REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE Ministre de lEnseignement Suprieur et de la Recherche Scientifique Universit de Constantine Facult des Sciences de lIngnieur

Dpartement de lElectronique
Ndordre : Srie : MEMOIRE Prsent pour lObtention du Diplme de Magistre en Electronique

Option
Composants et Microsystmes Par Melle BENACHOUR Leila

THME

Modlisation des Structures Planaires de Formes Rgulires Implantes sur Substrat dune Anisotropie Tensorielle

Soutenue devant le jury compos de :

Prsident de jury : Mme Rapporteur : Examinateurs : Mme Mr Mme F.HOBAR F.BENABDELAZIZ A. TELIA T.BOUCHEMATE Prof Prof Prof Prof lUniversit de Constantine lUniversit de Constantine lUniversit de Constantine lUniversit de Constantine

Session: 2008

SOMMAIRE
REMERCEMENTS SOMMAIRE INTRODUCTION GENERALE CHAPITRE I GENERALITE SUR LES STRUCTURES PLANAIRES I.1. INTRODUCTION I.2. STRUCTURES PLANAIRES I.3. REALISATION DES STRUCTURES PLANAIRES I.4. DIFFERENTES STRUCTURES PLANAIRES I.4.1. Les lignes de transmissions planaires I.4.1.1. Dfinition I.4.1.2. Technologies I.4.1.3. Avantages et inconvnients I.4.1.4. Structures des lignes de transmissions planaires I.4.1.5. Proprit et comparaison entre les lignes planaires I.4.2. Les rsonateurs microbandes I.4.2.1. Dfinition I.4.2.2. Structure technologique I.4.2.3. Avantage et limitations I.4.2.4. Caractristiques et proprits des rsonateurs microbandes I.4.2. 5. Technique dalimentation I.5. CONCLUSION CHAPITRE II MODELISATION DUNE LIGNE DE TRANSMISSION PLANAIRE II.1. INTRODUCTION II.2. TECHNIQUES NUMERIQUES DE RESOLUTION II.2.1. Mthodes numriques pour les lignes planaires II.2.2. La mthode dynamique complte a. Mthode de la rsonance transverse b. Mthode dapproche dans le domaine spectral en mode hybride (SDA) II.3. MODELISATION DE LA LIGNE MICRORUBAN IMPLANTEE SUR SUBSTRAT ISOTROPE II.3.1. Mise en quation du problme II.3.1.1. Prsentation de la structure tudie II.3.1.2. Expressions des champs lectromagntiques dans le domaine spectral II.3.1.3. Mthode de Galerkin II.4. MODELISATION DUNE LIGNE DE TRANSMISSION PLANAIRE IMPLANTEE SUR LA FERRITE II.4.1. Gnralits II.4.2. Corrlation entre les proprits intrinsques des ferrites et les performances des dispositifs hyperfrquences II.4.3. Proprits des Matriaux Ferrites 26 26 26 27 27 28 29 29 29 30 35 38 38 38 39 05 05 06 07 07 07 08 08 09 13 15 15 15 16 17 22 24 01

a. Constante dilectrique b. Permabilits magntiques c. Proprits magntiques II.4.5. Mise en quation de problme II.5. CONCLUSION CHAPITRE III MODELISATION DUN RESONATEUR PLANAIRE III.1. INTRODUCTION III.2. METHODES NUMERIQUES POUR LANALYSE DES RESONATEURS PLANAIRES III.2.1. Mthodes Analytiques a. Le modle de la ligne de transmission b. Le modle de la cavit simple III.2. 2. Les Mthodes Rigoureuses a. Mthode des moments b. Mthode danalyse spectrale III.3. MODELISATION DUN RESONATEUR IMPLANTE SUR SUBSTRATS DIELECTRIQUES (Cas : isotrope et uniaxialement anisotrope) III.3.1. MISE EN EQUATION DU PROBLEME III.3.1.1. Prsentation de la structure tudie III.3.1.2. Dtermination des composantes longitudinales selon les modes TM et TE III.3.1.3. Prsentation du champ lectrique en fonction de courant III.3.1.4. Dtermination du tenseur spectral de Green III.3.1.5. Dtermination du tenseur spectral de Green pour un substrat uniaxialement Anisotrope III.3.1.6. Equation Intgrale du Champ Electrique III.3.1.7. Rsolution de lquation intgrale par la procdure de Galerkin III.4. CONCLUSION CHAPITRE IV DISCUSSION DES RESULTATS IV.1.INTRODUCTION IV.2. CHOIX DES FONCTIONS DE BASE IV.3. RESULTATS NUMERIQUES IV.3.1. Une Ligne Microbande Implante sur Substrat Isotrope IV.3.1.1. Dtermination de la constante de propagation IV.3.1.2. Dtermination de la constante dilectrique effective IV.3.2. Ligne Microbande Implante sur Ferrite IV.3.2.1. Dtermination de la constante de propagation et de la permabilit effective IV.3.3. Rsonateur Microbande Implante sur Substrats Dilectriques IV.3.3.1. Indications sur les modes [TM10, TM01] IV.3.3.2. Fonction de base sinusodale sans conditions de bord IV.3.3.3. Etude de la frquence de rsonance pour un patch imprim sur un substrat isotrope IV.3.3.4. Etude de la frquence de rsonance pour un patch imprim sur un substrat anisotrope IV.4. CONCLUSION CONCLUSION GENERALE ANNEXES BIBLIOGRAPHIES

40 40 41 43 48

50 50 50 50 51 52 52 53 54 55 55 55 58 62 65 66 67 69

71 71 72 72 72 73 75 75 79 79 79 80 83 89 90

INTRODUCTION GENERALE
Le dveloppement des systmes lectroniques (informatiques, multimdias, .) a engendr ces dernires annes, pour des raisons dencombrement et de cot, une course la miniaturisation qui sest traduite notamment par de trs grands progrs dans la taille des structures. Les systmes des tlcommunications nchappent pas ce phnomne. Cela a donn naissance ce que lon appelle la technologie MMIC (Circuit Intgr Monolithique Microondes). En particulier, en raison de lessor de la tlphonie mobile, les composants passifs microondes (les circulateurs ou les isolateurs), font aussi lobjet de recherches visant leur intgration. Ces composants permettent notamment de diffrencier et de slectionner les ondes reues et mises par les systmes de tlcommunications. Pour rpondre aux besoins actuels de dveloppement des applications grand public et scientifiques du domaine des tlcommunications, les concepteurs en hyperfrquences (ondes centimtriques et millimtriques) sont amens : laborer des dispositifs fonctionnant des frquences leves, faire des efforts vers la miniaturisation des dispositifs, mettre en oeuvre des technologies faible cot , en vue dapplications commerciales. Outre laspect faible poids, volume et paisseur, les structures planaires offrent une multitude davantages par rapport aux structures classiques tels que : le faible cot, la simplicit de fabrication et la possibilit de lintgration dlments discretsetc. Cependant, ce type dlment prsente des limites, notamment la bande passante troite, le faible gain et lexcitation possible donde de surface. Il a t montr que le paramtre le plus sensible lors de lestimation des performances, des structures planaires, est la constante dilectrique du substrat. Nanmoins beaucoup de substrats pratiques utiliss dans des structures microbandes exhibent un taux significatif danisotropie, spcialement lanisotropie uniaxiale. Lobjectif vis travers ce travail, consiste tudier le comportement lectromagntique des dispositifs micro-ondes tels que les rsonateurs planaires et les lignes de transmission microrubans. Ces structures sont modlises en premier lieu selon une couche de dilectrique isotrope, ensuit nous utilisons un substrat anisotrope, pour tester leffet de lanisotropie dune ferrite sur une ligne microstrip. Nous allons appliquer la mthode dapproche dans le domaine spectral (M.A.D.S) pour lanalyse et la modlisation dune ligne et dun rsonateur microbande en mode hybride. Cette 5

technique fait usage de la transforme de Fourier qui permet de ramener les quations complexes rencontrs dans le domaine spatial des formes simples et plus maniables dans le domaine spectral. La rsolution des systmes dquations linaires nous permet dtablir la distribution du courant sur le conducteur (patch), partir de cette distribution du courant, nous allons calculer la constante de propagation, la frquence de rsonance ainsi que la bande passante. Ce mmoire se devise en quatre parties : LE PREMIER CHAPITRE : Est consacr aux gnralits des structures planaires du point de vue caractristiques o lon reprend la dfinition de faon gnrale tout en soulignant leurs domaines dapplication, les avantages et les inconvnients des diffrentes structures. LE DEUXIME CHAPITRE : Dans ce chapitre, nous citons les diffrentes mthodes danalyse. Un rappel des quations lectromagntiques, et galement une prsentation de la technique de lquation intgrale applique a une ligne planaire dont le substrat est isotrope dune part et dautre part une deuxime modlise avec un matriau magntique, caractris par un tenseur de permabilit. Les outils mathmatiques inclus, pour une rsolution numrique efficace selon la mthode spectrale, ont t prcisment choisis. Ce chapitre consiste en un dveloppement dtaill des expressions littrales du tenseur spectral de Green et son application pour dterminer la constante de propagation. LE TROISIME CHAPITRE : Concerne une tude dun rsonateur microbande, tout en citant les diffrentes mthodes danalyse. Nous prsentons dans ce chapitre la formulation mathmatique du problme pour un rsonateur simple avec substrat isotrope et les dtails concernant le calcul des fonctions tensorielles hybrides de Green. Ensuite nous dduisons aussi le tenseur de Green pour une structure uniaxialement anisotrope. LE QUATRIEME CHAPITRE : Dans le dernier chapitre nous avons expos les problmes rencontrs dans la simulation et les solutions proposes savoir le choix des fonctions de base. Nos rsultats concernant ltude et la comparaison pour une ligne microruban rectangulaire implante sur diffrents substrats ainsi que les rsultats dun rsonateur microstripe. Nous avons tudi la constante de propagation, la frquence de rsonance et les effets de certains paramtres tels que lpaisseur du substrat et sa constant dilectrique. CONCLUSION GENERALE Finalement nous donnons une conclusion gnrale dans laquelle les rsultats essentiels de notre travail seront rsums et on discutera les avantages et les inconvnients entre les deux types des structures planaires que nous avons tudies. 6

Chapitre I

I. 1. Introduction I. 2. Structures planaires I. 3. Ralisation des structures planaires I. 4. Diffrentes structures planaires I. 5. Conclusion

I. 1. INTRODUCTION
Le domaine des micro-ondes et des hyperfrquences qui sont bases sur les structures planaires, a connu depuis ces dernires annes une forte demande et de trs grands progrs technologiques. Le domaine dapplication touche aujourdhui diffrents domaines allant des applications professionnelles de haute prcision comme les systmes de navigation de tlcommunications terrestres et spatiale, la tldtection, les radars (civils et militaires) et la radiomtrie, communication hyperfrquence des applications grand public comme la tlvision, le tlphone mobile, la radiodiffusion, les systmes dalarmes et de scurit [1]. Dans ce chapitre, nous dfinissons en premier lieu les structures planaires et leur intgration dans les circuits lectroniques. Nous prsentons les intrts et motivations dutiliser ces diffrentes structures planaires dans les applications micro-onde tel que les lignes de transmissions et les rsonateurs microrubans. Les caractristiques, les avantages ainsi que les inconvnients, prsents par ces structures sont galement cits.

I. 2. STRUCTURES PLANAIRES
Les structures planaires sont trs bien adaptes pour la production bas cot et en grand volume de dispositifs intgrant des fonctions passives et actives utilisant les procds de fabrication de circuits imprims classiques des frquences pouvant aller jusquaux bandes millimtriques et centimtriques. La technique des circuits imprims a rvolutionn les domaines de llectronique et plus rcemment [1], celui des hyperfrquences, o elle se prte particulirement bien a la ralisation des lignes et des rsonateurs microbandes. Ces volutions se sont naturellement confrontes diffrentes contraintes, savoir : Contrainte de minimisation des circuits lectroniques qui se traduit par la conception de circuits les plus compacts possibles avec les problmes de compatibilit lectromagntique associs. Contrainte doptimisation des bandes de frquences utiles, en effet, pour viter tout problme dinterfrence, il est ncessaire de choisir et dorganiser les bandes de frquences avec une prcision maximale.

Contrainte de minimisation des cots de production. Certains produits sont destins une large diffusion ce qui impose lutilisation des matriaux et de procds de fabrication les moins coteux possibles. 8

Lutilisation de technologies planaires est ncessaire pour concevoir des dispositifs toujours plus performants tout en rpondant aux contraintes en terme de poids, dencombrement, de consommation de puissance et de cot. Il serait intressant dindiquer que les diffrentes structures de guidage utilises dans les systmes micro-ondes ou millimtriques sont les structures fermes (ces structures seront totalement isoles de lextrieur par des parois mtalliques) et les structures ouverts (structure planaires) tel que les lignes de transmissions, les rsonateurs planaires, guides dondes

I. 3. REALISATION DES STRUCTURES PLANAIRES

Lintgration dans un circuit lectronique des structures planaires sest avre trs pratique, car il y a possibilit dadjoindre sur leur surface des composants actifs ou passifs, donc admettent la possibilit de rglage [2]. Cependant lintgration de composants passifs reste ncessaire pour la ralisation des systmes de tlcommunication. Dans ces conditions, la miniaturisation ou lintgration de fonctionnalits qui ne peuvent pas tre supportes par llectronique classique, constitue un objectif majeur pour les gnrations futures de composants et systmes [4]. En outre, il est retenir que ces mmes structures planaires comportent des interfaces Air/dilectrique qui modifient beaucoup les modes de propagation, gnralement, ce sont des modes hybrides plus difficiles a tudier comparativement aux modes TE, TM ou TEM . Le choix des valeurs dune largeur de rsonateur et les caractristiques du substrat conditionne gnralement le type dapplication que lingnieur peut concevoir avec la technologie microruban (ceci nest pas totalement vrai, mais suffisant ce stade de comprhension). Les circuits intgrs micro-ondes monolithiques CIMM et hybrides miniaturiss [3], pouvant tre raliss grande chelle, tout en prsentant une grande fiabilit, sont fortement dsirs afin de rduire les cots de production. I1 est bien connu que les circuit intgres micro-onde (MIC) reposent sur l'utilisation de la technologie des circuits planaires forms partiellement ou en totalit, sur une surface plane de dilectrique, par une ou plusieurs dpositions et une opration de gravure. Le circuit en entier, peut tre produit en grand nombre faible cot par photolithographie. Les caractristiques techniques des MIC sont leur petite taille, leur faible poids, et leur haute fiabilit. En technologie MMIC, les circuits passifs et actifs et leurs interconnexions sont raliss en grands nombres sur le mme substrat semi-conducteur. La comparaison entre les principales caractristiques lies aux 9

approches des circuits MIC hybrides et monolithiques permet d'affirmer que les circuits MMIC coexisteront avec les circuits MIC hybrides faible cot, car leurs caractristiques respectives sont complmentaires. En particulier, du fait du faible cot des premires ralisations de circuit MIC hybride, de nouvelles configurations de design peuvent tre d'abord valides en technologie hybride, puis transposes vers des circuits monolithiques plus coteux tailles plus rduites. En technologie MIC, la structure des guides d'onde planaires est constitue d'lments blocs selon le dveloppement des divers composants fonctionnels ou sous-systmes. L'tude des structures de guide d'onde planaires fut un sujet de recherche important dans le domaine des circuits MIC. Ces dernires annes, le dveloppement explosif des applications commerciales micro-ondes et en ondes millimtriques pour le grand publique, a considrablement accru les activits de recherche dans ce domaine d'une part pour explorer les diverses nouvelles configurations de circuits planaires et d'autre part pour caractriser prcisment leur performances lectriques.

I. 4. DIFFERENTES STRUCTURES PLANAIRES I. 4. 1. Les lignes de transmissions planaires

I. 4. 1. 1. Dfinition Les lignes de transmissions sont utilises gnralement dans la rpartition de courant (aux basses frquences) et dans les communications (aux hyperfrquences). Plusieurs genres de lignes de transmission tel que les paires torsades et cbles coaxiaux qui sont utiliss dans les rseaux informatiques (lInternet), mais sont aussi utilises pour raliser des filtres, des transformateurs dimpdances, des coupleurs, des lignes a retard [6]-[5]. Une ligne de transmission, est un ensemble d'un (en ralit deux si l'on considre la masse), d ou plusieurs conducteurs acheminant un signal lectrique (souvent haute frquence). Le milieu dilectrique qui spare les conducteurs (air, cramique, tflon,..) joue un rle important dans la vitesse de propagation du signal [7]-[8]. Les lignes de transmission les plus courantes sont les cbles coaxiaux (symtrie), les lignes bifilaires et les paires torsades (asymtrie). Sur les circuits imprimes et les circuit intgres, on trouve couramment des lignes micro-rubans et des lignes coplanaires. I. 4. 1. 2. Technologies Le choix d'une technologie (structure de guidage) et de son procd de fabrication est li la fonction raliser et au niveau d'intgration dsir. Si le niveau d'intgration n'intervient que 10

trs peu sur le choix du type de ligne de transmission (hors multicouches), il ne peut tre dissoci du type de substrat et du procd de fabrication [9]. Les MICs ( Microwave Integrated Circuit ) intgrant des lignes de transmission sur le substrat , les autres lments (passifs, actifs) tant obligatoirement reports; les HMICs (Hybrid MICs) sont des circuits intgrant les lignes de transmission, les rsistances et inductances (hors spirales) et les MHMICs (Miniaturized HMICs) sont les circuits les plus complexes qui autorise l'intgration sur le substrat d'lments de connexion (croisement par pont air) et d'lments passifs (comme l'inductance spirale et la capacit MIM (mtal, isolant, mtal)) et qui possdent une rduction de la taille et de la masse des circuits, une meilleure fiabilit des connexions et un meilleur contrle des longueurs de connexion donc meilleure reproductibilit, ddi des applications "hautes gammes" (spatial, militaire...) [3]. Il est donc vident daprs ce qui prcde que le substrat d'une part, et le procd de fabrication (couche paisse, couche mince...), d'autre part, sont lis la complexit du circuit raliser. Dans le domaine hyperfrquences, le type de ligne de transmission utilis pour la ralisation des circuits micro-onde (MIC) est la ligne microruban (microstrip). I. 4. 1. 3. Avantages et inconvnients Les lignes de transmissions possdent certaines proprits telles que [10] : Faible cot Faible poids, faibles dimensions et lgret Compatibilit avec circuits intgrs Performances intressantes Meilleurs fiabilit et reproductibilit Les composants lmentaires peuvent tre additionnes aux circuits ; sa structure ouverte la rend en effet, trs commode pour lutilisation des MICs. Linconvnient majeur qui retient lattention est que les lignes microrubans sont considres comme des lignes ouvertes qui rayonnent de lnergie dans lespace environnent. Mais lintrt particulier de cet inconvnient est quil a donn lieu des recherches dont le rsultat essentiel fut la caractrisation des structures microrubans qui serait une partie de lobjectif de notre travail [2][4].

11

I. 4. 1. 4. Structures des lignes de transmissions planaires [2 -[4]-[11]-[13]-[14] Les principaux types de lignes sont : 1. La ligne microbande ou microruban (microstrip) comporte un substrat dilectrique mtallis sur sa face arrire (le plan de masse) et un circuit de mtallisation sur la face avant. 2. La ligne fente (slot line) o deux conducteurs formant la ligne de transmission sont dposs sur la mme face du substrat dilectrique. 3. La ligne coplanaire (coplanar waveguide) est une extension de la ligne prcdente, avec trois bandes mtalliques et deux fentes. 4. La ligne bande ou ligne triplaque (stripline) est une des diffrents types de lignes microstrip et est assez volumineuse puisquelle fait intervenir un second plan de masse. 5. La ligne Ailettes (fin-line), prend la forme dune ligne a fente avec un botier mtallique
enveloppant la structure guide d'onde.

Bien entendu, toutes ces lignes ont une configuration plane et leurs caractristiques sont en fonction de leurs dimensions savoir lpaisseur du substrat, sa constante dilectrique et la largeur du ruban. Une tude dtaille sera reprsente dans les paragraphes suivants. 1. Ligne microbande Une ligne microruban est constitue dune bande conductrice, spare dun plan de masse par une couche dilectrique, figure (I. 1) :

Figure I. 1- Ligne Micriruban (micristrip) et Distribution des champs E/M

Il est essentiel de connatre leurs paramtres caractristiques: Pour le substrat, son paisseur h et sa permittivit relative complexe r = r j i = r (1 tan ) . La partie relle r est la constante dilectrique du

matriau tandis que la partie imaginaire caractrise ses pertes. Pour la bande mtallique, sa largeur W qui est en gnral de lordre de grandeur de h (0.1 W/h 10) et son paisseur t.
12

La difficult dtude de la propagation dans une ligne microbande provient du fait quelle seffectue la fois dans le substrat et dans lair (figure I. 1). Parce que les lignes de champ entre les deux couches conductrices ne passent pas uniquement dans le dilectrique mais aussi dans lair. Pour des frquences faibles, la propagation des champs est du type TEM (Transversal Electric & Magnetic). En dautres termes les champs lectrique et magntique nont pas de composantes suivant la direction de propagation de londe. Le mode de propagation nest pas uniquement TEM mais quasi-TEM (composante longitudinale non nulle). La ligne microbande relle se modlise par une ligne fictive o la propagation seffectuerait dans un milieu homogne, de constante dilectrique quivalente eff. A cause du mode de propagation non purement TEM, les caractristiques de la ligne varient avec la frquence (dispersion). Il existe plusieurs expressions qui mettent en vidence cette dpendance. On peut simplement retenir que augmentent faiblement avec la frquence.
2. La ligne fente

la permittivit effective et limpdance

La ligne fente ou ligne a encoche ; propose par Cohn en 1996, est une structure constitue dun substrat dilectrique mtallis sur un cte seulement. La mtallisation comporte une rainure de sparation troite et grave qui constitue la ligne (figure I. 2). La propagation du champ est compltement non-TEM et le mode fondamental est quasi-TE et non quasi-TEM. Une analyse quasi-statique nest donc pas possible.

Figure I. 2- Ligne fente (slot line) et Propagation des champs

Le champ lectrique est tangentiel linterface dans la fente Le champ magntique a une composante z non ngligeable Les diffrentes tudes menes sur ces lignes nont pas donn de modle trs satisfaisant, ce qui est un handicap srieux pour leur utilisation. En effet, les composantes longitudinales des champs sont plus importantes que dans le cas des micro-rubans. Cest un vritable guide donde 13

qui possde une frquence de coupure par mode, et encore la ligne fente est trs dispersive et haute impdance.
3. La ligne coplanaire

Une ligne coplanaire est constitue de bandes conductrices situes sur le mme plan et la mtallisation se trouve en effet sur un seul ct du substrat, figure I. 3. Chacun des deux plans qui se situent sur les cts est a la masse et la bande centrale transport le signal. Deux configurations existent : le guide donde coplanaire (Coplanar Waveguide ou CPW) et la bande coplanaire (Coplanar Strip ou CPS).

I
S W masses

H
champ E champ H

Figure I. 3- Ligne Coplanaire (Coplanar line) et Propagation des champs Le champ lectrique est perturb par linterface air/dilectrique

Existence dun effet de bord: les champs stendent de part et dautre du ruban Les champs lectrique et magntique sont orthogonaux dans le plan transverse Dans la pratique, le guide donde coplanaire prsent plusieurs types de structures qui se

diffrent les unes par rapport aux autres par lpaisseur du substrat dilectrique et la largeur de bande conductrice, comme :
Guide Coplanaire Symtrique

Rubans Coplanaires Symtriques

Rubans Coplanaires Asymtriques

Figure I. 4- Diffrentes structures des lignes coplanaires

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Ces lignes, comme les micro-ruban, peuvent tre utilises en mode quasi-TEM mais en haute frquence, cette structure devient non-TEM avec lapparition dune composante longitudinale importante du champ magntique. Elles sadaptent bien au branchement dlments localiss parallles sans percement du substrat. Wen a utilise lanalyse quasi-statique, en supposant que le substrat dilectrique est fortement pais et infini, cette proposition nest pas valable que pour de grandes valeurs de constante dilectrique r. La mthode a t modifie par Davis et Al, en limitant lpaisseur du substrat. De ce fait la mthode des diffrences finies dtermine les caractristiques du CPW. Lanalyse intgrale de la ligne coplanaire procure des informations concernant la frquence de qui en dpend de la vitesse de phase et de limpdance caractristique dans le domaine spectral. Les lignes de transmissions de ce type coplanaire ont des faibles pertes, ont t lobjet de grandes recherches bases sur le mode quasi-TEM, aussi bien que sur le calcul du mode hybride. La plus part des calcul de pertes sont bases sur le schma de perturbation avec les hypothse que lpaisseur de mtallisation est nulle aussi bien que suffisamment plus paisse.
4. La ligne bande ou ligne triplaque

La ligne triplaque encore appele ligne ruban (fut la premire micro-ligne dveloppe par Barett et Barnes en 1951); est directement inspire de la ligne coaxiale : il sagit dun ruban centrale noy dans un dilectrique, deux plans de masse tant situs de chaque ct du substrat. Quelques formes utiles des lignes triplaques telles que, ligne centre, dcentre, ou double orthogonale (figure I. 5). La ligne triplaque centre est la forme la plus idale. Cependant dans certaine circuiterie lutilisation de la ligne dcentre savre exige. La configuration dune triplaque double orthogonale est utile beaucoup plus dans le domaine de la haute tension.

Figure I. 5- Ligne centre, Ligne dcentre et Ligne triplaque double orthogonale

15

5. La ligne Ailettes

En 1972, Meier proposait de nouvelles lignes de transmissions quasi-planaires appeles lignes ailettes, pour les circuits intgres millimtriques. Il sagit dune ligne fente, place dans le plan E dun guide mtallique rectangulaire. . La structure ailette en particulier, ont t trs largement utilise pour les premiers dveloppements de composants divers en bandes millimtriques, en technologie hybride. Le mode de propagation utilis est le plus proche dune combinaison de mode TE et TM, est le mode Hybride ou non-TEM.

Mtal Air Substrat planaire

Figure I. 6- Ligne Ailette et propagation du champ

Les structures Ailette utilises aux ondes millimtriques : Largeur de bande du mode fondamental est plus leve que celle du mode guide donde correspondant Pertes dinsertion plus faible que pour les autres circuits planaires Pas de problme de rayonnement Insertion facilite de composants actifs dans une technologie guide donde Utilise la configuration du mode dominant TE10 Champ E // y, uniforme selon y et maximum en x = a/2 Compatible avec champ lectrique dans ligne fente

I. 4. 1. 5. Proprit et comparaison entre les lignes planaires

Une ligne de transmission est caractrise par son impdance caractristique, sa constant daffaiblissement (qui prcise les pertes dans la ligne), et la vitesse de propagation des signaux, qui dpend du dilectrique utilis pour fabriquer la ligne. Pertes Ohmiques trs haute frquence (facteur de perte prpondrant) : les lignes microruban permettent de minimiser leur impact au regard des lignes CPW .

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Leffet de lpaisseur des conducteurs dans les lignes CPW (y sont plus sensibles) est plus large que celui des micorubans, cause de la distribution des champs lectriques et magntiques. Dispersions des caractristiques lectriques avec la frquence - effets dispersifs - : la technologie associe la ralisation de lignes de transmission coplanaire est plus robuste. Influence de lenvironnement sur les caractristiques des fonctions ralises : les circuits raliss en technologie microruban y sont moins sensibles puisque la prsence dun plan de masse permet une isolation arrire intrinsque. Pour ce qui est de la technologie guide donde coplanaire, linfluence plus grande des conditions externes est due au fait que la prsence (non matrise) dun plan de masse sous le circuit peut provoquer lapparition dun mode de type microruban : lapparition de ce mode a pour effet un dplacement vers des frquences plus leves des caractristiques des fonctions ralises. Le principal intrt des lignes fentes est quelles autorisent des impdances leves. Ceci peut cependant devenir gnant si lon souhaite travailler faible impdance (50). La dispersion est importante pour la ligne fendue, faible pour le microruban, moyenne pour la ligne coplanaire. La ligne micro-ruban peut tre facilement construite par des techniques similaires celles utilises pour la conception des circuits imprims.

I. 4. 2. Les rsonateurs microbandes

I. 4. 2. 1. Dfinition

Durant les annes soixante dix, et avec la disponibilit de dilectriques dots du paramtre : constante dilectrique lev, de matriaux dilectriques faibles pertes et avec la demande croissante de circuits micro-ondes miniaturiss pour les besoins de l'arospatiale, des applications satellites et tlcommunications spatiales, l'intensit de l'intrt pour les circuit micro-ondes fut renouvele [3]. Il rsulta le rapide dveloppement de l'utilisation des lignes et des rsonateurs microrubans (microstrip resonator). Elles allient la fois petite taille, simplicit, facilit de fabrication et de mise en oeuvre. En outre elles s'adaptent facilement aux surfaces planes et non planes et prsentent une grande robustesse lorsqu'elles sont montes sur des surfaces rigides. Elles sont galement trs performantes en terme de rsonance, de polarisation, d'impdance d'entre et de diagramme de rayonnement [12]. 17

Beaucoup de chercheurs ont tudie leurs caractristiques de base et des efforts tendus ont t galement consacrs la dtermination de la frquence de rsonance, la bande passante, le rayonnement,etc. Lun des paramtres important qui influe sur les caractristiques des rsonateurs microbandes est la permittivit dilectrique. Cest un facteur trs sensible lors de lestimation des performances des rsonateurs imprims. Cependant, beaucoup de substrats pratiques utiliss dans les structures plaques exhibent un taux significatif danisotropie et spcialement une anisotropie uniaxiale (substrat de Saphir) [15].
I. 4. 2. 2. Structure technologique [10]-[12]-[15]-[16]

Sous sa forme la plus fondamentale, les rsonateurs microrubans sont constitus d'une couche mtallique (patch) d'paisseur t trs fine, ce dernier dpos sur un substrat dilectrique limit sur sa face infrieure par un plan de masse comme reprsent sur la figure suivante:

L W
ax

ay
az

Figure I. 7- Rsonateur Microruban

Le rsonateur microstrip est conu tel que le maximum de son diagramme de rayonnement est normal l'lment rayonnant. Cet lment rayonnant (patch) est gnralement fabriqu base dun matriau conducteur tel que le cuivre ou lor et il peut prendre nimporte quelle forme possible, cela peut tre : rectangulaire, carr, circulaire ou simplement un diple (Fig I. 8.). Ces formes sont les plus courantes car elles prsentent une grande facilit d'analyse et de fabrication, mais llment rectangulaire est sans contexte le plus facile apprhender pour la comprhension des mcanismes de rayonnement des rsonateurs micro-rubans.

Rectangulaire

Carre

Diple

Circulaire

Secteur danneau

Elliptique

Triangle

Anneau

Secteur de disque

Figure I. 8- Diverses formes dlments rayonnants

18

Divers types de profil des rsonateurs imprims furent dvelopps. Les rsonateurs microbandes, rsonateur fentes (stripline slot resonator), rsonateur imprims (printed resonator), rsonateur diple imprim (printed dipole resonator).etc.
I. 4. 2. 3. Avantage et limitations

Les rsonateurs microrubans prsentent de nombreux avantages comparativement aux rsonateurs micro-ondes classiques et leurs applications couvrent de large domaine frquentiel. Certains avantages sont les suivants [17] : Faible poids, encombrement rduit, configurations conformes possibles; Faible cot de fabrication, production en masse possible; Polarisation linaire et circulaire pour les tlcommunications; Rsonateurs multi-bandes, multi-polarisations possibles; Compatibilit avec les circuits hybrides et MMIC; Rseaux dalimentation et dadaptation fabriqus simultanment avec le rsonateur; Rayonnement perpendiculaire la surface.

Toutefois, les rsonateurs microrubans ont galement des limitations que les rsonateurs traditionnels ne prsentent pas [16]:

Bande passante troite, souvent associe avec les problmes de tolrances (gomtriques et physiques); Gnralement faible gain (6 dB) et pratiquement limits par un maximum de 20dB ; Faible puret de polarisation; Un rayonnement parasite (alimentation) et la plupart des rsonateurs rayonnent uniquement dans le demi-plan; Supportent uniquement des faibles puissances (100 W); Pertes de rayonnement par ondes de surfaces; Une faible isolation entre la source dalimentation et celle des lments radiatifs.

Ces limitations sont connues depuis plusieurs annes et des progrs considrables ont t raliss depuis pour amliorer les performances des rsonateurs patch. Notamment : Leur bande passante peut tre augmente jusqu 70% en utilisant une configuration multicouche et leur gain peut saccrotre de 30% en mettant en rseau plusieurs rsonateurs qui permettent damliorer le rendement et la directivit.

19

Laugmentation de l'paisseur du substrat, la diminution de la permittivit relative, permettent d'amliorer le rendement du rsonateur jusqu' 90% en rduisant les ondes de surface et permettent galement d'augmenter la bande passante jusqu' 35%. On cre des ondes de surface qui reprsentent des pertes et diminuent par consquent le rendement du rsonateur. Ces ondes de surfaces peuvent tre limines tout en maintenant une large bande passante par l'introduction de fentes sur l'lment rayonnant. La bande passante peut tre largie en superposant plusieurs lments rayonnants par du dilectrique ou de lair.
I. 4. 2. 4. Caractristiques et proprits des rsonateurs microbandes a. Mcanisme du rayonnement

spars

Le mcanisme de rayonnement dun rsonateur patch rectangulaire se comprend aisment partir de sa forme gomtrique. Lorsque son excitation est effectue par une ligne dalimentation dote dune source RF, une onde lectromagntique va se propager sur cette ligne puis va rencontrer llment rayonnant de largeur plus grande que celle de la ligne, donc plus apte rayonner. Une distribution de charge va stablir linterface Substrat / Plan de masse, sur et sous llment rayonnant. La figure I. 9, montre cette distribution dans le cas particulier o le rsonateur rayonne le plus efficacement cest dire lorsquil devient rsonant (la longueur de llment rayonnant est un multiple de la demi-longueur donde guide). Le cas prsent correspond au mode fondamental du rsonateur [14].
L
Jt

Jn

Figure I. 9- Distribution de charge et densit de courant sur un rsonateur microstrip

Le champ lectrique est perturb par linterface Air/dilectrique. Existence dun effet de bord: les champs stendent de part et dautre du ruban Les champs lectrique et magntique sont orthogonaux dans le plan transverse

20

Ces distributions de charge et les densits de courants associs induisent une distribution de champ lectrique reprsent Une analyse plus dtaille des distributions de charge et du champ lectrique dans ce

mode permet de retrouver tous les paramtres caractristiques dun rsonateur : (diagramme et rsistance de rayonnement, frquences de rsonance...). Le rayonnement du patch peut tre modlis par celui de deux fentes parallles distantes de la longueur L et de dimensions W*h. La thorie de llectromagntisme nous fournit alors les expressions des champs rayonns par le patch une certaine distance dobservation.
b. Frquence de Rsonance et le Facteur de Qualit

Si nous nous intressons maintenant la distribution des charges, nous pourrions montrer par ltude des composantes tangentielles du champ magntique que le patch rectangulaire peut se modliser comme une cavit avec 4 murs magntiques (bords de la cavit) et 2 murs lectriques (forms par les mtallisations et dans lapproximation que la composante normale du champ lectrique est constante) [14]. En posant les quations de propagations avec les conditions aux limites adquates, on dtermine assez facilement les frquences de rsonances du rsonateur patch rectangulaire :

f mn =

c 2 r

m W eff

n + L eff

Avec :

Weff =W+W

et Leff =L+L

L et W reprsentent respectivement les extensions de longueur et de largeur dues W sobtient en remplaant la largeur W par la longueur L dans la formule prcdente. Le facteur de qualit est le rapport entre lnergie emmagasine et lnergie dissipe dans le circuit :
Q= Wem Wd

Do, le facteur total de qualit du rsonateur micro-ruban se dfinit par :

Q = . WT PT avec WT = h. 2

2 z

ds

21

O PT est la puissance attnue et WT lnergie totale emmagasine, h : tant lpaisseur de substrat. Quand le rsonateur opre proche des plans des pertes, il rsulte des pertes supplmentaires qui sont dues aux courants induits dans la masse. Il est trs souhaitable quil possde la rsistance totale de puissance rayonne plus grande que celle de toutes les pertes.

c. Caractristiques du Substrat Dilectrique [13]

Les rsonateurs microrubans rayonnent principalement en raison des champs marginaux entre le bord du patch et le plan de masse, pour la bonne performance du rsonateur. Un substrat dilectrique pais ayant une faible constante dilectrique est souhaitable, puisque ceci fournit une meilleure efficacit ; une largeur de bande passante plus grande et un meilleur rayonnement mais avec un encombrement accru du rsonateur. Le substrat sert de support mcanique aux conducteurs, Il influence les proprits lectriques du rsonateur via ses paramtres constitutifs: permittivit dilectrique r et permabilit magntique r, pour la plupart des applications courantes: substrat dilectrique r = 1 Le substrat prsente des pertes dilectriques: permittivit complexe r = r (1-j tg) dfinition dune conductivit quivalente: jr = + j r = j r tg Pour la ralisation de circuits hyperfrquences, il recherchera minimiser le rayonnement en espace libre et choisira en consquence un substrat tel que lnergie lectromagntique reste concentre dans le dilectrique (plus exactement dans la cavit que forme la bande mtallique et le plan de masse). Londe lectromagntique se propage la fois dans lair et dans le dilectrique ; deux milieux de constante dilectrique diffrente. Pour rendre compte de ce phnomne, le rsonateur microbande se modlise par un milieu effectif o la propagation seffectuerait dans un milieu homogne de constante dilectrique quivalente :
e ff = r +1 r 1
2 + 2 h 1 + 10 W
1 2

d. Influence des Paramtres Gomtriques sur les Caractristiques du Rsonateur

Largeur W du patch : La largeur du patch a un effet mineur sur les frquences de

rsonance et sur le diagramme de rayonnement de du rsonateur. Par contre, elle joue un rle pour limpdance dentre du rsonateur et la bande passante ses rsonances 22

Limpdance dentre :

Z in L = 90 r Zc r 1W
2

La bande passante : B = 3.11

r 1 h W r2 W L

Pour permettre un bon rendement du rsonateur, une largeur W pratique est :

c 2 f 01 2 r +1

W=

O le terme f01 reprsente la frquence fondamentale du rsonateur.

Longueur L du patch : La longueur du patch dtermine les frquences de rsonance du

rsonateur. Il ne faut surtout pas oublier de retrancher la longueur extensions des champs.
L=

L correspond aux

dielectrique
2

2L =

c 2 f 01 r

2L

e. Puissance Emise par Rayonnement

En plus de la puissance rayonne, il y a les puissances causes par les pertes telles que : Puissance perdue dans les deux conducteurs et dans le dilectrique et la puissance perdue par ondes de surface. La puissance rayonne peut tre calcule en intgrant la valeur du vecteur de Poyting sur louverture rayonnante.

f. Puissance Perdue dans le Conducteur

Comme les conducteurs ont une conductivit finie, alors ils auront forcment une rsistivit (Rs 0), et par consquent ils ne sont pas parfaits et prsentent une certaine rsistance qui rend lensemble en un milieu qui dissip une portion de lnergie totale sous forme deffet de Joule.

g. Puissance Perdue dans le Dilectrique

Lisolation nest jamais parfaite, ce qui se traduit par des pertes par dilectrique. Les pertes sont reprsentes par une conductance parallle (uniformment repartie dans le cas des lignes) et dont leffet sera faible par rapport celui cause par la rsistance R. Ce qui correspond une puissance attnue. 23

En ce qui concerne les rsonateurs, le substrat le mieux appropri est celui possdant une constante dilectrique faible, une paisseur grande (par rapport la longueur donde dopration) et peu de pertes (tang ). Un substrat pais augmente la puissance rayonne par le rsonateur, rduit les pertes par effet Joules et amliore la bande passante du rsonateur. En contrepartie, le poids est augment. Une faible la valeur de la constante dilectrique (typiquement favorise lextension des champs autour de la ligne et donc la puissance rayonne.
r

= 2.5)

h. Puissance Perdue par Ondes de Surfaces

Les ondes de surfaces lies au substrat dilectrique peuvent tre excites par le rsonateur, puisquelles ne contribuent pas au modle de rayonnement primaire du rsonateur. La puissance de londe de surface est gnralement considre comme mcanisme de perte. La puissance de londe de surface peut galement se diffracter partir des bords du substrat ou dautres discontinuits et ainsi dgrader le modle de rayonnement du rsonateur ou ses caractristiques de polarisation [20].

I. 4. 2. 5. Technique dalimentation [7]-[19]

Les rsonateurs microbandes peuvent tre aliments par une varit de mthode. Celles ci peuvent tre classifies en deux catgories. Avec contact La puissance de RF alimente directement le patch rayonnant en utilisant un lment de connexion tel quune ligne microbande et la sonde coaxiale. Sans contact Le couplage de champ lectromagntique garantit le transfert de la puissance entre la ligne microruban et le patch rayonnant (couplage par ouverture et le couplage a proximit). Il y a plusieurs mthodes pour alimenter un rsonateur microstripe, les quatre les plus utilises sont : La ligne Microstripe La sonde Coaxiale Le Couplage par Fente Le Couplage par Proximit

La ligne microstrip d'alimentation constitue galement un lment rayonnant mais dont la largeur est gnralement trs infrieure par rapport celle du patch (Fig.I. 10). Ce type d'alimentation est facile mettre en oeuvre et permet une adaptation d'impdance facile par simple positionnement du point de contact. Par contre, on a un rayonnement parasite qui peut devenir considrable. 24

Alimentation Microruban

Figure I. 10- Alimentation par ligne Microruban

L'alimentation coaxiale o le conducteur intrieur est attach au patch et le conducteur externe au plan de masse est galement largement utilis (figure I. 11). Ce type d'alimentation est facile mettre en oeuvre et adapter. Mais il offre une bande passante troite et est difficil modliser et particulirement pour des paisseurs de substrat suprieures 0.02 0 (0 est la longueur donde dans lespace).
Substrat

Patch

Connecteur coaxial

Plan de masse

Figure I. 11- Alimentation par cble coaxial

L'alimentation par ligne microruban ou par cble coaxial prsente une asymtrie qui gnre une composante croise. Pour remdier cet tat de fait, l'alimentation par fente a t introduite (figure I. 12). Ce type d'alimentation est le plus difficile mettre en oeuvre. De plus, il prsente une bande passante troite. Cependant, il est facile modliser et prsenter un rayonnement parasite faible. Il se compose de deux substrats spars par un plan de masse sur lequel est pratique la fente. La ligne d'alimentation se situe sur la face libre du substrat infrieur et l'lment rayonnant se trouve sur la face libre du substrat suprieur. Cette configuration permet une optimisation indpendante entre la ligne d'alimentation et l'lment rayonnant. En gnral un dilectrique avec une permittivit leve est utilis pour le substrat infrieur et un dilectrique pais avec une permittivit faible est utilis pour le substrat suprieur. Le plan de masse isole la ligne d'alimentation de l'lment rayonnant et limite l'interfrence du rayonnement parasite sur le diagramme de rayonnement et offre ainsi une plus grande puret de polarisation. Pour cette structure, les paramtres lectriques du substrat, la largeur de la ligne d'alimentation et la taille de la fente peuvent tre utilises pour optimiser le 25

rsonateur. L'adaptation d'impdance s'effectue en agissant sur la largeur de la ligne d'alimentation et sur la longueur de la fente. Cette structure peut tre modlise par la thorie de Bethe. Cette thorie a t utilise avec succs dans l'analyse des coupleurs de guides d'onde utilisant le couplage travers des trous.
Ligne Microriban Substrat Dilectrique 1 Substrat Dilectrique 2

Fente Plan de Masse

Figure I. 12- Alimentation par couplage par fente

Parmi les diffrents types d'alimentation, le couplage a proximit (figure I. 13) offre la meilleure bande passante (environ 13%). Il est facile modliser et prsente un rayonnement parasite faible. La distance entre la ligne d'alimentation et le patch peut tre utilise pour adapter l'impdance du rsonateur. Le principal inconvnient de ce type d'alimentation est qu'il est difficile mettre en oeuvre.
Ligne Microriban Substrat Dilectrique 1 Substrat Dilectrique2

Figure I. 13- Alimentation par couplage a proximit

I. 5. CONCLUSION
Ce premier chapitre nous a permis de rappeler les diffrents types des structures planaires o nous avons vu les caractristiques, les avantages et les inconvnients des lignes de transmissions planaires et des rsonateurs microrubans, ainsi que leurs structures et leurs utilisations. Donc ce chapitre est une introduction aux chapitres suivants o nous allons beaucoup plus dtailler ltude de certaines structures en les modlisant. 26

Chapitre II

II. 1. Introduction II. 2. Techniques numriques de rsolution II. 3. Modlisation de la ligne microruban implante sur substrat isotrope II. 4. Modlisation de la ligne de transmission implante sur la ferrite II. 5. Conclusion
27

II. 1. INTRODUCTION
Ce chapitre est un bref rappel sur les diffrentes techniques analytiques et numriques de modlisation des lignes planaires. Ces dernires seront considres en lignes planaires microbandes, implantes en premier sur substrat dilectrique isotrope ensuite sur substrat anisotrope : la ferrite. Dans cette tude les proprits et comportement de la ferrite sont compars ceux du cas de substrat isotrope. La technique de modlisation, choisie dans notre travail se rsume en la rsolution de lquation intgrale du champ lectrique, laquelle couple avec la fonction tensorielle de Green, permettent daboutir des quations matricielles en fonction du courant de conduction dans le plan du conducteur. La procdure de Galerkin dans le domaine spectral nous a permis de dterminer les composantes du courant sur la plaque rayonnante pour que ensuite nous dduisions la constante de propagation, objet de notre travail dans ce chapitre.

II. 2. TECHNIQUES NUMERIQUES DE RESOLUTION

Il existe plusieurs techniques, qui sont utiliss pour la modlisation des dispositifs passifs hyperfrquences, o chacune delles a, bien entendu, ses avantages et ses inconvnients. Des limitations ont t, par ailleurs, rapportes dans la littrature, notamment en ce qui concerne des structures particulires justifiant le choix dune telle ou telle mthode. Dautre part, des prcautions ont t prconises avant toute utilisation de ces techniques pour la modlisation des structures planaires micro-ondes. Les modles tablis sont bass sur des techniques numriques et parfois analytiques difficiles qui ntaient pas toujours la ports des chercheurs. Ceci a rendu les recherches, dans ce domaine, compliques et laborieuses du la conception des structures de transmission planaires.

II. 2. 1. Mthodes numriques pour les lignes planaires [21]

Parmi les techniques trs diverses dtude des lignes microruban, nous distinguons par ordre croissant de complexits : Les techniques non dispersives (Quasi-TEM) Les techniques dispersives approches Les techniques dynamiques compltes On entend par modles statiques /quasi-statiques, les modles pour lesquels les dimensions de la structure sont bien infrieures la longueur donde. Dans ce contexte, 28

lhypothse TEM assimile la ligne de transmission microstrip une ligne bifilaire classique, et le rsonateur un condensateur plan. On appellera modle dispersif, toute approche permettant de prdire les variations de limpdance caractristique, la vitesse de phase, la permittivit effective dune structure microruban et plus gnralement les paramtres [S] des multiples en technologie microruban ou autres en fonction de la frquence Il est signaler que les mthodes dispersives sont plus encombrantes et moins rapides que les mthodes quasi-statique mais elles restent plus rigoureuses car elles prennent en compte certains paramtres que lon nglige gnralement en mode quasi-TEM et qui peuvent influencer sur la propagation au sein des lignes planaires. Ltude des mthodes deux dimensions serviront comme base de dpart pour ltude des structures tridimensionnelles.

II. 2. 2. La Mthode Dynamique Complte [21]

Du point de vu historique, la premire tude dynamique de la ligne microruban a fait usage dune fonction de Green dfinie comme tant le champ lectromagntique tangentielle. Les fonctions de Green sexpriment comme des intgrales complexes sur des contours infinis. Le champ de distribution arbitraire de courant peut alors tre obtenu par superposition. On aboutit une paire dquations intgrales couples par leurs courants de surface Jx et Jz. La fonction de Green est rapparue en1976 (Farrar et Adams) sous une forme discrte, mieux adapte au calcul numrique. On considre un dveloppement de courants de surface (Jx et Jz) dans une base de fonction rectangulaire. Dans une approche gnrale qui dcompose les champs du mode hybride en mode TE et TM, chacun drivant dun potentiel scalaire ou magntique. La condition aux limites qui fait que le champ lectrique tangentiel est nul sur le conducteur suprieur donne lieu une quation intgrale pour les courants de surface. Plusieurs mthodes dynamiques peuvent tre utilises pour dterminer les caractristiques dune ligne microruban, parmi lesquelles, les principales et les plus couramment utilises :

a. Mthode de la rsonance transverse

Cette technique sapplique typiquement pour des structures qui drivent de celle des guides dondes conventionnels ou des structures dune ligne microruban gomtrie arbitraire. Lide tant de considrer le champ lectromagntique comme une propagation dans une direction transverse au lieu de la direction axial, ce qui est utile pour la recherche des solutions aux problmes de discontinuits. La formulation conventionnelle de la mthode pour la modlisation des discontinuits comporte les tapes suivantes : 29

Cration dune cavit rsonante qui renferme la discontinuit de part et dautre de deux plaques lectriques ou magntiques. Calcul des frquences de rsonance partir dune analyse des champs par la technique de la rsonance transverse. Construction du rseau matriciel de la discontinuit (matrice [S] : Coefficient de transmission, [Z] : Impdance caractristique, [Y] : Admittance caractristique,...) partir des frquences de rsonances ou des distributions des champs. Le rseau en question permet de caractriser la discontinuit.

b. Mthode dapproche dans le domaine spectral en mode hybride (SDA)

Dans ce cas on doit dterminer la constante de propagation en passant ncessairement par la rsolution de lquation donde. Cette analyse comporte les tapes suivantes : 1. On exprime le champ lectromagntique sous forme de sries discrtes de Fourrier dans chaque couche dilectrique prise une par une, partir des quations de Maxwells selon les modes hybrides. 2. On applique ensuite les conditions aux limites sur les parois ainsi que les conditions de continuit sur toutes les interfaces. On aboutit alors une relation matricielle qui lie, dans le domaine de Fourrier, champ lectrique et courant. De cette relation on fait alors apparatre la fonction de Green dyadique. 3. Aprs passage au domaine spectral, la mthode de Galerkin [27], est ensuite applique pour dterminer les expressions du champ lectromagntique et les densits du courant sur linterface mtallise. 4. Le choix des fonctions de base des courants. 5. On arrive ainsi aprs application du thorme de Parseval, un systme linaire homogne qui comporte autant dquations que dinconnus. Le dterminant de ce systme doit sannuler pour obtenir une solution non triviale. Cette dernire permet de calculer la constante de propagation et la frquence de rsonance. La mthode spectrale est applique pour les structures planaires les plus rpondues telles que, la ligne microruban, les lignes couples. Les configurations de ces lignes pouvant tre multicouches ou non et structures ouvertes ou blindes.

30

II. 3. MODELISATION DE LA LIGNE MICRORUBAN IMPLANTEE SUR SUBSTRAT ISOTROPE II. 3. 1. Mise en quation du problme
La modlisation des lignes de transmission planaires a fait lobjet de diffrentes investigations par les chercheurs. Ainsi, plusieurs dmarches de modlisation de ces structures ont t tudies. Le principe consiste toujours dterminer la constate de propagation, de la structure et cela en tenant compte des caractristiques de son support (substrat dilectrique : isotrope ou anisotrope), pour dduire ensuite un modle prcis de cette ligne. La ligne microruban tudie est une structure de transmission inhomogne, pour cela nous nous intressons dans cette structure au rsonateur microbande conu partir de cette ligne. Il sagit ici dune discontinuit du ruban mtallique selon la direction de propagation. Pour analyser ces types de rsonateurs, nous utilisons lapproche dans le domaine spectral (SDA)[8]. Cette mthode permet de rsoudre rigoureusement le problme des valeurs aux limites lectromagntiques en tenant compte de toutes les composantes du champ lectromagntique. Pour la partie purement numrique, nous ferons appel la technique de Galerkin dans le domaine de Fourrier par utilisation de fonction dessai

II. 3. 1. 1. Prsentation de la structure tudie [21]-[22]-[23]

La structure, que nous considrons, de la ligne microbande, est symtrique par rapport laxe y, mise dans un botier mtallique, et est prsente en coupe transversale (figure II.1). Les principales caractristiques et hypothses concernant cette structure sont les suivantes : Les dimensions du substrat et son paisseur dans les directions transverses (x,y) La nature du dilectrique constituant le support de cette structure. La plaque conductrice (patch) a une paisseur t ngligeable par rapport celle (d) du substrat dilectrique ainsi que de sa largeur (2w). La ligne na pas de pertes ohmiques, ni dilectrique, donc le facteur de la propagation g = + j g , se rduit g = j g . Cependant notre problme consiste dterminer les valeurs de g , pour lesquelles les conditions aux limites sur les champs sont bien vrifies. Nous supposons que tous les milieux sont non magntiques, c'est--dire quils ont une permabilit gale 0 . 31

y a
Air (2,2)

h d

Substrat Dilectrique (1,1) x

Figure II.1 : Structure dune ligne microruban avec substrat dilectrique

isotrope

Cette structure est inhomogne et constitue dun ruban mtallique (patch) rectangulaire imprime entre deux rgions :

- La premire rgion : est un substrat dilectrique isotrope de permittivit 1 = 0 r1 , de largeur

2a et dpaisseur d.

- La deuxime rgion : est une couche dair de permittivit 2 = 0 r 2 , r 2 = 1 et dpaisseur h

O

r1 , r 2 : La permittivit relative des rgions 1 et 2 respectivement. 0 : La permittivit du vide (la permittivit absolue) 0 : La permabilit du vide

II. 3. 1. 2. Expressions des champs lectromagntiques dans le domaine spectral

Du au caractre inhomogne de la ligne microbande, les champs lectriques et magntiques sont la superposition des modes TE et TM (mode hybride), et les quations de Maxwell montrent bien lexistence de composantes longitudinales non nulles pour les champs lectrique et magntique. Il peuvent tre exprims en fonction de deux types de potentiels scalaires i et i . On note bien que i et i sont des fonctions de x et de y, et satisfont les solutions de lquation de propagation donde lectromagntique

+ (k + (k
2 t 2 t i i

2 i 2 i

2 i = 0
2 i

) )

=0

...................................................................................................(II - 3. 1)

O i : Fonction de potentiel scalaire lectrique.

32

i : Fonction de potentiel scalaire magntique. k i2 = 2 i i , : Constante de phase selon la direction z. Et les fonctions de potentiel dans le domaine de Fourrier sont les suivantes : i = i =
n = + n = n = + n =

~ i ( n , y )e j n x
i n j n x

~ ( , y )e

1 ~ i ( n , y ) = i e j n x dx.......................................(II - 3. 2 - a) 2a a +a 1 ~ j x i ( n , y ) = aie n dx.........................................(II - 3. 2 - b) 2a

+a

Avec n : le nombre de Fourrier, dtermin en examinant le comportement du champ lectromagntique le long de laxe (ox). Les composantes du champ lectrique et du champ magntique sont proportionnelles ~ ~ i et i respectivement :
~ ~ E z ,i = ki2 2 i ( n , y )e jz ......................................................................................(II - 3. 3 - a) ~ ~ H z ,i = ki2 2 i ( n , y )e jz ......................................................................................(II - 3. 3 - b) Selon ces quations, nous exprimons, dans les deux milieux de la structure, la composante longitudinale du champ lectrique:

( (

) )

Milieu (1) : y=d ~ E z ,1 = A1, n ki2 2 sinh ( 1, n y )e jz ................................................................................(II - 3. 4 - a) ~ H z ,1 = C1, n ki2 2 cosh ( 1, n y )e jz ..............................................................................(II - 3. 4 - b)

( (

) )

Milieu (2) : y=d+h ~ 2 Ez , 2 = B2, n (k2 2 )sinh ( 2, n (h + d y ))e jz ...................................................................(II - 3. 5 - a) ~ 2 H z , 2 = D2, n (k2 2 )cosh ( 2, n (h + d y ))e jz .................................................................(II - 3. 5 - b)

Pour dterminer les expressions finales des composantes du champ lectrique, nous devrons rsoudre lquation de propagation dans le domaine spectral. Donc partir des quations (II - 3.1) et (II - 3. 2) , et application des transformes de Fourrier sur les oprateurs de drivation, nous mettons lquation de propagation (II-3.1) dans le domaine spectral sous la forme:

33

~ 2 i n , y ~ i2 i n , y = 0....................................................................................(II - 3. 6 - a) 2 y 2~ i n , y ~ i2 i n , y = 0....................................................................................(II - 3. 6 - b) 2 y

Ces expressions sont des quations diffrentielles du 2meordre par rapport la variable y
2 Avec : k i2 = n + ( j i ) + 2 2

n , j i et : sont les composantes du vecteur donde k , suivant les trois directions x,

y, z respectivement.

: est la constante de propagation selon y, et i est lindice des deux milieux.

Sachant que les vecteurs longitudinaux scrivant en fonction des potentiels, nous dduisons les composantes transversales, selon les quations suivantes :

i ~ ~ ~ Et ,i = j t i ( n , y ) ~ ~ ~ H t ,i = j t i ( n , y ) + i

r ~ ~ k t i ( n , y ) e jz ...................................................(II - 3. 7 - a) r ~ ~ k t i ( n , y ) e jz ...................................................(II - 3. 7 - b) nous

En tenant compte des conditions aux limites sur le patch de la ligne et des vecteurs transversaux. Les rsolutions (II - 3. 4) et (II - 3. 5) des quations prcdentes (II - 3.1)

permettent dcrire les composantes du champ lectromagntique dans le domaine spectral selon les deux rgions de la structure sous la forme suivante :
Milieu (1) : ~ E x ,1 = (A1,n n + j 1,n C1,n 1 )sinh ( 1,n y )e jz ..........................................................(II - 3. 8 - a) ~ E y ,1 = j (A1,n 1,n + j n C1,n1 )cosh ( 1,n y )e jz .......................................................(II - 3. 8 - b) ~ E z ,1 = k12 2 A1,n sinh ( 1,n y )e jz .............................................................................(II - 3. 8 - c) ~ H x ,1 = ( C1,n n j 1,n A1,n 1 )cosh ( 1,n y )e jz ........................................................(II - 3. 8 - d) ~ H y ,1 = j ( C1,n 1,n j n A1,n 1 )sinh ( 1,n y )e jz .......................................................(II - 3. 8 - e) ~ H z ,1 = k12 2 C1,n cosh ( 1,n y )e jz ...........................................................................(II - 3. 8 - f)

34

Milieu (2) : ~ E x , 2 = ( B2,n n j 2,n D2,n 2 )sinh ( 2,n (d + h y ))e jz ...........................................(II - 3. 9 - a) ~ E y , 2 = j (B2,n 2,n j n D2,n 2 )cosh ( 2,n (d + h y ))e jz ..........................................(II - 3. 9 - b) ~ 2 E z , 2 = k 2 2 B2,n sinh ( 2,n (d + h y ))e jz ...............................................................(II - 3. 9 - c) ~ H x , 2 = ( D2,n n + j 2,n B2,n 2 )cosh ( 2,n (d + h y ))e jz ..........................................(II - 3. 9 - d) ~ H y , 2 = j (D2,n 2,n + j n B2,n 2 )sinh ( 2,n (d + h y ))e jz ..........................................(II - 3. 9 - e) ~ 2 H z , 2 = k 2 2 D2,n cosh ( 2,n (d + h y ))e jz .............................................................(II - 3. 9 - f)

O : A1,n ( ) , B2,n ( ) , C1,n ( ) et D2,n ( ) sont des inconnues (constantes des champs). Pour les dterminer, on applique les conditions de continuit linterface (y = d) sparant les deux milieux de la structure.
Les conditions de continuit

Lapplication des conditions de continuit dans le domaine spatial pour y = d donnera : E x , 2 E x ,1 = 0.........................................................................................................(II - 3. 10 - a). H x , 2 H x ,1 = J z ( x )e jz ........................................................................................(II - 3.10 - c) H z , 2 H z ,1 = J x ( x )e jz ..........................................................................................(II - 3. 10 - d)
J x ( x ) et J z ( x ) : sont des densits de courant non nulles, seulement sur le patch conducteur

E z , 2 E z ,1 = 0.........................................................................................................(II - 3. 10 - b)

0 pour 0 < x < w Tel que : J x ( x ), J z ( x ) .........................................................(II - 3. 11) Ailleurs = 0 On exprime galement ces conditions de continuit dans le domaine spectrale par lapplication de la transforme de Fourrier des quations (II - 3.10) :
~ ~ E x , 2 E x ,1 = 0..........................................................................................................(II - 3. 12 - a) ~ ~ E z , 2 E z ,1 = 0..........................................................................................................(II - 3. 12 - b) ~ ~ ~ H x , 2 H x ,1 = J z ....................................................................................................(II - 3. 12 - c) ~ ~ H z , 2 H z ,1 = J x ......................................................................................................(II - 3. 12 - d)

En substituant (II - 3. 8) et (II - 3. 9) dans (II - 3. 12) , nous obtenons un systme

dquations linaires, sous forme matricielle, avec comme inconnues les constantes A1,n ( ) , B2,n ( ) , C1,n ( ) et D2,n ( ) :

35

2 A1,n 0 k12 2 sh( 1,n d ) k 2 2 sh( 2,n h) 0 0 j 1,n1 sh( 1,n d ) j 2,n2 sh( 2,n h) B2,n 0 n sh( 2,n h) n sh( 1,n d ) = ~ .....(II - 3.13) j1 1,n ch( 1,n d ) j2 2,n ch( 2,n h) n ch( 1,n d ) n sh( 2,n h) C1,n J z ~ 2 0 0 k12 2 ch( 1,n d ) k 2 2 ch( 2,n h)D2,n J x

A partir de cette expression matricielle, nous arrivons exprimer les inconnues prcdentes en fonction des composantes du courant sur le patch. On dtermine par la suite la relation qui relie les constantes aux champs sur linterface y =d et les conditions aux limites seront vrifies comme suit:

~ ~ E z ,1 = E z , 2 = 0 ~ ~ E x ,1 = E x , 2 = 0 ~ ~ E z ,1 = E z , 2 = Et ~ ~ E x ,1 = E x , 2 =

x w .........................................................................(II - 3. 14 - a) pour z a ~ E z e j z ~ E x e j z x > w ................................................................(II - 3. 14 - b) pour z >a

En remplaant les relations (II-3. 4) et (II-3. 5) dans ces conditions, on dduit les composantes des champs en fonction des inconnues : ~ E x = ( A1, n n + jC1, n 1 1, n )sinh ( 1, n d ).....................................................................(II - 3. 15 - a) ~ E z = A1, n k12 2 sinh ( 1, n d ).....................................................................................(II - 3. 15 - b)

Puis en substituant les constantes des champs A1,n ( ) , B2,n ( ) , C1,n ( ) et D2,n ( ) par leur valeurs trouves , nous obtiendrons une relation qui permet de relier les composantes du champ en fonction des densits du courant sur le patch linterface y = d dans le domaine spectral : ~ ~ ~ E z = G11 ( n , )J x + G12 ( n , )J z ..............................................................................(II - 3. 16 - a) ~ ~ E x = G21 ( n , )J x + G22 ( n , )J z .............................................................................(II - 3. 16 - b) Ce qui peut se mettre sous la forme matricielle suivante : ~ ~ E z G11 G12 J z ~ = ~ ................................................................................................(II - 3.17) E x G21 G22 J z Avec :

36

G11 ( n , ) = G11 ( n , ) =

j 1, n 1 k22 2 tanh ( 1, n d ) + 2, n 2 k12 2 tanh ( 2, n h ) ..................(II - 3.18 - b) 2 k2 j 2 2 2 G11 ( n , ) = 2 1, n 1 k2 n tanh ( 1, n d ) + 2, n 2 k12 n tanh ( 2, n h ) ...................(II - 3. 18 - c) k2 G22 ( n , ) = G11 ( n , )...............................................................................................(II - 3. 18 - d)

j n ( 1, n 1 tanh( 1, n d ) + 2,n 2 tanh( 2, n h)).....................................(II - 3.18 - a) 2 k2

Et = 1, n tanh ( 1, n d ) + 1 2, n tanh ( 2, n h ) 1, n coth ( 1, n d ) + 1 2, n coth ( 2, n h ).............(II - 3. 19) 2 2

II. 3. 1. 3. Mthode de Galerkin

La procdure de Galerkin est une forme particulire de la mthode des moments. Elle a t applique la transforme de Fourrier et de Hankel de lquation intgrale du champ ~ lectromagntique. Cette procdure est principalement utilise pour dvelopper les inconnues E ~ et J selon un ensemble orthogonal de fonction de base, et de faire le produit scalaire de la somme ainsi obtenue avec des fonctions dessai correspondantes. Pour simplifier lexpression des champs lectriques en fonction des densits des courants ~ ~ ~ ~ avec les inconnues E x , E z , J x et J z , on exprime en premier les composantes des courants sur le ~ ~ ~ ~ conducteur : J x et J z en fonction des fonctions dessai J x , p et J z , p dans le domaine de Fourrier comme suit :
~ ~ J x = a p J x , p ...........................................................................................................(II - 3. 20 - a)

~ ~ J z = bp J z , q ...........................................................................................................(II - 3. 20 - b)
q =1

p =1

: a p et bq sont des inconnus. Et Avec : 1 ~ j Jx = a J x ( )e n d...................................................................................................(II - 3. 21) 2a En utilisant les composantes des champs, exprimes dans le domaine temporel, donnes par lquation (II - 3.16) , on aura donc :
+a

37

 ~ ~ ~ E z = G11 ( n , ) a p J x , p + G12 ( n , ) bq J z , q .............................................................(II - 3. 22 - a) p =1 q =1 ~ ~ ~ E x = G21 ( n , ) a p J x , p + G22 ( n , ) bq J z , q ............................................................(II - 3. 22 - b) p =1 q =1

On utilise le produit scalaire, qui permet de supprimer les deux inconnus du champ lectrique. Et sachant que les conditions aux limites sont vrifies lorsque : ~ ~ metal E z = E x = 0 pour x w .........................................................(II - 3. 23) ~ ~ dielectrique J z = J x = 0 pour z w Nous en dduisons alors le systme dquations suivant :
1 a 1 a ~ ~ ~ ~ G11 ( n , ) a p J x , p J z, q 'd n + G12 ( n , ) bq J z , q J z, q ' d n = 0......................(II - 3. 24 - a) a a 2a 2a p =1 q =1 +a +a 1 1 ~ ~ ~ ~ G12 ( n , ) a p J x , p J x , p 'd n + G22 ( n , ) bq J z , q J x, p ' d n = 0....................(II - 3. 24 - b) a a 2a 2a p =1 q =1 + +

En appliquant la technique de Galerkin dans le domaine de Fourrier qui possde lapplication du produit scalaire suivante :
~ ~ X ,Y =
+a
+

n =

XY
p =1 M

~ ~

.......... .................................................................................................... ..(II - 3. 25)

+a

a +a

M N ~ ~ ~ ~ G11 ( n , ) a p J x , p J z, q ' d n = G12 ( n , ) bq J z , q J z, q 'd n ......................................(II - 3. 26 - a)

G (
12

~ ~ ~ ~ , ) a p J x , p J x, p 'd n = G22 ( n , ) bq J z , q J x, p 'd n ....................................(II - 3. 26 - b)

p =1 a q =1

a +a

q =1 N

Donc partir de la dfinition du produit scalaire (II - 3. 26) , nous pouvons dduire ce systme, qui admet une solution non triviale, pour cela on considre une annulation du dterminant de la matrice [C ( )] , ce qui fournit une valeur de la constante de propagation.
1 1 Cq,'1p ( ) Cq,',2p ( ) (a )q , 2,1 = 0....................................................................................(II - 3. 27) 2, 2 Cq ', p ( ) Cq ', p ( ) (b ) p

Avec :

38

M ~ ~ 1 Cq,'1p = G11 ( n , )J x , p J z, q ' ......................................................................................(II - 3. 28 - a) ,

1, 2 q ', p 2 ,1 q ', p

~ ~ = G12 ( n , )J z , q J z, q ' .......................................................................................(II - 3. 28 - b) ~ ~ = G21 ( n , )J x , p J x, p ' .....................................................................................(II - 3. 28 - c)

p =1 N q =1 M

p =1 N

~ ~ 2 Cq ',,2p = G22 ( n , )J z , q J x, p ' ......................................................................................(II - 3. 28 - d)

q =1

II. 4. MODELISATION DUNE LIGNE DE TRANSMISSION PLANAIRE IMPLANTEE SUR LA FERRITE

II. 4. 1. Gnralits
Laimantation spontane dans les oxydes magntiques a t principalement observe au cours du 19
me

sicle. Ce nest qu partir de 1930 environ que des recherches systmatiques sur

les ferrites ont t menes. Ces milieux prsentent des compositions chimiques diverses, conduisant des proprits magntiques varies, allant de celles des matriaux magntiques doux celles des aimants permanents. Le caractre faiblement conducteur des substances ferrimagntiques permet une pntration dune onde haute frquence (onde centimtrique ou millimtrique) dans le matriau et autorise une forte interaction entre londe et laimantation interne la matire [24]. La possibilit de contrler la propagation de londe dans un tel milieu par lapplication dun champ magntique statique ou alternatif, a permis la ralisation de plusieurs dispositifs hyperfrquences indispensables la ralisation de fonctions de traitement du signal (radars, tlcommunications par satellites, compatibilit lectromagntique, etc.). Lanisotropie qui apparat dans une ferrite soumise l'action d'un champ magntique statique engendre la non rciprocit de la propagation d'une onde lectromagntique dans le matriau. C'est ce phnomne qui est exploit dans les isolateurs et les circulateurs. Ceci afin de concevoir des dispositifs hyperfrquences base de la ferrite, amliorer leurs performances ou encore mettre au point de nouveaux matriaux. Il est indispensable de bien comprendre les mcanismes physiques qui rgissent le comportement des milieux magntiques partiellement aimants et de proposer des modles mathmatiques prdictifs de leur permabilit tensorielle.

39

II. 4. 2. Corrlation entre les proprits intrinsques des ferrites et les performances des dispositifs hyperfrquences
Laimantation saturation de la ferrite doit tre choisie avec attention car elle va fixer la frquence de travail du dispositif hyperfrquences le contenant. Par exemple, une aimantation (4Ms) rduite autorise une augmentation du niveau de puissance supportable par le matriau, sans gnrer deffets non linaires, ainsi quune diminution des pertes dinsertion du dispositif, une frquence infrieure celle de la rsonance gyromagntique du matriau. Par contre, elle va limiter la bande de frquences dutilisation du dispositif et engendrer une permabilit initiale statique plus faible du matriau, traduisant une interaction moindre entre celui-ci et londe hyperfrquence En pratique, lchantillon de la ferrite se prsente sous forme massive mais galement, de plus en plus frquent sous forme de couche mince ou paisse. Le fonctionnement de ces dispositifs repose sur lun, voire plusieurs, des effets suivants [18]-[24]:

La rotation de Faraday : une onde Transverse Electro-Magntique (TEM) entrant dans

une ferrite, aimante suivant la direction de propagation de londe, est dcompose en deux ondes respectivement polarises circulaire gauche et droite. Lune des ondes polarises circulairement va voluer dans le sens de la gyrorsonance, entranant une forte interaction onde-matire. Lautre onde voluera en sens inverse celui de la gyrorsonance, conduisant une faible interaction onde-matire. Cette proprit produit une rotation du plan de polarisation de londe TEM initiale,

Le phnomne de rsonance gyromagntique : conduit une forte absorption de londe

lectromagntique se propageant dans le matriau, lorsquun champ magntique hyperfrquence polaris elliptiquement est perpendiculaire la direction de laimantation,

Le dplacement des champs : la distribution des champs hyperfrquences, transverse la

direction de propagation de londe lectromagntique dans le ferrite, est dplace dans la structure de propagation, rsultant en une concentration plus ou moins importante des champs dans le matriau,

Les effets non linaires : engendrs pour de forts niveaux de puissance injects la
ferrite,

Lexistence de modes ou ondes de spin non uniformes : pour des ondes de faible
longueur donde, des modes de propagation non uniformes sont excits et un dphasage spatial dans lvolution des moments magntiques existe. Lorsque la longueur donde 40

dune telle onde est de lordre de grandeur des dimensions de lchantillon de la ferrite, celle-ci est dite onde magntostatique; le milieu tant alors aimant uniformment ltat statique.

II. 4. 3. Proprits des Matriaux Ferrites [18]-[25]

Les ferrites ont des proprits magntiques semblables celle des mtaux ferromagntiques. Ils se distinguent par leur moment de saturation relativement faible et par leur rsistivit leve (10-5 /cm pour les mtaux et102 plus de 1010 /cm pour les ferrites). De ce fait, ce sont pratiquement des dilectriques et on peut les utiliser sous forme de pices massives jusqu' des frquences trs leves et les ondes lectromagntiques peuvent donc sy propager. Les ferrites sont des cramiques base doxydes mtalliques drivant de la magntite. Les diffrents types de structures cristallographiques (spinelle et grenat (structures cubiques) puis hexagonale) de ces milieux, ayant permis leur utilisation dans une gamme de frquences tendue (typiquement entre 30 MHz et 100 GHz). Les caractristiques essentielles des ferrites sont :

a. Constante dilectrique
Les ferrites se comportent aux basses frquences comme des dilectriques trs fortes pertes. Le pouvoir inducteur spcifique, r dcrot rapidement lorsque la frquence croit et parait tendre, dans beaucoup de cas, vers une valeur limite voisine de 10. La tangente de langle de pertes dilectriques (tg ) dcrot dans les mmes conditions et pour certains produits passe par un maximum local aux basses frquences. En hyperfrquences, les dilectriques prsentent une permittivit complexe qui exprime les pertes, (Leur permittivit dilectrique relative r , est comprise entre 10 et 15). Cette dernire devient :

r = r' j r''
r'' r'

On introduit la tangente de pertes dilectriques, qui est dfinie par : tan =

Sa valeur, pour les ferrites massives, est excellente, de lordre de 10-4, 10 GHz, ce qui signifie que les ondes qui les traversent sattnuent peu.

b. Permabilit magntique
On dfinit la permabilit magntique dun matriau comme le rapport entre linduction magntique B et le champ magntique H existant dans le matriau :

41

 = 0 r
r : est la permabilit relative du matriau. Suivant les applications on la dsigne diffremment
: permabilit initiale, permabilit initiale complexe, permabilit rversible ou permabilit

tensorielle.

c. Proprits magntiques [22]-[25]

Lorsquun champ magntique est appliqu dans le vide, des lignes de flux magntique sont induites. Le nombre de lignes engendres est caractrise par linduction magntique B, qui donne par la relation suivante :

B = 0 H
O 0 : est la permabilit magntique du vide (410-7 V.s.A-1.m-1). Si le moment interne renforce le champ magntique alors > 0 , et un plus grand nombre de lignes de flux apparat conduisant un champ magntique amplifi. Si par contre le moment magntique interne soppose au champ, < 0 . Un matriau magntique soumis un champ magntique extrieur H. L'induction magntique B l'intrieur du matriau est lie au champ magntique H, l'aimantation M (ou la magntisation du matriau) et l'intensit d'aimantation J de la faon suivante :

B = 0 (H + M ) = 0 H + J
Les grandeurs J et M reprsentent, en fait, la densit volumique de moments magntiques dans la matire. De plus, par dfinition, un milieu magntique plac dans un champ magntique acquiert un vecteur aimantation M tel que :

M = H
O est la susceptibilit magntique du milieu. Dans les substances de ferrite la susceptibilit magntique devienne une susceptibilit tensorielle, qui relie la magntisation du matriau avec le champ interne. Nous pouvons scrire selon laxe Z comme suit :

M = [ ]H

42

O :

xx [ ] = yx 0

xy yy
0

0 0 est la susceptibilit magntique du matriau. 0

xx = yy =

0 m et xy = yx = j 2 m 2 2 2 0 0

Avec : 0 = M et m = H O 0 : est appele la frquence de Larmor

: est la pulsation de londe hyperfrquence

: dsigne le rapport gyromagntique (rapport entre le moment cintique et le moment

magntique) Donc linduction magntique lintrieur de la ferrite est exprime par la relation suivante :

B = 0 (1 + [ ])H
Do on aura
B = [ ]H

Donc le tenseur de la permabilit approprie a la ferrite selon laxe z scrit comme suit :

[ ] = j 0 Et : = 0 1 + 2 0 m 2 0 et = 0 0 m 2 0 2

0 0 0

Et selon laxe x et y sont respectivement :

0 [ ] = 0 0 et [ ] = 0 j

j 0

0 j , j 0

Le tenseur de permabilit magntique relative li la susceptibilit :

43

[ r ] =

([1] + [ ])

O [1] est la matrice identit. A partir des remarques prcdentes, on montre que [ r ] scrit : r [ r ] = j 0 j

r
0

0 0 rz

Quand la ferrite tant saturation et les vecteurs M et H tant dirigs selon (Oz), la valeur de rz est alors maximale.

II. 4. 4. Mise en quation de problme

On a dj vu que les ferrites sont des matriaux anisotropes o la permabilit magntique est un tenseur [22]. Donc les quations qui caractrisent la propagation de londe dans le milieu sont compliques, si on les compare avec celles du cas o le milieu de propagation est isotrope. Dans cette tude nous allons dterminer le s quations diffrentielles de champ lectromagntique dans le domaine spectral, cas dun milieu ferrite, qui permet de dduire le tenseur de Green [G].
y a
Air (2,2)

h d

w
Substrat Ferrite (1,[]) x

Figure II. 2 : Structure dun microruban avec substrat de Ferrite

Anisotropie du substrat selon laxe x

Notre structure cette fois ci reprsente une ligne microruban (figure II. 2) avec substrat ferrite, ayant pour tenseur de permabilit i selon laxe des x :

44

 0 i = 0 0

0 j ...................................................................................................(II - 4. 1)

On peut crire les quations diffrentielles dans le domaine spectral sous la forme suivantes : ~ E z ~ ~ + j E y = j 0 H x ...........................................................................................(II - 4. 2 - a) y ~ ~ ~ ~ jE x + j n E z = j H y + jkH z ........................................................................(II - 4. 2 - b) ~ E x ~ ~ ~ j n E y = j jkH y + H z .......................................................................(II - 4. 2 - c) y ~ H z ~ ~ + jH y = jE x ................................................................................................(II - 4. 2 - d) y ~ ~ ~ jH x + j n H z = jE y .........................................................................................(II - 4. 2 - e) ~ H x ~ ~ j n H y = jE z ...........................................................................................(II - 4. 2 - f) y ~ ~ E y ~ jE z = 0 ................................................................................... ......(II - 4. 3- a) j n E x + y ~ ~ H y H z ~ ~ ~ j0 n H x + jk kH y jH z = 0 .... ................................... ......... ....(II - 4. 3- b) y y

On exprime ces quations en quations diffrentielles couples du deuxime ordre comme suit : ~ 2 Ex ~ ~ + a1E x + b1H x = 0 .................................................................................. ............(II - 4.4 - a) 2 y ~ 2H x ~ ~ + a2 H x + b2 E x = 0 .......................................................................... ....................(II - 4.4 - b) 2 y ~ 2Ey ~ ~ ~ + a3 E y + b3 H y + c3 H z = 0 .............................................................. ....................(II - 4.4 - c) 2 y ~ 2H y ~ ~ ~ + a 4 H y + b4 E y + c4 E z = 0 ........................................................ ...........................(II - 4.4 - d) 2 y ~ 2 Ez ~ ~ ~ + a5 E z + b5 H y + c5 H z = 0 .................................................... ............... ................(II - 4.4 - e) 2 y ~ 2H z ~ ~ ~ + a 6 H z + b6 E y + c6 E z = 0 ........................................................ ................. ..........(II - 4.4 - f) 2 y

45

Avec :
2 k 2 2 a1 = 2 + n 2 ........................................ ................. ........................(II - 4.5 - a) 0 2 2 2 0 ...................................................... ........ ........ ..................(II - 4.5 - b) a 2 = + n 2 2 2 a3 = a5 = + n 0 ......................................... ............. .................................(II - 4.5 - c) 2 k 2 2 a 4 = a6 = 2 + 0 n 2 ................................... ................................(II - 4.5 - d)

b1 = j

0 k n ................................................................................ ............................(II - 4.6 - a)

k

b2 = b4 = j

b5 = n ( 0 )..................................................................... ....................................(II - 4.6 - d) 0 b6 = n ............................................................. .........................................(II - 4.6 - e) c3 = n ( 0 ).................................................................................... .............. ..........(II - 4.7 - a) 0 c4 = n ............................................................. ...........................................(II - 4.7 - b) c5 = jk n ........................................................................... ........................................(II - 4.7 - c) k c6 = j n ............................................................. ...................................................(II - 4.7 - d)

b3 = jk n .................................................................................. ................................(II - 4.6 - c)

n ................................................................... ............................ .........(II - 4.6 - b)

Aprs les simplifications mathmatiques des quations prcdentes, on obtient le systme des quations du 4me ordre suivant : ~ ~ 4 Ex 2 Ex ~ + (a1 + a 2 ) 2 + (a1 a 2 b1b2 )E x = 0 ............................ .................. ..................(II - 4.8 - a) 4 y y ~ 4 ~ Hx 2H x ~ + (a1 + a 2 ) + (a1 a 2 b1b2 )H x = 0 ............................ ................. ..................(II - 4.8 - b) 4 2 y y ~ 4~ Ey 2Ey ~ + (a1 + a 2 ) 2 + (a1 a 2 b1b2 )E y = 0 ............................ .................. ..................(II - 4.8 - c) 4 y y ~ 4 ~ Hy 2H y ~ + (a1 + a 2 ) + (a1 a 2 b1b2 )H y = 0 ............................ ................ ..................(II - 4.8 - d) 4 2 y y ~ 4~ Ez 2 Ez ~ + (a1 + a 2 ) 2 + (a1 a 2 b1b2 )E z = 0 ............................ ................ ..... ...............(II - 4.8 - e) 4 y y ~ 4 ~ Hz 2H z ~ + (a1 + a 2 ) + (a1 a 2 b1b2 )H z = 0 ............................ ............. .......................(II - 4.8 - f) 4 2 y y
La solution gnrale des quations diffrentielles de 4me ordre des composantes du champ lectromagntique est donne par lquation suivante :

46

~ U = A1,n cosh ( 1,n y ) + A2,n cosh 1' ,n y ............................ .................. ...................... ............(II - 4.9) O :

1,n = 1' ,n =

(a1 + a 2 ) (a1 + a 2 ) + 4b1b2

2

) )

(a1 + a 2 ) + (a1 + a 2 ) + 4b1b2

2

2 2

............................ .................. ..... ...............(II - 4.10 - a)

2

........................... .................. ....... ......... .....(II - 4.10 - b)

On applique les conditions aux limites sur le patch et on dtermine les composantes du champ lectromagntique, les quations du 2me ordre sont deviennes : ~ E x = A1,n cosh ( 1,n y ) cosh 1' ,n y ............................ .................. ..... ........................ ..(II - 4.11 - a) ~ H x = A1,n s1 cosh ( 1,n y ) s 2 cosh 1' ,n y ............................ ................. ..... ................. ..(II - 4.11 - b) ~ E x = C1,n cos( 1,n y ) cos 1' ,n y ............................ .................. ..... ........... .................. ..(II - 4.11 - c) ~ H z = C1,n s3 cos( 1,n y ) s 4 cos 1' ,n y + A1,n s5 cos( 1,n y ) cos 1' ,n y ...................... ..(II - 4.11 - d)

( ( ( (

)) (

)) ( )) ))

))

Avec : s1 = s2

( ( (

2 1, n

+ a1

( =

'2 1, n

b1 + a1

) ............................ .................. ..... ..................................................... ..(II - 4.12 - a) ) ............................ .................. ..... ..................................................... ..(II - 4.12 - b) ) ............................ .................. ..... ..................................................... ..(II - 4.12 - c) ) ............................ .................. ..... ..................................................... ..(II - 4.12 - d)

s3 = s4 =

b1 + a2
2 1, n '2 1, n

b1 + a2

b1 0 s5 = n ............................ .................. ..... ..................................................... ..(II - 4.12 - e) b1 Les constantes des champs A1,n ( ) , B2,n ( ) , C1,n ( ) et D2,n ( ) dj dduites, donc on obtient le systme matriciel suivant :
AC1 AC1' 0 s1 AC1 s 2 AC1' ' s 5 AC1 AC1

n sh( 2, n h ) (k 2 )sh( 2,n h ) j 2 2 ,n ch( 2, n h )

2 2

AC1 AC 0 s 3 AC1 s 4 AC1'

' 1

) (

j 2 2 ,n sh( 2 ,n h ) A1, n 0 0 B2,n = 0 (II - 4.13) ~ n ch( 2, n h ) C1,n J z ~ 2 k 2 2 ch( 2 ,n h ) D2,n J x

Avec :

AC1 = ch( 1, n d )............................ .................. ..... ...................................................... ..(II - 4.14 - a)

AC1' = ch 1' ,n d ............................ .................. ..... ...................................................... ..(II - 4.14 - b)

La rsolution de ce systme permet dvaluer le tenseur de Green :

47

~ ~ E z G11 ( n , ) G12 ( n , ) J z ~ = ~ ............... ..... ................................. ..(II - 4.15) E x G 21 ( n , ) G 22 ( n , ) J z

Avec :

s AC s AC ' 1 G11 ( n , ) = n + j 2 2,n th( 2,n h ) 1 1 2 ' 1 .................................. ..(II - 4.16 - a) AC1 AC1 1 2 G12 ( n , ) = k 2 2 j 2 2,n s5 th( 2,n h ) ................................... .................... .(II - 4.16 - b)

((

G21 ( n , ) = G22 ( n , ) =

s AC s AC ' 1 n + j 2 2,n th( 2,n h ) 3 1 4 ' 1 AC1 AC1 (a a ) 2 = j 2 2,n coth( 2,n h ) + s5 2,n 2 n 1 2 b1

(k
1

2 2

n ......................................................................................... ..(II - 4.16 - c)

2

) .................................. ..(II - 4.16 - d)

s AC s AC ' s AC s AC ' j 2 2,n th( 2,n h ) 1 1 2 1 3 ' 1 4 1 AC1 AC1

)(

) ...................................... ..(II - 4.17)

On applique la mthode des moments associe la procdure de Galerkin dans le domaine de Fourrier. Donc la rsolution de lquation du champ relie la densit du courant sur le patch, exprimes selon les fonctions de base qui sont donnes dans la premire partie de ce chapitre, ce qui nous mne lvaluation des lments du tenseur de Green:
M ~ ~ 1 C q,'1p = G11 ( n , )J x , p J z,q ' .................................................................................... ..(II - 4.18 - a) ,

1, 2 q ', p

~ ~ = G12 ( n , )J z ,q J z,q ' .............................................................. ...................... ..(II - 4.18 - b)

q =1 M

p =1 N

~ ~ 2 C q ',,1p = G21 ( n , )J x , p J x, p ' ................................................. ................................... ..(II - 4.18 - c) ~ ~ 2 C q ',,2 = G22 ( n , )J z ,q J x, p ' .......................................................... .......................... ..(II - 4.18 - d) p
q =1 p =1 N

Pour trouver une solution non triviale de lquation (II-4.18), nous devons avoir donc,

det [C ( )] = 0.......... .......... .......... .......... .......... .......... .......... .......... .......... .......... ....... (II - 4.19)

II. 5. CONCLUSION
Dans ce chapitre nous avons cit les diffrentes techniques de modlisation des lignes planaires. Nous avons galement modlis deux cas de structure : une implante sur substrat isotrope, et la deuxime implante sur substrat ferrite. Lutilisation de la mthode dapproche dans le domaine spectral (SDA), la mise sous forme matricielle de lensemble des quations reprsentant les composantes des champs figurant dans notre structure, ainsi quune technique
48

efficace pour la drivation de la fonction spectral de Green nous a permis lobtention de la constante de propagation selon une rsolution numrique base sur la technique de Galerkin dans le domaine de Fourrier. Ce qui nous a permis une valuation gnrale de leffet dispersif de nos cas de structures

49

Chapitre III

III. 1. Introduction III. 2. Mthodes numriques pour lanalyse des rsonateurs planaires III. 3. Modlisation dun rsonateur implant sur substrats dilectriques III. 4. Conclusion

50

III. 1. INTRODUCTION
Ce chapitre est en premier une prsentation des diffrentes mthodes danalyse appliques aux rsonateurs microbandes. Ensuite nous modlisons, dans le domaine spectral un rsonateur constitu dun conducteur de forme rectangulaire, implant sur isotrope et anisotrope). Cette modlisation consiste vrifier les conditions aux limites du champ lectromagntique sur les diffrents plans de discontinuit. La rsolution des quations, tablies aux limites, nous a permis de dcrire le champ sur la plaque conductrice (le patch) en fonction de la densit de courant. La fonction tensorielle de Green, liant les champs avec les courants de conduction au plan conducteur,a t dduite. La procdure de Galerkin frquence de rsonance. tait notre outil mathmatique dans la rsolution numrique pour dterminer les courants surfaciques ainsi que la substrats dilectriques (cas

III. 2. METHODES NUMERIQUES POUR LANALYSE DES RESONATEURS PLANAIRES

Plusieurs mthodes danalyse des structures microrubans (microstripe) ont t utilises, ces derniers sont partiellement russies pour la caractrisation des antennes planaires. Car elles sont trs diffrentes quant aux principes et limitations. Nous pourrions les classer en deux catgories principales : Mthodes Analytiques et les Mthodes Rigoureuses.

III. 2. 1. Les Mthodes Analytiques

Elles prennent en compte au dpart la nature des phnomnes physiques, ce qui permet deffectuer des approximations, permettant la modlisation du modle en question. En premier lieu parmi ces mthodes, on peut citer quelques unes :

a. Le modle de la ligne de transmission [21]

Le Modle de la ligne de transmission est le plus simple. Il donne de bonnes interprtations physiques mais modlise difficilement le couplage. Cette mthode est la moins prcise de toutes les autres et manque de souplesse. Cependant elle donne un bon aperu physique du fonctionnement de l'antenne. Cela nous permet une analyse dun rseau de lignes de transmission est utilise pour rsoudre le problme ou les inconnus sont la constante de propagation et limpdance caractristique.

51

Le modle de la ligne de transmission reprsente l'antenne microstripe par deux ouvertures rayonnantes spares par une ligne de longueur L et de faible impdance. Les dimensions finies du patch font que le champ ses extrmits se dforme par effet de bords. La quantit d'nergie rayonne est fonction des dimensions du patch et de l'paisseur du substrat qui le spare du plan de masse. Dans le plan E, les effets de bords sont fonction du rapport entre la longueur L du patch, la hauteur h du substrat et la permittivit relative r du dilectrique. Une partie du champ E est contenue dans le substrat et une partie traverse l'air. Ce qui introduit une constante dilectrique effective eff La constante dilectrique effective est dfinie comme tant la permittivit relative d'un dilectrique fictif qui contiendrait toute l'antenne de sorte que la totalit du champ soit contenue dans ce dilectrique, l'antenne conservant toutes ses caractristiques lectriques et notamment son coefficient de rayonnement. Limpdance dentre dune antenne par consquence est un paramtre important connatre afin de crer un couplage de rseau efficace pour donne un maximum de puissance transfre. Le facteur de qualit, la bande passante et le rendement, sont les paramtres dterminants d'une antenne. Le facteur de qualit est un paramtre qui reprsente les pertes de l'antenne. Ces pertes peuvent tre ohmiques, dilectriques, par onde de surface ou par rayonnement. La bande passante dpend de l'paisseur du substrat et augmente lorsque celle-ci augmente du fait de sa dpendance avec le coefficient de pertes dues la radiation. Le gain de l'antenne caractrise la rpartition de la puissance mise par l'antenne par rapport une antenne de rfrence.

b. La modle de la cavit simple

Le modle de la cavit simple est quant lui plus prcis que le modle de la ligne de transmission mais en mme temps plus complexe. Cependant il donne une bonne interprtation physique, mais approche aussi difficilement le couplage bien qu'il donne de bons rsultats. Le modle de la cavit utilisant le courant dalimentation uniforme donne de bons rsultats seulement pour les paisseurs du substrat infrieur 0.0010 (0 : la longueur donde dans le vide). A la jonction cavit-sonde coaxiale (Modematching) peut tre utilise pour traiter des paisseurs autour de 0.04 0. 52

La structure peut tre assimile une cavit limite en haut par une plaque conductrice, en bas par un plan de masse et entoure par une surface latrale, ainsi la conception est faite de telle sorte confiner les champs sous la plaque conductrice. Dans cette mthode linconnue serait le systme des modes propagatives et leurs frquences de rsonance [34].

II. 2. 2. Les Mthodes Rigoureuses [21]-[26]

Lorsquelles sont appliques correctement, le modle lectromagntique est trs prcis, trs souple et traite les lments isols aussi bien que les rseaux finis et infinis, les rseaux empils, les formes arbitraires et le couplage. Cependant cest le modle le plus complexe. Les mthodes rigoureuses sont des mthodes danalyse numriques qui sont les plus utilises rcemment. Parmi ces derniers, on a : La mthode aux diffrences finies; La mthode des lments finis; Le systme dquations intgrales couples, discrtises par la mthode des moments; La mthode spectrale, qui correspond la transforme de fourrier de la mthode de lquation dintgrale.

a. Mthode des moments

La mthode des moments est une technique numrique qui permet de rsoudre efficacement le systme d'quations intgrales en le transformant en un systme matriciel rsolu par calculateur. La mthode des moments est adopte pour lanalyse des antennes microruban dont les inconnues sont les constantes sur la plaque de lantenne. Lide de cette mthode est de dvelopper la densit de courants surfaciques. La procdure de Galerkin est aussi utilise pour discrtiser lquation intgrale pour la ramener un systme linaire dquation algbrique qui lie la transformation de Fourrier du champ et du courant dans le ruban conducteur. Pour rsoudre lquation intgrale on utilise la mthode des moments (procdure de Galerkin), la convergence numrique utilise des fonctions de base sinusodales (fonction dessai), en tenant compte des conditions aux limites sur llment rayonnant, les courants lectriques inconnus, les frquences de rsonances complexes seront dtermins, on dis a ce moment que lquation caractristique du systme linaire est rsolue, les autres caractristiques de lantenne seront directement obtenues [28].

53

b. Mthode danalyse spectrale

Notre tude ici est base sur la mthode de Full-Wave analysis, ce modle prend on considration lquation intgrale du champ lectrique (EFIE), dans le domaine spectral. Ce qui consiste : Lapplication des transforms de Fourrier sur le champ lectrique qui tient compte du rayonnement et de leffet des ondes de surface. La dtermination dune relation linaire entre les composantes tangentielles du champ et courant lectrique sur le patch sous forme de tenseur de Green, qui peut tre dtermin par diffrentes techniques. Lintroduction des fonctions de Green tensorielles qui seront pour inverser loprateur diffrentiel associe une grandeur vectoriel (quation donde du champ lectromagntique) et scalaire (quation de poisson pour le potentiel). La mthode danalyse spectrale est dactualit, nous permet donc de rduire le problme vectoriel tridimensionnel en un problme bidimensionnel. Elle nest pas limite par les conditions classiques telles que la faible paisseur du substrat et une constante dilectrique faible. Cette mthode est considre comme tant la plus rigoureuse, malgr quelle est un peu coteuse, du point de vu temps de calcul et prcision exige sur la dtermination des lments de la matrice associe. On a la possibilit dinclure dans lanalyse leffet des diffrents paramtres tels que la faible paisseur du substrat, la constante dilectrique, les pertes par conducteur et dilectrique et les dimensions finies du plan masse. La solution obtenue est dautant plus proche et plus exacte lorsque la fonction de base modlise bien la variation relle des courants surfaciques.

III. 3. MODELISATION DUN RESONATEUR IMPLANTE SUR SUBSTRATS DIELECTRIQUES (Cas : isotrope et uniaxialement anisotrope)
La modlisation mathmatique du rsonateur microbande de base a t initialement effectue par lapplication de lanalogie des lignes de transmission au patch rectangulaire simple. La mthode spectrale a t choisie pour modliser ce rsonateur, objet de notre tude. Une des caractristiques essentielles de cette mthode est son utilisation dans le domaine des transformes de Fourrier. La mise en ouvre de cette mthode consiste crire, dans chaque milieu de la structure, les champs lectromagntiques sous la forme de transforme de Fourrier. En tenant compte des courants sur les rubans. Les conditions de continuit aux interfaces permettent de dduire une 54

relation entre les transformes de Fourrier des composantes tangentielles des champs lectromagntiques et les transformes de Fourrier des courants surfaciques. Cette relation mne lvaluation du tenseur spectral de Green, pour cela une autre procdure applique pour dtermines les inconnues qui apparaissent dans lexpression du tenseur. La rsolution de ce problme permet dobtenir la frquence de rsonance qui est le lobjectif de notre tude. Nous proposons dans ce travail une structure simple pour valuer le tenseur de Green et dduire la frquence de rsonance du rsonateur microbande. Nous considrons en premier lieu une antenne patch rectangulaire avec un substrat isotrope et ensuite, leffet de lanisotropie sera tudi pour un rsonateur implant sur substrat uniaxialement anisotrope Dans ce qui va suivre nous allons suppos que : Le milieu non charg ( = 0) La densit de courant nulle (la structure nest pas soumise une excitation externe) Tous les milieux sont non magntiques, ce qui implique une permabilit constante gale 0 lpaisseur du conducteur a une paisseur ngligeable.

III. 3. 1. Mise en quation de problme

III. 3. 1 .1. Prsentation de la structure tudie

La figure (III-1) : montre la gomtrie dun patch rectangulaire de longueur a et de largeur b imprim entre deux milieux, lun est un substrat dilectrique et lautre cest le milieu de lair. Le milieu (1) est isotrope dilectrique dpaisseur d1, de constante dilectrique 1 et de permabilit 0. Le milieu (2) est une couche de lair caractris par lpaisseur d2 et de permittivit relative r=1

55

Patch

a d2 d1

Rgion (2) - Air Rgion (1 )- Substrat isotrope

Plan de Masse

Figure III. 1: Gomtrie dun rsonateur microbande rectangulaire

III. 3. 1 .2. Dtermination des composantes longitudinales selon les modes TM et TE

Lcriture des quations de Maxwell reliant le champ lectrique et le champ magntique dans le domaine spectral. La sparation des modes TE et TM revient exprimer les composantes transversales du E x , E y , H x et H y en fonction des composantes normales E z et H z aprs lapplication de la transforme de Fourrier dans le domaine spectral : On obtient les composantes transversales du champ dans le domaine spectral :

imprime sur substrat isotrope

~ k x ~ k y ~ ~ E z + 2 H z = E x (k s , z )....................................................................(III .1 a ) Ex = j 2 k s z ks k y ~ k x ~ ~ ~ E y = j k 2 z E z k 2 H z = E y (k s , z )...................................................................(III .1 b ) s s k x ~ k y ~ ~ ~ Hx = j H z 2 E z = H x (k s , z )...................................................................(III .1 c ) 2 k s z ks ~ k y ~ k x ~ ~ H y = j 2 H z + 2 E z = H y (k s , z )...................................................................(III .1 d ) k s z ks

Avec : k 2 = k x + k y + k z = 2 0 ..........................................................................(III .2 a )
2 2 2

k s = k x + k y ................................................................................................(III .2 b )
2 2 2

k z2 =

2 z 2

On peut crire les quations (III.1-a, b, c et d) sous une forme matricielle compacte comme suit :

56

 1 ~ j E (k , z ) ~ ~e 1 k x k y E x (k s , z ) k s z z s E s (k s , z ) = ~ h ~ = .......................................(III.3 - a) ~ k s k y k x E y (k s , z ) 1 H (k , z ) E s (k s , z ) z s ks ~ e ~ E (k , z ) 1 k x k y E E = ~x s = h ............................................................................(III.3 - b) E y (k s , z ) k s k y k x E
~ E e E s e (k s , z ) Avec : e = h = ~ h .....................................................................................(III.3 - c) E E s (k s , z )
1 k x k s k y ~ H (k , z ) ~ ~ k y H y (k s , z ) k s z s H s e (k s , z ) =~ h ~ .....................................(III.4 - a) = k x H x (k s , z ) 1 ~ j H z (k s , z ) H s (k s , z ) k s z
k y H e ........................................................................(III.4 - b) k x H h

~ ~ H y (k s , z ) 1 k x H = ~ = H x (k s , z ) k s k y

Avec :

~ H e H s e (k s , z ) h = h = ~ h .......................................................................(III.4 - c) H H s (k s , z )

A partir de lquation de propagation suivante : ~ 2 2E 2~ 2 E + E = 0 2 + k z E = 0...................................................................................(III.5) z ~ ~ La forme gnrale de E et H sont exprimes par les relations suivantes : e e ~ E z = A1 (k s ) e jk z z + B1 (k s ) e jk z z .......... .......... .......... .......... .......... .......... .......... .......... .(III.6 - a)

h h ~ H z = A2 (k s ) e jk z z + B2 (k s ) e jkz z ..................................................................................(III.6- b)

En remplaant les quations (III.6-a) et (III.6-b) dans (III.3-c) et (III.4-c) nous obtenons :

57

 k ze e k ze e A (k s ) B (k s ) ~ k e jk z z + k s e jk z z .................................................(III.7 - a) Es = s h h A (k s ) B (k s ) k k s s
k e ~ Hs = z 0
e k ze k 0 z A e (k s ) B e (k s ) k s e jk z z .............................(III.7 - b) e jk z z k s k zh h B h (k ) A (k s ) s k k s s

~ jk z jk z E s = A(k s ) e z + B(k s ) e z .................................................................................(III.8 - a)

~ jk z jk z H s = g (k s ) A(k s ) e z B(k s ) e z ............................................................(III.8 - b)

k ze A e (k s ) k ...................................................................................................(III.9 - a) A(k s ) = s A h (k ) s k s k ze e B (k s ) k .....................................................................................................(III.9 - b) B(k s ) = s h B (k s ) k s
k g (k s ) = z 0 0 k = diag g e (k s ), g h (k s ) = diag , z .................................................(III.9 - c) kz k z

0 k z g 0 (k z ) = 0 0
k z2 = k 02 k s2 ,
2 k s2 = k x2 k y ,

0 ...................................................................................................(III.9 - d) k z0 0

g (k s ) : Admittance caractristique des modes g 0 (k z ) : Admittance de vide

k z : Constante de propagation des ondes TE et TM dans le substrat.

k x : Constante de propagation selon X.

58

k y : Constante de propagation selon Y.

k s : Vecteur donde transverse. k 0 : Constante de propagation dans le vide.

III. 3. 1 .3. Prsentation du champ lectrique en fonction de courant

~ ~ Le champ lectrique E s (k s , z ) sur linterface de la plaque rayonnante est li au courant J

dans le domaine spectral : ~ ~ E s (k s , z ) = G (k s ) J (k s )...................................................................................................(III.10) Do G (k s ) : est le tenseur spectral de Green qui relie le champ lectrique tangentiel avec le
courant dans le plans du patch. Zi+1= d1+d2
~ E s +1 k s , z i+

Zi -Zi-1 = d1

Z+i Z-i Z+i-1

~ E s k s , z i

~ E + = E s k s , z i+

~ E = E s k s , z i

(
(

)
)

Zi-1

~ E = E s k s , z i+1

Figure III.2 : Distribution du champ lectrique a lintrieur de la structure

a. Condition aux limites

Londe se propage dans une rgion qui est limite entre les plans Z i 1 et Z i , donc les composantes tangentielles du champ lectrique et magntique dans la rgion Z i 1 et Z i sont :
~ E = Es k s , zi+1 ~ + H = H s k s , zi 1

( (

) )

et

~ E + = E s k s , z i + ~ H = H s k s , zi

( (

) )

En crivant les quations (III.8-a) et (III.8-b) dans les plans de propagation Z i 1 et Z i ,

E = A(k s ) e jk z zi 1 + B (k s ) e jk z zi 1 ......................................................................................(III.11 - a) + + H = g i (k s ) A(k s ) e jk z zi 1 B (k s ) e jk z zi 1 ........................................................................(III.11 - b)
+ +

Donc nous obtenons les expressions du champ lectrique et magntique suivantes :

59

~ E + = E s k s , z i = E cos k z d 1 j[g i (k s )]1 H sin k z d 1 ..........................................(III.12 - a) i i + ~ H = H s k s , z i = H cos(k z d 1 ) jg i (k s ) E . sin (k z d 1 )..............................................(III.12 - b)

( (

) )

Et en remplaant E et H par ses valeurs on a donc les deux quations suivantes : ~ ~ ~ Es (k s, zi ) = Es (k s , zi+1 )cos(k z d1 ) jgi (k s )1 H s (k s , zi+1 )sin (k z d1 )........................................(III.13 - a) ~ ~ 1 ~ + + H s (k s, zi ) = H s (k s , zi 1 )cos(k z d1 ) jgi (k s ) Es (k s , zi 1 )sin (k z d1 )........................................(III.13 - b) ~ ~ Et nous exprimons Es et H s sous forme matricielle:
~ ~ Es k s , zi E k , z + = Ti ~s s i+ 1 ~ H s k s , zi H s k s , zi 1

( (

) )

( (

)....................................................................................................(III.14) )

b. Conditions de continuit

Si linterface Z=Zi, ne contient pas des charges donc on a une continuit des composantes ~ ~ tangentielles du champ lectrique Es et du champ magntique H s :

~ ~ E s k s , z i = E s +1 k s , z i+ ~ ~ H k , z = H k , z + .......... .......... .......... .......... .......... .......... .......... .......... .......... ........(III.15) s s i s +1 s i ~ ~ E s +1 (k s , z i+ ) E s (k s , z i+1 ) ..........................................................................................(III.16) = Ti ~ ~ + + H s +1 (k s , z i ) H s (k s , z i 1 ) T Ti12 Ti = i11 ...................................................................................................................(III.17) Ti 21 Ti 22

( (

) )

( (

) )

Avec :

cos k zi d 1 Ti11 = Ti 22 = 0
Ti12

Ti 21

.........................................................................(III.18 - a) kz 0 j i sin k zi d 1 1 .................(III.18 - b) = j sin k zi d 1 [g i (k s )] = j 0 sin k zi d1 k zi 0 j k sin k zi d1 zi ....................(III.18 - c) = j sin k zi d 1 [g i (k s )] = k zi j 0 sin k zi d1

0 cos k zi d 1

Si linterface Z=Zi est charge, donc la densit du courant induite par la composante tangentielle du champ magntique est: 60

r r r n HT = J s r r r r n E1 E2 = 0

A linterface Z=Zi : r r r r J s = n H (zi ) H (zi+ ) ..................................................................................................(III.19) r Do la transforme de Fourrier de la densit surfacique du courant J s sur le patch est donne

par :
~ + H y z i H y zi = J x ~ .................................................................................................(III.20 - a) + H x zi H x z i = J y ~ H y zi H y zi+ J x = ~ ....................................................................................(III.20 - b) + H x z i H x zi J y ~e ~e ~ H k s , z i H k s , z i+ J e (k s ) = ~h ~h ~h + H k s , z i H k s , z i J (k s ) Avec :

( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )

1 ks

k x k y

~ ~ k y J x (k s ) J e (k s ) ~ = J s (k s )............................................................(III.21- a) ~ = ~h k x J y (k s ) J (k s )

~ ~ ~ H e k s , z i+ H e k s , z i J s e (k s ) ~ h = ~h .......................................................................(III.21- b) ~h + H k s , z i H k s , z i J s (k s ) Donc on a le systme matriciel suivant : ~ ~ + E se+1 (k s , z i+ ) e 0 e E s (k s , z i 1 ) = Ti ~ e ~ e ~e ..............................................................(III.22 - a) + + H s +1 (k s , z i ) H s (k s , z i 1 ) J s (k s ) ~ ~ + E sh+1 (k s , z i+ ) h 0 h E s (k s , z i 1 ) ~ h ~h = Ti ~ h ..............................................................(III.22 - b) + + H s +1 (k s , z i ) H s (k s , z i 1 ) J s (k s ) On peut crire : ~ ~ E s +1 (k s , z i+ ) E (k , z + ) 0 = Ti ~s s i+1 ~ ~ ..................................................................(III.23) + H s +1 (k s , z i ) H s (k s , z i 1 ) J s (k s )
Rgion I : rgion de masse, Z=0

( (

) )

( (

) )

Est un conducteur parfait donc le champ lectrique tangentiel totale est gal a zro. ~ E s (k s , z i+1 ) = 0 A(k s ) + B(k s ) = 0 A(k s ) = B(k s )..............................................(III.24 - a)

61

Rgion II : rgion du substrat dilectrique, linterface Z=Zi

Z i+ 1 Z Z i+ :

~ ~ E s (k s , z i+1 ) 0 E s +1 (k s , z i+ ) ~ = Ti ~ ~ ...............................................................(III.24 - b) + + H s (k s , z i 1 ) J s (k s ) H s +1 (k s , z i ) Z i+ 1 Z Z i :
~ ~ E s k s , z i E s +1 k s , z i+ 0 ~ = ~ + H s k s , z i H s +1 k s , z i 0 ~ ~ ~ E s +1 k s , z i+ E s k s , z i+1 E s k s , z i = Ti ~ =~ .........................................................(III.24 - c) ~ + + H s +1 k s , z i H s k s , z i 1 H s k s , z i
Rgion III : rgion de lAir, Z Z i et Z :

( (

) )

( (

) )

( (

) )

( (

) )

( (

) )

~ ~ H s +1 (k s , z i++1 ) = g i +1 (k s ) E s +1 (k s , z i++1 )..........................................................................(III.24 - d) Avec : ~ ~ ~ ~ ~e ~h E se , E sh , H se , H sh , J s et J s sont

E s , H s , J s respectivement.

les

transforme

de

Fourrier

des

composantes

de

Et

k g i +1 (k s ) = diag 0 , 0 z k 0 z 0 k0z = 0 0

III. 3. 1. 4. Dtermination du tenseur spectral de Green

Le tenseur spectral de Green G (k s ) relie le champ lectrique tangentiel avec le courant dans le plan du patch. Daprs les conditions aux limites, on dduit lexpression suivante qui donne la relation ~ ~ qui reliant le courant sur le patch J (k s ) au champ lectrique tangentiel E (k s , z ) : ~ ~ E s (k s , z ) = G (k s ) J (k s ).............................................................................................(III.25)

~ ~ J x ~ Ex ~ G xx O : E = ~ , J s (k s ) = ~ et G (k s ) = E y J y G yx

G xy G yy

~ ~ On obtient le tenseur de Green Q qui relie le champ lectrique tangentiel e avec le courant J s

dans le plan du patch

62

~ ~ = Q J ...........................................................................................................................(III.26) e s

G (k s ) = A vec :

1 ks

k x k y

ky 1 Q kx ks

k x k y

ky ..................................................................(III.27 - a) kx

Q Q = 1 0

0 ............................................................................................................(III.27 - b) Q2

00
Z1 Zi =Z1 = d1 Z0

Air

1 0

substrat dielectriq ue Masse

A laide des quations (III.24-a), (III.24-b) et (III.24-d), on applique les conditions aux bords :
Rgion du plan de masse, Z = Z 0 = 0

+ ~ e1 k s , z 0 = 0 ~ e1 = 0.............................................................................................................................(III.28 - a)

Rgion du substrat dilectrique isotrope, de permittivit 1 = r 1 0 et de permabilit 0 ,

Z 0 Z Z 1 et Z = d1 ~ ~ E s +1 (k s , z i+ ) E (k , z + ) 0 = Ti ~s s i+1 ~ ~ + H s +1 (k s , z i ) H s (k s , z i 1 ) J s e e ~2 T111 T112 ~1 0 ~ .......................................................................................(III.28 - b) ~ h = 21 22 ~ T1 h1 J s 2 T1 Avec cos k z1 d1 T111 = T1 22 = 0

, cos k z1 d1

T112 = j sin k z1 d1 [g1 (k s )]

k z1 j sin k z1 d1 1 = 0

, 0 sin k z1 d1 j k z1 0

63

T1 21

1 j k sin k z1 d1 z1 = j sin k z1 d1 g1 (k s ) = 0

k z1 j sin k z1 d1 0 0

Rgion de lair, de permittivit 0 et de permabilit 0 , Z 1 = d1 Z :

~ ~ H s +1 k s , z i++1 = g i +1 (k s ) E s +1 k s , z i++1 ~ ~ h2 k s , z1+ = g 2 (k s ) e2 k s , z1+ ~ ~ h2 = g 2 e2 .....................................................................................................................(III.28 - c)

( )

~ ~ Le tenseur de Green Q relie le champ lectrique tangentiel e2 avec le courant J s dans le ~ ~ plan du patch e2 = Q J s , on obtient donc :

Q1 =

0 r1

j Q2 = 0 k z1 On posant :

) cos(k d ) + jk sin (k k sin (k d ) cos(k d ) + jk sin (k

k z0 k z1 sin k z1 d1
z1

z1

z1

d1

)...........................................................(III.29 - a)
)

z1

z1

z0

z1

..........................................................(III.29 - b) d1

M 1 = r1 cos k z1 d1 + jk z1 sin k z1 d1 M 2 = k z1 cos k z1 d1 + jk z0 sin k z1 d1 Donc :

( (

) )

( (

) )

1 2 2 G xx = k 2 Q1 k x + Q2 k y .......................................................................................(III.30 - a) s 1 G = G xy = G yx = 2 (k x k y (Q1 Q2 ))............................................................................(III.30 - b) ks 2 G yy = Q1 k y + Q2 k x2 .................................................................................................(III.30 - c) 2 2 k 02 k y 1 k x k z0 k z1 sin k z1 d 1 G xx = j 2 + j sin k z1 d 1 ................................(III.31 - a) M1 M2 k s 0 2 j k x k y k z0 k z1 sin k z1 d 1 k x k y k 0 sin k z1 d 1 ........................(III.31 - b) 2 G xy = G yx = 0 k s2 M1 M2 ks 2 2 2 1 k y k z0 k z1 sin k z1 d1 k 0 k x + 2 sin k z1 d1 ......................................(III.31 - c) G yy = j 2 0 ks M1 ks M 2 2 O : k 0 = 0 0 ,

k z20 = k 02 k s2 ,
64

k s2 = k s

2 = k x2 k y ,

k z21 = k12 k s2 = r1 k 02 k s2 ,

k12 = 2 1 0 = 2 r1 0 0 = r1 k 02
k z : La constante de propagation des ondes TE et TM.

III. 3. 1. 5. Dtermination du tenseur de Green pour un substrat uniaxialement anisotrope

Patch

a d2 d1
Rgion (2) - Air Rgion (1 )- Substrat anisotrope
Plan de Masse

Figure III. 2: Gomtrie dun rsonateur microbande rectangulaire imprime

sur substrat uniaxialement anisotrope

La forme gnrale du tenseur de Green correspondant un rsonateur microbande a patch rectangulaire implant sur substrat dilectrique anisotrope uniaxiale [16]-[19] donne par : G xx G (k s ) = G yx Tel que : G xy ................................................................................................................(III.32) G yy

G xx = j

2 k x2 k z0 k z1 sin k z1 d1 k2 ky + j 0 sin k z1 d1 M2 M1 k s2 0

)..................................(III.33 - a)

G xy = G yx = G yy
O

k x k y k z k z1 sin k z1 d1 k x k y k 0 sin k z1 d1 2 0 2 0 k s M2 M1 ks j
2

2 k y k z0 k z1 sin k z1 d1 k 02 k x2 =j + 2 sin k z1 d1 0 k s2 M 1 ks M 2

.........................(III.33 - b)

)........................................(III.33 - c)

65

1 cos k z1 d1 + jk z1 sin k z1 d1 M1 = 0 M 2 = k z1 cos k z d1 + jk z sin k z d1 1 0 1

( (

) )

( (

) )

g (k z ) = diag g e (k s ), g h (k s )

1 ke z = 0

0 , k zh 0

k ze = x k 02

x 2 ks , z

k zh = x k 02 k s2 ,

k z1 = diag k ze , k zh , k ze , k zh Sont respectivement les constantes de propagation des modes TM et TE dans le dilectrique. La constante dilectrique pour un milieu uniaxialement anisotrope avec laxe Z est donn par le tenseur de permittivit suivant :

1 = 0 diag [ x1 , x 2 , z ]
O 0 : Permittivit de lespace libre,

z : Permittivit relative le`long de laxe optique Z

III. 3. 1. 6. Equation Intgrale du Champ Electrique

A partir des composantes transversales du champ lectromagntique qui sont lies aux ~ transformes vectorielles de Fourrier du courant J (k s ) sur la plaque rayonnante et lutilisation du thorme de Parseval, on obtient lquation intgrale du champ lectrique suivante :

E s (r s ) =

1 4
2

+ +

~ dk F (k , r )G (k )J (k ).....................................................................(III.34)
s s s s s

~ Avec J (k s ) , est la transformes vectorielle de Fourrier de la densit surfacique du courant J (rs )

sur le patch donne par : ~ J x ~ J (k s ) = ~ = J (rs )F (k s ,rs )dk s .............................................................................(III.35) J y + +

66

Et F (k s , rs ) = Donc : ~ J (k s ) =

1 k x k s k y

k y ik s rs e , est le noyau des transformes vectorielles de Fourrier kx k y ik s rs e dk s ........................................................................(III.36) kx

+ +

J (rs )

1 k x k s k y

On peut crire les lments du tenseur de Green sous une forme dun systme dquations : ~ ~ ~ E x = G xx J x + G xy J y ~ ~ ........................................................................................................(III.37) ~ E y = G yx J x + G yy J y Daprs les quations des transformes vectorielles inverses de Fourrier, on dtermine les composantes longitudinaux E x et E y : 1 E x ( x, y ) = 4 2 E ( x, y ) = 1 y 4 2
++

+ +

[G

xx

~ ~ i (k x + k y ) J x + G xy J y e x y dk x dk y ..................................................(III.38 - a) ~ ~ i (k x + k y ) J x + G yy J y e x y dk x dk y .................................................(III.38 - b)

[G

yx

Et dans le plan du patch (conducteur mtallique), Ex ( x, y ) = E y ( x, y ) = 0 , donc on a les deux quations suivantes : ++ ~ ~ i (k x x + k y y ) dk x dk y = 0.....................................................................(III.39 - a) G xx J x + G xy J y e + + ~ ~ i (k x x + k y y ) dk x dk y = 0....................................................................(III.39 - b) G yx J x + G yy J y e

III. 3. 1. 7. Rsolution de lquation intgrale par la procdure de Galerkin

Lapplication de la procdure de Galerkin conforme la mthode des moments dans le domaine de Fourier permet de rduire lquation intgrale en une quation matricielle. La procdure de Galerkin permet dexprimer la distribution des courants en srie de fonctions de base.

67

N J (r ) M 0 J (rs ) = an xn s + bm .............................................................................(III.40) n =1 0 m =1 J ym (rs ) N J x ( x, y ) = an J xn ( x, y ).................................................................................................(III.41- a) n =1 M J x (x, y ) = bm J ym ( x, y )................................................................................................(III.41- b) m =1

O a n et bm sont les coefficients inconnues du dveloppement modal. Les transformes de Fourrier de ces quations sont :
+ + N ~ J (r ) ~ J x ( x, y ) = a n J xn (k x , k y ) = F (k s , rs ) xn s dk x dk y ............................................(III.42 - a) n =1 0 + + M 0 ~ ~ J ( x, y ) = b J (k , k ) = 1 m ym x y F (k s , rs ) J ym (rs ). dk x dk y ...........................................(III.42 - b) x m=

En remplaant (III.42 - a) et (III.42 - b) dans (III.39 - a) et (III.39 - b) on aura :

+ + + + M N ~ ~ i (k x + k y ) i (k x + k y ) a n G xx J xn (k x , k y ) e x y dk x dk y + bm G xy J ym (k x , k y ) e x y dk x dk y = 0.....(III.43 - a) n =1 m =1 N + + + + M ~ ~ i (k x + k y ) i (k x + k y ) a G yx J xn (k x , k y ) e x y dk x dk y + bm G yy J ym (k x , k y ) e x y dk x dk y = 0....(III.43 - b) n n =1 m =1

~ En multipliant (III.43 - a) par J xk ( x, y ) pour k=1... .N, et en intgrant sur le domaine du patch

~ [(X,Y)patch] ; et en multipliant (III.43 - b) par J yl ( x, y ) pour l=1....M, et en intgrant sur le domaine du patch [(X,Y)patch] on obtient:
+ + M N + + ~ ~ ~ ~ an Gxx J xn (k x , k y )J xk ( k x ,k y )dk x dk y + bm Gxy J ym (k x , k y )J xk ( k x ,k y )dk x dk y = 0......(III.44 - a) n =1 m =1 N + + + + M ~ ~ ~ ~ a G yx J xn (k x , k y )J yl ( k x ,k y )dk x dk y + bm G yy J ym (k x , k y )J yl ( k x ,k y )dk x dk y = 0.....(III.44 - b) n n =1 m =1

On peut crire ces quations sous la forme matricielle :

1 Bkn 3 Blm

( ) ( )

N N

M N

(B ) (B )

2 kn N M 4 lm M M

(an )N M 0 = .......... .......... .......... .......... .......... .......... .......... .(III.45) (bm )M M 0

68

Avec :

1 + + ~ ~ Bkn = Gxx J xn (k x , k y )J xk ( k x , k y )dk x dk y .................................................................(III.46 - a) 2 + + ~ ~ Bkm = Gxy J ym (k x , k y )J xk ( k x , k y )dk x dk y ...............................................................(III.46 - b) + + ~ ~ B3 = ln Gyx J xn (k x , k y )J yl ( k x ,k y )dk x dk y ...............................................................(III.46 - c) + + ~ ~ 4 Blm = Gxy J ym (k x , k y )J yl ( k x ,k y )dk x dk y ................................................................(III.46 - d)
Cette quation matricielle prsente une solution non triviale, pour cela on impose une annulation du dterminant de la matrice dquation (III.45), tel que :

det[B()]=0
La solution de cette quation est une frquence complexe : f = fr + jfi. Avec fr : est la frquence de rsonance du rsonateur. fi : est une frquence caractrisant les pertes par rayonnement du rsonateur. La largeur de la bande passante est donne par : BP = O Q : est le facteur de qualit. 1 2 fi = Q fr

III. 4. CONCLUSION
Dans ce chapitre nous avons appliqu la mthode spectrale dans le domaine de Fourrier, pour dterminer la fonction tensorielle de Green pour les deux cas de substrats dilectriques : isotrope et uniaxialement anisotrope. Un dveloppement dtaill des expressions analytiques a t valu, o on a tabli lquation intgrale du champ lectrique, en utilisant la mthode des moments procdure de Galerkin qui est un outil mathmatique pour rsoudre cette quation et pour dduire la frquence de rsonance ainsi que la bande passante des cas de structures traites.

69

Chapitre IV

IV. 1. Introduction IV. 2. Choix des fonctions de base IV. 3. Rsultats numriques IV. 4. Conclusion

70

IV. 1. INTRODUCTION
Lquation intgrale du champ lectrique dans le domaine spectral est rsolue par la mthode des moments en utilisant la procdure de Galerkin. Linfluence de lpaisseur du substrat, de sa permittivit, des dimensions du patch, sur la frquence de rsonance complexe, et la bande passante dun rsonateur microbande ont t modliss et comments dans ce chapitre. La constante de propagation et la permittivit effective dune ligne de transmission ont t galement modlises et tudies. Les rsultats que nous avons obtenus ont t compars et discuts avec ceux fournis par la littrature.

IV. 2. CHOIX DES FONCTIONS DE BASE

Dans la rsolution numrique lapplication de la procdure de Galerkin permet une reprsentation du courant de conduction par des fonctions de base appropries. Thoriquement, il existe plusieurs systmes de fonctions mais dans la pratique, on utilise quun nombre limit. On choisit les fonctions dont la variation reflte celle de la solution prvue. En effet la connaissance pralable du type de variation de cette dernire savre ncessaire. Sans oublier le fait de retenir uniquement un minimum de termes dans le dveloppement en srie de linconnu, ceci ayant pour but de minimiser la lourdeur des calculs. Les fonctions dessai choisies ne doivent pas tre en contradiction avec les conditions aux limites imposes aux courants quelles reprsentent. Les mesures exprimentales doivent confirmer les rsultats obtenus en utilisant ces fonctions Elle doivent vrifier certaines considrations (il faut quelle soient en rapport direct avec la gomtrie du patch) Gnralement les fonctions sinusodales sont utilises pour tudier les gomtries triangulaires et rectangulaires, alors que les fonctions de Bessel sont rserves aux formats annulaires et circulaires. Les fonctions sinusodales sont trs proches de la forme relle (physique) du courant sur la surface du patch (le champ dans un guide donde ou une cavit rsonnante est une combinaison de fonctions sinusodales). Le choix de ces fonctions influe sur la vitesse de la convergence des rsultats numriques (le calcul de la frquence de rsonance) et le choix inexact de ces fonctions peut mener des rsultats errons. Lexpression de la densit du courant doit se faire dans une base complte de fonctions linairement indpendantes. Dans la littrature plusieurs systmes formant une base complte 71

sont proposs, parmi lesquels nous pouvons citer les polynmes de Legendre, de Mc Laurin ou les polynmes de Tchebychev.

IV. 3. RESULTATS NUMERIQUES

IV. 3. 1. Une Ligne Microbande Implante sur Substrat Isotrope

IV. 3. 1. 1. Dtermination de la constante de propagation
La forme des fonctions de base suivante J z1 et J x1 est choisie pour le mode dominant : 1 x x w 1 + w , J z1 ( x ) = 2 w ...............................................................................(IV.3.1 - a) 0, w x a

x 1 sin , J x1 ( x ) = w w 0,

x w w x a

...............................................................................(IV.3.1 - b)

La transforme de Fourier de la distribution de courant pour ces fonctions de base est :

2 sin (k n w) 2 sin (k n w) 2[1 cos(k n w)] 3 ~ J z1 (n ) = + + cos(k n w) .................(IV.3.2 - a) 2 kn w kn w (k n w) (k n w)2

2 sin (k n w) ~ J x1 (n ) = ...............................................................................................(IV.3.2 - b) (k n w)2 2 Le choix des fonctions de base nous a permis dassurer la condition donne par lquation (II. 3.27) du chapitre II. A une frquence donne, une solution non nulle pour la constante de propagation ( = 2 / g ) est obtenue si le dterminant de la matrice est nul. La rsolution numrique du problme est de dduire la racine de lquation du dterminant du systme dquation (II. 3.27).

72

10

rd/mm

[46] notre rsultat

0 20 40 60 80 100

f (GHz)

Figure IV. 1-(a): Constante de propagation compare avec celle de [46].

(w=0.635mm, a=6.350mm, h=12.7mm, d=1.27mm, r=16).

IV. 3. 1. 2. Dtermination de la constante dilectrique effective

Connaissant la constante de propagation , nous pouvons calculer la constante dilectrique de la ligne microbande qui est donne par la dfinition suivante :

eff = k = 0 0

O : k0 Reprsente la constante de propagation dans lair,

0 Reprsente la longueur donde dans lair.

Et avec lutilisation des fonctions dessai cites dans le paragraphe prcdent, nous pouvons obtenir les rsultats suivantes :

73

16

12

(/0)
4

cas isotrop [46] notre rsultat

0 0 20 40 60 80 100

f (GHz)

Figure IV. 1-(b): Le rapport compar avec celui de [46]. 0

(w=0.635mm, a=6.350mm, h=12.7mm, d=1.27mm, r=16).

Nous avons tracs les mmes courbes de dispersion trouves dans [46], o lpaisseur du substrat dilectrique isotrope h = 12,7 mm et sa permittivit r=16 nous notons une bonne, concordance entre nos rsultats et ceux de [46]. Nous constatons aprs lobtention des figures IV. 1-(a) et (b) que la constante de propagation dune ligne substrat isotrope et sa permittivit effective sont dpendantes de la frquence. Dans la ligne microruban, il suffit de la moindre imperfection (discontinuit) pour que celle-ci rayonne une partie de la puissance qui lui est fournie. Le rayonnement augmente avec la frquence et lpaisseur du substrat et diminue avec la permittivit relative. Pour liminer le phnomne de rayonnement, la structure microruban doit tre enferme dans un botier mtallique. Elle aura ainsi les mmes proprits quun guide donde.

74

IV. 3. 2. Ligne Microbande Implante sur Ferrite

IV. 3. 2. 1. Dtermination de la constante de propagation et de la permabilit effective
Pour mieux dsigner le comportement de la ferrite, cette dernire a t aimante par une magntisation externe H0 et dsaimante lorsque : H0 = 0. Ensuite une comparaison a t faite entre la constante de propagation et la permittivit effective dans le cas dune ligne isotrope avec dilectrique, et celles dans le cas dun microruban implant sur la ferrite.
8

(rad/mm)

cas isotrop [46] magnetise selon l'axe des x

0 0 20 40 60 80

f (GHz)

100

(H0=0, Ms=1.4 105 A/m, w=0.635mm, a=6.350mm, h=12.7mm, d=1.27mm, r=16).

16

Figure IV. 2-(a) : Constante de propagation avec ferrite magntise.

12

(/0)

cas isotrop [46] magnetise selon l'axe des x

0 0 20 40 60 80

f (GHz)

100

Figure IV. 2-(b) : La variation du rapport pour ferrite magntise. 0

(H0=0, Ms=1.4 105 A/m, w=0.635mm, a=6.350mm, h=12.7mm, d=1.27mm, r=16).

75

On conclure sur les figures : IV. 2-(a) et (b) que la permabilit effective augmente avec la frquence, selon des valeurs en accord avec ceux de [46]. Cependant, lorsque la frquence augmente, lnergie lectromagntique a tendance fuir le substrat ferrite, ce qui implique une diminution de lnergie dans le substrat. Cette nergie tant inversement proportionnelle la permabilit effective, do une dcroissance de cette grandeur en fonction de la frquence. La substance de la ferrite avec une magntisation selon laxe des x prsente un effet sur le comportement de la sgtructure par: Une croissance de et , pour une grande valeurs de la frquence. 0 Une mme allure de la permittivit effective eff que celle effective de la permabilit de la ferrite (cas dune ligne a substrat isotrope)
2

modes excits

f0

f1

(rad/mm)

modes arrts

cas isotrop [46] magnetise selon l'axe des x

0 0 20 40 60 80

f (GHz)

100

Figure IV. 3-(a) : Constante de propagation avec ferrite magntise. (H0=106 A/m,, Ms=1.4 105 A/m, w=0.635mm, a=6.350mm, h=12.7mm, d=1.27mm, r=16).

76

40

modes excits

cas isotrop [46] magnetise selon l'axe des x

32

f0
24

f1

(/0)

16

modes arrts
8

0 0 20 40 60 80

f (GHz)

100

(H0=106 A/m,, Ms=1.4 105 A/m, w=0.635mm, a=6.350mm, h=12.7mm, d=1.27mm, r=16).

Figure IV. 3-(b) : La variation du rapport pour ferrite magntise. 0

Sur les deux figures : IV. 3-(a) et (b), nous avons exprimes les variations de la constante de propagation et le rapport magntisation externe. Donc pour un champ magntique important appliqu, nous constatons que : 0<f<f0 : -

en fonction de la frquence en tenant compte de la

eff tend vers des valeurs grandes en fonction de la frquence cause de la magntisation
externe H0 = 106A/m. Existence dun nombre infinie des modes excites. Les modes sont compltement arrtes. Au del de f1, la ferrite se comporte comme un dilectrique isotrope, ce qui est illustr par la figure IV. 3.

f0 <f<f1:

77

2 ,5

fm

, et eff

0 ,0

e ff

-2 ,5 0 20 40 60 80 100

f (G H Z )

Figure IV. 4-(a) : La variation des lments du tenseur de permabilit de la

ferrite sans magntisation externe
5 ,0

f0

f0+ fm

2 ,5

, et

eff

0 ,0

-2 ,5

e ff

-5 ,0 40

f (G H Z )

Figure IV. 4-(b) : La variation des lments du tenseur de permabilit de la ferrite au

voisinage de la rsonance avec magntisation externe

Selon les deux figures : IV. 4. (a) et (b) la ferrite est classe parmi les milieux magntiques rsonance importante li aux deux cas de magntisations intrinsque et extrinsque, cette dernire est la cause de lapparition de la non rciprocit. Phnomne intressant et exploitable dans le domaine de la communication. Lapparition dune zone non propagative (o la permabilit est ngative), est surtout utilis dans le cas de conception de certains filtres. 78

IV. 3. 3. Rsonateur Microbande Implante sur Substrats dilectriques.

IV. 3. 3. 1. Indications sur les modes [TM10, TM01]
Nous avons vu que le courant inconnue tait dvelopp en srie des fonctions de base :
N ~ ~ J x = an J xn n =1
M ~ ~ J y = bm J ym m =1

Pour les deux premiers modes fondamentaux [TM10, TM01] uniquement deux fonctions de base selon laxe X et laxe Y sont suffisantes pour obtenir une bonne convergence :

~ ~ J X = a1 J X 1 ~ ~ J y = b1 J y1

N=1 (n1, n2) M=1 (m1, m2)

Pour le premier mode fondamental TM10 : a1 1, b10. Pour le premier mode fondamental TM01 : a1 0, b11.

IV. 3. 3. 2. Fonction de base sinusodale sans conditions de bord

Elles sont dfinies sur le domaine entier, donnes par Newman et Forra pour dvelopper les courants.

n n a b ~ J xn (rs ) = sin 1 x + cos 2 y + ...............................................................(IV.3.3 - a) 2 2 a b m m a b ~ J ym (rs ) = sin 1 x + cos 2 y + ............................................................(IV.3.3 - b) 2 2 b a

Avec n1, n2, m1et m2 des entiers positifs. L'expression du courant est obtenue par le calcul des transformes de Fourrier des quations (IV.3.3 - a ) et (IV.3.3 - b ) Sachant que:
ik r ~ ~ ~ ~ s s .J ( r ) = I .I .......... .......... .......... .......... ........(IV.3.4 - a) J xn ( k s ) = dr e xn s xn yn s

a2 ik x ~ x .sin k ( x + a )..................................................(IV.3.4 - b) I xn = dx.e 2 n1 a 2

Et :
ik y b2 ~ b y I yn = dy.e .cos k ( y + )................................................(IV.3.4 - c) 2 n2 b 2

79

~ I ym =

ik y a 2 ik x a b 2 b y x . cos k ( x + ) dy.e .sin k ( y + )...(IV.3.4 - d) dx.e 2 b 2 2 m1 m2 a 2

IV. 3. 3. 3. Etude de la frquence de rsonance pour un patch imprim sur un substrat isotrope
Des comparaisons avec les rsultats thoriques et exprimentaux rapports par la littrature sont effectues, donc nous avons tabli un tableau comparatif (IV.1), qui donne la frquence de rsonance mesur et calcule pour des rsonateurs de diffrentes dimensions. Nous comparons nos rsultats avec ceux des rfrences [29] (calcules par la mthode de raccord des modes) et [30].
fr [30] fr[12] A(cm) B(cm) d1(cm) r (GHz) fr[29] (GHz) (GHz)
Mthode de moment 2.2138 1.3436 2.2533 2.2087 1.8027 2.4652 Mthode de la cavit 2.2263 1.3460 2.2472 2.2134 1.7781 2.5289

Nos rsultats (GHz)

calcule mesure

6.858 11.049 4.10 10.80 6.000 4.000

4.140 6.909 4.140 4.140 8.000 3.800

0.1588 0.1588 0.1588 0.1588 0.1588 0.4000

2.5 2.5 2.5 2.5 1.0 2.2

2.1600 1.3220 2.2020 2.1400 1.7866 2.4260

2.215 1.320 2.230 2.204 1.786 2.406

2.2096 1.3481 2.2358 2.2011 1.8238 2.4597

Tableau IV.1 : frquence de rsonance dun patch imprim sur un substrat isotrope.

On constate que nos rsultats sont presque conformes avec ceux obtenus par les rfrences [29] et [30], mais on constate aussi lefficacit de la mthode spectrale par rapport la mthode de la cavit. On observe aussi que les paramtres dimensionnels {a(cm)b(cm)} dun rsonateur microstrip rectangulaire ont une influence sur la frquence de rsonance de telle faon que cette dernire diminue de valeur 1.3481 et 1.8238, lorsque les paramtres dimensionnels 80

augmentent {(a=11.049cm)(b=6.909cm)} et {(a=6.000cm)(b= 8.000cm)}, et pour une variation fractionnelle petite sur les dimensions du patch : {(a=10.8cm)(b=4.140cm), (a=6.858cm)(b=4.140cm), (a=4.10cm)(b=4.140cm) et (a=4.000cm)(b=3.800cm)}, la frquence de rsonance dcrot de 2.2096, 2.2011, 2.2358 et 2.4597. Pour cette raison, on peut conclure que, pour un rsonateur microbande oprant sur des frquences leves, il faut connatre la miniaturisation du patch telles que : la forme gomtrique et les dimensions de la plaque rayonnante. Dans ce cas, les pertes surfaciques dus la diminution de la surface du patch mne une augmentation de la frquence de rsonance et une diminution de la bande passante.

3,4

Re(fr) (GHz)

3,2

3,0

2,8 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30

d 1 (cm)

Figure IV.5-(a) : frquence relle de rsonance en fonction de lpaisseur du substrat isotrope, a =2cm, b =3cm et x = z =2.2

81

0,55 0,50 0,45

Im (fr) (GHz)

0,40 0,35 0,30 0,25 0,20 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30

a=2cm b=3cm x= z=2.2

d1 (cm)

Figure IV.5-(b) : frquence imaginaire de rsonance en fonction de lpaisseur du substrat isotrope

40

35

30

BP (%)

25

20

15

a=2cm b=3cm x=z=2.2

10 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30

d1 (cm)

Figure IV.5-(c) : bande passante en fonction de lpaisseur du substrat isotrope

82

Les figures IV.5-(a), (b) et (c) : montrent linfluence de lpaisseur du substrat sur la variation
de la frquence complexe de rsonance et la bande passante pour un patch de forme rectangulaire de dimensions [ab=2cm3cm], imprime sur substrat isotrope de permittivit x =

z =2.2. Nous concluons que :

La frquence relle de la frquence de rsonance diminue avec laugmentation de lpaisseur du substrat d1 La croissance de lpaisseur du substrat isotrope engendre une augmentation considrable de la partie imaginaire de la frquence de rsonance et entrane llargissement de la bande passante Bien que lutilisation de substrats paisseur leve offre une bande passante large, mais ceci permet de cre le problme des ondes de surface.

IV. 3. 3. 4. Etude de la frquence de rsonance dun patch imprim sur substrat uniaxialement anisotrope
Dans ce cas de substrat, le patch rectangulaire est de dimensions a=0.2cm et b=1cm, imprim sur un substrat uniaxialement anisotrope, dont les effectus selon la fonction de base sinusodale. paramtres sont les suivantes : dpaisseur d1=0.158cm, de permittivit relative selon laxe Z, z=2.35. Nos rsultats ont t

le cas danisotropie est indiqu par la variation de la constante dilectrique, selon la perpendiculaire de laxe optique x ou le long de laxe optique z.

la figureIV.6 : ci-dessous prsente la frquence de rsonance en fonction de AR (rapport

dAnisotropie), avec une variation de la permittivit relative x. pareillement que prcdemment, nos rsultats obtenus sont compars avec ceux de [45].

On peut tirer comme conclusions : 1. une croissance de la frquence de rsonance pour AR=1 jusqu atteindre un rapport danisotropie gale 2. 2. une bonne convergence vue que nos rsultats se rapproche de celle de la rfrence [45]. 3. Chaque augmentation fractionnelle de la permittivit relative x implique de faibles valeurs de la frquence de rsonance dans le cas de lanisotropie ngative AR=2, =2.35) et contrairement pour le cas de lanisotropie positive AR=0.5, 2.35). 83 (x =4.70, z (x =1.175, z =

10,0

9,6

Re( fr )(GHz)

9,2

a=0.2 cm b=1 cm d1=0.158 cm z=2.35

8,8

8,4

0,4

0,8

1,2

1,6

2,0

Figure IV.6-(a) : frquence relle de x/z rsonance en fonction de AR

0,23

0,22

0,21

Im( fr )(GHz)

0,20

0,19

0,18

a=0.2 cm b=1 cm d1=0.158 cm z=2.35

0,17 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0

x/z

Figure IV.6-(b) : frquence imaginaire de rsonance en fonction de AR

84

5,5

5,0

B. P(en %)

4,5

4,0

a=0.2 cm b=1 cm d1=0.158 cm z=2.35

3,5

0,4

0,8

1,2

1,6

2,0

x/z

Figure IV.6-(c) : Bande passante en fonction de AR

Effet du substrat anisotropie

La couche danisotropie uniaxiale permet de mettre en vidence leffet du substrat travers la constante dilectrique r . Le choix de cette dernire conditionne gnralement le type dapplication que lingnieur conoit en technologie microstrip. Linfluence de lanisotropie uniaxiale du substrat dilectrique sur la frquence de rsonance dun rsonateur microstrip de forme rectangulaire (Figure IV.7) a t tudi pour x=1.15 et z=2.35. Ces valeurs permettent daboutir des variations de la frquence de rsonance complexe ainsi que la bande passante. Donc la frquence de rsonance et la bande passante dpendent fortement de la constante dilectrique du substrat et la partie imaginaire indique les pertes par rayonnement du rsonateur, donc pour des permittivits leves le rayonnement est faible. On a constat que nos rsultats sont conformes avec ceux de la [47]. La variation de r mne une dfinition dun autre matriau permettant une amlioration des performances mcaniques et physiques du rsonateur.

Le tableau IV.2 : prsente quelque matriaux utiliss comme substrats par leurs permittivit
selon les trois axes. Celle donne par le fournisseur et dfinit ce quon appelle le rapport 85

danisotropie. On constate partir de ce tableau que la permittivit donne par le fournisseur est celle de laxe optique.

r
Axe X

Axe Y

Axe Z

Valeur Fournisseur

Matriau
Random fibres PTFE Ceramic PTFE Glass cloth PTFE
2.454 10.68 2.88 2.432 10.70 2.88 2.347 10.40 2.43

r / r ( %)

2.35 0.04 10.5 0.25 2.45 0.04

1.7 2.4 1.6

Tableau IV.2 : Constantes dilectriques de quelques matriaux anisotropes utiliss comme substrats en hyperfrquence

3,5

3,4

3,3

Re (fr) (GHz)

3,2

a=2cm b=3cm x=1.15 z=2.35

3,1

3,0

2,9

2,8 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30

d1 (cm)

Figure IV.7-(a) : frquence relle de rsonance en fonction de lpaisseur du substrat anisotropie

86

0,55

0,50

Im (fr) (GHz)

0,45

0,40

0,35

a=2cm b=3cm x=1.15 z=2.35

0,30 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30

d1 (cm)

Figure IV.7- (b) : frquence imaginaire de rsonance en fonction de lpaisseur du substrat anisotropie

87

36 34 32 30 28

BP (%)

26 24 22 20 18 16 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25

a=2cm b=3cm x=1.15 z=2.35

d1 (cm)

Figure IV.7-(c) : Bande passante en fonction de lpaisseur du substrat anisotropie

IV. 4. CONCLUSION
Dans ce chapitre, nous avons prsent les rsultats numriques concernant leffet dun substrat isotrope et anisotrope sur la frquence de rsonance complexe dun rsonateur microbande rectangulaire, et la constante de propagation dune ligne de transmission tenant compte de linfluence de la ferrite sur la permabilit effective. Nos rsultats sont confronts certain nombre de donnes fournis dans la littrature. Ils sont gnralement en bon accord.

88

89

CONCLUSION GENERALE
Nous avons prsent dans notre travail, une tude de certaines structures planaires, plus prcisment, les lignes de transmissions planaires et les rsonateurs microbandes rectangulaires Lobjet de ce travail tait de modliser ces deux structures planaires implantes sur diffrents substrats dilectriques (matriau dilectrique isotrope et anisotrope). Notre modlisation a t effectue par lanalyse spectrale, cette mthode est utilise pour driver le tenseur spectral de Green dans le domaine des transformes vectoriel de Fourier. Ensuite, on a formul lquation intgrale du champ lectrique bas sur les conditions aux limites de la structure. La mthode des moments procdure de Galerkin nous a permis par la suite de rsoudre lquation intgrale pour arriver un systme dquation homogne. Et pour une valuation efficace des modes nous avons choisi dans notre travail un ensemble de fonctions de base dans lequel les composantes du courant surfaciques sont vrifies afin dassurer une convergence rapide et correcte des rsultats. La rsolution numrique de lquation intgrale du champ lectrique a t prsente dans le dernier chapitre. Etude, qui a men la dtermination de certaines caractristiques des structures planaires : la constante de propagation de la ligne de transmission et la frquence de rsonance complexe du rsonateur microbande rectangulaire ainsi que la bande passante. Les diffrents rsultats obtenus sont:

La connaissance du tenseur de permabilit pour une aimantation quelconque nous a permis d'tudier le comportement lectromagntique d'une ligne simple et de celle microruban implante sur ferrite (caractrise par un tenseur de permabilit, selon une anisotropie suivant laxe des x) place dans un botier mtallique: les valeurs de la constante de propagation et la permittivit effective eff de ces lignes ont t accessibles grce un logiciel bas sur la mthode SDA.

Lintroduction de la ferrite a amlior les caractristiques de la microbande, car elle ne diffre pas du dilectrique mais prsente surtout de faibles pertes, une constante de permittivit atteignant 16 et une permabilit au voisinage de 20000 ce qui largie la plage de frquence de travail de la microruban. Ce matriau est dot dune anisotropie dont la variation dpend uniquement et simplement dun changement de la magntisation et de ses proprits.

Les dispositifs tels que les isolateurs, circulateurs, antenne a polarisation circulaire sont largement utiliss du leur non-rprocit, dfinie dans la plage quasi-dilectrique de la 90

ferrite. O le sens de la magntisation ninflue pas sur la direction de propagation de londe. Les proprits du circuit dans ce cas dpendent du sens dinsertion du dispositif micro-onde. Si ce dernier est fixe, cest le sens de propagation de londe, et donc son vecteur donde, qui dterminera le comportement de lensemble. Cest cette proprit qui est la plus utilise dans les dispositifs non rciproques usuels. La modlisation dun rsonateur, microbande de forme rectangulaire planaire, dans le domaine spectral, consiste a vrifier les conditions aux limites du champ lectromagntique sur le plan de la discontinuit, cela possde une criture convenable de lquation intgrale. Sa rsolution permet dobtenir des quations matricielles trs intressantes, qui relient le champ lectrique tangentiel avec les courants dans le plan conducteur (patch). En valuant, dune part la frquence de rsonance dun rsonateur microstrip rectangulaire simple, implant sur substrat isotrope, tout en tenant compte des rsultats pralablement publis ; et en dterminant dautre part la frquence complexe et la bande passante dun rsonateur dont la structure est un patch imprim sur substrat dilectrique uniaxialement anisotrope, les rsultats numriques que nous avons dvelopps ont montr :

Une augmentation des dimensions planaires de la plaque conductrice rectangulaire a pour effet dabaisser la frquence complexe et vice versa. Dautre part, en considrant des valeurs leves de la permittivit du substrat dilectrique la frquence complexe subit une diminution considrable.

Une diminution de la frquence de rsonance relle, cas des fonctions de base sinusodal, avec une augmentation de lpaisseur du substrat ou de la constante dilectrique, par contre un largissement de la bande passante a t remarqu. La partie imaginaire indique les pertes par rayonnement de la structure. Un rayonnement moins faible pour des paisseurs ou des constantes dilectriques leves. Apparition du phnomne des ondes de surfaces a t soulign, inconvnient trs gnant pour les rsonateurs conus sur des substrats constante dilectrique ou paisseur leves.

Une influence des diffrents paramtres savoir lpaisseur du substrat, la constante dilectrique, le rapport danisotropie et les paramtres dimensionnels sur la frquence de rsonance et la bande passante a t aussi considre selon une tude importante autour du phnomne danisotropie pour ce type de rsonateur.

Une tude de la convergence des rsultats numriques, que nous avons mne a montr quune convergence rapide a t obtenue par la mthode des moments qui est numriquement efficace. 91

92

ANNEXE A

Le Choix de r
Il a t remarqu que la constante dilectrique du substrat utilise est le paramtre le plus sensible et le plus essentiel. Alors que le changement dans la frquence d'opration d'une antenne microbande substrat mince est d seulement une petite perturbation de la constante dilectrique du substrat comme nous montre la relation suivante:

f
f0

1 r 2 r

O f 0 : est la frquence de rsonance de l'antenne microbande.

L'talement de la constante dilectrique relative des matriaux existent sur le march est de 1.17 25 (les angles des pertes de 10-4 4.10-3) les substrats (PTFE : Poly Tra Fluoro

Ethylne), sont largement utiliss cause de leurs proprits lectrique et mcanique dsires et
aussi cause d'une large gamme des paisseurs possibles. Leurs change de 2.10 pour le (PTFE un reinforced) jusqu' 2.47 (PTFE quartz reinforced). Pour les applications constante dilectrique leve, les substrats de cramique d'alumine tel 9.7< r < 10.3 sont frquemment utiliss. Mais les substrats typiques qui sont commercialement valable on a: K-6096 Tflon / glass cloth (r 2,5) RT / duroid - 5880 PTFE (r 2,2) Tflon rempli de cramique (r 10) Pour le modle habituel d'antenne on utilise gnralement r 2,5 ou bien des valeurs proche de cette dernire afin de renforcer les champs de dispersion. Dans le tableau qui va suivre on donne des valeurs frquemment utilises des substrats micro-onde majeurs.

93

Constantes dilectriques et les pertes pour quelques matriaux

Matriaux Frquence (GHz) 10 6 10 10 3 10 10 3 10 10 3 10 3 10 10 100 3 10 3 10 6 10 3

r
9.5-10 375% 2.35 6.4 5.60 3.78 13. 4.82 7.2 2.56 2.84 2.24 2.60 2.25 2.54 5.04 2.54 11.9 1.03 2.08 965% 2.16 76.7

tang (25C)

Alumina (99.5%) Barium tetratitanate Beeswax Beryllia Cramic(A-35) Fused quartz Gallium arsenide Glass (Pyrex) Glazed ceramic Lucite Nylon (610) Parafin Plexiglass Polyethylene Polysterene Porcelain (Dry process) Rexolite (1422) Silicon Styrofoam (103.7) Teflon Tetania (D-100) Vaseline Water (distilled)

0.0003 0.0005 0.005 0.0003 0.0041 0,0001 0.006 0.0054 0.008 0.005 0.012 0.0002 0.0057 0.0004 0.00033 0.0078 0.00048 0.004 0.0001 0.0004 0.001 0.001 0.157

94

ANNEXE B Proprits de quelques matriaux du ferrite

Trans-Tech

Matriaux

4Ms (G)

H (e)

Nombre

tang

Te (C)

4Mr (G)

Magnesium ferrite Magnesium ferrite Magnesium ferrite Nickel ferrite Nickel ferrite Nickel ferrite Lithium ferrite Lithium ferrite Yttrium garnet Aluminum garnet

TT1-105 TT1-390 TT1-3000 TT2-101 TT2-113 TT2-125 TT73-1700 TT73-2200 G-113 G-610

1750 2150 3000 3000 500 2100 1700 2200 1780 680

225 540 190 350 150 460 <400 <450 45 40

12.2 12.7 12.9 12.8 9.0 12.6 16.1 15.8 15.0 14.5

0.00025 0.00025 0.0005 0.0025 0.0008 0.001 0.0025 0.0025 0.0002 0.0002

225 320 240 585 120 560 460 520 280 185

1220 1288 2000 1853 140 1426 1139 1474 1277 515

Proprits magntiques de diffrentes ferrites: Spinelle, hexagonal et grenat

95

96

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100

RESUME
Lobjectif vis travers ce travail, consiste modliser le comportement lectromagntique des structures planaires tels que les rsonateurs planaires et les lignes de transmission microrubans. La modlisation est ralise par la mthode spectrale dans le domaine de Fourier associe de la procdure de Galerkin qui, nous a permis de dterminer les composantes du courant sur la plaque rayonnante pour que ensuite nous dduisions les proprits essentielles des structures planaires : la constante de propagation de la lignes de transmission et la frquence de rsonance dun rsonateur microbande rectangulaires.

ABSTRAT
The objective this work; consist in analyzing the electromagnetic of the planar structures as the planar resonators and the transmission lines microrubans. The modelling is achieved by the spectral method in the domain of Fourier associates the procedure of Galerkin that, allowed us to determine the components of the current on the conductive plate so that then we deducted the essential properties of the planar structures: the constant of propagation of the microstrip lines and the frequency of resonance of a antennas microstrip.

101