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5.1 INTRODUÇÃO
A parte experimental apresenta tal circuito para o aluno, mostrando como deve ser feito o
projeto deste amplificador e como proceder para verificar seu funcionamento e determinar
sua resposta em freqüência, também conhecida por resposta harmônica.
• o modelo incremental inclui parâmetros cujos valores são válidos para um determinado
ponto de polarização. Portanto o uso destes valores só pode ser feito se for mantido o
ponto de polarização para o qual tais valores tenham sido calculados;
• por descrever o dispositivo como sendo linear, vale o principio da superposição de
álgebra linear. Assim consideramos primeiramente, para cálculo da polarização, os
valores DC (de maior dimensão e fixos) para correntes e tensões. O modelo é então
usado para estudo das variações dos valores de tensão e corrente decorrentes da
presença de um sinal. Tais variações possuem valores AC (de menor dimensão e
variáveis), e são estudados desconsiderando-se os valores de polarização, já previamente
considerados. O resultado final é a soma de ambos, mas é conveniente separá-los para
fins de análise, pois se prestam a propósitos diferentes: o DC é para manter um ponto de
funcionamento do circuito amplificador, enquanto que o AC é para avaliar o sinal que está
sendo por ele amplificado.
• o modelo substitui o transistor para o circuito externo, ou seja para análise do circuito no
qual ele se encontra; entretanto este modelo não deve ser usado para interpretar o
fenômeno físico que realmente ocorre no interior do dispositivo.
Uma vez que o modelo π-híbrido é capaz de representar o transistor em todas as faixas
de freqüências (baixas, médias e altas), procederemos à análise do circuito amplificador a
transistor utilizando-nos dele, devidamente simplificado para cada uma das faixas de
freqüências.
No modelo incremental valem apenas as correntes incrementais ie, ib, ic. As correntes IE, IB, e
IC estão implícitas nos parâmetros deste modelo, tendo servido de base para o cálculo do
valor de cada um dos parâmetros deste modelo. Em relação ao modelo π-híbrido a que
estamos mais acostumados podemos ver duas modificações: a inclusão das resistências rBB’ e
rµ, e o uso da denominação vb’e ao invés de vπ , sendo que ambas representam a mesma
tensão (queda sobre rπ ). Essas inclusões modelam efeitos de segunda ordem que
normalmente não são tratados em livros-texto introdutórios. Assim, temos:
rBB’ resistência entre o contato externo da base e a região interna do transistor que
funciona como base; na prática constata-se que esta resistência é de cerca de
50 a 1000 Ω dependendo do transistor.
a sua expansão em série nos permite identificar o termo linear (de primeira
ordem) como sendo aquele que representa a corrente incremental de emissor:
q.I
i e = E ⋅ v b 'e (3)
KT
tem-se que:
KT
r π = (β0 + 1) ⋅ (5)
qI E
ic qI
gm = = E (7)
v b'e KT
Como pode ser visto, quanto maior for IE, maior será o gm. Em outras
palavras, quanto maior for IE, maior será a variação de IC (ou IE) para uma
mesma variação de vb’e. Ao se desconsiderar a diferença entre IC e IE, assume-
se que o ganho de corrente de transistor seja muito maior que 1, valendo então:
β0 = gm ⋅ rπ (8)
Este modelo é válido enquanto pudermos desprezar C0, Cπ e Cµ, ou seja, enquanto a
impedância das capacitâncias na freqüência considerada for muito maior que a da resistência
paralela a ela:
1
>> r0 (9)
ωC 0
1
>> rµ (10)
ωC µ
1
>> rπ (11)
ωC π
Para freqüências muito altas, podemos também fazer algumas simplificações, como mostra a
figura 3. Nesta situação, há uma reversão na ordem de grandeza relativa entre a as
capacitâncias e resistências, mais fortemente para as junções base-emissor e base-coletor. As
expressões (9), (10) e (11) deixam então de ser válidas.
Α0
Α(s ) = (12)
1 + s ωcs
1
ω cs =
rπ (Cπ + Cµ )
⋅
onde (13)
Observe, como mostrado na figura 5, que o ganho de corrente varia com a freqüência, e que
portanto podemos calcular a freqüência fT para a qual o ganho de corrente do transistor em
montagem emissor comum com o emissor e coletor curto-circuitados (em corrente alternada)
tem valor unitário:
ω0
Α( jωT ) = 1 = (14)
1 + (ω T ωcs)2
gm
Finalmente: fT = (16)
2π(C π + Cµ )
1
≈0
ωC 2
(18)
1
≈0
ωC 3
(19)
Pela figura 9, podemos calcular o ganho do circuito. Observe que esta figura foi obtida
considerando R1//R2 >> (rBB’ + rπ ), e lembrando que RE está curto-circuitado por C2. A
análise deste circuito permite escrever a seguinte expressão:
v0 − gm ⋅ rπ
= ⋅ ( r0 // R C // R L ) (20)
e g rπ + rBB' + rg
Note-se que R1//R2 >> (rBB’ + rπ ) possibilita obter ganho máximo, uma vez que, caso a
relação não fosse satisfeita, R1//R2 tenderia a atenuar o ganho logo na entrada. Outra forma
de se referir a esta relaçao é lembrando que é altamente desejado ter uma grande impedância
de entrada em amplificadores de tensão. Por outro lado, note-se também que no experimento
anterior sobre polarização por I E constante, havíamos estabelecido R 1 //R 2 << βR E . Isto é
conveniente para permitir que a determinação da tensão (quiescente) de polarização na base
possa ser definida apenas pela relação R1//R2, sem influência de RE. Portanto, de forma
geral, a seguinte relação deve ser satisfeita:
Pode ser facilmente demonstrado que se retirarmos os capacitor C2 e C3, o ganho de tensão
do circuito será dado por:
v0 − β0 ⋅ R C
Av = = (22)
eg rg + rπ + (1 + β 0 ) ⋅ R E
Uma comparação das expressões 20 e 22 nos permite dizer que o termo do denominador é a
resistência vista entre a base e o terra, tendo sido na segunda retirados, para efeitos de
simplificação, as resistências rBB’ por ser menor que os demais termos do denominador, bem
como ro, no numerador, por ser maior que RC. Esta expressão pode ainda ser mantida,
mesmo na presença de C3, desde que RL seja muito maior que RC, o que tipicamente ocorre.
Sendo rg e rπ , em geral, muito menores do que (1+β 0).RE e β 0 >> 1, reduzimos a expressão
do ganho de tensão a uma simples relação dos valores das resistências de coletor e de
emissor:
Av ≅ − R C R E
(23)
Observe por fim que se RE for anulado por C3 esta expressão deixa de valer, devendo então
ser re-introduzidos no denominador os valores de rg e rπ , que haviam sido desprezados por
serem pequenos em comparação com (1 + β 0)RE.
Vimos até agora que para pequenos sinais o transistor pode ser substituído por um modelo
linear. Sinais senoidais são amplificados sem distorção desde que a amplitude permaneça
suficientemente baixa. No entanto, para sinais não senoidais devemos examinar suas diversas
componentes espectrais para determinar se elas estão sendo igualmente amplificadas e
defasadas. Caso contrário, a composição espectral de saída será diferente da de entrada,
fazendo com que o sinal de saída seja distorcido em relação ao da entrada.
As freqüências ωci e ωcs (ou fci =ωci/2π e fcs=ωcs/2π) são conhecidas como freqüências de
corte, e representam as freqüências onde o ganho é atenuado em 2 2 = 0.707 vezes o
ganho em freqüências médias. Ou, em termos de decibéis, cai 3 dB em relação ao ganho em
freqüências médias (pois 20 log (0,707) = –3dB). Chamamos de faixa de passagem, ou
banda “B”, a diferença entre as freqüências de corte superior e inferior.
As curvas do diagrama de Bode de uma função de transferência podem ser traçadas ponto a
ponto, calculando-se para cada freqüência, os valores do módulo e da fase desta função. No
entanto, o processo pode ser simplificado se forem observadas algumas regras para seu
traçado. Estas regras baseiam-se no uso de retas assíntotas, que servirão de base para o
traçado das curvas.
Vamos em seguida apresentar o diagrama de Bode para dois casos típicos envolvendo
associação de uma capacitância com uma resistência: os circuitos diferenciador e integrador.
Cap.5-12 - Amplificadores de Pequenos Sinais Eletrônica Experimental
5.5.2.1 Circuito Diferenciador RC
Vamos examinar o circuito RC-série mostrado na figura 11. O ganho do circuito é expresso
por:
V0 R 1 1
Av = = = onde f 1 = 2π ⋅ RC (24)
Vi R + j X C 1 + j( f 1/ f)
V0 1
Av = = |_tan-1(f1/f) (25)
Vi [(1 + ( f1 / f ) ]
2 1 / 2
Observe que para f1=f, temos |Av| = 0,707 (ou seja –3dB) e uma fase de 45 graus adiantada
em relação à entrada. Pode-se facilmente verificar que esta condição corresponde à situação
onde XC = R. Expressando o ganho em decibéis, temos:
1
| A v |dB = 20 ⋅ log 10
[1 + (f 1 / f ) 2 ]1/ 2
[para f1 << f] (26)
Observe que para f >> f1 o ganho tende a 0 dB, enquanto que para f1 >> f, ou
equivalentemente para f1/f >> 1, a equação pode ser aproximada por:
1
Uma oitava corresponde a uma relação de duas vezes na freqüência (uma oitava a cima equivale ao dobro da
freqüência, enquanto que uma oitava a baixo equivale à metade da freqüência)
Eletrônica Experimental Amplificadores de Pequenos Sinais - Cap.5-13
Figura 12: Diagrama de Bode Circuito Diferenciador RC
1
Av =
1 + j( f / f 2 ) (28)
Já vimos que para o amplificador a transistor em emissor comum, existe uma faixa de
freqüências médias na qual o ganho é constante e a defasagem é 180 graus. Fora dessa faixa
de freqüências médias, os elementos reativos do circuito começam a influir, reduzindo o ganho
e alterando a defasagem. Vamos agora calcular as freqüências de corte inferior e superior.
a) O capacitor C1 está em série com (Rg + rBB’ + rπ). Portanto a freqüência de corte
será:
1
f1 = (29)
2π ⋅ C1 ⋅ ( R g + rBB' + r π )
b) O Capacitor C3 está em série com (RL // r0 // RC); logo a freqüência de corte será:
1
f3 = (30)
2π ⋅ C 3 ⋅ (R L // r0 // R C )
(β 0 + 1)
f2 = (31)
2 π ⋅ C 2 ⋅ ( R g + rBB' + rπ )
A freqüência de corte será determinada por uma das freqüências f1, f2 ou f3, desde que esta
seja muito menor que as duas outras. Na prática, como geralmente se deseja uma freqüência
de corte inferior bem determinada, o que se faz é calcular C1, C2 e C3 para um fCI desejado.
1
C3 >> (33)
2 f CI ( R L + r0 // RC)
π ⋅ ⋅
(β 0 + 1)
C2 = (34)
2 π ⋅ f CI ⋅ ( R g + rBB' + rπ )
Se elevarmos a freqüência de entrada, atingiremos uma faixa onde não mais poderemos
desprezar as reatâncias de Cµ e Cπ (que até agora eram supostas muito elevadas, e portanto
substituídas por circuitos abertos). Pode-se demonstrar que o valor de fCS pode ser dado
aproximadamente por (desprezando-se o efeito de C0):
1
f CS = (35)
2π ⋅ [r π //( rBB' + R g )] ⋅ [ C π + C µ ⋅ (1 + gm ⋅ ( R L // r0 // R C ))]
Figura 1: Quadripolo
v1 = h 11 ⋅ i1 + h12 ⋅ v 2
i 2 = h 21 ⋅ i 1 + h 22 ⋅ v 2
Os parâmetros h11, h12, h21, h22 são chamados parâmetros “h” ou híbridos, pois são
dimensionalmente diferentes.
∂v be ∂i c
h re = ib = 0 h oe = ib = 0
∂v ce ∂v ce
onde vbe, vce, ic, ib denotam os sinais incrementais de Vbe, Vce, Ic e Ib.
É importante lembrar que os parâmetros “h" do transistor dependem do ponto de
operação, motivo pelo qual os fabricantes provêm curvas que mostram a variação dos
parâmetros com o ponto de operação. Além disso, é importante lembrar que, como os
demais parâmetros do transistor, os parâmetros “h" também variam com a temperatura.
Informações mais detalhadas sobre este assunto podem ser obtidas no livro ELETRÔNICA,
de Millman & Halkias, cap. 8.2 a 8.4. Geralmente as medidas são realizadas em 1 kHz.
Pode-se demonstrar que são válidas as seguintes relações entre os modelos π-híbrido e
parâmetros"h” (abordagem prática):
IC
gm ≅ VT ≈ 26mV
VT
β0 = β AC = h fe β DC = h FE
h fe
rπ = r bb' = h ie − rπ
gm
rπ 1
rµ = r0 =
h re h oe − (1 + h fe ) / rµ
gm
C µ = C C (extraído da curva CC x Vcb do dispositivo) Cπ = − Cµ
2π ⋅ f T
5.7 BIBLIOGRAFIA