IL4558

Сдвоенный операционный усилитель

Микросхема IL4558 состоит из пары независимых друг от друга операционных

усилителей.
Широкий диапазон входных синфазных напряжений и отсутствие эффекта
защелкивания делает микросхему IL4558 идеальной для применения в качестве
повторителя напряжений. Микросхема имеет
схему защиты от короткого замыкания и
внутреннюю схему частотной компенсации не
требующую внешних элементов. N ИНДЕКС
пластмассовый

Защита от короткого замыкания

8
Широкий диапазон синфазных и
1 D ИНДКС
дифференциальных входных сигналов SOIC
Не требуется частотной компенсации 8
Малая мощность потребления 1
Отсутствие эффекта защелкивания
Частотный диапазон работоспособности до
3 МГц ОБОЗНАЧЕНИЕ
Полное соответствие по коэффициенту МИКРОСХЕМЫ
усиления и фазе обоих усилителей IL4558N пластмассовый
IL4558D SOIC
IZ4558 кристалл
TA = 0 ÷ 70 C для всех типов
корпусов

СТРУКТУРНАЯ СХЕМА НАЗНАЧЕНИЕ ВЫВОДОВ

Вывод 4 = GND (V-)

Вывод 8 =VCC (V+)

1
 IL4558
ПРЕДЕЛЬНЫЕ РЕЖИМЫ
Обозначение Наименование параметра Значение Единица
параметра измерен.

V+ Напряжение питания 18 В
-
V Напряжение питания -18 В
VIDR Диапазон входного напряжения 30 В
VIN Входное напряжение 15 В
PD Мощность рассеивания 570 МВт
Tstg Температура хранения от-55 до 125 C
*
Превышение предельных режимов может привести к катастрофическому отказу микросхемы.
Рабочие режимы должны соответствовать предельно допустимым режимам, приведенным ниже.

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ

Обозначен. Наименование Норма Единица
параметра параметра измерен.
Не менее Не более
+
V Напряжение питания 16 В
-
V Напряжение питания -16 В

2
 IL4558
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ (TA = 25 C, V+ = +15В, V- = -15 В)
Обозначение Наименование Режим Норма Единица
параметра Параметра измерения Не Не измерений
менее более
VIO Входное напряжение RS 10кОм 5.0 мВ
смещения нуля
IIO Разность входных токов 200 нА
IIB Входной ток смещения - 500 нА
ri Входное 0.3 МОм
дифференциальное
сопротивление
AV Коэффициент усиления RL 2кОм, 20 В/мВ
без обратной связи в
VC = 10В
режиме большого
сигнала
VOM Выходное напряжение RL 10кОм 12 В
переключения
RL кОм 10 В
VICR Диапазон входного 12 В
напряжения синфазного
сигнала
CMRR Коэффициент RS 10 кОм 70 дБ
ослабления синфазного
сигнала
PSRR Коэффициент RS 10 кОм 150 мкВ/В
ослабления изменения
напряжения питания
SR Скорость нарастания RL 2 кОм 0.8 1.6 В/мкс
выходного сигнала
I+, I- Ток потребления 5.6 мA
PC Power Consumption RL = 170 мВт
VN Эффективное значение RS = 1 кОм 3.5 мкВrms
напряжения шума f = 30Гц 30кГц
Isource Выходной вытекающий - 20 мA
ток
Isink Выходной втекающий 20 мA
ток

3
 IL4558
ТИПОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (ТА=+25оС)

Av, КОЭФФИЦИЕНТ УСИЛЕНИЯ БЕЗ ОС (дБ)

Vо, РАЗМАХ ВЫХОДНОГО СИГНАЛА (В)

120 32
+
V =15В V+ =15В
-
V =-15В
-
V =-15В
100
R L=2кОм 28

80
24

60
20
40

16
20

12
0 5
1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 0.1 0.3 0.5 1 3 10

f, ЧАСТОТА (Гц) Rн, СОПРОТИВЛЕНИЕ НАГРУЗКИ (кОм)

Рисунок 1. Значение Рисунок 2. Значение размаха

коэффициента усиления без ОС в выходного сигнала в
режиме большого сигнала в зависимости от сопротивления
зависимости от частоты нагрузки
1000
+
V =15В
VN, ЭКВИВАЛЕНТНОЕ ВХОДНОЕ

-
НАПРЯЖЕНИЕ ШУМА (мкВ)

Vом, ВЫХОДНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ

500 V =-15В м
10 2кО
R =2кОм R L=
300
00Ом
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ (В)

R L=4
L
5

100

0
50

30
-5

10

5
-15
1 3 10 30 100 300 1k 6 8 10 12 14 18

f, ЧАСТОТА (Гц) Vcc, НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ (В)

Рисунок 3. Значение эквивалентного Рисунок 4. Значение выходного

входного напряжения шума в напряжения переключения в
зависимости от частоты зависимости от напряжения питания

4
 IL4558

R L=2кОм

Vo, РАЗМАХ ВЫХОДНОГО СИГНАЛА (В)

IIB, ВХОДНОЙ ТОК СМЕЩЕНИЯ (нА)

80

24
R L=400Ом 70

60
16

50

8 40
+
V =15В
-
V =-15В 30

0 20
10 100 1k 10k 100k 1M -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

f, ЧАСТОТА (кГц) ТА, ТЕМПЕРАТУРА ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ ( С)

о

Рисунок 5. Значение размаха Рисунок 6. Значение входного

выходного сигнала в зависимости тока смещения в зависимости от
от частоты температуры окружающей
среды
ПЛАН КРИСТАЛЛА IZ4558

1.22 ±0.03

07 06 05
1.74 ±0.03

08 04

01 02 03

(0,0)
Технологическая
маркировка
15T56
(x=0.75, y=0.064)

Размер контактных площадок 0.110x0.110 мм (Размер указан по слою "пассивация")

Толщина кристалла 0.35±0.02 мм

5
 IL4558
РАСПОЛОЖЕНИЕ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК
Номер контактной Обозначение Координаты
площадки (левый нижний угол), мм
X Y
01 OUT1 0.105 0.105
02 IN1(-) 0.275 0.105
03 IN1(+) 1.005 0.105
04 GND 1.005 0.680
05 IN2(+) 1.005 1.255
06 IN2(-) 0.833 1.279
07 OUT2 0.275 1.255
08 Vcc 0.105 1.255