ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

«САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ имени академика С.П. КОРОЛЁВА
(НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)»

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ
ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ, ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ
И ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
НА КОНСТРУКТИВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ

С А М А Р А 2010
 ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ
ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
«САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ имени академика С.П. КОРОЛЁВА
(НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)»

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ
ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ, ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ
И ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
НА КОНСТРУКТИВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ
Утверждено Редакционно-издательским советом университета
в качестве методических указаний

САМАРА
Издательство СГАУ
2010
1
УДК 621.382 (073)

Составитель А.И. Меркулов

Рецензент В. А. М е д н и к о в

Исследование влияния электрических, технологических

и эксплуатационных характеристик на конструктивные па-
раметры тонкопленочных резисторов: метод. указания / сост.
А.И. Меркулов. – Самара: Изд-во Самар. гос. аэрокосм. ун-та,
2010. – 28 с.

В методических указаниях рассмотрена методика расчета

конструктивных параметров тонкопленочных резисторов, приве-
дена блок-схема программы их расчета на ПЭВМ, методика рабо-
ты с программой. Студентам предлагается рассчитать и сконст-
руировать шесть типов тонкопленочных резисторов, исследовать
зависимость их размеров и конструктивных форм от электриче-
ских, технологических и эксплуатационных характеристик.
Рекомендуются для студентов специальности 210201 – Проек-
тирование и технология радиоэлектронных средств. Подготовле-
ны на кафедре конструирования и производства радиоэлектрон-
ных средств.

© Самарский государственный
аэрокосмический университет, 2010
2
 Цель работы: изучение конструкций тонкопленочных рези-
сторов (ТПР), методов их расчета, исследование связей между
конструктивными, технологическими, электрическими и эксплуа-
тационными характеристиками.
Конструктивно-технологические особенности ТПР
Резистивные элементы гибридных интегральных микросхем
получают напылением на диэлектрические основания (подложки)
узких резистивных пленочных полосок 1 (рис. 1) различной кон-
фигурации и контактных площадок 2, имеющих с ними некото-
рую зону перекрытия 3. Конструкции пленочных резисторов
должны учитывать особенности топологической структуры пле-
ночного функционального узла (размеры подложки, количество и
расположение выводов и т.д.), величину номинала, характеристи-
ки используемых материалов, технологию производства, требуе-
мую точность воспроизведения номинала, уровень технологии и
условия эксплуатации микросхем.
Наиболее распространёнными конфигурациями пленочных
резисторов являются прямоугольная (рис. 1, а) и типа "меандр"
(рис. 1, б). Для увеличения механической прочности масок и
плотного прилегания их к подложкам предпочтительными явля-
ются конструкции из нескольких последовательно соединенных
резистивных полосок прямоугольной формы (рис. 1, в, г) [1].
Величина сопротивления тонкопленочного резистора (ТПР)
прямоугольной формы (рис. 1,а) связана с размерами l и b и вели-
чиной удельного поверхностного сопротивления резистивной
пленки R соотношением
l
R= R . (1)
b
Oтношение длины l к ширине b тонкопленочного резистора
называют коэффициентом формы: Кф=l/b. В результате формулу
(1) можно представить в виде: R=R Kф .
Если длина резистора l > 8 мм, его рекомендуется выполнять
изогнутым в виде «меандра» или «змейки». Нецелесообразно
3
принимать значение Kф < 0,5, так как при этом понижается точ-
ность изготовления резистора, увеличивается площадь контакт-
ных перекрытий.
. l 1
3 3 3 3
b 1

2 l/b =Kф 2 2 2

а б
3 2
3 3 3
1 1

1
2 2 2
2

в г
2
3

2 1

Рисунок 1 - Конструктивные формы пленочных резисторов:

а - прямоугольная; б - типа «меандр»; в, г - последовательное соединение
резистивных плёночных полосок; д - типа «змейка»

Электрические характеристики ТПР зависят от конструкции

резистора, материала подложки, резистивной пленки и контакт-

4
ных площадок, а также в большой степени – от технологии изго-
товления и условий эксплуатации. Наиболее распространенным в
настоящее время является метод термического нанесения тонких
резистивных пленок в вакууме. Применяют также катодное и
ионно-плазменное распыление, осаждение из газовой и паровой
фазы.
Расчёт плёночных резисторов прямоугольной формы

Плёночный резистор прямоугольной формы изображён на

рис. 2.
Расчет ТПР начинают с выбора материалов резистивных плё-
нок и определения оптимального значения R для группы ТПР.

Рис. 2 Тонкопленочный резистор:

С технологической точки зрения желательно, чтобы все ТПР

были выполнены на основе одного резистивного слоя, т.е. из од-
ного материала с одним значением R . Однако если диапазон но-
миналов резисторов в схеме широк (отношение сопротивления
наиболее высокоомного резистора к сопротивлению наиболее
низкоомного превышает число 50), выполнять все резисторы с
одним значением R не рекомендуется: при малом значении R
высокоомные резисторы будут слишком длинными, при большом
значении R низкоомные резисторы будут слишком короткими,
5
погрешность при их изготовлении велика. В таких случаях целе-
сообразно разделить резисторы на две группы: низкоомные и
высокоомные и для каждой группы выбрать материал с соответ-
ствующим значением R . Выбирать более двух значений R не ре-
комендуется.
Для каждой из групп резисторов желательно определить опти-
мальное, обеспечивающее минимизацию площади, занимаемой
резисторами, значение R [2]:
n

σ
∑ Ri
i =1
R опт = b , (2)
σl n 1
∑ i =1 R
i
где σ b и σl - абсолютные среднеквадратические отклонения ши-
рины и длины резисторов (см. табл. 2, с. 23).
Основные электрофизические характеристики наиболее рас-
пространенных резистивных материалов приведены в табл. 1.
При выборе толщины резистивной пленки (или значения R )
следует помнить, что сопротивление и температурный коэффици-
ент сопротивления (ТКС) тонких (100...300 Å) пленок сильно за-
висят от толщины. Полученное из формулы (2) значение R опт яв-
ляется ориентировочным. Основным при выборе R является
условие: Кф ≥ 0,5. Для группы резисторов это условие выполня-
ется в том случае, если выбрать R ≤ 2Rмин. По этому значению
выбирается материал резистивной плёнки и определяются его экс-
плуатационные характеристики:
Ро - максимально допустимая удельная мощность рассеяния
резистивной плёнки, Вт/см2;
α R - температурный коэффициент сопротивления материала
резистивной плёнки;
δRст - относительное изменение сопротивления резистивной
плёнки в результате старения, %.
6
 Таблица 1
Электрофизические характеристики материалов для плёночных резисторов и проводников
Интенсивность Старение
R , Р0 , αR · 10-4, 1/град отказов δRст , %
Материал Ом /  Вт/см2 γ·10-6,1/ч за 5000 ч
– 60…+25˚ С +25…+125˚ С в норм. усл.

Хром ХО, ГОСТ 5905-67 200…500 2,0 1,8 0,6 2,6…3,1 2,0

Нихром Х20Н80
ГОСТ12766-67 100…300 1,0 – 0,4…+0,1 – 0,9…+0,2 – 0,1…0,4

Сплав МЛТ-3М 300-500 2,0 ± (1,2…1,8) ± (1,9…2,4) 1,8 ± 0,1

Кермет (0,5…3)103 2,0 3…7 0,5…2,0 0,9 ± 0,3

ЕТО.021.033. ТУ
Тантал, СУО.021.041 ТУ 300…500 2,0 – 1,5 – 2,6 – 2,6 – 3,2

Сплавы: – 2,0
РС-4800 (0,3…1)103 2,0 – 2,0
РС-3710 (0,5…3)103 2,0 0,5…2 – 1,0
РС-3001 (0,8…1,5)103 1,0 – 2,0
РС-1004, ЕТО.021.048ТУ (1…4)104 10,0

7
 Определение технологического допуска
Так как все материалы, в том числе и резистивные, изменяют
свои свойства в процессе старения и под воздействием температу-
ры окружающей среды, заданное в электрической схеме значение
допуска на номинал резистора δRдоп необходимо скорректировать.
В результате получим значение технологического допуска (до-
пуска на изготовление) δR :
δR = δRдоп − δRt − δRст − δRК , (3)

где δRt - относительная погрешность, обусловленная воздействи-

ем температуры окружающей среды в процессе эксплуатации;
( )
δ Rt = α R t max − 20 o C ,

δRК - относительная погрешность, обусловленная наличием

переходного сопротивления контактов ТПР, обычно составляет
1...2% (величину δRК необходимо выбрать, а после определения
ширины ТПР – уточнить).
Погрешность δRcт вызвана медленным изменением структуры
плёнки во времени и её окислением. Она зависит от материала
плёнки и эффективности защиты, а также от условий хранения и
эксплуатации микросхем.
Определение геометрических размеров ТПР
Коэффициент формы ТПР определяется из соотношения
K ф = R/R . (4)
При определении размеров резистора необходимо учитывать
ограничения выбранного вида технологии, рассеиваемую рези-
стором мощность и допуск на номинал.
Сначала определяется ширина резистора из соотношения
b = max {b', b'', b''' }. (5)
Здесь b' - минимальная допустимая ширина резистивной по-
лоски (технологическое ограничение), выбирается из табл. 2;
8
 b" - минимальная допустимая ширина резистора, обеспечи-
вающая его нормальную работу при заданной рассеиваемой мощ-
ности,
P
b'' > . (6)
P0 K ф
Величина b'" определяется из условия обеспечения заданной
точности ТПР. Размеры резистора должны быть такими, чтобы
его сопротивление при заданных технологических погрешностях
σ R, σ b и σ l c заданной вероятностью ФR попало в заданный
допуск ± δ R :
2
⎛σ ⎞
⎜ l ⎟ + σ2
⎜К ⎟ b
⎝
b'" = 2 ф⎠
. (7)
2
σ Rдоп − σ R
Здесь σ R - относительное среднеквадратическое отклонение
R , определяемое технологическим процессом; σ l - абсолютное
среднеквадратическое отклонение длины ТПР; σ b - абсолютное
среднеквадратическое отклонение ширины ТПР (см. табл. 2).
Величину σRдоп , исходя из закона нормального распределения
погрешности сопротивления резистора, можно определить из со-
отношения
δ
σRдоп = R , (8)
Z 2
где δ R технологический (суженный) допуск на номинал резисто-
ра (3); Z - аргумент интеграла вероятностей ФR .
Z
2 −x 2
ФR =
π ∫ e dx .
0
Величина Z определяется по заданному значению ФR из таб-
лиц.
Подставив значение выражения (7) в выражение (5), опреде-
лим ширину резистора b, а из выражения l = bKф – его длину.
9
 В знаменателе выражения (7) может получиться «ноль» или
отрицательное число. Это значит, что при выбранных технологи-
ческих параметрах обеспечить требуемую точность резистора за
счет увеличения его размеров невозможно, необходима подгонка.

Учет сопротивления контактных переходов

Каждый пленочный резистор кроме резистивной зоны имеет
зону контактного перехода h (см. рис. 2). Конструкция и техпро-
цесс изготовления ТПР должны обеспечивать минимальное пере-
ходное сопротивление между резистивной и проводящей плёнка-
ми, хорошую адгезию к подложке, равномерное распределение
линий тока в зоне контакта. Контактный слой между резистивной
и проводящей плёнками представляет собой сложную структуру,
содержащую окислы и газовые включения, количество и состав
которых зависят от степени вакуума, при котором изготовлена
микросхема, и от времени между операциями нанесения рези-
стивных и проводящих пленок. Переходное сопротивление, сле-
довательно, зависит от геометрических размеров b и h контактной
зоны, удельного поверхностного сопротивления R резистивной
плёнки и удельного сопротивления R* переходного слоя току, пе-
ретекающему из резистивной плёнки в проводящую.
Величина переходного сопротивления контакта определяется
как
R ⋅ R∗
Rк = . (9)
. b
Величина R* для различных режимов технологического про-
цесса может составлять 0,01...2,0 Ом·мм2. Наименьшие значения
соответствуют высокому уровню технологии, наибольшие - низ-
кому (низкий вакуум, раздельное нанесение слоёв).
Относительная погрешность сопротивления ТПР из-за наличия
контактного сопротивления определяется как
2 Rк
δ Rк = . (10)
R
10
 Если величина δ Rк , полученная из формулы (10), больше вы-
бранной ориентировочно при определении технологического до-
пуска по формуле (3), расчет ТПР необходимо повторить, подста-
вив в формулу (3) значение из формулы (10).
Длина перекрытия h резистивной и проводящей плёнок опре-
деляется по формуле
R∗
h ≥ 1,53 . (11)
R
Однако, учитывая возможность смещения трафаретов в про-
цессе напыления резистивных и проводящих плёнок (при методе
свободной маски), величину h необходимо брать не менее 0,2 мм.
Суммарная длина резистивной пленки с учетом длины кон-
тактных переходов определяется выражением l∑ = l + 2h .
Помимо контактных переходов пленочных резисторов в ГИС
имеются контактные площадки для подсоединения выводов на-
весных компонентов и соединения схемы с выводами корпуса.
Они должны обеспечивать не только хорошую адгезию к подлож-
ке и малое сопротивление, но и хороший контакт с присоединяе-
мыми проводниками при пайке или термокомпрессии.
Перечисленным требованиям лучше всего удовлетворяют мно-
гослойные контактные площадки. В качестве первого слоя, назы-
ваемого подслоем, способного образовывать прочное сцепление с
подложкой и последующими слоями, используются тонкие
(100…200 Å) металлические плёнки, чаще всего плёнки хрома,
нихрома или марганца. Нередко в качестве подслоя используют те
же слои и материалы, из которых изготовлены резисторы.
Основной слой контактной площадки напыляется из материа-
ла с высокой проводимостью (алюминий, медь, золото) на под-
слой и имеет толщину в несколько тысяч ангстрем. Для предот-
вращения окисления поверхности основного слоя на него наносят
третий слой из материала, обладающего устойчивостью к окисле-
нию и хорошей паяемостью и свариваемостью. Часто в качестве
верхнего слоя используют никель, реже – золото.
11
 Оценка частотных свойств плёночных резисторов
В процессе эксплуатации интегральной микросхемы резисто-
ры работают в цепях как постоянного, так и переменного токов,
поэтому необходимо знать, каково комплексное сопротивление
пленочного резистора токам высокой частоты. Резистор, имея ко-
нечные геометрические размеры, кроме активного сопротивления
обладает собственными индуктивностью и емкостью. Полная эк-
вивалентная схема пленочного резистора показана на рис. 3, а.
Анализ такой схемы громоздок. Достаточно точно изменение со-
противления пленочного резистора можно описать по прибли-
женной эквивалентной схеме (рис. 3, б), где R - сопротивление
резистора постоянному току; Сп - собственная (паразитная) ём-
кость с учетом ёмкости контактных площадок; Lп - собственная
индуктивность резистора.
Реальные конструкции плёночных резисторов имеют паразит-
ную индуктивность до десятков наногенри и паразитную ёмкость
до нескольких пикофарад. Следовательно, есть смысл индуктив-
ную составляющую учитывать для резисторов малых номиналов,
когда шунтирующим действием паразитной ёмкости можно пре-
небречь (рис. 3, в). Для высокоомных резисторов можно пренеб-
речь индуктивной составляющей сопротивления, но учитывать
шунтирующее действие паразитной ёмкости (рис. 3, г). Следует
отметить, что для большинства резисторов (особенно типа «ме-
андр») комплексное сопротивление носит емкостной характер.
Cп′ Cп′ Cп′

Lп R′ Lп R′ Lп R′
а ′
Сп Сп

Lп R Lп R R
б в гб

Рисунок 3 – Эквивалентная схема пленочного резистора: а – полная, б – упро-

щенная, в – для низкоомных резисторов, г – для высокоомных резисторов
12
 Для низкоомных резисторов верхняя частота, до которой
можно не учитывать паразитную индуктивность, определяется по
формуле
δR R
f = . (12)
2 πLп
Для высокоомных резисторов следует учитывать паразитную
емкость, при этом верхняя граничная частота определяется как

δR 1
f ≤ . (13)
2 πRCп
Величины собственных значений паразитной ёмкости рези-
стора Сп и индуктивности Lп зависят от конструкции резистора и
контактных площадок и точно могут быть определены после вы-
бора конструкции.

Проектирование резисторов сложной формы

Установлено, что электрическое поле в резисторах сложной
формы («меандр», «змейка» и т.д.) неравномерно. Наибольшего
значения градиент плотности тока достигает в местах излома или
изгиба резистивной пленки. Неравномерность электрического по-
ля приводит к изменению сопротивления плёночного резистора.
В связи с этим расчет сопротивления резисторов сложной
формы по длине геометрической средней линии является неточ-
ным.
Для расчета размеров резисторов сложной формы (например,
изображенных на рис. 1) резистивная полоска условно разбивает-
ся на прямоугольные участки и элементы сопряжения типа изо-
браженных на рис. 4, сопротивление которых рассчитывается по
формулам:

R = 2,55 R (тип А) (14)

R=4R (тип Б) (15)

13
 1,57
R= R (тип В) (16)
r1
ln
r2
R = 3,86 R (тип Г) (17)

2b 3b r1
1,5b 0,5b
i i
r2
2b

2b
b

b b 0,5b
b b
i i i i
i i
Тип А Тип Б Тип В Тип Г

Рисунок 4 – Элементы сопряжения

Общее сопротивление резистора определяется как сумма со-

противлений всех элементов сопряжений и сопротивлений участ-
ков прямоугольной формы (рис. 5).

t
l cр a

l пр B lпр

b
L
а б

Рисунок 5 – Пленочный резистор сложной формы: а – реальная конструкция;

б – условное представление в виде элементов сопряжения
14
 Конструкция изогнутого пленочного резистора с прямоуголь-
ными (см. рис. 1, б) и криволинейными (см. рис. 1, д) перегибами
имеет конструктивно-технологические ограничения на размеры а
и В (рис. 5, а). Например, при нанесении резистивного слоя через
биметаллическую маску (трафарет) размер а определяется как
минимально возможное расстояние между двумя щелями в маске,
равное примерно 2hм, где hм - толщина маски. Размер B ограничен
необходимой жесткостью маски. Обычно придерживаются соот-
ношения В/а = 10. Большое соотношение В/а не допускается так-
же потому, что при нагревании маски в процессе напыления на-
блюдаются изгибы «язычков» и соответственно изменяются
геометрические размеры резистивной плёнки за счет подпыления
наносимого материала под маску.
В конструкции резистора с металлическими перемычками (см.
рис. 1, г) допускается соотношение В/а = 50, так как резистивные
слои и перемычки формируются отдельно.
Оптимальное число звеньев «меандра» (или число перегибов)
вычисляется приближенно по формуле
2
⎛a⎞ lср a
nопт = ⎜ ⎟ + − , (18)
⎝ 2t ⎠ t 2t
в которой все обозначения соответствуют рис. 5,а. При L = В (про-
ектируется «меандр» квадратной формы) и а = b можно использо-
вать упрощенную формулу
Kф
nопт = .
2
Значение попт округляют до ближайшего целого.
Длина прямоугольных участков определяется по формуле
(R − ∑ Rэ.с )b
lпp = ,
R nопт
где ∑ Rэ.с - сумма сопротивлений элементов сопряжения (см.
рис. 4). Габаритные размеры резистивной пленки вычисляют по
формулам
L = nопт a + (nопт + 1)b ; B = lпр + 4b .
15
 Конструирование и расчёт подгоняемых плёночных
резисторов
При изготовлении плёночных резисторов возникают погреш-
ности как в воспроизведении формы, так и поверхностного
удельного сопротивления R . Если необходимо изготовить рези-
сторы, допуск на номинал которых составляет единицы или доли
процента, обеспечить точность за счет увеличения их размеров
не всегда удаётся. При вычислении b''' в знаменателе формулы
(7) появляется "ноль" или отрицательное число. В таких случаях
применяют резисторы, номинал которых можно изменять после
изготовления (рис. 6). Подгонять резистор можно в сторону уве-
личения номинала изменением коэффициента формы (разрывом
замыкающих перемычек или удалением части резистивной плён-
ки). Следовательно, расчетная величина сопротивления подго-
няемого пленочного резистора должна быть меньше номиналь-
ного значения. При нормальном законе распределения
погрешностей подавляющее число резисторов имеет поле рас-
сеяния номинала в пределах ± 3σ R , следовательно, расчетное
значение сопротивления нерегулируемой части резистора можно
определить по формуле
R
Rрасч = , (19)
1 + 3σR
где σ R - относительное среднеквадратическое отклонение номи-
налов резисторов для выбранного технологического процесса.
Ширина резистора b при подгонке выбирается из соотноше-
ния
b = max {b' , b''}; (20)
длина определяется как
l = bK ф , где Кф=R/R .
В настоящее время известны различные способы подгонки со-
противления плёночных резисторов: лучом лазера, электрической
искрой, факельным разрядом, механическим удалением слоя и др.
16
 Ступенчатая подгонка. При конструировании резистора, под-
страиваемого разрывом замыкающих перемычек, кроме Rрасч (не-
регулируемая часть), рассчитанного по формуле (19), необходимо
иметь дополнительно замкнутый перемычками резистор (регули-
руемая часть) R* (рис. 6, а, в). Расчетное значение R* выбирается
из условия
(
R = Rн.р + R∗ (1 − 3σR ) . ) (21)
lΣ
lн.р. lп lн.р./2 lр lн.р./2
R*
45°
b b b*
h h l
lc
Rн.р lΣ
а б
l

b b*
b
lΣ
в г
Рисунок 6 – Конструкции подгоняемых тонкопленочных резисторов

Используя выражения (19) и (21), получаем

6 σR
R∗ = R . (22)
1 − 9 σR2
Количество секций n, из которых состоит R*, выбирается та-
ким, чтобы сопротивление каждой секции было не более абсо-
лютного значения погрешности резистора при подгонке:
R ∗ (1 + 3σ R ) 6σ R
n= = , (23)
δR δ R (1 − 3σ R )
где δ R - абсолютная допустимая погрешность сопротивления ре-
зистора, Ом; δ R = δ R R , δ R - технологический допуск. Значения
lн р и lс определяются по формулам:
17
 Rн.р ⋅ b R ⋅b
lн.р = ; lc =
R R n
При большом значении lн.р нерегулируемую часть резистора
необходимо выполнить изогнутой.
Если длина подгоночной секции lс окажется меньше 0,2 мм,
число подгоночных секций п можно уменьшить, но не более, чем
в 2 раза, однако точность подгонки при этом снизится. Если и при
этом lс < 0,2 мм, то ее можно увеличить до 0,2 мм, пропорцио-
нально увеличив ширину резистора b, однако размеры подгоняе-
мого участка резистора в этом случае могут значительно увели-
читься. В том случае, когда указанные приёмы все же не
позволяют сделать lс ≥ 0,2 мм, необходимо проектировать рези-
стор с плавной подгонкой. При узком допуске на сопротивление
резистора и плохой технологии расчетное число подгоночных
секций может достигать десятков, что делает конструкцию гро-
моздкой. В этом случае также необходимо выполнить ТПР с плав-
ной подгонкой.
Ширина перемычек lп выбирается равной 0,2...0,5 мм. Суммар-
ная длина резистивной пленки l∑ = lн. р + 2h + n(ln + lc ) .
Плавная подгонка. Плавная подгонка применяется в тех случа-
ях, когда требуется обеспечить узкий допуск на сопротивление
резистора. Точность плавной подгонки составляет доли процента.
Наиболее приемлемая конструкция резистора с плавной подгон-
кой изображена на рис. 6,б.
Углы расширения подстраиваемого участка рекомендуется
выбирать в пределах 40...50°. Увеличение угла расширения при-
водит к резкой концентрации плотности тока в местах перехода от
узкого участка к широкому. Малые углы расширения резистивной
плёнки на регулируемом участке сужают диапазон регулировки.
Исходными данными для расчета точных подгоняемых рези-
сторов являются:
- номинальное значение сопротивления R, Ом и допуск δ R %;
- сопротивление квадрата плёнки R , Ом;
18
 - среднеквадратическое отклонение сопротивления квадрата
плёнки σR ;
- ширина резистора b, мм, определяемая из соотношения (20);
- среднеквадратическое отклонение ширины σ b , мм.
Длина резистора определяется по формуле l = lmin + 3σl, где
R (1 − δ R )(b + 3σ b )
lmin = . (24)
R (1 − 3σ R )
Расчет ширины регулируемой секции производится по специ-
альным графикам.
Следует отметить, что при изготовлении точных резисторов
необходимо выбирать материал и режимы техпроцессов изготов-
ления такими, чтобы выполнялось неравенство δRt + δRст ≤ δR , в
противном случае никакая подгонка не поможет. Номинал рези-
стора будет уходить за пределы допуска под действием темпера-
туры окружающей среды и старения.
Если Кф < 10, использование графиков затруднительно. В та-
ких случаях целесообразно применить конструкцию резистора с
плавной подгонкой, изображенную на рис. 6, г. Ширина b и длина
l находятся из соотношений (20) и (24) соответственно, а величи-
на b* определяется по формуле
lR (1 + 3σ R )
b∗ = + 3σ b .
R (1 + δ R )
В технологической документации на подгонку таких резисто-
ров необходимо указывать, что уменьшение ширины ТПР воз-
можно только до величины b. Следует помнить, что lΣ = l + 2h .

Краткое описание программы расчета ТПР

Блок-схема программы расчета ТПР приведена на рис.7.

В зависимости от номинала резистора, допуска на сопротив-
ление, размеров ТПР ЭВМ рассчитывает и представляет на экра-
не один из шести возможных типов ТПР (рис. 8).

19
 В1 15 С1
C2 нет
Кф, σ Rдоп
A1
Вход σRдоп > σR

В2 С2
15
A2 да А1
Ввод N
в:= в' в'''
На
A3 подгонку
Ввод В3

Ri ,δ Riдоп, Рi нет нет

в < 0,2 в''' > в
A4 С3
В4 да
Выбор
технологии в:=0,2 С4 в:= в'''
флг
В5 да
в'=0,2 в'=0,1 C5
в'' в >10
A5
нет
Выбор материала,
ввод R ,P0, α R , δ R ст В6 нет
C6
в'' > в
A6 Ширина
Ввод да велика
r В7
t max , δ Rk , Ф ( z ),
σв , σl , σ R в = в''
C7
A7 В8 l:=в*Кф
δ Rt , δ R
Поиск Z
C8 нет
В9 да l >10
δR ≤ 0
C9
нет 15 да Кф>5
C3
В10
σ Rдоп C10
нет
15
В3 Длина
велика
На меандр
Тип1
Печать
C11
результатов

20
 14
С1
Ступенч. 1
A1
подгонка В1
С1

в: = max{ в', в''} l пр, nc, nпер нет Менять па-

раметры ?
A2
В2 Тип 3
l н.р., l p Печать ре- да
14 С2
зультатов А8

A3 Введите пара -
да метр
lp< 0,2
1
нет
A4 14
нет В1
lнр< 8 6
С9 Меандр
A5 да
В3
Тип 2
Печать ре-
зультатов
lпр, nпер, t, B
14
В9
А6 1 да
В4
Плавная В > 10
подгонкка С3
да
Кф<10 нет Смените
В5 материал
нет Тип 6
A7
Печать ре-
l, l н.р., l p, в* зультатов
1
A8 1
Тип 4
Печать ре-
зультатов
Габариты
велики
1
A9
l, в*

A10
Тип 5 Рисунок 7 – Блок - схема программы расчета ТПР
Печать ре-
зультатов

1
21
 L
ТИП – 1 В – ширина ТПР,
L – длина ТПР.
В

L2
ТИП – 2 В – ширина ТПР,
L2 – длина рег. секции,
N – число рег. секций.
B Lн.р.

ТИП – 3 B ширина ТПР,

L– длина прямолинейного
Lп L2 участка,
L2 – длина рег. секции,
N – число рег. секций,
B N5 – число П – образных
L2 Перегибов.
B ТИП – 4 В – ширина ТПР,
B3 L– длина ТПР,
L В3– ширина рег. участка,
L2– длина рег. участка.

B B3 ТИП – 5 В – ширина ТПР без рег.

участка,
L – длина ТПР,
L В3 – общая ширина ТПР.

B
Lп ТИП – 6 В – ширина ТПР,
L – длина прямолинейного участка,
N – число П-образных перегибов.

2В

Рисунок 8 - Конструкции рассчитываемых резисторов

22
 В программе проектирования ТПР реализованы следующие
условия:
1. Минимальная допустимая ширина ТПР b′ из технологиче-
ских соображений принята равной 0,1 мм для метода фотолито-
графии и 0,2 мм – для метода свободной маски.
2. Если длина ТПР l > 8 мм, резистор выполняется изогнутым
в виде «меандра».
3. Если при определении суженного (технологического) до-
пуска по формуле (3) получится число меньше нуля или нуль, на
экран ПЭВМ поступит сообщение «смените материал».
4. Если при определении ширины ТПР из условия обеспече-
ния заданной точности по формуле (7) в знаменателе подкоренно-
го выражения получится «нуль» или отрицательное число, про-
грамма переходит к расчету ТПР со ступенчатой подгонкой, при
этом ширина ТПР определяется из соотношения b = max{b', b"}.
5. Если при проектировании ТПР со ступенчатой подгонкой
расчетная длина регулируемой секции lp < 0,2 мм, программа пе-
реходит к проектированию ТПР с плавной подгонкой (тип 4).
6. Если при проектировании ТПР с плавной подгонкой полу-
чится соотношение КФ < 10, программа переходит к проектирова-
нию ТПР с подгонкой типа 5.
7. Кроме рассчитанных конструктивных параметров резисто-
ров студент имеет возможность посмотреть результаты промежу-
точных вычислений.

Таблица 2
Погрешности воспроизведения технологических параметров
плёночных резисторов

Виды технологии σ l , мм σ b , мм σR b'

изготовления
Метод свободной
0,01…0,03 0,007….0,01 0,02….0,05 0,2
маски
Фотолитография 0,003…0,007 0,002....0,005 0,02….0,05 0,1
Танталовая
0,003....0,007 0,002...0,005 0,02….0,05 0,1
технология

23
 Исходными данными, вводимыми студентами для расчета
ТПР, являются:
а) электрические:
R – сопротивление ТПР;
P – мощность, рассеиваемая ТПР;
δ Rдоп – допуск на сопротивление ТПР;
б) технологические:
ФR(z) – вероятность изготовления годного ТПР;
σb – среднеквадратическое отклонение ширины ТПР;
σl – среднеквадратическое отклонение длины ТПР;
R – удельное поверхностное сопротивление резистивной
пленки;
σ R – относительное среднеквадратическое отклонение ве-
личины R в процессе изготовления;
δ Rk – относительная погрешность сопротивления ТПР, обу-
словленная образованием переходных сопротивлений контактов;
в) эксплуатационные:
tmax – температура окружающей ТПР среды;
T – время эксплуатации ТПР;
г) характеристики используемых материалов:
P0 – допустимая удельная мощность рассеяния резистив-
ной плёнки;
αRt – температурный коэффициент сопротивления ТПР;
δ Rcт – относительное изменение сопротивления ТПР в про-
цессе старения.
Среднеквадратические значения отклонений технологических
параметров пленочных резисторов для различных видов техноло-
гии приведены в табл. 2.
В результате расчётов необходимо определить величину R и
размеры ТПР (b, l ).
24
 Порядок выполнения работы

1. Изучить правила техники безопасности в лаборатории и

при работе с ЭВМ.
2. Изучить методику расчета ТПР вероятностным методом
[1, 2] (домашняя подготовка).
3. Изучить блок-схему расчета ТПР (рис. 7).
4. Изучить методику работы с программой расчета ТПР.
5. Целенаправленно изменяя исходные данные, получить все
конструкции ТПР, приведенные на рис. 8.
6. Исследовать зависимость конструктивных форм и размеров
ТПР от технологических параметров процесса их изготовления,
электрических и эксплуатационных характеристик, а также харак-
теристик используемых материалов. Рассчитать конструктивные
параметры ТПР для различных значений ФR(z) , σb , σl , σ R , R
и др. ( по заданию преподавателя).
7. Поработать с программой в режиме изменения данных. По-
строить зависимости конструктивных параметров ТПР от вели-
чин σb , σl , σ R , R , ФR(z) .
9. Вычертить эскизы всех ТПР, определить их габаритные
размеры, суммарную площадь.

Содержание отчета

1. Цель работы.
2. Краткая характеристика типов рассчитываемых ТПР.
3. Блок-схема программы расчета ТПР.
4. Расчетные данные (таблицы и графики).
5. Эскизы спроектированных ТПР.
6. Анализ полученных данных.
7. Выводы.

25
 Контрольные вопросы

1. Объяснить назначение различных видов ТПР.

2. Объяснить методику расчета различных типов ТПР.
3. Назвать преимущества и недостатки различных типов ТПР.
4. Объяснить работу программы расчета ТПР по блок-схеме.
5. Перечислить и объяснить условия и ограничения, реализо-
ванные в программе расчета ТПР.
6. Рассказать правила работы с ЭВМ по программе ТПР.
7. Объяснить, как влияют на конструктивные параметры ТПР
величины σb , σl , σ R , R , R , P и другие.
8. Назвать основные правила техники безопасности при работе
на ЭВМ.

26
 Библиографический список

1. Степаненко, И. П. Основы микроэлектроники [Текст]: учеб.

пособие для вузов. 3-е изд., перераб и доп. / И. П. Степаненко. –
М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2003.
2. Расчет и проектирование элементов гибридных интеграль-
ных микросхем / сост. А.И. Меркулов, В.Д. Дмитриев; СГАУ,
2002.
3. Ермолаев, Ю.П. Конструкции и технология микросхем (ГИС
и БГИС) : учебник для вузов / Ю.П. Ермолаев, М.Ф. Пономарев,
Ю.Г. Крюков; под ред. Ю.П. Ермолаева: – М.: Сов. радио, 1980.
4. Коледов, В.А. Технология и конструкции микросхем, микро-
процессоров и микросборок: учебник для вузов / В.А. Коледов. –
М.: Радио и связь, 1989.

27
 Учебное издание

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ,

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ И ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ
ХАРАКТЕРИСТИК НА КОНСТРУКТИВНЫЕ
ПАРАМЕТРЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ

Составитель Меркулов Анатолий Игнатьевич

Редактор Н. С. К у п р и я н о в а
Компьютерная верстка Т. Е. П о л о в н е в а

Подписано в печать 20.06.2010 г. Формат 60x84 1/16.

Бумага офсетная. Печать офсетная.
Печ. л. 1,75.
Тираж 100 экз. Заказ Арт.С-29/2010

Самарский государственный аэрокосмический

университет им. академика С.П. Королёва
443086 Самара, Московское шоссе, 34.

Издательство Самарского государственного

аэрокосмического университета.
443001 Самара, Московское шоссе, 34

28