УДК 621.

315; 539:2
Г.В. Арзуманян, А.Б. Колпачев, Н.К. Приступчик

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОТЕНЦИАЛА И ПРОЦЕССА ПЕРЕНОСА

ЗАРЯДА В НАНОМЕТРИЧЕСКОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ
КРЕМНИЙ (111)-ТИТАН-КРЕМНИЙ

На основе кластерного приближения теории многократного рассеяния с

использованием «кристаллического» muffin-tin (МТ) потенциала, исследовано
электронное строение гетероструктур, представляющих собой кристаллический
кремний, в котором две (Г2) или четыре (Г4) атомные плоскости (111)
замещены атомами титана. Кристаллический потенциал определялся как
суперпозиция кулоновского, маделунговского, электростатического и
обменного потенциалов.
На рис. 1 приведены аппроксимированные гладкой кривой изменения
потенциала dV, обусловленные его скачками на МТ-границах, возникающих на
атомах различных типов в гетероструктурах Г2, Г4 и Г6.
Изменения потенциала на границах МТ-сфер

Г2 Г6
d V, эВ

Г4
-6.5

-6.9

-7.3

-7.7
-1 0 1 -1 0 1 -1 0 1 2
атомы Ti(1); атомы Si(1); атомы Si(3); атомы Si(5);
атомы Ti(2); атомы Si(2); атомы Si(4); атомы Si(6);
атомы Si(0);
Рис. 1

Эти результаты были использованы для квантово-механического описания

процесса переноса носителей заряда (определения коэффициентов переноса
(D)) через такие структуры. Коэффициент переноса и значения связанных
энергетических уровней определялись путем численного решения одномерного
уравнения Шредингера. При этом за нулевой уровень энергии был принят
скачок МТ-потенциала, соответствующий атомам типа Si(0). Результаты этих
расчетов для гетероструктур Г2, Г4 и Г6 соответственно, представлены на
рис.2.
1 1 1

0.8 0.8 0.8

0.6 0.6 0.6

D
D

0.4 0.4 0.4

0.2 0.2 0.2

0.0 1.0 2.0 3.0 0.0 1.0 2.0 3.0 0.0 1.0 2.0 3.0
U, eV U, eV U, eV
Рис.2
Значения энергетических уровней, связанных состояний электронов для
гетероструктуры Г2 составил -0,18 эВ, для Г4 — -0,31 эВ и для Г6 — -0,38 эВ и
-0,02 эВ.