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INDICE
1. Semiconductor intrínseco
2. Conducción por huecos (h+) y electrones (e-)
3. Semiconductor extrínseco: material tipo N
(MTN) y tipo P (MTP)
4. Deriva y difusión de portadores
5. La unión P-N: polarización inversa (PI) y
polarización directa (PD)
6. Comportamiento de la unión P-N en altas
frecuencias: Capacidad de Transición (Cj) y
Capacidad de Difusión (Cdif).
GENERALIDADES
Tipos de materiales:
A) Conductor
B) Aislante
C) Semiconductor
Tipos de semiconductores:
A) Intrínseco: origen natural
B) Extrínseco: origen antropológico
Tipos de semiconductores extrínsecos:
A) Tipo N: donante de e-
B) Tipo P: donante de h+
Corrientes en un semiconductor:
A) Producida por e-
⊕ Corriente total
+
B) Producida por h
Corrientes en la unión P-N
A) Sin polarizar: deriva y difusión
B) Polarizada: PD y PI
Capacidades en la unión P-N
A) Capacidad de transición
B) Capacidad de difusión
SEMICONDUCTOR INTRINSECO
•Materiales: Si, Ge, GaAs.
•Estructura Si: retícula formada por enlaces
covalentes .
GENERACION Y RECOMBINACIÓN
•Generación: de e- y h+ directamente
proporcional a la Tª.
•Recombinación: los h+ serán ocupados por los
e- que pasen cerca. Aumenta con mayores
concentraciones de e- y h+ à Tª
•Tiempo de vida (τ): tiempo que “viven” los
portadores hasta que se recombinan.
•Ley de acción de masas: p * n = cte à
Semiconductor intrínseco p=n à p*n = ni2
LA CONDUCTIVIDAD DE UN SEMICONDUCTOR
INTRINSECO AUMENTA CON LA TEMPERATURA
•V à I mayoritaria de e- (Portadores
mayoritarios)
à I minoritaria de h+ (Portadores
minoritarios)
•El donante pasará a ser un ión positivo.
• n = p + ND
•V à I
mayoritaria de h+ (Portadores mayoritarios)
à I minoritaria de e- (Portadores
minoritarios)
•El aceptador pasará a ser un ión negativo.
• p = n + NA
DERIVA
•Los portadores se mueven por agitación
térmica, al chocar salen despedidos en
direcciones aleatorias.
•Campo E à obliga a los portadores a tomar una
dirección y una velocidad à DERIVA
•La deriva es proporcional al E según una
constante de movilidad diferente para e- y para
h+.
Vn=-µnE Vp=µpE µn >µp
Electrónica Analógica 1º Licenciatura en Radioelectrónica Naval
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Tema 1: Teoría de Semiconductores
UNIÓN PN
•Se forma al unir MTP con MTN
•Aparece CORRIENTE DE DIFUSION à los h+ y
los e- pasarán al otro material con la intención
de recombinarse.
•Quedan iones en las zonas más cercanas a la
uniónà Zona de deplexión (ZD)
•ZD à Campo E
•E detiene el paso de portadores
•Ecuación de Shockley:
iD=IS[Exp (vD/nVT) –1]
•En PI vD<0 à iD=-Isà Corriente de Saturación