––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
2018 • ФИЗИКА • Вып. 3 (41)
УДК 535.8
PACS 07.07.Df
imental sensitivity of the sensor is different from the calculated one. This may be because the cal-
culation model didn’t take into account the change of a refractive index of waveguides. In addi-
tion, this difference may be due to the temperature drift of an optical ring resonator spectrum.
Keywords: integrated optical pressure sensor; ring resonator; Si3N4 / SiO2 waveguides
doi: 10.17072/1994-3598-2018-3-24-31
В настоящей работе предметом исследования
1. Введение являются интегрально-оптические датчики давле-
ния. Такие датчики представляют собой систему,
На сегодняшний день во многих областях про- чувствительным элементом которой является
мышленности (нефтегазовая, химическая, энерге- набор оптических волноводов, выполненных в
тическая) используются приборы, которые позво- приповерхностном слое полупроводникового чи-
ляют измерять давление. Такие приборы могут па, который играет роль мембраны. Воздействие
использоваться, например, как расходомеры, дат- давления на мембрану приводит к изменению оп-
чики уровня жидкости. тических характеристик волноводов, по которому
Датчик давления – это устройство, преобразу- можно судить о степени воздействия (давления) на
ющее измеряемое давление в детектируемый элек- чип.
трический или оптический сигнал. Интегрально-оптический датчик давления мо-
Датчик давления как измерительная система жет иметь различную топологию оптических вол-
представляет собой конструктивную совокупность новодов, в соответствии с которой датчики могут
одного или нескольких измерительных преобразо- иметь различные методики оценки степени воз-
вателей (чувствительных элементов), размещае- действия давления.
мых непосредственно у объекта измерений и пре- Среди существующих вариантов можно выде-
образующих измеряемые (контролируемые) лить чувствительный элемент на основе кольцево-
давления в величины удобные для передачи по ка- го резонатора [3], интерферометра Маха–
налам связи и дальнейшего преобразования [1]. Цендера [4], прямых волноводов [5]. Чувствитель-
По назначению датчики давления делят на дат- ный элемент на основе интерферометра Маха–
чики, измеряющие абсолютное давление, разность Цендера имеет нелинейный выходной оптический
давлений (дифференциальные) и отношение двух сигнал, что является его существенным недостат-
давлений. ком. Наибольший интерес представляет чувстви-
По методам измерения давления датчики дав- тельный элемент на основе оптического кольцево-
ления можно разделить на следующие группы: го резонатора из-за его линейного выходного
механические (недистанционные), в том числе сигнала.
жидкостные, весовые и пружинные;
электромеханические, в которых механический
чувствительный элемент сочетается с электри-
2. Принцип работы кольцевого
ческой дистанционной передачей; резонатора
электрические, в том числе электронные, газо- Предметом исследования в данной работе яв-
разрядные, радиоактивные, тепловые, пьезоре- ляется датчик давления с чувствительным элемен-
зисторные; том на основе оптического кольцевого резонатора.
оптические. Кольцевой резонатор обычно состоит из за-
Оптические датчики давления являются наибо- мкнутого волновода и входных/выходных волно-
лее перспективным классом приборов для измере- водов, как показано на рис. 1.
ния давления. Данные измерительные системы, в
отличие от электрических, не восприимчивы к
электромагнитным полям. Они востребованы в тех
областях, в которых предъявляются высокие тре-
бования к взрыво- и пожаробезопасности [2]. Так-
же данные приборы относятся к классу датчиков
для дистанционного мониторинга давления с воз-
можностью организации распределенной системы
мониторинга давления. Например, измерение дав-
Рис. 1. Пример топологии оптического
ления в трубопроводе в определенных точках
кольцевого резонатора
вдоль него.
Оптические датчики давления делятся на три Оптическое излучение вводится во входной
основных вида: волоконные, интегрально- волновод. В области оптической связи происходит
оптические и оптоэлектронные датчики давления. перекачка оптического излучения из прямого вол-
25
26 А. А. Козлов, А. А. Кондаков, У. О. Салгаева, А.Б. Волынцев
новода в замкнутый. В замкнутом волноводе рас- Общий план основания исследуемого датчика
пространяются только те длины волн λm излуче- представлен на рис. 4.
ния, которые удовлетворяет резонансному усло-
вию Место расположе-
m m 2 Rneff . (1) ния чипа
Здесь R – радиус кольцевого резонатора, neff – эф-
фективный показатель преломления для длины
волны λm при температуре 20 °С, m – порядок ре-
зонанса. Эффективный показатель преломления
волновода рассчитывается на основе модели эф-
фективного показателя преломления [6], которая Цилиндрическое
берет в расчет показатели преломления сердцеви- отверстие
ны и оболочки волновода и его геометрические
параметры.
На рис. 2 показан спектр кольцевого резонато- Рис. 4. Общий план основания исследуемого
ра на прохождение, снятый из выходного оптиче- датчика давления
ского волновода. Ширина спектральных линий
Основание для исследуемого датчика было вы-
кольцевого резонатора напрямую зависит от ко-
полнено методом фотополимерной 3D печати. В
эффициента связи прямого подводящего и кольце-
центральной части основания имеется цилиндри-
вого волноводов.
ческое отверстие, которое напрямую связано с по-
лостью постоянного объема. Над данным отвер-
стием крепится поверх чип-мембрана.
Чувствительный элемент представляет оптиче-
ский кольцевой резонатор, выполненный на чипе
из полупроводникового материала размером
5×11 мм. Исследуемый чувствительный элемент
выделен на рис. 5 белой рамкой [7].
1
2
каждого слоя. В расчетной модели прикладыва- единялся к гидравлической системе ГУСК при по-
лось давление равное 5 бар. Расчет прогиба мем- мощи специальных герметичных фитингов.
браны позволяет определить зависимость ради-
ального смещения всех точек расчетной модели в
зависимости от прикладываемого давления. Вели-
чина радиального смещения центра волновода
принимается как величина изменения радиуса
кольцевого резонатора.
На втором этапе при помощи программного
продукта OptiWave производился расчет спектров
кольцевого резонатора на основе теории согласо-
ванных мод. Для расчета был взят исходный коль-
цевой резонатор (без воздействия давления), пара-
метры которого совпадали с параметрами
прототипа. Также был взят кольцевой резонатор,
радиус которого отличается от радиуса исходного
на ΔR. В ходе моделирования проводилось сравне-
ние спектров пропускания этих кольцевых резона-
торов. Это эквивалентно сравнению спектров при
давлении 0 и 5 бар. Рис. 11. Испытательный стакан ГУСК
В ходе эксперимента производилось плавное
6. Описание экспериментальной увеличение давления от 0 до 5 бар с шагом в 1 бар.
установки и методика На каждом шаге фиксировались спектр кольце-
эксперимента вого резонатора и соответствующее ему давление.
Изменение спектральной характеристики коль-
Исследование прототипа интегрально- цевого резонатора регистрировалось с использова-
оптического датчика давления проводилось при нием оптического спектроанализатора Yokogawa
помощи гидравлической установки сравнительной AQ6370D и источника оптического излучения
калибровки (ГУСК). Данная установка изображена УСЭм-120.
на рис. 10.
7. Результаты исследований
В ходе численного моделирования механики
чувствительного элемента была получена картина
деформаций чипа. Результат моделирования изоб-
ражен на рис. 12.
расчетное изменение радиуса кольцевого резона- Таким образом, произошло смещение резонансно-
тора ΔR составляет –10 нм (R2 = 499.99 мкм). го пика на 30 пм.
В результате моделирования спектров пропус- Данное смещение пика эквивалентно приложе-
кания кольцевых резонаторов были получены нию давления в 5 бар. Расчеты показывают, что
спектры, приведенные на рис. 13. исследуемая модель имеет чувствительность
6 пм/бар.
В ходе натурного эксперимента при увеличе-
нии давления в испытательном стакане наблюдал-
ся плавный сдвиг спектральной характеристики
кольцевого резонатора. Спектральная характери-
стика кольцевого резонатора при различных при-
кладываемых давлениях изображена на рис. 14.
Чувствительность спектрального анализатора со-
ставляет 2 пм.
Если проследить за сдвигом пика, который со-
ответствует одной из резонансных длин волн
кольцевого резонатора, то можно построить зави-
Рис. 13. Спектры кольцевых резонаторов с симость длины волны от прикладываемого давле-
радиусами R1 и R2=R1+ ΔR ния (рис. 15).
При увеличении давления до 5 бар спектраль-
ная характеристика сместилась на 56 пм. Обрат-
ный угловой коэффициент аппроксимирующей
прямой – это чувствительность. Таким образом,
экспериментальная чувствительность датчика дав-
ления составила примерно 12 пм/бар. В области
малых давлений наблюдается линейная зависи-
мость сдвига резонансной длины волны от давле-
ния, что хорошо согласуется с теоретической зави-
симостью (7). Однако при значительном
повышении давления вклад фотоупругого эффекта
в изменение эффективного показателя преломле-
ния нельзя считать тривиальным, поскольку будет
наблюдаться отклонение вышеприведенной харак-
теристики от линейной.
случае изменением эффективного показателя пре- 11. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая фи-
ломления нельзя пренебречь. Во-вторых, необхо- зика. Т. 7. Теория упругости. М.: Физматлит,
димо учитывать влияние температуры на сдвиг 2003. 264 с.
спектральной характеристики. В ходе эксперимен- 12. Тимошенко С. П., Войновский-Кригер С. Пла-
та возможно изменение температуры чипа из-за стинки и оболочки. М.: Наука, 1966. 636 с.
изменения температуры окружающей среды. Как
было показано в статье [7], кольцевые резонаторы
являются хорошими датчиками температуры с References
чувствительностью более 20 пм/˚C.
1. Belousov V. A. Kompleksy kontrolya parametrov
Работа выполнена при поддержке Министер- gazoturbinnykh dvigateley (Control kits for gas
ства образования и науки Пермского края (С- turbine engine). In: Lektsii po aviatsionnym
26/004.02), а также при поддержке Пермского priboram (Lectures on aviation devices). UGATU.
фонда развития предпринимательства. 2005. P. 105–117 (In Russian).
2. Ripka P., Tipek A. Modern sensors handbook.
Список литературы London, UK: ISTE, 2007. 20 p.
3. Zhao X., Tsai J. M. A nano-opto-mechanical pres-
1. Белоусов В. А. Комплексы контроля параметров sure sensor via ring resonator. Optics Express,
газотурбинных двигателей: лекции по авиаци- 2012, vol. 20, no. 8, pp. 8535–8542.
онным приборам // УГАТУ. 2005. С. 105–117. 4. de Brabander G., Beheim G. Integrated optical mi-
2. Ripka P., Tipek A. Modern sensors handbook // cromachined pressure sensor. Applied optics,
London, UK: ISTE, 2007, 20 p. 1998, vol. 37, no. 15, pp. 3264–3267.
3. Zhao X., Tsai J. M. A nano-opto-mechanical pres- 5. Endo Y., Ohkawa M., Sekine S., Sato T. Guided-
sure sensor via ring resonator // Optics Express. wave optical pressure sensor responding only to
2012. Vol. 20. N. 8. P. 8535-8542. changing pressure. Proceedings of SPIE, 2005,
4. de Brabander G., Beheim G. Integrated optical mi- vol. 5728, pp. 309–316.
cromachined pressure sensor // Applied optics. 6. Tamir T. Integrated optics. Berlin: Springer, 1975.
1998. Vol. 37. N. 15. P. 3264–3267. 318 p.
5. Endo Y., Ohkawa M., Sekine S., Sato T. Guided- 7. Salgaeva U. О., Hasanshina A. R., Kozlov A. A.,
wave optical pressure sensor responding only to Kondakov A. A., Volyncev A. B., Moiseeva E. V.
changing pressure // Proceedings of SPIE. 2005. Sensitive element based on the integrated optical
Vol. 5728. P. 309–316. ring resonator and one-dimensional photonic crys-
6. Тамир Т. Интегральная оптика. М.: Мир, 1978. tal for the sensors of the physical values. Nano-
344 с. and microsystems technology, 2018, vol. 20, no. 6,
7. Салгаева У. О., Хасаншина А. Р., Козлов А. А., pp. 340–350 (In Russian).
Кондаков А. А., Волынцев А. Б., Моисеева Е. В. 8. Kim J., Cho D. Why is (111) silicon a better me-
Чувствительный элемент на основе интеграль- chanical material for MEMS? In: Obermeier E.
но-оптического кольцевого резонатора и одно- (Ed.) Transducers ’01 Eurosensors XV. Berlin:
мерного фотонного кристалла для датчиков Springer, 2001. P. 662–665.
физических величин // Нано- и микросистемная 9. Lvov G. I. Fundamentals of the theory of plates
техника. 2018. Т. 20. Вып. 6. С. 340–350. and shells. Kharkov: Kharkov State University,
8. Kim J., Cho D. Why is (111) silicon a better me- 2014. 145 p (In Russian).
chanical material for MEMS? / In: Obermeier E. 10. Dudaicevs H., Kandler M. Surface micromachined
(Ed.) Transducers ’01 Eurosensors XV. Berlin: pressure sensors with integrated CMOS read-out
Springer, 2001. P. 662–665. electronics. Sensors and Actiators A, 1994, vol. 43,
9. Львов Г. И. Основы теории пластин и оболочек. pp. 157–163.
Харьков: Изд-во Харьковского гос. ун-та, 2014. 11. Landau L. D., Lifshitz E. M. Theoretical Physics
145 с. Vol. 7. Theory of elasticity. Oxford: Butterworth-
10. Dudaicevs H., Kandler M. Surface micromachined Heinemann, 1986. 195 p.
pressure sensors with integrated CMOS read-out 12. Timoshenko S. P., Woinowsky-Krieger S. Theory
electronics // Sensors and Actiators A. 1994. of plates and shells. New-York: McGraw-Hill,
Vol. 43. P. 157–163 1959. 580 pp.