Вы находитесь на странице: 1из 47

Федеральное агентство по образованию

Физика твердотельных структур

Учебное пособие для вузов

Составители:

Лукин Анатолий Николаевич

Тутов Евгений Анатольевич

Воронеж 2007
2

Утверждено Научно-методическим советом физического факультета


27 марта 2007 г., протокол № 3.

Рецензент зав. кафедрой физики полупроводников и микроэлектроники,


доктор физико-математических наук, профессор Бормонтов Евгений
Николаевич

Учебное пособие подготовлено на кафедре физики твердого тела и нано-


структур физического факультета Воронежского государственного уни-
верситета.

Рекомендовано для студентов физического факультета дневной формы


обучения

Для специальности: 010409 – Физика твердого тела


3

1. Работа №1. Изучение свойств электронно-дырочного перехода

Цель работы – изучение физики работы электронно-дырочного перехода


при различных температурах на примере плоскостного диода.

1.1. Основные определения

Полупроводниковый диод – это прибор с одним выпрямляющим


электрическим переходом и двумя внешними выводами, в котором исполь-
зуется то или иное свойство выпрямляющего перехода. В качестве послед-
него в полупроводниковых диодах могут быть электронно-дырочный пе-
реход, гетеропереход или контакт металл – полупроводник.
Обычно полупроводниковые диоды имеют несимметричные элек-
тронно-дырочные переходы. Поэтому при прямом включении диода коли-
чество неосновных носителей, инжектированных из сильнолегированной
области в слаболегированную область, значительно больше, чем количест-
во неосновных носителей, переходящих в противоположном направлении.
В соответствии с общим определением, область полупроводникового дио-
да, в которую происходит инжекция неосновных для этой области носите-
лей, называют базой диода. Таким образом, в диоде базовой областью яв-
ляется слаболегированная область.
Характеристической длиной для диода является наименьшая из двух
величин, определяющая свойства и характеристики диода: диффузионная
длина неосновных носителей в базе или толщина базы.
Плоскостным называют диод, линейные размеры которого, опреде-
ляющие площадь выпрямляющего перехода, значительно больше характе-
ристической длины.
Точечным называют диод, у которого линейные размеры, опреде-
ляющие площадь выпрямляющего перехода, значительно меньше характе-
ристической длины.

1.2. Потенциальный барьер в p-n переходе

Рассмотрим процесс установления термодинамического равновесия в


несимметричном p-n переходе с резким изменением типа проводимости на
границе и получим выражение для контактной разности потенциалов.
Обозначим концентрацию дырок в дырочной области рр, концентра-
цию электронов в электронной области nn (основные носители), концен-
трацию дырок в электронной области pn, концентрацию электронов в ды-
рочной области np (неосновные носители), толщину области объемного за-
ряда d, площадь p-n перехода S.
В невырожденных, но достаточно сильно легированных полупро-
водниках концентрации электронов в полупроводниках n – типа и дырок в
4
полупроводниках p – типа велики по сравнению с собственной концентра-
цией носителей ni:

nn >> ni, рр >> ni (*)

Из уравнения электронейтральности ( p + N ∂* ) − (n + N a* ) , где N ∂* – число


дырок на донорных уровнях, N a* – число электронов на акцепторных уров-
нях, для полупроводников p – и n – типа, содержащих соответственно
только донорные атомы с концентрацией Nд или акцепторные с концен-
трацией Na следует:

nn = Nд + рn, (**)
рр = Na + np

В этих равенствах учтено, что в рабочем диапазоне температурные


примесные атомы, образующие мелкие уровни в запрещенной зоне, как,
например, атомы III и V групп Периодической системы в Ge и Si, практи-
чески полностью ионизированы. Поэтому

N ∂* ≈ N ∂ и N a* ≈ N a .

Из (*) и (**), с учетом закона действующих масс, согласно которому


ni2 и n2 nn ≈ Nд , ≈ Na;
pn = n p = i , следует: ,рр
nn pp
рр >> np, nn >> рn.
dn
Так как nn >> np, то возникает градиент концентрации и диффузия
dx
электронов в р-область, создающая ток диффузии

dn
I nD = q0 Dn S
dx

где Dn – коэффициент диффузии электронов.


dp
Так как рр >> pn, то возникает градиент концентрации дырок и
dx
диффузия дырок в n-область, создающая ток диффузии

dp
I pD = −q0 D p S
dx

где Dp – коэффициент диффузии дырок.


Знак « – » в этом выражении связан с тем, что поток диффузии на-
правлен против градиента концентрации диффундирующих частиц, при
этом для положительных зарядов дырок направления потока и тока совпа-
5
дают. В результате диффузии электронов и дырок в области p-n перехода
возникает двойной электрический слой (потенциальный барьер) и электри-
ческое поле, препятствующее диффузионному переходу основных носите-
лей. Это поле приводит к появлению дрейфового тока неосновных носите-
лей:

InE = q0npEUnS

из n-области в p-область.

IpE = q0pnEUpS

где Е – напряженность поля в p-n переходе; Un и Up – подвижности


электронов и дырок.
Таким образом, через p-n переход протекают четыре тока: два диф-
фузионных и два дрейфовых.
В установившемся динамическом равновесии, когда уровни Ферми в
p- и n- областях совпадают (см. рис. 1) общий ток через p-n переход, опре-
деляемый как алгебраическая сумма частиц, падающих на переход, умно-
женная на их заряд, равен нулю:
IpD - InE + InD - IpE =0

Рис. 1. Энергетическая схема равновесного состояния p-n перехода,


Стрелками указаны направления потоков частиц, падающих на переход.

Величину контактной разности потенциалов, возникающей в p-n пе-


реходе вследствие различной концентрации носителей заряда в p-n облас-
тях, можно определить исходя из того, что в условиях термодинамическо-
6
го равновесия уровни Ферми в p- и n- областях совпадают, а возникающая
контактная разность потенциалов сдвигает энергетические уровни в них
относительно друг друга на величину, равную разности уровней Ферми в
p- и n- областях при отсутствии контакта:

Fn − Fp
ϕk = .
q0
В полученном выражении ϕ k – электрический или электронный по-
тенциал, отличающийся от обычного электростатического потенциала
противоположным знаком, т. е. характеризующий энергию отрицательного
заряда – электрона.
Используя известную связь между концентрациями основных носи-
телей заряда и уровнем Ферми в невырожденных полупроводниках, а так-
же закон действующих масс, получим:

kT p p nn
ϕk = ln 2 ;
q0 ni
kT nn kT p p
ϕk = ln = ln .
q0 n p q0 pn

т. е. на значение ϕk влияет концентрация носителей как электронной,


так и дырочной области полупроводника.

1.3. Выпрямление на p-n переходе

Если к p-n переходу приложить внешнее напряжение U в направле-


нии, совпадающем с направлением контактной разности потенциалов, т. е.
плюс источника тока соединить с n-областью, а минус – с р-областью, то
высота потенциального барьера увеличится на величину q0U для электро-
нов, переходящих из n-области в p-область, и дырок, переходящих из p-
области в n-область. При этом равновесие нарушается, и уровень Ферми
смещается на величину q0U вниз (рис. 2а, Fn* = Fn – q0U). Если у контактов
n- и р- областей с металлом созданы невыпрямляющие антизапорные слои,
и они достаточно удалены от p-n перехода, толщина p- и n- областей не
очень велика, концентрация основных носителей заряда значительно пре-
вышает концентрацию собственных носителей, то можно считать, что все
падение приложенного напряжения происходит на p-n переходе.
7

Рис. 2. Изменение высоты потенциального барьера p-n перехода и ход ква-


зиуровней Ферми для дырок и электронов в зависимости от поляр-
ности приложенного напряжения: а) запорное направление; б) пря-
мое направление.

Анализ реального p- n- перехода достаточно сложен. Поэтому при


вычислении вольтамперных характеристик пользуются упрощенной моде-
лью перехода, построенной на основе следующих допущений: 1) ступенча-
тый переход с резкими границами; 2) в обеднённой области справедливо
распределение Больцмана; 3) низкий уровень инжекции, т.е. плотность
инжектированных носителей мала по сравнению с концентрацией основ-
ных носителей; 4) в обеднённом слое отсутствуют токи генерации и ре-
комбинация подвижных носителей, что обеспечивает постоянство проте-
кающих через него электронного и дырочного токов.
Используя обобщённые формулы, выражающие концентрации сво-
бодных носителей через квазиуровни Ферми, и рассматривая выражения
для полных плотностей электронного и дырочного токов, можно показать
что
r r
jn = U n n∇Fn ,
r r
j p = U p p∇ F p ,

т. е. плотности токов пропорциональны градиентам квазиуровней Ферми.


Поэтому при допущении п. 4 концентрации носителей в обеднённой об-
ласти остаются большими и, следовательно, уровни Fn и Fp практически не
изменяются (рис. 2 а, б).
8
Будем считать, что приложенное напряжение достаточно мало по
kT
сравнению со значением , и оно незначительно меняет концентрацию
q0
носителей заряда (малый уровень инжекции), а поверхностная рекомбина-
ция на границе p- и n- области не играет существенной роли. В этом случае
ток через p-n переход определяется числом носителей, имеющих энергию,
достаточную для преодоления потенциального барьера. Величину тока
можно рассматривать как величину термотока, определяемого формулой
Дешмана, известной из курса общей физики. Для состояния динамического
равновесия (в отсутствие внешнего напряжения) формулы диффузионных
токов основных носителей, преодолевающих потенциальный барьер φkq0,
запишутся так:
q0ϕ k

I nD = An e kT
;
q0ϕ k

I pD = Ap e kT
;

где An и Ap – константы формулы Дешмана для n- и p- областей.


В состоянии динамического равновесия электронный и дырочный
токи через границу p-n перехода равны нулю, т. е.
I nD = I nE ;
I pD = I pE ;

Для равновесных значений токов введем обозначения:

I nD = I nE = I ns ;
I pD − I pE = I ps ;

Если приложить внешнее напряжение U к p-n переходу, то величина


потенциального барьера для основных носителей заряда изменяется в за-
висимости от знака приложенного напряжения (φkq0 ± q0U), соответственно
изменяется и величина токов основных носителей:
q0 (ϕ k ±U ) q0U
− ±
InD = An e kT
= I ns e kT
;
q (ϕ ±U ) qU
− 0 k ± 0
IpD = A p e kT
= I ps e kT
;

Так как для неосновных носителей заряда барьера нет, то величины то-
ков I1nE, I1pe этих носителей при приложении напряжения не изменяются и
они равны величинам токов равновесных носителей:
I 1nE = I ns
I 1 pE = I ps
9
Результирующий ток через p-n переход с приложением к нему внешне-
го напряжения равен сумме токов основных и неосновных носителей с
учетом их направления:

±
q0U
±
q0U
⎛ ± qkT0U ⎞
I = I ps e kT
− I ns + I ns e kT
− I ps = I s ⎜⎜ e − 1⎟⎟ (1),
⎝ ⎠

где Is = Ips + Ins.


Уравнение (1), выражающее зависимость тока через переход от величины
и знака приложенного напряжения, есть уравнение вольтамперной харак-
теристики идеального p-n перехода. Знак «плюс» пред U относится к про-
пускному направлению, знак «минус» к запорному. При одном и том же
значении напряжения величина тока через p-n переход в прямом направле-
нии значительно больше, чем в запорном, т. е. p-n переход обладает вы-
прямляющей способностью.
Из формулы (1.) видно, что при приложении к p-n переходу напряжения
в прямом направлении сила тока через p-n переход растет по экспоненте и
уже при незначительном напряжении достигает большей величины, а с
приложением напряжения в запорном направлении сила тока в цепи p-n
перехода стремится к предельному значению тока Is, величина которого
обычно мала, так как мала концентрация неосновных носителей заряда.
Рассмотрим анализ p-n – перехода на основе диодной теории является
наиболее простым. Более детальное рассмотрение процессов в рамках
диффузионной теории приводит к следующему выражению для тока на-
сыщения Js:
⎛ Dn n p D p Pn ⎞ ⎛L n L P ⎞
I s = q0 S ⎜ + ⎟ = q0 S ⎜ n p + p n ⎟ (2),
⎜ L Lp ⎟ ⎜ τ τ p ⎟⎠
⎝ n ⎠ ⎝ n

где Ln, Lp, и τn, τp – диффузные длины и времена жизни электронов и дырок
соответственно.
Таким образом, в диоде с тонким p-n переходом (толстой базой) ток
насыщения не зависит от напряжения.
Для диода с тонкой базой, т. е. диода, толщина базы которого (Wn
или Wp) значительно меньше диффузионной длины неосновных носителей,
можно получить для тока насыщения (см., например, 1)

⎛p D n p Dn ⎞
I s = q0 S ⎜ n n + ⎟
⎜ W W ⎟
⎝ n p ⎠

Таким образом, в диоде с тонкой базой ток насыщения зависит от обратно-


го напряжения, в связи с изменением толщины p-n перехода.
10
1.4. Особенности вольтамперной характеристика
реального плоскостного диода

Выпрямляющее свойство p-n перехода получило практическое при-


менение в устройстве полупроводниковых плоскостных выпрямительных
диодов, используемых в разнообразных выпрямительных схемах.
Вольтамперная характеристика плоскостного диода несколько отли-
чается от характеристик идеального p-n перехода (рис. 3). Отличие прямой
ветви вольтамперной характеристики плоскостного диода обусловлено
тем, что при выводе уравнения (2) не учитывались явления генерации и
рекомбинации в запирающем слое, а также распределенное сопротивление
базы диода. Рекомбинация возрастает с увеличением прямого напряжения,
прямой ток вначале экспоненциально возрастает, а затем, начиная с неко-
торого напряжения U = φk, растет почти линейно. Это объясняется тем, что
при больших прямых токах внешнее напряжение значительно превышает
контактное φk на p-n переходе, и прямой ток определяется в основном со-
противлением материала диода.

Рис. 3. Вольтамперная характеристика германиевого диода


1-теоретичекая,2-экспериментальная.
(прямые и обратные ветви характеристик даны в разных масштабах).

Значение обратного тока насыщения на плоскостных диодах больше, чем


теоретическое (2), и возрастает при увеличении обратного напряжения.
Это объясняется наличием поверхностной проводимости p-n перехода и
термогенерацией носителей в запирающем слое перехода. При некотором
критическом значении обратного напряжения Uкр обратный ток возрастает,
так как возможны предпробойные явления и пробой p-n перехода вследст-
11
вие ударной ионизации и большого тепловыделения за счет роста обратно-
го тока. Тепловой пробой характеризуется наличием участка отрицатель-
ного дифференциального сопротивления на обратной ветви вольтамперной
характеристики. С другим механизмом пробоя p-n перехода необходимо
ознакомиться по рекомендуемой литературе.

1.4. Температурная зависимость вольтамперных


характеристик полупроводниковых диодов

На вольтамперные характеристики полупроводниковых выпрямителей в


сильной степени влияет температура. При повышении температуры увели-
чивается прямой и обратный токи. Обратный ток существенно зависит от
температуры незначительно. С ростом температуры уменьшается высота
барьера q0φk и экспоненциально растет концентрация неосновных носите-
лей заряда, вследствие чего увеличивается того. Рост тока насыщения с
повышением температуры практически является основным фактором, оп-
ределяющим температурный предел работы диодов.
Германиевые плоские диоды различных типов рассчитаны на различ-
ные допустимые прямые токи от 0,3 до 1000А. Падение напряжения на
диодах при этих токах не превышает 0,5В. Температурная зависимость
прямого падения напряжения на германиевых диодах может быть различ-
ной при малых и больших прямых токах (рис. 4).

Рис. 4. Вольтамперные характеристики германиевого


диода при различных температурах среды.

При малых прямых токах, когда почти всё внешнее напряжение прило-
жено к p-n переходу, прямое падение напряжения уменьшается с увеличе-
нием температуры в связи с уменьшением высоты потенциального барье-
ра и с перераспределением носителей по энергиям. При больших для дан-
12
ного диода прямых токах прямое падение напряжения может зависить от
сопротивления базы, которое увеличивается с увеличением температуры
из-за уменьшения подвижности носителей заряда. Поэтому при больших
прямых токах прямое падение напряжения на диоде может возрастать. Об-
ратная ветвь вольтамперной характеристики германиевых плоскостных
диодов имеет участок насыщения, так как обратные токи германиевых
диодов связаны в основном с процессом экстракции неосновных носителей
из базы. Допустимое обратное напряжение не превышает 400 В. Пробой
германиевых диодов имеет тепловой характер. Поэтому пробивное напря-
жение уменьшается с повышением температуры. Верхний предел диапазо-
на рабочих температур германиевых диодов (75˚ – 85˚С) определяется рез-
ким ухудшением выпрямления из-за роста обратного тока – сказывается
тепловая ионизация атомов германия. Вольтамперные характеристики од-
ного из кремниевых плоскостных диодов (Д 211) приведены на рис. 5.

Рис. 5. Вольтамперные характеристики кремниевого диода Д 211


при различных температурах среды

Кремниевые плоскостные диоды различных типов рассчитаны на раз-


личные допустимые прямые токи – от 0,5 до 1500А. Падение напряжения
на диодах при этих токах не превышает обычно 1,5 В. Большие падения
напряжения при прохождении прямого тока через кремниевые диоды, по
сравнению с прямым падением напряжения на германиевых диодах, связа-
ны с большей высотой потенциального барьера p-n переходов, сформиро-
ванных в кремнии.
13
С увеличением температуры кремниевого диода прямое падение на-
пряжения уменьшается, что связано с уменьшением высоты потенциально-
го барьера и с перераспределением носителей заряда по энергиям.
Обратная ветвь вольтамперной характеристики кремниевых диодов не
имеет участка насыщения обратного тока, т. к. обратный ток в кремниевых
диодах вызван в основном процессом генерации носителей в p-n переходе.
Допустимое обратное напряжение кремниевых диодов (до 1600 В) значи-
тельно превосходит аналогичный параметр германиевых диодов. Пробой
кремниевых диодов имеет лавинный характер. Поэтому с увеличением
температуры пробивное напряжение увеличивается.
Верхний предел диапазона рабочих температур (125˚С) оказывается
большим аналогичного параметра германиевых диодов, так как ширина
запрещенной зоны кремния превышает ширину запрещенной зоны герма-
ния. Поэтому тепловая генерация носителей заряда в результате ионизации
собственных атомов полупроводника (собственная электропроводность) в
кремниевых диодах начинает сказываться при больших температурах.

1.6. Описание установки и методики эксперимента

Для снятия вольтамперных характеристик диодов на постоянном токе


их включают в схему, представленную на верхней крышке макета. Иссле-
дуемые германиевый и кремниевый диоды помещены в печь. Изменение
прямого и обратного смещения, подаваемого на диоды, а также регулиров-
ка температуры печи осуществляется двумя ЛАТРами. Измерение темпе-
ратуры производится термопарой, подключенной к прибору МПШПр-54.
Включение диодов в прямом и обратном направлениях и переключение
пределов измерения вольтметра и миллиамперметра осуществляется соот-
ветствующими тумблерами и штеккерами.
По полученным экспериментальным данным при снятии вольтампер-
ных характеристик при различных температурах можно вычислить:
1) статические сопротивления в прямом и обратном направлениях
U
при различных значениях приложенного напряжения( Rc = );
I
2) динамическое сопротивление в определенной точке вольт ампер-
ΔU
ной характеристики ( Rд = );
ΔI
3) коэффициент выпрямления при различных значениях приложен-
I пр
ного напряжения ( K = при U пр = U обр );
I обр
ΔI пр
4) температурный коэффициент прямого тока ( ТКПТ = );
I пр ΔT
5) температурный коэффициент обратного тока насыщения
ΔI s
( ТКТH = )
I s ΔT
14

1.7. Задание

1 Изучите схему установки и снимите статические вольтамперные ха-


рактеристики германиевого и кремниевого диодов в зависимости от
температуры. Внимание! При снятии характеристик учитывайте тем-
пературный диапазон работы диодов! При снятии прямой ветви вольт-
амперной характеристики не подавать на диоды напряжения, соответ-
ствующие обратным ветвям!
2 Постройте вольтамперные характеристики, снятые при различных тем-
пературах и объясните их. Указание! Для каждого из диодов семейст-
во характеристик строить на одном графике. Для прямой и обратной
ветви выбирать разные масштабы!
3 Оцените с помощью характеристики величину сопротивления базы и
контактной разности потенциалов.
4 Вычислите при одинаковом напряжении и разных температурах:
а) статическое и динамическое сопротивления в прямом и обратном
направлениях;
б) коэффициент выпрямления.
5 Вычислите при определенных напряжениях:
а) температурный коэффициент обратного тока насыщения;
б) температурный коэффициент прямого тока.

1.8. Контрольные вопросы

1 Какие бывают p-n переходы по распределению концентрации примесей


в p- и n-областях и по методу их изготовления?
2 Объясните механизм возникновения потенциального барьера в p-n пе-
реходе и выражение контактной разности потенциалов через концен-
трацию носителей в p- и n- областях.
3 Объясните на энергетической диаграмме p-n перехода, как изменяется
высота барьера при приложении к нему внешнего напряжения (прямо-
го и обратного).
4 Объясните причины, приводящие к различию между токами в прямом
и обратном направлениях для плоскостного диода.
5 Как вычисляется ток носителей заряда через p-n переход в случае дио-
дов с тонкой и толстой базой?
6 Объясните особенности вольтамперной характеристики реального
диода.
7 Объясните различия в вольтамперных характеристиках германиевого и
кремниевого диодов.
8 Объясните возможные механизмы пробоя p-n перехода.
9 Какова температурная зависимость обратного тока диодов?
15
1.9. Литература

1 Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы / В.В. Пасынков, Л.К.


Чиркин — СПб. : Лань, 2003. – 478 с.
2 Гуртов В.А. Твердотельная электроника / В.А. Гуртов. – 2-е изд., доп. –
М. : Техносфера, 2005. – 408 с.
3 Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов : учеб.
пособие / Я.А. Федотов. — М. : Сов. радио, 1970. — 590 с.
4 Викулин И.М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин,
В. И. Стафеев . — М. : Сов. радио, 1980 . — 332 с.
5 Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам / под
ред. К.В. Шалимовой, – М. : Высш. шк., 1968. – 464 с.
6 Зи С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи; пер. с англ. под
ред. А.Ф. Трутко. — М. : Энергия, 1973 .— 655 с.
16
2. Работа №2. Изучение физических принципов работы
терморезисторов

Цель работы – исследование основных характеристик и параметров


терморезисторов при различных температурах окружающей среды.

2.1. Основные определения

Главным элементом полупроводникового термистора (ПТР) являет-


ся его рабочее тело. Рабочие тела ПТР изготовляют обычно из смесей оки-
слов переходных металлов, начиная с титана (Z = 22) и кончая медью (Z =
29) таких как, например, окись кобальта Co2O3 , двуокись титана TiO2
окисла алюминия Al2O3, окись меди CuO, закись меди Cu2O, окись железа
Fe2O3 и другие. Чаще всего используют смеси окислов никеля Ni2O3 и мар-
ганца Mn2O3; никеля, марганца и кобальта; титана и магния и др. Большин-
ство терморезисторов изготовляют спеканием порошковых материалов.
ПТР имеют размеры от 10 мкм до нескольких сантиметров и форму ци-
линдрических стержней, трубок, дисков, шайб и бусинок.
Электроды наносятся вжиганием серебра или других металлов.
Бусинки имеют контакты из платиновой проволоки.
В зависимости от назначения и способа температурного управления
рабочим телом ПТР, их делят на терморезисторы прямого и косвенного
подогрева. Термисторы прямого подогрева изменяют своё сопротивление
поп влиянием тепла, выделяющегося в рабочем теле при прохождении по
нему электрического тока, или за счет тепла, получаемого из окружающей
среды. Термисторы косвенного подогрева имеют дополнительный источ-
ник теплового потока – специальный подогреватель, изготовленный в виде
спирали из высокоомного сплава и располагаемый либо вокруг рабочего
тела, либо во внутреннем канале рабочего тела. В этом случае сопротивле-
ние рабочего тела является функцией тока нагревателя. Термисторы харак-
теризуются следующими параметрами:
1. Холодным сопротивлением R20.
2. Температурным коэффициентом сопротивления α.
3. Коэффициентом рассеяния Н.
4. Постоянной времени τ.

2.2. Принципы работы ПТР

1. Холодное сопротивление – это сопротивление термистора при


температуре окружающей среды 20°С. Холодное сопротивление, обозна-
чаемое R20, различных типов ПТР составляет от нескольких омов до не-
скольких сот килоомов.
2. Температурный коэффициент сопротивления α выражает в про-
центах изменение абсолютной величины сопротивления термистора при
17
изменении температуры на один градус, α обычно указывается для той же
температуры, что и холодное сопротивление
R19,5 − R20,5
α 20 = ( ⋅ 100%) / 1o C ,
R20
где R19,5 – сопротивление термистора при температуре 19,5°С,
R20,5 – то же, при температуре 20,5°С,
R20 – холодное сопротивление термистора.
Значение температурного коэффициента для любой температуры в
диапазоне 20 -150°С можно найти с помощью выражения
B
α =− ,
T2
которое легко получить из следующих рассуждений.
Как известно, зависимость удельного сопротивления полупро-
водника ρ от температуры в не слишком широком температурном интер-
вале всегда можно выразить экспоненциальным законом:
ΔE
ρ = C ⋅ exp( )
2kT
где C – постоянная, зависящая от физических свойств материала,
ΔE – ширина запрещенной зоны,
T – абсолютная температура.
Тогда величина сопротивления ПТР при температуре T со-
l
гласно формуле R = ρ будет равна:
S
l ΔE B
RT = C exp( ) = A ⋅ exp( ) (1)
S 2kT T
ΔE
где обозначено: B = – коэффициент температурной чувствительности
2k
l
(или температурная постоянная), A = C – постоянная, зависящая от
S
свойств материала и габаритов ПТР.
Если в формуле (1) положить T = ∞ , то RT = A = R ∞ , и формула (1)
принимает вид:
B
RT = R∞ exp( ) ,
T
где R ∞ – условное сопротивление термистора при Т = ∞ . Параметры B и
R ∞ имеют существенное значение при расчете статических и дина-
мических режимов работы электрических цепей с термисторами, поэтому
важно уметь их определять.
Если имеется температурная характеристика термистора, опреде-
лённая опытным путём, то, взяв на ней две произвольные точки и записав
сопротивление термистора в этих точках в соответствии с преобразован-
ным уравнением (2), получим:
18
B
ln R1 = ln R∞ +
T1
B
ln R2 = ln R∞ +
T2
Исключив из этих уравнений постоянную R ∞ , получим:

R1
lnT1T2
R2
B= , (3)
T2 − T1
исключив В из этих же уравнений, будем иметь:

T1 ln R1 − T2 ln R2
ln R∞ = (4)
T2 − T1
Если известно сопротивление и постоянные температурной харак-
теристики термистора, то его усреднённую температуру можно определить
из уравнения (2):
B
T= (5)
R
ln
R∞

Рассмотрев физический смысл параметров уравнения (2), опреде-


лим температурный коэффициент сопротивления термистора, определяя
его, КАК это принято, как относительное изменение сопротивления терми-
стора на 1° изменения температуры, т. е.

1 dRT
α= (6)
RT dT
Для этого, продифференцировав уравнение (2) и подставив резуль-
тат в (6), получим:
B
αT = −
T
Следовательно, величина температурного коэффициента сопротив-
ления термистора определяется значением постоянной В и его значение
является отрицательной величиной.
У различных ПТВ значение В лежит в пределах 700 – 15800 К и её
можно считать постоянной лишь для данного термистора в определенном
интервале температур. Значение температурного коэффициента сопротив-
ления для различных ПТР находится в пределах -0,8 до -6,0 (% / град).
3. Коэффициент рассеяния Н численно равен мощности, рассеивае-
мой рабочим телом ПТР при разности температур термистора и окружаю-
щей среды в 1 0С, и выражается в мвт/град. Коэффициент рассеяния нахо-
дят из температурных и вольтамперных характеристик ПТР. Для сравне-
ния коэффициенты рассеяния различных ПТР приводят к единице поверх-
ности рабочего тела. В этом случае говорят об удельном коэффициенте
19
рассеяния h. Для различных типов ПТР значения h лежат в пределах 1 до
60 мВт/(К см2).
4. Постоянная времени τ характеризует тепловую инерциальностъ
ПТР. Она численно равна времени, за которое температура термистора при
его охлаждении в спокойном воздухе уменьшится на 63%, и выражается в
секундах, для различных типов ПТР постоянная времени лежит в пределах
0,5 до 140 секунд.
В ряде случаев практического применения ПТР необходимо знать
их статические характеристики.
Статической вольтамперной характеристикой ПТР называют зави-
симость между падением напряжения на рабочем теле и величиной проте-
кающего через него тока в условиях теплового равновесия между ПТР и
окружающей средой. Поэтому при снятии таких характеристик при изме-
нении величины текущего через ПТР тока необходимо выждать время, по-
ка не установится равновесие между мощностью, выделяемой в рабочем
теле ПТР, и мощностью, рассеиваемой им в окружающую среду. Вид ха-
рактеристики определяется конструкцией и габаритными paзмерами ПТР,
величиной его сопротивления и температурным коэффициентом. Различа-
ют три основных типа статических вольтамперных характеристик.

Рис. 1. Три основных типа статических вольтамперных характеристик.

У типа I увеличение тока термистора вызывает увеличение напряже-


ния на нем на протяжении всей вольтамперной характеристики. ПТР с по-
добными характеристиками используются в измерительных схемах или
стабилизаторах напряжения по мостовой схеме.
20
У II типа при относительно больших изменениях тока напряжение
на термисторе в известной части характеристики остается постоянные или
близким к постоянному значению. Этот тип характеристик пригоден для
стабилизации напряжения.
У III типа на большей части вольтамперной характеристики после
достижения максимума при возрастании тока наблюдается уменьшение
напряжения не ПТР. Такой тип характеристики обычно используется в
различных схемах автоматического управления, где требуется относитель-
но большое нарастание тока.
Объясним ход вольтамперной характеристики на примере третьего
тапа.
При малых токах и напряжениях мощность, выделяемая в терми-
сторе, слишком мала, чтобы заметно повысить его температуру: в этой об-
ласти /участок Оа/ соблюдается закон Ома и характеристика имеет вид
прямой линии. Дальнейшее увеличение тока приводит к росту выделяемой
мощности и повышении температуры ПТР. При этом сопротивление тер-
мистора уменьшается. При некотором значении тока I max относительное
увеличение тока становиться равным вызванному им относительному по-
нижению сопротивления, в результате чего напряжение на ПТР остаётся
постоянным. Этой величине соответствует максимум кривой. При ещё
больших токах сопротивление понижается сильнее, чем увеличивается ток,
и на характеристике появляется область отрицательного сопротивления
/участок - ad/. Выберем рабочую точку на характеристике, например, точку
С. Прямая ОС образует с осью абсцисс угол α. Статическое сопротивление
ПТР, соответствующее выбранной рабочей точке, будет

mu U c
RCT = tgα = ,
mI Ic
где mU и mI , – масштабные множители по соответствующим осям.
Если же провести в точке С вольтамперной характеристики ка-
сательную, то она образует с осью абсцисс угол β, причем

mu dU
tgβ = = Rдин ,
mI dI
где Rдин – динамическое сопротивление.
На участие Ob дифференциальное сопротивление положительно
dU dU
> 0 .На участке bd < 0 . Облacть отрицательного дифференциаль-
dI dI
ного сопротивления во многих случаях является рабочей частью вольтам-
перной характеристики.
Классификация вольтамперных характеристик ПТР на три типа
носит условный характер, т. к. она относится только к рабочей части ха-
рактеристики, где температура ПТР не достигает предельно допустимой.
21
ПТР может иметь все перечисленные выше типы вольтамперных харак-
теристик в зависимости от влияния на них различных факторов.
Если рассматривать электрическую цепь с ПТР, то вольтамперная
характеристика цепи /контура/ будет определяться вольтамперной харак-
теристикой ПТР. Путём подбора величин и схем включения линейных
элементов с термистором можно получить вольтамперную характеристику
цепи /контура/, отличную от характеристики ПТР. Так, можно получить
характеристику цепи /контура/ I и II типов, в то время как термистор, будет
иметь вольтамперную характеристику III типа.

2.3. Методика измерения вольтамперных характеристик терморе-


зистора и электрическая схема

Снятие вольтамперных характеристик имеет свои особенности, обу-


словленные инерционностью терморезистора и наличием отрицательного
участка на его вольтамперной характеристике. Схема для снятия вольтам-
перных характеристик изображена на рис. 2.

Рис. 2. Схема для снятия вольтамперных характеристик.

Для снятия температурных характеристик термистор помещается в


печь, температура которой может меняться от комнатной до 100 ˚С. Пита-
ние схемы осуществляется от источника постоянного тока.
22

2.4. Задание

1. Поместив термистор в печь, собрать схему изучения его характе-


ристик /рис. 2/
2. Снять семейство вольтамперных характеристик термистора при
разных температурах окружающей среды, в том числе при комнатной тем-
пературе, U T = f ( I T )
3. Определить холодное сопротивление термистора, которое опреде-
ляется как тангенс угла наклона к оси абсцисс касательной, проведённой
из начала координат к вольтамперной характеристике
mU
R20 = tgγ ,
mI
где mU и mI – масштабы по осям напряжения и тока. Холодное сопротив-
ление термистора R20 определяется на начальной, устойчивой части вольт-
амперной характеристики /рис. 1/.
4. Вычислить, величину отрицательного динамического сопротивле-
ния в одной из выбранных точек.
5. Пользуясь вольтамперной характеристикой, построить зависи-
мость RT = f ( I T ) .
6. Рассчитать постоянную B по уравнению (З).
7. По снятым при различных температурах вольтамперным характе-
ристикам построить кривую изменения сопротивления термистора в зави-
симости от температуры RT = f (T ) .
8. Вычислять температурный коэффициент сопротивления терми-
стора.
9. Снять вольтамперные характеристики термисторов при следую-
щих включениях:
23

Примечание

1 При снятии температурной зависимости термисторов диапазон изме-


нения температуры устанавливается в соответствии со справочными
данными.
2 При всех испытаниях термисторов следует помнить, что нельзя увели-
чивать выше максимального ток, указанный в паспортных данных.
3.Использовать выход УИП на 600В.

2.5. Контрольные вопросы

1 Принцип действия полупроводниковых терморезисторов и косвенного


подогрева.
2 Какие материалы используются для изготовления терморезисторов?
Физический смысл параметров В и R∞?
3 Начертите основные типы ВАХ терморезисторов. От чего зависит кон-
кретный вид ВАХ терморезистора?
4 Объясните вид ВАХ терморезистора. Что такое коэффициент рассея-
ния?
5 Как меняется ВАХ терморезистора при последовательном или парал-
лельном подключении другого сопротивления (термистора или посто-
янного)?
6 Назовите основные области применения терморезисторов?

2.6. Литература

1 Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы / В.В. Пасынков, Л.К.


Чиркин — СПб. : Лань, 2003. – 478 с.
2 Гуртов В.А. Твердотельная электроника / В.А. Гуртов. – 2-е изд., доп.
– М. : Техносфера, 2005. – 408 с.
3 Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов : учеб.
пособие / Я.А. Федотов. — М. : Сов. радио, 1970. — 590 с.
4 Викулин И.М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин,
В. И. Стафеев . — М. : Сов. радио, 1980 . — 332 с.
5 Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам /
под ред. К.В. Шалимовой, – М. : Высш. шк., 1968. – 464 с.
6 Зи С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи; пер. с англ. под
ред. А.Ф. Трутко. — М. : Энергия, 1973 .— 655 с.
24

Работа №3. Изучение физических принципов работы фотодиодов

Цель работы – изучение основных физических закономерностей, оп-


ределяющих свойства и параметры фотодиодов, исследование их вольтам-
перных, световых и спектральных свойств, а также влияния режима вклю-
чения фотодиода на световые характеристики.

3.1.Физические принципы работы фотодиода

Фотодиод является полупроводниковым прибором, в котором ис-


пользуется эффект разделения на границе p-n перехода неравновесных но-
сителей, создаваемых светом схематически фотодиод изображен на рис. 1.

а) б)

Рис. 1. Схематическое изображение фотодиода.

Освещаемая область обычно слабо легирована, имеет большое время


жизни τp, И, следовательно, большую диффузионную длин, Lp. Если шири-
на n – области W значительно меньше Lp в этой области, то большая часть
этих носителей не успеет прорекомбинировать и дойдет до границы p-n
перехода. При освещении n области в ней образуется неравновесные элек-
троны и дырки. Изменение концентрации электронов в n-области можно
не учитывать, т. к. это изменение по сравнению с равновесной концентра-
цией не очень велико и только ничтожная их доля, преодолевая потенци-
альный барьер, может проходить в p-область полупроводника. Повышение
концентрации дырок приводит к тому, что через переход появляется ды-
рочный ток, направленный в p-область. Величину дырочного тока, обу-
словленного освещением, обозначим через If. Наличие тока If нарушает те-
пловое равновесие и приводит к тому, что p-область полупроводника за-
25
ряжается положительно относительно n-области. Возникшая таким обра-
зом разность потенциалов φ уменьшает потенциальный барьер, что соот-
ветствует смещению p-n перехода в прямом направлении. Эта разность по-
тенциалов φ вызывает прямой ток дырок, который противодействует току
неосновных носителей If . Если разность потенциалов на p-n переходе φ, то
инжекционный ток:
ϕ
ϕТ
I = I s (e − 1) ,
где Is – ток насыщения p-n перехода,
kT
ϕT = – температурный потенциал.
e
В результате установится динамическое равновесие между током If
и током инжектированных носителей Js
ϕ
ϕТ
I f − I s (e − 1) = 0 .
Если подключить к выводам фотодиода источник напряжения U, то
в цепи потечет ток, величина которого определяется разностью встречных
токов через p-n переход
U
ϕТ
I = I f (Ф) − I s (e − 1) .
(*)
Уравнение (*) описывает семейство вольтамперных характеристик
фотодиода (рис. 2). Параметром семейства характеристик является вели-
чина светового потока Ф.

Рис. 2. Семейство вольтамперных характеристик фотодиода


26
Пусть последовательно с фотодиодом включены источник напря-
жения E и внешнее сопротивление R. Ток через переход в этом случае бу-
дет определяться тем же уравнением
ϕ
U +E
I f − I s (e ϕТ − 1) = =I. (**)
R
Различают два режима работы фотодиода: вентильный и фотодиодный.

Вентильный режим характеризуется отсутствием источника внешнего на-


пряжения в цепи фотодиода. При этом внешнее сопротивление R в общем
случае может быть включенным во внешнюю цепь.
При разомкнутой цепи R = ∞ величину напряжения на переходе φ
называют вентильной фото-э.д.с. и обозначают φо. Из уравнения (**) при
E = 0 и R = ∞ получим
If
ϕ в = ϕТ ln( + 1) .
Is
В режиме короткого замыкания (R = 0) напряжение на выводах фо-
тодиода U = 0 и ток во внешней цепи I = If. В этом случае ток короткого
замыкания I образован только потоком неравновесных носителей. В этом
случае можно получить непосредственную связь между I и Ф. Очевидно в
этом случае величина тока If будет пропорциональна числу квантов света
получаемых в полупроводнике в единицу времени.
Ф
I f = eβχ , (***)

где β – квантовый выход, т. е. число электронно дырочных пар образуемых
одним квантом света,
χ – коэффициент переноса, учитывающий долю непрорекомбинировавших
носителей заряда от общего количества носителей, возникающих под дей-
ствием светового потока. Таким образом, величина тока If прямо пропор-
циональна световому потоку Ф.

Фотодиодный режим работы прибора характеризуется наличием обратного


напряжения на переходе. В этом режиме величина потенциального барьера
возрастает, и , следовательно, ток через переход будет определяться пото-
ками неосновных носителей.
При достаточно больших отрицательных напряжений из выражения
(**) следует: I = If + Is.
При малых напряжениях на переходе в первом приближении
U
I = If + ,
R0
ϕ
где величина R0 = соответствует внутреннему сопротивлению p-n пере-
I0
хода при нулевом смещении.
Следовательно, при малых смещениях ток во внешней цепи при-
мерно равен току короткого замыкания (I ≅ Is).
27
Световая характеристика в фотодиодном режиме строго линейна в
большом диапазоне величин световых потоков, что является важным дос-
тоинством фотодиода, в то время как в режиме короткого замыкания фо-
тодиода его световая характеристика оказалась нелинейной за счет неуч-
тенного сопротивления толщи полупроводника (рис. 3).

Рис. 3. Световая характеристика Рис. 4. Спектральные характери-


фотодиода. стики германиевого и кремниевого
фотодиодов.

Важнейшими характеристиками фотодиода является его спект-


ральная и интегральная чувствительность.
Чувствительностью фотодиода называют отношения фототока к ве-
личине светового потока:
If
K=
Ф
Обычно чувствительность B – фотодиодов измеряют в миллиампе-
рах на люмен (мА/лм).
Зависимость чувствительности диода от длины волны называют
спектральной характеристикой фотодиода. Эти кривые для германиевого и
кремниевого фотодиода показаны на рис. 4.
Чувствительность фотодиода к свету сложного спектрального со-
става называют интегральной чувствительностью.
28
Рассмотрим инерционные процессы в фотодиоде при включении и
выключении света. Характер и длительность переходных процессов суще-
ственно зависит от режима работы фотодиода.
Так решение уравнения непрерывности дает в случае фотодиодного
режима такие зависимости для вырастания и спада тока соответственно
t

i (t ) = I f (1 − e t0
)
t
,

i (t ) = I f e t0

W2
где t0 = – постоянная нарастания этого процесса или времени пролета
2Дp
неосновных носителей в n-области.
В то время как в случае вентильного режима фотодиода зависи-
мость тока от времени имеет следующий вид при включении и вык-
лючении
t

τp
I f (t ) = I f0 (1 − e )
t
,

τp
I f (t ) = I f0 e
где τp – время жизни дырок в области диода,
I f – установившееся значение фототока, соответствующее величине све-
0

тового потока Ф.
Кривые релаксации фототока в обоих случаях приведены на рис. 5.

Рис. 5. Кривые релаксации фототока.


29

Учитывая, что Lp = Д pτ p получим для времени релаксации в фото-


диодном режиме

1 W 2
t0 = τ p ( ) .
Z Lp

В правильно сконструированном фотодиоде ширина n-области


W<<Lp поэтому t0<<τp.Поэтому частотные свойства диода в фотодиодном
режиме на много лучше чем в вентильном.

3.2. Методика измерений характеристик фотодиода

При измерении характеристик фотодиода в диодном режиме макет не-


обходимо подключить к источнику постоянного тока напряжением 12В
(розетка находится на стене, не путать с розеткой сетевого напряжения!).
Категорически запрещается включать фотодиод в прямом направлении.
Регулировка напряжения, подаваемого на фотодиод, производится с по-
мощью потенциометра на макете. Находящийся на макете вольтметр по-
зволяет измерить напряжение на фотодиоде в диодном режиме работы, а
миллиамперметр – ток через фотодиод в диодном и вентильном режиме.
Выводы фотодиода подключаются к макету (не путать сигнальный и зем-
ляной выводы!). Сам фотодиод закрепляется непосредственно у выходной
щели монохроматора УМ-2. Переключение режима работы фотодиода в
диодный или вентильный производится с помощью тумблера на макете.
Там же находится ручка переменного сопротивления нагрузки в вентиль-
ном режиме, два крайних положения которой дают значения нагрузочного
сопротивления 0 и 1 кОм.

3.3. Задание

1 Снять семейство в-а характеристик фотодиода при 4-х различных све-


товых потоках.
2 Снять световую характеристику фотодиода в фотодиодном режиме при
3 3-х различных напряжениях.
4 Зарисовать световую характеристику в вентильном режиме короткого
замыкания и при сопротивлении 1 кОм.
5 Зарисовать кривые релаксации фото-Э.Д.С. в вентильном режиме и фо-
тодиодном при различных частотах.
6 Снять спектральную характеристику фотодиода.
30

3.4. Контрольные вопросы

1 Назовите возможные режимы работы фотодиодов.


2 Расскажите о принципе работы фотодиода в вентильном и диодном
режимах.
3 Расскажите об образовании фото-Э.Д.С. при освещении светом пере-
хода
4 Нарисуйте ВАХ фотодиода в диодном режиме.
5 Нарисуйте световые характеристики фотодиода в вентильном и диод-
ном режимах. Объясните их и их различие при больших освещенно-
стях.
6 Нарисуйте и объясните спектральную характеристику фотодиода.
7 Нарисуйте и объясните частотную характеристику фотодиода.

4.4. Литература

1 Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы / В.В. Пасынков, Л.К.


Чиркин — СПб. : Лань, 2003. – 478 с.
2 Гуртов В.А. Твердотельная электроника / В.А. Гуртов. – 2-е изд., доп. –
М. : Техносфера, 2005. – 408 с.
3 Викулин И.М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин,
В. И. Стафеев . — М. : Сов. радио, 1980 . — 332 с.
4 Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам / под
ред. К.В. Шалимовой, – М. : Высш. шк., 1968. – 464 с.
5 Зи С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи; пер. с англ. под
ред. А.Ф. Трутко. — М. : Энергия, 1973 .— 655 с.
6 Городецкий А.Ф. Полупроводниковые приборы / А.Ф. Городецкий,
А.Ф. Кравченко. – М. : Высш. шк., 1967. – С. 225 – 238
7 Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках / С.М.
Рывкин. – М., 1963. – С. 409-438
31
Работа № 4. Исследование физических свойств и принципов работы
туннельного диода

Цель работы – изучение принципа действия, особенностей работы тун-


нельного диода, его статистических вольтамперных характеристик и опре-
деление основных параметров.

4.1. Физические принципы работы туннельного диода

Туннельный эффект. Одно из очень важных физических явления, которое


можно объяснить, исходя из волновых свойств элементарных частиц – это
туннельный эффект.
Сущность явления заключается в следующем. Пусть электрон, дви-
жущийся в вакууме, имеет энергию Е и встречает на своем пути потенци-
альный барьер формы U(x). В классической механике при Е < qU(x) пре-
одоление электроном барьера невозможно.
В квантовой механике при размерах потенциального барьера, срав-
нимых с длинной волны де Бройля электрона λ = 2πh 2m0 E ( 2πh = h – по-
стоянная планка, m0 – масса свободного электрона), становится сущест-
венно вероятным прохождение электрона через барьер без изменения
энергии.
Эта вероятность для одномерного движения электрона в вакууме вычисля-
ется по формуле
w
2
h ∫0
Q = Q0 exp[− 2mo [qU ( x) − E ]dx] , (1)

где Q0 – множитель, определяемый конкретной формой барьера и слабо за-


висящий от его высоты Q, W – границы области потенциального барьера.
Величина Q, кроме того, называется коэффициентом прозрачности потен-
циального барьера.При движении электрона в твердом теле туннельный
эффект проявляется в самых различных случаях. В частности, если в полу-
проводнике с шириной запрещенной зоны ∆Еg создано однородное элек-
трическое поле Е, то возникает возможность перехода электрона из ва-
лентной зоны V в зону проводимости (С) за счет этого поля. На упрощен-
ной энергетической диаграмме (Рис.1) электрон при переходе из точки 0 (в
V – зоне) в точку Х (в С – зоне) должен преодолеть потенциальный барьер,
энергия которого изменяется по закону ∆Еg - qEx.

По грубой аналогии с прохождением электрона через потенциальный


барьер в вакууме, вероятность перехода из зоны в зону будет равна:
w
2
Q = Q0 exp[− ∫ 2m[ΔE g − qEx]dx] (2)
h0
32

Рис. 1. Упрощенная энергетическая схема полупроводника, иллюстри-


рующая конфигурацию потенциального барьера при наличии электриче-
ского поля.

Проводя интегрирование в показателе с учетом того (см. рис. 1), что


qEW = ∆Eg, получим

m ΔE g
3/ 2
4 2
Q = Q0 exp(− • • ) (3)
3 h qE

Из формулы (3) следует, что вероятность туннельного эффекта экспо-


ненциально зависит от напряженности поля Е (или, соответственно, от
толщины барьера). При ∆Еg ≈ 1эВ и m = 0,1m0 характерные поля, при ко-
торых величина Q резко изменяется от нуля до десятых долей единицы,
порядка 7·105 в/см. Толщина барьера W0 (соответствующие этим величи-
нам ∆Еg и Е) порядка 100Ǻ. Эти характерные величины дают представле-
ние об условиях, при которых туннельный эффект в полупроводниках ста-
новится существенным.

Более строгое рассмотрение, учитывающее особенности зонной струк-


туры полупроводника, приводит к формуле, аналогичной (3) и отличаю-
щейся численным коэффициентом в показателе.
33
p-n – переход в вырожденном полупроводнике. Сильное электрическое по-
ле в полупроводнике легко создать в области p-n – перехода. Даже в отсут-
ствие внешнего напряжения между p- и n- областями существуеть кон-
тактная разность потенциалов φс, создающая в области p-n – перехода про-
странственный заряд и электрическое поле. При W = 100 Ǻ, qφk = ∆Eg ≈ 1эВ
и Е ≈ 10 концентрация примесей, при который возможен заметный тун-
нельный эффект в p-n – переходе, оказывается порядка 1019 см-3. При таких
больших концентрациях примесей полупроводник становится вырожден-
ным (Рис. 2), т.е. концентрация электронов и дырок в зонах уже не подчи-
няются простой статистике Больцмана, как это считалось для невырож-
денного p-n перехода, а подчиняются статистике Ферми. Уровень Ферми Еf
в равновесии расположен выше дна зоны проводимости в n – области и
ниже потолка валентной зоны в p – области.

Рис. 2. Вырожденный p-n переход в равновесии. Заштрихованные области


E<Ef, по определению, заняты электронами. Область ∆Еfp занята дырка-
ми.

Величины ∆Еfn = Ef – Ecn и ∆Еfp = Evp – Ef определяют степень вырож-


дения соответственно n- и p- областей полупроводника.

Согласно статистике Ферми, в полупроводниках с простой параболи-


ческой зависимостью энергии от квазиимпульса концентрации электронов
и дырок при существенном вырождении (∆Еfn, ∆Еfр>kT) определяются фор-
мулами

4 ΔE fn 4 ΔE fp
n′ = N c F1 / 2 ( ) (4а) p= N v F1 / 2 ( ) (4б),
π kT π kT
34
где Nc и Nv определяются формулами 5а и 5б, а интеграл Ферми

x 1 / 2 dx
F1 / 2 (ξ ) = ∫ , протабулирован в зависимости от безмерного аргу-
0
exp( x − ξ ) + 1
мента ξ = ΔE f / kT .

2πmc kT 3 / 2 2πmv kT 3 / 2
N c = 2( ) (5а) N v = 2( ) (5б)
h2 h2

Вольтамперная характеристика туннельного диода. p-n – переход вы-


рожден с обеих сторон, а толщина его настолько мала, что существенно
туннельное просачивание электронов через потенциальный барьер, то
вольт амперная характеристика перехода приобретает новые особенности
по сравнению с обычным p-n – переходом. Число туннельных переходов
справа налево в интервале энергий от Е до Е + dE пропорционально числу
занятых электронами состояний в С – зоне (см. рис. 2 справа)
g c ( E ) f c ( E )dE

и числу свободных мест (дырок) в V – зоне (рис. 2 слева)


g v ( E )[1 − f v ( E )]dE

здесь gc, gv, fc, fv – соответственно плотности и функции заполнения элек-


тронных состояний с энергией Е в С – зоне и в V – зоне.

Полное число туннельных переходов справа налево равно

I cv = A∫ g c g v f c (1 − f v )Qcv ( E )dE

и соответственно слева направо

I vc = A∫ g v g c f v (1 − f c )Qvc ( E )dE

здесь А – множитель, определяемый площадью перехода, Q – вероятность


туннельных переходов, а интегрирование ведется в области энергий, где
подынтегральные выражения отличны от нуля. В равновесии функция
Ферми для заполнения электронами энергетических состояний в С- и V-
зонах едина:
1
f = . (6)
E − Ef
1 + exp( )
kT

По условиям детального равновесия Qcv = Qvc = Q. Отсюда непосредствен-


но следует Icv = Ivc и равенство нулю полного туннельного тока.
35
Если нарушить равновесие между зонами, приложив к p-n – переходу
напряжение, то функции fc и fv можно описать, как и в равновесии, функ-
циями Ферми, считая, что в каждой зоне соответственно справа и слева
имеется свой квазиуровень Ферми Efn и Efp

f c ( E ) = 1 /{1 + exp[( E − E fn ) / kT ]} (6а)

f v ( E ) = 1 /{1 + exp[( E − E fp ) / kT ]} (6б)

В этом случае полный туннельный ток равен

I = q( I cv − I vc ) = qA∫ g c g v ( f c − f v )QdE (7)

Что касается пределов интегрирования в формуле (7), то достаточно огра-


ничиться областью энергий между краями зон Еcn и Evp и соответствую-
щими уровнями Ферми в зонах.

Рис. 3. Вырожденный p-n переход при различных внешних напряжениях:


а – обратное смещение, б,в,г – прямое смещение (qU<∆; qU = ∆; qU>∆),
где ∆ = ∆Еfn+∆Efp..
36
Рассмотрим теперь качественно зависимость величины I в (7) от прило-
женного к туннельному диоду внешнего напряжения U, которое определя-
ет энергетическое расстояние между квазиуровнями Ферми по обе сторо-
ны перехода:

qU = E fn − E fp (8)
Пусть к диоду приложено отрицательное напряжение (рис. 3а, б, в, г)

При энергиях, меньших Еfp, в валентной зоне слева велико число


заполненных состояний gv fv, напротив которых в n- области в зоне прово-
димости велико число пустых состояний gc(1 – fc) выше энергии Еfn. Тун-
нельный ток электронов слева направо в этом случае будет велик, а обрат-
ный ток – пренебрежимо мал.
Этому случаю на вольтамперной характеристике (Рис. 4) соответствует
область (а).

Рис. 4. Общий вид вольтамперной характеристики туннельного диода.

Наибольший интерес в туннельном диоде представляет прямая


часть вольтамперной характеристики. На рис 3.б показана энергетическая
диаграмма в случае, когда к диоду приложено небольшое прямое смеще-
ние. Тогда туннельный ток определяется в основном электронами, перехо-
37
дящими с заполненных уровней С – зоны на пустые уровни в V – зоне.
Этот ток (ветвь б на рис. 4) при равных напряжениях меньше тока (а) при
обратном смещении из-за меньших значений qc и qv при этих энергиях и
меньшей вероятности Q туннельного перехода.

Рассмотрим теперь рис. 3в, характеризующий энергетическую диа-


грамму в случае U = U0, qU0 = ∆Efn + ∆Efp. При этом нижний край V – зоне
находится на уровне верхнего края С – зоны и для электронов с E > Ec нет
соответствующих свободных состояний в V – зоне. Таким образом, при U
≥ U0 туннельный ток должен быть равен нулю. На практике вблизи U = U0
ток не падает до нуля, а лишь становится малым. Причина этого заключа-
ется в большой концентрации примесных энергетических уровней в за-
прещенной зоне вырожденного полупроводника.

В области прямых напряжений от нуля до U0 туннельный ток про-


ходит через максимум. Качественно понятно, что максимум должен быть
при напряжении, несколько меньшим величины ∆Efp (см. рис. 3б). В таком
случае велико число электронов, которые могут переходить из С – зоны
налево, так как непосредственно по уровнем Ферми Efn велики значения и
gc и fc им соответствует большое количество свободных мест в V – зоне, а
электрическое поле уменьшилось внешним напряжением незначительно.

Выше говорилось, что при сравнительно больших прямых смеще-


ниях U ≥ U0 туннельные токи практически не идут. Однако теперь возни-
кает возможность обычного теплового перехода части электронов через
потенциальный барьер, и идет инжекция их в р- область. Аналогично, идет
инжекция дырок в n- область (см. стрелки на рис. 3). Ток при таком меха-
низме должен экспоненциально расти с напряжением. Этот участок на рис.
4 обозначен буквой «г». Таким образом, при напряжении порядка U0 дол-
жен наблюдаться минимум тока в туннельном диоде. Напряжение U0 непо-
средственно связано со степенями вырождения: qU0 = ∆Efn + ∆Efp. Вольт-
амперная характеристика, рассмотренная нами, показана на рис. 4. Участок
«в» имеет «отрицательный» наклон, соответствующий уменьшению тока с
ростом напряжения. Это – одна из важнейших особенностей вольтампер-
ной характеристики туннельных диодов.

4.2. Методика исследований и описание установки


Для снятия вольтамперной характеристики туннельного диода макет
необходимо подключить к источнику постоянного напряжения. Изменение
напряжения, подаваемого на туннельный диод, производится с помощью
потенциометра, расположенного на макете. Напряжение и ток измеряются
вольтметром и миллиамперметром. Пределы последнего меняются с по-
мощью тумблера.
38
Включение диода в прямом и обратном напряжении производится с помо-
щью тумблера, расположенного на макете.

4.3. Задание
1 Снять вольтамперную характеристику туннельного диода в прямом и
обратном направлениях.

2 Построить вольтамперную характеристику туннельного диода.

4.4. Контрольные вопросы

1 Укажите существенное отличие туннельного диода от обычного полу-


проводникового диода.
2 Объясните явление туннельного эффекта.
3 Укажите достоинства туннельных диодов.
4 Постройте и объясните вольтамперную характеристику туннельного
диода.
5 Как определить величину среднего отрицательного сопротивления
туннельного диода?
6 Расскажите о применении туннельных диодов.
7 Постройте и объясните вольтамперную характеристику обращенного
диода.
8 Расскажите о применении обращенных диодов.

4.5. Литература.

1 Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы / В.В. Пасынков, Л.К.


Чиркин — СПб. : Лань, 2003. – 478 с.
2 Гуртов В.А. Твердотельная электроника / В.А. Гуртов. – 2-е изд., доп.
– М. : Техносфера, 2005. – 408 с.
3 Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов : учеб.
пособие / Я.А. Федотов. — М. : Сов. радио, 1970. — 590 с.
39
Работа № 5. Изучение физических принципов работы фоторезисторов

Цель работы – изучение основных физических закономерностей, опреде-


ляющих свойства и параметры фоторезисторий (фоторезисторов), исследо-
вание их вольтамперных, световых, инерционных и спектральных характе-
ристик.

5.1. Основные свойства фоторезисторов

Фоторезистор, или фотосопротивление – это полупроводниковое


устройство, сопротивление которого зависит от освещенности.
Основным элементом фоторезисторов является тонкий слой полупровод-
никового материала 1, нанесенного на изолирующую подложку 2 (рис.
1), например, испарения в вакууме. На краевые области слоя полупро-
водника напыляются металлические контакты 3. Окончательно фоторе-
зистор оформляется в пластмассовом корпусе с выводами от контактов.
Ножки корпуса позволяют вставлять фоторезистор в панельку.
Выпускаемые промышленностью фоторезисторы имеют высокую
чувствительность, небольшое омическое сопротивление, простую конст-
рукцию и, малые габариты, большой срок службы, стабильность свойств
и т. п. К числу их недостатков относятся зависимость параметров от тем-
пературы и инерционность.

Рис. 1. Рис. 2.

Если фоторезистор включено последовательно с источником на-


пряжения (рис. 2), то при освещении его поверхности в цепи будет течь
ток

Jф = , (1)

где U ф – напряжение, приложенное к фоторезистору,
Rф – его сопротивление при освещении
Величина сопротивления может быть представлена в виде
40
1
Rф = , (2)
Βσ ф
тогда
J ф = Βσ фU ф ,
где В – коэффициент пропорциональности, σ ф – фотопроводимость. За-
висимость фототока от напряжения /вольтамперная характеристика/ при
постоянных освещенности и температуре, имеет линейный характер (рис.
3). Отступления от закона Ома наступают в большинстве случаев только
при высоких напряжениях на фоторезисторе.
Величина фототока J ф зависит от интенсивности света. В боль-
шинстве случаев фототок не является линейной функцией светового по-
тока Ф . Однако при малых освещенностях фототок пропорционален ос-
вещенности. Теоретически можно показать, что зависимость фототока от
освещенности определяется соотношением между числом носителей,
возбужденных падающим светом и концентрацией носителей в полупро-
воднике n- типа проводимости /или дырок p- типа проводимости/, σ ф ли-
нейно зависит от светового потока Ф ; т. е. σ ∝ Ф .
В противоположном случае, когда число возбужденных светом
носителей значительно превосходит число основных носителей, σ ф ∝ Ф .
Эти закономерности не носят универсального характера и очень часто
более сложны.
В общем случае, однако, удается представить зависимость фото-
проводимости от интенсивности света в виде:
σ ф = СФ α , где С − const , 0 < α < 1
Переходя к фототоку J ф , имеем
J ф = СФ α U ф
Типичная световая характеристика фоторезисторов представлена на
рис. 4.

Рис. 3. Рис. 4.
41

Очень важными характеристиками фоторезисторов являются его


спектральная и интегральная чувствительность.
По аналогии с фотоэлементами с внешним фотоэффектом, чувствитель-
ностью фоторезистора называют величину фототока, приходящуюся на
единицу светового потока

K= (4)
Ф
Если принять во внимание различия основных характеристик фо-
тоэлементов и фоторезисторов /вольтамперной и световой характери-
стик/, то подобное определение чувствительности в применении к фото-
резисторам нуждается в уточнении условий, при которых измеряется
чувствительность. Действительно, в случае фотоэлементов с внешним
фотоэффектом, которые работают в режиме насыщения, фототок не за-
висит от приложенного напряжения. В тоже время фототок является ли-
нейной функцией светового потока. Поэтому чувствительность фотоэле-
мента есть постоянная величина.
По иному обстоит дело в случае фоторезисторов. Пользуясь урав-
нением (3), величину чувствительности фоторезистора (4) можно запи-
сать в виде:
CU ф ⋅ Ф α
K= = CU ф ⋅ Ф α −1 (5)
Ф
Из уравнения (5) видно, что в силу нелинейности световой характеристи-
ки и зависимости фототока от приложенного напряжения, величина чув-
ствительности К не является постоянной: К возрастает с ростом U ф и
уменьшается с возрастанием светового потока Ф поскольку показатель
степени α<1.
Учитывая линейность вольтамперной характеристики фоторези-
сторов, можно ввести понятие удельной чувствительности К0 как отно-
шение фототока к величине падающего светового потока при условии,
что внешнее напряжение, приложенное к фоторезистору, равно 1В:
K 0 = СФ α −1 (6)
Максимальная чувствительность фоторезистора получается умножением
удельной чувствительности на максимальную разность потенциалов. Из
определения чувствительности (4) видно, что она может измеряться в
люменах. Фототоки обычно малы, поэтому в видимой части спектра их
обычно выражают в микроамперах на люмен [К] = [мкА/лм], а удельная
чувствительность выражается в микроамперах на люмен и вольт [К0] =
[мкА/лм·В].
Используемый для освещения фоторезистора свет может быть
как монохроматическим, так и сложного спектрального состава. Чувст-
вительность фоторезистора к монохроматическому свету различна для
разных длин волн. Зависимость чувствительности фоторезистора от дли-
ны волны называется спектральной характеристикой фоторезистора.
42
Спектральные характеристики разных типов фоторезисторов сильно от-
личаются друг от друга. Для разных участков спектра целесообразно ис-
пользовать разные фоторезистора. Выбор того или иного типа фоторези-
сторов в этом случае проводится по спектральным характеристикам по-
следних. Спектральные характеристики некоторых фоторезисторов при-
ведены на рис. 5.

Рис. 5. Рис. 6.

При определении интегральной чувствительности фоторезисторов в ка-


честве источника света используется лампа накаливания с вольфрамовой
нитью, накаленной до температуры 2840°К при освещенности 200лк.
Существенное значение для перечисленных применений фоторезисторов
имеют их частотные характеристики. Облучая фоторезистор модулиро-
ванным световым потоком, можно заметить, что по мере роста частоты
модуляции чувствительность фоторезистора падает. На рис. 6 показана
зависимость чувствительности фоторезисторов различных типов от час-
тоты. Объясняется частотная зависимость инерционностью процессов,
развивающихся при освещенности и выключении света. При включении
и выключении света фототок возрастает до максимума (рис. 7) и спадает
до минимума не мгновенно.

Рис. 7.
43

Существование у всех без исключения фоторезисторов инер-


ционности, которая приводит к падению чувствительности на больших
частотах, ограничивает их применение Маркировка фоторезисторов (рис.
5,6) расшифровывается следующим образом: ФС или СФ – фоторези-
стор. В выпусках прежних лет материал фоторезисторов обозначался
третьей буквой (теперь цифрой): А – сернисто-свинцовые; К(2) – серни-
сто-кадмиевые; Д(3) – селенисто-кадмиевые; последняя цифра – номер
разработки.

5.2. Методика измерений

Для снятия вольтамперных, световых, частотных и спектральных харак-


теристик на макет подается напряжение от стабилизированного источни-
ка постоянного напряжения. Изменение напряжения, подаваемого на фо-
торезистор, производится с помощью потенциометра, находящегося на
макете. Находящиеся на макете вольтметр и миллиамперметр позволяют
измерять напряжение на фоторезисторе и ток через него. К этому же ма-
кету подключаются выводы фоторезистора. Сам фоторезистор рабочей
поверхностью крепится вплотную у выходной щели монохроматора УМ-
2. Число оборотов прерывателя света регулируется с помощью потен-
циометра, находящегося в источнике питания монохроматора. При рабо-
те с фоторезисторам необходимо следить за тем, чтобы подаваемое на-
пряжение не превосходило максимального рабочего напряжения, указан-
ного в паспортных данных для данного типа фоторезистора.

Рис. 8.
44

5.3. Задание

1 Собрать схему, изображенную на рис. 8.


2 Включить источник света.
3 Включить двигатель прерывателя.
4 Вращая барабан монохроматора, измерить величину фототока по шка-
ле на экране осциллографа в мм через 100° шкалы барабана.
5 Построить кривую зависимости величины фототока от длины волны λ,
пользуясь градуировочной кривой для монохроматора.
6 Определить пороговую длину волны на правой ветви кривой. По вели-
чине пороговой длины волны определить оптическую ширину запре-
щенной зоны ΔΕ 0 , исходя из соотношения: hν = ΔΕ 0
c
ν= ; λ n – пороговая длина волны.
λn
Окончив работу, отключить батарею от осциллографа.

Рис. 9.

II. Измерение вольтамперных и световых характеристик


фоторезисторов.

1 Собрать схему, изображенную на рис. 9. Барабан монохроматора уста-


новить на деление, соответствующее максимальной чувствительности
фоторезистора.
2 Подключить фоторезистор к схеме измерения и включить схему.
3 Снять семейство статических вольтамперных характеристик фоторе-
зистора, изменяя напряжение для нескольких значений светового пото-
ка Ф, в том числе и при Ф = 0. Напряжение, подаваемое на ФС, изме-
нять постепенно для ФСК через 10В до 150В, а для ФСА через 10В до
70В. Построить графики J = f (U ) Ф = 0 и J = f (U ) Ф = const
4 Снять статистические световые характеристики J = f (Ф) фоторезистора
при нескольких значениях напряжения питания U (U = 15В, 30В, 45В
для ФСА и U = 30В, 100В, 150В для ФСК). Построить графики зависи-
45
мости: J = f (Ф) U = const . Освещенность менять с помощью щели моно-
хроматора. Для этого необходимо вращать барабан, находящийся под
входной щелью. Освещенность измерять в относительных единицах
/по делениям шкалы барабана/. При снятии световой характеристики
ФСА фототок измерять с помощью осциллографа в относительных
единицах, используя схему рис. 8.

Рис. 10.

III. Измерение частотной характеристики фоторезистора.

1 Собрать схему, изображенную на рис. 10.


2 Включить осциллограф, звуковой генератор, источник света и преры-
ватель света. Указатель «диапазона частоты» на осциллографе поста-
вить на «выкл».Установить движок реостата, регулирующего число
оборотов мотора прерывателя света, в крайнее левое положение. Изме-
няя частоту генератора, добиться наиболее простой фигуры Лиссажу,
что укажет на совпадение частот.
3 Измерить на экране осциллографа для двух частот ω1 и ω2 амплитуды
сигналов I1 и I2 в относительных единицах(только для ФСК-1).
4 Вычислить постоянную времени τэф из формулы
J 1 (1 + ω 12τ эф
2
)12 = J 2 (1 + ω 22τ эф2 )12 .
5.4. Контрольные вопросы

1 Какие материалы используются для изготовления фоторезисторов?


2 Нарисовать основные характеристики фоторезисторов: электрические,
световые, спектральные.
3 Объясните, с чем связана нелинейность световых характеристик фото-
резисторов.
4 Объяснить, чем обусловлена инерционность фоторезисторов?
5 Объясните спектральную зависимость чувствительности фоторезисто-
ра.
6 Расскажите о применениях фоторезисторов.
46

5.5. Литература

1 Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы / В.В. Пасынков, Л.К.


Чиркин — СПб. : Лань, 2003. – 478 с.
2 Гуртов В.А. Твердотельная электроника / В.А. Гуртов. – 2-е изд., доп.
– М. : Техносфера, 2005. – 408 с.
3 Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов : учеб.
пособие / Я.А. Федотов. — М. : Сов. радио, 1970. — 590 с.
4 Викулин И.М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин,
В. И. Стафеев . — М. : Сов. радио, 1980 . — 332 с.
5 Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам /
под ред. К.В. Шалимовой, – М. : Высш. шк., 1968. – 464 с.
6 Зи С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи; пер. с англ. под
ред. А.Ф. Трутко. — М. : Энергия, 1973 .— 655 с.

СОДЕРЖАНИЕ

1. РАБОТА 1. Изучение свойств электронно-дырочного перехода……….3


2. РАБОТА 2. Изучение физических принципов работы терморезисто-
ров…..............................................................................................................16
3. РАБОТА 3. Изучение физических принципов работы фотодиодов.......24
4. РАБОТА 4. Исследование физических свойств и принципов работы
туннельного диода…………………………………………...31
5. РАБОТА 5. Изучение физических принципов работы фоторезисторов.39
6. СОДЕРЖАНИЕ……………………………………………..……………..46
47

Учебное издание

ФИЗИКА ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР

Учебное пособие для вузов

Составители:
Лукин Анатолий Николаевич
Тутов Евгений Анатольевич

Редактор А.П.Воронина

____________________________________________________________________________
Подписано в печать 24.04.2007. Формат 60х84/16. Усл. печ.л. 3,0. Тираж 50. Заказ 195.
Издательско-полиграфический центр
Воронежского государственного университета.
394006, г. Воронеж, Университетская площадь, 1, ком.43, тел.208-853.
Отпечатано в лаборатории оперативной печати ИПЦ ВГУ.

Вам также может понравиться