МИНОБРНАУКИ РОССИИ

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
«ЛЭТИ» ИМ. В.И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА)
Кафедра МНЭ

ОТЧЕТ

по индивидуальному домашнему заданию №2

по дисциплине «КТОППиИМС»
ТЕМА: РАЗРАБОТКА МДП-СТРУКТУРЫ

Студент гр. 8205 Вахобов Д.Б.

Преподаватель Зятьков И.И.

Санкт-Петербург
2021
1.1. Рассчитать и построить зависимости:
Qs=(s); Сп и Сд, = f(s); С/Сд, = f(s);
Qs=(U); s=(U); С/Сд, = f(U) на низкой и на высокой частотах.

Рис.1. Зависимость заряда от напряжения на полупроводнике

Рис.2. Зависимость емкостей п/п-ка и диэлектрика от напряжения

полупроводника
Рис.3. Зависимость отношения емкостей от напряжения
полупроводника

Рис.4. Зависимость заряда от напряжения

 Рис.5. Зависимость напряжения на полупроводнике от полного
напряжения

Рис.6. Зависимость отношения емкостей от полного напряжения

1.2. Для случаев обогащения и сильной инверсии определить толщину
приповерхностной области полупроводника, в которой сосредоточено …
91…..% заряда, приходящегося на единицу площади поверхности. Показать
эти области на графиках  =(х).

КДБ12
1 1
N А = p p 0= = =1,042∙ 1015 cм −3 ;
q ρ μ p 1,6∗10−19∗12∗500
2
ni (1,21∗1010)2 5 −3
np0 = = 15
=1,4 ∙ 10 cм
p p 0 1,042∙ 10
kT N
−23 15
1,38∗10 ∗300 1,042∙ 10
φ F = ln А = ln =0,294 В
q ni 1,6∗10−19 1,21∗10 10

В случае сильной инверсии:

Чтобы рассчитать слой, содержащий 91% заряда, нужно найти φ x .

Это проще всего сделать из соотношения:
q φs
Qs =√ 2 ε п ε 0 kT n p exp ⁡(
)
2 kT 0

qφ
Q x =√ 2 ε п ε 0 kT n p exp ⁡( x )
2 kT 0

Q
Очевидно, что x =0,09 Q .
s Тогда после преобразований получим

2 kT
φ x =φs + ln 0,09
q
φ S=2 φ F + 0.25 В=2∗0,294 +0.25 В=0,838 В

2 kT 2∗1,38∗10−23∗300
φ x =φs + ln 0,09=0,838+ ln 0,09
q 1,6∗10−19

¿ 0,713 В

x=
√ 2kT ε п ε 0
n p 0 q2
В случае обогащение:
[ ( ) ( )] √
exp
−q φ x
2 kT
−exp
−q φ s
2kT
=
2∗1,38∗10−23∗300∗12∗8,86∗10−14
5 −19 2
1,4∗10 ∗( 1,6∗10 )
exp
[ ( ) (
−q φ x
2 kT
−exp
−q
2 kT

2 kT
φ S <0 ,|φ S|>
q
 −q φ s
Qs =√ 2 ε п ε 0 kT n p exp ⁡( )
0
2 kT
−q φ x
Q x =√ 2 ε п ε 0 kT n p exp ⁡( )
0
2 kT

Q x =0.09 Qs
2 kT
=0.05175 В
q
φ S=−0.3 В
2 kT
φ x =φs− ln 0,09=−0,175 В
q

√ [ ( ) ( )] √ [ ( ) ( )]
−23 −14
2kT ε п ε 0 q φx q φs 2∗1,38∗10 ∗300∗12∗8,86∗10 q φx q φs
x= 2
exp −exp = 15 −19 2
exp −exp =
pp0 q 2 kT 2 kT 1,042∗10 ∗( 1,6∗10 ) 2 kT 2 kT

Ответ: x сил . инв=14,67 нм ,

x обог=5,574 нм

1.3. Из вольт-фарадной зависимости, снятой на высокой частоте для

реальной МДП-структуры с электродом из….. Al…., рассчитать Qs эф.

1) Найдем концентрацию носителей заряда:

1 1 15 −3
ρ= → p p ≈ N A= =1.042∗10 см
q μ p pp
0
0 −19
1.6∗10 ∗500∗12
2) Найдем емкость плоских зон:

√ √
2 2
εп ε 0 q p p 0 12∙ 8,85 ∙10−14 ∙ ( 1,6 ∙10−19 ) ∙ 1.042∙ 1015
C пл . зон= = =¿
kT 1,38 ∙10−23 ∙ 300
−8 Ф
¿ 8.272 ∙10 2
см

3) Найдем емкость диэлектрика:

 ε д ε 0 4 ∙ 8,85∙ 10−14 Ф /см Ф
С д= = =10,1 ∙10−8
δд −7
35 ∙10 см с м2
4) Общая емкость может быть записана как
−8 Ф
8,272∙ 10

( )
C C пл . зон с м2
= = =0,45
Cд C пл . зон +C д
Ф −8 Ф −8
пл . зон
8,272∙ 10 2
+10,1 ∙ 10 2
см см
Этой емкости соответствует U пл . зон ≅ 3,5 В .

Рис.7. Вольт-фарадная характеристика реальной МДП-структуры

kT p p 1.38∗10−23∗300 1.042∗1015
5) φ F = q ln n = 0
ln ≅ 0.294 В
i 1.6∗10−19 1.21∗1010
А 1 ΔЭ
6) φ МП = qм − q (q χ + 2 + q φ F ) [В]
q φ МП =4,1−( 4.15+0.56+0.294 )=−0,904 [эВ ]
7)
U пл . з =−
( QS эф
Cд ) Кл
+ φ МП →Q S эф =−C д ( U пл . з +φ МП )=−10,1 ∙ 10−8∗(3.5−0.904 )=2.622∗10−7 2
см

−7 Кл
Ответ: QS эф=2.622∗10
см 2
 ε д ε 0 4 ∙ 8,85∙ 10−14 Ф /см −8 Ф
С д= = −7
=7,08 ∙10 2
δд 50 ∙10 см см
Удельная емкость полупроводника

Полная емкость:
С п=S
√ ε п ε 0 qN
2∗2|φF|
=С min

( )
C C мин
= =0,2
Cд мин C мин+C д

СпСд С Сп Сд Сд Сд
С= → = → =1+ →С п=
( )
Сп +С д С д Сп +С д С Сп Сд
−1
С

2 С 2д ε п ε 0 q2 N
→ С п= =
Сд 2
N
( −1) 4 kTln
С ni
2 −8 2
N Сд 4 kT (7.08∗10 ) −23
4∗1.38∗10 ∗300 14
= = =1.908∗10
N Сд 2
εп ε 0 q 2
(5−1)2 −14 −19 2
12∗8.85∗10 ∗(1.6∗10 )
ln
1.21∗1010 ( С −1)

N = 2.321*1015 см−3

Ответ: N = 2.321*1015 см−3