Вы находитесь на странице: 1из 8

Поз.

обозна- Наименование Кол. Примечание


чение
A1 Плата управления ШПЖИ5.186.017 1

BQ1 Резонатор кварцевый HC49SMD 8 MHz 20pF 30ppm 1


"Fronter Electronics CO., LTD"

Конденсаторы
С1-С3 ЧИП 0603 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 3
С4 EHR 10 мкФ, 25 В, ±20% "Hitano" 1
С5 ЧИП 0603 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
С6 ЧИП 0805 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
C7 MEX X2 MKP 0,68 мкФ, 275 В B81130C1684M “Epcos” 1
C8 EHR 470 мкФ, 25 В, ±20% "Hitano" 1
C9 EHR 470 мкФ, 50 В, ±20% "Hitano" 1
C10 EHR 1000 мкФ, 35 В, ±20% "Hitano" 1
C11 ЧИП 0805 18 пФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
C12 DE1E3KX222MB5BA01 "muRata" 1
C13-C15 ЧИП 0805 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 3
C16 ЧИП 0805 18 пФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
C17 ЧИП 0603 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
C18 MEX X2 MKP 0,68 мкФ, 275 В B81130C1684M “Epcos” 1
C19,C20 DE1E3KX472MA5BA01 "muRata" 2
C21 ЧИП 0805 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
C22 EHR 47 мкФ, 25 В, ±20% "Hitano" 1
C23 EHL исп. B 150 мкФ, 400 В, ±20% "Hitano" 1
C24 ЧИП 0805 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
м. инв.№

C25 EHL исп. B 150 мкФ, 400 В, ±20% "Hitano" 1


Взам.

C26 EHR 47 мкФ, 25 В, ±20% "Hitano" 1


C27,C28 ЧИП 0805 0,01 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 2
C29 ЧИП 0805 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
C30 MEX X1 MKP 0,22мкФ, 330 В B32912-A2224M “Epcos” 1

ШПЖИ3.105.004 ПЭ3
Изм Лист. № докум. Подп. Дата
Разраб. Рощина УСТРОЙСТВО ПРИВОДА Лит. Лист Листов
Пров. Кравцов 1 8
ДВЕРЕЙ КАБИНЫ ЛИФТА А

УПДКЛ-2.0
Н.контр. Валиева
Перечень элементов
Утв. Чех
Поз.
обозна- Наименование Кол. Примечание
чение
C31,C32 ЧИП 0805 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 2
C33 ЧИП 0805 0,01 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
C34 ЧИП 0805 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
C35 Танталовый ЧИП 47 мкФ, 16 В, ±20%, тип С “Epcos” 1
C36 ЧИП 0805 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
C37 ЧИП 0805 0,01 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
C38 EHR 47 мкФ, 25 В, ±20% "Hitano" 1
C39-С43 ЧИП 0805 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 5
C44 ЧИП 0603 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
C45-С47 ЧИП 0805 0,01 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 3
C48 ЧИП 0603 1000 пФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
C49-С52 ЧИП 0603 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 4
C53 ЧИП 0805 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
C54-C56 ЧИП 1206 2,2 мкФ, X7R, +10%, 50 В "SAMSUNG" 3
C57 ЧИП 0603 1000 пФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
C58- C60 ЧИП 0603 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 3
С61 ЧИП 0603 1000 пФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1
С62,С63 ЧИП 0603 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 2
С64 ЧИП 0603 1000 пФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1

Микросхемы
DA1 TNY275PN "Power Integration" 1
DА2 TL431ACLP "Fairchild" 1
DA3 MC7815ACD2T "Motorola" 1
DA4 LD1117AS33TR "ST Microelectronics" 1
м. инв.№

DA5 LM1117MPX-5.0 "National Semiconductor" 1


Взам.

DA6 LM2903M "National Semiconductor" 1

DD1 STM32F100C8T6 "ST Microelectronics" 1


DD2 SN74HCT14D “Texas Instrument” 1

Лист
ШПЖИ3.105.004 ПЭ3
Изм Лист № докум. Подп. Дата 2
Поз.
обозна- Наименование Кол. Примечание
чение
F1 Предохранитель Н520-4 А, 250 В "Платан" 1
F2- F6 Вставка плавкая ВПБ6-1 0,16 А, 250 В ОЮ0.481.021 ТУ 5

HL1- HL4 Светодиод LG-170HR-CT "Ligitek Electronics Co., LTD" 4

K1-K3 Реле G5V-1 5 VDC "Omron" 3

L1 Дроссель ШПЖИ4.759.013 1
L2 Дроссель ШПЖИ4.759.009-01 1
L3 Дроссель HLSD75-330K-LF "Hlyxin electronics Co., LTD" 1 33 мкГн, SMD

Резисторы
ЧИП "muRata"
R1, R2 ЧИП 1206, ±5 %, 2,2 МОм 2
R3 ЧИП 0805, ±5 %, 4,7 кОм 1
R4 ЧИП 0805, ±5 %, 10 Ом 1
R5 – R8 ЧИП 0805, ±5 %, 4,7 кОм 4
R9,R10 ЧИП 0805, ±5 %, 10 кОм 2
R11- R13 ЧИП 0805, ±5 %, 2 кОм 3
R14-R16 ЧИП 0805, ±5 %, 4,7 кОм 3
R17 ЧИП 0805, ±5 %, 2 кОм 1
R18 ЧИП 0805, ±5 %, 4,7 кОм 1
R19 ЧИП 0805, ±5 %, 30 Ом 1
R20 ЧИП 0805, ±5 %, 2 кОм 1
R21 ЧИП 0805, ±5 %, 1 кОм 1
R22 ЧИП 0805, ±5 %, 470 Ом 1
м. инв.№

R23, R24 ЧИП 0805, ±1 %, 4,7 кОм 2


Взам.

R25- R30 ЧИП 0805, ±5 %, 470 Ом 6


R31 ЧИП 0805, ±5 %, 30 Ом 1
R32 ЧИП 2512, ±5 %, 36 кОм 1
R33, R34 ЧИП 0805, ±5 %, 1 кОм 2
R35- R39 ЧИП 2512, ±5 %, 1 Ом 5
R40 ЧИП 2512, ±5 %, 36 кОм 1

Лист
ШПЖИ3.105.004 ПЭ3
Изм Лист № докум. Подп. Дата 3
Поз.
обозна- Наименование Кол. Примечание
чение
R41 ЧИП 0805, ±1 %, 24 кОм 1
R42- R47 ЧИП 0805, ±5 %, 220 Ом 6
R48 ЧИП 0805, ±5 %, 1 кОм 1
R49 ЧИП 0805, ±1 %, 2 кОм 1
R50 ЧИП 0805, ±1 %, 4,7 кОм 1
R51-R56 ЧИП 0805, ±5 %, 4,7 кОм 6
R57, R58 ЧИП 0805, ±1 %, 24 кОм 2
R59 ЧИП 0805, ±5 %, 300 Ом 1
R60 ЧИП 2512, ±5 %, 36 кОм 1
R61 ЧИП 0805, ±1 %, 24 кОм 1
R62 ЧИП 0805, ±5 %, 300 Ом 1
R63- R65 ЧИП 0805, ±5 %, 1 кОм 3
R66 ЧИП 0805, ±5 %, 2 кОм 1
R67- R69 ЧИП 0805, ±5 %, 1 кОм 3
R70 ЧИП 0805, ±5 %, 2 кОм 1
R71 ЧИП 0805, ±5 %, 4,7 кОм 1
R72-R74 ЧИП 0805, ±5 %, 1 кОм 3
R75 ЧИП 0805, ±5 %, 2 кОм 1
R76 ЧИП 0805, ±5 %, 220 Ом 1
R77 ЧИП 0805, ±5 %, 4,7 кОм 1
R78, R79 SQP 5 Вт, 39 Ом, ±5 % 2
R80 ЧИП 0805, ±1 %, 4,7 кОм 1
R81 ЧИП 0805, ±5 %, 300 Ом 1
R82 ЧИП 2512, ±5%, 0,1 Ом 1
R83 ЧИП 0805, ±5 %, 4,7 кОм 1
R84 ЧИП 2512, ±5%, 0,1 Ом 1
м. инв.№

R85 ЧИП 2512, ±5%, 2 кОм 1


Взам.

R86 ЧИП 2512, ±5%, 0,1 Ом 1


R87 ЧИП 2512, ±5%, 2 кОм 1
R88 ЧИП 0805, ±5 %, 1 кОм 1
R89, R90 ЧИП 2512, ±5%, 680 Ом 2
R91 ЧИП 0805, ±5 %, 2 кОм 1
R92, R93 ЧИП 0805, ±5 %, 4,7 кОм 2
R94 ЧИП 0805, ±5 %, 10 кОм 1

Лист
ШПЖИ3.105.004 ПЭ3
Изм Лист № докум. Подп. Дата 4
Поз.
обозна- Наименование Кол. Примечание
чение
R95, R96 ЧИП 0805, ±1 %, 4,7 кОм 2
R97 ЧИП 0805, ±5 %, 1 кОм 1
R98 ЧИП 0805, ±5 %, 2 кОм 1
R99 ЧИП 0805, ±5 %, 1 кОм 1
R100- ЧИП 0805, ±5 %, 3 кОм 2
R101
R102 ЧИП 0805, ±5 %, 1 кОм 1
R103 ЧИП 0805, ±5 %, 300 Ом 1
R104 ЧИП 0805, ±5 %, 2 кОм 1
R105 ЧИП 0805, ±5 %, 1 кОм 1

RК1 Термистор B57237-S 479-M 5А , 4,7 Ом "Epcos" 1

RU1 Варистор FNR14K431 "Fenghua" 1


S1 Переключатель SWD1-4 “Connfly” 1
T1 Трансформатор ШПЖИ4.777.073 1

U1 Модуль транзисторный IRAM256-1067А2 1


"International Rectifier"

UZ1 Мост выпрямительный KBPC610 6 А, 1000 В 1


"International Rectifier"

VD1 Стабилитрон P6SMB180A "Motorola" 1


VD2 Диод FR1K "DC Components" 1
VD3-VD5 Диод ES1B "Vishay" 3
м. инв.№

VD6 Стабилитрон SMBJ6.0 CA "Taiwan Semiconductor" 1


Взам.

VD7 Диод BAV99 "Infineon" 1


VD8-VD10 Диод BAS16 "Vishay" 3
VD11 Диод LL4148 "Vishay" 1
VD12, Диод BAV99 "Infineon" 2
VD13
VD14 Стабилитрон BZV55-C5V1 "NXP Semiconductor" 1

Лист
ШПЖИ3.105.004 ПЭ3
Изм Лист № докум. Подп. Дата 5
Поз.
обозна- Наименование Кол. Примечание
чение
VD15 - Стабилитрон SMCJ33.0 CA "Taiwan Semiconductor" 3
VD17
Оптопары
VK1 PC817В "Sharp" 1
VK2- VK5 HCPL2630S “Fairchild” 4
VK6 6N137S “Fairchild” 1
VK7, VK8 PC357N3TJ00F "Sharp" 2
VK9,VK10 PC354NJ000F "Sharp" 2
VK11 PC357N3TJ00F "Sharp" 1

VT1-VT4 Транзистор BC846С “Fairchild” 4


VT5 Транзистор BC857A "ST Microelectronics" 1
VT6 Транзистор BC846С “Fairchild” 1

Клеммник на плату "DEGSON"


XТ1 2EDGVC-5.08-12P-14-00A(H) 1
XТ2 15EDGVC-3.5-05P-14-00A(H) 1
XТ3 2EDGVC-5.08-04P-14-00A(H) 1
XТ4 2EDGVC-5.08-03P-14-00A(H) 1

XP1 Вилка IDC-14MS "Hsuan Mao" 1


XP2 Вилка PLD-4 двухрядн. "Hsuan Mao" 1

A2 Плата индикации ШПЖИ5.186.015 1


Конденсаторы
C1 – C6 ЧИП 0805 1000 пФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 6
м. инв.№

C7 Танталовый ЧИП 47 мкФ, 16 В, ±20%, тип С “Epcos” 1


Взам.

C8 ЧИП 0805 0,1 мкФ, X7R, ±10 %, 50 В "muRata" 1

DD1 Микросхема SN74HCT14D “Texas Instrument” 1

HG1 ЖКИ WH1602D-YYK-CT "Winstar Display" 1

Лист
ШПЖИ3.105.004 ПЭ3
Изм Лист № докум. Подп. Дата 6
Поз.
обозна- Наименование Кол. Примечание
чение
Резисторы
R1-R6 ЧИП 0805, ±5 %, 470 Ом "muRata" 6
R7 ЧИП 0805, ±5 %, 1 кОм "muRata" 1
R8 ЧИП 0805, ±5 %, 4,7 кОм "muRata" 1
R9 3296W 203 "Bourns" 1
R10 ЧИП 1206, ±5 %, 6,8 Ом "muRata" 1

S1…S5 Кнопка SWT-9 "Wealth Metal" 5

VT1 Транзистор BC846С “Fairchild” 1

XP1 Вилка IDC-14MS "Hsuan Mao" 1


XP2, XP3 Вилка PLS-1 однорядн. "Hsuan Mao" 2
XP4 Вилка PLD-14, двухрядн. "Hsuan Mao" 1

A3 Кабель ШПЖИ4.853.080 1

XS1, XS2 Розетка IDC-14F "Hsuan Mao" 2


м. инв.№
Взам.

Лист
ШПЖИ3.105.004 ПЭ3
Изм Лист № докум. Подп. Дата 7
Лист регистрации изменений
Номера листов (страниц) Всего Входящий
Номер
изме- заме- новых аннули- листов № сопрово-
Изм. доку- Подп. Дата
ненных ненных рован- (страниц) дительного
мента
ных в докум. докум. и дата
м. инв.№
Взам.

Лист
ШПЖИ3.105.004 ПЭ3
Изм Лист № докум. Подп. Дата 8

Вам также может понравиться