Diodo

Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest. Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas termoinicas constituidas por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison. Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo) a travs del cual circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco circundante los cuales son conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.

Historia

Diodo de vaco, usado comnmente hasta la invencin del diodo semiconductor, este ltimo tambin llamado diodo slido. Aunque el diodo semiconductor de estado slido se populariz antes del diodo termoinico, ambos se desarrollaron al mismo tiempo. En 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de operacin de los diodos trmicos. Guhtrie descubri que un electroscopio cargado positivamente podra descargarse al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que este lo tocara. No suceda lo mismo con un electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el flujo de corriente era posible solamente en una direccin. Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el principio. A su vez, Edison investigaba porque los filamentos de carbn de las bombillas se quemaban al final del terminal positivo. El haba construido una bombilla con un filamento adicional y una con una lmina metlica dentro de la lmpara, elctricamente aislada del filamento. Cuando uso este dispositivo, el confirm que una corriente flua del filamento incandescente a travs del vaci a la lmina metlica, pero esto solo suceda cuando la lmina estaba conectada positivamente. Edison diseo un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un voltmetro de DC. Edison obtuvo una patente para este invento en 1884.

Aparentemente no tena uso prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era probablemente para precaucin, en caso de que alguien encontrara un uso al llamado Efecto Edison. Aproximadamente 20 aos despus, John Ambrose Fleming (cientfico asesor de Marconi Company y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto Edison podra usarse como un radio detector de precisin. Fleming patent el primer diodo termoinico en Britain el 16 de noviembre de 1904. En 1874 el cientfico alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza de conducir por una sola direccin de los cristales semiconductores. Braun patent el rectificador de cristal en 1899. Los rectificadores de xido de cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la dcada de los 1930. El cientfico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semiconductor para detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal semiconductor fue desarrollado en un dispositivo prctico para la recepcin de seales inalmbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quin invent un detector de cristal de silicio en 1903 y recibi una patente de ello el 20 de noviembre de 2006. Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, de las cuales se us ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento ligeramente mayor, pero el galena fue el que ms se us porque tena la ventaja de ser barato y fcil de obtener. Al principio de la era del radio, el detector de cristal semiconductor consista de un cable ajustable (el muy nombrado bigote de gato) el cual se poda mover manualmente a travs del cristal para as obtener una seal ptima. Este dispositivo problemtico fue rpidamente superado por los diodos termoinicos, aunque el detector de cristal semiconductor volvi a usarse frecuentemente con la llegada de los econmicos diodos de germanio en la dcada de 1950. En la poca de su invencin, estos dispositivos fueron conocidos como rectificadores. En 1919, William Henry Eccles acu el trmino diodo del griego dia, que significa separado, y ode (de ), que significa camino.

Diodos termoinicos y de estado gaseoso

Smbolo de un diodo de vaco o gaseoso. De arriba a abajo, sus componentes son, el nodo, el ctodo, y el filamento. Los diodos termoinicos son dispositivos de vlvula termoinica (tambin conocida como tubo de vaco), que consisten en un arreglo de electrodos empacados en un vidrio al vaco. Los primeros modelos eran muy parecidos a la lmpara incandescente. En los diodos de vlvula termoinica, una corriente a travs del filamento que se va a calentar calienta indirectamente el ctodo, otro electrodo interno tratado con una mezcla de Bario y xido de estroncio, los cuales son xidos alcalinotrreos; se eligen estas substancias porque tienen una pequea funcin de trabajo (algunas vlvulas usan calentamiento directo, donde un filamento de tungsteno acta como calentador y como ctodo). El calentamiento causa emisin termoinica de electrones en el vaco. En polarizacin directa, el nodo estaba cargado positivamente por lo cual atraa electrones. Sin embargo, los electrones no eran fcilmente transportados de la superficie del nodo que no estaba caliente cuando la vlvula termoinica estaba en polarizacin inversa. Adems, cualquier corriente en este caso es insignificante.

Diodo semiconductor

Formacin de la regin de agotamiento, en la grfica z.c.e. Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en l para crear una regin que contiene portadores de carga negativos (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de los electrones, desde que los electrones tengan carga negativa). Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse una corriente de difusin, estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre de regin de agotamiento. A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,4 V para los cristales de germanio. La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor. Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.

Polarizacin directa de un diodo

Polarizacin directa del diodo pn. En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa de un diodo

Polarizacin inversa del diodo pn. En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.

Curva caracterstica del diodo

Curva caracterstica del diodo.

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Tensin umbral, de codo o de partida (V ).

Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.

Corriente mxima (Imax ).

Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.

Corriente inversa de saturacin (Is ).

Corriente superficial de fugas.

Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.

Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:

Tensin de ruptura (Vr ).

TIPOS DE DIODOS
DIODOS RECTIFICADORES: Los diodos rectificadores son los que en principio conocemos, estos facilitan el paso de la corriente contnua en un slo sentido (polarizacin directa), en otras palabras, si hacemos circular corriente alterna a travs de un diodo rectificador esta solo lo har en la mitad de los semiciclos, aquellos que polaricen directamente el diodo, por lo que a la salida del mismo obtenemos una seal de tipo pulsatoria pero contnua. Se conoce por seal o tensin contnua aquella que no varia su polaridad. DIODOS DE TRATAMIENTO DE SEAL (RF): Los diodos de tratamiento de seal necesitan algo ms de calidad de fabricacin que los rectificadores. Estos diodos estn destinados a formar parte de etapas moduladoras, demoduladoras, mezcla y limitacin de seales, etc. Uno de los puntos ms crticos en el diodo, al momento de trabajar con media y alta frecuencia, se encuentra en la "capacidad de unin", misma que se debe a que en la zona de la Unin PN se forman dos capas de carga de sentido opuesto que conforman una capacidad real. En los diodos de RF (radio frecuencia) se intenta que dicha capacidad sea reducida a su mnima expresin, lo cual ayudar a que el diodo conserve todas sus habilidades rectidficadoras, incluso cuando trabaje en altas frecuencias. Entre los diodos ms preparados para lidiar con las altas frecuencias destaca el diodo denominado Schottky. Este didodo fue desarrolado a principio de los sesenta por la firma Hewletty, deriva de los diodos de punta

de contacto y de los de unin PN de los que han heredado el procedimiento de fabricacin. DIODOS DE CAPACIDAD VARIABLE ( VARICAP ): La capacidad formada en los extremos de la unin PN puede resultar de gran utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual se est utilizando el diodo. Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor hmico, lo que conforma un capacitor de elevadas prdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia en paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda comportar como un capacitor con muy bajas prdidas. Si aumentamos la tensin de polarizacin inversa las capas de carga del diodo se esparcian lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminucin de la capacidad del hipottico capacitor (el mismo efecto producido al distanciar las placas del un capacitor estndar). Por esta razn podemos terminar diciendo que los diodos de capacidad variable, ms conocidos como varicap's, varian su capacidad interna al ser alterado el valor de la tensin que los polariza de forma inversa. La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a complejos sistemas mecnicos de capacitor variable en etapas de sintona en todo tipo de equipos de emisin y recepcin, ejemplo, cuando cambiamos la sintona de un receptor antiguo, se vara mecanicamente el eje de un capacitor variable en la etapa de sintona; pero si por el contrario, pulsamos un botn de sintona de un receptor de televison moderno, lo que hacemos es variar la tensin de polarizacin de un diodo varicap que se encuentra en el mdulo sintonizador del TV. DIODO recalca sobre la respecto a la inversamente llega un de corriente punto se da por Se puede ZENER:Cuando se estudian los diodos se diferencia que existe en la grfica con corriente directa e inversa. Si polarizamos un diodo estndar y aumentamos la tensin momento en que se origina un fuerte paso que lleva al diodo a su destruccin. Este la tensin de ruptura del diodo. conseguir controlar este fenmeno y

aprovecharlo, de tal manera que no se origine la destruccin del diodo. Lo que tenemos que hacer el que este fenmeno se d dentro de mrgenes que se puedan controlar. El diodo zener es capaz de trabajar en la regin en la que se da el efecto del mismo nombre cuando las condidiones de polarizacin as lo determinen y volver a comportarse como un diodo estndar toda vez que la polarizacin retorne a su zona de trabajo normal. En resmen, el diodo zener se comporta como un diodo normal, a no ser que alcance la tensin zener para la que ha sido fabricado, momento en que dejar pasar a travs de l una cantidad determinada de corriente. Este efecto se produce en todo tipo de circuitos reguladores, limitadores y recortadores de tensin.

FOTODIODOS:Algo que se ha utilizado en favor de la tcnica electrnica moderna es la influencia de la energa luminosa en la ruptura de los enlaces de electrones situados en el seno constitutivo de un diodo. Los fotodiodos no son diodos en los cuales se ha optimizado el proceso de componentes y forma de fabricacin de modo que la influencia luminosa sobre su conduccin sea la mxima posible. Esto se obtiene, por ejemplo, con fotodiodos de silicio en el mbito de la luz incandescente y con fotodiodos de germanio en zonas de influencia de luz infrarroja. DIODOS LED( LUMINISCENTES ): Este tipo de diodos es muy popular, sino, veamos cualquier equipo electrnico y veremos por lo menos 1 ms diodos led. Podemos encontrarlos en direfentes formas, tamaos y colores diferentes. La forma de operar de un led se basa en la recombinacin de portadores mayoritarios en la capa de barrera cuando se polariza una unin Pn en sentido directo. En cada recombinacin de un electrn con un hueco se libera cierta energa. Esta energa, en el caso de determinados semiconductores, se irradia en forma de luz, en otros se hace de forma trmica.