TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Introducción
Es un dispositivo de tres terminales que se utiliza para aplicaciones, hasta cierto
punto, similares a las del BJT.
El BJT es un dispositivo controlado por corriente, esto es, la corriente de salida
(Ic o Ie) es una función directa de la corriente de entrada, mientras que el FET es un
dispositivo controlado por voltaje, es decir, la corriente de salida I es una función
directa del voltaje de entrada.
Hay FETs canal n y canal p, en los que la corriente es unipolar, es decir, depende
únicamente de electrones (canal n) o de huecos (canal p), mientras que en los BJT la
corriente es bipolar (portadores mayoritarios y minoritarios).
El nombre "Efecto de campo" se debe a que entre las terminales de entrada se
establece un campo eléctrico que controla la trayectoria de conducción del circuito de
salida.
Como el FET es un dispositivo controlado por voltaje, entonces prácticamente
no requiere corriente de entrada por lo que su impedancia de entrada es muy alta, de 1
MΩ a cientos de MΩ, lo cual excede con mucho los niveles de resistencia de entrada de
los BJT.
Debido a que el BJT es más sensible a las variaciones de entrada, un
amplificador con BJT puede tener mayor ganancia de voltaje que un amplificador con
FET.
En general los FET son más estables con respecto a variaciones de temperatura y
son de construcción más pequeña que los BJT, lo cual los hace más convenientes para
utilizarlos en la fabricación de circuitos integrados.
Hay dos tipos de FET, el JFET (Transistor de efecto de campo de unión) y el
MOSFET (Transistor de efecto de campo construcción de metal óxido semiconductor)

(MOSFET)
Transistor de efecto de campo construcción de metal, oxido, semiconductor
Hay dos tipos de MOSFET, de empobrecimiento y de enriquecimiento (ambos
términos se refieren a su forma de operación) y ambos tipos pueden ser de canal n o
canal p.
 MOSFET del tipo de empobrecimiento de canal n
En la Figura 10 se muestra un MOSFET de empobrecimiento de canal n. Está
formado por un bloque de material tipo p llamado sustrato y es la base sobre la que se
construye el transistor. En algunos casos la fuente se une al sustrato y en otros se
presenta un dispositivo de 4 terminales. Las terminales de fuente y drenaje se conectan
por medio de contactos metálicos a las regiones tipo n unidas por un canal n como se ve
en la Figura 10. La compuerta también se conecta a través de un contacto metálico,
pero permanece aislada del canal n por una capa muy delgada de bióxido de silicio
(SiO2).
Debido a dicha capa, NO hay conexión eléctrica entre la compuerta y el canal
del MOSFET, por lo que entre las terminales de entrada del transistor (compuerta y
fuente) existe una muy alta impedancia y una capacitancia muy baja.
Por lo anterior la corriente de compuerta IG es prácticamente igual a cero para la
polarización de cd.
En algunos textos al MOSFET se le llama (IGFET) (Insulated gate field effect
transistor) o transistor de efecto de campo de compuerta aislada.

Figura 10. FET de empobrecimiento canal n; Figura 11. a) Con VGS = 0 y VDD ≠ 0, b)
Con VGS < 0 y VDD ≠ 0
Símbolos y construcción del encapsulado
En la Figura 12 se ven los símbolos del MOSFET de empobrecimiento canal n y
canal p.
Los símbolos reflejan la construcción del dispositivo. La falta de una conexión
directa de la compuerta con el canal se representa por un espacio entre la compuerta y
las otras terminales del símbolo. La línea vertical que representa el canal conecta el
drenaje con la fuente y está soportada por el sustrato.
La hoja de datos de un MOSFET del tipo de empobrecimiento es similar a la de
un JFET. Los niveles de VP e IDSS se proporcionan junto con una lista de los valores
máximos y de las características típicas de encendido y apagado. Además, ya que I D se
puede extender más allá del nivel de IDSS, normalmente se proporciona otro punto que
refleja un valor típico de ID para cierto voltaje positivo (para un MOSFET canal n). Por
ejemplo para el MOSFET 2N3797 ID se especifica como ID(encendido) = 9 mA cd con VDS =
10 v y VGS = 3.5 v.
Figura 12. Símbolos gráficos de (a) MOSFET tipo empobrecimiento canal n, (b)
MOSFET tipo empobrecimiento canal p
 MOSFET del tipo de enriquecimiento
Como se observa en la Figura 13 su construcción es muy similar al tipo de
empobrecimiento, la diferencia es que en este caso no hay un canal formado.

Figura 13. Estructura de un MOSFET del tipo de enriquecimiento

En un MOSFET de enriquecimiento de canal n VGS debe de ser positivo.
Operación básica, características
Si VGS = 0, la corriente entre drenaje y fuente ID = 0 aún cuando VDS > 0
(siempre y cuando VDS no sea mayor o igual al voltaje de rompimiento de las uniones
entre las regiones n de fuente y drenaje y del sustrato).

Figura 14. MOSFET de enriquecimiento a) Con VGS = 0 y VDS > 0; b) Cambio en la

región de canal y en la región de agotamiento por el aumento de VDS con VGS fijo
Si VGS > 0 los electrones libres (portadores minoritarios) en el sustrato p serán
atraídos por el voltaje positivo aplicado al contacto metálico de la compuerta, sin
embargo no pasan a dicho contacto debido a la capa aislante del SiO2, por lo que
entonces se acumulan en el sustrato a lo largo del contacto metálico de la compuerta
formando un canal de portadores libres que permite el flujo de ID. La corriente ID
permanecerá igual a cero mA hasta que VGS alcance un cierto nivel llamado voltaje de
umbral (VTh), Figura 14 a.
 Entonces se forma un canal con esa acumulación de portadores libres, por lo que
se le llama MOSFET de enriquecimiento.
Cuando VGS > VTh la densidad de portadores libres en el canal inducido, se
incrementa por lo que ID se incrementa. Sin embargo, si VGS se mantiene constante y
VDS se incrementa, ID se incrementará hasta que alcance un nivel de saturación.
La estabilización de ID se debe al proceso de estrechamiento del canal inducido
como se ve en la Figura 14 b.
Aplicando la Ley de voltaje de Kirchhoff a los voltajes de las terminales del
MOSFET, se obtiene:
VDG = VDS – VGS
Si VGS se mantiene fijo, 8 por ejemplo, y VDS se incrementa de 2 a 5 v, VDG
cambiará de -6 a -3 v y la compuerta será menos positiva respecto al drenaje. Esta
reducción del voltaje de compuerta respecto al drenaje reducirá la atracción que ejerza
sobre los electrones libres en esa región del canal causando una reducción efectiva del
ancho del canal. Conforme se reduce esa diferencia de potencial la fuerza de atracción
se reducirá aún más, hasta que finalmente el ancho del canal sea mínimo y se alcance el
valor de saturación de ID.
El nivel de saturación para VDS esta relacionado con el nivel de VGS por:
VDSsat = VGS – VTh
De la ecuación anterior se obtiene que para un valor fijo de VTh, mientras mayor
sea VGS, mayor será el nivel de saturación para VDS.
Para valores de VGS menores a VTh, se tendrá que ID = 0.
Como ejemplo obsérvese la Figura 15, en la que se indica claramente que
cuando VGS se incrementa de VTh a 8 por ejemplo, el nivel de saturación de I D cambia de
0 a 10 mA. Además se nota claramente que el espacio entre los niveles de V GS aumenta
conforme se incrementa la magnitud de VGS, lo que da como resultado aumentos
crecientes en la corriente ID. Por lo que el cambio de ID respecto al cambio de VGS NO
ES LINEAL.

Figura 15. Característica ID contra VDS de un MOSFET de tipo de enriquecimiento de

canal n con VTh = 2 v y k = 0.278 x 10-3 A/V2

Para VGS > VTh, la relación entre la corriente ID y VGS es:

 ID = k(VGS – VTh)2

La ecuación muestra, como ya se dijo antes la relación NO LINEAL entre ID y

VGS, donde k es una constante que resulta de la fabricación del dispositivo y se puede
calcular con:

I D ( encendido )
k=
(VGS ( encendido ) − VT ) 2

Donde. ID(encendido) y VGS(encendido) son los valores en un punto en particular sobre las
características del dispositivo.
Ejemplo. En la Figura 15 se ve que ID(encendido) = 10 mA y VGS(encendido) = 8 v,
entonces
10 mA
K= = 0.278 x 10-3 A/V2
(8 − 2) 2

Así que entonces: ID = 0.278 x 10-3 (VGS – 2)2

Ejemplo. Si VGS = 4 v ==> ID = 0.278 x 10-3 (VGS – 2)2 = 1.11 mA
Lo anterior se puede verificar en la Figura 15.
Símbolos y construcción del encapsulado
En la Figura 16, se ven los símbolos gráficos de los MOSFET del tipo de
enriquecimiento de canal n y de canal p. Observe que los símbolos reflejan la
construcción real del dispositivo. La línea punteada entre el drenaje y la fuente reflejan
el hecho de que no existe canal entre ambos, cuando no está polarizado el transistor.

Figura 16. Símbolos de MOSFET de tipo de enriquecimiento de a) canal n y b) canal p

MANEJO DEL MOSFET

 La delgada capa de SiO2 que hay entre la compuerta y el sustrato de un
MOSFET tiene el efecto de presentar una muy alta impedancia de entrada y una
capacitancia muy baja. Debido a que, por diversos motivos, se acumula carga estática,
como es la fricción con el medio ambiente, se puede llegar a establecer una diferencia
de potencial entre la compuerta y el sustrato. Si esta ddp es lo suficientemente grande
puede llegar a perforar la capa de SiO2, y dañar el MOSFET. Es entonces muy
importante que las terminales del MOSFET permanezcan unidas con el anillo metálico
o el papel aluminio que proporciona el fabricante, mientras no se instale en un circuito.
Cuando instala un MOSFET, el técnico debe de conectarse a tierra física con el
fin de que elimine la carga estática acumulada en su organismo y no dañe al MOSFET.
D

N MOS
G
Z1

Z2

Figura 17. MOSFET protegido por diodos Zener

El fabricante normalmente proporciona el voltaje máximo entre compuerta y
fuente. Una forma de proteger el dispositivo es como se muestra en la Figura 18. Sin
embargo, este circuito presenta la desventaja de disminuir la impedancia del circuito al
que presenta el diodo en polarización inversa, la cual es menor que la impedancia de
entrada del MOSFET.
Actualmente la mayoría de los MOSFET tienen un circuito de protección similar
integrado, sin embargo, es mejor tratar con cuidado tanto los MOSFET como los
circuitos integrados MOS.

POWER MOSFET
La Fig. 18 muestra el esquemático, las curvas de transferencia y el símbolo de un
MOSFET. El desarrollo de los MOSFET de potencia fue parcialmente impulsado por
las limitaciones de los transistores BJT, los cuales, hasta hace poco, eran ampliamente
utilizados en aplicaciones de electrónica de potencia. Aunque no es posible definir los
límites de operación de los transistores de potencia, se dice que un dispositivo de
potencia es aquel que puede conmutar al menos 1 A. Los transistores de potencia
bipolares son dispositivos controlados por corriente, para los que se requiere una
corriente de base tan alta como una quinta parte de la corriente de colector para
mantenerlos en conducción. También se requieren corrientes de base altas para lograr
un apagado rápido. No obstante el desarrollo de la tecnología logrado para producir
BJT de alta calidad y bajo costo, las limitaciones antes mencionadas hacen que el diseño
del circuito de excitación de base sea más complicado y por tanto más caro que el de los
MOSFET de potencia.

Otra limitación de los TBJ es que la corriente está formada tanto por electrones como
por huecos. Los huecos tienen un tiempo de vida, como portador de carga, más alto, lo
que causa que la velocidad de conmutación sea mucho menor que la de un MOSFET de
dimensiones y voltajes, similares. También, los TBJ tienen la característica de
corrimiento por temperatura, esto es, su caída de voltaje de colector a emisor cuando
conduce, se reduce con el incremento de temperatura, lo que causa que cuando se
conectan varios dispositivos en paralelo, unos conduzcan más corriente que otros.
Los MOSFET de potencia, por otro lado, son dispositivos cuya corriente está formada
únicamente por portadores mayoritarios sin portadores minoritarios. Su rendimiento es
superior en aplicaciones de alta frecuencia con respecto a los TBJ, los cuales presentan
pérdidas apreciables de potencia en la conmutación. Además los MOSFET pueden
resistir la aplicación simultánea de alta corriente y alto voltaje sin riesgo de destruirse
debido al efecto de segundo rompimiento. También, los MOSFET de potencia se
pueden conectar en paralelo fácilmente ya que la caída de voltaje en sentido directo se
incrementa con incrementos de temperatura, por lo que se puede lograr una distribución
uniforme de la corriente entre todos los dispositivos.

Características en régimen permanente

Dado que los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y que tienen una muy
alta impedancia de entrada (109 ohms), en la compuerta solo circula una corriente de
fuga muy pequeña (nanoampers). Típicamente, la ganancia de corriente es del orden de
109. Sin embargo, en este caso el parámetro más importante es la transconductancia, la
cual es la relación de la corriente de drenaje al voltaje de compuerta.
gm = |VDS = cte
La Resistencia de salida ro = RDS, se define como: RDS =
Normalmente es muy alta en la región de estrechamiento, típicamente del orden de los
megaohms; y muy pequeña en la región lineal, típicamente del orden de los miliohms.

Figura 19. Curvas características de salida del MOSFET

Para los MOSFET tipo de agotamiento, el voltaje de compuerta puede ser
positivo o negativo. Para los MOSFET del tipo de enriquecimiento solo es positivo. En
general, los MOSFET de potencia son del tipo de enriquecimiento. Sin embargo, los
MOSFET del tipo de agotamiento podrían ser convenientes en algunas aplicaciones.