РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ
«Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(НИТУ «МИСиС»)
КУРСОВАЯ РАБОТА
на тему:
БЭН-19-2 Щерба К. А.
Обучающийся (группы)
(аббревиатура) (Фамилия И.О.)
Старший Черных С. В.
преподаватель
Преподаватель
(должность) (Фамилия И.О.)
Москва 2021
ЗАДАНИЕ
НА ВЫПОЛНЕНИЕ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЫ
СОДЕРЖАНИЕ
2
ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ВВЕДЕНИЕ...................................................................................................................4
1. Определение транзистора..................................................................................................................4
2. Классификация транзисторов............................................................................................................4
3 Применение транзисторов.................................................................................................................8
ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ....................................................................................................................................10
1. Транзистор 2П922А..........................................................................................................................10
2. Аналог КП931А...................................................................................................................................12
3. Аналог IRF132.................................................................................................................................14
4. Сопоставление приборов.....................................................................................................................16
ЗАКЛЮЧЕНИЕ............................................................................................................................................18
ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ВВЕДЕНИЕ
3
1. Определение транзистора
2. Классификация транзисторов
4
Рис.2 а) схема p-n-p транзистора б) схема n-p-n транзистора
Режим отсечки
Активный режим
Режим насыщения
Инверсный ражим
5
При включении БТ по схеме с общей базой отсутствует усиление по току, но
значительным оказывается усиление по напряжению. Особенностью данного способа
является малое влияние транзистора на сигналы высокой частоты. Это делает схему с общей
базой предпочтительной для использования в устройствах СВЧ.
а) б) в)
Полевые транзисторы имеют три электрода: исток (И), сток (С) и затвор (З). Сток
электрод, от которого течет общий ток, сток – электрод выхода тока транзистора, затвор –
управляющий электрод. В полевом транзисторе нет инжекции носителей заряда и ток
создается протеканием основных носителей заряда в канале. Канал можно представить в
виде резистора с управляемым сопротивлением.
6
а) б)
Германиевые
Кремниевые
Арсенид-галлиевые
7
2.4 Классификация по исполнению
дискретные транзисторы
o корпусные
o бескорпусные
металло-стеклянный
пластмассовый
керамический
3. Применение транзисторов
Транзистор применяется в:
1. Транзистор 2П922А
10
1.2 Технические характеристики
75 - 100 30 10
А/В мА пФ пФ пФ °С
2. Аналог КП931А
20 800 5 800 10
Ом
300 24 20 1 250
14
Значения параметров при Т=25°С
Вывод:
4. Сопоставление приборов
15
Таблица 7 - Технические характеристики
UСИ min, UСИ max, В UЗИ RСИ MAX, ICИ MAX, мкА
В MAX, В Ом
2П922А - 100 30 - 10
IRF132 24 - 20 1 250
Ом нА
16
варьируется от 5 до 30 В и наибольшее значение у транзистора 2П922А. Время включения
транзистора КП931А <150, у IRF132 19.
Вывод: если делать выбор в пользу какого-то одного из аналогов – это будет КП931А, он
имеет низкую стоимость и при этом схожие характеристики.
17
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
18
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
2 https://alltransistors.com/ru/adv/pdfview.php?doc=irf1324s-
7ppbf.pdf&dire=_international_rectifier
4 https://www.chipdip.ru/product/2p922a Транзисторы › Полевые › Россия › 2П922А
19