Вы находитесь на странице: 1из 13

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Московский физико-технический институт


(национальный исследовательский университет)

Управление полосой излучения светодиода


путём изменения температуры
Вопрос по выбору
Общая физика

Выполнил: студент группы Б04-856.


Крылов А. А.

г. Долгопрудный
2022 год
Содержание
1. Введение 2

2. Цели и задачи 2

3. Теоретическая часть 3

4. Практическая часть 4

5. Вывод 9

A. Режимы сложения и вычитания дисперсии 11

B. Технические характеристики Horiba Jobyn-Yvon T64000 12

1
1. Введение
Ширина запрещённой зоны полупроводника является его важнейшей характеристи-
кой, влияющей на возможности его практического применения. С момента начала ши-
рокомасштабных исследований свойств полупроводников было установлено, что ширина
запрещенной зоны зависит от температуры.
Полупроводниковый светодиод это один тип из множества полупроводниковых устройств.
Длина волны излучения полупроводникового диода зависит от ширины его запрещенной
зоны. Этот факт позволяет нам наглядно демонстрировать наличие зависимости и иссле-
довать ее.
Явление можно наблюдать в следующем опыте: светодиод, излучающий желтый свет
при комнатной температуре, меняет цвет на зеленый при погружении его в жидкий азот
(рис. 1). Из этого опыта можно сделать вывод о том, что между шириной запрещенной зо-
ны, от которой зависит длина волны излучения, и температурой существует взаимосвязь.

Рис. 1: Спектр желтого светодиода при комнатной температуре (красный) и при темпера-
туре кипения жидкого азота (синий)

Данное явление используется, например, для стабилизации излучения полупроводни-


ковых лазеров. Однако исследование подобного эффекта на светодиоде также представ-
ляет интерес, ведь на основе этого явления возможно создание светодиода с управляемой
полосой излучения. Влияние этого эффекта также необходимо изучать вследствие того
факта, что изменение ширины запрещенной зоны может серьезно влиять на характери-
стики полупроводниковых приборов.

2. Цели и задачи
Целью данной работы является получение зависимости ширины запрещенной зоны от
температуры опытным путём. Для достижения данной цели необходимо решить следую-

2
щие задачи:

1) Изучить теорию возникновения явления;

2) Получить теоретическую зависимость ширины запрещенной зоны от температуры

3) Снять экспериментальную зависимость длины волны и ширины запрещённой зоны


от температуры.

3. Теоретическая часть
Принцип работы светодиода состоит в следующем. При пропускании электрического
тока через p-n-переход в прямом направлении носители заряда — электроны и дырки —
движутся навстречу и рекомбинируют в обеднённом слое диода с излучением фотонов из-
за перехода электронов с одного энергетического уровня на другой (рис. 2). Меняя ширину
p-n-перехода, т.е. меняя ширину запрещенной зоны Eg , можно добиться изменения длины
излучаемой волны.

Рис. 2: p-n переход в светодиодах

Покажем, что для элементарной модели полупроводника зависимость ширины запре-


щённой зоны от температуры линеёна. Уровень Ферми при данной температуре и том
условии, что kT << Eg , где Ec - уровень зоны проводимости, то есть когда распределение
Ферми переходит в распределение Больцмана, определяется как:

µ = Ec − kT ln(f ), (1)

где f - вероятность заполнения уровня с энергией Ec , которая пропорциональна 3/2 эффек-


тивной массы носителя. Для собственного полупроводника концентрация дырок и элек-
тронов одинакова, тогда из (1) получается:

1 Nc 3 me
µ = Ei − kT ln( ) = Ei − kT ln( ). (2)
2 Nh 4 mh
Здесь Ei - положения центра запрещенной зоны. Для большинства полупроводников шири-
на запрещенной зоны слабо зависит от температуры. Тогда при условии, что соотношение
эффективных масс электронов и дырок в теле сохраняются получим зависимость ширины
запрещенной зоны следующего вида:

Eg = E0 − γT, (3)

3
где γ - коэффицент, зависящий от материала [6, 7, 8]. Однако, такая простая модель не
описывает полностью поведение запрещенной зоны при различных температурах, ведь
ширина запрещенной зависит от множества факторов. Наибольший вклад вносят сле-
дующие: а) взаимное отталкивание уровня в зонах при увеличении электрон-фононного
взаимодействия; б) тепловое расширение решетки (ангармонизм колебаний) и соответству-
ющая зависимость энергетической щели от постоянной решетки. Первый эффект линеен
при температуре, серьёзно превышающей температуру Дебая и квадратичен при темпе-
ратурах сильно ниже температуры Дебая, второй эффект линеен в области высоких ( 300
K) температур и нелинеен для температур от 0 до 200 К [1].
Для описания поведения ширины запрещенной зоны в 1967 году Варшни была пред-
ложена эмпирическая формула, которая учитывает два основных механизма, описанных
выше [1]:
αT 2
Eg = E0 − , (4)
T +β
где E0 - ширина запрещенной зоны при абсолютном нуле, а α и β - коэффициенты, свя-
занные с конкретным материалом полупроводника. Из этого соотношения видно, что при
достаточно больших температурах зависимость линейна. Надо отметить, что формула
Варшни действительна как для собственных полупроводников, так и для сплавов, ведь
ширины запрещённой зоны для сплава из ширин запрещённой зоны для компонентов
сплава может быть расчитан следующим образом:

EgAx B1−x B = xEgAC + (1 − x)EgBC − x(1 − x)pAC,BC , (5)

где p - энергетическая поправка, связанная с контактом 2х компонентов [4].


Существуют формулы, более точно описывающие поведение запрещенной зоны от тем-
пературы, учитывающие, например, асимптотическое поведение при высоких температу-
рах [2], однако и формула (4) обеспечивает достаточную практическую точность и яв-
ляется довольно широкоупотребимой. Примеры использования формулы (4) приведены
в работах [3, 4, 5]. Важно отметить, что из измерений, приведённых в [1, 2, 4, 5] можно
увидеть, что Eg в диапазоне температур от 273 до 373 К зависимость линейна.

4. Практическая часть
Экспериментальная установка для изучения эффекта состоит из спектрометра Horiba
Jobyn-Yvon T64000 с тройным монохроматором, с азотно охлажлаемым CCD детектором
с разрешением 2048х512 пикселей, источника света - светодиода, термопары и среды с
изменяемой температурой. Общий вид установки приведен на рисунке 3. Технические
характеристики спектрометра приведены в приложении Б.
Жёлтый светодиод на базе кристалла AlGaInP погружается в воду. Измерение пока-
заний выше комнатной температуры производились в процессе охлаждения нагретой до
кипения воды, от 0 ◦ C до комнатной температуры - при нагревании воды со льдом. Также
были получены несколько значений при нагреве жидкого азота, а также были получены
значения длин волн при температуре жидкого азота. Такой порядок измерения основыва-
ется на том, что светодиод находится в тепловом равновесии с внешней средой. Термопа-
ра прикреплена к светодиоду. Погрешность при измерении температуры составляет ±1◦ C
при температурах 273-373 К, и ±2◦ C при температуре кипения азота. При фиксировании
длины волны спектрометром также фиксировались показания термопары.
На основании собранных данных был построен график зависимости длины волны пи-
ка излучения светодиода от температуры диода, приведенный на рисунке 4. Все точки
укладываются в линейную зависимость, за исключением точек при температуре -196 ◦ C,

4
Рис. 3: Общий вид установки

что однозначно говорит о нелинейном характере общей зависимости, но в области темпе-


ратур, с которыми человек обычно сталкивается в быту, зависимость аппроксимируется
линейной функцией (R-Square ≈ 0.998). Из этих данных получим зависимость ширины
запрещённой зоны от температуры в Кельвинах (рис. 5).

Рис. 4: Зависимость пиковой длины волны светодиода от его температуры

Методом наименьших квадратов была построена кривая вида (4), которая имеет вид

5.28 · 10−4 эВ · T2
Eg = 2.26 эВ − К
(6)
T − 43.95 К

5
Эта кривая отлично описывает полученную зависимость (R-Square ≈ 0.998), однако
кривая могла еще лучше отражать зависимость. Так, кривую можно было бы построить
точнее, если бы было больше данных о длинах волн при температурах ниже 100 К. Так-
же можно увидеть, что полученные ширины попадают в диапазон ширин для AlGaInP,
приведенных в [9]. Более того, порядок коэффицентов α и β примерно такой же, как и у
других полупроводников, как показано в таблице 1.

Материал E0 , эВ α, 10−4 эв/К β, K Источник


Si 1.557 7.021 1108 [1]
GaAs 1.5216 8.871 572 [1]
InAs 0.426 3.158 93 [1]
6H SiC 3.024 -0.3055 -311 [1]
InP 1.44 3.94 158 [4]
GaP 2.85 4.79 188 [4]
(Al0.1 Ga0.9 )0.5 In0.5 P 2.034 4.37 175 [4]

Таблица 1: Коэффеценты в формуле Варшни для некоторых полупроводников

Рис. 5: Зависимость ширины запрещнной зоны от температуры

Необходимо отметить тот факт, использование высокоточного спектрометра может се-


рьёзно облегчить наблюдение явления смещения пика излучения. Так, спектрометры типа
УМ-2, которые используются для проведения лабораторных работ по курсу общей физики
в МФТИ, имеют разрешение в жёлтой зоне порядка 2 Å/дел (калибровка спектрометра
УМ-2 на рис. 7), в то время как изменение длины волны в линейной части зависимости на
рис. 4 составляет 0,14 Å/K. Это значит, что в диапазоне от 273 до 373 К на спектрометре
УМ-2 можно уверенно снять до 5 точек. В то время как T64000 имеет разрешение порядка
0,085 Å/ пиксель, и в эксперименте в этом диапазоне снял 19 точек. Это преимущество в
разрешении можно наблюдать из результатов измерений, полученных на монохроматоре
УМ-2 (рис. 6) для красного светодиода, в сравнении с результатом, полученным выше на

6
Т64000 (рис. 4). Как видно, на рис. 6 были получены такие результаты, которые нельзя
уложить в линейную зависимость.

6 3 6 0

6 3 5 0

6 3 4 0

6 3 3 0
λ, A

6 3 2 0
E q u a tio n y = a + b * x
P lo t M
W e ig h t N o W e ig h tin g
6 3 1 0 In te r c e p t 6 3 4 9 ,4 7 6 7 2 ± 5 ,6 3 9 1 8
S lo p e -0 ,4 7 5 6 5 ± 0 ,4 3 5 2 9
R e s id u a l S u m o f S q u a re s 1 9 6 ,1 7 0 4 6
P e a r s o n 's r -0 ,4 7 9 4 6
R -S q u a re (C O D ) 0 ,2 2 9 8 9
6 3 0 0 A d j. R - S q u a r e 0 ,0 3 7 3 6

6 2 9 0
0 5 1 0 1 5 2 0 2 5
T , C

Рис. 6: Снятая зависимость пиковой длины волны от температуры на монохроматоре УМ-2

7 0 0 0

M o d e l C u b ic
6 5 0 0 E q u a tio n y = A + B * x + C * x ^ 2 + D * x ^ 3
P lo t K
A 3 5 1 2 ,8 4 0 9 ± 1 2 2 ,2 1 9 1 9
B 1 ,1 6 4 1 ± 0 ,2 5 4 6 6
6 0 0 0 C -6 ,1 8 0 4 9 E -4 ± 1 ,5 1 0 9 7 E -4
D 2 ,1 1 7 2 7 E -7 ± 2 ,7 4 3 6 4 E -8
R e d u c e d C h i-S q r 6 8 8 ,7 7 2 1 8
R -S q u a re (C O D ) 0 ,9 9 8 5 7
A d j. R - S q u a r e 0 ,9 9 8 3 7
5 5 0 0
λ, A

5 0 0 0

4 5 0 0

4 0 0 0

5 0 0 1 0 0 0 1 5 0 0 2 0 0 0 2 5 0 0 3 0 0 0
n , °

Рис. 7: Rалибровка спектрометра УМ-2

Из полученных выше результатов следует, что возможно изменять полосу излучения


диода и пик его излучения при необходимости. Так, если к холодной стороне элемента
Пельтье теплопроводящим способом прикрепить светодиод, то можно используя показа-
ния термодатчика контролировать длину волны пика излучения если была произведена

7
предварительная калибровка наподобие рис. 4, причем эта калибровка, скорее всего, будет
линейной в области температур от -30 до 100 ◦ C

8
5. Вывод
Изучено теоретически поведение ширины запрещённой зоны при изменении темпера-
туры, получено, что она приближённо линейна, качественно объяснена зависимость по
формуле Варшни (4).
Получена зависимость длин волн пика излучения и ширины запрещённой зоны от тем-
пературы для жёлтого светодиода на базе кристалла AlGaInP, показано, что зависимости
линейны зоне температур от -30 до 100 ◦ C. Согласно эксперименту, была получена зависи-
мость вида (4) со следующими параметрами: E0 = 2.26 эВ, α = 5.28·10−4 эВ
К
и β = −43.95 К.
Также была получена кривая типа Варшни для исследуемого светодиода и было показа-
но, что полученные результаты описываются с хорошим согласием формулой Варшни. В
конце был предложен способ управления полосой излучения диода.

9
Список литературы
[1] Y. P. Varshni. Physica, 34, 149 (1967)

[2] R. Passler Physica Status Solidi (b) 200, 155 (1997)

[3] ACS Photonics 2020, 7, 9, 2571–2577

[4] Wen Jing et al 2016 J. Semicond. 37 064010

[5] Vainshtein, I.A., Zatsepin, A.F. & Kortov, V.S. Applicability of the empirical Varshni
relation for the temperature dependence of the width of the band gap. Phys. Solid State
41, 905–908 (1999).

[6] Ципенюк Ю. М. Квантовая микро- и макрофизика. – М.: Физматкнига, 2006. - 640 с.

[7] Бонч-Буревич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. – М.: Наука, 1990.


688 с.

[8] Зиненко В. И., Сорокин Б. П., Турчин П. П. Основы физики твердого тела: Учеб.
пособие для вузов. – М.: Издательство Физико-математической литературы, 2001. –
336 с.

[9] Wang G., Yi X., Zhan T., Huang Y. (2019) The AlGaInP/AlGaAs Material System and
Red/Yellow LED. In: Li J., Zhang G.Q. (eds) Light-Emitting Diodes. Solid State Lighting
Technology and Application Series, vol 4. Springer, Cham.

10
A. Режимы сложения и вычитания дисперсии
Схема работы режима вычитания дисперсии приведена на рисунке 8. Полихроматиче-
ское излучение попадает в первый монохроматор через входную щель S1 и рассеивается
решеткой G1. Выходная щель первога монохроматора (входная щель 2-го монохромато-
ра) Si1/2 выбирает полосу пропускания между λ1 и λ2 . Решетка G2 во 2-м монохроматоре
рекомбинирует все рассеянные излучения на выходной щели Si2/3, снова давая полихро-
матическое излучение, но ограничено только спектральным диапазоном между λ1 и λ2 .

Рис. 8: Схема режима вычитания дисперсии

В тройной вычитающей конфигурации только 3-я ступень используется как диспер-


сионный элемент. В тройной аддитивной конфигурации каждая стадия рассеивает свет.
Тройная аддитивная дисперсия эквивалентна дисперсии с фокусным расстоянием 1,92 м,
а для тройного вычитания - эквивалентно дисперсии с фокусным расстоянием 0,64 м.

Рис. 9: Режим сложения дисперсии

11
B. Технические характеристики Horiba Jobyn-Yvon T64000
• фокусное расстояние монохроматора: 1 х 0.64 м (вычитание дисперсии);

• фокусное расстояние монохроматора: 3 х 0.64 м (сложение дисперсии);

• нижний предел определяемых сдвигов: < 100 см−1 (один монохроматор);

• нижний предел определяемых сдвигов: 2 - 5 см−1 (вычитание дисперсии);

• фильтрация рассеянного Релеевского света: 10−14 при 20 см−1 (512 нм);

• шаг: 0.00066 нм (с решеткой 1800 ш/мм);

• воспроизводимость: лучше 1 пкс. (с CCD);

• дифракционные решетки: 100 - 3600 ш/мм (на диапазон от УФ до ИК);

• разрешение CCD матрицы: 2048х512;

Один монохроматор Сложение дисперсии


Решетка на 300 нм на 500 нм на 800 нм на 300 нм на 500 нм на 800 нм
100 567.3 202.7 78.2 189.1 67.6 26.1
300 280.5 99.1 37.3 93.5 33.1 12.4
1200 136.2 46.4 15.9 45.4 15.5 5.3
1800 87.2 27.8 7.46 29.1 9.3 2.5
2400 62.1 17.7 0.56 20.7 5.9 0.19
3600 35.36 4.26 - 11.79 1.42 -

Таблица 2: Дисперсия T64000 (см−1 /мм)

12

Вам также может понравиться