Вы находитесь на странице: 1из 326

И. Н.

МИГУЛИН,
М. З. ЧдПОВСКИй

Ус111111те11ьные
устройства
на транаисторах
(проектирование)

ИЗДАТЕЛЬСТВО «TEXHIKA»
КИЕВ 1971

ScanAAW
6Ф2.12
М57
УДК 621.382.3: 53.084.6.001.2
Усилительные устройства на транзисторах (проектирование). Ми­
rулин И. Н., Чаповский М. 3. «Технiка», 1971, 324 стр.

Рассмотрены рекомендации по выбору и построению усилитель­


ных схем, даны описания и сравнительная оценка различных
схемных решений, обеспечивающих высокие качественные пока­
затели и надежность. Дана подробная методика расчета каждого
каскада и методика стыковки между собой различных частей уси­
лителя. Приведен расчет многокаскадных усилителей по задан­
ным параметрам переходного процесса. Большое внимание уде­
лено вопросам выбора режима работы транзисторов, способам
питания схем, стабилизации режима и качественных показателей,
а также описанию наиболее типичных схем. Приведены много­
численные примеры расчета.
Рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся
разработкой радиоэлектронной аппаратуры, может быть исполь­
зована студентами вузов соответствующих специальностей при
дипломном и курсовом проектировании, а также по.11rотовленны­
ми радиолюбителями.
Табл. 18, илл. 104, библ. 14.

Рецензент В. М. Волков, докт. техн. наук


Редакция литературы по энергетике, электронике, кибернетике
и связи

Заведующий ре.11.акцией инж. З. В, Божко

3-3-13
109-71М
ПРЕДИСЛОВИЕ

Одним из основных направлений современного


технического прогресса является бурное развитие ра­
диоэлектроники и проникновение ее в самые различ­
ные отрасли народного хозяйства и науки. Создание
новых электронных приборов и разработка прогрес­
сивной технологии позволили успешно решить ряд
сложных научно-технических задач и создать совер­
шенную и надежную аппаратуру. Немалую роль в этом
отношении сыграло развитие полупроводниковой элект­
роники, и в частности транзисторов.
За время своего сравнительно недолгого сущест­
вования транзисторы получили всеобщее признание.
Одной из обширных областей их применения явля­
ются всевозможные усилительные устройства, к ка­
чественным показателям которых часто предъявляют­
ся высокие требования.
В своей практической деятельности проектировщик
встре:ается с рядом вопросов: как построить схему
устроиства, лучше всего отвечающую поставленным
требованиям, как рассчитать эту схему; выбрать наи­
выгоднейший режим работы ее элементов; каким об­
разом можно добиться уменьшения влияния факторов
внешней среды на качественные показатели устройства
и обеспечить их стабильность во времени; как устра­
нить те или иные дефекты, выявленные в процессе
разработки, налаживания и испытания схемы, а так­
же много других подобных вопросов. Однако в из­
данных книгах и учебных пособиях недостаточно сис­
тематизированы и изложены вопросы проектирования
транзисторных усилителей. В предлагаемой вниманию
читателей книге авторы попытались ответить на
з
многие перечисленные вопросы, основываясь на своем
многолет11ем опыте создания эффективных и стабиль­
ных схем различных усилителей. Приводимые в кни­
ге схемы подвергались тщательному теоретическому
и экспериментальному исследованию. Из большого
многообразия возможных вариантов схемных решений
отбирались только те , которые обеспечивают получе­
ние высоких технических показателей и стабильность
параметров. Не отвечающие этим требованиям схемы
отброшены.
Разрабатывая вопросы проектирования, авторы не
стремились дать готовых рецептов и полных схем слож­
ных многокаскадных усилителей. Материал книги
подобран так, чтобы проектировщик мог сознательно
подойти к выбору наиболее подходящих схем отдель­
ных каскадов, смог произвести их компановку, рас­
чет и добиться получения нужных ему результатов.
Приводимые в книге примеры должны облегчить эту
работу.
Естественно, что в рамках одной небольшой кни­
ги нельзя исчерпывающе охватить все вопросы про­
ектирования, а также полностью удовлетворить за­
просы всех читателей. Авторы будут признательны
лицам, высказавшим свои критические замечания, как
по отдельным вопросам, так и по книге в целом. От­
зывы и замечания просим направлять по адресу:
I(ueв, 4, Пушкинская, 28, издательство «Технiка».
Часть 1 Общие вопросы
проектирования усивитевеА

ГЛАВА 1. ХАРАКТЕРИСТИКИ
И ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРОВ

1. МАЛОСИГНАЛЬНАЯ ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА


ТРАНЗИСТОРА

Для проектирования усилителей по заданным качественным по­


!{азателям (как и при проектировании любой другой аппаратуры)
необходимо всестороннее знание свойств используемых электро­
элементов. Так как свойства транзисторных усилителей опреде­
ляются главным образом используемыми в них транзисторами,
це лесообразно первоначально крат!{о рассмотреть характеристики
и параметры транзисторов, а также влияние на них различных
внешних факторов.
Управление током в транзисторе происходит в эмиттерном пе­
реходе под действием прил'>женной к нему разности потенциалов.
К.оличественно этот процесс описывается уравнением вольт-ампер­
ной характеристики

(
iэ = /эО ekT )
_g_ и эб - 1 '
(1.1)
где Iэо - обратный ток эмиттерного перехода; q = 1,69. 10-19 кул -
заряд элеI<трона; k = 1,38 · 10- 23 дж/град- постоянная Больц­
мана; Т - абсолютная температура; Иэб - приложенная к р-п-пере­
ходу разность потенциалов.
Зависимость (1.1) подтверждается экспериментально с высокой
точностью в широком диапазоне изменений рабочих токов и опре­
деляет основные нелинейные свойства транзистора.
При работе в режиме малых сигналов удобно пользоваться по­
нятием дифференциальной проводимости перехода

(1.2)

которая линейно зависит от рабочего тока и определяет зависи­


мость большинства параметров транзистора от тока.
Процесс управления током в эмиттерном переходе происходит
практически безынерционно. Поэтому при работе на любой
5
частоте можно считать, что переменная составляющая тока эмиттера
всегда совпадает по фазе с управляющим напряжением, действую­
щим на переходе. Если к эмиттерному переходу, совместно с по­
стоянным напряжением И эбо, приложить переменное напряжение
Иэб, не превышающее единицы милливольт, то амплитуда перемен­
ной составляющей тока эмиттера

(1.3)

Важно отметить, что токи во внешних цепях транзистора про­


текают в момент, когда носители зарядов (электроны и дырки)
пересекают соответствующий р-п-переход. Поэтому ток эмиттера
i И
э совпадает по фазе с управляющим напряжением эб, Некоторая
часть вводимых в базу неосновных носителей рекомбинирует на
свободной поверхности и в объеме базы и поэтому не принимает
участия в образовании коллекторного тока. Следовательно, реком­
бинационный ток замыкается только в цепи эмиттер - база и,
так же как ток эмиттера, является активным:
(1.4)
Здесь gэ б - коэффициент пропорциональности, имеющий размер­
ность проводимости, который учитывает рекомбинационный ток
б�ы.
Основная часть введенных в базу неосновных носителей в ре­
зультате диффузии или дрейфа достигает коллек'I'орноrо перехода
и создает в его цепи ток. Так как поток носителей промодулиро-
ван управляющим напряжением Иэб, то в цепи коллектора будет
протекать управляемый ток. Поэтому можно считать, что между
эмиттером и коллектором как бы включен эквивалентный генера­
тор тока:
(1.5)
где G� - коэффициент пропорциональности с размерностью прово­
димости.
Для понимания частотных свойств транзистора важным явля­
ется то, что на преодоление носителями слоя базы требуется не­
которое время 't п , называемое средним временем пролета. В резуль­
тате ток коллекторного перехода запаздывает по отношению к току
эмиттера (а следовательно, и к напряжению И эб) на фазовый угол
(/) п = W't п , (1.6)

При работе на низких частотах этот фазовый угол настолько


мал, что его можно считать равным нулю. Тогда векторная диа-
6
грамма токов транзистора для низких частот будет выглядеть так,
как показано на рис. 1, а, и все токи имеют чисто активный ха­
рактер. При работе на высоких частотах фазовый угол запаздыва­
ния коллекторного тока становится заметным и увеличивается
с ростом частоты (рис. 1, 6). Вследствие непрерывности токов раз­
ностный ток
IJJ/
(1.7) / 1/
будет замыкаться в цепи эмиттер -база.
Из векторной диаграммы нетрудно ви­
деть, что этот ток будет иметь емкост­
ную составляющую i6 - ,,
lj6" / /6
(1.8) 1
1 t б
где Сэ6 - коэффициент пропорциональ­ а 1 /
ности, имеющий размерность емкости и 1/
представляющий собой суммарную (за­
рядную и диффузионную) емкость эмит­
1/
Рис. 1. Векторные диаграммы
терного р-п-перехода. токов транзистора при работе
Тогда полный ток базы, объединяю­ на частотах:
щий рекомбинационную и емкостную а - низких; б - высоких.
составляющие,
(1.9)
Необходимо еще принять во внимание, что ток i б протекает че­
рез имеющее значительную величину распределенное сопротивление
базы r6 . В результате часть приложенного к внешним выводам
эмиттера и базы напряжения {;6 теряется на этом сопроти�злении,
и полезное управляющее нa-
_jd i.- пряжение на эмиттерном пе-
6;6---с::::J�--.-----,--ч=н--1'---t---РJ н реходе

уменьшается при возрастании


рабочей частоты. Это и являет­
Рис. 2. Физическая эквивалентная схема ся основной причиной частот-
транзистора.
ной зависимости токов тран-
зистора.
Для построения полной физической эквивалентной схемы тран­
зистора необходимо принять во внимание наличие некоторой ак­
тивной проводимости gбк и емкости С 6к коллекторного перехода,
а также некоторое прямое влияние коллекторного напряжения на
ток эмиттера. Последнее может быть учтено включением между
эмиттером и коллектором эквивалентной проводимости gэк ,
7
В результате учета влияния всех перечисленных факторов мо­
жет быть построена физическая эквивалентная схема транзистора,
показанная на рис. 2. Эта схема описывает с достаточно высокой
точностью поведение транзистора в диапазоне частот, на которых
возможно его использование в усилителях, что хорошо подтверж­
дается экспериментально.

2. СИСТЕМЫ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ


Для количественного описания процессов и расчета транзис­
торных схем широко используются приемы теории четырехполюс­
ников. Формально все используемые в теории четырехполюсников
системы параметров являются равноправными и одинаково полно
отображают внешние электрические свойства цепи. Однако приме­
нительно к транзисторам для включения по схеме с общим эмит­
тером, которая чаще всего встречается в транзисторных усилите­
лях, наиболее широко приме1:яются системы У- и Н-параметров.
В системе У-параметров уравнения токов транзистора можно
представить в виде:
И
(1.11)

�б sиб + УРк, к;
= ��б-:о�р }-

где У - входная проводимость; Уобр - проводимость обратной связи;


S - крутизна; У1 - внутренняя проводимость транзистора.
Определяя в соответствии с правилами теории четырехполюсни­
ков У-параметры эквивалентной схемы (рис. 2J и вводя обозна­
чения

., ( 1.12)

1
1
8
окончательно получаем
У-
_ ..!_ • grб + jоот: ,
r б 1 + joos; '
• gобр + jооСбк
У обр = 1 + jоот: 1
(1.13)
S = 1� L.
+ joo-c'
• jooSorбСбк •
Yl = gl + 1 + Jоот:
• + JюСбк,
Входящая в эти формулы величина 't, определяющая частотную
зависимость параметров, физически представляет постоянную вре­
мени эквивалентной схемы
транзистора (рис. 2) со сто­
роны входных зажимов.
В выражения У-параметров
(1.13) входит семь независимых
параметров, из которыхg, gобр,
S0 и g1 - значения соответ­
ствующих У-параметров на
низких частотах. Все они явля- Рис. 3. Эквивалентная схема транзистора,
ются активными проводимо- соответствующая системе У-параметров.
стями, вычисляемыми (или из-
меряемыми) согласно (1.12) по приращениям токов и напряжений.
Величины 't, ,5 и С6к можно рассматривать как высокочастотные
параметры транзистора, определяющие его· частотные свойства.
Аналогичный результат получается и при использовании любой
другой системы параметров.
Наиболее существенно на свойства усилителей влияют кру­
тизна S0 , входная проводимость g, сопротивление базы ,б и по­
стоянная времени 't, Реже приходится оперировать с величинами
внутренней проводимости g1 и коллекторной емкости Сбк, С ними
приходится иметь дело лишь тогда, когда необходимо учесть реак­
цию коллекторной цепи транзистора или влияние внутренней об­
ратной связи. Влияние проводимости gобр на работу усилителей
ничтожно, и в большинстве случаев можно обходиться без этого
параметра.
Система У-параметров наиболее удобна для расчета усилителей,
содержащих обычно значительное число параллельно соединенных
ветвей. При этом проводимости соответствующих ветвей и пара­
метры транзисторов просто суммируются� что упрощает получение
необходимых соотношений и выполнение расчетов. Эквивалентная
схема транзистора в системе У-параметров (рис. 3) аналогична
9
эквивалентной схеме электронной лампы, что позволяет пользоваться
единой методикой при расчете транзисторных и ламповых схем.
В системе Н-параметров уравнения входного напряжения и вы­
ходного тока имеет вид:

�б
=
�11!б + �12� к;} (1.14)
fк =Н 2 1f
б
+ Н22Ик,
iI
Здесь 11 - входное сопротивление; if12 - коэффициент обрат­
ной связи; Й21 - коэффициент усиления по току; Й22 - выходная
проводимость.
Определяя для схемы (рис. 2) Н-параметры и вводя обозначе­
ния:

( 1.15)

( 1.16)

Здесь (так же, как и в системе У-параметров) свойства тран­


зистора определяют семь независимых величин: четыре низкочас­
тотных параметра h 11 , h 12 , h21 , h22 и три высокочастотных-'t/i, Гб
И Сбк,
10
простыми
Величины У- и Н-параметров связаны между собой
соотношениями:
g=-·
h11 •
h12
gобр
=
-г;
11
h21.
Sо = ? (1.17)
h11'
h21 .
gi =
h
22 + h 12г 11
,


't ='th
h11'

или
1
h = -;
н
g
gобр
h 12 = -g;

s + (1. 18)
h -
g,
о.

J
21-

g .,
So
h 22 =
gi gобр

't
't =
h g ,б'

приводятся
В справочных данных по транзисторам не всегда
дятся велич ины дру­
необходимые значения параметров или приво базой,
аметр ов для схемы с общей
гих параметров (например Н-пар а уси­
ние произ веден ия rбС бк, предел ьна я частот
наибольшее значе
книге в дальнейшем
ления и генерации и т. п.). В настоящей
форму лы, в котор ых испол ьзована система
приводятся расчетные
мулы пересчета, по­
У-параметров. Поэтому ниже даны еще фор
велич ины по имеющимся
зволяющие вычислить необходимые
Если в справ очник е приве дены Н-пара­
в справечниках данным.
включения с общей базой , то тогда
метры для схемы
l -h21б
g=--­
h11б
h12б
gобр =h 22 б - h (1 -h21б);
llб (1.19)

11
В эти формулы следует подставлять абсолютные значения Н­
параметров для схемы с общей базой.
Если в справочнике приводится величина предельной частоты
усиления или генерации, то постоянную времени можно опреде­
лить по формуле
'С= sо (1.20)
Сбк ( 4 1tf пред) 2 •

Для высокочастотных транзисторов вместо f пред часто приводят


значение модуля коэффициента усиления по току Й 21 на частоте
10; 50; 100 Мгц и т. п. В этом случае постоянную времени -с
можно вычислить по формуле
Sor б
• 'С= • ' (1.21)
211:f [ Н21 [

где f - значение частоты, для которой приводится величина / i-I 21 /.


Сопротивление базы rб, имеющее важное значение при многих
расчетах, в справочных данных приводится редко. Маr{симально
возможную величину этого сопротивления можно рассчитать по
предельному значению произведения rбСб" и емкости Сбк:

(1.22)

Однако при этом следует помнить, _что у современных транзис­


торов разброс величин rб довольно велик, и чаще встречаются зна­
чения r6 в 2-3 раза меньшие максимального.

3. ЗАВИСИМОСТЬ МАЛОСИГНАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ


ОТ РЕЖИМА РАБОТЫ И ТЕМПЕРАТУРЫ

Величины малосигнальных параМЕ;тров транзистора главным


образом зависят от рабочего тока. Указанное свойство транзисторов
обусловлено тем, что дифференциальная проводимость эмиттерного
перехода Gэ (1.2) является линейной функцией протекающего че­
рез него тока. Учитывая, что ток эмиттера распределяется между
базой и rюллектороl\!, для проводимостей эквивалентной схемы
(рис. 2) можно записать

G�=k}(iк-fкo); )
(1.23)
gэб = ki (iб + fэо + f ко).
12
Эти зависимости и определяют влияние рабочего тока транзис­
тора на величину его малосигнальных параметров (1.12). При то­
ках, не превышающих 5 ма, обычно выполняется условие
(1.24)

и параметры S0 , g, g1 , 't меняются пропорционально ток у эмит­


тера iэ , а следовательно, и току коллектора iк (рис. 4). Это об­
стоятельство необходимо принимать во внимание при расчете уси­
лителей, так как выбранный исходный рабочий ток транзистора
может не совпадать с тем током, при котором измерены величины
параметров. Для пересчета параметров транзистора к его рабочему
режиму при iк < 5 ма можно
пользоваться следующими при- g, мкJ°k IJ.D"'

ближенными формулами: 200,l-":'_""--1----lf-----"""J 8D
i
g(iк) =g(i�) i�+go; 60
к
i
S 0 (iк) = S0 (i�) -�;
tк 1(К) 4

i
> (1.25)
gl (iк) = gl (i�) i�; 20
к
i
't (ik) = 't (i�) lк
-� + 'to, 8 i,,ма о 4 8
о
i,,ма
где i� - величина тока, при Рис. 4. Графики зависимости параметров
котором проводились измере- транзистора от тока коллектора.
ния параметров; iк - выбран-
ный рабочий ток; g0 и 't 0 - значения входной проводимости и по­
стоянной времени транзистора при iк =О.
Когда рабочий ток превышает 0,2-0,3 ма, влияние g0 и 't0
становится несущественным и в выражениях (1.25) их можно
отбросить.
Сопротивление базы rб и коллекторная емкость Сбк от тока за­
висят слабо. В большинстве расчетов их приближенно MOЖI:JO счи­
тать постоянными величинами, не зависящими от тока. Коллек­
торное напряжение оказывает некоторое влияние на величины па­
раметров транзистора. Но для всех параметров, кроме С бк , это
влияние незначительно и с ним можно не считаться. Зависимость
С бк от коллекторного напряжения может быть представлена фор­
мулой

(1.26)

13
где u;< - напряжение, при котором измерялась емкость; Ик - рабо­
чее напряжение; показатель п = 2 для сплавных транзисторов
и п = 3 для дрейфовых.
Влияние на параметры транзистора температуры р-п-перехода
�бусловлено зависимостью от последней дифференциальной прово­
димости эмиттера Gэ ( 1.2), а так же зависимостью от температуры
удельного сопротивления полупроводникового материала и скорости
рекомбинации. Практически существенно от температуры зависят
только крутизна S0 и входная проводимость g. С воздействие��
температуры на другие параметры можно не считаться.
Пересчет крутизны к рабочей те:vшературе эмиттерного пере­
хода, а также и учет ее температурной зависимости, может произ­
водиться с помощью соотношения

(1.27)

Зависимость входной проводимости g от температуры определя­


ется многими факторами и трудно поддается точному описанию.
Для приближенных расчетов 1южно считать, что

(1.28)

В обеих формулах Т O - температура, при которой измерялись


параметры; Т - рабочая температура эмиттерного перехода. По­
следняя может быть найдена в результате расчета теплового ре­
жима транзистора или измерена в рабочих условиях.

4. СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ТРАНЗИСТОРА

Статические характеристики современных транзисторов могут


быть сняты и построены в координатах, соответствующих любой
системе параметров теории четырехполюсников. На рис. 5, а, 6
показаны семейства статических характеристик транзистора iк =
= f1 (и к) и iб = f 2 (иб), которые по системе координат и по форме
подобны характеристикам анодного и сеточного тока электронной
лампы. Они соответствуют системе У-параметров. При пользова­
нии этими характеристиками для транзисторов пригодны те же
графические методы расчетов и построений, которые применяются
для схем с электронными лампами.
Одной из характерных особенностей транзисторов является то,
что семейство статических характеристик тока базы iб = f 2 ( Иб)
для рабочих значений коллекторного напряжения практическ и сли-
14
ваются в о дну характеристику. Последнее обусловлено очень сла•
бой зависимостью тока базы от коллекторного напряжения и со­
ответственно малой величиной проводимости обратной связи gобр,
Другой особенностью транзисторов является зависимость токов от
температуры, вследствие чего статические характеристики спра­
ведливы только для вполне определенной температуры р-п-переходов.
Это обстоятельство также должно учитываться при снятии харак­
теристик. Методика снятия характеристик должна быть построена
таким образом, чтобы при изменении токов и напряжений сохра­
нялась неизменной температура переходов. В противном случае

i, ,...--
ма'� П/4
8
� !§Jдд- 16,
1,,-- ма
6
-0,!б - 0,2 f----+---t---t----н-----1

-0,15
V
-0,14
V -0,/3
2
-О,11
-0,09
-o.t�-�--..,____..___-'
о 5 10 15 'о -0,05
а

Рис. 5. Семейства статических характеристик транзистора, соответ­


ствующие системе У-параметров:
а - i к = f1 (ик); б - iб = f2 (иб)·

форма характеристик будет искажена из-за неравномерного внут•


реннего разогрева. Зависимость характеристик транзистора от тем­
пературы сужает область применения графических расчетов.
Обычно ограничиваются только выбором исходного режима работы
по статическим характеристикам.
С помощью статических характеристик можно также опреде•
лить известными методами приращений [в соответствии с (1.12)]
низкочастотные параметры g, S 0 и g1 • Однако процесс такого оп­
ределения тр удоемкий, а точность получается низкой. Гораздо
л учшие результаты получаются при непосредственном измерении
параметров.
В справочниках обычно приводятся семейства статических
характеристик, соответств ующих системе Я-параметров: iк = f 3 (и,,)
IS
и Иб = f4 (iб) (рис. 6, а, б). В этих координатах характеристика
и6 = f 4 (iб) тождественна характеристике в системе У-параметров
iб = f 2 (иб), если у последней поменять направление осей коорди­
нат. Характеристики iк =f 3 (ик) (рис. 6, а) отличаются от iк=
= f 1 (ик) (рис. 5, а) тем, что в качестве параметра используется не
фиксированное значение напря жения на базе u 6, а фиксированное
значение тока базы iб. Однако это существенного значения не
имеет, так как при использовании характеристик Иб = f4 (iб) можно
перейти от тока к напряжению или наоборот.

и6,б
ПIЗ
0,3

20 0,2
1,2
0.9
О.б
10 0,1
О.Зма
i •О
о о
5 1О t5 и,;, о
(] 6
Рис. 6. Семейства статических характеристик транзистора, соответ­
ствующие системе Н-параметров:
а - iк = f, (ик); 6 - иб = f, (iб)-

5. РАЗБРОС УСИЛИТЕЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ


ТРАНЗИСТОРОВ

Технологический разброс параметров любых активных и пас­


сивных элементов ограничивает и определяет точность выполняе­
мых расчетов схем. Транзисторы в этом смысле не представляют
исключения. Так как разброс параметров транзисторов может быть
большим, точность расчета транзисторных усилителей (и других
схем) невелика. Поэтому многие расчеты при использовании лю­
бой методики следует рассматривать как прикидочные, а рассчиты­
ваемые схемы часто требуют последу ющей эксперименгальной до­
водки.
Наименьшему разбросу подвержена крутизна транзистора S0
(10+20% ). Для всех типов маломощных транзисторов, у которых
rб < 100 ом, при токах iк < 2+3 ма значение
(1.29)

16
весьма близко к истинному. Невелик также разброс коллекторных
емкостей Сбк, который для каждого данного типа транзисторов
при фиксированном режиме работы также не превышает 10-20%.
Входная проводимость g и параметр h 21 имеют разброс, ограничи­
ваемый техническими условиями на данный тип транзистора сверху
и снизу, который для отдельных типов очень велик (от несколь­
ких десятков процентов до нескольких раз). У транзисторов более
поздних типов пределы этого разброса значительно сужены.
Разброс некоторых параметров ограничивается техническими
условиями только с одной стороны. К ним относятся внутренняя
проводимость g1, сопротивление базы rб и постоянная времени 't'
(или 't' h). Разброс g1 может достигать нескольких раз, но, вслед­
ствие небольшой значимости этого параметра, обычно мало влияет
на точность расчетов. Большая же величина разброса параметров
rб и 't существенно снижает точность расчетов высокочастотных
и широкополосных усилителей. Разброс 't' может быть примерно
до ста процентов, а разброс r6 -до нескольких сотен процентов.
Следует отметить, что у поздних типов высокочастотных транзис­
торов разброс r6 значительно снижен.
Приводимые сведения о разбросе параметров транзисторов ори­
,ентировочны, так как официальные данные о статистике разброса
,параметров tособенно ограничиваемых техническими у-словиями
лишь с однои стороны) отсутствуют.

6. ТЕМПЕРАТУРНАЯ НЕСТАБИЛЬНОСТЬ РЕЖИМА

Особенностью транзисторов является очень сильная зависимость


рабочих токов от температуры р-п-переходов. Это вытекает из за­
висимости тока эмиттера от температуры (1.1), в которой обратный
ток эмиттерного перехода

(1.30)

также сильно зависит от температуры. Здесь s - площадь эмит­


терного перехода; т - масса электрона; g - ширина запрещенной
зоны; Рр и пп - концентрация дырок в р-области и электронов
в п-области соответственно.
На рис. 7 показаны статические характеристики транзистора,
снятые при различных температурах эмиттерного перехода. Из при­
веденного графика видно, что при различных температурах харак­
теристики смещены почти пара�лельно. Из анализа выражений
2 240 17
(1.1) и (1.30) видно, что коэффициент температурного сдвига ха­
рактеристик
(1.31)

При практически используемых величинах рабочих токов (и со­


ответству11•тпих им значениях напряжения Иэб) в диапазоне темпе­
ратур от -60 до 60 ° С +
jт = 2+3 мв/грзд (1.32)
как для германиевых, так и для крем­
ниевых транзисторов, что хорошо са­
гласуется с измеренными значениями.
Характеrистики (рис. 7) и формула
(1.31) показывают, что изменение тем­
пературы эмиттерного перехода экви­
валентно изменению напряжения сме­
щения на базу:
ЛТ
Либ. 1' = jт ЛТ = (& -изб) Т. (1.33)

Рис. 7. Статические характери•


Это позволяt'Т учитывать темпера­
стики тока транзистора при раз­
турную нестабильность тока условным
личных температурах эмиттерного
перехода. введением в щ•пь базы транзистора
эквивалентного генератора напряже-
ния Либ. r-
B случае работы транзистора с фиксированной величиной по­
стоянного напряжения на базе нестабильность тока коллектора,
обусловленная изменениями температуры,

(1.34)

и составляет 8+12% на 1"С_ По этой причине режим работы


транзистора с фиксированным смещением является совершенно
неприемлемым и не может использова1 ься в усилителях. Для
устранения действия этого фактора широко использую1ся различ­
ные схемы температурной стабилизации режима.
На температурную нестабильность режима транзистора суще­
ственно влияет также обратный ток коллекторного перехода / кО•
Температурная зависимость этого тока определяется выражением,
аналогичным (1.30). Однако для практических целей более удобно
пользоваться приближенной формулой

/ко (Т) =/ко (То) га (Т-То), (1.35)

18
где Т0-температура, для которой приведено значение тока
в справочнике; Т - рабочая температура; а -коэффициент пока­
зателя, равный примерно 0,09 для германия и 0,13 для кремния.
На рис. 8 показан rрафqк зависимости тока /ко 01 темпера­
туры для repмaFrиeвoro транзистора. Сплошной линией пока­
зано среднее значение, штриховыми-границы 80% разброса.
Сам ток f ко не f)Чень велик. Однако, протекая в цепи база -
коллектор, он создает дополнительное смещение, увеличивающее
управляемый постоянный ток коллектора. Если внешнее сопро­
тивление в цепи базы велико по сра­
внению с входным сопротивлением /:'I 1/ 1 /

v\
транзистора, то приращение обратного 40
/
у 1;
тока Л/ ко создаст дополнительное сме­ Л401
/
/

1/
/

щение на базу 20 / ,/
,
fO
,,
/
8 _, /

(}
/ /
(1.36) V /
4 , /
V
/
1/
/
которое вызовет увеличение коллек­ 2
/ 1/

w
торного тока 1
/
/

80
Лiк = S0 Лuб =
,
Лlко = h 21 Л/ кО• 1!4 ,
/

g
1! 2
(1.37) 20 бО т.·с
При большей величине h21 и по­
Рис. 8. График зависимости об­
вышенной температуре перехода при­ ратного тока коллектора /ко от
ращение коллекторного тока Лiк может температуры.
оказаться недопустимо большим и вы­
зовет нарушение нормального режима
работы транзистора. Кремниевые транзисторы имеют значительно
меньшую величину тока fк о и соответственно меньшую неста­
бильность коллекторного тока Лiк , обусловленную влиянием об­
ратного тока. Влияние тока /ко на стабильность режима можно
учесть условным ВКJJючением генератора тока Лl ко между базой
и коллектором транзистора.
Для учета полной тепловой нестабильности тока транзистора
можно воспользова1ься электрической эквивалентной схемой, по­
казанной на рис. 9. Здесь генератор напряжения Либ. т учитывает
тепловое смещение характеристик; генератор тока Лlко- влияние
обратного тока коллектора; Ли6 - эквивалеН1ное напряжение теп­
ловой нестабильное rи, получающееся от генераторов Ли6. т и Л fко
на входных зажимах транзис гора с учетом влияния сопротивле­
ния внешних элемt>'нтов схемы Rвнеш; генератор тока

(1.38)
19
- суммарную нестабильность коллекторного тока. В зависимости
от способа включения транзистора в схему меняется величина
эквивалентного напряжения тепловой нестабильности Ли 6 на
входе, а соответственно и нестабильность коллекторного тока.
Так, в частности, в простейшей схеме питания транзистора без
обратной связи по постоян­
tl к ному току в соответствии со
схемой рис. 9 напряжение
Q�lнеш тепловой нестабильности
1
L- ---------- э

Рис. 9. Эквивалентная схема, учитываю­


+ дlко R внеш
l +gRвнеш
( 1.39)
щая температурную нестабильность токов
транзистора.
и полная нестабильность кол­
лекторного тока

= 1 + g Rвнеш + S0 Л!ко ( 1 + gRвнеш


. Rвнеш
Лtк
So Либ. т
+ Гб}' • (1.40)

Нетрудно видеть, что при Rвнеш = О максимальной оказыва­


ется нестабильность, обусловленная тепловым смещением харак­
теристик Либ. т, а при Rвнеш - оо максимальной - нестабильность,
обусловленная влиянием / ко,

7. ТЕПЛОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРОВ


Величина мощности, которую можно получить от транзистора,
ограничивается тепловой и электрической прочностями его кол­
лекторного перехода. Последние определяются приводимыми
в справочниках значениями максимальной температуры Тn. макс кол­
лекторного перехода и максимально допустимым напряжением
Uк. макс, которое можно приложить к нему. Вследствие того, что
различные участки транзистора и элементы его конструкции имеют
тепловое сопротивление, температура нагревающегося под дейст­
вием рассеиваемой электрической мощности Рк коллекторного пе­
рехода всегда выше температуры корпуса и, следовательно, выше
температуры окружающей среды. Этот перепад температур может
быть особенно значительным при больших выходных токах.
Транзистор очень чувствителен даже к кратковременным пере­
грузкам, которые приводят к выходу его из строя. Поэтом у не­
обходимо принять меры, исключающие превышение предельно до­
пустимых режимов. К ним относятся использование специальных
20
охлаждающих устройств - радиаторов и соответствующее ограни­
чение напряжения Ик на коллекторе транзистора. Для расчета
радиатора и определения допустимой величины напряжения Ик не­
обходимо установить зависимость между мгновенным значением
рассеиваемой транзистором электрической мощности Р к и темпе­
ратурой Тп его коллекторного перехода, а также между Tn
И Ик. макс•
Можно найти взаимосвязь между Рк и Тп , рассмотрев проте­
кание тепловых процессов в системе транзистор - внешняя среда.
Допустимо считать, что источник тепла сосредоточен вблизи кол­
лекторного перехода. От него тепловой поток проходит в окру­
жающую среду через последовательно соединенные тепловые со­
противления участков коллекторный
переход - корпус 1 ранзистора и кор­
пус - окружающая среда. Расчет этой
тепловой системы можно выполнить
теплотехническими методами. Однако
для упрощения расчета, особенно не­
стационарного теплового процесса при
импульсном режиме работы транзи­ Рис. 10. Эквивалентная электри­
стора, удобно воспользоваться мето­ ческая схема-аналог тепловых
дом электрических аналогий и заме­ процессов в транзисторе.
нить систему с протекающими в ней
тепловыми процессами эквивалентной электрической схемой-ана­
логом. Основанием для такой замены является идентичность записи
математических уравнений, описывающих тепловые процессы в сре­
дах и электрические процессы в цепях.
У читывая соот�етствие между тепловым потоком Qт и элект­
рическим током i, разностью температур ЛТ и разностью потен­
циалов и, тепловым сопротивлением R т и электрическим сопро­
тивлением R, а также между теплоемкостью Ст и электрической:
емкостью С, придем к эквивалентной двухзвенной электрической
схеме с сосредоточенными параметрами, привеJ\енной на рис. 10.
Она приближенно учитывает протекание тепловых процессов в си­
стеме транзистор - внешняя среда. В ней i - генератор тока, ве­
личина которого пропорциональна тепловому потоку или рассеи­
ваемой транзистором мощности Р к ; R 1 и R2 - электрические со­
противления, соответствующие тепловым сопротивлениям участков
1<0ллекторный переход - корпус R т . п. к и корпус - среда Rт. к. ер;
С1 и С2 - электрические емкости, соответствующие теплоемкос­
тям участков коллекторный переход - корпус Ст. п. к и корпус -
среда Ст. к. ер, Тепловые сопротивления Нт. п. к, Rт . к. ер и теплоем­
кости С т . п. к, Ст. I{, ер являются тепловыми параметрами 1 ранзис­
тора.
21
Пользуясь методами теории линейных электрических цепей,
можно рассчитать схему (рис. 10) и определить напряжение u 1
в зависимос1и от тока i задающего источника. Затем, учитывая
соответствие между тепловыми и электрическими величинами, не­
трудно определить температуру коллекторного перехода в зави­
симости от рассеиваемой мощности и тепловых параметров тран­
зис1ора.
8. ШУМОВЫЕ СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРОВ.

Собственные шумы 1ранзисторов, представляющие собой флук­


туации электрического заряда, ограничивают чувствительность
усилителя, r. е. способнооть его усиливать малые, пороговые
сигналы. В технических условиях шумовые свойства транзистора
оцениваю1ся по коэффициенту шума Штр , Он равен отношению
квадрата
-2--
действующего значения напряжения шумов на выходе
2
И ш . вых к тои его части Uш. вых1, которая об условлена шумами
u

источника сигналов, т. е.
ll�. вых
Штр = (1.41)
2
иш. выхl
Таким образом, коэффициент шума Штр показывает, во сколько
раз уровень шумов на выходе реального транзистора больше, чем
на выходе идеального, не шумящего, имеющего такие же усили­
тельные свойства. Разделив числитель и знаменатель формулы
( 1.41) на коэффициент усиления, ее можно представить в виде

ш тр _- -г-
ш. пр
2 ' (1.42)
иш. с
-2--
и
где иш . пр - квадрат деиствующего значения напряжения шумов,
-2-
приведенных ко входу; и ш с - квадрат деиствующего значения на-
u

пряжения собственных шумов источника сигналов.


Несмотря на простоту и физическую ясность определения,
коэффициент шума транзистора Ш тр , как мера его шумовых
свойств, имеет существенный недостаток. Он состоит в том, что
Штр зависит от величины внутреннего сопротивления источника
сигналов и не может рассматриваться как параметр, количест­
венно описывающий индивидуальные шумовые свойства транзис­
тора. Поэтому в паспортных данных на транзистор величина ко­
эффициента шума приводится совместно с условиями, при кото­
рых он измерялся. Обычно Ш тр определяется на частоте 1000 гц
22
в полосе 1 гц при активном внутреннем сопротивлении источника
сигналов Rc = 600 ом, в типовом режиме работы iк = 0, 5 ма,
U к = 1 ,5+5 в и типовой схеме включения - с общим эмиттером.
Коэффициент шума Штр дает возможность судить об относи­
тельных уровнях шумов различных транзисторов, работающих
в одинаковых условиях. Однако он не позволяет рассчитать шу­
мовые свойства усилителя при комплексном внутреннем сопро•
тивлении источника сигналов и различных режимах работы тран­
зистора и. следовательно, не является полноценной шумовой ха­
рактеристикой. Согласно теории линейных шумящих четырехпо­
люсников наиболее полно шумовые свойства транзистора отобра•
РТ
r· -----7. i -----l .
/(
6 1

Ud

з
1:
:
1
1
Us, t НГ
'----' 1
1:
'
J
1 1
L _____________ ...J 1 ______________ _J
а d
Рис. 11. Эквивалентная схема :транзистора как линейного шумящего че­
:rырехполюсника с действующими во входной цепи шумовыми генераторами
напряжения и тока:
а - с двумя частично коррелированными генераторами; 6 - с тремя генераторами, два
иэ которых полностью коррелированы.

жает эквивалентная схема и соответствующая ей система из


четырех шумовых параметров. Одной из таких схем является
эквивалентная схема транзистора как шумf1щего четырехполюс­
ника, приведенная на рис. 11, а. В ней реальный транзистор РТ
представлен в виде идеального, не ш,умящего транзистора ИТ,
имеющего бесконечное входное сопротивление, и действующих
в его входной цепи эквивалентных источников шумового напря­
жения и:П и тока i ш . Таким образом, идеальный транзистор на
схеме (рис. 11, а) учитывает только усилительные свойства ре­
ального транзистора. Шумы и входная проводимость последнего
учитываются отдельно.
Так как один и тот. же внутренний источник шума транзис­
рора влияет одновременно на и� и i ш , эквивалентные шумовые
источники и;,, и i ш частично коррелированы и между ними суще­
ствует статистическая взаимосвязь. На практике, однако, при вы­
числении шумового напряжения, созданного в нагрузке несколь-
1шми источниками, удобно иметь дело либо с полностью коррели-
23
рованными, либо с полностью независимыми источниками. Поэтому
представим и:П в виде суммы
(1.43)
в которой Иш часть шумового напряжения и�. статистически не­
зависимого от iш; и� - часть этого же шумового напряжения u(n,
которое полнос1 ью статистически связано с iш , Слагаемое и� про­
порционально i ш , Коэффициент пропорциональности имеет размер­
ность сопротивления и в общем случае является комплексной ве­
личиной:
u; = Zкорiш ; (1.44)
Zкор = Rкор + iХкор, (1.45)
В соответствии с формулами (1 .43) и (1.44) шумовой генератор
и:П можно представить на эквивалентной схеме в виде двух после­
довательно включенных независимых шумовых генераторо-в Иш и
Zкорiш, В результате транзистор замещается линейным шумящим
четырехполюсником (рис. 11, 6), содержащим три шумовых источ-
ника, два из которых iш и iкорiш являются полностью коррелиро­
ванными и независимыми от третьего источника иш .
Для упрощения записи расчетных соотношений вместо напря­
жений и токов эквивалентных шумовых генераторов введем соот­
ветствующие им шумовые параметры:
эквивалентное шумовое сопротивление
иш (1.46}
R ш = 4kTДF
и эквивалентную шумовую проводимость
-:"i

(1.4 7)
gш = 4kTДF'
Таким образом, шумовые свойства транзистора в любой схеме
можно описать при помощи системы из трех шумовых параметров:
Rш , gш и il{op• Так как Zкор - комплексная величина, то фактически
необходимо знать четыре действительных параметра: Rш, gш, Rкор
И Хкор•
Практическая значимость шумовых параметров не одинакова.
Она может меняться в зависимости от конкретных условий задачи,
в том числе от диапазона рабочих частот, режима работы 1ран­
зистора и других. Во многих случаях можно пренебречь реактив­
ным сопротивлением корреляции Хкор, а при выполнении предвари­
тельных расчетов шумовых свойств усилителей можно не учитывать
R,шр и пользоваться только двумя параметрами -Rш и gш,
24
Статистическую связь эквивалентных шумовых источников не-·
обходимо учитывать при определении шумов схемы, так как шумовые·
напряжения и токи, создаваемые в одной и той же нагрузке пол­
ностью коррелированными источниками, складываются линейно,
а некоррелированными - квадратично.
При короткозамкнутом входе действующее значение шумового•
напряжения на входных зажимах идеального транзистора опреде­
ляется величиной и:n. Так как составляющие и� (1.43) некоррели­
рованы, то
- --
2 '2 • . 2 '2 �
Ипр. кз = Uш= (иш +· Zкорlш)2 = Uш + Zкорlш =
= 4kT (Rш + z:opgш) ЛF. tl .48}
При холостом ходе, учитывая полную корреляцию источников
iш и Zкорiш и их независимость от источника Uш, получаем
-2-- '2
т
1 2 · 1 2
ш -:i
Ипр. хх = Uш + -;-r = Uw + 1 Zкор + -. - \ lw =
Увх Увх

= 4kT ЛF (R ш + 1 Zкор + У:
2

\ gш). (1.49}
х

При всем удобстве описания шумовых свойств транзисторов­


представленная на рис. 11, б схема характерИЗ) ет внешние свойства
транзистора, не раскрывая существа происходящих в нем шумовых
процессов. Поэтому в теории шумящих четырехполюсников нельзя
установить аналитическую зависимость параметров Rш, gш, Rкор
и Хкор от частоты, режима работы транзистора и температуры
окружающей среды. Для получения необходимых формул следует
определить природу шумов, найти место возникновения их и коли­
чественно описать при помощи эквивалентных шумовых генераторов,
а затем ввести эти генераторы в эквивалентную физическую схему
транзистора для малого сигнала (рис. 2). В результате получим
эквивалентную шумовую физическую схему, в которой необходимо,
установить соотношения между ее параметрами и параметрами схемы
на рис. 2.
Омические сопротивления различных участков транзистора, наи-­
более значительным из которых является распределенное сопротив-·
ление материала базы r6, являются источниками тепловых шумов,
имеющих равномерный сп�тр. Квадрат действующего значения•
напряжения тепловых шумов, возникающих на сопротивлении r6,
определяется формулой Найквиста:
-2-
Uш. б = 4kTrб ЛF. (1.50)
25 -
� связи с тем, что сопротивление базы rб является распределен­
ным, входная цепь транзистора незначительно влияет на уровень
тепловых шумов, действующих в его выходной цепи. Поэтому
генератор шумового напряжения Иш б следует включать непосред­
ственно на эмиттерном переходе транзистора.
Неравномерность потока заряженных частиц является источником
дробовых шумов, описываемых формулой Шоттки:
i� д = 2q, ЛF, (1.51)
,где i - ток через соответствующий участок транзистора.
Источником дробовых шумов в транзисторе являются постоянные
токи базы и коллектора, а также обратный то:< коллектора /ко,
Кроме того, шумы возникают и вследствие случайности перераспре­
деления тока между коллектором и базой. Все эти шумы имеют
равномерный спектр. Их можно учесть при помощи эквиваЛl-нтных
генераторов шумового тока, включенных между концами участков,
по которым протекает или перераспределяется ток.
Процессы, происходящие в основном на поверхности и в толще
коллекторного перехода транзистора, являются источником низко­
·частотных шумов, спектральная плотность которых убывает с ростом
частоты по закону 1/f. Уровень этих шумов зависит от коллектор­
ного тока и напряжения на коллекторе, а также от температуры
,окружающей среды. Их можно описать при помощи эквивалентного
генератора шумового тока

lш.11 =Т
tшо т,
fo (1.52)
•подключив его параллельно зажимам база-коллектор транзистора.
В формуле (1.52) i� 0 -средний квадрат действующего значения
тока i�. и, измеренный на частоте f 0•
Таким образом, можно по�троить эквивалентную физическую
,шумовую схему транзистора, которая учитывает его тепловые и дро­
.бовые шумы, имеющие практически равномерную спектральную
плотность во всем диапазоне рабочих частот, и низкочастотные шумы,
спектральная плотность которых подчиняется закону 1/f. Определяя
в соответствии с правилами теории четырехполюсников параметры
этой схемы, получаем
1 + 00 ,: 2 2

Rш = rб+ S ; (1.53)
о
g -g fo. (1.54)
ш- шот'
(1.55)
1
Rкор =Гб +s;
о
(1.56)

rде

(] .57)

- шумовая проводимость gш , измеренная на частоте f0•


Формулы ( 1.53)-( 1.56) определяют поведение шумовых пара­
метров транзистора в широком диапазоне частот. Из них следует,
что от частоты зависят параметры R ш , gш и Хкор- На частотах
f «
l/21t1: шумовое сопротивление Rш от частоты практически не
зависит. Так как l/21t1: соизмеримо с {а , то Rш можно считать независи­
мым от частоты, если рабочая частота усилителя f «
f... В этом случае
1
Rш;::::: Г6 -f- S = Rкор (1.58)
о
и
1 ,: f
fб -f- Sg )) U) Sо = fб f-.
"
При этом можно пренебречь реактивным сопротивлением корреляции
Хкор и считать
iкор = Rкор = Rш, (1.59)
Таким образа�, если рабочая частота усилителя f значительно
меньше граничнои частоты усиления транзистора в схеме с общей
базой f.. , то можно пренебречь реактивным сопротивлением корре­
ляции и описать шумовые свойства транзистора при помощи т рех
шумо9ых параметров: Rш , gш и Rкор • Так как при этом R ш � Rкор,
то достаточно знзть два параметра Rш и gш , из которых практи­
чески только последний зависит от частоты.
Зависимость шумового сопротивления Rш ( 1.58) транзистора от
температуры и режима работы обусловлена зависимостью от этих
факторов крутизны S0 (1.29), так как сопротивление базы rб от них
почти не зависит. Шумовая проводимость g ш о сложным образом
зависит от температуры и напряжения на коллекторе, причем наи­
более сильная зависимость наблюдается при повышенных темпера­
турах и коллекторном напряжении, близком к предельно допусти­
мому. Зависимость gш о от тока коллектора практически линейна
и описывается выражением
i
gшо (iк) = gшо (i�) �. (1.60)

С зависимостью gшо от напряжения на коллекторе Ик при Ик<Б в


можно не считаты:я.
27
ГЛАВА 2. ВЫБОР И СТАБИЛИЗАЦИЯ
РЕЖИМА РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРНЫХ УСИЛИТЕЛЕА

1. ВЫБОР РЕЖИМА РАБОТЫ


ПРИ СЛАБЫХ СИГНАЛАХ

Режим работы транзисторов при слабых сигналах, амплитуда


которых не превышает '5-10 мв, выбнрают, главным образом, для
получения определенной величины усилительных параметров и обе­
спечения экономичности питания. В этсм случае используется очень
малый участок динамической характеристики, поэтому строить ее
нет необходимости. Достаточно определить положение исхqдной
рабочей точки и соответствующие ей рабочие знач�ния токов и на­
пряжений на электродах.
Исходной величиной при выборе режима обычно является э. д. с.
источника питания Ек , Учитывая зависимость параметров от рабочего
тока [формула (1.25) и (рис. 4)), выбирают значение исходного
тока iок, которое обеспечивает получение желаемых величин пара­
метров. Если к усилителю не предъявляются какие-либо специфи­
ческие требования в отношении режима работы, то для каскадов
предварительного усиления, работающих в режиме слабых сигналов,
целесообразно использовать значения тока в пределах iск=О,5+5 ма.
Чаще всего берут значения iок = 1 + 2 .ма.
Коллекторное напряжение в исходной рабочей точке Иок может
быть только меньше э. д. с. источника питания Ек, а для обеспе­
чения надежной работы транзистора оно не должно превышать
Иок, (0,6+ 0,8) Ик. макс, (2. 1 )
где Ик. макс - максимальное допустимое напряжение на коллекторном
переходе, оговариваемое для каждого типа транзисторов техническими
условиями.
Со стороны малых напряжений рабочий режим ограничивается
нежелательностью работы в области, близкой к насыщению кол­
лекторного тока, в которой резко возрастает проводимость обратной
связи gобр, коллекторная емкость С6к и существенно проявляются
нелинейные свойства. Для маломощных транзисторов наиболее часто
JJСпользуются значения напряжений Uок = 2+4 в.
28
Выбранные величины iок и Иок определяют мощность, рассеи­
ваемую на коллекторе,
Рк = iокUок (2.2)
и полное активное сопротивление элементов схемы, включаемых
в коллекторную и эмиттерную цепи,

R - Ек-иок
iок
. (2.3)
�.
ма
,.,
ми
MU/15
6- ---- -,с
10 fO
U5= 0558

д 8

-45
6 {J

4 4

2
-О,35
'·•··
2
' -о.э
ол и:,10 и; 20 Е,, зо
а

Рис. 12. Выбор режима работы транзистора:


а - по семейству характеристик iк = f (ик, иб) при заданном исходном токе;
б - по семейству характеристик iк = / (ик, /б) при заданном попном сопро­
тивпении постоянному току R--

Последнее включает в себя сопротивление коллекторной на­


грузки, сопротивление резистора развязывающего фильтра и эмит­
терного резистора в схемах температурной стабилизации режима.
Для обеспечения надежной и экономичной работы транзисторов
в предварительных каскадах усилителей целесообразно режим работы
выбирать так, чтобы мощность рассеяния на коллекторе Рк была бы
намного меньше предельно допустимой мощности Рк. макс, которая
приводится в справочных данных.
Еще нагляднее производить проверку правильности выбора режима
• и. определения полного сопротивлени-я постоянному току R_ графи­
ческим путем с помощью выходных статических характеристик
29
(рис. 12). На рис. 12, а показан пример использования характеристик
iк = f (uк, Иб) и случай, когда выбранной является величина исход­
ного рабочего тока i0к. Строя обычным способом нагрузочные прямые
для разных значений R_, можно подобрать наиболее подходящую
ВеЛИЧИНУ ИСХОДНОГО КОЛЛеКТОрНОГО Напряжения (например Иок ) И уста­
l6"fU·-----� НОВИТЬ соответствующее этому случаю зна­
"' ff5 чение R_. Ломаной линией ABCD показаны
aвL--.1...=":..:.:::__.J..__...ц._-1 границы целесообразной рабочей области ха­
рактеристик транзистора.
На рис. 12, б показан пример использо­
вания характеристик iк = f (ик, i5). Но здесь
уже рассматривается другой вариант выбора
режима, при котором задано значение пол­
ного сопротивления постоянному току R_.
В данном случае положение исходной рабочей
точки подбирается одновременным изменением
iок и lloк, перемещая ее вдоль нагрузочной
Рис. 13. Определение прямой. Ломаной линией ABCD также пока­
режима работы цепи заны границы целесообразной рабочей области.
базы по статическим При пользовании любыми из приведенных
хара ктеристик а м iб = характеристик необходимо еще определить ис-
=f (иб). ходные напряжения на базе Uоб или ток базы
iоб, определяющие рабочий режим по цепи
базы. Другая из этих величин может быть найдена по статиче­
ской характеристике входного тока iб = f (иб) или входного напря­
жения иб = f (iб) (рис. 13). Этим заканчивается выбор исходного
режима.
2. ВЫБОР РЕЖИМА РАБОТЫ
ПРИ СИЛЬНЫХ СИГНАЛАХ

При работе с сильнь·ми сигналами основное значение имеет


выбор той области статических характеристик транзистора, которая
обеспечивает получение заданной максимальной амплитуды тока,
напряжения или мощности при допустимой величине нелинейных
искажений и по возможности небольшом расходе энергии источника
питания. Эгим требованиям и должен подчиняться выбор исходного
режима работы. Выбор режима несколько различается в зависимости
от того, какой эффект на выходе усилителя желательно получить,
и в зависимости от типа усиливаемых сигналов.
Если необходимо обеспечить заданную амплитуду выходного
тока /т в низкоомной нагрузке, что обычно имеет место в предоко­
нечных каскадах с бестрансформаторной связью, то режим выбирают
следующим образом. Тип используемого транзистора выбирают с та-
30
ким расчетом, чтобы его максимальная допустимая величина кол­
лекторного тока удовлетворяла условию iк. макс> 2/т при симмет­
ричных биполярных сигналах и iк. макс > /т при однополярных­
сигналах. Для симметричных сигналов исходный рабочий ток выби­
рают так, чтобы
iок = /т + iк. мин, (2.4),
причем iк. мни обычно принимают равным (О, 1 + 0,2) /т (рис. 14, а).
i,,,-------i::----.---i--,
ма

.�Нr---\Нг;;;;-+---=;-il--�
l,к

о 4и,,,, 8 Ен 12 о
а
Рис. 14. Выбор режима работы транзистора no семейству статических характе­
ристик при заданной амплитуде тока lm для формы сигнала:
а - симметричной; б - несимметр11чно/t.

Под углом наклона, соответствующим эквивалентному сопротивле­


нию нагрузки для переменного тока Rэкв , проводят динамическую­
харак1\'ристику с таким расчtтом, чтобы ее средина совпала с исход­
ной рабочей точкой А и минимальное напряжение на коллекторе
Ик. мин оставалось не меньшим 1-2 в. Построив таким образом дина­
мическую характеристику и определив положение исходной рабочей
точки, находят остальные элементы исходного режима способом,
описанным в предыдущем параграфе. В дополнение следует лишь.
определить амплитуды напряжения Итб и тока /тб в цепи баэы
транзистора, которые обеспечивают получение заданной амплитуды
тока /т .
При несимметричных однополярных сигналах исходную рабочую.
точку целесообразно располагать на одном из концов динамической
характери,:тики с тем, чтобы при подаче на вход сигнала получить
максимальное изменение тока (рис. 14, б). Выбрав исходный режим
31:
-работы, во всех случаях следует определить мощность, рассеивае­
мую на коллекторе, и проверить, чтобы она не превысила макси­
мально допустимой величины. Если необходимо обеспечить заданную
амплитуду выходного напряжения И m' э. д. с. источника питания
должна удовлетворять условию Ек > 2Uт при симметричном сигнале
и Ек > Uт при однополярном, а транзистор для обеспечения на­
дежной работы должен
иметь максимальное до­
пустимое напряжение
Ик. макс (1,2 + 1,5) Ек,
=

(2.5)
Динамическую харак­
теристику проводят под
углом наклона, соответ­
ствующим эквивалент­
ному сопротивлению на­
грузки для переменного
тока Rэкв (рис. 15) с та­
ким расчетом, чтобы обес­
печить заданную ампли­
туду выходного напря­
жения Ит. Исходную ра­
бочую точку выбирают
посредине динамической
Рис. 15. Выбор режима работы по заданной характеристики при сим­
амплитуде выходного напряжения Uт при сим­ метричных сигналах или
метричной форме сигналов. на одном из ее концов
при однополярных, после
чего проводят нагрузочную прямую для полного сопротив 1ения
постоянному току R_. Дальнейшие операции по выбору режима
осуществляют описанным выше способом.
Вопросы выбора режима работы транзисторов в усилителях мощ­
.носrи подробно рассматриваются в гл. 8.

3, ОСОБЕННОСТИ РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРОВ


В МИКРОРЕЖИМЕ

Транзисторы, в отличие от ламп, могут работать в режиме малых


токов. При усилении слабых сигналов исходный рабочий ток может
лишь немного превышать амплитуду тока усиливаемых колебаний.
Поэтому в ряде случаев для обеспечения высокой экономичности
питания усилителей можно работать в режиме очень малых токов.
82
Целесообразный предел уменьшения рабочего тока ограничи­
вается ухудшением усилительных свойств, которое наблюдается при
слишком малых рабочих токах. Это ухудшение прежде всего обу­
словлено зависимостью параметров от режима. При малых токах

1
низкочастотные параметры
g (i�) .
g = -i-, (lк-fко) + go _ - kqT (i1,
-
/ко
h-- + fэо ) .,
к 21 ыакс
So (i�) .
-Т:: (tк -/ко} = kqT (tк

j
.
So = - fко),• (2.6)
S i 1
к - ко
h21 = - o = h21 ма1,сi +h
g к 21 \Шкс1эО ,
где iк - рабочий ток коллектора, который показывает включенный
в коллекторную цепь миллиамперметр; Iк о - обратный ток коллек­
торного перехода; i� - ток, при котором измерялись соответствую­
щне параметры.
Уменьшение крутизны S0 при малых токах нежелательно, так
как появляется необходимость увеличивать сопротивление нагрузки.
При этом возрастает вредное шунтирующее действие внешних пара­
зитных емкостей монтажа и ухудшаются частотные характеристики
в области верхних частот. Задаваясь допустимым минимальным зна­
чением S 0 мин, можно определить минимальную граничную вели­
чину коллекторного тока
iк. мин = k; So ,шн + fко- (2.7)

Практически следует считать, что значения S0 < 1 ма/в являются


уже неприемлемыми. С учетом этого ограничения для минимальной
величины коллекторного тока примерно получим iк . мин;:::::: 25 Аtка.
При чрезмерном уменьшении рабочего тока резко падает коэф­
фициент усиления h21 (2.6) и увеличивается его зависимость от
температуры, так как под влиянием последней в больших пределах
меняется обратный ток эмиттерного перехода lэо (1.30). Задавшись
допустимым снижением коэффициента усиления h21 мин при макси­
мальной рабочей температуре транзистора, легко найти и в этом
случае минимальный коллекторный ток
. h21 мин/ эО макс
tк. ынн = h 2] '1И11 •
1- (2.8)
h21 макс

Это выражение обычно также ограничивает минимальную величину


коллекторного тока значениями в несколько десятков 'микроампер.
3 240 33
В микрор�жиме ухудшаются и частотные свойства транзисторов.
Постоянная вр�мени
(2.9)

хотя и уменьшается при снижении коллекторного тока, но не до


нуля, а лишь до значения
(2.10)
где Сэ . п - статическая емкость эмиттерного пер�хода при нулевом
смещении на нем. По этой причине при малых токах падает доб­
ротность транзистора
(2. l l)
представляющая собой произведение коэффициента усиления Ко на
верхнюю граничную частоту полосы пропускания Fв�. Снижение
добротности определяется соотношением

(2.12)

Из (2.12) также можно найти минимальную допустимую вели­


чину коллекторного тока
(2.13)

В микрорежиме увеличивается также паразитная внутренняя


обратная связь, что выражается в возрастании коэффициента обрат­
I
ной связи if 12 \. Во-первых, при малых коллекторных напряжениях
увеличивается коллекторная емкость Сбк ( 1.26), во-вторых, возрастает

(2.14)

Наконец, при использовании микрорежима труднее осуществлять


температурную стабилизацию, так как величина обратного тока lко
и его нестабильность Л/1, 0 остаются прежними, а рабочий ток
берется маль:м.
В связи с перечисленными факторами практически нецелесо­
образно работать с токами iок < 50 мка при использовании обычных
маломощных транзисторов, не предназначаемых специально для
34
работы в микрорежимах. Вообще же выбор рабочих токов, мень­
ших 0,5 ма, целесообразен только в тех случаях, когда наиболее
важным требованием является обеспечение высокой экономичности
питания.
4, ОДНОКАСКАДНЫЕ СХЕМЫ
СТАБИЛИЗАЦИИ РЕЖИМА

Температурная нестабильность режима, в соответствии с изло­


женным в гл. 1, обусловлена главным образом теплоЕым сдвигом
характеристик [(рис. 7), формулы (1.31)-(1.33)] и температурной
зависимостью обратного коллекторного тока [формулы (1.35) и рис. 8J.
При рассмотрении работы различных схем стабилизации удобнее
оценивать нестабильность режима, вызываемую эквивалентным
тепловым смещением характеристик Лuб. т и отдельно из�,:енениями
обратного тока Лlко, Так как максимальная возможная нестабиль­
ность коллекторного тока, вызываемая тепловым смещением
(2.15)
и приращением обратного тока Iко
Л2iк. макс = �о Лfко = h21 Лfко, (2.16)

то для оценки стабилизирующего действия различных схем удобно


ввести понятие коэффициентов стабилизации

1
(2.17)

где Л 1 iк и Л 2 iк - нестабильности тока в рассматриваемых схемах,


обусловленные соответственно тепловым смещением Лu6 т и обрат­
ным ТОКОМ /кО•
Большинство схем температурной стабилизации режима осно­
вано на применении глубокой отрицательной обратной связи по
постоянному току. К: числу простейших из них относятся схемы,
в которых обратной связью по постоянному току охватываются
одиночные каскады усилителя.
Наиболее простой и содержащей минимальное число дополни­
тельных элементов является схема стабилизации тока базы (рис. 16).
Принцип ее действия основан на том, что так как база питается
через резистор R1 с большим сопротивлением, то:< базы остаетr51
2* 35
практически неизменным независимо от из�v::енений температуры
и свойств транзистора:
(2.18)

Вследствие же того, что ток эмиттера распределяется пропор­


ционально меж�у цепями базы и коллектора, примерно постоянным
будет оставаться и ток колле1<тора. Для расчета схемы достаточно
по известному исходному току базы i06 определить сопротивление
резистора
-f. Ек
1Об .
R1 =-,-- (2.19)

Коэффициенты стабилизации режима


(2.17) для. этой схемы
-1 1

)
Sтi =
1 +ltR1;
(2.20)
-1•f« Sт2 = 1 rzR,
+ gR1 •
Рис. 16. Схема стабили­ Обычно, в соответствии с выражением
зации тока базы.
(2.19), величина сопротивления получается
очень большой, причем всегда выполняется
»
условие gR 1 1. Из сказанного видно, что схема стабилизации
тока базы обеспечивает высокую стабильность (малое значение
коэффициента стабилизации S,1) в отношении влияния теплового
смещения Либ т, но пр:штически не устраняет вредного действия
обратного тока 1ко ( Sт 2;:::, 1). Это один из существенных недостат­
ков схе�ъ1 стабилизации тока базы. Абсолютная нестабильность
коллекторного тока в нец
Лiк � Л2iк = h21 Лlко- (2.21)
Поэтому схему можно приыенять только в тех устройствах, которые
не предназначены для работы при повышенных температурах, и в том
диапазоне температур, в котором величина h 21 Лfко остается значи­
тельно меньшей исходного рабочего тока iок,
Другим недостатком схемы является то, что, вследствие зна­
чительного разброса тока базы транзисторов от образца к образцу,
для получения заданного режима работы необходима индивидуальная
подгонка. В каждом образце изделия приходится подбирать окон­
чательную величину сопротивления резистора R1• Вследствие этого
схема стабилизации тока базы малопригодна для использования при
серийном производстве аппаратуры. Разброс исходного тока в раз­
личных образцах можно оценить, исходя из связи между величи-
36
ной тока базы и коэффициентом усиления по току h 21 • Учитывая,
что iок � li 11 ioб, абсолютную величину разброса режимов можно
подсчитать по формуле
Лiок � (h21 макс - h21 мин) R:. (2.22)
Несколько лучшие результаты дает схема стабилизации с отри­
цательной обратной связью по постоянному току параллельного
типа (рис. 17, а). Здесь возникающие по любой причине изменения
тока Лiк вызывают соответствующие изменения коллекторного на­
пряжения Лик , Последние через цепь обратной связи (резистор R 1 )
воздействуют на базу и обусловливают реакцию, противоположную
первоначальной причине, вызвавшей нестабильность тока. Расчет
схемы также состоит в опреде­
лении сопротивления резистора
(2.23)

где Иок - напряжение на кол­


лекторе в выбранном исходном
режиме. Выражения коэффи­ и
циентов стабилизации имеют
вид: Рис. 17. Схемы стабилизации с отрица­
тельной обратной связью по постоянному
Sтi = 1 +gR1 +s 0 R_
1 току параллельного тппа:
1 (2.24) а - с использованием коллекторного сопротивле­
gR1
ния; б - с использованием сопротивления раз­
S 2 j вязывающего фильтра.
т = 1 + gR1 + SoR_.
Стабилизирующее действие схемы по отношению. к тепловому
сдвигу Лщ,. т получается еще более высоким. Лучше также обстоит
дЕ:ло и с ослаблением влияния тока Iко, так как коэффициент
стабилизации Sт2 оказывается уже заметно меньшим единицы.
Если учесть, что

(2.25)

а также принять во внимание формулу (2.23), то можно получить


простую прикидочную формулу
(2.26)
т. е. стабилизирующее действие схемы (рис. 17, а) по отношению
к влиянию обратного тока fко оценивается частным от деления
37,
коллекторного напряжения на э. д. с. источника питания. Из ска­
занного ясно, что существенного повышения стабильности режима
рассматриваемая схема дать не может.
Нестабильность исходного тока, обусловленная разбросом токов
базы различных образцов транзисторов, может быть подсчитана по
формуле
. иок
Лlок = (h21 макс - /121 мин) (2.27)
Ri Sт2•
Недостатки схемы (рис. 17, а) остаются такими же, как и у
предыдущей, хотя ее можно использовать в несколько более широ­
ком диапазоне температур. Однако без индивидуального подбора
сопротивлений резистора R 1 не удается обойтись и здесь. К не­
достатку этой схемы можно также отнести и наличие параллельной
обратной связи на частоте сигналов, что приводит к дополнитель­
ному уменьшению входного сопротивления усилителя.
Аналогичные результаты дает и схема стабилизации с отрица­
тельной обратной связью (рис. 17, 6), в которой обратная связь осу­
ществляется с помощью резистора развязывающего фильтра RФ- Рас­
считывать эту схему можно по формулам (2.23)-(2.27) с той лишь
разницей, что вместо Иок следует брать величину Ек - i окRФ, а вместо
R_ в фор:v�улу (2.24) подставлять RФ- В схеме (рис. 17, 6) также
отсутствует обратная связь по переменному току, что достигается
включением конденсатора развязывающего фильтра СФ.
Пример 1. Рассчитать схемы стабилизации (рис. 16, 17, а) и сравнить их
свойства. Данные для расчета: транзистор типа МП14, исходный рабочий режим
которого i0к = 2 ма; и0к = 4 в; i06 = О, 1 ма; и06 = -0, 13 в; диапазон рабочих
температур Т = (-50 + +50) 0 С, допустимая нестабилыюсть коллекторного тока
Лiк
-,--
lк < 20%; э. д. с. источника питания Ек = 15 в.
По справочным данным для выбранного транзистора определяеы /ко< 100 .мка
при Т0 = +70° С; h21=20 + 40. Вычисляе11 значенпе /ко при 1шксп1шльной рабо­
чей температуре ( 1.35):
/ко (Т) = /ко (То) еа (Т-То) = !ООсО,09 (50-70) = 16,7 htKa.
Так как при Т = -50° С обратный ток ! мал, считаем
ко

дlко::::; Jk0 (+50° ) = 16,7 1,1ка.


Находим значения необходимых малосигнальных параметров:
S0 == ki iок = 40 • 2 • 10- 3 = 80. 10-з а/в;
S 80 . 10-з
= h21o = 20 + 40 = (2 --;-. 4 ) . 10-з. сим.
g
38
Для схемы рис. 16 рассчитываем величину сопротивления резистора

Ек 15
R1=-с-= _4=150 ком

б
10

и полное сопротивление постоянному току (2.3)


15-4
R_ _ � 5,6 ком.
2 10 3

Находим коэффициенты стабилизации (12.17) для худшего случая:

sт1 = ..,-----
1 ­
] + gмпнR1
gмaкc R 4 10- 3 150 . 103
Sт 2 _
i
1.
- ] + gмаксR1 1 + 4 10 3 . 150 . 103

Так как коэффициент стабилизации Sтl получился весьма малым, с песта­


\ бильиостью, обусловленной тепловым смещением Дu6_ т• можно не считаться.
Тогда в соответствии с формулами (2.16), (2. 17) и ( 2.20) максимальная возмож­
ная нестабирьность тока
Лiок Л1ко h 21 макс 16,7 • 10-в • 40
-т:;= i
ок
Sт2= 2-10-з
0 .
·1=0,33=33Уо

Проведеrrный расчет показывает, что схема рис. 16 не обеспечивает требуе­


мую стабильность в заданном интервале рабочих температур и поэтому не может
быть использована. Если бы было задано меньшее значение максимальной рабо­
<rей температуры (например Тмакс= +40° С), то тогда получили бы Л/к0=6,7 мка
Лiок
и -. - = 14%, т. е. требуемая стабильность была бы обеспечена.
1ок
Оценим теперь нестабильность режима в схеме с обратной связью (рис. 17, а).
для этого вычислим величину сопротивления резиtтора (2.23)
иок 4
Ri = -.- = _4 � 39 ком.
1Об 10

Сопротивление постоянному току в коллекторной цепи рассматриваемой схемы


обусловлено резистором Rк · Как и в предыдущем варианте, оно определяется
соотношением (2.3) и получается равным R_ = Rк = 5,6 ком. Далее находим
для наименее благоприятных случаев значения коэффициентов стабилизации (2.24)

=
1 1
s _
тl - 1 + g мин 1 + S 0 R_
R 1 + 2 · ](Г & · 39 · 103 + 80 · IU & • 5,6 · 103
� 0,002;
4 . 10-3 . 39 . 103
0,29
1 + 4 · IU " · о9 · 103 + 80 · 10 3 • 5,6 · 103
и максимальную относительную нестабильность тока коллектора
Лiок Лlкоh21 макс 16,7 · 10-в · 40 О
Sт2 = - О' l -
' 29 _ _ l0%0•
i ок i ок 2 · 10 3
:=::!
39
Как видно из этого расчета, стабильность режима получается выше задан­
ной, поэтому схему можно использовать. Вследствие того что расчет произведен
для наименее благоприятных граничных значений параметров и максимального
возможного тока /ко• реально стабильность режима в большинстве случаев будет
выше расчетной.
Определим минимальное исходное напряжение на коллекторе, которое полу­
чится при максимальной возможной величине коллекторного тока
.
lок. макс =
.
lок ( l +-.Лiок
-) = 2 (l + 0, 1 ) = 2, 2 ма;
1Ок

И ок . мин = Ек - iок. максRк = 15 - 2, 2 1 0-3 • 5, 6 · 10 3 = 2 ,5 в.

Прп таком напряжении режим рассматриваемого каскада будет еще доста­


точно далеким от области насыщения коллекторного тока.
Подсчитаем нестабильность исходного тока, обусловленную разбросом токов
базы транзисторов используемого типа,
. Иок 4
Л1ок = (h21 макс - li21 мин> RiSт2 = (40 - 20) 39. 1 3 . 0, 29 = 0, 6 ма.
0
Такой разброс исходного тока для различных образцов транзисторов будет
недопустимо большим. Поэтому при использовании схемы рис. 17, а потребуется
индивидуальная подгонка сопротивлений резисторов R 1 в процессе изготовления
усилителей.

Проверку и подгонку режима в схемах рис. 16 и 17 можно


производить не разрывая коллекторную цепь и не включая милли­
амперметр. При заданном исходном напряжении на коллекторе или
известном полном сопротивлении постоянному току R_ правильный
режим может бы ть установлен в результате измерения напряжения
на участке эмиттер - коллектор транзистора. Подключив к выводам
эмиттера и коллектора вольтметр с достаточно большим внутренним
сопротивлением, подбирают величину сопротивления резистора R 1
до получения нужного напряжения. Уменьшение этого сопротив­
ления приводит I{ возрастанию тока iок и снижению напряжения
Иок- Наоборот, увеличение сопротивления R1 приводит к уменьше­
нию тока i ок и повышению напряжения Иок- Однако необходимо
отметить, что минимальный рабочий ток, который можно получить
в этой схеме при R 1 = оо,
(2.28)
Значительно более высокая стабильность реж има получается
при использовании распространенной схемы стабилизации с отри­
цательной обратной связью последовательного типа, называемой
иногда схемой с тремя резисторами (рис. 18, а). В этой схеме
отрицательная обратная связь по постоянному току осуществляется
с помощью резистора R3 , включаемого в цепь эмиттера. Вызванное
40
любыми причинами изменение тока эмиттера создает на резисторе
Rз падение напряжения

которое соответствующим образом меняет потенциал эмиттера. Если


потенциал базы будет фиксированным, то изменение потенциала
эмиттера вызовет соответствующее изменение напряжения между
базой и эмиттером: Ли 6 = -Лu 3. Полярность этого напряжения
оказывается такой, что оно противодействует первоначальной при­
чине, обусловившей изменение тока эмиттера. Фиксация потенциала
базы осуществляется с помощью потенциометрического делителя
R 1 , R 2 • Чем меньше величины
сопротивлений этого делителя,
тем жестче фиксируется потен­
циал базы и меньше сказывается
влияние обратного тока fко, а еле-
\ довательно, тем выше получаемая
стабильность режима. Однако с,
чрезмерное уменьшение сопроти­
влений R 1, R 2 по ряду причин а
нежелательно. Во-первых, при о
уменьшении этих сопротивлений Рис. 18. Схеыы стабилизации с отри­
увеличивается ток, потребляемый цательной обратной связью по посто­
потенциометром, янному току последовательнога типа,
для усилителя:
. ,-.., Ек а - апериодического; б - с трансформатор•
(2.29) ной связью
+
lп ,...._, Ri R2
и соответственно возрастает потребление энергии каскадом (ухуд­
шается экономичность питания). Во-вторых, в схеме рис. 18, а
резисторы R 1 и R 2 по переменному току оказыв аются включенными
параллельно входу усилителя, шунтируют его и уменьшают общее
входное сопротивление каскада. Поэтому величины сопротивлений
R 1 и R2 желательно выбирать так, чтобы приведенное сопротивле­
ние делителя превышало входное сопротивление транзистора:
1
R 12 = R1R1R2
+R >g'
2
(2.30)
Схема рис. 18, 6 отличается тем, что в ней потенциометрический
делитель не шунтирует входа усилителя и не снижает его входное
сопротивление. Конденсатор С2 служит для устранения обратной
связи на частоте сигналов, а С1 -для присоединения нижнего конца
обмотки трансформатора по переменному току к эмиттеру. Но такая
схема может использоваться только при трансформаторной связи,
при наличии в цепи базы колебательного контура или при исполь­
зовании дросселя.
4t
Режим работы в схемах рис. 18 всегда автоматически устанав­
ливается таким, что падение напряжения на эмиттерном сопротив­
лении R3 оказывается меньше падения напряжения на резисторе R2
на величину напряжения на базе
(2.31)
которое соответствует установившемуся току эмиттера

(2.32)
<Jткуда
{2.33)
При этом токи транзистора почти не зависят от его параметров
и других свойств. Они определяются практически лишь внешними
сопротивлениями. В результате, кроме обеспечения высокой стабиль­
ности, схема гарантирует идентичность исходного режима при
использовании транзисторов не только данного типа, но даже
и разных типов. Указанное свойство является большим достоинством
схемы и она может быть пригодна для серийного производства.
Заменив транзистор в каскаде (рис. 18, а) эквивалентной схемой
температурной нестабильности (см. рис. 9), можно определить общую
нестабильность кош1екторного тока и коэффициенты стабилизации
�, = 1+ g (R12 +1Rз)+ SoRз
1+g(R12+Rз)+ R12 (2.34)
g
Sт 2 = S + gr6 1+ g (R +Rз) +S Rз

o 12 o )
Коэффициент S т1 всегда получается очень м алым, и, следова­
тельно, влияние теплового смещения характеристик Ли6. т в этой
схеме практически также не сказывается. Коэффициент же стабили­
зации Sт2 существенно зависит от величины приведенного сопро­
тивления потенциометра R 12 (2.30). Анализ показывает, что при
изменении сопротивления R 12 в пределах О< R 12 < R 3 величина
.Sт2 меняется от
1 + gr6
Sт2 мин = -h-- (2.35)
21
ДО
2
Sт2 = -
h 21
, (2.36)
т. е. весьма незначительно. При R 12 >, h 21 R 3 коэффициент стаби­
лизации S т2 становится недопустимо большим и приближается
42
к единице. Следовательно, R 12 должно выбираться так, чтобы
nыполнялось условие (2.30). Выражая параметры S0 и g через
рабочие токи, учитывая формулы (1.29), (2.25) и то, что обычно
R 1 )) R2 и R 12 ,;:::;',R2 , а также, что
(2.37)
можно полу•:ить удобную приближенную формулу для коэффи­
циента стабилизаuни
(2.38)

Здесь i п -ток потенциометра R 1 , R2 • Меняя последний, можно


управлять величиной Sт2 в широких пределах, добиваясь получе­
ния требуемой сJа�ильности режима.
Неидентичность исходного режима, обусловленная разбросом то­
' ков базы различных образцов транзисторов, может быть подсчитана
по формуле
(2.39)

где h 21 макс и h 21 мин -граничные значения коэффициента усиления


по току, оговариваемые техническими условиями на данный тип
транзисторов.
Рассчитывают схему стабилизации (рис. 18, а) следующим обра­
зом. Так как стабильность режима повышаестя с увеличение-...1
сопротивления резистора Rз, то его целесообразно выбирать воз­
можно большим. При заданном рабочем токе iок максимальная
величина сопротивления ограничивается допустимой потерей на
нем части напряжения источника питания
Из = Ек -- (Uок + iокRк-). (2.40)
Высокую стабильность режима можно получить в том случае,
если это напряжение будет не меньше 2-3 в.
По заданной относительной нестабильности коллекторного тока
Лiок
-.1 - с помощью выражений (2.15), (2.17), (2.32), (2.34) и (2.38)
ок
!\южно подсчитать необходимый ток потенциш,1етра
(2.41)

nр::чем, предварительно с помощью формул (1.32) и (1.33) следует


вычислить эквивалентное напряжение теплового смещения Либ. т•
43
При этом для соблюдения достаточно высокой экономичности
питания желательно, чтобы он не превышал величины исходного
коллекторного тока
(2.42)
Если i п получается слишком большим или отрицательным, схема
рис. 18, а не обеспечивает требуемую стабильность режима работы.
Для строгого расчета всех входящих в схему элементов необ­
ходпмо решение системы уравнений, в которую входят и графи­
чески заданные статические характеристики транзистора. Этот
расчет получается весьма трудоемким II неудобным для практи­
ческого использования. Гораздо проще сделать приближенный
расчет, который основан на том, что токи в схеме рис. 18, а
почти не зависят от свойств транзистора.
Определив u 3 по формуле (2.40) или задавшись его максималь­
ной допустимой величиной, рассчитывают сопротивление резистора

(2.43)

По вычисленному току потенциометра i п (2 .41) находят сопротив­


ление его резисторов

(2 .44)

После этого проверяют выполнение ус.rювия (2 .30), а также для


проверки правильности результатов расчета уточняют значения
коэффициентов стабилизации
(2.45)

(2.46)

и проверяют получающуюся общую нестабильность коллекторного


тока
(2.47)
Прикидочный расчет элементов схемы рис. 18, а можно произ­
вести даже в том случае, когда известен только исходный рабочий
ток транзистора iок,
44
Учитывая, что в реальных условиях всегда выполняются соот­
« «
ношения Иоб u 2, iоб iп, и приближенно приняв
(2.48)

в расчетных формулах (2.43), (2.44) можно пренебречь малыми


величинами Иоб и i 0 6• В результате такого прикидочного расчета
реальный рабочий ток в схеме окажется несколько заниженным.
Для получения требуемой величины тока iок необходимо примерно
на 10% уменьшить расчетное значение сопротивления резисто­
ра R3 • Окончательную подгонку режима можно произвести при
:экспериментальной проверке и налаживании
разрабатываемой схемы подбором сопротив­
ления резистора R3 • Контроль режима можно
осуществлять по напряжению на участке кол-
. лектор - эмиттер или по падению напряже-
ния на одном из известныл резисторов (R3 , Rк), -1
При уменьшении сопротивления резистора Rз
возрастает исходный ток iок и уменьшается
напряжение и 0к . Увеличение этого сопротив­
ления вызывает обратный эффект. Если для __.._______ ·+[ к
пов:.,1шения стабильности режима возникнет
необходимость в увеличении стабилизирую­ лизацииРис. 19. Схема стаби­
режима работы
щего напряжения u3 на резисторе Rз при со­ транзистора с комбини­
хранении прежнего рабочего тока, то для этой рованной отрицатель­
цели можно уменьшить сопротивление рези­ ной обратной связью
стора R 1 и увеличить R з , или пропорциональ­ ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ.
но увеличить сопротивления R 2 и R 3 •
Если в коллекторную цепь усилителя необходимо включить
развязывающий фильтр, то вместо схемы рис. 18, а выгоднее
использовать схему с комбинированной обратной связью по постоян­
ному току (рис. 19). Дело в том, что при включении фильтра только
в коллекторную цепь, для сохранения выбранного исходного напря­
жения на коллекторе иок, приходится соответственно уменьшать
падение напряжения u 3 на стабилизирующем резисторе R 3 , а это
ухудшает стабильность режима. Кроме того, цепь питания базы
ОI<азывается незащищенной фильтром, что может привести к возник­
новению паразитной обратной связи через цепь питания.
При исполь зовании схемы рис. 19 за счет дополнительной обрат­
ной связи, обусловленной резисторами RФ и R1 , удается частично
скомпенсировать вынужденное ослабление основной обратной связи,
связанное с необходимостью уменьшения напряжения u 3 и соответ­
ственно сопротивления резистора R3 • Однако при одинаковых
исходных режимах, э. д. с. источника питания и токах потенцио-
45
метра схема рис. 19 дает худшую стабильность режима по сравнению
со схемой рис. 18, а. Чтобы это ухудшение сделать как можно
меньшим, необходимо _избыточное напряжение питания
Иизб = Ек - (Иок + iокRк) (2.49)
распределить межд у резисторами Rз и RФ, причем величина u 3
должна быть большей, а Иф- минимальной, определяемой мини­
мальным необходимым сопротивлением резистора развязывающего
фильтра RФ-
Можно показать, что для схемы рис. 19 остается справедливым
соотношение (2.38). Определив с его помощью ток потенциометра
i п (2.41), можно затем рассчитать величины сопротивлений входя­
щих в схему резисторов:

(2.50)

1
1
В целях проверки можно вычислить коэффициенты стабилизации
+
S _
R1 + R2 RФ .
тl - S0 [Rз (R1 + R2 + RФ) + R 2RФ]'
(2.51)
Sт2 _ l +grб[l R1R2
- h 21 + Rз (R1 + Rз + RФ) + R2RФ]
и найти общую нестабильность коллекторного тока по формуле
(2.46).
Блокирующие конденсаторы С 2 в схемах рис. 18 и 19 необхо­
димы для устранения обратной связи по переменному току усили­
ваемых сигналов. От правильного выбора величины емкости и типа
этих конденсаторов существенно зависит качество работы усилителей.
Чтобы устранить паразитную частотно зависимую обратную связь
на низших частотах, емкость блокирующего конденсатора должна
быть рассчитана по формуле
80
С > (2.52)
V Мис-
2 2
2�Fн 1
где F н - низшая рабочая частота усилителя; Мн е - допустимая
величина коэффициента частотных искажений, обусловленных бло-
46
кирующим конденсатором. Величина этого коэффициента в каждом
конкретном случае определяется по методике, изложенной в после­
дующих главах.
Влияние выбора типа блокирующего конденсатора на стабиль­
ность коэффициента усиления в диапазоне температур рассматри­
вается в гл. 3.
Пример 2. Рассчитать cxel\!y температурной стабилизации режима (рис. 18, а)
по тем же исходным данным, что и в примере 1, но для допустимой относи­
Лiок
тельной нестабильности коллекторного тока -. - = 15 % в диапазоне температур
1ок
Т= (-60 + + 70 ) 0 С, сопротивление резистора коллекторной нагрузкп R.к=
= 2 ком.
Определяем эквивалентное напряжение теплового смещения (1. 33)
3
Диб. т= 1т (Тмакс - Тмин)= 2, 5 10- ! +70 - (-60)] = О,3 25в.
Находим максимальное напряжение на токостабилизирующей цепочке
u3= Ек - (и 0к + i0кRк)= 1 5 - (4 + 2 10 -з . 2 10 3)= 7 в.
Так как при Т = +10° С /ко,.; 100 мка и в заданном диапазоне температур·
Л/ко;::: /ко= 100 мка, необходимый ток потенпиометра

t. = ---------Лlко 10-4
п Лiок = ---------- = 2 • 10-за.
Л/ко Либ т О _ 10-4 0,325
.
t 0к
-
( 1. + и8 ) ' 15 ( 2 10-3 + 7 )

Величина этого тока в соответствии с условием (2.42) получилась приемле­


мой. Следовательно, стабильность режима может быть обеспечена схемой·
рис. 18, а.
Вычисляем сопротивления резисторов (2.43) и (2.44):
R, - U3 7
• = 3 , 3 ком;
а iок + iоб 2 10-3 + 10-
Uз + UОб 7 + 0, 13
R.2 = = 3, 6 ком;
iп 2 10_ 3 ;:::
Ек-U2 15-7
1= ;::: 3,9 ком.
R. iп+iоб;::: 2. 1u-a+ ш-4
Для проверки полученных результатов находим величины коэффициентов·
стабплизации ( 2.4 5)
1 1
Sт ;:::
l S oRз = 80 . 10-з 3 3 103 = 0 , 0038;

Sт2 ~ l +
gг б R.1R.2 1,1 3, 9 3, 6
~ --ri;;- [ 1 + Rз (R.1 + R.2 ) ] ;::: 20 [ l + 3,3 (3,9 + 3, 6) ] = О , О35
и полную нестабильность тока ( 2.46 )
Лiок= Sодиб. т sтl + h21Лlк0Sт2=
= 80 1 0 ·-3 0,3 25 · 0 , 0038 + 20 . ю-4 . 0 , 0 86 = 0 , 27 2 10 -� а.

47
При этом относительная нестабильность тока
Лiок 0,272 10-3
= 2 • 10-3 = 0 ' 136 < 0 ' 15
iок
оказывается меньше заданной, т. е. схема обеспечивает нужную стабильность
режима. Для сравнения укажем, что в этом же диапазоне температур схема
с обратной связью параллельного типа (рис. 17) дает относительную нестабиль­
ность около 70%.
Определим разброс псходноrо режима работы, обусловленный неидентич­
ностью транзисторов (2.39),
Л i ок 1 _ 1 iок _ 1 _ 1 2 _ 0,025_
_
( h21макс ) iп ( 0 40 ) 2
iок h21мин 2
Такой малый разброс исходного тока свидетельствует о пригодности схемы
рис. 18, а для использования при серийном производсте.

5, МНОГОКАСКАДНЫЕ СХЕМЫ
СТАБИЛИЗАЦИИ РЕЖИМА
Более высокую стабильность режима работы можно получить
увеличением глубины отрицательной обратной связи по постоянному
току. С этой целью обратной связью целесообразно охватывать не
один·, а несколько каскадов. На практике часто применяют схемы
стабилизации с охватом обратной связью пары каскадов. Из боль­
шого числа возможных вариантов подобных схем целесообразно
использовать только такие, которые обеспечивают высокую стабиль­
ность режима и содержат меньшее количество элементов (особенно
конденсаторов). Одним из критериев высокой эффективности стаби­
лизации является сравнительно малая величина сопротивлений
включенных в цепи баз транзисторов, что гарантирует ослабление
вредного влияния обратных токов коллекторов /ко, Если же для
обеспечения заданного режима в цепь хотя бы одной базы должно
быть включено большое полное омическое сопротивление, дестабили­
зирующее действие fко резко возрастает, и такую схему не имеет
смысла применять.
Основной вариант одной из высокоэффективных схем стабили­
зации показан на рисунке 20, а. В двухкаскадном усилителе с не­
посредственной связью между каскадами отрицательной обратной
связью через резисторы R3 и R 5 охвачены одновременно оба каскада,
что обеспечивает более глубокую обратную связь и жесткую ста­
билизацию режима. Так как для получения высокой стабильности
резистор R 5 в цепи базы должен иметь небольшое сопротивление,
потенциал базы транзистора Т 1 и потенциал в точке А делителя
R3, R 4 должны отличаться незначительно:
Lti + Uoбl � U3.
48
Но глубина обратной связи возрастает с увеличением сопротив­
ления резистора R3 , а следовательно, и напряжения на нем
(2 .53)
Эмиттерный резистор R 1 при этом необходим для компенсации
[в соотвётствии с формулой (2.52)] части напряжения и 3 • Исходные
напряжения на коллекторе и коллекторный ток транзистора Т 1 авто­
матически устанавливаются в зависимости от величин сопротивлений

с,

о
Рис. 20. Двухкаскадные схемы стабилизации режима:
а - с эмиттерным делителем; б - со стабилитроном и дополнительной емкостью;
в - с двумя стабилитронами и компенсацией отрицательной обратной связи по пере­
менному току,

1:.езисторов R 1 , R 2 , Rз , R 4 и поддерживается неизменным в процессе


работы усилителя. Сопротивление резистора R5 должно выбираться
возможно меньшим, но таким, чтобы предотвратить заметное шун­
тирование входа усилителя:
(2.54)
При этом, если сопротивления R3 и R 4 достаточно велики, ре­
зистор R 5 может отсутствовать. Характерной особенностью рассмат­
риваемой схемы является то, что вследствие прямого соединения
коллектора транзистора Т1 с базой транзистора Т2 , исходные кол­
лекторные напряжения Иок1 и Иок2 складываются:
Ек = И1 + Иокt + Иок2 + Ив. (2.55)
Схему рассчитывают следующим образом. Задавшись исходными
напряжениями на коллекторах транзисторов Иок1, Иок2 и зная э. д. с.
источника питания Ек, определяют избыточное напряжение
Иизб = Ек - (Иокt + Иок2). (2.56)
Это напряжение распределяется между резисторами R1 и R6 :
Иизб = И1 + И6• (2.57)
4 240 49
Для получения высокой стабильнос.ти режима напряжение u 1 на
резисторе R 1 целесообразно сделать возможно большим. Зная из
расчета самого усилителя, какой может быть взята минимальная
величина полного сопротивления постоянному току в коллекторной
цепи
(2.58)

(R к - сопротивление коллекторной нагрузки; RФ- сопротивление


развязывающего фильтра), находят
(2.59)
В зависимости от допустимой степени шунтирования входа уси­
лителя ориентировочно выбирают сопротивление резистора
(2.60)

после чего рассчитывают сопротивления остальных резисторов:

(2.61)

Полные нестабильности токов транзисторов с учетом влияния


одного транзистора на другой определяются выражениями:

{2.62)

Нестабильности токов получаются весь а мал ми близ


к минимально достижимым. Кроме того, во мвтором ы аска ,
д кими
к е п р оис­
хо дит частичная компенсация нестабильностей, в зываемы
ы х влиянием
50
температуры на первый и второй транзисторы. Поэтому во втором
транзисторе нестабильность тока оказывается значительно меньшей
по сравнению с первым, и на практике обычно необходимо проверять
нестабильность тока только первого транзистора.
Недостатком схемы рис. 20, а является более сильное (по сравне­
нию с однокаскаднь:ми схемами) влияние эмиттерного конденсатора
С 2 на частотную характер истику в области низких частот. Послед­
нее обусловлено большим усилением в замкнутой петле обратной
связи. Поэтому даже малое емкостное сопротивление этого конден­
сатора сильно влияет на частотную характеристику. Для устранения
этого влияния необходимо выполнить более жесткое условие
С2 > ----::.:;.-::..-:..-_-_-=---=---'-:......,.-----�
S02 21,1
h
(2.63)
2rcF н V м:с - 1 [ 1 + g1 ( Rъ + R:�RJ] '
чем для однокаскадных СХЕМ. Емкость конденсатора С 1 можно вы­
чи слить по формуле (2.52).
Экспериментально двухкаскадную схему стабилизации (рис. 20, а)
налаживают подбоr;ом входящих в нее сопротивлений. Процесс на­
лаживания несколько осложняется ТЕМ, что вследствие глубокой
отрицательной обратной связи изменение одного из элементов схемr--.1
приводит к соответствующему изменению всех токов и напряже11ий
в ней. О днако попарное одновr;еменное изменение соответствующих
сопротивлений дает возможность изменять режим одного транзи­
стора, не меняя заметно режима второго. Так, в частности, при
пропорциональном увеличении или уменьшении сопротивлений ре­
зисторов R3 и R4 можно изменять ток транзистора Т 2 iок2 и напря­
жение IAa его коллекторе и0к2, сохраняя прежним режим транзи­
стора Т 1 • Увеличение этих сопротивлений вызывает уменьшение
тока iок2 и возрастание и0к2 и наоборот. Отдельно изменением сопро­
тивления в коллекторной цепи R 6 подбирают коллекторное напря­
жение Иок2-
Изменением сопротивлений резисторов R 2 и R4 в прошвополож­
ных направлениях можно перераспределять коллекторные напряже­
ния транзисторов Иок� и иок2 при неизменных рабочих токах. Умень­
шение R2 и увеличение R4 вызывают возрастание Иок1 и снижение
Иок2. Изменение сопr;отивлений rезисторов R 1 и R2 в одинаковом
направлении обеспечивает изменение коллекторного тока iок1 при
неизменном значении Иок� и неизменном режиме транзистора Т2.
Увеличение этих СоПJ:;отивлений вызывает уменьшен ие тока и на­
оборот. Величины рабочих токов, как обь,чно, проверяют по падению
напряжений на известных сопротивлениях резисторов, включенных
в соответствующую цепь. Необходимо только, чтобы используемый
вольтметр имел достаточно большее внутреннее сопротивление.
4* 51
Другой вариант рассмотренной схемы можно получить, заменив
эмиттерную цепочку R 1, С 1 стабилитроном с соответствующей вели­
чиной напряжения стабилизации Uст -= и1 (рис. 20, б). Работа схемы
и назначение ее элементов остаются прежними. Нестабильности
токов при прочих равных условиях получаются примерно такими
же, как и в схеме рис. 20, а. Поэтому расчет схемы и вычисление
нестабильности можно производить с помощью формул (2.59)­
(2.63).
Применение стабилитрона вместо цепочки R1 , С1 может ока­
заться выгодным с точки зрения исключения из схемы (рис. 20, б)
конденсатора большой емкости С 1• Однако схема пригодна лишь
в тех случаях, когда высокий уровень собственных шумов стаби­
литрона несущественен. Особенность налаживания схемы состоит
в том, что ток первого транзистора iок1 следует регулировать одно­
временным изменением в противоположных направлениях сопро­
тивлений резисторов R2 и R3 • Уменьшение Rз и увеличение R2
снижает ток и наоборот. Остальные элементы влияют на режим
работы так же, как и в схеме рис. 20, а.
В усилителях низкой частоты со стабилизацией по схемам
рис. 20, а и б, когда эмиттерная емкость С2 (2.63) получается не­
приемлемо большой, существенного ее умеяьшения можно добиться,
включив дополнительную развязку С3 так, как показано на рис. 20, б
штрихами. В результате этого сильно ослабляется паразитная об­
ратная связь на низких частотах, и конденса·горы С 2 , С3 можно
взять с емкостью, во много раз меньшей.
Для получения в области низких частот равномерной частотной
характеристики необходимо выполнить условие

(2.64)

а для устранения шунтирования входа усилителя обеспечить


+1 0
Ri; = з�- (2.65)

При этом необходимые величины емкостей С 2 и С3 определяются


по заданным нижней граничной частоте Fи и коэффициенту частот­
ных искажений М н е с помощью формул
S п2 )
С - 2
-V2Vм:c-121tFH(l+g2R2) Jl
(2.66)
с _ V 2S 01 R2
V М�
3 - • R4.
с - 1 21tFн (1 + g1Rь)

52
Из сравнения зтих выражений с (2.63) видно, что в случае при­
мен ения дополнительной развязки емкости конденсаторов С2 и С3
получаются примерно в h 21 раз меньше, чем емкость С2 в схеме
без развязки.
Для усилителей очень низких частот может представлять инте­
рес безконденсаторный вариант схемы стабилизаuии (рис. 20, в),
в которой эмиттерные конденсатор ы С1 и С 8 очен ь большой емкости
заменяют стабилитронами Ст 1 и Ст 2 • В схеме остается только
один разделительный конденсатор Ср на входе усилителя.
rлубокая отриuательная обратная связь, охватывающая оба
каскада и стабилизирующая режим работы, осуществляется с по­
мощью резисторов R3 и R,.. Чтобы устранить ее действие на усили­
ваемые сигналы, прим�нена дополнительная положительная обратная
связь только по переменному току, создаваемая резисторами R6
и R7 • Для постоянноrо тока цепь этой обратной связи разорвана
разделительным конденсатором Ср. Система резисторов R з, R5
и R 6 , R 7 образует мост, при балансировке которого обратная связь
для усиливаемого сигнала отсутствует. Для баланса моста необхо­
димо условие
(2.67)

где R.2 - полное сопротивление коллекторной нагрузки для пере­


менного тока, включая и входное сопротивление следующего каскада.
Мост хорошо и надежно балансируется, если входное сопротив­
ление следующего каскада велико и значительно превышает сопро­
тивление резистора R,. В противном случае, при малом входном
сопротивлении, нестабильность последнего приводит к разбаланси­
ровке моста и обусловливает непостоянство коэффиuиента усиления,
что является существенным недостатком схемы. Поэтому для связи
с последующими каскадами uелесообразно применять эмиттерный
повторитель или другую схему с большим входным сопротивлением.
Схему (рис. 20, в) можно рассчитать по формулам (2.59)-(2.63)
и (2.67), для чего в выражениях нестабильности токов (2.62) сле­
дует принять Rc - О.
Коэффипиент усиления рассматриваемого усилителя получается
меньшим, чем в схемах рис. 20, а и б, так как местная отрица­
тельная обратная связь во втором каскаде, обусловленная резисто­
ром Rз, остается нескомпенсированной, что является недостатксм
схемы. Однако в тех случаях, когда важнее избавиться от эмиттер­
ных конденсаторов большой емкост�. с указанными недостатками
приходится мириться.
Особенность налаживания схемы рис. 20, в состоит в там, что
напряжение на коллекторе транзистора Т 1 можно регулировать
53
только заменой стабилитрона Ст 2, так как и 0к 1 практически полу­
чается равным напряжению стабилизации этого стабилитрона. Ток
в первом транзисторе iок 1 можно регулировать изменением сопро­
тивлений резисторов R2 и R з в противоположных направлениях
(так же, как и в схеме рис. 20, 6).
Если для питания усилителя имеется дополнительный источник с
незаземленным положительным полюсом (при использовании транзис­
торов типа р-п-р), то можно применить очень эффективную двух­
каскадную схему стабилизации, показанную на рис. 21, а. В этой
схеме глубокая отрицательная обратная связь по постоянному току
-{,


- fo d
щ

-1
-J-и
'jz
---+

и 1{, � R

Е � f· !'izs -t-� т Е �J
"fe2

..L.
+ i,,.
-t-f,,dщ

а о о
Рис. 21. Двухкаскадные схемы стабилизации режима с дополнительным источ­
ником питания:
а - с потенциометрическим делителем; б - с потенциометрическим делителем и дополни­
тельной емкостью; в- получение �дополнительного напряжения от общего источника
питания с незаземленными полюсами.

осуществляется с помощью делителя Rз , R4 • Избыточное отрица­


тельное напряжение и8 , снимаемое с эмиттера транзистора Т 2, ком­
пенсируется с помощью дополнительного источника с э. д. с. Е
и потенциометрического делителя R3, R 4 • При этом автоматически
устанавливается такой режим, что
(2.68)

и ток во втором транзисторе


• ,.._, U3
lок2 ,-, R, , (2.69)

Напряжения в схеме распределяются следующим образом. Кол­


лекторное напряжение первого транзистора
(2.70}
G4
и на остальных участках схемы
Иок1 + Иок2 + iок2Rв = Ек. (2.71)
Величины сопротивлений резисторов R3 и R4 определяют кол­
лекторный ток второго транзистора iок2- При этом они еще шунти­
руют вход усилителя для переменного тока сигналов. Если соблю­
дается условие
(2.72)

шунтирование входа будет незначительным. В противном случае


между средней точкой делителя и базой первого транзистора сле­
дует включить дополнительный резистор R6 (подобно тому, как
это сделано в схемах рис. 20, а и 6 и в схеме рис. 21, 6). Величина
сопротивления этого резистора тогда должна выбираться в соответ­
ствии с формулой (2.54).
Рассчитывают схему следующим образом. Задавшись исходными
коллекторными напряжениями Иок1 и Иок2, находят необходимые
величины сопротивлений входящих в нее резисторов:
Ек - Окl
и \
R2 = 1Окl
;
Е
Rз = �;
(2.73)

!
R4 = 1.ок2и+Ок1l_об2 ;
Ек - (Иок1 + Uo/{2;
R в= --- 1 ---. Ок2

После этого проверяют выполнение условия (2. 72) или находят


из (2.54) сопротивление дополнительного резистора R ь , а также
вычисляют относительные нестабильности токов
Л1к1 � Диб. тl • Е + Иок1 + ,либ. Т'! + 1

j
1Окl Е Е" - Иок1 Ек - Иuкl

+ 1,1 Л11Окntl . R2
R 4 + l,I Мко2;
1ок! (2.74)
к
Лiк2 �- Либ т1 _ l Лlко!
Е
,I 1 ,
1 ок2 ок2
Как следует из этих формул, нестабильности токов получаются
очень малыми. При этом во втором каскаде получается перекqм­
пенсация. Емкость эмиттерного конденсатора С 2, так же как и для
55
схемы рис. 20, а, б, определяется по формуле (2.63). Необходимая
величина этой емкости получается очень большой, что является
недостатком, общим для двухкаскадных схем стабилизации без до­
полнительной развязки.
При налаживании схемы рис. 21, а пропорциональным измене­
нием сопротивлений резисторов Rз и R 4 можно мtнять коллекторный
ток транзистора Т 2• Напряжение на его коллекторе Иок2 подбирают
изменением сопротивления резистора R 6 • Напряжение на коллекторе
транзистора Т 1 регулируют � зменением в противоположных направ­
лениях сопротивлений резисторов R2 и R4 • Увеличение R4 и умень­
шение R 2 приводит к возрастанию напряжения Иок1, Ток ioкi регу­
лируют только изменением сопротивления резистора R 2 •
В целях уменьшения эмиттерной емкости С2 в рассматриваемой
схеме стабилизации также следует применять дополнительную раз­
вязку (рис. 21, б). Расчет сопротивления резистора R 5 и емкостей
конденсаторов С 2, С3 в этом случае не отличается от приведенного
выше для схемы рис. 20, б.
В схемах стабилизации (рис. 21, а и 6) можно исключить до­
полнительный источник питания. Если у используемого источника
Еобщ оба полюса не соединены с корпусом и его э. д. с. имеет
достаточную величину, то для питания указанных с_хем_ создается
искусственная заземленная средняя точка (рис. 21, в). Напряжение
стабилизации, получаемое на стабилитроне, Ист используется в ка­
честве э. д. с. дополнительного источника, а в качестве Ек служит
оставшаяся часть напряжения
Ек = Еобщ - Ист, (2.75)

Т ок i 0 , протекающий через стабилитрон, равен сумме токов всех


цепей, включенных между верхним зажимом источника и корпусом.
Если этот ток превышает нормальный ток стабилитрона iст, для
разгрузки последнего параллельно включают дополнительный ре­
зистор
(2.76)

Получаемое в схеме рис. 21, в напряжение Ист можно также


использовать для питания других вспомогательных устройств и схем
(например АРУ приемников и т. п.).
Если необходимо выполнить усилитель по каскодной схеме при
ограниченной величине э. д. с. источника питания, то целесообразно
использовать высокостабильный вариант схемы с параллельным пита­
нием на транзисторах с разным типом проводимости (р-п-р и п-р-п,
рис. 22). В ней также может быть использована и обратная комби-
56
нация соединения транзисторов: первый транзистор типа п-р-п"
а второй - р-п-р при соответствующем изменении полярности питания.
На рис. 22, а показан вариант схемы апериодического каскадного
усиления. В ней транзистор Т 1 включен по схеме с общим эмит­
тером и Т 2 - по схеме с общей базой. Стабилитрон Ст служит
для компенсации части падения напряжения и 2 , получаемого на
резисторе R 2 и снимаемого в качестве напряжения отрицательной
обратной связи на базу транзистора Т 1• Стабилитрон при желании
можно заменить эмиттерной цепочкой R 7 , С4 (рис. 22, 6). В этом
случае стабильность режима даже несколько повышается, но в схеме
требуется лишний конденсатор С4 , который в усилителях низкой

о о
Рис. 22. Схема стабилизации режима в каскадном усилителе с па­
раллельным питанием на транзисторах типов р-п-р и п-р-п:
а - с дополнительным стабилитроном; б - с дополнительной RС-цепочкой.

частоты может иметь значительную емкость. В каскадных усили­


телях высокой частоты вместо стабилитрона выгоднее применять
цепочку R 7 , С4•
По постоянному току транзисторы включены параллельно, что
позволяет при заданных исходных коллекторных напряжениях
использовать источник с меньшей э. д. с.
Ек =Ист+ Иокt + R1 (iок! + iок2), (2.77)
Напряжения на коллекторах при этом удовлетворяют соотно­
шению
Ист + Иокl = U2 + Иок2, (2.78),
Чтобы обеспечить хорошую стабилизацию режима обоих тран­
зисторов, целесообразно избыточное напряжение источника Ек - Иок1
51
·распределить поровну между эмиттерными цепями. Иначе говоря,
следует выбирать
Ист = R1 (ioкJ + iок2) = � (Ек -Uок1). (2. 7 9)

Потенциометрический делитель R8, R 6 обеспечивает подачу на


·базу транзистора Т 2 необходимого потенциала. Для повышения ста­
бильности режиыа, его сопротивление должно быть возможно мень­
шим, но при этом будет возрастать расход энt:рrии источника пита­
ния. Поэтому на практике приходится принимать компромиссное
решение - выбирать ток, потребляемый потенциометром, из условия
iоб2 « iп < iок2. (2.80)
Конденсатор С 1 служит для закорачивания базы транзистора Т2
по переменному току на корпус, что соответствует включению этого
транзистора по схеме с общей базой.
Рассчитывать схему целесообразно в таком порядке. Для устра­
нения шунтирования входа усилителя сопротивление резистора R 5
выбирают в соответствии с выражением (2.65), а для уменьшения
шунтирования выхода резистором R4 принимают
(2.81)

где целесообразное значение коэффициента обычно выбирается


в пределах -п = 2 + 5.
По выбранному исходному режиму транзисторов вычисляют вели­
чины сопротивлений остальных резисторов:

(2.82)

I
При использовании вместо стабилитрона эмиттерного резистора
R7 сопротивление последнего определяют из выражения

(2.83)
Стабилизирующее действие схемы вследствие глубокой отрица­
тельной обратной связи оказывается очень высоким. Нестабильности
токов можно подсчитать по формулам

(2.84)

ВследLтвие высоких стабилизирующих свойств схема нечувст­


вительна к смене транзисторов и к разбросу их параметров, что
важно при серийном производстве. В частности, отклонения исход­
ного режима, вызванные разбросом токов базы, определяются соот­
ношениями

(2.85)

Шунтирующие емкости С 1 , С3 низкочастотного варианта каскад­


ной схемы усилителя, обеспечивающие достаточную равномерность
частотных характ<::ристик в области низких частот, рассчитываются
по формулам

Sn1 R 2 (2.86)
С3 -
- У М� с - 1 'ЬсF нR4 (1 + g1R5)
где Мне - допустимая величина коэффициента частотных искажений,
приходящаяся на каждый элемент схемы, который вызывает завал
частотной характеристики.
При использовании эмиттерной цепочки R7, С4 емкость послед­
ней должна быть
(2.87)

59
где

R c - внутреннее сопротивление источника сигна лов (или выходное


сопротивление предыдущего каскада).
При экспериментальном налаживании схем (рис. 22) необходимо
учесть, что изменение сопротивления резистора R 1 влияет в одина­
ковом направлении на токи обоих транзисторов, не меняя практи­
чески коллекторных напряжений. При увеличении R 1 токи ioкi и iок2
уменьшаются. Изменение сопротивления резистора R 1 влияет на
токи противоположно, вызывая пе рераспределение общего тока
между транзисторами. Уменьшение R 2 снижает ток ioкi и увеличи­
вает iок2 - Одновременное изменение сопротивления R 1 и напряжения,
снимаемого на базу транзистора Т 2 с делителя R 3, R i;, приводит
к изменению коллекторных напряжений в одном и том же направ­
лении без заметного изменения токов. Увеличение R1, R6 и умень­
шение R 3 снижают напряжения иак 1 и иак 2•
В схеме с эмиттерной цепочкой R 7, С 4 изменение сопротивления
р�зистора R7 также приводит к перераспределению токов. При уве­
личении R 7 снижается iок1 и увеличивается iок2-
В схеме рис. 22, а при использовании стабилюрона и при не­
правильном выборе эл ементов схемы первый транзистор может
оказаться полностью запертым. Это свидетельствует о недостаточной
величине сопротивления резистора R2 или о сли шком большом сопро­
тивлении R1• Соответствующим образом изменив эти сопротивления,
можно добиться получения нужного тока. Необходимо иметь в виду,
что в этой схеме нет сопротивления, по падению напряжения на
котором можно было бы сразу определить ток коллектора тран­
зистора Т 1 • Однако измерить этот ток все же можно, не разрывая
для этого коллекторной цепи и не включая миллиамперметр Измерив
падения нап ряжений на резисторах R1 и R2 , по известным величинам
этих сопротивлений определяют значения токов iок1 + iок2 и iок2•
Разность найденных таким образо:v� токов и дает искомое значение.
Пример 3. Рассчитать двухкаскадную схему стабилизации (рис. 21, 6) на
транзисторах ГТ 108В, работающую в диапазоне температур (-60 + +60) 8 С.
Данные для расчета: э. д. с. источника питания Ек -= 15 в; дополнительноrо
источника Е-= 5 в; нижняя граничная частота F 8 - 100 гц; коэффиuиент частСУI'•
ных искажений М нс "'" 1, 1. Исходный режим работы транзисторов был выбран
одинаковым: ioкl .., i 0к2 = 3 ма; и 0к1 = и 0к2 - 5 в; соответствующие этому ре­
жиму значения i 06 = 20 мка, и 06 = 0,05 в. Обратный ток комектора lко ,<s;
.,;; 250 мка при Т = +55 ° С. Параметры транзистора: h 21 = 60+ 130; S0 -
=0,12 а/в (1.29); g= 1+2 мсим (1.17). Для заданного диапазона температур
Ли6 _т=0,3 в (1.33), Лlк о=l1,0(Тмакс)=0,39 ма (1.35).

60
Р асчет начинаем о определения необходимых величин сопротивлений рези­
сторов, обеспечивающих заданный режим работы (2. 73):

Ек-и
= __ Ок!
....;,;;;;; 15-5
R1 =- --- ... 3,3 ком;
iок! 3 · 1u-з
Е 5
Ra = -. - =� _ 3 :а:: 1,6 ко.м;
1Ок2 .:, ' 10
(
UОк\ 5
R4 = _ � 1,6 ком;

j
1Ок2 3 10 3
:::,j -. -

R е =-
Ек - (uoкl + Uок2) la - (5 + ~ l ' 6 ком.
5}
1. ок2 = 3 10-з
Выбираем величину сопротивления в цепи базы (2.65)
5 5
R& ""' -- - _3 :::s 5,1 ко.м.
gмин 10
Вы'lисляем относительные нестабильности токов (2. 74)
Лlк1
- диб. т Е + Иок1 ди6.,.
-----=-=+-_.:;.;...- Лlко R
+11---+
iОк!
~ Е Е -И Е - иОкl
к ' iок! R2
ок1 к
4

3 . 5 + 5 1,6 + ,39
+ 11 Мко = 0,5 15-5
+ � +11 � .
15-5 ' 3 3, 3
1 10
' 3 '""' 0 ' ""'
3 30%0.

' iок!
� i к2 :::,j - Диб,. - 1 �!ко - - 0,3 - 0, 39
- - ,2 =-20%.
1, 1,1
1Ок2 Е 1Ок2 5 3 0

Знак «-» в выражении нестабильности тока второго транзистора показы­


вает, что во втором каскаде получается перекомпенсация. С повышением темпе­
ратуры коллекторный ток уменьшается.
Для сравнения укажем, что в однокаскадной схеме стабилизации (рис. 18, а)
при тех же условиях и приведенном сопротивлении делителя R 12 = R. = 5, 1 ко1,1
Лlк
нестабильность режима составляет .......- :::,j 65%. !(роме того, чтобы оценить ка-
1ок
чество стабилизации режима двухкаскадной схемой, достаточно учесть, что для
выбранных транзисторов а заданном диапазоне температур только изменение /ко
Мко
относительно исходного рабочего тока транзистора составляет -. - = 13%.
1ок
Определим отклонение исходного режима от заданного, вызываемое раз­
бросом токов базы (2.88),
Лlо
к�
1Ок!
:::,j 1,1 (_J_- _l_) (1 +
h21мин h21макс
R4
R2
) = 11
' 60
(_!__- _l) (1 + �) =
13 0 ,
3 3

= 0,015-= 1, 5%.
Рассчитаем емкости блокирующих конденсаторов, обеспечивающие заданную
полосу пропускания со стороны низких частот (2.66)

с2-
-
Vм:с - 1 21tFн (1 + g2R2)
Sn
V2

61
---::.:;::::--0,12 --------- = 50 мкф;
V2 j/ l,1 2 - \ 2,с. !00(! + io-J. 3,3. 10·3)
Сз =
V2s0
V Мне - l 2rcFн (1 + g1Rr,)
�/ 2

V2 0,12
�:::;::;: ===-:: --:-::- ::---:---:-::---::---::---:-:-::- ;:::: 50 мкф.
j/. l , 1 - 1 2rc . 100 (1 + 1о-з , 5,1 , 103)
2

Таким образом, блокирующие емкости для схемы рис. 21, б получились


равными С2 = С3 = 50 мкф. Если же усилитель выполнить по схеме рис. 21, а,
то в соответствии с выражением (2.63) потребуется величина емкости конденса­
тора С2 = 5600 мкф, что является совершенно неприемлемым. Для сравнения
укажем, что при использовании однокаскадных схем (рис. 18, а) величины эмит­
терных емкостей должны быть взяты равными 400 мкф в каждом каскаде.

Приведенный пример наглядно показывает преимущества двух­


каскадных схем стабилизации режима перед однокаскадными. Двух­
каскадные схемы обеспечивают стабильность близкую к предельно
возможной, поэтому нет необходимости охватывать отрицательной
обратной связью большее число каскадов. Кроме того, в многокас­
кадных схемах труднее бороться с паразитными обратными связями
и обеспечить устойчивую работу.
В заключение можно сделать следующие выводы. В тех случаях,
когда к стабильности режима не предъявляется особо жестких тре­
бований, а необходимо лишь обеспечить ногмальную работу усили­
теля в диапазоне температур, можно ограничиться применением
однокаскадных схем стабилизации (рис. 18, 19). Можно применять
и двухкаскадные схемы, которые кроме более высокой стабильности,
дают экономию количества используемых элементов и позволяют
уменьшить емкости блокирующих конденсаторов. Однако двухкас­
кадные схемы стабилизации, обеспечивающие стабильность, близкую
к предельно возможной, наиболее целесообразны в тех устройствах,
где необходимо максимально ослабить влияние изменений режима
на качественные показатели (коэффициент усиления, частотную, фа­
зовую характеристики и др.). Из большого числа описываемых
в литературе схем следует заведомо отбросить те, в которых для
обеспечения заданного режима цепи баз необходимо иметь большее
сопротивление (от десятков килоом и выше). Все схемы с большими
сопротивлениями в цепях баз принципиально не могут обеспечить
высокую стабильность, подвержены сильному влиянию обратного
тока Iко и поэтому малоэффективны.
Простейшие схемы стабилизации (рис. 16, 17) непригодны для
серийного производства. Они �v.огут использоваться только в устрой­
ствах, подвергаемых индивидуальной наладке и работающих при
температурах, не превышающих 30-40° С.
ГЛАВА З. ВСПОМОГАТЕЛЬНЫЕ ЦЕПИ
И СХЕМЫ ПИТАНИЯ УСИЛИТЕЛЕА

1. ЦЕПИ СМЕЩЕНИЯ И ИХ НЕЙТРАЛИЗАЦИЯ


В СХЕМАХ
С ВЫСОКИМ ВХОДНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕtv!

Цепи смещения относятся к вспомога1ельным цепям каскада.


Они служат для создания исходного режима работы транзистора
и обеспечения необходимого постоянства его. Чем выше требования
к стабильности режима работы, тем меньше при прочих равных усло­
виях должно быть приведенное сопротивление цепи смещения, опре­
деленное относительно участка база транзистора - общий провод.
В остальном влияние цепи смещения на электрические показатели
каскада должно быть сведено к минимуму. Для этого ее приведенное
сопротивление следует выбирать большим сопротивления последую­
щей части каскада.
На практике могут встретиться случаи, когда два указанных
требования к приведенному сопротивлению цепи смещения при обыч­
ном способе ее выполнения совместить не удается. Например,
в схемах с высоким входным сопротивлением, работающих в широко��
диапазоне температур. В этих случаях цепь смещения выполняют
по схеме с нейтрализацией. Смысл построения сводится к тому, что
при помощи простой развязывающей цепи, роль которой обычно вы­
полняет конденсатор или RС-ц<"пь, элементы цепи смещения вклю­
чаются в цепь обратной связи по переменному току. Благодаря это­
му эквивалентное сопротивление цепи смещения увеличивается про­
порционально глубине обратной связи и устраняется шунтирующее
действие ее на входное сопротивление каскада.
На рис. 23 показана схема усилителя с высоким входным сопро­
тивлением, цепь смещения которого выполнена по схеме с нейтра­
лизацией. В ней используется дополнительная развязывающая RС­
цепь. Точка соединения элементов R и С2 связывается с общей точ­
кой делителя, включаемого в цепь источника питания, конец рези­
стора R подключается к базе транзистора, а конденсатор С2 - к его
эмиттеру. Для повышения эффективности действия схемы нейтра­
лизации необходи�ю выбрать емкость конденсатора С2 большой
и обеспечить переменное напряжение на эмиттерной цепочке значи­
тельно большим напряжения на зажимах эмиттер-база транзистора.
63
Конденсатор С 2 должен обеспечивать надежное закорачивание
нижнего конца резистора R с эмиттером транзистора во всем диа­
пазоне рабочих частот. Если его емкость выбрана недостаточно боль­
шой и на низких частотах он представляет значительное сопротив­
ление переменному току, то это приведет к увеличению падения
напряжения на нем. Последнее вызовет увеличение тока через ре ­
зистор R, следствием чего будет уменьшение входного сопротивления
каскада из-за возросшего шунтирующего действия цепи базового сме­
щения. Поскольку конденсатор С2 является единственной причиной
снижения входного сопротивления Rвх уси­
-� лителя на нижних частотах, то его емкость
выбирается из условия обеспечения задан-
с, _.___ ной неравномерности Rвх , Удобно ввести
--JL--l--_,._.,, понятие коэффициента изменений входного
сопротивления усилителя на нижних
м Rв х О
нR
---
- R вх . н (3.1)
и верхних

Рис. 23. Схема усилителя


частотах, определив его как отношение вход­
с нейтрализацией цепи сме­
щения. ного сопротивления усилителя на средних
частотах Rвх .wсоответственно к значению на
нижних Rвх.н или верхних Rвх . в частотах. Тогда необходимая емкость
конденсатора С2 , обеспечивающая заданну ю величину МнR, рассчи­
тывается из условия
S 0 Rз
....__
С 2-:Р
V
27Г.F н Rн МнR-
2 i.
( 3.3)

R1R2
где R12 = R1 + R 2 .
Е мкость разделительного конденсатора С1 должна находиться в
пределах, ограниченных двумя возможными крайними ее значениями .
.Минимальное значение С1 определяется допустимым коэффициентом
частотных искажений Мн на нижней рабочей частоте Fн :
(3.4)

где Rвх - входное сопротивление схемы.


Однако значительно увеличивать емкость С1 не следует, так как
,при этом вследствие обратной связи частотная характеристика
·М
схемы (рис. 23) может иметь выброс. Отсутствие выброса (l\юно­
тонность частотной характеристики) определяется условием
2
с1 ,.,.,С =�(R+Rз+gRR12)
(3.5)
..,._ !макс RR12 SoRз
Объединяя формулы (3.4) и (3.5), находим пр�делы выбора емко­
сти С 1 , обеспечивающей заданные частотные искажения схемы на
нижних частотах:
1 < <
1
с _s_(R
+ Rз + g,'�R12 2 (3.6)
2 1t F н R вх V м�-1
н
RR12 SoRз )•

При работе схемы (рис. 23) на инфранизких частотах емкость


нейтрализующего конденсатора С 2 может оказаться недопустимо
большой. Для уменьшения габаритных размеров схемы вместо кон­
денсатора С2 можно использовать диод, включенный в прямом на­
правлении. Эфф�ктивность такой цепи нейтрализации возрастает с
понижением частоты и при этом возможна миниатюризация схемы.
В этом случае емкость разделительного конденсатора С 1 ограничи­
вается только условием (3. 4), а частотная харакrеристика усили­
теля всегда монотонная. Входная проводимость схемы (рис. 23) на
низких частотах активная и достаточно малая:
1
gвх -
--
1
R = gобр
+ g+-
R
(3.7)
вх l+SoRз •
Однако с ростом частоты она сравнительно быстро возрастает в ос­
новном вследствие сильного увеличения входной проводимости тран­
зистора У. Если задано допустимое снижение входного сопротивле­
ния схемы на верхних частотах М вR (3.2), то предельное значение
частоты, на которой gвх возрастает не более чем в МвR раз, можно
определить из формулы
r
Fв = 2g1tб't V м вR
2
fa.
- 1 = h-
21
VМвR - 1 = f� VМвR - 1 ,
2 2
(3.8)

где fa. и f� - соответственно граничные частоты усиления транзис­


тора в схемах с общей базой и общим эмиттером.
При помощи формулы (3.8) можно определить параметры 't или
{a./h 2, = f� и по ним выбрать транзистор, обеспечивающий заданную
неравномерность входного сопротивления (проводимости) схемы
(рис. 23) на верхней частоте Fв рабочего диапазона.
Неблагоприятная частотная зависимость входной проводимости
У транзистора приводит к тому, что даже при использовании тран­
з исторов с хорошими частотными свойствами в простой схеме (рис.
23) удается обеспечить высокое входное сопротивление только
5 240 65
в очень узком диапазоне на низких частотах. Если, например М вR =
= 1, 1 ( неравномерноf'ТЬ R вх составляет I О% ) , то транзистор типа
МП15, имеющий средние значения параметров h 21 = 50 и f. >, 2 Мгц,
позволяет реализовать в схеме рис. 23 заданную неравномерность
Rвх на частотах ниже 9 кгц.
Для получения высокого и равномерного входного сопротивления
усилителя в широком диапазоне частот необходимо включить в эмит­
терную цепь транзистора комплексное
Е. сопротивление i, образованное рези­
сторами R', R" и катушкой индуктив­
ности L 1 (рис. 24). Модуль этого сопро­
тивления должен увеличиваться с poc­
тo:vi частоты по соответствующему
закону, чтобы глубина отрицательной
обратной связи была постоянной на
всех частотах полосы пропускания.
Рост I i I должен компенсировать
как увеличение входной проводимости
транзистора I У I при увеличении часто­
п" ты, так и снижение его крутизны ·1 S 1,
Однако усилитель с высоким вход­
ным сопротивлением, содержащий
только сопротивление обратной связи
i, будет иметь неравномерную частот­
ную хзрактеристику передачи. Чтобы
Рис 'Ч Схема усилителя с ком­ одновр�менно с реализацией высокого
пенсацией, имеющего высокое
входное сопротивление в широ­ R вх получить равн0Уi 1�рное усиление
ком диапазоне qастот. в полосе пропускания, необходимо ком-
пенсировать изменение вход1юй про­
водимости транзистора У. С этой целью параллельно его входу под­
ключается компенсирующая цепочка, состоящая из последовательно
соединенных сопротивления R и катушки индуктивности L. Если
постоянная времени этой цепочки -r:L = L!R выбрана равной посто­
янной времени входной цепи транзистора -r:, то результирующая
входная проводимость, определенная относительно зажимов эмит­
тер-база транзистора, будет постоянной во всем диапазоне рабочих
чаотот, что обеспечит необходимое постоянство коэффициента уси­
ления. Изменяя сопротивление резистора R, можно в широких пре­
делах менять полосу пропускания усилителя. Необходимо только
при этом соответствующим образом изменять индуктивность катушки
L, чтобы постоянно выполнялось условие -r:L = ЦR = -r: и, следова-
тельно,
L=-r:R. (3.9)
66
Сопротивление резистора R, обеспечивающего заданные частот­
ные искажения М в на верхней граничной частоте Рв , находится из
соотношения
(3.10)

Кроме того, подбирая в определенных соотношениях величины


элементов, образующих i, можно получить сравнительно большое
и независимое от частоты входное сопротивление и коэффициент
передачи усилителя.
Удовлетворяющие этим условиям значения элементов R', R" и
L 1 определяются следующими приближенными выражениями:

(3. 11 ?

R
где Rэкв = 1 + gR .
Из формул (3.11-) следует, что для увеличения Rвх необходимо
пропорционально увеличивать сопротивления R', R" и индуктивность
L 1 • Однако при этом необходимо учитывать, что ув�личение сопро­
тивления R' ограничивается допустимым падением на нем напряже­
ния источника питания, а увеличение индуктивности L 1 - возрас­
тающим вредным влияниец распределенной паразитной емкости С0
катушки. Последнее является главным фактором, ограничивающим
интервал частот, в пределах которого входное сопротивление схемы
рис. 24 постоянно. Высокое входное сопротивление схемы обеспе­
чивается увеличением полного сопротивления обратной связи с рос­
том частоты. Присутствие паразитной емкости С 0 наруш ает необхо­
димый ход этой зависимости. Вначале сопротивление i растет не­
сколь_ко быстрее, чем следует, вызывая увеличение Rвх• Но, начиная
с частоты паразитного резонанса, сопротивление i и, следователь­
но, Rвх быстро уменьшаются. Поэтому практически можно считать,
что полоса частот, в которой входное сопротивление схемы остается
большим, ограничивается собственной частотой ка'l'ушки индуктив­
ности
(3.12)

5* 67
Подставляя в эту формулу значение индуктивности L 1 (3.11),
можно найти максимально достижимое произвЕ:'дение входного со­
противления на квадрат верхней граничной частоты:
2 ,_, So rб fa
R вxFвR ,_,-2 4С
= 2- С
. (3.13)
1t 1: o 1t o

Из формулы (3.13) видно, что возможности схемы рис. 24 ограни­


чены частотными свойствами транзистора и паразитной емкостью
С 0 катушки индуктивности L 1• Задаваясь минимальной ко нструк­
тивно выполн имой паразитной распределенной емкостью С0 , можно
по формуле (3.13) выбрать необходимый тип транзистора для обес­
печения заданных Rвх и FвR- По ней также оцениваются возмож­
ности транзистора в части р�ализации больших значений Rвх - Прак­
тически схема рис. 24 позволяет получить входное сопротивление
порядка нескольких десятков килоом на частотах примерно до 1 Мгц.
Вследствие очень глубок ой обратной связи схема рис. 24 не дает
усиления по напряжению и при малом сопротивлении нагрузки по
сравнению с R вх оно может оказаться значительно меньше единицы.
В частности, если каскад нагружен на входную проводимость тран­
зистора следующего каскада, то усиление по напряжению на сред­
них частотах не может превышать величины

(3.14)

Однако это приемлемо, так как при непоср�дственном подключении


каскада с малыVI входным сопротивлением к высокоо:v1ному источнику
сигналов напряжение на входе вследствие шунтирования будет по­
нижено в гораздо большей степени.
Коэффициент передачи схемы по тq�у на средних частотах при
работе от источника тока
Ко= S0 Rэк в = �, (3.15)
g+R

а верхняя граничная частота, на которой снижение Ко не превы­


шает 1/Мв,

(3.16)

Стабильность режима работы транзистора в схемах рис. 23 и 24


зависит от сопротивления эмиттерной цепочки и приведенного
68
сопротивления делителя и описывается формулой, имеющей такую
же структуру, как и для схемы с тремя резисторами (рис. 18, а):

Лiк = �б.т + [1
З,П
+ Г (R +
9.П
R Ri_/!�
1 2
)] Л/ко, (3. 1 7)

где Rэ.п - полное сопротивление эмиттерной цепи постоянному току.


Для повышения стабильнссти режима работы каскада можно
использовать цепочку R 3 C3 • Аналогично cxel'v:e рис. 23 вместо кон­
денсатора С2 можно использовать диод, включенный в прямом на­
правлении.
Настраивают схему рис. 24 в следующем порядке. Убедившись
в соответствии режима работы транзистора выбранному, измеряют
входное сопротивление R вх схемы на ср�дних частотах, где уже не
сказывается влияние конденсаторов и еще не проявляются частотные
свойства транзистора. Если входное сопротивление не соответствует
заданному, то, изменяя сопротивление резистора R', добиваются
требуемого значения R вх- Затем измеряют Rвх на верхней гранич­
ной частоте. Если оно отличается от требуемого, то его подстраи­
вают, изменяя индуктивнос'l'ь катушки L 1 • При этом следует учи­
тыва1ь, что увеличение L 1 вызывает увеличение R вх • Для оценки
равномерности высокоrо входного сопротивления измеряют R вх на
нескольких частотах высокочастотного участка полосы пропускания.
Если неравномерность превышает заданную, то, изменяя сопротив­
ление резистора R", производят соответствующую корректировку.
После этого измеряют Rвх на нижней граничной частоте и оцени­
вают степень его снижения. Если последнее превышает допустимую
величину, то это указывает на недостаточную емкость конденсато­
ра С2 (при условии, что выбрано R »
1/g).
Добившись равномерного высокого сопротивления в рабочей по­
лосе частот, следует проверить частотные свойства передачи каскада.
Сильная неравномерность частотной характеристики в области ниж­
них частот говорит о том, что мала емкость разделительного кон­
денсатора С1 • Для расширения полосы пропускания в области верх­
них частот необходимо уменьшить сопротивление резистора R. При
этом соответственно должна быть уменьшена индуктивность катуш­
ки L так, чтобы постоянная времени компенсирующей цепочки 't L =
= ЦR оставалась равной постоянной времени входной цепи тран­
зистора 't.
Для получения высокого входного сопротивления (порядка не­
скольких мегом) в сравнительно узком диапазоне низких частот
можно воспользоваться схемой на составном транзисторе (рис. 25).
В ней используется дополнительная развязывающая цепочка R ь С�,
устраняющая шунтирование входного сопротивления схемы прово-
69
димостью обратной связи Уобр транзистора Т 1 • Принцип действия
развязки R5C3 аналогичен действию цешэчки RC2 . Так как входная
проводимость составного транзистора мала, емкость конденсатора С2
рассчитывают по формуле (3.3), подставляя в нее крутизну тран­
зистора Т 2 • Аналогичное соотношение справедливо и для развязы­
вающего конденсатора С3 :
С 2' So R з ,..., So
(3.18)
ЭР
V
2rtF 11 (Rз + R.) MIIR
J V " .
-- 1 ,,_, 2rtFH мнR - 1
Для определения емкости разделительного конденсатора исполь­
зуется соотношение (3.6), однако в правой части его можно опу­
стить слагаемое gRR 12 •
Для выравнивания коллекторных
токов транзисторов в схеме рис. 25
используется резистор R4 • При отсут­
ствии его в составном транзисторе
автоматически устанавливается режим
работы, при котором эмиттерный ток
транзистора Т 1 рав�н току базы трян­
зистора Т 2• При таком малом токе
крутизна транзистора Т 1 может недо­
пустимо уменьшиться. Изменяя со­
противление резистора R4 , можно уста­
новить любой режим транзистора Т 1 ,
Рис. 25. Схема усилителя с вы­
с01шм входным сопротивлением необходимый для получения нужной
на составном транзисторе. величины крутизны Нижнее значение
сопротивления R4 ограничивается до-"
пустимым лиянием го на входное сопротивление схемы, которое
в е
на средних частотах имеет значение
(3.19)
в случае, если R > 1/g2h 21 ,1, и при R4 -+ со стремится к предельно
возможной величине
(3. 20)
Верхняя граничная частота высокого входного сопротивления в
схеме рис. 25 при использовании идентичных транзисторов опреде­
ляется соотношением
gr il м:R - 1
Fв � - б 4 r:1:
f ---,,---
V
1
V , 3.21 )
= 2h:1 M�R - 1 = 2 f� M�R - 1 (
в котором М вя - коэффициент допустимого снижения входного со­
противления на верхних частотах.
70
Из формулы (3.21) видно, что верхняя граничная частота вы­
сокого входного сопротивления в схеме рис. 25 примерно в два раза
ниже, чем в схеме рис. 23.
Стабильность режима работы транзисторов в схеме рис. 25 су­
щественно зависит от соотношения между ее входным сопротивле-
нием Rвх.макс (3.20) и приведенным сопротивлением делителя
Rпр = R + R1R1R2
+ R2 .
(3.22)
Если выполняется неравенство
(3.23)

а
Рис. 26. Схема усилителя с высоким входным сопротивлением:
а - баластным резистором в цепи базы, б - дополнительным гранзистороllf.

то стабильность режима работы схемы будет высокой, а значения


исходных токов и их изменения практически не будут зависеть от
параметров используемых транзисторов. В этом случае абсолютная
нестабильность коллекторного тока транзистора Т 2
(3.24)
»
Если Rпр Rвх.макс, то схема оказывается очень чувствительной
к изменению температуры и не может быть рекомендована для прак­
тического использования.
Вместо конденсатора С 2 в схеме рис. 25 можно использовать
диод, включенный в прямом направлении, а вместо конденсатора
С3 -- стабилитрон с подходящим напряжением стабилизаuии. Наст­
ройка схемы рис. 25 достаточно проста. Убедившись в правильности
монтажа и соответствии режима работы транзистора Т 2 исходному,
измеряют входное сопротивление схемы и, изменяя сопротивление
R4 , подгоняют его до требуемой величины.
Высокое входное сопротивление можно получить, включая по­
следовательно в uепь базы омическое сопротивл1::ние R. Упрощен­
ная схема такого каскада показана на рис. 26, а. Вследствие того,
71
что сопротивление R берется во много раз больше входного сопро­
тивления транзистора, последним можно пренебречь и считать, что
входное сопротивление каскада Rвх = R. Так как схему рис. 26, а
целесообразно применять лишь при работе от источника сигналов
с большим внутренним сопротивлением Rc , ее усилительные свой­
ства удобно характеризовать коэффициентом передачи по току

(3.25)

Из формулы (3.25) видно, что во избежание заметного снижения


усиления сопротивление R нецелесообразно брать большим внутрен­
него сопротивления источника сигналов Rc . На низких и средних
частотах К имеет максимальное значение:
h21Rc
Кмакс
= R+Rc (3.26)

и снижается с ростом частоты в пределе до нуля. Степень частот­


ных искажений схемы оценивается так же, как и для обычного
реостатного каскада по формуле (3.8).
Существенным преимуществом схемы рис. 26, а является то, что
после сопротивления R к базе транзистора можно подсоединить
любые элементы, не снижая при этом величины входного сопротив­
ления Rвх , В ней легко осуществить стабилизацию режима по любой
из рассмотренных в гл. 2 схем, для расширения полосы пропускания
можно применить компенсирующую цепочку или отрицательную
обратную связь. Можно также выполнить и другие требования без
ущерба для высокого входного сопротивления. Единственным не­
достатком схемы является опасность увеличения собственных шумов,
вызываемая включением в базу большого сопротивления R. Поэтому
схема рис. 26, а не может быть рекомендована в качестве входного
каскада высокочувствительных усилителей. Для оценки связанных
с этим ограничений целесообразно определить коэффициент усиле­
ния по мощности на средних частотах

к
2 2
S h
О 21
Р = g3R = gR. (3.27)

Для предотвращения заметного ухудшения шумовых характерис­


тик усиление по мощности должно оставаться значительно большим
единицы. Следовательно, R должно удовлетворять условию R «
« h: 1 1g, которое и будет ограничивать величину входного сопротив­
ления схемы Rвх = R.
72
Практически реализуемое входное сопротивление в схеме·
рис. 26, а можно определить по формуле
2

Rвх = R< �
l �.
(3.28)

При среднем коэффициенте усиления по току h21 = 50 и вход­


ной проводимости транзистора g = 1 м.сим, что примерно соответ­
ствует коллекторному току iок = 1 ма, входное сопротивление

Rвх =R< 502


10 _ 1 . 10_ 3 = 250 КОМ.
Чрезвычайная простота получения высокого входного сопротив­
ления делает заманчивым использование схемы рис. 26, а в различ­
ных устройствах. В частности, таким способом можно выполнить
входной каскад усилителя звуковой частоты, работающего от де­
тектора радиоприемника или пьезоэлектрического звукоснимателя,
выходное напряжение которых может достичь десятков и даже
сотен милливольт. В этих условиях собственные шумы сопротив­
ления R не будут существенно ухудшать чувствительность усили­
теля.
На рис. 26, б показана схема усилителя с высоким входным
сопротивлением, в цепи смещения которого используется вспомо­
гательный транзистор Т2 с проводимостью, обратной проводимости
основного транзистора Т 1 • В отличие от схемы рис. 23, здесь не
требуется развязывающий конденсатор С 2 • Так как потенциал баз
транзисторов и0 ,;:::, R1 Eк!(R1 +
R2), то, подбирая сопротивления R1
и R2 , можно добиться необходимого распределения напряжения
источника питания Ек вдоль выходной цепи транзистора Т 1•
Положительной особенностью рассмотренных схем является
достаточно слабая зависимость входного сопротивления от режима
работы транзисторов. Поэтому, если относительная нестабильность
коллекторного тока в рабочем диапазоне температур не превышает
20%, то изменения входного сопротивления практически не пре­
восходят 5-1 О%.
Пример 1. Рассчитать схему, обеспечивающую в полосе частот 100 гц - l Мгц
в ходное сопротивление 20 ком с неравномерностью, не превышающей 20%
(МнR = МвR = 1, 2 ), и частотньши искажениями не более 1 дб (Мн= М 8 = 1,1 2 ).
Диапазон рабочих температур схемы от -60 до +60° С; э. д. с. источника
питания Ек = -13 в. Сопротивление нагрузки Rк = 2 ком.
Учитывая, что усилитель должен иметь сравнительно высокое входное сопро­
тивление в широкой полосе частот, выбираем схему с компенсацией (рис. 24).
Из условия F в< f а!h21 = f пред/h21 выбираем транзистор. В частности, для тран­
зистора типа ПЗОSА Uпред = f ,,_ = 90Мгц, г6 = 100 ом, С6к = В пф и h 21 =
<
= 25+ 75) имеем F 8 = 1 Мгц 90/75 = 1,2Мщ.
Исходя из диапазона рабочих температур усилителя, выбираем исходный
режим работы транзистора i ок = 2 ма и, используя формулы (1. 17), ( 1. 20)
и (1.29), находим значение малосигнальных параметров

S0 = /т iок = 40 • 2 • 10-з = во. 10-3 а/в;


S 80, 10-з
(1 + 3) 10-з сим
0

g =h21 = (25 + 75) :с::;


и постоянную времени
80 • 10- 3
,3 0-в сек.
-с= 8 • 10 12 (41t . 90, JQ6)2 :с::; 1 . 1

Затем определяем эквивалентное сопротивление Rэкв = 1 +R .


gR
Для этого сначала по формуле (3. 1О) находим
1
R= 106 . 7�, :с::; 33 0 ом.
3. 10-з ( 90._ 1ов V 1, 12 1)
2
- 1
Если в результате расчета получается R <
О, то компенсация не требуется и из
схемы (рис. 24) можно исключить катушку индуктивности L, выбрав
10 : 20
R= ,
gмин
гарантирующее отсутствие шунтирования входного сопротивления схемы рези­
,стором , Тогда
R
330
R кв = + 250 ом
э 1 1 . lU з" 330 :с::;
,и по формулам (3.11) рассчитываем величины элементов цепи обратной связи:
20. 103
750 ом;
R' :с::; 1 +
80 • 10 3 • 330 :с::;
R" = 20 ком;
-~ 1,3, 10-в. 20,103
L1 ~ 80. 10 з . IOU :с::; 3 2, 5 мкгн.

Считая, что конструктивно несложно выполнить катушку индуктивности Li


с распределенной паразитной емкостью С:,о <:, 10 пф, и учитывая формулу (3. 13),
оцениваем возможность реализации схемои заданных требований:
RвJ: = 20. 103 (106) 2 =2. 1016 ;
fа 90 •• J 06 QlB
:с::; J
21tC0 = 21t. 10 ·' 10 12
2 f о.
Так как условие R8x F 8 = 2 - 101 � <
21tCo
= 1018 обеспечивается с запасом, тип
транзистора выбран правильно.
По формуле (3.9) определяем индуктивность компенсирующей катушки
L l,3110-в, 15, 103::::;Q,2мгн.
=
74
Рассчитываем элементы, обеспечивающие исходный режим работы транзи­
стора и необходимую его стабильность. Относительную величину последней можно
брать в пределах дiк/iок = 15 + 20%, Задаваясь падением напряжения коллек­
тор - эминер и0к = 3 в, по формуле

определяем полное сопротивление эмиттерной цепочки постоянному току


13 - 3 - 2 . 10-з • 2 . 103
Rэ. п = = 3 ком.
2 . 10 3
Так как Rэ . п> R ', то для стабилизации режима работы можно использо­
вать шунтированный конденсатором С3 токостабилизирующий резистор
Rз = Rэ . п - R' = 3 · 103 - 270 ::::: 2,7 ком.

По справочным данным для транзистора 1 Т308А /ко <: 90 мка при ТO = 70 ° С.


Тогда по формулам (1.33) и (1.35) вычисляем эквивалентное напряжение тепло­
вого смещения
ди6• т = 2,5 ,, 10-3 (+60 - (-60)] = 0,3 в

и значение /ко при максимальной рабочей температуре:


lко {Т) = 90е О . О9<5О-7О> ::::: 36 мка.

Так как при Т = -60 ° С обратный ток lко мал, считаем

д/ко ::::: 1 ко ( +60) = 36 мка.


Сопротивления R t и R 2 должны одновременно удовлетворять условию (3.15)
и уравнению
ЕкR2
R1 +R 2
::::: tок Rэ . п•

характеризующему исходный режим работы транзистора в схеме рис. 24. В ре­


зультате их совместного решения находим расчетные формулы для определения

R1
=�( Rэ . п дiк -Диб. т
Лl
_
. п

_
R
-
)-
i R
Ок э. п кО
13 3 •, 103 •' 0,4 , 10-з - 0,3
- 3. 103 - 15 . 103 :::::· 15 ком;
= 2. 10 3 • 3 10з ( 36. 10 6
)
1oк R R,._ п 2, 10- 3 . 15. 103• з, 10 3
R2 = � ::::: 13 ком.
Ек - 1 ок R" п 13 - 2 · 10 3 , 3. 103

Если в результате окажется, что R1 <


О, то необходимо уменьшить R.,
Однако, если последнее соизмеримо с 1/g, то дальнейшее его уменьшение невоа­
можно и следует выбрать большим Rэ. п• Вычислив предварительно

R1R2 15 , 103 • 13 . 103


R12 = = 68
1 5 · 103 + 13 . 103 ::::: • ком,
R. 1 + R2

75
по формулам (2.52) и (3.3) определяем соответственно емкости блок11ровочных
конденсаторов
Сз
80 . 10- з
200 мкф· ~ '
>
21t . 100V1,1� 2- 1 ~
80 10-з 2, 7 . 1о з
С2 >
21t. 100 3 1оз V1,22 - 1
� 150 мкф.

Принимаем С 2 = С3 = 200 мкф.


Определяем емкость разделительного конденсатора С1. По формулам (3.4)
и (3.5) находим ее граничные значения
1
С �м н = � О ' 16 мкф·'
и 21t . 100 . 20. 1оз V 1,122 - 1
= 200 • 10-в +
3 • 10 8 3. 103 + 1 . 10-з . 15. 108 . 3. 103 · 2
~~
С !макс 15 . юз . 3 . 1оз ( 80 i 10 а . З . 103 )
� 0,2 мкф.
Выбираем С1 = О, 18 мкф. Если найденные при расчете граничные значения
С1 не согласуются, например, окажется С1мин> Сlмакс• то это означает, что
в схеме рис. 24 при выбранных значениях элементов нельзя обеспечить монотон­
ную частотную характеристику и заданные частотные искажения. Допустив неко­
торый выброс в области низких частот, можно выбрать С1 = С1 мин· Если все же
необходима монотонная частотная характеристика, следует увеличивать С2 до тех
пор, пока емкость С1 макс станет равной или превысит С1 мин·
Пример 2. Рассчитать схему с высоким входным сопротивлением Rвх 1О М o,w, >
имеющую полосу пропускания 100 щ - 3 кгц при неравномерности Мн= М 8 =
= V2 (3 дб). Допустимое уменьшение входного сопротивления на граничных
частотах полосы пропускания МнR = M 8R = 1, !. Диапазон рабочих температур
от -10 до +40° С. Сопротивление колnекторной нагрузки Rк = 5 ком.
Учитьmая, что усилитель имеет весьма высокое входное сопротивление, оста­
навливаемся на схеме с составным транзистором (рис. 25). Выбираем тип транзи­
стора, обеспечивающего заданные т ребования. Если, например, выбрать
транзистор МП!5А, имеющий согласно справочным данным fпред = f ._ = Z Мгц,
h 21 = 50-+- 100 и /ко< 200 мка при Т0 = 70 ° С, то, используя формулу (3.21),
нетрудно убедиться, что он обеспечивает верхнюю частоту высокого входного
сопротивления
2 10 6
F8 = . Vl,12 - 1 � 4,4 кгц,
2 100
превышающую требуемую F 8 = 3 кгц.
В соответствии с выражением (3.20), определяем необходимую величину
сопротивления обратной связи
Rвх. акс 10 6
2
мRa = 10
>
� = 4 ком.
h21 м н
и
Так как резисторы R3 и R4 шунтируют входное сопротивление схемы, цеJJе­
сообразно выбрать R 3 больше расчетного. Единственным ограничивающим фак­
тором при этом является величина допустимого падения на Rз напря жения
источника питания. С учетом этого выбираем R3 = 10 ком. Далее задаемся исход-

76
ным коллекторным током i0к2 = 1 ма и, допуская напряжение коллектор - эмиттер
транзистора Т2 и0к2 = 5 в, определяем напряжение ист очника питания
3 3
Ек = iок2 (Rs + Rк> + Uок2 = 1 . 10-з (10 . 10 + 5 . 10 ) + 5 = 20 в.
Рассчитываем элементы, о5еспечивающие исходный режим работы транзи­
сторов и необходимую его стабильность. Как и в предыдущем примере, можно
допустить относительную нестабильность дiк2/i0к2 = 20%. Тогда абсолютная
нестабильность Лiк2 = О,2i 0к2 = 0,2 • 1 • 10-з = 0,2 ма. Вычислив предварительно
по формулам (1 .33) и (1 .35) эквивалентное напряжение теплового смещения
диб.т = 2,5 · 10-з [+40 - (-10)] = О, 125 в
и изменение обратного тока коллектора
д/ко � /ко (+40) = 200е 0 , О9 (4 0-70) ;::: 14 мка
и, используя соотношение (3.24), определяем допустимое значение приведенного
сопротивления делителя
R3Лiк2-2Ли6_ т - 2R3Л/ко _,,,
Rпр < ------------ ""'
д/ко
10 . 10 3 О 2 . 10-3 - 2. О 125 - 2 . 10 . 103 . 14. 10-8
'
< 14: 10 8 �IIОком.

Если в результате окажется, что Rпр <


О, то это означает, что требуемая
стабильность режима работы при данном R3 не обеспечивается и необходимо
выбрать Ra б6льшим. По формуле
qioк2 1 • 10-3
g2 = kTh21 = 40 · 50
= 0, 8 мсим
определяем входную проводимость транзистора Т2, а исходя из условия
R. h21 50
2
>-=ов
ga 10-3�6 ком
и принимая во внимание, что R.пр = 110 ком, выбираем R. = 75 ком. Сопротив­
ления резисторов
Ек(Rпр - R) 20(110 . 103 - 75 . 103)
R.1 = =
10 . 1оз . 1 . 10 а
� 6 8 ком;
R 5ioк2
1
� 6 8 ком.
110-103-75 103 - 68-JОЗ
Определяем сопротивления резисторов R4 и R5 • Пе рвое из них находится из
формулы (3.19):
h21RвxRs 50, 10 . 108 . 10 . 103
R 330 ком,
<4 h221 R3 - R
вх
== 502 • 10 . 1оз - 10 . 108 �

а в торое выбирается возможно большим, исходя из допустимого падения на нем


напряжения источника питания. Если в данном примере принять напряжение
коллектор - эмиттер транзистора Т 1 и0к1 = 5 в, то
U я_ &= Ек-Uокl -Rзiок2 = 20-5- 10 · 103 · 1 · 10-з = 5 в

77
и согласно условию
uR. h21R4Rь (R1 + R2)

2 (R4
< в'кR------< + h21Rь)
5 • 50 • 330 • 10 3 • 10 • J0 3 (68 • J0 3 + 68, 10 3 )
< 20 ,. 68 . 103 (330 . 103 + 50 . 10 . 10 3 )
;:::j 100 ком.

Принимаем R5 = 68 ком.
По формулам (3.3) и (3. 18) находим емкости блокировочных конденсаторов
С2 и С3:
40 • 10-З • 10 • 103
2 с >
----::---:-::-:-----:-:-:----:-:::-::--;===.;:==- ;:::J 13 мкф;
21t · 100 · 110 · 10 3 Vl,1 2 - 1
40 • 10-з . 10 . ]03
3 с >::--:-::::--:-:::-:-:::::--:--:::-:=:-:-:г=;:;;:::===;=. ;:::j 18 мкф,
21t, 100(10 · 10 3 +68, 10 3 )Vl,1 2 - 1
так как S0 = 40 ма/в. Принимаем С 2 = С3 = 20 м кф. Рассчитываем емкость
разделительного конденсатора С1 . По формулам (3.4) и (3.5) находим ее гранич­
ные значения:
1
С!мин- ;:::J 160 пф;
21t ,100 · 10 · 10°V(V2)2-1
50 • 10- 6 ( 75 • 10 3 + 10 . 10 3 )2
С!макс = ;:::J lOOO пф,
75 · 10 3 • 34 • J0 3 40 • \0-3 • 10 , 10 3
Выбираем С 1 = 750 пф.

2. РАЗВЯЗЫВАЮЩИЕ ЦЕПИ
Развязывающие цепи служат для ослабления вредных влияний
паразитных обратных связей в многокаскадных усилителях из-за
наличия общих цепей, в частности, цепи питания. Эти связи, дей­
ствующие помимо желания разработчика, могут существенно изме­
нить показатели усилителя, обычно в худшую сторону, и привести
к потере им устойчивости.
Основным средством борьбы с паразитными обратными связями
в правильно сконструированной схеме является уменьшение падения
напряжения сигнала на сопротивлении общей цепи. Для этого
между каскадами усилителя и общей цепью, например источником
питания, включают развязывающее устройство. Им может быть
конденсатор достаточной емкости, RС-цепь или транзисторный кас­
кад в соответствующей схеме включения. Схема усилителя с раз­
вязываюшей RС-цепью показана на рис. 19.
Эффективность развязывающего устройства удобно оценивать
коэффициентом фильтрации kФ, показывающим, во сколько раз
устройство ослабляет переменное напряжение нижней <;астаты,
поступающее от общей цепи в усилитель. Для развязывающего
устройс1'ва, выполненного в виде RС-цепи (рис. 19),
(3.29}
78
Для ув�личения kФ желательно выбирать RФ и СФ возможно
большими. Максимальная величина сопротивления резистора RФ
ограничивается допустимым падением на нем напряжения источника.
питания. Если емкость фильтрующего конденсатора вь,брана из
условия
с -10:20
Ф - 2rc F и R ф , (3.30)

то переменное напряжение практически будет замыкаться через


конденсатор СФ в выходной цепи транзистора, не ответвляясь в цепь
источника питания.
Развязывающая RФСФ-цепь может также выполнять роль фильтра,
сглаживающего пульсации при питании схемы от выпрямителя, или
использоваться в качестве звена, корректирующего частотную харак­
теристику усилителя в области нижних частот. В целях экономии
количества элементов можно включать одну развязывающую цепь
на несколько каскадов. Минимально необходимое количество развя­
зывающих цепей, обеспечивающих устойчивую и надежную работу
усилителя, обычно удается установить только экспериментально
в процессе его настройки. Эти цепи должны соответствовать своему
целевому назначению- устранять паразитную обратную связь.
Поэтому не следует увлекаться чрезмерным количеством развязы­
вающих фильтров. При отработке и макетировании схемы нужно
определить необходимость применения RФСФ-цепи. Вместо фильтру­
ющей емкости СФ в развязывающей цепи можно использовать ста­
билитрон. Благодаря малому динамическому сопротивлению он
обеспечивает эффективную развязку на всех частотах, вплоть
до нулевой, и в этом смысле эквивалентен конденсатору большой
емкости. Чтобы собственные шумы стабилитрона не ухудшали чув­
ствительность усилителя, при развязке входного каскада следует
параллельно со стабилитроном включить конденсатор СФ,
Эффективной развязывающей цепью является каскад с общей
базой. На рис. 27 приведен предварительный трехкаскадный уси­
литель, в котором таким способом осуществлена развязка двух
первых каскадов. Особенностью схемы является то, что подвод пита­
ния к усилителю и. сигнал в нагрузку производятся по одному про­
воду. Это позволяет, например, разместить усилитель в корпусе
микрофона, а для связи его с оконечным устройством и источником
питания использовать тонкий одножильный экранированный кабель.
В связи с большим выходным сопротивлением схемы с общей
базой каскад на транзисторе Т 4 служит сво_еобразным фильтр-проб­
кой, препятствующим попаданию значительного тока коллектора
транзистора Т3 во входные каскады. Вместо цепочки R,Д4 можно
использовать стабилитрон с подходящим напряжением стабили�а-
7�
ции, при этом каскад на транзисторе Т 4 будет выполнять роль
фильтрз.-стабилизатора. И1-!ог да вместо него можно использовать
простую развязывающую RФСФ-цепь. Однако она эффективна только
при больших RФ и СФ. Значительное же сопротивление резистора RФ
может недопустимо умень шить напряжение питания входных кас­
кадов. В этом отношении схема рис. 27 более гибка, так как,
подбирая определенно� соотношение между резисторами R 6 и R7 ,
можно обеспечить любое необходимое падение напряжения на
электродах коллектор -
эмиттер транзистора Т 4•
Коэффициент фильтра­
ции развязывающего ка­
скада при обычно выполняю­
щемся условии ro н R7 C 4 > 1
(3.31)

Следовательно, каскад
как развязывающее устрой­
ство эквивалентен RФСФ­
цепи, у которойRФ= R 0 /(1+
Рис. 'Z7. Схема усилителя с развязывающим + g1 Ro) и СФ = С4•
транзисторным каскадом. Элементы каскада рас-
считывают по заданным или
,выбранным коллекторным токам iок1, iок2 и iокз каскадов на тран­
зисторах Т 1 - Т 3, напряжению источника питания Ек и напряжению
питания входных каскадов и0 (напряжению эмиттер транзистора
Т 4 -земля). Учитывая Ек , и 0 и сопротивление нагрузки R 9 , вы­
·бирают напряжение коллектор - эмиттер и 0к4 развязывающего ка­
скада. Обычно оно находится в пр�делах Uо к4 = 2 + 5 в. Затем
задаются током через потенциометр R6 , R1
ioк4
iп = (3 + 8) iб4 = (3 + 8) _h iок1 +i 0к2
� (3 + 8) _;;___ (3.32)
21 h21
и по формулам
(3.33)

рассчитывают сопротивления R6 и R7 • Емкость конденсатора С4


следует брать возможно большей для получения значительного
коэффициента фильтрации kФ (3.31 ). При этом должно выполняться
условие
(3.34)

-во
обеспечивающее надежное закорачивание базы транзистора Т 4 на
землю. В соотношении (3.34) g - входная проводимость транзи­
стора Т 4 ; Fн - нижняя рабочая частота усилителя.
При проектировании иногда требуется, чтобы коллекторные цепи
каскадов были соединены с общим проводом. Подобная необходи­
мость возникает, например, при использовании транзисторов типа
р-п-р при заземленном минусе источника питания или типа п-р-п
при заземленном плюсе. Выполнение развязывающих цепей в этих
случаях имеет свою специфику. На рис. 28 показаны схемы уси­
лителей с развязками при
заземленной цепи коллек­
тора. В усилителе с разде­
лительным конденсатором
(рис. 28, а) совмещены цепи
стабилизации и развязки,
причем развязкой защищена
только сравнительно силь­
ноточная выходная цепь.
При необходимости защиты
входной цепи следует со­ а
противление R2 выполнить Рис. 28. Схема усилителя с развязывающей
в виде двух последовательно цепью при заземленной цепи коллектора:
включенных резисторов и а - с разделительным конденсатором; б- с непо­
средственной связью
точку их соединения под­
ключить через конденсатор
к общему проводу. Наиболее просто осуществляется построение
двухкаскадного усилителя с непосредственной связью между кас­
кадами и общей отрицательной обратной связью по перемен­
ному току (рис. 28, 6), в которой резисторы эмиттерных цепей
одновременно являются элементами термостабилизации и цепей
развязки.

3. РАЗДЕЛИТЕЛЬНАЯ И БЛОКИРУЮЩАЯ ЦЕПИ

Разделительная цепь служит для устранения влияния источ­


ника сигналов и нагрузки на режим работы каскада, а также для
развязки соседних каскадов и других цепей по постоянному току.
На схемах рис. 23-25 разделительной цепью является конденса­
тор С 1 • Совместно с входным сопротивлением каскада он образует
частотно зависимый делитель, который уменьшает общий коэффи­
циент усиления усилителя на низких частотах. Емкость раздели­
тельного конденсатора С 1 выбирают из условия обеспечения заданной
6 240 81
неравномерности коэффициента усиления каскада на нижних час-
тотах. Для этого ее величину рассчитывают по формуле
_1 +-1
Rк Ri
(3.35)

в которой Rt - сопротивление коллекторной нагрузки; R1 - внут­


реннее сопротивление транзистора в предыдущем каскаде; Rвх -·
входное сопротивление части схемы, находящейся справа от конден­
сатора С 1; F н - низшая рабочая частота усилителя; М н r - коэф­
фициент частотных искажений, обусловленных разделительным
конденсатором С 1 и входной цепью каскада. Он опредеJiяется
в каждом конкретном случае по методике, изложенной в последу­
ющих главах.
При расчете емкости разделительного конденсатора входного
каскада в формулу (3.35) вместо
1

+ �1 следует подставлять
обратную величину внутреннего сопротивления источника сигналов.
В зависимости от соотношения между Rк , Ri и R вх можно
получить упрощенные варианты формулы (3.35). Практический
интерес представляют два крайних случая. В схемах с высоким
входным сопротивлением
1 1 1
-
R «-Rк
вх +-Ri '

поэтому емкость С 1 можно рассчитывать по формуле


1
С1 > ----:--;==== (3.36)
21Г.F 8 Rвх V м:. Р-1
При условии

которое обычно выполняется в усилителе, собранном из однотип­


ных каскадов по схеме с общим эмиттером, емкость мо жно опре­
делить из соотношения
_1 +-1
Rк Ri
C1>-----:-;=a=====- (3.37)
21eF н V м: Р- 1

Конденсатор С 2 (рис. 19), включаемый параллельно токостаби­


лизнрующему эмиттерному резистору R 3 , образует цепь, называемую
82
бл окирующей. Она та кже относится к вспомогательным цепям
усилителя и предназначена для устранения в каскаде отрицательной
обратной связи по переменному току. Выбор величины емкости и
типа конденсатора С 2 имеет большое значение для обеспечения
качественной работы с хемы. Величина емкости С 2 выбирается из
соображений устранения частотно зависимой обратной связи, при­
водящей к снижению коэффициента усиления на низших рабочих
частотах усилителя. Для этого емкость конденсатора рассчиты­
вают по формуле
зоr,ом
'\
\

где F н - низшая рабочая ча­


стота усилитеJiя; М н е - коэф- 1о
-
"'
20 \. i'vl

фициент частотных искаже­ .........__ 2" '"-


з ..... ....... 2 t 1.14
ний, обусловленных эмиттер­ 0--fIO ;,
ной цепочкой R3 , С ? . Он опре- -40 -20 о 20 t;c
деляется в каждом конкретном
Рис. 29. Кривые зависимости омического
случае по методике, изложен­ сопротивления электролитических конден­
ной в последующих главах. саторов различных типов от температуры
Емкость С 2 обычно полу­ для:
чается достаточно большой и 1 - ЭМ-ОМ-20-5,0;ОМ-20-20,О;
2 - ЭТО-1-90-10,0; З - ЭГЦ­
4 - ЭТО-2-25-300,О.
в бткирующей цепи прихо­
дится использовать эJJектро -
литический конденсатор. Так как его параметры сильно зависят
от температуры, то блокирующая цепь может оказывать заметное
влияние на стабильность коэффициента усиления каскада. Темпе­
ратура влияет как на емкость электролитического конденсатора С,
так и на сопротивление потерь r, включаемое на эквивалентной
схеме конденсатора последовательно с емкостью С.
Относительное изменение емкости С в диапазоне температур
от -60 до +60° С для всех типов конденсаторов не превышает
50%. Если при расчете элементов каскада величина С выбрана
с соответствующим запасом, 10 она не будет существенно влиять
на завал частотной характеристики каскада в области нижних
частот. Паразитное омическое сопротивление r изменяется в гораздо
больших пределах и оказывает сильное влияние на коэффициент
усиления каскада. На рис. 29 представлены экспериментальные
кривые зависимости омических сопротивлений электролитических
конденсаторов различных типов от температуры. Они получены
при измерении полного сопротивления конденсатора на достаточно
высокой частоте, где можно пренебречь реактивной составляющей
полного сопротивления. Из рис. 29 следует, что изменения
6* 83
омических сопротивлений электролитических конденсаторов значи­
тельны при температуре от О до -60 ° С; при температуре от О до
+60 ° С они сравнительно невелики. Абсолютное значение r и его
относительная температурная нестабильность уменьшаются с уве­
личением номинала емкости и рабочего напряжения конденсатора.
Резкое изменение омического сопротивления электролитичес­
кого конденсатора, шунтирующего токостабилизирующий резистор
в цепи эмиттера транзистора, приводит к тому, что при уменьшении
1емпературы окружающей среды в каскаде возникает сильная тер­
мозависимая паразитная обратная связь, вызывающая дополнитель­
ную нестабильность коэффициента усиления. Ее влияние наиболее
сильно в каскаде, работающеv�: от источника с малым: внутренним
сопротивлением. В этом случае коэффициент усиления каскада
по напряжению
SoR к
Ки = 1 +Sor' (3.39)

а его относительное изменение, обусловленное изменением r,


ЛКи S0 !lr дr
1 + So r l + _1_ r
(3.40)
Ки -
S 0r
Из формулы (3.39) следует, что глубина паразитной обратной
связи, обусловленная омическим сопротивлением электролитиче­
ского конденсатора в эмиттерной цепи, определяется величиной
S0r. Поскольку крутизна транзистора в типовом режиме работы
может составлять сотни миллиампер на вольт, то даже сопротив­
ление r в несколько ом создает заметную остаточную обратную
связь. Учитывая изменение омического сопро1 ивления электроли­
тического конденсатора типа ЭМ группы ОМ (рис. 29), по фор­
муле (3.40) можно подсчитать, что вызванное им относительное
изменение коэффициента усиления каскада в диапазоне температур
от -60 до +60 ° С составит более 80 % (в расчете на среднюю
крутизну транзистора S0 = 35 ма/в при токе коллектора iок = 1 ма).
Для ослабления паразитной теrмозависимой обратной связи,
обусловленной нестабильностью параметров электролитического
конденсатора, необходимо устранить напряжение отрицательной
обратной связи на эмиттерной цепочке или, по крайней мере, зна­
чительно уменьшить его величину. Для этого выходную коллек­
торную цепь транзистора следует развязать при помощи RС-фильтра
относительно эмиттера (рис. 30). Основная идея метода состоит
в том, что при подключении конденсатора СФ цепи развязки RФСФ
к эмиттеру переменный ток коллектора замыкается в контуре,
образованном участком коллектор - эмиттер транзистора, сопро-
84
тивлением коллекторной нагрузки Rк и конденсатором СФ, В ре­
зультате коллекторный ток транзистора почти не протекает по
элементам эмиттерной цепочки и не создает на ней заметного
падения напряжения. Поэтому в схеме паразитная термозависимая
обратная связь оказывается значительно ослабленной, а влияние
нестабильности электролитического конденсатора на коэффициент
усиления каскада - незначительным.
Рассмотренный метод уменьшения влияния температурной
нестабильности электролитических конденсаторов на коэффициент
усиления каскада отличается высокой R
эффективностью и не приводит к по- ,---....-----{:::::::::}---fiJ-E,,
1ере усиления. При этом RФСФ-цепь
одновременно является развязкой по
источнику питания.
Коэффициент усиления каскада с,
(рис. 30) по напряжению определяется -lt--t-t-t... �---4
выражением

Рис. 30. Схема усилительного


где r1 и r2 - омические сопротивле­ каскада с развязкой выходной
ния конденсаторов СФ и С 2 соответ­ цепи на эмиттер трамзистора.
ственно. Из этой формулы следует,
что при Г1 = '2 = r относительная нестабильность коэффициента
усиления каскада с развязкой на эмиттер
лк� 2 лг
к� == - i яФ r· (3.42)
+-2s
оГ
Составляя с помощью формул (3.40) и (3.42) отношение
ЛКи. К� _ RФ +s0 RФ
2
г
,_,
(3.43)
К" ЛК� - 2r(1 + S0 r) ,....,
2r '
убеждаемся, что влияние температурной нестабильности электро­
литических конденсаторов в схеме рис. 30 в R Ф l2r раз меньше,
чем в обычной схеме. В частности, расчет по формуле (3.42) пока­
зывает, что при R Ф = 1 ком и S0 = 35 ма/в относительная неста­
бильность коэффициента усиления каскада, в котором использу­
ются конденсаторы типа ЭМ группы ОМ, в диапазоне температур
от -60 до + 60 ° С составляет 1 % .
Схема рис. 30 эффективно нейтрализует вредное влияние нес­
табильности параметров электролитического конденсатора С 2 только
85
при работе на высокоомную нагрузку Rн » Rк , а также при любой
нагрузке, если ни один из ее концов не соединен с общим про­
водом. Низкоомная нагрузка с заземленным концом образует
дополнительную замкнутую цепь, одним из звеньев которой явля­
ется эмиттерная цепочка R3 C 2 • На ней выделяется напряжение
сигнала и это обусловливает некоторую остаточную паразитную
обратную связь в каскаде, снижая эффективность развязывающей
цепи R Ф С Ф .
Другим спо�о:5ом ослабления влияния температурной зависи­
мости параметров электролитических конденсаторов на коэффициент
усиления каскада является включение последовательно с конден­
саторам сопротивления порядка 100-200 ом. В результате умень­
шается относительное изменение суммарного сопротивления эмит­
терной цепочки. Однако при этом в каскаде ВJзникает отрицательная
обратная связь по переменному току, которая уменьшает коэффи­
циент усиления. Эффективность этого способа не зависит от сопро­
тивления нагрузки.
Конденсатор СФ в схеме рис. 30 подключен между входной
и выходной цепями транзистора. Возникающая в результате этого
обратная связь может привести к резонансному пику на частотной
характеристике. Однако, если выбрать емкость конденсатора
S0RФ
(3.44)

10 частотная характеристика схемы рис. 30 будет монотонной.


Практически обычно достаточно взять СФ = (3 + 5) С 2 •

4. СХЕМЫ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО ПИТАНИЯ

Использование схемы параллельного и последовательного пита­


ния транзисторов в усилителе, а также схем смешанного, парал­
лельно-последовательного питания открывает широкие возможности
перед разработчиком в части рационального выполнения усилите­
лей, облегчения энергетического режима работы его элементов
и связанных с ниv1 устройств, например, источника питания.
Одной из широко распространенных разновидностей схем после­
довательного питания является каскадная схема, резисторный вариант
которой приведен на рис. 31. Характерной особенностью схем
последовательного питания и, в частности, каскадной схемы (рис. 31)
является необходимость обеспечения постоянства потенциалов баз
транзисторов. В противном случае вследствие большого динамиче­
ского сопротивления со стороны коллектора нижнего транзистора
86
даже небольшие изменения коллекторного тока могут создать
опасность резкого перераспределения питающего напряжения вдоль
последовательно включенных элементов, в результате чего один
из транзисторов может оказаться в режиме насыщения, а к дру­
гому будет приложено почти все напряжение питания.
Схема построения цепи смещения, приведенная на рис. 31,
является одной из наиболее рациональных с точки зрения эффек­
тивности фиксации потенциала базы при минимальном количестве
используемых в ней элементов. Подбирая соответствующим образом
делитель R 1 - R 3 в схеме, можно обеспе-
чить любое желаемое распределение напря-
жения источника пи·rания между обоими
транзисторами. Вследствие глубокой отри­
цательной обратной связи по постоянному
току потенциалы эмиттеров транзисторов
автоматически поддерживаются близкими
к потенциалам, снимаемым с делителя
R 1 - R 3 на базы. Поэтому падение напря- С, I �
жения коллектор -- эмиттер транзистора Т 1
практически равно падению напряжения -11-'-- с1 --+-'-�
Тi
на резисторе R 2 за счет протекающего через
него тока
(3.45)
где
(3.46)
Рис. 31. Схема каскодно-
Ток потенциометра i n создает также го усилителя на резирах. ста-
падение напряжения на резисторе R 1 , ко-
тоrое примерно равно падению напряже-
ния на эмиперном резисторе R4 за счет протекающего через тран­
зисторы общего исходного тока iок- Поэтому режимы работы транзи­
сторов в схеме рис. 31 определяются следующими соотношениями:

(3.47)

Таким образом, распределение напряжения между транзисторами


при низком суммарном сопр отивлении R 0 цепи смещения полностью
определяется распределением напряжения вдоль плечей делителя
87
R 1 - R 3 и не зависит от параметра транзисторов и их изменения
под действием дестабилизирующих факторов. Нестабильность
режима работы транзисторов в каскадной схеме определяется фор­
мулой
(3.48)

где Лlк 01 и Лlко2 - изменения обратных токов коллекторов тран­


зисторов Т I и Т 2·
Из формулы (3.48) следует, что с1абильность режима каскад­
ного усилителя практически определяется схемой стабилизации
нижнего транзистора. Эта особенность присуща всем усилителям
с последовательным питанием транзисторов, если их цепи смеще­
ния выполнены по схеме рис. 31.
Элементы каскадной схемы рассчитывают в следующем порядке.
Выбирают исходный режим работы транзисторов и определяют
допустимую величину падения напряжения питания на токостаби­
лизирующем эмиттерном резисторе R 4 • Затем, если в схеме исполь­
зуются однотипные транзисторы, послед овательно находят сопро­
тивления резисторов:

R4 (дiок - д!ко)- диб. т


(2Ек - Иокl - 2и4) д/ко
(3.49)

!
}

Емкости кон д енсаторов С 1 и С 2 рассчитывают соответственно


по формулам (3.35) и (3.38), а емкость конденсатора С3 выбирают,
исходя из условия

где g2 - входная проводимость транзистора Т 2 ; Fн - нижняя рабо­


чая частота усилителя.
Одной из rазновидностей схем последовательного питания явля­
ется трехкаскадный усилитель (рис. 32), с каскадным включением
транзисторов по переменному току по схеме с общим эмиттером.
Стабильность режима работы схемы рис. 32 определяется сте-
88
пенью стабилизации режима нижнего транзистора. Элементы уси­
лителя рассчитывают по первым четырем формулам системы (3.49),
в которых под R 0 следует понимать сумму сопротивлений дели­
теля R 1 -R 3, R в , и соотношениям
_ Иок2Rо
R з- -в-·.
к ) (3.50)
R в = Ro-R 1 -Rz-Rз-

Рис. 32. Схема усилителя с последовательным питанием и кас­


кадным включением транзисторов по переменному току.


с. 1-....--.._v-""---+-J........,.,-,.,.--1-_..._---..,,.....,�-c::J--
·--111 -4
1i
с,
R -Е

Рис. 33. Схема трехкаскадного неинвертирующего усилителя последова­


тельного пи<rания.

Емкости разделительных конденсаторов С1 -С 3 определяются


по формулам, аналогичным (3, 35), а емкости блокирующих кон­
денсаторов С4 -С6 - по формулам, аналогичным (3.38).
На рис. 33 показан еще один вариант многокаскадного усили­
теля с последовательным питанием транзисторов, отличающийся
тем, что фазы его входного и выходного напряжений совпадают
при любом количестве транзисторов в схеме. Усиление трехкас-
89
кадного неинвертирующего усилителя приближается к усилению,
обеспечиваемому тремя обычными каскадами, собранными по схеме
с общим эмиттером. На схеме рис. 33 входной сигнал поступает
в цепь базы транзистора Т 1, усиливается им и подается в цепь
базы транзистора Т 2 и т. д. При указанном на рисунке включении
конденсаторов С 3 - С 5 коллекторная цепь предыдущего транзистора
и входная цепь последующего образуют замкнутый контур. Поэ1ому
коллекторной нагрузкой каскада является входное сопротивление
следующего транзистора, что обеспечивает максимальное использо­
вание усилительных свойств транзисторов.
Чтобы не уменьшать входное сопротивление последнего кас­
када, к нему непосредственно можно подключать только высоко­
омную нагрузку. Низкоомную нагрузку можно подключать через
эмиттерный повторитель.
Режим работы и стабильность усилителя (рис. 33) определя­
ются токостабилизирующим эмиттерным сопротивлением R 1 и при­
веденным сопротивлением делителя R 2 -R 5 •

5. СХЕМЫ ПАРАЛЛЕЛЬНО-ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО ПИТАНИЯ

В схемах усилителей последовательного питания получить ста­


бильность коллекторного тока любого транзистора выше стабиль­
ности коллекторного тока в однокаскадном усилителе с раздели­
тельным конденсатором (рис. 18) при соответствии величин их
элементов невозможно. В схемах параллельного питания (рис. 20)
в результате глубокой межкаскадной отрицательной обратной связи
по постоянному току можно получить стабильность режима, близ­
кую к предельной. Поэтому, если использовать параллельно-после­
довательное питание в многокаскадном усилителе, то можно по­
строить схему усплителя, отличающуюся высокой стабильностью
и малым количеством элементов (рис. 34). Ее особенностью является
непосредственная связь между всеми шестью транзисторами и обу­
словленное этим отсутствие разделительных конденсаторов, за
исключением конденсаторов на входе и выходе схемы.
С точки зрения нестабильности токов коллекторов схема рис. 34
может рассматриваться как усилитель с автоматической балансиров­
кой режима за счет глубокой межкаскадной отрицательной обратной
связи по постоянному току. Стабильность коллекторных токов
транзисторов усилителя как схемы последовательного питания с точ­
ностью до суммы изменений обратных токов коллекторов опреде­
ляется стабильностью режима работы нижних транзисторов Т 1 и Т2 •
Учитывая это, можно приближенно считать, что изменения токов
Лiок1 и Лiок2 левой и правой ветвей схемы не зависят от нестабиль-
90
но�ти, вносимой остальными транзисторами, и воспользоваться при
их расчете формулами, справедливыми для двухкаскадного усили­
теля (рис. 21, а), по схеме которого собраны каскады на транз11с­
торах Т 1 и Т2 •
Исходный режим работы транзисторов Т2 - Т 6 автоматически
устанавливается таким, что их напряжение коллектор - эмиттер
практически совпадает с падением напряжения на резисторах R 2,
R в , Rз и R 9 соответственно.

R.i

t'ис. ::и. Lхема усилителя с параллельно-последовательным питанием


и общей отрицательной обратной связью по постоянному току

6. АВТОМАТИЧЕСКАЯ РЕГУЛИРОВКА УСИЛЕНИЯ


Автоматическая регулировка усиления (АРУ) используется в уси­
лителях для предотвращения перегрузки их большим входным сиг­
налом. В транзисторных усилителях усиление регулируют изменением
режимз работы транзистора или сопротивления нагрузки каскад:�
и цепи обратной связи по переменному току. В соответствии с этим
различают регулировки по постоянному и переменному токам.
При режимной регулировке используется зависимость параметров
транзистора и, следовательно, коэффициента усиления каскада от
тока коллектора. и�менение коллекторного тока происходит под
действием напряжения регулировки, зависящего от напряжения на
выходе. Напряжение регулировки подается на электроды регули­
руемого транзистора непосредственно или через вспомогательный,
параметрический элемент, в качестве которого обычно используют
регулирующий транзистор. При регулировке по переменному току
режим работы каскада остается неизменным, а регулирующее воз­
действие подается на элемент, образующий цепь нагрузки каскадг
или цепь его отрицательной обратной связи по переменному току.
Происходящее под действием выходного напряжения изменение
91
сопротивления этого элемента приводит к соответствующему изме­
нению коэффициента усиления каскада. В связи с тем, что режим­
ная регулировка усиления отличается высокой эффективностью
и позволяет обеспечить глубину регулировки порядка 100 дб,
рассмотрим именно этот способ регулировки.
Одним из основных показателей усилителя с АРУ является
глубина регулировки усиления. Она определяется отношение111
максимального и минимального коэффициентов усиления, соответ­
ствующих максимальному и минимальному значениям изменяюще­
гося в процессе регулировки коллекторного тока:
К� акс
Dр макс=--. (3.51)
К мин
Практически приемлемую величину К� акс можно определить из
нормированной регулировочной характеристики каскада

(3.52)

где

(3.53)

g0 -входная проводимость транзистора, измеренная при токе i 0к;


g� - приведенная проводимость источника сигналов.
Из формулы (3.52) следует, что с уменьшением тока коллектора
коэффициент усиления каскада падает, а с его увеличением воз­
растает, стремясь к максимальному значению h 21 • Крутизна регу­
лировочной характеристики (3.52)
(3.54)

постоянна при коллекторных токах iк < i 0 , при достаточно больших


токах iк > i 0 она начинает резко падать. Поэтому работать при
»
токах iк i 0 нецелесообразно, так как изменение в больших пре­
делах регулирующего воздействия приводит к незначительному
изменению коэффициента усиления каскада. Учитывая, что обычно
i0 = 1 -+- 2 ма, максимальное значение коллекторного тока iк.макс не
должно превышать 5 - 1 О ма.
Минимальное значение коллекторного тока определяется допус­
тимым уровнем нелинейных искажений входного сигнала.
Используя зависимость ( 1.1) между напряжением на эмиттерном
92
­
р-п-р- переходе и протекающим через него током и вводя коэф
фициент

характеризующий уровень нелинейных искажений каскада , получаем


qИ х
в
li'r
iк. мин = / эО --e---
-1 И-
-q
в
х ""'""" , (3.55)
1 - (1 - 1 р) е"Тг

где И вх - максимальное амплитудное значение напряжения вход­


ного сигнала.
Из формулы (3.55) следует, что минимальное значение коллек­
торного тока, а следовательно, и максимальный диапазон регулиро­
вания зависят от уровня входного сигнала. Для работы регулируе­
мого каскада без отсечки коллекторного тока амплитуда напряжения
входного сигнала согласно (3.55)

(3.56)

Если, например, И вх = 10 мв, / 30 = 1 мка и J p = 0,5, то учи­


швая, что при температуре Т 0 = 300 ° К q/kT � 40 1/в, из соотно­
шения (3. 56) найдем iк. мин �О, 1 мка. В этих условиях максималь­
ный коэффициент сжатия
1+�
1 к мин ,-.,
Dр. макс io
1 + -. _ _n_
=
1· ,,_..-.
1к.--
мин
(3.57)
tк. макс

при i 0 = 1 ма составляет 60 дб. Таким образом, в зависимости от


величины входного сигнала и требуемого уровня нелинейных иска­
жений транзисторный каскад может обеспечить диапазон режимной
регулировки усиления порядка 60 дб.
При проектировании схем регулировки усиления с режимной
АРУ приходится удовлетворять часто противоречивые требования
обеспечения большого диапазона регулировки и высокой стабиль­
ности коэффициента усиления схемы. Это обусловлено тем, что
методы стабилизации коэффициента усиления направлены на под­
держание постоянства режима работы каскада, в то время как для
эффективной регулировки усиления необходимо иметь возможность
смещать рабочую точку транзистора в достаточно широких пределах.

Кроме того, при уменьшении в процессе работы АРУ коллекторного
тока регулируемого каскада возрастает абсолютная и относительная
нестабильность его режима. Поэтому стабильность схемы при раз­
личных уровнях входного сигнала оказыва, тся неодинаковой.
Схема усилителя с APJ-', приведенная на рис. 35, отличается
большим диапазоном регулирования и достаточно высокой темпе­
ратурной стабильностью, не зависящей от режима работы транзис­
тора. Схема содержит регулируемый транзистор Т 1 и сбратный ему
по типу r.роводимости регулпрующий транзистор Т 2 , на базу кото­
рого подается управляющее напряжение от детектора АРУ. Тран­
зисторы Т 1 и Т2 включены по постоянному току последовательно,
причем каждый из них является элементом эмиттерной цепи другого.
Такое включение обеспечиЕает авто-
-бб матическое увеличение эмиттерного
сопротивления при уменьшении
рабочего тока транзистора, что под­
g" держивает неизменной глубину от­
рицательной обратной связи по по­
стоянному току. В результате этого
абсолютная стабильность режима
работы схемы не зависит от изме­
Рис. 35. Схема усилителя с АРУ. няющегося в процессе регулировки
тока коллектора. Так как база тран­
зистора Т 2 по переменному току соединена с землей, его выходное
сопротивление Rвых = 1/S02 , а глубина отрицательной обратной связи
по переменному току в каскаде не превышает 2. Поэтому часто
эмиттерную цепь не шунтируют конденсатором, так как при его
подключении коэффициент усиления каскада увеличивается всего
в два раза.
Исходный режим работы усилителя (рис. 35) определяется урав­
нением режима
. ,_, h21EкR2
lок ,_.,, (R1 + R2 ) R4 ' (3.58)
а нестабильность коллекторного тока соотношением
л· = 2h21ЛИб.т + ft + h21R1R2 ] Л/ +
lк R4 L R, (R1 + R2) ко!
+ (1 + h2 1) Лfко2, (3.59)
Из него следует, что абсолютная температурная нестабильность
коллекторного тока Лiк в схеме рис. 35 не зависит от режима
работы в диапазоне изменения тока, где h21 остается постоянным,
т. е. практически до токов порядка единиц микроампер. Изменение
коллекторного тока будет незначительным только при малом Лlко7,
94
которое усиливаетс я в 1 + /1 21 раз. Поэтому для получения высокой
стабильности режима работы транзистор Т 2 в схеме (рис. 35)
должен быть кремниевым.
Процесс регулирования в схеме (рис. 35) происходит следующим
образом. Напряжение с выхода усилителя Ивых через цепь АРУ,
имеющую коэффициент передачи К АРУ, подается на базу регули­
рующего транзистора Т2 , в результате чего изменяется ток кол­
лектора. Так как коллекторные токи транзисторов Т 1 и Т 2 одинаковы.
то это приводит к изменению режима работы и, следовательно,
коэффициента усиления К регулируемого каскада. До тех пор, пока
напряжение К АРУИвых меньше падения напряжения и 0 на резисторе
R 4 , режим рабо1ы транзисторов Т 1 и Т 2 остается неизменным, что
обеспечивает линейность амплитудной характеристики усилителя.
Поэтому напряжение и 0 является напряжением задержки и, сле­
довательно,
(3.60)
где И выхо - максимальное значение выходного напряжения, в пре­
делах которого амплитудная характеристика усилителя линейна.
При дальнейшем увеличении выходного напряжения, когда
К АРУИвых превысит и 0, потенциал базы транзистора Т 2 уменьшается,
вследствие чего уменьшаются ток коллектора и коэффициент уси­
ления регулируемого каскада. Поэтому напряжение на базе тран­
зистора т2
при Ивых "¾ Ивыхо;
И К _{
Р - И АРУИв
о ы х при И вых > Ивыхо, (3.61)

Когда потенциал базы транзпстора Т2 достигнет потенциала


(3.62)

ср,щнсй точки делителя R 1 , R2 , транзисторы закроются полностью.


Амплитудная характеристика усилителя с АРУ, т. е. уравнение
регулирования в схеме с замкнутой петлей обратной связи, при
Ивых > ИвыхО имеет ВНД
И ,_., g,;uвых
вх ,-., g�h 21 K'
(l -t 2kT. g;R4
' (3.63)
.q ЕкR 2
+
U
R1 R.2 - Кдру ВЫХ )
где К' - общий коэффициент усиления нерегулируемых каскадов;
g� - полная проводимость нагрузки с учетом шунтирующего дей­
ствия цепи АРУ.
Входящий в это выражение коэффициент передачи К АРУ должен
быть достаточно большим, чтобы обеспечить необходимо� постоянство
95
выходного напряжения. Так как обычно требуется, чтобы динами­
ческий диапазон выходного сигнала был значительно меньше, чем
входного, то сомножитель в круглых скобках выражения (3.63)
должен быть достаточно большим. Это будет выполнено, если
(3.64)
где Ивы х . макс - максимальное напряжение на выходе усилителя.
Для увеличения диапазона регулирования схемы усилителя
с АРУ можно использовать последовательное питание регулируемых
транзисторов. На рис. 36 представлен
двухкаскадный усилитель с АРУ, в ко­
тором регулируемые транзисторы Т1
и Т 3 и регулирующий транзистор Т 2
включены по постоянному току после­
довательно. При изменении коллек­
торного тока транзистора Т2 одновре-
ив!itX'ao

-- 1
.4
.,у
с.,,-

�-
14 1z
t
/,_.-
12
!О у з
� /
"",:
�� 8
б /,
с�
к 1
4 //
R, 20к l 2 11
V
0 fO 20 30 4Q 50 60 70 80 !/0 100 Uв,,а6

Рис. 36. Схема усилителя с дву­ Рис. 37. Амплитудные характеристики


мя регулируемыми каскадами. усилителей с АРУ при различных тем•
пературах:
1, 2 и 3 - схемы рис. 35 соответственно при
60, 20 и -60° С; ·1 - схемы рис. 36 при 20 ° С.

менно изменяются в ту же сторону токи транзисторов Т1 и Т 3


и коэффициенты усиления каскадов.
Принцип регулировки в схемах усилителей, показанных на
рис. 36 и 35, аналогичен. Поэтому стабильность их характеристик
остается высокой, но обеспечивается бо,1ьшая глубина регулировки.
Повышение эффективности регулирования в усилителе (рис. 36)
достигается при использовании только одного регулирующего эле­
мента.
Экспериментально снятые амплитудные характеристики усилите­
лей с АРУ (рис. 35 и 36) приведены на рис. 37. Нуль децибел
соответствует минимальным входному И вх . мин = 1 мке и выходному
Ивых. мин = 0,5 8 сигналам.

96
Пример ,1. Рассчитать усилитель с АРУ по схеме рис. 35. Коэффициент
усиления усилителя 5 10 5, минимальный входной сигнал ивх. мии = 1 ,икв
(и ы,с мин= 0,5 в). Его амплитудная характеристика должна быть линейной
в
в пределах первых 10 дб, т. е. до ивхо = 3,2 мкв (ивыхо = 1,6 в). При дальней­
шем увеличении входного сигнала в пределах 70 дб, т. е. до ивх. макс= 10 мв,
изменение напряжения на выходе не должно превышать 5 дб, т. е. ивых. макс< 3 в.
Усилитель работает от источника сигналов с внутренним со противлением R c =
= 200 од (gc = 5 мсим). Диапазон рабочих температур от -60 до +60° С.
На �ряжение источника питания Ек = -6 в. В усилителе использованы транзис­
торы типов МП15 и МП1O1, имеющие среднее значение коэффициента усиления
по току h 21 "" 30 (S0 = 30 ма/в, g = 1 мсим при токе коллектора 1 ма).
Обратный теж коллектора транзистора МП15 при температуре Т0 = 7 0 ° С
fко (Т0)< 200 .мка.
Предварительно рассчитывают усилитель, определяют необходимое число
каскаАОВ и проводимости их нагрузок. Затем, учитывая изложенные выше сооб­
оажения по стабилизации режима работы транзистора, эффективному его управ­
:�ению и зависимости коэффициента усиления, выбираем исходный ток коллектора
iок = 1 ма при допускаемой относительной нестабильности Дiк/iок = 35%
(Лiк = 0,35. ма). Для обеспечения достаточно высокой стабильности коэффициента
усиления последняя величина не должна обычно превышать 50%.
Задаемся напряжением на средней точке потенциометрического делителя
R 1, R 2 равным и= 3 в. При выборе этого напряжения следует у ч итывать, что
его величина определяет напряжение коллектор-эмиттер регулирующего тран­
зистора Т2 и для обеспечения нормального режима работы последнего и, следо­
вателыю, эффективной регулировки должна быть более 1 в. Кроме того, это
напряжение определяет задержку регулировки в схеме и при его повышении
необходимо соответственно увеличивать напряжение регулирования, что вызывает
усложнiние схемы АРУ. Поэтому верхнее значение напряжения и обычно огра­
ничивается уровнем 5 в.
Вычислив предоарительно по формулам (1.33) и (1.35) эквивалентное напря­
жение теплового сыещения
Л'�. т = 2,5 · 10-:1 [+60-(-60)] = 0,3 в,
и2�1енение обратного тока коллектора транзистора Т1

ДJ кОl = 1кОI (+60) = 200� 0, 09 (6 0-70) ::::: 82 мка

и 11спользуя выражения (3.58), (3.59) и (3.62), определяем сопротивление


резисторов

7 240
97
По формуле (3.64) определяем необходимый коэффициент передачи цепи АРУ

Клру =
3
з
= !.
Емкость конденсатора С1 рассчитываем по формуле (3.35), исходя из диа­
пазона рабочих частот усилителя и заданных частотных искажений на нижней
частоте. Конденсатор С3 обычно используется не только для соединения базы
регулирующего транзистора Т 2 с общим проводом, но также и для фильтрацпи
напряжения регулировки, поступающего от детектора АРУ. В этом случае его
емкость, с одной стороны, должна определяться из условия обеспечения необхо­
димого времени установления переходного процесса в системе АРУ, т. е. ее
быстродействия. С другой стороны, она должна надежно закорачивать по пере­
менному току базу транзистора Т 2 на землю. Для этого ее емкость должна
быть достаточно большой, иначе может возрасти сопротивление эмиттер - кол­
лектор транзистора Т 2, что приведет к росту отрицательной обратной связи
в каскаде с АРУ и уменьшению его коэффициента усиления.
Необходимая величина С 2 определяется из формулы

С2 > Re
2rcFп V м:е - 1
где g2 - входная проводимость транзистора Т 2 ; Мне - коэффициент допустимого
снпжения усиления по с равнению со случаем С 2 = оо; Fн - нижняя частота
полосы пропускания усилителя.
Обычно вполне допустимо 10%-ное снижение усиления (Мне= 1,1), тогда

С 2 > 1tf �н .
f

В частности, если Fн = 1 кгц и g2 = 1 мсим, то


1 10- 3
3
С2 > 3, 14 1 . 100 ;:::; 0, 2 мкф.
ГЛАВА 4. ТЕПЛОВОЙ РЕЖИМ РАБОТЫ
ТРАНЗИСТОРОВ В УСИЛИТЕЛЯХ

1, ОХЛАЖДАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА

Для увеличения рассеиваемой транзистором мощности и, следо­


вательно, повышения мощности, отдаваемой им в нагрузку, необхо­
димо свесrи к минимуму перепад температур между коллекторным
переходом и окружающей средой, т. е. по возl\южности уменьшить
тепловое сопротивление переход - среда. Последнее слагается нз
внутреннего теплового сопротивления переход - корпус, зависящего
от материала полупроводника, геометрии и конструrщни транзистора,
внешнего теплового сопротивления корпус - среда, зависящего от
характера теплового контакта корпуса и окружающей среды. Внут­
реннее тепловое сопротивление нельзя изменить, не нарушая це­
лостности транзистора. На внешнее тепловое сопротивление можно
существенно влиять, используя принудительное охлаждение возду­
хом или проточной жидкостью, а также устанавливая транзистор на
теплоотводящую конструкцию или снабжая специальным охлаждаю­
щим устройством - радиатором. Конструктивно наиболее просто
охлаждать транзистор при помощи радиатора.
Теплообмен между транзистором и окружающей средой осуще­
ствляется за счет лучеиспускания, конвекции и теплопроводности.
Эффективность лучеиспускания зависит от цвЕста и площади поверх­
ности наrрЕ:того тела. Радиаторы мощных транзисторов иногда
чернят. Однако черненный радиатор отличается высокой поглощаю­
щей способностью, поэтому его нельзя размещать около нагреваю­
щихся деталей и узлов устройства. Вследствие малого и обычно
замкнутого объема конструкции, лучеиспусканием, а также конвек­
цией рассеивается небольшая часть теПJювой энерпш. В основном
тепловая энергия передается за счет теплопроводности. Поэтому
для радиаторов используют медь и ее сплавы, а также алюминий
и его сплавы, имеющие высокую электропроводность и, следова­
тельно, теплопроводность. Радиатор имеет собственное тепловое
сопротивление, которое зависит от гео111етрических размеров, состоянпя
7" 9:)
поверхности и тепловых свойств материала. Для приближенного
определения теплового сопротивления радиатора можно пользоваться
формулой
1
Rт,р,-,;-s,
,-.J
(4.1)
т р
где а. т = 3 вт/м2 • град-коэффициент, характеризующий теплоот­
дачу радиатора при естественном воздушном охлаждении; Sp -
полная площадь поверхности радиатора (с двух с1орон}, м2 •
При установке транзистора на радиатор значительно увеличивается
эффективность его охлаждения, так как уменьшается тепловое
сопротивление участка корпус транзистора - окружающая среда,
которое можно представить в виде параллельного соединения теп­
ловых сопротивлений Rт. к. ер и Rт. Р• Таким образом, если транзистор
установлен на радиатор, то электрическое сопротивление R 2 в экви­
валентной схеме (см. рис. 10) соответствует приведенному тепловому
сопротивлению участка корпус - среда
R R
Rт*. к. ер = . т. к. ер т . р (4.2)
Rт . к. ер + Rт . р '
определенному с учетом теплового сопротивления радиатора.
Так как отношение массы радиатора, характеризующей его
теплоемкость, к площади поверхности, определяющей тепловое
сопротивление, в используемых на практике радиаторах изменяется
незначительно от образца к образцу, можно считать, что установка
транзистора на радиатор не изменяет теплоемкость участка корпус
транзистора -внешняя среда.
В простейшем случае радиатор можно выполнить в виде метал­
лического уголка толщиной: 3- 4 мм, крепящегося к шасси. Для
повышения технологичности конструкции поверхность радиатора
делают ребристой. Если нет возможности выполнить радиатор
с фрезерованными или литыми ребрами, то можно набрать его из
П-образных пластин с различной длиной поперечной стороны.
При креплении транзистора к радиатору для хорошего теплового
контакта вдоль всей поверхности соприкосновения контактирующие
поверхности юлифуют, покрывают тонким слоем вязкого невысы­
хающего маслJ, обычно специальной силиконовой высокотемпера­
турной смазкой, а затем транзистор плотно, без перекосов закреп­
ляют на радиаторе. Недостаточно плотное соединение, заусеницы
и грязь на 11{есте теплового контакта могут создавать значительное
тепловое сопротивление и резко ухудшать теплоотдачу. Контакти­
рующие поверхности транзистора и радиатора должны быть воз­
ыожно большими.
ню
Так как коллектор мощных транзисторов соединен с корпусом,
то связанное с общим проводом металлическое шасси прибора удобно
использовать в качестве теплоотвода, если схема рассчитана под
заземление коллектора. В противном случае транзистор или радиа­
тор должны быть изолированы от шасси. Для этого используют
слюдяные прокладки толщиной 20-40 мк, имеющие высокие
электроизоляционные и механические свойства. Следует стремиться
изолировать от шасси радиатор, обеспечив между ним и транзис­
тором хороший тепловой контакт.

2. МОЩНОСТЬ, РАССЕИВАЕМАЯ ТРАНЗИСТОРОМ В НЕПРЕРЫВ НОМ


РЕЖИМЕ РАБОТЫ

В непрерывном режиме работы транзистора теплоемкость не


влияет на его тепловой режим. Это соответствует воздействию на
схему (см. рис. 10) постоянного тока i. Зависимость между темпе­
ратурой перехода t п и мощностью Рк, рассеиваемой транзистором
в непрерывном режиме работы,
(4.3)

где tcp- температура окружающей среды.


Отсюда, максимальная мощность, рассеиваемая транзистором
без превышения' предельно допустимой температуры t п . макс пере­
хода,
_ tп. макс - tcp
р ма с - (4.4)
к. к RТ, П. К + R*T.J{. Cp
Из выражения (4.4) следует, что для увеличения рассеиваемой
транзистором мощности и, следовательно, повышения мощности,
отдаваемой в нагрузку, необходимо уменьшать тепловое сопротив­
ление коллекторный переход - окружающая среда. Это достигается
установкой транзистора на радиатор. Однако тепловое сопротивле­
ние нельзя сдела1ь меньше Rт . п. к, даже увеличив поверхность
радиатора до бесконечных размеров. Поэтому предельное значение
рассеиваемой транзистором мощности
, _ t п. к - fер
рк. макс - ма с (4.5)
R т. п. к
определяется его тепловыми параметрами R т . п. к и t п . ма с и темпе­
ратурой fcp окружающей ср2ды. С увеличением tcp мощность, к рас­
сеиваемая транзистором, уменьшается.
101
Для удобства и упрощения расчета теплового режима тран­
зистора на рис. 38 представлены кривые, построенные на основании
приведенных формул и паспортных данных транзисторов. Из номо­
грамм следует, что независимо от типа транзисторов используемые
Р,,Вт
Р,,от
24

18

12

200 500 1000 1500 2000 Sр,см'


о 200 500 1000 1500 2000 см
Р,.От а P 6 �. '
21 42 ttбm

IB Зб

15 зо
12 24

о���--�--�-�--� о t::...._L___J___----'------
-'--
-�-----:
200 500 1000 - 1500 2000 Sp, см 200 500 1500 2000 �,см'
2
1000

Рис. 38. :Кривые зависимости максимальной мощности рассеяния транзисто­


ров в непрерывном режиме работы от полной площади поверхности радиатора
при различных температурах окружающей среды для транзисторов типа:
а - П201 - П203, П2!3 - П2!5 и П302 - П304; б - П4, П2!6 - П2!7; в - П209,
П2!0; г - П207, П208.

для их охлаждения радиаторы с площадью поверхности более


1500 см2 не эффективны, так как дальнейшее увеличение Sp при­
водит к незначительному увеличению Рк . макс• Поэтому применять
радиаторы с площадью поверхности свыше 1500-2000 см2 нецеле­
сообразно.
102
3. МОЩНОСТЬ, РАССЕИВАЕМАЯ ТРАНЗИСТОРОМ В ИМПУЛЬСНОМ
РЕЖИМЕ РАБОТЫ

При импульсном режиме работы транзистор нагревается в тече­


ние длительности импульса и охлаждается во время паузы между
ними. Поэтому в системе транзистор- окружающая среда проте­
кает переходный тепловой процесс. При воздействии на транзистор
импульса мощности выделяющееся на коллекторном переходе тепло
поглощается теплоемкостью, которая не дает транзистору мгновенно
охладиться после окончания импульса тока. Процесс аналогичен
заряду и разряду электрической емкости.
Составляя для схемы рис. 10 уравнение, связывающее ток i
и напряжение и 1 , и переходя в нем к соответствующим тепловым
параметрам, найдем температуру коллекторного перехода при им­
пульсном режиме работы транзистора в зависимости от рассеивае­
мой мощности Рк :
n-rcп

fп = lep + РкRт. п. к ( 1 - е -,-


'и) -- +
п. к
I-e 'п.к
,ел

I -e 'п. к

'и _ n<ел
1-е 'к. е р
+ РкRт.* к. е р ( 1 -е-,к ·еР ) ,ел , (4.6)
I-e 'к. е р
где_ 'tп. к = Rт. п. кСп. к (4.7)
- тепловая постоянная времени участка коллекторный переход -
корпус транзистора;
'tк. ер = Rт. к, е рСк. е р (4.8)
- тепловая постоянная времени . участка корпус транзистора -
окружающая среда; 't и -длительность импульсов; 't ел - период их
следования; п-общее количество импульсов.
Выражение (4.6) является обобщенным. Накладывая ·соответ­
ствующие ограничения на параметры п, 't и и 'tел , можно определить
тепловой режим работы транзистора в различных практических
случаях. В частности, для установившегося импульсного р�жима
{n-+c:o)
.
- ' п. к I -е 'к. ер
- t ер + Рк Rт, п. к I
е
tп -
' ел + РкRт.* к. е р 'ел • (4.9)
1-е 'п. к 1-е 'к.ер
103
Из формулы (4.9) следует, что температура -t п коллекторного
перехода в установившемся режиме зависит не только от мощности
в импульсе Рк, но и от соотношения между длительностью им­
п ульсов 'tи, периодом их следования 'tел и тепловыми постоянными
времени 'tn. к и 'tк. ер,
Если длительность импульса 't и > з"к. ер, то зависимость между
f п и Рк определяется выражением (4.5). Поэтому при импульсах
достаточной длительности можно считать, что температура перехода
успевает достигнуть максимального значения до начала паузы
и рассчитывать f п так же, как и в непрерывном режиме работы
транзистора.
Если длительность импульса 'tи соизмерима с тепловой постоян­
ной времени 'tк. ер участка корпус транзистора - окружающая среда,
то на основании выражения (1.46) находим

* 1-е 'к.ер
fп = fep + РкRт . п. к+ РкRт . к. ер , ел ,
(4.10)

1-е 'к.ер

Из этой формулы следует, что при данном соотношении между


'tии 'tк. ер нестационарный тепловой процесс имеет место только
на участке корпус транзистора - окружающая среда. На участке
коллекторный переход - корпус вследствие его малой тепловой
инерционности тепловой процесс будет стационарным, т. е. таким,
как и при непрерывном режиме работы транзистора.
При скважностях Qe = 'tел/т.и :> 5 можно считать, что переходный
тепловой процесс заканчивается за время паузы между двумя
соседними импульсами и rассчитывать fп по упрощенной формуле
и
( )
fп � fep + РкRт. п. к -j-- Рк R: к. ер к р
1 - е- ' � е , (4.11)

Если длительность импульса т.и соизмерима с тепловой постоян­


ной времени 'tп. к участка коллекторный переход - корпус, то
в этом случае, раскладывая экспоненты последнего слагаемого
формулы (4.9) в ряд и ограничиваясь двумя его первыми членами,
получаем

tП -
-tер +PR
К т. n. к
1 -е тг к + Рк R*т.,<сn (4.12)
те., qc
1- е тп. к

Из этого соотношения следует, что на участке коллекторный


переход - корпус имеет место нестационарный тепловой процесс,
104
а на участке корпус транзистора - внешняя среда - стационарный,
протекающий со средней мощност ью Рк!qс .
При скважностях qc > 5 переходный тепловой процесс успевает
закончиться за время паузы между двумя соседними импульсами,
поэтому
-- PR*
- t ер + рк Rт. п. к ( 1 -е "п."и к ) + ----.
tп- к т. к. ер
qc
( 4.13)

При малой длительности импульса, когда 't' и < 't'п. к/3, тепловой
режим работы не успевает следовать за изменениями мощности,
и температура коллекторного перехода не успевает подняться
за время 't'и до максимальной величины. Из выражения (4.9) сле­
дует, что при 't'и < 't'п. к/3
*
fп = fcp + ci;'
рк (Rт. п. к+ Rт. к. ер). (4. 1 4)

Таким образом, при малых длительностя х импульса в системе


транзистор - внешняя среда имеет место стационарный тепловой
процесс, протекающий со средней мощностью Рк/qс, Поэтому мак­
симальная мощность, рассеиваемая транзистором в импульсном
режиме работы при малом 't'и ,
tп. макс - 1ср
Рк. макс = q c R + R*т. к. ер (4.15)
т. п. к

может значительно (в qc раз) превосходить мощность, рассеиваемую


транзистором в непрерывном режиме работы. Увеличение рассеи­
ваемой мощности приводит к тому, что при импульсном режиме
работы во многих практических случаях удается снять с каскада
требуемую мощность, не используя радиатор.

4. РАСЧЕТ ТЕПЛОВОГО РЕЖИМА

Задачей расчета теплового режима является выбор необходимого


типа транзистора и определение размеров радиатора к нему, при
котором об,еспечивается требуемая в нагрузке мощность без пре­
вышения предельно допустимых режимов работы транзистора, а также
выбор напряжения источника питания. Последнее связано с важной
особенностью транзистора - зависимостью максиl\щльно допустимого
напряжения на его коллекторе Ик от температуры перехода. Тео­
ретический расчет этой зависимости достаточно сложен. Поэтому
пользуются данными эксперимента, которые показывают, что прак­
тически для всех типов транзисторов напряжение Ик. макс прибли-
105
зитсльно линейно снижается с увеличением температуры со
скоростью (J)г � 0,5 в/град. Если известно максимально допустимое
коллекторное напряжение Ик. макс (t0) при некоторой температуре
t0, то значение Ик. макс (tл) при температуре tп можно определить
по формуле
(4.16)
Величина Uк. макс(tо) при to = 20 ± 5 ° С является паспортным
параметром транзистора и приводится в справочниках.
В соответствии с предъявляемыми к аппаратуре требованиями
на практике встречаются следующие способы задания исходных
данных для расчета теплового режима.
1. Заданы мощность Рн , которую необходимо обеспечить в на­
грузке, класс и режим работы транзистора, к. п. д. коллек­
торной цепи 'У/к и верхняя рабочая температура fcp . макс, т. е.
максимальная температура 'окружающей среды.
В результате расчета необходимо выбрать тип транзистора
и определить площадь поверхности радиатора к нему, при котором
с транзистора можно снять требуемую мощность и температура
коллекторного перехода tп не превысит предельно допустимой. Это
так называемый расчет на максимальную температуру перехода,
который выполняют в тех случаях, когда требуется обеспечить
минимальные габариты и вес аппаратуры.
Если предъявляются повышенные требования к надежности
аппаратуры, то производят расчет на определенную температуру
перехода t п, которая в зависимости от требований к надежности
выбирается ниже предельно допустимой t л . макс• При этом исходные
данные дополняются выбранным значением tп , а цели расчета
остаются прежними. Температура коллекторного перехода транзис­
тора в процессе его работы не превышает выбранную t п .
2. Заданы тип транзистора, класс и режим его работы, к. п. д.
по коллекторной цепи 'У/к, площадь поверхности радиатора Sp и мак­
симальная температура окружающей среды f cp . макс, В результате
расчета необходимо определить мощность Рн , которую можно по­
лучить в нагрузке без превышения предельно допустимой темпе­
ратуры перtхода t п . макс или некоторого его значения i п ,
Подобным способом могут быть заданы исходные данные для
расчета теплового режима, если имеется в наличии определенный
радиатор либо конструкция устройства допускает установку радиатора
определенного размера, а мощность в нагрузке не ограничивается
допуском; желательно только, чтобы она была возможно больше.
В результате расчета должно быть определено напряжение
источника питания Ек, при котором напряжение на коллекторе
транзистора не превышает предельно допустимое Ик. макс•
106
Расчет на определенную или максимальную температуру пере­
хода производят в следующем порядке. При расчете на определенную
температуру перехода вначале по формулам

(4.17)
или
1-У]к
Рк = --Р" (4.18)
У/к
определяют мощность, рассеиваемую транзистором в режимах класса
А или В. По ней выбирают тип транзистора и по его паспорту
или справочнику находят тепловые параметры Rт. п. к, Rт. к. ер , "п. к
и "к. ер• Затем по формуле
t - tcp. макс -
R *т. к. ер = п Р R т.п. к (4.19)
к

для непрерывного режима работы и

(, _2-_) -�
* tп - tcp. макс 1 - е 'п. к 1 - е 'к. ер
Rт.к.ср = р -Rт.п.к с• (4.20}
к -: и -� . е
\ 1 - е п. к 1 -е к р
для импульсного режима работы находят тепловое сопротивление
участка корпус -среда с учетом радиатора. Если длительность
импульсов
, удовлетворяет условию "и> "к. ер, то величину R*т.к.ср
рассчитывают по фор:муле (4.19), т. е. так же, как и при непре­
рывном режиме работы.
Если при вычислении по формулам (4.19) и (4.20) получится
отрицательное значение R т*. к. ер, то необходимо выбрать более
мощный транзистор, характеризующийся меньшим тепловым сопро­
тивлением Rт. п. к, и выполнить расчет заново.
Затем определяют тепловое сопротивление радиатора
_ Rт. к. ер R*т. к. ер
Rт. Р - R -R* (4.21)
т. к. ер т. к. ер

и полную площадь его поверхности (с двух сторон)


Sp =-1
а.Р
-. (4.22)
R т. Р

107
Если в результате расчета окажется, что Rт . Р < О, то это
означает, что транзистор обеспечит требуемую мощность без радиа­
тора и, следовательно, последний не нужен.
В заключение расчета по формуле (4.16) определяют макси­
мально допустимое напряжение Ик. макс (tп) на коллекторе транзис­
тора, соответствующее температуре t п коллекторного перехода.
Поскольку при трансформаторном выходе усилителя мощности
напряжение на коллекторе транзистора может вдвое превышать
напряжение источника питания Ек, что обусловлено суммированием
последнего в отдельные моменты времени с э. д. с. самоиндукции,
то напряжение Ек выбирают из условия
(4.23)

Расчет теплового режима работы на максимальную температуру


перехода производят в том же порядке и по тем же формулам,
что и расчет на определенную температуру перехода. Только
в расчетные соотношения вместо iп необходимо подставлять lп. макс,
Для упрощения вычислений при непрерывном режиме работы тран­
зистора можно воспользоваться кривыми, приведенными на рис. 38.
Предварительно определив по формулам (4.17) или (4.18) мощность,
рассеиваемую транзистором, при помощи рис. 38 выбирают тип
транзистора и находят необходимую площадь поверхности радиа­
тора к нему. Для этого на рис. 38 выбирают кривые, соответст­
вующие заданной максимальной температуре окружающей среды
t ер, и по той из них, которая обеспечивает получение необходимой
мощности Рю определяют полную площадь поверхности радиатора Sp .
Если ни одна из кривых не соответствует требуемому Рю то это
означает, что от каскада на одном транзисторе нельзя получить
нужную мощность и следует использовать параллельное включение
транзисторов.
Кривыми, приведенными на рис. 38, можно воспользоваться
также и при расчете на определенную температуру коллекторного
перехода. Если, например, необходимо, чтобы температура коллек­
торного перехода транзистора в процессе его работы не превышала
некоторого значения t�, то следует увеличить максимальную тем­
пературу окружающей среды fcp. макс, указанную в исходных дан­
ных для расчета, на Лt = t п. макс - t�. Затем условно считая, что
максимальная температура окружающей среды
l�p . макс = fcp. макс + fп. макс - f�, (4.24)
и используя рис. 38, выбирают тип транзистора и определяют
площадь поверхности радиатора к нему так же, как и в преды­
дущем случае.
108
Необходимые для расчета тепловые параметры транзисторов
некоторых типов указаны в табл. 1.
Таблица 1
Тепловые паf)аметры транзисторов
ма к ма с п. к,IRт. к. ср•\Ст. п. к• \ст. к. ер•! 1 "к. ер•
Транзистор /lп. Скс, lи . кв <tо),1Rт.
0
град/вт град/вт дж/град дж/граi!
Lп. к•
AJCeK мин

П201-П203 85 45-80 3,5 37 0,012 4 45 2,5


П212-П215
П4, П216, 85 60-70 2,0 33 0,03 6 60 3,3
П217
П209, П210 85 45-65 1,0 22 0,08 15 80 5,5
П207, П208 85 40-60 0,5 10 0,20 50 100 8,5
П302-П304 15 0 3 5 -80 10,0 40 0,005 3 50 2,0
л

ПpUJ.tep /. Выбрать транзистор, обеспечивающий в режиме класса А выход­


ную мощность Р н = 7 вт, и рассчитать его тепловой режим. Максимальная тем-
пература окружающей среды tcp. макс = 5 0° С. Габаритные размеры радиатора
должны быть возможно меньшими. Расчет произвести на максимальную темпера­
туру коллекторного перехода
Рассчитываем рассеиваемую транзистором мощность. Для этого воспользуемся
формулой (4.17), связывающей рассеиваемую транзистором в режиме класса А
ыощность Рк с мощностью Рн• отдаваемой в нагрузку. Задаваясь к. п. д. по
коллекторной цепи 'tJк = 0,45, найдем
7
рк = ::::: 16 вт.
U,45
По рис. 38, г выбираем транзистор типа П207 и к нему радиатор с полной
площадью поверхности SP = 1200 с.¾ 2 Аналогичный результат получается и при
расчетах по формулам (4.1 7), (4.19), (4.21) и (4.22).
Так как для транзистора П207 ик . макс (20° С)= 60 в, а tп. макс= 85° С
(табл. 1), то, используя формулу (4.16), находим максимально допустимое нц­
пряжение на коллекторе
ик . макс ( 85° С)= 60 - 0,5 (85 - 20)= 27,5 в.
Учитывая условие (4.23)
27,5
Ек<2 в,
выбираем напряжение источника питания Ек.
Пример 2 По условиям примера l рассчитать тепловой режим работы тран­
зистора, при котором °темпера тура его коллекторного перехода в процессе работы
не превышает t � = 75 С
Воспользовавшись найденной в примере 1 мощностью Рк ::::: 16 вт, рассеи­
ваемой транзистором, и, переходя при помощи формулы (4.24) к новой макси­
мальной температуре окружающей среды
t�p . макс =.50 + 85 - 75 = 60° С,

109
по рис. 38, г выбираем транзистор типа П207 и к нему радиатор с полной пло­
щадью поверхности SP = 2200 см 2• Аналогичный результат получается и при
расчетах по формулам (4.17), (4.19), (4.21) и (4. 22).
Поскольку при этом температура коллекторного перехода будет ниже макси­
мально допустимой, то в отличие от примера 1 здесь можно соответственно
увеличить напряжение источника питания Ек . Определив по формуле (4.16) макси­
мально допустимое напряжение на коллекторе транзистора
ик. макс (75° С) = 60 - 0,5 (75 - 20)= 32,5 в
и учитывая условие (4.23)
3 2 ,5
Е
к<тв,
выбираем напряжение источника питания Е к .
Пример 3. Рассчитать тепловой режим работы транзистора П216, обеспечи­
вающего в режиме усиления класса В импульсную мощность в нагрузке Р н=
= 60 вт. Длительность импульса -с = 20 мсек, скважность qc= 10. Максималь­
8
ная рабочая температура усилителя t ер. макс = 40° С. Максимально допустимое
напряжение на коллекторе транзистора П2 16 при t0 = 20 ° С составляет 60 в,
максимальная температура коллекторного перехода tп . макс = 85° С, тепловые
сопротивления переход- корпус Rт . п. к = 2 град/вт, корпус- среда Rт. к. ер=
= 33 град/вт. Тепловая постоянная времени переход- корпус -сп. к= 60 мсек,
корпус- среда -ск. ер = 3,3 мин (табл. !). Расчет выполнить из условия получе­
ния минимально возможных габаритов радиатора.
В связи с последним требованием расчет ведем на максимальную темпера­
туру перехода. Используя соотношение (4.18), связывающее рассеиваемую тран­
зистором в режиме класса В мощность Рк с мощностью Р и• отдаваемой в на­
грузку, определяем величину Рк· Задаваясь к. п. д. по коллекторной цепи
'1/к = 0,65, находим
1-0,4 5
Рк = � · 60 � 32 вт.
'
Используя формулу (4. 2 0) и полагая в ней tп = t п . макс• определяем необ­
ходимое сопротивление участка корпус транзистора - внешняя среда:
20 10-20
85 _ 40 1 _ е- 60 1 _ е- 3, 3 60 10•
* � 3, 8 град/вт.
Rт. к. ер = 32 -
2 )
-� 20
( 1- е 60 l- е -3, З 60 10•

При помощи выражений (4. 21) и (4. 22) рассчитываем тепловое сопротивление
радиатора
33. 3,8
Rт. Р = _ � 4, 25 град/вт
33 3 ' 8
и полную площадь его поверхности
1
sp = 3 . 4, 25 � 0
, 08 м 2 ( 800 см2).

Напряжение источника питания Ек выбираем так же, как в примере 1 или 2.

110
Расчет при заданной полной площади поверхности радиатора S Р
начинают с определения по формуле (4.22) его теплового сопротив­
ления Rт. Р• Затем, учитывая тепловые параметры транзистора и
используя соотношение (4.2), находят тепловое сопротивление кор-
пус - среда R�. к. ер и по формуле
tп-tc
р - p (4.25)
к - Rт. п. к +R*т. к. ер
для непрерывного режима работы и
(4.26)
1 - е 'п. к * 1 - е 'к ер
Rт. п. к Qс'и + R т. к . ер Qс'и
1 - е 'п.к 1 - е к. е р
'
для импульсного режима работы рассчитывают мощность Р к, рас­
сеиваемую транзистором. В зависимости от требований к аппаратуре
в формулы (4.25) и (4.26) подставляют определенную температуру
коллекторного перехода транзистора tп или ее максимально возмож­
ное значение tп . макс,
Мощность в нагрузке рассчитывают по формулам
(4.27)
Рн = �
l-
Рк (4.28)
'!Jк
соответственно для режимов классов А и В.
Напряжение источника питания выбирают так же, как и в пре­
дыдущем расчете.
Рассеиваемую транзистором мощность Рк при непрерывном ре­
жиме работы можно также определить при помощи рис. 38. Если
требуется, чтобы температура коллекторного перехода транзистора
в процессе работы не превышала максимально допустимую tп . макс,
то, зная тип транзистора и максимальную температуру окружающей
среды fcp. макс, выбирают соответствующую кривую на рис. 38. Найдя
точку пересечения ее с вертикальной прямой из точки, определяе­
мой заданной величиной S p, отсчитывают искомую мощность Р к ,
Если температура коллекторного перехода транзистора в процессе
его работы не должна превышать некоторого значения t�, то,
используя формулу (4.24), переходят к новой максимальной темпе­
ратуре окружающей среды t;p. макс• По ней и рис. 38 определяют Р к .
Пример 4. Определить мощность, отдаваемую :гранзистором :гипа П2!2
в режпме класса А при установке его на радиатор с nолной площадью поверх­
ности SP = 1000 см 2. Максимал ьная :гемпература окружающей среды tcp. макс=
111
= 5 0° С. Температура коллекторного перехода транзистора в процессе его работы
не должна превышать t� = 70° С. К. п. д. по коллекторной цепи 11к = 0,45.
По табл. 1 находим тепловое сопротивление перехо,х - корпус Rт . п. к =
= 3 ,5 град/вт и корпус -среда R т . к. �Р = 3 7 град/вт и по формулам (4.22),
(4.2), (4. 25) и (4.27 ) определяем:
тепловое сопротивление радиатора

R т. Р , град т
=3 . 10�0 [U4 �
3 3
/в ;
тепловое сопротивление корпус - среда с учетоы радиатора
* 37 3, 3
R т . к. ер � 2, 75 град/вт;
= 'd"/
+ 3, 3

рассеиваемую транзистором мощность


7 0- 50
Рк = 3, 5 + 2, 75 � 3,2 вт
11 мощность в нагрузке
Р 8 = 0,45 · 3,2 � 1, 5 вт.

Аналогичный результат получим и при использовании рис. 38, а. Так К!'!К


по условиям примера температура коллекторного перехода транзистора в процессе
работы не должна превышать значения t� < t0 _ макс• то, чтобы воспользоваться
данными рис. 38, а, справедливыми для случая t п = t0 _ макс• необходимо по
формуле (4.2 4) перейти к новой максимальной температуре окружающей среды
t;p , макс = 50 + 85- 70 = 65° С.
Этой температуре должна соответствовать кривая на рис. 38, а, занимающая
промежуточное положение между кривыми при tcp = 60° С и t cp = 7 0° С (нижние
кривые рис. 38, а). Построив ее и определив пересечение с вертикальной прямой
из точки S P = 1000 c,it 2 , находим искомое значение мощности рассеяния Р к·
Напряжение источника питания Е1, выбираем так же, как в примере 2.
Пример 5. По условиям примера 4 определить мощность, отдаваемую тран­
зистором типа П216 в режиме класса В. Входной сигнал представляет собой
последовательность импульсов. Длительность импульса 1: 8 = 20 мсек, скважность
qc = 10. К:. п. д. по коллекторной цепи 11к = 0, 65.
Воспользовавшись найденным в примере 4 тепловым сопротивлением корпус -
среда с учетом радиатора R:. 11_ ер и ис1юльзуя данные табл. 1, по формулам
(4.2 6) и (4.28) находим рассеиваемую транзистором мощность
70-50
р
к = ---�....,,.20.,....----------=-20.,.....- � 2 5 вт
J _ е - 60 1 _ е - з,з 60 10
3

2 +2 , 75
10.20 1020
3,3-60- 10'
1- е
и 1,ющность в нагрузке
0, 65
рн
= 1 - 0,65 .
25 � 46 вт.

Напряжение источника питания Е'к выбираем так же, как в примере 2.

112
Контроль теплового режима осуществляется путем измерения
температуры корпуса транзистора. Контроль необходим особенно
в тех случаях, когда расчет выполнен на максимально допустимую
температуру коллекторного перехода tп. макс или близкую к ней.
Для измерения температуры на корпусе транзистора или возле
него на радиаторе укрепляется, например, при помощи клейкой
изоляционной ленты термопара, имеющая малую тепловую инер цион­
ность. Используемая для крепления лента должна покрывать лишь
минимально необходимую площад ь поверхности транзистора или
радиатора, чтобы не снижать их теплоотдачу.
Измерив температуру, сравнивают ее с расчетным значением,
найденным по формуле
fк = lcp + РкR:. к. ер (4.29)
или

1 - е 'к. ер
fк = fcp + РкRт*. к. ер q с ,и (4.30)
1 - е 'к. ер
соответственно для непрерывного и импульсного режимов работы.
Если измеренная температура превышает расчетную величину, необ­
ходимо принять меры для снижения температуры корпуса транзис­
тора. Для этого при непрерывном режиме работы следует исполь­
зовать более мощный транзистор, характеризующийся меньшим
тепловым сопротивлением переход - корпус Rт . п. к, увеличить пло­
щадь поверхности радиатора либо применить обдув. При импулье­
пом режиме работы температура корпуса транзистора изменяется
во времени. Если ее наибольшее значение превышает расчетную
величину, можно принять те же меры, что и в предыдущем случае.
П ри достаточно коротких и мощных импульсах тока транзис­
тор может выйти из строя даже при сравнительно низкой темпера­
туре корпуса. Это связано с перегревом транзистора вследствие
тепловой инерционности его внутренних участков. Поэтому приме­
нение внешних охлаждающих устройств практически не снижает
температуру коллекторного перехода. Остается только использовать
более высокочастотный и более мощный транзистор либо применить
параллельное включение транзисторов.
Если при воздействии на транзистор пачки импульсов темпера­
т ура его корпуса вначале находится в пределах расчетной нормы,
а в конце превышает ее, то необходимо увеличить массу радиатора.
Температуру корпуса транзисто ра, работающего в импульсном
режиме, следует измерять при помощи термопары, у которой время
установления термо-э. д. с, в несколько раз меньше длительности
импульса.
6 24.0
113
ГЛАВА 5. ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ
ТРАНЗИСТОРОВ

1. ПИТАНИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ СХЕМ

Усилительные параметры транзисторов могут быть измерены


любым способом, применяемым для измерения параметров четырех­
полюсников. При этом следует учитывать специфику работы тран­
зисторов обеспечивать необходимые условия 11змерений (режим
питания транзистора постоянным током, достаточно высокую ста­
бильность режима питания в процессе измерений, режимы короткого
замыкания и холостого хода для переменных составляющих на
входе и выходе). а также соблюдать режим работы со слабыми
сигналами.
Так как параметры транзистора зависят от режима его работы,
измерения целесообразно производить при определенных величинах
коллекторного тока и напряжения. При этом измерения существен•
но упрощаются, если измерительная схема обеспечивает автомати­
ческую установку и стабилизацию режима для любых включаемых
в нее транзисторов. Одновременно схема питания должна обеспе­
чивать режимы короткого замыкания и холостого хода на внешних
зажимах исследуемого транзистора по переменному току. Можно
считать, что указанные режимы обеспечиваются, если соответству­
ющие сопротивления внешних цепей отличаются не менее чем на
два порядка от входного и выходного сопротивлений транзистора.
Один из возможных вариантов схемы установки с автомати­
чес1шм поддержанием режима питания показан на рис. 39. Рабочий
ток транзистора Тх• параметры которого измеряются, устанавливается
и стабилизируется с помощью цепочки эмиттерных сопротивлений
Rв-Rо-
Для увеличения r лубины обратной связи по постоянному току
и обеспечения более жесткой установки режима использованы до­
полнительные усилители в цепи обратной связи на вспомогатель­
ных транзисторах Т1 , Т2 , Т 8 • Одновременно транзисторы Т2 и Т 8 ,
охваченные местной последовательной обратной связью с помощью
резисторов Rl и R4 , обеспечивают получение режима холостого хода
114
цепи базы транзистора Тх по переменному току при достаточно
жесткой фиксации ее постоянного потенциала, который необходим
для поддержания заданного режима питания. Эмиттерный повтори­
тель на транзисторе Т 1 поддерживает нормальный режим работы
вспомогательных транзисторов.
l(онденсаторы С1 и С 2 слу жат для устранения в измерительной
схеме обратной связи по переменному току. Эмиттерный повтори­
тель на транзисторе Т 4 и стабилитрон Д1 обеспечивают фиксацию

т гi/hlt-[:=J,+--iг-,!f-----t
1 .д ..._�
----{-!()
,.:х 1
1
2

f2K
+.

Рис. 39. Принципиальная схема установки для питания транзисторов


при выполнении измерений параметров.

постоянного коллекторного напряжения транзистора Т х в процессе


измерения. Стабилитрон Д2 служит для замыкания токовой цепи
схемы при отключенном транзисторе Т х• Резистор Rн является
коллекторной нагрузкой транзистора Т х· С него снимается выход­
ное напряжение при измерении параметров. Дроссель Др служит
для устранения падения постоянного напряжения на измерительном
сопротивлении Rн. Плавным или ступенчатым изменением сопро­
тивления резистора R8 устанавливают необходимую вели чину кол­
лекторного тока, при которой измеряют параметры. Исходное кол­
лекторное напряжение можно изменять сопротивлением R12 делителя
R10 -R12 или сменой стабилитронов Д 1 • Необходимо только, чтобы
8* 115
nри переключениях не разрывались соответствующие цепи, что
может привести к появлению опасных перенапряжении в отдельных
участках измерительной схемы. Для поддержания заданного режима
схему (рис. 39) следует питать от источника со стабильной вели­
чиной напряжения.
Привед�нные на рис. 39 значения номиналов рассчитаны на
работу питающей схемы от источника с напряжением 36 в и обес­
печивают диапазон изменения эмиттерного тока от 0,5 до 10 ма
и коллекторного напряжения от 2 до 10 в. Если переменный резис­
тор R в и потенциометр R 12 сделать ступенчатыми, то можно обес­
печить получение фиксированных значений рабочего тока и напря­
жения, которые будут устанавливаться и поддерживаться автома­
тически при смене исследуемых транзисторов независимо от их
типа и параметров.
Приведенная схема рассчитана на питание транзисторов типа
р-п-р. Для транзисторов п-р-п может быть построена аналогичная
схема с измененной полярностью питающего напряжения и с заменой
всех вспомогательных транзисторов на транзисторы с противопо­
ложным типом проводимости. Схема питания может быть подклю­
чена к рассматриваемыл1 ниже измерительным схемам, которые
следует подключать к зажимам, обозначенным номерами 1-3.
Устанавливаемый режим контролируется мю1лиамперметром и вы­
сокоомным вольтметром.

2. ИЗМЕРЕНИЕ НИЗКОЧАСТОТНЫХ ПАРАМЕТРОВ

Низкочастотные параметры транзисторов обычно измеряют на


частоте 1000 гц. Для этой цели можно, например, использовать
различные универсальные и специализированные измерительные
мосты, работающие на переменном токе. Однако наиболее удобны,
особенно при выполнении массовых измерений, прямые методы
измерения параметров с отсчетом величин последних непосредствен­
но по шкале измерительного прибора. Получаемая при этом точ­
ность измерений (порядка 10 % ) в большинстве случаев является
вполне достаточной.
Так как к транзисторам можно применять линейную теорию
лишь при сравнительно небольших амплитудах переменных состав­
ляющих напряжений и токов, то измерять параметры необходимо
с соблюдением условий работы в режиме слабых сигналов. Харак­
тер нелинейных свойств транзисторов и зависимость величин их
параметров от режима работы позволяют считать, что эти условия
соблюдаются достаточно точно в тех случаях, когда амплитуды
переменных составляющих токов и напряжений не превышают
116
10-20 % от соответствующих величин постоянных составляющих
в режиме измерения. Учитывая, что

(5.1)
легко установить максимально допустимую амплитуду напряжения
на базе, при которой соблюдается условие малости сигналов. Если
измерения производить при комнатной температуре, максимальная
амплитуда напряжения на базе не должна превышать 5 мв (в край­
нем случае 10 мв). Соответственно амплитуда напряжения на кол­
леюоре не должна быть более 0,5- 1 в.
Для того чтобы в соответствии с правилами теории четырех­
полюсников обеспечить режим короткого замыкания по цепи базы,
внешние сопротивления переменному току не должны превышать
1-5 ом, а в цепь коллектора нельзя включать сопротивления,
превышающие примерно 100 ом. Наиболее удобно напряжение на
базу подавать с по�ющью низкоомного п01енциометрического дели­
теля с известным коэффициентом деления и малым выходным со­
противлением. При этом отпадает необходимость в измерении малых
напряжений на базе, так как можно ограничиться измерением на­
пряжения на входе делителя с помощью обычного лампового вольт­
метра. Малая величина выходного сопротивления делителя обеспе­
чивает независимость подаваемого на базу напряжения от входного
сопротивления подключаемого транзистора.
При использовании для целей измерения типовых измеритель­
ных приборов (ламповых вольтметров и генераторов сигналов)
большое значение имеет правильное их подключение к измеритель­
ной схеме. Так как отдельные приборы должны подключаться
к различным точкам схемы, необходимо следить за тем, чтобы их
зажимы, соединенные с корпусом, не закорачивали каких-либо
цепей и не создавали путей для проникновения в схему паразит­
ных наводок. Поэтому необходимо обращать внимание на то, какие
точки измерительной схемы должны быть соединены с корпусом.
Измерение крутизны. Наиболее удобный способ измерения кру­
тизны S0 основан на определении коэ ффициента усиJ1ения. При
достаточно малой величине сопротивления нагрузки R н на частоте
измерения 1000 гц можно считать, что
К о= S0 Rн,
откуда
(5.2)
Упрощенная принципиальная схема соединения приборов для
измерения крутизны показана на рис. 40. Колебания нужной частоты
117
подводятся от генератора сигналов ГС через трансформатор Тр.
Последний необходим для предотвращения закорачивания отдельных
участков измерительной схемы через общие цепи измерительных
приборов. Конденсаторы С 1 и С2 служат для соединения соответ-

Рис. 40 Схема установки для измерения крутизны S0 •

ствующих частей схемы с эмиттером исследуемого транзистора.


Ламповый вольтметр V1 измеряет напряжение на входе калибро­
ванного делителя R 1 , R2 , а V2 -- напряжение на резисторе коллек­
торной нагрузки Rн . При испо11ьзовании схемы рис. 40 величина
крутизны определяется соотношением
s0 -- ивых
(5.3)
R2Rн
И� R 1 + R 2
Если номиналы элементов схемы и подаваемое от генератора
напряжение подобрать такими, чтобы выполнялось условие
R2Rн
U 1 R1 +R 2 =l, (5.4)
то показания вольтметра V2 на выходе будут численно равны кру­
тизне транзистора
S0 = Ивых (5.5)
и последню ю можно будет непосредственно отсчитывать по шкале
вольтметра. Систематическая погрешность, возникающая при изме­
рении крутизны указанным способом, составляет
��о� -(gtRн + gR2), (5.6)

Измерение входной проводимости транзистора g или обратной


ей величины входного сопротивления можно выполнять любым
способом, используемым для измерения сопротивлений на перемен­
ном токе. Необходимо только соблюдать условия работы со слабыми
сигналами. Одним из наиболее простых и удобных является метод
двух вольтметров, принципиальная схема реализации которого
118
показана на рис. 41, а. Здесь так же, как и в предыдущем случае,
генератор сигналов ГС включен через трансформатор для гальва­
нического развязывания цепей. Последовательно в цепь перемен­
ного тока базы включен резистор R3 с большим сопротивлением.

€]; а

к 1 f

0�
7,;

1
½ '?
е,
п 1 1�
о
�2 j

Рис. 41. Схемы установки для измерения входной проводимости g:


а - методом двух вольтметров; 6 - методом добавочного сопротивления

Если его сопротивление взять во много раз большим входного


сопрот ивления транзистора, то приближенно можно считать, что
ток в цепи определяется только этим сопротивлением:
l= �> (5.7)
Тогда, измерив вольтметром V2 напряжение на входных зажи­
мах транзистора, получаем
h11 = .!_ = URa И вх, (5.8)
g 1

Подбирая элементы схемы и напряжение И 1 так, чтобы выпол­


нялось условие
Rз = lОп (5.9)
И1
и чтобы получающееся на входе напряжение Ивх удовлетворяло
условию работы со слабыми сигналами (И вх < 10 мв), получаем
показания вольтметра V2 кратными входному сопротивлению h 11•
119
Так, если взять R3 = 50 ком и И 1 = 0,5 в, показания вольтметра
V2 в милливольтах будут численно равны входному сопротивлению
h 1 1, выраженному в сотнях ом (например, И вх = 5 мв будет соот­
ветствовать h 11 = 500 ом). Для расширения пределов измерения
можно использовать набор переключаемых резисторов Rз с раз­
ными сопротивлениями и подавать разные напряжения И 1• Систе­
матическая погрешность, получающаяся при использовании рас­
сматриваемого метода,
Лh1i,-.J
h (1 _1)
(5.10)
R '
11 ,-,,- 11 R 3 + сх
-h-
где Rcx - внешнее сопротивление для переменного тока схемы пита­
ния (рис. 39), измеренное между точками 1 и 2, к которым под­
ключаются база и эмиттер исследуемого транзистора.
Описываемая методика неудобна тем, что приходится мерять
очень малые напряжения на входе. Этот недостаток можно устра­
нить, если вместо напряжения И вх измерять напряжение на выхо­
де И вых, получающееся на известном сопротивлении нагрузки
Rн (рис. 41, а). Тогда легко определить коэффициент усиления
по току:
(5.11)

а затем вычислить входную проводимость


g=- So . (5.12)
h 21

Для непосредственного отсчета h 21 достаточно обеспечить вы­


полнение условия
�=10 п (5.13)
И1Rн

Например, если взять Rн = 100 ом, Rз = 100 ком и И 1 = 1 в,


то показания вольтметра V3 в милливольтах будут численно равны
величине h 21 • Недостатком этого метода является необходимость
вычисления входной проводимости по формуле (5.12), что неудобно
при выполнении массовых измерений.
Удобным может оказаться метод добавочного сопротивления.
Принципиальная схема установки для измерений указанным мето­
дом показана на рис. 41, 6. В этой схеме градуированное доба­
вочное сопротивление R3 включается в измерительную схему на­
жатием кнопки К. Схема одновременно позволяет измерять входное
сопротивление и крутизну. При закороченном резисторе R 3 изме­
ряют крутизну; затем нажав кнопку и меняя величину сопротив-
120
ления R3 , добиваются показания вольтметра V2 , равного половине
предыдущего. Это соответствует условию
h 11 = R3 • (5.14)
Измеренная величина входного сопротивления h11 отсчитывается
по градуировочной шкале переменного сопротивления R3 •
Можно обойтись и без градуированного переменного сопротив­
ния R3 , заменив его эталонным резистором с постоянным сопро­
тивлением. Измерив напряжения на выходе при закороченной
Ивых1 и разомкнутой Ивых 2 кнопке К, по первому из них опреде­
ляют крутизну, а входную проводимость определяют по формуле

(5.15)

Недостаток последнего способа - необходимость вычислений изме­


ряемой величины. Систематическая погрешность при использовании.
метода добавочного сопротивления
Лg 1
-=--g
g
R2 , (5.16)
gRcx
где Rcx - внешнее сопротивление измерительной схемы перемен­
ному току между точками 1 и 2.
Измерение внутренней проводимости транзистора g1 удобнее
всего производить методом двух вольтметров. Принципиальная
схема установки, предназначенной для этой цели, показана на
рис. 42, а. Напряжение И 1 от генератора сигналов ГС через транс­
форматор подается в коллекторную цепь транзистора. Последова­
тельно в эту цепь включено измерительное сопротивление Rн ,
падение напряжения на котором измеряется ламповым вольтметром
V2 • Если сопротивление резистора Rн взять гораздо меньшим
внутреннего сопротивления - , то переменная составляющая тока
gl
/;:=,gp l. (5. 1 7)
Тогда внутренняя проводимость транзистора
И2
gl = И 1 R 8 ' (5. 1 8)
При выполнении условия
И1 Rн = 1оп (5. 1 9)
показания вольтметра V2 б удут численно равны измеряемой вели­
чине g1 • Так, если взять Rн = 200 ом и U 1 = 0,5 в, то показания
121
V2 в милливольтах будут численно равны внутренней проводимости
в десятках микросименсов. Систематическая погрешность при опре­
делении внутренней проводимости g1

Дgt,....,
gi ,-.,
S о R 2 ggобр - Rнgi.• (5.20)
1
Проводимость обратной связи наиболее удобно определять
косвенно в результате измерения коэффициента обратной связи h 12,

Гр

и,
1[]
С2

2 з
а

[f
i[Э
Рис. 42. Схема установки для измерения:
а - внутренней проводимости g1 методом двух вольтмеrров; 6 - коэффициента обратной
связи 1t 12

так как прямое измерение столь малой проводимости сопряжено


с чрезвычайно большими трудностями.
Упрощенная схема установки, предназначенной для измерения
параметра h 12, показана на рис. 42, б. Переменное напряжение
U 1 от генератора сигналов ГС вводится в коллекторную цепь с по­
мощью трансформатора Тр и измеряется вольтметром V1 • Вольт­
метром V2 измеряется напряжение U 2 на разомкнутом по перемен­
ному току участке база -- эмиттер. П ри этом параметр h 12 опре­
деляется как
(5.21)

.122
Если на коллектор подавать напряжение И 1 = 1 в, показания
вольтметра V2 будут численно равны коэффициен1у обратной связи
h 12 . Проводимость обратной связи можно подсчитать по формуле
gобр = g I h 1 21, (5.22)
Недостатком метода является необходимость измерять очень
малые напряжения И 2, которые для современных транзисторов
могут составлять десятые доли милливольта.
Все описанные схемы введением несложных переключателей
могут быть объединены в одну универсальную измерительную
схему, предназначенную для измерения всех низкочастотных па­
раметров. На базе этих схем можно также изготовить специали­
зированный прибор со встроенными генератором колебаний и вольт­
метрами, снабженными дополнительными усилителями.

3. ИЗМЕРЕНИЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ПАРАМЕТРОВ

При измерении высокочастотных параметров 't, rб и Сбк следует


соблюдать те же условия, что и при измерении низкочастотных.
Кроме того, необходимо следить, чтобы паразитные параметры
измерительной схемы не влияли на результаты измерений. Для
транзисторов с предельными частотами усиления, не превышаю­
щими 120 Мгц, высокочастотные параметры можно измерять обыч­
ными методами, используя частоты до 10-30 Мгц. У особо высо­
кочастотных транзисторов параметры следует измерять с соблюде­
нием методики радиотехнических измерений на сверхвысоких
частотах. Очень важно добиться устранения влияния паразитных
емкостей и вспомогательной схемы пи1ания. При изготовлении же
калиброванных делителей необходимо проверить и обеспечить полу­
чение нужного коэффициента деления в заданном диапазоне частот,
на которых производятся измерения.
Измерение постоянной времени транзистора. Исходным соотно­
шением для определения постоянной времени 't служит частотная
зависимость крутизны
S= So
(5.23)
V i + (ш't)
2

Решая ее относительно 't, получаем


S о
1
2
l
't=-
/[
_ ]
-1 ' (5.24)
ш S(, .. )
где S0 и S (ro) - значения крушзны, измеренные на низкой (обычно
1 ООО гц) и на высокой частотах соответственно. Если оба измере-
123
ния крутизны выполнять при одинаковых амплитудах переменного
напряжения на входе, то в (5.24) вместо отношения крутизн можно
подставить отношение выходных напряжений:

(5.25)

При разработке методики измерений и схемы измерительного


прибора необходимо позаботиться об устранении влияния паразит­
ной обратной связи через коллекторную емкость С6к, В противном
случае измеряемая зависимость не будет соответствовать формуле
(5.23), и вместо истинной величины постоянной времени 't изме­
рение и расчет дадут значение
't' = 't + S0 RнrбСбк• (5.26)

Рис. 43. Схема установки для измерения постоянной времени тран•


зистора -с.

Для устранения ошибок, вызываемых вторым слагаемым в выра­


жении (5.26), необходимо сопротивление нагрузки Rн брагь очень
маленьким. Но тогда затрудняется измерение малой величины
поJ1учающегося выходного напряжения на высокой частоте. В резуль­
тате опять понижается точность измерений. Указанное противо­
речие можно устранить, применив измерительную схему, показан­
ную на рис. 43. В этой схеме нагрузкой на высокой частоте служит
последовательный колебательный контур LC, настраиваемый в резо­
нанс на частоту, на которой производится изме-рение. При этом
сопротивление нагрузки переменному току в цепи коллектора полу­
чается минимальным и равным малому. сопр01ивлению потерь в кон­
туре. В то же время выходное напряжение, измеряемое вольтмет­
ром V2 , оказывается достаточно большим:
(5.27)
В резулыаrе этого действие паразитной обратной связи ослаб­
ляется в наибольшей степени при значительной величине измеряе­
мого напряжения. Однако, если контур окажется расстроенным,
полное сопротивление нагрузки резко возрастает и погрешность
124
измерения увеличивается. Точную подстройку колебательного кон­
тура можно производить переменным конденсатором С или же
соответствующим изменением (в небольших пределах) частоты
колебаний, подаваемых на вход от генератора сигналов ГС. Наступ­
ление резонанса наиболее точно можно зафиксировать по минимуму
переменного напря жения на коллекторе. Для этого вольтметр V2
следует переключить с помощью переключателя П в коллекторную
цепь (переключатель поставить в положение 2).
Дроссель Др в цепи пйтания базы постоянным током необходим
для того, чтобы ослабить -шунтирование калиброванного делителя
R 1 , R2 выходными сопротивлениями транзисторов Т 2 и Т 3 схемы
питания (рис. 39), так как на высокой частоте последние оказы­
ваются малыми и могут вносить дополнительные погрешности.
Весь процесс измерения постоянной времени 't с помощью
описанной методики сводится к выполнению следующих операций:
1. Транзистор включают в схему измерения крутизны на низ­
ких частотах (рис. 40), и фиксируют значение выходного напряже­
ния И выхО на частоте 1ООО гц.
2. Транзистор включают в схему измерения на частоте ro
(рис. 43) и измеряют выходное напряжение И вых ( ro ). В обоих
случаях на базу транзистора необходимо подавать входное напря­
жение Ивх с одинаковой амплитудой.
3. Величину измеряемой постоянной времени вычисляют по фор­
муле
(5.28)

где Rн - сопротивление резистора нагрузки в низкочастотной схеме


рис. 40 и L - индуктивность контура в схеме рис. 43.
Для облегчения расчетов при изготовлении измерительной уста­
новки целесообразно выбрать значение рабочей частоты ro равное
ooL
1о п, а отношение R = 1. Точность определения 't будет достаточно
н
высокой, если отношение

1
или, что то же самое, если вычисляемая величина 't > -;;;- . При
несоблюдении этих условий (когда частота измерения ro недоста­
точно высокая) погрешность вычисления 't будет возрастать. Поэтому
для измерения постоянной времени транзисторов различных типов
прибор должен быть сконструирован так, чтобы измерения можно
125
было выполнять на нескольких фиксированных частотах ro (напри­
мер: ro = 107 ; 10 8 ; 109 ).
Процесс вычисления постоянной времени 't по результатам
измерений сильно упрощается, если на высокой частоте ro, на кото­
рой производится измерение и на которую настроен контур LC,
выполняется условие
So UвыхО roL
S(ro) = Uвых (ro)Rн >, б. {5 · 29)
Тогда, если пренебречь в подкоренном выражении (5.28) еди­
ницей, получим более простую приближенную формулу
't = .!::_
. ивыхо
(5.30)
Rн U вых (ro) •
В этом случае прибор также должен допускать работу на
нескольких фиксированных частотах, но ro уже можно выбирать
не кратной 10. Нужно только подобрать отношение � = 10-n
н
и следить, чтобы на частоте измерения выполнялось условие
ивыхО R
5 н (5.31)
Ивых (ro) > roL •
Чтобы каждый раз не решать вопрос о выборе параметров из­
мерительной схемы и не заниматься проверкой выполнения усло­
вия (5.31 ), ниже приводится таблица целесообразных значений
частоты, параметров схемы и минимального отношения выходных
напряжений, при которых можно пользоваться приближенной
формулой (5.30).
Таблица 2
Параметры измеритf'лъной схемы

1 1 1 1
'
f, Мгц 1,0 ::1,3 !О,() 33,0

Rн , 0.,11
1 !UO
1 LOU
1 \()()
1 100

L, мкгн
1 10
1 10
1 1,0
1 1,0

1 1 1
'
С, пф 1 250() 230 250 23

и
в х
ВЫХ (ro)
[ Иыо J MИII
7,5 2,5 7,5 2,5

126
Если при измерении на одной из указанных частот отношение
выходных напряжений окажется меньше минимально допустимого,
необходимо перейти на более высокую частоту.
Для сокращения количества операций, выполняемых при изме­
рении постоянных времени, можно построить обобщенную схему
прибора, работающего сразу на двух частотах. В таком приборе на
вход транзистора одновременно подаются колебания двух частот.
На рис. 44, а показан возможный способ смешивания колебаний
на малом выходном сопротивлении калиброванного делителя. От
генератора ГС 1 и ГС 2 подаются колебания с частотой 1000 гц и с
высокой частотой оо на плечи делителя R� R:. Амплитуды колеба-
R'1
с lф

tфо ,:Г])
г� г�
R,
н ф�-
а
Рис. 44. У совершенствованная установка для измерения постоянной
времени 't:
а - схема смешения сигналов на входе; б - схема фильтра для разделения напря R
жениfi на nыходе

ний подбираются так, чтобы на резисторе R2 получить равные


входные напряжения от обоих сигналов. Вследствие малости вы­
ходного сопротивления делителя R2 , связь между генераторами
практически отсутствует, и величина каждого напряжения устанав­
ливается независимо от другого. На выходе исследуемого транзи­
стора напряжения разных частот разделяются фильтрами и изме­
ряются вольтметрами V2 и V3 (рис. 44, 6). Колебания частоты
1000 гц отфильтровываются фильтром нижних частот LФСФ и из­
меряются вольтметром V3 • Высокочастотные колебания отфильтро­
вываются колебательным контуром LC, который работает точно
так же, как и в схеме рис. 43, и измеряются вольтметром V2 • По­
строив измерительную схему по принципу, показанному на рис. 44,
одновременно можно измерять крутизну S0 и постоянную времени "С,
Описанные схемы измерения постоянной времени (рис. 43 и 44)
пригодны для измерения значений 't:;;;,. 0,025 мксек, а при исполь­
зовании точной формулы (5.28) примерно до "С = 0,005 мксек. Для
более высокочастотных транзисторов возникают затруднения, свя­
занные с необходимостью выполнять измерения на частотах, пре­
вышающих 30 Мгц. Понизить частоту, на которой выполняют из­
мерения, возможно, если вместо постоянной времени 't измерять
127
·постоянную времени 'th в режиме холостого хода по цепи базы.
При измерении -r: h выходная часть измерительной схемы и мето­
дика измерения остаются теми же, что и при описании схемы
(рис. 43). Но на входе вместо калиброванного делителя R1R2
с низкоомным выходом, должно включаться большое калиброванное
сопротивление Rз, обеспечивающее получение режима холостого
хода. Основной трудностью при создании подобных схем является
необходимость получить заданную величину сопротивления R 3 на
высокой частоте, устранив проникновение высокочастотных колеба­
ний на базу через паразитные емкости. Для этой цели экранируют
входной и выходной концы рези­
стора R8 или подключают к нему
Др
параллельный колебательный
контур, настроенный на частоту,
на которой производится измере­
ние (рис. 45). Паразитное про­
хождение колебаний на базу в
if, этой схеме устраняется настрой­
кой контура L 1 C1 по минимуму
показаний вольтметра V2 в выход-
ной часги схемы, которая вы-
Рис. 45. Схема установки для измере- полняется аналогично схеме
ния постоянной времени " h · (ри с . 43) •
Хотя в описываемом случае
фактически измеряется постоян­
ная времени 't , можно составить формулу для вычисления поста-
11
янной времени транзистора
И1 (rо)
t = Ивых ( ro ) Sо'б -LR 3 • (5.32)
Этой формулой можно пользоваться после измерения крутизны
·s0 и сопротивления базы Гб.
Для соблюдения условий работы с малыми сигналами при из­
мерении постоянной времени необходимо обеспечитц выполнение
неравенства
Ивых (ш} < О,2iкшL, (5.33)
в котором iк - величина постоянного коллекторного тока в режиме
.измерения. Выполнение этого неравенства достигается подбором
величины сопротивления резистора R3 и напряжения U 1 (ш), пода-
.ваемого от генератора ГС на вход измерительной схемы (рис. 45).
Частоты, на которых ведутся измерения, в случае пользования
-.формулой (5.32) должны выбираться из неравенства
Ивых (ro)
,,, < О '2h 21 1 (ш) RLн •
И (5.34)
-128
Для измерений на более низкой частоте вместо формулы (5.32)
для вычисления 't необходимо пользоваться точным соотношением

(5.35)
Измерение коллекторной емкости С6к можно производить раз­
личными способами, используемыми для измерения емкостей на
переменном токе. Наиболее удобно это делать при включении
транзистора по схеме с общей базой, обеспечив режим холостого
хода по цепи эмиттера. Последнее необходимо для того, чтобы

сос
исключить влияние на результаты измерений паразитной внутрен­
ней обратной связи через коллек-
торную емкость. Одним из эффек- С11к
ff
тивных способов устранения дей- _1;,
ствия этой обратной связи явля- L, с, т, те.,
ется включение в цепь эмиттера i....;..------------0,6
параллельного колебате.11ьного и о
контура(рис.46,а),настроенного
на частоту, на которой произво- Рис. 46. Принцип измерения коллек-
торной емкости:
дится измерение. Большая вели- а - схема, обеспечивающая режим холостого
чина резонаНСНОГО СОПрОТИВЛеНИЯ хода по цепи эмиттера; б - эквивалентная
контура обеспечивает режим ХО· схема измеряемой проводимости.

лостого хода по цепи эмиттера


для переменного тока, тогда как для постоянного тока он представляет
практически короткое замыкание. В результате того, что по пере­
менному току цепь эмиттера оказывается разомкнутой, эквивалент­
ная схема участка цепи, который оказывается подключен к изме­
рительному прибору, имеет вид, показанный на рис. 46,6. Из этой
схемы видно, что измеряемая величина емкости С6к при включении
измерительных приборов между зажимами базы и ко,ТJлектора бу­
дет получаться с погрешностями. Чтобы эти погрешности были
малыми, частоту измерений необходимо выбирать исходя из усло-
»
вий wСбк gбк и wСбк « r' б
откуда получаем неравенство для
выбора рабочей частоты
(5.36)
Обычно принято измерять коллекторную емкость на частоте
5 Мгц, на которой хорошо соблюдается указанное неравенство.
Показанная на рис. 46, 6 пуюаиром емкость Скэ учитывает пара­
зитную емкость коллекторного вывода транзистора по отношению
к корпусу измерительного прибора. При измерениях эта емкость
суммируется с измеряемой величиной С6к ,
9 240 129
Для измерения коллекторной емкости С 6к методом замещения
с индикацией по резонансу применяется схема, показанная на
рис. 47. Колебательный контур L 1 C 1 в цепи эмиттера служит для
обеспечения режима холостого хода по эмиттерной цепи. Измери­
тельный контур, включенный в коллекторную цепь, образован ин­
дуктивностью L, корректирующим Скор и эталонным С эт конден­
саторами. Колебания высокой частоты подводятся к этому контуру
от генератора ГС через катушку связи L св ,
Процесс измерения коллекторной емкости сводится к выполне­
нию следующих операций. При отключенном транзисторе (ключ К
разомкнут) и установленном на нулевую отl\:етку эталонном кон­
денсаторе Сэт колебательный
контур настраивается в резо­
нанс корректирующим конден­
сатором Скор по максимуму по­
казаний вольтметра V 1 • После
замыкания ключа К емкость
эталонного конденсатора Сэт
уменьшают до получения ре­
зонанса вновь. При этом ве­
Рис. 47. Схема для измерения коллектор­ личина коллекторной емкости
ной емкости С6к и постоянной времени Сб будет равна изменению
к
rбСбк· емкости эталонного конденса­
тора. Если шкалу конденса­
тора проградуировать в обратном направлении, т. е. чтобы она
показывала на сколько пикофарад уменьшилась емкость этого кон­
денсатора, то можно будет непосредственно отсчитывать величину
коллекторной емкости транзистора С6к, При выполнении измерений
эмиттерный контур L 1 C 1 должен быть настроен точно в резонанс
на рабочую частоту.
Показанный на сх еме (рис. 47) второй вольтметр V2 при изме­
рении коллекторной емкости не нужен. Он необходим тогда, когда
схема используется для измерения постоянной времени r6 С6к и
вычисления по ней сопротивления базы.
Измерение сопротивления базы. Методика измерения сопротивле­
ния базы rб может быть построена на основании анализа выраже­
ния входной проводимости У (1.13). При неограниченном возра­
стании частоты проводимость стремится к предельному значению:
·1
уW ➔ oo
1
=,, (5.37)
б

Практически ее величина становится доста1очно близкой к пре­


дельному значению уже на частотах, для которых
Ш"t > 2, (5,38)
130
С учетом сказанного сопротивление гб можно мерять как вход­
ное сопротивление транзистора на частоте, удовлетворяющей усло­
вию (5.38), любыми методами, используемыми для определения
активны х сопротивлений на высоких частотах.
Одним из наиболее удобных для этой цели является метод
вольтметра (рис. 48). Колебания от генератора ГС подаются через
высокочастотный трансформатор и калиброванный резистор R3 с
большим сопротивлением на вход транзистора. С помощью пере­
ключателя П к измерительной схеме �южно подключать исследуе­
мый транзистор или эталонное сопротивление Rэт• Если обеспечить
выполнение условий Rз » Rэт и
Rз »
Гб, то протекающи й в схеме
переменный ток практически не
будет зависеть от подключаемых пе­
реключателем сопротивлений. Вклю- �
чая поочередно известное эталонное ;__}
сопротивление Rэт и участок база -
эмиттер транзистора, по двум пока­
заниям прибора можем вычислить
Рис. 48. Схема установки для из­
(5.39) мерения сопротивления базы ,б ме­
тодом вольтметра.

где И 1 - падение напряжения на эталонном сопротивлении; И2 -


напряжение на входе при подключенном транзисторе.
При соответствующем выборе величины эталонного сопротивле­
ния Rэт и установке на нем определенной величины переменного
напряжения показания вольтметра на входе подключенного транзи­
стора (переключатель П в положении 2) будут численно равны
сопротивлению базы r6• Так, например, удобнее всего взять Rэт =
= 100 ом и, поставив переключатель П в положение 1, подать на
вход от генератора ГС такое напряжение, при котором вольтметр
V1 покажет значение 10 мв. Тогда после установки переключателя
в положение 2 вольтметр покажет величину напряжения, пропор­
циональную сопротивлению базы r6• В рассматриваемом примере
показания V 1 в милливольтах, умноженные на 10, будут численно
равны величине Гб в омах. Необходимо только помнить, что Гб
следует измерять на частоте, удовлетворяющей условию (5.38). Во
избежание зашкаливания стрелки вольтметра в моменты переклю­
чений, переключатель П целесообразно выполнить так, чтобы прп
переключениях цепь не разрывалась. Иначе го1юря, сначала дол­
жен замыкаться очередной контакт, а только после этого размы­
каться предшествующий.
Описанный способ измерения r6 удобен тем, что позволяет,
откалибровав один раз схему, непосредственно отсчитывать изме-
9* 131
ряемые величины Гб различных транзисторов. Его недостатком яв­
ляется необходимость измерять малые напряжения на очень высо­
ких частотах. ·
Другой, также достаточно удобный, способ измерения величины
сопротивления базы может быть основан на определении постоян­
ной времени rбСбк и коллекторной емкости С6к. Измерять rбСбк
можно с помощью описанной уже схемы (рис. 47) при использо­
вании обоих вольтметров V1 и V2 • Если на коллектор транзистора
подать переменное напряжение высокой частоты И1 и колебатель­
ный контур L 1 C1 в цепи эмиттера настроить в резонанс для обес­
печения режима холостого хода, то напряжение между эмиттером
и базой, измерямое вольтмет ром V 2,

(5.40)

Производя измерения на частоте, на которой


WГбСбк « 1, (5.41)
приближенно получаем
(5.42)

Достоинство этого метода - возможность вести измерения на


сравнительно невысокой частоте, для которой соблюдается неравен­
ство (5.41), хо рошо выполняемое, если измеренное на входе напря­
жение
(5.43)

что очень легко контролировать. Так, в частности, выбрав w = 106


и U 1 = 1 в, получим значения Ивх численно равные величине по­
стоянной времени rбСбк в микросекундах. При этом, используя
обычный типовой ламповый милливольтметр, можно измерять по­
стоянные вр�мени rбСбк от 0,1 до 0,001 мксек. Взяв w = 108
и U 1 = 1 в, можно получить пределы измерения от 1 до 0,01 нсек.
Таким образом, используя частоты не выше 16 Мгц, можно изме­
рять постоянные времени ГбСбк всех, даже самых высокочастотных
транзисторов. Измерив постоянную времени r6С6к и отдельно кол•
лекторную емкость Сбк, нетрудно найти и сопротивление базы
транзистора
(5.44)

132
4. ИЗМЕРЕНИЕ ТЕПЛОВЫХ ПАРАМЕТРОВ
Тепловые сопротивления корпус -среда и коллекторный пере­
ход -корпус транзистора определяют по формулам

(5.45)

(5.46)
предварительно измерив температуры перехода, корпуса транзистора
и окружающей среды, а также рассеиваемую на коллекторе мощ­
ность Рк. Мощность измеряют электрическим прибором, а темпе­
ратуру корпуса -при помощи закрепленной на нем термопары.
Температуру коллекторного перехода tп транзистора определяют
косвенными методами. Для измерения выбирают один из зависимых
от температуры tп параметров транзистора: обратный ток коллек­
торного перехода Iко, прямое падение напряжения на эмиттерном пере­
ходе Иэб, падение напряжения на коллекторном переходе uбк и другие.
Методика измерения fп состоит в следующем. Транзистор поме­
щают в термостат, ставят его в режим, при котором рассеиваемая
им мощность незначительна, и снимают калибровочную характери­
стику - зависимость выбранного параметра от температуры окру­
жающей среды. Поскольку мощность, рассеиваемая транзистором,
мала, внутреннего перегрева в транзисторе нет и температура его
коллекторного перехода fп праr<тически такая же, как температура
окружающей среды, т. е. фактически снимается зависимость изме­
ряемого параметра от температуры fп , Затем транзистор устанавли­
вают в режим Рк, соответствуюший режиму работы его в схеме, и
после установления в нем теплового равновесия быстро переклю­
чают в схему измерения. Измеряется величина температурно чувст­
вительного параметра и по калибровочной характеристике опреде­
ляется температура коллекторного перехода. Измерять параметр
следует за достаточно короткий период времени, чтобы не сказы­
валось охлаждение транзистора, т. е. время измерения fи должно
удовлетворять условию fи «'t п . к , Зная fп, iк, fep и Рк, по ·формулам
(5 .45) и (5.46) определяют тепловые сопротивления R т . к. ер и Rт. п. к,
Затем, измерив тепловые постоянные времени участков 'tп . к и 'tк . ер
коллекторный переход - корпус и корпус транзистора - внешняя
среда, определяют теплоемкости этих участков

ст. п. к= "п. к .
Rт. п. к
, (5.47)

ст. к. ер =
"к. ер
Rт. к. ер
, (5.48)

133
Для нахождения тепловых постоянных вр;мени 'tп. к и 'tк. ер сни­
мают осциллограмму изменения температурнозависимоrо параметра
во вр�мени с момента откJ1ючения от транзистора питающих напря­
жений. Осциллограмму снимают при двух различных значениях
времени развертки осциллографа, соответствующих длительности
быстрого 'tп. к и медленного 'tк. ер переходных теп.тювых процессов.
Затем, зная временную и температурную зависимости этого пара­
метра, строят график зависимости температуры коллекторного пере­
хода транзистора от времени и по нему определяют тепловые по­
стоянные времени.
Тепловые параметры мощных транзисторов приведены в табл. 1

5. ИЗМЕРЕНИЕ ШУМОВЫХ ПАРАМЕТРОВ

Шумовые параметры транзисторов определяют при помощи


формул:
(5.49)

(5.50)

Предварительно измеряют входную проводимость транзистора


g и действующие значения напряжения шумов, приведенных к
входу транзистора при холостом ходе и коротком замыкании входа,
для чего необходимо иметь усилитель или селективный вольтметр
с достаточно узкой полосой пропускания. Дв� последние величины,
а также коэффициент шума устройства удобно измерять по методу
эквиваJ1ентного генератора. Калиброванный шумовой генератор с
известной и равномерной спектральной плотностью шума и весьма
малым выходным сопротивлением подключают через эквивалент
сопротивления источника сигналов к входу усилителя, а на его вы­
ход включают квадратичный вольтметр. Вначале фиксируется дей­
ствующее значение шумового напряжения при выключенном гене­
раторе. Затем включают генератор и, регулируя уровень его вы­
ходного напряжения, добиваются увеличения показания вольтметра
в 1,41 раза. Квадрат шумового напряжения на выходе генератора,
отнесенный к полосе частот генерируемых им шумов, численно
равен квадрату действующего напряжения шумов усилителя, при­
веденного к э. д. с. источника сигналов. Если отнести его к 4kTRc,
то найдем коэффициент шума устройства.
Определенные по формулам (5.49) и (5.50) значения шумовых
параметров Rш и gш для некоторых типов транзисторов приведены
134
в табл. 3. Они определены на частоте f0 = 1 кгц в полосе частот 1 гц,
в режиме работы транзистора iк = 0,5 ма, Ик = 1,5 в и сопротивJiе­
нии на входе Rc = 600 ом. В табл. 3 приведены также измерен­
ные значения коэффициента шума транзистора Ш тр -
Таблица 3
Шумовые параметры транзисторов

Транзист р/
о [0 , Мгц
/ Штр• дб I S,
м
а/в 1 g, мсим
1
rб, ом Rш , ом
g О
ш
• м
си м

П28 5 20 0,22 120 200 1,2

МП13Б 1 19 0,65 95 200 6


МП15 2 3 19 0,45 115 230 20

Шумовые параметры транзистора можно найти и расчетным
путем. Шумовое сопротивление Rш, активное Rкор и реактивное
Хкор сопротивления корреляции определяются соответственно по
формулам (1.53), (1.55) и (1.56), а шумовая проводимость рассчи­
тывается по формуле
(Ш тр -1) Rc -(l+gRc)2 R ш
ш (5.5t)
g -;.::::, Rc+Rш (J+gRc)2 '
в которую нужно подставлять известное значение коэффициента
шума транзистора Штр •
Пример 1. Вычислить шумовые параметры транзистора типа П28 при следую­
щих средних значениях его малосигнальных параметров: S0 = 20 J.ta/в, g =
= 0,22 мсим, r6 = 120 ом, fa = 5 Мгц, Штр = 4,2 дб (табл. 3):
Rш:::::: 120 + 20. Ju-з = 170 ом;
1

(2,6-1) 600- (1 +0,22 . 1 о-з . 600)2 • 170


gш = gшо = 1• 2 мсим;
[600+170(1+0,22 • 10-3 • 600)] 2
::::::

Rкор :::::: Rш :::::: 170 ом;


103
xl{Op = 120 • = 0,024 ОМ.
5 106
Шумовые параметры транзисторов одного типа имеют значи­
тельный разброс от образца к образцу. Разброс шумового сопро­
тивления Rш и сопротивления корреляции Rкор в значительной
мере зависят от разброса сопротивления базы Ге, и достигает не­
скольких сотен процентов. Еще большему разбросу подвержена
шумовая проводимость gш, значение которой зависит от состояния
поверхности полупроводника. Ее величина может в несколько раз
и даже на порядок отличаться от среднего значения.
Часть 11 Схемы усивитевеii

ГЛАВА 6. АПЕРИОДИЧЕСКИЕ УСИЛИТЕЛИ

1, ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ РАСЧЕТ
АПЕРИОДИЧЕСКИХ УСИЛИТЕЛЕЙ
Апериодические усилители предназначены для усиления электри­
ческих сигналов в области частот от единиц герц до сотен кило­
герц. Они широко применяются в измерительной технике, устрой­
ствах автоматики, гидроакустике, биологии и т. д.
Область применения апериодических усилителей определяет предъ­
являемые к ним требования. В основном они сводятся к высокой
стабильности коэффициеН1а усиления (модуля его) и высокой чувст­
вительности усилителя, обеспечивающей усиление очень малых сиг­
налов. Кроме того, в конкретных случаях могут быть предъявлены
требования к их экономичности, надежности, весу и габаритам, стои­
мости и другим характеристикам, а при использовании в многока­
нальных устройствах - и к идентичности частотных и фазовых ха­
рактеристик. Частотная характеристика апериодических усилителей,
как правило, должна быть равномерной и никаких специальных
требований к ней не предъявляют.
Высокая стабильность коэффициента усиления апериодических
усилителей и низкий уровень их собственных шумов должны со­
храняться во всех условиях эксплуатации устройства, в том числе
при механических и климатических нагрузках, в частности, при из­
менении в широких пределах температуры окружающей среды (от
-60 ДО +
70 ° С).
Для расчета апериодических усилителей обычно задают необхо­
димое общее усиление, верхнюю Fв и нижнюю Fн граничные час­
тоты полосы пропускания, отсчитываемые на уровне 1/М, где М­
допустимый коэффициент частотных искажений. Кроме того, кон­
кретно задается стабильность коэффициента усиления усилителя
в диапазоне изменений температуры окружающей среды и определя­
ются требования к собственным шумам, Обычно оговаривается, что
уровень шумов усилителя, приведенный к э. д. с. источника сигналов,
либо коэффициент шума усилителя должен быть минимально воз­
можным или не превосходить заданную величину.
136
Так как уровень собственных шумов усилителя практически опре­
деляется входным каскадом, то его рассчитывают в основном из
ус.повия обеспечения требуемой чувствительности. Основные каскады
усиления рассчитывают, исходя исключительно из необходимости
получения заданного общего коэффициента усиления и требуемой
стабильности его. Таким образом, порядок проектирования аперио­
дических усилителей четко разделяется на расчет входного малошу­
мящего каскада и высокостабильного основного каскада или группы
таких каскадов. Предварительный расчет состоит в ориентировочном
определении необходимого числа каскадов апериодического усили­
теля, выборе типа транзистора и приближенном распределении по­
каскадам частотных искажений, чтобы суммарная их величина не
превосходила заданную на усилитель.
Каскады апериодического усилителя обычно выполняют идентич­
ными по реостатной схеме с общим эмиттером. Чтобы не прибегать
к корректирующим цепям, необходимо выбрать транзистор с такими
частотными свойствами, которые позволили бы в реостатной схеме
получить достаточное усиление в заданном диапазоне частот. Для
этого параметры транзистора должны удовлетворять условию

(6.1)

Предварительно можно выбрать транзистор, у которого предель­


ная частота усиления
(6.2)
а затем по формуле (6.1) уточнить возможность его использования.
Усилительный каскад на резисторах, в котором используется
транзистор с параметрами, удовлетворяющими условию (6.1), о-бес­
печит при любом сопротивлении коллекторной нагрузки полосу про­
пускания, которая будет шире требуемой, что вполне приемлемо
для апериодического усилителя. В этом случае имеется возможность,
исходя из требований к стабильности коэффициента усиления и со­
хранив при этом необходимую полосу пропускания, выбрать опреде­
ленную величину сопротивления коллекторной нагрузки, являю­
щуюся источником сигналов для последующего каскада.
Для определения необходимого числа п каскадов находят о-бщий
коэффициент усиления Ко бщ усилителя по напражению, а затем,
считая усиление одного каскада
Ко = (0,2 + 0,9) h 21 , (6.3)
из соотношения
(6.4)·
137
определяют п и округляют до ближайшего большего целого числа.
Величина коэффициента в круглых скобках формулы (6.4) выби­
рается в зависимости от требований к стабильности коэффициента
усиления. При стабилизации усилителя по методу оптимальной про­
водимости источника сигналов величина этого коэффициента не
может быть более 0,5 и обычно выбирается в пределах 0,3+0,4.
Примерно такое же усиление по напряжению обеспечивает и вход­
ной малошумящий каскад, работающий в оптимальном режиме.
В связи с тем, что полоса пропускания многокаскадного усили­
теля уже полосы пропускания каскадов, после определения необ­
ходимого их числа п следует проверить выполнение условия

g2гб
11:'t
Vj/ Мв. общ -1 = fпhред V УМв. общ -1 :> Fв,
21
(6.5)

где Мв . общ - общий допустимый коэффициент частотных искажений


усилителя на верхней граничной частоте полосы пропускания. Если
условие (6.5) не выполняется, необходимо выбрать более высоко­
частотный транзистор.
Таким образом, параметры выбранного транзистора и число кас­
кадов п должны одновременно удовлетворять неравенствам (6.4)
и (6.5). Обычно в апериодических усилителях используются мало­
мощные диффузионные трэ.нзисторы универсального назначения.
Получающиеся при этом усиления и полоса пропускания реостат­
ного каскада, как правило, оказываются вполне достаточными.
Заканчивая предварительный расчет, распределяют допустимые
искажения на нижней граничной частоте

Мн =
v--
Мн.общ (6.6)

на каждый из k элементов схемы, влияющих на завал нижних


частот. Сюда, кроме разделительных кондесаторов, относятся кон­
денсаторы, шунтирующие токостабилизирующие резисторы эмиттер-
11ых цепей и другие элементы; при этом считается, что вносимые
ими искажения приблизительно одинаковы.
Иногда целесообразно распределить искажения неравномерно по
элементам, что позволит ослабить требования к электрическим ха­
рактеристикам одного из них. В этом случае вносимые ими час­
тотные искажения следует выразить относительно к элементу, ис­
кажения которого приняты за условную единицу. Затем просум­
мйровать относительные значения коэффициентов искажений и
извлечь из Мн . общ корень, степень которого равна найденной сумме.
В результате будет определена величина искажений, приходящихся
на элемент, искажения которого приняты за условную единицу.
138
Умножив ее на относительные значения коэффициентов искажений,
определяют искажения, вносимые остальными элементамп.
В заключение предварительного расчета усишпеля выбирают
схему питания каскадов. Можно применить одну из схем питания,
рассмотренных во второй и третьей главах. Если диапазон измене­
ния температур окружающей среды достаточно широкий, например,
от -60 до +60° С, то следует выбрать схемы питания с глубокой
обратной связью по постоянному току (рис. 19-21). Можно также
использовать схемы последовательного и параллельно-последова­
тельного питания (рис. 31-33). Выбрав схему питания каскадов,
по методике, изложенной в гл. 3, рассчитывают емкости конден­
саторов вспомогательных цепей.

2. ВЫСОКОСТАБИЛЬНЫЕ ОСНОВНЫЕ КАСКАДЫ

Задачей расчета основных усилительных каскадов на резисто­


рах является определение величин их элементов, которые обеспе­
чивают заданную стабильность коэффициента усиления апериоди­
ческого усилителя. Обязательным условием поддержания постоянным
в широхом диапазоне рабочих температур коэффициента усиления
каскада является стабилизация режима работы транзистора, рас­
смотренная в rл. 2. Однако выполнения только этого условия не­
достаточно вследствие сильной зависимости параметров транзистора
от температуры. Расчеты показывают, что если изменение режима
работы каскада в диапазоне температур от -60 до +60 ° С состав­
ляет 1О% , то вызванная изменением режима нестабильность коэф­
фициента усиления равна 0,5 дб, тогда как нестабильность, обус­
ловленная прямым влиянием температуры на параметры транзистора,
достигает примерно 4 дб на каскад. Поэтому для поддержания
постоянного коэффициента усиления каскада в широком диапазоне
температур недостаточно стабилизировать только режим работы, не­
обходимо принимать еще специальные меры для ослабления влня­
ния температурной зависимости параметров транзистора на коэффи­
циент усиления.
Стабилизацию коэффициента усиления выполняют по методу
оптимальной проводимости источника сигналов (оптимальной на­
грузки в предыдущем каскаде). Кроме того, для стабилизации ис­
пользуют отрицательную обратную связь по переменно�1у току.
В методе оптимальной проводимости источника сигналов исполь­
зуется влияние проводимости gc на характер температурной зависи­
мости коэффициента усиления каскада. Так как крутизна S 0 и вход­
ная проводимость g транзистора завпсят от теr-.шературы, при­
чем температурная зависимость g выражена более резко, то при
\S9
определенной стабильности режима работы подбором оптимальной
проводимости gc источника сигналов удается частично скомпенси­
ровать воздействие изменений S0 и g на коэффициент усиления.
Этот метод стабилизации по идее является компенсационным. Однако
по способу исполнения и эффективности действия он принципиально
отличается тем, что здесь не нужно подбирать определенную ха­
рактеристику компенсирующего элемента. Условие компенсации за­
ключено в характере изменения параметров транзистора и режима
его работы от температуры.
Так как параметры транзистора и величины их изменений зави­
сят от температуры, оптимальная проводимость источника сигналов
gc . опт также оказывается температурно зависимой. Поэтому для по­
лучения абсолютной стабильности коэффициента усиления каскада
необходимо при изменении температуры окружающей среды изменять
по определенному закону и проводимость gc . опт• При использовании
в каскаде резисторов, сопротивления которых не зависят от темпе­
ратуры (исключая их ТКС), абсолютную стабильность коэффициента
усиления получить невозможно, поэтому допускается некоторое из­
менение его при изменении температуры. В этих условиях основ­
ная задача метода -выбрать постоянную величину gc, при которой
коэффициент усиления каскада отличался бы от номинального зна­
чения в пределах заданного допуска в широком диапазоне температур.
Выражение относительной нестабильности коэффициента усиле­
ния каскада при изменении температуры

= А In io = А {л In � +-;.) -1]}
Q

оКт (
+ В [�о е - � дб. (6.7)
о
Здесь А= 20 lg е � 8,68- масштабный множитель; Т -абсолют­
ная температура, 0 К; Т O -температура, соответствующая нормаль­
ным условиям эксплуатации усилителя (обычно Т 0 = 293 ° К, т. е.
20 ° С); К O - коэффициент усиления при температуре Т O ( номиналь­
ный коэффициент усиления); q - заряд электрона; k -постоянная
Больцмана; Q -- ширина запрещенной зоны полупроводника, исполь­
зованного для изготовления транзистора, равная О,76 в у германия,
и 1,12 в-у кремния.
Входящие в формулу (6.7) коэффициенты

(6.8)

(6.9)

-безразмерные величины. Они зависят от параметров транзистора


g0 и fко (Т 0 ), измеренных при температуре Т0 (нормальные ус-
140
ловия), коэффициентов нестабильности режима работы Sт1 и Sт2,
зависящих от схемы стабилизации, и эквивалентной проводимости ис­
точника сигналов g;. Последняя состоит из полной проводимости
источника сигналов gc или проводимости коллекторной нагрузки
предыдущего каскада и проводимости базового делителя:
, 1 1
gc = gc +
+ Ra ' R1
, 1) 1 1 (6. 1 0)
ИЛИ gc = Rк + R1 + R a .
Коэффициент А (6.8) учитывает влияние на коэффициент усиле­
ния теплового смещения напряжения базы транзистора и прямую

8Нт, �-------- 11
ilo то
о.в 9
Рис. 49. Кривые зависимости измене­ 1---+--+---+,<-.,,_,,_-,/8
ния коэффициента усиления каскада 7
0,б
при изменении температуры и различ- .
ных значениях параметров А и В. 6
0,41----1---J4чL.,,Ll---,L,L.,15
4
-во -so -за о l---�4,..:;;..,t;,.L,,4-,,,,.c:_.,,.j_3
-40 -20 -10 10 �:;,;;:..;�;,.-:::::,,..-,=::� 2
1
1
2
'з t,•c
4 =-
t-== t--c::::.al--"==---±-9-""'7.,g..,S-,S,q.--1----1
- - -
; t-=='---l-=�l-::,.,....:i:-;,"4"":,,<;.,f- -+- -l-- -i-0,4
7
вi""'--·-::Р""''---::;;;,�,...,,-,,,,с---+---+--+---1----1-�в
9 i,o::....-,,,.F--,;&-1---4---1---1---1---4----!-0,8
10 ""'--,,,Ll----11---+--+--+--+---l---i
11 ""--'----"'-----L----'---'---'---'------'-�O

чувстви:ельность его параметров к температуре. В зависимости от


значении g; величина А может быть положительной, равной нулю,
а при больших g; - отрицательной. Коэффициент В (6.9) учиты­
вает влияние обратного тока коллектора 'lранзистора /ко на коэф­
фициент усиления каскада. Ве,1шчина В положительная в усилите­
лях с разделительными конденсаторами. В усилителях с непосред­
ственной связью может быть положительной или отрицательной
в зависимости от знака Sт2,
Из формулы (6.7) следует, что характер изменения коэффи­
ци ента усиления при изменении температуры зависит от соотноше­
ния коэффициентов А и В. При отрицательных значениях А, т. е.
141
Значение

Номер кривой 1 1 2
1 3
1 4
1 5

1 1
1

А -0,036 0,036 0,0725 0,101 0,145

1
1 1
В· 103 0,475 0,214 0,425 0,665 0,85
1 1 1

при больших проводимо стях g; , коэфq:ициент усиления при сниже­


нии температуры может возрастать. При положительных А коэффи­
циент усиления при снижении температуры уменьшаЕ;тся. Таким
образом, изменяя проводимость g;, можно изменять характер зави­
симости 'ВК т (6.7) от температуры. Это свойство g; и используется
для эффективной стабилизации коэффициента усиления при изме­
нении в широких пределах температуры окружающей среды.
Из формул (6.7)- (6.9) следует, что значение второго слагае­
мого в фигурных скобках выражения (6.7) существенно только при
высоких температурах, когда параметр В сравнительно велик. При
температурах ниже 0 ° С его значением по сравнению с первым сла­
гаемым можно пренебречь . Поэтому нестабильность коэффициента
усиления каскада при низких температурах определяется параметром
А, а на высоких - параметрами А и В. При работе усилителя
в широком диапазоне температур, например от -60 до +60 ° С, па­
раметры А и В можно считать оптимальными, если они обеспе­
чивают равные относительные изменения коэффициента усиления
на крайних температурах диапазона. Кривые зависимости измене­
ния коэффициента усиления от температуры при оптимальных па­
раметрах А и В, соответствующих определенным нестабильностям
коэффициента усиления, представлены на рис. 49. Они рассчитаны
по формуле (6.7). Значения параметров А и В приведены в табл. 4.
Оптимальному значению параметра А соответствует оптимальная
проводимость источника сигналов
, 1-А
gc. опт = go q"'( S . (6. 11 )
1 + А - --2__!!.
. k
При высокой стабильности коэффициента усиления и, следова­
тельно, при малых А, в том числе и А= О, оптимальная проводи­
мость источников сигналов
, ,-., go
gс,опт,-., q" S (6.12)
1-�
k

142
Таблица 4
параметров А и В
6
1 7
1 8
1 9
1 10
1 11

0,181
1 0,217
1 0,254
1 0,29
1 0,325
1 0,36

1,о7
1 1,28
1 1,48
1 1,7
1 1,92
1 2,1

соизмерима с входной проводимостью транзистора g 0 н несколько


больше ее. Для прикидочных расчетов можно приближенно считать
gc: опт � g. При этом условии коэффициент усиления каскада
К= So ,-,.,,) So = lz21
g + g �- опт ,...., 2g 2 •

т. е. в два раза меньше максимального возможного.


Из формулы (6.12) следует, что транзисторный усилитель можно
стабилизировать по ме1оду оптимальной проводимости источника
сигналов при условии
(6.13)

Так как для большинства схем стабилизации режима с глубо­


кой отрицательной обратной связью по постоянному току
sтl ,...., 1
,..._, SoRз'

из неравенства (6.13) можно определить минимальную величину


сопротивления токостабилизирующего резистора, при котором еще
возможна компенсация:
R 3 мии > kg'(T ,-,.,,) lт -о ,
т
,..._, -l-. (6.14)
S о Ок

Если, например, исходный ток коллектора iок = 1 ма, то


2, 5 · 10- 3 293 ,-,.,,)
Rз мин > l • Jо-з ,...., 750 ОМ.
При снижении коллекторного тока iок сопротивление Rз мин воз­
растает. Поэтому при стабилизации экономичных каскадов усиле­
ния по методу оптимальной проводимости источника сиrналGв
необходимо увеличивать стабильность их режима работы,
143
Порядок расчета усилителя, стабилизированного по методу оп­
тимальной проводимости ис rочника сигналов, следующий. По се­
мейству выходных статических характеристик транзистора выбирают
исходный режим, при котором обеспечивалась бы работа с требуе­
мой амплитудой сигнала и малыми искажениями. Затем, полагая
коэффициент усиления каскада при оптимальной проводимости ис­
точника сигналов К= (0,3 + 0,4) h 21 , определяют число каскадов
в усилителе и рассчитывают величину оКт1, приходящуюся на один
каскад. Так как заданная общая нестабильность коэффициента уси­
ления оК обусловлена изменением температуры окружающей среды,
напряжения источника питания, температурной нестабильностью
электролитических конденсаторов и изменением параметров тран­
зисторов при их смене и в процессе «старения», то нестабильность
коэффициента усиления каскада должна быть распределена между
этими дестабилизирующими факторами.
По величине оКт1 выбирают соответствующую кривую на рис. 49
и по табл. 4 определяют ее параметры А и В. Задаются макси­
малыю допустимым падением напряжения источника питания на
токостабилизирующем эмиттерном резисторе и определяют его ве­
личину. Затем при помощи формул (6.9) и (6.11) рассчитывают
оптимальную проводимость источника сигналов · gC : опт и коэффи- ·
циент нестабильности Sт2, а по ним определяют сопротивления эле­
ментов базового делителя R 1 и R 2 , а также gc или Rк. В заклю­
чение расчета определяют смещение рабочей точки и по выходным
характеристикам транзистора уточняют линейность режима работы
каскада.
Для стабилизации характеристик усилителя часто используют
отрицательную обратную связь, действующую на частоте сигнала.
Стабилизирующее влияние отрицательной обратной связи на коэф­
фициент усиления определяется зависимостью
ЛКо. с 1 ЛК
= (6.15)
К0 • с 1 + �К . К '

где Ко . с и К-- соответственно коэффициенты усиления при замк­


нутой и разорванной петле обратной связи; � - глубина обратной
связи.
Формула (6.15) показывает, что отрицательная обратная связь
понижает относительную нестабильность коэффициента усиления
усилителя в 1 + �к раз, т. е. во столько раз, во сколько раз
уменьшается под ее влиянием коэффициент усиления.
С точки зрения эффективности действия отрицательной обратной
связью целесообразно охватывать не один, а несколько каскадов.
В этом случае абсолютное значение коэффициента усиления уси-
144
лителя при той же относительной нестабильности его больше, чем
при использовании индивидуальной петли обратной связи в каж­
дом каскаде. При проектировании усилителей с общей обратной
связью важно выбрать тип и определить максимальную глубину
ее или предельное количество каскадов, которые еще могут быть
ею охвачены. Последний вопрос связан с устойчивостью многокас­
кадных усилителей с обратной связью. Двухкаскадный усилитель
при любой глубине отрицательной обратной связи и удовлетвори­
тельном качестве монтажа практически всегда устойчив. Трехкас­
кадные усилители устойчивы при глубине обратной связи до
20-30 дб.
Тип общей обратной связи для конкретного усилителя выбирают
с учетом следующих соображений. Последовательная обратная связь
по току целесообразна в схемах с низкоомным источником сигналов.
В таком усилителе источник сигналов охватывается цепью обратной
связи, вследствие чего схема становится слабо чувствительной к из­
менению выходного сопротивления источника. При параллельной
обратной связи по напряжению ослабляется влияние изменения ве­
личины сопротивления нагрузки на качественные показатели уси­
лителя. По эффективности действия и сложности практического
исполнения оба типа обратной связи оказываются примерно оди­
наковыми.
Для расчета цепи обратной связи предварительно определяют
относительную нестабильность ЛК!К в схеме без обратной связи,
затем, приравняв ЛКсв /Ксв к требуемой нестабильности, при по­
мощи выражения (6.15) определяют коэффициент обратной связи
� и по нему в каждом конкретном случае находят сопротивления
R; или R и цепей обратной связи по току и по напряжению.
Наряду с преимуществами метод стабилизации усилителей от­
рицательной обратной связью имеет и существенные недостатки.
Глубокая отрицательная обратная связь значительно снижает коэф­
фициент усиления усилителя, поэтому необходимо увеличивать
число каскадов, чтобы скомпенсировать это уменьшение. В резу ль­
тате усложняется схема усилителя. Кроме того, часто приходится
использовать многопетлевую обратную связь для обеспечения ус­
тойчивости усилителя. Поэтому до введения отрицательной обрат­
ной связи желательно обеспечить стабильность коэффициента уси­
ления усилителя другими способами, например выбором оптимальной
проводимости источника сигналов, а затем использовать отрицатель­
ную обратную связь для получения высокой стабильности. Исполь­
зуя оба рассмотренных метода стабилизации, можно проектировать
усилители, пригодные для серийного производства, с относительной
нестабильностью коэффициента усиления порядка единиц процен­
тов в диапазоне температур от -60 до +60 ° С при абсолютном
!О 240 145
значении коэффициента усиления примерно 50 дб. Оба метода
эффективны только в тех схемах, где обеспечена высокая стабиль­
ность режима работы транзистора.
Пример 1. Рассчитать усилитель с коэффициентом усиления не менее
200 (46 дб). Абсолютная нестабильность коэффициента усиления в диапазоне тем­
ператур от -60 до +60° С не должна превышать 0, 4 дб. Полоса пропускания
усилителя 100 гц-10 кгц; допустимая неравномерность частотной характеристики
М н. общ= Мв. общ= 1,41 (3 дб); амплитуда входного сигнала 1 мв, напряже•
ние источника питания Ек = -15 в.
Широкий диапазон рабочих температур и высокие требования, предъявляемые
к стабильности коэффициента усиления усилителя, обусловливают использ ование
схем с жесткой стабилизацией режима работы. Выбираем схему стабилизации
с отрицательной обратной связью по постоянному току последовательного типа
(рис. 1 8). В результате предварительного расчета усилителя определяем необхо­
димое число каскадов и выбираем тип транзистора. Учитывая условия fпред>
> h 21 F8 (6.2), попробуем применить транзистор типа МП15А. Его параметры:
= 2 Мгц, h2 1 = 50+ 100 и /ко= 0,5 мка при Т0 = 20 ° С.
fпред
В связи с высокими требованиями к постоянству коэффициента усиления
в широком диапазоне температур для стабилизации необходимо использовать ме­
тод оптимальной проводимости источника сигналов. В этом случае коэффици ент
усиления одного каскада на средних частотах
К0 = (0,3 + 0,4) h2 1= 0,35 h21мии = 0, 35 · 50= 17,5 (25 дб).

Из соотношения Коб
щ
= Kl находим необходимое число каскадов

lg Ко бщ Ко бщ• дб 46
п = lg К0 = К0 , дб = 25 � 1• 83 ·
Принимаем п = 2. Проверяем, обеспечит ли транзистор МП15А в двухкас­
кадном усилителе заданную верхнюю граничную частоту полосы пропускания
F0 = 10 кгц. Используя формулу (6.5), проверяем выполнение неравенства

р
Fв= 10 кгц..; fп ед
h21 макс
V'Vм2 2
в. общ -1 = 100
в
io vv 1,41 2
- 1 = 20 кгц.

Поскольку оно выполняется, транзистор типа МП15А можно использовать)


в усилителе. Если это неравенство не вьmолняется, следует выбрать более высо­
кочастотный транзистор.
Выбираем режим работы транзисторов iок! = i0к2= iок = 1 ма, падение на­
пряжения коллектор-эмиттер U oкt = и0к2= и 0к= 3 в. Используя формулы (1.17)
и (1.20), находим значения малосигнальных параметров:

S0 = � i0к = 40 • 1 • 10-3 = 40 . 10-з а/в;


k
So 40 . 10- з
= = = (О 4 + О 8) . 10-з и
g h21 50+ 100 • ' - с м.
Распределяем частотные искажения в области нижних частот по каскадам:

Мн = п+-vМ н. об =
щ
j1Ш � 1, 12.
146
Считая, что частотные искажения каскада Мн в равной мере обусловлены
как разд елительным конденсатором С1 , так и блокирующим конденсатором С2 ,

vщ �
находим
Мн! = Мн2= н= Vм
1,06 .
В заключение предварительного расчета распределяем общую нестабильность
коэффициента усиления усилителя по I<аскадам и их элементам. Полагая, что
нестабильности каскадов примерно одинаковы, находим их допустимые значения
1 1
оК 1 , дб=
п оКобщ• дб =
2 · , = 0, 2 дб.
0 4

В связи с низкой рабочей частотой усилителя блокировочные конденсаторы


эмиттерных цепей, по-видимому, будут электролитическими. Поэтому относитель­
ное изменение усиления каскада оК1 должно быть отнесено как за счет собст­
венной нестабильности транзистора, так и нестабильности, обусловленной изме­
нением параметров электролитических конденсаторов при изменении температуры.
При этом цепи развязки каскадов необходимо выполнить по схеме рис. 30. Допус­
кая нестабильность, обусловленную изменением параметров электролитического
конденсатора в цепи эмиттера, равной О,1 дб, определяем собственную неста­
бильность оКт = 0, 2- О,1 = О,1 дб.
По допустимой нестабильности коэффициента усиления о/(т = О, 1 дб, гра­
фику рис. 4 9 и табл. 4 выбираем соответствующую кривую и находим ее па­
раметры. Данному случаю соответствует кривая 1, следовательно, А= - 0, 0 3 6 ;
В= 0, 475 • 1 0 -з.
Расчет величин элементов начинаем с оконечного каскада. Ориентировочно
выбираем сопротивление коллекторной нагрузки Rк2 = 3 ком. При дальнейшем
расчете его можно будет у точнить. Допуская падение напряжения на сопротив­
лении фильтра иФ = 1 в, по формуле
Ек - Иок - iокRк2 - иф
Rз=
1ок
определяем сопротивление токостабилизирующего резистора эмиттерной цепи
15- 3- 1 · 1 0- · 3 · 1 0 - 1 3 3

Rз = :::::: 8,2 ком.


1 10_3
По выражениям (2 . 45) и (6. 11) находим коэффициент нестабильности кол­
лекторного тока
1
Sтl = 40 · 10-3 8,2 1 03 3 • 10-3 ~
и величину оптимальной проводимости источника сигналов

= 0, 6 . 1 0-з
1 0, 036 + � 0, 7 мсuм.
g;_ опт 10-19 2,5. 10-з. 3. 10-з
1 ,6
1- 0,03 6- з
1,37 IU 2
Используя формулу ( 6.9), определяем допустимый коэффициент нестабиль­
ности коллекторного тока
_ kTogo B (go
Sт2 -
g; опт) +
о
qg;_ опт1к (То)
= 1,37. 1 0-23 • 2 93 • 0, 6 • 10-3 0, 475 I 0 -3 ( 0,6 . 1 0-3 О, 7 . I0-3) + � О, О26 ·
1,6 · 10-19 · 0,7. 10-:::-;i. U,5. 10-в
10* 147
Рассчитываем сопротивления резисторов цепи смещения R 1 , R 2 и сопротив­
ление коллекторной нагруз ки Rкt предыдущего каскад а по формулам:

;:::: 2,7 KO}J.


1
0,7 . 10- з - 3 . ua 5 1 . 103
4, 1 ,
Если в результате вычислений получится R1 < О, то это значит, что задан­
ная стабильность не реализуется при выбранном транзисторе и необходимо ис­
пользовать транзистор с меньшим /ко· Проверяя расчет, находим коэффициент
усиления каскада
So 1
Ко = +
go gc. оnт
, = h21 мин
l+
'
gc. опт
= SO
1 + О 7 . 10-3 ;::::
_;_' ---
23
0,6 ю-3
go
и убеждаемся в том, что два идентичных каскада на транзисторах типа МП15А
обеспечат требуемое усиление. !(роме того, можно вычислить при помощи выра­
жений (1. 33) и (1. 3 5) значения Ди6_ т и Д/ко и по формуле (2.47) определить из­
менение тока коллектора каскада. В результате получим:
Ди 6_ т = 2,5 · 10- з [+ 60-(-60)] = 0,3 в;
Д/ок;:::: /ко(+ 60) = 0,5. 10-в. еО , 09 (60-20) ;:::: 16 мка;
Лiко = 40 · 10- з · 0,3 ·3 · 10-3 + 100 · 16 · 10-в • 0,026 :::: 0,082 ма (8,2% ).
Определяем емко сти разделительного конденсатора С1 и конденсатора С2 ,
шунтирующего эмиттерный резистор R3 • Используя соответственно формулы (3.37)
и (3.38) и учитывая, что Rк2 � R t, получаем:
1
С 1> ;:::: 1,5 мкф;
21t · 100 · 2,7 • 103 V 1,062 - 1
40. 10-з
С2 > ;:::: 200 мкф.
2rc · 100 V 1,06 2 - 1
Во втором каскаде остается определить только величины элементов развя­
зывающего фильтра RФСФ (рис. 30). Сопротивление резистора
и 1
Rф = -.ф- = . -3 = 1 KO-lt.
1ок2 1 10
Емкость конденсатора рассчитывается по формуле (3.44)
40 . 10- з . 1 . 1о з
сф >,,,. 200 . 10-6 ~ 4000 мк ф .
1 103 )2 ~
1 + О ' 6 . 10-3 . 1 . 1о з + _· __3
( 8,2 · 10
Практически достаточно взять СФ = 400 мкф, при этом частотная характе­
ристика к аскада остается близкой к монотонной.
Элементы первого каска да рассчитываются анал огично.
148
Пример 2. Определить температурную нестабильность коэффициента усиле­
ния двухкаскадного усилителя (рис. 21, б) по условиям примера 3 гл. 2, во­
спользовавшись найденными в нем величинами элементов схемы. Сопротивление
источника сигналов R c= 600 ом.
Расчет начинаем с первого каскада. По формулам (1 .3 5) и (6.10 ) находим
значение обратного тока коллектора при температуре ТO = 20° С и эквивалент­
ную проводимость источника сигналов:
2 55 е,
) 250 · 10-в • ° 09 < 0- >:::::: 10 мка;
lко (Т0 =
, 1 1 1 1
= =6 0 :::::: 1, 87
Rc + Ro 0 + 5, 1
. 10� мсuм.
gc
Затем определяем коэффициенты стабилизации коллекторного тока. ·Учиты­
вая формулы (2. 74), получаем:
S - iок1 (2Е + Uок1) 3 10 -з ( 2 . 5 + 5) ~
. 1 0-�-'
- - 7 5
тl S 0 Е (Ек - иОк!) - 0 , 12 5 (15- 5) ~'

s 2= � (1 + R4)= 91! (1 + 1 6

3,3
• ��:):::::: 0, 018 .
т h2 1 • R2 0

Используя соотношения (6 . 8) и (6.9), находим коэффициенты


А_ 1, 6 . 10 -10• 1, 87 . 10- 3• 2,5 . 10 -�. 7,5 . 10-з
-
+
1 , 37 • 10-23 (1 , 5 • 10 -з 1 , 87 • 10-3) +
1,5 10 -з - 1 87. 10 -з
+ 1,5 - 10 - з + 1:в1 10-з :::::: O, Ol5 ;
·
1, 6 . 10 -19 . 1, 87. 10-з . 0, 018 . 10 • 10-в ~ _3
В= 1,37 · 10 -23 • 293 • 1,5 • 10-з (1,5 • 10-з 1,87 , 10-3) + ~ 2 6
• · I
O

По.пьзуясь данными графика рис. 49 и табл. 4, по найденным коэффициен­


там А и В можно приближенно оценить нестабильность коэффициента усиле­
ния каскада. С уменьшением температуры коэффициент усиления уменьшается
и при -60° С отличается примерно на 0,0 5 дб от его номинального значения при
20 С. Значительно сильнее он возрастает при повышенных температурах и при
+
°

60 С нестабильность составляет примерно


I дб. Это объясняется большим
°

значением l ко транзистора и сильным в.1иянием его на режим работы, а следо­


вателы-ю, на коэффициент усиления каскада. Так, уже при /к0(20 С)= 1 мка °

В :::=: 0,26 · 10 -з, что обусловливает нестабильность при + 60° С всего лишь
в О, 1 дб. Если сравнить эти результаты со стабильностью рассчитанного в при­
мере 1 каскада усилителя с разделительным конденсатором, то легко установить,
что первый каскад схемы рис. 21, б обеспечивает несколько более· высокую ста­
бильность коэффициента усиления при большем в два раза исходном значении
/ ко (20 о С).
Более точно температурная нестабильность коэффициента усиления каскада
рассчитывается по формуле ( 6.7). Для температур -60° С (2 13° К) и 60 ° С +
(333° К) соответственно получаем:
1, 6 10- 10 -0,76 ( 1 1 )
213
� 293 - 1, 37 -JO-" 213-293 -
0К'=8
т ' 68 {0 ' 015 Iп 293 +2 ' 6 . 10- [213 е

- 1 ]} :::::: - 0, 0 52 дб;

149
оКт11 = 8 , 68 {о, О15 ln 293 +
333

1,6· 10-10,О,76 ( 1 1)
+ 2,6. 10-.! [��: е- 1, 37 -JO-" 333 - 293 - 1 } ::::; 0,76 дб.
]
Аналогично выполняем расчеты для второго каскада усили теля (рис. 21, б).
Находим эквивалентную проводимость источника сигналов

gc' = �2 = 3) 1о
з ::::; 0, 31 мсuм,
коэффициенты стабилизации коллекторного тока
iок2 3 • 1 0-з
sтl = - SE = - о 12 . 5 = - 5. 10-�;
о '
sт2 = - ��� = - �01 ::::; - ,
0 012,

коэффициенты
- 6, -19 - 0,3 1 · 1 0-3 · 2,5 • 1 0-3(-5 • 1 0 -з)
А - 1 , 10 +
1 ,37 . 1 0 23 ( 1 ,5 · 10 3 + 0, 31 . 10 3)
1 5 • 10- 3 - 31. 1 - 3
1:5 1 0-з + о:31. 10-з ::::; о, 55 ;
0 0

+
1 ,6. 1 0 -19. О,3 1 . 1 0-3 (-0,0 1 2). 1 0. 10-5
_ ~ 55 _3
В 1 ,37 1 0 23 • 293. 1,5. 10 3 (1,5 • 10 3 + 0,3 1 . 10-з) ~ -о, · IO
-

В результате приближенной оценки нестабильности коэффициент уснления


второго каскада, выполненного при помощи графика (рис. 49) и табл. 4, находим,
что при -60° С коэффициент усиления снижается примерно на 2 дб, а при
+ 60° С - возрастает на 1 дб. Точнее
оК/ = 8,68 { О,65 ln ;� +
1,6· 10-19, 0,76 1 1
- 1, з1.10-" ( 21 3 - 293 ) _
+ (-О,55. 10-3) [;�; е 1
]}
::::; _ 1,8 дб;

·
т
Значения сомножителей А ln Т и А ТO е
о [т -q
kQ т
...!...т. ) _ 1 ]
1 1 1 1 1
( _1__ -

Т0 , с -60 -50 -40 -30 -20

А ln Т/Т0

q ( 1 1 ) ·
1-1 12,76 -3,33 -2,0
1 - 1,62
1 -1,27

л[�ое-тQ т-т. -1\ -8,6 8 -8,6 8 -8,6 8 -8,68 -8,6

150
,,
oKf = 8,68 { 0,65 In
333
293
+
l,6-I0-"-0,76 1 1 )
(
+ (-0,55. 10-з) [��: е- l,37·IO-•· 333- 293 -1]} � 0,54 дб.

Суммируя нестабильности отдельных каскадов, находим общую нестабиль.


ность коэффициента усиления усилителя на нижней и верхней граничных темnе­
ратура'х:
оК;_ общ= 0,042-1,8 = -1,76 дб;
оК;. общ= 0,76 0,54 = 1,3 дб. +
Результирующая нестабильность
оКт. общ= 1 оК;_ общ 1 1 + оК;_ общ 1 = 1,76 + 1,3 � 3 дб.
При необходимости можно рассчитать нестабильность коэффициента усиления
схемы на любой температуре рабочего диапазона или на нескольких температурах
и построить график зависимости оКобщ = f (Т). Для удобства выполнения этих
расчетов в табл. 5 приведены значения входящих в формулу (6.7) сомножителей
при коэффициентах А и В для разных температур. Определив коэффициенты А
и В, по формуле (6.7) с учетом данных табл. 5 находим значения оКт при раз­
личных температурах.
П ри расчете не учитывалась нестаб ильность, обусловленна я изменением па­
раметров электролитических конденсаторов. Поэтому, фактически, определена
собственная нестабильность усилени я транзисторов. Несмотря на высокое по­
стоянство режима работы транзисторов, коэффициент усиления усилителя изме­
няется заметно -на 3 дб, причем в основном за счет изменения усиления вто­
рого каскада, значительная нестабильность которого связана с большой величи­
ной коэффициента А.
В примере 3 гл. 2 сопротивление резистора R 2 выбиралось без учета необ­
ходимости стабилизации коэффициента усиления каскада, требовалось лишь по­
лучить определенную стабильность режима. В результате оказалось, что вслед ­
ствие большого сопротивления переменному току (малое g;) во втором каскаде
. и­
проявляется прямое влияние температуры на параметры транзистора Действ
тельно, если выбрать для этого каскада g; = 1,4 мсим и, следовательно,

R; = ;; = 6 0
l,4. \0 11 ::::: 9 ом
,

Таблица 5

при различных температурах

-10
1 о 10 20
1 30
1 40
1 50 60

1 1 1 1 1
1 1 1

-0,93 -0,61 -0,29 о 0,26 0,6 0,85 1,08


1 1

-8,3 -7,55 -5,42 о 14,5 58,6 119 290


1 1

151
то его коэффициенты А� 0,006, В� - 1,5. 1O-з. Пользуясь табл. 5, опреде­
ляем относительную нестабильность коэффициента усиления каскада при -6 0
и + 6 0° С:
оК; = -2,7 6. 0,006 + (-8, 6 8) (-1,5. 1O-э) � 0,004 дб;
оК;' = 1,03 0,006 + 290 (-1,5 • 1O-э) � - 0,44 дб.
Поэтому общая нестабильность усиления усилителя на I<райних рабочих
температурах
оК;, общ= 0,052 + 0,004 = 0,056 дб;
оК;, общ= О,76 - 0,44 = 0,32 дб,
а результирующая
0Кобщ= j оК;, общ J + / оК; общ 1 = 0,376 дб.

Учитывая широкий диапазон рабочих температур и сравнительно большой об­


ратный ток коллектора используемого транзистора, полученную стабильность
усиления следует признать очень высокой.
Остается только видоизменить коллекторную нагрузку транзистора в первом
каскаде, чтобы обеспечить g; = 1,4 мсим. Для этого необходимо выполнить R2
в виде последовательно соединенных резисторов
, R2' = 690 ом и R"2 = R2 - R'2 =
= 3,3 103 - 690 � 2, 7 ком. Резистор R2 следует использовать как коллектор-
-
ную нагрузку по переменному току, а R; как элемант развязывающего фильтра.
Точка их соединения должна быть подключена к общему проводу через кон­
денсатор достаточной емкости.
При переходе к оптимальной нагрузке номинальный коэффициент усиления
усилителя при 20° С снижается. Поскольку приведенная проводимость нагрузки
g+g� возрастает в (1,5 • 10-з+ 1,4 • 10-3)/(1,5 • 1O-з+о,31 -1O-з)�l, 6 раза,
:ro во столько же раз уменьшается общий коэффициент усиления.
Схема не требует специальной настройки за исключением того, что может
появиться необходимость в изменении сопротивления резистора R;, если при
климатических испытаниях окажется, что нестабильность коэффициента усиления
выходит за пределы допуска.
Используя приведенные выше методы стабилизации, можно проектировать
транзисторные усилители с высокими качественными показателями, предназначен­
ные для работы в широком диапазоне температур. Рассмотрим несколько вариан­
,rоз практических схем усилителей и их ,технические характеристики. Особенно­
стью схем является высокая стабильность режима работы транзисторов, достиг­
нутая за счет глубокой отрицательной обратной связи по постоянному току.
Благодаря этому изменение параметров транзисторов не влияет на режим работы
схем. Для обеспечения температурной стабильности коэффициента усиления
усилителей коллекторные нагрузки в каскадах выбраны оптимальными; они имеют
примерно тот же порядок проводимости, что и входная проводимость транзистора
в следующем каскаде. Кроме того, для уменьшения влпяния температурной не­
стабильности параметров используемых в схемах электролитических конденсаторов
на коэффициент усиления применяется развязывающая цепь, конденсатор которой
соединен с эмиттером ,транзистора.
В схемах используются резисторы пша ОМЛТ, конденсаторы ,типов ЭТО и
МБМ, которые можно заменить конденсаторами :rипа К73П- 3 .
Схема двухкаскадного усилителя с непосредственной связью приведена на
рис. 50, а. Исходные режимы работы ,транзисторов: ioкl = 0,6 ма, и0к1 = 2,2 в
и i 0к2 = 1,5 .ма, и0к2 = 2,5 в, а их параметры в этих режиыах: g1 = 0,56 1,1cu,1,1,

152
80 1 = 24 ма/в, /кОI (20 ° С)= 1 мка и g2 = 0,83 мсим, S0 2 = 42,5 ма/в,
Jк02 (20° С)= 1 мка. Электрические параметры усилителя: коэффициент усиления
59 дб, входное сопротивление 1,3 ком, выходное сопротивление 2 ком, неравно­
мерность частотной характеристики в
диапазоне частот 1-27 кгц не более
3 дб, коэффициент нелинейных искаже­ -----......-R-в----0-/36
ний при выходном напряжении 1 в в диа­ 010
пазоне температур ОТ -60 ДО +60 С °

не более 5%, потребляемый ток 2, 7 ма. R, с�


2п 50,0
Экспериментально снятая зависимость
относительной нестабильности коэффи­
циента усиления схемы от температуры
приведена на рис. 50, б. При замене
-j]1t--1--t1..
с,
50,0
-�=-�
в схеме (рис. 50, а) конденсаторов Ra Cs
типа ЭТО на конденсаторы типа МБМ 4-,71! 50,0
емкостью 1 мкф коэффициент усиления
схемы снижается до 55 дб, а его ста­ oH�iJб а
бильность повышается, неравномерность
частотной характеристики уменьшаrтся а
О,
до 2 дб, остальные параметры остаются
без изменения.
Схема двухкаскадного ус илителя
с общей отрицательной обратной связью
�lt:�±3:=E:E:±:::Jt=E±:3:=E��3:::
б
по постоянному току показана на рис.
51, а. Исходные режимы работы тран- Рис. 50. Двухкаскадный усилитель с
зисторов: ioкI = 0,9 ма, и 0к1 = 3,4 в и непосредственной связью:
i0к2 = 0,8 ма, и 0к2 = 2,6 в, а их пара­ а - схема; б - кривые зависимости коэффи­
циента усиления от температуры; -- - при
метры в этих режимах: g1 = 0,69 мсим, использовании конденсаторов типа МБМ
S 0 1 = 31 ма/в, Iкol (20 ° С)= 1 мка и емкостью 1 мкф каждый, ---электроли-
тических конденсаторов типа ЭТО.
g2 = О, 72 мсим, S 02 = 26 ма/ в,
/к02 (20 С)= 1,5 мка.
°

Электрические параметры усилителя: коэффициент усиления - 57 дб, вход­


ное сопротивление 0, 9 ком, выходное сопротивление - 2,8 ком, неравномерность

-168
я,
6,Вн Рис. 51. Двухкаскадный усилитель с
общей отрицательной обратной связью
Rs с4 по постоянному току:
зн ВО.О а - схема; б - кривая зависимости относи­
тельного изменения коэффициента усиления
от температуры

дН
-0, 0-10
с 'h,,�;---.--+--t--;---,---,--,.-,.�;...,--,-
5 - о, •F--+-+--+--t--+--l-+-+--+--+--l---l'.... .:.-
50,0 -
_..._-+------+--......
о
частотной характеристики в диапазоне частот О, 1-50 кгц не более 0,5 дб,
коэффициент нелинейных искажений при выходном напряжении 1 в в ди.mа­
эоне температур от -60 до +60° С не более 5%, потребляемый ток 2 .11а.

153
Экспериментально снятая зависимость относительной нестабильности коэффициента
усиления схемы от температуры показана на рис. 51, б.
Схема трехкаскадн ого усилителя с последовательным питанием показана
на рис. 52, а. Исходные режимы работы транзисторов: коллекторные токи при­
мерно одинаковые i ок = 1 ма, и 0к1 = 3,7 в, и0к2= 3,4 в, иакз = 5 в, а их пара­
метры в этих режимах: g1 = 0,9 мсим, S 01 = 36,5 ма/в, lкol (20° С) = 1 мка;
g2 = 1,1 мсим, S02= 37,7 J.ta/в, /к02(20° С) = 1,5 мка, g3=0,43 мсим, S 08 =
= 33,5 ма/в, /коз (20° С) = 2 мка. Технические параметры усилителя: коэффи­
цпент усиления 82 дб, входное сопротивление 0,55 ком, выходное сопротивле-

-25/3
R9 tн
Св
1,0
а
8нт,оо
L--1---l---l--+-I-0,4'L--l---l--l--l--1----1-,,<+--/
L--1---1---1-...+-'--1-0,2'1--1---l--1--l--1---.L...+--I
О О - О- О + + + O+t,O •50 + С
1--Ь�--t--+-t-0,'1 ·17,2
о
Рис. 52. Трехкаскадный усилитель с последовательным питанием
транзисторов:
а - схема; б - кривая завис11мости относительного изменения коэффици­
ента усиления от температуры.

ние 4,5 ком, неравномерность частотной характеристики в диапазоне частот


5 - 85 кгц не более 3 дб, коэффициент нелинейных искажений при выходном на­
пряжении 1 в в диапазоне температур от -60 до +60° С не более 5%, потреб­
ляемый ток 2,2 ма.
Экспериментально снятая зависимость относительной нестабильности коэффи­
циента усиления схемы от температуры приведена на рис. 52, б .
Схема двухкаскадного усилителя с непосредствеиной связью показана на
рис. 53, а, а вариант двухкаскадного каскодного усилителя, также с непосред­
ственной связью,- на рис. 53, б. Обе схемы работают в экономичном режиме.
Экспериментальио снятые зависимости изменений коэффициентов усиления уси­
лителей от температуры при использовании транзисторов типа МП103 показаны
на рис. 53, в. Потребляемый схемой рис. 53, а ток составляет 25 мка, а схемой
рис. 53, б - 17 мка. Обе схемы обеспечивают усиление не менее 40 дб.
Схема четырехкаскадного усилителя с непосредственной связью между
каскадами, отличающаяся сравнительно высоким входным и низким выходным
сопротивлениями и достаточно высокой стабильностью, показана на рис. 54, а.

'154
р
Схема состоит из включенных на входе и выходе эмиттерных повто ителей на
т ранзисторах Т1 , Т 4 и двух усилител ьных каск адов на транзистора х Т2 , Т3 .
В схеме обеспечивается высокая стабильность режима работы транзисторов зt
счет глубокой межкаскадной отрицательной обратной связи по постоянному току
(по типу схемы рис. 21). Благодаря этому режим остается постоянным при зна­
чительном разбросе параметров транзисторов. При необходимости можно в широ­
н я
ких пределах изменять ток коллектора входного каскада, что очен ь важ о дл
получения низкого уровня собственны х шумов, при помощи сопротивления R1 .
Естественно, что при этом также будут изменяться и режимы работы остальнныхе
1шскадов. В цел ях обеспечения малого уровня собственных ш умов напряже и
1шллектор-эмиттер 'Гранзистора Т1 поддерживается на уровне около 1 в. Это

]'515.0 .h'615,o
Rs220н R6220X R7220н

а б
оНт' 85
1,2 J
1,,
ав /
ац Рис. 53. Экономичные двухкаскадные
sо-40-зо-20-10 о 10 20 30 4(),,50 60 70 t,"C усилители с непосредственной связью:
/ V -Ц4 rr---.. а - схема каскадного усилителя; б - схема
каскадного усилителя: в - кривые зависимо­
I z/ -ав

'
сти относительного изменения коэффициента
/ 1 -1,2
усиления от температуры для схемы а (1) и
б
/ ·l б
(2)

достигается при соответствующем включении транзистора Т2 и исп ользовании


диода Д1 • Так как падение напряжения эмиттер- база кремниевого тран зистора
Т 2 составляет примерно 0,6 в и такой же порядок имеет падение напр я жения на
электродах открытого диода Д1 , то иокl � 1,2 в.
В схеме имеется несколько цепей обратной связи по переменному '!'оку, ста­
билизирующих коэффициент усиления. Резисторы R3, R 1 и R9 являются элемен­
тами цепей индиви дуальной (местной) отрицательной обратной связи !соответст­
венно в первом, третьем и четвертом каскадах. Кроме них, в усилителе имеется
цепь общей (межкаскадной) обратной связи, образованная в результате подклю­
чения резистора R 5 между эм и ттерами транзисторов Т2 и Т4 • Это отрицатель­
ная обратная связь по переменному напряжению с параллельной подачей напря­
жения обратной связи на вход. Она уменьшает выходное сопротивление усили­
тел я и повышает входное сопротивление второго каскада, в результате чего
уменьшается его шунтирующее действие на сопротивление Rз и, следовательно,
на входное сопротивление усилител я. Поступающее на вход напряжение обрат­
ной связи выделяется на резисторе R 2 и диоде Д1 . Меняя соп ротивление резис­
тора R 2, можно изменять коэффициент усиления схемы ( коэффициент увеличи­
вается при уменьшении R 1).
155
Исходные режимы работы транзисторов в схеме: ioкl = 0,23 ма, и 0к1 = 1,2в;
i0"2 = 0, 54 ма, u 0к2 = 1, 7 в; iокз = 0, 85 ма, U окз = 7 в; i0к4 = 3, 3 ма, и 0к4 =
= 9 в. Электрические параметры усилителя: коэффициент усиления 46 дб, входное
сопротивление 30 ком, выходное сопротивление 20 ом, неравномерность частотной
характеристики в диапазоне частот 1 - 30 кгц не более 1, 5 дб, уровень шумов, приве­
денных ко входу усилителя, нагруженному на омическое сопротивление 200 ом, не
превышает О, 1 мкв в полосе пропуска­
ния 3 кгц на средней частоте 10 кгц,
- 278 потребляемый ток 5 ма.
Экспериментально снятая зави­
симость относительного изменения
коэффициента усиления схемы от
температуры показана на рис. 5 4, 6.

0'--J
С,0,1 3, ВХОДНЫЕ МАЛОШУМЯЩИЕ
КАСКАДЫ

При усилении малых си­


гналов большое значение имеет
уровень собственных шумов
входных каскадов усилителя.
Уровень шумов транзисторных­
касющов зависит от способа
их построения, режима работы
и величины сопротивления
источника сигналов. Диффе­
ренциальный (в элементарной
полосе частот) коэффициент
Рис. 54. Четырехкаскадный стабильный
усилитель с малым выходным и сравни­
шума каскада, работающего от
тельно большим входным сопротивлениями: источника сигналов с внутрен­
а - схема; б- кривая зависимости относительно­
го изменения коэффициента усиления от темпе•
ней проводимостью
ратуры.

при включении транзистора по схема с общим эмитrером опреде­


ляется приближенным выражением
Ш= 1 + [(gc + g) + (Ьс + Ь} ] Rg: + {[1 + Rкор (gc + g)] +
2 2 2

+ R�op (Ьс + Ь) } ;; , 2 (6. 1 7)

где
ь = (!)свх ,-., Sn
00
S f
,-, 2 f а = о 1;
n
(6.18)

и g - входная реактивная п активная проводимости транзистора.


156
Для уменьшения коэффициента шума каскада Ш имеется три
способа.
Первый состоит в выборе малошумящих транзисторов со срав­
нительно низкими величинами шумовых параметров R ш , Rкор и gш .
Естественно, что при этом имеются ограничения практического
характера, связанные с параметрами наиболее малошумящих, вы­
пускаемых серийно транзисторов.
Второй способ сводится к выбору соответствующих значений gc
и Ь с. Коэффициент шума Ш имеет минимальное значение при на­
стройке входной цепи в резонанс, т. е. при выполнении условия
Ьс = Ьс. опт = -Ь (6. 1 9)
и при шумовом согласовании активных составляющих проводимос­
тей источника сигналов и входной проводимости транзистора
(6.20)

- шумовой коэффициент cor ласования, зависящий только от шу­


мовых и малосиrнальных параметров транзистора. Он равен отно­
шению действующих значений шумовых напряжений на выходе
каскада при коротком замыкании и холостом ходе его входа. Вслед­
ствие частотной зависимости шумовых параметров транзистора
значение а не остается постоянным в диапазоне частот:

(6.22)

Максимальное значение амакс = 1, а минимальное


амин = ----=--- (6.23)
1 + So
g(l + S 0r 6)

Например, для транзистора П28 при токе коллектора iок = 1 ма


и средних значениях параметров амин = 0,04. Следовательно, воз­
можный диапазон изменений шумового коэффициента cor ласования
амаr<с/амин = 25. Графи:чески зависимость (6.22) для некоторых ти­
пов транзисторов показана на рис. 55.
157
При выполнении одновременно условий (6.19) и (6.20) коэф­
фициент шума каскада имеет минимальное значение:

Шмин = 1 + 2gшRкор + 2g (Rш + gшR�op) ( 1 + ½) =


= 1 + 2gшRкор + 2fт ( V U�p. кэ + V U�p. кзИ�р. хх ) , (6.24)
-2-- т-
где Ипр . кэ и Ипр. хх - квадраты деиствующего значения напряжения
u

шумов, приведенных ко входу при коротком замыкании и холос­


том ходе.
2 /,
Для приближенных расчетов
1

можно пользоваться формулой


11
0,8

0,7 1-2---2-
/7 ш мин,,...,
,-,, I +g\ . кз uпр. хх •
Ип р2kT
0,6
i/
з-/ (6.25)
/
0,5 /,/

0,4
� При невыполнении (6.19) и (6.20)
0,3
/J
/
коэффициент шума каскада рассчи­
тывают по формуле (6.17) или при
,.У помощи соотношения
0,2
,__ ----;v /
1
1
0,1
о
0,3 10 100 t,нгц
Рис. 55. Кривые зависимости шумо­
вого коэффициента согласования от
частоты для транзисторов типа:
1- П28; 2- МПIЗБ; 3- МП\5.

При выполнении предварительного расчета входных каскадов


малошумящих усилителей можно пользоваться упрощенными фор­
мулами:

(6.27)

158
Третий способ уменьшения коэффициента шума каскада состопт
в выборе соответствующего режима работы транзистора:

(6.28)

(6.29)

- минимальное значение входной проводимости транзистора.


Оптимальный ток коллектора, обеспечивающий максимальную
чувствительность усилителя, существенно зависит от проводимости
источника сигналов. При уменьшении gc он смещается в область
малых токов; при работе усилителя от источника напряжения до­
стигает максимальной величины
l.к. опт. макс = iок
, (6.30)
V280,� (g + gш)
а при работе от источника тока - минимальной

t к. опт. мня =
V 1· кэ0
О
-----�i
1 _,.
2,б (g + gш) ,..., Ок V -----
gмин
2S0,б (g + gш) '
Формула (6.31) справедлива в случае, когда можно пренебречь
(6.31)

шунтирующим действием цепи, задающей смещение на базу тран­


зистора. Если проводимость этой цепи соизмерима с проводимо­
стью gмин, то в формуле (6.31) вместо gмин следует подставлять их
сумму, в результате чего iк . опт. мин возрастает.
Из расчета по формулам (6.30) и (6.31) видно, что в зависи­
мости от проводимости ( сопротивления) источника сигналов, опти­
мальный ток коллектора для транзистора П28 лежит в пределах
0,025-0,6 ма.
Оптимальное значение коллекторного тока при выполнении ус­
ловий согласования (6.19) и (6.20) определяется соотношением

(6.32)

Использование транзисторов с низким коэффициентом шума,


выполнение условий согласования (6.19) и (6.20) и выбор соот­
ветствующего этим условиям оптимального режима работы являю­
тся основными способами повышения чувствительности усилителя.
В большинстве практических случаев проводимость источника
сигналов отличается от оптимальной, при которой достигается
159
наивысшая чувствительность усилителя. Для реализации ее источник
сигналов и усилитель соединяют входной цепью, являющейся пас­
сивным реактивным четырехполюсником. Она осуществляет согла­
сование по минимуму коэффициента шума, обеспечивая оптималь­
ную трансформацию активных (6.20) и компенсацию реактивных
(6.19) проводимостей на входе усилителя. У-параметры оптимальной
согласующей цепи должны
[З]

_iд 2 удовлетворять условиям


,

Ун= -jbc;
Yzi i, 2 laJ У,' i 1
l у;

У22 = -jb;
1

1
u1 У, Уз и2 и1 у; и2

(6.33)
1'
а
z' т'
о
Рис. 56. Входные согласующие цепи узко­
2"
-v
(У,.),.,� ± j
g g
� ;1
полосных устройств:
а - П-образная; 6 - Т-обраэная. )

Параметры У11 и У22 этой цепи обратны по знаку реактивным


составляющим проводимости источника сигналов и входной прово-
димости транзистора. Параметр У 21 оптимальной согласующей цепи·
связан с активными составляющими этих же проводимостей. Он
имеет четыре возможных значения - два действительных и два
комплексно сопряженных, что обусловливает возможность выпол­
нения цепи в нескольких модификациях.
Параметры У-11 = -jbc, l\2 = -jb, (}\ 1 )1, 2 = ±iЬопт, где Ьопт =
gcg имеет
= V а, пассивныи• реактивныи• четырехполюсник, состав-
ленный из элементов L и С. Ero простейшими, каноническими
вариантами являются П- и Т-образные схемы (рис. 56). Формулы
для расчета величин их элементов имеют вид:

У2 = ±jЬопт ; (6.34)
}\ = -j (Ь ± Ьопт);

(6.35)

160
В зависимости от выбранного знака у величины Ьопт и соотно•
шения между проводимостями Ьс , Ь и Ьопт возможны по две раз­
новидности схем П- и Т•образных согласующих цепей. Принци­
пиально Ьопт можно взять с любым знаком, и в этих случаях
входная цепь обеспечит максимальную чувствительность. Практи­
чески его выбирают, исходя из условий оптимизации согласующей
цепи, т. е. ее технологичности, количества индуктивностей в схеме,
стоимости и др.
Параметры У 11 = -ibc, У 22 = -jb, (У 21 )з. 4 = ±Ьопт имеют
также реактивный четырехполюсник, включающий реактивности
У 11 и У 22 на входе и выходе и идеальный трансформатор с опти­
мальным коэффициентом трансформации

топт
=
gc
опт
ь-
=

V-
agc
-g . (6.36)

Знак ± параметра (У21)8,4 означает возможность изменения по­


лярности передаваемого сигнала при помощи трансформатора, что
в данном случае не существенно. Практической реализацией та­
кой схемы является согласующая цепь, содержащая реальный
трансформатор и реактивности, дополняющие индуктивность на­
магничивания его обмоток и индуктивность рассеяния до величины
У11 и У22 .
»
Входную согласующую цепь узкополосного усилителя (fp/Лf
1) можно выполнять как по схеме П- и Т-образного четырех­
»
полюсника, так и по трансформаторной схеме. В первом случае
предельные трансформирующие свойства цепи т пр = 1 + Q опре­
деляются ее добротностью Q, а во втором т пр = т - конструк­
тивно выполнимым коэффициентом трансформации трансформатора.
С ростом полосы пропускания значение т пр П- и Т-реактивных
цепей снижается и уже при fp/Лf = 1 величина mпр,:;::; 1, 1. Поэтому
в широкополосных усилителях для согласования используют транс­
форматорные цепи.
Эффект, получаемый от оптимальной согласующей цепи, а сле­
довательно, и необходимость ее использования должны оценива­
ться в каждом конкретном случае. Обычно сопоставляют оптималь­
ный случай согласования, обеспечивающий максимум отношения
сигнал/шум (минимум коэффициента шума), со случаем ссгласова­
ния по мощности или случаем непосредственного подключения
источника сигналов к усилителю. Условия передачи максимальной
мощности от и�.:точника сигналов в нагрузку
Ьс. опт Р = -Ь; }
(6.37)
gc, оптР = g.
l l 240 161
Сравнивая выражения (6.37) и (6.19), (6.20), замечаем, что ус­
ловия получения минимального коэффициента шума отличаются
от условий передачи максимальной мощности, причем это различие
полностью определяется шумовым коэффициентом согласования а.
Коэффициент а (6.21) всегда меньше единицы, поэтому gc . опт (6.20)
больше g, а

топт < топтР


= V- gc
-,
g
(6.38)
причем,

-v-
-2--
4
топт = топт Р а = топт Р ипр. кз
2
• (6.39)
ипр. хх

Так как значение а уменьшаРтся с понижением рабочей час­


тоты усилителя, то 1)8.Зличие между двумя рассматриваемыми ус­
ловиями наиболее значительно именно на низких частотах. По­
этому переход на низких частотах от условий согласования по
мощности к условиям, обеспечивающим минимум коэффициента
шума, может значительно повысить чувствительность усилителя.
На сравнительно высоких частотах, где коэффициент а близок
к единице, условия максимальной чувствительности усилителя
и наибольшего усиления сигнала по мощности практически совпадают.
Уже при а = 0,5 коэффициент шума в этих двух случаях отли­
чается примерно на 10%. Поэтому по рис. 55 или формуле
f gшolo ( l )2
о (6.40)
ш = ЗRш g + Rк р
можно найти частоту, при которой а= 0,5. Если рабочая частота
усилителя f < f ш , то для повышения его чувствительности следует
выполнять условия (6.19) и (6.20), обеспРчивающие минимум коэф­
фшrиента шума. Если f > fш, то достаточно выполнить условия
согласования по мощности (6.37). Коэффициент шума каскада при
согла('овании его с источником сигналов по мощности определяется
выражением
(6.41)

Ухудшение чувствительности каскада при непосредственном под­


ключении его I< источнику сигналов можно рассчитать, используя
формулу (6.26) или общее соотношение (6.17).
162
Приведенные выше выражения справедливы для элементарной
полосы частот. Их можно использовать и для расчета шумовых
характеристик усилителей с полосой пропускания Лf = Fв - Fн,
заменив только дифференциальные параметры gш и а интеграль­
ными эквивалентами:
(6.42)

аинт = 1 '2
Rш + gш. инт ( g + Rкор)

(6.43)

Часто усилитель работает от источника сигналов с активным


внутренним сопротивлением Rc = 1/gc на сравнительно невысоких
частотах, где еще не проявляются частотные свойства транзисто­
ров. В этом случае оптимальный коэффиuиент трансформации топт
nходной согласующей цепи и минимальный коэффициент шума
Шмин устройства рассчитывают по формулам (6.24) и (6.36) с ис­
пользованием интегральных параметров gш нит (6.42) и аинт (6.43).
Если в результате расчета окажется, что величина топт близка
к 1, то можно обойтись без согласующей цепи, подключив непо­
средственно источник сигналов ко входу усилителя.
Случаи работы усилителя от источника сигналов с комплекс­
ным внутренним сопротивлением можно условно разбить на две
»
группы, отнеся к первой узкополосные (fp/Лf 1), а ко второй­
широкополосные устройства.
Входные цепи узкополосных устройств выполняются в виде П­
или Т-цепей или по трансформаторной схеме. К:оэффициенты
Шмин и т опт, как и �з предьщущем случае, рассчитывают по форму­
лам (6.24) и (6.36). Если входная цепь выполнена по трансфор­
маторной схеме, то в случае, когда реактивная составляющая про­
водимости источника сигналов имеет емкостный характер Ьс = jroCc ,
индуктивность вторичной обмотки согласующего трансформатора
должна выбираться из условия

(6.44)

11 * 163
обеспечивающего полную компенсацию реактивностей на входе
усилителя. Входная емкость транзистора определяется соотношением
свх ,_, s�
,-..,2пf,, (6.45)
'

справедливым для срзвнительно низких частот.


Если реактивная составляющая внутренней проводимости ис­
точника сигналов имеет индуктивный характер Ьс = 1/j@L c , при­
чем
(6.46)

то схема согласующей цепи остается без изменений. Однако в этом


случае условию компенсации реактивностей на входе усилителя
соответствует
(6.47)

Если соотношение (6.46) не выполняется, то для компенсации


реактивностей необходимо параллельно одной из обмоток согла­
сующего трансформатора подключить компенсирующий конденса­
тор Ск . При топт > 1 конденсатор емкостью

(6.48)

целесообразно включить во вторичную обмотку трансформатора,


а при топт < 1 - в первичную, выбрав

(6.49)

Индуктивность L 2 рассчитывают, исходя из допустимой нерав­


номерности М частотной характеристики входной цепи.
Полоса пропускания входной цепи узкополосного устройства
на уровне О, 7 независимо от способа ее выполнения определяется
соотношением

1
Лf�-
21t
(6.50)

164
при емкостном характере реактивной составляющей проводимости
источника сигналов и
Лf,;:::, 21ef�L c (gc + т�птg) (6.51)
- при индуктивном. В результате расчетов може1 оказаться, что
полоса пропускания входной цепи уже требуемой. Тогда необхо­
димо рассогласовать входную uепь, выбрав т > т опт или перейти
I< широкополосному согласованию.
Если величина т опт близка к 1, то можно обойтись без транс­
форматорного включения и применять компенсирующие индуктив­
ность L 2 или емкость Ск . Если же т опт ,;:::, 1 и, кроме того,
«
-V М"2 - 1 1, то без заметного ухудшения чувствiпельности уси­
лителя его можно подк.r�ючить непосредственно к источнику сиг­
налов.
Согласование транзисторных усилителей, имеющих широкую
полосу пропускания, с источником сигналов осуществляется при
помощи широкополосной входной uепи с трансформатором. Идея
конструирования оптимальных широкополосных согласующих це­
пей состоит в том, что реактивные элементы этих цепей и реак­
тивность источника сигналов и усилителя образуют фильтр с рав­
номерной частотной хара�<теристикой передачи. Для согласования
активных составляющих выходной проводимости этого фильтра
и входной проводимости 1 ранзистора используется трансформатор.
При очень широкой полосе пропускания входная цепь должна
содержать элементы, нейтрализующие межвитковую емкость
и индуктивность рассеяния трансформатора и, следовательно, рас­
ширяющие его полосу пропускания.
Рассмотрим случай, коrда внутреннее сопротивление источника
сигналов имеет чисто реактивный характер. Он соответствует,
например, работе усилителя от пьезоэлектрического преобразо­
вателя на частотах, лежащих значительно ниже частоты электро­
механического резонанса. В этом случае шумовые свойства усили­
теля удобно характеризовать уровнем шумов, приведенных к э. д. с.
источника сигналов. Средний квадрат напряжения этих шумов в по­
лосе частот Fв - Fн при непосредственном подключении усилителя
1< источнику сигналов определяется выражением

(6.52)

165
где С 1 - эквивалентная механическая емкость, включаемая после­
довательно с э. д. с. источника сигналов; С 2 - эквивалентная
электрическая емкость, подключаемая параллельно выходным за­
жимам источника сигналов.
При выборе оптимального тока коллектора

(6.53)

и использовании согласующего трансформатора с коэффициентом


трансформации
� 81t2F: Дf (С1 + С2)2 (Rш + gш_ интR:ор)
mопт ,-, {
F
(6.54)
2g2Rш Fн+ gш. интдf/ln /
и
- --
2
величина Е ш . инт имеет минимальное значение:
Е
-Т-- ,..., BkT
ш.
Лf
ннт ,-, -2 -
(t + С
С2)
2

(Rш + gш. интRкор),


2
(6.55)
топт l

Индуктивность L 2 вторичной обмотки согласующего трансформа­


тора выбирается из условия обеспечения входной цепью требуемой
полосы пропускания. Если

(6.56)

то завал частотной характеристики на нижней граничной частоте


Fн не будет превышать 3 дб. Однако величины индуктивности L 2 ,
определенной по формуле (6.56), может оказаться недостаточно
для обеспечения плоской частотной характеристики, условием ко­
торой является
(6.57)

Поэтому при проектировании устройс1ва необходимо рассчитать


L 2 по формулам (6.56) и (6.57) и выбра1ь большую из них.
Формулы (6.53) -(6.57) являются условиями обеспечения наи­
высшей чувствительности усилителя, имеющего полосу пропуска­
ния Fв - F н и работающего от ис1очника сигналов с чисто емкост­
ным внутренним сопротивлением. При этом необходимо учесть,
что входящие в формулу (6.53) крутизна S0 и шумовая проводи­
мость транзис тора gш . нит должны соответствовать току коллектора
166
iuк- Если в эквивалентной схеме источника сигналов емкость С 2
отсутствует, то можно получи, ь необходимые расчетные соотно•
шения, приняв в формулах (6.53) - (6.57) С 2 = О.
На уровень собственных шумов усилителя может влиять спо­
соб выполнения входного и последующих его каскадов. Отрица­
тельная обратная связь по переменному току последовательного
или параллельного типа, создаваемая включением в эмиттерную
цепь трзнзистора или в цепь база - коллектор омического сопро­
тивления, приводит к увеличению коэффициента шума устройства.
Степень ухудшения его чувствительности определяется соотно­
шением между внутренним сопротивлением источника сигналов
и сопротив.11ением обратной связи и не зависит от глубины послед•
ней Шумовые свойства устройства в этом случае можно рассчи­
тать по приближенным формулам:

Ш0 .с�ш(1+R:�J; (6.58)

Ш0. с�Ш ( 1 + ::) (6.59)

соответственно для случаев параллельной и последовательной от­


рицательной обрат!iой связи. В формулах (6.58) и (6.59) Ш -
коэффициент шума устройства без обра1 ной связи; Rc - внутрен­
нее сопротивление источника сигналов; Rэ и Ro . с - сопротивления
обратной связи. Если их величины соизмеримы с Rc, то отрица­
тельная обратная связь будет заметно ухудшать чувствительное, ь
схемы. Поэтому при проектировании высокочувствительных усили­
телей с отрицательной обратной связью необходимо стремиться
к тому, чтобы требуемая глубина обратной связи обеспечивалась
при малом Rэ и большом R0 • с в сравнении с Rэ. Для этого вход•
ные каскады усилителей целесообразно охватывать не местной,
а общей обратной связью, что позволит обеспечить высокую ста­
бильность характеристик усилителя при малом Rэ и большом Ro . 0
и, следовательно, при незначительном ухудшении отношения сиг-
нал/шум.
Усилитель имеет наибольшую чувствительность при включении
транзистора по схеме с общим эмиттером, при этом также макси­
мально используются его усилительные свойства. Поэтому во вход­
ных каскадах малошумящих усилителей, как правило, применяется
схема включения с общим эмиттером. К ней по шумовым свойст­
вам может приближаться схема с общей базой на сравнительно
низких част01ах, где сильно влияние шумов со спектром 1/f-типа,
а также схема с общим коллектором при малом Rэ в сравнении
с Rc ,
167
При определении шумовых свойств многокаскадного усилителя
обычно достаточно учитывать шумы первого и, лишь иногда, вто­
рого каскадов:
Шобщ =Ш1
ш.-1· ,
+-к (6.60)
Р1

где Ш 1 и Ш 2 - соответственно коэф:рициенты шума первого и в10-


рого каскадов; KPi - коэффициент усиления первого 1<аскада по
мощности. Если
кр1)) Ш 2 -1
, (6.61)
-ш;-

то достаточно учесть только Ш 1 , считая Ш06щ ,;::;,Ш 1 •


Пример 3. Рассчитать шумовые характеристики усилителя, входной каскад
которого собран по схеме (рис. 18). Усилитель работает от источника сигналов
с внутренним сопротивлением Rc = 10 ком (gc = 1/ Rc =0,1 AtCUAt) и имеет полосу про­
пускания О, 1 - 50 кгц. Определить наивыгоднейший режим работы входного кас­
када, в котором используется малошумящий транзистор типа П28. Его усреднен­
ные параметры на частоте f 0=1 кгц в полосе I гц и при токе коллектора iок = 0,5 ма
составляют: gшо = 1,2 мсим, S 0 = 20 ма/в, g = 0,22 мсu,н, г6 = 120 ом и fa= 2 Мец.
Пренебрегая в формуле (6. 2 8) проводимостью gмин по сравнению с gc и под­
ставляя в нее вместо дифференциального параметра gш его интегральный экви­
валент (6. 4 2)
1 . 103 5 0 1 03
gш. инт - 1, 2 • 10 -3
50 . юз_ 100
ln
100 ~
~ 0, 094 мсим,
определяем оптимальный т01< коллектора, обеспечивающий наивысшую чувстви­
тельность усилителя:

Учитывая выражения (1 . 2 5) и (1.60), пересчитываем параметры g и еш. инт


к оптимальному режиму
0 , 13 . 10 -з ~О м
- О , 22. 10 -з О,Б . 10_3
g- ~ , О 57 сим,
gш. нит = 0, 094 · 10-з оо�: .· 11i-: ::::: 0, 02 5 мсим

и по формуле (6.17), в которой Ьс :::::: Ь = О, а g ш = gш_ инт (iк_ опт>• определяем


коэффициент шума усилителя:
2ОО
' (О ' 1 · 10-3 + О ' 057 • 10-з)2 0,1 . 10 3 +
Ш = 1 -1_
0,02f>
+( + +
1 200 (О ' 1 . 10-3 о ' 057 . ю-з)J2 • нг� ~ 1 32 (1 2 дб).
U,1 · !U 3 ~ ' '
168
Кроме того, можно определить средний квадрат напряжения шумов, приве­
денных к э. д. с. источника сигналов:
- -- --2-
Еш пр = Шиш с = 4kT (F в - F 8) RсШ =
2

= 4 . 1,3 7 . 10-23 • 300 (50 . 1 03 - 100) . 10 . 103 • 1 ,32 ::::: 10,6 . 10 -12в2,

V Е� п :::::
р V1 0 ,6 · 10 12::::: 3 ,26 мкв,
а также средний квадрат напряжения шумов, приведенных ко входу усилителя,

и2 п ___
- gс_ )2_2
ш р- ( Еш. пр•
gc g +
V= и�. пр
=
g
g c g
c + v=
Et. =
О l · 10-3
пр 0 ,1 . 10 � 0 ,057
. 1 0 -з. 3,26. 10-в::::: 2 ,l ,11кв.
+
- -- -2--
Найденные значения Ш, Еш. р и иш . п определяют чувствительность усили-
2
п р
теля при непосредственном подключении его к источнику сигналов. Сравним их
с соответствующими характеристиками при использовании оптимальной согласую­
щей цепи, обеспечивающей максимум отношения сигнал/шум, и при согласовании
источника сигналов и усилителя по мощности.
По формулам (6 .43), (6. 36 ) и (6 . 24) при использовании оптимальной согласу­
ющей цепи определяем интегральное значение шумового коэффициента согласо­
вания

аинт = "1
f
200 +
0 , 0 25 . 10 3 • 200
2
0 , 16 , )
V 1
:::::

+
2
20 0 0 ,025 . 10-з
(о,uы . 10 � 200 +
оптимальный коэффициент трансформации
т . - 0, 16 · 0, l · 10
опг - v
3
::::: 0 , 0 53
0,057 · 1 о-з

и минимальное значение коэффициента шу ма


Шш мин = l +
2 · 0, 02 5 · 1 0 -з · 2 00 2 • 0,0 57 ·+ 1 0- 3 (200 + 0, 25 • 10-з х
0

х 2 002) ( 1 + /16 )::::: 1 ,175 (О,75д6).

Аналогично случаю непосредственной связи находим V Е� пр::::: 3,06 ,11кв

И Vи: пр =1,97 мкв.


При согласовании источника сигналов и усилителя по мощности по формулам
(6. 3 8) и (6.41) находим коэффициент трансформации входной согласующей цепи

1 / О 1 • 10-3
tnOПT р = r 0,057 . J0 d
::::: 1 ,33

и коэффициент шума усилителя


2
Шр = 1, 175 + О, 0 57 • 10-3 (200 + О, 025 . 10 -з . 20 Q 2) ( l - /
6
) ::::: 1, 5.

169
Аналогично случаю непосредственной связи находим V н:. пр ::::; 3,9 мкв и

V и:. пр = 2. 54 мкв.
Из сопоставления полученных результатов видно, что при непосредственном
подключении данного усилителя к источнику сигналов его шумовые характери­
.стики незначительно ухудшаются по сравнению со случаем оптимального согла­
сования, при этом чувствительность усилителя оказывается более высокой, чем
в случае согласования по мощности.
Пример 4. Рассчитать согласующую цепь и входной каскад усилителя, обес­
печивающий максимум отношения сигнал/шум на его выходе. Полоса пропускания
усилителя Лf на уровне 3 дб составляет 400 гtf, средняя частота полосы пропус­
кания fp = 2 кгц (F8 = 2, 2 кщ, F8 = 1,8 кгц). Усилитель работает от источника
-сигналов с емкостным внутренним сопротивлением gc = 0, 2 мсим, Се= 10 4 пф
и задающим током ic = 0, 5 0а. ю-
Расчет начинаем с выбора типа транзистора во входном каскаде и схемы его
включения. Учитывая диапазон рабочих частот, для получения высокой чувстви­
тельности усилителя можно использовать малошумящий транзистор типа П28
,в схеме включения с общю.�: эмиттером (рис. 18). Средние значения его парамет­
ров указаны в примере З. Расчет производим по соотношениям для узкополос­
ного усилителя.
По формуле
-
gш-gшо
!о -
-1, 2
. 10 - з .ю J-
з
- О,6мсим
7 2 10
пересчитываем шумовую проводимость транзистора к средней рабочей частоте уси­
лителя fp = 2 кгц и по соотношениям ( 6 .22) и (6.32 ) находим шумовой коэффи­

V
циент cor ласования

а= 200 + ,
06 • 10 8 • 200
2 ::::; О, 125
200 + ,
0 6 • 10-3 + 0)
( 0,2 2 � 10_8
20

и оптимальный ток коллектора транзистора входного каскада, обеспечивающий


наивысшую чувствительность усилителя в режиме согласования,
0,2 2 • 1 0-3 • 0 ,5 • 10-з
iк. опт =2 10 3 • 120 --.. О , 125 ( 0, 22 • 10-з + ,6 . 10 3) ::::;
0 2
20 0 • ма.
Пересчитываем параметры транзистора к оптимальному режиму

- О ' 22 • 10-з • · l -
0 2 о-з ~
g- 0,5. 1 0 з
О 088 мсим,
~ '
-2 0 . 1 0-з
О, 2 1 0-з ~
Sо -
0,5 . 10 з
8 ма/в,
~
.
а <�к. оп·г> = а <�к> о т
. ... / iк. опт = .12 s
V
vo, 2
0
1 0 -з
.,,. -1..,,0 з ::::; 0. 08 .
,5
,,.. -=-

По формуле (6.45) определяем входную емкость усилителя

170
Используя выражение (6.36), находим оптимальный коэффициент трансфор­
мации

топт =
Vo
08 . о 2 . 10 а
'0,088 •. 10 а
и по формуле (6. 50) проверяем, обеспе
� О, 425
чивает ли входная согласующая цепь, тре­
буемую полос у пропускания
-
О 088 . 10-з 0,2 . 10 з
д/ = 2_!_, '
2 + 0. 425
3 ' 2 кгц.
1t 250. 10-12 + 1 040,4. 15о
12 �

2 2

Так как полоса пропускания согласующей цепи (Д/ = 3, 2 кгц) шире требуе•
мой (Л/ = 2 кгц), то можно использовать цепь с оптимальным значением т = топт·
По формуле (6. 24 ) определяем коэффициент шума устройства

Ш,шн= 1 + 2 ·0 ,6, lО-з. 200 + 2 · 0,088-10-3 (200 + 0,6 10-3.200 2 ) ( 1 +


1
+ О, 08) � 1,8 ( , 2 5 дб),
находим средний квадрат шумового тока, привед
енного к задающему току источ­
ника сигналов,

i�. пр= Ш"иi�. с =


4kТgс д!Ш мин = 4 1,37 10-23• 300. 0, 2 · 10-з. 400 х
Х 1,8 � 0,23 10- 20а2;

V
i�. пр � 0, 48 · 10-10а.
Следовательно, отношение сигнал/шум на выход
е усилителя
.2
N = .21с = .,,.�"""о 25-=-з__,,\.,,.о -'"""02=): � 11 О
1ш. пр , о

vпо �
ПО МОЩНОСТИ И

VN = 10, 5
по напряжению. При необходимости можно перейти от задающего тока к э. д. с.
источника сигналов, действующей последовательно с проводимостью gc,

и определить уровень шумов, приведенных


к э. д. с. источника сигналов,

V 2
Еш. пр
=
V i:. пр 0,48 10- 10
0,24 мкв.
10_ 3
=
О, 2
=
gc
Можно найти также уровень шумов, приве
денных ко входу усилителя,

V 2
Uш.
пр
V
= ---� =
i:_ пр о,48 10- 10
0,04 htKIJ,
0 '088 10-з+о. 10 3 �
-g
2-
2
g+
c

0,4252
топт

171
Сравним чувствительность усилителя при подключении его к источнику сиг­
налов через оптимальную согласующую цепь с чувствительностью при непосред·
ственной связи. Если режим работы транзистора во входном каскаде остался
прежним (iк. опт = 0,2 ма), то, найдя предварительно
Ьс = ropCc = 2 1t · 2000 • 104 • 10- 12 � О, 125 шим
и
Ь = rорСвх = 21t · 2000 · 250 · 10-12 � 0,003 мсим
и используя формулу (6.17), при непосредственной связи источника сигналов
и усилителя получаем
Ш = 1 + [(О,2 · 10-3 + О,088 · 10- 3) 2
+ (О,12 5 · 10- 3 + 0,033 · 1 о- 3) 2 ]
:�lОо-з +
о.
+ {[1 + 2 00(0,2 • 10-з + 0,088 • 10- 3)]2 + 2002 (О,12 5 • 10-з + 0,003 Х
0,6 10-з
10-з)2 4 (6 дб)
Х J 0,2 10 ·з � .
Таким образом, минимальный коэф:рициент шума Шмин усилителя при подклю·
чении его к источнику сигналов через оптимальную согласую:цую цепь в Ш / Ш мин=
= 4/1,8 � 2 ,25 раза меньше коэффициента шума того же усилителя при непо­
средственной связи с источником сигналов. Следовательно, в последнем случае
отношение сигнал/шум по мощности на выходе усилителя оказывается меньше
в 2 ,2 5 раза, а по напряжению - в V 2 ,2 5 = 1,5 раза.
Приведенные результаты можно также сравнить с результатами, получае­
мыми при согласовании усилителя и источника сигналов по мощности, для ко­
торого по формулам (6.38) и (6.41) находим необходимый коэффициент трансфор­
мации согласующей цепи

111опт Р =

и коэффициент шума устройства


V
0,2 • 10 3
0,088 . 10 з
1,51

2
Шр= 1,8+0,овв. 10-8 (2 00+0. 24-10-з. 2 002 )(1- � ) =4,24(6,З дб),
0. 8
iк.опт
"
gш.инт (1.к.опт ) = gш.инт (1 к) Т = О • 6 · 10-з
0,2 . 10-а
0,5 . 10-а =
О• 24 с
.м uм.
Видим, что топт р значительно больше топт• существенно возрос и коэффи­
циент шума по сравнению с коэффициентом шума при согласовании, обеспечи­
вающим наивысшую чувствительность усилителя. Более того, коэф:рициент шума
ШР оказался выше, чем при непосредственной связи усилителя и источника сиг-
налов.
Установив целесообразность применения оптимальной входной согласующей
цепи, можно приступить к расчету ее· элементов. Входную цепь можно выпо.л­
нить по трансформаторной схеме или в виде П- и Т-образиых реактивных четы­
рехпо.люсников. В первом случае трансформа тор должен иметь оптимальный 1<0ЭФ·
фициент трансформации т = т 0 пт и индуктивность вторичной обмотки (6.44)
1
L2 = �О,15гn.
2( 104 . 10-12
(21t . 2000) 2 50 10-12 + )
0,425

172
Далее по топт и L2 производим конструктивный рас,rет трансформатора.
Если согласующая цепь выполнена по схеме П- и Т- образных четырехполюсников,
то для расчета их элементов необходимо в дополнение к ранее найденньш веюr­
чинам Ьс и Ь найти их произведение
ЬсЬ = 0,12 5 : 10-з . 0,003 • 10-з� 0,000375 мсtш 2
и определить
ьо пт = vgcg = vo, 2 . 10-з 0, 088 . 10 з� 0,475 мсим.
а 0,08
Используя формулы (6.34), находим проводимости ветвей П-образной соrла­
су ющей схемы:
У- 1= - j (О,12 5 • 10-з ±0,475 . 10-3);
У 2 = ± j0,475 . 10-з;
Y 3 =-j(0,003 • 10-3 ±0,475 • 10-3).

Рис. 57. Оптимальные входные согласующие цепи для рассчптанноrо усилителя:


а, 6 - реактивные П-образные четырехполюсники; в, г - Т-образные.

Если в этих выражениях перед слагаемым, соответствующим Ьоптl> выбрать


знак плюс, то
У 1 = - j0,6 • 10-з;
У 2 = j0,475 • 10-з;
}'з = - j0,478 • 10-з,
и, следовательно, }\ и У3 должны быть индуктивностями, а У2 - ем1<0стью (рис
57, а). Найдем их величины:
1
L1 = --.-=---�---�О,13 гн;
wpl Y 1 I 2.t-2000-0,6 • 10- 3
с1= / J\ / = 0, 475 • 10-з ~ 0 038 ф·
'"Р 2.t • 2000 ~ ' МК '
1 1
L2 = --. - = --------=О, 165 гн.
u:p I У 0 1 2.t · 2000 · 0,478 · 10- 3
[ели перед с лагаемым, соответствующим Ьопт• выбрать знак минус, то
У1 = j0,35 • 10-з;
}' 2 = - j0,475 • 10-з;
У3 = j0,472 - 10-з.
173
Следовательно, У 1 и У3 должн ы быть емкостями, а У2 - индуктивностью
(рис . 57, 6). При этом:
/ У 1 1 =0 , 35 10 - 3 0,028 1,1кф;
С1 = -;;;;;- 2 1t . 2000 �
L1 = --. 1 -=--- 1
----- � О, 165 гн;
3
"'Р I у 2 I 2 1t 2000 0,475 10-
10-з
=IY 3 [ = ,472 0, 0375 мкф. =
0

С2 Wp 21t 2000
Если оптимальную согласующую цепь выполнить по схеме Т-образноrо
реактивного четырехполюсника, то, используя формулы (6 . 35), можно определить
проводимости ее ветвей :
у'_ . 0 , 0003 7 5 1 0 -6-(0, 475 1 0 -3)2
1 --/ U,0 03 IU 3 ± 0 ,475 10-з
, . 0, 000375 10- 6 (0 ,475 1 0- 3)2
}2 = / -
±U. 475 10-з
., 0 , 000375 10-5 - ( 0,475 . 10 -3)2
Уа - i
=
О, 125 • 10-з 0,475 • 10-з ±
с
Здесь также во зможны два случая, соответствующие знакам плюс или мину
у 6опт·
В первом случае
y' = j0,47 · ] 0 -3;
l

У2 = - j 0 ,475 10-3;
v;
= j0, 375. 10-з
и согласующий четы рехполюсник имеет вид, показанный на рис. 57, в. Ве личины
его элементов:
_IY;I_ 0 ,47 10 -э_
0,0375 мкф, ~
С1 - --;;- - 21t 2 000
1 1
О, l7гн ;
0,475 10 -з�
=

wp/Y;i 2 1t 2 000
=
Li
с _ 1 у3' 1 _ 0, 375 10-э ~ О О
2- 2 1t 2 000 З мкф' ~ ,
ы;;- -
Во втором случае
У� = - j , 5 10 -э;
v; = j0,4 5
0 47

7 10-з;
v; = - j .6 5 . 1 -з,
0 3 0

и согласующий четырехполюсник имеет вид, показанный на рис. 57, г. В еличины


его элементов·
1
L1 = --.-, -=-------- =О, 17 гн;
WP I У11 -
21t 2000 0 , 475 10-з
• ,
= � = 0,475 10- � 0,0375 мкф;
з
С2 "'Р 2.t 2000

174
L 2 = --. ,- = -------- ::::: О, 125 гн.
1
WP I У 3 1 21t · 2000 · 0 ,635 · 10-
з

Трансформаторная схема, а также все четыре синтезированные схемы реактив­


ных четырехполюсников (рис. 57 , а - г) являются оптимальными входными цепя­
ми для данного усилителя и источника сигналов и обеспечивают наивысшую чув­
ствительность (Ш мин = 1,8).
Пример 5. Рассчитать оптимальную согласующую цепь и определить шумо­
вые характеристики усилителя, работающего от источника �игналов с емкостным
внутренним сопротивлением. Полоса рабочих частот усилителя, отсчитанная на
уровне 3 дб, составляет 100 - 1000 гц. Данные источника сигналов: Е = 100 мкв,
С1 = 1500 пф, С2 = 45000 пф.
Во входном каскаде усилителя используем малошумящий транзистор типа
П 28 и схему включения его с общим эмиттером (рис. 18). Средние значения
параметров транзистора при токе коллектора iок = 0 , 5 ма указаны в примере 2-
По формулам (6.42) и (6. 53) определяем интегральное значение шумовой про-·
водимости транзистора
оз IOOO ~
- ' 2 · 10 -а 1000 �- 100 I n
gш.инт -1 3 05
1 00 ~ ' мсuм
и находим о птимальный ток коллектора
0, 5 · 10 -а =О,2ма
i к.опт =
V 20 . 10 з <200 + 3,о5 . 1 0 3• 2002 )
Пересчитываем параметры транзистора к оптимальному режиму работы
0.2 . 10-з
g = о' 22 . 10- з U,Ь 10 з О 088 мсим;
='
_ 0,2 · 10-3
gш.инт = 3, 05 · 10 6 О,5 . l 0 8 ::::: 1, 22 мсu м.

По формулам (6. 54) и (6. 55) рассчитываем оптимальный коэффициент транс­


формации
т 81t 2 •1002 (1000-100Xl,5 -10 9+4 5 • 10-9) 2 (200+1, 22· 10 3- 2002) .
опт =V 0,l7S
2 (0 ,088·10 3)2 · 200 · IO0+l, 22 · 10 3 (1000-100)/l 1000/100
n
и уровень шумов, приведенных к э. д. с. источника сигналов.
Е2 8 · 1,37 , 10-23 ·300 (1000 -100) + 45. НГ9 2
ш.инт.мин = (1 1,5. 1 0 9) .Х
0 ,17 5 2
2
Х (200 + 1,22 1()-я • 200 ) ::::: 2 ,3 • 10-1ов2;
V Е�.инт мин ::::: 1 ,
5 2 мкв.

Следовательно, отношение сигнал/шум по напряжению на выходе усилителя


Е 100
V- = = 65
15,2 ::::: , .
N V
Е� .
ш инт.мин
Для сравнения можно по формуле (6. 52) определить уровень приведенных
шумов при непосредственном подключении усилителя к источнику сигналов

175.
2(0,088·10-8)2·200·100+
23 [ +1,22 · 10-з (1000- 100) In 1000/100 +
Ш.IШТ = 4.1 ' 37.10- _300

81t 2 • 10Q'1<(1,5 • 10 9)2

2 5· 1Dв2;
-f-- ( 1 -f- ��/�;\) (1000-100)(200-f--l ,22- I0-a.200 )] ::::: 42, 1О-

V Et. ИIIT ::::: 65 мкв


и оценить ухудшение чувствительности устройства

65' 10-0
1/-2
V Еш. инт
4• 3 ·
15,2 · 10 6 :::::
V Е �- инт. мин
Теперь следует перейти к определению индуктивности вторичной обмотки
согласующего трансформатора. В соответствии с формулами (6.56) и ( 6 .57) имеем:
0,1752
L2
> 4 • 3,142 • 1002 (1,5 • 10 9 +
45. 10 9)
1• 6 гн; ~
L
1 5 10- 9 +-
45 . 10- 9
190 гн,
� > 0,1754 (U,088 · 10 3)2 :::::

и так так L1 = L2/m�пт• то L1 > 50 гн и L{ > 6300 гн·


Итак, минимально необходимая величина индуктивности L1 = 50 гн. Однако
при ней частотная характеристика входной цепи будет иметь заметный выброс
в области нижних частот. Частотная характеристика будет монотонной, если
L1 ::::: 6000 гн. Выполнение такой индуктивности сопряжено с конструктивными
трудностями. Обычно удается выполнить сравнительно маJюгабаритный, примерно
40 Х 40 Х 30 мм3 , низкочастотный согласующий трансформатор с индуктивностью
большей обмотки порядка нескольких тысяч генри. В качестве сердечника удобно
использовать Г- или П-образные пластины из пермаллоя с высокой магнитной
проницаемостью, например, марки 80НХС. Толщина пластины 0,3 - 0,5 мм, вы­
сота набора 10- 15 мм. Обмотки можно расположить на двух каркасах, помес­
тив в каждый по 5- 7 тыс. витков (сечение провода 0,05 - 0,07 мм2).
Если конструктивно выполнимая индуктивность недостаточна и частотная
характеристш<а входной цепи имеет выброс, превышающий допустимую величину,
то следует в 1,5 - 2 раза увеличить ток коллектора транзистора входного кас­
када. Если это не приведет к желаемому результату, то нужно видоизменить схему
согласующей цепи, дополнив ее фильтром - выравниватеJiем.
ГЛАВА 7. НИЗКОЧАСТОТНЫЕ
ИЗБИРАТЕЛЬНЫЕ УСИЛИТЕЛИ

1. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
И ОСОБЕННОСТИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ
Низкочастотные избирательны� усилители (филь
начены для формирования частоrных и фазовых тры) харак
предназ­
устройств, работающих в диапазоне низких частот. терис тик
используются в системах связи с частотным разделение Они широк о
в телефонии, устройствах записи и воспроизведения звука м канал ов,
нике низкочастотного приема и анализа, анализатор , в тех­
многих других устройствах. Основная особенность низко ах спект ра и
избирательных усилителей - высокие требования к частот частот ных
зовой характеристикам. ной и фа­
Избирательные свойства усилителей формирую1ся при
пассивных элементов, величины которых зависят от частот помощи
зи с rем, что создание малогабаритной катушки индукы. В свя­
с достаточной добротностью, работающей в диапазоне низки тивности
бенно звуковых и инфразвуковых частот, связано с х, осо­
трудностями, в качестве частотно зависимых элементов больш ими
испол ьзую
RС-элементы. Однако пассивная RС-цепь имеет большие собств тся
потери и характеризуется низкими избиратель енные
ными свойствами.
Поэтому ее применяют, как правило, в сочетании с компе
щим потери активным прибором, обычно транзистором. нсирую­
бирательные усилители принято называть активными RС Такие из­
Эти усилители не содержат катушек индуктивности, -фильтрами.
нительно небольшие габариты и вес и приобретаю имеют срав­
ние в связи с микроминиатюризацией радиоэлектронно т особо� значе­
Основная задача, возникающая при проектированиий низко
аппаратуры.
ных избирательных усилителей, создание (синтез) частот­
схемы, оптимальной в том или ином смысле, и принц расче
ипиальной
элементов по заданным требованиям к его электричес т величин
теристикам. Синтез можно условно разбить на два основким харак­
На первом этапе решается задача аппроксимации ных этапа.
аналитической аппроксимирующей функции, котор - отыскание
точностью воспроизводит заданную по условиям ая с требуемой
характеристику.
12 240
177
Иными словами, на этом этапе заданные обычно в общем виде
условия, оговаривающие поведение характеристики фильтра на раз­
личных участках частотного диапазона, заменяются эквивалентной
аппроксимирующей функцией, приближенно отображающей эти же
условия. Это позволяет наложить на элементы фильтра ограниче­
ния в соответствии с коэффициентами аппроксимирующей функции
и рассчитать их величины. Так как не всякая частотная характе­
ристика может быть получена практической схемой, на аппрокси­
мирующую функцию накладываются ограничения в виде необхо­
димых и достаточных условий физической реализуемости.
На втором этапе решается задача реализации - отьтскание сово­
купности цепей, имеющих характеристики, достаточно близкие
1< аппроксимирующей функции. В связи с тем, что любой физи­
чески осуществимой функции соответствует множество электричес­
ких схем, синтез не однозначен. Обычно ищут ограниченное число
реализаций, а затем схемы оптимизируют по наиболее _подходящему
критерию, которым может бы1ь минимальное количество элементов,
чувствительность к изменению их величин и другие. -в результате
выбирае1ся одна из схем, удовлетворяющая условиям поставленной
задачи и оптимальная в смысле выбранного критерия.
Так как реализация функций высоких порядков сопряжена со
значительными трудностями, функцию раскладывают путем алге­
браических преобразований на сомножители, обычно не выше вто­
рого порядка, которые и реализуют простейшими развязанными зве­
ньями с активными элементами. При каскадном соединении таких
звеньев удается получить результирующую схему с требуемыми
свойствами, так как ее коэффициент передачи равен произведению
коэффициентов передачи исходных звеньев. Не всякая функция,
удовлетворяющая условиям физической реализуемости, может быть
получена при по,ющи практической схемы звена. Возможности про­
стых звеньев оцениваются, а схемы звеньев классифицируются по
величине р�ализуемой ими добротности. Раскладывая сложную ап­
проксhмирующую функцию на множители, нетрудно в соответ­
ствии с классификатором подобрать требуемые звенья и путем
каскадного включения их создать фильтр с требуемыми характе­
ристиками.
На практике встречаются различные способы задания исходных
данных для расчета низкочастотных избирательных усилителей.
Их можно разделить на три группы.
1. Заданы требования к частотной характеристике усилителя.
При этом фазовая характеристика усилителя особого интереса не
прщставляет, и тр�ования к ней не оговариваются. В этом случае
обычно задаются граничные частоты полосы пропускания Fн и Fв
усилителя или частоты среза, неравномерность коэффициента пере-
178
дачи аФ в полосе пропускания, граничные частоты полосы задер­
живания f 1 и f2 или частоты расстройки и минимальное затухание
ЬФ коэффициента пер�дачи в полосе задерживания.
Кроме того, в общих чертах может быть задан характер изме•
нения коэффициента ЬФ в полосе задерживания. Наприм ер, тре•
буется, чтобы на частотах расстройки затухание коэффициента
пер�дачи было не менее ЬФ и в дальнейшем с изменением частоты
монотонно возрастало. В некоторых случаях могут конкретно не
задаваться граничные частоты полосы задерживания. Тогда обычно
оговариваются трёсбования к переходной области между полосами
пропускания и задерживания.
Рассмотренный способ задания исходных данных характерен
для фильтров со ступенчатой частотной характеристикой.
2. Заданы требования 1{ фазовой характеристике усилителя
либо ее первой производной по частоте - характеристике времени
замедления. При этом специальных требований к частотной харак­
теристике усилителя не предъявляют. Желательно только, чтобы
в полосе рабочих частот схема обеспечивала достаточно равномер­
ную передачу сигналов и не вносила значительного затухания.
В этом случае обычно задаются граничные рабочие частоты Fн
и Fв , угол сдвига фаз <р0 между напряжениями на входе и выходе
усилителя на одной из этих частот либо время замедления t 0 , до­
пустимое отклонение Л �р фазовой характеристики от линейной либо
отклонение времени замедления Лt 0 и допустимое затухание (не­
равномерность) коэффициента передачи в рабочей полосе частот.
Рассмотренный способ задания исходных данных характерен
для линий задержки, имеющих линейную фазовую характеристику
и, следовательно, постоянное в рабочей полосе частот время замед­
ления.
3. Заданы требования только к частотной характеристике, ко­
торая отличается от ступенчатой, или заданы требования только
· к фазовой характеристике, которая отличается от линейной. Эти
способы задания исходных данных характерны соотве1ственно для
амплитудных или фазовых выравнивателей (корректоров), относя­
щихся к цепям с произвольными частотными или фазовыми харак­
теристиками.
Иногда задаются требования одновременно к частотной и к фа­
зовой характеристикам. Например, в фазовых фильтрах предъяв­
ляются требования к ступенчатой частотной характеристике в поло­
сах пропускания и задерживания, а также к линейной фазовой
характеристике в полосе пропускания. Особую группу составляют
случаи, когда предъявляются требования одновременно к частотной
и к фазовой характеристикам, причем первая из них отличается
от ступенчатой, а вторая - от линейной.
12* 179
Ниже приводятся методы проектирования усилителей, требования
к которым заданы первым и вторым способами. Усилители, требо­
вания к которым задаются третьим способом, относятся к специаль­
ным избирательным цепям и здесь не рассматриваются.

2. АППРОКСИМАЦИЯ ЧАСТОТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК


УСИЛИТЕЛЕЙ

Нормированная частотная характеристика идеального фильтра


имеет вид квадрата со сторонами, равными единице, перекрываю­
щего полосу пропускания, а фазовая характеристика линейна и,
следовательно, время замедления не зависит от частоты. Идеальные
характеристики не могут быть реализованы реальной цепью. Однако
можно создать фильтр, характеристики которого приближаются
к идеальным с заданной степенью точности. Для этого необходимо
построить приближающуюся функцию, т. е. рецшть задачу аппрокси­
мации.
Аппроксимирующие функции являются дробно-рациональными
функциями комплексного переменного р. Они описываются корнями
числителя и знаменателя, соответственно называемыми нулями
и полюсами аппроксимирующей функции. Нули и полюсы могут быть
действительными или комплексно сопряженными, причем нули могут
располагаться как в левой, так и в правой частях комплексной
плоскости р, а полюсы- только в левой ее части.
Если все нули лежат в левой части плоскости р, то между час­
тотной и фазовой характеристиками усилителя имеется однозначная
связь. Такая схема называется минимально фазовой, и в ней не­
возмощно произвольqо задать две указанные характеристики. Если
хотя бы один нуль коэффициента передачи схемы находится в пра­
вой части плоскости р, то она называется неминимально фазовой.
Такие схемы могут иметь одинаковые частотные характеристики
при различных фазовых. Усилитель, нули коэффициента передачи
которого расположены в правой части плоскости р и являются зер­
кальным отображением расположенных в левой части полюсов, имеет
изменяющуюся с частотой фазовую характеристику и постоянный
�одуль коэффициента усиления на тех частотах, где еще не проявля­
ются паразитные эффекты. Такой усилитель называется фазовым
звеном.
Для удобства и наглядности нули и полюсы изображают гра­
фически на комплексной плоскости. Нули изображаются кружками,
полюсы - крестиками. Совокупность изображенных нулей и полю­
сов, представляющих аппроксимирующую функцию, называется кар­
той функции.
180
В общем случае нуль и полюс могут иметь действительную и
мнимую координаты. Поэтому комплексно сопряженные пары полю­
сов можно записать в виде
(7 .1)
Комплексно сопряженная пара полюсов характеризуется собст­
венной частотой
Ос. п =Vaк
2 +wк2 (7.2)
и добротностью

(7.3)
Действительный полюс характеризуется только собственной час­
тотой. Аналогичные оценки вводятся и для нулей функции.
Для того чтобы сделать расчеты универсальными, частоту нор­
мируют делением текущей частоты w на частоту нормировки.
В качестве последней в фильтрах нижних и верхних частот выби­
рают частоту среза юс, а n полосовых и режекторных - частоту,
равную соответственно протяженности полосы пропускания или ре­
жекции. Осуществив нормирование, решают задачу аппроксимации
в нормированной частоте. Затем выполняют денормирование и на
этапе реализации используют денормираванную частоту для опреде­
ления величин элементов схемы.
Рассмотрим аппроксимацию частотной характеристики фильтров
нижних ичастот.о кая аппроксимация частотной характеристики.
а а
М кс м льн плос
Один из возможных способов приближенного представления идеаль­
ной ступенчатой частотной характеристики - аппроксимация ее глад­
кой (монотонной) функцией в ОI<рестностях некоторой точки, обычно
О= О. Такая аппроксимация дает хорошее приближение функции
в точке О= О. По мере удаления от нее погрешность аппроксима­
ции возрастает и достигает максимального значения на границе
полосы пропускания.
Из всех монотонных кривых одного и того же порядка наилуч­
шее приближение ступенчатой частотной характеристики обеспечивает
дробно-рациональная функция. При операторной форме записи ее
числителем является единица, а знаменателем - полином Баттер­
ворта. Такая функция называется максимально плоской, а фильтр,
частотная характеристика которого представлена этой функцией, счи­
тается аппроксимированным по Баттерворту и иногда называется
просто фильтром Баттерворта.
Модуль максимально плоской функции на частоте О= О (р =
= jO = О) равен единице. По мере увеличения частоты он снижа-
181
ется и на границе полосы пропускания, где норv1ированная частота
Q = 1 (р = j), имеет минимальную в�личину по сравнению с его
значением на других частотах полосы пропускания. При дальней­
шем увеличении частоты модуль монотонно уменьшается, причем
степень уменьшения его существенно зависит от порядка функции .
Максимально плоская функuия, аппроксимирующая идеальную сту­
пенчатую частотную Уарактеристику, и карта ее полюсов и нулей
приведены на рис. 58.
Полюсы максимально плоской функции располагаются в левой
части комплексной плоскости р на полуокружности единичного
радиуса симметрично относи­
ю. теJiьно действитсЛьной оси и
отделены друг от друга рав­
ными угловыми расстояниями.
1
1,0
В табл. 6 приведены коордР.­
т,,. 1
'1-..
наты полюсов этой функции
0,6 1 �

0.2
о
1
1 --
1---.
степени п от 1 до 10 и нерав­
но:,,1ерности в полосе пропу­
1.0 fl
скания щ = 3 дб. Из табл. 6
следует, что максимальная до­
Рис. 58. Максимально плоская функция, бротность (7.3) полюсов макси­
аппроксимирующа;� идеальную частотную мально плоской низкочастот­
характеристику, и карта ее полюсов и ной функции
с1епени не выше
нулей. 1-0 приблизительно состав-
ляет 3,2.
Относительное затухание коэффициента передачи, аппроксими­
рованного по Баттсрворту, при расстройке от граничной частоты
определяется выражением

ЬФ = 10 lg [1 + (1oi - 1) g2п] --а,р, дб, (7.4)


где
(7.5)

Полюсы максимально плоской функции,

: п
1 2
1 3
1 4
1 5

-0,707±j0,707 -1,0 -0,383±j0,9� -1,0


Полюсы -0,S±j0,866 -О,924±j0,ЗК -0,309±j0,951
-0,809±j0,58E

182
- безразмерная частота, равная отношению ·частот расстройки w и
среза UJc.
При аФ = 3 дб можно пользоваться приближенным выражением
ЬФ � 20n \g О, дб, (7.6)
а при октавных расстройках (О = 2)
ЬФ � 6n, дб/окт. (7.7)
Необходимая степень функции, обеспечивающей заданную не­
равномерность аФ и требуемое затухание ЬФ, определяt:тся по фор­
муле

(7.8)

В широко распространенном частном случае аФ = 3 дб формула


(7 .8) упрощается:
(7.9)

В формулы (7.4), (7.8) и (7.9) следует подставлять значения


коэффициентов аФ и ЬФ, выраженные в децибеллах. Координаты
полюсов функции при неравномерности аФ ;f::. 3 дб можно опреде-
лить по q:орму ле
, vn 1, 16
Рк = аф
Рк, (7.10)
1010 -1

где Рк - координаты полюсов максимально плоской функции, ука­


занные в табл. 6.
Таблица б
аппроксимирующей частотную характеристику

-0,259±j0,96{ - 1 ,0
7
[ 8
1 9
1 10

-0, 1 95±j0,981 -1,0 -0, 156±j0,988


-0, 707 ± jO, 707 -0,223±j0,97f -0,556±j0,83 1 -0, 1 74±/0,985 -0,454±j0,891
-0,966±i0,259 -0,623±j0,782 -0,831±j0,556 -О,БОО±iО,866 -0,707±i0,707
-0,901±i0,434 -0,98l±j0,195 -0,766±j0,642 -0,891 ±i0,454
-0,940±i0,34� -0,988±i0,156

183
Равноволновая апп роксимация частотной характеристики. Макси­
мально плоская аппроксимация плохо воспроизводит спад идеальной
характеристики в области О = 1 (рис: 58). Если аппроксимацию
выполнить немонотонной кривой, то можно добиться небольшого
и равномерного отклонения в по­
лосе пропускания и более рез­
кого спада характеристики в пе­
реходной области.
Наилучшую аппроксимацию
немонотонной кривой обеспечи­
вает дробная функция, числите­
о лем которой яв.1яется зависимый
от п коэффициент, а знамена­
телем - выражение, связанное
Рис. 59. Равноволновая функция, ап­ с полиномом Чебышева. Такая
проксимирующая идеальную частотную функция
характеристику, и карта ее полюсов называется равновол­
и нулей. новой, а фильтр, частотная ха­
рактеристика которого предста­
влена этой функцией, считается аппроксимированным по Чебы­
шеву и называется просто фильтром Чебышева.
Модуль равноволновой функции в пределах О< О< 1 является

' Полюсы равноволновой функции,

А 2

-0,549±j0,895 -0,494
3

1
4

-0,140±j0,983 -0,289
5

-0,247±j0,966 -0,337 ±j0,407 -0,089±j0,990


-0,234±j0,61�

-0,402±j0,813 -0,369 -О,015±J0,9Ы -0,218


-0, 184±i0,923 -0,253±j0,39'i -0,067 ±i0,973
2 -0,177±i0,602

-0,322±i0,777 -0,299 -0,085±j0,947 -0,178


-0,149±j0,904 - 0,206±j0,392 -0,055±j0,966
3 -0,!44±j0,597
i
1
184
колебательной непериодической функцией, принимающей п + l раз
чередующихся максимальных, равных единице, и минимальных,
отличающихся от единицы на допустимую nеличину, значений. На
частоте среза О= 1, т. е. на граничной частоте полосы пропускания,
модуль коэффициента передачи снижается до минимально допустимой
величины. При дальнейшем увеличении частоты модуль монотонно
уменьшается и степень этого уменьшения зависит от порядка фун­
кции.
Равноволновая функция сп= 4, аппроксимирующая идеальную·
ступенчатую частотную характеристику, и карта ее полюсов и нулей
приведена на рис. 59.
Полюсы равноволновой функции располагаются в левой части
комплексной плоскости р на полуовале эллипса, большая ось кото­
рого совмещена с осью jw. В табл. 7 приведены координаты полюсов
этой функции для значений пот 1 до 10. Сопоставляя данные табл. 6
и 7, можно установить, что добротность полюсов равноволновой
функции значительно выше, чем максимально плоской при одина­
ковых п и аф.
Относительное затухание коэффициента передачи, аппроксими­
рованного по Чебышеву, при октавной расстройке (О= 2) опреде-
Таблица 7
аппроксимирующей частотную характеристику

6 7 8 9 \О

-0,062±j0,993 -0,205 -0,035±j0,996 -0,159 -0,022 ± j0,99E


-0,170±j0,727 -0,046±j0,995 -0,100 ± j0,845 -0,028± j0,997 -0,065 ± j0,900
-0,232 ± j0,266 -0,128±j0,79E -0,149±j0,564 -0,080±j0,877 -0,101 ±i0,714
-0,185±j0,443 -0,176± j0,198 -0,122±j0,651 -0,128 ±j0,45�
-0,150±j0,34E -0,141±j0,15E

-0,047±i0,982 -0,155 -0,026±j0,990 -0,121 -0,017±j0,993


-0,128±j0,719 -0,034±j0,987 -0,075±j0,839 -0,021 ±j0,992 -0,049 ±i0,896
-O,l 75± j0,263 -0,097±j0,791 -0,113±j0,561 -0,060 ± j0,872 -0,077±j0,711
-0,140± j0,439 -0,133±i0,197 -0,090±i0,647 -0,097 ±i0,457
-O,l 13±i0,34E -0,107±i0,157

-0,038±j0,976 -0,126 -0,022±j0,987 -0,098 -0,014±j0,992


-0,104 ±j0,715 -0,028± j0,983 -0,061 ±i0,837 -0,017±j0,990 -0,040±j0,894
-0,143 ± j0,262 -0,079±j0,7&8 -0,092±j0,559 -0,049±j0,870 -0,063±j0,710
-O,l 14±j0,437 -0,108 ±i0, 196 -0,075 ±i0,646 -0,079 + j0,45G
-0,092 ±i0,344 -0,087:f j0, 157

185
ляется приближенным выражением

ЬФ � 6n + 6(n-1) + 10 lg(10�: - 1), дб/окт. (7.11)


Необходимая степень п функции, обеспечивающей неравномер­
ность аФ и затухание Ь Ф, определяется по формуле
Ьф
10 10 - l
1g 2 + ...!_2 1 g йф
ю iо -1
п > ------===- (7 .12)
\g (Q + V� 2 - 1) •
В формулы (7.11) и (7 .12) необходимо подставлять значения
коэффициентов аФ и Ь Ф, выраженны� в децибелах.
Изоэкстремальная аппроксимация частотной характеристики.
Идеальную ступенчатую частотную характеристику можно аппрок­
симировать кривой, колеблющейся как в полосе пропускания, так
и в полосе задерживания. Наилучшие результаты в этом случае
,обеспечивает дробная функция, числитель и знаменатель которой
в операторной форме записи являются полиномами комплексного
переменного р и связаны с дробью Золотарева. Такая функция
.называется изоэкстремальной, а фильтр. частотная харакrеристика
которого представлена этой функцией, считается аппроксимирован­
ным по Золотареву и называется просто фильтром Золотарева
(иногда эллиптическим или фильтром Кауэра).
Модуль изоэкстремальной функции в пределах О < О < 1, ана••
логично равноволновой функции, непериодически колеблется п + 1
раз между чередующимися максимальным, равным единице, и ми­
нимальным, отличающимся от единицы на допустимую величину,
значениями. На частоте среза О = 1 модуль снижается до мини­
мально допvстимой величины.
На интервале 1 <О, 1/k, где
. °'с
k=stn6=­! (7.13)
"'c2
-- отношение граничных частот полос пропускания юс 1 и задержи­
вания юс 2, модуль коэффициента передачи монотонно снижается.
На интервале 1/k <О, со функция вновь приобретает непериоди­
ческий волнообразный характер, причем наибольшЕе по абсолютной
.величине ее значение является минимально возможным и не пре­
вышает некоторой гарантированной величины. Вследствие этого
затухание коэффициента передачи аппроксимированного по Золота­
реву фильтра в полосе задерживания (О > 1/k) будет большим, чем
у других фильтров с теми же значениями п и ЬФ.
186
Изоэкстремальная функция с п = 4, аппроксимирующая идеаль­
ную ступенчат ую частотную характеристику, и карта ее полюсов
приведены на рис. 60. Нули изоэкстремальной функции размеща­
ются на оси jO, а ее полюсы располагаются в левой части комплекс­
ной плоскости на полуовале эллипса, аналогично полюсам равно­
волновой функции.
Относительное затухание коэффициента передqчи, аппроксими­
рованного по Золотареву, при октавной расстройке определяется
приближенным выражением

ьФ�6n+l2(n-l)+to1i1o�t -1),аб. (7.14)


Необходимая степень п функции, обеспечивающей неравномер­
ность аФ и затухание Ь Ф, определяется по формуле
о

10:: - 1 ) к
r 6, ..::.2 )
lg 2 + Ig (7.15)
п > 2/ 4 �
(, 10 10 _ 1 к l оо - 6, 2 ;
1t

'

В фор:\-lулы (7.14) и (7.15) необходимо подставлять значения


коэффициентов аФ и ЬФ , выраженные в децибелах. Значения вхо-
Дflщих в форvrулу (7 . 1 5) т
эллиптических интегралов :;
к (о' ; ) и к
190 J - 0, ; )
Рз,'
'
Р, 1
при различных величинах мо­ ,,
дульного угла 0 = arcsin k :•,,
приведены в табл. 8. В табл. 9 -о
приведены координаты нулей*
и полюсов этой функции для
значt::ний степени п от 2 до 5 о
и модульного угла О, отсчи­
танного через 5 ° от О до 90 °.
Аппроксимация усилителей, проксимирующая идеадьную функция,
Рис. 60. Изоэкстремадьная ап­
использующих одинаковые рактеристику, и карта ее подюсов и нулей.
частотную ха -

звенья. Рассмотренные выше


способы аппроксимации частотной характеристики усилителей явля­
ются оптимальными в том смысле, что при плоском, волнообразном
и изоэкстремальном представлении характеристики полученные ап­
про:<симирующие функции имеют наименьший возможный порядок.
Полюсы этих функций отличаются координатами, добротностью и

"' Нули функции не имеют действительной часги II по этому признаку их


легко отличить в табл. 9 от полюсов.

187
Таблица 8
Отношение эллиптических интегралов К ( б, ; ) / К ( 9О -- б, ; )
Ф

пр и различных величинах моду льного угла


к (в, ; ) к (в. ;
в, град k в.град k )
к (90° - в. ; ) к (90° - в. ; )

6 0,088 0,411 50 0,766 1,083


10 0,174 0,502 55 0,819 1,175
15 0,260 0,577 60 0,866 1,279
0;343 0,647 65 0,906 1,400
25 0,423 0,714 70 0,940 1,565
- 30 0,500 0,782 75 0,966 1,732
35 0,574 0,851 80 0,985 1,992
40 0,643 0,923 85 0,996 2,435
45 0,707 1,0

собственными частотами, поэтому реализующие их активные звенья


также различны, а их количество при данном способе аппроксимации
минимально.
При проектировании выпускаемой в больших количествах аппа­
ратуры решающим фактором может оказаться не минимальное число
звеньев в усилителе, а их унификация, уменьшение номенклатуры
комплектующих элементов, сокращение настроечных операций.
В этом случае усилитель можно выполнить из одинаковых звеньев,
которые будут иметь одинаковый технологический цикл и настраи­
ваться на получение одних и тех же характеристик. Для обеспечения
заданной избирательности такой усилитель должен содt'ржать больше
звеньев, чем фильтр Баттерворта, Чебышева или Золотарева.
Кроме удобств производственного характера, выполнение усили­
теля из одинаковых звеньев сравнительно низкой добротности
существенно облегчает решение задачи реализации, особенно в тех
случаях, когда другие виды аппроксимации приводят к функциям
с полюсами высокой добротности.
Необходимое количество звеньев определяется по формулам
Ь' Ь'
nзв = 10ф или nзв - 13ф
соответственно для максимально плоской или равноволновой аппрок­
симации. Значение b,i, необходимо подставлять в децибелах. Найдя
требуемую неравномерность звена аФ = а,i,/nзв , при помощи табл. 6
и формулы (7.10) при максимально плоской или табл. 7 при равно­
�олновой аппроксимации устанавливают координаты полюсов звена
с n=2.
188
Преобразование частоты. Выше рассмотрена аппроксимация час­
тотной характеристики фильтров нижних частот и найдены коорди­
наты их нулей и полюсов. Применяя преобразование частоты, эти­
ми данными можно воспользоваться для аппроксимации частотных
характерщтик фильтров верхних частот, полосовых и режекторных,
которая выполняется следующим образом. По исходным требованиям
к этим фильтрам строится низкочастотный прототип. Затем, в за­
висимости от выбранной аппроксимации, описанным выше способом
определяют координаты полюсов и нулей низкочастотного прото­
типа и, выполняя обратное преобразование, находят координаты
нулей и полюсов исходного фильтра.
Низкочастотный прототип фильтра верхних частот имеет такую
же неравномерность аФ коэффициента передачи в полосе пропуска­
ния и ту же частоту среза wc , что и исходный фильтр верхних
частот. Остается неизменной и нормированная частота расстройки,
на которой необходимо обеспечить требуемое затухание ЬФ , При
переходе к высокочастотной функции каждый полюс р = Рп низко­
частотной функции преобразуется в полюс р' = 1/Рп высокочастот­
ной функции и нуль в начале координат, а каждый ее нуль
z = zm -в нуль z' = 1/zm и полюс в начале координат, т. е.

р-
- рп
-{рz '=:п; .
(716)
' = О;
l
Z= z т-
,
z --·
{ р'=О.
- Zm' (7.17)
Низкочастотный прототип полосового фильтра имеет частоту
среза wc, равную полосе пропускания Лш полосового фильтра, и нерав­
номерность частотной характеристики в полосе пропускания не более
аФ. Он должен обеспечи1ь требуемое затухание Ь Ф на частоте рас­
стройки, равной разности частот расстройки полосового фильтра.
При переходе к полосовой функции каждый полюс р = Рп
низкочастотной функции преобразуется в два полюса р 1 ,2 полосовой
функции и нуль z в начале координат, а каждый ее нуль z = zm -
в два нуля z,, 2 и полюс р в начале координат, т. е.

п
!
р = Р - Р1,' 2 _ 2п
- Р

z' ""'О;
± V 2
Рп
"'
4 - ( Дw
ер
)2
,, (7.18)

z=zm -!zi, 2 = z2
р'=О,
± V z;-(:�)\ (7.19)
где Шср - средняя частота полосы пропускания.
189
г
Нули и полюсы �зозкстремалыюй функ1(ии,
k 0,088 0,260 0,343

йф,
дб
5 о 15 20
,

2 ±il6,2ll ±i8,ll3 ±i5,417 ±i4,072


-0,548 ±i0,897 -0,544±j0,903 -0,538±j0,912 -0,529±j0,925

±jl3,242 ±i6,6 37 ±i4,442 ±/3,350


3 -0,185 -0,254 -0,304 -0,345
-0,092±j0,881 -0,124±j0,89E -0,145±j0,907 -0,159±j0,920

±j29,934 ±jl4,951 ±j9,94S ±j7,442


1 ±il2,416 +iб,226 ±i4,l72 +i3,15l
4
-0,337 +j0,408 -0,338+j0,41l -0,340+j0,416 -0,343+j0,442
-0,139j:j0.984 -O,l38±j0,984 -0,135:±)0,985 -O,l32±j0,986

±il9,49t ±j9,74S ±i6,500 ±j4,875


±il2,06� ±i6,06l ±14,05 6 ±i3,0 65
5 -0,lll -0,16 1 -0,180 -0,204
-0,089± j0,592 -0,12l ±j0,598 -О,143+/0,6 04 -O,l60 ±j0,6 12
-0,034± i0,957 -0,046 ±j0,96 2 -0,053±i0,967 -0,058±/0,972

2 ±j16,2l l ±j8,llc ±j5,417 ±i4,072


-0,40l±j0,815 -0,399±j0,818 -0,396 ±j0,82fi -0,391 ±i0,834

±i13,242 ±i6, 637 ±i4,442 ±j3,350


3 -0,126 -0,176 -0,213 -0,245
-0,063±j0,873 -0,086 ±j0,881 -0,102±j0,889 -O,l 14±j0,897

2 ±j29,934 ±/14,95] ±i9,949 ±i7,442


4 ±jl2,416 +i 6 ,226 ±i4,172 ±i3,15l
-0,254+j0,398 -0,254+i0,400 -0,256 + j0,404 -0,259+j0,410
-0, 104± j0,958 -0,103:±-i0,95� -0,102±j0,96 0 -0,099± J0,96 1

±il9,496 ±j9,749 ±i6,500 ±i4,87E


±il2,0 62 ±i6,061 ±i4,056 ±/3,0 6 5
5 -0,07 6 -0,106 -0,146
-0,127
-0,0 6 1±J0,590 -0,084±j0,594 -0,101±i0,599 -0,114±/0,6 06
-0,023 ±i0,954 -0,032±j0,957 -0,038 ±i0,970 -0,04l±i0,9 6 3

190
Таблица 9
аппроксимирующей частотную характеристику
0,423 0,5 11 . .547 0.643 0,707

25 30 35 40 45

j:j3,267 ±i2,732 j:j2,352 ±i2,067 j:jl,848


-0,516±j0,94 I -0,499±j0,95r, -0,478::!:- j0.980 -0,451 ±i1,002 -0,418±jl,024

j:j2, 70(· j:j2,270 ±jl,967 ±jl,742 ±jl,571


--0,383 -0,419 -0,456 -0,494 -0,536
-0,168±/0,932 -0,172±j0,944 -О 172 :t: i0,956 -0,169± j0,967 -0.16lj:j0,97t.

±j6,14E ±i4,92� ±14,196 ±j3,646 j:j3,214


:t:j2,54:::C ±j2.14( ±jl,862 j:jl,654 ±jl,497
-0,335±j0,42l -0,351 ±i0 44:С -0,356 ±j0,45( -0,363±j0,474 -0,369±j0,494
-0,121 j:j0,982 -0.12l±j0.91-9 -0.115±j0.99 -0.107±j0,992 -0,099±j0,995'

±i3,900 ±i3,25! ±j2,7bt ±i2,43t ±i2,166


±i2,477 ±i2,089 ±i1,81'i ±jl,617 ±jl,46E
-0,226 -0,246 -0,270 -0,286 -0,308
-0,173±j0,62: -0, 183 ±j0,635 -0,192±i0,64� -0.198±j0,666 -О,::ОЗ±jО,685
-0,060±j0,971 -0,062±j0,981 -0,061 ±i0,98: -0,060±j0,987 -0,057 ±j0,990

±jЗ,267 ±j2,732 ±i2,352 + ·2 067


_J' ±il,848
-0,384±j0,845 -0,375±j0,859 -0,364 ±i0 ,87F -0,349±i0,892 -0,331±i0,912.

±i2,70() ±i2,270 ±jl,967 ±il, 742 ±il,571


-0,274 -0,301 -0,329 -0,357 -0,387
-0,121 ±j0,90: -0.126±j0,914 -0,127±j0,924 -0,126±j0,934 -0,123±j0,943

±i6,l4f ±i4,922 ±j4,19( ±i3,646 ±i3,214


±j2,543 ±j2,14 3 ±jl,862 ±il,654 ±il,497
-0,250 ±j0,406 -0,264±j0,427 -0,268±j0,439 -0,272 ± j0,453 -0,277±j0,470
-0,090±j0,959 -О.090±j0,96Б - 0,088±i0,961' -0,082±j0.97 ! -0,076±j0,974

±jЗ,900 ±j3,251 ±j2,786 ±/2,438 ±i2,166


±/2,477 ±i2,089 ±il,817 ±il,617 ±il,465
-0,163 -0,179 -0,194 -0,210 -0,227
-0,125±j0,61E -0, 134±j0,62E -0,141±j0,6 3i -0,146±/0,663 -0,151±/0,671
-0.044±i0,966 -0,046 ±i0,969 -0,045±j0,97: -0,044±j0,976 -0,042±j0,979

191
4 г-
k 0,088 o.�!iQ

аф•
дб 5 о 15 о

2 ±i16,211 ±j8,113 ±i5,417 ±j4,072


-0,322±j0,7 78 -0,32l±j0,781 -0,318±j0,787 -0,315 ±j0, 794

±jl3,242 ±i6,637 ±i4,44� ±i 3,350


3 -0,098 -0,137 -0,167 -0,193
-0,049±j0,871 -0,067 ±i0,876 -0,080±j0,881 -0,090±j0,888

±j29,934 ±i14,951 ±J9,949 ±j?,442


3 ±j12,416 ±i6 ,226 ±j4, 172 ±j3,15 1
4 -0,206±j0,393 -0,206 ±i0,395 -0,208±j0,399 -0,209 ±j0,404
-0,085±j0,947 -0,084±i0,947 -0,083±j0,948 -0,08l±j0,950

±j 19, 49б ±i9,7 4� ±i6,500 ±i4,875


±i 12,062 ±i6,0 6i ±i4,056 ±i3,065
5 -0,058 -0,082 -0,010 -0,115
-0,047 ± j0,590 -0,066 ±i0,593 -0,079±j0,597 -0,090 ±i0,604
-0,018±j0,953 -0,025±j0,955 -0,029 ±j0,957 -0,033±j0,960

i
K 1-
0,766 0,866 0,906

50 5 60 б5

2 1 ±jl,6 73 1 ±jl,531 1 jl,414 ±jl,316


-0,379±jl,044 -0,334±jl,06 ! -0,285±jl,072 1 -0,233±jl,076

±jl,43 7 ±jl,3 30 ±jl,245 ±jl,16 7


3 -0,583 -0,636 -0,700 -0,775
-0,150± J0, 989 -0,136 ±J0,998 -0,118±jl,006 -0,093±jl,014

±j2,86 3 ±j2,571 ±j2,321 ±j2,101


1 ±jl, 374 ±jl,278 ± f 1,201 ±jl,1 40
4
-0,377± j0,520 -0,385 ±j0,550 -0,392±j0,588 -0,399±j0,634
-0,089 ± J0,998 -0,079±j1,000 -0,068±jl,002 -0,055±jl,003

±jl,948 ±jl,769 ±jl,61 8 ± jl,490


±jl,348 ±jl,256 ±jl, 183 ±Jl,126
-0,332 -0,359 -0,391 -0,429
-0,207 ± j0,708 -0,207±j0,7 34 -0,203± j0, 764 -0,197 ±j0,798
-0,052±j0,992 -0,047 ±j0,995 -0,041 ±j0,997 -0,03 4 _t j0,999

192
1-
Продолжение табл. 9
0,423 0,5 0,643 0,707

. 25 30 5 40 45

±i 3, 267 ±i2,732 ±i2,352 ±i2,067 ±il,848


-0,31О± j0,8 03 -0,304±j0,815 -0,296 ±i0,829 -0,287±i0,844 -0,274±j0,86l
-
±i2,700 ±i2,270 ±il,967 .:til,742 ±il,571
-0,216 -0,239 -0,261 -0,284 -0,308
-0,096±j0,89E -O,!OO±j0,902 -O,l02±j0,9l0 -O,l02±i0,9 19 -O,lOOj:j0,928

±i6,146 ±i4,922 ±i4,l96 ±i 3,646 ±i3,214


±i2,543 ±j2,l43 ±il,862 ±il,654 ±il,497
-0,203 ±i0,399 -0,214±} 0,420 -0,217±i0,431 -0,221 ±i0,444 -0,225 ±i0,460
-0,073 ±} 0,949 -0,075±j0,954 - 0,072±}0,951 -0,067±i0,961 -0,063±i0,964

±i3,900 ±i3,251 ±}2,786 ±i2,438 ±}2,166


±i2,477 ±i2,089 ±il,8 17 ±jl,617 ±il,465
-0,129 -0,142 -0,155 -0,168 -0,18 2
-0, 099±j0,612 -O,l06±j0,6 22 -0,113 ±j0,634 -0,118±} 0,648 -0,l22±j0,664
-0,035 ±i0,962 -0,040 ±j0,965 -0,036±}0,968 -0,036±/0,971 -0,034±}0,974

0,940 0,966 0,985 0,996

70 75 во 85

±Jl,233 1 ±jl,162 1 ±fl,100 ±jl,047


-O,l80±jl,073 -0,12 9±jl,062 -0,081±jl,046 -0,038±jl,025
±jl, 119 ±jl,074 ±il,040 ± jl,014
-0,875 -1,002 -Ц73 -1,423
-0,076±jl,Ol5 -0,053±jl,0 15 -O,OЗO±jl,012 -0,011±jl,006
±il,904 ±jl,720 ±jl,54 1 ±jl,349
±jl,092 ±jl,055 ±jl,027 ±il,008
-0,402±j0,693 -0,396±jO, 767 -- 0,371±j0,862 -0,294± j0,976
-0, 043±jl,004 - 0,030±jl, 005 -O,Ol7±jl,004 -0 ,006±Jl,00 2
±jl,378 ±il,278 ±jl,187 ±jl,100
±il,081 ±jl,047 ±jl,022 ±/ 1,006
- 0,476 -0,541 -0,637 -0,813
- 0,186±j0,837 - 0,168±j0,881 -O,l 38±j0,929 -0,090±j0,979
-0,027 ±jl,000 -O,Ol9±jl,OOI - 0, 0ll±jl,001 -0,004± il,00 1

13 240
193
k 0,766 0,819 0,866
-
аф, дб
50 55 60

2 ±jl,673 ±jl,531 ±jl,414


-0,309 ±j0,932 -0,283±j0,952 -0,251± j0,971
---
. -±jl,437 ±jl ,330 ±jl,245
-0,420 -0,457 -0,500
-0,116±j0,954 -0,107±j0,964 -0,096 ±i0, 973

±j2,863 ±j2,571 ±j2,321


2 ±jl,374 ±il,278
4 ±il,201
-0;283±j0,491 -0,289±j0,517 -0,295±j0,548
-0,069±j0,977 -0,062±j0,981 -0,054±j0,985

±jl ,948 ±il,769 ±jl,618


±j l,348 ±jl,256 ±jl,183
5 -0,245 -0,265 -0,289
-0,154 ±j0,691 -0, 155±j0,715 -0,154±j0,742
-0,040 ±j0,982 -0,036±j0,985 -0,032±j0,988

2 ±jl,673
-0,259±j0,880
±il ,531
-0,240±j0,900
1
1
±jl,414
-0,218±j0,921

±jl,437 ±jl,330 ±i l ,245


3 -0,334 -0,363 -0,397
-0,095±j0,938 -0,089±j0,948 -0,080±j0,958

±j2,863 ±i2,571 ±i2,321


3 ±jl,374
4 ±jl,278 ±jl ;201
-0,229±j0,479 -0,234±j0,502 -0,239±j0,530
-0,057 ±i0,968 -0,051:tj0,972 -0,044±j0,977

±il ,948 ±jl,769 ±il,6 18


5
±jl,348 ±il,256 ±il, 1 83
-0,197 -0,214 -0,232
-0,124±j0,684 -0,126±j0,706 -0,125±j0,732
-0,032±j0,977 -0,030±j0,980 -0,026±j0,984

194
Продолжение табл. 9

0,906 0,940 0,966 0,985 0,996

65 70 75 80 85

±fl,316 ±jl,233 ±jl,162 ±jl,100 ±jl,047


-0,216±j0,988 -0,176±j1,001 -0,133±jl,009 -0,088±jl,012 -0,043±jl,009

±jl,167 ±jl,119 ±jl,074 ±jl,040 ±jl,014


-0,547 -0,613 -0,692 -0,799 -0,955
-0,077 ±j0,986 -0,066±j0,990 -0,048±j0,996 -0,030±jl ,ООО -0,012±jl ,001

±j2,101 ±jl,904 ±jl,720 ±jl,541 ±jl,349


±jl,140 ±jl,092 ±jl,055 ±jl,027 ±jl,008
-0,301 ±j0,585 -0,305±j0,633 -0,306±j0,693 -0,295 ±j0,773 -0,254±j0,882
-0,045 ±j0,989 -0,035±j0,992 -0,025 ±jO,996 -0,015±j0,998 -0,006±jl,OOO

±/1,490 ±jl,378 ±Jl,278 ±jl,187 ±jl,100


±j!,126 ,±-jl,081 ±jl,047 ±jl,022 ±jl,006
-0,316 -0,349 -0,395 -0,460 -0,574
-0,151±/0,773 -0,143±J0,809 -0, 132±j0,85l -0,112±/0,898 -0,077 ±j0,952
-0,027 ±j0,991 -0,021±/0,994 -0,015 ±/0,996 -0,009 ±/0,998 -0,004±jl ,ООО

±j!,316 ±jl ,233 ±/1,162 ±il,100 ±/1,047


-0,191±/0,941 -0,160±/0,960 -0,124±/0,976 -0,085±j0,989 -0,043±/0,997

±Jl,167 ±Jl,11 9 ±Jl,074 ±jl,040 ±jl,014


-0,432 -0,483 -0,542 -0,621 -0,737
-0,065 ±J0,972 -0,057±j0,977 -0,042±/0,986 -0,027 ±/0,993 -0,012,:tjO, 998

±j2,IOI ±jl,904 ±/1,720 ±Jl,541 ±/1,349


±j!,140 ±Jl,092 ±jl,055 ±/1,027 ±jl,008
-0,244±/0,564 -0,249±J0,607 -0,250±j0,661 -0,245.:tj0,734 -0,217±/0,836
-0,037±j0,982 -0,030±/0,986 -0,022±/0,991 -0,013±/0,995 -0,005 ±J0,998

±/1,490 ±jl,378 ±il,278 ±jl,187 ±11,100


±Jl,126 ±il,081 ±il,047 ±jl,022 ±jl,006
-0,254 -0,281 -0,316 -0,366 -0,454
-0,123±/0,762 -0,118±/0,796 -0,109:t:i0,837 -0,093±/0,884 -0,066± j0,939
-0,022±/0,987 -0,018±j0,990 -0,013±j0,994 -0,008±/0,996 -0,003±/0,999

13 * 195
Низкочастотный прототип режекторного фильтра имеет частоту
среза ще , равную полосе режекции Лщв режекторного фильтра,
и неравномерность частотной характеристики в полосе пропускания
не более аФ, Он должен обеспечивать требуемое затухание ЬФ на
частоте расстройки, равной разности частот расстройки режектор­
ного фильтра.
При переходе к режекторной функции каждый полюс р = Рп
низкочастотной функции преобразуется в два полюса р1, 2 и два
комплексно сопряженных нуля z1. 2, лежащих на оси j�. Анало­
гично преобразуется и ее нуль z = zm, в результате получаем два
нуля z1. 2 и два комплексно сопряженных полюса pi, 2, -лежащих
на оси jщ, т . е.
, __1_ + _1_ _ (l)ep " .
PI' 2 - 2р п -

1 V . �
4 2 (л(l)J '
Р = Рп-+ (7.20)
+. (1)ер. Р"

j, _
, 2-
Z1, - - f-д(1) ,
В

1 -. / 1 (l)e 2
(Д(l)p ) ,,
-+
Z1, 2-
2Zm ± V �- в
, +. (1)ер
Z=Zт т (7 .21)
Р1.2 = - 1 д(I) ,
в

где Лщв - полоса вырезывания (режекции); щер - ее средняя час­


тота.
Денормируют полюсы умножением их нормированных коорди­
нат на частоту среза ще или полосу пропускания (режекции)
Лш (Лшв) соответственно в· фильтрах нижних и верхних частот или
в полосовых и режекторных фильтрах.
Выбор способа аппроксимации - один из наиболее важных этапов
синтеза. От т ого, насколько у дачно сделан выбор, зависит стабиль­
ность характеристик, сложность реализованной схемы, а часто и сама
возможность практической реализации ее. Нельзя указать одно­
значный критерий выбора способа аппроксимации, поэтому его
производят на основании учета совокупности следующих факторов.
Наиболее ярко выражены избирательные свойства фильтра,
аппроксимированного по Золотареву. Он имеет наиболее узкую
переходную область при равных условиях, причем его коэффициент
передачи на некоторых частотах полосы задерживания равен нулю.
Одна ко частоты затухания коэффициента передачи чередуются
с частотами всплеска, поэтому зат ухание, создаваемое при значи­
тельной расстройке фильтром Золотарева, может оказаться меньше,
чем у фильтров Баттерворта и Чебышева, имеющих монотонный
характер затухания.
196
Аппроксимации по Чебышеву и Баттерворту обеспечивают оди­
наковую скорость нарастания затухания коэффициента передачи
фильтра в полосе задерживания. Однако абсолютное затухание
на равных частотах существенно больше у филь1ра Чебышева,
и следовательно, он имеет более узкую переходную область, чем
фильтр Баттерворта. Различие в эффективности фильтрации приво­
дит к тому, что одни и те же требования реализуются с наимень­
шим п при аппроксимации по Золотареву. При аппроксимации по
Чебышеву степень п функции меньше, чем в случае аппроксимации
по Баттерворту. Поскольку с увеличением п схема усложняется,
то можно сделать заключение о сложности фильтра при соответ­
ствующем способе аппроксимации. Фазовая характеристика фильтра
Баттерворта более линейна, чем фильтра Чебышева, у которого
она, в свою очередь, более линейна, чем у фильтра Золотарева.
В тех случаях, 1югда предъявляются высокие 1ребования к уни­
фикации узлов аппаратуры, можно воспользоваться простой аппро­
ксимацией и выполнить усилитель из одинаковых звеньев. Если
выбранный вид аппроксимации приводит к полюсам высокой доб­
ротности, реализация которых связана с практическими трудностями,
следует перейти к более простой, например, максимально плоской
аппроксимации, либо использовать в усилителе одинаковые звенья.
При этом добротности полюсов аппроксимирующей функции будут
меньшими.
3. АППРОКСИМАЦИЯ ФАЗОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
УСИЛИТЕЛЕЙ

Максимально плоская аппроксимация фазовой характеристики.


�налогично приближенному представлению частотной характери­
стики фазовая характеристика усилителя также может аппрокси­
мироваться гладкой функцией в окрестности некоторой точки, обычно
Q = О. Из всех монотонных кривых одного и того же порядка
наилучшую аппроксимацию линейной фазовой характерисrики обес­
печивает функция, у которой при операторной форме защrси чис­
лителем является зависящий от п коэффициент, а знаменателем­
полином Бесселя. Поэтому фильтр, линейная фазовая характеристика
которого представлена максимально плоской функцией, считается
аппроксимированным по Бесселю и иногда называется просто фильт­
ром Бесселя.
Кривая, аппроксимирующая по Бесселю линейную фазовую ха­
рактеристику, соответствующая ей зависимость времени замедления
от частоты и карта полюсов и нулей приведены на рис. 61, а, б, в.
Полюсы функции располагаются в левой части комплексной плос­
кости р на полуовале, причем расстояния по вертикали между
197
двумя соседними полюсами одинаковы, а угловые расстояния раз­
личны. Координаты полюсов указаны в табл. 10 для различных
значений степени п. Чем выше порядок аппроксимирующей функ­
ции, тем точнее она воспроизводит линейную фазовую характе­
ристику в интервале частот. Кривые дают хорошее приближение
вблизи О = О. По мере увеличения частоты погрешность аппрокси­
мации возрастает. Одновременно возрастает и неравномерность час­
тотной характеристиR"и qшльтра Бесселя. В связи с этим порядок п
jn
Рз/(-----
1 1
/ 1
/ 1

/--+----
/ 1
Р1
/1 1

а
о о .n

Рис. 61.Максимально плоская аппроксимация идеальной фазовой харак­


:rеристики:
а - фазовая характеристика; б - характеристика времени замедления; в - карта
потосов и нулей функции.

аппроксимирующей функции выбираIQт исходя из допустимого от­


клонения фазовой характеристики усилителя от линейной или вре­
мени замедления Лt 0 от постоянного значения t0 и, если это тре­
буется, неравномерности аФ частотной характеристики в рабочем
диапазоне частот. На рис. 62, а, б приведены кривые, по которым
можно определить необходимую величину п по заданным Лt 0 , аФ
и частоте
(7.22)

Полюсы максима.11ьно пдоской функции,

п
1 2
1
-l,500±j0,866 -2,322
3
1 4

-2,896±j0,867 -3,647
1 5

-l,839±jl,754 -2,104±j2,657 -3,352±jl,743


Полюсы -2,325± j3,57 l

198
При аппроксимации фазовой характеристики усилителя в каче­
стве нормирующей величины выбирают время замедления t0 • По­
этому денормирование производится умножением координат полюсов
или их собственных частот на частоту ffio = 1/t 0 •
Равново.11Новая аппроксимация фазовой характеристики обеспечи­
вает небольшую и равномерную погрешность приближения в ра­
бочем диапазоне частот. В этом случае аппроксимирующая функция
в анащпической форме записи представляет собой дробь, числи-

п=ZЗ45 578 910

4 t--+-++-+--+-f+-+---Н-+--+-1

3 1--+--++-+-+---Н-----+--++-+-+--1

о l,!.L.c...,,.,c_i_,.,c__.c_�.:::.....,�-__J
2 4 6 n 2 З 4 n
а о
Рис. 62. Аппроксимационные характеристики максимально
плоской функции:
а - отклонение времени замедления; б - неравномерность коэффициента
передачи.

телем которой является зависящий от п коэффициент, а знамена­


телем - выражение, связанное с первой производной чебышевской
рациональной функции по частоте.
Координаты полюсов функции приведены в табл. 11 для раз­
личных значений степени п и частоты расстройки Q (7.22).
Таблица 10
аппроксимирующей фазовую характеристику

6
1
-4,248±j0,868 -4,972
7
1 8

-5,588± j0,868
1 -6,297
9
1 10

-6,922±j0,868
-3,736± j2,626 -4,758±jl,739 -2,839±j6,354 -6,129±jl,738 -3,109±j8,233
-2, 516± j4,493 -4,070 ± j3,517 -4,368±j4,414 -5,604±j3,498 -6,615±}2,612
-2,686±j5,421 -5,205± j2,616 -4,638±}5,317 -5,967 ± j4,385
-2,979 + j7,291 -4,886 ± jб,225

199
Полюсы равноволновой функции,

0,1 0,2 0,5


о
1 d±jm о d±jm о d±jm

1
1 1

2 0,516 \-1. 45 6±j0.892 I 0,613 l-1.438±j0.902 I 0,768 l-1. 4 02±j0 .923

-2,077 -2,015 -1,909


3 1,381 \-1,679±il ,909 1 1,548 \-1,638±il,948 1 1,7 99 ,-1,569±j2,0l5

1
1
-1:79S±j3,05 0 -l,74 0 ±i 3,l 21 -l,650±j 3,235
4 2,460 \ -2, 359±jl,0 30 1 2,680 ,-2,26l±jl,059 1 3 0, 00 1-2, 105±il ,105

-2,65 8 -2,519 -2, 308


5 3,66 0 -1,865±i4,28 0 3,92 0 -1,798±/4,3 31 4,294 -l ,695±H,536
-2,505±j2,184 -2, 384±j2,245 -2,199±i2,3 37

-1,9 09±j5,574 -l,8 36±j5,7 0J -J,724±j5,891


6 4,936 -2,59J-t-j3,426 5,229 -2,456±i 3,5J5 5 ,644 -2,253 ± j 3,646
-2,812±jl,158 -2,648±jl ,189 -2 ,406±j\ ,23 4

-2,970 -2,780 -2,5 04


-l,9 39±j6,913 -1,86l±i7,062 -l,74 3±j7,281
7 6,264 -2,646±/4,628 6,584 -2,501±/4 ,842 7 ,0 32

1
-2,287±j5,006
-2,902± j2,4 03 -2,72 3±i2,46 3 -2,461 ±i2, 546

-1, 961± j8, 285 -J,879±i8, 45 4 -l ,757±j8,698

! 8 7,630
-2,684±j6,07 4
-2,961 ±/3,709 7,971
-2, 5 33±/6,209
-2,77 /±jЗ,79 3 8,448
-2,Зll±j(i,402
-2,496±j3,909

f
-3,062±/1,247 -2,855±jl,274 -2,560±il,313

r
-3,155 -2,9 3 2 -2,617
-1,977±/9,683 -l,893±f9,868 -1,7 67±/10,1 35
9 9,021 -2,711 ±i1 ,45 1 9, 382 -2,556±j7 ,605 9,885 -2,327±/ 7,823
-3,00l±i5,05 7 -2,80 3±j5,162 -2 ,521±j5,306
-3,122±i2,554 -2,904±12,605 -2,596±/2,67 6

-1,99()±/11,101 -1,90 3±/11,30] -J,775±jll, 558


-2,733±/8,85 3 -2,572+i9,023 -2,340±/9,263
10 10,435 -3,0 3 1±/6,4 37 10,813 -2,826±/6,56 0 11,337 -2,538±/6,7 28
- 3 ,163±j 3,9 04 -2,938±i 3 ,976 -2,621±i4,074
-3,215±il, 307 -2,981±/1,33 1 -2,653±jl,364

200
Таблица 11
аппроксимирующей фазовую характеристику

1,0 2,0 5,0 10,0

1 d±im
1 d±jm
1 d±jm
1 d±im

I I I
о о о о

, 11 l-l,3 63±j0,946 1,D78 l-1.309±i0 . 979 l,344 ,-1,20 4±il,04 2 1,584 1-1,092±i1. J1l

1
0 9

-1,806 -1,680 -1,470 -1,277


2,0 15 -1,502±i0,080 1 2,255 ,-l,418±j2,16 1 1 2,61 6 \-1,277±i2,296 2,928 ,-1,139±i2,429

-l,567±i3,339
3,2 68 -1,964±j1

-2,12 6
-1 . 4 68±j3. 4 60
,14 6 I 3,558 \-l,800±il,192

-1,923
l -1.308±i3.653 -1,158±j3,834
3 983 l -1 ,546±jl ,262 I 4 • 345 ,-1,323±jl,324

-r , 6 22
,
-1,369
, -1,603±/4,672 4,9 28 -1,495±i4,826 5,40 2 -1,325±i5,06 4 5,80 2 -l, 169±j5,283
-2,038±i2,414 -1,856±i2,500 -1,579±i2,624 -1,343±i2,732
4 600

-l ,625±j6,05 3 -1,512±i6,234 -1,33 6±i6,508 -1,176±i6,758


5,980 -2,080±j3,755 ,338 -1,88 6±i3,872 ,850 -1,5 97±i4,039 7,282 -1,354 ±i4,18 3
-2,202±il ,270 -1,879±il,309 -1,655±il,363 -1,389±il,408
6 6

-2,278 -2,034 -1,688 -1,409


-1,640±/7,466 -1,52 4 ±/7,670 -1,343±/7,985 -1,180±/8,252
7,394 -2,106±/5,141 7,77 6 -1,905±i5,283 8,320 -1,609±i5,486 8,779 -l,36l±i5,660
-2,244±i2,613 -2,010±/2,682 -l, 673±j2,778 -1,400 ±i2,860

-1,651±i8,903
--2,123±/6,558
-1,532±i9,125
-1,918±j6,722
I -1,348±/9,457
-1,617±/6,954
-1,184±/9,757
-1,366±/7,15 4
8,831 -2,271 ± /4 , 000 ,233 -2,029 ±i4,095 , 4 -l,6 8 5±j4,22 6 10,288 -1,407±- j4,338
-2,320±jl,3 43 -2,06 6±/1 ,374 -l,707±il ,416 -1,420±il,45 2
9 9 80

-2,363 -2,097 -1,725 -1,431


-1,660 +/10,357 -1,538±/10,596 -1,352±j10,950 -1,187±ill,273
10,285 -2,136±i7,997 1 0,706 -1,928±/8,180 11, 300 -1,6 23±/8,437 11,805 -1,369±i8,661
-2,289±/5,419 -2,043±/5,535 -1,693±/5,695 -l,412±i5,832
-2,347±/2,731 -2,085±i2,787 -1,718±/2,863 -1,4 27±i2,929

-1,6 66 ±/11,824 -1,5 43±j12,0 78 -I ,355±j12,453 -1,189±/12.795


-2,14 6±/9,453 -1,9 35±/9,6 53 -1,627±i9,932 -1,372-±:il0,176
11,753 -2,30 2±/6,859 12,18 9 -2,05 2±/6,993 12,804 -l,698±i7 ,17 9 13,32 9 -l ,416±i7,341
-2,366±i4,150 -2,099±j4,227 -1,726±/4,332 -1, 4 31±/ 4 ,4 23
-2,390±/1,388 -2,11 6±jl, 4 13 -1,736± il , 448 -1,439±jl, 4 78

201
Кривая равноволновой аппроксимации линейной фазовой характе­
ристики, соответствующая ей зависимость времени замедления от
частоты и карта полюсов и нулей приведены на рис. 63, а, б, в.
На интервале О< О< 1 кривые являются колебательными непериоди­
ческими функциями, принимающими п + 1 раз чередующиеся мини­
мальные и максимальные значения, отличающиеся на допустимую
величину. На граничной частоте О = 1 функции имеют минималь­
ное значение в полосе рабочих частот и при дальнейшем увели­
чении частоты изменяются монотонно. Интервал аппроксимации
существенно зависит от п, причем с ростом п он увеличивается.
Лl
Рз ,f---­
l1
'1
/ 1
/ 1

1 ­
r, -г
, 1
Р, 1
,,
lo
-G
1
1
1
1
а
а�-----5-----;-----п.

Рис. 63. Равноволновая аппроксимация идеальной фазовой характе­


ристики:
а - фазовая характеристика; б - характеристика времени замедления; в - кар•
та полюсов и нулей.

Неравномерность аФ амплитудной характеристики усилителя


при равноволновой аппроксимации его фазовой характеристики уве­
личивается по мере возрастания диапазона рабочих частот и при­
ближенно может быть оценена по кривым (рис. 62, 6).
Порядок п аппроксимирующей функции определяется следующим
образом. Вначале по табл. 1 О устанавливают значение п, соответ­
ствующее заданному отклонению Лt0 времени замедления и час­
тоте расстройки О (7 .22), найденной по известной частоте среза ro c ,
Затем по рис. 62, 6 устанавливают значение п, обеспечивающее
требуемую неравномерность аФ частотной характеристики, и выби­
рают большее из п.
Аппроксимация усилителей, использующих одинаковые звенья.
Постоянное время замедления t 0 с допустимым отклонением Лt0
в полосе рабочих частот можно получить также и в усилителе,
выполненном на однотипных звеньях. Количество звеньев в таком
усилителе будет больше, чем в усилителе, фазовая характеристика
202
которого аппроксимирована максимально плоской или равноволно­
вой функциями. Однако при серийном производстве аппаратуры
это может окупаться удобствами, которые дает использование иден­
тичных звеньев.
Фазовая характеристика звена аппроксимируется максимально
плоской или равноволновой функциями второго порядка (п = 2).
При этом фазовая характеристика всего усилителя не будет макси­
мально плоской или равноволновой.
В случае плоской аппроксимации времени замедления усили­
теля, выполненного на идентичных звеньях, для определения ко­
личества звеньев и их параметров предварительно находят нор­
мированные частоты О по формулам

Лt о + V 4Дt о -3 (Лt о ) 2
Q' = 1./
JI (7.23)
2(1-Лtо )

-. / , 4 а Q' (7.24)
и О"';::!, V 0 21t�ofo,

где t 0 -время замедления всего усилителя; Лt 0 -_относительное


отклонение времени замедления; аФ -допустимая неравномерность
частотной характеристики усилителя в децибелах; fc - частота среза
(граничная частота рабочей полосы).
Выбрав меньшее из найденных значений О, определяют необ­
ходимое количество звеньев в усилителе:
21tfofс
= (7 .25)
nэв v-зQ
Если при расчете nэв получится дробным, то его следует округ­
лить до ближайшего целого числа и после этого найти время за­
медления одного звена
(7.26)

Нормированные координаты полюсов звена берутся из табл. 1 О


для п = 2. Денормирование их производится умножением координат
или собственной частоты на ffi;
= 1/t� .
Аппроксимация фазово характеристики фазовой функцией. Рас­
й
смотренные выше способы аппроксимации фазовой характеристики
усилителя при помощи функций минимально фазового типа при­
водят к заметной неравномерности частотной характеристики в ра­
бочей полосе час1от. Практически обычно оказывается, что фазовая
203
характеристика усилителя в полосе частот еще достаточно линейна,

о
а частотная уже недопустимо искажена. Если для аппроксимации
воспользоваться функцией неминимально фазового типа
п

кФр( ) = f (-р) =
Т{р)
Рк-ТJ
рк +Р' (7 .27)
=1

называемой просто фазовой функцией, то частотная характеристика


усили'rеля будет равномерной на тех частотах, где еще не про­
являются паразитные эффекты, а фазовая характеристика - моно­
тонной. Ее характер полностью определяется полиномом f (р) знаме­
нателя. Создаваемое в этом случае усилителем замедление в два
раза больше, чем при аппроксимации функцией минимально фазо­
вого типа Kri, (р) = f (р). Нули функции (7.27) являются зеркальным
отображением полюсов на правую полуплоскость р. Координаты
ее соответствующих нулей и полюсов различаются знаком и имеют
одинаковые собственную частоту и добротность.
Строят фазовую функцию следующим образом. Уменьшив в два
раза заданное время замедления и выбрав соответствующий вид
аппроксимации, описанным выше способом определяют параметры
и координаты полюсов. Затем изменяют знаки координат полюсов
· и получают координаты нулей.
Преобразование частоты. Выше рассмотрена аппроксимация фа­
зовых характеристик усилителей в диапазоне частот О, fc, Приме­
няя преобразование частоты, этими данными можно воспользоваться
для аппроксимации фазовых характеристик усилителей, которы,'?
обеспечивают требуемое время замедления в полосе рабочих час­
тот Fн , Fв,
По исходным требованиям строят низкочастотный прототип,
имеющий такие же значения t 0, Лt 0 и аФ, По формуле
(7.28)

определяют нормированную г раничную частоту прототипа и, вы­


брав способ приближения, аналогично предыдущему аппроксимируют
его фазовую характеристику и находят координаты полюсов р. За­
тем, использовав преобразование частоты, определяют координаты
полюсов по формуле
р' = р ± j,rc (Fв + Fн) t 0• (7.29)

Денормирование координат полюсов производится умножением


их нормированных значений на частоту w 0 =1/t 0 •
204
При выборе способа аппроксимации линейной фазовой характе­
ристики необходимо учитывать, что равноволновое' приближение
более эффективно, чем максимально плоское, и ему может соответ­
ствовать усилитель с меньшим количеством звеньев.
Кроме того, следует учитывать и влияние усилителя с фазо­
вой характеристикой, имеющей различный характер отклонения
от линейной, на форму сигнала. Искажение импульсного сигнала
на выходе усилителя с фазовой характеристикой, плавно отклоня­
ющейся от линейной, заключается в уменьшении крутизны нарас­
тания (увеличении длительности переднего фронта) и появлении
паразитных выбросов до 25% от амплитуды основного сигнала.
Сигнал на выходе усилителя, фазовая характеристика которого
имеет малые колебательные отклонения от линейности, повторяет
форму входного импульса . сигнала, но несколько меньше его по
амплитуде. Однако к нему добавляются два небольших эхо-сигнала,
один из которых опережает основной сигнал и и меет противопо­
ложную с ним полярность, а другой отстает от него и имеет оди­
наковую с ним полярность. Е сли амплитуду основного сигнала
на выходе усилителя принять за единицу, то амплитуды эхо-сиг­
налов будут составлять половину произведения отклонения времени
замедления Лt 0 на период Лfк колебаний отклонения фазовой ха­
рактеристики. Временной сдвиг между основным и эхо-сигналами
определяется величиной 1/Лfк. При большом периоде колебаний
фазы и при протяженности сигнала большей 1/Лfк эхо-сигналы
будут накладываться на основной сигнал и искажать его форму [3].
В импульсной технике оба вида искажений создают помехи,
а в телевидении приводят к появлению повторных изображений.
Как при максимально плоской, так и при равноволновой аппрок­
симации фазовой характеристики усилителя может оказаться, что
для обеспечения требований к неравномерности частотной характе­
ристики в рабочей полосе частот необходимо количество звеньев
выбрать достаточно большим, тогда как для выполнения требований
к отклонению времени замедления можно взять значительно меньше
звеньев. Различие в количестве звеньев особенно ощутимо при
малом аФ. В этом случае можно воспользоваться фазовыми функ­
циями для представления линейной фазовой характеристики. При
малом количестве звеньев применение данной аппроксимации может
оказаться нецелесообразным вследствие сравнительной сложности
активного фазового звена.
Если ко личество звеньев в усилителе при максимально плоской
аппроксимации его фазовой характеристики получается небольшим,
а к усилителю предъявлены требования в части унификации его
узлов, то можно выполнить схему на идентичных звеньях, вос­
пользовавшись приведенной аппроксимацией.
205
4, СХЕМЫ АКТИВНЫХ
И ПАССИВНЫХ RС-ЭВЕНЬЕВ

В результате рассмотренного выше решения задачи аппроксима­


ции известны координаты полюсов и нулей коэффициента передачи
усилителя. Дальнейшее проектирование сводится к построению схемы.
реализующей коэффициент передачи. Для этого используют кас­
кадное включение соответствующих развязанных RС-звеньев, функ­
ционально полный набор которых приводится ниже. Величины эле­
ментов звеньев выбирают такими, чтобы координаты реализуемых
ими нулей и полюсов с практически допустимой погрешностью совпа­
дали бы с координатами нулей и полюсов аппроксимирующей функ-

;n
Р, 'г
1
1
1
U6x -G 1 U 6x
1
1
с "'""
Р2
а о
Рис. 64. Принципиальная схема и карта полюсов и нулей активного RС-звена
с 2Т-мостом:
а - нижних; б - верхних частот.

ции, т. е. определяют величины элементов звеньев из условия по­


мещения полюсов и нулей их коэффициентов передачи в соответ­
ствующие точки комплексной плоскости.
Звенья нижних и верхних частот с настроенным 2Т-мостом.
Схемы звеньев, выполненные на основе эмиттерного повторителя,
и реализу�мые ими карты полюсов и нулей показаны на рис. 64, а, 6.
Сопротивление резистора R4 эмиттерной цепи выбирают, исходя
из допустимого падения на нем напряжения источника питания

(7.30)

где i0к - исходный ток коллектора; Икэ - напряжение коллектор -


эмиттер. Обычно R4 = (3 + 15) ком.
Сопротивление R выбирается из условия R < 4R4 и обычно на­
ходится в пределах 5 - 50 ком. Емкость С конденсаторов рассчиты­
вают по формуле
(7.31)

206
где {с.п - собственная частота полюса, найденная в результате ре­
шения задачи аппроксимации.
Если рассчитанное значение С неприемлемо, например, оно не
соответствует стандартной шкале емкости, то задаются подходящим
значением С и, используя формулу (7.31), определяют R.
Напряжение смещения на схему рис. 64, а можно подать от
средней точки делителя R', R" или непосредственно с выхода пре­
дыдущего каскада. Сопротивления резисторов R' и R" опре-
-f jn -

н
P,"r- т, jn
т,
R я•
1
1 ,1
р ,..., __
-G ' я•s -G: z,, 2
1
нс я; !<-- ивх Uвы, JI.--
Uвх Р2
Ивых Р2
с R4
а li
Рис. 65. Принципиальная схема и карта полюсов и нулей активного RС-звена
с Т-мостом:
а-ннжннх; б - верхних частот.
деляются в соответствии с методикой, изложенной в гл. 2. Сопротив­
ления резисторов R' и R" схемы рис. 64, б определяются по формулам
R' = z:
:4;
] (7.32)
R" R R'
--R' - R..
При Икэ = i0кR4 сопротивления R' = R" = 2R.
Звенья нижних и верхних частот с Т-мостом. Схемы звеньев
и реализуемые ими карты полюсов и нулей показаны на рис. 65, а, б.
Сопротивление резистора R4 эмиттерной цепи определяется исходя
из условия обеспечения режима работы транзистора

R4 = 2�к • (7 .33)
Ок
Обычно R4 = (3 + 15) ком. Сопротивление R должно удовлетворять
условию R < 4R 4 и обычно составляет величину 5 - 50 ком. Ем­
кость конденсаторов рассчитывается по формуле
1
С= _ . (7.34)
21tfc. п V кR
Входящий в эту формулу коэффициент к выбирается в пределах
30-50.
207
Если определенное значение С оказывается неприемлемым, можно
задаться подходящей величиной С и при помощи выражения (7.33)
найти требуемое значение R.
Звенья нижних и верхних частот с несимметричной режекцией.
Схемы звеньев и реализуемые ими карты полюсов и нулей пока­
заны на рис. 66, а, 6.

Jn
Р, t--z,
1
1 'r1
1

Иоых

Рис. 66. Принципиальная схема и карта полюсов и нулей активного RС-звена


с несимметричной режекцией:
ll - нижних; б - верхних частот.

Элементы схем рассчитывают соответственно по формулам

R1 = Ci :- l)
1 ьф
1 +�iR,; )

R2 = 8 10 10 ; (7.35)
0
C=-1 -vso
2 1ef с. и R2
и
R1 = R2 = Rs = R =С�::- 1У 2 (1 � giR 1
4
4);
(7.36)
1 I +gR
2rcf с. нR V S R '
С=
0

где S0 , g и gi - крутизна, входная и внутренняя проводимости


транзистора; fc. н и fc. п - собственная частота нуля и полюса (опре­
деляются в результате решения задачи аппроксимации); ЬФ - зату­
хание коэффициента передачи звена в полосе задерживания, д6.
Сопротивление резистора R 4 выбирается в соответствии с фор­
мулой (7.30), исходя из условия обеспечения режима работы тран­
зистора. В схеме рис. 66,6 емкость разделительного конденсатора
С3 = (5+ lO)C.
208
Активное RС-звено с симметричной режекцией и реализуемая им
карта полюсов и нулей приведены на рис. 67, а. Элементы звена
рассчитывают, а резистор R4 выбирают согласно соотношениям
(7.30) и (7.31) , т. е. так же, как и звенья нижних и верхних
частот с 2Т-мостом. Схема рис. 67, а обеспечивает глубин у режекции
20 д6, а при использовании составного транзистора - порядка 40 д6.

а о
in
P,j-­
' z
-о 1
Р,•-- Рис. 67. Принципиальная схема
и карта полюсов и ну лей актив­
ного RС-звена:
а - симметричного режектора с 2Т­
мостом; б-полосового с 2Т-мостом;
в - полосового с Т-мостом
п_
Полосовые RС-звенья и карты реализуемых ими полюсов и нулей
показаны на рис. 67, 6, в. В звеньях используется каскад усиления
по схеме с общим эмиттером. Сопротивления R 4 и R выбираются,
исходя из требований обеспечения режима работы и его стабиль­
ности. Обычно R = (5 + 50) ком, а R 4 = (3 + 15) кол�, причем R4
должно удовлетворять соотношению (7 .30). Емкость С рассчитывают
по формуле (7.31). Остальные элементы звена (рис. 67, 6) опреде­
ляют по формулам

1
R.
�:
R� (7.37)
R6 , :: .
= -- :
икэ
Величины элементов звена (рис. 67 , в) рассчитывают по формулам
Rк = з+ 10 ·

t
-g-•
R ,-.., RR4 0к.
i
6 ,,,_, икэ t (7.38)

14 240
j
209
Величина т выбирается в пределах 10- 20. Емкости блокиру­
ющего и разделительного конденсаторов С4 и С1 и сопротивления
делителя напряжения рассчитывают по методикам, изложенным
в гл. 2 и 3.
Найденное значение емкости С в схемах рис. 67, 6, в при не­
обходимости можно изменить, тогда следует уточнить сопротивле­
ние R, пользуясь формулой (7 .31 ).
Выбор схемы активного RС-звена производится в соответствии
с картой полюсов и нулей аппроксимирующей функции. При этом
ставится задача отыскания наивыгоднейшей совокупности развязан­
ных звеньев, принципиально пригодных для создания найденных
в результате решения задачи аппроксимации полюсов и нулей функ­
ции. Нельзя указать однозначный критерий выбора звеньев при
построении сложного фильтра, поскольку возможно множество реали­
заций заданной функции. Однако можно наметить общий подход к вы­
бору и указать те соображения, которые следует при этом учитывать.
Принципиальным ограничением возможности использования звена
для реализации пары комплексно сопряженных полюсов является
несоответствие их добротностей. В рассмотренных схемах активных
звеньев, содержащих Т-мост, максимальная практически достижимая
добротность Qмакс � 3, если в каскаде используется один транзи­
стор, и Q макс� 6, если используется составной транзистор. В схе­
мах с 2Т-мостом максимальное значение добротности Q макс � 20 +
+ 30 при настроенном 2Т-мосте. Расстраивая последний, можно
добиться устойчивой добротности Qмакс � 50 + 70.·
Если добротность пары комплексно сопряженных полюсов Q < 3,
то можно использовать люб� из рассмотренных выше активных
RС-звеньев. В этом случае удобно использовать звенья с Т-мостом,
как более простые. При Q > 4 следует применять схему с 2Т-мостом.
Типы звеньев следует подбирать так, чтобы полностью исполь­
зовать их реализационные возможности и набрать все необходимые
полюсы и нули, входящие в состав карты аппроксимирующей функ­
ции, при помощи минимального количества звеньев.
Если реализацию пары комплексно сопряженных полюсов можно
осуществить несколькими звеньями, то одно из них выбирается
с учетом предъявляемых к фильтру требований. При этом во вни­
мание принимают чувствительность характеристик звена к измене­
нию величин его элементов, простоту схемы, эффективность раз­
вязки каскадов, определяемую по величинам входного и выходного
сопротивлени:1, удобство соединения в многокаскадной схеме с точки
зрения подачи напряжения. смещения и другие .
Среди рассмотренных схем наименьшей чувствительностью доброт­
ности как по параметрам активного, так и пассивных элементов характе­
ризуются простые звенья с Т -мостами. Они имеют примерно одинаковую
210
чувствительность и одинаковые предельные возможности при реали­
зации комплексно сопряженных пар полюсов с данной добротностью.
Сравнительно более высокой чувствительностью и сложностью
настройки характеризуются несимметричные режекторы. Чувстви­
тельность добротности схем с 2Т-мостом пропорциональна исходной
величине добротности, что существенно может сказаться на ста-.
бильности характеристик результирующего фильтра.
Выбрав звенья, следует установить очередность их включения
в сложном фильтре и определить необходимое количество развя­
зывающих каскадов. Последние служат для развязки пассивных
звеньев и звеньев с высокой добротностью. Как правило, для звеньев
с добротностью Q > 10 необходимо применять развязывающие кас­
кады. Звенья можно включать в порядке возрастания их добротности.
Настройка фильтров производится позвенно, для чего в каждом
звене предусмотрены два нщ:троечных резистора, отмеченных звез­
дочкой. Одно из них в большей мере влияет на добротность звена,
а другое - на его собственную частоту. Настройку производят методом
последовательного приближения. Обычно удается добиться требуемых
параметров звена при двухкратном повторении настроечного цикла.
Активный симметричный режектор (рис. 67, а) настраивают в два
этапа при помощи резисторов, отмеченных звездочкой. Вначале,
регулируя сопротивление резистора R*, добиваются на собственной
частоте полюса fс. п угла сдвига фаз между напряжениями на входе
и выходе звена q, = О. Эту операцию настройки можно выполнить
и по минимуму коэффициента передачи, который должен находиться
на частоте f c. n• Затем на генераторе устанавливают частоту 0,618 fc. п
и, регулируя сопротивление резистора R*12, добивrются угла сдвига
фаз между напряжениями на входе и выходе звена <р = -arcctg Qп ,
Настройка несимметричных режекторов (рис. 66) выполняется
при помощи элементов, количество которых не может быть меньше
трех. Сопротивлением R; устанавливается не.обходимое соотношение
между коэффициентами передачи звена в полосе пропускания вблизи
нижней частоты и в полосе задерживания на частоте, значительно
отстоящей от частоты среза. Дальнейшая настройка выполняется
по фазовым соотношениям. На собственной частоте полюса Ос . п = 1
угол сдвига фаз между напряжениями на входе и выходе звеньев
должен быть близким к 90° и отличаться от него не более, чем на
2
Л q, -;:::, arctg 2 (7.39)
ЬФ(Qс. н- 1)
в схеме рис. 66, а и на
Л<р-;:::, arctg / (7.40)
ьф (Q�- н - 1)
14* 211
в схеме рис. 66, 6. Необходимая подстройка может выполняться
при помощи емкостей конденсаторов, отмеченных на схемах звез­
дочкой, при этом во всех случаях их величины должны быть рав­
ными. Третье условие, которого нужно добиться при настройке.-
установка при помощи резистора R; на собственной частоте нуля
fc . н угла· сдвига фаз между напряжениями на входе и выходе звеньев
больше 90 ° на величину
Лf �arctgdп (7.41)
Q __ I_
с. н !.!с. н

R� R2

z,
UВх R*з Сэ U,1,,x -
Z
�z
а

Рис. 68. Принципиальная схема и карта полюсов и ну лей пассивной RС­


цепи, реализующей:
а - пару сопряженных мнимых нулей н пару действительных полюсов при условии
настройки; б - действительные нуль н по люс; в - действительный полюс; г - дейст­
вительные полюс н ну ль; д - нуль в начале координат н действительный полюс.

в схеме рис. 66, а и меньше 90 ° на эту же величину в схеме


рис. 66, б. Так как на собственной частоте нуля уровень сигнала
на выходе звен_а мал, то чувствительность приборов, используемых
для контроля фазы, может оказаться недостаточной. В этом случае

настроика производится также при помощи сопротивления R*2, но
уже из условия получения на собственной частоте нуля fс. н мини­
мума коэффициента передачи звена, не превышающего ½ЬФ.
Пассивные RС-звенья используются при проектировании фильт­
ров для создания комплексно сопряженных пар нулей, в том числе
и расположенных на оси jw, а также для реализации простых
212
полюсов и компенсации паразитных полюсов и нулей, расположен­
ных на действительной оси.
Пассивное режекторное RС-звено типа 2Т-мост приведено на
рис. 68, а. При выполнении условий
R1 :_ R2 _ 2 Rз R; }
1 (7.42)
С1 - С2 2 С3 - С
-

оно Иll'Ieeт коэффициент передачи второго порядка


р2 + 1
кф (р) = р2 + 4р + 1 ' (7.43)
где
. "' · RC ;
P=J-=JW (7.44)
"'р
1
Wp
=
RC (7.45)
и может использоваться для реализации сопряженной пары нулей,
расположенных на оси jro и двух полюсов на отрицательной дей­
ствительной полуоси. Нормированные координаты нулей и полю­
сов настроенного 2Т-моста
Z1,2 = ±j; Р1 = -3,73; р 2 = -0,27. (7.46)
Элементы звена рассчитывают из условия помещения нулей
в заданные точки р-плоскости. Для этого, задавшись величиной
сопротивления R, по формуле
--R1 (7.47)
С= 21t/с, н
определяют необходимую емкость С. Входящая в формулу (7.47)
денормированная собственная частота нулей {с. н известна в резуль­
тате решения задачи аппроксимации. Можно также задаться вели­
чиной С и при помощи соотношения (7.47) найти требуемое R.
Вследствие технологического разбrоса величин элементов, а таI<­
же в результате действия дестабилизирующих фаrпоров условие
(7.42) баланса 2Т-моста может нарушиться. В результате нули
сместятся с оси jw и режекторные свойства звена ухудшатся. По­
этому допуски на величины элементов 2Т-моста (рис. 68, а) выби­
раются с уч етом обеспечения необходимого затухания коэффици­
ента перщачи КФ. мин на частоте р�жекции. Относительное изме­
нение его связано с относительным изменением величины элементов
следующим соотношением:
dКФ. мин� 1 (- dR1 _ dR 2 + dR 3 + dC1 + dC2 _ dСз) (7.48)
К ф . мин t,К ф . мнн 2R1 2R 2 R3 2С1 2С2 С3 •
213
Если относительные изменения величин элементов 2Т-моста
одинаковы, то в наихудшем случае, когда эти изменения сумми­
руются, чувствительность по всем элементам схемы
1 = 2Qн,
SE = 2К (7.49)
ф. М!/Н

где Q н - добротность нулей настроенного 2Т-моста.


Вследствие этого, допуск на ве,1ичину элементов схемы
в ½КФ. мин раз меньше, чем допус11. на КФ . мин. Если, например,
КФ . мни = -40 дб, а допуск на него составляет 10%, то в расчете
на худший случай допуск на величины элементов 2Т-моста дол­
жен б ыть 0,2%.
Пассивные RС-звенья нижних частот представлены на рис. 68, б, в.
Звено на рис. 68, б реализует расположенные на действительной
оси нуль и полюс с нор:\,шрованными координатами

(7.50)

Изменяя соотношение между сопротивлениями R1 и R2 , можно


поместить нуль z 1 в соответст_вующую точку на действительной оси.
Задавшись одной величиtюй (R1 или R2) и определив вторую из
условия получения требуемого отношения

(7.51)

известного из решения задачи аппроксимации, по формуле


1
Ci = 21tfс. п (R1 + R 2) ( 7 ,52)

рассчитывают емкость С1•


На рис. 68, в показано пассивное RС-звено нижних частот, реа­
лизующее полюс р 1 , расположенный на действительной оси. Нор­
мированная координата полюса р1 = -1.
При. расчете элементов звена задаются величиной R1 или С1
и, используя соотношение
(7.53)
находят значение второго.
В формулах (7.52) и (7.53) fc . п -денормированная собственная
частота полюса, значение которой известно в результате решения
задачи аппроксимации.
214
Пассивные RС-звенья верхних частот-представлены на рис. 68,г, д.
Звено на рис. 68, г реализует расположенные на действительной
оси полюс и нуль с нормированными координатами

Р1 = -1, (7.54)

Изменяя соотношение между сопротивлениями R1 и R 2 , можно


поместить нуль z 1 в соответствующую точку на действительной оси.
Приступая к расчету схемы, необходимо згдаться одним сопротивле­
нием (R 1 или R 2) и определить второе из условия получения
требуемого отношения
(7 .55)

известного из решения задачи аппроксимации, а затем по формуле


(7.56)

следует найти емкость С1•


На рис. 68, д показано пассивное RС-звено верхних частот,
реализирующее полюс и нуль, расположенные на действительной
оси. Нормированные координаты полюса и нуля р1 = -1, z 1 = О.
Элементы схемы рис. 68, д рассчитывают при помощи соотно­
шения (7.53).
Настройка 2Т-моста (рис. 68, а) производится аналогично на­
стройке активного си_мметричноrо режектора (рис. 67, а).
Пассивные звенья (рис. 68, б, г) настраиваются при помощи двух
резисторов, отмеченных звездочкой, добиваясь при этом на соб­
ственной частоте полюса коэффициента передачи

(7.57)

и yrла сдвига фаз между напряжениями на входе и выходе звеньев

q, = arctg (�::: -1). (7 .58)

Настройка звеньев (рис. 68, в, д) производится из условия полу­


чения на собственной частоте полюса fc. п коэффициента передачи
звена, равного 0,707, или угла сдвига фаз между напряжениями на
его входе и выходе q, = 45°. Подстройка выполняется резистором,
отмеченным звездочкой.
215
5. ФАЗОВЫЕ RС-ЗВЕНЬЯ

Фазовые RС-звенья, являющиеся цепями неминимально фазо­


вого типа, совместно с рассмотренными выше RС-звеньями мини­
мально фазового типа составляют функционально полную систему
звеньев, достаточную для проектирования низкочастотных избира­
тельных усилителей.
Фазовое RС-звено, реализующее расположенные на действитель­
ной оси симметрично относительно начала координат полюс и нуль,
и карта его полюсов и нулей показаны на рис. 69, а. В схеме
звена используется транзисторный каскад с разделенной наrрузкой
в качестве источника двух противофазных напряжений одинаковой
амплитуды. Его пассивная RС-цепь имеет два входа. Сигнал про­
ходит через элементы цепи R1 и С 1 на выход двумя путями и сумми­
руется в нагрузке.
Сопротивление Rк в схеме рис. 69, а выбирается максимащ,но
возможной величины, которая ограничивается допустимым падением
на нем напряжения источника питания
Ек -икэ
Rк < 2i (7.59)
Ок
Значения величин элементов пассивной RС-цепи схемы рассчи­
тываются по формулам
R1 = Р� ; С 1 = 2 1t , (7.60)
f�. пR
где р 1 - абсолютное значение нормированной координаты полюса;
fс. п - его собс твенная денормированная частота, R - сопротивле­
ние, которое выбирается из условия R «
So Rк lg. Сопротивление R
желательно иметь возможно большим, так как при этом уменьшается
величина С 1 (7. 60). Однако оно ограничивается не только приведенным
неравенством, но и допустимым шунтированием нагрузкой: R «Rн ,
Настройка фазового звена (рис. 69, а), имеющего коэффициент
передачи первого порядка, выполняется при помощи сопротивления
Rк коллекторной нагрузки и сопротивления R1 пассивной RС-цепи.
Регулируя Rк, добиваются равномерной передачи сигнала на всех
участках рабочего диапазона частот, а при помощи R1 устанавли­
вают угол сдвига фаз между входным и выходным напряжениями
звена на собственной частоте полюса fc . п равным 90 °.
Фазовое RС-звено, реализующее расположенные симметрично
относительно оси jO комплексно сопряженные пары полюсов и ну.пей,
и карта полюсов и нулей звена показаны на рис. 69, б. Схема
фазового RС-звена состоит из активного RС-звена минимально фазо­
вого типа с 2Т-мостом (рис. 67, б), выполненного на транзисторе Т 1 ,
и сумматора, в котором используются транзисторы Т 2 и Т 3 • Вход-
216
ной сигнал через разделительный конденсатор С1 поступает на
один из входов сумматора (база транзистора Т 3) и на вход актив­
ного RС-звена, выход которого связан разделительным конденса­
тором С 6 с вторым входом сумматора.
В качестве активного RС-звена можно также использовать схему
рис. 67 ,в, если требуемая добротность комплексно сопряженных полю­
сов не более 3. Элементы активного RС-звена рассчитывают по форму­
лам (7.37) или (7.38), а элементы сумматора выбирают по ме1одике
гл. 2 из условия обеспечения исходного режима работы транзисторов.

+
Рис. 69. Принципиальная схема
и карта полюсов и нулей фазо­
- вого RС-звена, реализующего:
а - действительные полюс и нуль;
б - комплексно сопряженные пары
U Вх U/Jыx полюсов и нуле/!.

jQ
- --yz,
Р, -
f
1
1 1
1
1
1
--Ьz2:

5
Настройка фазового звена рис. 69, б производится в следующем
порядке. Вначале при отключенной цепи прямой передачи настраи­
вают полосовое активное RС-звено по приведенной выше методике.
Затем, регулируя движок потенциометра, устанавливают коэффи­
циент передачи этого звена КФ = -2 на частоте f с. п, включают
цепь прямой передачи и контролируют частотную и фазовую харак­
теристики. Первая 'из них должна быть постоянной в рабочем диа­
пазоне частот, а вторая -линейной.
Элементы полосового активного RС-звена рассчитывают анало­
гично расчету схемы рис. 67, в. Величины элементов вспомогатель­
ных ,цепей схемы рис. 69, б определяются в соответствии с ме­
тодикой, изложенной в гл. 2 и 3.
217
Пример 1. Рассчитать активный RС-фильтр нижних частот, имеющий час­
тоту среза fс\ = 500 гц, неравномерность в полосе пропускания а Ф ...;; 2 дб, зату­
хание при расстройке, от частоты среза на октаву и более ЬФ > 36 дб. Фильтр
должен иметь минимальные габариты и вес. Он предназначен для работы в диа­
пазоне температур от -20 до + 6O ° С. Напряжение источника питания -20 в.
В соответствии с порядком проектирования сначала решаем задачу аппрок­
симации. В связи с жесткими требованиями к габаритам и весу фильтра он
должен быть простым и содержать минимально необходимое количество элементов.
l(роме того, фильтр характеризуется сравнительно большим затуханием коэффи­
циента передачи в поnосе задерживания и узкой переходной областью. Так как
этим требованиям наиболее полно удовлетворяют фильтры, аппроксимированные
по Золотареву, следует попытаться использовать именно этот вид аппроксимации,
а реализацию осуществить при помощи несимметричного режектора (рис. 66, а).
Учитывая, что октавной расстройке соответствует частота fc2 = 2fc1 =1000 гц,
по формуле (7 .13) найдем модуль
k _ 00с1 _ fс\ _ 500 _ О
5
- 00 с2 - fс2 - lOOO - ' '
поэтому О = arc siп 0,5= 30° .
Определив по табл. 8 отношение эллиптических интегралов, соответствующее
о= 30 ° ,

к ( о, ; ) =0,782
'lt
К (90-6, )
2
и подставив условия примера в формулу ( 7. 1 5), получим

-1
23 10�
п >-;- (41g 2 + lg ) 0,782 � 2,9.

1 010- l

Принимаем п � 3 . Следовательно, для аппроксимации усилителя необходимо


использовать дробь Золотарева третьего порядка (п = 3, О = 30 °), По табл. 9
определяем координаты полюсов и нулей аппроксимирующей функции
z1 .2 = ±i2, 27; Р1 = -0,301;
Р2,3 = -0,1 26 ± jO,9 1 4.
Отсюда, учитывая формулы (7.1) и ( 7. 3), находим нормированные собственные
частоты нулей и полюсов
ос. н = 2,27 ; Qc. пl = 0, 301; ос. п2,3 = VO,1 26 2 + 0,9 1 4 2 � 0,91 5
и добротность полюсов Р2 ,3

Q
п2,3 = - -20,915
. 0,1 26
� 3,6 .

Умножая на fc i нормированные собственные частоты нулей и полюсов, денор­


мируем их:
fc. 11 = Ос. 8/с! = 2, 27 · 500 � 1140 гц;
fc . пl = Ос. п1fс1 = 0, 301 · 50 0 � 1 5 0гц;
fc. п2,3 = Ос. п2,з/cl = 0, 915 · 500 � 455 гц.

218
Карта нулей и полюсов найденной аппроксимирующей функции показана на
рис. 70, а.
Переходим к решению задачи реализации. Усилитель будет наиболее прос­
тым, если для реализации комплексно сопряженных пар полюсов и нулей вос­
пользоваться звеном нижних частот типа несимметричный режектор ( рис. 66, а).
Однако однотранэисторный вариант его имеет предельную добротность полюсов
Qмакс � 3, что ниже требуемой. Поэтому останавливаемся на схеме с составным
транзистором, обеспечивающей Qмакс � 6. Нули аппроксимирующей по Золота­
реву функции располагаются на оси jQ. Они имеют только мнимую координату,
и их нельзя получить при помощи схемы рис. 66, а. Однако звено можно использовать
для построения фильтра Золотарева и получить приемлемую погрешность ре али­
зации, если его добротность выше добротности пары комплексно сопряженных

н:
·206 .- � • хх -при t•20'C
42к н,,ок Адд-nраt•бО'С

j1,о.о
•••·nput•-20'C
,\
\
20
и,, R,
56к

W'
-4о i -- ..,.._
Рис. 70. Активный RС-фильтр ниж­
них частот с коэффициентом пере­
. �to.
�...�
дачи третьего порядка, аппроксими-
рованным по Золотареву:
а - п ин ипиальная схема и ка та по­
овр и цн лей б - частотная ха
р акте­ 1000 f,гц
люс у ; р
истика. . 6
р
полюсов аппроксимирующей фующии. Обеспечив выбором соответствующего
сопротивления R2 необходимое различие максимального и минимального значений
коэффициента передачи фильтра в полосе задерживания, можно получить доста­
точную крутизну частотной характеристики в переходной области. Тогда избира­
тельные свойства схемы будут приближенно соответствовать требуемым.
Лежащий на действительной оси полюс р1 (рис. 70, а) можно реализовать
пассивной RС-цепью (см. рис. 68, в). В результате получим блок-схему усили­
теля: звено нижних частот с несимметричной режекцией- пассивная RС-цепь.
Принципиальная схема усилителя показана на рис. 70, а. Для регулировки доброт­
ности используется резистор R* , которым можно несколько выровнять режим
3
работы транзистора Т1 .
Выбираем тип транзистора и исходный режим его работы. При этом следует
учитывать, что желательно иметь транзистор с большим коэффициентом усиле­
ния и малым обратным током коллектора /ко· Это позволит получить высокое
входное сопротивление схемы при стабильном режиме работы. Режим работы
выбираем иэ условия обеспечения достаточной крутизны транзистора.
Останавливаемся на кремниевых транзисторах типа МПI 16, параметры кото­
рых при токе iк = 1 ма составляют: S0 = 30 ма/в, g 1 = 70 мксим. Выбираем
ток коллектора iок = 2,3 маи, допуская падение напряжения на электродах коллек­
,rор- эмиттер транзистора ик = 5 в, по формуле (7.30) определяем сопротивление
20-5
R
, = 2,3 . 10_,
� 6,2 ком.

219
Используя формулы (1.25), пересчитываем параметры S0 и gi к выбранному
режиму работы:
2• 3 · 2 ю-
S0 = 30 10-з 1 10 з = 69 ма/ в;

-в 2, 3 . 10
gl = 70 · 10 1 . lO 3 �
160 MKCUM.

При помощи соотношений (7.35) определяем сопротивления резисторов R 1 , R 2


и емкости С= С2 = С3 :
1140 2 6, 2 10 3
Ri = ( 4552 - 1) 15 ком;
1 + 160 10 6 . 6,2 . 1оз �
-
� 91 ком;
1 10
R2 = _ 10
69 10 3
1 v69 · 10-з
С=
2 1t · 1140 91 . 10� � о, 12 мкф.
Величины элементов базового делителя R 6 , R 7 и емкости разделительного
конденсатора С1 определяем по методике, изложенной в гл. 2 и 3.
Рассчитываем элементы пассивного RС-звена (рис. 68, в). Задаемся емкостью
конденсатора С4, равной емкости конденсаторов активного звена, т. е. С4 =
=С= 0,12 мкф. Тогда, используя выражение (7.54), находим сопротнвление
резистора
1 1
= = 8 6 ком.
, Rъ 21tfc. п1С4 2 1t · 150 · 0,12 . 10-в � •

Настройку усилителя производим в следующем порядке. Вначале проверяем


режим работы транзисторов. Измерив падение постоянного напряжения и4 на
сопротивлении R 4 , рассчитываем коллекторный ток i0к = и 4 /R 4 • Если он отли­
чается от выбранного i0к = 2,3 ма, то, изменяя сопротивление резистора R 6 ,
устанавливаем необходимый режим работы.
Затем проверяем параметры несимметричного режектора. Для этого к эмит­
теру транзистора Т 2 подключаем вольтметр и, изменяя частоту входного сигнала
по минимуму выходного напряжения, определяем собственную частоту нуля. Если
она не соответствует требуемому значению fc. н = 1140 гц, то, изменяя сопро­
тивление резистора R 2 , выполняем необходимую подстройку. При значительном
отличии частот следует изменить емкость конденсаторов С2 и С3 •
Далее проверяем, выполняется ли определяемое сопротивлением резистора Ri
соотношение между собственными частотами нулей и полюсов

f�. 8/ t:. п = 1140 /4552 2


� 6, 25 .
Изменяя частоту входного сигнала, по вольтметру определяем максимальное
выходное напряжение в полосе задерживания и рассчитываем затухание коэффи­
циента передачи. Если оно отличается от требуемой величины 6,25, то необхо­
димо откорректировать его изменением сопротивления резистора R 1 .
Следующий этап настройки состоит в проверке добротности пары комплекс­
но сопряженных ,полюсов, реализуемой активным звеном. Добротность опреде­
ляем приближенно как значение коэффициента передачи на частоте fc . п· Доб­
ротность к требуемому значению Q = 3,6 подстраиваем изменением сопротивле­
ния резистора R 3 • В качестве параметра настройки можно выбрать и угол сдвига

220
фаз между напряжениями на входе и выходе звена на частоте f�. п• который
должен быть близким к 90° .
После этого переключаем вольтметр на выход фильтра, на генераторе уста­
навливаем частоту, равную fc. nl' и, регулируя сопротивление резистора R 5 ,
1 добиваемся коэффициента передачи пассивного звена 0,707.

Э1<спериментально снятая частотная характеристика рассчитанного фильтра


при ивых = 1 в и Rc = 600 ом показана на рис. 70, б. В фильтре использованы
резисторы типа ОМЛТ с допуском ±5%, конденсаторы С 2 -С4 типа МБМ с допус­
ком ±10%, С1 - типа ЭТО.
При изменении температуры от 20 до 60° С частота среза fci изменяется
приблизительно на 2%, а собственная частота нуля - на 5%. Изменение темпе­
ратуры от +20 до -20° С вызывает смещение частоты среза fci приблизительно
на 6%, а собственной частоты нуля - на 10%.
Пример 2. Выполнить проектирование фильтра верхних частот, имеющего
следующие характеристики: частоту среза 1050 гц, неравномерность в полосе про­
пускания не более 3 дб, затухание при расстройке от частоты среза на 1/4 октавы
не менее 30 дб. Напряжение источника Ек = -27в.
В связи с тем, что фильтр обеспечивает значительное затухание при неболь­
шой расстройке и, следовательно, имеет узкую переходную область, его частот­
ную характеристику следует аппроксимировать по Золотареву. Учитывая, что
1
1/4 октавы соответствует отношению частот среза и расстройки 2 1• � 1,2 раза,
находим модуль k = 1/1,2 = 0 ,83 и модульный угол 6 = arcsin 0,83 � 56°.
Переходим к построению низкочаст отного прототипа. Его частота среза fci=
= 1050 гц, неравномерность частотной характеристики в полосе пропускания
аФ ..; 3 дб, затухание при расстройке ЬФ > 30 дб, модуль k = 0,83. По форму.че
(7.15) определяем требуемый порядок аппроксимирующей функции, предварительно
взяв из табл. 8 отношение эллиптических интегралов К (6, 1t/2)/ К(90° -6,1t/2) =
= 1 ,279 (6 = 6 0 ),
°

30 -
1010-1
п
23
>-;- (4 lg 2 +
lg
2
) . 1,279 � 4.
1010_1

Для обеспечения запаса по затуханию выбираем п = 5 и по табл. 9 для


п = 5 и 6 = 60 ° определяем нормированные координаты нулей и полюсов низко­
частотного прототипа:
Z1,2 = ±il,618 ; z3,4 = ±il, 183 ; Р1 = -0,232;
Р2,з = -0,125 ±j0,7 32; Р4,5 = -0,026 ± j0,984.

Используя преобразование частоты (7. 16), (7.17), находим координаты нулей


и полюсов исходного фильтра - верхних частот:

,
=-1
= + ·11 Ь18 + б
Z1,2 �_/0, ;
zl,2 _] •

Р 3= �
:2, Р .з = -0,125 � /0,732 � -О, 17 ± jl;
= -U,U2b

jU,9tl4 � - О,О27 ± jl.
221
Кроме того, преобразование нулей z 1 ,2, z3 ,4 и полюсов р1, р2,3 р4,5 дас т
соответственно четыре полюса и пять нулей в начале координат. Вследствие
взаимной компенсации нулей и полюсов полученную карту фильтра верхних час­
тот необходимо добавить только одним нулем z; = О. Результирующая карта
нулей и полюсов показана на рис. 7 1 ,а.
Используя формулы (7.2) и
(7.3), определяем собственные частоты нулей
и полюсов

о:. нl,2 = 0, 6 ; 0�. нз,4 = 0,84 ; о;. пl = 4,3 ; Q:. п2,3 = V 0,172 + 12 � 1, 01 ;
Q;_ п4.s = Vo.u21 2 + 12 � 1

z'3
z(
Р,' z;
-(;

j
z'2
1
1 -
U/иА 1
11 z ;.
f..
й. д•J -j,т
5

н,,,або �����-���
xxx-nput•IQ'C �✓'"
/JA�-npal•6o'c
-10 -���...+--<1--+--+-+<

Рис. 7 1 . Активный RС-фильтр верхних


частот с коэффициентом передачи пятого
-20 1---+---+-++f--1----1-+-Н порядка, аппроксимированным по Золота­
реву: