Федеральное агентство морского и речного транспорта

Федеральное бюджетное образовательное учреждение

высшего профессионального образования
Волжская государственная академия водного транспорта

Кафедра радиоэлектроники

В.И. Плющаев

УСТРОЙСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ
ИНФОРМАЦИИ

Учебно-методическое пособие
для студентов дневного и заочного обучения
по специальности
250503 «Техническая эксплуатация транспортного радиооборудо-
вания»

Н. Новгород
Издательство ФБОУ ВПО «ВГАВТ»
Н. Новгород, 2015
УДК 621.3
П40

Плющаев В.И.
Устройства отображения информации: Учебно-методическое посо-
бие для студентов дневного и заочного обучения по специально-
стям 250503 «Техническая эксплуатация транспортного радиообо-
рудования» / В.И. Плющаев – Н. Новгород: Издательство ФБОУ
ВПО «ВГАВТ», 2015. – ___с.

Учебно-методическое пособие предназначено для обучения

студентов очного и заочного методам проектирования и эксплуата-
ции современных устройств отображения информации.

Рекомендовано к изданию кафедрой радиоэлектроники (прото-

кол № от __.__.2014г.).

© ФГОУ ВПО «ВГАВТ», 2015

2
 1. Полупроводниковые индикаторы
(светодиоды)

Светодиоды широко используются для индикация состояния

приборов и аппаратуры, подсвета надписей и кнопок, создание
шкал и информационных табло. Светодиоды обладают малым по-
треблением, имеют высокую надежность, малые габариты и вес,
высокую яркость и ремонтопригодность.
Светодиод представляет собой излучающий р-n - переход, из-
лучение в котором возникает в результате рекомбинации носите-
лей зарядов (электронов и дырок) при прямом смещении р-n- пе-
рехода. Рекомбинация возникает в примыкающих к переходу сло-
ях, ширина которых определяется диффузионными длинами Ln и
Lp. При рекомбинации (переходе электрона из зоны проводимости
в валентную зону) выделяется энергия, определяемая разностью
энергий рекомбинирующих частиц (электрона и дырки). В боль-
шинстве полупроводников этот процесс осуществляется через
примесные центры (ловушки) расположенные в середине запре-
щенной зоны. Энергия выделяется в виде тепловой энергии (фоно-
нов) и передается атомам кристаллической решетки. Такая реком-
бинация называется безызлучательной. В определенных материа-
лах (например, GaAs, GaSb, InAs, InSb и др.) наблюдаются перехо-
ды из зоны проводимости в валентную зону типа зона-зона (рис.
1.1).
При таких переходах выделяются фотоны. Энергия фотона
равна разности энергий электрона в зоне проводимости и в валент-
ной зоне. Фотоны с энергией большей (ΔЕ + 2δЕ) в основном по-
глощаются, переводя электроны из валентной зоны в зону прово-
димости. Фотоны с энергией от ΔЕ до (ΔЕ + 2δЕ) поглотиться не
могут, т.к. верхняя часть валентной зоны свободна (электроны уш-
ли в зону проводимости), а нижняя часть зоны проводимости за-
полнена. Таким образом, р-n – переход прозрачен для фотонов,
энергия которых лежит в указанном интервале.

3
 Рис. 1.1. Энергетическая диаграмма

Излучение возможно в узком диапазоне частот, соответствую-

щем ширине запрещенной зоны ΔЕ с шириной спектра, опреде-
ляемой величиной δЕ. Энергия фотона примерно равна

hν = hc/λ ≈ ΔE,

где ν – частота;
с – скорость света;
h – постоянная Планка.
Подставив в формулу постоянные величины, можно определить
ширину запрещенной зоны (в электрон-вольтах), для получения
излучения с длиной волны (в микрометрах):

ΔE ≈1,23 / λ.

Таким образом, для излучения видимого света (длина волны от

0,38 до 0,78 мкм) полупроводник должен иметь

ΔE >1,7 эВ.

4
 Германий и кремний непригодны для производства светодио-
дов, т.к. ширина запрещенной зоны у них слишком мала. Спек-
тральные характеристики светодиодов, изготовленных из разных
материалов, приведены на рис.1.2.

Рис. 1.2. Спектральные характеристики светодиодов

Не все фотоны могут покинуть объем полупроводника – часть

фотонов отражается от поверхности и поглощается в объеме полу-
проводника. Отношение числа фотонов излученных во внешнее
пространство к числу зарядов, инжектированных через р-n - пере-
ход, называется квантовым выходом. Обычно значение квантового
выхода составляет (0.1 – 30) %.
Яркость свечения светодиода пропорциональна числу зарядов,
инжектированных р-n – переходом. Для получения приемлемых
значений яркости необходимо обеспечить плотность тока через
переход не менее 30 А/см2. Эти значения достигаются при токах
через диод в интервале 5 -100 мА. Основной характеристикой све-
тодиода является яркостная характеристика (рис. 1.3). Ее можно
апроксимировать функцией

где В – яркость светодиода;

I - ток светодиода;
5
 γ = 0,5 – 0,9 для светодиодов из GaP, γ = 1 – 3 для светодио-
да из GaAs.
Характеристика имеет линейный участок, в пределах которого
яркость меняется в 10 – 100 раз. Пороговое значение тока Iпор для
разных типов светодиодов лежит в пределах 0,1 – 2,5 мА.

I пор I

Рис. 1.3. Люкс-амперная (яркостная) характеристика

Простейшая схема подключения светодиода к источнику на-

пряжения приведена на рис. 1.4.

Рис. 1.4. Схема включения светодиода

Поскольку светодиоды изготавливаются из материалов имею-

щих разную ширину запрещенной зоны, их вольт-амперные харак-
теристики отличаются друг от друга. Чем шире запрещенная зона,
тем большее прямое падение напряжения на диоде (рис. 1.5).

6
 Рис. 1.5. Вольт-амперные характеристики светодиодов,
выполненных из разных материалов

Величина ограничивающего резистора R (рис. 1.4) определяется

выражением:

R = (U – Uпр) / Iпр.

Напряжение Uпр и ток Iпр определяются по вольт-амперной ха-

рактеристике светодиода (рис. 1.5). Учитывая наличие допусков на
величины U, Uпp, R минимальное и максимальное значения Iпр
могут быть определены из соотношений
I пр.min =(Umin – Uпр max)/Rmax,

I пр.max =(Umax – Uпр min)/Rmin .

Путем изменения напряжения источника питания и сопротив-

ления R и ужесточения допусков на них необходимо обеспечивать,
чтобы Iпр мax не превышал максимально допустимого по паспорту

7
значения Iпр и чтобы Iпр мin обеспечивал минимально допустимую
яркость свечения светодиода.
При необходимости подключения к одному источнику питания
светодиодов различных цветов свечения (красного, зеленого,
желтого) сопротивления токоограничивающих резисторов в связи с
различием Uпp рассчитываются для светодиодов каждого цвета от-
дельно. Один из вариантов такого подключения представлен на
рис. 1.6.

Рис. 1.6. Параллельное включение светодиодов

Полупроводниковые индикаторы могут работать в статическом

и динамическом режимах работы.
Статический режим. В этом режиме ток через светодиоды проте-
кает в течении всего времени отображения информации. Часто для
управления светодиодами используются ТТЛ микросхемы с откры-
тым коллектором (например, К155ЛА8 на рис. 1.7а, К555ЛА6 и
др.). Типовые схемы подключения приведены на рис. 1.7б,в.

Рис. 1.7. Управление светодиодом микросхемой с открытым

транзистором

8
 В схеме на рис. 1.7б включение светодиода происходит при пе-
реключении сигнала на входе микросхемы с логической 1 на логи-
ческий 0.При этом выходной транзистор микросхемы закрывается,
ток через светодиод протекает через внешний ограничивающий
резистор. В схеме на рис. 1.7в светодиод включается при смене
входного сигнала с 0 на 1. При этом выходной транзистор открыва-
ется, ток от источника протекает по цепи источник питания - огра-
ничивающий резистор – светодиод – транзистор - корпус.
При необходимости управления группой светодиодов (например 8
элементов в семисегментном индикаторе) используются дешифра-
торы (рис. 1.8).

Рис. 1.8. Управление семисегментным индикатором с помощью

дешифратора

инамический режим. При одновременном включении большо-

го количества светодиодных индикаторов устройства отображения
потребляют значительную мощность. Для снижения энергопотреб-
ления питание на индикаторы подается поочередно. Учитывая
инерционность зрения для обеспечения восприятия информации
без миганий, необходимо частоту возобновления информации для
индикаторов, размещаемых на неподвижных объектах, поддержи-
вать на уровне 100 Гц. Для приборов индикации, размещаемых на
подвижных объектах, подверженных вибрациям, частота возобнов-
ления информации поддерживается на уровне, в 5 раз превышаю-
щем уровень вибрации. На рис. 1.9 показана схема подключения

9
нескольких семисегментных индикаторов. Катоды индикаторов с
помощью независимых ключей А1 – Аn подключаются к общей
шине. Одноименные сегменты всех индикаторов соединены между
собой. Рассмотрим вариант 1 (рис. 1.9). Ключ А1 замкнут, ключи
А2 – An разомкнуты, на сегменты а и b всех индикаторов подает-
ся управляющее напряжение (логическая 1). В этом случае зажгут-
ся только сегменты a и b первого индикатора (закрашены на рис.
1.9). Если замкнут только ключ An (остальные разомкнуты), на
сегменты k всех индикаторов подается логическая единица, то за-
жженным окажется только сегмент k последнего индикатора (вари-
ант 2 на рис. 1.9). Здесь же приведена диаграмма работы устройст-
ва с динамической индикацией.

Рис. 1.9. Динамическая индикация

Время протекания тока через светящийся элемент обратно про-

порционально количеству индикаторов в устройстве, поэтому зна-
10
чение среднего прямого тока сегментов и яркость их свечения со-
кращаются. Для поддержания яркости свечения на прежнем уровне
необходимо сохранять средний прямой ток за счет увеличения им-
пульсного тока. Кроме того, с возрастанием пикового тока свето-
диодов светоотдача на единицу тока увеличивается. Таким обра-
зом, для обеспечения одной и той же яркости свечения индикатора
при управлении им в динамическом режиме расходуется меньшая
мощность, чем в статическом непрерывном режиме.
Рассмотренные схемы подключения светодиодов и индикато-
ров относятся к классу так называемой прямой адресации. Однако
реализация прямой адресации для большого количества элементов
сталкивается с большими технологическими трудностями (слиш-
ком большое количество проводников). В этом случае использует-
ся матричная адресация. Элементы индикации (светодиоды) распо-
лагаются на пересечении строк и столбцов (рис. 1.20). По такой
технологии строятся как знакосинтезирующие индикаторы, так и
большие информационные экраны. При замкнутом ключе А1 и по-
данной на верхнюю шину логической единице зажигается светоди-
од VD1. При замкнутом ключе А2 и поданной на нижнюю шину
логической 1 зажигается светодиод VD4.

Рис. 1.20. Матричная адресация

11
12