не горит в кислороде;
серная кислота не взаимодействует с щелочными металлами и т. д.
Английский химик Бейкер запаял в стеклянных трубках 11 тщательно
очищенных индивидуальных химических веществ вместе с фосфорным
ангидридом (сильным поглотителем влаги). Трубки были вскрыты через
9 лет в условиях, исключающих попадание влаги. Результаты оказа­
лись удивительными: у всех веществ резко повысилась точка кипения.
Например, у бензола она оказалась на 26°С выше табличной, у этило­
вого спирта _Ь на 60° С, у брома ± . на 59° С, у ртути почти Х на 100° С.
Опыты последующих исследователей подтвердили эти результаты.
Более того, было установлено, что у сверхсухих веществ меняется не
33
г -1620
только температура кипения, но температура плавления и другие ГЛАВА II
свойства.
Несмотря на значительные успехи, достигнутые в области получе­ МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ
ния сверхчистых веществ, требования к дальнейшему повышению сте­
пени их очистки непрерывно растут и уже в ближайшем будущем по­
требуются материалы с содержанием примесей, не превышающим
10-^"— 10-"%. Это относится прежде всего к материалам, используе­
мым в установках по термоядерному синтезу, к материалам для микро­
электроники и для других отраслей промышленности. Такие материалы
не только трудно получать, но и сохранять в них достигнутую степень
чистоты, особенно если они перед применением должны проходить ка­
Из всех свойств, которыми обладают твердые тела, наиболее харак­
кую-либо обработку. Чтобы проиллюстрировать, насколько легко
терными являются механические свойства — прочность, твердость,
впасть в ошибку при работе с такими веществами, напомним об од­
пластичность, износостойкость и др. Именно благодаря этим свойст-
ном случае, рассказанном известным немецким физиком Гейзенбер-
иам твердые тела получили столь широкое практическое применение
гом. При облучении мишени потоком нейтронов в масс-спектрометре
в качестве конструкционных, строительных, электротехнических, маг­
было зарегистрировано появление ядер золота. Этот эффект исчез,
нитных и других материалов, без которых немыслимо развитие мате­
когда экспериментатор снял с себя и убрал очки в золотой оправе.
риального производства Даже названия целых эпох ранней цивили-
вации связаны с названием твердых тел, механические свойства кото­
рых обусловили качественный скачок в развитии человеческого об­
щества, — каменный век, бронзовый век, железный век и т. д.
В настоящей главе кратко излагаются современные физические
Представления о механических свойствах твердых тел, закономерно­
стях их пластического течения и разрушения, физической природе
прочности и перспективах разработки материалов с уникальными меха­
ническими свойствами,

§ 13. Упругая и пластическая деформации.

Закон Гука

При действии на кристалл внешней растягивающей нагрузки рас­

стояние между атомами увеличивается и равновесное расположение их
II кристалле нарушается. Это приводит к нарушению равенства сил
притяжения и отталкивания, характерного для равновесного состоя­
ния атомов в решетке, и возникновению внутренних сил, стремящихся
вернуть атомы в первоначальные положения равновесия. Величину
«•их сил, рассчитанную на единицу площади поперечного сечения кри­
сталла, называют напряжением Вычислим его.
В гл I было показано, что энергия взаимодействия частиц / и 2
и твердом теле является функцией расстояния г между ними и опи­
сывается кривой и (г), схематически показанной на рис 2.1, а. При
смещении частицы 2 из положения равновесия на расстояние х, т. е.
при увеличении расстояния между частицами ю г ~ + х, энергия
•ШСТИЦЫ увеличивается, становясь равной и (г). Изменение энергии
и (х) — и (г) — и (/•„) можно найти, разлагая О (г) в ряд Тейлора по
с т е п е н я м х:

35
 Ограничиваясь квадратичным членом разложения и учитывая, что
(ди/дг]о в точке О' равна нулю, находим
(2.2)
где р — жесткость связи.
Мы получили приближенное выражение для изменения энергии
частицы вследствие смещения ее из положения равновесия на расстоя­
ние X. Приближенным оно яв­
ляется потому, что в разложении
(2 1) мы ограничились квадра­
тичным членом и отбросили чле­
ны более высокого порядка. Гра­
фически зависимость в таком
приближении выражается пара­
болой, показанной нарис. 2 . 1 , а
пунктиром.
Сила, которая возникает меж­
ду частицами 7 и 2 при измене­
нии расстояния между ними на
X, равна
ди (X)
1= = -рл:. (2.3)
;2
' Ж
О'
\
ч
ч частиц относительно друг друга вследствие деформации тела, остаются
I линейными функциями смещения, напряжения а, формирующиеся
5}
1'
Рис. 2.1 Рис. 2.2
Как видно из ('2.3),сила пропорциональна первой степени смещения к
и направлена к положению равновесия, на что указывает знак минус.
Известно, что под действием такой силы тело совершает гармоничес­
кие колебания. Поэтому такую силу называют гармонической, а при­
ближение (2.2), приведшее к гармонической силе, называют гармони­
ческим приближением. На рис. 2.1, б показан схематический график
зависимости / (х) в области малых значений к; он представляет собой
прямую линию.
Теперь представим себе, что к стержню с поперечным сечением 5
и длиной 1 приложена растягивающая сила Р. которая изменяет рас­
стояние между соседними атомными плоскостями 1 к 2 на X, вызывая
36
тем самым удлинение стержня на М (рис. 2.2). Эта сила будет уравно­
вешена внутренней силой вн, численно равной
/^вн = fN = Nf,x, (2.4)
Рде — число частиц, находящихся в атомном слое площадью 5.
Напряжения о, которые возникнут в растянутом стержне, будут
равны
0 = - ^ = — р х = сх. (2.5)
5 5
где с = N^,'8. Умножая и деля правую часть (2.5) на расстояние меж­
ду атомными плоскостями г„, получим
= сг„ — = £ е , (2.6)
'о
где
Е==сг,^^К (2-7)
называется модулем упругости, или модулем Юнга, а
е = (2.8)
представляет собой относительное изменение параметра решетки в на­
правлении действия внешней силы Р.
Умножая числитель и знаменатель выражения (2.8) на число атом-
пых слоев Л'дд, раз.мещающихся на длине образца Ь, найдем
е= - £ ^ = .^, (2.9)
Таким образом, 8 представляет собой относительное удлинение образ­
ца, вызванное действием внешней растягивающей силы.
Из формулы (2.6) видно, что до тех пор, пока выполняется гармо­
ническое приближение, т. е. пока силы, возникающие при смещении
и теле, будут пропорциональны относительной деформации тела;
а = Ее..
Коэффициентом пропорциональности служит модуль упругости Е.
Формула (2.6) выражает известный закон Гука. Как видим, он
справедлив лишь постольку, поскольку справедливо гармоническое
приближение, т. е. для очень малых относительных деформаций е.
Из формулы (2.6) легко установить физический смысл модуля упру­
гости. Положив 8 = 1 , находим о = Е. Следовательно, модуль упру­
гости численно равен напряжению, которое способно было бы вызвать
растяжение образца на Д^. = Е, если бы при этом закон Гука не на­
рушался и образец не разрушался. Ни один реальный материал, кроме
резины, таких деформаций не выдерживает.
В качестве примера в табл. 2.1 приведены значения модуля упру­
гости для ряда металлических кристаллов.
37
 Таблица
Е, ГЛа С, ГПа
Вещество
максимум минимум максимум
77 64 29
400 400 155
290 135 118
514 437 184
194 68 77
126 365 497
Из данных табл. 2.1 видно, что модуль упругости твердых тел
имеет весьма высокое значение (порядка 10'" — 10" Па), что свиде­
тельствует о том, что в этих телах силы связи очень велики.
Для ряда кристаллов модуль упруго­
сти существенно зависит от направления,
в котором происходит деформация решет­
ки. В табл. 2.1 приведены значения £ для
направлений, в которых он максимален и
минимален. Отношение £макс-'''^м11и Д-^чя
некоторых кристаллов достигает 3, что
указывает на высокую анизотропию таких
кристаллов.
Модуль упругости зависит только
07 природы атомов (молекул), образую-
^'^'^ ^-^ щих тело, и от их взаимного располо­
жения. Изменить его можно лишь путем
значительного изменения состава или внутренней структуры
твердого тела. Однако и в этом случае наблюдается лишь срав­
нительно небольшое изменение Е. Так, введение в сталь значительных
количеств легирующих добавок, термическая обработка, холодная
прокатка и т. д. сильно увеличивают ее твердость и другие механичес­
кие характеристики и лишь незначительно изменяют (до 10%) модуль
упругости; введение в медь до 40% цинка не меняет практически модуль
упругости, хотя другие свойства меняются при этом очень сильно.
Л\ы рассмотрели деформацию растяжения. Однако все рассуждения
и полученные результаты остаются справедливыми и для других видов
деформации — сжатия и сдвига. В последнем случае следует брать
вместо модуля упругости модуль сдвига О, значения которого также
приведены в табл. 2.1.
При непрерывном увеличении внешней нагрузки непрерывно растут
напряжение о и деформация е (рис. 2.3). При некотором напряжении а „
характерном для каждого материала, наблюдается или разрушение
кристалла, или нарушение прямой пропорциональности между о и в
и возникновение остаточной (пластической) деформации еоот> не ис­
чезающей после снятия внешней нагрузки. В первом случае материал
является хрупким, во втором — пластичным. Напряжение а,, при ко­
тором начинается заметное течение тела, называется пределом текучгс-
38
2.1
щи; области ОА н АВ — соответственно областями упругой и пласти­
ческой деформации.
В хрупких материалах предел упругости совпадает с пределом проч­
минимум ности, поэтому они разрушаются без видимой пластической деформа­
ции. В пластичных же металлах предел упругости и текучести, как
25 правило, значительно меньше предела прочности. Поэтому разрушение
155 таких материалов происходит после значительной пластической
60 деформации.
171
31
278 § 14. Основные закономерности пластического
течения кристаллов
Остаточная деформация возникает во всех случаях испытания
пластичных кристаллов на растяжение и сжатие, если напряжение
и кристалле превысит предел текучести. Однако причиной появления
итой деформации не могут служить ни растяжение, ни сжатие как тако-
ные. Увеличение степени растяжения кристалла может привести лишь
к увеличению расстояния между атомными плоскостями, перпендпку-
Рис. 2.4
лпрными действующей силе. При достаточном удалении этих плоскос­
тей друг от друга силы притяжения между ними могут оказаться не­
способными уравновесить внешнюю нагрузку и кристалл разрушается.
Сжатие может вызвать лишь сближение атомных плоскостей, продол­
жающееся до тех пор, пока возникающие силы отталкивания между
огомами не уравновесят внешнюю нагрузку. Деформация в этом слу­
чае является идеально упругой и не может привести к необратимым
перемещениям частей решетки.
Пластическая деформация может возникнуть в результате дейст­
вия лишь скалывающих напряжений, способных вызвать смещение од­
них частей кристалла относительно других без нарушения связи меж­
ду ними. Такое смещение называют скольжением. Оно составляет сущ­
ность процесса пластического течения кристаллических тел. На
рис. 2.4 показано возникновение и развитие остаточной деформации
II кристалле (рис. 2.4, о) при действии сдвигающей силы Р. До тех пор
пока не достигнут предел упругости, кристалл деформируется упруго
(рис. 2.4, б) и касательные напряжения т растут пропорционально
относительной деформации сдвига у (закон Гука):
(2.10)
39
 Таблица
Содержание Плоскость Направление
Металл примесей,
10-* скольжения скольжения
т„
0,4 (0001) ;ioo
5 (0001) 100
10 (111) 101
Никель 20 (111) 101
Серебро 1 (111) 101
Цинк 4 (0001) 100
fG — модуль сдвига); после снятия внешней нагрузки атомы возвра­
щаются в свои первоначальные положения. При превышении предела
упругости внутри кристалла вдоль определенных плоскостей S, на­
зываемых плоскостями скольжения, происходит сдвиг одной части
кристалла относительно другой (рис. 2.4, в) на одно или несколько
атомных расстояний. После снятия внешней нагрузки упругие напря­
жения решетки снимаются, однако одна часть кристалла остается сме­
щенной относительно другой (рис. 2.4, г). Из таких малых необрати­
мых смещений, протекающих во многих плоскостях скольжения, скла­
дывается остаточная деформация кристалла в целом.
Способность кристалла к пластической деформации определяется
прежде всего характером сил связи между его структурными элемен­
тами.
Ковалентная связь, обладающая строгой направленностью, резко
ослабляется уже при незначительных смещениях атомов друг относи­
тельно друга. При сдвиге эта связь разрушается раньше, чем атомы ус­
певают устанавливать ее с другими своими соседями. Поэтому кристал­
лы валентного типа (алмаз, кремний, германий, сурьма, висмут,
мышьяк и др.) не проявляют способности к пластической деформации.
По исчерпании упругой деформации они хрупко разрушаются.
Металлическая связь, не имеющая направленного характера, ме­
няется, наоборот, очень слабо при тангенциальных смещениях атомов
друг относительно друга. Поэтому возможны весьма большие смеще­
ния (на тысячи атомных расстояний) одних частей решетки относи­
тельно других, что и определяет высокую степень пластичности крис­
таллов этого типа.
Ионная связь занимает промежуточное положение между металли­
ческой и ковалентной связями. Она не столь направленная, как кова­
лентная, но и не столь гибкая, как металлическая. Типичные ионные
кристаллы NaCl, CaF^, K C l и т. д. являются почти такими же хруп­
кими, как и кристаллы валентного типа. В то же время кристаллы хло­
ристого серебра обладают достаточно высокой пластичностью.
Скольжение в кристалле протекает по определенным кристаллогра-
фически.м плоскостям и направлениям. Таковыми являются обычно
наиболее плотно упакованные атомные плоскости и направления.
Объясняется это тем, что плотно упакованные плоскости и направлени я
40
2.2 являются наиболее прочными, так как расстояния между атомами в них
наименьшие и связь между ними наибольшая. С другой стороны, рас­
стояние между такими плоскостями наибольшее [см. (1.17)], вслед­
.10-' Па ствие чего связь между ними наименьшая. Скольжение вдоль этих
плоскостей и направлений протекает при минимальном нарушении
в расположении атомов и является поэтому наиболее легким.
0,058
Совокупность плоскости скольжения и направления скольжения,
о! 083 лежащего в этой плоскости, образует систему скольжения. В кубичес­
0,1 кой гранецентрнрованной решетке плоскостью скольжения является
0,'58
0,06
0,094
Плоснвсти скольжения
Критамдо дефорноаии
Нрито/Ппост Реформации
Рис. 2.5
плоскость октаэдра (111), направлением скольжения — направление
пространственной диагонали [1111. В гексагональных кристаллах пло­
скостью скольжения является плоскость базиса (0(Х)1), направле­
нием скольжения X — одна из трех осей, лежащих в плоскости базиса
(рис. 2.5; Р — внешнее деформирующее усилие).
Многочисленные исследования показали, что сдвиг в кристалле по
данной системе скольжения происходит лишь начиная с момента, когда
скалывающее напряжение т, действующее в этой системе скольжения,
достигает критического значения т „ , называемого критическим ска­
лывающим напряжением. В табл. 2.2 приведены значения критических
скалывающих напряжений для ряда чистых металлических моно­
кристаллов.
Из данных табл. 2.2 видно, что для наиболее пластичных моно­
кристаллов критическое скалывающее напряжение не превышает
10« Па.
Критическое скалывающее напряжение сильно зависит от степени
предварительной деформации кристалла, увеличиваясь с ее ростом.
Это явление получило название упрочнения, или наклепа. Так, предва-
41
рительная деформация монокристаллов магния на 350% приводит
к увеличению Тд примерно в 25 раз. Еще большее упрочнение испыты­
вают кристаллы кубической системы — алюминий, медь, никель и др.
Упрочнение кристаллов свидетельствует о протекании в них не­
обратимых процессов, связанных с перемещением атомов и отдельных
частей кристалла друг относительно друга, что должно приводить
к изменению внутренней энергии кристаллов. Экспериментальное
изучение этого явления показало, что в процессе пластического дефор­
мирования твердых тел их внутренняя энергия действительно увеличи­
вается, в табл. 2.3 приведены максимальные количества энергии, ко­
торые накапливают различные металлы в процессе деформации.
Т а б л и ц а 2,3
(?. Дж/кг (Э. Дж/кг
Алюминий 44П0 Никель 3120
Медь 2000 Латунь 2000
Железо 4800
Если бы эта энергия была превращена в теплоту, то ее оказалось
бы достаточно для нагревания металла на несколько градусов.
Так как накопление энергии в кристалле в процессе пластического
деформирования связано с необратимыми смещениями атомов и частей
кристалла друг относительно друга, то эта энергия представляет по
существу энергию остаточных напряжений, возникающих в упруго
искаженных участках кристаллической решетки.
Повышенное значение внутренней энергии холоднодеформирован-
пого кристалла делает его термодинамически менее устойчивым по
сравнению с отожженным состоянием. Это приводит к возникновению
и развитию в кристалле процессов, стремящихся приблизить его к рав­
новесному состоянию. Такими процессами являются отдых и рекри­
сталлизация.
Отдых состоит в рассасывании внутренних напряжений вследствие
перемещения атомов искаженных областей решетки в свои равновесные
положения. Этот процесс протекает без видимого изменения структуры
кристалла и приводит к частичному или полному снятию упрочнения,
полученного в результате пластического деформирования. Являясь
диффузионным процессом, отдых протекает со скоростью, резко зави­
сящей от температуры и скрытой энергии деформирования. Металлы
с низкой точкой плавления (олово, свинец, кадмий, цинк и др.) уже
при комнатной температуре имеют сравнительно высокую скорость
самодиффузии, поэтому отдыхают с заметной скоростью. В то же время
в пластически деформированных тугоплавких металлах отдых при ком­
натной температуре практически не идет, но он резко усиливается
с повышением температуры (при 315° С за I мин протекает такой же
отдых, какой происходит при комнатной температуре за 100 лет).
При температуре, составляющей примерно четверть температуры
плавления металла (в абсолютной шкале), интенсивно развивается
другой процесс, также приводящий к разупрочнению наклепанного
кристалла, — процесс рекристаллизации. В отличие от отдыха, про­
текающего без видимого изменения структуры кристалла, при рекри-
42
сталлизации в образце возникают и растут новые кристаллы, свобод­
ные от внутренних напряжений. Центры этих кристаллов зарождаются
в первую очередь в наиболее искаженных областях решетки, богатых
избыточной свободной энергией. Происходит, таким образом, полное
изменение микроструктуры образца и переход его в общем случае от
монокристального к поликристальному состоянию. Скрытая энергия,
которая была накоплена в деформированном кристалле, выделяется
при рекристаллизации в форме теплоты.
§ 15. Механическое двойникование
Пластическая деформация может протекать также путем двойнико-
вания, представляющего собой процесс последовательного смещения
друг относительно друга атомных плоскостей, параллельных плоско­
сти двойникования, на одно и то же расстояние, составляющее некото­
рую часть параметра решетки. На
рис. 2.6 приведена схема двойни­
кования кристалла AECDA; об­
ласть А BCD А представляет собой N |\ к
недеформированную часть кристал­
ла, БЕСВ — часть, испытавшую
двойникование, ВС — ось двойни­
кования. Крестиками обозначены
положения атомов до двойникова­
ния. Плоскость, проходящая че­
рез ось двойникования и отделяю­
щая двойниковую область от не­
искаженной части кристалла, на­
зывается плоскостью двойникова­
ния.
Рис. 2.6
На рис. 2.6 видно, что при
двойниковании атомы плоскости / /
сдвинуты относительно плоскости двойникования ВС в направления
двойникования на часть атомного расстояния. Плоскость 22 сдвинута
па такую же часть атомного расстояния относительно плоскости / /
и на удвоенную часть этого расстояния относительно плоскости двой­
никования и т. д. Иначе говоря, каждая атомная плоскость, параллель­
ная плоскости двойникования, смещается вдоль самой себя на расстоя­
ние, пропорциональное расстоянию ее от плоскости двойникования.
В результате этого атомы в двойниковой области занимают положе­
ния, соответствующие зеркальному отображению структуры недефэр-
Мированной части кристалла относительно плоскости двойникования.
Двойникование, как и скольжение, развивается только по опреде­
ленным кристаллографическим плоскостям. Для гранецентрированных
кубических решеток такой плоскостью является плоскость (112), для
гексагональных плотно упакованных кристаллов — плоскость (1012)
и т. д. Д л я осуществления двойникования необходимо, чтобы каса­
тельные напряжения достигали критического значения. Развивается
43
 этот процесс очень быстро и сопровождается обычно характерным где X—смещение атомов от положения равновесия, Ь=а— расстояние
потрескиванием. между атомами в плоскости скольжения, А — постоянная.-Для ма­
Так как при двойниковании происходят лишь незначительные сме­ 2iu 2лх
лых смещений зіп ~ Г ~ Ь поэтому
щения соседних атомных плоскостей друг относительно друга, то оно
не может привести к большой остаточной деформации. Так, в цинке А2пх/Ь.
т^А2пх/Ь. (2.12)
полный переход кристалла к двойниковой ориентировке вызывает
удлинение его только на 7,39%. Поэтому в кристаллах, способных к С другой стороны, для малых смещений справедлив закон Гука:
пластическому течению путем скольжения, на двойникование приходит­ т = Gx/d, (2.13)
ся обычно лишь незначительная доля общей пластической деформации.
где С—модуль сдвига, й —расстояние между плоскостями. Из (2.12)
У валентных же кристаллов, у которых процесс скольжения разви­
ваться не может, незначительная деформация перед разрушением обес­ И (2.13) получим Л = - Поэтому
печивается двойникованием. У гексагональных кристаллов, неблаго­ Ö . 2ядс
приятно ориентированных по отношению внешней силы, двойнико­ т= — Sin — . (2.14)
2я b
вание, вызывающее изменение ориентации кристалла, может привести
к значительной остаточной деформации путем обычного скольжения. При л: = 6/4 касательное напряжение т достигает максимального.зна­
чения Тк, которое и принимается за теоретическую прочность:
§ 16. Теоретическая и реальная прочности (2.15)
кристаллов на сдвиг d 2л
Основным механизмом пластического течения кристаллов является Полагая b — d, найдем.
сдвигообразование. Долгое время считалось, что такое сдвигообразо- (2.16)
вание происходит путем жесткого смещения одной части кристалла от­ т„ = -2л
носительно другой одновременно по Критическое скалывающее напряжение должно составлять, та­
всей плоскости скольжения 5 5 (рис. ким образом, примерно десятую долю от модуля сдвига. Более строгий
SS 2.7)^ учет характера сил взаимодействия между атомами приводит к незна­
^ Произведем грубую оценку величи­ чительному уточнению этой величины. Наименьшее значение, которое
ны касательного напряжения, необходи­ получено для т„, равно О/ЗО. В табл. 2.4 • приведено для ряда метал­
а) мого для производства такого сдвига. лических кристаллов т„, определенное из опыта и вычисленное теоре­
тически. Сравнение этих величин показывает, что реальная прочность
кристаллов на сдвиг на 3—4 порядка меньше теоретически вычисленной
прочности этих кристаллов. Это свидетельствует о том, что сдвиг
6) а кристаллах происходит не путем жесткого смешения атомных плос­
костей друг относительно друга, а осуществляется таким механиз­
г-— SS
мом, при котором в каждый момент имеет место смещение относи­
тельно малого количества атомов. Это привело к развитию дис­
а) локационной теории пластического течения кристаллов.
Рис. 2.7 Рис. 2.8
Таблица 2.4
В неискаженной решетке атомы .адух соседних параллельных пло­
скостей занимают положения равновесия, отвечающие минимуму по­ 10~- Па (теоретическое)
t„. 10-'Па
тенциальной энергии (рис. 2.7, а). Силы взаимодействия между ними Металл (эксперименталь­ О, 10"
ное) G/30
равны нулю. При постепенном смещении одной атомной плоскости от­ O/in
носительно другой возникают касательные напряжения т, препятст­
вующие сдвигу и стремящиеся восстановить нарушенное равновесие Медь 0,10 4620 735 154
0,06 2910 455 97
(рис. 2.7, б). Принимая для этих напряжений синусоидальный закон Серебро
7800 1240 260
Никель 0,58
изменения с величиной смещения (рис. 2.8), сопротивление сдвигу 2,90 6900 1100 230
Железо
можно выразить следующим образом: Магний 0,08 1770 280 59
0,09 3780 600 126
Цинк 420
т = А$т—, (2.И) Квдмий 0,06 26-10

44
I 45
 § 1 7 . Понятие о дислокациях. дена в нижнюю часть решетки, дислокация считается отрицательной
Основные типы дислокаций (рис. 2.10, б). Дислокацию, у которой вектор смещения равен постоян­
ной решетки, называют единичной дислокацией, или дислокацией еди­
Дислокационная теория пластического течения исходит из пред­ ничной мощности. Прохождение единичной дислокации через сечение
положения, что процесс скольжения начинается всегда в местах на­ кристалла приводит к смещению одной его части относительно другой
рушения структуры кристалла и распространяется по плоскости сдви­ на Ь. Продвижение положительной дислокации влево вызывает такое
га путем последовательного перемещения этого искажения, охваты­
вающего в каждый момент лишь относительно небольшое количество
атомов. Искажения такого рода называются дислокациями.
Рассмотрим основные типы дислокации.
Линейные дислокации. Пусть в кристалле К по плоскости А BCD
произошло скольжение в направлении вектора b на участке AHED
(рис. 2.9). Атомные плоскости, распо­
ложенные по обе стороны от плоско­
сти скольжения А ИБО, претерпе­
вают смещение друг относительно
друга на расстояние b в направле­ Рис. 2.10
нии скольжения. Граница ИЕ, отде­
Вентор
сномьмения ляющая область AHED, в которой
скольжение произошло, от области же смещение частей решетки, как и прохождение отрицательной дисло­
(сдвига) кации вправо (рис. 2.10, а, б).
НВСЕ, которая не охвачена еще
Ийпрадление перемещения
дислонации скольжением, представляет собой Винтовые дислокации. Предположим, что в кристалле К произве­
Рис. 2.9 линейную дислокацию; вектор b ден незавершенный единичный сдвиг в направлении вектора Ь на
называется вектором сдвига, или
вектором Бюргерса. Он характеризует степень развития скольжения
в области AHED.
На рис. 2.10 показано расположение атомов в плоскости, перпен­
дикулярной линии дислокации. В результате сдвига, произошедшего
на участке AHED, в верхней части решетки оказывается на одну атом­
ную плоскость (на плоскость ОМ) больше, чем в нижней части решетки.
Вследствие этого атомный ряд /, лежащий над плоскостью сдвига, со­
держит на один атом больше, чем ряд 2, расположенный под этой пло­
скостью. Расстояние между атомами верхнего ряда у точки О (центр
дислокации) будет поэтому меньше нормального (решетка сжата),
а расстояние между атомами нижнего ряда у точки О будет больше Направление переме­
щения йшлокаї^иа
нормального (решетка растянута). По мере перемещения от центра
дислокации вправо и влево, вверх и вниз искажеіше решетки посте­ а)
пенно уменьшается и на некотором расстоянии от О в кристалле вос­ Рис. 2.11
станавливается нормальное расположение атомов. В направлении же,
перпендикулярном плоскости чертежа, дислокация проходит через площади АВСВ, как показано на рис. 2.11, а; АО — граница распро­
весь кристалл или значите^тьную его часть. странения сдвига. На рис. 2.11, б белыми кружками показаны атомы
Таким образом, характерным для линейной дислокации является плоскости, расположенной непосредственно над плоскостью скольже­
наличие «лишней» атомной плоскости ОМ в части решетки кристалла. ния, черными кружками — атомы атомной плоскости, расположенной
Поэтому образование такой дислокации можно представить себе как 1юд плоскостью скольжения. В недеформированной части кристалла,
процесс раздвигания решетки и введения в нее дополнительной пло­ лежащей левее границы АО, атомы этих плоскостей располагаются друг
скости. Эту плоскость называют экстраплоскостью. Если плоскость над другом, поэтому черные кружки совмещены с белыми (белый кру­
введена в верхнюю часть решетки, линейная дислокация считается жок с точкой в центре). В правой части кристалла, где произошел сдвиг
положительной (рис. 2.10, о), если же дополнительная плоскость вве- на одно атомное расстояние, т. е. в области, лежащей правее ЕН, атомы
46 47
рассматриваемых плоскостей располагаются также один над другим.
В узкой же полоске АВЕН атомы верхней плоскости смещены относи­
тельно атомов нижней плоскости и тем сильнее, чем дальше они отстоят
от границы АО. Это смещение вызывает местное (локальное) искаже-

5)
Рис. 2.12

ние решетки, получившее название винтовой дислокации; граница АО

называется осью дислокации. Происхождение названия винтовой диспо-
кации легко понять из рис. 2.12: перемещение от атома а к атомами, с,
й, е 717. Д. (рис. 2.12, а), лежащим в области винтовой дислокации,

Рис. 2.14

Рис. 2.13

происходит, как видно из рис. 2.12,6, по винтовой линии. Различают

правую и левую винтовые дислокации (рис. 2.13); перемещение их
в противоположных направлениях приводит к сдвигу одного направ­
ления.
Из сравнения рис. 2.9 и 2.11, а видно, что в то время как линейная
дислокация перпендикулярна вектору сдвига Ь, винтовая дислокация
параллельна этому вектору; перемещение линейной дислокации про­
исходит в направлении вектора сдвига Ь, перемещение винтовой дисло­
кации происходит в направлении, перпендикулярном этому вектору.
48
 в настоящее время разработаны экспериментальные методы прямо­
го наблюдения дислокаций. В качестве примера на рис. 2.14, а пока­
зано схематическое изображение электронно-микроскопического сним­
ка тонкой пленки платинового фталоцианина, а на рис. 2.14,6 —
электронно-микроскопический снимок кристалла сульфида меди, полу­
ченный с использованием специальной методики. Темные полосы на
этих снимках представляют собой следы атомных плоскостей, которые
у платинового фталоцианина располагаются на расстоянии 12 А,
у сульфида меди — на расстоянии 1,88 А. На снимках хорошо видны
экстраплоскости, обрывающиеся внутри кристалла и образующие ли­
нейные дислокации.
На рис. 2.14, в приведена микрофотография винтовой дислокации
в кристаллах СаР^, выявленной методом декорирования. Этот метод
применяется для прозрачных кристаллов и состоит в осаждении вдоль
ядра дислокации примесных атомов, которые делают дислокацию
видимой в оптическом микроскопе. Достойно восхищения удивитель­
но хорошее согласие этих картин с теоретическими представлениями
о дислокациях, показанных на рис. 2.10 и 2.12. Выход дислокаций на
поверхность кристалла можно установить методом травления. При
травлении поверхности кристалла специально подобранным трави-
телем в первую очередь протравливаются участки, в которых решетка
искажена наиболее сильно, так как атомы этих участков обладают из­
быточной энергией и химически более активны. Такими участками яв­
ляются как раз места выхода дислокаций на поверхность кристалла.
В качестве примера на рис. 2.15 показана фотография протравленной
поверхности германия. Темные пятна, располагающиеся у границы
зерна, представляют собой места выхода дислокаций.
§ 18. Силы, необходимые для перемещения
дислокаций
Пусть в плоскости 5 возможного скольжения кристалла находится
положительная дислокация с центром в точке О и границами в точках
а \і к (рис. 2.16, а). В равновесном состоянии результирующая сила,
действующая на эту дислокацию со стороны решетки, равна нулю. Это
легко понять из роликовой модели, показанной на рис. 2.17. В верхнем
ряду роликов, располагающихся нормально во впадинах нижнего ря­
ст ЬсвеодЬі ік
а)
50
да, произведено «нарушение структуры»: на участке АВ, который
раньше занимался 6 роликами, размещено только 5. Такое нарушение
приводит к возникновению сил, стремящихся вернуть ролики 1,2,4,0
в устойчивое положение равновесия (силы ^1, ^2, Рі, /^о). Силы, при­
ложенные к роликам 1,5 и 2, 4, равны по величине и направлены в про­
тивоположные стороны. Поэтому если ролики верхнего ряда соедине-
Рнс. 2.17
ны между собой упругой пружиной, играющей роль связи, то силы
и /^5, р2 и ^1 компенсируют друг друга и система будет находиться
в равновесии.
Подобная же картина наблюдается и в случае дислокации, схема­
тически показанной на рис. 2.16, б; силы, действующие на ато.мы
верхнего ряда, симметрично расположенные относительно центра дисло­
кации О, равны по величине и
противоположны по направле­
нию (силы Рь = р1, = ^1,
Ра = Р^, Р, = Р^)- Поэтому
равнодействующая этих сил
равна нулю и дислокация нахо­
дится в равновесии. Однако при Рис. 2.18
небольшом смещении дислокации
в плоскости скольжения сим­
метрия в расположении атомов относительно центра дислокации нару­
шается, вследствие чего появляется сила, препятствующая движению
дислокации. Из рис. 2.17 видно, что эта сила не может быть большой,
так как перемещение роликов 1 и 2 в новое положение равновесия про­
исходит в значительной мере под влиянием сил, действующих со сто­
роны роликов 4 и 5, также стремящихся занять положение устойчиво­
го равновесия. Расчет показывает, что касательное напряжение, не­
обходимое для того, чтобы сдвинуть дислокацию, равно
т, = - ^ е ^ п - у ) , (2.17)
1 —V
где о — модуль сдвига, V — коэф.фициент Пуассона, Ь — расстояние
между атомами в направлении сдвига, d — расстояние между сосед­
ними плоскостями скольжения. Напряжение т,, представляет собой
теоретическое значение критического скалывающего напряжения.
51
 Полагая Ь = й » \ = 0,3, получим То = 3-10"^ С. Это по порядку ве­ образование происходило только за счет выхода дислокаций, уже
личины совпадает с опытными значениями т„. Таким образом, теория имеющихся в кристалле, то процесс пластического деформирования
дислокаций устраняет противоречие между теоретическим и практи­ приводил бы к истощению дислокаций и переводу кристалла в более
ческим значениями прочности кристаллов на сдвиг. совершенное состояние. Это противоречит опыту, который показывает,
Дислокационный механизм перемещения довольно часто встречает­ что с ростом степени деформации искажение решетки не уменьшается,
ся в природе. В частности, змеи, черви и моллюски могут двигаться а, наоборот, растет, следовательно, увеличивается и плотность дисло­
за счет образования дислокаций. Движение дождевого червя на­ каций. Поэтому в настоящее
чинается с образования «растягивающей» дислокации вблизи шейки, время принято считать, что
распространяющейся вдоль тела к хвосту (рис. 2.18, с); движение дислокации, обусловливаю­
же большинства змей осуществляется путем образования «сжимающей» щие пластическую деформа­
дислокации у хвоста и перемещения ее к голове (рис. 2.18,6). цию, генерируются в процес­
се самого сдвигообразования
§ 19. Источники дислокаций. под действием внешней силы,
Упрочнение кристаллов приложенной к кристаллу.
Механизм такого генерирова-
Дислокации в реальном кристалле возникают в процессе его роста 1шя был открыт в 1950 г.
из расплава или раствора. На рис. 2.19, а показаны границы двух Франком и Ридом. Для пояс- 6)
блоков, растущих навстречу друг другу. Блоки повернуты друг от­ пения этого механизма рас­ Рис. 2.20
носительно друга на небольшой угол ф. При срастании блоков ряд смотрим процесс образова-
атомных плоскостей не прохо­ 1шя мыльных пузырей с помощью трубки (рис. 2.21). При сма­
дит через весь кристалл и чивании конца трубки мыльным раствором образуется плоская пленка,
заканчивается на границах бло­ закрывающая отверстие. При постепенном повышении давления воз­
ков. В этих местах и возни­ духа в трубке пленка выпучивается, проходя стадии / , 2, 3, 4 и т. д.
кают дислокации (рис. 2.19, б).
Такая же картина наблюдается г х
и при срастании различно ориен­
тированных зерен в поликри­
сталлическом образце. Вслед­
а.) б) ^ Ъ)'
ствие того, что в реальных твер­
дых телах протяженность гра­
ниц блоков и зерен исключи­
тельно велика, количество дис­
локаций в них громадно. Подс­ С'. • Л
чет показывает, что в хорошо
отожженных металлах плотность
дислокаций составляет 10" —
10" м-^. После холодной обра­
Рис. 2.19 ботки (прокатки, волочения и Рнс. 2.21 Рис. 2.22
т. п.) плотность дислокаций
увеличивается до 10" — 10" м"*. В этих дислокациях концентрирует­ До тех пор пока она не примет форму полусферы (стадии 3), ее состоя­
ся почти вся энергия, поглощенная металлом при пластическом ние является неустойчивым: с уменьшением давления пленка сокра­
деформировании. щается, стремясь к первоначальному состоянию / . После прохождения
Источником дислокаций в недеформированном кристалле могут стадии 3 состояние пузыря меняется: он может развиваться не только
служить также скопления вакансий. На рис. 2.20 показан пример об­ при постоянном, но и при постепенно уменьшающемся давлении до тех
разования положительной и отрицательной дислокаций из скопления пор, пока не отделится от конца трубки. Вслед за первым пузырем начи­
вакансий. нает формироваться второй, за ним — третий и т. д.
Сдвигообразование в кристалле, развивающееся под действием Теперь рассмотрим действие источника Франка — Рида. На
внешней силы, представляет собой движение дислокаций по плоскостям рис. 2.22, а показана линейная дислокация О О ' , расположенная в пло­
скольжения и выход их на поверхность кристалла. Если бы сдвиго- скости скольжения; точки О и О' закреплены неподвижно и в переме-
52 53
 не оставляет никаких сомнений в правильности теоретической схемы,
щении дислокации не участвуют. Такое закрепление может произойти
в местах пересечения данной дислокации с другими дислокациями, на показанной на рис. 2.23.
примесных атомах и т. д. Под действием внешнего напряжения т Огибание дислокацией препятствия связано с ее удлинением и рез­
дислокация начинает выгибаться подобно мыльной пленке и в какой-то ким усилением искажения решетки, требующим затраты дополнитель­
момент времени принимает форму полуокружности (рис. 2.22, б). ной работы. Поэтому на участке преодоления дефекта дислокация испы­
Как и в случае мыльных пузырей, выгибание дислокации может про­ тывает значительно большее сопротивление перемещению, чем в не­
исходить лишь при непрерывно растущем напряжении т, которое дости­ искаженных областях решетки. В этом и состоит сущность упрочне­
гает максимального значения в момент, когда дислокация принимает ния кристалла при возникновении в нем дефектов. Так как с ростом
форму полуокружности. Дальнейшее ее развитие происходит само­ степени пластического деформирования число дислокаций в кристалле
произвольно путем образования двух спиралей (рис. 2.22, е), которые увеличивается, то возрастает и число препятствий, возникающих в ме­
после встречи в точке С (рис. 2.22, г) приводят к разделению дислока­ стах пересечения дислокаций. Поэтому рост степени деформации сопро­
ции на две: на внешнюю, замыкающуюся в виде наружной окруж­ вождается упрочнением кристалла. Подобное же действие оказывают
ности (рис. 2.22, д), и на внутреннюю, приходящую в первоначальное
положение ВО'. Наружная дислокация разрастается до внешней по­
верхности кристалла и приводит к элементарному сдвигу; внутренняя,
заняв исходное положение ВО', под действием напряжения т начинает
снова выгибаться и разрастаться, как описано выше. Такой процесс
может повторяться какое угодно число раз, обеспечивая появление на
данной плоскости скольжения заметного смещения одной части крис­
талла относительно другой.
Низкая прочность кристалла на сдвиг обусловлена наличием в нем
уже готовых дислокаций и генерированием их в процессе сдвигообра-
зования. С другой стороны, известно, что по мере развития пласти­
ческой деформации и роста количества дефектов кристалл упрочняет­
ся. Сущность такого упрочнения состоит во взаимодействии дислока­
ций друг с другом и с различного рода дефектами решетки, приводя­
щем к затруднению перемещения их в решетке.
Взаимодействие дислокаций. Каждая дислокация, вызывая упру­
гое искажение решетки, создает вокруг себя силовое поле, характери­
зующееся в каждой точке определенными касательным т и нормаль­
ным а напряжениями. При попадании в это поле другой дислокации
возникают силы, стремящиеся или сблизить, или оттолкнуть дислока­
ции друг от друга. Одноименные дислокации, расположенные в одной
и той же плоскости, отталкиваются друг от друга, разноименные — Р„с, 2.23 Р«=- 2-2*
притягиваются друг к другу. Поэтому по мере накопления дислокаций
в данной плоскости скольжения сопротивление сдвигу непрерывно
растет и кристалл упрочняется. И атомы примесей: вызывая местные искажения решетки, они затруд­
няют перемещение дислокаций и тем самым приводят к росту сопротив­
Преодоление препятствий. Предположим, что дислокация, пере­ ления кристалла сдвигу. Особенно сильное тормозящее действие ока­
мещающаяся в плоскости скольжения под действием касательных на­
зывают границы блоков, границы зерен и обособленные включения,
пряжений т, встречает на своем пути неподвижное препятствие В.
содержащиеся в решетке. Они резко увеличивают сопротивление пе­
Таким препятствием могут быть пересечение дислокации с другой дис­
локацией, атом примеси и другие дефекты. На рис. 2.23 показана тео­ ремещению дислокаций и для своего преодоления требуют более высо­
ретическая схема преодоления препятствия В дислокацией АВ: при ких напряжений. Явление упрочнения при холодно.м деформировании
приближении к В (положения 1, 2, 3) дислокация постепенно искрив­ (наклеп), при введении примесных атомов (легирование) и при форми­
ляется и образует петлю, огибающую препятствие; за препятствием пет­ ровании в сплавах обособленных включений (закалка, старение и т. п.)
ля замыкается и дислокация Л ' В ' снова становится прямолинейной. На Находит широкое практическое применение, позволяя улучшить меха-
рис. 2.24 приведена фотография реальной картины, которая возникает 1М1ческие свойства машиностроительных материалов. Этим путем уда­
при встрече дислокации с неподвижным препятствием (темные линии лось за последние 40 лет повысить прочность материалов примерно
изображают дислокации, выявленные травлением). Сходство картин в 6—8 раз.
55
54
 § 20. Хрупкая прочность твердых тел
У твердых тел наблюдается два основных типа разрушения: хрупкое
и пластическое, или вязкое.
Хрупкое разрушение происходит в том случае, если предел проч­
ности материала оказывается ниже предела упругости. Такой материал
перед разрушением испытывает лишь упругую деформацию. Ника­
ких необратимых изменений в таком материале при разрушении не
происходит.
У пластичных материалов предел упругости ниже не только пре­
дела прочности, но и предела текучести. Поэтому процессу разрушения
предшествует значительная пластическая дефор­
мация, подготовляющая этот процесс. Прочность
при этом существенно зависит от времени действия
разрушающего усилия, являясь типичной кинети­
ческой величиной.
Рассмотрим сначала хрупкую прочность твер­
дых тел.
Теоретическая прочность твердых тел. Дела-
_ ^^^'^^ многочисленные попытки вычислить проч-
1 ^
5
ность твердых тел, исходя из сил молекулярного
взаимодействия в них. Определенную таким об-
разом прочность называют теоретической.
"'^^" Познакомимся с некоторыми методами оценки
Метод Поляни. Простейший метод оценки теоретической прочнос­
ти твердых тел был предложен Поляни. Сущность этого метода состоит
в следующем.
Пусть к стержню сечением 1 м= приложено растягивающее напряже­
ние а (рис. 2.25). Под действием этого напряжения расстояние между
атомными плоскостями увеличивается. Предполагается, что для осу­
ществления разрыва необходимо приложить такое напряжение а^,
которое способно увеличить расстояние между атомными плоскостями
на величину порядка параметра решетки а. Работа, которая потре­
буется для удаления одной атомной плоскости от другой на расстоя­
ние а, принимается равной а„а. Далее считается, что эта работа пере­
ходит в свободную энергию двух вновь образующихся при разрыве
поверхностей общей площадью 2 м'', т. е. равна 2 а, где а — поверх­
ностная энергия («поверхностное напряжение») твердого тела. Таким
образом,
0(1« = 2 а .
Отсюда находится теоретическая прочность Сто:
(7о = 2 а а . (2.18)
Для меди а » 1,7 Дж/м-; а = 3,6-10-1° м иСто» М О " Па; для се­
ребра а 1.14 Дж/м^ а = 4 - 1 0 - " м;ст»« 0,6-10" Па.
Определение Сто по теплоте суб.пшации. Для испарения моля
твердого тела требуется энергия, равная теплоте сублимации 0^.
56
Для испарения одного молекулярного слоя с площади 1 м"' требуется
энергия W, во столько раз меньшая во сколько раз масса этого слоя
т меньше массы моля М:
W = Q^mlM.
Но
т = A^sji, М = jVah,
где р, — масса молекулы, N^ = 6,06 • 10'^ моль"' — постоянная
Авогадро, Ns — число молекул на 1 м^ поверхности твердого тела.
При межмолекулярном расстоянии, рав­
ном а, площадь, приходящаяся на одну
молекулу, равна « a ^ число молекул на
1 м'' Л/в л ; . Поэтому
Если предположить, что испаряющие­
ся молекулы теряют связь с поверхно­
стью твердого тела при удалении от нее
на расстояние порядка параметра решетки
а, то усилие, которое потребовалось бы для
одновременного удаления всего слоя от по­
верхности на это расстояние, равнялось бы
Рис. 2.26
(2.19)
УсилиеСтои принимается за теоретическую прочность тела.
Для меди Qc = 3-10^ Дж/моль; а = 3,6-10"" м и о» ? Ю" Па.
Аналогичные вычисления дают: для железаСто« 2,3-10" Па; для
алюминияСто« 0,6-10" Па; для серебра ст,, к. 0,6-10" Па.
Вычисление Сто из сил молекулярного взаимодействия. Рассмотрим,
наконец, схему расчета теоретической прочности твердых тел из сил
молекулярного взаимодействия. На рис. 2.26 показана кривая изме­
нения потенциальной энергии U (л:) и силы взаимодействия / (л;) меж­
ду частицами твердого тела с изменением расстояния между ними. Так
как установить точный закон изменения / (х) трудно, то эту кривую
аппроксимируют различными функциями. В частности, Поляни и
Орован аппроксимировали ее половиной синусоиды вида
/(x) = / „ s i n - 2 p . (2.20)
При медленном разъединении тела на две части по сечешпо 1 м^ тре­
буется усилие CT=7JVs, где Л'з —число частиц на 1 м^ поперечного сече­
ния. Подставляя сюда / из (2.20), находим
CT = a„sin , (2.21)
где Сто = /„//s представляет собой теоретическую прочность тела.
57
 При небольших смещениях X соотношение (2.21) можно переписать тел. Впервые такая точка зрения была высказана английским физи­
так: ком Гриффитсом; ему принадлежит и метод расчета технической проч­
о = Оо 2лх/с; ности материала.
с другой стороны, при небольших смещениях выполняется закон Гука Рассмотрим схему этого расчета.
Возьмем образец в форме тонкой пластины и приложим к нему
а = Ех1с. растягивающее напряжение о (рис. 2.27, а). Плотность упругой энер­
Приравнивая правые части этих соотношений, получим гии в таком упруго растянутом образце равна п^/(2Е)*.
Теперь представим себе, что в
б
-^«0,1£. (2.22) образце образовалась поперечная ми­
2it кротрещина длиной /, простираю­
щаяся на всю толщину образца б.
Более точная оценка характера сил связи в твердых телах приводит,
как показали расчеты, лишь к несущественному исправлению соот­ Ее появление приводит к образова­
ношения (2.22). В табл. 2.5 приведены модуль упругости Е и теорети­ нию внутри образца свободной по­
ческая прочность 00, вычисленная по формуле (2.22) для ряда техниче­ верхности S » 2 /б и к увеличению 1
ских материалов. энергии образца на A t / i » 2 /6а
(а — свободная поверхностная энер­ б
Таблица 25. гия образца). С другой стороны, при
возникновении трещины образец в
объеме V « Р8 разгружается от уп­ Рис. 2.27
Теоретическая
Модуль Техническая
прочность Отноиіснпе ругих напряжений и его упругая энер­
Вещество упругости прочность
"о=0.1 Е, гия уменьшается на A i / j « /«ба7(2£). Общее изменение энергии об­
£, 1 0 - ' П а
10-' Па 10-' Па разца U^'(/), связанное с возникновением в нем трещины, будет равно
(2.24)
Алюминий . . 6 000 600 9,0 65
Серебро . . . 8 000 800 18,0 45
Медь . , . . 12 000 1200
На DHC. 2.27. б показана кривая зависимости U7 от длины трещины I.
23 50
Железо . . . 21 ООО 2100 30 70 Она имеет максимум, в котором производная -jj- = 2 0 « — /О ^ = (J.
Стекло . . . 8 000 800 8,0 100
Каменная соль 4 000 400 0,5 S00
Обозначим длину трещины, отвечающую максимуму, через /„. Из
последнего соотношения найдем
Сравнение теоретической прочности о^, вычисленной тремя раз­ / = 2а£/а^ (2.25)
личными методами, показывает, что все они приводят примерно к одним
и тем же значениям, по порядку величины равным 0,1 Е. Поэтому Из рис. 2.27, б видно, что до тех пор, пока размер трещины / оста­
правомочно принять ется меньше критического /„, ее развитие пол действием напряже­
ния энергетически невыгодно. Начиная же с /==/„, удлинение ще­
Оо«0,1£. (2.23) ли вызывает уменьшение энергии образца, поэтому происходит само­
Это огромная величина, по порядку равная 10' — 10'" Па. произвольно, приводя к хрупкому его разрушению.
Реальная (техническая) прочность твердых тел. Прочность реаль­ Таким образом, реальную прочность твердых тел, имеющих микро­
ных кристаллов и твердых тел, используемых в технике, называют трещины, следует вычислять по Гриффитсу из соотношения (2.25):
реальной, или технической, прочностью О р . В качестве примера в табл.
2.5 приведены модуль упругости Е, теоретическая прочность лі Op«|/2a£//«ß]/a£//. (2.26)
« 0 , 1 Е, техническая прочность Ор и отношение а^а^ для ряда ма­
териалов.
* в самом деле под действием напряжения а образец испытывает относи­
Из данных табл. 2.5 видно, что техническая прочность Ор твердых тельную деформацию Е = о / £ ; абсолютная деформация М = ^L - длина
тел на 2 — 3 порядка ниже их теоретической прочности Од. образца). Работа, которую совершают напряжения с . растягивая образец на а.ь,
В настоящее время общепринято считать, что такое различие между равна ^аЗМ = ^^1=- (8 - площадь поперечного сечения образца,
Ор и Оо объясняется наличием в реальных твердых телах всевозмож­
ного рода дефектов, в частности микротрещин, снижающих прочность V - его объем). Эта работа переходит в упругую энергию образца, имеющего
объем V. Поэтому объемная плотность упругой энергии а^1(2Е].
58
59
 Этот результат был подтвержден впоследствии многими исследовате­
лями для самых различных случаев нагружения образца. Незначи­
тельное различие получилось лишь в числовом коэффициенте р.
Если в (2.26) подставить значения а, £ и а для меди (а « 1,7 Дж/м^;
Е = 1,2-10" Па и о^ = 1,8-10^ Па), то получим / 8-10-« м.
Примерно такие же значения / получаются и для других твердых
тел.
Следовательно, для того чтобы прочность твердых тел понизи­
лась от теоретического значения до значения технической прочности,
необходимо, чтобы к моменту разрушения в них сформировались мик-
ротреи^ины размером порядка единиц микрон.
Источником таких трещин могут быть многие факторы.
і^Лрепятстдиг
V.
Трещина I
Лткошь 1 у Плоскость
сшьждния ,„./ максимальных
SS ИГд растягидающих
\ напряжений
Рис. 2.28
Трещины могут возникать в процессе получения твердого тела
и особенно при его механической обработке. Об этом свидетельствует,
в частности, резкая зависимость прочности от размера образца, осо­
бенно в области малых размеров. Так, у стеклянной нити диаметром
» 2 , 5 мкм прочность почти в 100 раз больше, чем у массивных образцов.
Объясняется это тем, что с уменьшением размера образца уменьшается
вероятность появления в нем большой трещины, приводящей к низкой
прочности. Такая зависимость прочности от размера образцов получила
название масштабного фактора. Трещины могут возникать в резуль­
тате слияния большого числа вакансий.
Нарис. 2.28показан дислокационный механизм возникновения тре­
щин. Дислокации одного знака, перемещаясь по плоскости скольже­
ния 5 5 и встречая на своем пути препятствие В, начинают скапливать­
ся у этого препятствия. У головы такого скопления могут развиваться
высокие напряжения, способные вызвать появление трещины I.
§ 21. Временная прочность твердых тел
Рассмотренная теория прочности, исходящая из условия (2.26), опи­
сывает, по существу, конечную стадию разрушения, на которой в теле
уже возникли трещины, способные привести к хрупкому разрыву.
Однако не менее важными являются начальные стадии развития
процесса разрушения, на которых происходят зарождение и рост тре­
щин до критических размеров /„. Этот процесс протекает более или ме­
нее постепенно и для своего завершения требует определенного време-
60
ни т. Время т, необходимое для развития процесса разрушения от
момента нагружения тела до момента его разрыва, называется времен­
ной прочностью, или яолговемностью материала.
Первые систематические опыты по исследованию временной проч­
ности были проведены с . Н. Журковым и Г. М. Бартеневым с сотруд­
никами. Им же принадлежит и развитие современных представлений
о физической природе временной прочности.
Экспериментально было установлено, что долговечность тела т,
растягивающее напряжение о и абсолютная температура тела Т свя­
заны следующим соотношением:
Up—уд
т = ТоЄ , (2.27)
где То. t/„ и V — постоянные величины, зависящие от природы и струк­
туры тела.
При Т — const формулу (2.27) можно переписать т а к :
-1 = Л е - Р ' ' , (2.28)
и,
где Л = т , е * ' ' , Р = ^ -
Формулы (2.27) и (2,28) проверялись на большом числе разнооб­
разных материалов (металлы, стекла, полимеры, галоидные соедине­
ния и т. д.) при изменении т на 8—10 порядков и Изменении Т в широ­
ких пределах. В качестве примера на рис. 2.29 приведены в координа­
тах Ig т, о зависилгость долговечности X алюминия (/), органического
стекла (2) и хлористого серебра (3) от приложенного напряжения о
для нескольких температур. Из рис. 2.29 видно, что в полулогарифми­
ческих координатах зависимость т (о) хорошо описывается прямой ли­
нией. Совокупность таких прямых, полученных для данного материала
при различных температурах, образует веер, исходящий из одной точ­
ки; эту точку называют полюсом. Из уравнения (2.27) следует, что т
не будет зависеть от Т и прямые Ig т (а), снятые при разных температу­
рах, сойдутся в одной точке (полюсе) только в том случае, если Ua —
— уа = 0; но тогда Ig т = Ig Тп. Следовательно, полюс располагается
под осью абсцисс на расстоянии, равном Ig х^.
Из рис. 2.29 видно, что для исследованных материалов полюсы раз­
мещаются практически на одной прямой, параллельной оси абсцисс.
Это означает, что т„ у всех материалов приблизительно одинаково.
Как показали опыты, оно равно примерно Ю"'*— 10"" о, т, е, близко
к периоду тепловых колебаний атомов в твердых телах.
Прологарифмируем (2.27):
I g ^ = l g T „ - b ^ ^ ^ f ^ = Igxo-f (2.29)
Rl я/
и = и^~- уа. (2.29')
Строя зависимость Ig т от УТ для данного а, можно экспериментально
определить и при различных напряжениях а; U имеет размерность
энергии и называется анергией активации процесса разрушения. На
61
 Таблица 2.6
рис. 2.30 показана зависимость энергии активации разрыва вискоз­
ного волокна от напряжения при различных температурах. Из Энергия
Энергия активации Энергия
процесса термической
рис. 2.30 видно, что и не зависит от Г и определяется лишь величиной разрушения
сублимации
Деструкции
а: при 0 = 0 энергия активации имеет максимальное значение 11 п « Вещество «с,
« 4 0 ккал/моль; при напряжении а « 1 0 7 - 1 0 ' Па 11 = 0. Из Дж/моль "д,
Дж/моль Дж/моль
рис. 2.31 следует, что при о « 107-10' Па вискозное волокно разры­
вается практически мгновен-
,
1дт но (за время То) независимо 2,!6 2,2
от его температуры. 1,0 1,08 —'
Тщательные опыты, про­
2,56 2,72 —•
3,48 3,4 —
веденные С. И. Журковым с 4,8 5,1 —
сотрудниками и другими ис­ 2.16 — 2,1-2,2
следователями на разнообра­ 1,8 — 1, ІІ
1,4 — 1,28
зных материалах, показали, 3,0 о3,0—3,1
л 0 1
что для металлов 11^ хорошо
совпадает с энергией субли­
Чем выше а, тем сильнее понижается активационныи барьер У»
мации <5с, а ;іля полимеров—
\ - 7 0 тем быстрее и в большем количестве возникают разорванные
11'с с энергией термической де­
-4Н связи' поэтому тем меньше требуется времени для развития процесса
50°С струкции В качестве при­
\\\\ ^ ^ 7 ^ ' ^ мера в табл. 2.6 приведены
для ряда материалов и„ '01 Qo
1*0

\\\\ и (Зд. Как

Как видно. б'о с боль­
видно, Ил

_;2 I
'вг^
-200Х

4" Л1! -
шой степенью точности сов­
падает с Q^ или (Зд.
Универсальность получен-
ных закономерностей позво-
К
20
Рис. 2.29 ^^^'^ заключить, что процесс
разрушения твердого тела ч
имеет кинетический характер (т. е. протекает во времени) и природа ч
его для всех тел одинакова. Физический механизм этого процесса ч .
представляется в настоящее время следующим образом. 45 80 120
Атомы твердого тела совершают тепловые колебания с периодами б, Ю-Ч/м^
б, 10'''н/п'
То « 10"^^ — 10-" с. Под действием тепловых флуктуации время от Рис. 2.31
времени происходит разрыв химических связей. Вероятность этого Рис. 2.30
процесса зависит от высоты активационного барьера разрушения и
и температуры Т, увеличиваясь с повышением Т и уменьшением 11,
В отсутствие внешнего напряжения а энергия, необходимая для раз­ разрушения, т. е. тем меньше должна быть длительная прочность тела,
рыва связи, равна, очевидно, энергии самой связи. Поэтому высота что и имеет место в действительности.
активационного барьера 11^, полученная из опытов по механическому с рассматриваемой точки зрения разрушение твердых тел должно
разрушению твердых тел, оказалась равной теплоте сублимации для происходить при любых напряжениях; дело только во времени, в те­
металлов и энергии термической деструкции для полимеров. чение которого напряжение действует. Но тогда кажется непонятным,
Напряжение о, созданное в геле, уменьшает высоту активационного почему не разрушаются мосты и другие сооружения, построенные много
барьера процесса разрыва связей с О,, до С/о — уа и тем самым увели­ веков назад и находящиеся под постоянно действующей нагрузкой.
чивает вероятность разрыва этих связей, а следовательно, и число Для объяснения этого факта обратимся еще раз к рис. 2.29. Из этого
их в единице объема. рисунка видно, что чем ниже температура, тем слабее выражена вре­
Образование субммкроскопических областей с разорванными свя­ менная зависимость прочности. При достаточно низких температурах
зями и их слияние друг с другом приводят в конце концов к зарожде­ эта зависи.мость практически не проявляется. Д л я стекол и тугоплавких
нию и развитию трещин. Когда эти трещины достигают критического металлов уже комнатные те�