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Funcionamiento del diodo en altas frecuencias.

Los dispositivos semiconductores en ocasiones no se comportan de la misma manera a diferentes frecuencias, los diodos no son la acepcin, el comportamiento que estos describen puede ser tratado como un efecto capacitivo adems de un tiempo de recuperacin despus del cambio de polaridad, tambin llamado velocidad de conmutacin.

Esto se puede explicar de la siguiente manera:


Cuando el diodo de polariza directamente se establece un flujo de electrones desde la zona n hacia la zona p, sin embargo cuando este es polarizado inversamente se crea un regin de vaciamiento entre los portadores tipo p y los tipo n, si se analiza esta parte se puede tomar como que cada una de las regiones de carga opuesta es una placa y la zona de vaciamiento un dielctrico, luego sabemos que la capacitancia varia de acuerdo al area de sus placas y a la separacin entre estas, mientras que la regin de vaciamiento aumenta entre mas diferencia de potencial exista en la polarizacin inversa, por lo que podemos variar la capacitancia de la unin variando el voltaje inverso aplicado, a este tipo de capacitancia se le llama Capacitancia de transiscion o de regin de vaciamiento (CT), mientras que la que se da en polarizacin directa se llama Capacitancia por difusin (CD).

Luego si tomamos un diodo y lo polarizamos directamente y cambiamos a modo inverso, lo que se espera es que deje de conducir la corriente inmediatamente, sin embargo lo que en realidad sucede es un cambio de polaridad de la corriente y un retraso al estado de no conduccin.

Imagen obtenida de: http://html.rincondelvago.com/diodos-y-transistores.html

Como vemos en la imagen el tiempo total hasta que llega al estado de no conduccin esta determinado por ts y tt. ts: Se refiere al tiempo necesario para que los portadores minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios, esto es el tiempo necesario para que los electrones que se encontraban dentro de la seccin tipo p regresen a la tipo n, este tiempo varia de diodo a diodo y depende principalmente de la contaminacin que se presente en este. tt: Intervalo requerido para que la corriente llegue a su estado de no conduccin, osea el tiempo necesario para la creacin de la zona de vaciamiento en el material Hay que recordar que estos efectos se dan a frecuencias altas y se deben tomar en cuenta en el diseo de circuitos, comnmente con dispositivos CMOS de alta velocidad. Tambin, el fenmeno capacitivo del diodo se explota en el funcionamiento del diodo varactor.

Bibliografa:
Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos, 2003 Ed. Pearson Education Internet: http://usuarios.lycos.es/oscargomezf/utilidades_electronica/diodo.htm http://html.rincondelvago.com/diodos-y-transistores.html