UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL

FACULTAD REGIONAL VILLA MARÍA

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

UNIDAD N° 4 – Transistores de efecto de campo

Tema: Transistor de efecto de campo MOSFET.

Parte 1 – MOSFET DE TIPO DECREMENTAL

1- Construcción básica del tipo decremental de canal-n: Una placa de material tipo p
(formada a partir de una base de silicio) se la conoce como substrato y es la base sobre
la que se construye el dispositivo. En algunos casos se encuentra conectado
interiormente con la terminal de la Fuente (S), en otros ofrece una terminal adicional
(etiquetada SS) dando por resultado un dispositivo con 4 terminales. Las terminales de
Fuente (S) y Compuerta (G) están conectadas por medio de contactos metálicos a las
regiones dopadas n unidas por un canal-n. La compuerta se encuentra también
conectadas a una superficie metálica pero permanece aislada del canal n por medio de
una capa muy delgada de Dióxido de Silicio SiO 2 (Dieléctrico).

Símbolos:

La imagen muestra el símbolo utilizado para representar el

transistor MOSFET de tipo decremental canal-n.

2 – MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor – Transistor de Efecto de

Campo, Semiconductor Metal Oxido.
 UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL VILLA MARÍA

3 – La impedancia de entrada es muy elevada, debido a la presencia del dieléctrico

entre la compuerta y el canal n, lo que imposibilita un fluido paso de la corriente. En
consecuencia a ello, controlamos la corriente entre la fuente y el drenaje por medio de
una tesión.

4-

5 – Polarización para un MOSFET tipo Decremental:

• Configuración de polarización fija
• Configuración de autopolarización
• Configuración mediante divisor de voltaje
 UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL VILLA MARÍA

Parte 2 – MOSFET DE TIPO INCREMENTAL

1 – La construcción básica del MOSFET tipo incremental de canal-n consta de una placa
de material tipo p formada a partir de una base de Silicio y se la conoce como
substrato. Este algunas veces se conecta a la terminal de la Fuente (S), mientras que en
otros casos hay disponible una cuarta terminal para el control externo de su nivel de
potencia.
Las terminales de la Fuente (S) y Drenaje (D) se conectan por medio de contactos
metálicos a regiones dopadas n, existiendo una ausencia de un canal-n entre dichas
regiones, lo que constituye la primordial diferencia entre los MOSFET de tipo
decremental e incremental.
La capa de SiO 2 (dieléctrico) aún sigue presente para aislar la plataforma metálica de la
compuerta (G) de la región tipo p.

Símbolo:

2 – La Corriente de Drenaje ( I D ) se vincula con la Tensión Compuerta-Fuente( V GS )

según: I D =k (V GS−V T )2

Donde:
• V T =TensiónUmbral que es la tensión a partir de la cual comienza la conducción
de corriente entre Fuente y Drenaje
• k =Cte de proporcionalidad es función de la fabricación del dispositivo
 UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL VILLA MARÍA

3-

4 – La delgada capa de SiO 2 tiene el efecto positivo de ofrecer una característica de

alta impedancia de entrada para el dispositivo, pero debido a su extrema delgadez se
debe tener precaución para su manejo ya que existe suficiente acumulación de carga
estática como para establecer una diferencia de potencial suficiente para romperla y
establecer la conducción a través de ella.

5 – Polarización para un MOSFET tipo Incremental:

• Configuración de polarización fija
• Configuración de autopolarización
• Configuración mediante divisor de voltaje