МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ
«Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(НИТУ «МИСиС»)
 

ИНСТИТУТ Новых материалов и нанотехнологий

КАФЕДРА Технологии Материалов Электроники
НАПРАВЛЕНИЕ Электроника и наноэлектроника
(ПРОФИЛЬ)

КУРСОВАЯ РАБОТА

на тему:

Изучение характеристик исходного прибора и поиск его аналогов

БЭН-19-2 Щерба К. А.
Обучающийся (группы)
(аббревиатура) (Фамилия И.О.)

Старший Черных С. В.
преподаватель
Преподаватель
(должность) (Фамилия И.О.)

Оценка с учетом защиты

(оценка) (дата)

Москва 2021
ЗАДАНИЕ
 НА ВЫПОЛНЕНИЕ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЫ

Студенту группы БЭН-19-2

1. Тема работы «Изучение характеристик исходного прибора и поиск его аналогов»_________________

_________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________

2. Исходные данные прибор 2П922А (17 вариант)_____________________________________________

_________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________

Дата выдачи задания ______________________________________________________________________________

Задание принял к исполнению студент Щерба Ксения Андреевна

(подпись)

СОДЕРЖАНИЕ
2
ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ВВЕДЕНИЕ...................................................................................................................4

1. Определение транзистора..................................................................................................................4

2. Классификация транзисторов............................................................................................................4

2.1 Классификация по структуре...............................................................................................................4

2.1.1 Биполярный транзистор....................................................................................................................4

2.1.2 Полевой транзистор...........................................................................................................................6

2.2 Классификация по основному полупроводниковому материалу....................................................7

2.3 Классификация по мощности............................................................................................................7

2.4 Классификация по исполнению.........................................................................................................8

2.3 Классификация по материалу и конструкции корпуса....................................................................8

3 Применение транзисторов.................................................................................................................8

ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ....................................................................................................................................10

1. Транзистор 2П922А..........................................................................................................................10

1.1 Условные обозначения...................................................................................................................10

1.2 Технические характеристики.........................................................................................................11

2. Аналог КП931А...................................................................................................................................12

2.1 Условные обозначения...................................................................................................................12

2.2 Технические характеристики.........................................................................................................13

3. Аналог IRF132.................................................................................................................................14

4. Сопоставление приборов.....................................................................................................................16

ЗАКЛЮЧЕНИЕ............................................................................................................................................18

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ....................................................................................19

ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ВВЕДЕНИЕ

3
 1. Определение транзистора

Транзистор — электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя

выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи.

Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного

напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к
существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное
свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь
и т. п.).

Рис.1 Фотография транзистора

2. Классификация транзисторов

2.1. Классификация по структуре

2.1.1 Биполярный транзистор

Биполярный транзистор — электронный полупроводниковый прибор, один из типов

транзисторов, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования
электрических сигналов. Транзистор называется биполярный, поскольку в работе прибора
одновременно участвуют два типа носителей заряда – электроны и дырки. Этим он
отличается от униполярного (полевого) транзистора, в работе которого участвует только
один тип носителей заряда.

4
 Рис.2 а) схема p-n-p транзистора б) схема n-p-n транзистора

Режимы работы биполярного транзистора

В соответствии уровням напряжения на электродах биполярного транзистора, различают

четыре режима его работы:

 Режим отсечки

 Активный режим

 Режим насыщения

 Инверсный ражим

Схемы включения биполярных транзисторов

Рис. 3 Схемы включения биполярных транзисторов

При включении биполярного транзистора с общим эмиттером достигается максимальное

усиление входного сигнала. Благодаря этому данная схема в усилительных каскадах
применяется чаще всего.

Схема с общим коллектором по-другому называется эмиттерным повторителем. Это

связано с тем, что разность потенциалов на коллекторе и эмиттере оказываются практически
равными. При таком включении наблюдаются большое усиление по току, высокое входное
сопротивление и совпадение фаз входного и выходного сигналов. Вследствие этого
эмиттерные повторители используются в согласующих и буферных усилителях.

5
 При включении БТ по схеме с общей базой отсутствует усиление по току, но
значительным оказывается усиление по напряжению. Особенностью данного способа
является малое влияние транзистора на сигналы высокой частоты. Это делает схему с общей
базой предпочтительной для использования в устройствах СВЧ.

2.1.2 Полевой транзистор

Полевым транзистором называют полупроводниковый электропреобразовательный

прибор, ток через который управляется изменением сечения канала, по которому протекает
ток, посредством изменения поперечного поля в области пространственного заряда
барьерной структуры.

Управление сечением канала осуществляется областью пространственного заряда p-n

перехода, барьера Шоттки, структуры металл-диэлектрик-полупроводник.

а) б) в)

Рис.4 Схемы структур полевых транзисторов: с управляющим p-n переходом (а), с

барьером Шоттки (б), МДП-полевой транзистор с индуцированным каналом (в).

Полевые транзисторы имеют три электрода: исток (И), сток (С) и затвор (З). Сток
электрод, от которого течет общий ток, сток – электрод выхода тока транзистора, затвор –
управляющий электрод. В полевом транзисторе нет инжекции носителей заряда и ток
создается протеканием основных носителей заряда в канале. Канал можно представить в
виде резистора с управляемым сопротивлением.

Условные обозначения полевых транзисторов более разнообразны, чем у биполярных, из-

за большого разнообразия в принципах управления током. Два примера их показаны на
рис.5.

6
 а) б)

Рис.5 Условные обозначения полевых транзисторов: а) с затвором в виде p-n пере-

хода и каналом n-типа; б) МДП – транзистора с индуцированным каналом n-типа.

2.2 Классификация по основному полупроводниковому материалу

Помимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в виде

монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному
материалу, металл выводов, изолирующие элементы, части корпуса (пластиковые или
керамические). Иногда употребляются комбинированные наименования, частично
описывающие материалы конкретной разновидности (например, «кремний на сапфире» или
«Металл-окисел-полупроводник»). Однако основными являются транзисторы:

 Германиевые

 Кремниевые

 Арсенид-галлиевые

2.3 Классификация по мощности

По рассеиваемой в виде тепла мощности различают:

 маломощные транзисторы до 100 мВт

 транзисторы средней мощности от 0,1 до 1 Вт

 мощные транзисторы (больше 1 Вт).

7
 2.4 Классификация по исполнению

 дискретные транзисторы

o корпусные

 Для свободного монтажа

 Для установки на радиатор

 Для автоматизированных систем пайки

o бескорпусные

 транзисторы в составе интегральных схем.

Рис.6 Фотография бескорпусных транзисторов

2.5 Классификация по материалу и конструкции корпуса

 металло-стеклянный

 пластмассовый

 керамический

3. Применение транзисторов

Вне зависимости от типа транзистора, принцип применения его един:

 Источник питания питает электрической энергией нагрузку, которой может быть

громкоговоритель, реле, лампа накаливания, вход другого, более мощного транзистора,
электронной лампы и т. п. Именно источник питания даёт нужную мощность для "раскачки"
нагрузки. Транзистор же используется для ограничения силы тока, поступающего в нагрузку,
8
и включается в разрыв, между источником питания и нагрузкой. Т. е. транзистор
представляет собой некий вариант полупроводникового резистора, сопротивление которого
можно очень быстро изменять.

 Выходное сопротивление транзистора меняется в зависимости от напряжения на

управляющем электроде. Важно то, что это напряжение, а также сила тока, потребляемая
входной цепью транзистора гораздо меньше напряжения и силы тока в выходной цепи.
Таким образом, за счёт контролируемого управления источником питания, достигается
усиление сигнала.

 Если мощности входного сигнала недостаточно для "раскачки" входной цепи

применяемого транзистора, или конкретный транзистор не даёт нужного усиления,
применяют каскадное включение транзисторов, когда более чувствительный и менее
мощный транзистор управляет энергией источника питания на входе более мощного
транзистора. Также подключение выхода одного транзистора ко входу другого может
использоваться в генераторных схемах типа мультивибратора. В этом случае применяются
одинаковые по мощности транзисторы.

Транзистор применяется в:

 Усилительных схемах. Работает, как правило, в усилительном режиме. Существуют

экспериментальные разработки полностью цифровых усилителей, на основе ЦАП,
состоящих из мощных транзисторов. Транзисторы в таких усилителях работают в ключевом
режиме.

 Генераторах сигналов. В зависимости от типа генератора транзистор может

использоваться либо в ключевом (генерация прямоугольных сигналов), либо в усилительном
режиме (генерация сигналов произвольной формы).

 Электронных ключах. Транзисторы работают в ключевом режиме. Ключевые схемы

можно условно назвать усилителями (регенераторами) цифровых сигналов. Иногда
электронные ключи применяют и для управления силой тока в аналоговой нагрузке. Это
делается, когда нагрузка обладает достаточно большой инерционностью, а напряжение и
сила тока в ней регулируются не амплитудой, а шириной импульсов. На подобном принципе
основаны бытовые диммеры для ламп накаливания и нагревательных приборов, а также
импульсные источники питания.

Транзисторы применяются в качестве активных (усилительных) элементов в

усилительных и переключательных каскадах.
9
 ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ

1. Транзистор 2П922А

1.1 Условные обозначения

Первый элемент – 2. Исходный материал Si или его соединения.

Второй элемент – П. Означает, что это полевой транзистор.

Третий элемент – 9. Означает, что это транзистор высокой и сверхвысокой частот.

Четвертый элемент – 22. Означает, что порядковый номер технологической разработки –

22.

Пятый элемент – А. Означает, к какой параметрической группе принадлежит (подкласс,

разбраковка).

Рис. 7 Схема полевого транзистора 2П922А

10
 1.2 Технические характеристики

Таблица 1 – Предельные характеристики

Pmax, Вт fmax, МГц Предельные значения параметров при Т=25°С

UСИ MAX, В UЗИ MAX, В IC MAX, А

75 - 100 30 10

Таблица 2 - Технические характеристики

Значения параметров при Т=25°С

S, IС НАЧ, CЗИ, CСИ, CЗС, Т ОКР,

А/В мА пФ пФ пФ °С

1…2,1 2 <2000 <600 <1200 -60…+125

Условные обозначения электрических параметров построчного варикапа:

Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого

транзистора.
f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.

UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.

UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
 S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к
изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе
транзистора в схеме с общим истоком.
IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком,
равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение
насыщения.
CЗИ - ёмкость затвор-исток. Емкость между затвором и истоком при разомкнутых по
11
переменному току остальных выводах.
CСИ - выходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между стоком и истоком при
коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
CЗС - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при
коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Т ОКР - температура окружающей среды.

Вывод: Транзисторы 2П922А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с

изолированным затвором и вертикальным индуцированным каналом n-типа
переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичных электропитания,
быстродействующих переключающих и импульсных устройствах, а также стабилизаторах и
преобразователях напряжения. Используются для работы в узлах и блоках электронной
аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со
стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.

2. Аналог КП931А

Рис. 8 Схема транзистора КП931А

2.1 Условные обозначения

Первый элемент – К. Исходный материал Si или его соединения.

Второй элемент – П. Означает, что это полевой транзистор.

12
 Третий элемент – 9. Означает, что это транзистор высокой и сверхвысокой частот.

Четвертый элемент – 31. Означает, что порядковый номер технологической разработки –

31.

Пятый элемент – А. Означает, к какой параметрической группе принадлежит (подкласс,

разбраковка).

2.2 Технические характеристики

Pmax, Вт Предельные значения параметров при Т=25°С

UСИ MAX, В UЗИ MAX, В UЗС MAX, В IC MAX, А

20 800 5 800 10

Таблица 3 – Предельные характеристики

Значения параметров при Т=25°С

S, IЗ УТ, RСИ ОТК, Т ОКР,

tвкл
А/В мА Ом °С

>20 3 <0,15 <150 -45…+85

Таблица 4 - Технические характеристики

Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого

транзистора.
UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора.
Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном
напряжении сток-исток, меньшем напряжения насыщения.
IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и
13
остальными выводами, замкнутыми между собой.
S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к
изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе
транзистора в схеме с общим истоком.
tвкл - время включения полевого транзистора.
Т ОКР - температура окружающей среды.

Вывод: Транзисторы КП931А кремниевые эпитаксиально-планарные с вертикальным

каналом n-типа и со статической индукцией, переключающие. Предназначены для
применения в высокочастотных источниках электропитания с бестрансформаторным
входом, в импульсных усилителях мощности. Выпускаются в пластмассовом корпусе с
жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-
220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».

3. Зарубежный аналог IRF132

Рис.9 Транзистор IRF132

Pmax, Вт Предельные значения параметров при Т=25°С

UСИ min, В UЗИ MAX, В RСИ MAX, ICИ MAX, мкА

Ом

300 24 20 1 250

Таблица 5 Предельные характеристики

14
 Значения параметров при Т=25°С

UПР RСИ IСИ RЗ, tвкл tвыкл CВХ, CВЫ CОБ

IЗИ УТ,
СИ, В ВКЛ, УТ, Ом пФ , пФ
Х Р , пФ
нА
Ом мкА

24 0,8 20 200 3 19 86 770 338 193

0 0 0

Таблица 6 – Технические характеристики

Вывод:

Высокоэффективное синхронное выпрямление. Источник бесперебойного питания.

Высокоскоростное переключение мощности. Без свинца

4. Сопоставление приборов
15
 Таблица 7 - Технические характеристики

Предельные значения параметров при Т=25°С

UСИ min, UСИ max, В UЗИ RСИ MAX, ICИ MAX, мкА
В MAX, В Ом

2П922А - 100 30 - 10

КП931А - 800 5 0,15 10

IRF132 24 - 20 1 250

Значения параметров при Т=25°С

S, RСИ IЗИ tвкл TОК CВ CВЫХ, CОБР,

A/B ВКЛ, УТ, Р, ℃ Х , пФ пФ пФ

Ом нА

2П922А 1…. - - - 20 600 1200

2,1 - 60… 00
+125

КП931А >20 3 <150 - - - -

3000 45….
+85

IRF132 - 0,8 200 19 - 77 3380 1930

55… 00
+175

Что касается температуры окружающие среды, зарубежный аналог имеет наибольший

диапазон работы (-55…+175℃). Максимально допустимое напряжение сток-исток

16
варьируется от 5 до 30 В и наибольшее значение у транзистора 2П922А. Время включения
транзистора КП931А <150, у IRF132 19.

И один из важных параметров – стоимость. Стоимость IRF132 215–360 рублей, КП931А

8–30 рублей, 2П922А 190-230 рублей.

Вывод: если делать выбор в пользу какого-то одного из аналогов – это будет КП931А, он
имеет низкую стоимость и при этом схожие характеристики.

17
 ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В ходе данной работы были изучены основные теоретические сведения о транзисторах и

их типы. Была найдена информация о полевом транзисторе 2П922А, а также о его аналогах:
КП931А, IRF132, то есть об одном российском приборе и одном иностранном.

После сравнения приборов был выбран наиболее подходящий аналог: КП931А –

транзистор российской разработки. Транзисторы КП931А кремниевые эпитаксиально-
планарные с вертикальным каналом n-типа и со статической индукцией, переключающие.
Предназначены для применения в высокочастотных источниках электропитания с
бестрансформаторным входом, в импульсных усилителях мощности.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.

Также преимуществом данного аналога является его низкая стоимость относительно

других аналогов.

18
 СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1 Презентация “Классификация и обозначения полупроводниковых приборов” курса

“Электроника” Орловой М.Н. - 2021 - Режим доступа: - URL: Классификация и обозначения
полупроводниковых приборов.ppt: ЭЛЕКТРОНИКА (misis.ru)

2 https://alltransistors.com/ru/adv/pdfview.php?doc=irf1324s-
7ppbf.pdf&dire=_international_rectifier

3 https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=IRF132 Electronic Components

Datasheet Search

4 https://www.chipdip.ru/product/2p922a Транзисторы › Полевые › Россия › 2П922А

19