1.

1 – Базовые понятия электротехники

1.Источник тока, источник напряжения, согласование источника с нагрузкой
Любой источник имеет внутреннее сопротивление Rг , а любой приемник имеет входное сопротивление Rн
Источник напряжения - источник электрической энергии, который на своих внешних зажимах имеет неизменное напряжение, не зависящее от
тока, потребляемого от этого источника. Это достигается тогда, когда внутренне сопротивление источника пренебрежительно мало по сравнению с
сопротивлением нагрузки (идеальные условия: Rг = 0; U ист =Е=const )
Uн Eг Rн
Rн ≫ R г I н= U н =I н Rн= ≈ Eг
Rн Rн + R г
Обычно для источников питания электронных устройств для задания неизменных режимов работы принимают
Rн = 10 Rг Rн ≥10 Rг
Используется в гальванических элементах, аккумуляторах, стабилизаторах напряжения

Источник тока - источник электрической энергии, который отдает во внешнюю цепь ток неизменного значения, независимо от падения
напряжения на этой цепи ( I =const ). Это возможно, когда внешнее сопротивление нагрузки пренебрежимо мало по сравнению с внутренним
сопротивлением источника
Eг E Eн R г
Rн ≪ R г I н= ≈ г Uн=
R н + R г Rг Rн + R г
Используется:
1) В качестве коллекторной нагрузки транзисторного каскада с общим эмиттером для увеличения коэффициента усиления по напряжению Кu
К и=R k /R э
2) Для задания неизменным рабочего тока через стабилитрон с целью увеличения его коэффициента стабилизации
3) В операционных усилителях с целью симметрирования положительных и отрицательных полуволн сигналов и улучшению подавления
синфазных помех

Согласование источника с нагрузкой

Rн =R г
В этом случае на нагрузке выделяется максимальная мощность
Используется:
1) в выходных каскадах передатчиков и усилителей мощности для получения максимальной мощности;
2) в высокочастотных (телевизор) и сверхвысокочастотных устройствах с целью увеличения коэффициента стоячей волны ;

2.Пассивные элементы электрической цепи и их параметры

К пассивным относятся элементы, в которых рассеивается (резисторы) или накапливается (катушка индуктивности и конденсаторы) энергия.
К основным характеристикам элементов цепи относятся их вольт-амперные, вебер-амперные и кулон-вольтные характеристики. Если
элементы описываются линейными уравнениями, то они называются линейными (резисторы), если нет – нелинейные (конденсаторы, катушки,
диоды и т.д.). Цепи, содержащие только линейные элементы, называются линейными. Наличие в схеме хотя бы одного нелинейного элемента
относит ее к классу нелинейных.
Резистор – это пассивный элемент, характеризующийся резистивным сопротивлением и обладающий только свойством необратимого рассеяния
энергии.

1
Сопротивление - [R] – Ом; проводимость – [G] – Сименс =
R
ρl
R=
S

2
U 2 U
I= P=IU =I R= Q=Pt
R R
P – мощность, Q – количество выделившейся энергии за t секунд
Под действием идущего тока резистор нагревается, на нём выделяется какое-либо количество тепла. Это и есть мощность, которая рассеивается
на сопротивлении. Если в схему включить сопротивление меньшей мощности рассеивания, чем необходимо, то резистор будет сильно греться и
через небольшое время сгорит
Основные параметры резисторов:
1) Номинальное сопротивление 2) Класс точности 3) Мощность рассеивания
4) Предельное рабочее напряжение 5) Температурный коэффициент сопротивления

Резисторы подразделяют: По назначению (общего назначения, высокоточные, высокочастотные, высоковольтные, специального назначения), По
эксплуатационным характеристикам (термо- и влагостойкие, вибро- и ударопрочные, повышенной высотности, высоконадёжные), По виду
токопроводящего элемента (проволочные, непроволочные,
углеродистые, металлопленочные, композиционно-поверхностные, композиционно-объёмные), По характеру изменения сопротивления
(постоянные, переменные, подстроечные, подгонные)
Конденсатор – это устройство, которое может накапливать электрический заряд и хранить его некоторое время
Ёмкость характеризует энергию, которая накапливается в электрическом поле конденсатора - [С] – Фарад
q
C=
U
Основные параметры конденсаторов
 1) Номинальная ёмкость 2) Класс точности 3)Температурный коэффициент ёмкости
4) Частотные свойства

Конденсаторы подразделяют: По характеру изменения ёмкости (постоянные, переменные), По материалу диэлектрика (масляные,
керамические, слюдяные, стеклянные, бумажные, плёночные, электролитические, алюминиевые, танталовые, поликарбонатные,
полистироловые, пенопластовые, фарфоровые, полиэтиленовые), По эксплуатационным характеристикам (ВЧ и НЧ, высоко- и
низковольтные), По конструкции (трубчатые, дисковые, рулонные, многопластинчатые)

Катушка индуктивности – электронный компонент, представляющий собой спиральной конструкции изолированный проводник.
Основное свойство катушки – индуктивность - [L] – Генри. Индуктивность – это свойство преобразовать энергию электрического тока в
энергию магнитного поля, т.е. катушка индуктивности накапливает энергию в магнитном поле.

 ψ - потокосцепление, µ0 = 4 π ∙ 107 – магнитная постоянная, N – количество витков, S – площадь

поперечного сечения катушки. Потокосцепление характеризует суммарный магнитный поток,
пронизывающий катушку

Дроссель – катушка индуктивности с сердечником

3.Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и их соединение

1) Резистор
Последовательное Параллельное Смешанное

1 1 1 1
R=R 1+ R 2+ ...+ R n = + +...+
R R1 R 2 Rn
U =U 1+ U 2+ ...+U n U =U 1=U 2=...=U n
I =I 1=I 2=...=I n I =I 1+ I 2 +...+ I n
2) Конденсатор
Последовательное Параллельное Смешанное

1 1 1 1
= + +...+ C=C 1+C 2 +...+Cn
C C1 C 2 Cn
q=q 1=q 2=...=q n q=q 1+ q2 +...+q n
3) Катушка
Последовательное
а) Согласное б) Встречное

Начало одной катушки подключается к концу другой (направление намотки то же), в результате в катушках направление
магнитных потоков совпадают.
L=L1 + L2 +2 M

Начало соединяется с началом, либо конец с концом (одинаковое направление намотки), из- за чего в обеих катушках магнитные
потоки направлены в разные стороны.
L=L1 + L2−2 M
M =k √ L1 ∙ L2
М – коэффициент взаимной индукции
k = 0 – катушки удалены и магнитные поля не взаимодействуют
k = 1 – катушки на одном сердечнике или/и в непосредственной близости друг от друга

Параллельное

L1 ∙ L2 ± 2 M
L= –2М при встречном, +2М при согласном
L1 + L 2

Смешанное – соединение в звезду

4. Трансформаторы
Трансформатор – устройство, основанное на явлении взаимоиндукции и передающее электрическую энергию из одной цепи в другую
без непосредственного контакта между ними.
В простейшем случае состоит из двух обмоток, связанных общим магнитным потоком Ф, который замыкается по воздуху или через
сердечник. Переменный ток наводит в первичной катушке переменное магнитное поле. Это переменное магнитное поле, наводит
переменное напряжение во вторичной обмотке. Отношение числа витков первичной и вторичной обмоток определяет
 w1
коэффициент трансформации: k =
w2
w1 — число витков в первичной обмотке;
w2 — число витков во вторичной обмотке.
Если k > 1 — это понижающий трансформатор.
Если k < 1 — это повышающий трансформатор.
КПД трансформатора определяется отношением мощности, отдаваемой трансформатором на
нагрузку, к мощности, потребляемой из сети.

5. Типы пассивных элементов, их особенности и области применения

Резистор — это элемент, с помощью которых осуществляется регулирование и распределение электрической энергии между цепями и
элементами схем, чтобы понизить ток в цепи. Принцип работы резисторов основан на использовании свойств различных материалов, оказывать
сопротивление электрическому току. В основном используются для формирования заранее заданных величин напряжений и токов в электрической
цепи. Так же возможно использование при создании необходимых электрических режимов определенных активных компонентов
Конденсатор — это элемент, предназначенные для создания в электрической цепи требуемого значения электрической емкости. Они
применяются для разделения постоянной и переменной составляющих тока, в электрических фильтрах, для сглаживания пульсаций выпрямленного
напряжения и для уменьшения электрической связи между каскадами. С катушками индуктивности конденсаторы образуют колебательные
контуры. Принцип работы конденсатора основан на его способности накапливать заряд на своих обкладках, если к ним приложено напряжение
Катушка индуктивности — элемент, основным свойством которого является эффект преобразования энергии электрического тока в энергию
магнитного поля и обратно. Используются в стабилизаторах как элемент, накапливающий энергию и преобразующий уровни напряжения, в
качестве электромагнитов, реле

6. Коэффициент нагрузки
Коэффициент нагрузки характеризует надежность работы. Показывает, какова в процентном отношении реальная нагрузка на данный элемент
F раб
по сравнению с допустимой. K н=
F ном
F раб – нагрузка в рабочем режиме, F ном – номинальная нагрузка
В основном коэффициент рассчитываются по допустимым значениям токов, напряжений или мощности. Одно из значений этих величин известно
и его можно взять из справочных данных на заданный радиоэлемент, а второе значение рассчитывается исходя из электрической принципиальной
схемы.
7. Виды и параметры электрических сигналов
Постоянный сигнал - сигнал, отличный от нуля в любой момент времени, а время изменения которого намного
больше времени измерений. Постоянный сигнал характеризуется единственным параметром – величиной
(амплитудой).
Синусоидальный сигнал – сигнал, амплитуда которого изменяется по закону А = sin(ω t). Синусоидальные
сигналы характеризуются амплитудой - А, частотой – f и периодом – Т.

Прямоугольный сигнал Треугольный сигнал Пилообразный сигнал

Сложный сигнал Сигнал шумов Звуковой сигнал

Похож на шум, но несет

информацию в виде звука

Импульсы – это те же самые сигналы, но они не поддаются периодическому закону, и меняют свое значение, в
зависимости от ситуации

8.Амплитудное, действующее, среднее значения напряжения и тока электрического колебания

Амплитудное значение - максимальное значение электрического сигнала(U max)
Действующее значение переменного напряжения – значение, которое оказывает такое же тепловое действие, как и постоянное
U max
напряжение данной величины U д= ≈ 0,707 ∙ U max
√2
Среднее значение – среднее арифметическое абсолютных значений колебаний в течение одного полупериода. Определяет количество
переданного электричества и энергии U ср ≈ 0,636 ∙ U max ≈ 0,707 ∙ U д

9. Длительность импульса, период следования, частота, скважность, фронт и спад импульса

Амплитуда U А - максимальное значение импульса
Частота f – количество колебаний в секунду.
Период Т - промежуток времени, за который совершается одно колебание
Длительность импульса τ и – интервал времени между начальным моментом импульса напряжения и моментом восстановления
мгновенного значения
 T
Скважность Q – отношение периода импульса ко времени его длительности. , Q=
τи
Выброс – b1
Фронт τ ф – перепад с низкого уровня к высокому уровню
Спад τ ср – перепад от высокого уровня к низкому (срез, спад, задний фронт)
Если для прямоугольных колебаний Q = 2, то есть tи = tпауз, то такие колебания называются меандр
10. Электрические цепи. Интегрирующие и дифференцирующие, векторные диаграммы напряжений и токов
Дифференцирующая RC
Диф. RC – фильтр высоких частот (ФВЧ)
1) При подаче DC конденсатор не проводит ток, следовательно, на нагрузке (резисторе) нет напряжения.
1
2) При подаче AC конденсатор имеет определенное сопротивление X c= , чем выше частота, тем
2 п fC
меньше сопротивление. Поскольку такая схема – делитель напряжения, чем меньше сопротивление конденсатора, тем больше падает
напряжение на нагрузке. Высокое напряжение на нагрузке получается за счет маленького сопротивления конденсатора при высокой
частоте

Дифференцирующая RL

Диф. RL – фильтр высоких частот (ФВЧ)

1) При подаче DC катушка является проводником и не имеет сопротивления, следовательно, на нагрузке
(катушке) нет напряжения.
2) При подаче AC катушка имеет определенное сопротивление X L =2 п fL, чем выше частота, тем выше
сопротивление, следовательно, на нагрузке падает больше напряжение. Т.к. при DC на катушке нет
сопротивления, постоянная составляющая не будет проходить. Высокое напряжение на нагрузке получается за счет высокого
сопротивления катушки при высокой частоте.

Интегрирующая RC
Инт. RC – фильтр низких частот (ФНЧ)
1) При подаче DC конденсатор не проводит ток, следовательно, на нагрузке (конденсаторе) будет
максимальное напряжения, т.к. он – место разрыва цепи.
1
2) При подаче AC конденсатор имеет определенное сопротивление X c= , чем выше частота,
2 п fC
тем меньше сопротивление, следовательно, чем меньше сопротивление конденсатора, тем меньше падает напряжение на нагрузке. Т.к.
конденсатор не пропускает постоянную составляющую, но является нагрузкой (при DC максимальное напряжение) на выходе будет и
переменная составляющая, и постоянная. Высокое напряжение на нагрузке получается за счет большого сопротивления конденсатора
при низкой частоте

Интегрирующая RL
Инт. RL – фильтр низких частот (ФНЧ)-цепи, при поступлении на вход прямоуг. импульса в катушку
индуктивности возникает ЭДС самоиндукции, препятств. изм тока в ней.
1) При подаче постоянного напряжения катушка является проводником и не имеет сопротивления,
следовательно, на нагрузке (резисторе) падает максимальное напряжение
2) При подаче переменного напряжения катушка имеет определенное сопротивление X L =2 п fL,
чем выше частота, тем выше сопротивление, следовательно, на нагрузке падает меньшее напряжение.
Т.к. при DC на катушке нет сопротивления и на нагрузке максимальное сопротивление, на выходе
будет и постоянная составляющая, и переменная. Высокое напряжение на нагрузке получается за счет маленького сопротивления
катушки при низкой частоте.

Дифференцир. используется :
-для выделения фронтов импульсных сигналов
-в качестве звена фильтра верхн. частот 1-го порядка
-в автоматических регуляторах
Интегрирующая цепь используется в:
- генераторах линейно изм. напряжения
-в качестве звена фильтра нижних частот 1-го порядка
-в автоматических регуляторах
11. Прохождение прямоугольного сигнала через них (ФНЧ и ФВЧ)
Umax – 10В
Umin – 5В, следовательно AC – 2,5В (Переменное напряжение), DC – 7,5В (Постоянное напряжение)
τ -постоянная времени, показывает, через какое время напряжение на конденсаторе уменьшится в e раз.
Через ФНЧ (Инт)

τ ≪ tи τ ≈ tи τ ≫ tи
Через ФВЧ (Диф)
 τ ≪ tи τ ≈ tи τ ≫ tи

12. Параллельный и последовательный колебательный контуры

Резонанс – совпадение амплитуд. Следствие резонанса – увеличение амплитуды
Параллельный колебательный контур. Получается в случае, когда генератор подключен к катушке и конденсатору, которые соединены
параллельно между собой, т.е. когда генератор вне контура. Если колебательный контур рассматривать отдельно от генератора, L и C подключены
последовательно. Генератор и контур соединены между собой последовательно. Весь контур в целом является нагрузкой для генератора.
Используется для выделения сигнала в заданой полосе частот.
Последовательный колебательный контур.
Наблюдается в случае, когда генератор соединен последовательно с L и С, т.е. включен внутри контура.
Используется для подавления сигналов а заданой полосе частот.
13. Резонанс тока и напряжения
Резонанс токов (параллельный резонанс)
Условия получения резонанса токов такие же, как и для резонанса напряжений x L = хC. Однако по своим
свойствам резонанс токов во многом противоположен резонансу напряжений. В этом случае напряжение на
катушке, на конденсаторе и у генератора одинаковые. При резонансе сопротивление контура между точками
разветвления становится максимальным, а ток генератора будет минимальным.
f0 1
f 0=√ f B f n ∆ f =f B + f n Q= f=
∆f 2 π √ LC
Основное применение резонанса токов – создание большого сопротивления для тока определенной частоты. Резонанс токов приводит к
возрастанию тока через реактивные элементы в Q раз, а резонансная ЭДС будет ограничена ЭДС источника, его внутренним сопротивлением и
активным сопротивлением цепи R. Таким образом, на резонансной частоте сопротивление параллельного колебательного контура максимально.
Резонанс напряжений (последовательный резонанс)
X C =X L. Условием резонанса напряжений является равенство частот генератора и контура. Резонанс напряжений приводит к возрастанию
напряжения на реактивных элементах в Q раз, а резонансный ток будет ограничен ЭДС источника, его внутренним сопротивлением и активным
сопротивлением цепи R. Таким образом, сопротивление последовательного контура на
резонансной частоте минимально.
f0
∆ f =f B −f n Q= f =√ f B f n Q= √ f n f B /f B−f n
∆f 0
14. АЧХ и ФЧХ электрических цепей и их параметры
Амплитудно-частотная характеристика - это график или аналитическое выражение,
представляющее зависимость тока, напряжения или коэффициента усиления от частоты
подводимого к элементу или устройству синусоидального колебания. АЧХ показывает, как
изменяется амплитуда синусоидального сигнала в зависимости от
частоты.
Коэффициент передачи – отношение напряжения на выходе к напряжению на входе. Если
коэффициент передачи больше единицы, то электрическая цепь усиливает входной сигнал,
U вых
если же меньше единицы, то ослабляет = Кu
U вх
f0
Добротность Q=
∆f
Полоса пропускания – диапазон частот, в пределах которого АЧХ достаточно равномерна
для того, чтобы обеспечить передачу сигнала без существенного искажения его формы (полоса частот, заключенных между граничными частотами
составляющих 0,707 резонансной частоты).
15.Относительные децибелы (δ – отношение двух величин в децибел):
P2 U2
δ=10 lg =20 lg
P1 U1
δ−¿ децибел (дБ), Р1 – мощность до усиления, Р2 – мощность после усиления, U1 – напряжение до
усиления, U2 – напряжение после.
Децибелы имеют логарифмическую зависимость, т.е. 20дБ – усиление (пор напряжению) в 10 раз,
40дБ – 100 раз, 60дБ – 1000 раз, 14дБ – 5 раз, 12дБ – 4 раза, 6дБ – 2 раза

Фазо-частотная характеристика – это зависимость сдвига по фазе между синусоидальными

сигналами на входе и выходе устройства от частоты входного колебания. Разницу между фазами сигналов в электронике называют разностью фаз
или сдвигом по фазе
1.2 Основные понятия теории электропроводимости полупроводников
16.Электронно-дырочный p-n-переход
Электропроводность твердых тел объясняется движением свободных электронов, т.е. электронов, утративших валентную связь с ядрами атомов.
По электропроводности все вещества условно принято делить на проводники, полупроводники и диэлектрики.
 Полупроводниковые материалы делятся на собственные (чистые) и примесные. При температуре 0˚К в полупроводниках отсутствует движение
электронов, и они являются диэлектриками. При повышении температуры, электрон получает количество энергии, которое хватает чтобы
“перескочить” из валентной зоны в зону проводимости и отделяется от атома. Он начинает перемещаться по кристаллу и участвовать во
взаимодействии с другими атомами. На месте, с которого ушёл электрон, остался нескомпенсированный положительный заряд – дырка. На
место дырки приходит другой электрон, таким образом, ковалентная связь восстанавливается в одном месте, но нарушается в другом. Так,
дырка перемещается по кристаллу и движется она противоположно движению электронов. Движение электронов и дырок внутри чистого
полупроводника называется собственной проводимостью.

Процесс образования электроннодырочных пар при повышении температуры называется термогенерацией, обратный-рекомбинация. В
чистых ПП соблюдается равновесие и число возникающих носителей равно числу рекомбинирующих.
В примесных полупроводниках носители заряда создаются благодаря вводимой в кристалл
примеси. Это делается для того чтобы создать полупроводник электронной или дырочной
проводимости.

n – тип. В полупроводнике электронной проводимости (n-типа) основными носителями заряда

являются электроны. Чтобы создать примесный полупроводник n – типа, в кристалл
вводят донорную примесь. Донорной она называется потому, что добавляет электроны в
структуру кристалла. Если в кремний ввести атом элемента из 5 группы таблицы Менделеева, то
получится избыточный электрон. Кремний имеет 4 валентных электрона, а фосфор 5, получается, один
электрон окажется слабо соединённым со своим атомом, и достаточно даже небольшого
воздействия, чтобы он его покинул и перешёл в зону проводимости. Атом примеси при этом
становится положительным ионом. Свободных электронов оказывается во много раз больше чем дырок,
и они являются основными носителями.

p – тип. В полупроводнике дырочной проводимости (p-типа) – дырки. Чтобы

создать полупроводник p- типа, в кристалл вводится акцепторная примесь. Если ввести в кристалл
германия атом индия, то в результате получится положительный нескомпенсированный заряд, т.к.
германий имеет 4 валентных электрона, а индий 3. Индий образует ковалентную связь с тремя
ближайшими атомами германия, а одна связь будет разрушена и на её месте останется дырка. В связи с этим, в
валентной зоне повышается концентрация дырок, вызванная акцепторной примесью. Следовательно,
основными носителями заряда в полупроводнике являются дырки, образованные примесью, а
электроны являются неосновными носителями.
Дырки в n-области, а электроны в p-области являются неосновными носителями. Дырка и свободный
электрон совершают хаотическое движение в кристалле. При внесении кристалла в электрическое поле,
движение электронов и дырок упорядочивается

Электронно-дырочный переход - это область, которая разделяет поверхности электронной и

дырочной проводимости в монокристалле.
При отсутствии приложенного напряжения наблюдается диффузия основных носителей зарядов из одной
области в другую. Так как электроны это основные носители заряда области n, и их концентрация больше, они
диффундируют в p-область заряжая отрицательно (отрицательные ионы) приграничный слой этой области. Уходя
со своего места электроны создают дырки, тем самым заряжая приграничный слой n-области
положительно (положительные ионы). Таким образом, через достаточно короткий промежуток времени с обеих сторон поверхности раздела
образуются противоположные по знаку пространственные заряды.
Электрическое поле, создаваемое пространственными зарядами, препятствует дальнейшей диффузии дырок и электронов. Возникает так
называемый потенциальный барьер, высота которого характеризуется разностью потенциалов в пограничном слое.
Если к p-n переходу приложить внешнее напряжение так, что к n-области отрицательный полюс источника, а к p-области – положительный, то
возникнет прямой ток, который будет вызван движение основных носителей зарядов p области (дырок) в n, и движение электронов из n области в
p. Такое подключение называют прямым.
Если изменить полярность приложенного напряжения, то электроны из пограничного слоя начнут движение от границы раздела к
положительному полюсу источника, а дырки к отрицательному. Следовательно, свободные электроны и дырки будут отдаляться от пограничного
слоя, создавая тем самым прослойку, в которой практически отсутствуют носители зарядов. В результате ток в p-n переходе снижается в десятки
тысяч раз, его можно считать приближённо равным нулю. Возникает обратный ток, который образован не основными носителями заряда. Такое
подключение называют обратным. 

17. Вольтамперные характеристики

При прямом подключении электронно-дырочного перехода, ток возрастает с увеличением
напряжения. На вольт-амперной характеристике прямому подключению будет соответствовать часть графика
в первом квадрате.
При обратном подключении ток достигает значения I нас, называемое током насыщения. Если
продолжать увеличивать напряжение при обратном включении, то может настать пробой диода. Это свойство
также используется в различных стабилитронах и т.д. Обратному подключению будет
соответствовать часть графика в третьем квадрате.
18. Дрейфовый и диффузионный ток
 Под действием приложенного к кристаллу напряжения в нем возникает электрическое поле. Движение носителей заряда упорядочивается:
электроны перемещаются по направлению к положительному электроду, дырки – к отрицательному. При этом не прекращается и тепловое
движение носителей заряда, вследствие которого происходят столкновения их с атомами полупроводника и примеси.
Направленное движение носителей заряда под действием сил электрического поля называют дрейфом, а вызванный этим движением ток –
дрейфовым током. При этом характер тока может быть электронным, если он вызван движением электронов, или дырочным, если он создается
направленным перемещением дырок. Iдр = Ip др + In др

При неравномерной концентрации носителей заряда вероятность их столкновения друг с другом больше в тех слоях полупроводника, где их
концентрация выше. Совершая хаотическое тепловое движение, носители заряда отклоняются в сторону, где меньше число столкновений, т.е.
движутся в направлении уменьшения их концентрации.
Направленное движение носителей заряда из слоя с более высокой их концентрацией в слой, где концентрация ниже, называют диффузией, а ток,
вызванный этим явлением, – диффузионным током. Этот ток, как и дрейфовый, может быть электронным или дырочным. Iдиф = Ip диф + In диф
I = Iдр + Iдиф

19. Барьерная и диффузионная емкость p-n-перехода

p-n-переход обладает ёмкостью. Суммарная емкость состоит из барьерной и диффузионной
С = Сбар+Сдиф
Барьерная ёмкость, которая возникает при приложении к n переходу обратного запирающего напряжения.
Зависит от величины обратного напряжения и площади р-n-перехода и может достигать нФ. Физическим аналогом
барьерной емкости приближенно может служить емкость плоского конденсатора.
Использование барьенрной емкости позволяет создавать полупроводниковые конденсаторы переменной емкости,
упрвляемые обратным напряжением.
Диффузионная ёмкость отражает перераспределение зарядов в базе.
Она обусловлена накоплением основных носителей зарядов при прямом смещени р-n-перехода , и рассасыванием при обратном смещении.
При увеличении внешнего напряжения, приложенного в прямом направлении, растёт концентрация инжектированных носителей вблизи границ
перехода, что приводит к изменению количества заряда, обусловленного неосновными носителями в p- и n-областях. Это можно рассматривать, как
проявление некоторой ёмкости. Её называют диффузионной, поскольку она зависит от изменения диффузионной составляющей тока. Определяет
собой отношение приращения инжекционного заряда к вызвавшему его изменению напряжения. Значение Сдиф существенно больше, чем Сбар, но
использовать её не удаётся, т.к. она зашунтирована малым прямым сопротивлением самого диода.

20.Возможность их использования и влияние на характеристики диодов

Барьерная емкость вредно влияет на выпрямление переменного тока, так как она шунтирует диод и через нее на более
высоких частотах проходит переменный ток. Но вместе с тем имеется и полезное применение барьерной емкости.
Специальные диоды, называемые варикапами, используют в качестве конденсаторов переменной емкости для
настройки колебательных контуров, а также в некоторых схемах, работа которых основана на применении
нелинейной емкости. В отличие от обычных конденсаторов переменной емкости, в которых изменение емкости
происходит механическим путем, в варикапах это изменение достигается регулировкой величины обратного
напряжения. Для исключения протекания постоянного тока через катушку включают дополнительный
конденсатор, ёмкость которого гораздо больше. Способ настройки колебательных контуров с помощью
варикапов называют электронной настройкой.

При прямом напряжении диод, кроме барьерной емкости, обладает так называемой диффузионной емкостью, которая также нелинейна и
возрастает при увеличении прямого напряжения. Она существует только при прямом напряжении, когда носители заряда в большом количестве
диффундируют через пониженный потенциальный барьер и, не успев рекомбинировать, накапливаются в p-n-областях. Диффузионная емкость
значительно больше барьерной, но она в большинстве случаев не оказывает существенного влияния на работу диода и использовать ее также не
удается, так как она всегда зашунти-рована малым прямым сопротивлением самого диода. Практическое значение, как правило, имеет только
барьерная емкость

21. Виды пробоя p-n-перехода

Как известно, при обратном смещении p-n перехода, обратный ток создается неосновными носителями заряда. При значительном увеличении
обратного напряжения на p-n переход, генерация неосновных носителей может резко вырасти и в результате настанет пробой перехода.
Пробой - это скачкообразное возрастание тока, при большом обратном напряжении. В зависимости от причин его вызвавших различают
лавинный, туннельный и тепловой пробои. Электрический пробой является обратимый и используется в качестве рабочего режима при создании
некоторых полупроводниковых приборов - лавинных диодов, транзисторов, тиристоров, стабилитронов.
Лавинный пробой – возникает в широком электронно-дырочном переходе. Неосновные носители заряда, ускоряются большим обратным
напряжением и приобретают настолько большую кинетическую энергию, что ее хватает, чтобы столкнувшись с атомами кристаллической решетки,
оторвать валентные электроны. Электрон, уходя со своего места, создает дырку. И вновь созданные носители снова ускоряются полем и также
отрывают другие электроны. Процесс происходит лавинообразно. Отсюда название пробоя.
Туннельный пробой возникает в узких p-n переходах. Под действием большой напряженности поля, неосновные носители просачиваются под
барьер из одной зоны, в зону, где они становятся основными.
В отличие от электрических пробоев, тепловой пробой, процесс необратимый. При повышении температуры, термогенерация носителей
увеличивается. Следовательно, увеличивается обратный ток, что в свою очередь вызывает еще больший нагрев перехода. В результате структура
кристалла разрушается и переход расплавляется.
Причинами теплового пробоя может быть плохой теплоотвод или перенапряжение диода. То есть в результате лавинного или туннельного
пробоя, возник слишком большой ток, который вызвал чрезмерный нагрев перехода.

22. Полупроводниковые диоды. Принцип действия. Обозначения, классификация, параметры

Полупроводниковый диод - это полупроводниковый элемент, имеющий 2 электрода, пропускающий ток только в одном направлении. Принцип
работы диода основан на электронно-дырочном переходе. Если к диоду приложить прямое напряжение (минус к катоду (n-область), а плюс к
аноду (p-область)), возникнет прямой ток, и диод будет открыт. Если изменить полярность приложенного напряжения (минус к аноду, плюс к
катоду), то возникает обратный ток, из-за чего растет сопротивление диода и он закрывается.
На принципиальной электрической схеме диоды изображаются следующим образом:

Общие параметры диодов

1) допустимая температура перехода 2) допустимая мощность, рассеиваемая диодом
3) допустимый прямой ток 4) обратное напряжение
5) прямое и обратное динамическое сопротивление переменному току
 Классификация диодов
1) По конструкции 2) По мощности
 плоскостные диоды  маломощные
 точечные диоды  средней мощности
 микросплавные диоды  мощные
3) По функциональному назначению 4) По частоте
 выпрямительные диоды  низкочастотные
 импульсные диоды  высокочастотные
 стабилитроны  СВЧ
 варикапы
 светодиоды
 туннельные диоды

В основе классификации диодов лежит: вид перехода, физические процессы в переходе, диапазон рабочих частот, конструктивно-
технологические особенности, исходный материал
Основные параметры полупроводниковых приборов: Максимально допустимый средний за период прямой ток, Постоянное прямое
напряжение, Повторяющееся импульсное обратное максимальное напряжение, Максимальный обратный ток диода, Динамическое
сопротивление
23. Последовательное и параллельное соединения диодов
Последовательное соединение диодов используется, если максимально допустимое обратное напряжение одного диода меньше напряжения,
которое нужно выпрямить
Последовательное соединение диодов можно рассматривать как один диод, у которого увеличивается такой важный параметр, как обратное
напряжение.
U max
n= n – число диодов, Kн – коэффициент нагрузки
K н U обр max
Характеристики любых, даже однотипных диодов всегда будут несколько отличаться. Каждый диод в обязательном порядке имеет некое
внутреннее сопротивление, которое очень сильно отличается для проводящего и непроводящего
состояния. Обратное напряжение распределяется по диодам неравномерно. Оно будет максимально на том
диоде, у которого окажется максимальное обратное сопротивление. Это может привести к пробою
диода. Чтобы этого избежать, каждый из последовательно соединённых диодов шунтируется своим
резистором.

Параллельное соединение диодов применяют для получения прямого тока, значение которого больше предельного значения тока одного диода.
При параллельном включении прямой ток будет неравномерно распределяться между диодами. Диод,
обладающий наименьшим сопротивлением, будет брать на себя больший ток в прямом направлении. И в
определённых обстоятельствах это превышение может оказаться критичным и произойдёт пробой диода. Чтобы
этого не случилось, соединяя диоды параллельно, последовательно с каждым из них ставят резистор.
Практически параллельное соединение более 3-х диодов не применяется. Используется редко из-за
большой потери мощности и относительно невысокого КПД.

24. Стабилитроны и стабисторы

Стабилитроном (диод Зенера) называют полупроводниковый диод, функционирующий в режиме устойчивого пробоя в условиях обратного
смещения p-n перехода , а напряжение на обратной ветви ВАХ которого в области электрического пробоя слабо зависит от значения проходящего
тока. В области пробоя напряжение на стабилитроне лишь незначительно изменяется при больших изменениях тока стабилизации. Такая
характеристика используется для получения стабильного (опорного) напряжения
 
В стабилитронах могут возникать два вида электрического пробоя: туннельный (зенеровский)
пробой — для диодов с Uст <7.4В, лавинный
пробой — для диодов с Uст>15В
В промежутке возникает смешанный вид пробоя.
Осн. параметры:
- напряжение стабилизации
- динамич. сопротивление
- минимальный ток стабилизации
- максимальный ток стабилизации
- номинальный ток стабилизации
- температурный коэф.
Наряду со стабилитронами, имеющими несимметричную
ВАХ, выпускаются двуханодные стабилитроны (стабистор),
имеющие симметричную ВАХ. Они применяются для
двустороннего ограничения напряжения, могут
использоваться так же и как опорные стабилитроны.
Стабилитроны широко используются в качестве эталонов напряжения и в качестве шунтирующих регуляторов напряжения на малых цепях. Для
стабилизации постоянного напряжения, ограничения выходного напряжения и защиты приборов от перенапряжения.
25. Выпрямительные диоды и мосты
Выпрямительные диоды используются для преобразования переменного напряжения низкой частоты (50 Гц – 20 кГц) в постоянное, в схемах
умножения.
Они подразделяются на диоды: малой (Iпр max ≤ 0,3А), средней (0,3А < Iпр max ≤ 10А), большой мощности (Iпр max > 10А)
Основные параметры
 Обратный ток при некотором значении обратного напряжения
 Максимальным током в прямом направлении
 Падение напряжения на диоде при некотором значении прямого тока через диод
 Барьерная емкость диода при подаче на него обратного напряжения некоторой величины
 Диапазон частот, в котором возможна работа диода без существенного снижения выпрямленного тока
  Рабочий диапазон температур
В рабочем режиме через диод протекает ток, и в его электрическом переходе выделяется мощность, вследствие чего температура перехода
повышается. В установившемся режиме подводимая к переходу мощность и отводимая от него должны быть равны и не превышать максимально
допустимой мощности, рассеиваемой диодом. В противном случае наступает тепловой пробой диода.
Мостовой выпрямитель – схема, состоящая из 4 диодов и предназначенная для преобразования переменного входного электрического тока в
постоянный выходной электрический ток. Есть два вида – мостовая схема и мостовая двухполярная (со средней точкой). Схемы являются
двухполупериодными, т.е. выпрямляют положительную и отрицательную полуволну.

Мостовая Мостовая со средней точкой

Мостовая схема
При положительной полуволне(в тетради В-1,А-2): 1- VD3-RH- VD2-2
В момент, когда входное напряжение пересекает точку π, оно меняет свой знак
При отрицат. полуволне: 2- VD4- RH- VD1-1
Достоинства:
1. повыш. частота и малое напряжение пульсации
2. перемагничивание по полной петле Гистерейзиса, что позволяет полностью реализовать его массогабаритный потенциал
Недостатки:
1.наличие сквозных токов
2.большое кол-во диодов и падение напряжения на них
Использование:
1.осн. выпрямит. схема для маломощных устройств пром. частоты, выпускаемых в виде готовых блоков с 4-мя выводами, часто с взможностью
крепления на охлдаителе
Мостовая со средней точкой
Положительный путь протекания тока:
1-VD3- RH1-0
0- RH2-VD2-2
При отрицательной полуволне:
2-VD4- RH1-0
0- RH2-VD1-1
В мостовой схеме диоды работают попарно, причем в каждом полупериоде ток через нагрузку проходит в одном направлении, что и обеспечивает
выпрямление
Использование: для питания операционных усилителей и усилителей звуков. частоты высоко и сверхвысокого качества для уменьшения
нелинейных искажений, вызванных проходными конденсаторами

26.Диоды Гана, Шотки, туннельные, обращенные, лавинно-пролетные

Туннельный диод —усиливают и генерируют сигналы за счет наличия на их ВАХ участка с отрицат. динамич. сопротивлением.
В материале туннельного диода имеются примеси в гораздо большем объеме, нежели в обычном диоде, а
его p-n переход очень узкий, что обеспечивает очень высокий потенциальный барьер. Основные носители
заряда не могут преодолеть этот потенциальный барьер, но за счёт малой его ширины как бы
механически пробивают в нём тоннели, через которые проходят другие носители зарядов. Следовательно,
туннельный диод исключительно хорошо проводит ток в обе стороны
Участок b-c-участок отрицательного динамического сопротивления
Особенности:
-малое сопротивление р-п облатей
- малая ширина р-п перехода
Туннельные диоды обладали на определенном этапе максимально возможным быстродействием, однако в данный
момент их использование ограничено, так как появились арсенид-галлиевые полевые транзисторы.
Разновидностью туннельного диода явл. обращенный.
Обращенные диоды – полупроводниковые диоды, в которых вследствие туннельного эффекта
проводимость при обратном напряжении значительно больше, чем при прямом, а пиковый ток и ток
впадины приблизительно равны.
 Обращенные диоды обладают выпрямляющим эффектом, но проводящее направление у них
соответствует обратному включению, а запирающее — прямому. При этом все сказанное выше о
быстродействии туннельных диодов полностью распространяется и на обращенные диоды. Это позволяет
использовать такие приборы для выпрямления малых сигналов на высоких и сверхвысоких частотах

Лавинно-пролетный диод - полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения

носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода и
предназначенный главным образом для генерации сверхвысокочастотных колебаний. Диод
изготовляется из кремния или арсенида галлия.
В основе принципа действия диода лежат два физических явления: лавинное размножение носителей заряда,
возникающее в результате электрического пробоя р+- п перехода, и пролет этими носителями пролетного
пространства за определенное время под действием электрического поля.
Диоды Гана – полупроводниковый прибор, действие которого основано на появлении отрицательного
объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля и который предназначен для
генерирования и усиления СВЧ колебаний.
 Схематическое устройство диода Ганна показано на рисунке. Основу диода составляет пластина монокристалла полупроводника с
проводимостью n - типа и концентрацией примесей n.
Принцип действия диода основан на эффекте Ганна, состоящем в возникновении периодических
колебаний электрического тока в монокристалле прибора, когда напряжение на нем превышает определенный
пороговый уровень.

Диод Шоттки – диод, полученный путём металлизации p-проводника.

На контакте металл-полупроводник между металлом и проводником создается барьер Шоттки, приводящий к выпрям. поведению эл. контакта.
Это происходит и тогда, коогда работа выхода меньше работы выхода эл. из металла, и тогда, когда ПП относится к р-типу и
имеет место противоположное соотношение : Авых из р-полупроводн.> Авых эл. из металла
Усл. образования барьера Шоттки:
1.Контакт между Ме и ПП должен быть плотным и без присутствия др. материалов
2.Не учит. взаим. диффузия Ме и ПП
3.На границе раздела отсутств. примеси
Достоинства
 малые прям. падения напряжений (0,15-0,5В), особенно для низковольтных диодов Шоттки
 высокое быстродействие из-за отсутствия диффуз. емкости
Недостаток
 большие обратные токи
 меньшая надежность при перегрузке
27.Варикапы
Варикап — это полупроводниковый диод, в котором используется зависимость барьерной емкости p-n-перехода от
обратного напряжения.
Варикапы удобны тем, что, подавая на них постоянное напряжение смещения, можно дистанционно и практически безынерционно менять их
емкость. Варикапы применяют для перестройки частоты колебательных контуров и фильтров, усиления и генерации СВЧ сигналов .
Принцип работы варикапа основан на свойствах барьерной емкости p-n-перехода, причем при увеличении обратного напряжения на переходе его
емкость уменьшается. Эта емкость имеет относительно высокую добротность, низкий уровень собственных шумов и не зависит от частоты вплоть
до миллиметрового диапазона.
Осн. параметры:
-номинал. емкость при номинал. напряжении
-макс. и мин. емкости
-коэф. перекрытия
-температурный коэф. емкости
добротность
Разновидности:
-параметрич.(усиление свч сигналов)
-умножительные
Умножительные варикапы (варакторы) применяются в генераторах, частотных преобразователях и т.п. для умножения частоты сигнала. При
этом используется нелинейность вольт-фарадной характеристики
28.Беспереходные полупроводниковые приборы
 Терморезисторы, варисторы, тензорезисторы, магниторезисторы, датчик Холла, основные характеристики. Области их применения
 Полупроводниковый резистор-прибор с двумя выводами, в котором используется зависимость электрич. R от U, t, освещаемости, МП и др.

Терморезистор-полупроводниковый резистор, в котором используется зависимость электрич. R проводника от t.

Зависимость сопротивления терморезистра от температуры
1-NTS
2-PTS
1-Терморезисторы (термисторы) – полупроводниковые приборы, в которых используется зависимость
электрич. R проводника от t. При положительном ТКС при нагревании сопротивление увеличивается, при
отрицательном – уменьшается.
2-Позистор – терморезистор с положительным ТКС.
Используется:
-для изменения температуры
-контроля температуры
-в усилителях мощности с целью стабилизации температуры
-в генераторах гарм. колебаний
-в системе защиты нагревательных приборов
-в электродвигателях
-терморезистры с косвенным подогревом широко применяются для гальванич. развязки управляемой и управляющей цепей (сейчас заменили на
оптроны)
-для ограничения тока заряда конденсатора фильтра на первичной стороне импульсного блока
питания

Варистор-полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от напряжения.

Используется:
-для защиты ключевых транзист. импульс. блоков питания от кратковременного перенапряжения
-для защиты линейных и силовых цепей
В отличие от стабилитрона мощность в нем рассеивается во всем объеме, что позволяет выпускать
приборы на различных мощностях, а так же выход из строя происходит путем КЗ, что
предохраняет импульсный блок питания при повторном включении.

Тензорезистор - полупроводниковый резистор, в котором используется зависимость эл.

сопротивление от деформации.
Бывают:
1.проволочные
 2.фольговый (позволяют уменьшить ошибку, связанную с изменением сопротивления переходных участков путем их уширения)
3.полупроводниковые (обладают наибольшей чувствительностью , изменение их сопротивления связано с появлением доп. ур. в запрещенной
зоне под действием приложенной к полупровод. силы)
При механической деформации появляются дополнительные энергетические уровни в запрещенной зоне и уменьшается сопротивление ПП.
Недостаток: низкая температурная стабильность.
Достоинства: высокая чувствительность.
Используются для измерения деформаций, сил, моментов сил с учётом направления; для измерения массы.
Магниторезисторы- образуется при введении в ПП металлических перегородок. Тогда увеличивается путь
носителя заряда, что эквивалентно увеличению электрического сопротивления. Используется аналогично датчику
Холла (кроме исследования полупроводников)
Эффект Холла : заключается в воздействии на заряды, движущиеся по проводнику, кот. находится в МП, силы
Лоренца , направление которой определяется правилом левой руки. В магниторезисторе кристалл перегорожен
металлическими перегородками. Носители отклон. вниз и, достингув перегородки, мгновенно и равномерно
распределяются по ней, т. к. перегородка явл. эквипотенциальной поверхностью. Путь носителей заряда
увеличивается, а значит-увелич. его сопротивление.
Датчики Холла и магниторезсторы исп. для определения скорости вращения объектов, бесконтактных датчиов контроля передвижения, для
определения угла поворота, например, коленного вала с целью опр. угла опережения зажигания. С его помощью изм. величина МП в данной точке.
Эффект Холла используется так же для исследования полупроводников.
29.Система обозначений отечественных и импортных полупорводниковых приборорв (диодов, тиристоров, транзисторов, электронных
микросхем)
Первый элемент – исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен прибор.
Если промышленное применение (широкий температурный диапазон) используется цифра. Если прибор узкого применения - буква
КТ315Б 2Д201А
Второй элемент - буква (или несколько букв) (подкласс прибора), третья цифра (признак прибора)
КТ315Б 2Д201А
АОТ127А
Четвертый элемент – 2-х или 3-х значное число, обозначающий номер разработки КТ315Б 2Д201А
Последняя буква – отбраковка КТ315Б 2Д201А
Далее через дефис может быть цифра, обозначающий вариант бескорпусного исполнения
Европейское обозначение
Первый элемент – буква
A – Ge, B – Si, C – AsGa, D – In, R – другие
Второй – буква
A – диод детекторный импульсный
B–
C – транзистор НЧ ММ
D – транзистор НЧ М
F – транзистор ВЧ ММ
L – транзистор ВЧ М
P – фотоприборы (принимающие)
Q – светоизлучающие приборы
S – транзистор ключевой ММ
U – транзистор ключевой М
Y – диод выпрямительный М
Z – стабилитрон
Далее 2-х или 3-х значное число, обозначающее номер разработки и Буква отбраковки

Американская маркировка
1N – диоды, 2N – транзисторы, 3N – тиристоры, 4N – оптоэлектронные приборы
Далее 2-4-х значное число – номер разработки и буква отбраковки.
30.Фотоэлектрические и излучающие в видимом, ИК и УФ диапазоне полупроводниковые приборы
Всегда включаются в прямом направлении.
Светодиодами называются полупроводниковые приборы, представл. собой изулч. р-п переход, свечение которого
вызвано рекомбинацией зарядов. Используются в оптических линиях связи, оптронах, осветительных приборах. При
прикладывании к светодиоду прямого напряжения происходит инжекция носителей заряда, которые в сочетании с
неосновными носителями называется излучением.
Фотоприемные приборы – приборы, в основе работы которых лежит явление внутреннего фотоэффекта, когда под действием попадающего на
прибор излучения происходит генерации пар электрон-дырка.
Фоторезист-полупроводниковый прибор, в кот. исп. явление фотопроводимости.
Осн. параметры:
-удельная фоточувствит.
-ТКФ
Достоинства: высокая фоточувствительность
Недостатки: низкое быстродействие
Используется в автоматах уличного освещения
Фотодиоды - фотоэлектронный прибор, имеющий 1 p-n переход, в основе которого лежит явление возрастания обратного тока
перехода при его освещении.
Видимый диапазон 0,38-0,78.
2 основных вида:
1.Тепловые (исп. либо пироэлектрический эффект, либо осн. на поглощении тепла и изменении изменения температуры теплового датчика)
2.Фотоэлектрические (в основе работы лежит явление внутр. фотоэффекта, кот. сост. в том, что под действием излучения в ПП происходит
генерация пар носителей зарядов. Однако имеет красную границу (макс. длина волны излучения, которая еще вызывает фотоэффект) )
Фототранзисторы – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, имеющий 2 р-п перехода.
Переход коллектор-база представляет собой фотодиод, ток которого явл. базовым током транзистора.
Кроме биполярного фототранзистора исп. полевые фототранз. с управляем. р-п переходом, кот. подверж. облучению, или МДП (МОП), MOS
транзисторы с полупрозрачн. затвором, ч/з кот. освещается подзатворная область.
 По сравнению с фотодиодом, фототранзистор обладает более высокой чувствительностью, однако, еще большей зависимостью
параметров от температуры, т.к. увеличивается тепловой ток. Широко используется в оптронах, где фототранзистор может быть
составным. Имеют меньшее быстродействие по сравнению с фотодиодами из-за эффекта Миллера.
Недостатки: большая тепловая чувствительность по сравн. с фотодиодом, так как при увеличении тепмературы возрастает не только тепловой
ток, но и h21.
Фототиристоры - имеют четырехслойную структуру и управляются световым потоком, подобно тому, как триодные тиристоры
управляются током. При действии света тиристор отпирается. Чем больше световой поток, действующий на тиристор, тем при
меньшем напряжении включается тиристор.
Применяться в различных автоматических устройствах в качестве бесконтактных ключей для включения значительных
напряжений и мощностей
Достоинства: высокая фоточувствительность
Недостатки: низкое быстродействие
Полупроводниковый лазер (П.36)

31. Полупроводниковые лазеры

В лазерном диоде происходит одновременный спонтанный переход электронов с одного энергетического уровня на другой с излучением кванта
света. Для получения лазерного излучения необходимо превысить пороговый ток, при меньшем токе излучение носит светодиодный характер. ЛИ
характеризуется высокой направленностью, когерентностью и монохромотичностью.

32.Оптоэлектронные пары. Их применение

Оптрон – полупроводниковый прибор в котором объединены источник и приемник излучения, имеющие между собой только оптическую связь.
В источнике электрические сигналы преобразуются в излучение, которые воздействуют на фотоприемник и создают в нем электрические сигналы. \
Достоинсвтва:
-отсутствие эл. связи меджу вх. и вых., и обратн. связи между фотоприемником и излучателем
-широкая полоса частот (0-1014 Гц)
-высокая помехазащищ. оптического канала
Недостатки:
-относит большое потребление мощноости
-невысокая температурная стабильность
-ухудшщение параметров с течением времени
Симмистерная оптопара Диодные оптопары

Транзисторная оптопара Тиристорная оптопара

33. Системы динамической индикации

7-сегментный индикатор состоит из 7 светодиодов, которые встроены в восьмерку. Поскольку 1 светодиод имеет 2 вывода, на один индикатор
потребовалось бы 14 выводов. Для уменьшения их количества сделали индикаторы с общим анодом (ОА) или общим катодом (ОК).
Для получения большого количества цифр или слов, используется несколько индикаторов, стоящих рядом. Для уменьшения числа выводов
используется динамическая индикация.
Дешифратор- это логическое комбинационное устройство, служащее для преобразования двойного двоичного кода в сигнал управления в
десятичной системе исчисления на одном из выходов.
Вычислит. техника исп. двоичный код. Большинство счетчиков имеют 4 разряда, поэтому макс. подсчит. число 111=15, однако для восприятия
информации удобнее исп. десятичные цифры от 0 до 9. Для этого в двоичн./десятич. счетчиках избыток 6 комбинаций искл. путем сброса счетчика
на 0 после комбинации 1001. В сл. исп. семисегментного индикатора необх. спец. дешифраторы, кот. преобр. двоичн./десятич код в код
семисегментного индикатора. Однако для многоразрядн. чисел число разярядов может достигать 12, что требует 12*9=108 выводов. Это
существенно снижает надежность и усложняет конструкцию. С целью решения этой задачи исп. динамич. индикаторы. При этом одноименные
сегменты всех разрядом объедин. А, например, общие аноды кажд. из индикат. подкл. ч/з разные ключи.
34. Тиристоры. Конструкция и принцип действия, режимы работы, классификация, обозначение, параметры
Диодные, триодные, тетроидные ‚ запираемые и незапираемые тиристор
Вольт-амперная характеристика тиристора, процесс перехода из закрытого состояния в открытое и обратно

Тиристор – ПП прибор с 3-мя или более pn-переходами, ВАХ которого имеет участок с отрицательным
дифференциальным сопротивлением.
- диодный

- не запираемый, управление по катоду

- не запираемый, управление по аноду

- запираемый, управление по катоду

- запираемый, управление по аноду

 В зависимости от числа выводов:
-диодные с 2-мя выводами
-триодные с 3-мя выводами
-тетроидные с 4-мя
Тиристор условно можно представить в виде двух pnp и npn комплементарных транзисторов. При
подаче на анод взаимодополн. положительного напряжения ч/з обратно смещ. коллекторные pn-
переходы начинает протекать ток утечки. По мере увеличения напряжения ток утечки также
увеличивается . При некотором значении достигаемой величины, при кот. коэф. усиления поток
∆ Ik
транзистора h21 = >1
∆ Ib
Ток коллектора VT1 попадает в базу VT2, усилив. им, и из коллектора VT2 попадает а базу VT1.
Происходит лавинообразное отпирание тиристора. Если от 1-ой из баз сделатиь вывод, например , от
VT2, и подать положит. напряжение м/ду базой и VT2, отпирание тиристра произойдет при меньшем
напряжении.
Для запирания необходимо убрать обратное напряжение ,и сделать ток анода меньше удерж., а
лучше , чтобы ток анода =0.
По споособу управления тиритсры:
-однооперационные (выкл. осущ. сниж. тока ниже тока удерж., или за счет подачи анодного напряжения в противополож. направл.)
-двухоперационные(вкл. осущ. подачей на управл. электрод положит. напряжения, выкл.-подачей отрицат. напряжения)

Сп-бы запирания тиристров:

1. На переменном токе запир. при прохождении UA,K
2. При замыкании тиристра в сл. индуктивной нагрузки на нее наводится эдс, припятств. изм. тока и равный напряжению питания. При
размыкании эдс стремится к бесконечности на катушке индукт., так как при разрыве сопротивление зазора очень велико.
3. С помощью последоват. колебат. контура, напряжение на котором проходит ч/з 0 и противополож. полярностью может запереть тиристор
4. VS1 отпир. подачй правляющего напржения ; когда нужно его запереть управ. сигнал подается на VS2 в теч. вр., необх. для запирания VS1.
Затем подача управ. импульса прекращ. и VS2 так же запирается, т.к через него протекает ток, меньший токаа удержания.
35.Типы, условные обозначения тиристоров
Тиристоры классифицируют по следующим признакам
 по количеству выводов
 по виду выходной ВАХ
 по способу включения и управления
 по другим признакам (например, по мощности)
По количеству выводов различают
 диодные тиристоры (динисторы), имеющие два вывода – анод и катод
 триодные тиристоры (тринисторы), имеющие три вывода – анод, катод и управляющий электрод
 четырехэлектродные (тетродные) тиристоры, имеющие два входных и два выходных вывода
По виду ВАХ различают
 тиристоры, не проводящие в обратном направлении
 тиристоры, проводящие в обратном направлении (тиристоры с обратной проводимостью, или тиристоры – диоды)
 симметричные (двухпроводные, симисторы или триаки), которые могут переключаться в открытое состояние при любой полярности
напряжения
По способу включения тиристоры делятся на незапираемые (выключение обеспечивается только уменьшением тока до величины, меньшей
удерживающего тока, либо отключением анодного напряжения) и запираемые (выключение возможно по входной управляющей цепи).

По способу управления существуют: тиристоры, фототиристоры и оптотиристоры. Первые управляются внешним электрическим сигналом по
управляющему электроду. Фототиристор управляется внешним оптическим сигналом, а оптотиристор – внутренним оптическим сигналом
(излучатель – светодиод и фототиристор составляют единую конструкцию).

36.Работа тиристоров в цепях постоянного и переменного тока

Постоянный
Включение обычного тиристора осуществляется подачей импульса тока в цепь управления положительной, относительно катода, полярности. На
длительность переходного процесса при включении значительное влияние оказывают характер нагрузки (активный, индуктивный и пр.), амплитуда
и скорость нарастания импульса тока управления , температура полупроводниковой структуры тиристора, приложенное напряжение и ток нагрузки.
В цепи, содержащей тиристор, не должно возникать недопустимых значений скорости нарастания прямого напряжения, при которых может
произойти самопроизвольное включение тиристора при отсутствии сигнала управления и скорости нарастания тока. В то же время крутизна
сигнала управления должна быть высокой.
Подключение LC-контура вызывает колебательный разряд коммутирующего конденсатора. При этом, в начале разрядный ток протекает через
тиристор встречно его прямому току, когда они становятся равными, тиристор выключается. Далее ток  LC-контура переходит из тиристора в
диод. Пока через диод  протекает ток контура, к тиристору  будет приложено обратное напряжение, равное падению напряжения на открытом
диоде.
Включение тиристора  на комплексную  RLC -нагрузку вызовет переходный процесс. При определенных параметрах нагрузки этот процесс
может иметь колебательный характер с изменением полярности тока нагрузки. В этом случае после выключения тиристора происходит включение
диода , который начинает проводить ток противоположной полярности. Иногда этот способ коммутации называется квазиестественным, так как он
связан с изменением полярности тока нагрузки.
Переменный
При включении тиристора в цепь переменного тока возможно осуществление следующих операций:
 включение и отключение электрической цепи с активной и активно-реактивной нагрузкой
 изменение среднего и действующего значений тока через нагрузку за счёт того, что имеется возможность регулировать момент подачи сигнала
управления
Так как тиристорный ключ способен проводить электрический ток только в одном направлении, то для использования тиристоров на переменном
токе применяется их встречно-параллельное включение
Среднее и действующее значения тока варьируются за счёт изменения момента подачи на тиристоры VS1 и VS2 открывающих сигналов, т.е. за
счёт изменения угла. Значения этого угла для тиристоров VS1 и VS2 при регулировании изменяется одновременно при помощи системы
управления. Угол называется углом управления или углом отпирания тиристора.
37. Фазовое управление тиристорами
Фиксируется момент прохождения через ноль переменного анодного напряжения и через время, регулируемое относительно этого момента, на
управляющий электрод подается управляющий импульс. Изменяя это время, мы изменяем средний ток через нагрузку от 0 до максимума. Т.к.
тиристор либо открыт, либо закрыт, рассеивание мощности не происходит и КПД стремится к 1.
III – Транзисторы
38. Биполярные транзисторы (БПТ)
Биполярные транзисторы – это ПП прибор с двумя p-n переходами и тремя электродами.
БПТ могут быть npn или pnp
типа. В основе работы ледит
инжекция неосновных носитлей
заряда.

39.Электрические и эксплуатационные параметры. Входные,

выходные и проходные характеристики
Основные параметры
 максимально допустимое напряжение коллектор–эмиттер (для различных транзисторов Uкэ макс = 10 - 2000 В)
 максимально допустимая мощность рассеяния коллектора P к
 максимально допустимый ток коллектора Iк мах
 граничная частота передачи тока fгр - частота, на которой h21 становится равным единице
Электрические параметры
∆ IК ∆U вых ∆ I К ∙ R Н ∆ IК
I Э =I К + I Б K i= ≤1 K u= = ≫1 h21= ≫1 h21 ≈ 10−1000
∆ IЭ ∆ U вх ∆ I Э ∙ RГ ∆ IБ
Ki - коэффициент передачи тока эмиттера Ku – коэффициент усиления по напряжению
h21 – коэффициент усиления по току
Статическими характеристиками транзисторов называют графики, выражающие функциональную зависимость между токами и
напряжениями транзистора

По входной характеристике определяется сопротивление БЭ, т.е. входное сопротивление, отношением приращения напряжения на
приращение тока
По выходным характеристикам, взяв отношение приращения напряжения к приращению тока, можно найти выходное сопротивление
U БЭ
Передаточная функция описывается уравнением
−1)-уравнение Эберса-Молла
φТ
I К =I ЭО (e
IЭО – обратный ток насыщения эмиттерного перехода
kT
φ Т= . При 293°К (комнатная) = 25.3 мВ. k – постоянная Больцмана, q – заряд электрона
q
40. Схемы замещения транзистора, их дифференциальные параметры
Статические характеристики(h-параметры) биполярных транзисторов
Статические характеристики, схемы замещения
Представим транзистор в виде четырёхполюсника, на вх. кот. подается вх. сигналы, а с вых. снимаются выходные.
α
β-коэф. усиления тока по сх. с общ. эмиттером β=
1−α
α-коэф. передачи тока по сх. с общ. базой
U вх =h11 I вх + h12 U вых I вых=h11 I вх + h12 U вых , Uвых =const
Rвх =h11
∆ U вх ∆U вх ∆ I вых ∆ I вых
 h11 =   h12 =  h21 = h22=
∆ I вх ∆ U вых ∆ I вх ∆ U вых

41.Схемы включения биполярного транзистора (с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК), с
общей базой (ОБ))
Общий Эмиттер (ОЭ)
 Резисторы R1 и R2 являются делителем напряжения и задают положение рабочей точки (т.к. напряжение входа – это напряжение БЭ).
T ↑=¿ I К ↑=¿ I Э ≈ I К ↑=¿ U Э ↑=¿ U БЭ=U Б−U Э ↓=¿ I К ↓
I
Резистор R4 (он же R э на схемах из конспекта) осуществляет отрицательную обратную связь, что стабилизирует положение рабочей
точки при изменении температуры либо замене транзистора на другой.
R❑э = (0,1 – 0,3)RК

∆U вых U К ∆ I К ∙ R К ∆ I К ∙ RК R К
K u= = = = = =(3-10)
∆ U вх U Б ∆ IЭ ∆ I Э ∙ RЭ RЭ
I
R э совместнео с Сэ позволяет увеличить Кu, не ухудшая при этом температурную стабильность рабочей точки.
RK предназнач. для создания пути протекания тока от источника питания в сх. На нем так же выдедяется выходной сигнал.
С1, С2 предназначены для исключения протекания постоянного тока через источник сигнала и нагрузку соответственно, что позвволяет
исключить их повреждение либо нарушение функционировнаия, а так же предотвращ. нарушения режима работы усилит. каскада.
Сдвиг по фазе м/ду вх. и вых. напряжением π
Достоинства:
1) Высокий коэф. по току h21 и U
2) Не слишком маленькое входное сопротивление
Недостатки: 1) Большое выходное сопротивление, 2) Проявление эффекта Миллера при усилении на высоких частотах, 3) Зависимость Кu
от Rн, что делает нежелательным использование в выходных каскадах.
Применение: Основная усиливающая схема напряжений в НЧ и ВЧ диапазоне.

Общий Коллектор
К эмиттеру транзистора, включённого по схеме с общим коллектором, подсоединяют нагрузку, на
базу подают входной сигнал.
∆ I Э ∆ I К +∆ I Б ∆U Э ∆ I К ∙ R К
K i= = =h21+1 K u= = ≤1
∆IБ ∆ IБ ∆ UБ ∆ I Э ∙ RГ
Rвх =(R ¿ ¿ э−r эо )h21 ¿
Достоинства: Большое входное сопротивление и маленькое выходное, Высокое усиление по току и
независимость Кi от Rн, Отсутствие смещения фазы на выходе
Недостатки: Отсутствие усиления по напряжению.
Используется во входных и некоторых промежуточных каскадах для согласования высоких сопротивлений источников сигнала, в выходных
каскадах усилителей мощности, для согласования с низким сопротивлением нагрузки
Общая База (ОБ)
1) В каскаде, собранном по схеме с общей базой, напряжение входного сигнала подают между
эмиттером и базой транзистора, а выходное напряжение снимают с выводов коллектор-база. База
транзистора используется как для подключения входного сигнала, так и для подключения нагрузки
2) Входное сопротивление каскада невелико. Оно определяется низким сопротивлением
прямосмещенного эмиттерного p-n-перехода, и обычно лежит в пределах от единиц до сотни Ом,
что относят к недостатку описываемого включения транзистора. Небольшое выходное
сопротивление
3) Коэффициент усиления каскада по току меньше единицы, а коэффициент усиления по
напряжению часто достигает от десятков до нескольких сотен раз.
∆U вых ∆ I К ∙ R К R К ∆I
K u= = = K i= Б
∆ U вх ∆ I Э ∙ R Э RЭ ∆ IЭ
U вх ↑=¿ U Э ↑=¿ U БЭ=U Б=U Э ↓=¿ I К ↓=¿ U К ↑
Достоинства: не инвертируется фаза
Недостатки: низкое входное и высокое выходное сопротивление
42.Их сравнительный анализ и области применения

43.Уравнение Эберса-Молла, температурный коэффициент тока коллектора, внутреннее сопротивление эмиттера, максимальный
коэффициент усиления по напряжению, эффект Эрли, эффект Миллера
Уравнение Эберса-Молла
U БЭ
φТ
I К =I ЭО ( e −1)
IЭО – обратный ток насыщения эмиттерного перехода
kT
φ Т= – тепловой потенциал. При 293°К (комнатная) = 25.3 мВ. k – постоянная Больцмана, q – заряд электрона
q
Iк = h21 * IБ
Эффект Эрли
 ТКUБЭ ≈ 2,1мВ/°С. Температураная зависимость ТКUБЭ показывает насколько нужно уменьшить UБЭ при возрастании температуры
на 1°, чтобы Iк остался неизменным .
∆ U БЭ=−0,001 ∆ U КЭ
Эффект Эрли: заключается в том, что при увеличении Uкэ на 1 В, UБЭ нужно уменьшить на 1 мВ, чтобы Iк остался неизменным.
Эффект Миллера
Заключается в увеличении дейст. значения емкости кб в Ku раз, что приводит к больш. снижению усиления на высоких и
сверхвысоких частотах
Усилитель обладает некоторым коэффициентом усиления по напряжению Кu, следовательно, небольшой сигнал напряжения на
входе порождает на коллекторе сигнал, в Кu раз превышающий входной. Эффект Миллера заключается в увеличении значения Скб
(барьерная паразитная емкость) в Ku раз, что приводит к большому снижению усиление на ВЧ и СВЧ.
Внутреннее сопротивление эмиттера
kT
r Э 0=
I K Используется для нахождения входного сопротивления каскада. Для схем с общим эмиттером и общим коллектором он
равен Для более точного определения Rвх для схемы с общим коллектором необходимо учитывать RЭ:
Rвх = β (RЭ+rЭ)
Для схемы с общим эмиттером равно:
Rвх = β rЭ
44.Униполярные (полевые) транзисторы (ПТ). Принцип действия ПТ с р-п переходом
Полевые транзисторы (униполярные) - полупроводниковые приборы, в которых прохождение тока обусловлено дрейфом носителей заряда одного
знака под действием продольного электрического поля.
С точки зрения носителя заряда их называют униполярные (одной полярности).
С точки зрения управления электрическим полем - полевыми.
По способу создания канала различают ПТ с управляющим p-n переходом, встречным каналом и индуцированным каналом
ПТ с управляющим p-n переходом
Содержит 3 области одного и того же типа проводимости, называемые истоком, каналом, стоком.
45.Стоковая (выходная) и сток-затворная (проходная) характеристики ПТ, основные параметры
Стоковой (Выходной) называется зависимость тока стока от напряжения исток-сток при константном
напряжении затвор-исток. На графике можно выделить три зоны. Первая из них — зона возрастания тока
стока. Канал «исток-сток» ведет себя как резистор, чье сопротивление управляется напряжением на затворе
транзистора.
Сток-затворная (Проходная) зависимость – зависимость, которая показывает то, как зависит ток стока от
напряжения затвор-исток при постоянном напряжении между истоком и стоком. И именно ее крутизна
является одним из основных параметров полевого транзистора.
При напряжении Uзи = 0 сечение канала наибольшее, его сопротивление наименьшее и ток Iс
получается наибольшим.
Ток стока Iс нач при Uзи = 0 называют начальным током стока (у меня на графике 0,6, должно
быть 0, да и в целом он немного другой).
Напряжение Uзи, при котором канал полностью перекрывается, а ток стока Iс становится
весьма малым (десятые доли микроампер), называют напряжением отсечки Uзи отс.

∆ IC S – крутизна, в т.ч. отвечает за усиление

S=
∆U ЗИ
Основные параметры
 крутизна характеристики S
 внутреннее дифференциальное сопротивление RИС (отношение изменения напряжения к изменению тока на выходной характеристике)
 начальный ток стока IС НАЧ
 напряжение отсечки UЗИ ОТС
 сопротивление сток – исток в открытом состоянии RСИ ОТК
 максимальная частота усиления fмакс
 входное сопротивление (отношение напряжения Затвор-Исток к току Затвора)
 коэффициент усиления — отношение изменения напряжения исток-сток к изменению напряжения затвор-исток при постоянном токе
стока.
46.МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) и МОП (металл-окисел-полупроводник) со встроенным и индуцированным каналами.
Их конструкция, характеристики и параметры
МДП транзисторы, которые так же называются МОП
МДП транзистор с индуцированным каналом
В подложке (П), при Т ≠ 0К, в следствии термогенерации существуют неосновные носители заряда (электроны). Подавая на Затвор
положительное напряжение, вы вытягиваем электроны из подложки в подзатворную область. При некотором пороговом напряжении,
электроны выстраиваются в неприрывную цепочку и создают канал, по которому между истоком и стоком может протекать ток. Повышая
напряжение на затворе, мы расширяем канал и снижаем его сопротивление. Входное сопротивление такого транзистора определяется
сопротивлением его подзатворного диэлектрика и может достигать 10 9-1012 Ом

Характеристики

Проходная Выходная
 Параметры МДП - транзисторов аналогичны параметрам полевых транзисторов с р-n- переходом. По входному сопротивлению МДП -
транзисторы имеют лучшие показатели, чем транзисторы с р-n- переходом.
МДП транзистор со встроенным каналом
В таких пт подзатворная область элегирует на небольш. глубину донор. примесью, то есть встраивает канал. При положительном напряжении канал
расширяется и ток стока увелич. При отрицат. напряжении электроны выталкиваются эл. полем из канала. Его сечение уменьш. вплоть до полного
перекрытия. Такой транзистр может работать как в режиме насыщ, так и обогащения.
Характеристики

Проходная Выходная
Параметры аналогичны параметрам полевых транзисторов с р-n- переходом. ПТ с р-n- переходом исп. в качестве вх. транзист. в сост. диф.
усилителей, что позволяет существ. улучшить их параметры.
Все проходные характеристики для n-типа. Для p-типа их нужно зеркально перевернуть относительно Ic.
МОП осн. хар-ки:
1.напряжение отсечки
2.крутизна стокозатворной хар-ки
47.Полярность подаваемых напряжений и особенности применения ПТ
В транзистрах со встроенным каналом подзатворная область элегир. на небольш.глубину донор. примесью, то есть встраив. канал. При
положительном напряжении канал расширяется и ток стока увелич. При отрицат. напряжении электроны выталкиваются эл. полем из канала. Его
сечение уменьш. вплоть до полного перекрытия. Такой транзистор может работать в как режииме объединения, так и обогащения.
ПТ с р-п переходом исп. в качестве вх. транзист. в составе диф. усилителей, что позволяет существенно улучшить их параметры.
ПТ и индуцир. каналом явл. осн. элементом цифровой электроники.

48. Схемы включения ПТ с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС), общим затвором (ОЗ)

а) С общим истоком (обладает высоким вх. сопротивлением и достаточно высок.

вых. сопротивлением)
б) С общим стоком
в) С общим затвором (широко применяется в качестве эл. ключей с резестивным
характером сопротивления)

Чаще всего применяется схема с общим истоком (ОИ), как дающая большее усиление по току и мощности.
Схема с общим затвором (ОЗ) усиления тока почти не дает и имеет маленькое входное сопротивление. Из-за этого такая схема включения имеет
ограниченное практическое применение.
Схему с общим стоком (ОС) также называют истоковым повторителем. Ее коэффициент усиления по напряжению близок к единице, входное
сопротивление велико, а выходное мало
Общий исток (ОИ)
Существенное входное сопротивление полевого транзистора в схеме с общим истоком является важным достоинством именно полевого
транзистора, при его использовании в схемах усиления напряжения, тока и мощности, ведь сопротивление в цепи стока Rс не превышает обычно
единиц кОм.
Общий сток (ОС)
Входное сопротивление перехода затвор-исток как и прежде большое, достигает сотен мегаом, при этом выходное сопротивление R4
сравнительно небольшое. Данное включение отличается более высоким частотным диапазоном, чем схема с общим истоком. Коэффициент
усиления по напряжению близок к единице, так как напряжение исток-сток и затвор-исток для данной схемы обычно близки по величине.
Общий затвор (ОЗ)
Имеет высокое входное сопротивление
Поскольку выходной ток равен входному, то и коэффициент усиления по току равен единице, а коэффициент усиления по напряжению, как
правило, больше единицы.
Схема с общим затвором используется в качестве выключателя, либо переменного резистора.

49.Сравнительный анализ БПТ и ПТ

Первое и главное отличие этих двух видов транзисторов в том, что ПТ управляются с помощью изменения тока, а БПТ — напряжения. И из этого
следуют прочие преимущества полевых транзисторов по сравнению с биполярными:
 высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление
 высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей);
 высокая температурная стабильность;
отсутствие вторичного пробоя высоковольтных МОП ПТ
 малое потребление мощности.
 у ПТ меньше коэффициент усиления
50. IGBT (БТИЗ)
IGBT – Isolated Gate Bipolar Transistor
БТИЗ – Биполярный Транзистор с Изолированным Затвором
Основной силовой прибор для частотного электропривода.
IGBT сочетает достоинства двух основных видов транзисторов:
 высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности — от ПТ
 низкое значение остаточного напряжения во включенном состоянии — от БПТ
 отсутствие вторичного пробоя – от ПТ
 Основные недостатки: высокое напряжение насыщения из-за наличия двух последовательных p-n-переходов и то, что он может иметь длинный
"хвост" выключения, который добавляется к потерям переключения. "Хвостовые" потери ограничивают частоту переключения до менее, чем 20
кГц.
2.1-Электронные усилители, генераторы и источники пит. в устройствах автоматизации и
робототехники
1. Классификация и параметры выпрямителей: Однополупериодные, двухполупериодные, мостовые, со средней тонкой, трехфазные,
схема Ларионова ‚ управляемые и неуправляемые
Выпрямитель электрического тока — устройство для преобразования переменного входного электрического тока в постоянный выходной
электрический ток. Уст-во, выполняющее обратную функцию (преобразование постоянного напряжения и тока в переменные напряжение и
ток) - инвертор.
Достоинства:
-простота трансформатора
-отсутствие сквозных токов
-мало диодов
Недостатки:
-повыш. напряжение пульсации
-неоптимальное исп. трансформаторов
Классификация: По количеству полупериодов (однополупериодные, двухполупериодные), По количеству фаз: (однофазные, двухфазные,
трехфазные), По наличию управления (управляемые, неуправляемые)
Однополупериодное однофазное выпрямление
На рисунке регулируемая однополупериодная однофазная схема
Тиристор-ПП прибор, который может находить в одном из двух устойчивых состояний.
В откр. сост. Uпрям≤2В
В закрытом Iобр.=10-4А
Отпирание происх. при подаче управл. напряж. и положит напряж. анод-катод.
Запирание при управл. напряж. →0 и напряж. анод-катод ≤0
Используются: в импульсных блоках питания, работающих на частотах 10 – 15 кГц.

Двухполупериодное однофазное выпрямление может быть представлено 3 схемами: выпрямитель со

средней точкой, мостовая, мостовая со средней точкой (двухполярная)
1.Выпрямитель со средней точкой

При положительной полуволне: 1- VD1-Rн-0

При отрицательной :2- VD2- Rн-0
Диоды закрываются медленнее, чем открываются.
Достоинства:
-малое напржение пульсации
-перемагн. по полной петле Гистерейзиса
-диоды м. б. рассчитаны на меньший ток
Недостатки:
-более сложный трансформатор из-за наличия выводов
-повыш. расход меди из-за того, что полуобмотки работают по очереди по сравн. с мостовой.
Использование: в сильноточных выпрямителях, где диоды стоят дорого.
2.Мостовая и мост со ср. точкой
Мостовой выпрямитель – схема, состоящая из 4 диодов и предназначенная для преобразования переменного входного электрического тока в
постоянный выходной электрический ток. Есть два вида – мостовая схема и мостовая двухполярная (со средней точкой). Схемы являются
двухполупериодными, т.е. выпрямляют положительную и отрицательную полуволну.

Мостовая
Мостовая схема
При положительной полуволне(в тетради В-1,А-2): 1- VD3-RH- VD2-2
В момент, когда входное напряжение пересекает точку π, оно меняет свой знак
При отрицат. полуволне: 2- VD4- RH- VD1-1
Достоинства:
3. повыш. частота и малое напряжение пульсации
4. перемагничивание по полной петле Гистерейзиса, что позволяет полностью реализовать его массогабаритный потенциал
Недостатки:
1.наличие сквозных токов
2.большое кол-во диодов и падение напряжения на них
Использование:
1.осн. выпрямит. схема для маломощных устройств пром. частоты, выпускаемых в виде
готовых блоков с 4-мя выводами, часто с взможностью крепления на охлдаителе
Мостовая со средней точкой
Положительный путь протекания тока:
1-VD3- RH1-0
0- RH2-VD2-2
При отрицательной полуволне:
2-VD4- RH1-0
0- RH2-VD1-1
 В мостовой схеме диоды работают попарно, причем в каждом полупериоде ток через нагрузку проходит в одном направлении, что и обеспечивает
выпрямление
Использование: для питания операционных усилителей и усилителей звуков. частоты высоко и сверхвысокого качества для уменьшения
нелинейных искажений, вызванных проходными конденсаторами

Трехфазное выпрямление
Представлена сх. трехфазная нерегулир. однополупеориодная
Ток течет через тот диод, напряжение на фазе кот. имеет в дан. момент вр.
макс. знач.
Между t1 и t2 на фазе А напр. макс., поэтому ток протек. через VD1.
Путь протекания : 1- VD1-Rн-0
Достоинства:
 Высокие токи нагрузки
Недостатки:
 Высокий уровень обратного напряжения
 Большие габаритные размеры трансформатора
 Низкие качественные показатели по сравнению с двухполупериодной схемой
Схема Ларионова
Ток протекает ч/з диоды тех пар, напряжение кот. имеет макс. положит. и макс. отрицат. значение.
В промежутке вр. t1-t6 диод фазы А-VD6 и В-VD3 открывается ?????
t6-t2 VD6 остается открытым, VD3 запирается, откр. диод фазы С-VD1 и т.д.
√
Конденсатор заряжается до U2 2. Частота пульсации в сл. силовой сети=300Гц. Это позвол. существенно
снизить требования параметров элементов фильтра.
Достоинства:
-большой ур. постоянного состояния
-большая частота пульсации
-перемагничивание сердечника по полной петле Гистерейзиса, что уменьш. массу
Недостаток: большое кол-во диодов
Использование: в выпрямителях на 10-100 к Вт
Замена VD2, VD4, VD6 на тиристоры делает сх. полностью управляемой.→
2. Умножители напряжения. Схема Латура.
Умножители напряжения — спец схемы, преобразующие уровень напряжения в сторону увеличения.
Совмещают в себе две функции: выпрямление и умножение напряжения. Применение: в случаях, когда
наличие дополнительного повышающего трансформатора нежелательно или не может обеспечить требуемый
уровень напряжения.
Схема Латура(или симметричный удвоитель напряжения)
При положительной полуволне: 1-VD1-C1-2
При отрицательной полуволне: 2-C2-VD2-1
√
При этом С1 и С2 заряжаются до U2/ 2, где U2-действющее значение напряжения вторичной обмотки, а
√
включени С1 и С2 согласно, то есть их напряжение суммируется и на нагрузке мы получаем 2U2/ 2
3. Структурная схема импульсного блока питания
C1, C2, C14, C3, L1, L2 –– помехозаграждающий фильтр, не пропускающий импульсные помехи из сети в сеть.
R1–– варистор для защиты VT1 от перенапряжения.
R2–– терморезистор с положительным ТКС для ограничения тока заряда C4 с целью защиты диодного моста.
С5 –– шунтирует индукт. сопротивление С4 на ВЧ.
VD1, R3, C6 –– огранич. скорость нарастания напряжения на VT и улучшает надежность схемы
VD2, VD3 –– защищает VТ от напряжения обратной полярности, а VD2 так же от превышения U зи макс.
R4 –– датчик тока для защиты от к.з.
DA4-DA6 –– трехвыводные стабилизаторы напряжения.
С11-С12 –– для устранения возможности самовозбуждения.
DA3 –– предназначен для регулирования нарастания выходного напряжения.
4.Усилительные каскады на ПТ и БПТ (тема 1 вопрос 47)
5.Статический режим работы усилительного каскада, выбор рабочей точки, схемы задания напряжений смещения БПТ
Режимы работы усилительного каскада определяются положением рабочей точки на проходной
динамической характеристике.
В зависимости от места расположения рабочей точки, различают классы A, B, AB, C, D
Режим работы класса А
КПД<50% КГ около 1%
В режиме класса А потребление мощности будет максимальным.
Применяется: в предусилительных или промежуточных каскадах. Там, где работа с малыми
мощностями. Также в усилителях высокого качества (High End, Hi-Fi)

Режим работы класса В

Рабочая точка выбирается таким образом, чтобы ток покоя был равен нулю, т.е. в начале
проходной характеристики, угол отсечки Θ = 90°. Угол отсечки - половина той части периода, за
которую в выходной цепи будет протекать ток.
Характеризуется высоким КПД до 78%, КГ около 10%
Недостаток: наличие искажений из-за ступенчатого перехода от одной полуволны к другой.
Поэтому, при малых уровнях входного сигнала нелинейные искажения достигают своего
максимума. Коэффициент искажения достигает 10%. Используется в усилителях невысокого
качества, в т.ч. в автомобильных сабвуферах.

Режим работы класса АВ

АВ – это попытка объединить достоинства усилителей А и В класса, т.е. добиться высокого КПД и
приемлемого уровня нелинейных искажений. Через резисторы на базы подается напряжение, и
транзисторы приоткрыты и готовы к работе. При отсутствии сигнала на входе усилительные
элементы не запираются, и через них протекает некоторый ток покоя. Из-за этого уменьшается КПД (η = 60 ÷ 70 %) и уменьшаются нелинейные
искажения (около 3%)
Недостатки: необходимость введения дополнительных цепей для температурной стабилизации в положении рабочей точки из-за саморазогрева
транзистора.
Используется: в усилителях мощности среднего и высокого качества, обязательно с цепями термостабилизации.
Режим работы класса С
Рабочая точка находится левее начала проходной характеристики. Максимальный КПД η = 80 %, наибольшие нелинейными искажениями (30%).
Не подходит для усиления звуковых сигналов. Используется: в усилителях очень большой мощности, где основным параметром является КПД, а
основная гармоническая характеристика выделяется выходными устройствами, а также в устройствах, где форма сигнала не играет роли, важен
КПД.

Режим работы класса D(ключевой режим)

Режим работы класса D – это ключевой режим работы транзистора. Рабочая точка находится в 0, либо чуть
левее 0 проходной характеристики, а выходной сигнал имеет прямоугольную форму.
Достоинство: очень высокий КПД (90-98%)
Недостатки: проблемы получения синусоидального сигнала, сложность такого устройства, наличие
дополнительных помех и искажений
Используется: в импульсных преобразователях и стабилизаторах напряжения, в усилителях мощности
гармонических сигналов, наконечниках лазеров.
5. Сравнительный анализ каскадов ОЭ, ОК, ОБ (вопрос 41 из 1.3)

Каскад с ОЭ обладает высоким усилением по напряжению и току. Недостатки:

невысокое входное сопротивление каскада, высокое выходное сопротивление.
Отличительная особенность - изменение фазы входного сигнала на 180 градусов.
Благодаря высокому коэффициенту усиления схема с ОЭ имеет преимущественное
применение по сравнению с ОБ и ОК.
Схема с ОК обладает высоким входным и низким выходным сопротивлениями.
Коэффициент усиления по напряжению этой схемы всегда меньше 1. Данная схема
используется для согласования каскадов, либо в случае использования источника
входного сигнала с высоким входным сопротивлением. В качестве такого источника
можно привести, например, пьезоэлектрический звукосниматель или конденсаторный микрофон. Схема с ОК не изменяет фазы входного сигнала.
Иногда схему называют Эмиттерным повторителем.
Схема включения транзистора с ОБ используется в каскадах усилителей высоких частот. Каскад с ОБ обеспечивает усиление только по
напряжению. Данное включение транзистора позволяет более полно использовать частотные характеристики транзистора при минимальном
уровне шумов. Каскад, собранный по схеме с общей базой, обладает низким входным и невысоким выходным сопротивлениями. Каскад с ОБ не
изменяет фазы входного сигнала.

7.Каскад с ОЭ (вопрос 41 из 1.3) как преобразователь напряжение-ток, фазоинверсный каскад

Фазоинверсные каскады усиления
Фазоинверсные - каскады с несимметричным входом и симметричным относительно общей шины питания
выходом. Имеют два выхода, с которых снимают равные по амплитуде, но сдвинутые по фазе на 180° напряжения.
В этих схемах однофазное напряжение преобразуется в двухфазное напряжение.
Используются для перехода от несимметричных однотактных каскадов усиления к двухтактным каскадам и для
передачи сигнала от однотактных каскадов к симметричной нагрузке.
Подразделяются на: трансформаторные, с разделенной нагрузкой, с эмиттерной связью, с инвертирующим
транзистором и на разноструктурных транзисторах.

8. Усилительные каскады на ПТ, схемы задания напряжения смещения, особенности их работы и включения
Усилительный каскад на ПТ имеет такую же структуру, как на БПТ. Отличительными особенностями ПТ являются:
· чрезвычайно малые токи во входной цепи, малая мощность, необходимая для управления прибором;
· линейная зависимость крутизны от управляющего напряжения, возможность работы в качестве сопротивления, управляемого
напряжением;
· наличие термостабильной точки у транзисторов с обратно смещенным переходом затвор-исток;
· повышенная радиационная стойкость;
· малый уровень шумов;
· простота технологии при их производстве.
По аналогии с БПТ в зависимости от того, какой электрод подключается к общей шине различают три схемы включения ПТ:
1) с общим истоком (ОИ);
2) с общим стоком (ОС);
3) с общим затвором (ОЗ).
Схема с ОЗ обладает низким входным сопротивлением и потому имеет ограниченное практическое применение. Основным и
наиболее распространенным является каскад с ОИ.
Схема с ОИ соответствует схеме с ОЭ для БПТ, но входное сопротивление усилителя чрезвычайно велико. В этой схеме
емкости Cр1, Cр2 – играют роль разделительных элементов. Сопротивление Rс является нагрузкой ПТ по постоянному току
(аналогично сопротивлению Rк в схеме с ОЭ).
9.Динамическая нагрузка, источники тока, токовые зеркала и отражатели тока на ПТ и БПТ
Источник тока - источник электрической энергии, который отдает во внешнюю цепь ток неизменного значения, независимо
от падения напряжения на этой цепи ( I =const ). Это возможно, когда внешнее сопротивление нагрузки пренебрежимо мало
по сравнению с внутренним сопротивлением источника
Такую возможность предоставляет транзистор. Напряжение в точке А определяется делителем R1 и R2, и практически не
зависит от Rвх транзистора, т.к. ток через делитель выбран существенно больше Iвх усилителя. Ток через нагрузку в идеале не
будет зависеть от Rн
Мы выбираем сопротивление делителя в 10 раз меньше, чем входное сопротивление усилителя. Независимо от Rн, ток на Rн
RК
будет равен 1мА. K u= K =20 Uп
RЭ +r Э 0 u max
10.Токовые зеркала
 Токовые зеркала используются в качестве коллекторной нагрузки ДУ и ОУ, что позволяет увеличивать их Кu .Токовые зеркала и
отражатели токов также используются для задания режимов работы сложных электронных устройств и схем в том числе интегральных.
Недостаток простого токового зеркала: выходной ток зависит от изменения напряжения на нагрузке.
11. Ослабления влияния температуры и эффекта Эрли
Транзисторы, работающие в аппаратуре, нагреваются от окружающей среды, от внешних источников теплоты. При повышении температуры
увеличивается проводимость полупроводников, и токи в них возрастают. Особенно сильно растет с повышением температуры обратный ток n-р-
перехода. У транзисторов таким током является начальный ток коллектора. Его возрастание приводит к изменению характеристик транзистора.
Изменения температуры окружающей среды приводит к изменению положения рабочей точки на нагрузочной прямой. При этом резко
возрастают искажения.
Для стабилизации тока коллектора применяется отрицательная обратная связь по постоянному току или напряжению. Резистор смещения
подключается к коллектору транзистора. Такая стабилизация рабочей точки получила название коллекторной.
Эффект Эрли
Заключается в том, что изменение напряжения между коллектором и эмиттером влечет изменение напряжения между базой и
эмиттером.
Уменьшить эффект Эрли можно введением в эмитторные цепи резисторов обратной связи либо путём использования зеркала Уилсона.
Токозадающим является VT1, включённый по схеме с ОЭ.
Uк1 = Uп – 1.2 – подавлен эффект Эрли.
VT3 включён по схеме с ОБ. Усиливает напряжение на Rн таким образом, чтобы обеспечить заданный Iпр.

12. Токовое зеркало Уилсона, выходное сопротивление источника тока. Применение.

R1 и R2 в 1 сх. вводят отриц. ООС по току, что позвол. скомпенсир. неодинаковость VT1 и VT2
не смотря на то, что они наход. на 1-ом крист. вблизи друг друга. Однако Iн зав. от Uк2 , кот.
может меняться при изм. Rн. В токовом зеркале Уилсона вводим слож. ООС и
стабилизируем Uк1 на ур. Uпит. -1,2= Uк1, чем подавляем эффект Эрли. При необх. получ. токов
Iн равных либо кратных Iупр. исп. отражатели тока.
Токовые зеркала и отражатели тока исп. для внеш. управления различ. каскадами слож. аналог.
микросхем. с помощью огранич. числа внеш. выводов. Это позволяет оптимизировать
режимы работы микросхем к данному конкретному устройству.

13. Обратные связи (ОС) в усилителях. Положительная обратная связь (ПОС) и отрицательная обратная связь (ООС)
Обратная связь – передача энергии из выходной цепи усилителя во входную.
Выходной сигнал может поступать на входные устройства полностью или только частью. Сниматься сигнал обратной связи может с
выхода всего устройства или с какого-либо промежуточного каскада и подаваться как на вход всего устр-ва так и во входную цепь
промежуточного каскада.
ОС, охватившая длину каскада, наз местной, охватившая весь усилитель – общей.
Наличие ОС может привести к увеличению или к уменьшению сигнала на выходе устройства. Значит коэф усиления β в 1-ом случае
фазы входного сигнала и сигнала ОС совпадают и амплитуды складываются. Такую связь наз. положительной (ПОС). Во 2-ом случае
фазы противоположны и амплитуды вычитаются. Это отрицательная(ООС)
В зависимости от способа подачи сигнала на вх. цепь различают параллел. ООС, когда во вх. цепи вычисл. ток ОС из тока вх. сигнала, и
последоват. ООС, когда во вх. цепи вычисл. вх. напряжение из напряжения сигнала ОС.
По сп-бу снятия сигнала ОС различают ООС по напр., когда сигнал ООС пропорц. вых. напр., и ООС по току, когда сигнал ООС
пропорц. току через нагрузку.
Применение: генераторы, частотно-избирательные усилители. Находят ООС, которые позволяют повысить стабильность усилителей.
14. Коэффициент ОС и глубина ОС
Ширина полосы пропускаем. частот усилителя опр. по ур Umax/ 2 √
Коэффициент ОС (коэффициент передачи) ϰ (каппа) показывает, какая часть выходного сигнала
подается на вход усилителя в следствии обратной связи в нем,
ϰ=𝑈ос/𝑈вых.
Uoc - напряжение обратной связи.
Кuос=Uвых/Uвх+-Uос
Кu= Uвых/Uвх
Кuос = Кu / ( 1 + ϰ ·Кu )
Величина 𝐹=1+ϰ𝐾𝑢 определяет глубину обратной связи и показывает, во сколько раз изменяется
коэффициент усиления под влиянием обратной связи.
При F>10 – глубокая ОС удается практически полностью исключить влияние транзистора и всего усилителя на Кuос.
Глубина обратной связи показывает, во сколько раз уменьшается коэффициент усиления при введении обратной связи.
15. Влияние ОС на параметры ( Rвх Rвых K u K i M н M в ) и характеристики усилителей.
Опр. способом подачи сигнала во вх. цепь:
Rвх ос =Uвх/Iвх *(1 + ϰ ·Кu)= Rвых F
Для Rвых ос усилителя, охвачен. ООС по току, можно записать:
Rвых ос = Rвых + Rос (Кu+ 1)
При параллел. ООС по току:
Uос=Iвых R
ϰi=Iос/Iвых=R/Rос-коэф ООС по току
Fi=1+ ϰi ·Кi-глубина ООС по току
Кiос= Кi/(1+ ϰi ·Кi)= Кi/ Fi
При глубокой параллел. ООС по току: Кiос=1/ ϰi
При глубокой ООС по напряжению:
Кuос= Rос/ RA
16. Последовательная и параллельная ООС по напряжению и току. Примеры принципиальных схем с ОС
В зависимости от способов подачи сигнала во входную цепь ОС:
 Паралельные (во входной цепи вычитается ток ОС из тока входного сигнала)
  Последовательные (во входной цепи вычитается входное напряжение сигнала Uвх и сигнала ОС)
Варианты цепей ООС:
1) послед. по U 5) сущ и смешанные
2) полсед. по I
3) паралл. по U
4) паралл. по I

1. паралл. по U
 3.1 Усилители мощности

1. Усилители мощности на ОУ.

однотактные
и положительная и отрицательная полуволна усиливается одним и тем же транзистором , который работает в классе «А»
двухтактные
положительная полуволна усиливается одним транзистором, а отрицательная другим.
Однотактный усилитель малой мощности. (схема)

Режим работы по постоянному току выбирается таким образом, чтобы потэнциал точки А при отсутствии входного сигнала был равен 0, для
исключения +15 В
протекания постоянного тока через динамик. На небольшую мощность-
класс А. Источник тока позволяет ограничить рассеиваемую мощность по сравнению с
резистором коллекторной цепи VT1 и ВТО же время обеспечить большой ток базы
VT2.

При 8 Ом положительной полуволне VT1 открыт, ток течет в нагрузку.

При отрицательной полуволне VT2 закрывается и ток от отрицательного источника питания
черз R поступает в А нагрузку.

Если Uвх = 0, то Uвых = 0.

8 Ом
Источник тока рассеивает меньшую мощность.
-30 В
Двухтактный усилитель мощности (класса В).

Когда положительная полуволна на входе достигает напряжения для отпирания VT1 (0,6 В), последний открывается, ток от
источника питания +Uп через транзистор протекает в нагрузку, выделяя на ней напряжение
практически идентичное входному, VT2 при этом заперт.
VT1
При отрицательной полуволне отпирается VT2, VT1 закрыт отрицательным
потенциалом.

При входном напряжении < 0,6В оба транзистора закрыты и напряжение на нагрузке
отутствует.
Rн
Диоды VT2 находятся вблизи транзисторов и имеют с ними непосредственный тепловой
контакт.
-Uп
Высокий уровень Кг=10% не позволяет использовать такие схемы без охвата их
глубокими ООСу меньш. Кг.

Используются в достаточно мощностных, но среднекачественных усилителях, и в условиях возможно большого перепада

температур.

2. Входные каскады, комплиментарные и на транзисторах одной проводимости

Комплементарная пара — пара транзисторов, сходных (или приблизительно сходных) по абсолютным значениям параметров, но имеющих
разные типы проводимостей (например n-p-n и p-n-p).

Чаще всего комплементарные пары применяются в усилительных каскадах различного назначения для усиления противоположных
полупериодов напряжения (например в оконечных каскадах УМЗЧ), а также в различных схемах составных транзисторов.

Выходной каскад с соединением транзисторов одной проводимости называется "двойкой" Дарлингтона. 

Схема является каскадным соединением двух (редко — трех или более) биполярных транзисторов, включённых таким образом, что
нагрузкой в эмиттерной цепи предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора последующего каскада (то есть эмиттер
предыдущего транзистора соединяется с базой последующего), при этом коллекторы транзисторов соединены. В этой схеме ток эмиттера
предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора.

3.Фазоинверторы.

Фазоинвертор — устройство, преобразующее выходной сигнал в 2 сигнала, сдвинутых по фазе на 180°.

В электронике выполняется на электронной лампе, транзисторе и операционном усилителе и других электронных приборах.

Применяется, например, в радиотехнических устройствах, измерительной аппаратуре.

Сдвиг фазы в каскадах с общим катодом, с общим эмиттером составляет 180°. Каскады с общим анодом, с общим коллектором, с общей
сеткой, с общей базой фазу входного сигнала не сдвигают.

Трансформатор при согласном включении первичной и вторичной обмоток сдвигает фазу приблизительно на 180°, при встречном
включении обмоток сдвиг фазы составляет приблизительно 360°. Для получения противофазных сигналов используется трансформатор с
заземлённым отводом от средней точки вторичной обмотки.
 4.Емкостная и гальваническая связь с нагрузкой

1.Достоинством усилителей с емкостной связью является отсутствие дрейфа нуля: конденсаторы не пропускают постоянной составляющей,
в том числе напряжения дрейфа.

Недостаток:

-ограниченность частотного диапазона усилителей с емкостной связью

Частотные свойства усилителей с емкостной связью:

-вся область частот разбивается на три части. Рабочая область средних частот (полоса пропускания) характеризуется тем, что сопротивление
конденсаторов мало и переменный сигнал без потерь проходит через конденсаторы. Усиление в этой области частот постоянно и не зависит
от частоты.

В области высоких частот проявляется инерционность транзисторов.

Как и в УПТ, с ростом частоты снижается коэффициент усиления и появляется запаздывающий фазовый сдвиг между входным и выходным
сигналами усилителя. В области низких частот сопротивление конденсаторов  растет, часть сигнала прикладывается к конденсаторам и
теряется на них, коэффициент усиления с уменьшением частоты падает.

5. Нелинейные искажения

Если в устройстве отсутствует прямая пропорциональность между мгновенными значениями входного и выходного сигналов, то
возникающие искажения называются нелинейными. Нелинейные искажения возникают из-за нелинейности амплитудных характеристик
электронных ламп, транзисторов, диодов, катушек индуктивности с ферромагнитными сердечниками, элементов устройств. Нелинейные
искажения характеризуются гармоническими и случайными (статистическими) комбинационными составляющими, появляющимися в
спектре выходного сигнала.
Различают частотно-независимые и частотно-зависимые нелинейные искажения. Если характеристика передачи звена одинакова на всех
частотах, то искажение называют частотно-независимыми. При различии характеристики передач на различных частотах искажения
называют частотно-зависимыми.
Нелинейные искажения представляют собой изменение формы кривой усиливаемых колебаний, вызванное нелинейными свойствами цепи,
через которую эти колебания проходят.
Основной причиной появления нелинейных искажений в усилителе является нелинейность характеристик усилительных элементов, а также
характеристик намагничивания трансформаторов или дросселей с сердечниками.
Появление искажений формы сигнала, вызванных нелинейностью входных
характеристик транзистора, иллюстрируется на графике рис.1.
Предположим, что на вход усилителя подан испытательный сигнал синусоидальной
формы.
Попадая на нелинейный участок входной характеристики транзистора, этот сигнал
вызывает изменения входного тока, форма которого отличается от синусоидальной. В
связи с этим и выходной ток, а значит, и выходное напряжение изменят свою форму
по сравнению с входным сигналом.
Чем больше нелинейность усилителя, тем сильнее искажается им синусоидальное
напряжение, подаваемое на вход. Известно (теорема Фурье), что всякая
несинусоидальная периодическая кривая может быть представлена суммой
гармонических колебаний и высших гармоник. Таким образом, в результате нелинейных искажений на выходе усилителя появляются
высшие гармоники, т.е. совершенно новые колебания, которых не было на входе.
Степень нелинейных искажений усилителя обычно оценивают величиной коэффициента нелинейных искажений (коэффициента гармоник)

где  - сумма электрических мощностей, выделяемых на нагрузке гармониками,

появившимися в результате нелинейного усиления;

- электрическая мощность первой гармоники.

В тех случаях, когда сопротивление нагрузки имеет одну и ту же величину для всех гармонических составляющих усиленного сигнала,
коэффициент гармоник определяется по формуле

,где -  и т.д. – действующие или амплитудные значения первой,

второй, третьей и т.д. гармоник тока на выходе;  и т.д. действующие или амплитудные значения гармоник выходного
напряжения.

Коэффициент гармоник обычно выражают в процентах, поэтому найденное по формулам значение  следует умножить на 100. Общая
величина нелинейных искажений, возникающих на выходе усилителя и созданных отдельными каскадами этого усилителя, определяется по
приближенной формуле:

где -  нелинейные искажения вносимые каждым каскадом усилителя.

Допустимая величина коэффициента гармоник всецело зависит от назначения усилителя. В усилителях контрольно-измерительной

аппаратуры допустимое значение коэффициента гармоник  составляет десятые доли процента.

6. Способы задания напряжения смещения и температурной стабилизации

Схема с ОЭ:

С1 и С2 предназначены для разделения источника сигнала и усилителя а также

усилителя и нагрузки с целью исключения протекания через источник сигнала
и нагрузку постоянного тока из цепей транзистора и недопущения повреждения
и некорректной работы источника сигнала и нагрузки а также нарушения
режимов работы транзистора.

Делитель напряжения R1 и R2 предназначен для задания положения рабочей

точки транзистора на проходной характеристике.

Rэ’ служит для температурной стабилизации положения рабочей точки и

обеспечивает последовательную отрицательную обратную связь по току.
Исходя из значения оптимизации Rэ’ с точки зрения температурной
стабилизации и использования энергии источника питания его выбирают
равным 0.1 – 0.3 Rк. Однако, Rэ’ ограничивает Ku. С целью увеличения
Ku параллельно Rэ’ включают Rэ” через конденсатор Cэ. Cэ при этом
препятствует ухудшению стабилизации рабочей точки.

Rк создаёт путь выхода тока и служит для выделения выходного сигнала.

Cф обеспечивает эквипотенциальность по переменному току шины питания и

общей шины.

7. Дарлингтона и Шиклаи схемы включения транзисторов

Составной транзистор Дарлингтона.

Параметры транзистора:

h21’ = (h21-1 + 1)* h21-2 ≥ h21-1* h21-2;

Uбэ’ = Uбэ-1 + Uбэ-2 ≈ 1.2В;
Uкэ нас’ = Uкэ нас-1 + Uкэ нас-2 ≥ 0.1 + 0.6 = 0.7В.
Достоинства: высокий Ki.
Недостатки: большое напряжение насыщения, невысокое быстродействие, необходимость большого управляющего напряжения.
Rб’ предотвращает открывание составного транзистора при повышении температуры кристалла из – за высокого h21 (отводит часть тока от
VT2).

Составной транзистор Шиклаи.

Параметры транзистора:

h21” ≈ h21-3* h21-4;

Uбэ” = Uбэ-3 = 0.6В;
Uкэ нас” = Uкэ нас-3 + Uкэ нас-4 ≥ 0.1 + 0.6 = 0.7В.
Транзистор Шиклаи обладает практически теми же свойствами что и транзистор Дарлингтона и может
дополнять его в двухтактной схеме при этом выходной транзистор будет физически структуры n-p-n но выполнять
роль p-n-p, что позволяет существенно увеличить Ki.
В усилителях мощности с целью выравнивания входных полуволн подаваемых на n-p-n и p-n-p транзисторы,
транзистор Шиклаи может дополняться мощным высокочастотным диодом в эмиттерной цепи.
Транзисторы Дарлингтона Выпускаются как готовые изделия.

Сочетание транзисторов Дарлингтона и Шиклаи позволяют создать двухтактнтактные усилители с

выходными транзисторами одной структуры: (р-н-р). Предвыходные транзисторы подобрать легче.

8.Тепловое сопротивление . Обеспечение тепловых режимов выходных каскадов на ПТ и БПТ.

Тепловое сопротивление показывает, на сколько градусов увелич. темп. кристалла ПП прибора при рассеивании на нем мощности в
1Ватт.
Тперех=Тсреды+(θпк+Ткр+θрс)Р, где Р-рассеив. мощность
Тепл. сопр. имеет 3 составляющих:
1. θпк(переход-корпус)-зав. от материалов ПП корпуса, способа их соединения между собой, класса чистоты и плоскостности соед.
пов-ти, теплопроводимости соед. материалов
2. θкр(корпус-радиатор) зав. от чистоты пов-ти и плоскостности прибора и радиатора, площади соприкас. прибора с радиатором
3 осн.механизма передачи тепла:
 1.теплопроводимость
2.излучение
3.конвекция

КОНВЕКЦИЯ:
-естественная
-искусственная (исп. вентиляторы)
Конвекция зав. от формы(игольчатая, пластинчатая), положения охлажд. пластин(нужно вертикально), скороски потока(воздуха, воды, масла),
площади, возможности обдува.