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Prctica No.

3 y 4 a Estudio de Semiconductores
Luis Guillermo Garc Ordnez 200714819 a o 14 de Abril de 2011

1.
1.1.

Objetivos
General

Determinar la validez de la ecuacion terica del diodo y estudiar el comporo tamiento del diodo de silicio y de germanio.

1.2.

Espec cos
Comparar la curva terica del diodo con los datos reales. o Determinar la resistencia intrinseca y el potencial de umbral de cada diodo. Determinar que modelo del diodo se ajusta mas a la realidad.

2.

Hiptesis o

Un diodo presentara un comportamiento exponencial correspondiente a un modelo terico y puede ser representado en un modelo que incluya su potencial o umbral y su resistencia caracter stica.

3.

Marco Teorico

Un diodo es un dispositivo de dos terminales que permite el paso de la corriente en una sola direccin. Este trmino generalmente se usa para referirse o e al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad. Este es una pieza de a u cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricas. El diodo de vac e o (actualmente ya no se usa excepto para tecnolog de alta potencia) es un tubo as de vac con dos electrodos: una lmina como nodo y un ctodo. o a a a

3.1.

Diodo semiconductor

Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como a el silicio con impurezas en l para crear una regin que contiene portadores de e o carga negativos (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una regin en el o otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El l o mite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la importancia o del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una corriente a o convencional uye del nodo al ctodo (opuesto al ujo de los electrones, desde a a que los electrones tengan carga negativa). Al unir ambos cristales, se maniesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse una corriente o de difusin, estas corrientes aparecen cargas jas en una zona a ambos lados o de la unin, zona que recibe el nombre de regin de agotamiento. A medida o o que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va incrementando o o su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin emo bargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en o la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres e a de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a a la corriente de electrones y terminar detenindolos. Este campo elctrico es a e e equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y o n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,4 V para los cristales de germanio. La anchura de la regin de agotamiento una vez o alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho a a mayor. Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice o que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa. a o

3.2.
3.2.1.

Curva Caracter stica


Tensin umbral, de codo o de partida (V ) ). o

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin o e o directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo o no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1 % de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, o o la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de n tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. o 3.2.2. Corriente mxima (Imax ). a

Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse a por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar o el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. n

3.2.3.

Corriente inversa de saturacin (Is ). o

Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo n por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose o o e que se duplica por cada incremento de 10o en la temperatura. Corriente supercial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la supercie del diodo (ver n polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, o o o con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente supercial de fugas. o 3.2.4. Tensin de ruptura (Vr ). o

Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el o a efecto avalancha. Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conduo cir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado a o valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe o o al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:

3.3.

Modelos Matemticos a

El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William a a Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayor de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la a o diferencia de potencial es: I = Is [e nVt 1]
Vd

(1)

Donde I es la intensidad de corriente que pasa por el diodo, Is es la corriente de saturacin (1000pA), VD es el voltaje entre los extremos del diodo. n es el o coeciente de emision el cual puede adoptar valores de 1 para germanio y 2 para silicio. VT es el voltaje trmico aproximadamente 25mV. e

4.

Dise o de la Prctica n a
La siguiente prctica se desarrolla en dos partes, a

1. Comparar los datos con el modelo terico de la curva del diodo I = o Is [e nVt 1] Para comparar el modelo se procedi a armar un ciruito en serie con una o resistencia, y se procedi a tomar los datos de voltaje y corriente, estos o datos fueron gracados, y comparados con el modelo propuesto en cada uno de los Diodos, de igual forma se determino la resistencia caracter stica y el voltaje de saturacion de cada diodo a utilizar en la seccion posterior.
Vd

2. Determinar el modelo terico del diodo, y determinar cual es el que tiene o la menor variacin utilizando diversas conguracines para demostrarlos. o o Los modelos planteados se detallan en la gura 1 en donde el modelo 1 es un arreglo de el potencial del diodo en serie con la resistencia caracteristica. El modelo 2 consta unicamente del potencial del diodo y por ultimo el modelo 3 es unicamente el de un cable. Para demostrar los modelos se plantearon 4 conguraciones detalladas mas adelante.

Figura 1: Modelos de Diodo

Se utilizaron las siguientes conguracines de circuitos. o

Figura 2: Circuito 1

5.
5.1.

Resultados
Primera Parte
La tabla de los datos tomados I vrs, V se ajuntan en la seccion de anexos.

5.1.1.

Diodo de Silicio 1n4004

Por regresion lineal obtenemos la ecuacion de la pendiente en la regin activa. o

Figura 3: Circuito 2

Figura 4: Circuito 3

V = 1039,1I + 0,5777

(2)

Dada que en la ecuacion 1 el voltaje de entrada es el que se encuentra entre las terminales del diodo por lo que se requiere un reajuste de datos dada la conguracion en la que se tomaron. Restando al voltaje dado en la tabla ?? (El cual llamaremos E) la caida de voltaje dada en la resistencia V = IR el voltaje en las terminales ser V = E 1000I. Los datos resultantes as como a la corriente terica (Obtenida por la ecuacion 1 y la corriente real se detallan o en la tabla 1. Al comparar los datos y gracarlos obtenemos la siguiente gracados. En donde se observa una comparacion entre los datos tericos con los reales o segn el marco terico se utiliz un n=2 dado que el diodo anlizado es de silicio. u o o a

Figura 5: Circuito 4

Figura 6: Grca de linealizacin Diodo de Silicio a o

V -12.00 -5.00 -1.00 0.00 0.20 0.30 0.40 0.46 0.52 0.53 0.56 0.58 0.66 0.67 0.69 0.80 0.87 0.92 0.92

IT -1.00E-09 -1.00E-09 -1.00E-09 0.00E+00 5.36E-08 4.02E-07 2.98E-06 1.07E-05 3.03E-05 3.78E-05 6.62E-05 1.14E-04 5.74E-04 6.60E-04 9.85E-04 8.89E-03 3.60E-02 9.80E-02 9.80E-02

IR 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 4.60E-05 1.34E-04 1.73E-04 2.45E-04 4.18E-04 8.37E-04 1.33E-03 2.23E-03 4.20E-03 6.13E-03 9.08E-03 1.14E-02

Cuadro 1: Comparacion de curvas, datos tericos con reales o

Figura 7: Comparacion I real con terica en diodo de silicio o

5.1.2.

Diodo de Germanio

Figura 8: Grca de linealizacin Diodo de Germanio a o

Por regresion lineal obtenemos la ecuacion de la pendiente en la regin activa. o V = 1079,6I + 0,2393 (3)

De igual manera que el ejemplo anterior, los datos ajustados son los siguientes: Segun el marco terico para un diodo de germanio el valor de n=1, al gracar o ambas series de datos, obtenemos la grca 9 a

V -12.51 -12.01 -10.01 -3.00 -1.00 0.08 0.14 0.17 0.20 0.23 0.27 0.27 0.31 0.34 0.42 0.51 0.46 0.61 0.63 0.79 0.95 1.02

IT -1.00E-09 -1.00E-09 -1.00E-09 -1.00E-09 -1.00E-09 1.99E-08 2.80E-07 8.28E-07 2.98E-06 8.78E-06 4.71E-05 5.31E-05 2.74E-04 6.87E-04 1.98E-02 7.24E-01 9.80E-02 3.95E+01 8.79E+01 5.29E+04 3.19E+07 5.24E+08

IR 1.40E-05 1.30E-05 1.10E-05 4.00E-06 2.00E-06 2.40E-05 5.90E-05 1.32E-04 2.00E-04 2.73E-04 3.31E-04 4.28E-04 5.87E-04 6.64E-04 1.08E-03 1.49E-03 2.31E-03 3.39E-03 4.37E-03 6.21E-03 9.05E-03 1.12E-02

Cuadro 2: Datos ajustados para Diodo de Germanio

Figura 9: Comparacion I real con terica en diodo de silicio o En base a la ley de ohm V = RI la pendiente debe ser el valor de la resistencia del sistema. Dado que el dioddo se encuentra en serie con una resistencia de 1000 Los valores de la resistencia intrinseca de los diodos son: 39,1 para Silicio y 79,6 para el Germanio. Tomando en cuenta el modelo de linealizacion, al tomar I=0 en cada una de las ecuaciones obtenemos los voltajes caracter sticos de Vs = 0,58V. para el silicio y de Vg = 0,24V. para el germanio.

5.2.

Segunda Parte

Basados en los circuitos planteados en la seccion de diseo experimental los n datos obtenidos son los siguientes: 5.2.1. Circuito 1 I(mA) 2.09 2.93 3.56 4.29 5.77 V 0.37 0.42 0.45 0.49 0.54 E 4.5 6 7.5 9 12

Cuadro 3: Datos tomados en el circuito 1 Sustituyendo el diodo 1 y 2 con los modelos planteados en el diseo experin mental (M1,M2,M3), obtenemos tres circuitos distintos, realizando el anlisis de a cada circuito por medio de los sistemas conocidos (mallas, nodos, superposicion) obtenemos las siguientes ecuaciones: M1 I1 = 10 E 0,45 2026,22

V1 M2 I2 V2 M3 I3 V3

= E 2000I = NE = NE E = 2000 =0 (4)

Donde ne signica no hay ecuacion, dado que segun la conguracion usada, no se puede plantear ninguna ecuacion de estado. Introduciendo los valores de E en los 3 modelos planteados obtenemos: E 4.5 6 7.5 9 12 IR 2.09E-03 2.93E-03 3.56E-03 4.29E-03 5.77E-03 VR 0.37 0.42 0.45 0.49 0.54 I1 2.00E-03 2.74E-03 3.48E-03 4.22E-03 5.70E-03 V1 0.50 0.52 0.54 0.56 0.60 I2 ne ne ne ne ne V2 ne ne ne ne ne I3 2.25E-03 3.00E-03 3.75E-03 4.50E-03 6.00E-03 V3 0 0 0 0 0

Cuadro 4: Datos Reales (VR,IR) vrs, Datos Tericos C1 o Como podemos observar, el modelo 2 y 3 no son compatibles con esta conguracion dado que en el modelo 2 no existe una ecuacion de estado que podamos plantear y en el modelo 3 el potencial es 0 cosa que no es congruente con la realidad. 5.2.2. Circuito 2

De igual manera que el circuito anterior los datos obtenidos son los siguientes: Realizando el respectivo anlisis de circuitos podemos plantear las siguientes a I(mA) 1.09 1.54 1.87 2.27 3.06 V -0.26 -0.26 -0.26 -0.25 -0.24 E 4.5 6 7.5 9 12

Cuadro 5: Datos Tomados Para Circuito 2 ecuaciones: M1 I1 V1 = E 0,11E 03 3829,48 Vg R2 Vg R1 = = 0,29 R2 + rg R1 + rs 11

M2

I2 V2

M3

I3 V3

E 0,11E 03 3800 = Vg Vs = 0,34 E = 3800 =0 (5)

Introduciendo los valores de E en el paquete de ecuaciones 5 obtenemos E 4.5 6 7.5 9 12 IR 1.09E-03 1.54E-03 1.87E-03 2.27E-03 3.06E-03 VR -0.26 -0.26 -0.26 -0.25 -0.24 I1 1.07E-03 1.46E-03 1.85E-03 2.24E-03 3.02E-03 V1 -0.29 -0.29 -0.29 -0.29 -0.29 I2 1.07E-03 1.47E-03 1.86E-03 2.26E-03 3.05E-03 V2 -0.34 -0.34 -0.34 -0.34 -0.34 I3 1.18E-03 1.58E-03 1.97E-03 2.37E-03 3.16E-03 V3 0 0 0 0 0

Cuadro 6: Datos Reales (VR,IR) vrs, Datos Tericos C2 o

5.2.3.

Circuito 3

Los datos obtenidos son los siguientes: Analizando para cada uno de los E 4.5 6 7.5 9 12 I(mA) 1.81 2.65 3.25 3.99 5.49 Va 3.97 5.71 6.96 8.48 11.58 Vb 1.79 2.63 3.23 3.97 5.46

Cuadro 7: Datos Tomados Para Circuito 3 modelos propuestos llegamos a nuestro prximo paquete de ecuaciones: o E 0,82 2118,7 V1 a = E Vs I1 rs I1 = = E Vs I1 (rs + R1 + rg ) Vg E 0,82 I2 = 2000 V2 a = E 0,58 V1 b V2 b = E 0,82 1000I2

M1

M2

12

M3

E 2000 V3 a = E I3 = V3 b = E/2 (6)

Introduciendo los valores de E en el paquete de ecuaciones 6 obtenemos los siguientes resultados: E 4.5 6 7.5 9 12 V1b 1.74 2.44 3.15 3.86 5.28 IR 1.81E-03 2.65E-03 3.25E-03 3.99E-03 5.49E-03 I2 1.84E-03 2.59E-03 3.34E-03 4.09E-03 5.59E-03 VRA 3.97 5.71 6.96 8.48 11.56 V2a 3.92 5.42 6.92 8.42 11.42 VRB 1.79 2.63 3.23 3.97 5.46 V2b 1.84 2.59 3.34 4.09 5.59 I1 1.74E-03 2.44E-03 3.15E-03 3.86E-03 5.28E-03 I3 2.25E-03 3.00E-03 3.75E-03 4.50E-03 6.00E-03 V1a 3.85 5.32 6.80 8.27 11.21 V3a 4.5 6 7.5 9 12

V3b 2.25 3 3.75 4.5 6

Cuadro 8: Datos Reales, vrs, Datos Tericos o

5.2.4.

Circuito 4

El presente circuito presenta una variacion en lo datos, dado que se tomaron datos con Diodo de germanio y quitando la conexin del mismo. Los resultadoo sobtenidos son los siguientes: E 4.5 6 7.5 9 12 Is 0.5 0.71 0.87 1.06 1.44 Vs 2.36 3.38 4.11 5.01 6.81 Ic 1.11 1.62 1.98 2.43 3.34 Vc 0.3 0.35 0.38 0.42 0.48

Cuadro 9: Datos Tomados para C4 En base al analisis de circuitos para cada una de las conguraciones podemos proponer dos juegos de ecuaciones modelo. E 0,82 3418,38

M1

I1

13

V1 M2 I2 V2 a M3 I3 V3

Vg + I1 rg R4 4779,6 E 0,82 = 3300 = Vg = 0,24 E = 3300 =0 (7)

De igual manera el paquete de ecuaciones sin diodo es el siguiente: M1 I1 V1 M2 I2 V2 a M3 I3 V3 E 0,58 8039,1 = 4700I1 E 0,58 = 8000 = 4700 I2 E = 8000 = 4700 I3 = (8) Al introducir los valores de E en los paquetes 7 y 8 obtenemos: E 4.5 6 7.5 9 12 IR 1.11E-03 1.62E-03 1.98E-03 2.43E-03 3.34E-03 VR 0.3 0.35 0.38 0.42 0.48 I1 1.08E-03 1.52E-03 1.95E-03 2.39E-03 3.27E-03 V1 0.32 0.35 0.39 0.42 0.49 I2 1.12E-03 1.57E-03 2.02E-03 2.48E-03 3.39E-03 V2 0.24 0.24 0.24 0.24 0.24 I3 1.36E-03 1.82E-03 2.27E-03 2.73E-03 3.64E-03 V3 0 0 0 0 0

Cuadro 10: Comparacion Datos Reales vrs Tericos, Circuito 4 con Diodo o

E 4.5 6 7.5 9 12

IR 5.00E-04 7.10E-04 8.70E-04 1.06E-03 1.44E-03

VR 2.36 3.38 4.11 5.01 6.81

I1 4.88E-04 6.74E-04 8.61E-04 1.05E-03 1.42E-03

V1 2.29 3.17 4.05 4.92 6.68

I2 4.90E-04 6.78E-04 8.65E-04 1.05E-03 1.43E-03

V2 2.30 3.18 4.07 4.95 6.71

I3 5.63E-04 7.50E-04 9.38E-04 1.13E-03 1.50E-03

V3 2.64 3.53 4.41 5.29 7.05

Cuadro 11: Comparacion Datos Reales vrs Tericos, Circuito 4 sin Diodo o

14

Diodo Silicio Germanio

V(v.) 0.58 0.24

R() 39.1 79.6

6.
6.1.

Discusin de Resultados o
Parte 1

En base a los resultados de la parte No. 1 y recordando nuevamente el analisis de pendientes obtuvimos la resistencia carcteristica y el voltaje de umbral a de cada diodo (Si y Ge). Los resultados fueron los siguientes: Como podemos observar El voltaje de umbral del Silicio, es mayor que el germanio, recordando la informacion del marco terico, la acumulacin de iones positivos en la zona n o o y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre e a los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos. Dicho a a e campo elctrico representa el voltaje de umbral, la variacion entre los valores de e tensin se debe a la estructura atmica de cada elemento, ambos se encuentran o o en el grupo 4 por lo que tienen la misma capacidad de intercambio de electrones, sin embargo el germanio tiene mayor masa atmica lo que reduce la cantidad o de tomos disponibles en la regin de intercambio, reduciendo asi la cantidad a o de electrones y por ende, el potencial elctrico disponible. e El analisis de la resistencia del diodo, es un poco mas complejo y depende de varios factores. Entre estos factores se encuentra, la temperatura y el factor de calidad (n), este factor es representativo para cada material, como observamos en el marco terico el germanio tiene un n=1 y el silicio un n=2 lo que cambia la o curva de la corriente a travz del diodo. cabe recordar que la pendiente de dicha e curva (V, I) es (1/R) por lo que la pendiente es inversamente proporcional a la resistencia. Al analizar las grcas de la curva caracteristica podemos observar a que efectivamente el silicio tiene mas pendiente que el germanio por lo que la resistencia de este es mayor que la del silicio. Al comparar la graca producida por el modelo terico del diodo, superpoo niendolo con los datos reales observamos que el diodo de silicio se comporta muy estable hasta un valor de voltaje cercano a 0.7V. en donde empieza a separarse de la curva terica. En el caso de germanio la curva es constante hasta o 0.3V. en donde se separa abruptamente de la curva terica. La curva terica se o o basa en datos ideales, y hay que mencionar que esta curva no est ajustada a a el Vt tomando si se toma en cuenta el efecto de la temperatura ambienta., Sin embarto el modelo es valido para tensiones pequeas en los extremos del diodo. n

6.2.

Parte 2

En base a las tablas de resultados obtenidos en la seccion de resultados. Podemos realizar una comparacion de los valores reales con respecto a los terio cos de cada modelo utilizando la relacion del error planteada por la siguiente 15

ecuacion: % =

Vcv Vexp 100 Vcv

(9)

En donde Vcv es el valor considerado verdadero, Vexp es el valor experimental. Esta ecuacion se utiliz para el anlisis de cada pareja de datos en cada modelo o a utilizando las tablas 4, 6, 8, 9, introduciendo los pares en la ecuacion 9 obtenemos las tablas a analizar a continuacion. 6.2.1. Circuito 1

El arreglo consta de dos diodos en paralelo unidos a dos resistencias, la tabla de datos se detalla a continuacion. %I1 -4.56 % -6.97 % -2.32 % -1.67 % -1.22 % Promedio -3.35 % %V1 26.35 % 19.51 % 16.86 % 12.60 % 9.92 % 17.05 % %I2 nc nc nc nc nc nc %V2 nc nc nc nc nc nc %I3 7.11 % 2.33 % 5.07 % 4.67 % 3.83 % 4.60 % %V3

Cuadro 12: Analisis de Error Circuito 1 Como podemos observar en la tabla 12 el unico modelo que se ajusta es el modelo 1 dado que en el modelo 2 no se puede calcular valores debido a la paradoja que se plantea al tener dos fuentes en paralelo, y el modelo 3 que tiene un error innito dado que el voltaje terico es 0 en cualquier punto. El modelo o 1 presenta una variacion de 3.35 % (menor que utilizando el modelo 3) en la corriente calculada y 17.05 % en el voltaje, rangos que se encuentran aceptables para un analisis terico. o 6.2.2. Circuito 2

El siguiente arreglo coloca los diodos en un circuito puente, el analisis de error se detalla en la tabla ?? En base a los siguientes arreglos podemos observar nuevamente que el modelo 1 presenta un mejor comportamiento hacia el error, dado que el modelo 2 presenta valors aceptables, sin embargo mayores a los del modelo 1 (en promedio), el modelo 3 nuevamente queda descartado dado al valor 0 que hace innita la relacion de error en el analisis de voltaje. Cabe mencionar que la medida de voltaje es casi constante debido al circuito puente, esto hace que el modelo 1 tenga mejor distribucion dado que la resistencia del diodo es ligeramente signicativa. Por lo que para el presente circuito podemos analizar el voltaje y la corriente por medio del modelo 1.

16

%I1 -2.34 % -5.71 % -1.16 % -1.33 % -1.20 % Promedio -2.35 %

%V1 10.34 % 10.34 % 10.34 % 13.79 % 17.24 % 12.41 %

%I2 -1.47 % -4.84 % -0.34 % -0.51 % -0.40 % -1.51 %

%V2 23.53 % 23.53 % 23.53 % 26.47 % 29.41 % 25.29 %

%I3 7.96 % 2.47 % 5.25 % 4.16 % 3.10 % 4.59 %

%V3

Cuadro 13: Analisis de Error Circuito 2 6.2.3. Circuito 3

El circuito 3 es un arreglo en serie de diodos junto con 2 resistencias, el analisis de error se detalla a continuacion
%I1 -4.21 % -8.39 % -3.08 % -3.34 % -4.04 % Promedio -4.61 % %V1a -3.06 % -7.24 % -2.40 % -2.55 % -3.09 % -3.67 % %V1b -3.06 % -7.57 % -2.45 % -2.83 % -3.47 % -3.87 % %I2 1.63 % -2.32 % 2.69 % 2.44 % 1.79 % 1.25 % %V2a -1.28 % -5.35 % -0.58 % -0.71 % -1.23 % -1.83 % %V2b 2.72 % -1.54 % 3.29 % 2.93 % 2.33 % 1.95 % %I3 19.56 % 11.67 % 13.33 % 11.33 % 8.50 % 12.88 % %V3a 11.78 % 4.83 % 7.20 % 5.78 % 3.67 % 6.65 % %V3b 20.44 % 12.33 % 13.87 % 11.78 % 9.00 % 13.48 %

Cuadro 14: Analisis de Error Circuito 3 En el presente modelo podemos observar que la relacion de error es menor para el modelo 2, podemos considerar este modelo dado el valor de las resistencias de carga son de valores elevados con respecto a la resistencia del diodo. Sin embargo podemos intuier que para resistencias pequeas el modelo 1 es el recon mendable debido a la distribucion den la tensin en cada resistencia. El modelo o 3 queda descartado debido a los valores mayores que present sin embargo poo demos mencionar que el porcentaje de error no es tan alto como para descartar el uso de dicho modelo. 6.2.4. Circuito 4

Este circuito se puede analizar en dos partes. Con Diodo En un arreglo con un Diodo en paralelo a la resistencia el voltaje en dicha resistencia queda limitado por efecto del diodo, la distribucion de error es la siguiente: Observando este modelo podemos observar que la corriente en el modelo 2 presenta menos error que los otros dos modelos, sin embargo este resultado se ve opacado por el excesivo error que presenta en la medicion de voltaje, observando 17

%I1 -3.11 % -6.91 % -1.32 % -1.55 % -2.12 % Promedio -3.00 %

%V1 6.33 % 1.30 % 2.30 % 0.78 % 2.44 % 2.63 %

%I2 0.46 % -3.20 % 2.19 % 1.97 % 1.41 % 0.56 %

%V2 -25.00 % -45.83 % -58.33 % -75.00 % -100.00 % -60.83 %

%I3 18.60 % 10.90 % 12.88 % 10.90 % 8.15 % 12.29 %

%V3

Cuadro 15: Analisis de Error Circuito 4 Con Diodo la tabla, obtenemos errores de hasta el 100 % del valor esperado lo que descarta el modelo, el modelo 1 a pesar de tener un error mayor en la corriente con respecto a 2 presenta mucha uniformidad. Sin Diodo %I1 -2.54 % -5.31 % -1.07 % -1.20 % -1.37 % Promedio -2.30 % %V1 -2.98 % -6.67 % -1.59 % -1.77 % -2.00 % -3.00 % %I2 -2.04 % -4.80 % -0.58 % -0.71 % -0.88 % -1.80 % %V2 -2.48 % -6.15 % -1.09 % -1.28 % -1.50 % -2.50 % %I3 11.11 % 5.33 % 7.20 % 5.78 % 4.00 % 6.68 % %V3 10.73 % 4.11 % 6.72 % 5.25 % 3.40 % 6.04 %

Cuadro 16: Analisis de Error Circuito 4 Sin Diodo Como podemos observar en la tabla de resultados, el que tubo menor error fue el modelo 2 seguido muy de cerca con el modelo 1, el modelo 3 present vao lores ligeramente mayores, pero an validos. Al no tener un diodo colocado en u paralelo a la R4 no hay ningna limitacion sobre la caida de voltaje sobre dicha u resistencia lo que permite un comportamiento lineal haciendo vlido cualquiera a de los 3 modelos, dado al a linealidad de cada uno. Tomando en cuenta todas las consideraciones de cada uno de los modelos planteados podemos observar que el modelo 1 es el mas adecuado debido a su estabilidad en cada uno de las conguraciones planteadas, sin embargo, con nes prcticos se puede utilizar el modelo 2 para un anlisis de corrientes dado a a que dicho modelo present muy buena respuesta en ciertos circuitos (2,3,4) sin o embargo cabe mencionar que est modelo solo es recomendable para resistencias e de cargas altas lo cual permite despreciar la resistencia caracteristica de cada diodo. el modelo 3 queda limitado a circuitos en serie unicamente, y debido a su pobre rendimiento, no es recomendable para el uso terico. o

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7.

Conclusiones
El diodo de silicio presenta una resistencia intrinseca de 39,1 y un voltaje de oposicion de 0.58 V. El Diodo de germanio por su parte tiene una resistencia de 79,6 y un voltaje de oposicion de 0.24 V. La curva caracteristica real del diodo coincide con el modelo terico hasta o una tension de 0.7 para el silicio y 0.3 para el germanio en donde el modelo es valido a temperatura ambiente. El modelo 1 del diodo (Voltaje de oposicion en serie a resistencia intrinseca) present una grn estabilidad y un error bajo en cada una de las o a conguraciones propuestas por lo que es recomendable su uso para cualquier modelo. El modelo 2 present valores estables para algunas conguraciones en serie, o por lo que es adecuado para el analisis de corriente en ciertas conguraciones de circuitos. El modelo 3 presento deciencias en el modelado y no es recomendable su uso con nes no didacticos.

8.

Fuentes Consultadas
Diodo, Wikipedia la Enciclopedia Libre, [En Linea].[14 de abril de 2011], Disponible en http : //en.wikipedia.org/wiki/Diode ARANZABAL, Andres; Semiconductores, [En Linea].[14 de abril de 2011], Disponible en http : //www.uned.es/cabergara/ppropias/M orillo/webe td ig/02s emiconduc/diodos.pdf

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9.

Anexos

Los datos tomados para la prctica a no. 1 son los siguientes: I 0 0 0 0 0 0 0 4.60E-05 1.34E-04 1.73E-04 2.45E-04 4.18E-04 8.37E-04 1.33E-03 2.23E-03 4.20E-03 6.13E-03 9.08E-03 1.14E-02 V -12 -5 -1 0 0.2 0.3 0.4 0.51 0.65 0.7 0.8 1 1.5 2 2.92 5 7 10 12.32

Cuadro 17: Datos tomados para el diodo de Silicio En un arreglo igual que el anterior se tomaron lo siguientes datos:

I 1.40E-05 1.30E-05 1.10E-05 4.00E-06 2.00E-06 2.40E-05 5.90E-05 1.32E-04 2.00E-04 2.73E-04 3.31E-04 4.28E-04 5.87E-04 6.64E-04 1.08E-03 1.49E-03 2.31E-03 3.39E-03 4.37E-03 6.21E-03 9.05E-03 1.12E-02

V -12.5 -12 -10 -3 -1 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.9 1 1.5 2 2.77 4 5 7 10 12.2

Cuadro 18: Datos tomados para diodo de Germanio

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