Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет

информационных технологий, механики и оптики

УЧЕБНЫЙ ЦЕНТР ОБЩЕЙ ФИЗИКИ ФТФ

Группа: Р3171 К работе допущен

Студент: Неизвестная Екатерина Павловна Работа выполнена

Преподаватель: Бобрицкая Елена Игоревна Отчет принят

Рабочий протокол и отчет по

лабораторной работе № 3.05
Температурная зависимость сопротивления металла и полупроводника

1. Цель работы.
1. Получить зависимость электрического сопротивления металлического и полупроводникового
образцов в диапазоне температур от комнатной до 100 ∘𝐶.
2. По результатам п.1 вычислить температурный коэффициент сопротивления металла и ширину
запрещенной зоны полупроводника.

2. Задачи, решаемые при выполнении работы.

Расчёт сопротивлений образцов, нахождение их зависимости от температуры.
Нахождение температурного коэффициента и ширины запрещенной зоны, определение по ним
образцов.

3. Объект исследования.
Металл, полупроводник.

4. Метод экспериментального исследования.

Последовательно увеличивать температуру образца на Δ𝑇 = 7 ÷ 10 𝐾, что соответствует повороту
регулятора примерно на половину деления, нагреть полупроводник, записывая соответствующие
каждому делению значения силы тока I и напряжения U в таблицу до достижения температуры 𝑇𝑚𝑎𝑥
= 385 ÷ 390 𝐾.
Подключить металл.
Записать в Таблицу 2 протокола текущие значения температуры, тока и напряжения на образце.
Выждав время, необходимое для уменьшения температуры на Δ𝑇 = 7 ÷ 10 𝐾, снова записать значения
T, I и U, заполняя таким образом рабочую таблицу до достижения температуры близкой к комнатной
𝑇 = 300 ÷ 305 𝐾.

5. Рабочие формулы и исходные данные.

Внешнее электрическое поле действует на носитель заряда с силой 𝐹= 𝑞𝐸 (1), где 𝑞 - заряд носителя, 𝐸
- напряженность электрического поля.
Внешнее поле создает направленное движение носителей заряда - электрический ток с плотностью
тока 𝑗 = 𝑞𝑛𝑢 (2) , где 𝑛 - концентрация носителей заряда, 𝑢 - направленная (дрейфовая) скорость
носителей.
В конденсированных средах носители заряда претерпевают частые столкновения с другими
частицами. Дрейфовая скорость носителей много меньше средней скорости их теплового движения (𝑢
≪ 𝑣) и пропорциональна напряженности поля: 𝑢 = 𝜇𝐸 (3). Величину 𝜇 называют подвижностью
носителей заряда.
 Из (2) и (3) следует 𝑗 = 𝜎𝐸 (4), где 𝜎 = 𝑞𝑛𝜇 есть параметр конкретного материала - его удельная
проводимость.
Для не слишком больших интервалов температуры (и не слишком низких температур) удельное
сопротивление металлов описывается линейной зависимостью 𝜌м = 𝜌0 (1 + 𝛼𝑡), (5) где 𝜌0 - удельное
сопротивление при температуре 0 ∘𝐶, 𝛼 - температурный коэффициент сопротивления.
Зависимость от температуры сопротивления любого однородного металлического образца: 𝑅м = 𝑅0 (1
+ 𝛼𝑡) (6) , где 𝑅0 - сопротивление данного образца при при температуре 0 ∘𝐶.
Температурный коэффициент сопротивления металла 𝛼 = 1 𝑅0 · Δ𝑅 Δ𝑡 (7).
Среднее значение генерации свободных носителей порядка 𝑘𝑇 (𝑘 - постоянная Больцмана; при
комнатной температуре 𝑘𝑇 ≈ 4 · 10−21 Дж ≈ 2,5 · 10−2 эВ).
Процесс генерации носителей сопровождается обратным процессом рекомбинации электронов
проводимости с дырками. Равновесие наступает, когда средняя частота актов рекомбинации равна
средней частоте актов генерации. Равновесная концентрация свободных носителей при этом 𝑛 ∼ exp (︂
− 𝐸𝑔 2𝑘𝑇 )︂(8).
Удельная проводимость полупроводника зависит от температуры следующим образом: 𝜎п ∼ exp (︂−
𝐸𝑔 2𝑘𝑇 )︂(9), а удельное сопротивление 𝜌п = 1 𝜎п = 𝜌𝑚 exp (︂𝐸𝑔 2𝑘𝑇 )︂(10), где 𝜌𝑚 - предел к которому
стремится значение удельного сопротивления полупроводника при повышении температуры.
Если однородный полупроводниковый образец весь имеет температуру 𝑇, то зависимость его
сопротивления от этой температуры можно описать формулой 𝑅п = 𝑅𝑚exp (︂𝐸𝑔 2𝑘𝑇 )︂(11).
Зависимость сопротивления собственного полупроводника от температуры: ln (𝑅п) = ln (𝑅𝑚) +
𝐸𝑔/(2𝑘𝑇) (12) (логарифмирование формулы (11)).
Из измерений на полупроводниковом образце легко вычислить ширину запрещенной зоны 𝐸𝑔 = 2𝑘 · Δ
ln(𝑅п) /(Δ(1/𝑇)) (13).

6. Измерительные приборы.
Используемый
№ п/п Наименование Тип прибора
диапазон
Объект
1 С3-ТТ01 300-390∘𝐶
изучения
2 Генератор Генератор 0-12 В
Электронный 0-3000 мкА
3 Амперметр-вольтметр
измерительный 0-2 В

7. Схема установки (перечень схем, которые составляют Приложение 1).

Нагреватель с системой термостабилизации и

измерения текущей температуры объекта находится
внутри стенда «С3-ТТ01». Также в корпусе стенда
расположен вентилятор. Дополнительный резистор
𝑅ог р = 680 Ом подключается последовательно с
объектом.
8. Результаты прямых измерений и их обработки (таблицы, примеры
расчетов).
Таблица 1
10^3/T,
№ T, K I, мкА U, В R, Ом lnR 1/K
1 293 1190 0,829 696,639 6,546 3,413
2 300 1417 0,662 467,184 6,147 3,333
3 310 1675 0,481 287,164 5,660 3,226
4 320 1897 0,348 183,448 5,212 3,125
5 330 2010 0,265 131,841 4,882 3,030
6 340 2420 0,189 78,099 4,358 2,941
7 347 2480 0,169 68,145 4,222 2,882
8 355 2550 0,131 51,373 3,939 2,817
9 364 2600 0,106 40,769 3,708 2,747
10 374 2650 0,074 27,925 3,330 2,674
11 384 2680 0,057 21,269 3,057 2,604
12 390 2700 0,049 18,148 2,899 2,564

Пример расчётов:
U 0,829
1) R= = =696,639 Oм
I 1190∗10−6
ln R=ln ( 696,639 )=6,546

Таблица 2
№ T, K I, мкА U, В R, кОм t, ◦C
1 384 850 1,31 1,541 111
2 378 858 1,304 1,520 105
3 370 860 1,276 1,484 97
4 361 865 1,234 1,427 88
5 352 868 1,224 1,410 79
6 343 883 1,212 1,373 70
7 335 896 1,202 1,342 62
8 328 909 1,192 1,311 55
9 320 935 1,171 1,252 47
10 312 952 1,158 1,216 39
11 302 974 1,136 1,166 29
12 293 998 1,122 1,124 20

Пример расчётов:
U 1,31
1) R= = =0,001541 Ом=1,541 кОм
I 850∗10−6
t=384 К −273 К=111◦C
9. Расчет результатов косвенных измерений (таблицы, примеры расчетов).
Температурный
№ α, 1/℃ <α>, 1/℃ Δα, 1/℃ εα, %
коэффициент
1(1,7) 0,00374
2(2,8) 0,00385
3(3,9) 0,00447
0,0043 0,00049 11
4(4,10) 0,00409
5(5,11) 0,00476
6(6,12) 0,00485
СКО 0,00019
tα 2,57

Расчёт:
<α>=(0,00374+0,00385+0,00447+0,00409+0,00476+0,00485)/6=0,0043 (1/℃)
СКО=√ ¿ ¿ ¿
Δα=СКО* tα=0,0019*2,57=0,00049 (1/℃)
εα= Δα/<α>*100%=0,00049/0,0043*100%=11%

Ширина запрещённой зоны

εΕ , <Е>,
№ Ε, Дж*1023 <E>, Дж*1023 ΔΕ, Дж*1023 Е, Эв ΔΕ, Эв εΕ , %
% Эв
1(1,7) 12079,9639 0,754
2(2,8) 11798,3221 0,737
3(3,9) 11258,6507 0,703
11525 524,3 5 0,72 0,03 5
4(4,10) 11514,7417 0,719
5(5,11) 11816,0189 0,738
6(6,12) 10682,1876 0,667
СКО 204 0,013
tα 2,57
Расчёт:
<Е>=(12080+11798+11259+11515+11816+10682)/6=11525 Дж*1023

СКО=√ ¿ ¿ ¿
ΔΕ= СКО* tα=2,57*204=524,3 Дж*1023
εE= ΔE/<E>*100%=524,3/11525*100%=5%

<Е>=(0,754+0,737+0,703+0,719+0,738+0,667)/6=0,72 Эв
СКО=√ ¿ ¿ ¿
ΔΕ= СКО* tα=2,57*0,013=0,03 Эв
εE= ΔE/<E>*100%=0,03/0,72*100%=5%

10. Графики (перечень графиков, которые составляют Приложение 2).

Зависимость сопротивления металла от температуры по шкале Цельсия

1.8 Rм=Rм(t)
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0 20 40 60 80 100 120

График зависимости натурального логарифма сопротивления полупроводника от величины обратного

значения абсолютной температуры

lnR=lnR(1/T)
7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

0.0
2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5

Полученные зависимости линейны.

11. Окончательные результаты.

α=(0,00430±0,00049) 1/℃ ; εα= 11%. Скорее всего этот металл – алюминий.
Eg=(11525,0±524,3) Дж*1023 или Eg=(0,72±0,03) Эв ; εE= 5% . Скорее всего этот полупроводник –
германий.

12. Выводы и анализ результатов работы

Я исследовала зависимости сопротивления металла от температуры по шкале Цельсия и натурального
логарифма сопротивления полупроводника от величины обратного значения абсолютной
температуры. В ходе проделанной работы я убедилась в линейности этих графиков. Также, были
вычислены температурный коэффициент металла и ширина запрещённой зоны для полупроводника,
было установлено, что это были за образцы.