Dependencia de la conductividad con la temperatura en semiconductores. Introduccin.

Se ha visto que la conductividad de los semiconductores depende de la densidad numrica (concentracin) y de la movilidad de los portadores de carga1 . Estas dos magnitudes son resultados de procesos fsicos diferentes que dependen a su vez, de modos muy distintos, de la temperatura. El resultado global en un semiconductor es que la influencia de la temperatura no slo modifica los valores numricos de la densidad de portadores y de la movilidad, sino que define las condiciones en las que tiene lugar la conduccin. Diremos que, segn la temperatura a la que se encuentra, el semiconductor presentar diferentes regmenes de conduccin. Analizaremos con un poco de detalle esta afirmacin. Conductividades de semiconductores intrnsecos y extrnsecos. De acuerdo al mecanismo por el cual se generan los portadores de carga, los semiconductores se clasifican en intrnsecos y extrnsecos2. En los primeros, se supone que todo el material es idealmente puro, y que por efecto de la temperatura los electrones de los estados ms altos de la banda de valencia pasan a los estados ms bajos de la banda de conduccin, superando la brecha o gap entre ellas, de valor EG (Fig. 1).

Banda de conduccin
Nivel de impureza donadora

EG
Nivel de Fermi Nivel de impureza aceptadora

Banda de valencia

Figura 1. Niveles de energa en semiconductores. En estado puro, los electrones deben superar una barrera de energa muy grande (EG) para pasar de la banda de valencia a la de conduccin. Pero el agregado de impurezas permite que con muy poca energa los electrones de la banda de valencia puedan pasar a un nivel aceptador, generando huecos, o que los electrones de un nivel donador pasen a la banda de conduccin.

De este modo en la generacin intrnseca por cada electrn que pasa a la banda de conduccin, se generan dos portadores: el electrn propiamente dicho, y el estado desocupado que ste deja en la banda de valencia, que se denomina hueco. Si indicamos con n y con p las densidades numricas de electrones y huecos, respectivamente, y con

 e y h las correspondientes movilidades, la conductividad de un semiconductor intrnseco se puede expresar como: =n ee+p
h

(1)

Donde e es el valor absoluto de la carga del electrn. Pero como se dijo anteriormente, por cada electrn que conduce hay un hueco. Entonces debe verificarse que n = p, y por lo tanto la conductividad se puede escribir: =ne( e+ h) (2)

Por otro lado, se vio que en un semiconductor extrnseco es el agregado o contaminacin con impurezas lo que permite la generacin de portadores con energas que permiten la conduccin (Fig. 1). Lo destacable de este caso es que los portadores no se generan de a pares, como en el caso intrnseco. Las impurezas donadoras slo aportan electrones a la banda de conduccin, y las impurezas aceptadoras solo generan huecos en la banda de valencia. Si indicamos con n y p las conductividades de semiconductores tipo n y tipo p, respectivamente, se podrn expresar como: n = n ee (a) y p = p he (b) (3)

Al hacer la clasificacin en intrnsecos y extrnsecos, puede pensarse que a) los semiconductores dopados slo tendrn conductividades debidas a los portadores extrnsecos, y b) los no dopados o puros tendrn conductividad debida slo a los portadores intrnsecos. La primera afirmacin no es cierta, puesto que en un semiconductor dopado siempre es posible que por efecto de la temperatura algunos electrones (aunque sean muy pocos), pasen a la banda de conduccin. Es decir que el mecanismo intrnseco de conduccin siempre est presente. Por ello, las ecuaciones 3a) y 3b) se emplean en el caso de temperaturas para las que la densidad de portadores generados intrnsecamente es mucho menor que la densidad de portadores provenientes de las impurezas. La segunda afirmacin es cierta slo en la medida en que la tecnologa de fabricacin lo permita: por cuidadosos que sean los procesos utilizados, es imposible obtener materiales absolutamente puros. Los semiconductores puros siempre contienen contaminacin involuntaria que causa algn grado de conduccin extrnseca. Pero claramente uno de los mecanismos dominar y, como anticipramos al comienzo, es la temperatura la que define el rgimen de conduccin: cuando a una temperatura dada la conductividad de un semiconductor est dominada por los portadores intrnsecos, diremos que est en el rgimen intrnseco. Cuando est dominada por los portadores extrnsecos, estar en el rgimen extrnseco. Corresponde ahora analizar cmo dependen de la temperatura los factores que intervienen en las ecuaciones (2) y (3), y cmo al variar la temperatura se puede variar el rgimen de conduccin de un semiconductor. La concentracin de portadores.

Se ha encontrado que la concentracin de portadores en equilibrio trmico en un semiconductor intrnseco depende de la temperatura de la siguiente manera3:

ni2 = A0T 3 e EG 0 / kT
O bien, tomando raz cuadrada en ambos miembros:
1 ni = A0 / 2T 3 / 2 e EG 0 / 2 kT

(4)

(5)

Donde EG0 es el valor de la brecha o gap de energa entre bandas, cuando el material se encuentra a 0 K. El factor A0 es una constante independiente de la temperatura. Esta ecuacin es igualmente vlida para los semiconductores extrnsecos, pues como se dijo, aunque haya una cantidad mayoritaria de portadores agregados por las impurezas, tambin existen portadores intrnsecos generados por la energa trmica. Al agregar impurezas donadoras, algunos de ellos pueden combinarse con huecos intrnsecos. Debido a ello, la concentracin de huecos intrnsecos se torna ligeramente inferior a la del material puro a igual temperatura. Igualmente, al agregar impurezas aceptadoras, la concentracin de electrones intrnsecos disminuye levemente respecto del valor que tiene en el material puro a igual temperatura. Sin embargo, en equilibrio trmico, con independencia de la cantidad de impurezas agregadas, se verifica que: n p = ni 2 (6) Que se conoce como ley de accin de masas. Supongamos ahora que a un semiconductor intrnseco se le agrega una cantidad N D de impurezas donadoras por metro cbico, y una cantidad NA de impurezas aceptadoras por metro cbico. Puesto que cada tomo donador se convierte en un in positivo, y cada tomo aceptador en un in negativo, se habrn inyectado ND cargas positivas y NA cargas negativas por metro cbico en el material. Como adems existen en el semiconductor n electrones y p huecos por metro cbico, la densidad total de carga negativa ser NA + n, y la de carga positiva ser ND + p. Como el material debe ser elctricamente neutro, se debe cumplir que: NA + n = ND + p (7)

Si se desea que el semiconductor sea de tipo n, se busca que NA = 0 y que contenga muchos ms electrones que huecos (n >> p). Entonces la ecuacin (7) se reduce a: n ND (8)

Es decir que en un semiconductor tipo n, la densidad numrica (o concentracin) de electrones es aproximadamente igual a la de impurezas donadoras. Como es posible tanto que haya electrones en un semiconductor tipo p como huecos en un semiconductor tipo n, adoptaremos una notacin con subndices para que resulte claro cada caso. Por ello, rescribimos la ecuacin (8) de la siguiente forma

nn ND

(9)

Como adems la ecuacin (6) sigue siendo vlida, combinndola con la ecuacin (9) se puede calcular la concentracin de huecos:
pn = ni2 ND

(10)

Si el semiconductor es de tipo p, se puede hacer un razonamiento completamente anlogo, y obtenemos que (11) Y tambin
np = ni2 NA

p p NA

(12) En un semiconductor tipo n, pn es muy pequea, segn la ecuacin (10), pues deliberadamente se agrega una concentracin de impurezas ND que es una cantidad mucho mayor que ni. Anlogamente, en un semiconductor tipo p se agrega una concentracin NA mucho mayor que ni a fin de que np sea muy pequea, segn la ecuacin (12). Las ecuaciones (8) y (9) sugieren que nn y np son constantes e independientes de la temperatura. Sin embargo, se ha visto que para que las impurezas agreguen portadores de carga, deben superarse las pequeas brechas de energa entre el nivel donador y la banda de conduccin, o entre la banda de valencia y el nivel aceptador (Fig. 1). La energa que puede haber disponible para que esto ocurra es tanto la de los campos aplicados, como la energa trmica. Es decir que estas concentraciones tienen una dependencia con la temperatura, aunque en las condiciones nominales de trabajo, esta dependencia es virtualmente despreciable, como veremos ms adelante. La movilidad. Se ha definido la movilidad de un portador de carga q y masa m como4 :
=
q m

(4)

Donde es el tiempo promedio entre interacciones con los centros de dispersin. En un semiconductor con impurezas, los mecanismos de dispersin son fundamentalmente de dos tipos: a) los iones de impureza; b) las oscilaciones de la red cristalina del semiconductor. Estas oscilaciones cuando interactan con los portadores en movimiento

modifican el momento lineal de stos, en procesos que pueden compararse con colisiones entre partculas. Por eso las oscilaciones de la red son consideradas cuasi partculas y se denominan fonones4. Habr, por lo tanto, dos tiempos medios caractersticos en el movimiento de los portadores: uno entre interacciones con iones y otro entre interacciones con fonones. Entonces se pueden definir dos movilidades: una, i , asociada a los iones fijos, y otra, L , asociada con los fonones. Estas movilidades se combinan para dar la movilidad total de cada tipo de portador, segn la siguiente expresin:
1 1 1 = + i L

(5)

De la teora de la dispersin surge que las movilidades dependen con la temperatura de la siguiente manera5:

L = aT 3 / 2

(a)

i = bT 3 / 2

(b)

(6)

Donde a y b son constantes propias de cada material. Si se reemplazan las ecuaciones (6a) y (6b) en la (5), obtenemos la dependencia de la movilidad total de un portador con la temperatura:
=
1 1 3 / 2 1 3 / 2 T + T a b

(7)

En la ecuacin (7) se puede ver que cuando T 0, T 3/2, es decir que el mecanismo de dispersin dominante a bajas temperaturas es el de interacciones con los iones de impurezas. Recprocamente, cuando T , T -3/2, lo que indica que a altas temperaturas prevalece el mecanismo de dispersin por los fonones. La dependencia Global con la temperatura. Combinando las dependencias de la concentracin y de la movilidad con la temperatura, se llega a una expresin global para la variacin de la conductividad elctrica de los semiconductores con la temperatura. Como al variar sta desde las decenas de Kelvin hasta ms de 1000 K la conductividad cambia en muchos rdenes de magnitud, la relacin versus T se suele representar en grficos con escalas logartmicas. En la Fig. 2 se representa la conductividad del Silicio, puro y dopado con Boro, en funcin de la temperatura6. Ntese que una concentracin de 0,0013 % at, ( 0,0052 %) at, significa que hay trece ( cincuenta y dos) tomos de Boro por cada milln de tomos. Sin embargo, estas concentraciones de impurezas aparentemente tan bajas, ocasionan, en la vecindad de los 300 K, un incremento de seis rdenes de magnitud en la conductividad del material. Obsrvese tambin que las ramas correspondientes a las conductividades extrnsecas son curvas cncavas hacia abajo, hasta la regin donde se intersectan con la rama intrnseca, y que cada una presenta un mximo a una temperatura dada. Como puede verse, este mximo 5

est en un intervalo cercano a la temperatura ambiente ( 300 K), donde se espera que funcionen los dispositivos.

Figura 2. Variacin de la resistividad del Si con la temperatura. Se muestran los casos del Si puro y dopado con Boro, para dos concentraciones. Las escalas son logartmicas. Recordar que el punto de fusin del Si es de 1687 K ( 1960 oC ).

En esta figura, los regmenes de conduccin quedan claramente definidos: para el 0,0013 % at, desde los 100 K hasta 700 K, prevalece el rgimen extrnseco. Para el dopaje de 0,0052 % at, este rgimen se extiende desde 100 K hasta 800 K. Tomando como referencia el mximo de una rama extrnseca, vemos que hacia las bajas temperaturas, disminuye la conductividad. Cabe preguntarnos por qu, puesto que sabemos que a menor temperatura hay una menor accin de los fonones y un correspondiente incremento de la movilidad. Lo que ocurre es que, por otro lado, disminuye la concentracin de portadores. Este efecto prevalece, y la conductividad disminuye. Hacia las altas temperaturas ocurre lo contrario: la conductividad disminuye por el predominio de la disminucin la movilidad debida a la mayor interaccin con los fonones, por sobre el aumento de la concentracin de portadores. Este efecto se acenta para mayores concentraciones de impureza, puesto que los propios iones de impurezas actan como centros de dispersin, como ya se dijo.

En la vecindad del mximo, la dependencia con la temperatura es relativamente pequea. Es cuando, por accin trmica, la densidad de portadores es igual a la densidad de impurezas. Es la zona que se conoce como de saturacin. Cuando las ramas extrnsecas se aproximan a la intrnseca, las concavidades cambian y presentan un mnimo. Alrededor de estos mnimos tambin hay un pequeo intervalo de relativa independencia con la temperatura. En esta regin hay un rgimen mixto, pues ya empiezan a tener importancia los portadores intrnsecos. Hacia temperaturas mayores, ya se pasa al rgimen puramente intrnseco.

1 2

Millman, J. y Halkies, C. Electrnica Integrada. Ed. Hispano-Europea, 1976. Ibdem. 3 - Ibdem. 4 - Ibdem. 4 Kittell, C. Introduccin a la Fsica del Estado Slido. Segunda Edicin. Ed. Revert S.A., 1981. 5 Rose, R., Shepard, L., Wulff, J. Electronic Properties. John Wiley & Sons Inc. 1966. 6 Callister Jr., W. Introduccin a la Ciencia e Ingeniera de los Materiales. Tomo II. Ed. Revert S.A., 1996