4.

Условия задач

Задача 1.
С помощью статических вольтамперных характеристик биполярного транзистора (см.
приложения) провести следующие графико-аналитические расчеты:
а) начертить нагрузочную прямую;
б) на вольтамперных характеристиках начертить временные диаграммы токов и напряжений и
определить смогут ли возникнуть нелинейные искажения усиливаемого сигнала.
в) рассчитать входное и выходное сопротивление каскада для линейного режима работы (без
искажений ), коэффициенты усиления по току КI, напряжению КU и мощности КP. Определить
мощность на нагрузке РН и рассеиваемую мощность на коллекторе транзистора.

Задача 2.
С помощью статических вольтамперных характеристик биполярного транзистора (см.
приложения) а так же его высокочастотных параметров, провести следующие расчеты
усилительных каскадов:
а) рассчитать h - параметры и построить эквивалентную схему данного устройства для низких
частот.
в) рассчитать физические параметры эквивалентной схемы для высоких частот.

Задача 3.
С помощью статических вольтамперных характеристик биполярного транзистора (см.
приложения) рассчитать параметры усилительного каскада в режиме ключа:
а) начертить нагрузочную прямую;
в) определить остаточное напряжение и входной ток при открытом ключе Uост, мощность
необходимую для его открытия.

Задача 4.
Согласно варианту и данным из этого приложения начертить статические вольтамперные
характеристики полевого транзистора и произвести следующие графоаналитические расчеты для
усилительного каскада:
а) начертить нагрузочную прямую;
б) начертить временные диаграммы токов и напряжений и определить, смогут ли возникнуть
нелинейные искажения усиливаемого сигнала;
в) рассчитать входное и выходное сопротивление каскада для линейного режима работы (без
искажений ), коэффициенты усиления по току КI, напряжению КU и мощности КP.

Задача 5.
С помощью статических вольтамперных характеристик полевого транзистора (см. приложения)
а так же его высокочастотных параметров, провести следующие расчеты:
а) параметры эквивалентной схемы (с её построением для низких частот);
б) параметры эквивалентной схемы (с её построением для высоких частот);
в) активную составляющую входной проводимости и крутизну характеристики устройства при
частоте 100МГц.

Задача 6.
С помощью статических вольтамперных характеристик полевого транзистора (после решение
задачи 4) произвести его расчеты в режиме переменного сопротивления:
а) рассчитать характеристику R=f(UсИ);
б) найти коэффициент усиления по мощности устройства на основе полевого транзистора.
5. Указания для решения задач.

5.1 Указания для решения 1-ой задачи.

После начертания статических вольтамперных характеристик биполярного транзистора

(рис.А.1, рис.А.2, рис.А.5, рис.А.6) обратите внимание, на то, что входная характеристика
представлена в виде только одной кривой. Это объясняется, тем что, входная цепь транзистора
незначительно зависит от входного напряжения. Как результат семейство входных характеристик
занимает незначительную площадь. В связи с этим используется всего одна входная кривая ( как
показано на рис.А.1, рис.А.5).
Нагрузочная прямая описывается уравнением IК= ( EК-UКЭ )/RН. На семействе выходных
характеристик значению UКЭ=0 соответствует точка IК=EК/RК. Значению IК=0 соответствует точка
UКЭ= EК. Если объединить эти две точки получим искомую нагрузочную прямую. На пересечении
нагрузочной прямой с кривыми, соответствующим разным значениям базовых токов IБ, будет
находиться рабочая точка усилительного каскада с нагрузочным сопротивлением RН. Координаты
рабочей точки определяют режим роботы выходной цепи UКЭ и IК ,а координаты IБ и UБЭ входной
характеристики- режим роботы входной цепи данного транзистора.
После построения временной диаграммы базового тока, амплитуда которого IБ построим
временные диаграммы токов и напряжений на выводах транзистора.
После построения временных диаграмм необходимо определить вероятность возникновения
нелинейных искажений усиливаемого сигнала.
На диаграммах видно, что рабочая точка под действием переменного входного тока
перемещается вдоль нагрузочной прямой. Если в какой-то момент времени рабочая точка попадает
в область насыщения или отсечки, то возникают нелинейные искажения, рабочая точка переходит
«порог». В этом случае нужно уменьшить амплитуду входного сигнала до такого значения, при
котором бы рабочая точка не выходила за пределы рабочей области активного режима данного
транзистора.
Следующие расчеты произведены только для активного режима роботы транзистора. Этот
режим называется “линейным режимом” (без искажений).
При работе с значениями IКМ, UКЭМ и UБЭМ (на вольтамперных характеристиках ) обратите
внимание на то, что для положительных и отрицательных полупериодов сигнала они могут быть
разными. Отсюда следует, что для большого сигнала, нелинейные искажения могут возникнуть и
при активном режиме роботы электронного устройства.
Для следующих расчетов, значения амплитуд определяются как средние значения за период:

IКМ=( IКМакс- IКМин)/2; (1)

UКЭМ=( UКЭМакс- UКЭМин)/2; (2)
UБЭМ=( UБЭМакс - UБЭМин)/2; (3)

Соответствующие значения рабочих параметров усилительного каскада сигнала можно найти с

помощью построенных диаграмм как отношение амплитуд токов и соответствующих напряжений:
КI= IКМ /IБМ; КU= UКЭ/ UКЭМ; КP=КIКU; (4)
Rвх= UБЭМ/IБМ; РН=( I2 КМ *RН)/2; РК= UКЭ IК ; (5)

5.1.1 Пример решения 1-й задачи.

Известно, что усилительный каскад собран на транзисторе ГТ 322А; ЕК=12 В; RН=1кОм;

IБ=150мкА; IБМ=50мкА.
Статические характеристики транзистора указаны на рис.5.1. Координаты нагрузочной
прямой: IК=12/103=12мА и UКЭ=12 В. по этим координатам строим прямую. Рабочему режиму
соответствует точка О на входной и выходной характеристике. Построим временные диаграммы
коллекторного тока, базового и коллекторного напряжения транзистора при подаче переменного
сигнала с амплитудой IБМ=50мкА.
Если базовый ток не соответствует шагу вольтамперных характеристик, тогда чертим
независимо дополнительные кривые (рис.5.5).

Рис. 5.1. Статические вольтамперные характеристики транзистора 1-ой задачи.

Из характеристик находим амплитуду токов и напряжений:

UБЭМ=(390-320)/2=35 мВ; UКЭМ=(8,0-2,4)/2=2,8 В; IКМ=(9,4-4,0)/2=2,7 мА;

Диаграммы построены имея в виду тот факт, что напряжения действующие на базе и
коллекторе транзистора находятся в противофазе.
Определяем нужные значения:
Rвх= UБЭМ/ IБМ=35*10-3/50*10-6=0,7 кОм;
КU= UКЭ/ UКЭМ=2,8/35*10-3=80;
КI= IКМ /IБМ=(2,7*10-3)(50*10-6)=54;
КP=КIКU=54*80=4320;
РН=( I2 КМ *RН)/2=[(2,710-3)2103]/2=3,6 мВт;
РК= UКЭ IК=6,7*10-3*5,3=35,5 мВт.
 5.2. Указания для решения 2-й задачи.

Начертим вольтамперные статические характеристики данного транзистора и определим

параметры h. Они определяются в соответствии с кривыми (кроме h21). Размеры треугольников
характеристик сократим до минимума. В действительности нужная точность может быть
достигнута, если выбираем стороны треугольника примерно 20% от соответствующих значений для
режима роботы при постоянном токе. Параметр h21 определяется согласно выходным
характеристикам. В соответствии с независимо выбранным IБ, проведем несколько
дополнительных кривых характеристик (рис. 5.5). В таком случае напишем:

h21=∆IК/∆IБ| UКЭ=конст; (6)

h11=∆UБЭ/∆IБ | UКЭ= конст, (7)
h22=∆IК/∆UКЭ| IБ= конст. (8)
Параметры h определяют базовые свойства транзистора при низких частотах (при усиливании
сигналов с небольшой амплитудой). Для иллюстрации данного процесса приведена следующая
схема (рис.5.2.).

Рис 5.2. . Эквивалентная схема биполярного транзистора при низких частотах.

Схема на рисунке 5.2. может быть описана с помощью следующих уравнений:

∆UБЭ=h11∆IБ; (9)
∆IК =h21∆UКЭ. (10)
В связи с уменьшенным значением обратной связи транзистора при низких частотах можем
предположить, что h21=0.
Если транзистор работает при высоких частотах, тогда все h-параметры предстают в виде
комплексных величин, т.е. могут быть представлены с помощью активных и реактивных элементов.
И ещё, значения этих активных и реактивных элементов меняются одновременно с частотой. В
связи с этим была модернизирована эквивалентная схема транзистора при высоких частотах.
Эквивалентная схема биполярного транзистора для высоких частот (схема Жаколетто) приведена на
рис. 5.3.
 Рис 5.3. Эквивалентная схема биполярного транзистора при высоких частотах (включение
транзистора по схеме общий эмиттер) .

Элементы rB, С1К, С2К моделируют область базы транзистора и ёмкость перехода коллектора.
Элементы r1БЭ и СБЭ1 моделируют входную цепь идеального транзистора (без обратной связи).
Элементы rКЭ и SП  UБЭ1 моделирует выходную цепь транзистора при его включении по схеме ОЭ.
Подчёркиваем, что эквивалентный генератор тока в входящий в состав выходной цепи зависит
от напряжения UБЭ1 на переходе и не зависит от напряжения UБЭ. Этот факт позволяет нам
предположить, что крутизна SП не зависит от частоты.
С помощью физической эквивалентной схемы транзистора можно определить любой параметр
транзистора при заданной частоте. К примеру, h11 можно определить, если на выходе схемы имеем
к.з. (рис. 5.4. ).

Рис. 5.4. Эквивалентная схема биполярного транзистора, использованная для определения

входного сопротивления при высоких частотах.

Параметры эквивалентной схемы определяются из следующих уравнений:


rБ   К (11)
CК
где rБ - сопротивление базы биполярного транзистора:
C
  К1  2...3; (12)
CК

К= rБ С1К- временная константа для цепи обратной связи транзистора при заданном токе IК*;
СК- суммарная ёмкость коллекторного перехода.
Остальные параметры находим по формулам:
C К1  C К /  ; (13)
 C К2  C К  C 1К ; (14)
rБ  I К    rБ *
( I ) /( I К ) ;
К (15)
S П  20[1 / В ].I К [ A]; (16)
1
rБЭ  h11Э  rБ ; (17)
C 1БЭ  C Э  ( S П /  пред ); (18)

где SП -крутизна характеристики транзистора по эмиттернему переходу ;

пред- предельная частота (пред=2f);
IК*- значение тока коллектора в рабочей точке;
СЭ- барьерная ёмкость эмиттера транзистора.
Находим входную проводимость данного транзистора (Rвх) и входную ёмкость (Свх). Для этого
используем следующие формулы:
1  ( f / fs )2
Rвх.  (r  rБ )
1
БЭ
1  ( f / f s ) 2  [ rБЭ
1

 rБ / rБ ]
;
 (19)

1
rБЭ 1
Cвх.  C  (C  C ) 1
2
К
1
БЭ  1
К ; (20)
rБЭ  rБ 1  ( f / f S ) 2
где
1
fS  ; (21)
2 [(r  rБ ) /(r  rБ )](CБЭ
1
БЭ
1
БЭ
1
 CК1 )

последнюю формулу не нужно вычислять. Сделаны вычисления для Rвх и Свх в зависимости от
f/fS для 10 значении (от 0,1 до 1,0).

5.2.1 Пример решения 2-й задачи.

Как было подчёркнуто выше, h-параметры определяются при приращениях до 20% от

полученных значений в выбранной рабочей точке. Для IБ=150 мкА и UКЭ=5 В (точка О на рис 5.5)
получаем:
 IБ=0,2* IБ=30 мкА;  UКЭ=0,2* UКЭ=1 В;
Принимая во внимание тот факт, что наклон кривых в рабочей точке очень мал, повышаем
значение  UКЭ. В этом случае определяем с большей точностью значение  IК. Принимая во
внимание всё вышесказанное, возьмем  UКЭ=6,7 В.

Из данных полученных из характеристик (рис 5.5), находим:

U БЭ (360  340) 103

h11Э  |
I Б U КЭ  конст

30 106
|U КЭ 5 В  0.7 kOм

I К (7.6  5.8) 10 3

h21Э 
I Б
|
U КЭ  конст

30 10 6
|U КЭ 5 В  60

I К1 (6.9  6.2) 10 3

h22Э  |
U КЭ I Б конст

9.4  2.7
|I Б 150A  0.1 mS
 Транзистор ГТ322А имеет следующие параметры при низких частотах: =2; СК=1,8 пФ; К=50
пс; IК=1 мА; fпред=80 МГц; СЭ= 60 пФ.

Рис 5.5. Определение h-параметров согласно статическим характеристикам биполярного

транзистора.

Эквивалентная схема транзистора при низких частотах представлена в рис. 5.6.

Рис 5.6. Эквивалентная схема транзистора при низких частотах.

Определим значения физических элементов эквивалентной схемы транзистора включенного по

схеме ОЭ:

rб=2,5·10-12/(1,8·10-12)=55 Oм
C К1  1.8  10 12 / 2  0.9 пФ
C К2  1.8  0.9  0.9 пФ

при значении IК=6,7 мА :

 П  20.6  7  10 3  135 мС
rБ  55 1 / 6.7  21.6 Oм
1
rБЭ  700  21.6  678.4 Oм
rКЭ  1 / h22 Э  10 kOм
 1
C БЭ  0.135 /(6.3  80  10 6 )  60  325 пФ

Значение барьерной ёмкости СЭ ничтожно, и её можно не брать во внимание. Эквивалентная

схема в данном режиме указана в рис. 5.7.

Рис5.7. Эквивалентная схема транзистора при высоких частотах.

5.3. Указания для решения 3-й задачи.

Начертим статические вольтамперные характеристики транзистора согласно варианту и

определим его параметры в качестве электронного ключа.
Координаты нагрузочной прямой определяются как и в первой задаче. Но в этом случае
рабочая точка транзистора находится либо в режиме отсечки (транзистор заперт), либо режиме
насыщения (транзистор открыт). Остаточное напряжение Uост. определяется из выходных
характеристик. Точнее остаточное напряжение может быть определено по формуле:

Uост.=25мВ{ln[1+(100/Ki)+(100/Kнас.)]-ln[1-( C/ Kнас.)]}. (22)

Это отношение можно запрограмировать. Для этого рассчитываются несколько значений Uост.,
где Кнас.=2,4,8,12.
В целях получения пониженного значения времени включения транзистора, рекомендуется
подавать входной ток в несколько раз больше чем тот, который обеспечивает режим насыщения,
т. е.:
I К вкл. EК
I Б вкл.  K нас  K нас
KI R НK I
(23)

где K нас. - коэффициент насыщения. Как правило, значения этого коэффициента колеблются
в пределах: K нас =3…5.

Мощность
Pвх=Iбвкл Uбэ вкл (24)
где значение Uбэ вкл определяется по входной вольтамперной характеристике выбранного
транзистора при Uкэ=0 (режим насыщения).
Мощность рассеиваемая на коллекторе транзистора в включенном состоянии
 PК вкл. = I К вкл. U ост.
(25)

Сопротивление транзистора в включенном состоянии:

Râêë.  U îñò . / I Êâêë.
(26)

5.3.1. Пример решения 3-й задачи.

Рабочий режим транзистора представленного в виде электронного ключа, можно рассмотреть

с помощью характеристик представленных в рисунке 5.1. Точка О1 соответствует режиму
открытого транзистора.
Соответственно напряжение Uост.=0,7 В. Для данного случая Rвкл. =0.7/(11.3*10 3 ) 60 Oм.
Значение базового тока, необходимого для включения транзистора, больше 250 мкА, а при
значении K нас =4,
I Б вкл.  4  (12  10 3 ) / 54  0.9 мA

Включенный транзистор находится в режиме насыщения, т. е. можно утверждать что

U КЭ  U ост.  0 . Входное напряжение соответствующее току включения I Б вкл. определяется по
входной характеристике для значения U КЭ  0 . В данном примере напряжение U БЭ вкл.  0.3 В.
Соответственно Pвх  0.9  10 3  0.3  0.3 мВт; PК вкл.  8.4 мВт.

5.4. Указания для решения 4-й задачи.

Как правило, в справочниках не приведены статические характеристики полевых

транзисторов. Вместо них, указываются несколько точек, с помощью которых можно их построить
графо-аналитическим методом.
К примеру, переходная (стокозатворная) характеристика I С  f (U ЗИ ) U СИ  конст.. может быть
записана следующим образом:
U ЗИ  U отс
I С  I С макс . ( )2 (5.27)
U ЗИ макс .  U отс
где U С макс . ;U ЗИ макс . ;U отс. - основные точки статической характеристики представленной на рис.
5.8.
Для полевых транзисторов с управляющим p-n переходом можно записать U ЗИ макс .  0 . Для
МОП транзисторов, U ЗИ макс . не указано в справочнике, но может быть определено по
напряжению затвора U ЗИ . которое соответствует данному току (например I С  5 мA ), или
согласно стоковому току I C* который соответствует напряжению на затворе U ЗИ  0 (исходный
ток). С этой целью уравнение (5.27) решается относительно U ЗИ макс . . Заметим, что для МОП
транзистора с индуцированным каналом обогащенного типа, напряжение отсечки называется
пороговым напряжением.
При построении статической характеристики, обращаем внимание на полярность напряжения
подаваемого на транзистор. Транзисторы бывают с p - каналом или с n – каналом. Исходя из этого,
существуют разные комбинации направления токов.
 Рис. 5.8.Переходная характеристика полевого транзистора.

Семейство выходных характеристик строится по координатам I С  f (U СИ ) U ЗИ  конст .. . В

активном режиме работы транзистора, ток стока не зависит от напряжения на стоке. Это позволяет
нам делать характеристики параллельно оси напряжения. В рис. 5.9 эти кривые обозначены
пунктирной линией.

Рис. 5.9. Выходная характеристика полевого транзистора.

Активному режиму работы полевого транзистора соответствует уравнение U СИ  U ЗИ  U отс .

Обозначая точки U C соответствующие разным значениям U ЗИ , получаем на рисунке точки
1,2,3,4. В результате получаем статическую характеристику транзистора. По рабочей точке
( I Сo , U Сo ) и значению сопротивления нагрузки (или значению напряжения питания) можем
провести нагрузочную прямую. Процедура аналогична решению 1-й задачи, с исключением того,
что необходимо определить значение I Сo :
| E |  | U СИo |
I Сo  С (28)
RН
 На семействе выходных и передаточных характеристик находим рабочую точку транзистора.
Область допускаемых значений напряжений и токов ограничена слева точками 1, 2, 3, 4, а справа –
значениями допускаемой мощности рассеивания на стоке транзистора. Характеристика
рассеиваемой мощности представляет собой гиперболу, которая описывается следующем
уравнением:
PC расс.  I С U СИ
(29)

При проведении временных диаграмм токов и напряжениях, возможно, возникновение

искажений усиливаемого сигнала в связи с тем, что рабочая точка перемещается в область
запрещенного режима. В этом случае мы уменьшим амплитуду входного сигнала U ЗИм до
значения, которое позволяет работу электронного устройства в нормальном режиме. Именно для
значения данной амплитуды сигнала, определим основные параметры и построим временные
диаграммы напряжений и токов.
Чтобы определить коэффициент усиления необходимо использовать среднее значение
стокового тока.

I См   I См 
I См  (30)
2

где I См - амплитуда положительного полупериода сигнала, а I См - амплитуда

 

отрицательного полупериода сигнала.

Средняя крутизна характеристики устройства:
S сред.  I См / U ЗИм
(31)

Коэффициент усиления по напряжению усилительного каскада:

K U  S сред. R Н
(32)

Значение входного тока определяется сопротивлением из цепи затвора RЗ , через которое

усиливается постоянное напряжение на затворе U ЗИo . Как правило: RЗ  10 6 Oм . В таком случае
коэффициент усиления по току устройства:

K I  I См / I Зм  ( I См RЗ ) / U ЗИм  S сред. RЗ (33)

Усиление по мощности каскада:

K P  K I KU (34)

Если определяем входное сопротивление транзистора по со статическим характеристикам,

получаем что оно бесконечно. На самом деле Rвх  10 4...10 5 Oм .

5.4.1 Пример решения 4-й задачи.

Проведение статических характеристик будет показано на примере транзистора КП313А

(канал n-типа).
Согласно справочнику, транзистор имеет следующие основные параметры:
U отс  3 В;U ЗИ  1 В (при значениях  I С  5 мA ),  I Смакс .  10 мA; U СИ макс .  15 В.
 По выше указанным данным можем определить значение напряжения U ЗИ макс .
соответствующее I С макс по формуле:
U ЗИ  U отс
U ЗИ макс .  U отс 
(5[ мA] / I С макс . [ мA])1 / 2

или
1  (3)
U ЗИ макс .  3 
1/ 2

Уравнение нужной характеристики имеет следующую форму:

U ЗИ  3 2
 I C  10  ( )
5 .6
Заполняем таблицу:

 I С , мA 0 0.32 1.3 2.9 5.0 7.9 9.6

U ЗИ , В -3 -2 -1 0 1.0 2.0 2.5

На рис. 5.10 приведена характеристика, которая соответствует данной таблице.

Несмотря на то что согласно теоретическим данным поток электронов имеет отрицательную
обратную связь, все характеристики нарисованы в верхней части координатных осей, то есть ток
стока находится на координате +у.
Между предельными значениями  I Смакс .  10 мA и U СИ макс .  15 В начертим семейство
выходных характеристик устройства. Теперь, если провести прямые, параллельные оси Х с
интервалом I С (к примеру, 2 мА), получим семейство характеристик с различным интервалом
значений U ЗИ . Также можем провести характеристики и с равным интервалом напряжений U ЗИ
, к примеру 1 V.
 Рис.5.10 Характеристика IC=f(UЗИ) транзистора рассмотренного в 4-й задаче.

Теперь определим координаты точек соответствующих режиму отсечки транзистора:

Точка 1 имеет координаты U C  2.5  (3)  5.5 В

Точка 2 имеет координаты U C  2.0  (3)  5.0 В
Точка 3 имеет координаты U C  1.0  ( 3)  4.0 В

Проведем прямые из центра координат к полученным точкам 1,2,…,6 и получим нужное

семейство характеристик.
Если сравнить полученные результаты с реальными характеристиками, представленными в
приложение, заметим, что они более или менее похожи.
Проведение нагрузочной прямой и временных диаграмм напряжения и тока совершается
аналогично первой задаче (рис.5.11).

Рис.5.11. Семейство выходных характеристик транзистора, рассмотренного в 4-й задаче.

Допустим, E C  14 В; R Н  2kOм;U ЗИ м  2 В и U ЗИo  0 . Рабочая точка находится в точке 0.

Значение U ЗИ м  2 В выбрано случайно и не встречается в вариантах задач. При построении
временных диаграмм замечаем, что для значения U ЗИ м  2 В появляются нелинейные искажения
усиливаемого сигнала в связи с тем, что рабочая точка находится в высокоомной области
характеристик. Из этих соображений уменьшаем амплитуду напряжения на затворе U ЗИ м  1 В . В
этом случае искажения исчезают. По кривым характеристик определяем значение
I С м  1.8 мA( I С м  I С м ) . Теперь можно определить среднее значение крутизны транзистора:
 

3
S Сред  1.8  10 / 1  1.8 мSм
Используя полученные данные можно написать следующее:
- коэффициент усиления по напряжению для рассмотренного устройства K U  1.8  10 3  2  10 3 ;
- входное сопротивление Rвход .  RЗ  1 MOм ;
- амплитуда затворного тока I З м  1 / 10  1A ;
6

- коэффициент усиления по току K I  1.8  10 3 / 1  10 6  1800 ;

- коэффициент усиления по мощности K P  1800  3.6  6480 ;
- схема соединения транзистора показана на рис. 5.12.

Рис.5.12.Схема соединения транзистора согласно исходным данным задачи.

5.5. Руководство для решения 5-й задачи.

Для полевых транзисторов при низких частотах определяются только два основных
параметра:
крутизна выходной характеристики S  ( I С / U ЗИ ) | U ЗИ  конст . и
выходное сопротивление Rвых  (U СИ / I С ) | U ЗИ  конст .
Для такого анализа, входное сопротивление считается равным номинальному значению RЗ и
равно 1 МОм. Параметры S и Rв определены углом наклона переходной характеристики тока и
выходной характеристики для данной рабочей точки. Как и у биполярных транзисторов значения
I и U берутся 20% от номинального значения в рабочей точке. Зная, что выходные
характеристики имеют очень маленькую крутизну, будем вынуждены увеличивать значение U СИ
.
Эквивалентная схема транзистора будет выглядеть как в рис. 5.13. Часто, мы пренебрегаем
значением входного сопротивления и тогда, полевой транзистор может быть смоделирован,
используя только выходную цепь.
Расчет параметров полевых транзисторов при высоких частотах осуществляются при помощи
эквивалентной схемы на рис. 5.14. Все элементы данной схемы не зависят от частоты. Цепь затвора
смоделирована с помощью ёмкости C ЗИ и сопротивление канала rк . Выходная цепь моделируется
с помощью сопротивление канала по переменному току Ri . Обратная связь между входом и
выходом транзистора определяется емкостью C ЗИ . Номинальные значения этих ёмкостей
указанны в справочниках, а Ri можно взять равным Ri  10 5 Ом . Значения r0 указаны в
приложение 5. Напомним что, значения часто C ЗИ и C ИС равны.
 рис. 5.13. Эквивалентная схема полевого транзистора при низких частотах.

рис. 5.14. Эквивалентная схема полевого транзистора.

Важной особенностью данной схемы является факт, что эквивалентный генератор зависит от
напряжения подаваемого непосредственно на затвор U ЗИ 1
и не зависит от входного напряжения
U ЗИ . Именно эта особенность отражает истинные частотные зависимости параметров устройства
(S и Rвх.). Используя эквивалентную схему, можем произвести некоторые важные вычисления.
Например, можем определить активную составляющую входной проводимости при высокой
частоте по формуле:
1 k 2
1 / G  Rвх.( F 1)  r0
k2
(35)
или модуль крутизны характеристики транзистора
S0
| S | (36)
1 k2
где k  rк C ЗИ (  - рабочая частота) а S 0 - значение крутизны при низкой частоте.

5.5.1 Пример решения 5-й задачи.

Первая часть задачи решается с помощью характеристик приведенных в приложении 4.

3
Пусть I C  3 мA; U CИ  8 В . Полагая что, I С0  0,2  3  10  0,6 мA U CИ  0,2  8  1,6
0 0

В. Определяем с помощью переходной характеристики S  I С / U ЗИ  0,6  10 3 / 0,3  2 мS . В

соответствии с выходными характеристиками определяем значение:
RI  U СИ / I С  1,6 /(0,08  10 2 )  20kOм .
Эквивалентная схема приведена в рис. 5.14.
С помощью параметров транзистора при высоких частотах (см. справочник) можно
определить элементы эквивалентной схемы указанной в рис. 5.15. Теперь можно вычислить
значение k=ωrКCЗИ=6,3·108·50·7·10-12=0,22 для частоты 100 МГц. После этого можно вычислить
активную составляющую для входной проводимости Rвх.=1/gвх.=50/0,05=1 кOм. С помощью этих
данных определяем значение крутизны характеристики для данного транзистора:
S  2.10 3 / 1  0.05  2 мS
Следовательно, если частота растает, то крутизна характеристики изменяется очень мало, а
входное сопротивление транзистора уменьшается (уменьшается значение коэффициента усиления
данного каскада). В рассмотренном случае KI уменьшается в 1000 раз по отношению к своему
параметру на низкой частоте, а KP (100 MГц)=6,5.

рис. 5.15. Эквивалентная схема для 5-й задачи.

5.6. Руководство для решения 6-й задачи.

При пониженных значениях стокового напряжения, полевой транзистор является линейным

сопротивлением, номинальное значение которого зависит от подаваемого на затвор потенциала. На
выходных характеристиках эта область называется омической или триодной.
Схема, в которой происходит затухание переменного сигнала за счет использования
указанного режима работы полевого транзистора, представлена на рис. 5.16.

рис. 5.16. Схема затухания переменного сигнала на основе полевого транзистора.

Некоторые особенности схемы описаны уравнением: R~=f(UЗИ), где R~ - сопротивление

транзистора по переменному току при выбранном режиме работы. Характеристика проведена путём
вычисления наклона исходной части выходных характеристик для различных значений UЗИ.
Мощность сигнала на выходе схемы Pвых.  U вых 2
. / 2 R ~ . Управляющая мощность на входе схемы

определяется: Pупр.  U ЗИ / RЗ . Постоянное напряжение UЗИ и значение амплитуды сигнала Uвых.,

2

почти одинаковы (порядка U0). Следовательно, коэффициент усиления по мощности

(максимальный) схемы: KPмакс.=RС/2R~мин.

5.6.1. Пример решения 6-й задачи.

 В соответствии со статическими характеристиками устройства (рис.5.11. координаты точек
1...6) определяем 6 значений сопротивления транзистора:

R~(1)=5,5/(9,6 ·10-3)=0,57 kOм (UЗ=+2,5 В);

R~(2)=5/(7,9 ·10-3)=0,63 kOм (UЗ=+2,0 В) …и.т.д

В результате получим зависимость начерченную в рис. 5.17. Максимальное усиление схемы

KPмакс.=106/570=1750.

рис. 5.17. Характеристика схемы соответствующей данным полученным в 6-й задаче.

 Приложение 1

Аббревиатура

ЕК -напряжение источника питания в коллекторной цепи транзистора;

RН -активное сопротивление нагрузки;
IБ= -постоянная составляющая базового тока (рабочая точка);
IмБ -амплитуда переменной составляющей для базового тока;
IК= -постоянная составляющая коллекторного тока (рабочая точка);
IКмакс -максимальное значение коллекторного тока;
IКмин -минимальное значение коллекторного тока;
ImK -амплитуда переменной составляющей коллекторного тока;
UБЭ= -постоянная составляющая базового напряжения (рабочая точка);
UБЭмакс -максимальное значение напряжения подаваемого на базу транзистора;
UБЭмин -минимальное значение напряжения подаваемого на базу транзистора;
UБЭ -амплитуда переменной составляющей напряжения подаваемого на базу
транзистора;
UКЭ= -постоянная составляющая напряжения подаваемого на коллекторе (рабочая точка);
UКЭмакс -максимальное значение напряжения подаваемого на коллекторе;
UКЭмин -минимальное значение напряжения подаваемого на коллекторе;
UБЭм -амплитуда напряжения подаваемого на эмиттерный переход;
UКЭм -амплитуда напряжения подаваемого на коллекторный переход;
KI -коэффициент усиления по току;
KU -коэффициент усиления по напряжению;
KP -коэффициент усиления по мощности;
Rвх. -входное сопротивление транзистора по переменному току в рабочем режиме;
Rвых. -выходное сопротивление транзистора по переменному току в рабочем режиме;
h11Э -входное сопротивление транзистора по переменному току, определяемого в режиме
короткого замыкания на выходе транзистора соединённого по схеме общий эмиттер;
h22Э -выходная проводимость транзистора по переменному току определяемая в режиме
холостого хода на входе транзистора, соединённого по схеме общий эмиттер;
h21Э -коэффициент передачи тока, определяемый в режиме короткого замыкания по
переменному току на входе транзистора соединённого по схеме общий эмиттер. Для
схемы соединения общая база h21(ОБ)=α , общий эмиттер h21(ОЭ)=β, общий коллектор
h21(ОК)=β*. Между данными коэффициентами существует следующее равенство: β=
α/(1- α); β*=1+ β;
PН~ -полезная мощность рассеиваемая на сопротивление нагрузки;
PK -рассеиваемая мощность в коллекторной цепи;
τК=rБCК1 –временная постоянная для цепи обратной связи транзистора;
CК1 -активная составляющая ёмкости коллекторного перехода транзистора;
CC -общая ёмкость коллекторного перехода транзистора;
rБ -сопротивление базы транзистора;
fпред. -предельная частота транзистора;
SК -крутизна транзистора по эмиттерному переходу;
EC -напряжение питания в сточной цепи;
IC0 -сточный ток в рабочей точке;
ICм -амплитуда переменной составляющей сточного тока;
UСИ0 -напряжение на стоке транзистора в рабочей точке;
UCИм -амплитуда переменного напряжения подаваемого на сток транзистора;
ICмакс -Максимально допустимый постоянный ток стока;
UСИмакс -значение сточного напряжения соответствующее данному току;
Uотс -напряжение отсечки транзистора;
Pрас -рассеиваемая мощность на транзисторе;
UЗ2 -напряжение на затворе 2 для полевого транзистора типа триод;
CЗИ -ёмкость перехода затвор-исток;
CЗС -ёмкость перехода затвор-сток;
CСИ -ёмкость сток-исток;
rК -сопротивление канала по которому заряжается ёмкость стока;
Ri=RИС -сопротивление сток-исток по переменному току;
UСИМакс -максимальное допускаемое напряжение сток-исток;
R~ -сопротивление канала полевого транзистора по переменному току;
S -крутизна характеристики полевого транзистора;
S -модуль крутизны характеристики полевого транзистора при высокой частоте;
 Приложение 2

Обозначение полевых транзисторов в электрических цепях

1. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом (канал p)

2. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом (канал n)

3. Полевой транзистор c изолированным затвором (МОП)

с встроенным каналом (канал n)

4. Полевой транзистор c двумя изолированными затворами (МОП)

с встроенным каналом (канал n)

5. Полевой транзистор c изолированным затвором (МОП) с

индуцированным каналом (канал p)
 Приложение 3

Основные параметры полевых транзисторов

Uотс UСмакс. UСИмакс, Pрас. CЗИ CЗС rК

Тип UЗИ(IС=5мA)
В В В мВт пФ пФ Oм
КП103Б 2,5 1,5 - -15 120 17 8 100
КП103И 1,0 1,0 - -15 120 20 8 30
КП103М 5,0 7,5 - -10 120 30 8 60
КП301Б -4,0 15,0 -6 -20 200 3,5 1 200
КП302В -10 -33 - 20 300 20 8 60
КП303А -2,0 -2,5 - 30 200 6 2 100
КП305Д -6 -15 1,0 15 150 5 0,8 80
КП305Е -6 -15 0 15 150 5 0,8 80
КП306В -6 -20 -3 20 150 5 0,07 50
КП305А -6 -30 3,5* 15 200 6 0,06 50
 Приложение 4

Статические характеристики биполярных и полевых транзисторов

использованных при выполнении работы.

Внимание! Выходные характеристики транзисторов имеют следующие нюансы. Здесь указано

значение выходного параметра только для одной кривой. Параметры для других кривых
определяются путём сложения или вычитания постоянных отклонений (∆IБ или ∆UЗИ).

Рис. А.1. Входная характеристика IБ= f(UБЭ), при UКЭ=5 В биполярного транзистора KT603A.
Рис. А.2. Входная характеристика IБ= f(UБЭ), при UКЭ=0 V биполярного транзистора KT603A.

Рис. А.3. Выходная характеристика IК=f(UКЭ), где IБ=пост. биполярного транзистора

KT603A.
Рис. А.4. Выходная характеристика IК=f(UКЭ), где IБ=пост. биполярного транзистора
KT601A.

Рис. А.5. Входная характеристика IБ= f(UБЭ), где UКЭ=10 В биполярного транзистора
KT601A.
Рис. А.6. Входная характеристика IБ= f(UБЭ), где UКЭ=0 В биполярного транзистора KT601A.

Рис. А.7. Переходная характеристика IС= f(UЗИ), где UСИ=8 В полевого транзистора KП313A.
Рис. А.8. Выходная характеристика IС=f(UСИ), где UЗИ=пост полевого транзистора KП313A.

Рис. А.9. Переходная характеристика IС=f(UЗИ), где UСИ=8 В, полевого транзистора KП302A.
 Рис. А.10. Выходная характеристика IС=f(UСИ), где UЗИ=пост полевого транзистора КП302А

Приложение 5
Исходные данные для решения задач.

Таблица А.1
№ UКЭ= IК EС RН IС0 UСИ0 UЗИм
Замечание ПТ
вар. В мA В kOм мA В В
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1 20 10 Использовать -15 - 1 -7,5 1 КП103Б
2 20 20 биполярный - 5 1 -7,5 1 КП103Б
3 20 28 транзистор -15 - 0,5 6 2 КП103Б
4 20 32 KT601A который - 13 0,5 -6 2 КП103Б
5 20 44 обладает - 18 0,5 -6 2 КП103Б
6 30 10 следующими -15 - 3,5 -5 0,2 КП103И
7 30 20 параметрами при - 3 3,5 -5 0,2 КП103И
8 30 30 высоких частотах -15 - 2 -3 0,4 КП103И
9 30 35 |β|=2; - 7 2 -3 0,4 КП103И
10 30 47 f=20 MГц - 5 2 -3 0,4 КП103М
11 40 10 CК=15 пФ -10 - 2 -5 1 КП103М
12 40 20 CЭ=75 пФ - 3 2 -5 1 КП103М
13 40 30 τК=600 пс -10 - 1 -6 1,5 КП103М
14 40 40 IК=6 мA - 7 1 -6 1,5 КП103М
15 40 48 ζ=3 - 5 1 -6 1,5 КП103М
16 50 10 (См. прил. 4) -20 - 8 -7 2 КП301Б
17 50 20 - 1,5 8 -7 2 КП301Б
18 50 30 -20 - 5 -10 3 КП301Б
19 50 40 - 2,5 5 -10 3 КП301Б
20 50 50 - 2 5 -10 3 КП301Б
21 60 10 -20 - 16 16 2 КП301В
22 60 20 - 0,5 16 16 2 КП301В
23 60 31 -20 - 8 14 4 КП301В
24 60 42 - 2,5 8 14 4 КП301В
25 70 20 - 1 8 14 4 КП301В

26 5 40 Использовать 30 - 1,7 6 0,2 КП303А

27 5 90 биполярный - 5 1,7 6 0,2 КП303А
28 5 130 транзистор 20 - 1,2 10 0,4 КП303A
29 5 180 KT601A который - 12 1,2 10 0,4 КП303A
30 5 200 обладает - 10 1,2 10 0,4 КП303A
31 7,5 45 следующими 15 - 2 12 1 КП305Д
32 7,5 70 параметрами при - 1,8 2 12 1 КП305Д
33 7,5 120 высоких частотах 15 - 1 10 2 КП305Д
34 7,5 200 |β|=2; - 2,5 1 10 2 КП305Д
35 7,5 225 f=100 MГц - 2 1 10 2 КП305Д
36 10 10 CК=10 пФ 15 - 5 13 1 КП305Е
37 10 45 CЭ=30 пФ - 1,8 2 13 1 КП305Е
38 10 80 τК=400 пс 15 - 2 10 2 КП305Е
39 10 100 IК=30 мA - 2,5 2 10 2 КП305Е
40 10 150 ζ=3 - 2 2 10 2 КП305Е
41 15 15 (См. прил. 4) 20 - 10 15 1 КП306В
42 15 50 - 1,2 5 14 1 КП306В
43 15 85 15 - 5 14 1,5 КП306В
44 15 115 - 2,2 5 11 1,5 КП306В
45 15 140 - 1,6 5 14 1,5 КП306В
46 20 15 15 - 10 10 2 КП350А
47 20 55 - 1 5 10 2 КП350А
48 20 95 15 - 5 12 3 КП350А
49 20 125 - 1,2 3 12 3 КП350А
50 20 155 - 1,0 3 12 3 КП350А

Таблица А.2

№ EК RН IБ= IБм IС0 UСИ0

Замечание замечание
вар. В kOhm mA mA mA В
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1 100 2,2 0,075 0,075 Использовать 0,8 4 Использовать
2 100 2,2 0,15 0,075 транзистор 1,3 4 полевой транзистор
3 100 2,2 0,15 0,15 KT601A 2,1 4 КП313А, который
4 100 2,2 0,225 0,075 3,1 4 обладает
5 100 2,2 0,3 0,075 4 4 следующими
6 80 1,8 0,075 0,075 1,3 5 параметрами:
7 80 1,8 0,15 0,15 3,1 5 CЗИ=7 пФ
8 80 1,8 0,15 0,15 4 5 CЗС=1 пФ
9 80 1,8 0,225 0,075 5 5 rК=50 Oм.
10 60 1,8 0,3 0,075 6,5 5
11 80 1,8 0,075 0,075 1,4 6
12 60 1,5 0,15 0,15 3,2 6
13 60 1,5 0,15 0,15 5,2 6
14 60 1,5 0,225 0,075 6,6 6
15 60 1,5 0,3 0,075 8,2 6
16 60 2 0,075 0,075 2,2 7
17 60 2 0,15 0,15 4,2 7
18 60 2 0,15 0,075 6,7 7
19 60 3 0,075 0,075 8,4 7
20 60 4 0,075 0,075 9,8 7
21 40 1 0,075 0,075 0,9 8
22 40 1 0,15 0,075 2,3 8
23 40 1 0,225 0,075 4,3 8
24 40 2 0,075 0,075 6,7 8
25 40 2 0,075 0,030 10 8

26 30 0,12 1 0,5 Использовать 1 3 Использовать полевой

27 30 0,12 1 1 транзистор 2,4 3 транзистор КП302А,
28 30 0,12 2 1 KT603A. 4,5 3 который обладает
29 30 0,12 2 2 6,8 3 следующими
30 30 0,12 3 1 9,7 3 параметрами:
31 20 0,08 1 0,5 1 4 CЗИ=20 пФ
32 20 0,08 1 1 2,5 4 CЗС=8 пФ
33 20 0,08 2 1 4,6 4 rК=20 Oм.
34 20 0,08 2 2 6,4 4
35 20 0,08 3 1 8,5 4
36 15 0,07 1 0,5 1,1 5
37 15 0,07 1 1 2,6 5
38 15 0,07 2 1 4,7 5
39 15 0,07 2 2 7 5
40 15 0,07 3 1 9,9 5
41 15 0,1 1 0,5 1,2 6
42 15 0,1 1 1 2,6 6
43 15 0,1 2 1 4,7 6
44 15 0,1 2 2 7 6
45 15 0,1 3 1,5 1,2 7
46 10 0,08 1 0,5 2,7 7
47 10 0,08 1 1 4,7 7
48 10 0,08 2 2 7,1 7
49 10 0,12 1 0,5 2,7 8
50 10 0,12 1 1 4,7 8