Федеральное агентство связи

Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики

Лабораторная работа
«Исследование работы биполярного транзистора в режиме ключа»
Вариант 11

Выполнил студент гр. ММП-81

Карасев И.А.
Проверил преподаватель
Стрельцов А. И.

Новосибирск 2020
 1 Цель работы
Исследовать работу биполярного транзистора в режиме электронного
ключа и переходные процессы при переключении.
2 Выполнение работы

Рисунок 1- Схема для снятия характеристики прямой передачи

Питание схемы осуществляется от источника постоянного

напряжения V1. Ток на входе задается источником тока I1. Для измерения
тока коллектора используется миллиамперметр M2. Вольтметр M1 измеряет
напряжение на коллекторе транзистора. Транзистор KT316G.

Таблица 1
IБ, 0 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 0,07 0,08
мА
IК, 0,00999 0,6545 1,287 1,903 2,503 3,087 3,657 4,212 4,753
мА
UКЭ, 9,99 9,346 8,713 8,097 7,497 6,913 6,343 5,788 5,247
В
 Продолжение таблицы 1
IБ, мА 0,09 0,1 0,11 0,12 0,13 0,14 0,15 0,16 0,17
IК, 5,280 5,795 6,298 6,789 7,268 7,737 8,195 8,643 9,081
мА
UКЭ, 4,720 4,205 3,702 3,211 2,732 2,263 1,805 1,357 0,919
В

IБ, мА 0,18 0,19 0,20 0,21 0,22 0,23 0,24 0,25 0,26
IК, 9,510 9,693 9,718 9,731 9,740 9,746 9,751 9,755 9,759
мА
UКЭ, 0,490 0,306 0,281 0,269 0,260 0,254 0,249 0,244 0,241
В

IБ, мА 0,27 0,28 0,29 0,3 0,31 0,32 0,33 0,34 0,35
IК, 9,762 9,765 9,767 9,770 9,772 9,774 9,776 9,777 9,779
мА
UКЭ, 0,237 0,235 0,232 0,230 0,228 0,226 0,224 0,222 0,221
В

IБ, мА 0,36 0,37 0,38 0,39 0,4

IК, 9,780 9,782 9,783 9,784 9,786
мА
UКЭ, 0,219 0,218 0,216 0,215 0,214
В
IБ НАС = 0,2 А UКЭ ОСТ = 0,281
 Характеристика прямой передачи
12

10

Iк, мА 8

0
0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35 0,4 0,45
Iб, мА

Зависимость напряжения на коллекторе от тока базы

12

10

8
Uкэ, В

0
0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35 0,4 0,45
Iб, мА
 Рисунок 2 – схема транзисторного ключа

Рисунок 4 – Осциллограмма при U = 0,495 В (n=0,5)

Рисунок 4 – Осциллограмма при U = 0,99 В (n=1)

Рисунок 5 – Осциллограмма при U = 1,485 (n=1,5)

Рисунок 6 – Осциллограмма при U = 1,98 (n=2)

 Рисунок 6 – Осциллограмма при U = 2,475 (n=2,5)

Рисунок 7 – график зависимости временных параметров от амплитуды

входного импульса

Таблица 2 - Зависимость временных параметров от амплитуды

входного импульса
n 0,5 1 1,5 2 2,5 С
З, нс 9.510 6.648 5.505 5.486 5.469 5.616

Ф, нс 2.786 185.351 94.465 43.391 26.8348 56.786

Р, нс 7.3 5.991 57.738 109.011 108.997 109.065

С, нс 5.33 9.789 101.907 138.308 216.405 518.698

 Таблица 3– Зависимость временных параметров от напряжения
смещения
UСМ, В 0 0.5 1 1.5 2
З, нс 5.486 4.8 4.3 2.7 2.7

Ф,нс 43.391 60.322 189.3 17.814 21.84

Р,нс 109.011 32.26 3 5.7 7.27

С,нс 138.308 83.337 41.823 21.307 15.749

Рисунок 7 – Осциллограмма при Uсм = 0,5

Рисунок 8 – Осциллограмма при Uсм = 1

Рисунок 9 – Осциллограмма при Uсм = 1,5

Рисунок 10 – Осциллограмма при Uсм = 2

 Рисунок 11 – Осциллограмма при подключении емкостной нагрузки

Рисунок 12 – осциллограмма при подключении индуктивной нагрузки.

Амплитуда импульса UКЭ = 53.88 В

Вывод. При увеличении тока базы ток коллектора увеличивается, пока

не войдет в насыщение, напряжение коллектор-эммитер медленно
уменьшается. При увеличении амплитуды входного импульса время
задержки уменьшается, а время спада увеличивается. При увеличении
напряжения смещения уменьшается время задержки и время спада. При
подключении емкостной нагрузки сильно увеличивается время спада. При
подключении индуктивной нагрузки резко увеличивается амплитуда
импульса UКЭ, возникающего в результате запирания транзистора.