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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Semiconductores extrnsecos: Semiconductores extrnsecos: estructura cristalina de Ge o Si con estructura cristalina de Ge o Si con impurezas en bajo porcentaje de impurezas en bajo porcentaje de tomos distintos. tomos distintos.
Caracterstica: n p nii Caracterstica: n p n n Clasificacin: n Clasificacin:
n n

w Tipo-n w Tipo-n w Tipo-p w Tipo-p

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Clases de semiconductores extrnsecos: Clases de semiconductores extrnsecos:

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Semiconductor tipo-n.
n n

Impurezas: P, As, Sb Concentraciones Mecanismo de conduccin

w n>ni w P<n i

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Semiconductor tipo-p.
n n

Impurezas: B, Ga, In Concentraciones Mecanismo de conduccin

w n<ni w p>n i

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Leyes Leyes
n n

Ley de igualdad de carga n + N A = p + N D Ley de igualdad de carga Ley de accin de masas Ley de accin de masas
ni2 = n p

n n

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Ejercicio 3 . Determinar la concentracin de electrones y de huecos en un semiconductor segn los datos que se aportan, expresando el tipo de semiconductor que representa.
DATOS
Elemento (cristal) N D (Atomos donadores/cm
3

INCOGNITAS
Silicio(Si) n i a T K ( c m -3) )
3 2,00E+14 Concentracin electrnica (electrones/cm ) 3 3,00E+14 Concentracin huecos (huecos/cm )

8,01E+12 6,37E+11 1,01E+14 tipo-p

N A (Atomos aceptores/cm 3) n i a 3 0 0 K ( c m -3) E GO a 0 K ( e V ) Temperatura (K)

1,50E+10 MATERIAL 1,21 400

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Concentracin intrnseca en los semiconductores Concentracin intrnseca en los semiconductores n Dependencia con la temperatura n Dependencia con la temperatura

Zona extrnseca Zona intrnseca

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Conduccin en los semiconductores Conduccin en los semiconductores
n n

Densidad de corriente de arrastre Densidad de corriente de arrastre

J = q ( n n + p p ) E = q( n n + p p )

n n

Conductividad Conductividad

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Variacin de la movilidad de portadores Variacin de la movilidad de portadores en funcin de la temperatura en funcin de la temperatura

electrones

huecos

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Variacin de la movilidad de portadores Variacin de la movilidad de portadores en funcin de la concentracin en funcin de la concentracin

Portadores mayoritarios

Portadores minoritarios

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Variacin de la Variacin de la conductividad en conductividad en funcin del recproco funcin del recproco de la temperatura de la temperatura absoluta absoluta

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Ejercicio 4 . Variacin de la conductividad (resistividad) de un semiconductor con la concentracin de portadores.
DATOS
Elemento (cristal) N D (Atomos donadores/cm 3) Silicio(Si)

INCOGNITAS
n i a T K ( c m -3 )
3

8,01E+12 ) 6,37E+11 1,01E+14 tipo-p 8,23E-03

2

2,00E+14 Concentracin electrnica (electrones/cm

3 3,00E+14 Concentracin huecos (huecos/cm )

N A (Atomos aceptores/cm 3) n i a 300K (cm E GO a 0 K ( e V ) Temperatura (K) Movilidad de huecos (cm 2 / V.s) Movilidad de electrones (cm 2 / V . s ) Campo elctrico aplicado (V/cm)
-3

1,50E+10 MATERIAL
-1 1,21 Conductividad (ohmios-cm)

400 Densidad de corriente (A/cm 500 Velocidad de huecos (cm/s)

1,65E-02 1000,00 3600,00

1800 Velocidad de electrones (cm/s) 2

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Semiconductor tipo-n
n

Caracterstica: Nivel de Fermi

n ND ni2 p ND
Banda de conduccin

EF = EC kT Ln

NC ND
Banda prohibida

EC EF EV Banda de valencia

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Semiconductor tipo-p
n

Caracterstica: Nivel de Fermi

p NA ni2 n NA
Banda de conduccin EC EF EV

N E F = EV + kT Ln V NA
Banda prohibida

Banda de valencia

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Ejercicio 5 . Posiciones del nivel de Fermi respecto a las bandas de conduccin y de valencia.
DATOS
Semiconductor tomos de impurezas/tomos semic. Peso atmico (g/mol) Densidad (g/cm 2 ) Masa efectiva portadores/ masa real Temperatura (K) Tipo-n 5,00E-09 Nc (1/cm3) 28,1 D i s t a n c i a ( e V ) 2,33 Posicin 1,00 A qu tempertura (K) EF=Ec? 300 A qu concentracin EF=Ec?

INCOGNITAS
N tomos de impurezas Nd 2,50E+14 2,50E+19 -2,98E-01 por debajo 1,39E-01 2,50E+19

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES Efecto Hall

Y

BI VH = 1 w +
I
w d

Fe Fm Z B _ 2

Electrn

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES Efecto Hall

Y _ 1

B I VH = w
I
d

Fe Fm Z B + 2

X
w

Hueco

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Ejercicio 6. Efecto Hall. De acuerdo con los datos obtener las incgnitas.
DATOS
Ancho del bloque (w) cm Largo del bloque (l) cm Alto del bloque (d) cm Intensidad (microA) Campo magntico aplicado (Wb/m 2) Tensin aplicada entre extremos (V) Tensin Hall medida (mV), cara superior-cara inferior del bloque -30,00

INCOGNITAS
0,20 Tipo de semiconductor ensayado 1,00 C o n c e n t r a c i n d e i m p u r e z a s ( c m -3) 0 , 2 0 C o n d u c t i v i d a d ( o h m i o s - c m )- 1 5,00 Movilidad (cm 2/ V . s ) 0,10 Velocidad de arrastre de portadores (cm/s) 25,00 Tipo-p 5,21E+10 5,00E-06 6,00E+02 1,50E+04

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Difusin de portadores Difusin de portadores
n n

Densidad de corriente de difusin de huecos Densidad de corriente de difusin de huecos

J p = qD p
n n

dp dx dn dx

Densidad de corriente de difusin de electrones Densidad de corriente de difusin de electrones

J n = qDn

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Movilidad y constante de difusin Movilidad y constante de difusin

Densidad de impurezas

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Ejercicio 7 . La concentracin de huecos en un semiconductor sigue la ley representada en la figura. Hallar la expresin y representar: a) b) c) la densidad de corriente de difusin de los huecos el campo elctrico interno que habra que aplicar para que no haya corriente de difusin debida a la distribucin indicada el potencial entre 0 x w, sabiendo que p(0)/P0 = 104
P(0) P(0)

P(x)

P0 P0 w w x