Открыть Электронные книги
Категории
Открыть Аудиокниги
Категории
Открыть Журналы
Категории
Открыть Документы
Категории
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ
ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ, ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ
И ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
НА КОНСТРУКТИВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ
С А М А Р А 2010
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ
ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
«САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ имени академика С.П. КОРОЛЁВА
(НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)»
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ
ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ, ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ
И ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
НА КОНСТРУКТИВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ
Утверждено Редакционно-издательским советом университета
в качестве методических указаний
САМАРА
Издательство СГАУ
2010
1
УДК 621.382 (073)
Рецензент В. А. М е д н и к о в
© Самарский государственный
аэрокосмический университет, 2010
2
Цель работы: изучение конструкций тонкопленочных рези-
сторов (ТПР), методов их расчета, исследование связей между
конструктивными, технологическими, электрическими и эксплуа-
тационными характеристиками.
Конструктивно-технологические особенности ТПР
Резистивные элементы гибридных интегральных микросхем
получают напылением на диэлектрические основания (подложки)
узких резистивных пленочных полосок 1 (рис. 1) различной кон-
фигурации и контактных площадок 2, имеющих с ними некото-
рую зону перекрытия 3. Конструкции пленочных резисторов
должны учитывать особенности топологической структуры пле-
ночного функционального узла (размеры подложки, количество и
расположение выводов и т.д.), величину номинала, характеристи-
ки используемых материалов, технологию производства, требуе-
мую точность воспроизведения номинала, уровень технологии и
условия эксплуатации микросхем.
Наиболее распространёнными конфигурациями пленочных
резисторов являются прямоугольная (рис. 1, а) и типа "меандр"
(рис. 1, б). Для увеличения механической прочности масок и
плотного прилегания их к подложкам предпочтительными явля-
ются конструкции из нескольких последовательно соединенных
резистивных полосок прямоугольной формы (рис. 1, в, г) [1].
Величина сопротивления тонкопленочного резистора (ТПР)
прямоугольной формы (рис. 1,а) связана с размерами l и b и вели-
чиной удельного поверхностного сопротивления резистивной
пленки R соотношением
l
R= R . (1)
b
Oтношение длины l к ширине b тонкопленочного резистора
называют коэффициентом формы: Кф=l/b. В результате формулу
(1) можно представить в виде: R=R Kф .
Если длина резистора l > 8 мм, его рекомендуется выполнять
изогнутым в виде «меандра» или «змейки». Нецелесообразно
3
принимать значение Kф < 0,5, так как при этом понижается точ-
ность изготовления резистора, увеличивается площадь контакт-
ных перекрытий.
. l 1
3 3 3 3
b 1
2 l/b =Kф 2 2 2
а б
3 2
3 3 3
1 1
1
2 2 2
2
в г
2
3
2 1
4
ных площадок, а также в большой степени – от технологии изго-
товления и условий эксплуатации. Наиболее распространенным в
настоящее время является метод термического нанесения тонких
резистивных пленок в вакууме. Применяют также катодное и
ионно-плазменное распыление, осаждение из газовой и паровой
фазы.
Расчёт плёночных резисторов прямоугольной формы
σ
∑ Ri
i =1
R опт = b , (2)
σl n 1
∑ i =1 R
i
где σ b и σl - абсолютные среднеквадратические отклонения ши-
рины и длины резисторов (см. табл. 2, с. 23).
Основные электрофизические характеристики наиболее рас-
пространенных резистивных материалов приведены в табл. 1.
При выборе толщины резистивной пленки (или значения R )
следует помнить, что сопротивление и температурный коэффици-
ент сопротивления (ТКС) тонких (100...300 Å) пленок сильно за-
висят от толщины. Полученное из формулы (2) значение R опт яв-
ляется ориентировочным. Основным при выборе R является
условие: Кф ≥ 0,5. Для группы резисторов это условие выполня-
ется в том случае, если выбрать R ≤ 2Rмин. По этому значению
выбирается материал резистивной плёнки и определяются его экс-
плуатационные характеристики:
Ро - максимально допустимая удельная мощность рассеяния
резистивной плёнки, Вт/см2;
α R - температурный коэффициент сопротивления материала
резистивной плёнки;
δRст - относительное изменение сопротивления резистивной
плёнки в результате старения, %.
6
Таблица 1
Электрофизические характеристики материалов для плёночных резисторов и проводников
Интенсивность Старение
R , Р0 , αR · 10-4, 1/град отказов δRст , %
Материал Ом / Вт/см2 γ·10-6,1/ч за 5000 ч
– 60…+25˚ С +25…+125˚ С в норм. усл.
Хром ХО, ГОСТ 5905-67 200…500 2,0 1,8 0,6 2,6…3,1 2,0
Нихром Х20Н80
ГОСТ12766-67 100…300 1,0 – 0,4…+0,1 – 0,9…+0,2 – 0,1…0,4
Сплавы: – 2,0
РС-4800 (0,3…1)103 2,0 – 2,0
РС-3710 (0,5…3)103 2,0 0,5…2 – 1,0
РС-3001 (0,8…1,5)103 1,0 – 2,0
РС-1004, ЕТО.021.048ТУ (1…4)104 10,0
7
Определение технологического допуска
Так как все материалы, в том числе и резистивные, изменяют
свои свойства в процессе старения и под воздействием температу-
ры окружающей среды, заданное в электрической схеме значение
допуска на номинал резистора δRдоп необходимо скорректировать.
В результате получим значение технологического допуска (до-
пуска на изготовление) δR :
δR = δRдоп − δRt − δRст − δRК , (3)
Lп R′ Lп R′ Lп R′
а ′
Сп Сп
Lп R Lп R R
б в гб
δR 1
f ≤ . (13)
2 πRCп
Величины собственных значений паразитной ёмкости рези-
стора Сп и индуктивности Lп зависят от конструкции резистора и
контактных площадок и точно могут быть определены после вы-
бора конструкции.
13
1,57
R= R (тип В) (16)
r1
ln
r2
R = 3,86 R (тип Г) (17)
2b 3b r1
1,5b 0,5b
i i
r2
2b
2b
b
b b 0,5b
b b
i i i i
i i
Тип А Тип Б Тип В Тип Г
t
l cр a
l пр B lпр
b
L
а б
b b*
b
lΣ
в г
Рисунок 6 – Конструкции подгоняемых тонкопленочных резисторов
19
В1 15 С1
C2 нет
Кф, σ Rдоп
A1
Вход σRдоп > σR
В2 С2
15
A2 да А1
Ввод N
в:= в' в'''
На
A3 подгонку
Ввод В3
20
14
С1
Ступенч. 1
A1
подгонка В1
С1
A3 Введите пара -
да метр
lp< 0,2
1
нет
A4 14
нет В1
lнр< 8 6
С9 Меандр
A5 да
В3
Тип 2
Печать ре-
зультатов
lпр, nпер, t, B
14
В9
А6 1 да
В4
Плавная В > 10
подгонкка С3
да
Кф<10 нет Смените
В5 материал
нет Тип 6
A7
Печать ре-
l, l н.р., l p, в* зультатов
1
A8 1
Тип 4
Печать ре-
зультатов
Габариты
велики
1
A9
l, в*
A10
Тип 5 Рисунок 7 – Блок - схема программы расчета ТПР
Печать ре-
зультатов
1
21
L
ТИП – 1 В – ширина ТПР,
L – длина ТПР.
В
L2
ТИП – 2 В – ширина ТПР,
L2 – длина рег. секции,
N – число рег. секций.
B Lн.р.
B
Lп ТИП – 6 В – ширина ТПР,
L – длина прямолинейного участка,
N – число П-образных перегибов.
2В
22
В программе проектирования ТПР реализованы следующие
условия:
1. Минимальная допустимая ширина ТПР b′ из технологиче-
ских соображений принята равной 0,1 мм для метода фотолито-
графии и 0,2 мм – для метода свободной маски.
2. Если длина ТПР l > 8 мм, резистор выполняется изогнутым
в виде «меандра».
3. Если при определении суженного (технологического) до-
пуска по формуле (3) получится число меньше нуля или нуль, на
экран ПЭВМ поступит сообщение «смените материал».
4. Если при определении ширины ТПР из условия обеспече-
ния заданной точности по формуле (7) в знаменателе подкоренно-
го выражения получится «нуль» или отрицательное число, про-
грамма переходит к расчету ТПР со ступенчатой подгонкой, при
этом ширина ТПР определяется из соотношения b = max{b', b"}.
5. Если при проектировании ТПР со ступенчатой подгонкой
расчетная длина регулируемой секции lp < 0,2 мм, программа пе-
реходит к проектированию ТПР с плавной подгонкой (тип 4).
6. Если при проектировании ТПР с плавной подгонкой полу-
чится соотношение КФ < 10, программа переходит к проектирова-
нию ТПР с подгонкой типа 5.
7. Кроме рассчитанных конструктивных параметров резисто-
ров студент имеет возможность посмотреть результаты промежу-
точных вычислений.
Таблица 2
Погрешности воспроизведения технологических параметров
плёночных резисторов
23
Исходными данными, вводимыми студентами для расчета
ТПР, являются:
а) электрические:
R – сопротивление ТПР;
P – мощность, рассеиваемая ТПР;
δ Rдоп – допуск на сопротивление ТПР;
б) технологические:
ФR(z) – вероятность изготовления годного ТПР;
σb – среднеквадратическое отклонение ширины ТПР;
σl – среднеквадратическое отклонение длины ТПР;
R – удельное поверхностное сопротивление резистивной
пленки;
σ R – относительное среднеквадратическое отклонение ве-
личины R в процессе изготовления;
δ Rk – относительная погрешность сопротивления ТПР, обу-
словленная образованием переходных сопротивлений контактов;
в) эксплуатационные:
tmax – температура окружающей ТПР среды;
T – время эксплуатации ТПР;
г) характеристики используемых материалов:
P0 – допустимая удельная мощность рассеяния резистив-
ной плёнки;
αRt – температурный коэффициент сопротивления ТПР;
δ Rcт – относительное изменение сопротивления ТПР в про-
цессе старения.
Среднеквадратические значения отклонений технологических
параметров пленочных резисторов для различных видов техноло-
гии приведены в табл. 2.
В результате расчётов необходимо определить величину R и
размеры ТПР (b, l ).
24
Порядок выполнения работы
Содержание отчета
1. Цель работы.
2. Краткая характеристика типов рассчитываемых ТПР.
3. Блок-схема программы расчета ТПР.
4. Расчетные данные (таблицы и графики).
5. Эскизы спроектированных ТПР.
6. Анализ полученных данных.
7. Выводы.
25
Контрольные вопросы
26
Библиографический список
27
Учебное издание
Редактор Н. С. К у п р и я н о в а
Компьютерная верстка Т. Е. П о л о в н е в а
28