Известия ЮФУ.

Технические науки Тематический выпуск

Раздел I. Наноэлектроника

УДК 621.38-022.532
О.А. Агеев, В.А. Смирнов, М.С. Солодовник, В.И. Авилов
ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМОВ ЛОКАЛЬНОГО АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
Представлены результаты экспериментальных исследований режимов локального
анодного окисления (ЛАО) эпитаксиальных структур арсенида галлия. Исследовано влия-
ние амплитуды и длительности импульсов напряжения, приложенного к системе “зонд–
подложка”, на геометрические размеры оксидных наноразмерных структур (ОНС), сформи-
рованных на поверхности слоя арсенида галлия. Установлено, что увеличение относительной
влажности с 70±1 до 90±1 % приводит к увеличению высоты и диаметра ОНС и сопрово-
ждается снижением амплитуды с 7 до 6 В.
Нанолитография; локальное анодное окисление; атомно-силовая микроскопия; ок-
сидные наноразмерные структуры; арсенид галлия.
O.A. Ageev, V.A. Smirnov, M.S. Solodovnik, V.I. Avilov
GALLIUM ARSENIDE EPITAXIAL STRUCTURES LOCAL ANODIC
OXIDATION REGIMES INVESTIGATION

In work results of experimental researches of arsenide gallium epitaxial structures local

anodic oxidation (LAO) modes are presented. Influence of amplitude and duration of voltage im-
pulses enclosed to probe-substrate system, for the oxide nanostructures (ONS) geometrical sizes,
generated in an arsenide gallium layer is investigated. It is established that the increase in relative
humidity with 70±1 to 90±1 %, leads to increase ONS height and diameter and is accompanied by
decrease in amplitude with 7 to 6 V.
Nanolithography; local anodic oxidation; atomic force microscopy; oxide nanostructures;
gallium arsenide.
Развитие нанотехнологии является актуальным направлением современной
науки и техники, включающим процессы, связанные с разработкой и применением
новых материалов, процессов, явлений, теоретических и экспериментальных ме-
тодик, направленных на получение инновационных электронных и механических
наносистем, а также наноструктурированных материалов. Длительное время опти-
ческая и электронная литография являлись стандартными методами структуриро-
вания поверхности полупроводниковых подложек. Однако с развитием скани-
рующей зондовой микроскопии появились новые методы формирования нанораз-
мерных структур с использованием зондовой нанолитографии [1].
Метод локального анодного окисления является одним из перспективных ме-
тодов зондовой нанолитографии, который позволяет формировать структуры эле-
ментов наноэлектроники и наносистемной техники на поверхности широкого диа-
пазона материалов (металлы, полупроводники, органические и неорганические
соединения и т.д.) с высокой разрешающей способностью и воспроизводимостью
[1–3]. Основными достоинствами данного метода по отношению к стандартной
фотолитографии являются: отсутствие существенных ограничений, связанных с
использованием источников света, работающих на длине волны ниже 100 нм;
8
 Раздел I. Наноэлектроника

формирование наноструктур происходит без использования фоторезистов и слож-

ных операций травления; снижение загрязнения окружающей среды [1–3].
Формирование оксидных наноразмерных структур методом ЛАО происходит
за счет воздействия на поверхность подложки путем приложения к системе “про-
водящий зонд–подложка” напряжения смещения. При этом под острием зонда
протекает электрохимическая реакция с участием электролита, основу которого
составляет адсорбированная на поверхности подложки вода, поставляющая заря-
женные частицы к поверхности растущего окисла [3].
Целью работы является исследование режимов локального анодного окисле-
ния эпитаксиальных структур арсенида галлия, исследование влияния амплитуды
и длительности импульсов прикладываемого к системе “зонд–подложка” напря-
жения, а также воздействия относительной влажности внутри технологической
камеры на особенности формирования оксидных наноразмерных структур арсени-
да галлия.
В качестве экспериментальных образцов использовались эпитаксиальные
структуры арсенида галлия, легированного кремнием (толщина слоя порядка
2 мкм, концентрация электронов 5×1017 см-3), выращенного методом молекулярно-
лучевой эпитаксии на полуизолирующей подложке арсенида галлия с помощью
многофункционального сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса
НАНОФАБ НТК-9 (производитель – ЗАО “Нанотехнология-МДТ”, г. Зеленоград).
Формирование ОНС проводилось с использованием сканирующего зондового
микроскопа (СЗМ) Solver P47 Pro (производитель – ЗАО “Нанотехнология-МДТ”,
г. Зеленоград) при приложении импульсов напряжения к системе “зонд–
подложка” амплитудой от 5 до 10 В, сигнале цепи обратной связи СЗМ (параметр
Set Point) 0,1 нА и длительности импульсов напряжения 1000 мс. При проведении
ЛАО применялись кремниевые кантилеверы марки DSP 20 [4] с проводящим угле-
родным покрытием, относительная влажность воздуха внутри технологической
камеры СЗМ контролировалась с помощью цифрового измерителя влажности
Oregon Scientific ETHG913R. В результате на поверхности слоя арсенида галлия
формировались наноструктуры, состоящие из 49 островковых ОНС (рис. 1).
Статистическая обработка полученных АСМ-изображений производилась с
использованием программного пакета Image Analysis 3.5 [4], по разработанной ме-
тодике выполнения измерений, аттестованной в соответствии с ГОСТ Р8. 563-96 [5].

а б
Рис. 1. АСМ-изображение (а) и профилограмма (б) ОНС после проведения ЛАО
слоя арсенида галлия

9
Известия ЮФУ. Технические науки Тематический выпуск

В результате по полученным статистическим данным были построены зави-

симости средних значений высоты и диаметра ОНС арсенида галлия от амплитуды
приложенного напряжения при различных значениях относительной влажности
(рис. 2).

а б
Рис. 2. Зависимость высоты (а) и диаметра (б) ОНС арсенида галлия от
амплитуды приложенного напряжения при относительной влажности:
1 – 60±1 %; 2 – 70±1 %; 3 – 80±1 %; 4 – 90±1 %

Анализ полученных зависимостей показывает, что электрическое поле в сис-

теме “зонд–подложка” оказывает значительное влияние на процесс формирования
ОНС методом ЛАО, так как при повышении амплитуды приложенного напряже-
ния геометрические параметры сформированных ОНС арсенида галлия возраста-
ли. Большее напряжение смещения приводит к формированию большего количе-
ства заряженных частиц, достигающих поверхности раздела оксид–подложка, где
происходит рост ОНС.
Кроме того анализ показал, что при повышении относительной влажности с
70±1 до 90±1 % происходило снижение амплитуды порогового напряжения процес-
са формирования ОНС методом ЛАО с 7 до 6 В, а также увеличение высоты ОНС
арсенида галлия с 2,3±0,4 до 4,2±0,2 нм и диаметра с 95,8±0,8 до 156,9±0,7 нм соот-
ветственно. Относительная влажность является одним из основных параметров про-
цесса ЛАО, характеризующим количество адсорбированной на поверхности под-
ложки воды. Зависимость порогового напряжения ЛАО эпитаксиальной структуры
арсенида галлия может быть обусловлена количеством молекул воды в системе
“зонд–подложка”. При низкой относительной влажности количества молекул ад-
сорбированной влаги недостаточно, чтобы обеспечить протекание реакции окис-
ления поверхности подложки. Поэтому пороговое напряжение, при котором начи-
нается реакция окисления, будет уменьшаться с увеличением относительной
влажности внутри технологической камеры СЗМ. Также рост геометрических па-
раметров, сформированных ОНС при повышении относительной влажности, мо-
жет быть за счет увеличения контактной области между зондом и водой, в резуль-
тате чего происходит увеличение диаметра сформированного мостика влаги.
Затем, с использованием полученных статистических данных, была построе-
на зависимость высоты и диаметра ОНС арсенида галлия от относительной влаж-
ности для ОНС, сформированных при амплитуде напряжения 10 В, длительности
импульсов напряжения 1000 мс и токе цепи обратной связи 0,1 нА (рис. 3).

10
 Раздел I. Наноэлектроника

Рис. 3. Зависимость высоты (1) и диаметра (2) ОНС арсенида галлия от

относительной влажности в технологической камере

Исследование зависимости геометрических параметров ОНС от длительно-

сти импульсов напряжения проводилось при подаче импульсов напряжения дли-
тельностью от 10 до 500 мс, амплитуде приложенного напряжения 10 В, относи-
тельной влажности 90±1 % и Set Point 0,1 нА. В результате статистической обра-
ботки полученных АСМ-изображений были построены зависимости высоты и
диаметра ОНС от длительности импульса напряжения, приведенные на рис. 4.

а б
Рис. 4. Зависимость высоты (а) и диаметра (б) ОНС арсенида галлия от
длительности импульса напряжения

Анализ полученных зависимостей показал, что при формировании ОНС на-

блюдалось характерное насыщение графиков зависимостей (рис. 4), рост оксидных
наноразмерных структур более интенсивно происходил на ранних стадиях прове-
дения ЛАО. На поздних стадиях формирование ОНС происходило более медлен-
но. Это может быть связано с тем, что заряженные частицы диффундируют к по-
верхности подложки через слой растущего окисла, высота которого в начале про-
цесса ЛАО незначительная, следовательно, скорость роста ОНС высокая. При уве-
личении высоты формируемых ОНС происходит понижение величины электриче-
ского поля в слое окисла, при этом поток заряженных частиц окислителя к по-
верхности подложки снижается и скорость роста ОНС уменьшается.
С использованием результатов исследований режимов формирования ОНС
методом ЛАО был получен наноразмерный канал (рис. 5) с поперечными размера-
ми около 10 нм, который может быть использован при разработке и создании на-
ноструктур различных элементов наноэлектроники [6].

11
Известия ЮФУ. Технические науки Тематический выппуск

а б
Рис. 5. АСМ-изображенние (а) и профилограмма (б) наноразмерного канала
а
проводимости на поверхноости эпитаксиальной структуры арсенида галлия по осле
проведения ЛАО

В результате работы исследованы режимы локального анодного окислеения

эпитаксиальных структур аарсенида галлия, получены зависимости геометричесских
размеров оксидных нанораззмерных структур от амплитуды и длительности имппуль-
сов напряжения, приложеннного к системе “зонд–подложка”. Увеличение амплиттуды
и длительности импульсов приложенного напряжения приводит к увеличению гео-
метрических размеров ОНСС. Установлено, что повышение влажности внутри техно-
логической камеры приводдит к повышению геометрических размеров ОНС и
уменьшению порогового наапряжения, что может быть связано с увеличением коли
к -
чества активных частиц, обееспечивающих протекание реакции окисления.
Результаты работы ммогут использоваться при разработке технологичесских
процессов изготовления нанноразмерных структур элементов наноэлектроники.
БИ
ИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Чаплыгин Ю.А. Нанотехноологии в электронике. – М.: Техносфера, 2005. – 448 с.
2. Неволин В.К. Зондовые наннотехнологии в электронике. – М.: Техносфера, 2006. – 1660 с.
3. Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Смирнов В.А. и др. Фотоактивация процессов формироввания
наноструктур методом локкального анодного окисления пленки титана // Известия выс-
ших учебных заведений // Э
Электроника. – 2010. – № 2 (82). – С. 23-30.
4. Официальный сайт ЗАО «Н Нанотехнология - МДТ» http://www.ntmdt.ru.
5. МВИ 14-2009 Методика ввыполнения измерений геометрических параметров масссивов
оксидных наноразмерных сструктур методом атомно-силовой микроскопии.
6. Bhushan B. Springer Handboook of Nanotechnology // 3rd edition, 2010. – 1964 p.
Статью рекомендовал к опубликованию д.ф-м.н. А.А. Лаврентьев.
Агеев Олег Алексеевичч
Технологический инсститут федерального государственного автоном
много
образовательного учреж
ждения высшего профессионального образования «Южжный
федеральный университеет» в г. Таганроге.
E-mail: ageev@fep.tti.sfeddu.ru.
347928, г. Таганрог, ул. Ш
Шевченко, 2.
Тел.: 88634371611.
Кафедра технологии миикро- и наноэлектронной аппаратуры; заведующий кафеддрой;
д.т.н; профессор.

12
 Раздел I. Наноэлектроника

Смирнов Владимир Александрович

E-mail: sva@fep.tti.sfedu.ru.
Кафедра технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры; к.т.н.; доцент.
Солодовник Максим Сергеевич
E-mail: solodovnikms@mail.ru.
Кафедра технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры; аспирант.
Авилов Вадим Игоревич
E-mail: Avir89@yandex.ru.
Кафедра технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры; магистрант.
Ageev Oleg Alexeevich
Taganrog Institute of Technology – Federal State-Owned Autonomy Educational
Establishment of Higher Vocational Education “Southern Federal University”.
E-mail: ageev@fep.tti.sfedu.ru.
2, Shevchenko Street, Taganrog, 347928, Russia.
Phone: +78634371611.
The Department of Micro- and Nanoelecronics; Head the Department; Dr. of Eng. Sc.,
Professor.
Smirnov Vladimir Alexandrovich
E-mail: sva@fep.tti.sfedu.ru.
The Department of Micro- and Nanoelecronics; Cand. of Eng. Sc.; Associate Professor.
Solodovnik Maksim Sergeevich
E-mail: solodovnikms@mail.ru.
The Department of Micro- and Nanoelecronics; Postgraduate Student.
Avilov Vadim Igorevich
E-mail: Avir89@yandex.ru.
The Department of Micro- and Nanoelecronics; Undergraduate.

УДК 621.373.8.002
О.А. Агеев, Ю.Н. Варзарёв, А.В. Рукомойкин, М.С. Солодовник
ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ HEMT-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ GaAs
ДЛЯ СВЧ-ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОМ
КОМПЛЕКСЕ НАНОФАБ НТК-9
Различные типы гетероструктур с селективным легированием на основе GaAs для
создания приборов СВЧ-электроники были получены методом молекулярно-лучевой эпи-
таксии, реализованным в составе сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса
НАНОФАБ НТК-9. HEMT-структуры оптимизированной конструкции имеют концентра-
цию 1,28·1012 см-3 и подвижность 5465 см2/В·c. В структурах типа pHEMT подвижность
носителей достигает 7400 см2/В·c при концентрации 1,83·1012 см-3. HEMT-структуры всех
типов имеют высокую однородность и воспроизводимость параметров.
Молекулярно-лучевая эпитаксия; GaAs; гетероструктуры; HEMT; pHEMT.

O.A. Ageev, Yu.N. Varzarev, A.V. Rukomoykin, M.S. Solodovnik

OBTAINING AND INVESTIGATION OF HEMT-STRUCTURE BASED
ON GaAs FOR ULTRA HIGH FREQUENCY FIELD EFFECT TRANSISTORS
AT NANOTECHNOLOGICAL SYSTEM NANOFAB NTF-9

Different types of heterostructures with selective doping based on GaAs for making micro-
wave electronics was obtain by method molecular-beam epitaxy, integrated in consist ultrahigh-
vacuum nanotechnological system NANOFAB NTF-9. HEMT structure of optimized construction

13