Instituto Superior Tcnico

Mestrados de Engenharia Aerospacial e Fsica Tecnolgica

2011
Teoria dos Circuitos e
Fundamentos de
Electrnica
Circuitos no lineares
Antnio Baptista



TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 1





TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 2

NDICE
1 Circuitos no lineares ................................................................................................................................ 3
1.1 Introduo ......................................................................................................................................... 3
1.2 Elementos de circuito no-lineares ................................................................................................... 3
1.2.1 Dodo de juno semicondutor ................................................................................................. 4
1.2.2 Dispositivo com caracterstica parablica ................................................................................. 5
1.3 Circuitos com um elemento no-linear ............................................................................................. 7
1.3.1 Mtodo analtico ....................................................................................................................... 7
1.3.2 Mtodo grfico ........................................................................................................................ 12
1.3.3 Mtodo linear por troos ........................................................................................................ 13
1.3.4 Mtodo incremental ou de pequenos sinais ........................................................................... 15
1.4 Circuitos com mais do que um elemento no-linear ...................................................................... 18
2 PROBLEMAS Resolvidos ........................................................................................................................... 20
2.1 Aplicao dos mtodos de resoluo analtico, linear por troos e numrico (ponto fixo) ........... 21
2.1.1 Problema 1............................................................................................................................... 21
2.2 Mtodo incremental ou de sinais fracos ......................................................................................... 28
2.2.1 Problema 1............................................................................................................................... 28
2.3 Mtodo da linearizao por troos ................................................................................................. 32
2.3.1 Problema 1............................................................................................................................... 32
2.3.2 Problema 2............................................................................................................................... 34





TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 3

1 CIRCUITOS NO LINEARES

1. 1 INTRODUO

O que um circuito no-linear? Designam-se por circuitos no lineares os circuitos que incluem
elementos que possuem uma caracterstica corrente-tenso no-linear.

Neste captulo introduziremos as tcnicas de anlise de circuitos no-lineares, que sero ilustradas
com exemplos que incluem elementos resistivos no-lineares de dois terminais ou seja elementos em
que a relao entre os valores instantneos da corrente e da tenso aos terminais do dispositivo so
descritos por uma relao algbrica nolinear.

Introduzem-se quatro mtodos de anlise de circuitos no lineares a saber:
1. Mtodo analtico.
2. Mtodo grfico.
3. Mtodo linear por troos.
4. Mtodo incremental ou de pequenos sinais.

O mtodo analtico e o mtodo grfico nem sempre possibilitam a obteno das solues pretendidas.
Nessa situao pode-se recorrer aos mtodos 3 e 4 que permitem linearizar o nosso problema. Quando
estes mtodos no so aplicveis recorre-se aos mtodos numricos.
Os resultados anteriormente estabelecidos para a anlise de redes elctricas permanecem vlidos e
so utilizados nos mtodos 1 a 4.

1. 2 ELEMENTOS DE CIRCUITO NO-LINEARES

Os elementos de circuito reais que so utilizados neste captulo para ilustrar as diferentes tcnicas de
tratamento de circuitos no-lineares so o dodo de juno semicondutor e o transstor de efeito de
campo metal-xido-semicondutor, TECMOS.





TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 4

1.2.1 DODO DE JUNO SEMICONDUTOR
O dodo de juno semicondutor um dispositivo que constitudo por uma juno entre um
semicondutor tipo p e um semicondutor tipo n. Este dispositivo tem uma caracterstica corrente-
tenso semelhante representada na figura 1. Distinguem-se nesta caracterstica trs regies:
1. A tenso vD positiva, dodo em polarizao directa. A corrente iD positiva e cresce
rapidamente com a tenso aplicada. O valor da tenso tende a ficar limitado em intervalos
caractersticos dos diferentes materiais de base com que fabricado o dodo. Assim no caso do
silcio para correntes superiores a 1mA vD varia entre 0,5V e 0,8V (caso da figura) e no caso de
germnio entre 0,1 e 0,3V.
2. A tenso vD negativa, dodo em polarizao inversa. A corrente iD negativa e muito pequena
e tende a manter-se aproximadamente constante com a diminuio da tenso at se atingir a
tenso de disrupo vDISR.
3. Para tenses inferiores tenso de disrupo a corrente negativa e aumenta rapidamente em
mdulo com a diminuio da tenso.



Figura 1 Caracterstica do dodo de juno semicondutor
Existem vrios modelos para descrever o dodo de juno semicondutor. O modelo de base fsica
comummente utilizado, vlido fora da regio de disrupo, dado por:
1
D
T
v
v
D S
i I e

| |
= |
|
\

Nesta caracterstica os parmetros IS, , vT dependem do material semicondutor, das densidades de
impurezas aceitadoras na zona p e dadoras na zona n e da temperatura. Este modelo permite assim
-0,02
-0,015
-0,01
-0,005
0
0,005
0,01
0,015
0,02
-1,5 -1 -0,5 0 0,5 1
Dodo real
Vdisr vD(V)
iD(A)
Polarizao directa Disrupo Polarizao inversa



TCFE
prever as alteraes na caracterstica quando se alteram as caractersticas do
temperatura.
A caracterstica do dodo tem uma forte dependncia da temperatura aumentando a corrente com o
aumento da temperatura (ver figura

Figura 2 Variao das caractersticas do dodo 1N4002 com a temperatura
1.2.2 DISPOSITIVO COM
O dispositivo com caracterstica parablica pode ser conseguido a partir de um
campo metal-xido-semicondutor, TECMOS (em ingls o acrnimo MOSFET). O transstor de efeito
de campo um dispositivo de quatro terminais. Representa
de TECMOS existentes:

0,0E+00
1,0E-03
2,0E-03
3,0E-03
4,0E-03
5,0E-03
6,0E-03
7,0E-03
8,0E-03
9,0E-03
1,0E-02
0,0E+00
i
D
(
A
)
Antnio Baptista Ano lectivo 2010/
prever as alteraes na caracterstica quando se alteram as caractersticas do semicondutor ou a
A caracterstica do dodo tem uma forte dependncia da temperatura aumentando a corrente com o
ura (ver figura 2).
Variao das caractersticas do dodo 1N4002 com a temperatura

DISPOSITIVO COM CARACTERSTICA PARABLICA
O dispositivo com caracterstica parablica pode ser conseguido a partir de um
emicondutor, TECMOS (em ingls o acrnimo MOSFET). O transstor de efeito
de campo um dispositivo de quatro terminais. Representa-se na figura 3 o smbolo de um dos tipos
0,0E+00 2,0E-01 4,0E-01 6,0E-01 8,0E-01
uD(V)
Ano lectivo 2010/2011 5

semicondutor ou a
A caracterstica do dodo tem uma forte dependncia da temperatura aumentando a corrente com o

Variao das caractersticas do dodo 1N4002 com a temperatura
ARABLICA
O dispositivo com caracterstica parablica pode ser conseguido a partir de um transstor de efeito de
emicondutor, TECMOS (em ingls o acrnimo MOSFET). O transstor de efeito
o smbolo de um dos tipos

20C
35C



TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 6

Figura 3 (a) TECMOS canal n de enriquecimento. (b) TECMOS canal n de enriquecimento com os
pares de terminais porta (G) e dreno (D) e fonte (S) e substrato (B) curto circuitados.

Quando o par de terminais fonte e substrato esto curto circuitados e o mesmo acontece com o par
porta e dreno o TECMOS comporta-se como um dispositivo de dois terminais com uma caracterstica
parablica descrita pelo modelo:



Considerando vD=vGS-Vt e k=A/2 obtm-se a caracterstica parablica utilizada nos exemplos deste
captulo:


Os parmetros A e Vt dependem dos materiais utilizados no fabrico do TECMOS da sua geometria e da
temperatura.

( )
2
0 ,
2
0
D GS t GS t DS GS t
GS t
A
i v V v V V v v V
v V
=
= <
2
0
0 0
D D D
D
i kv v V
v V
=
= <



TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 7

1. 3 CIRCUITOS COM UM ELEMENTO NO-LINEAR

1.3.1 MTODO ANALTICO
Considere-se o circuito da figura 4 em que existe o elemento no-linear D.






Figura 4 (a) Circuito com o elemento no-linear D. (b) Aplicao do mtodo nodal ao circuito de (a).

Aplicando o mtodo dos ns a este circuito e atendendo a que e0=V tem-se:
1
0 (1)
D
e V
i
R

+ =
Para obter a equao nodal necessrio substituir a corrente iD em funo das tenses nodais, ou seja
necessrio conhecer a caracterstica corrente tenso do dispositivo no linear. Tal como foi dito no
incio consideram-se dois casos, um em que a caracterstica descrita por uma relao do tipo
parablico, A, e o outro correspondente caracterstica de um dodo de juno semicondutor, B.

1.3.1.1 DISPOSITIVOS COM CARACTERSTICA CORRENTE TENSO PARABLICA
Admita-se que o dispositivo D tem a seguinte caracterstica:
2
0
0 0
D D
D
D
kv v V
i
v V
>
=

Vamos determinar a soluo pretendida para vD>0V e vD 0V.

i. vD 0V

O circuito a analisar neste caso est representado na figura 5. Como a
corrente iD nula substituiu-se o elemento no-linear por um circuito
aberto. Atendendo equao (1) tem-se ento: Figura 5



+
V
-
v
D

R

i
D

D
(a)

e
0
e
1
1

0

+
V
-
v
D

R

i
D

(b)

1

0

i
D

e
0
e
1
+
V
-
v
D

R




TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 8

1
1
0
e V
e V
R

= =

Sendo e0=e1=V esta situao s possvel quando V0V.

ii. vD>0V

O circuito a analisar neste caso est representado na figura 6.
Atendendo a que e1=vD tem-se para vD>0V :
2
2 1
1 1
1 1
0 (2)
2 2
e V V
ke e
R kR kR kR
| |
+ = = +
|
\

Resolvendo a equao (2) obtm-se duas solues possveis para vD. Contudo
atendendo condio imposta vD>0V s a soluo associada ao sinal + tem
significado fsico. Figura 6
A representao grfica apresentada na figura 7 permite compreender a afirmao da no existncia
de significado fsico para a raiz negativa. Repare-se que a soluo negativa B corresponde interseco
da equao topolgica (1) com o ramo da parbola representado a tracejado, que no coincide com a
caracterstica do dispositivo para vD0V.



















Figura 7 Solues da equao (2)

A existncia de uma soluo com significado fsico s possvel, neste caso, quando V>0V.

Ser que sempre possvel determinar uma soluo analtica para o circuito representado na figura 4
qualquer que seja a caracterstica algbrica do dispositivo no-linear? A resposta no. Mesmo que a
caracterstica fosse polinomial, se substituirmos iD na equao (1) por um polinmio de vD de ordem
superior a quatro j no existe uma soluo analtica.

e
0
e
1
1

0

+
V
-
v
D

R

i
D

-1
0
1
2
3
4
5
-2 -1 0 1 2
i
D
(
m
A
)
vD(V)
Caracterstica de Rnl
Eq. topolgica
V
B
A



TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 9

1.3.1.2 DODOS DE JUNO SEMICONDUTOR

Considere-se ento o circuito da figura 8 em que se substituiu o elemento no-linear D por um dodo
de juno semicondutor.










Figura 8

Como j visto o dodo de juno D tem uma caracterstica corrente-tenso dada por:

1
D
T
v
v
D S
i I e

| |
= |
|
\


A substituio desta expresso na equao topolgica do circuito, (1), conduz a:
1
1
1 0
T
e
v
S
e V
I e
R

| |

+ = |
|
\

Esta equao no tem soluo analtica pois no possvel obter analiticamente
e1=f(V). Vamos neste caso mostrar como se obtm a corrente e a tenso no dodo
utilizando um mtodo numrico simples. Figura 9
Em todos os mtodos numricos a aproximao inicial fundamental para assegurar a convergncia
do mtodo. Atendendo caracterstica do dodo de juno semicondutor h duas aproximaes iniciais
usualmente utilizadas consoante o dodo est a funcionar na regio de polarizao directa, vD>0V, ou
inversa, vD0V.

Atendendo a que e1=vD as equaes que nos vo servir para aplicar o mtodo numrico so:


1
1
1
0 (1)
1 ln 1 (2)
T
D
e
v D
D S T
S
e V
i
R
i
i I e e v
I

+ =

| |
| |

= = + |
|
|

\
\



i
D

D
+
V
-
v
D

R


i
D

e
0
e
1
1

0

+
V
-
v
D

R




TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 10


i. vD0V

Quando vD0V pode-se utilizar como aproximao inicial um valor vD=0V. A aplicao do mtodo
numrico iterativo do ponto fixo segue os seguintes passos:

1 Iterao 2 Iterao


3 Iterao


Graficamente pode-se descrever este processo como representado na figura 10.

Figura 10 Ilustrao grfica da aplicao do mtodo iterativo do ponto fixo soluo das equaes
(1) e (2).
Representam-se no grfico o ponto correspondente primeira iterao, A, e os pontos
correspondentes segunda iterao, B e C. Os pontos seguintes neste grfico estariam sobrepostos ao
ponto C. O nmero de iteraes depende da preciso com que se deseje conhecer a soluo.
A determinao de iD0,1,2n deve ser realizada a partir da equao topolgica e no da caracterstica do
dodo (Porqu?).
-5,00E-03
0,00E+00
5,00E-03
1,00E-02
0 5
i
D
(
m
A
)
vD(V)
Caracterstica do dodo Eq. topolgica
10 10 10
10
0
0 ( , )
(1)
D
D
e V Ponto A e i
V e
i
R
=

=
( )
( )
0
11 0 11
11
1 1 11
(2) ln 1 ,
(1) ,
D
T D
S
D D
i
e v Ponto B i e
I
V e
i PontoC i e
R
| |
= +
|
\

=
1
12
12
2
(2) ln 1
(1)
D
T
S
D
i
e v
I
V e
i
R
| |
= +
|
\

=
A
B
C



TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 11


ii. vD<0V
Quando vD<0V utiliza-se comummente a aproximao inicial iD=-IS. A aplicao do mtodo numrico
iterativo do ponto fixo segue os seguintes passos:

1 Iterao 2 Iterao


Como IS normalmente muito pequeno (<1uA) e sendo a resistncia R da ordem do k a convergncia
do processo usualmente muito rpida e tem-se vD=e1V<0V.

Deve-se notar, que ao contrrio do que aconteceu na zona de polarizao directa, toma-se aqui como
aproximao inicial um valor de corrente e no de tenso. A razo deve-se a que nesta regio a
corrente normalmente muito pequena, e aproximadamente igual a IS, sendo deste modo iD-IS uma
boa aproximao inicial.

Mas a anlise de circuitos no-lineares complica-se quando o circuito tem um grande nmero de
elementos.
Se s existir um elemento no-linear a utilizao do Teorema de Thvenin-Norton permite representar
o circuito visto dos terminais do elemento no-linear pelo seu equivalente de Thvenin ou de Norton e
obter assim um circuito do tipo dos analisados nesta seco.
Considere-se por exemplo o circuito da figura 11. Para simplificar a anlise do problema calcula-se o
equivalente de Thvenin visto dos terminais do elemento no-linear e obtm-se um circuito do tipo
dos j analisados. Calcula-se ento, tal como j visto, a corrente iD e a tenso vD.






Figura 11 (a) Circuito a analisar. (b)Circuito equivalente ao de (a) utilizando o equivalente de
Thvenin visto dos terminais bb.


0
10 0
(1)
D S
D
i I
e V Ri
=
=
10
1
11 1
(2) 1
(1)
T
e
v
D S
D
i I e
e V Ri

| |
= |
|
\
=

D
R
2 R
3
i
3
b b
+
V
-
v
D

R
1
i
D


I



(a)

D
+
V
TH

-


v
D

R
TH
i
D

b
b
(b)



TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 12

1.3.2 MTODO GRFICO





TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 13

1.3.3 MTODO LINEAR POR TROOS
Neste mtodo a caracterstica dos dispositivos no-lineares aproximada por um conjunto de
segmentos de recta. Assim o problema no-linear transformado num problema linear. no entanto
necessrio resolver o sistema de equaes que descreve o circuito num conjunto de intervalos que
funo do nmero de segmentos de recta utilizados para aproximar a caracterstica dos elementos
no-lineares.
Vejamos um exemplo. Considere-se o circuito com um dodo de juno semicondutor da figura 8.
Admita-se que a caracterstica do dodo aproximada pela caracterstica de um dodo ideal, composta
por dois segmentos de recta, tal como representado na figura 12.

Figura 12

Atendendo discretizao da caracterstica do dodo o sistema de equaes tem que ser resolvido em
dois intervalos correspondentes s situaes vD<0V e vD=0V.
i. vD<0V
De acordo com a figura, a caracterstica corrente tenso do dodo neste intervalo
dada por:
vD<0V, iD=0A
Assim sendo o dodo comporta-se como um circuito aberto e necessrio
determinar as correntes e tenses do circuito da figura 13.
Aplicando o mtodo dos ns obtm-se a equao do circuito: Figura 13
1
0 (1)
D
e V
i
R

+ =


-2,0E-03
0,0E+00
2,0E-03
4,0E-03
6,0E-03
8,0E-03
1,0E-02
-1 -0,5 0 0,5 1
i
D
(
A
)
vD(V)
Caracterstica do dodo Modelo ideal

i
D

e
0
e
1
1

0

+
V
-
v
D

R




TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 14

Substituindo a corrente iD de acordo com a expresso da caracterstica vlida neste intervalo obtm-se:
1
1
0 0
e V
R
e V

+ =
=

Assim enquanto V<0V tem-se e1=vD=V<0V e iD=0A.

ii. vD=0V
De acordo com a figura neste intervalo a caracterstica corrente tenso do dodo
dada por:
vD=0V, iD 0A

O dodo comporta-se como um curto-circuito. O circuito a analisar est

representado na figura 14. A equao que descreve o circuito :
0 (3)
D
V Ri + =
De (3) obtm-se: Figura 14
D
V
i
R
=
Assim enquanto V 0V tem-se vD=0Ve iD=V/R.



i
D

+
V
-
v
D

R




TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 15

1.3.4 MTODO INCREMENTAL OU DE PEQUENOS SINAIS
Em electrnica existem muitas aplicaes em que os elementos de circuito operam numa gama de
valores de corrente e tenso muito pequena. Ao mtodo de anlise que resulta de linearizar os
modelos no-lineares nessa gama restrita de valores chama-se mtodo de anlise incremental ou de
pequeno sinal.

O mtodo incremental ou de pequenos sinais baseia-se na linearizao da caracterstica no-linear em
torno de um dado ponto da caracterstica corrente tenso do dispositivo no-linear. O mtodo til
quando a excitao do circuito envolve fontes de tenso e ou corrente contnuas e fontes de tenso e
ou corrente variveis no tempo.

Para identificar as componentes contnuas e as variveis no tempo das correntes e tenses utiliza-se a
seguinte conveno:

va, ia componentes variveis no tempo (tudo letras minsculas)

VA, IA componentes contnuas (tudo letras maisculas)
vA, iA variveis totais (identificao da corrente ou tenso letra minscula, ndice letra
maiscula). vA= VA+ va , iA= IA+ ia


Considere-se de novo o circuito da figura 2 mas em que agora a tenso vA dada por vA=VA+va com
va=A sen(t) e VA um valor de tenso constante.

Vamos desenvolver em srie de Taylor a caracterstica corrente-tenso do elemento no-linear D.


Tem-se ento:

( ) ( )
2
2
2
, ,
1
...
2!
D D D D
D D
D D D D D D
D D
I V I V
i i
i I v V v V
v v

= + + +




O ponto (ID, VD) o ponto em torno do qual se desenvolve em srie de Taylor a caracterstica do
elemento D. Desprezando os termos de ordem superior primeira e rearranjando os diferentes termos
tem-se:









O par (id, vd) corresponde s variaes da corrente e da tenso em torno do ponto (ID, VD). A relao
entre id e vd linear e o coeficiente de proporcionalidade tem dimenses de condutncia (Ohm
-1
) e
( )
,
,
D D
D D
D
D D D D
D
I V
D
d d
D
I V
d d
i
i I v V
v
i
i v
v
i g v

=



TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 16

designado por g. Esta condutncia chamada de condutncia incremental pois relaciona no os
valores totais da corrente e da tenso mas sim as variaes da corrente e da tenso em torno do ponto
(ID, VD). Tambm por vezes se fala na resistncia incremental r sendo r=1/g.













Figura 15 - Interpretao geomtrica do modelo incremental


A interpretao geomtrica deste resultado fica clara analisando a figura 15.
A condutncia incremental g corresponde ao declive da recta tangente
caracterstica do elemento no-linear no ponto (ID, VD).

Na definio do mtodo o ponto (ID, VD) calculado considerando s a
existncia da componente de vA contnua, VA. Como no seu clculo s se
entra em conta com as fontes de tenso e ou corrente constante o ponto (ID,
VD) tambm se designa por ponto de funcionamento em repouso (P.F.R.). No
clculo deste, considera-se a caracterstica no-linear do elemento de
circuito D, ver figura 16. Figura 16

O circuito incremental como j dito relaciona as variaes de tenso e
corrente em torno do ponto de funcionamento em repouso. Aqui o elemento
no-linear substitudo pela resistncia incremental r e s se considera a
componente varivel das fontes de tenso e ou corrente do circuito, ver
figura 17.

A corrente total iD e a tenso total vD so assim dadas por:


Figura 17

A validade do modelo incremental exige que o cociente entre o 1 termo do desenvolvimento em srie
que foi desprezado e o termo linear seja muito menor que 1 ou seja que:

2
2
,
,
1
2!
1
D D
D D
D
d
D
I V
D
D
I V
i
v
v
c
i
v

= <<

D
+
V
A
-
V
D

R

I
D


+
v
a
-
v
d

R

i
d

r
iD
vD
id
vd
0
Declive g
D D d
D D d
i I i
v V v
= +
= +



TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 17


No caso do dodo de juno semicondutor esta condio implica que vd deve ser inferior a um valor
que varia entre 5 e 10mV.

Resumindo, o mtodo sistemtico de clculo das correntes e tenses incrementais num circuito inclui
os seguintes passos:
1. Determinar o ponto de funcionamento em repouso do circuito:
a. Anulam-se todas as fontes de corrente e ou tenso variveis no tempo.
b. Qualquer um dos mtodos analtico, grfico, de linearizao por troos ou os mtodos
numricos podem ser utilizados nessa determinao.
2. Determinar o modelo incremental dos elementos no-lineares.
3. Construir o circuito incremental:
a. Anulam-se todas as fontes de tenso e ou corrente contnuas.
b. Substituem-se os elementos no-lineares pelos seus modelos incrementais.
c. Obtm-se a soluo utilizando qualquer um dos mtodos aplicveis a circuitos lineares.





TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 18

1. 4 CIRCUITOS COM MAIS DO QUE UM ELEMENTO NO-LINEAR







TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 19





TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 20







2 PROBLEMAS RESOLVIDOS

TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 21

2. 1 APLICAO DOS MTODOS DE RESOLUO ANALTICO, LINEAR
POR TROOS E NUMRICO (PONTO FIXO)
2.1.1 PROBLEMA 1
Considere o circuito da figura 1.
Figura 1 - R=3k, R1=1k. vT(T=293K)=25mV. Dodo: =2, IS=2nA, WG=1eV.

Nestas condies:
a. Admita que v1=-6 e 6V. Nestas condies calcule a corrente iD e a tenso v0, e a
potncia posta em jogo no dodo e na resistncia R quando:
1. O dodo descrito pelo modelo de dodo ideal.
2. O dodo descrito pelo modelo de dodo com tenso constante.
3. O dodo descrito pelo modelo da equao (1).
b. Compare com os resultados das alneas 1, 2 e 3.
c. Substitua o dodo por um elemento no linear com a seguinte caracterstica
corrente-tenso:
( )
2
0
D t
D
D t D t
v V
i
k v V v V

<

Sendo k=2 10
-3
AV
-2
, Vt=0,7V e v1=6V, calcule a corrente iD e a tenso v0, e a
potncia posta em jogo no dodo e na resistncia R.



R
1

v1
R
v0
iD
+
-
vD
) 1 ( 1 e I i
T
D
v
v
S D
|
|

\
|
=

TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 22

Resoluo
a)
a.1) No modelo do dodo ideal o dodo descrito por um curto-
circuito quando em conduo e por um circuito aberto quando em
corte. Deste modo tem-se:
i) =
I D D
v 0 V v 0V,i 0 dodo em conduo. O circuito
equivalente ento:

v
I

R v0
iD
+
-
= = =
= =
= = = =
D 0 I
I
D
D D D R 0 D
v 0 V ; v v 6 V
v
i 2 mA
R
P v i 0W ; P v i 12 mW

ii) < < =
I D D
v 0 V v 0V, i 0 dodo cortado. O circuito equivalente ento dado por:

=
+
=
=
=
=
=
= = = =
0 I
1
0
R
D
D
2
R
D D D R
R
v v
R R
4,5 V
v
i
R
1,5 mA
i 0A
v 1,5 V
v
P v i 0 W ; P 6,75 mW
R
v
I
R v0
+
-
R
1

V
D

a.2) O modelo do dodo com tenso constante corresponde a considerar o dodo como um
circuito aberto quando no conduz corrente e como uma fonte de tenso de valor

v
quando em conduo.


v
D

i
D

v 0


v
D

i
D

0

TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 23

Deste modo tem-se:
i)

=
I D D
v v v V , i 0

v
I

R
v0
+
-

v
R
1

+


= = =
=

= =
=
= =
D 0 I
R
3
3
D R R1
1
R D
v v ; v v v 5,3 V
5,3
i 1,77 mA
3 10
v
i i i 1,77 10
R
1,07 mA
P 9,38 mW ; P 0,75 mW

ii)

< =
I D
v V i 0A
=
+
=
=
=
=
=
= = = =
0 I
1
0
R
D
D
2
R
D D D R
R
v v
R R
4,5 V
v
i
R
1,5 mA
i 0A
v 1,5 V
v
P v i 0 W; P 6,75 mW
R

v
I
R v0
+
-
R
1

V
D
Os resultados nesta situao so iguais aos obtidos na alnea a.1) para vI < 0V.

a.3) Se o dodo for descrito pelo modelo da equao (1), as equaes do circuito a resolver
so no-lineares ao contrrio do que aconteceu em a.1) e a.2).Para ultrapassar este
problema pode-se adoptar a seguinte estratgia:
1. Determinar o equivalente de Thvenin visto dos terminais do dodo.
2. Calcular com o circuito equivalente os valores de
D
i e
D
v .
3. Regressar ao circuito inicial e calcular as restantes grandezas pedidas.



TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 24


v
I

R
v0
D
v
R
1

a
a
D
i
+

V
TH

+ ++ +

R
TH

D
i
v
D


Deste modo tem-se:
EQUIVALENTE DE THVENIN AOS TERMINAIS DO DODO (aa)

i) Clculo de
TH
v ii) Clculo de
TH
R

1
TH I
1
R
v v
R R
=
+

TH 1
R R // R 750 = =

CLCULO DE ID E VD
i)
I D TH
v 6 V v 0 , V 1,5 V = > =
( )
D T
TH TH D D
v v
D S
v R I v 0 (1)
I I e 1 (2)

+ + =

1 Iterao
D0
V 0 V = 2 Iterao
(i)
TH D0
D1
TH
v v
I 2 mA
R

= = (i)
TH D1
D2
TH
v v
I 0,810 mA
R

= =
(ii)
D1
D1 T
S
I
v v ln 1 0,69 V
I
| |
= + =
|
\
(ii)
D2
v 0,65 V =

3 Iterao 4 Iterao

D3
I 1,14 mA =
D4
I 1,12 mA =

TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 25


D3
v 0,66 V =
D4
v 0,66 V =
CLCULO DE v0, PR E PD
D
0 D
1
V
v R i 5,33 V
R
| |
= + =
|
\

( )
3
3
R
P 5,33 3 10 9,47 mW = =
D
P 0,74 mW =

ii)
I D TH
v 6 V v 0 , v 1,5 V = < =
CLCULO DE ID E VD
( )
D T
TH TH D D
v v
D S
v R I v 0 (1)
I I e 1 (2)

+ + =

1 Iterao ( )
D0
v 1,5 V =


( )
D0 T
v v
D1 S S
I I e 1 I

=

=

=
D1 TH TH D1
TH
D1 D0
v v R I
v
1,5 V v v


CLCULO DE v0, PR E PD

3 3 D
0 D
1
v
v R I 1,5 10 3 10 4,5 V
R

| |
= + =
|
\

= =
D D D
P v I 3 nW

2
0
R
v
P 6,75 mW
R
= =
a.4)
Comparando os trs mtodos verifica-se que:

TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 26

Quando
I
v 6 V = os resultados so semelhantes com os trs modelos
indicados.
Quando
I
v 6 V = + os resultados obtidos em a.2) e a.3) no diferem
significativamente. J o mesmo no se pode dizer quando se comparam os resultados
de a.1) com os de a.2) e a.3).
Os modelos utilizados descrevem a caracterstica real com uma fidelidade crescente
quando se passa do modelo de a.1) para o de a.2) e para o de a.3). O modelo utilizado em
a.3) um modelo de base fsica e assim permite tambm calcular o modo de variao das
caractersticas com alguns parmetros, como por exemplo a temperatura.

c)
O elemento no-linear tem agora uma caracterstica corrente-tenso parablica para
vD>Vt. Utiliza-se a mesma estratgia da alnea a.3. O equivalente de Thvenin visto dos
terminais do elemento no-linear o mesmo. Temos ento que resolver o seguinte
circuito:

CLCULO DE ID E VD

v
I

R
v0
D
v
R
1

a
a
D
i
+

V
TH

+ ++ +

R
TH

D
i
v
D

R
NL

R
NL


TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 27

Na figura representa-se o sistema de equaes constitudo pelas equaes (1) e (2) que
temos de resolver. A soluo pretendida a interseco das curvas correspondentes.

A soluo pode ser obtida analiticamente. Como se observa no grfico a tenso vD maior
que Vt e a corrente iD positiva. Assim substituindo (2b) em (1) tem-se:




A soluo () no possvel pois resulta em (vD-Vt)<0V o que viola a condio de validade
da equao (2b). Assim resulta:
vD=1,169V
iD=0,44mA
Obtidos os valores de iD e vD resulta PD=0,51mW e:
R I D
R
R R R
v = v - v
= 4.83V
i =1,61mA
P = v i
= 7.78mW


0
0,5
1
1,5
2
2,5
0 0,5 1 1,5 2
I
D
(
m
A
)
VD(V)
Caracterstica de Rnl Eq. topolgica
( )
+ + =

<

TH TH D D
D t
D
2
D t D t
v R I v 0 (1)
0 v V (2a)
i
k v V v V (2b)
( )
( ) ( )
( )
+ + =
+ + + =

= +

2
TH TH D t D
2
TH t TH D t D t
D t TH TH t
TH
v R k v V v 0
v V R k v V v V 0
1
v V 1 1 4R k(v V )
2R k

TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 28

2. 2 MTODO INCREMENTAL OU DE SINAIS FRACOS
2.2.1 PROBLEMA 1









Figura 1 - vi=Vcost, com V=500mV, =2f, f=1kHz, R1=1k, R2=1k. V

=0,6V, vT(293K)=
25mV, IS=10
-8
A, =2.

Considere o circuito da figura 1. O dodo D1 descrito pelo modelo da equao 1. Nestas
condies calcule:
a. O ponto de funcionamento em repouso do dodo quando VCC=5 e 10V.
b. O valor da relao incremental v0/vi para cada um dos pontos de
funcionamento em repouso calculados na alnea anterior.

Resoluo
a) Clculo do Ponto de Funcionamento em Repouso
O circuito equivalente que se obtm, calculando o equivalente de Thvenin visto dos
terminais aa, :

+ +
VCC
D1
R2
~ i
v
o
v
R1
) 1 ( 1 e I i
T
D
v
v
S D
|
|

\
|
=

V
CC

R
1

R
2
v0
+

V
TH

+ ++ +

R
TH

D
i
v
D

D
v
a
a
iD

TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 29


EQUIVALENTE DE THVENIN VISTO DOS TERMINAIS DO DODO (aa)
i) Clculo de
TH
v ii) Clculo de
TH
R
=
+
1
TH CC
1 2
R
v v
R R

=
=
TH 1 2
R R // R
500


VCC=5V - CLCULO DE ID E VD
i) = > =
I D TH
v 5 V v 0 , V 2,5 V
( )
D T
TH TH D D
v v
D S
v R I v 0 (1)
I I e 1 (2)

+ + =

1 Iterao
D0
V 0 V = 2 Iterao
(1)

= =
TH D0
D1
TH
v v
I 5 mA
R
(1)

= =
TH D1
D2
TH
v v
I 3,68 mA
R

(2)
| |
= + =
|
\
D1
D1 T
S
I
v v ln 1 0,66 V
I
(2) =
D2
v 0,64 V

3 Iterao 4 Iterao
=
D3
I 3,72 mA =
D4
I 3,72 mA
=
D3
v 0,64 V =
D4
v 0,64 V


VCC=10V - CLCULO DE ID E VD

i) = > =
I D TH
v 10 V v 0 , V 5 V

TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 30

( )
D T
TH TH D D
v v
D S
v R I v 0 (1)
I I e 1 (2)

+ + =

1 Iterao
D0
V 0 V = 2 Iterao
(1)

= =
TH D0
D1
TH
v v
I 10 mA
R
(1)

= =
TH D1
D2
TH
v v
I 8,62 mA
R

(2)
| |
= + =
|
\
D1
D1 T
S
I
V v ln 1 0,69 V
I
(2) =
D2
V 0,68 V
3 Iterao
=
D3
I 8,64 mA
=
D3
V 0,68 V


b) Clculo da relao incremental v0/vi
O circuito incremental est representado na figura seguinte sendo r a resistncia
incremental do dodo.






A relao v0/vi assim dada por:
1
0
1 2 i
r R
v
v r R R
=
+

O clculo desta relao exige a determinao do valor de r. Sendo g o inverso de r tem-se:


D1
R2
~ i
v
o
v
R1
R2
~ i
v
o
v
R1
r

. . .
|
D
T
D
P F R
D
V
v
S
T
D
T
i
g
v
I e
v
I
v

TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 31





Deste modo obtm-se para VCC=5, 10V:










Da anlise dos cocientes anteriores resulta que a relao entre a componente varivel do
sinal na sada e na entrada inferior relao entre a componente contnua do sinal na
sada e na entrada. Dito de outro modo a componente varivel sofre uma atenuao
superior componente contnua e o circuito tem assim uma aco de regulao da tenso
contnua na sada.


3 0
5 3, 72
6, 72
6, 631 10
0,128
0,1
CC D
i
D
CC
i
CC
V V I mA
r
v
v
V
V
v
V

= =
=
=
=
=
3 0
10 8, 64
2,89
2, 87 10
0, 068
0, 05
CC D
i
D
CC
i
CC
V V I mA
r
v
v
V
V
v
V

= =
=
=
=
=

TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 32


2. 3 MTODO DA LINEARIZAO POR TROOS
2.3.1 PROBLEMA 1

Figura 1

Na figura 1 (a) est representado um circuito rectificador de meia-onda. O dodo descrito
pelo modelo com tenso constante sendo V

= 0,7V. Nestas condies:
a. Calcule a relao v0=f(v1) e o valor mximo da tenso rectificada.
b. Calcule o valor mximo da corrente no dodo.
c. Calcule a tenso inversa mnima no dodo.
d. Determine o ngulo de conduo do dodo.
e. Calcule o valor mdio de v0.

Resoluo
a) Sendo o dodo descrito pelo modelo com tenso constante tem-se:



O valor mximo da tenso
1
v
v1
iD
R v0
~
vD
R=2k
A=32,5V
f=50Hz
V1=A sen(t)

D
i
D
v
V

0
v
V

1
v

=
0 1
v v V

< =
> =
1 0
1 0 1
v V v 0V
v V v v V

TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 33

=
max
1
v 32,5 V
e o valor mximo da tenso rectificada
0
v

=
=

max max
0 1
v v V
32,5 0,7
31,8 V

b) A corrente no dodo

=
1
D
v V
i
R

e o seu valor mximo assim

=
max
max
1
D
v V
i 15,9 mA
R

c) A tenso no dodo
=
D 1 0
v v v
A tenso inversa mnima o valor mnimo de vD quando o dodo est polarizado
inversamente,
D
v 0 < . Como nesta situao, e de acordo com o modelo do dodo, =
D
i 0A
ento =
0
v 0V. Assim tem-se:




d) Sendo =
1 m
v V sen , com =
m
V 32,5 V e t = , e igualando
1
v a V

tem-se:
-6
-4
-2
0
2
4
6
0 2 4 6 8
v
I
(
V
)
,

v
0
(
V
)
t(rad/s)
vI
v0

=
= =
M 1
1
m
2
1
V sen V
V
sen
V
1,23 2,2 10 rad
= =
min min
D 1
v v 32,5 V
1

1


V

TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 34

iD
V

=0V
0 vD


Deste modo o ngulo de conduo dado por:



e) O valor mdio da tenso v0 :
( )
0 m
1
v V sen V d
2
+

m
m
V
V cos
V
2
V
V
2

= +

vlido quando muito pequeno.

2.3.2 PROBLEMA 2


(a) (b)
Figura 2 (a) vI=V cos t, com V=5V, = 2f e f=1kHz. R=1k, V1=2V e V2=3V.

Considere o circuito da figura 2(b). O modelo dos dodos D1,2 est representado na figura
2(a). Nestas condies:
a. Calcule v0 e iR quando vi=-4V, 0V e 4V

-
V
2
+
D1
R
~ I
v
o
v
D2
+
V
1
-
i
R
=
=
1
2
177,54

TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 35

b. Represente graficamente vI, v0 e iR como funo do tempo.
Resoluo
As equaes topolgicas que descrevem o circuito da figura 2 so:
1 2
0
0
R
I R
i i i
v Ri v
=

+ + =

a)
1. VI=-4V. Admite-se como hiptese que D1 est cortado e D2 em conduo. Nesta
situao tem-se:




Todos os resultados obtidos so coerentes com a hiptese feita, vD1<0V , vD2=V

. Deste
modo a hiptese est correcta.

2. VI=4V. Admite-se como hiptese que D2 est cortado e D1 em conduo. Nesta
situao tem-se:




Todos os resultados obtidos so coerentes com a hiptese feita, vD2<0V , vD1=V

.
Deste modo a hiptese est correcta.

3. VI=0V. Admite-se como hiptese que D1 e D2 esto cortados.

Nesta situao tem-se:




0 2 2
3
3, 7
D
v v V
V
V

=
=
=
2
0
0,3
R
I
i i
v v
R
mA
=

=
=
0 1 1
2
2, 7
D
v v V
V
V

= +
= +
=
1
0
1,3
R
I
i i
v v
R
mA
=

=
=
0
0
0
0
I R
v Ri v
v V
+ + =
=
0 2 2
2 0
2
2
4, 7
D
D
D
v v V
v v
v V
=
=
=
0 1 1
1 0
1
3
0, 7
D
D
D
v v V
v v
v V
= +
=
=

TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 36


Deste modo obtm-se para vD1 e vD2:



Como as tenses vD1 e vD2 so menores que zero ambos os dodos esto cortados
confirmando-se a hiptese feita.

b)

Figura 3 Variao de vI e v0 com o tempo.

-6
-4
-2
0
2
4
6
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2
v
I
(
V
)
,
v
0
(
V
)
t(ms)
vI
v0
0 1 1
1 0 1
3
D
D
v v V
v v V
V
= +
=
=
0 2 2
2 0 2
2
D
D
v v V
v v V
V
=
=
=
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2
i
R
(
m
A
)
t(ms)
iR

TCFE Antnio Baptista Ano lectivo 2010/2011 37

Figura 4 Variao de iR com o tempo.