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TRABAJO COLABORATIVO 2
GRUPO: 100414_17
FISICA ELECTRONICA
Trabajo Presentado a:
Ingeniero: FREDY TELLEZ
U.N.A.D.
INGENIERIA DE SISTEMAS
2011
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UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA
INTRODUCCIÓN
Con la realización del presente trabajo podemos afirmar con práctica en el simulador que
dependiendo de la facilidad con que permiten la circulación de corriente en un circuito, los
materiales se pueden dividir en conductores, aislantes o semiconductores, también
exponemos los materiales conductores que tienen uno o dos electrones de valencia, pero
entre estos los mejores conductores son los que tienen un electrón de valencia, como el oro,
la plata y el cobre. De estos tres, el más empleado en circuitos eléctricos es el cobre.
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OBJETIVOS
General:
Analizar cada uno de Semiconductores junto con su estructura Atómica, que mediante
consulta se expongan sus principales características y diferencias permitiendo así ampliar los
conocimientos adquiridos a través de este curso.
Específicos:
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FASE 1
MATERIA
L CARACTERISTICAS DIFERENCIAS EJEMPLOS
más de 4 electrones en la capa de valencia
La magnitud de la banda prohibida es muy
grande ( 6 eV), de forma que todos los
electrones del cristal se encuentran en la
No existe aislante absoluto. banda de valencia incluso a altas
Su resistencia al paso de corriente eléctrica temperaturas por lo que, al no existir mica, fibras de vidrio con un
hasta 2,5 × 1024 veces mayor que la de los portadores de carga libres, la conductividad aglutinador plástico, vidrio,
AISLANTE buenos conductores eléctrica del cristal es nula. porcelana
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TIPO P
Si al semiconductor puro de silicio se le añade algún tipo de impureza que tenga tres
electrones externos, solo podrá formar tres uniones completas con los átomos de silicio, y la
unión incompleta dará lugar a un hueco.
Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos
que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores,
o impurezas del tipo «p»
Símbolo
Gráfica del Diodo
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Diodo Túnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto
rápidamente al observar su curva característica, la cual se ve en el gráfico. En lo que
respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en
el sentido de paso ofrece unas variantes según la tensión que se le somete. La intensidad de
la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensión hasta llegar a la
cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensión, se produce una pérdida de intensidad hasta
D que vuelve a elevarse cuando se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensión.
Símbolo
Representación en circuito
Diodo Shockley: es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o
de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera
Schottky.
Está formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es
un tipo de tiristor.
La característica V-I se muestra en la figura. La región I es la región de alta impedancia
(OFF) y la III, la región de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la
tensión en el diodo hasta alcanzar Vs, tensión de conmutación. La impedancia del diodo
desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y
disminuya la tensión, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la región III (Punto B). Para volver
al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo
aumenta su impedancia, reduciendo, todavía más la corriente, mientras aumenta la tensión
en sus terminales, cruzando la región II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la región I
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Representación en Grafica
Símbolo
Representación en Circuito
4. Cuales son las principales características y diferencias existentes entre un transistor NPN
y uno PNP.
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Hoy día parecería imposible la vida sin la cantidad de chips y circuitos que nos rodean, ya
que la evolución de la humanidad y de la electrónica ha presentado muchos avances en la
fabricación de los chips hechos a base de elementos semiconductores.
El afán de tener a disposición de las masa el serivicio de radio y televisión hizo que el campo
de la fabricación de circuitos a bajos costes fuera uno de los principales campos de la
investigación.
Es así como en septiembre del 58 Jack Kilby presenta el primer circuito integrado Este tenía
el tamaño aproximado de la mitad de un clip e integraba en el mismo material semiconductor
distintos elementos electrónicos, todavía debieron pasar 10 años hasta que las compañías se
convencieron de que esta nueva tecnología iba a revolucionar el mundo, desde entonces no
deja de crecer el número de inventos que está compuestos por ellos y no se espera que esta
tecnología sea reemplazada muy pronto.
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FASE 2
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2. Aplicación del Diodo como Rectificador. Construya los siguientes circuitos y realice su
simulación por medio del software Workbench. Anexe al informe las gráficas obtenidas en el
osciloscopio. Compare la señal de entrada con la señal de salida. Explique lo sucedido.
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Nota: Tenga en cuenta que la señal del Generador de Funciones es una onda
seno, de 2 mV de amplitud y 60 Hz ( ver figura anterior )
“ instrumentos: osciloscopio ”
El arreglo que se realizó en la simulación se llama emisor común y gracias al arreglo de los
resistores el transistor PN2222A esta en la zona del trabajo de amplificación realizando una
multiplicación de una constante beta (ganancia) por la señal de entrada. Esta acción
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Veamos ahora como se produce la amplificación en este circuito. Al amplificar una señal
alterna en la entrada, estamos modificando la tensión de base-emisor del circuito, por
consiguiente, la I b, depende de la conducción de transistor.
Supongamos que en la entrada aparece el semiciclo positivo de una señal alterna. A través
del condensador de acople C1, se elevará la tensión de base, y por tanto, la de base-emisor.
Esto hace que aumente I b y se reduzca la barrera entre base y colector. El resultado es que
el transistor conduzca más, (aumenta la I c), aumenta la VR c y decrece entre colector y
emisor ( por tanto también decrece entre colector y masa). La tensión de colector que antes
era constante, ha disminuido y el condensador de desacoplo C 2 transmitiendo a la salida el
descenso de V e como el semiciclo negativo, igual que en el de entrada pero amplificado y
desfasado 150º. Pasemos ahora al semiciclo negativo en la entrada. A través de C 1 la
tensión de base disminuirá, por tanto, la tensión V b-e , con lo que también lo hará la I b. De
esta forma crece la barrera entre base y colector y el transistor conducirá menos (baja la I c).
Así, aumenta la V e y al haber menos corriente, baja la tensión en R L. El efecto es que la
tensión de colector sube u el condensador C2 transmite esta variación a la salida con el
desfase de 180º indefinidamente.
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CONCLUSIONES
Con la elaboración de este trabajo se pudo ampliar nuestros conocimientos adquiridos con
el apoyo del Modulo, al consultar un tema tan amplio y claro como lo es Semiconductores
describiendo algunas de sus principales características y diferencias.
Se puede a ciencia cierta y con toda la seguridad determinar como se obtiene un
semiconductor tipo N y uno tipo P, coherentemente afirmando que el propósito del dopaje
tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material y el propósito del
dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un átomo
tetravalente
Gracias a trabajos tan prácticos como este nos concientizamos de los avances que se ha
podido alcanzar con el desarrollo de semiconductores y conductores junto con sus
propiedades y elementos, tan así que conlleva al uso tecnológico con el que contamos hoy
en día en nuestros hogares, nuestros trabajos y en nuestra sociedad, podemos concluir que
de ideas esta hecho el mundo, ideas llevadas a cabo y materializadas en un objeto u
herramienta diminuta.
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BIBLIOGRAFIA
CIBERGRAFIA
http://www.monografias.com/trabajos65/tipos-diodos/tipos-diodos.shtml
http://roboticaenlasergio.wordpress.com/category/examenes-y-notas/
http://www.forosdeelectronica.com/f27/introduccion-transistores-46961/
http://www.noticias3d.com/articulo.asp?idarticulo=148
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