Отчет о лабораторной работе

«Спектр экситона в полупроводниковом кристалле»

Цель: изучение спектра экситона в кристалле Cu2O

Основные формулы:
Энергия связи электрона, находящегося на n уровне экситона равна

μ exc e 4
En b = (1)
2 ℏ2 ε 2 n2
где μexc — эффективная масса для экситона, ε — диэлектрическая проницаемость, n  
— номер уровня.
Спектр поглощения экситона равен
R exc
En =Eg − 2
( 2)
n
где E g — ширина запрещенной зоны, Rexc — постоянная Ридберга экситона. Эффективная
масса экситона равна
2 2
2 ℏ ε Rexc
μexc = 4
(3)
e
Радиус экситона равен

r B ε n2 n2 e2
r exc = m0 = (4)
μexc 2 ε Rexc

где r B — боровский радиус, m0 — масса электрона.

Схема установки
 Рис. 1. 1) Лампа накаливания; 2) сосуд заполненный жидким азотом; 3) кристалл Cu2O;
4) конденсор; 5) щель; 6) коллиматор; 7) дифракционная решётка; 8) ПЗС линейка.
Ход работы
В ходе работы были получены спектр лампы (Рис. 2) и спектры пропускания
толстого (Рис. 3) и тонкого (Рис. 4) образцов кристалла Cu2O. С помощью них были
построены спектры поглощения толстого и тонкого образцов (Рис. 5, Рис. 6)

Рис. 2. Спектр лампы

 Рис. 3.Спектр пропускания толстого образца

Рис. 4. Спектр пропускания тонкого образца.

С помощью спектра поглощения толстого образца была определена длина волны
первого пика (Рис. 5), а с помощью спектра поглощения тонкого образца — длины волн
2-о, 3-о и 4-о пиков (Рис. 6). Соответствующие значения длин волн приведены в Табл. 1.
Далее эти значения были пересчитаны в энергию по формуле
1240.18
En ( эВ )=
λ ( нм )

После этого была построена линейная аппроксимация зависимости En ( n−2 ) для энергий с
n>1 (Рис. 7). Видно, что эти энергии достаточно хорошо ложатся на прямую, в то время
как энергия первого уровня сильно отклоняется от аппроксимирующей прямой. Как будет
видно далее, связано это с тем, что радиус экситона на этом уровне энергии по порядку
совпадает с постоянной решетки.
 С помощью этой аппроксимации были вычислены постоянная Ридберга экситона
Rexc и ширина запрещенной зоны E g

Rexc =( 0.098 ± 0.018 ) эВ

E g=( 2.165 ± 0.003 ) эВ

Рис. 5. Спектр поглощения кристалла для толстого образца

Рис. 6. Спектр поглощения кристалла для тонкого образца.

 Рис. 7. Зависимость энергии от n-2.
Затем была рассчитаны эффективная масса экситона и радиусы на разных уровнях
(Табл. 1).
μexc =( 0.41 ±0.07 ) m0

Табл. 1. Полученные и рассчитанные данные.

n λ , нм Δ λ , нм En , эВ Δ E n , мэВ Eсв , мэВ r exc , А Δ r exc , А r exc /a0
1 612.4 0.1 2.0251 0.3 139.9 10 1.8 2.3
2 579.3 0.2 2.1408 0.7 24.2 39 7 9.1
3 575.7 0.1 2.1542 0.4 10.8 88 16 20.5
4 574.4 0.2 2.1591 0.8 5.9 160 30 37.2
Рассчитанные значения радиусов экситона больше постоянной решетки 0 a =4.3 А.
Однако радиус первого уровня всего вдвое больше постоянной решетки, с чем и связано
отклонение этого уровня от формулы для энергии (2).
Вывод: в ходе работы были получены спектры поглощения экситона, а также
вычислены некоторые его характеристики.