3 Stu Uchebnoe Posobie Po Usilitelyam

учебно-методический комплекс
СХЕМОТЕХНИКА АНАЛОГОВЫХ
ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ
Учебная программа дисциплины

Учебное пособие
Учебное пособие «Исследование аналоговых
Электронный
электронных устройств с применением интернет-технологий»

Методические указания по практическим занятиям
Методические указания по курсовому проектированию
Методические указания по самостоятельной работе
Банк тестовых заданий в системе UniTest
Красноярск
ИПК СФУ
2008
УДК 64.38
ББК 32.844
Г83
Электронный учебно-методический комплекс по дисциплине «Схемотехника
аналоговых электронных устройств» подготовлен в рамках инновационной
образовательной программы «Структурная перестройка научно-образовательного
центра "Радиоэлектроника"», реализованной в ФГОУ ВПО СФУ в 2007 г.
Рецензенты:
Красноярский краевой фонд науки;
Экспертная комиссия СФУ по подготовке учебно-методических комплексов
дисциплин
Громыко, А. И.
Г83 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Версия 1.0
[Электронный ресурс] : электрон. учеб. пособие / А. И. Громыко,
А. Г. Григорьев, В. Д. Скачко. – Электрон. дан. (4 Мб). – Красноярск : ИПК
СФУ, 2008. – (Схемотехника аналоговых электронных устройств : УМКД
№ 46-2007 / рук. творч. коллектива А. И. Громыко). – 1 электрон. опт. диск
(DVD). – Систем. требования : Intel Pentium (или аналогичный процессор
других производителей) 1 ГГц ; 512 Мб оперативной памяти ; 4 Мб свободного
дискового пространства ; привод DVD ; операционная система Microsoft
Windows 2000 SP 4 / XP SP 2 / Vista (32 бит) ; Adobe Reader 7.0 (или
аналогичный продукт для чтения файлов формата pdf).
ISBN 978-5-7638-1489-7 (комплекса)
ISBN 978-5-7638-1492-7 (пособия)
Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по
дисциплине «Схемотехника аналоговых электронных устройств», включающего учебную программу,
учебное пособие «Исследование аналоговых электронных устройств с применением интернет-
технологий», методические указания по курсовому проектированию, методические указания по
самостоятельной работе, контрольно-измерительные материалы «Схемотехника аналоговых
электронных устройств. Банк тестовых заданий», наглядное пособие «Схемотехника аналоговых
электронных устройств. Презентационные материалы».
Рассмотрены основные задачи, решаемые аналоговой электронной техникой, методы анализа и
расчета основных технических характеристик отдельных каска-дов и усилителей в целом. Особое
внимание уделено специализированным каскадам аналоговых устройств, синтезируемых на базе
операционных усилителей.
Предназначено для студентов направления подготовки бакалавров 210200.62 «Радиотехника»
укрупненной группы 210000 «Электроника, радиотехника и связь».
© Сибирский федеральный университет, 2008
Рекомендовано Инновационно-методическим управлением СФУ

в качестве учебного пособия
Редактор Н. Н. Вохман
Разработка и оформление электронного образовательного ресурса: Центр технологий

электронного обучения информационно-аналитического департамента СФУ; лаборатория
по разработке мультимедийных электронных образовательных ресурсов при КрЦНИТ
Содержимое ресурса охраняется законом об авторском праве. Несанкционированное копирование и использование данного
продукта запрещается. Встречающиеся названия программного обеспечения, изделий, устройств или систем могут являться
зарегистрированными товарными знаками тех или иных фирм.
Подп. к использованию 01.09.2008

Объем 4 Мб
Красноярск: СФУ, 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79
ОГЛАВЛЕНИЕ
ПРЕДИСЛОВИЕ ........................................................... 7
1. ОСНОВНЫЕ ЗАДАЧИ, РЕШАЕМЫЕ
АНАЛОГОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКОЙ ............................... 8
1.1. Основные параметры сигналов на входе аналоговых
электронных устройств ................................................................................ 8
1.2. Усиление сигналов в АЭУ.................................................................... 12
1.3. Классификация усилителей ............................................................... 14
Выводы.......................................................................................................... 14
2. ХАРАКТЕРИСТИКИ УСИЛИТЕЛЬНЫХ
УСТРОЙСТВ ............................................................... 15
2.1. Параметры оценки свойств усилительных устройств ................. 15
2.2. Энергетические показатели усилительных устройств ................. 15
2.3. Спектральные характеристики усилительных устройств ........... 19
2.4. Связь между АЧХ, ФЧХ, ПХ. Метод диаграмм Боде....................... 22
2.5. Переходные характеристики .............................................................. 23
2.6. Применение цепей обратной связи в АЭУ ....................................... 30
2.7. Классификация цепей ОС.................................................................... 32
2.8. Влияние ООС на входное сопротивление усилителя ................... 36
2.9. Влияние ООС на выходное сопротивление усилителя ............... 38
2.10. Влияние обратной связи на коэффициент усиления ................. 40
2.11. Влияние ООС на стабильность коэффициента усиления ......... 42
2.12. Влияние обратной связи на внутренние помехи
и нелинейные искажения ........................................................................... 43
2.13. Влияние общей и местной ООС на стабильность
коэффициента усиления ............................................................................ 45
2.14. Влияние ООС на АЧХ, ФЧХ, ПХ ........................................................ 46
2.15. Устойчивость усилителей с ООС .................................................... 47
2.16. Схемы на операционных усилителях ............................................ 49
2.17. Неинвертирующее включение ОУ ................................................... 51
2.18. Инвертирующее включение ОУ ....................................................... 55
Выводы.......................................................................................................... 58
3. ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
УСИЛИТЕЛЕЙ ............................................................ 61
3.1. Динамический режим работы усилителя ........................................ 61
3.2. Выходная динамическая характеристика ....................................... 61
 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие -3-

3.3. Нагрузочная характеристика усилителя по переменному току .. 62

3.4. Входная динамическая характеристика ........................................... 64
3.5. Сквозная динамическая характеристика ......................................... 64
3.6. Режим работы усилительного элемента ......................................... 65
3.7. Эквивалентные схемы и режимы работы усилительных
элементов ...................................................................................................... 66
3.8. Физическая эквивалентная схема биполярного транзистора .... 67
3.9. Определение параметров эквивалентной схемы
по справочным данным ............................................................................. 68
3.10. Основные соотношения параметров в схеме с ОЭ ..................... 69
3.11. Полевой транзистор в схеме с общим истоком ........................... 72
3.12. Эквивалентная схема полевого транзистора ............................... 73
3.13. Определение параметров эквивалентной схемы ........................ 73
3.14. Основные соотношения параметров в схеме
с общим истоком .......................................................................................... 74
3.15. Шумовые эквивалентные схемы .................................................... 76
3.15.1. Биполярный транзистор ............................................................. 76
3.15.2. Полевой транзистор..................................................................... 76
Выводы.......................................................................................................... 77
4. ЦЕПИ ПИТАНИЯ И ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ
РЕЖИМА РАБОТЫ ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ ... 78
4.1. Каскад на биполярном транзисторе ................................................. 78
4.2. Эквивалентная схема для расчета термостабильности .............. 80
4.3. Каскад на полевом транзисторе ........................................................ 85
4.4. Цепи питания ......................................................................................... 86
4.5. Эквивалентная схема для расчета термостабильности .............. 86
4.6. Коэффициенты чувствительности ................................................... 89
Выводы.......................................................................................................... 91
5. РЕОСТАТНЫЙ КАСКАД ....................................... 92
5.1. Принцип деления реостатного усилителя на каскады ................. 92
5.2. Первый метод расчета реостатного каскада .................................. 93
5.2.1. Эквивалентная схема .................................................................... 93
5.2.2. Средние частоты ............................................................................ 96
5.2.3. Область нижних частот ................................................................. 97
5.2.4. Область высоких частот ............................................................... 99
5.2.5. Расчетные соотношения ............................................................. 101
5.3. Второй метод расчета реостатного каскада ................................. 103
5.3.1. Эквивалентная схема .................................................................. 103

5.3.2. Область средних частот.............................................................. 103

5.3.3. Область нижних частот ............................................................... 104
5.3.4. Область высоких частот ............................................................. 106
5.3.5. Площадь усиления ....................................................................... 107
5.3.6. Коэффициент чувствительности .............................................. 108
5.4. Влияние элементов цепи автосмещения Rэ и Сэ на
характеристики реостатного каскада..................................................... 109
Выводы........................................................................................................ 111
6. СПЕЦИАЛЬНЫЕ ВИДЫ КАСКАДОВ
УСИЛЕНИЯ ............................................................. 112
6.1. Эмиттерный и истоковый повторители......................................... 112
6.2. Каскад с общей базой и общим затвором...................................... 116
6.3. Каскодная схема. Составные транзисторы .................................. 117
6.4. Генераторы стабильного тока ......................................................... 120
Выводы........................................................................................................ 123
7. ШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ .................. 124
7.1. Оптимальная коррекция .................................................................... 124
7.2. Простая параллельная коррекция .................................................. 126
7.3. Эмиттерная коррекция ....................................................................... 128
7.4. НЧ-коррекция ....................................................................................... 129
Выводы........................................................................................................ 130
8. ИМПУЛЬСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ ............................. 131
8.1. Особенности расчета ......................................................................... 131
8.2. Определение оптимальных параметров усилительных схем в
области малых времен ............................................................................. 133
8.3. Переходная характеристика многокаскадного усилителя ......... 134
8.4. Реостатный каскад на полевом транзисторе................................ 135
8.5. Каскад на биполярном транзисторе ............................................... 137
8.6. Каскад с коррекцией в области больших времен ........................ 139
Выводы........................................................................................................ 141
9. ОКОНЕЧНЫЕ КАСКАДЫ.................................... 143
9.1. Особенности оконченных каскадов................................................ 143
9.2. Однотактный трансформаторный каскад ..................................... 143
9.3. Эмиттерный повторитель как усилитель мощности .................. 145
9.4. Двухтактные усилительные каскады............................................. 146
9.5. Двухтактный трансформаторный каскад ...................................... 150
9.6. Бестрансформаторные каскады усилителей ............................... 151
9.7. Комплементарный эмиттерный повторитель Дарлингтона ...... 153

9.8. Схемы защиты по току ...................................................................... 154

Выводы........................................................................................................ 154
10. ЭЛЕМЕНТЫ АНАЛОГОВЫХ УСТРОЙСТВ НА
БАЗЕ ОУ .................................................................. 155
10.1. ОУ в линейных схемах ..................................................................... 155
10.2. Дифференциальное включение ОУ .............................................. 157
10.3. Суммирующий усилитель ............................................................... 158
10.4. Усилитель с регулируемым усилением ....................................... 158
10.5. Интеграторы....................................................................................... 159
10.6. Дифференциатор .............................................................................. 160
10.7. Источник стабильного напряжения .............................................. 161
10.8. Операционные усилители с нелинейными
элементами в цепях ОС ............................................................................ 161
10.9. Логарифмический усилитель ......................................................... 162
10.10. Умножитель аналоговых сигналов ............................................. 163
10.11. Генераторы гармонических колебаний ..................................... 163
10.12. Преобразователи тока в напряжение ......................................... 164
10.13. Усилители постоянного тока ........................................................ 165
Выводы........................................................................................................ 166
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИ СПИСОК........................... 167

ПРЕДИСЛОВИЕ
Целью изучения дисциплины «Схемотехника аналоговых электронных

устройств» является формирование знаний и навыков исследования и проек-
тирования устройств аналоговой электроники. Основными компонентами со-
временной электроники являются усилительные элементы (электрически
управляемые сопротивления).
Изучение режимов работы усилительных элементов под воздействием
управляющего сигнала в непрерывном и ключевом режимах необходимо для
построения аналоговых и цифровых электронных устройств. В данном учеб-
ном пособии изложены основы физических процессов, протекающих как
в отдельных усилительных элементах (каскадах), так и в сложных электрон-
ных устройствах, также дано их математическое описание.
Достаточно подробно рассмотрено влияние отрицательной обратной
связи на повышение стабильности коэффициента усиления, уровень внут-
ренних помех, коэффициент гармоник, уровень частотных и фазовых, вели-
чину постоянной времени.
Большое внимание уделено расчету и схемным решениям повышения
термостабильности электронных устройств. Рассмотрены особенности схем-
ных решений: широкополосных усилителей, импульсных усилителей, око-
нечных каскадов с высоким уровнем выходного сигнала, а также каскадов на
операционных усилителях, выполняющих различные функции, включая реа-
лизацию математических операций.
Учебное пособие составлено в соответствии с программой дисциплины
«Схемотехника аналоговых электронных устройств» и может быть использо-
вано при изучении подобных дисциплин других технических специальностей
и направлений подготовки бакалавров и инженеров. Кроме того, пособие
может быть полезно магистрам и аспирантам радиотехнических специально-
стей, желающим повысить свою квалификацию.

1. ОСНОВНЫЕ ЗАДАЧИ,
РЕШАЕМЫЕ АНАЛОГОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКОЙ
1.1. Основные параметры сигналов на входе
аналоговых электронных устройств
Электроника решает следующие задачи:

1. Преобразование информации, представленной электрическими
(электромагнитными) сигналами, с целью ее передачи, приема, хранения и
отображения.
2. Преобразование электрической энергии с целью удобства ее исполь-
зования или транспортирования.
Существует множество определений информации, приведем то, кото-
рое, по нашему мнению, наиболее полно раскрывает сущность этого понятия.
Информация – это новые сведения логического и физического харак-
тера, снижающие неопределенность (энтропию) наших знаний о данном объ-
екте.
Энтропия – мера неопределенности. Например, если дискретное со-
общение состоит из L элементов, каждый из которых может принять m раз-
личных фиксированных состояний, то возможно образование M = mL сооб-
щений.
Здесь М выступает как количественная оценка информации. Логарифм от М
принято использовать как меру информации (мера Хартли)
I = loga M = –loga m.
Основание логарифмов a может быть выбрано любым, но наибольшее рас-

пространение получили логарифмы с основанием 2. Мерой информации при-
нято считать бит. Одному биту соответствует одна двоичная единица.
В электронике носителями информации являются электрические (элек-
тромагнитные) сигналы. Информационные параметры сигналов – период,
частота, амплитуда и фаза.
Аналитически сигналы могут быть представлены:
• во временной области S ( t ) (изменение параметра сигнала как
функция времени);
• в частотной области S (ω) (в виде спектральной плотности).
Физические процессы в радиотехнических цепях, которые могут быть
использованы в качестве сигналов, делятся на два класса.
1. Процессы, течение которых во времени можно предсказать заранее,
имея априорные сведения. Например, если известна амплитуда U 0 , частотой

1. ОСНОВНЫЕ ЗАДАЧИ, РЕШАЕМЫЕ АНАЛОГОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКОЙ
1.1. Основные параметры сигналов на входе аналоговых электронных устройств
ω0 и фаза сигнала ϕ0 , то напряжение на входе генератора U ( t ) может быть

представлено в любой наперед заданный отрезок времени:
U (t=
) U 0 ⋅ cos(ω0 ⋅ t + ϕ0 ) .
Подобные процессы называются

детерминированными Em
ленными). Таким образом, детерми-
нированный процесс может быть -T/2 T/2
дан математически вполне опреде- 0 t
ной функцией времени.
Наиболее важным классом –Emm
-E
прерывных детерминированных
налов являются периодические,
летворяющие при −∞ < t < ∞ условию Рис. 1.1. Временное представление
периодического сигнала
S (t ) = S ⋅ (t + m ⋅ T ) , пилообразной формы
где m – любое целое чис- S (t)

ло; Т – период повторе- φ
ния. Периодом сигнала Т
является отрезок времени, Um t
для которого справедливо
равенство
T
S (t + n T)= S (t ), n= 1, 2, 3,...
2 Fm Рис. 1.2. Временное представление

S (t + nT ) = t. гармонического сигнала с начальной фазой φ
T
Простейшим периодическим сигналом является гармонический, где
2π
U m , Tω,= , ϕ – постоянные параметры: амплитуда, период, частота, фаза.
T
На рис. 1.2 изображен гармонический сигнал с начальной фазой ϕ :
2π
=
S (t + nT ) U m sin( t − ϕ) .
T
Для колебания модулированного сигнала по амплитуде имеем:
S(t) = UH ⋅ (1 + m ⋅ cos(Ω ⋅ t)) ⋅ cos(ω0 ⋅ t)),
поскольку – cosα ⋅ cosβ = 1/2 ⋅ [cos(α − β) + cos(α + β)],
m ⋅U Н m ⋅U Н
то – S(t) = UH ⋅ cos(ω0 ⋅ t) + ⋅ cos(ω0 + Ω) ⋅ t + ⋅ cos(ω0 – Ω) ⋅ t. (1.1)
2 2

Из выражения (1.1) следует, что

S(ω) простейшее АМ колебание, огибаю-
щая которого изменяется по гармони-
ческому закону, можно представить в
ω виде суммы трех гармонических со-
0 ω0 – Ω ω0 ω0 + Ω ставляющих.
Первое слагаемое ω0 – несущая
Рис. 1.3. Спектр АМ частота, ω0 ± Ω – верхняя и нижняя
гармонического сигнала боковые частоты. Амплитуда несущей
m ⋅U Н
частоты UH, а амплитуды боковых частот равны и зависят от глубины
2
модуляции m.
Количество информации, передаваемое сигналом, зависит от основных
параметров: длительности, формы импульса сигнала, амплитуды, частоты
повторения, полосы частот, мощности.
Спектральное представление сигнала в виде суммы элементарных колеба-
ний может быть проведено с помощью широкого класса полиномов и функций:
Лежандра, Чебышева, Лагерра, Эрмита, Хаара, Радемахера, Уолша и др.
Однако для спектрального представления периодических сигналов наи-
большее практическое применение нашло разложение в виде суммы гармониче-
ских составляющих (гармоник) ряда Фурье:
a0 ∞
S (t ) =ω + ∑ (asin ω 1nt
n cos ) + bn nt ,
1
2 i =1
2π
где ωi = – круговая частота i-й гармоники.
T
S(t)
Т
а t
0 τ
S(ω)
б
ω0 ω1 2ω1 3ω1 4ω1 5ω1 6ω1 7ω1 8
Рис. 1.4. Периодическая последовательность импульсов – а;
их частотный спектр – б: 1/Т – частота повторения импульсов;
τ – длительность импульса; q = Т/τ – скважность
Коэффициенты an , bn вычисляются по формулам:

T T T
2 2 2 2 2 2
a0 = ∫ S (t )dt ; an = ∫ S (t )cosω 1ntdt; bn = ∫ S (t )sinω 1ntdt
.
T −T T −T T −T
2 2 2
Амплитуда An и фаза ϕn выражаются через an и bn :
bn У(f)
A=
n an2 + bn2 , ϕ=
n arctg .
an 1
Совокупность коэффициентов An
ряда Фурье называется частотным
спектром периодического сигнала. Час-
тотный спектр периодического сигнала
носит дискретный характер, так как со- 0 fН fВ f
стоит из отдельных «линий», высотой An , Рис. 1.5. АЧХ
соответствующих дискретным частотам электрической цепи
ω 0,=
= ω ω1=
, ω 2ω1=
, ω 3ω1 , ...
Хотя ряд Фурье и содержит бесконечное число гармоник, амплитуды этих
гармоник у большинства реальных сигналов убывают с увеличением номера.
Физически это означает, что влияние высших гармоник на общую энергию
сигнала и его форму может быть незначительным, что позволяет при анализе
искусственно «урезать» спектр, ограничившись наиболее «влиятельными» низ-
кими гармониками.
Так, если через цепь, имеющую АЧХ (рис. 1.5), пропустить периодиче-
скую последовательность прямоугольных импульсов S1(t), то выходной сигнал
S2(t) будет значительно отличаться по форме от входного (рис. 1.6).
Таким образом,
введение понятия частот-
ного спектра сигнала по-
зволяет сопоставить
свойства канала связи
(его широкополосность) с
шириной спектра сигна-
ла.
Рис. 1.6. Искажения сигнала, прошедшего

через цепь с «узкой» полосой пропускания

S(ω) Например, телевизионный сиг-

нал, ширина спектра которого превы-
вышает 10–106 Гц, невозможно
A τи дать по телефонной проводной паре,
полоса пропускания которой состав-
0 ω
ляет всего несколько десятков кило-
2π/τи 4π/τи 6π/τи герц. Для непериодического сигнала
можно при анализе полагать T → ∞.
Рис. 1.7. Спектральная плотность Это означает, что как значение часто-
одиночного импульса с амплитудой А ты первой гармоники, так и интервал
и длительностью τ и
между соседними гармониками будут
стремиться к нулю, т. е. спектр стано-
вится сплошным, а амплитуды гармоник (коэффициенты ряда Фурье) станут
бесконечно малыми.
Предельный переход от дискретного ряда Фурье к сигналу с T → ∞ опи-
сывается интегралом Фурье:
+∞
1
S (t )ω)
= ∫ω,S (
2π −∞
e jωt d
∞
1
где S (ω) = ∫
2π −∞
S (t )e − jωt dt – спектральная плотность, физически означающая
распределение мощности сигнала по диапазону частот.
1.2. Усиление сигналов в АЭУ
Принцип усиления электрических сигналов можно рассматривать как

процесс преобразования энергии источника питания в энергию сигнала в на-
грузке (выходного сигнала) под воздействием маломощного управляющего
(входного) сигнала.
Преобразование осущест-
Н вляется с помощью электриче-
ски управляемых (усилитель-
ных) элементов. Обобщенно
УЭ I = F (Uy) ИП структурная схема усилителя
может быть представлена в виде
Uy (t) схемы (рис. 1.8), включающей
источник питания усилителя
Рис. 1.8. Структурная схема
усилительного устройства

1.2. Усиление сигналов в АЭУ
(ИП), управляемый элемент (УЭ) и нагрузку (Н).
Схема «перекачки» энергии от
источника питания (Эип) в нагрузку ИП
(Эн) под воздействием энергии управ-
ляющего сигнала (Эу) изображена на Эип
рис. 1.9. Для любого усилителя обяза- Эу
тельно выполнение двух условий: УЭ Н
Эн >> Эу – усиление по мощности,
Эн = F (Э у ) – управляемость энергии в Эн
нагрузке. Эп
Схема показывает, что термины
«входной сигнал», «выходной сигнал» Рис. 1.9. Схема преобразования
не означают «прохождение» входного энергии источника питания в энер-
сигнала через усилительное устройст- гию сигнала в нагрузке
во в нагрузку – входной сигнал лишь
управляет процессом преобразования энергии, в результате которого и форми-
руется сигнал в нагрузке, форма которого, в общем случае, может не повторять
форму входного сигнала. Из схемы также видно, что только часть энергии ис-
точника поступает в нагрузку, часть ее – энергия потерь (Эп) – расходуется на
разогрев элементов усилителя, по которым протекает ток источника.
ИП ИП
УЭ Uy (t) = F(Uy) УЭ I = F(Uy) Н
Uy (t)
Рис. 1.10. Схематическое изображение двухкаскадного усилителя
Практически все усилительные устройства строятся по многокаскадной

схеме. В этом случае усилитель содержит выходной каскад, обеспечивающий
требуемую энергию в нагрузке, и один или несколько предварительных каска-
дов, которые последовательно усиливают уровень входного сигнала до значе-
ния, необходимого для управления выходным каскадом. Нагрузкой предвари-
тельного каскада является входная цепь последующего каскада (рис. 1.10).
Качество усилителя характеризуется совокупностью как энергетических,
так и информационных характеристик.

1.3. Классификация усилителей
В состав каждого усилительного каскада обязательно входит собственно

усилительный элемент и вспомогательные цепи: цепи питания и термостабили-
зации режима по постоянному току; элементы межкаскадной связи или связи с
источником сигнала и нагрузкой; элементы коррекции амплитудно-частотных,
фазочастотных и переходных характеристик (АЧХ, ФЧХ, ПХ); цепи фильтра-
ции по питанию; цепи обратной связи; цепи регулирования АЧХ, ФЧХ, ПХ.
Усилители классифицируют:
по ширине спектра усиливаемых сигналов: усилители постоянного тока
f в / f н = ∞ ; усилители переменного тока f в / f н > 103 ; широкополосные усили-
тели f в / f н = 103 ; избирательные усилители ( f в / f н ≈ 1);
по виду усиливаемых сигналов: гармонические усилители; импульсные
усилители; специальные усилители.
Усилители
Импульсные Гармонические Специальные
Постоянного Переменного Широкополосные Избирательные

тока тока
fв / fн = ∞ f в / f=
н 10 − 103 f в / f н = 103 fв / fн ≈ 1
Рис. 1.11. Классификация усилителей

В специальных усилителях могут вводиться дополнительные требова-
ния, определяемые характером обработки сигнала.
Выводы
Радиоэлектроника находит применение во всех сферах жизнедеятель-

ности человека. Наиболее важными областями использования радиоэлектро-
ники являются съем, обработка и передача информационных сигналов. Рас-
пространенное аналитическое описание информационных сигналов – спек-
тральный метод, который позволяет наглядно оценить степень искажения
сигналов, передаваемых по конкретному каналу связи.
Основным элементом радиоэлектроники являются электрически управ-
ляемые сопротивления (усилительные элементы), способные работать в не-
прерывном и ключевом режимах.
Использование усилительных элементов в электрических цепях с ак-
тивными и реактивными сопротивлениями (резисторы, конденсаторы, индук-
тивности) позволяет реализовать бесконечное множество схемных решений
аналоговой и дискретной радиоэлектроники.

2. ХАРАКТЕРИСТИКИ УСИЛИТЕЛЬНЫХ
УСТРОЙСТВ
2.1. Параметры оценки свойств усилительных устройств
Практически для всех классов усилителей используют три группы по-

казателей:
1. Энергетические:
входные и выходные параметры;
коэффициент усиления;
амплитудная характеристика;
динамический диапазон;
коэффициенты нелинейных искажений и нелинейности;
уровень шумов, фона, наводок.
2. Спектральные:
амплитудно-частотная характеристика;
фазочастотная характеристика;
рабочий диапазон частот;
амплитудно-фазовая характеристика;
коэффициенты частотных и фазовых искажений.
3. Временные:
переходная характеристика:
время установления;
время запаздывания;
выброс;
спад вершины.
Для оценки свойств усилителей гармонических сигналов используют
спектральные и энергетические показатели, для оценки свойств усилителей
импульсных сигналов – временные и спектральные.
2.2. Энергетические показатели усилительных устройств
Входные и выходные параметры
Zг
Rвх Свх Rн Сн
Е с U вх
Uвых
Свых
Rвых
К1 Кi Кn
Рис. 2.1. Структурная схема усилителя
Входные параметры U вх = U1 ; Rвх ; Cвх ; I вх = I1 связаны соотношениями:

2. ХАРАКТЕРИСТИКИ УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ
U1
Rвх = ,
I1
U вх2
Pвх = U1 ⋅ I1 = = I вх2 ⋅ Rвх ,
Rвх
Rвх
U вх =U1 =EГ ⋅ K вх =EГ ,
RГ + Rвх
где K вх − потери во входной цепи.

Выходные параметры:
Pвых ; RН ; U вых = U 2 ; I вых = I 2 .
Коэффициенты усиления
Для описания усилительных свойств используются следующие коэф-
фициенты:
коэффициент усиления по напряжению
U вых U 2
=
KU = ;
U вых U1
коэффициент усиления по току
I вых I 2
=
KI = ;
I вх I1
сквозной коэффициент усиления по напряжению
U вых U вых ( Rвх ) Rвх

KE = = KU ⋅ K вх = = KU ;
EГ U вх ( RГ + Rвх ) RГ + Rвх
сквозной коэффициент усиления по току
I вых
KI = ,
I1 ′
где I1′ − источник тока на входе.

Для N-каскадного усилителя общий коэффициент усиления определя-
ется как произведение коэффициентов усиления отдельных каскадов
N
KN = ∏ K j .
j =1

Часто коэффициенты усиления выражают в логарифмических едини-
цах: KU (дБ), K I (дБ), K P (дБ):
KU = 20lg KU ,
K I = 20lg K I ,
K P = 10lg K P .
Обычно используют значения K для области средних частот. На этих

частотах значение коэффициента усиления – активная величина, что облегча-
ет анализ усилителей. Оценка коэффициента усиления в децибелах (дБ)
удобна тем, что коэффициенты усиления отдельных каскадов складываются:
GΣ = G1 + G2 + G3 + ... + GN ,
где N − число каскадов.
Амплитудная характеристика и динамический диапазон

Амплитудная характеристи-
ка (АХ) – зависимость амплитуды
первой гармоники сигнала на выхо-
де усилителя от амплитуды входно-
го синусоидального сигнала. В иде-
альном случае, эта характеристика –
прямая линия, которая описывается
выражением U вых
= U вх ⋅ K .
Реальная АХ имеет вид, пока-
занный на рис. 2.2. Снизу данная
кривая ограничена шумами, а свер-
ху – нелинейными свойствами уси-
лительного каскада. По АХ опреде-
ляют динамический диапазон уси-
лителя. Рис. 2.2. Амплитудная
Линейный участок динамиче- характеристика усилителя
ской характеристики:
U вых2
D= .
U вых1
Для оценки динамического диапазона D (дБ) используют равенство:
D = 20lg U вых2 U вых1 .
Аналогично можно определить и динамический диапазон сигнала, при

котором имеет место неискаженное усиление:

U вх2
d= ,
U вх1
причем d (дБ) равняется
d = 20lg U вх2 U вх1 , D > d .
Динамическая характеристика (ДХ) – зависимость мгновенного значе-
ния выходной величины ( U 2 или I 2 ) от мгновенного значения входной
( U1 или I1 ). Данная характеристика позволяет оценить нелинейные свойства
усилителя. Эти свойства проявляются в дополнительных спектральных со-
ставляющих в спектре сигнала на выходе усилительного устройства.
Коэффициенты нелинейных искажений и нелинейности

В усилителях уровень нелинейных искажений оценивают с помощью
коэффициента гармоник:
U 22 + U 32 + ... + U i
kr = ,
U12
где U i – действующее или амплитудное значение i-й гармоники.
Uвых
ββ
0 α
Uвх max Uвх
Рис. 2.3. Динамическая характеристика усилителя
Помехи, фон, шумы

Помехи – посторонние сигналы, проникающие на вход усилителя или
на вход отдельных каскадов усилителя. Оценку уровня помех на выходе уси-
лителя производят при отсутствии сигнала на его входе.
Фон – напряжение на выходе усилителя с частотой, кратной частоте се-
ти переменного тока. Снижают уровень фона, уменьшая пульсации напряже-

ния выпрямителя, используя экранирование и развязывающие фильтры по
цепям питания. Фон не обнаруживается, если его напряжение на 70 дБ ниже
номинального выходного напряжения усилителя.
Шум – обусловлен внутренними помехами, возникает в результате теп-
лового движения свободных электронов в активных и пассивных элементах
схемы.
Дрейф – разновидность внутренних помех, проявляется в изменении
уровня выходного напряжения при постоянном входном. Основные причины
дрейфа – изменение температуры элементов схемы усилителя, напряжения
питания, старение активных элементов. Для снижения дрейфа усилителей
используют дифференциальные входные каскады.
2.3. Спектральные характеристики усилительных устройств
Рабочий диапазон частот задается двумя значениями частоты на

уровне –3 дБ: f н – значение нижней частот, f в – значение верхней частоты
рассматриваемого диапазона частот. В этом диапазоне оговариваются все па-
раметры и характеристики усилителя. Если средняя частота диапазона f 0
специально не оговорена, то она определяется соотношением =
f 0н в f ⋅f
или f 0 = 1 кГц. Для неискаженного усиления сигналов частотный диапазон
усилителя должен превышать ширину спектра усиливаемого сигнала.
АЧХ, амплитудно-частотная характеристика – зависимость модуля

коэффициента усиления от частоты:
K = K e j (ω t +ϕ) .
Для анализа АЧХ широкополосных усилителей f в f н > 103 удобно

использовать логарифмический масштаб по частоте (рис. 2.4, в, г).

Идеальная
Реальная
а
б
G = 20lgУ
в г
Рис. 2.4. Амплитудно-частотные характеристики усилителя: а – зависимость модуля

коэффициента усиления от частоты; б – АЧХ относительного коэффициента
усиления; в, г – АЧХ в логарифмическом масштабе
АФХ, амплитудно-фазовая характеристика – зависимость фазового

сдвига между выходным и входным сигналами от частоты.
Наряду с АЧХ и ФЧХ используют амплитудно-фазовую характери-
стику. Представив комплексный коэффициент усиления в виде модуля K и
фазы φ, исключают переменную f и строят в полярных координатах зависи-
мость (годограф), изображенную на рис. 2.6.
Реальная
Идеальная
а б
Рис. 2.5. Фазочастотные характеристики усилителя: а – в линейном масштабе;

б – в логарифмическом масштабе частоты

Im K f1
f2
K f3
f→0
φ
f→∞ 0 Re K
Рис. 2.6. Годограф. Амплитудно-фазовая

характеристика усилителя сигналов
Коэффициенты частотных и фазовых искажений

Наряду с нелинейными искажениями в усилителе возможны линейные
искажения, вызванные наличием реактивных элементов. Данный вид иска-
жений не приводит к появлению дополнительных спектральных составляю-
щих в выходном сигнале. Для оценки линейных искажений используют ко-
эффициенты частотных и фазовых искажений.
Частотные искажения определятся через относительные коэффициенты
усиление на f н и f в :
YН ( f н ) = K ( f н ) K ( f 0 ) ,
YВ ( f в ) = K ( f в ) K ( f 0 ) .
Откуда коэффициент частотных искажений:
=M н K=
( f 0 ) K ( f н ) 1 Yн ,
=M в K=
( f 0 ) K ( f в ) 1 Yв . Δφн
fн
fв
f
Δφв
Рис. 2.7. ФЧХ усилителя

Уровень искажений можно оценить в децибелах (дБ):
M н′ = 20lg M н , M в′ = 20lg M в .
Фазовые искажения определяются отклонением текущего значения уг-

ла фазового сдвига ( ∆ϕ ), реального усилителя от идеальной ФЧХ. Идеальная
ФЧХ – прямая линия (рис. 2.7).
2.4. Связь между АЧХ, ФЧХ, ПХ. Метод диаграмм Боде
Переходная характеристика (ПХ) – отражает зависимость мгновенно-

го значения выходного напряжения или коэффициента усиления от времени
при подаче на вход усилителя единичного скачка напряжения.
∆U
Uуст
0,9Um ∆Um
Uτ
Uуст
0,1Um
0 tз
Рис. 2.8. Переходная характеристика усилителя
По ПХ определяют следующие параметры:

tз – время запаздывания – время от момента подачи входного воздей-
ствия до момента времени, когда U вых
= 0,5 ⋅ U уст ;
t уст – время установления (время фронта) – время, в течение которого
выходная величина изменяется в пределах (0,1 − 0,9) ⋅ U уст ;
δ – выброс – максимальное превышение мгновенного значения U вых над
установившемся значением, отнесенное к U уст :
U maxуст− U
=δ ⋅ 100 .
U уст

2.4. Связь между АЧХ, ФЧХ, ПХ. Метод диаграмм Боде
∆ – спад или подъем вершины импульса – это разность между U уст и зна-
чением U вых в момент времени τ и , отнесенная к установившемуся значению:
U τуст− U
=∆ ⋅ 100 .
U уст
Если ∆ < 0 – спад, если ∆ > 0 – подъем.
Между временем установления t уст и верхней граничной частотой по
уровню –3 дБ f в 2
существует простая связь (2.1) с погрешностью до 5 %.
Это соотношение справедливо и для многокаскадного усилителя:
0,35
fв 2
= . (2.1)
t уст
Время установления N-каскадного усилителя можно определить по формуле
t уст ≈ t уст1
2
+ t уст2
2
+ ... + t уст
2
N .
Однако если выброс ∆ i > 3–4 %, то суммарное время установления уменьша-

ется. При условии, что ∆ i ≤ 10 % , суммарная величина∆ z определяется по
формуле ∆ Σ = ∆1 + ∆ 2 + ... + ∆ N .
2.5. Переходные характеристики
Существует целый класс электрических цепей, которые носят название

минимально-фазовых. К этим цепям можно отнести и большинство усили-
тельных устройств, для которых АЧХ, ФЧХ, ПХ оказываются взаимосвязан-
ными.
Так, переходную характеристику h(t ) можно получить следующим
образом:
∞
K (0) ω)1 K ( j
h(t )ω
= +
2 π 2 −∞∫ω j e jωt d ,
j e jωt – комплексный коэффициент передачи усилителя.

где K (ω)
Зная одну из характеристик, всегда можно получить оставшиеся две.
Физически это означает, что форма АЧХ, ФЧХ, ПХ определяется одними и
теми же элементами схемы. Так, эквивалентные схемы, описывающие пове-
дение каскада в области верхних частот (ВЧ), соответствуют схемам для об-

ласти малых времен. А схемы для области нижних частот (НЧ) – схемам для
области больших времен.
Действительно, обобщенную эквивалентную схему входной цепи
(рис. 2.9), где C1 >> C2 , можно преобразовать в эквивалентную схему вход-
ной цепи усилителя для низких частот (рис. 2.10) и соответственно для высо-
ких частот (рис. 2.11).
R1 C1 R1 C1
C2 R2
Рис. 2.9. Обобщенная

эквивалентная схема Рис. 2.10. Эквивалентная
входной цепи усилителя схема входной цепи для НЧ
R1
R
C2 R2 C
Рис. 2.11. Эквивалентная Рис. 2.12. Интегри-

схема входной цепи рующая цепь
для ВЧ
Для построения АЧХ, ФЧХ существует технический прием – метод

диаграмм Боде. Рассмотрим конкретные примеры.
Интегрирующая цепь – фильтр нижних частот (ФНЧ). Передаточ-

ная функция данной цепи (рис. 2.12) в операторной форме имеет следующий
вид:
1
K ( p) = ,
1τ+ p
где τ = RC – постоянная времени цепи.
1
При p = − K ( p ) = ∞ – полюс передаточной функции.
τ
В комплексной форме
1 1
=
K (ω)
j = ,
+j
1ωτ jω
1+
ω0

1 1
где ω0= = .
τ RC
|K(jω)| 20lg|K(jω)|
+( )
2
1
0,707 а –3 дБ
20lg( 1ωτ
0 1/τ ω
+3 дБ
20lg|K(jω)|
0 1 ω/ω0
φ(ω) 1
0 ω/ω0 Рис. 2.14. АЧХ интегрирующей цепи
в логарифмическом масштабе
–45° б
–90°
Рис. 2.13. АЧХ (а) и ФЧХ (б)

интегрирующей цепи
Выражение для АЧХ цепи

1 1
=
K (ω)
j = .
1 +ωτ)
( 2 1 (ω
+ ω )0 2
Выражение для ФЧХ цепи

−arctg(ωτ) =
ϕ(ω) = −arctg(ω ω0 ) .
1 1
Отметим следующую особенность: на частоте ω = =
ω0 = усиле-
RC τ
ние (коэффициент передачи) снижается
до уровня 0,707, а фазовый сдвиг стано- G
0,1 1 2 10
вится равным 45°. Перейдем к логариф- 0
ω/ω0
мической форме представления характе- –6 дБ
ристики коэффициента передачи: –20 дБ
20lg ω)
K ( j 20lg1
= 20lg 1  ω+ω( ) .
2
− 
  φ
0
0,1 1 10
0
ω/ω0
Если строить характеристику ко- –45°
эффициента передачи по точкам, то по-
лучим графики (рис. 2.14), из которых –90°
Рис. 2.15. Диаграммы Боде

для интегрирующей цепи

видно, что на частоте ω = ω0 усиление падает на 3 дБ.
Метод Боде позволяет преобразовать данную АЧХ, используя прямо-
ω
линейную аппроксимацию по относительной частоте (где ω0 – частота
ω0
полюса). При этом крутизна наклонного участка АЧХ составляет 6 дБ/октаву
или 20 дБ/декаду. Диаграммы Боде показаны на рис. 2.15.
Погрешность построения диаграммы АЧХ не превышает 3 дБ, погреш-
ность аппроксимации ФЧХ – 6°.
Дифференцирующая цепь – фильтр высоких частот (ФВЧ). Пере-

даточная характеристика данной цепи в операторной форме
pτ
С K ( p) = ,
1τ+ p
R
где τ = RC – постоянная времени.
При p 0=
= , K ( p ) 0 – коэффициент передачи
равен нулю.
Рис. 2.16. Дифферен- −1
При p = K ( p ) = ∞ – полюс передаточной
цирующая цепь τ
характеристики.
Выражение для комплексного коэффициента передачи
jωτ jω
=
K (ω)
j = .
+j
1ωτ  ω
ω0  1 + j 
 ω0 
Выражение для АЧХ
(ωτ) 2
j =
K (ω) .
1 +ωτ)
( 2
Выражение для ФЧХ
1
arctg
ϕ(ω) = .
ωτ
Переходя к логарифмической форме, находим комплексный коэффици-

ент передачи
20lg ω)
K ( j 20lg(ωτ)
= 20lg
− (
1 (ωτ)
+ 2
).

|K(jω)|
G
1 0,1 0,5 1
0,70 0
ω/ω0
–6 дБ
0 –20 дБ
1 ω/ω0
φ(ω)
90° φ
–90°
45°
–45°
0 0
1 0,1 1 10 ω/ω0
ω/ω0
Рис. 2.17. АЧХ и ФЧХ Рис. 2.18. Диаграмма Боде для АЧХ
дифференцирующей цепи и ФЧХ дифференцирующей цепи
Правило Боде. При пересечении передаточной характеристикой каждо-

го нуля крутизна АЧХ возрастает на 6 дБ/октаву или 20 дБ/декаду. При пере-
сечении каждого полюса – уменьшается на те же величины (рис. 2.18).
В качестве иллюстрации рассмотрим следующий пример:
=τ1 R
причем
= 1C1 , τ 2 τ R2C
τ 2, 1 > 2 .
Имеем два полюса:
1 1
p1 = , p2 = − .
τ1 τ2
Построение диаграммы Боде для данной цепи показано на рис. 2.20.

Рассмотрим еще два примера.
Пример 1. Для представленной на рис. 2.21 цепи
pC0 R1
K ( p) = ,
1 + pC0 ( R0 + R1 )
определим нули и полюса K ( p ) :

нуль: К(р) = 0 при p = 0,
τ1 = C0 R1.

20lgK
20 дБ/дек
К1 40 дБ/дек
R1 R2
1/τ1 ω
С1 С2 1/τ2
20 дБ/дек 20 дБ/дек
Рис. 2.19. Структурная Рис. 2.20. Диаграмма Боде для АЧХ

схема усилительного усилительного каскада,
каскада представленной на рис. 2.19
20 lg ω)
K( j 1/τ2 ω
3 дБ
R0 С0
Е R1 С0
Рис. 2.21. Дифференци- Рис. 2.22. АЧХ дифференцирующей

рующая цепь к примеру 1 цепи, построенная
Полюс: К(р) = ∞ при
1 1
p= = − ,
C0 ( Rτ1 + R0 ) 2
=τ 2 C0 ( R0 + R1 ).
Выражение для K (ω)

j имеет вид
jωτ1
j =
K (ω) ,
+j 2
1ωτ
( ωτ1 )
2
j =
K (ω) ,
+( 2)
2
1ωτ
т. е. по общему виду АЧХ совпадает с АЧХ дифференцирующей цепочки
(рис. 2.16), остается определить влияние сопротивления R0 . За счет сопро-

тивления R0 происходит снижение коэффициента передачи цепи на величи-
ну, равную
R1
k= .
R0 + R1
20lg ω)
K ( j 20lg(ωτ
= ) 20lg
1 − (
1 (ωτ+ ) 2
2
)
=τ 2 C0 ( R0 + R1 ) .
1
Считая =
ωн 2π
=fн за нижнюю граничную частоту, можно заметить,
τ2
что f н уменьшается с ростом C0 .
Пример 2. Для интегрирующей цепи (рис. 2.23)
R1
K ( p) = .
R0 + R1 + pC0 R0 R1
Нулей данная функция не имеет, а полюс определяется из выражения
R0 + R1 1 R0 R1
p=− =− ⇒τ =C0 .
C0 R0 R1 τ R0 + R1
20lg 1/τ2 ω
0
R1
20 lg
R1 + R0
R0
С0
Е R1 С0
Рис. 2.23. Интегрирую- Рис. 2.24. АЧХ интегрирую-

щая цепь щей цепи, построенная
Диаграмма Боде показана на рис. 2.24. За счет сопротивления R0

уменьшается коэффициент передачи на величину

R1
k= ,
R0 + R1
где k – коэффициент передачи резистивного делителя, образованного сопро-

тивлениями R0, R1.
2.6. Применение цепей обратной связи в АЭУ
Современные усилительные элементы обладают значительным разбросом

параметров от образца к образцу, температурной нестабильностью и сущест-
венной нелинейностью.
Обеспечение высоких технических характеристик усилительных уст-
ройств при использовании таких элементов приводит к необходимости приме-
нения специальных мер по стабилизации и линеаризации. Этого можно до-
биться введением в усилитель специальных элементов, зависимость параметров
которых от температуры или характер их нелинейности таковы, что позволяют в
определенной мере скомпенсировать температурный уход параметров усили-
тельных элементов или их собственную нелинейность. Однако такой метод тре-
бует индивидуальной настройки каждого образца усилителя высококвалифици-
рованным специалистом, что нетехнологично, дорого и практически неприемле-
мо при массовом производстве.
Значительно более эффективным и универсальным методом стабилизации
и линеаризации является метод отрицательной обратной связи (ООС).
Сущность этого метода заключается в том, что управляющее напряжение
усилителя формируется как результат сравнения мгновенного значения входно-
го сигнала с соизмеримой с ним по уровню частью выходного сигнала таким
образом, чтобы соответствующим воздействием на усилитель свести к мини-
муму их отличия. Тем самым происходит автоматическая компенсация всех
факторов, приводящих к отличию мгновенных значений входного и выходного
сигналов: нелинейных и частотных искажений, собственных шумов нестабиль-
ности усилителя и т. д.
U U 2 = ( ψU1 )
Ес 3 U1
у 4 вх К
1
U ОС
2
β
Рис. 2.25. Линеаризованная модель усилителя

с обратной связью
Обобщенная линеаризованная модель усилителя с обратной связью пред-

ставлена на рис. 2.25, где 1 – исходный усилитель с комплексным коэффициен-

•
• U2 •
том передачи K = •
; 2 – цепь обратной связи с коэффициентом передачи β ;
U1
3 – сравнивающее (вычитающее) устройство; 4 – цепь связи источника сигнала с
•
исходным усилителем с коэффициентом передачи y .
Характерной особенностью усилителя с обратной связью является нали-
чие цепи обратной связи 2, через которую выходной сигнал усилителя подво-
дится во входную (управляющую) цепь, где он вычитается из входного сигнала.
•
Благодаря этому, управляющее напряжение усилителя U1 несет информацию
• •
об отличии выходного напряжения U 2 от ЭДС входного сигнала Ec :
• • • • •
U1 Ec y − U 2 β,
= (2.2)
•
• U1
где β = • •
– коэффициент передачи выходного напряжения к управляю-
Ec =0
U2
•
• U1
щим зажимам (коэффициент обратной связи); y = • •
– коэффициент пе-
U 2 =0
Ec
редачи ЭДС сигнала к управляющим зажимам (коэффициент прямой связи).
Сравнение сигналов прямой и обратной связи на рис. 2.25, отражено
введением идеального вычитающего устройства 3. Реально вычитание осу-
ществляется либо подачей сравниваемых напряжений одинаковой полярно-
сти на противоположные зажимы цепи управления, либо подачей на один и
тот же зажим сравниваемых напряжений в разной полярности. Введем поня-
тие комплексного коэффициента усиления ЭДС сигнала с обратной связью:
•
• U2
K ОС = •
. (2.3)
Ec
Из рис. 2.25 следует очевидное соотношение:

• • •
U 2 = U1 K . (2.4)
При неограниченном увеличении коэффициента усиления исходного
•
усилителя K → ∞ для получения заданного значения выходного напряжения
усилителя с обратной связью требуется, согласно (2.4), управляющее напря-

• • • • •
жение U1 → 0, откуда, согласно (2.2), следует, что Ec y = U 2 β и предельное
значение комплексного коэффициента усиления с обратной связью принима-
ет вид
• •
• U2 y
K ОС • •
= = • •
. (2.5)
K β →∞
Ec β
Соотношение (2.5) отражает важнейшее свойство обратной связи: в

предельном случае усиление усилителя с обратной связью не зависит от
параметров исходного усилителя, а полностью определяется параметрами
цепей прямой и обратной связи.
Стабильность и линейность пассивных элементов, определяющих зна-
• •
чения y и β , могут быть сделаны значительно более высокими, чем у усили-
•
тельных элементов, определяющих значение K .
В результате стабильность и линейность усилителя с отрицательной
обратной связью также оказываются более высокими, чем у исходного уси-
лителя.
Ниже будет показано, что стабилизирующие свойства отрицательной
обратной связи проявляются и при конечных значениях петлевого усиления –
• •
произведения K β , что и объясняет чрезвычайно широкое использование
ООС при проектировании усилительных устройств.
• •
Глубина ООС А = 1 + K β показывает, во сколько раз уменьшается ко-
эффициент усиления каскада при введении отрицательной обратной связи.
2.7. Классификация цепей ОС
1. Источники возникновения ОС:

внутренние ОС определяются свойствами и конструктивными особен-
ностями активных элементов;
паразитные ОС возникают в результате паразитных емкостных, индук-
тивных и гальванических связей в усилителе (между каскадами и различны-
ми цепями, в результате чего становится возможным передача сигнала с вы-
хода на вход).

Rг К 0 Rн
Rг К 0 Rн Rг К 0 Rн
β
β β
Рис. 2.26. Структур- Рис. 2.27. Структурная Рис. 2.28. Структурная

ная схема усилителя схема усилителя с об- схема с комбиниро-
с обратной связью по ратной связью по на- ванной обратной свя-
току пряжению зью по выходу
Данный вид связей можно устранить или минимизировать грамотным

конструированием усилительного устройства и выполнением требований
электромагнитной совместимости;
внешние ОС вводятся искусственно для изменения параметров как от-
дельных каскадов, так и устройств в целом.
Внутренние и паразитные ОС всегда стремятся уменьшить.
2. Способы подключения входа цепи ОС:
обратная связь по току (последовательная ОС по выходу, рис. 2.26);
обратная связь по напряжению (ОС параллельная по выходу, рис. 2.27);
В данном случае сигнал ОС пропорционален напряжению на нагрузке.
В случае короткого замыкания в цепи нагрузки данный вид ОС исчезает.
смешанная, или комбинированная, ОС по выходу (рис. 2.28);
По способу выхода цепи ОС:
последовательная обратная связь по входу (рис. 2.29).
Данная ОС исчезает при работе от идеального источника тока (т. е.
в режиме холостого хода по выходу);
параллельная обратная связь по входу (рис. 2.30).
Данная ОС исчезает при работе от идеального источника напряжения
(т. е. в режиме короткого замыкания по входу);
комбинированная обратная связь по входу (рис. 2.31).
Rг К 0
Rг
Rг К 0
К 0
β
β β
Рис. 2.29. Последо- Рис. 2.30. Парал- Рис. 2.31. Комбини-

вательная обратная лельная обратная рованная обратная
связь по входу связь по входу связь по входу
При использовании матричного метода анализа цепей с обратными свя-

зями приходим к четырем основным видам цепей:

1. ИТУТ – источник тока, управляемый током (Y-связь).
2. ИНУН – источник напряжения, управляемый напряжением (Z-связь).
3. ИНУТ – источник напряжения, управляемый током (К-связь).
4. ИТУН – источник тока, управляемый напряжением (H-связь).
Указанные виды обратной связи представлены на функциональных
схемах (рис. 2.32, рис. 2.33, рис. 2.34, рис. 2.35).
=
 I1 Y11U1 + Y12U 2 =
U1 Z11I1 + Z12 I 2
 
=
 I 2 Y21U1 + Y22U 2 =
U 2 Z 21I1 + Z 22 I 2
(ИТУТ) (ИНУН)
=
U1 H11I1 + H12U 2 =
 I1 K11U1 + K12 I 2
 
=
 I 2 H 21I1 + H 22U 2 (ИТУН) =
U 2 K 21U1 + K 22 I 2 (ИНУТ)
I1 I2
Rг I1 I2
К 0
Y1 U1 U2 Y2
U1 К 0 U2
β β
Рис. 2.32. Структурная схема

усилителя с последователь- Рис. 2.33. Структурная схе-
ной обратной связью по вхо- ма усилителя с параллель-
ду и выходу (Y-связь) ной обратной связью по
входу и выходу (Z-связь)
Rг I1 I2
I1 I2
U1 К 0 U2 Yн
Y1 U1 К 0 U2 Rн
β
β
Рис. 2.34. Структурная схема Рис. 2.35. Структурная схема

усилителя с последовательной усилителя с параллельной обратной
обратной связью по входу и парал- связью по входу и последовательной
лельной по выходу (H-связь) по выходу (K-связь)
Примеры схем с различными видами обратной связи.

Еп
Rб Rк Rн Rк
Rб1
Rэ Rб2
Rэ Rн
Рис. 2.36. Функциональная и принципиальная электрические схемы усилителя

с ООС последовательной по входу и выходу
Еп
Rк Rн Rк
Rсв
Rн
Rсв

с ООС параллельной по входу и выходу
Еп
Rб1
Rб Rэ Rн
Ср
Rб2
Rэ Rн

с ООС параллельной по входу и последовательной по выходу
3. По числу обратных связей цепи делят:

на однопетлевые;
многопетлевые;
зависимые;
независимые.
По числу охватываемых каскадов:

местные ОС;
общие ОС.
4. По частотным свойствам цепи могут быть:
частотно-независимые;
частотно-зависимые.
Учитывая, что даже в схеме без реактивных элементов присутствуют
паразитные связи и наводки, поэтому частотно-независимых связей нет. Ко-
гда говорят о частотно-независимой ОС имеют в виду определенный участок
частотного диапазона, где это условие выполняется с заданной погрешно-
стью. Когда рассматривают частотные свойства ОС вводят определения по-
ложительной и отрицательной ОС.
Положительная ОС. Напряжение ОС и напряжение сигнала на входе
каскада, охваченного ОС, совпадают по фазе.
В этом случае суммарный фазовый сдвиг:
ϕl = ϕb + ϕk = 2π ,
тогда
K β K=
=  β e j 0 Re K β > 0,
K
K ОС = .
1β− K 
Отрицательная ОС. Напряжение ООС и напряжение сигнала на входе

каскада, охваченного ООС, противоположны по фазе.
ϕl = ϕb + ϕk = 180 ,
тогда
K β =
K β e jπ =
− K β < 0,
K
K ОС = .
1β+ K 
Анализ вида ОС, как правило, проводят на средней частоте рабочего

диапазона частот.
2.8. Влияние ООС на входное сопротивление усилителя
Существуют различные методы анализа влияния ООС на параметры

усилительных устройств.
1. Матричный метод оценки.
Определяется результирующая матрица соответствующего соединения
четырехполюсников K и β .

2. Топологический метод оценки.
Данный метод использует теорию сигнальных графов.
3. Метод эквивалентных схем.
Простейшие схемы с ОС целесообразно анализировать, используя ме-
тод эквивалентных схем. Расчеты значительно упрощаются, более наглядны-
ми становятся физические процессы.
Для сложных вариантов схемных решений рационально применять два
первых метода с использованием ЭВМ.
Воспользуемся методом эквивалентных схем для анализа входного со-
противления усилителя со смешанной (комбинированной) ООС по входу.
Способ снятия ООС с нагрузки на Z вх не влияет.
Учтем влияние цепи ООС, вводя источник напряжения Eсв и тока I св .
Тогда входная цепь усилителя примет вид, показанный на рис. 2.40.
Используя законы Кирхгоффа для входного контура, можно записать:
U вх= U + U св ,
I вх= I + I св ,
откуда =
U U вх − U св ,
=
I I вх − I св .
Z г
E K Rг Iвх
EU Iсв Uвх K
Z вх ОС
Z вх ОС
Zвх β Eсв Zвх
Рис. 2.39. Эквивалентная принципиаль- Рис. 2.40. Эквивалентная функцио-

ная схема усилителя со смешанной нальная схема усилителя
ООС по выходу со смешанной ООС по выходу
Тогда выражение для входного сопротивления с ООС можно записать в виде

 U св 
1 − 
U U вх − U св U вх  U вх 
Z вх ОС= = = ⋅ .
I I вх − I св I вх  I св 
1 − 
 I вх 
учитывая зависимости: U=
св U вх ⋅ K uβu и I=
св I вх ⋅ K iβi , выражение для Z вх ОС
запишется в виде
 1β− K u 
Z вх= Z ⋅
вх 
u
.
 1β− K i
ОС
i 
Рассмотрим частные случаи влияние ООС на входное сопротивление:

4. Последовательная обратная связь ( I св = 0 ; βi = 0 ):
Z вх ОС = Z вх ⋅ (1β+ K u u ).
5. Параллельная обратная связь ( U св = 0 ; βu = 0 ):
Z вх
Z вх ОС = .
1β+ K i i
Таким образом, последовательная отрицательная ОС увеличивает

входное сопротивление усилителя, тогда как параллельная отрицательная
связь уменьшает входное сопротивление усилителя.
Последовательная ООС широко используется для увеличения входного
сопротивления и уменьшения входной емкости (пример, эмиттерный повто-
ритель).
2.9. Влияние ООС на выходное сопротивление усилителя
Определим выходное сопротивление усилителя с ООС, у которого по

выходу действует последовательная обратная связь, используя теорию об эк-
вивалентном генераторе.
В рассматриваемом варианте усилитель можно заменить источником
ЭДС с внутренним сопротивлением Z г , равном искомому значению Z вых . Это
сопротивление определяется через напряжение холостого хода и ток корот-
U вых ХХ U вых ХХ ОС
кого замыкания нагрузки: Z вых = и Z вых ОС = .
I вых КЗ I вых КЗ ОС

При наличии ООС можно записать:
(
U вых ХХ ОС = U вх ХХ ⋅ K u = U + U свХХ ⋅ K u , )
U св появляется только при наличии ООС;
I вых КЗ ОС =
(U вх КЗ ⋅ Ku ).
Z вых
Поскольку U вых КЗ = 0, то во втором уравнении ток I вых КЗ ОС определен че-

рез величины: U вх КЗ , K u , Z вых .
Учитывая, что для входной цепи при последовательной ООС
U вх ХХ= U + U свХХ , U вх КЗ= U + U свКЗ ,
можно записать:
U вх ХХ ⋅ K u U + U свХХ
Z вых ОС = ⋅ Z вых = Z вых ⋅ .
U вх КЗ ⋅ K u U + U свКЗ
Для ООС по напряжению когда U свКЗ = 0 :
U + U св U вх Z
Z вых ОС =
Z вых ⋅ =
Z вых ⋅ = вых .
U U вх − U св 1β− K u u
Находим выходное сопротивление:
Z вых
Z вых ОС = .
1β− K u u
Для обратной связи по току ( U свХХ = 0 ):
U U − U св  U ⋅K β 
Z вых ОС= Z вых ⋅ = Z вых ⋅ вх = Z вых 1 −β вх u u = Z вых ⋅ (1 − K u ).
U + U вх
u
U вх  U вх 
Окончательно имеем:
1. ООС по напряжению:
Z вых
Z вых ОС = .
1β+ K

2. ООС по току:
Z вых ОС= Z вых ⋅ (1β+ K u u ).

Таким образом, отрицательная ОС по току увеличивает выходное со-
противление усилителя. Отрицательная ОС по напряжению уменьшает вы-
ходное сопротивление усилителя.
Отметим также, что способ подачи ООС на вход не влияет на Z вых ОС .
2.10. Влияние обратной связи на коэффициент усиления
Рассмотрим усилитель с комбинированной ООС по входу при работе

от идеального источника напряжения ( Rг = 0 , рис. 2.41).
I Iвх
Uвх К
Е U Iсв Uвых Zн
Есв
Рис. 2.41. Эквивалентная функциональная

схема усилителя со смешанной ООС по входу
Для входной цепи на основании законов Кирхгоффа запишем равенства:

U вх= U + U св ,
I вх= I + I св .
Тогда коэффициент передачи по напряжению:
 
  U вых U вых U вых  1  1
  K uОС = = = ⋅ =Ku ⋅ ,
  U U вх − U св U вх  1 − U св  1β− K u ⋅
 U 
u
 вх 
Ku
K uОС = .
1β− K u ⋅ u
Коэффициента передачи по току:

 
I вых I вых I  1 
K= = = вых ⋅ ,
I вх − I св I вх
iОС
I  1 − I св 
 
 I вх 
так как I=
св I вх ⋅ K iβi , окончательное выражение примет вид
Ki
K iОС = .
1β− K i ⋅ i
I Iвх
Uвх К
Е U Iсв Uвых Zн
Есв
Рис. 2.42. Эквивалентная функциональная
схема усилителя с ООС
последовательной по выходу
Рассмотрим различные виды ООС относительно идеального источника
напряжения ( Rг = 0 ).
1. Последовательная ООС.
Поскольку Rг = 0 , то параллельная ООС не проявляется. Это эквивалентно
тому, что βi = 0 , тогда
Ku
K uОС = , K iОС = K i .
1β− K u ⋅ u
2. Параллельная ООС.
При параллельной ООС
Ki
βu = 0 , K uОС = K u , K iОС = .
1β− K i ⋅ i
Таким образом, при работе от идеального источника сигнала после-

довательная ООС не влияет на коэффициент передачи по току, а параллель-
ная ООС не влияет на коэффициент передачи по напряжению.
Рассмотрим теперь случай, когда усилитель с ООС работает от реаль-
ного источника сигнала с конечным внутренним сопротивлением Rг ≠ 0 .
В этом случае необходимо рассматривать сквозной коэффициент усиления
U
K E = вых .
E
Для сквозного коэффициента передачи

U вых U U вых
K= = ⋅ .
E E U
E
U
Здесь отношение показывает коэффициент передачи цепи, образо-
E
ванной Rг и Z вх ОС (рис. 2.43).
Для упрощения будем полагать, что Z вх ОС = Rвх ОС , т. е. ООС имеет чисто
активное сопротивление.
Тогда выражение для K E можно переписать в следующей форме:
Rвх ОС Rвх ⋅ (1β− K u u ) Ku
=
KE ⋅ K= ⋅ =
Rвх ОС + Rг  1β− K u u  1β− K u u
uОС
(1β− Ki i ) ⋅  Rвх ⋅ + Rг 
 1β− K i i 
Rвх ⋅ K u
= ,
Rвх ⋅ (1β− K u u ) + 1Rг ⋅ ( β− K i i )
и окончательно выражение для K E :
Ku
KE = .
R
(1β− Ku u ) + 1г ⋅ ( β− Ki i )
Rвх
Rг
По аналогии находим выражение сквозного
Z вх ОС
коэффициента передачи тока, заменив K u → K i ;
Rг → Yг ; Rвх → Yвх , тогда
Рис. 2.43. Эквивалент-
ная схема входной Ki
цепи усилителя
KI = .
Rвх
с параллельной ООС (1β− Ki i ) + 1 ⋅ ( −β Ku u )
по входу
Rг
Таким образом, видно, что при работе от источника
с конечным сопротивлением Rг ≠ 0 необходимо
учитывать коэффициент передачи делителя, образованного сопротивлениями
Rг и Rвх .
2.11. Влияние ООС на стабильность коэффициента усиления

К основным дестабилизирующим факторам, влияющим на коэффици-
ент усиления, относятся следующие:
1) изменения напряжения источников питания;
2) колебания температуры окружающей среды;
3) старение и разброс параметров активных и пассивных компонентов
схемы.

2.11. Влияние ООС на стабильность коэффициента усиления
При глубокой ООС, когда Kβ → ∞ стабильность усилителя с ООС полно-
стью определяется стабильностью цепей обратной связи.
Отсюда следует вывод о необходимости тщательного подбора элементов
этих цепей, поскольку они определяют потенциальную точность и линейность
усилителя с ООС.
При исходных параметрах:
Еτ = 1 В, U1 = 0,1 В, U2 = 9 В, Ес = 1 В, U1 = 0,01 В, U2 = 9,9 В.
Важно подчеркнуть физическую суть стабилизирующего действия ООС.
К = 90 К' = 990
UОС = 0,9 В UОС = 0,99 В
β = 0,1 β = 0,1
а б
Рис. 2.44. Влияние коэффициента усиления на стабильность выходного сигнала
при наличии отрицательной обратной связи
На рис. 2.44 показано распределение напряжений в характерных точках струк-
турной схемы: для упрощения принято y = 1 , для двух существенно различных
значений усиления исходного усилителя К = 90 и К = 990.
Как следует из рис. 2.44, при изменении усиления исходного усилителя
в 11 раз (с 90 до 990), (коэффициент усиления усилителя с ООС), сигнал в на-
грузке изменился в 1,1 раза (с 9 до 9,9). Хорошо видно, что стабилизация уси-
ления входного сигнала достигается за счет изменения в нужную сторону
управляющего напряжения ООС.
Количественная оценка влияния ООС на величину всех видов искажений,
вносимых усилителем, является достаточно сложной задачей.
Так, например, для оценки изменения уровня шумов при введении ООС
необходимо контролировать модуль и фазу петлевого усиления в полосе частот,
0 < f < ∞, в которой сосредоточена энергия шумов.
2.12. Влияние обратной связи на внутренние помехи

и нелинейные искажения
Наличие собственных источников помех в усилителе ограничивает его

возможности в усилении слабых сигналов, т. е. ограничивает динамический
диапазон снизу.
Ослабление влияния этих помех в усилителе за исключением первого
каскада можно осуществить, используя ООС.
1. Пусть на входе усилителя с коэффициентом усиления K u действует
полезный сигнал U с и напряжение помехи U п . Выходные сигналы U с.вых и
U п.вых определяются равенствами:

2.12. Влияние обратной связи на внутренние помехи и нелинейные искажения
= U с ⋅ K u ; U п.вых
U с.вых = U п ⋅ Ku .
При введении ООС получим следующие зависимости:
Ku Ku
= Uс ⋅
U с.вых = Uп ⋅
; U п.вых .
1β+ K u u 1β+ K u u
Таким образом, ООС изменяет уровень помехи во столько же раз, во

сколько и полезный сигнал.
2. Предположим, что источник помехи находится за первым каскадом
усилителя.
Общий коэффициент усиления схемы,

рис. 2.45:
К1 К2
Еп
= K1 ⋅ K 2 .
K
β
В этом случае входной сигнал усили-
Рис. 2.45. Структурная схема вается в K1 раз больше, чем сигнал
двухкаскадного усилителя, помехи, т. е. на выходе помеха ослаб-
второй каскад охвачен ООС ляется по сравнению с входным сиг-
налом.
При отсутствии ООС:

= Eп ⋅ K 2 .
U п.вых
При наличии ООС:

K 2 п.вых K 2 п.выхU U
U п.вых ОС =⋅
Eп = ⋅ = ,
1β− K 1 β− K K 2 1 β− K
U п.вых
U п.вых ОС = .
1β− K
Таким образом, напряжение помехи на выходе усилителя с ООС изме-

няется в 1β− K раз по сравнению с усилителем без ООС.
Отсюда вытекают жесткие требования к входным каскадам усилителя в
отношении помехоустойчивости. Необходимо помнить, что отношение
сигнал/помеха во входном каскаде за счет ООС повысить нельзя.
Другим важным свойством отрицательной обратной связи является
уменьшение уровня нелинейных искажений. Это обусловлено тем, что любая
гармоника на выходе усилителя подается на вход каскада, охваченного ООС,

2.12. Влияние обратной связи на внутренние помехи и нелинейные искажения
в противофазе к усиливаемому сигналу, что приводит к компенсации ее на
выходе.
Можно показать, что при введении отрицательной обратной связи ко-
эффициент гармоник уменьшится в число раз, равное глубине ООС:
kг ОС 1
= .
kг 1β+ K
2.13. Влияние общей и местной ООС

на стабильность коэффициента усиления
Пусть имеется N-каскадный усилитель, охваченный общей и местными

отрицательными обратными связями.
К1 К2 КN К1 К2 КN
β β1 β2 βN
а б
Рис. 2.46. Структурные схемы усилителей: а – схема с общей ООС,
б – схема с покаскадным включением ООС
Для усилителя с одной общей ООС можно записать:
N
∏K dK ОС i
1 N
dK
K ОС = N
=i =1
; N
⋅∑ i .
1β+ ∏ K i 1β+ ∏ K i i =1 i
K ОС K
i =1 i =1
Для усилителя с местной ООС аналогичные выражения имеют сле-

дующий вид:
N
∏K i
dK ОС N
1 dK i
K ОС = N
i =1
=
; ∑ 1β+ K ⋅ .
∏ (1β+ K )
K ОС i =1 i i Ki
i i
i =1
Сравнение выражений показывает, что для повышения стабильности

коэффициента усиления предпочтительно использовать общую отрицатель-
ную ОС.
Действительно, если принять, что K i = K j , то для общей ООС получим:

2.13. Влияние общей и местной ООС на стабильность коэффициента усиления
KN dK N
K ОСО = ; δK ОС
= ⋅ .
1β+ K N О
K 1β+ K N
Для усилителя с местными обратными связями получим следующие

выражения:
KN dK N
K ОСМ = ; δK ОС= ⋅ .
(1β+ K ) K 1β+ K
N М
В случае общей ООС:
δK ОСО dK N K 1β+ K 1 β+ K
= ⋅ ⋅ ⋅ = .
δK ОСМ K 1 + βK dK
N
N 1 + βK N
2.14. Влияние ООС на АЧХ, ФЧХ, ПХ
Использование отрицательной ОС позволяет снизить уровень линей-

ных искажений в фиксированном диапазоне частот или расширить диапазон
частот при фиксированном уровне частотных искажений.
Интерес представляют случаи, когда глубина ООС изменяется
с частотой
K ( jω )
K ОС ( jω ) = .
+ Kβ( j ω) ⋅ ( j )
1ω
Для области ВЧ:
K0
K ( jω ) = .
+j в
1ωτ
Тогда
K0 K0
= K ОС ( jω ) = .
 K 0в⋅ β ( j0ω )  1 + jωτ + K ⋅ β ( jω )
(1ωτ
+ j в 1) ⋅  + 
 +j в 
1ωτ
Рассмотрим вариант частотно-независимой ООС.
Здесь β ( jω ) = β .
K0
K ОС ( jω ) = .
+ j в + Kβ0 ⋅
1ωτ
Тогда коэффициент ООС для области верхних частот запишется в виде

2.14. Влияние ООС на АЧХ, ФЧХ, ПХ
K0
1β+ K 0
K ОС ( jω ) = .
τв
+j
1ω
1β+ K 0
Видно, что при введении ООС коэффициент усиления снизился в число

раз, равное глубине ООС, но при этом и постоянная времени снизилась в это
же число раз, что эквивалентно увеличению верхней граничной частоты
f вОС = f в ⋅ (1β+ K 0 ).
Аналогично для области НЧ:
jωτ н
K ( jω ) = .
+j
1ωτ н
Находим, что с ростом глубины ООС расширяется динамический диа-

пазон усиливаемых сигналов в области низких частот
fн
f нОС = .
1β+ K 0
В варианте, когда элементы цепи ООС являются частотно-зависимыми,
можно добиться не только расширения диапазона рабочих частот, но и изме-
нения формы АЧХ, ФЧХ и ПХ. На этом принципе основана работа частот-
ной коррекции.
2.15. Устойчивость усилителей с ООС
Усилитель, охваченный ОС, представляет замкнутую систему, в кото-

рой при определенных условиях могут возникнуть незатухающие колебания.
В этом случае говорят о потере устойчивости усилителя. Даже при введении
ООС на определенных частотах из-за фазовых сдвигов, возникающих в петле
ОС, может меняться ОС с отрицательной на положительную.
Потеря устойчивости обычно проявляется следующим образом:
1. На выходе усилителя возникают незатухающие колебания, сохра-
няющиеся даже при прекращении входного воздействия.
2. Выходной сигнал скачкообразно увеличивается при определенном
уровне входного сигнала и в дальнейшем не зависит от уровня входного сиг-
нала.
Такое состояние возможно, если K ⋅ β =
1 , а угол фазового сдвига в
петле обратной связи равен ϕk + ϕОС =n 2π.
K 0
В этом случае: U вых =
E⋅ = .
1β− K ⋅  0

Физически такая неопределенность означает возможность наличия вы-
ходного напряжения при отсутствии входного. То есть это условие генериро-
вания колебаний:
K ⋅β =
1 , ϕk + ϕОС =n 2π.
При этом, устойчивость схемы будет обеспечена, если K ⋅ β < 1 на частотах

ϕ =0 .
Рассмотрим частотные критерии устойчивости Боде и Найквиста.
1. Критерий Найквиста.
По данному критерию строят годограф петлевого усиления K ⋅ β .
Если в рабочем диапазоне частот годограф петлевого усиления K ⋅ β не ох-
ватывает критической точки с координатами (1, 0), то усилитель абсолютно
устойчив по Найквисту. Возможна ситуация, когда при выбранной глубине
ОС и воздействии дестабилизирующих факторов (перегрузка каскада сигна-
лом или помехой), годограф может охватить критическую точку (1, 0).
В этом случае принято считать, что усилитель условно устойчив по Найквисту.
Устойчи
чи- вость достига-
ется Рис. 2.47. Годограф петлевого усиления регулировани-
ем фазового сдви-
га или усиления.
Для обеспечения устойчивой работы усилителя его проектируют таким
образом, чтобы при влиянии различных дестабилизирующих факторов годо-
граф не охватывал критической точки. В этом случае имеет место «запас ус-
тойчивости по модулю и по фазе». Запас устойчивости по модулю показыва-
ет, на сколько надо увеличить модуль петлевого усиления, чтобы усилитель
оказался на границе устойчивости. Запас устойчивости по фазе показывает на
сколько надо изменить фазовый сдвиг в петле обратной связи, чтобы усили-
тель оказался на границе устойчивости. Обычно на практике обеспечивают
запас устойчивости по модулю –9 дБ, по фазе –30°.

Рис. 2.48. Годограф петлевого усиления: X – по модулю (≥ 9 дБ); α – по фазе (≥ 30°)
Запас устойчивости усилителя (рис. 2.48).

2. Критерий Боде.
По данному критерию строят логарифмические АЧХ и ФЧХ для петле-
вого усиления. Усилитель устойчив по Боде на всех частотах, на которых
20lgβ( − K0 ) > , а фазовый сдвиг в петле меньше 180°. Условно устойчивый
усилитель имеет четное число переходов ФЧХ через уровень –180°.
2.16. Схемы на операционных усилителях
Первоначально название «операционный усилитель» получил уни-

версальный усилитель, предназначенный для выполнения линейных матема-
тических операций в аналоговых вычислительных машинах. Отсюда и назва-
ние – операционный усилитель (ОУ).
Рис. 2.49. Условные обозначения ОУ
В настоящее время такое название получили широкополосные усили-

тели постоянного тока с большим коэффициентом усиления (десятки – сотни
тысяч) в микросхемном исполнении. Большой запас по усилению, позво-
ляющий вводить в ОУ глубокие обратные связи, обеспечивают многофунк-
циональные возможности ОУ. В результате, микросхемы ОУ стали самыми
массовыми элементами аналоговой электроники.

Широко распространенные микросхемы ОУ имеют четыре сигнальных
вывода:
инвертирующий вход;
неинвертирующий вход;
сигнальный вход;
общий провод (земля).
Некоторые микросхемы ОУ могут иметь выводы для частотной кор-
рекции, установки нуля и т. д. Различают четыре базовые (канонические)
схемы включения ОУ:
усилитель напряжения;
усилитель тока;
усилитель-трансформатор сопротивления;
усилитель-трансформатор проводимости.
Тип схемы включения определяется видом обратной связи, которой ох-
ватывается ОУ. Используя эти схемы включения ОУ, удается согласовать
различные типы источников сигнала и нагрузки и получить наибольший ко-
эффициент усиления по мощности.
Рассмотрим условия, при которых ОУ становится чувствительным к
входному сигналу (току или напряжению), а выходная цепь ОУ на нагрузоч-
ном сопротивлении работает как генератор тока либо генератор напряжения.
Мощность входного сигнала Pc , напряжение сигнала U с или ток сигна-
ла I с в цепи управления ОУ имеют малую, но конечную величину. Поэтому
условие Pс → 0 выполняют соответствующим выбором соотношений уровня
Rвх и Rг .
1. Если на вход подается сигнал в виде уровня тока I с , то
=
Pcвх сR I 2 → 0
выполняется при Rвх → 0 .
2. Если на вход подается сигнал в виде уровня напряжения U с , то
U с2
=
Pс → 0 при Rвх → ∞ .
Rвх
Таким образом, при Rвх  Rг имеем очень малые потери тока на внутренней
проводимости источника сигнала, при Rвх  Rг имеем очень малые потери
напряжения на Rс .
В выходной цепи ОУ должен обеспечить:
1) постоянную величину I вых при любых изменениях Rн (напряжение
U вых пропорционально Rн );
2) постоянную величину U вых при любых изменениях Rн (ток пропор-
ционален Rн ).

Обобщая приведенные выше данные можно выделить четыре базовых
схем включения ОУ:
U
1. Усилитель напряжения K u = вых .
Uc
Усилитель управляется напряжением и с выходной нагрузки снимается на-
пряжение (последовательная ОС по напряжению):
I
2. Усилитель тока K i = вых .
Iс
Усилитель управляется током и обеспечивает заданный ток в нагрузке (па-
раллельная ОС по току).
3. Усилитель-трансформатор сопротивления. Передаточная характери-
U
стика Rп = вых .
Ic
Усилитель управляется током, но с выходной нагрузки снимается напряже-
ние (параллельная ОС по напряжению).
4. Усилитель-трансформатор проводимости. Передаточная характери-
I
стика Yп = вых .
Uc
ОУ управляется напряжением, а обеспечивает заданный ток в нагрузке (по-
следовательная ОС по току).
Рассмотрим, каким образом можно реализовать указанные четыре схе-
мы включения.
2.17. Неинвертирующее включение ОУ
В данном случает полезный сигнал подается на прямой вход ОУ, а сиг-

нал ООС – на инвертирующий. Имеет место последовательная отрица-
тельная обратная связь.
Упрощенная принципиальная схема неинверти-
рующего усилителя на ОУ приведена на рис. 2.50.
Rг
RОС В неинвертирующем усилителе ОУ охвачен по-
Ег следовательной отрицательной обратной связью
R1 Rн по напряжению (ПООСН). Поскольку U вх и U ОС
подаются на разные входы, то для идеального
ОУ можно записать:
Рис. 2.50. Неинвертирую-
щий усилитель на ОУ =U вх U вых R1 /( R1 + RОС ) ,
откуда коэффициент усиления по напряжению

неинвертирующего усилителя:

KU неинв = 1 + RОС / R1 ,
или
KU неинв = 1+ | KU инв | .
Для неинвертирующего усилителя на реальном ОУ полученные выражения

справедливы при глубине ООС > 10.
Входное сопротивление неинвертирующего усилителя Rвх. неинв велико и
определяется глубиной последовательной ООС (А) и высоким значением Rвх ОУ :
= Rвх ОУ ⋅ =
Rвх. неинв A Rвх ОУ ⋅ K u ОУ / KU неинв .
Выходное сопротивление неинвертирующего усилителя на ОУ для

ООС по напряжению определяется:
=
Rвых. неинв R=
вых ОУ / A Rвых ОУ / KU неинв / K u ОУ .
Расширение полосы рабочих частот в неинвертирующем усилителе

достигается при выполнении следующего условия:
f в ОС = f T / KU неинв .
Для снижения токовой ошибки в неинвертирующем усилителе, следу-

ет выполнить условие:
Rг = R1 || RОС .
К0 Uвх
U Uвх
Rг Uн Rн
Ег
Rн R2
R1
Рис. 2.51. Неинвертирую- Рис. 2.52. Схема неинвертирующего

щий повторитель на ОУ включения ОУ
Неинвертирующий усилитель часто используют при высоких значени-

ях Rг (что возможно за счет увеличения Rвх. неинв ), поэтому выполнение этого
условия не всегда возможно из-за ограничения на величину номиналов рези-
сторов.
Наличие на инвертирующем входе синфазного сигнала (передаваемого
по цепи: неинвертирующий вход ОУ ⇒ выход ОУ ⇒ RОС ⇒ инвертирую-

щий вход ОУ) приводит к увеличению U ош , что является недостатком рас-
сматриваемого усилителя.
При увеличении глубины ООС возможно достижение KU неинв = 1 , т. е.
получение неинвертирующего повторителя, схема которого приведена на
рис.2.51.
Здесь достигнута 100 % ПООСН, поэтому данный повторитель имеет
максимально большое входное и минимальное выходное сопротивления и
используется, как и любой повторитель, в качестве согласующего каскада.
Для неинвертирующего повторителя можно записать:
U ош ≈ U см + I вх. ср Rг ≈ I вх. ср Rг ,
т. е. напряжение ошибки может достигать довольно большой величины.

На основе рассмотренного неинвертирующего УПТ также возможно
создание усилителя переменного тока путем включения на вход и выход раз-
делительных конденсаторов, номиналы которых определяются исходя из за-
данного коэффициента частотных искажений М н .
Рассмотрим пример построения неинвертирующих ОУ.
Для схемы включения ОУ, представленной на рис. 2.52, имеем сле-
дующие соотношения
R1 U
U вх =U − U н ⋅ (
); U н = K 0U вх ; K ОС = н ;
R1 + R2 U
K 0вх⋅ U ⋅U
0 K вх 0 K
=K ОС = = ;
R1 R1 R1
U вх + U н ⋅ ( ) U вх + K 0 ⋅ U вх ⋅ ( ) 1 + K0 ⋅ ( )
R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2
R1
В данной схеме K 0 – коэффициент усиления без ОС; β = – коэффици-
R1 + R2
ент передачи цепи ОС.
1 R + R2 1
K uОС ≈ ≈ 1 ≈ =K uОС .
R1 R1 β
R1 + R2
Учитывая вид ОС: K iОС = K i при R2 = 0 K uОС = 1, получаем схему повторителя

входного напряжения.
Входное сопротивление: R= вх ОС )0 u ,
Rвх (1β+ K
Rвых 0
Выходное сопротивление: Rвых ОС = .
1β+ K 0 u

Выходное сопротивление можно определить по теореме об эквивалентном
U ХХОС
генераторе, т. е. Rвых ОС = .
I КЗОС
К0 Uвх
Найдем эти параметры.
U Uвх При коротком замыкании нагрузки
Iн Rн обратная связь исчезает, поэтому
K0 ⋅U
Rдт I КЗОС = ,
R0
Рис. 2.53. Схема неинвертирую- где R0 – выходное сопротивление ОУ без

щего включения ОУ
последовательной ООС по току
обратной связи.
В режиме холостого хода (нагрузки нет)
= K 0 ⋅ U вх .
U ХХ
С другой стороны:
U вх = U − β ⋅ U ХХ ,
можно определить, что
K 0U
U=
ХХ K 0 (β ) ХХ , U ХХ =
U − ⋅U .
1β+ K 0 u
Находим зависимость для выходного сопротивления:
K 0U R0 R0
=Rвых ОС = .
1
1β+ K 0 u K 0U β+ K 0 u
Для схемы включения ОУ с последовательной ООС по току, представ-

ленной на рис. 2.53, сигнал ООС пропорционален току, протекающему через
нагрузку. Для съема сигнала ООС используется сопротивление Rдт
Rдт  Rн .
Для данной схемы
Rдт + Rн 1
K uОС ≅ ≅
Rдт β
входное сопротивление определяется так же, как и в предыдущей схеме. Вы-

ходное сопротивление
U ХХОС
Rвых ОС = .
I КЗОС

В режиме холостого хода обратная связь исчезает, тогда
= K0 ⋅U .
U ХХОС
При коротком замыкании
К 0вх⋅ U
I КЗОС = ,
Rвых + Rдт
⋅ U ⋅ ( Rвх + R )вых U ( Rвх + Rвх ) Uос + U

K 0вых
=
Rвых ОС = = ( Rвых=
+ Rвх )
K 0вх⋅ U вхU вхU
= )(0выхu R
(1β+ K вх +),R
)0
Rвых ОС ≅ Rдт (1β+ K u .
Передаточная проводимость (отношение выходного тока к входному

напряжению усилителя с ООС):
Iн 1
Y=
п = .
U Rдт
2.18. Инвертирующее включение ОУ
Упрощенная принципиальная схема инвертирующего усилителя на ОУ

приведена на рис. 2.54.
RОС
Iг
IОС RОС1 RОС2
R1
Ег RОС3
R2 Rн
а б
Рис. 2.54. Инвертирующий усилитель на ОУ
Резистор R1 представляет собой внутреннее сопротивление источника

сигнала Ег , посредством RОС ОУ охвачен ||ООСН.
При идеальном ОУ разность напряжений на входных зажимах стремит-
ся к нулю, а поскольку неинвертирующий вход соединен с общей шиной че-

рез резистор R2 , то потенциал в точке а тоже будет нулевым («виртуальный
нуль», «кажущаяся земля»). В результате можем записать:
I г = I ОС , т. е. Eг / R1 = −U вых / RОС .
Отсюда получаем:
Е = U вых
KU инв R / Rг = − ОС / 1 ,
т. е. при идеальном ОУ KU инв определяется отношением величин внешних

резисторов и не зависит от самого ОУ.
Для реального ОУ необходимо учитывать его входной ток I вх , т. е.
I г I ОС + I вх или ( Ег − U вх ) / R1 =
= (U вх − U вых ) / RОС + U вх / Rвх ОУ ,
где U вх – напряжение сигнала на инвертирующем входе ОУ, т. е. в точке а.
Тогда для реального ОУ получаем:
− RОС / R1
KU инв = .
1  R R 
1+ 1 + ОС + ОС 
KU  R1вх ОУR 
Нетрудно показать, что при глубине ООС более 10, т. е. KU OУ / KU инв =
= A > 10 погрешность расчета KU инв для случая идеального ОУ не превышает
10 %, что вполне достаточно для большинства практических случаев.
Номиналы резисторов в устройствах на ОУ не должны превышать еди-
ниц мегом, в противном случае возможна нестабильная работа усилителя из-
за токов утечки, входных токов ОУ и т. п. Если в результате расчета величи-
на RОС превысит предельное рекомендуемое значение, то целесообразно ис-
пользовать Т-образную цепочку ООС, которая при умеренных номиналах ре-
зисторов позволяет выполнить функцию эквивалента высокоомного RОС
(рис. 2.54, б). В этом случае можно записать:
R R
KU инв = − ОС1 ⋅ ОС2 .
R1ОС3 R
На практике часто полагают, что R= ОС1 RОС2 >> RОС3 , а величина R1 обычно
задана, поэтому RОС3 определяется достаточно просто.
Входное сопротивление инвертирующего усилителя на ОУ Rвх. инв имеет
относительно небольшое значение, определяемое параллельной ООС:
Rвх. инв =
R1 + ( RОС / KU ОУ + 1) || Rвх ОУ ≈ R1 ,
т. е. при больших K u OУ входное сопротивление определяется величиной R1 .

Выходное сопротивление инвертирующего усилителя Rвых. инв в реаль-
ном ОУ отлично от нуля и определяется как величиной Rвых ОУ , так и глуби-
ной ООС – A. При A > 10 можно записать:
=Rвых инв R=
вых ОУ / A Rвых ОУ / KU инв / K u ОУ .
С помощью линейной АЧХ ОУ можно представить частотный диапа-
зон инвертирующего усилителя, причем
f в ОС = f T / KU инв .
В пределе можно получить KU инв = 1 , т. е. получить инвертирующий
повторитель. В этом случае имеем минимальное выходное сопротивление
усилителя на ОУ:
Rвых. пов = Rвых ОУ / K u ОУ .
В усилителе на реальном ОУ на выходе при U вх = 0 всегда будет при-
сутствовать напряжение ошибки U ош , порождаемое U см и ∆I вх . С целью
снижения U ош необходимо выровнять эквиваленты резисторов, подключен-
ных к входам ОУ, т. е. взять R2 ОС = R1 || R (см. рис. 2.54, а). При выполнении
этого условия для KU инв > 10 можно записать:
U ош ≈ U см KU инв + ∆I вх RОС .
Уменьшить U ош можно путем подачи дополнительного смещения на
неинвертирующий вход (с помощью дополнительного делителя) и снижения
номиналов применяемых резисторов.
На основе рассмотренного инвертирующего УПТ возможно создание
усилителя переменного тока путем включения на вход и выход разделитель-
ных конденсаторов, номиналы которых определяются исходя из заданного
коэффициента частотных искажений.
Инвертирующая схема включение операционного усилителя.
В данной схеме полезный сигнал и сигнал ОС подается на инверти-
рующий вход. Имеет место параллельная ООС.
Параллельная ООС по напряжению.
Определим основные параметры схемы. Входное сопротивление схемы:
1 I ов
Rвх ОС = Rвх ⋅ , Kβi i = .
1β+ K i i I вх
Найдем усиление ОУ, охваченного петлей ООС:
I U R R
K iβi = ов = вых ⋅ вх =K 0 ⋅ вх .
I вх R2 U 2 R2
Тогда
Rвх Rвх R
=Rвх ОС + R1 ≈ + R1 ≈ 2 + R1 ≈ R1 ,
R K 0 Rвх K0
1+ K 0 вх
R2 R2
Rвх ОС ≈ R1 ,

U вых U вых U вх R2 K0 R2 K0 R
KE = == ≈ ≈ 2,
E U вх E R1 + R2 1 + K R1 R1 + R2 K 0 R1 R1
R1 + R2 R1 + R2
0
R
KE = 2 .
R1
R1 R2
R1 R2 Iсв
Iг
Iвх
U Uвх
U Uвх
Rн
Рис. 2.55. Инвертирующее включение ОУ

с параллельной ООС по напряжению Рис. 2.56. Инвертирующее включе-
ние ОУ с параллельной ООС по току
Передаточное сопротивление ОУ с
ООС (определяется отношением выходного напряжения к входному току)
Rп = − R2 .
Параллельная ООС по току.

Iн R + R2
Ki = = − дт ,
Iс Rдт
Rвх ОС ≈ R1 ,
=
Rвых ОС
)0
Rдт (1β+ K u .
Выводы
На основе вышеизложенного можно сделать следующие выводы:

1. Отрицательная обратная связь находит широкое применение в уси-
лителях.
2. В зависимости от способа подключения входа цепи ООС к нагрузке
различают ООС по напряжению, по току и комбинированную ООС.
3. В зависимости от способа подключения выхода цепи ООС к входу
управляемого каскада ООС подразделяют: на параллельную ООС, после-
довательную ООС и комбинированную ООС.
4. Существует три метода расчета усилителей с обратными связями:
матричный;
топологический;

Выводы
метод эквивалентных схем.
Первые два метода целесообразно использовать в случае расчета слож-
ных усилительных устройств. Метод эквивалентных схем удобен при расче-
тах простых схем усилителей.
5. При рассмотрении влияния ООС на входное сопротивление установ-
лено:
последовательная отрицательная ОС увеличивает входное сопротивле-
ние усилителя;
параллельная отрицательная ОС уменьшает входное сопротивление.
6. В отношении влияния ООС на выходное сопротивление можно сде-
лать следующие замечания:
• ООС по току увеличивает выходное сопротивление.
• ООС по напряжению уменьшает выходное сопротивление.
7. Коэффициент усиления по напряжению усилителя с ООС определя-
ется зависимостью
Ku
K uОС = .
1β− K u u
8. Коэффициент усиления по току усилителя с ООС описывается зави-

симостью
Ki
K iОС = .
1β− K i i
9. В случае если сопротивление источника сигнала Rг = 0 :

последовательная ООС не изменяет коэффициента усиления по току
K iОС = K i ;
параллельная ООС не изменяет коэффициента усиления по напряже-
нию K uОС = K u .
10. При работе от реального источника сигнала Rг ≠ 0 :
Ku
KE = ;
R
)u
(1β− K u +(1 г β− )K i i
Rвх
Ki
KI = ;
R
)i
(1β− K i + (1 г +β K) u u
Rвх
11. ООС улучшает стабильность коэффициента усиления в число раз,

равное глубине обратной связи:

Выводы
1
δK ОС
= δK ⋅ .
1β+ K
12. Для улучшения стабильности коэффициента усиления в многокас-

кадном усилителе целесообразно использовать общую отрицательную обрат-
ную связь.
13. ООС не оказывает влияния на помехи, поступающие на вход усили-
теля совместно с полезным сигналом.
14. Уровень внутренних помех и коэффициент гармоник на выходе
усилителя с ООС уменьшается в число раз, равное глубине ОС.
15. Введение ООС оказывает существенное влияние на АЧХ, ФЧХ, ПХ.
ООС уменьшает уровень частотных искажений в фиксированном диапазоне
частот или расширяет его при неизменном уровне частотных искажений.
ООС обеспечивает более высокую линейность ФЧХ и уменьшает по абсо-
лютной величине фазовый сдвиг. ООС позволяет увеличить верхнюю
граничную частоту АЧХ, что соответствует уменьшению постоянной време-
ни ПХ.

3. ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
УСИЛИТЕЛЕЙ
3.1. Динамический режим работы усилителя
При анализе работы усилительного элемента различают статический и

динамический режимы работы.
Статический режим работы обеспечивается, если значения сопротивле-
ний или проводимостей на входе или выходе усилительного элемента имеют
значения, равные 0 или ∞. Для анализа статистического режима используют
статические характеристики, представляющие зависимость одной величины
от другой при постоянстве других влияющих параметров.
Динамический режим работы анализируют с привлечением динамиче-
ских характеристик, которые получают при конечных, не равных 0 или ∞,
значениях сопротивлений на входе и выходе УЭ.
3.2. Выходная динамическая характеристика
Динамическая характеристика (ДХ) связывает между собой выходные

величины тока iк и напряжения uкэ . ДХ строится на семействе выходных ста-
тических характеристик. Различают характеристику по переменному и по-
стоянному току.
Характеристика по постоянному току. Рассмотрим выходную цепь

усилительного каскада на биполярном транзисторе (рис. 3.1). Условие:
XС → ∞ , X L → 0.
Сф
Rф Eк iк
a iвх1
R= b iвх2
c
Rк I0 iвх3
Ср Ек d
iвх4
e iвх5
Rнд
Сэ0 U0 Ек Uкэ
Rэ0
Рис. 3.2. Нагрузочная характеристика

Рис. 3.1. Выходная цепь усилительного каскада
усилительного каскада

3. ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УСИЛИТЕЛЕЙ
3.2. Выходная динамическая характеристика
Для выходной цепи усилителя запишем:
= Iφкэк ( Rэ0 + Rк + R ) + U ,
Eк =
R=э:=φ R 0к + R + R ,
тогда
Eк − U кэ
I к= = .
R=
График этого уравнения – ДХ по постоянному току – строится по двум точ-

кам (рис. 3.2):
Eк
1) =
U кэ 0;=I к= ,
R=
2)=U кэ E=; I к= 0 .
Изменение величины R= влияет на наклон ДХ. При изменении Eк ха-
рактеристика смещается вправо или влево. Очевидно, что при заданных па-
раметрах схемы величин R= и Eк , в схеме протекает ток ( I 0 ), создающий на
транзисторе напряжение ( U 0 ). Точка на нагрузочной прямой, соответствую-
щая I 0 и U 0 , называется рабочей точкой по постоянному току.
При выборе положения точки учитываются:
1. Линейность усиления и уровень усиления.
2. Потребляемая мощность.
3. Условие эксплуатации УЭ.
4. Способ включения УЭ.
5. Работа в активном режиме.
3.3. Нагрузочная характеристика усилителя

по переменному току
Данная характеристика отражает зависимость между током и напря-

жением усиливаемого сигнала на выходе усилителя.
Она позволяет определить:
1) максимальные значения выходного тока и напряжения;
2) требуемое изменение входного тока или напряжения.
Строится данная характеристика применительно к средним частотам
рабочего диапазона в предположении, что реактивные элементы не оказыва-
ют влияние на работу схемы.
Тогда в схеме
= Rг Rк  Rнд < R= .

3.3. Нагрузочная характеристика усилителя по переменному току
iк
U0 Eк а'
R≈ iб1
R= b'
а iб2
b c
iб3
I0 d
iб4
d' e iб5
e'
U0 Ек Uкэ
I0Rн
Рис. 3.3. Нагрузочная характеристика

транзистора усилительного каскада
При подаче на вход усилителя сигнала найдем ток и напряжение в вы-

ходной цепи:
iвых= I 0 + ∆iвых ,
uвых= U 0 + ∆uвых .
На основании законов Кирхгофа запишем
E=
0 выхU 0 +0 ∆u +вых
I R= г+ ∆i ⋅R .
Уравнение соответствует прямой линии на семействе выходных характери-

стик транзистора.
1. Точка покоя ∆uвых = 0 и ∆iвых =0
2. Вторая точка может быть определена двумя способами:
U0
U КЗ = 0, т. е. U вых = 0, тогда ∆uвых = −U 0 , = г = + ∆i
E0 выхI 0 R R , ∆iвых = .
Rг
0, т. е. ∆iвых =
∆uâû õ = − I 0 , тогда
Eк = U 0 + ∆uвых + I 0 R= = − I 0 Rг ,
∆uвых =
I 0 Rг .

3.4. Входная динамическая характеристика
Входная динамическая харак-

Uкэ1 < Uкэ2 < Uкэ3 < Uкэ4 < Uкэ5
теристика (ВДХ) – зависимость iб
мгновенного значения входного тока
iб1
от входного напряжения (рис. 3.4). iб2
а''
ВДХ позволяет определить: iб3
b''
1. Входное сопротивление. с''
iб4
2. Диапазон изменения вход- iб5
d''
ных токов и напряжений. Уровень е''
мощности на входе.
Различают ВДХ по постоян-
ному и переменному токам. Строит- Uб'э
ся ВДХ на семействе входных стати-
ческих характеристик транзистора с
учетом результатов построения вы- Рис. 3.4. Входная динамическая
ходной динамической характеристики. характеристика транзисторного каскада
По величине тока базы iб на- усилителя
ходим соответствующее ему значение напряжения U б′э .
В тех случаях, когда в справочниках не приводится семейство входных
характеристик (биполярный транзистор), за динамическую характеристику
принимают статическую характеристику. Для полевых транзисторов данная
характеристика не имеет смысла из-за высокого входного сопротивления.
3.5. Сквозная динамическая характеристика
Сквозная динамическая характеристика (СДХ), рис. 3.5, представляет

зависимость мгновенного значения выходно-
го тока от ЭДС источника сигнала. Данная iк
характеристика используется при анализе iк1
схем на биполярных транзисторах для опре- iк2
с'''
деления уровня нелинейных искажений. iк3
По СДХ можно определить форму вы- iк4
ходного сигнала при заданном напряжении iк5
Еист
генератора, оценить уровень нелинейных ис-
кажений. Строится СДХ на основе созданных
входных характеристик. По результатам по-
строения входной динамической характери-
стики находят ЭДС источника по формуле t
E=
ист U вх + iвх Rист , Рис. 3.5. Сквозная динамическая
характеристика транзисторного
где U вх = U б′э ; iвх = iб . каскада усилителя

3.5. Сквозная динамическая характеристика
Получаем характеристику, показанную на рис. 3.5.
Зависимости вида iк = f (iб ), iк = f (U бэ ) описывают характеристики
прямой передачи усилительного элемента.
3.6. Режим работы усилительного элемента
Режим работы усилителя «А» (рис. 3.6).

Усилительный элемент работает без отсечки тока. Данный режим ха-
рактеризуется высокой линейностью, т. е. низким уровнем нелинейных ис-
кажений. Однако КПД низкий (≤ 50 %), так как даже в отсутствии сигнала от
источника потребляется постоянный ток I 0 (величину I 0 можно оценить по
выходным характеристикам транзистора, (см. рис. 3.2):
i U
ξi =к < 1; ξu = к < 1.
i0 U0
Режим «А» в основном используется во входных цепях и в каскадах

предварительного усиления.
Режим работы усилителя «В» (рис. 3.7).
Ток покоя в режиме «В» очень мал. В идеальном случае равен нулю.
Транзистор работает с отсечкой тока Θ =90 °, КПД до 79 %. Высокий уровень
нелинейных искажений. Режим «В» используется в двухтактных каскадах.
«АВ» – промежуточный режим работы усилителя между режимом «А»
и режимом «В». Эпюры напряжений для режима «АВ» представлены на
рис. 3.8.
iк Uвых Uвых
iк
Uвх
I0 0
А
Uвх
Рис. 3.6. Эпюры, поясняющие работу Рис. 3.7. Эпюры, поясняющие работу
усилителя в режиме «А» усилителя в режиме «В»

3.6. Режим работы усилительного элемента
iк Uвых iк Uвых
I0 Uвх t
t 0 2θ
0 Uвх
t
t
Рис. 3.8. Эпюры, поясняющие работу Рис. 3.9. Эпюры, поясняющие работу
усилителя в режиме «АВ» усилителя в режиме «С»
Режим «С» применяется в усилительных каскадах, работающих на из-

бирательную нагрузку (например, колебательный контур), рис. 3.9.
3.7. Эквивалентные схемы и режимы работы

усилительных элементов
Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером. Биполярный

транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с двумя и более
взаимодействующими р–n-переходами с тремя и более выводами. Усили-
тельные свойства биполярного транзистора основаны на явлении экстракции
и инжекции зарядов. Рассмотрим включение биполярного транзистора по
схеме с ОЭ.
В данной схеме общим электродом для входной и выходной цепей яв-
ляется эмиттер. База – входной электрод. Коллектор –
выходной электрод. При данной схеме включения меж-
ду выходным и входным сигналами образуется фазовый
Вых
сдвиг 180°. Транзистор в схеме с общим эмиттером Вх
обеспечивает усиление и по току и по напряжению.
Коэффициент усиления по напряжению зависит от
Рис. 3.10. Ус-
Rí и может достигать сотен. При Rн → 0 , K u → 0. Ко- ловное обозна-
эффициент усиления по току при Rн → 0 стремится к чение биполяр-
ного p–n–p–n-
параметру h21 = β , при Rн → ∞ , K i → 0. транзистора

3.7. Эквивалентные схемы и режимы работы усилительных элементов
Входное сопротивление зависит от Rн и соответствует среднему зна-
чению для схем включения ОК и ОБ, и по абсолютной величине находится в
пределах сотен Ом.
Выходное сопротивление зависит от сопротивления генератора RГ .
Выходное сопротивление – десятки кОм, также средняя величина по сравне-
нию со схемами включения ОБ и ОК. Поскольку биполярный транзистор –
токовый прибор, то он лучше работает на сравнительно низкоомную нагрузку.
3.8. Физическая эквивалентная схема биполярного транзистора
Сложность процессов, протекающих в транзисторе, привела к появле-

нию большого числа эквивалентных схем. Мы будем использовать эквива-
лентную схему Джиаколетто. Эта схема дает удовлетворительные результа-
ты в описание работы транзистора в диапазоне частот f в ≤ 0,5 f Τ , где f Τ –
граничная частота передачи тока базы транзистора. Совместно с сопротивле-
нием Rн и RГ схема показана на рис. 3.11.
rб'к
Rг (Б) rб'б Сб'к (К)

(Б')
Сб'э rб'э rкэ Rн

SUб'э
(Э) (Э)
Рис. 3.11. Эквивалентная схема транзистора – схема Джиаколетто
Параметры rб′к и rкэ слабо сказываются на работе каскада, из справоч-

ных данных не определяются, и в дальнейшем мы их не будем принимать во
внимание.
S – крутизна характеристики, определяет усилительные свойства тран-
зистора; Cб′к – емкость коллекторного перехода. Является элементом внут-
ренней ОС; Сб′э – емкость прямосмещенного перехода б'э; rб′б – распределен-
ное (объемное) сопротивление базовой области (омическое сопротивление
базы); rб′э – активное сопротивление эмиттера; SU б′э – управляемый генера-
тор тока.

3.8. Физическая эквивалентная схема биполярного транзистора
Данная схема позволяет оценить частотные и усилительные свойства
транзистора в схеме с ОЭ. Параметры схемы зависят от режима работы по
постоянному току, и требуют пересчета для конкретного выбранного режима
работы транзистора.

по справочным данным
Обычно в справочниках приводятся следующие параметры:

τ ОС – постоянная времени ОС транзистора;
Ск (U кэизм ) – емкость коллектора при U кэ const;
Сэ (U э ) – емкость эмиттера при U э const;
β min =к h21minизм( I ) – минимальное значение коэффициента передачи тока
базы;
β max =к h21maxизм( I ) – максимальное значение коэффициента передачи тока
базы;
h21изм
э
f =T f спр
– граничная частота передачи тока базы.
Используя эти справочные данные, определяют:
1. Коэффициент усилений по току в типовом режиме при нормальной
температуре
β = β maxβ min .
2. Объемное сопротивление базы
τ ОС
rб′б = ξ ,
Ск
параметр ξ учитывает емкость выводов:
−
1сплавной транзистор


ξ 1,5 −диффузионный
= 2− транзистор


2 −мезотранзистор
3−
3. Сопротивление
 25,2 × 10−3 
rб′э= ( β + 1)  + ∆r  ,
 Iк 
где ∆r – дополнительное сопротивление, может присутствовать в мощных и
r ( 0,5 − 2 ) Ом.
высоковольтных транзисторах, ∆=

3.9. Определение параметров эквивалентной схемы по справочным данным
4. Граничная частота в схеме с ОЭ (пересчет к выбранному режиму по
постоянному току)
2 f Tспр
fT = ,
−3
I кизм − I кр
1 +π2 fС
Tэб
спр
25,2 10
×
I кизм I кр
где Сэб – конструктивная (барьерная) емкость эмиттера
ϕк + U э
Сэб = Сэ .
ϕк − U б′э
5. Диффузионная емкость Сб′э и постоянная времени в цепи эмиттера:
β +1 τ б′э
τ б′э = ; Cб′э = .
2πf T rб′э
6. Пересчет емкости Cб′к с учетом режима по постоянному току:
U кизм
Сб′к = 0,5Ск 3 .
U кр
7. Сопротивление
∆U ∆U кэ
(β − 1) по кэвыходным
rб′к = ; характеристикам,
−
∆I к ∆I к
rб′к = 2rк .
8. Крутизна эквивалентного генератора
β +1
S= .
rб′э
3.10. Основные соотношения параметров в схеме с ОЭ
Определим основные параметры и частотные свойства схемы каскада с

ОЭ.
Упростим схему, пересчитав емкости внутренней обратной связи Сб′к
во входной и выходной контур эквивалентной схемы транзистора.

Емкость Сб′к меньше чем, чем емкость Сб′э , и чем меньше Rн , тем
меньше ее влияние. Однако к емкости Сб′к приложено напряжение U б′э и на-
пряжение U кэ , находящееся в противофазе к U б′э . При этом U=
б′к U б′э + U кэ
может значительно превышать U б′э .
Rг (Б) rб'б (Б') (К)
Е rб'э С0 Rн
SUб'э
(Э) (Э)
Рис. 3.12. Эквивалентная схема биполярного транзистора
Ток в выходной цепи транзистора I к = SU б′э , напряжение на нагрузке

U кэ = I к Rн . Тогда U б′к= (1 + SRн )U б′э .
При пересчете Сб′к во входной контур (к зажимам б′э ) ее величина
должна быть увеличена в (1 + SRн ) раз. Находим емкость входной цепи С0 :
С0б=
э С ′ б+
к С ′ (1 +
н SR ) ,
а схема транзистора приобретает вид, показанный на рис. 3.12.

Пересчет rб′к во входную цепь приведет к тому, что новое значения rб′к
уменьшится в (1 + SRн ) раз:
rб′к
rб′к0 = .
1 + SRн
При очень больших значениях Rн , |Zвх|

соизмеримых с Z б′к , необходимо поль-
rб'б + rб'э
зоваться общей схемой, без упрощений.
Рассмотрим основные параметры схемы.
1. Входное сопротивление:
rб′э
Z=
вх rб′б + . rб'э
+ j C0б +э r ′
1ω
Рис. 3.13. График, отражающий
На частоте, стремящейся к нулю,
частотную зависимость модуля
емкость C0 не шунтирует сопротивление входного сопротивления транзистора
rб′э транзистора и входное сопротивление
транзистора становится максимальным и

чисто активным, усиление схемы максимально.
При стремлении f → ∞ сказывается емкость C0 , которая шунтирует
сопротивление rб′э . Входное сопротивление снижается до уровня rá ′á . При
этом, чем больше сопротивление Rн , тем сильнее влияние C0 на сопротивле-
ние rб′э , тогда:
1
f вП =
2πC0бrэ′
– верхняя частота по h21 . При τ h = C0бrэ′ :

21
1
f в0 =
r r
2πC0 б′б б′э
rб′б + rб′э
– верхняя частота по параметру y21 .

2. Сквозной коэффициент усиления:
U б′э U вых
=
K Е K=
вх K н ,
Е U б′э
Z б′э ′ rб′э
K= = Z= ,
RГ + rб′б + Z б′э
вх б э
+ j C0 rб′э
1ω
U вых SU б′э Rн
=
Kн = = SRн .
U б′э U б′э
На частоте f = 0 сквозной коэффициент усиления максимален:
rб′э β +1 (β + 1) Rн
K Е (0)= SRн= S= = .
RГ + rб′б + rб′э rб′э RГ + rб′б + rб′э
С ростом частоты сказывается влияние C0 , общее выражение для K Е (ω)

j
можно записать в виде
(β + 1) Rн 1
j =
K Е (ω) ,
RГ + rб′б + rб′э 1ωτ
+j в
где

rб′э ( RГ + rб′б )
τ в = С0 .
RГ + rб′б + rб′э
При RГ = 0 коэффициент усиления по напряжению
(β + 1) Rн 1
j =
K u (ω) ,
rб′б + rб′э 1ωτ
+j ви
где
rб′э + rб′б
τ в = С0 .
u
rб′б + rб′э
3. Выходное сопротивление.
Для определения Z вых используется теорема об эквивалентном генера-
торе:
−1
 RГ + rб′б 
Z вых Z б′к 1β+
=  .
 RГ + rб′б + rб′э 
3.11. Полевой транзистор в схеме с общим истоком
Так как входное сопротивление полевых транзисторов (ПТ) достаточно

велико, то они управляются напряжением, а не током, в отличие от биполяр-
ного транзистора. Наиболее широкое применение по-
лучила схема с общим истоком (ОИ). Исток (аналог
эмиттера) является общим электродом для входной и
выходной цепей, затвор (аналог базы) – входной элек-
трод, сток (аналог коллектора) – выходной электрод.
Схема с ОИ поворачивает фазу сигнала в нагрузке на
180° аналогично схеме включения БТ с общим эмитте- Рис. 3.14. Условное
ром. На рис. 3.14 изображена схема ПТ с управляемым обозначение на схемах
р–n-переходом n-типа. полевого транзистора

3.12. Эквивалентная схема полевого транзистора
Общая эквивалентная схема имеет вид, представленный на рис. 3.15.
Сзс
Rг
(З) (С)
rзи Сзи rси Сси Rн

SUзи
(И) (И)
Рис. 3.15. Обобщенная эквивалентная схема полевого транзистора
В полевых транзисторах Cзи от 1–20 пФ,

Cзс от 1–10 пФ.
Обычно Cси < Cзи .
По структуре данная схема совпадает с эквивалентной схемой бипо-
лярного транзистора. Однако здесь нет сопротивления, аналогичного rб′б .
Входное сопротивление определяется сопротивлением rзи . Выходное сопро-
тивление определяется величиной rси (десятки кОм).
1. Пересчет емкостей Сзи , Сзс к рабочему режиму:
Сзи U зи
Сзи = спр изм
,
2 U зи
раб
Сзс U зс
Сзи = спр изм
.
2 U зс
раб
2. Расчет типовой крутизны по значению начальной крутизны S0 :

Iс
S = S0 ,
Iс
0

где I с – начальный ток стока.

0
3. rси = 1,6 Ri .
спр
В отличие от биполярного транзистора, в схемах на ПТ зависимость

крутизны S от частоты можно не учитывать до сотен МГц.
3.14. Основные соотношения параметров в схеме

с общим истоком
Преобразуем схему (рис. 3.15), пересчитав емкость Cзс во входную и

выходную цепи. После преобразования схема приобретает вид
 SRн rси 
С ′ Cзс 1 +
=  ; С ′′ ≅ Cзс .
 Rн + rси 
Rг (З) (С)
SUзи
Сси С''
rзи Сзи С' rси Rн
(И) (И)
Рис. 3.16. Эквивалентная схема полевого транзистора
после преобразования
Поскольку величины Cзс , С ′ соизмеримы с емкостью монтажа

( 3 − пФ
5 ) , при расчетах C0 необходимо учитывать эту емкость
 Rr 
С0м=
С зс+ C 1 + S н си зи+ C .
 Rн + rси 
Определим основные параметры:

1. Входное сопротивление и входная емкость:
Rвх = rзи ,
Свх =Сзи + Cзс (1 + SRн ) + Cм (если Rн < rси ),

3.14. Основные соотношения параметров в схеме с общим истоком
 Rr 
Свх =Сзи + Cзс 1 + S н си  + Cм (если Rн ≥ rси ).
 Rн + rси 
2. Коэффициент усиления по напряжению.

Поскольку Rвх большое, то K Е = K u . В полосе частот, где частотной за-
висимостью S и влиянием емкостей во входной и выходной цепях можно
пренебречь:
Rн rси
K=
Е K=
u SR=
н S .
Rн + rси
С учетом влияния емкостей верхнюю частоту для входной цепи опре-

делим следующим образом:
1
fв = ,
вх Rr
2πCвх г зи
Rг + rзи
RГ rзи
τ в = Cвх .
вх
RГ + rзи
Аналогично для выходной цепи:

1
fв = ,
( )  rси Rн 
вых
2π Сзи + Сси + Свх  

сл
 rси + Rн 
τв
вых
(
= Сзи + Сси + Свх
сл
)  r r +RR
си
си н
н

.

3. Выходное сопротивление
Rвых = rси .

3.15. Шумовые эквивалентные схемы

3.15.1. Биполярный транзистор
В биполярном транзисторе выделяют три источника шума.

1. ЭДС шума базы. На эквивалентной схеме транзистора обозначается
в виде источника ЭДС, включенного последовательно с rб′б .
2. Шумовой ток эмиттерного перехода. На эквивалентной схеме тран-
зистора обозначается в виде источника тока, включенного параллельно с rб′э .
3. Шумовой ток коллекторного перехода. На эквивалентной схеме
транзистора обозначается в виде источника тока, включенного параллельно
с SU á ′ý .
С учетом трех составляющих шума транзистора эквивалентная схема
приобретает следующий вид (рис. 3.17).
Еш
rб'б
Iш.э SUб'э Iшк
rб'э
Рис. 3.17. Эквивалентная схема транзистора

как источника шума
3.15.2. Полевой транзистор
В полевом транзисторе суммарный шум определяется двумя источниками:

1. Шумовым током в канале. Источник этого шумового тока включен
аналогично I кис биполярного транзистора.
2. Шумом входной проводимости. Обычно этот источник учитывают
при высокоомном сопротивлении источника входного сигнала.
В элементах, составляющих схему усилителей, протекают постоянные
и переменные составляющие токов, вызывающие соответствующие им паде-
ния напряжения. Совокупность этих токов и напряжений определяет режим
работы как усилительного элемента, так и каскада в целом по переменному и
постоянному току.
Режим работы по постоянному току. В этом режиме ЭДС источника
сигнала равна нулю и рассматривают только постоянные составляющие то-
ков и напряжений. На семействе характеристик УЭ (входных, выходных или
статистических) этому режиму соответствует исходная рабочая точка.

3.15. Шумовые эквивалентные схемы
Iк
Iк. доп Iб''''
Iб'''
Iб''
Iб'
Iб = 0
Uкэ
0 Uкэ. доп
Рис. 3.18. Области работы транзистора
Исходная рабочая точка должна находиться в активной области. В этом

случае удается обеспечить режим усиления, близкий к линейному. Электри-
ческие цепи, обеспечивающие заданное положение рабочей точки, носят на-
звание «цепи смещения», напряжения и токи, созданные цепями смещения,
называют соответственно «напряжение смещения» и «ток смещения».
Выводы
Построение ДХ позволяет быстро оценить практически все энергетиче-

ские параметры усилительного каскада.
Область использования ДХ: приближенные вычисления; проверка
энергетических расчетов на грубые ошибки.
Расчет режима работы по постоянному току выполняют в два этапа:
1. Определяют напряжение, токи смещения, обеспечивающие работо-
способность усилительного каскада при подаче на вход усиливаемого сигнала.
2. Определяют методы стабилизации напряжения, токов смещения и
параметров УЭ при воздействии различных дестабилизирующих факторов.
При анализе работы УЭ по переменному току различают следующие режимы:
1. Квазистатический режим, при котором зависимостью параметров
УЭ от частоты можно пренебречь.
2. Режим малого сигнала – в этом режиме параметры УЭ не зависят от
величин токов и напряжений.
3. Режим большого сигнала. В этом режиме проявляются нелинейные
свойства УЭ, необходимо учитывать зависимость параметров УЭ от уровня
токов и напряжений.
Режим усиления можно определить по сквозной динамической харак-
теристике, т. е. по зависимости iвых от Евх .
Различают режимы «А», «АВ», «В», «С», «D». Тот или иной режимы определя-
ются выбором положения рабочей точки на выходной динамической характеристике.

4. ЦЕПИ ПИТАНИЯ И ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ
РЕЖИМА РАБОТЫ ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ
4.1. Каскад на биполярном транзисторе
Цепи питания электронных схем должны удовлетворять двум основ-

ным требованиям:
1. Обеспечивать рассчитанный режим работы транзистора по постоян-
ному току, выраженный координатами точек входной I б ; U б ( 0 0
) и выходной
(I к0
; Uк
0
) цепей.
2. Обеспечивать минимум отклонения от этого режима из-за разброса
параметров транзистора, изменения температуры окружающей среды и изме-
нения питающего напряжения.
Задание рабочей точки транзистора с помощью цепей смещения может
быть:
фиксированным (по току базы I б = const ; по напряжению база – эмит-
тер U б′э = const );
плавающим, когда эти величины изменяются во времени.
Частным случаем плавающего смещения является автоматическое
смещение. В этом случае при изменении I к изменяется I б или U б′э , стремясь
вернуть I к в первоначальное состояние. При построении цепей автоматиче-
ского смещения используются цепи обратной связи.
1. Цепь смещения с фиксацией I б (рис. 4.1).
Ек − U б′э
2. В данной схеме I б = .
Rб
+Ек +Ек
Rб1 IR1,2 Rк
Rб Iб Rк
Rб2
Рис. 4.1. Способ стабили- Рис. 4.2. Способ стабилизации

зации рабочей точки рабочей точки транзистора
транзистора фиксацией фиксацией напряжения
тока базы база – эмиттер
Е

4. ЦЕПИ ПИТАНИЯ И ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ РЕЖИМА РАБОТЫ ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ
Ек
сли применить: Ек > U б′э ; Rб > rвх , то I б ≅ – постоянная величина и не за-
Rб
висит от параметров транзистора.
Однако I к = βI б + ( β + 1) I к0 , где I к0 – обратный ток коллектора (тепло-
вой ток коллекторного перехода). Ток I к0 мал, однако при изменении темпе-
ратуры он может значительно увеличиваться. К тому же параметр β также
сильно зависит от температуры. Поэтому стабилизация тока I б не приводит
к стабилизаци I к в интервале температур, и данная схема используется редко.
3. Цепь смещения с фиксацией U б′э (рис. 4.2).
Смещение на базу подается с делителя Rб1 : Rб2 . Напряжение, снимае-
мое с резистора Rб2 , U б′э .
Rб2
=Ек = Еб0 .
Rб1 + Rб2
Rб1 Rб2
Rб = .
Rб1 + Rб2
Тогда
=
UЕ
б′э Iб0 R− б б , если I б RЕб  б0 , то UЕ
б′э ≅ б0 .
+Ек
Rк
+Ек Rб
Rб1 IR1,2 Rк
Uкэ
Rб2
Рис. 4.3. Способ с эмиттер- Рис. 4.4. Цепь с коллектор-

ной стабилизацией рабочей ной стабилизацией режима
точки транзистора работы транзистора
по постоянному току
Если Rб → 0 , то на базу подается фиксированное напряжение UЕ

б′э = об .

Следующие два варианта цепей смещения относятся к цепям автосме-

щения или к цепям со стабилизацией режима работы транзистора по посто-
янному току.
4. Цепь фиксации рабочей точки транзистора с эмиттерной стабили-
зацией (рис. 4.3).
Резистор Rэ – резистор обратной связи. Связь последовательная по то-
0
ку. В данной схеме
б′э = I б R
UЕ − э0 Еэ0 ≅ I б R− к э0 .
Изменение I к0 , обусловленное температурой транзистора, вызывает

обратно пропорциональное изменение U б′э , что, в свою очередь, приводит к
запиранию или открыванию транзистора, и, как следствие этого, к стабили-
зации тока коллектора.
5. Цепь с коллекторной стабилизаци-
ей режима работы транзистора по постоян-
ному току (рис. 4.4).
U кэ − U б′э U кэ
В данной схеме:
= I б0 ≅ , Rб Rэ Rк
Rб Rб
U= Е кэ − I к0 Rк , Еб
кэ
Еэ Ек
Е к − I к0 Rк
Тогда I б0 = . (4.1)
Rб Рис. 4.5. Обобщенная эквива-
лентная схема питания транзи-
стора по постоянному току
Из (4.1) следует, что изменение I к0 вызывает обратно пропорциональ-

ное изменение тока I б0 , что приводит к соответствующему изменению I к0 .
В данной схеме Rб – элемент ООС параллельной по напряжению.
Схема, приведенная на рис. 4.5, обладает несколько худшей стабилизи-
рующей способностью по сравнению с предыдущей (рис. 4.4).
Любую схему питания транзистора можно свести к обобщенной экви-
валентной схеме по постоянному току (рис. 4.5).
4.2. Эквивалентная схема для расчета термостабильности
Особенностью биполярного транзистора является то, что его режим за-

висит от температуры двух p–n-переходов. При рассмотрении биполярного
транзистора выделяют три параметра, зависящие от температуры. При этом
учитывают и влияние температуры, и технологический разброс.
1. Обратный ток коллектора.

0,8( t −С20 ° )
 
I к0 ( 20С° )2
2. I к0 = ψ
−1  ,
 
 
где ψ = 7 для Si; ψ = 10 для Ge.

Так, двухкратное изменение тока I к0 вызывается изменением темпера-
туры на 9–12 °С для Ge и на 6–8 °С для Si, но у Si транзисторов I к0 на один-
два порядка меньше, чем у Ge.
=
UЕ
кэ Iкэ −R к0 к ,
мВ
∆U б′э =
−2,2
°С
t ) β ( 20 °C ) (1 + 4 ⋅ 10−3 ( t − 20 °C ) ) .
β(=
Uкэ = const К
Iб
rк0
∆Uб'э
Б
Uб'э
0 Э
Рис. 4.6. Входные

статистические харак-
теристики транзистора Рис. 4.7. Эквивалентная схема
по постоянному току к расчету термостабильности

Влияние дестабилизирующих факторов учитывается включением соот-

ветствующих источников тока и напряжения в схему транзистора. При этом
источники температурной нестабильности выносят из схемы транзистора и
объединяют с внешними цепями, а сам транзистор рассматривают как иде-
альный элемент. В этом случае схема приобретает вид, показанный на рис. 4.7.
Генератор тока I к0 замещается двумя эквивалентными генераторами,
один из которых включается в базовую цепь, другой – в коллекторную. Схе-
ма приобретает вид (рис. 4.8).
Направление и величины тока I к0 выбраны в соответствии с выражением:
I к − I к0
β= .
I б + I к0
Генераторы при необходимости Rк

объединить с внешними источниками.
∆Uб'э
В качестве основной схемы при Rб Eб
анализе термостабильности будем рас-
сматривать схему (рис. 4.8). Eк
Iк0
Rэ
Заменим базовую цепь эквива- Iк0
лентным генератором:
Рис. 4.8. Принципиальная схема
Еэкв= Еб − ∆U б′э + I к0 Rб , термостабилизации по цепи
Rэкв = Rб . эмиттера
Запишем выражение для тока коллектора, в которое входят все термозавися-

щие параметры транзистора:
Еб − ∆U б′э + I=
к 0 Rб I б ( Rб + Rвх ) + I э Rэ . (4.2)
Подставим в выражение (4.2) зависимости:
Iк β +1
Iб = ; Iэ = Iк , (4.3)
β β
тогда получим:
Rвх + Rб R ( β + 1)
Еб − ∆U=
б′э + I к 0 Rб Iк + Iк э , (4.4)
β β
 R + Rвх + Rэ ( β + 1) 
Еб − ∆U б′э + I к0 Rб = I к  б . (4.5)
 β 

И окончательно будем иметь:
Еб − ∆U б′э + I к0 Rб
Iк = β . (4.6)
Rб + Rвх + Rэ ( β + 1)
С учетом генератора I к0 в коллекторной цепи получаем из (4.6) следующие

выражения для I к :
Еб − ∆U б′э + I к0 Rб
=Iк β + I к0 ; (4.7)
Rб + Rвх + Rэ ( β + 1)
Еб − ∆U б′э I к0 Rб
Iк = β +β + I к0 ; (4.8)
Rб + Rвх + Rэ ( β + 1) Rб + Rвх + Rэ ( β + 1)
Еб − ∆U б′э  βRб 
β
Iк = + I к0  + 1 . (4.9)
Rб + Rвх + Rэ ( β + 1)  Rб + Rвх + Rэ ( β + 1) 
Для определения влияния β , ∆U б′э и I к0 на ток коллектора запишем:
∂I к ∂I к ∂I
∆I к= ∆β + + к ∆I к0 .
∂β ∂U б′э ∂I к0
Необходимо найти частные производные:
∂I к βRб βRб + Rб + Rвх + Rэ ( β + 1)

= = +1 ;
∂I к0 Rб + Rвх + Rэ ( β + 1) Rб + Rвх + Rэ ( β + 1)
∂I к ( Rб + Rэ ) ( β + 1) + Rвх
≅ ;
∂I к0 Rб + Rвх + Rэ ( β + 1)
∂I к β
= − ;
∂U б′э Rб + Rвх + Rэ ( β + 1)
=
∂I к (Еб − U б′э )( Rб + Rвх + Rэ )
+ I к0
Rб + Rвх + Rэ
;
∂β  Rб + Rвх + Rэ ( β + 1) 
2
Rб  Rб + Rвх + Rэ ( β + 1) 
2
∂I к I к Rб + Rвх + Rэ
 .
∂β β Rб + Rвх + Rэ ( β + 1)

Подставив эти значения в формулу (4.9), найдем ∆I к :
Iк
β
( Rб + Rвх + Rэ ) ∆β − β∆U б′э + ( Rб + Rэ ) (β + 1) + Rвх  ∆Iк0
∆I к = . (4.10)
Rб + Rвх + Rэ ( β + 1)
Полагая ∆I 0 =
0 , запишем:
β
∆I к =
(R б + Rвх + Rэ ) ∆I 0 − ∆U б′э
. (4.11)
Rб + Rвх + Rэ ( β + 1)
Это выражение показывает, что стабильность тока коллектора опреде-

ляется резисторами Rб и Rэ . Обычно задаются значением Rэ и находят Rб :
Rб ≤ β
(
Rэ ∆I к
доп
)
− ∆I 0 + ∆U б′э
.
β∆I 0 − ∆I к
доп
Iд Т2 > Т1
R1 R2
Е1 Iд
Iд
Uд
U2 U1
Рис. 4.9. Схема питания

с термокомпенсирующим
диодом Рис. 4.10. ВАХ диода
Расчет термостабильности проводят в два этапа:

1. Задаются значения для β , I к0 и ∆U б′э с учетом зависимости их от
температуры:
Δβ β max ( t °Cmax ) − β min ( t °Cmin )
= 0,5 ;
β β max ( t °Cmax ) + β min ( t °Cmin )

tmax − 20
=
∆I к I к
0 0 max
( 20 °C ) 2 ψ
;
 t − 20° 
−2,2 ⋅ 10 −3  max
∆U б′э = .
 20 ° − t min 
2. Приращение ∆β , I к0 и ∆U б′э рассчитываются для типовых значений

с учетом их зависимости от температуры.
В мощных каскадах или интегральных микросхемах используют тер-
мокомпенсацию. При расчете таких схем можно использовать полученные
ранее результаты, но величину ∆U б′э следует исключить.
Схема каскада с термокомпенсирующим диодом имеет вид (рис. 4.9).
Здесь диод заменяет резистор базового делителя. Ток через диод I д задается
сопротивлением R1 . При увеличении температуры возрастает ток коллектора
I к , но одновременно характеристика диода смещается влево (рис. 4.10).
Это эквивалентно уменьшению ∆U б′э , что в конечном итоге приводит
к стабилизации (параметрической) тока I к .
Недостаток схемы: шунтирование входного сопротивления Rвх транзи-
стора малым сопротивлением открытого диода.
4.3. Каскад на полевом транзисторе
Iс У полевых транзисторов ток затвора очень

мал. У МОП транзисторов эта величина порядка
Т1 10–15 А. У транзисторов с управляемым p–n-пе-
Т °С1 < Т °С2
реходом 10−8 − 10−12 А. При изменении температу-
Т2 ры на 10 °С этот ток может изменяться в 2–3 раза.
Ic c
Ток стока сложным образом зависит от темпера-
туры. У МОП транзисторов он может увеличи-
U0 Uзн
ваться, уменьшаться или оставаться постоянным
при изменении температуры. В большинстве
Рис. 4.11. ВАХ полевого случаев зависимость тока стока от температуры
транзистора имеет следующий вид (рис. 4.11).
Представляет интерес использование в схемах термостабильного тока
стока I с , при котором I с не зависит от температуры.
с
Для различных типов транзисторов значение I с лежит в пределах от 100

с
до 600 мкА. Рассмотрим особенности цепей питания полевого транзистора.

4.4. Цепи питания
Цепи питания полевого транзистора выполняют те же функции, что и

аналогичные цепи биполярного транзистора, т. е. обеспечивают режим рабо-
ты по постоянному току и минимум отклонения от этого режима при влия-
нии разных дестабилизирующих факторов.
Обобщенная эквивалентная схема полевого транзистора для постоян-
ного тока имеет вид, представленный на рис. 4.12, а. Во всех схемах присут-
ствует Rи – элемент истоковой стабилизации. Схемы питания приведены на
рис. 4.12, б, в.
Rc Rз1 Rc
Rз Rи Rc
Ес Ес
Ез Еи Ес Rз2
Rз Rи Rи
а б в
Рис. 4.12. Цепи питания полевого транзистора
В полевом транзисторе можно выделить следующие источники темпе-

ратурной нестабильности режима:
1. Температурная зависимость начального тока стока:
(
I с0 ( t °С = 20 °С ) = I с0 ( 20 °С ) 1 − 6,7 ⋅ 10−3 ( t °Сmax − 20 °С ) . )
2. Температурная зависимость напряжения U зи . Эта зависимость свя-
зана с температурной зависимостью и контактной разностью потенциалов.
∂U ∂ϕ
∆U зи = зи ( t °Сmax − t °Сmin ) = к ∆t =±2,2 ⋅ 10 −3 ∆t .
∂t ∂t
3. Температурная нестабильность тока затвора:
tmax − 20
I з ( t °С=
) I з ( 20 °С ) 2 ψ
.

Эквивалентная схема для рас-

Rc чета нестабильности примет
Uзи
Rз вид (рис. 4.13).
В режиме малого сигнала
Rи Еc выражение для тока стока
Ез Iз можно записать в виде
2
 U 
Рис. 4.13. Эквивалентная схема для =
I с I с 1 + зи  ,
расчета термонестабильности транзистора
0
 U0 
где I с – начальный ток стока (при U зи = 0); U 0 – пороговое напряжение (при

0
I с = 0 ).
Определим соотношение для крутизны проходной характеристики:
  U 2    U  U 
2

∂  I с 1 −   ∂  I с0 1 − 2 U +  U   
зи зи зи
∂I с   0
U 0     0  0   
=S = = ;
∂U зи ∂U зи ∂U зи
2 I с 2 I с U зи Iс  U  2
S=
− 0 + 02 = −2 0 1 − зи  =
− Iс Iс ;
U0 U0 U0  U0  U0 0
2
S= − Iс Iс .
U0 0
Запишем выражение для тока стока с учетом термозависимости параметров:

2
 Е − ∆U зи − I з Rзат 
=
I с I с 1 − зат  .
0
 U 0 
Приращение I ñ при воздействии дестабилизирующих факторов получим из

выражения:
∂I с ∂I ∂I ∂I
∆I=
с ∆U зи + с ∆I с + с ∆U 0 + с ∆I з . (4.12)
∂U зи ∂I с 0
∂U 0 ∂I з
0
Найдем частные производные по каждому из параметров:
∂IЕ U2 I с I R −∆ − 
с
=
− 0 1 − з зи з з
=S;
∂∆U зи U0  U0 

2
∂IЕ  U з −I ∆R зи − зI 
с
=1 −
з
 =
с
;
∂I с0  U0  I с0
∂IЕ IUс I− R
∆ зи − Ез U I− R
∆ − U ∆ зи
с
=
2 0 з з
1 −
з зи з з
=−S ;
∂U 0 U0 U0  U0  U 0
∂IЕ с Rз  I R
IU − ∆ зи − 
с
=
2 0 1 − з з з
=− SRз .
∂I з U0  U0 
Подставляя эти значения в выражение (4.12), получим:
Iс ∆U зи
∆I с =S ∆U зи + ∆I с − S ∆U 0 − SRз ∆I з .
Iс 0
U0
0
Нестабильность тока стока, так же как и I ê в биполярном транзисторе,

рассчитывается в два этапа.
Сначала определяют нестабильность тока стока с учетом влияния как
температуры, так и технологического разброса параметров:
I с0 I с0 min ( t °Сmax ) − I с0 min ( t °Cmin ) ;

∆=
tmax − 20С° 
−2,2 ⋅ 10 −3 max 
∆U зи = ;
20С° − tmin 
∆U 0= U 0 max − U 0 min ;
t − 20С°
ψ
∆I з =I з max 2 .
В результате получают нестабильность тока стока при включении лю-

бого транзистора.
На втором этапе учитывают только температурную зависимость типо-
вых параметров, типовые значения которых можно определить по формулам:
I с тип = I с I
max с0 min
;
0 0
U 0 тип = U 0 maxU 0 min ;
I з max
I з тип = .
3

В схемах на полевых транзисторах термостабильность режима работы

по постоянному току может быть достигнута введением отрицательной об-
ратной связи, включением сопротивления в истоке. Глубина обратной связи в
этом случае:
А = 1 + SRи .
Если представить допустимое изменение тока стока в виде:
∆I
∆I с доп =с ,
1 + SRи
то можно определить необходимое сопротивление в истоке:
1  ∆I с 
Rи ≥  − 1 .
S  ∆I с доп 
4.6. Коэффициенты чувствительности
Рассмотрим основную схему стабилизации на биполярном транзисторе

рис. 4.14.
Для данной схемы можно записать:
Еб − I б Rб − U б′э − I к Rэ =
0.
Rк Iк
Еб Учитывая, что I б = , можно получить:
Rб β
Rэ
Еб − U б′э
Iк = .
Рис. 4.14. Схема стабилизации Rб
Rэ +
биполярного транзистора β
Данное выражение показывает, что изменение любой из величин Еб , Rб , Rэ

может привести к изменению тока коллектора. С учетом допустимых значе-
ний изменений тока I к определяют разброс параметров элементов схемы.
Для того чтобы оценить степень влияния элементов схемы, запишем выра-
жение для приращения коллекторного тока в следующем виде
∂I к ∂I ∂I
∆IЕ
к = ∆ Rб + к ∆ Rб + к ∆ э . (4.13)
∂Еб ∂Rб ∂Rэ

Переходя от абсолютных величин изменений параметров к относительным

выражение (4.13) запишем в виде
∆IЕ I б ∂ Ек  ∆ R I ∂ R ∆ R I ∂ R  ∆
δI к = к
=
 
б
+ б к 
б
+ э к  э . (4.14)
I кЕ  Е
I к ∂ б I бR  Rк ∂ б I бR  Rк ∂ э  э
Входящие в формулу (4.14) величины
Еб ∂I к R ∂I R ∂I
SЕ = ; SR = б к ; SR = э к
к ∂ б
IЕ I к ∂Rб I к ∂Rэ
б б э
называются коэффициентами чувствительности.

Найдем выражение для коэффициентов чувствительности примени-
тельно к рассматриваемой схеме:
∂I к 1 Iк I
= =  к ;
∂Еб R + Rб Еб − U б′э Еб
э β
∂IЕ U б − I
к
=
− б′э
= − к
;
∂Rб  R 
2
 R 
β  Rэ + б  β  Rэ + б 
β  β 
 
∂IЕ U б − б′э I
к
=
− =
− к
.
∂Rэ  Rб 
2
R
Rэ + б
 Rэ + β  β
 
Можно записать выражение для коэффициентов чувствительности:
Еб I к
SЕ =  1;
б
IЕ
к б
R Iк Rэ
SR = − э = ;
э0
Iк Rб Rб
Rэ + Rэ +
β β
R Iк Rб Rб
SR =− б =− =− .
б
Iк  Rб   Rб  Rэ
β  Rэ +  β  Rэ +  Rб +
 β   β  β
Рассмотрим пример.
Пусть Еб = 6,3В , Rб = 6,2кОм , Rэ = 1,3кОм , β = 80 . Предположим,
что каждая из величин изменилась на 10 %, тогда:
к (
δIЕ б ) ≅ 10 % ;

6,2 ⋅ 103
δI к ( Rб ) = − 0,1 = 0,0056 ≅ −0,6 % ;
6,2 ⋅ 103 + 80 ⋅ 1,3 ⋅ 103
δI к ( Rэ ) = −
1,3
0,1 = 0,092 ≅ −9,2 % .
6,2
1,3 +
80
Общая нестабильность: SI к =10 % − 0,6 % − 9,21 % =0,2 %.
Выводы
1. При анализе термостабильности схемы на биполярном транзисторе

необходимо учитывать температурную зависимость:
обратного тока коллектора;
напряжения на переходе база – эмиттер;
коэффициента передачи тока базы.
2. При анализе термостабильности целесообразно рассматривать тран-
зистор как элемент, не зависящий от температуры, а источники температур-
ной нестабильности ∆U б′э , ∆I к0 объединить с внешними источниками.
3. Стабильность тока коллектора для различных цепей питания опре-
деляется величиной резисторов Rб и Rэ .
4. Расчет термостабильности производят как с учетом влияния темпе-
ратуры на типовые параметры, так и с учетом их технологического разброса.
5. Для повышения термостабильности используют термокомпенсирую-
щие элементы (диоды, терморезисторы, транзисторы в диодном включении).
6. Наибольшее влияние на температурную нестабильность тока стока
оказывают:
температурная зависимость тока затвора;
температурная зависимость начального тока стока;
температурная зависимость напряжения затвор – исток.
7. Повысить термостабильность в схемах на полевых транзисторах
можно введением обратных связей.

5. РЕОСТАТНЫЙ КАСКАД
Реостатный каскад относится к каскадам предварительного усиления.

Основное назначение каскадов предварительного усиления – повысить уро-
вень входного сигнала. Поэтому основное требование к таким каскадам мак-
симальный коэффициент усиления K u , Ki .
Принципиальная схема резистивного каскада представлена на рис. 5.1,
где Rк – сопротивление нагрузки в цепи коллектора каскада на VT2, которое
совместно с Rб = Rб1 // Rб2 образует сопротивление источника сигнала для
сл сл сл
VT3; Сp – разделительный конденсатор. Разделяет переменную и постоян-

ную составляющие коллекторного тока; Rб , Cэ , Rэ – элементы цепи питания
каскада по постоянному току;
Сф , Rф – элементы фильтра в це-
+Е
пи питания. Сф Rф
Назначение фильтра:
устраняет паразитную
связь между каскадами через це- Rк Rб2 Rк
пр
Rб2 RRкксл
сл
сл
пи питания (развязывание);
сглаживание пульсаций Ср
питающего напряжения;
коррекция характеристик в Rб1 сл
области НЧ (больших времен). Rб1

Rф – элемент стабилизации Rэ0 Сэ0
режима по постоянному току в

цепи коллектора; Рис. 5.1. Схема принципиальная
Сф устраняет параметри- электрическая реостатного усилителя
ческую ООС по току. трехкаскадного усилителя
5.1. Принцип деления реостатного усилителя на каскады
Наибольшее применение Ср
нашли два метода расчета рео-
статного каскада. Эквивалентная Rсв Rбсл Rвх сл
Свх сл
схема каскада для первого метода
расчета представлена на рис. 5.2, Е
где Rэ
Рис. 5.2. Эквивалентная схема резистивного

каскада усилителя для первого метода расчета

5.1. Принцип деления реостатного усилителя на каскады
Rб = Rб1 // Rб2 .
По первому методу сигнал от идеального генератора напряжения пода-
ется непосредственно на базу транзистора. Нагрузка транзистора включает
Rк , Rб , Rвх .
свое сл сл
Недостаток данного метода в том, что для оценки свойств рассматри-

ваемого каскада необходимо знать входное сопротивление следующего за
ним каскада.
Для второго метода расчета эквивалентная схема представлена на рис. 5.3.
Ср
I Rвых Rкпр Rбсв Rгсл

Rэ
Rксв
Рис. 5.3. Эквивалентная схема реостатного каскада усилителя

для второго метода расчета
Здесь транзистор предыдущего каскада заменятся эквивалентным гене-

ратором тока и в нагрузку каскада не включается Rвх следующего транзисто-
ра. Недостаток этого метода – трудно учесть при расчетах емкость нагрузки и
емкость монтажа. При расчетах транзистор заменяется его эквивалентной
схемой.
5.2. Первый метод расчета реостатного каскада
5.2.1. Эквивалентная схема
Составим эквивалентную схему реостатного каскада при условии, что

Rэ := 0 , заменив транзистор его П-образной эквивалентной схемой (рис. 5.4).
rб'б Ср
С0
Е rб'э
Свых См1 См2 Снд
Rвых
Rсв Rнд
Рис. 5.4. Обобщенная эквивалентная схема реостатного каскада

для случая замены транзистора П-образной эквивалентной схемой
Здесь С0б= к С ′ (1 + К ) , Rвых , Cвых – составляющие выходного сопро-

э С ′ б+
тивления транзистора; CС м1 , м2 – емкости монтажа; RС нд , нд – параметры сопро-

тивления нагрузки оконечного каскада, входного
сопротивления следующего каскада.
С0 '
Для последующего анализа упростим экви-
Е Rвх
валентную схему, представив входной контур в ви-
де параллельного соединения Rвх и С0′ (рис. 5.5).
Учитывая Ср , Сн , См1 , См2 выходной контур можно Рис. 5.5. Входной кон-
упростить, объединив тур эквивалентной
схемы, представленной
См1 + См2 + Снд + Свых =
Сн . на рис. 5.4
Ср
I Rвых Rкпр Rбсв Rгсл

Rэ
Rксв
Рис. 5.6. Электрическая схема реостатного каскада

после преобразования и принятых допусков
Тогда после преобразования эквивалентная схема реостатного каскада при-

мет следующий вид (рис. 5.6).
Выражение
β +1
Sэкв =
rб′б + rб′э
следует из соотношений:
rб′э rб′э
б′э =
UЕ S; U ⋅ Sб′э =
E ⋅ .
rб′б + rб′э rб′б + rб′э
β +1
Учитывая, что S = , получаем:
rб′э
S ⋅ U б′э =E⋅
(β + 1) ⋅ rб′э =E ⋅ S .
rб′э ⋅ ( rб′б + rб′э )
экв
Схему (рис. 5.6) можно упростить применительно к различным участкам ра-

бочего диапазона частот.

Sэкв Е
Поскольку Ср  Сн , то можно опреде-
лить область частот, где X Ср → 0 , а
Rнд
Rвых X сн → ∞. Тогда данная эквивалентная
Rксв
схема приобретает вид, справедливый
для области средних частот (рис. 5.7).
Рис. 5.7. Электрическая схема С0′ учитывается в предыдущем каскаде
реостатного каскада
для средних частот в Rвх .
Для области верхних частот со-
противление Сн уменьшается и становится соизмеримым с сопротивлением
остальных элементов, емкостное сопротивление X Ср можно не учитывать.
Эквивалентная схема для ВЧ представлена на рис. 5.8.
Для области нижних частот учитываем влияние X Ср , в результате эк-
вивалентная схема приобретает вид (рис. 5.9).
На нижних частотах сопротивление конденсатора Ср увеличивается,
следовательно, с понижением частоты падает коэффициент усиления. Фазо-
вый сдвиг увеличивается с понижением частот и при ω = 0 достигает пре-
дельного значения 90°.
Sэкв Е
Rнд
Rвых Сн
Rксв
Рис. 5.8. Электрическая схема реостатного каскада для верхних частот
Ср
Sэкв Е
Rнд
Rвых
Rксв
Рис. 5.9. Эквивалентная схема реостатного каскада

для области нижних частот

Y φ
1 π
0,707 2
π
4
fн f fн f
Рис. 5.10. АЧХ и ФЧХ каскада усилителя на нижних частотах
φ fв
Y
1 f
0,707 π
−
4
π
−
2
fв f
Рис. 5.11. АЧХ и ФЧХ каскада усилителя

для области верхних частот
На высоких частотах сопротивление конденсатора Сн уменьшается и

он шунтирует сопротивление Rнд , т. е. коэффициент усиления с ростом час-
тоты падает. Предельный фазовый сдвиг при ω = ∞ равен –90°.
Далее рассмотрим поведение каскада на различных частотах.
5.2.2. Средние частоты
Сопротивление нагрузки в данной схеме определяется соотношением:
RН экв = Rвых || Rксв || Rнд ;
1 1 1 1
= + + .
RН экв Rвых Rксв Rнд
Величину выходного напряжения и ко-

эффициента усиления схемы определим Sэкв Е
из равенства Rнд
Rвых
U вых = U вх ⋅ Sэкв ⋅ RН экв , Rксв
Рис. 5.12. Эквивалентная схема

здесь U вх = E , каскада усилителя для средних частот

U вых
К
= u = Sэкв ⋅ RН экв .
U вх
β +1 (β + 1) RН экв
С учетом замены: Sэкв = и Кu = .
Если в эмиттере присутствует резистор обратной связи Rэ , то выраже-

ние для К н имеет вид
RН экв
К= (β + 1) .
rб′б + rб′э + Rэ (β + 1)
u
Если каскад реализован на полевом транзисторе:
RН экв
Кu = S ,
1 + S ⋅ Rист
АЧХ усилителя на средних частотах линейна. Рассмотрим поведение

АЧХ, ФЧХ на низких и высоких частотах.
5.2.3. Область нижних частот
Эквивалентная схема работы усилителя в области нижних частот пред-

ставлена на рис. 5.13. В результате последовательных преобразования полу-
чаем схему дифференцирующей цепи, рис. 5.14.
Ср
Sэкв Е
Rнд
Rвых
Rксв
Рис. 5.13. Эквивалентная схема усилительного

каскада в области нижних частот
R ⋅R
RН′ эквЕ= R вых Rк ; E
RХХ = Sэкв ⋅ ⋅ Н′ экв ; = ′
Н экв .
Rвых + Rк
r
Здесь RН′ экв – эквивалентное сопротивление каскада усилителя в области

нижних частот

Ср Rг Ср
Sэкв Е Rэкв ЕХХ
Rнд Rнд
Рис. 5.14. Схема, поясняющая преобразования источника тока

в источник ЭДС
Найдем математические зависимости для АЧХ и ФЧХ усилительного

каскада. Выходное напряжение цепи определяется по формуле
Rнд jωCpнд⋅ R
вых = КХХ ⋅Е =
UЕ ХХ ⋅ Е = ХХ ⋅ ,
Rr + Rнд +
1 + j (CpэнR′ +нд)R
1ω
jωCp
jωCpнд⋅ R
=
UЕ
вых ХХ ⋅ .
+ j (CpН R
1ω ′ +нд)R
экв
В области средних частот:
Rнд
=
UЕ
вых ХХ ⋅ .
RН′ экв + Rнд
Определим относительный коэффициент усиления:
К U вых R′ +нд R 
jωCpнд⋅ R ⋅Нэкв
Y
= = = ;
К 0вх U 1ω
+ j (CpН R ′
экв +нд)
R  ⋅
 ндR
jωCpН( R ′ +ндR )
Y = экв
.
+ j (Cр RН′ экв + )Rнд
1ω
Обозначим
= τ н Cp ( Rнд + RН′ экв ), тогда
jωτ н
. Y =
1+ωτ j н
Получим выражение для АЧХ и ФЧХ:

jωτ н (1 − jωτ н ) ( ωτ н ) + jωτ н

2
=Y = ;
( н) 1+ ( н)
ωτ
2 2
1+ωτ
Тогда АЧХ
( ωτн ) + ( ωτн )
4 2
ωτ н
=Y = . (5.1)
( ( н) )
+
1ωτ
2 2
(
1+ωτ н )
2
1
Учитывая, что ωн = , выражение (5.1)
Y τн
1 можно представить в виде
0,707
ω ω ω
Y = = = .
 ω
2
ω +ωн
2 2
ω 
2
φ fн f ωн 1+   ω 1+  н 
 ωн   ω
90°
45°
Окончательно получаем:
АЧХ
0,1fн fн 10fн f 1
Y = .
2
Рис. 5.15. АЧХ и ФЧХ  f 
в области нижних частот 1+  н 
 f 
Для ФЧХ
 ωτ   1   f 
=ϕ arctg=
 н
2 
=
arctg   arctg  н  ;
 ( ωτ )   ωτ н   f 
 н 
 f 
ϕ =arctg  н  .
 f 
Графики АЧХ и ФЧХ представлены на рис. 5.15.
5.2.4. Область высоких частот
Общая эквивалентная схема работы усилительного каскада для верхних

частот представлена на рис. 5.16.
В результате несложных преобразований получаем интегрирующую
цепь.

Rг
Sэкв Е ЕХХ
Rвых Rксв Rнд Сн Сн
Рис. 5.16. Эквивалентная схема Рис. 5.17. Упрощенная

усилительного каскада для области схема усилительного каскада
верхних частот для верхних частот
Для этой схемы:
Rr = Е RН эквS; Е= R экв ⋅ ⋅
ХХ Н экв .
Тогда
1 1
вых =
UЕ ХХ ⋅ Е =ХХ ⋅ .
 1  + jС НR⋅
1ω
ω Н ⋅R
jС  r+ 
Н экв
 ω Н
jС
Относительный коэффициент усиления определяется соотношением
1
Y = ,
+ jС
1ω НR
⋅ Н экв
из которого находим выражение для АЧХ и ФЧХ:
−j
1ωτ
Y = в
,
+( )
2
1ωτ в
где τ=
в Сн ⋅ RН экв . Y
1 1 1
Тогда
= АЧХ Y = ,
+( в) 0,707
2 2
1ωτ  f 
1+  в 
 f 
φ 0,1fв fв 10fв
1
где f в = .
2πτ в
45°
 ωτ 
ФЧХ ( в ) = −arctg  в .
ϕ = −arctgωτ (5.2) 90°
 f 
Рис. 5.18. АЧХ и ФЧХ
Графики АЧХ и ФЧХ усилителя нижних частот усилительного каскада
представлены на рис. 5.18. на верхних частотах
В выражение (5.2) для τ=
в Сн ⋅ RН экв вхо-

дит Сн . Значение Сн для промежуточных каскадов:
С=
н Сб′к + См + С0′ (С =
н
nT
Cзс + См + С0′ )
Для оконечного каскада:
С=
н
′
Сб′к + См + Снд (С =н
nT
′ ).
Cзс + См + Снд
Здесь С0′ – входная емкость следующего каскада, в выражение для RН экв и

RН′ экв входит величина Rнд , которая для промежуточного каскада равна Rндсл .
Определим значения Rвх и С0′ . Для каскада на биполярном транзисторе:
Rвх ≅ rб′б + rб′э или Rвх = rб′б + rб′э + Rэ ( β + 1) ,
rб′б RН экв
′ = С б≅э С ′
С0вх +
бк С ′ ⋅ β к С ′
б+
или
rб′б RН экв
= ′ С бэ С ′
С0вх к С ′ ⋅β
б+ .
rб′б + rб′э + Rэ ( β + 1) rб′б + rб′э + Rэ ( β + 1)
Если каскад реализован на полевом транзисторе с параметрами эквива-

лентной схемы: Rвх = ∞; Свх = Сзи + Сзс (1 + S ⋅ RН экв ) , тогда с учетом сопро-
тивления в истоке:
Сзи + Сзс (1 + S ⋅ RН экв )

Свх = ,
1 + S ⋅ Rист
и величина входного сопротивления определяется сопротивлением затвора Rзат .
5.2.5. Расчетные соотношения
Определим соотношения, позволяющие произвести практический рас-

чет коэффициента усиления и АЧХ реостатного каскада.
1. Сопротивление нагрузки RН экв .
Ср ( RН′ экв + Rнд ) ;
Так как с ростом RН экв увеличиваются τ н и τ в ; где τ н =⋅
τ=
в Сн ⋅ RН экв , это эквивалентно уменьшению f н и f в .

1 1
Если f н = и fв = , то расчет RН экв необходимо вести, учитывая
2πτ н 2πτ в
уровень допустимых частотных искажений на верхних частотах Мв.
Требованиям по уровню Мв можно удовлетворить соответствующим
выбором эквивалентного сопротивления нагрузки.
1
Выражение для относительного усиления Y = на верхней
+( в)
2
1ωτ
граничной частоте f в принимает вид
1 1
( ⋅ Сн ⋅ RН экв ) ,
2
= ;М в2ω−1 =
+( ⋅ Сн ⋅ RН экв )
в
М в2 1ω 2
в
откуда
1
RН экв ≤ ⋅ М в2 − 1 . (5.3)
ωв ⋅ Сн
2. Определив RН экв , можно вычислить максимальный коэффициент

усиления
RН экв
К 0 maxэкв= S ⋅R
Н экв = ( β + 1) ⋅ , где R=
вх rб′б + rб′э .
rб′б + rб′э
Снизить коэффициент усиления можно, увеличив Rвх , т. е. за счет вве-

дения сопротивления обратной связи в эмиттер Rэ , тогда
RН экв
Rвх ОС = rб′б + rб′э + Rэ ( β + 1) = ( β + 1) ⋅ . (5.4)
К 0треб
Из (5.4) находим Rэ :
Rэ =
( Rвх ОС − rб′б − rб′э ) .
(β + 1)
3. Разделительную емкость Ср определим, используя значение Мн:
( ωн τн ) ;М=
2
1 1 1
= 2
τ−1 ;= 2
.
( τн н ) ( τн н ) н ⋅ ( 1н − )
н н
М н2 1+ω 2
ω
2
ωМ2 2
Учитывая значение
= τ н Ср ( RН экв + Rнд ) , находим Ср :

1
Ср ≥ .
f н ⋅ ( R1Н экв + Rнд ) ⋅
2πМ 2
н −
Выбор Ср и RН экв позволит удовлетворить требованиям по уровню час-

тотных искажений на верхних Мв и нижних Мн частотах.
5.3. Второй метод расчета реостатного каскада
5.3.1. Эквивалентная схема
Для второго метода расчета реостатного каскада усилителя общая эк-

вивалентная схема выглядит следующим образом (рис. 5.19).
Ср Rб'б
I S · Uб'э
С0
Rвх Rкпр Rбсв Rб'э Rк Rб
Rвых
Рис. 5.19. Обобщенная эквивалентная схема реостатного каскада

для второго метода расчета
В представленной эквивалентной схеме нагрузкой является чисто ак-

тивное сопротивление:
RН экв = Rксв || Rбсл || Rвых сл ,
а входная цепь представлена в виде реального генератора тока с конечным

внутренним сопротивлением. Рассмотрим поведение каскада в различных
частотных диапазонах.
5.3.2. Область средних частот
Влиянием С0 и Ср можно пренебречь, тогда схема упростится и при-

мет вид, представленный на рис. 5.20.
I 1
Rr = Rвых || Rкпр || Rбсв , ЕХХ= G=
r .
Gr Rr

Rб'б
I S · Uб'э RН экв
Rвых Rб св
Rб'э
Rб'б Rг Rб'б RН экв

I S · Uб'э ЕХХ S · Uб'э
Rг Rб'э Rб'э
RН экв
Рис. 5.20. Упрощенная эквивалентная схема усилительного каскада

для области средних частот
Запишем выражение для коэффициента усиления:
U U U r (β + 1) Rн ⋅ U б′э = + Rн
К 0 =вых =б′э ;β вых
1 = б′э ; ⋅ ( )
ЕХХ ЕХХ U б′э Rr + rб′б + rб′э rб′э ⋅ U б′э Rr + rб′б + rб′э
Rн
К= (β + 1) .
Rr + rб′б + rб′э
0
Видно, что выражение для К 0 по виду совпадает с К 0 по первому методу

расчета.
5.3.3. Область нижних частот
В области нижних частот основное влияние на АЧХ и ФЧХ оказывает

емкость разделительного конденсатора Ср . Эквивалентная схема для этого
частного участка выглядит следующим образом (рис. 5.21).
Ср Rб'б RН экв
I Rвых Rкпр S · Uб'э
Rбсв Rб'э
Rг Ср Rб'б S · Uб'э RН экв

ЕХХ
Rб'э
Рис. 5.21. Эквивалентная схема усилительного каскада

для области нижних частот

В результате несложных преобразований получаем дифференцирую-
щую цепочку, для которой находим:
U б′э ( β + 1) RН экв r (β + 1) RН экв

К= ⋅ = б′э ⋅ ,
ЕХХ rб′э Rrб+б r ′ б+э r ′ +
1 rб′э
jωCр
jωCр ⋅ RН экв
К= (β + 1) .
+ j Cр ( Rr + rб′б + rб′э )
1ω
Записывая выражение для относительного коэффициента усиления, имеем:
К (β + 1) ⋅ jωCр ⋅ RН экв Rr + rб′б + rб′э

Y
= = ⋅ .
+ j б бC ( бRэr + r ′ + r ′ )Нβэкв( 1 + ) R
К 0р 1ω
Y Обозначим:
1 Rвх = Rr + rб′б + rб′э ,
Ср
τ=
н Cр ( Rr + rб′б + rб′э ) .
f
Выражение для относительного коэффи-
Рис. 5.22. Зависимость относитель-
ного коэффициента усиления циента усиления на нижних частотах
на нижних частотах от Ср можно записать в виде
jωCр ⋅ Rвх
Y = . (5.5)
+ j Cр ⋅ Rвх
1ω
Из (5.5) получаем выражения для определения АЧХ:

ωτ н
Y =
( )
2
1+ωτ н
и ФЧХ:
 1 
ϕ =arctg  .
ωτ
 н

5.3.4. Область высоких частот
В результате преобразований исходной эквивалентной схемы усилите-

ля получаем схему для области верхних частот (рис. 5.23).
Rб'б
I S · Uб'э RН экв
Rбсв
Rвых Rкпрд Rб'э
С0
Rг Rб'б RН экв
ЕХХ S · Uб'э
Rб'э
С0
Рис. 5.23. Обобщенная эквивалентная схема

усилительного каскада для области верхних частот
В результате преобразований исходной схемы (рис. 5.23) получаем

схему интегрирующей цепи следующего вида (рис. 5.24).
S · Uб'э
Rэкв
Еэкв Rн
С0

для ВЧ после преобразования
Здесь Еэкв =Е⋅

rб′э ( R + r ) ⋅ R r + rб′б .
; Rэкв = r б′б
Rr + rб′б + rб′э Rr + rб′б + rб′э
Тогда выражение для Y можно записать:
1
Y = , Y
+j
1ωτ в
1
где τ в =С0 ⋅ Rэкв =С0

( Rr + rб′б ) + rб′б . С0
f
Рис. 5.25. Зависимость
1
Y = . ( в .)
ϕ = −arctgωτ относительного коэффициента
усиления на верхних
+( )
2
1ωτ в частотах от С0

5.3.5. Площадь усиления
Площадь усиления – это произведение коэффициента усиления на

средних частотах на верхнюю граничную частоту каскада.
= К 0в⋅ f .
П
Данная характеристика определятся следующим образом:
(β + 1) RН экв 1 (β + 1) RН экв Rr + rб′б + rб′э

=П =
⋅ ⋅ ;
R в r Rr + rб′б + rб′э 2π 0 ⋅ б′э ( r + б′б )
Rr + rб′бС+ rбr′э 2πτ
(β + 1) RН экв S ⋅ RН экв β +1
=П = = ; S .
2πС0б⋅эr ′ ( Rr +б бr ′ ) 2π0С ( Rr +б бr ′ ) r
бэ ′
Учитывая, что С0б= э С ′ б+к С ′ (1 + SН экв

⋅R ) , получим:
RН экв S
=П ⋅ .
(
Rr + rб′б 2π Сб′э + Сб′к (1 + S ⋅ RН экв ) )
Для однотипных промежуточных каскадов Rr в выражении заменяется на RН экв .
Rн S
=П ⋅ .
Rн + rб′б 2π ( Cб′э + C б′к (1 + S ⋅ Rн ) )
Определим значение Rн , при котором площадь усиления достигает макси-

мального значения П max :
Cб′э ⋅ rб′б
R 2н = .
S ⋅ Cб′к
Отсюда видно, что максимальная площадь усилителя зависит от пара-

метров усилительного элемента.
Для полевого транзистора:
1
К 0н=ΗS ⋅ R , = , где Rн = Rнд || Rс .
2 πСн Rн
Тогда
1 S
П =К 0н⋅ Н =S ⋅ R ⋅ = =П.
2 πСн Rн 2 πСн

5.3.6. Коэффициент чувствительности
Коэффициент чувствительности К 0 с учетом сопротивления обратной

связи определяется из выражения
К0 =
(β + 1) Rн ;
Rr + rб′б + rб′э + Rэ ( β + 1)
Относительное изменение для К 0 :
∆К 0н  R0 ∂Кн  ∆R  R0r ∂К  ∆Rr э  R0 ∂Кэ  ∆R

δК 0 = = ⋅  + ⋅  + ⋅  ;
К 0 н  Кн 0 ∂R 0 R  К ∂Rr 0 Rr э  Кэ ∂R  R
=
∂К 0
=
(β + 1) К0
; S Rн = 1.
∂Rн Rr + rб′б + rб′э + Rэ ( β + 1) Rн
∂К 0 К0
= − ;
∂Rr (β + 1) Rн
К 0 Rr
S Rн = − .
(β + 1) Rн
∂К 0 К2
= − 0;
∂Rэ Rн
RК
S Rн = − э
.
Rн
Аналогичным образом можно определить и влияние разброса параметров на

f в и f н , учитывая, что
1 Rrб+б r ′ б+э r ′
=fв = ;
2πτ в 2πС0 ( Rr + rб′б ) rб′э
1 1
=fн = .
2πτ н 2πСр ( Rr + rб′б + rб′э )

В качестве примера рассмотрим ∂f н :
∆f н  Ср ∂f н  ∆Ср  Rr ∂f н  ∆Rr
∂f н= =  ⋅  + ⋅  ;
f нС  С
f н ∂ р f  рR  Rн ∂ r  r
∂f н 1
=
− =
−1;
∂Ср 2πС 2 р ( Rr + rб′б + rб′э )
2πС 2 р ( Rr + rб′б + rб′э )

S Ср =
− =
−1; S = −1.
2πС 2 р ( Rr + rб′б + rб′э )
∂f н 1 Rr
= − ; S= − .
∂Rr 2πСр ( Rr + rб′б + rб′э ) Rr + rб′б + rб′э
2
Рассмотрим влияние на частотные характеристики цепи ООС в эмитте-

ре, включаемой для обеспечения автосмещения.
5.4. Влияние элементов цепи автосмещения Rэ и Сэ

на характеристики реостатного каскада
Влияние Сэ проявляется в области нижних частот. Поэтому рассмот-

рим АЧХ в области НЧ, считая, что Ñð → ∞ и частотные искажения вносятся
только Сэ . Если Ср ≠ ∞ , то необходимо рассматривать цепь второго порядка.
Rг Rэ (β + 1) Rб'б
S · Uб'э
Е Rб'э Rн
Рис. 5.26. Входная цепь усилительного каскада

с учетом сопротивления Rэ0
Через сопротивление местной обратной связи (рис. 5.1)

Rэ0
Zэ =
1+ωj Cэ0 ⋅ Rэ0

5.4. Влияние элементов цепи автосмещения и на характеристики реостатного каскада
протекает ток I э , учитывая, что I= э (β + 1) I б , можно Z э пересчитать в цепь

базы, увеличив на ( β + 1) . Тогда эквивалентная схема для области НЧ примет
вид (рис. 5.26).
Коэффициент усиления с учетом ОС определим из выражения:
К ОС =
(β + 1) Rн .
Rr + rб′б + rб′э + Zβэ ( 1+ )
Считая Rэ постоянной величиной и меняя Сэ , определим вид АЧХ.
1. Если Сэ → 0 , то Zэ → Rэ , т. е. получаем реостатный каскад с мест-
ной частотно-независимой обратной связью. Здесь
К ОС =
(β + 1) Rн .
Rr + rб′б + rб′э + Rэ ( β + 1)
В этом случае К ОС не зависит от частоты и совпадает со значением К0 на

средней частоте (рис. 5.27). Однако реально f н обусловлена влиянием Ср .
2. Другой крайний случай Ñý → ∞ . Сопротивление Х Сэ → 0 , т. е. об-
ратная связь исчезает. Следовательно, растет коэффициент усиления
К ОС =
(β + 1) Rн .
Для этого случая при Сэ = ∞ АЧХ имеют вид (рис. 5.27).

Относительный коэффициент усиления определим из выражения:
К ОС +j э
1ωτ
Y =
= .
К 0
1+ωτ
(β + 1) ⋅ Rн + j
э
Rrб+б r ′ б+э r ′
1 К
К
1
Сэ = ∞ Сэ0
Сэ
Сэ = 0 Rэ0
f
f
fн1 fн1 Рис. 5.28. Зависимость
Рис. 5.27. Зависимость коэффициента усиления
коэффициента усиления в области нижних частот
в области нижних частот от величины Сэ0 и Rэ0
от величины Сэ

5.4. Влияние элементов цепи автосмещения и на характеристики реостатного каскада
Общий вид нормированной АЧХ для относительного коэффициента
усиления при изменении Rэ и Сэ0 показан на рис. 5.28.
Поскольку Сэ влияет на f н , т. е. на Мн, то величину Сэ выбирают ис-
ходя из допустимого значения Мн.
Сэ0 ≥
(β + 1)
( ))
.
( Rr + rб′б + rб′э ) 2πМ
fн (1 2
н −
Выводы
1. Наиболее широко реостатный каскад используется в качестве про-

межуточного каскада.
2. Основное требование к реостатному каскаду: обеспечить требуемые
значения К u , К i и допустимый уровень частотных искажений.
3. При расчетах реостатного каскада используются упрощенные экви-
валентные схемы первого порядка.

6. СПЕЦИАЛЬНЫЕ ВИДЫ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ
6.1. Эмиттерный и истоковый повторители
Реостатный каскад, усилительный элемент которого включен по схеме

ОК, называется эмиттерным повторителем (ЭП). ЭП можно рассматривать
как обычный каскад с ОЭ, охваченный 100 % ООС. Связь в каскаде последо-
вательная по напряжению. Используется ЭП обычно в следующих случаях:
1. Во входных каскадах при необходимости обеспечить входное со-
противление 5–10 кОм. При Râõ > 5–10 кОм необходимо нейтрализовать влия-
ние сопротивлений базового делителя. При уровнях Rвх > 100 кОм используют
сложные повторители с динамической нагрузкой или истоковые повторители.
2. В выходных каскадах усилителей мощности.
3. В качестве каскада согласования высокоомного источника и низко-
омной нагрузки.
Схема электрическая принципиальная простейшего ЭП приведена на
рис. 6.1.
Если через нагрузку повторителя допускается протекание постоянной
составляющей тока, то Rнд может быть включено непосредственно в цепи
эмиттера вместо Rэ.
Входное сопротивление ЭП выше, а величина входной емкости и вы-
ходного сопротивления ниже, чем у каскада с ОЭ.
К особенности ЭП можно отнести то, что U вых ≈ U вх и фаза выходного
сигнала совпадает с фазой входного, т. е. сигнал на выходе повторяет сигнал
на входе.
Частотные свойства ЭП также значительно лучше, чем у каскада с ОЭ.
Так при глубокой ООС: Rист → 0, Rнагр → ∞ − верхняя граничная частота кас-
када стремится к верхней граничной частоте транзистора f Т . Представим ЭП
в виде каскада с ОЭ, схваченным обратной связью.
Rг
Ек (+) (–)
Rб1 Е Rн
Ср1 (–) (+)
Ср2 (–) (+)
Rб2
Rэ Rнд Снд
Рис. 6.1. Схема электрическая Рис. 6.2. Представление каскада

принципиальная усилительного с ОК в виде каскада с ОЭ
каскада с ОК со 100 % ООС

В общем виде с учетом ОС для ЭП можно записать:
Кu
К u ОС = ; К u ОС = К i
1β+ К
Z вых
Z вхК= Z вх Z(1β+ ; ) вых = .
1β+ К
1. Определим коэффициент усиления каскада без учета обратной связи:
Rн
К= (β + 1) . (6.1)
rб′б + rб′э
u
Из выражения (6.1) видим, что K u совпадает с коэффициентом усиле-

ния реостатного каскада.
Учитывая, что при глубокой 100 % обратной связи β = 1, находим вы-
ражение для определения глубины обратной связи:
1β+ К1 =+
(β + 1) Rн =rб′б + rб′э + Rн (β +, 1)
и для коэффициента усиления:
К u ОС =
(β + 1) Rн , т. е. К u ОС < 1.
rб′б + rб′э + ( β + 1) Rн
2. Входное сопротивление без обратной связи: R=

вх rб′б + rб′э . С учетом
обратной связи:
Z вхКОС = Zrвх (1β+r )R= б′б + б′э + β н (1 .+ )

В большинстве случаев можно считать, что
Rвх ОС ≅ ( β + 1) Rн ,
где Rн Rэ || Rвх сл ; Rэ || Rнд .

=
Или в комплексной форме записи:
Z вх ОС= (β + 1) Zн .
3. Выходное сопротивление эмиттерного повторителя определяется как
внутреннее сопротивление эквивалентного генератора:

Z вых = .
(β + 1)
Последние выражения для Z вх ОС и Z вых ОС позволяют заметить, что Z вх
определяется Rн , а Z вых – Rr , т. е. повторитель можно рассматривать как
трансформатор сопротивлений.
Поскольку верхняя граничная частота повторителя определяется внеш-
ними цепями, то для оценки частотных свойств воспользуемся эквивалент-
ной схемой рис. 6.3.
Для области НЧ:
=τ н Ср ( Rнд + Rвых || Rэ ) ;
для области ВЧ:
τ в = Снд ( Rвых || Rэ || Rнд ) .
Анализ каскада повторителя показывает, что входное сопротивление

определяется не только сопротивлением нагрузки, но и сопротивлением
Rб = Rб1 || Rб2 . Для повышения Rвх в 2–3 раза используют следующие меры:
1. Уменьшают ток коллектора, при этом возрастают сопротивления Rэ
(входит в выражение для Rн ) и Rб ;
2. Применяют гальваническую связь ЭП со следующим каскадом, в
этом случае исключается из схемы Rб сл следующего каскада. В результате
увеличивается входное сопротивление Rвх сл .
Для повышения уровня Rвх до десятков кОм используют сложные по-
вторители (рис. 6.4). В этой схеме транзистор шунтируется не Rб1 || Rб2 ,
а сопротивлением Rб3 .
Ср1
Rвых Ср Rб1 Rб3 Сбл Ср1

Е Rэ Rнд Снд Rб2
Rэ Rнд Снд
Рис. 6.4. Схема каскада с ОК

Рис. 6.3. Эквивалентная схема и компенсацией влияния
усилительного каскада с ОК базового делителя

Рис. 6.5. Схема эмиттерного повторителя

с высоким входным сопротивлением
Сигнал обратной связи подается на базу через последовательно соеди-

ненные Rб3 и Сбл , что снижает влияние действия Rб1 || Rб2 и увеличивает
входное сопротивление.
Еще одна возможная схема сложного повторителя представлена на
рис. 6.5. В данной схеме на VT 2 реализован генератор стабильного тока, что
эквивалентно увеличению сопротивления Rэ до уровня rб′к VT 2 , включение на
выходе дополнительного ЭП на VT 4 увеличивает Rвх сл , динамическая на-
грузка на VT 3 нейтрализует влияние rб′к VT 1 , что улучшает частотные свойства
каскада на VT 1 и также способствует увеличению Rвх . Данная схема позво-
ляет получить Rвх  100 кОм, а в области низких частот Rвх  единицы кОм.
Следует отметить склонность ЭП к самовозбуждению из-за условия баланса
фаз и амплитуд, особенно в области ВЧ.
Еще большие значения Rвх позволяет полу-
Еп чить истоковый повторитель (ИП). Простейшая
Ср схема ИП имеет вид, представленный на рис. 6.6.
R
С учетом
нд
Rз Rи Снд
S
Sэ =
R
Рис. 6.6. Истоковый повто- 1+ э
Ri
ритель (каскад с ОИ)

определим K u :
Sэ Z н
Ku =
ОС = 0,7 − 0,9.
1 + Sэ Z н
тогда
Свх ОС =Сзс + Сзи (1 − К u ) ;
1
Rвых = .
S
Следует отметить, что Rвых ИП > Rвых ЭП ; К u ИП < К u ЭП .
Входное сопротивление каскада определяется сопротивлением l цепи
затвора R3 . Для расширения динамического диапазона следует Rc := 0 ;
Е
Uи = п .
2
Для повышения входного сопротивления используют те же приемы,
что и в каскадах ЭП.
6.2. Каскад с общей базой и общим затвором
По аналогии с каскадом с ОК каскад с ОБ можно рассматривать как

каскад с ОЭ, охваченный 100 % параллельной обратной связью по току
рис. 6.7. Каскад с ОБ называют повторителем тока. Простейшая схема каска-
да с ОБ имеет вид, представленный на рис. 6.8. Для заданного вида связи
Кi
К u ОС = К и ; К i ОС = ;
1 + К i ⋅ Bi
Z
=
Z вх ОС = Z вых (1 +
К B вх ; Z вых ОС ⋅ ).
1 + К i ⋅ Bi
i i
Ек
Rг Rк
Сбл
Е Rн Rб1
Ср2
Ср1 Rб2 Rэ
Рис. 6.7. Представление каскада Рис. 6.8. Электрическая

с ОБ в виде каскада с ОЭ принципиальная схема
со 100 % ООС каскада с ОБ

6.2. Каскад с общей базой и общим затвором
Определим петлевое усиление, имея в виду, что Bi = 1 :
вх ⋅ R
UК R
К i ⋅ Bi = u
⋅ вх = К u ⋅ вх ,
Rн U вх Rн
Rн
тогда К u ОС= (β + 1) ;
Rвх
К u ⋅ Rвх К u ⋅ Rвх U вых ⋅ Rвх 1

=К i ОС = = = .
 н + Ru ⋅ вхU
Rвх  RК R ⋅ U + R ⋅ 1
н 1 +
RК 
вх н вых вх 1+

u
Rн  β
β
К i ОС = .
β +1
1τ
=τ = б′э
.
2πf Т β
Для входного сопротивления:
Z вх Z вх Z вх Z вх ОЭ
=
Z вх ОС = = = ;
1+βК i 1⋅ Bi 1+ К Rвх 1 + I вых +
u
Rн I вх
для полевого транзистора:
1
К u= S ⋅ Rн ; К i ОС = 1; Z вх = .
S
Иногда каскады ОБ используют в качестве входных при работе от низ-

коомного источника, но чаще в составе специализированных каскадов.
6.3. Каскодная схема. Составные транзисторы
Каскодная схема (секция ОЭ-ОБ) относится к схемам составных тран-

зисторов, в которой первый транзистор включен по схеме с ОЭ, а второй – по
схеме с ОБ.
Достоинства схемы.
1. Слабое влияние емкостей коллекторного перехода на работу каска-
да, так как первый транзистор нагружен на низкоомное сопротивление кас-
када с ОБ ( ≅ в β раз меньше, чем в схеме с ОЭ). Вследствие этого в данной
схеме входное сопротивление Rвх практически не зависит от сопротивления
нагрузки RН .

2. Частотные свойства секции
значительно лучше, по сравнению с VT2
каскадами ОЭ. Так, при оптимальных
условиях работы площадь секции VT1 Rк
может на порядок превышать пло-
(ОЭ)
щадь усиления каскада ОЭ. (ОБ)
3. В данной секции значительно
меньше уровень нелинейных искаже- Рис. 6.9. Каскодное
ний. соединение транзисторов
(секция ОЭ-ОБ)
Данная секция может использо-
ваться в выходных каскадах для по-
лучения высокого напряжения на на-
Ек
грузки. Так, транзистор VT2 (ОБ) мо-
Rк
жет быть относительно низкочастот- Rб1
Ср2
ным и высоковольтным, а транзистор Сбл
VT1 (ОЭ) наоборот. Rнд Снд
Рассмотрим усилительные и VT2
Rб2
частотные свойства секции.
Ср1 VT1
Rвх ОБ2 R Rэ0
(β1 + 1)
K= (β2 + 1) нд , Сэ0
Rвх ОЭ1 Rвх ОЭ2 Rб3
Rвх ОЭ2 Рис. 6.10. Принципиальная

Rвх ОБ2 = . электрическая схема каскодного
β2 + 1 усилителя (секция ОЭ-ОБ)
Rвх ОЭ2 (β2нд+ 1) R

Тогда K
= (β1 + 1) ,
Rвх ОЭ1 (β2 + 1) Rвх ОЭ2
Rнд
= (β1 + 1)
K .
Rвх ОЭ1
Частотные свойства секции определяются тремя постоянными времени:

1) каскада на транзисторе VT1 (ОЭ)
RГ + rб'б
τ1б'э= τ ;
RГ + rб'б + rб'э
2) каскада на транзисторе VT2 (ОБ)

1
τ2 = ;
2πf Τ 2
3) постоянной времени цепи нагрузки
τ н RС
= нд ( нд С+ н С+ б'к2 ).
Реально, необходимо учитывать постоянные времени каскада на VT1 и

цепи нагрузки. Суммарная постоянная времени определяется как:
τ = τ12 +τ 22 .
Хорошие частотные свойства сохраняются и при работе на низкоом-

ную нагрузку. Усилительные свойства секции, как уже отмечалось, такие же
как и в ОЭ, но U вых можно получить больше. Входные сопротивления секции
определяются входным сопротивлением первого каскада (ОЭ).
Коэффициент передачи тока:
β1 ⋅ β 2
β= .
(β 2 +1)
Рассмотрим другие разновидности схем на составных (композитных)

транзисторах (рис. 6.11, 6.12).
К К К К К
Б Б Б К
Б Б Б
Rб
Rб
Rэ Rб Rэ Э
Э Э Rэ Э
Э
Э Рис. 6.12. Составной
транзистор ОК-ОК
Рис. 6.11. Схемы составных транзисторов (схема Дарлингтона)

Под составным транзистором
понимают комбинацию из двух кас- К К
кадно включенных элементов при
непосредственной (гальванической)
связи между ними. Отметим (без Б
Б
анализа), что введение резисторов
(рис. 6.11) заметно снижает усили-
тельные свойства, уменьшает вход- Э Э
ное сопротивление ( Rб шунтирует К К
вход), но позволяет существенно Б Б
улучшить частотные свойства, а
значит, уменьшить время установ- Э
ления при работе в импульсном ре-
жиме. Рассмотрим схемы составных Рис. 6.13. Схемы составных
транзисторов: транзисторов ОЭ-ОК
1. Секции ОК-ОК. Известная
как схема Дарлингтона или сдвоенный коллекторный повторитель (рис. 6.12).
По сравнению с каскадом с ОК данная схема отличается более высоким
входным сопротивлением и коэффициентом передачи по току.
Rвх = Rвх1 + (β1 + 1) Rвх2 ,
β =β1 + (β1 + 1)β 2 .
2. Секции ОЭ-ОК (рис. 6.13). По сравнению с обычным каскадом в

схеме с ОЭ данная секция не вносит фазового сдвига: входное сопротивление
выше, а выходное – ниже по сравнению с одиночным транзистором в схеме
ОЭ, зато коэффициент усиления по току
=β β1 (β 2 + 1) .
6.4. Генераторы стабильного тока

Е
Генераторы стабильного тока (ГСТ) пред- П
ставляют собой нелинейный эквивалент высокоом- R1 I1 I
Iб1 Iб2
ного сопротивления и по своим свойствам прибли- VT2
жаются к идеальному источнику тока. В идеале
VT1
ГСТ должны обеспечивать постоянство выходного
Рис. 6.14. Схема генера-
тока даже при коротком замыкании цепи нагрузки. тора стабильного тока

ЕE
П ЕE
I1
I1 R
R11 I1
I1
II R1 VT2
R1 VT2 II
VT2
VT2
VT1
VT1 VT1
VT1
Rэ Rэ
Rэ
Rэ
Rдоп
Rдоп
а б
Rн
Rн EЕ
I1 R1
R1 II I1
I1
I1 II
Iб2
Iб2 VT1
VT1 R1 VT2
R1 VT2
Iк1
Iк1 Uбэ1
Iб'э1 I'
I' VT1
VT1
Iб1 Iб2
Iб1 Iб2
Rэ
Rэ
VT3 VT2
Rдоп
Rдоп
Uбэ1,2
Iб'э1,2
г
в
Рис. 6.15. Различные схемы реализации генераторов тока
Существует несколько видов ГСТ:

• «отражатели» тока (токовые зеркала), в которых ток, протекая в од-
ной ветви, точно воспроизводится в другой;
• источники ЭДС с большим внутренним сопротивлением, значитель-
но большим сопротивления нагрузки.
В качестве ГСТ может быть использована коллекторная цепь транзисто-
ра. Здесь большое выходное сопротивление и слабая зависимость I к от U к′э .
В зависимости от проводимости транзисторов ГСТ строятся по схемам
источников тока или потребителей тока (токоотводов), рис. 6.14.
В интегральном исполнении обычно используются токоотводы, так как
параметры интегральных n–p–n-транзисторов лучше по сравнению с пара-
метрами p–n–p-транзисторов.
Рассмотрим варианты реализации ГСТ.
В данной схеме (рис. 6.14):
Eк − U б′э1
I1 = ,
R1
I1к1= I б1+ I б2+ I 1=б1β I б1+ I б2+ I .

EЕ EЕ
R1
R1
Uоп
Uоп
VD1
VD1 U1
U1 U2
U2
VD2
VD2 Rэ1
Rэ1
Rэ2
Rэ2
а б
Рис. 6.16. Схемы стабилизации опорного напряжения
Ток в нагрузке (П) =

I I=
к1 β 2 I б2 .
Параметры транзисторов абсолютно одинаковы, поэтому
I1б1 I1 (β + 1)б2+ I
= ≅ 1.
I β 2б2
I
Отсюда название «токовые зеркала» δI = 3–5 % Rвых ≅ 1 МОм.

В данной схеме отношение токов определяется отношением эмиттер-
ных площадей (переходов) и не превышает значений 1–5. Для стабилизации
токов I низкого уровня в цепь эмиттера вводят резистор (рис. 6.15, а).
Для схемы (рис. 6.15, а):
ϕТ  I1 
Rэ = ln ,
I  I 
Rэ – резистор ООС, увеличивает Rвых ГСТ.

Для того чтобы одновременно увеличить выходное сопротивление ГСТ и не
уменьшать ток I , в цепь VT1 включают дополнительное сопротивление Rдоп
(рис. 6.15, б).
На рис. 6.15, в представлена схема ГСТ, в которой реализована ООС и
где ток I в нагрузке не зависит от параметров этой нагрузки.
В данной схеме:
=
I1к1 I б3+ I
I = I к2 = I б1 + I б2 − I б3
Данные токи не зависят от Rн и определяются U б′э1 , U б′э2 , U б′э3 .

Стабильность ГСТ также определяется стабильностью источника пита-
ния. Поэтому U пит ГСТ берут от источника опорного U оп (рис. 6.16, а, б).

Выводы
1. Эмиттерный и истоковый повторители используются для увеличе-

ния входного и уменьшения выходного сопротивлений усилителя.
2. Каскад с общей базой по сравнению с каскадом с общим эмиттером
обладает пониженным значением входного сопротивления и повышенным –
выходного. Используется в каскодных схемах. В качестве отдельного усили-
тельного каскада используется редко.
3. Составные транзисторы применяются для улучшения усилительных
и частотных свойств как отдельных каскадов, так и усилителя в целом.
4. Генераторы стабильного тока являются элементами интегральной
схемотехники и по своим свойствам приближаются к идеальному источнику
тока (ток в нагрузке остается неизменным при любом изменении нагрузки).

7. ШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ
7.1. Оптимальная коррекция
Для каждого усилительного элемента можно определить максималь-

ную площадь усиления
Пmax в= K 0 f .
Используя специальные виды каскадов (ОЭ-ОБ, ОЭ-КП), можно увели-

чить площадь усиления по сравнению с реостатным каскадом до 10 раз. Если
увеличения окажется недостаточно, то в схемы каскадов с хорошими частот-
ными свойствами вводят специальные элементы или цепи. Такие цепи назы-
вают «корректирующие». Введение в схему корректирующих цепей позволя-
ет расширить полосу пропускания в области НЧ (НЧ-коррекция) или в облас-
ти ВЧ (ВЧ-коррекция). При рассмотрении площади усиления можно опреде-
лить элементы, которые обеспечивают оптимальное (часто это максималь-
ное) значение площади усиления. Очевидно, в случае введения корректи-
рующих цепей или элементов, можно определить значения элементов, обес-
печивающих оптимальную АЧХ или ФЧХ.
Брауде предложил под оптимальной АЧХ считать, такую характери-
стику, которая при наибольшей f в не имеет подъемов, т. е. является макси-
мально плоской. Математически это означает, что при разложении в ряд
функции, описывающей АЧХ, будем иметь максимальное число нулевых
производных. Выражение для относительного коэффициента усиления мож-
но представить в виде отношения полиномов:
. а0 + jωа1 + ( jω) 2 а2 + ... + ( jω) m аm

Y= ,
b0 + jωb1 + ( jω) 2 b2 + ... + ( jω) n bn
или
. A1 + jB1 M (ω)
j
=Y = .
A2 + jB2 N (ω)
j
Коэффициенты аi , bi , входящие в выражение для относительного уси-

ления, определяются элементами схемы. Задавая вид АЧХ, можно опреде-
лить схемные элементы, формирующие эту АЧХ. Для универсальности мето-
да определения элементов схемы вводят нормировку.
1. Нормированная частота
ω
Ω= ,
ωв

1
где ωв = .
τв
2. Коэффициент усиления на частоте ω = 0
a0
K0 = .
b0
3. Переходят к модулю относительного усиления

. M (ω)
j
Y = ,
N (ω)
j
где M (ω)
j= j=
A12 + B12 ; N (ω) A2 + B2 .
В этих выражениях A1 и A2 содержат частоты ω , в четных степенях B1
и B2 – в нечетных. Для дальнейшего анализа Брауде рассматривал квадрат
относительного усиления
A12 + B12
Y = 2
2
.
A2 + B2 2
В этой функции содержатся только четные степени.

Рассмотрим АЧХ в области ВЧ.
При стремлении ω → 0 , Y → 1 . В этом случае a0 = b0 . Если теперь
2
разложить выражение для Y в окрестности некоторой точки (или частоты)

2
в ряд, то получим:
' "
Y (0) Y (0) 2
Y ( x) =Y (0) + x+ x + ...
2 2
1! 2!
Поскольку Y (0) = 1 , в случае если приравнять к нулю производные, то

2
получим в окрестности частот x характеристику, совпадающую с характери-

стикой на нулевой частоте, т. е. не имеющую частотных искажений и являю-
щуюся максимально плоской. Приравнивая к нулю n производных получаем
систему из n уравнений, решение которых позволяет определить n незави-
симых параметров схемы, формирующих АЧХ. Брауде доказал, что для фор-
мирования такой АЧХ достаточно приравнять коэффициенты при одинако-
вых степенях Ω 2
a1 = b1 ; a2 = b2 ; …; am = bm

Так, для получения оптимальной АЧХ в выражениях:
1 + а1Ω 2
Y = а1 = b1 ,
2
,
1 + b1Ω 2
1 + а1Ω 2 + а2Ω 4
Y = а1 = b1 ; а2 = b2 .
2
,
1 + b1Ω 2 + b2Ω 4
7.2. Простая параллельная коррекция
Простую параллельную коррекцию применяют в схемах на полевых

транзисторах, а также в выходных каскадах на биполярных транзисторах, ра-
ботающих на высокоомную нагрузку. В противном случае малое Rвх шунти-
рует L контура (рис. 7.1).
На ВЧ в схеме с такой коррекцией образуется параллельный контур
(рис. 7.2). За счет этого в области резонанса контура увеличивается сопро-
тивление нагрузки. Для данной цепи:
 L 
1 +ω j ( RC) нд  
R + jωL  Cнд R 2 
= Zн = R .
+ j RCнд( +ω) j 2 Cнд L
1ω  L 
1 +ω j ( RC ) нд(ω− RC ) нд 2  2 
 Cнд R 
Тогда
 L 
1 +ω j ( RC ) нд  
.
 Cнд R 2 
=K SZ = н SR .
 L 
1 +ω j ( RC) нд(ω− RC ) нд 
2
2 
 Cнд R 
LLкк
R
R33 R
С VT1
р1 VT1
Cp1 С
Cp2
р2
Rнд С
Rнд Cнд
нд
L Cнд
С
Cp3
р3
RR1
1 RR2
2

Рис. 7.1. Схема каскада цепи нагрузки при параллель-
с параллельной коррекцией ной коррекции

7.2. Простая параллельная коррекция
Введем нормировку:
L
K 0= S ⋅ R ; Ω =ωRСнд ; k = ,
Cнд R 2
k – коэффициент коррекции, равный Q 2 .

Тогда
K 1 + jΩk
Y
= = ,
K 0 1 + jΩ − Ω 2 k
1 + k 2ς 2
Y =
2
.
1 + (1 − 2k )ς 2 + k 2ς 4
По Брауде k 2 = 1 − 2k ; k = 0,414 .
Тогда выражение для оптимальной АЧХ по Брауде:
1 + 0,171ς 2
Y =
2
.
1 + 0,171ς 2 (1 + ς 2 )
Обычно при расчетах
k
= 0,8 − 0,9 .
kопт
Это условие вводится для того, чтобы при смене транзистора сохранить
характеристику АЧХ. Выигрыш в пло-
щади усиления при использовании Y
Пк
γк =
коррекции. = 1,72 при отсчете
П
по уровню 0,707 и Lкор = kCн Rн2 .
Для ФЧХ по методу Брауде:
Рис. 7.3. АЧХ усилителя

1 − k + 3k 2Ω при различных значения
ϕ=  kопт = 0,322 .
1 + Ω 2 (1 − k + k 2Ω 2 ) 2 коэффициента коррекции

7.3. Эмиттерная коррекция
Эмиттерная коррекция (ЭК) – основной вид коррекции в транзистор-

ных усилителях (рис. 7.4, 7.5).
ЭК позволяет:
1. Стабилизировать коэффициент усиления за счет ООС по току ( Rэ ).
2. Повысить входное сопротивление (добавляется Rэ (β + 1) , что
уменьшает габариты разделительного конденсатора на входе, блокировочных
конденсаторов в эмиттере и улучшает согласование с источником сигнала.
3. Получить выигрыш в площади усиления (соизмерим с выигрышем
при параллельной коррекции).
VT1
VT1
VT1
VT1
R∼
R~ Скор
Скор R'~
R'∼ С
Cкор
кор
С
Сбл1 Rэ0
Rэ0
RRдд бл1
Сбл2
Cбл2
а б
Рис. 7.4. Принципиальные схемы ЭК
Простейшая цепь коррекции отличается от цепи эмиттерного автосме-

щения только величинами Rэ и Скор . Емкость конденсатора берут такой, что-
бы его влияние сказывалось только в области частот, где необходимо осуще-
ствить коррекцию АЧХ. Влияние емкости Скор показано на рис. 7.5.
Анализ влияния эмиттерной коррекции на частотные характеристики
коэффициента передачи для схем, представленных на рис. 7.4, можно прово-
дить двумя способами. При анализе эмиттерной коррекции удобно рассмат-
ривать каскад с ОЭ с частотнозависимой ООС:
=
K (ω)
j K вх( ω)
j ⋅ K(н ω)
j β = K э ( jω) , К Скор = ∞
Kβ K ( jω) ⋅ K э ( jω) ,
= К > 4,14
Скор = 0
К0
K (ω)j K (ω)
j
где j = вх0
K вх (ω) ; j = н0
K н (ω) ;
+j в
1ωτ +j н
1ωτ 0 f
K 0э (ω)
j Рис. 7.5. АЧХ усилителя
j =
K э (ω) . в области НЧ при различных
+j э
1ωτ значениях Скор

7.4. НЧ-коррекция
Выше отмечалось, что развязывающий фильтр по питанию в цепи кол-

лектора (рис. 7.6) может выполнять роль элемента НЧ-коррекции. Рассмот-
рим принцип работы этой коррекции.
С понижением частоты сопротивление Cф увеличивается, следователь-
но, уменьшается степень шунтирования сопротивления Rф сопротивлением
конденсатора Cф . Это приводит к росту суммарного сопротивления нагрузки
каскада по переменному току Rн и, следовательно, к росту коэффициента
усиления. Так, на средних частотах Rн = Rк , а на частотах f → 0 ;
Rн → ( Rк + Rф ) .
Характеристики АЧХ получаются следующими (рис. 7.7).
Усиление на НЧ падает из-за наличия разделительных и блокировоч-
ных конденсаторов. При этом можно выбрать Cф таким образом, чтобы
скомпенсировать влияние на коэффициент усиления Cр и Cбл .
Эквивалентная схема выходной цепи представлена на рис. 7.8.
Пусть Rнд >> ( Rк + Rф ) ; τ=ф Сф ⋅ Rф ; τ=
р Ср ⋅ Rнд ,
тогда
 Rф 
 Rк +  ⋅ jωCр Rнд
+
1ω j C R
K =S
ф ф 
,
+ j Cр Rнд
1ω
2
 Rф 
 ⋅ω( τ рτ) +
2
+
1ωτ
4 2 2
ф р
 Rк 
Y =
2
.
+ 2τ( 2р τ+ ф2 ) ω
1ω + τ 4 τф2 р2
Rф Сф |Y|
Сф < Сфопт
Rк Ср 1
Сфопт
VT1
Rн Сф = ∞
0
Рис. 7.6. Цепь кол- Рис. 7.7. АЧХ в области
лектора с фильтром НЧ при различных
Rф, Сф значениях Сф

7.4. НЧ-коррекция
Приравнивая коэффициенты при ω2 , полу- С

Cpр
чим условие максимально гладкой АЧХ
в области НЧ: SS*Uвх
· Uвх Rк
Rк
Rнд
Rнд
Cф
2
 R  Cф
τ 2р ⋅ 1 + ф  = τ 2р + τф2 , Rф
Rф
 Rк 

Рис. 7.8. Эквивалентная
2 схема
 R 
τф =τ р ⋅ 1 + ф  − 1 ,
 Rк 

1ω+ τ2 э
Y =
2
.
+ b1 2 ω
1ω + b2 4 ω
+ b3 6
Для определения элементов коррекции, обеспечивающих оптимальную

АЧХ, необходимо приравнять τ э = b1 , отсюда получаются элементы коррек-
ции с учетом τ н , τ вх .
Выводы
1. Для построения широкополосных усилителей используют специ-

альные типы каскадов (ОЭ-ОБ, ОЭ-КП) с коррекцией, которые позволяют на
порядок увеличить площадь усиления по сравнению с простым реостатным
каскадом.
2. Специальные типы каскадов с коррекцией позволяют увеличить по-
лосу пропускания в области НЧ или ВЧ. В соответствии с этим коррекцию
подразделяют на НЧ и ВЧ, на простую и сложную. В основном используется
простая параллельная коррекция.
3. При простой параллельной коррекции в выходную цепь усилитель-
ного каскада включают индуктивность. Индуктивность совместно с емко-
стью нагрузки образует параллельный колебательный контур, что приводит к
росту сопротивления нагрузки и подъему АЧХ в области верхних частот.
Простая параллельная коррекция индуктивностью используется в ламповых
каскадах и каскадах на полевых транзисторах.
Основной вид коррекции в усилительных каскадах на транзисторах –
коррекция эмиттерной противосвязью. Выигрыш в площади усиления при-
мерно такой же, как и в случае простой параллельной коррекции.

8. ИМПУЛЬСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ
8.1. Особенности расчета
При расчетах импульсных усилителей основные трудности возникают

при решении задач по устранению линейных искажений, так как в данных
усилителях важно сохранить форму сигнала. В отличие от усилителей гармо-
нических сигналов, где используют спектральные методы анализа, в им-
пульсных усилителях применяют переходные характеристики.
Переходная характеристика – отклик цепи на единичное ступенчатое
напряжение на входе.
Если пронормировать переходную характеристику относительно коэф-
фициента усиления K 0 , то можно записать:
1 U вых (t )
h(=
t) ⋅ ,
K 0вх U (t )
0, t < 0
где U вх (t ) =  .
1, t ≥ 0
При этом по запаздыванию выходного сигнала и выбросу определяют
искажения фронтов сигнала (в TV это приводит к размытости границ между
различными градациями яркости). Искажения вершины импульса влияют на
яркость изображения.
К недостаткам временного метода следует отнести сравнительную
сложность используемого математического аппарата и трудности экспери-
ментального изучения переходных процессов (переходных характеристик) с
малым значением постоянной времени.
Даже при одном элементе коррекции с учетом паразитных элементов
цепи приходится решать интегродифференциальные уравнения высокой сте-
пени. В этом отношении спектральный метод значительно проще.
Uвх
Uвх
1 1
0 t
0 t
Рис. 8.1. Единичный Рис. 8.2. Переходная
скачок на входе характеристика усили-
усилительного каскада тельного каскада

Во многом упростить расчет переходных характеристик позволяет опе-
рационное исчисление на основе преобразования Лапласа:
∞
f ( p ) = ∫ f (t )e − pt dt ,
0
где f ( p ) – изображение f (t ) ; f (t ) – оригинал; p= σ + jω – комплексная

частота.
Такое преобразование позволяет от интегродифференциальных урав-
нений перейти к алгебраическим уравнениям.
Найдем переходную характеристику в операторной форме:
∞
∫U вых (t )e − pt dt
K ( p) = 0
∞
.
∫U
0
вх (t )e − pt dt
Входной сигнал в операторной форме имеет вид

∞
1
U вх=
( p) ∫=
0
e − pt
p
,
тогда
∞
K ( p ) = p ∫ U вых (t )e − pt dt .
0
В этом выражении
∞
∫U
0
вых (t )e − pt dt = h(t ) ,
тогда
K ( p )= p ⋅ h( p )
или, используя общее выражение для переходной характеристики, получим:
1 K ( p)
h( =
p) ⋅ .
K0 p
Таким образом, определение переходной характеристики h( p ) сводится к

замене (ω)
j n на p n . В общем случае выражение для ненормированной пере-
ходной характеристики имеет вид

а0 + а1 p + а2 p 2 + ... + аm p m M ( p )
=h( p ) = ; m<n.
b0 + b1 p + b2 p 2 + ... + bn p n N ( p)
Переход от изображения к оригиналу проводят разложением на про-

стые дроби и определением оригинала h(t ) по таблицам. Характер переход-
ных процессов, а значит и переходной характеристики, определяют корни
характеристического уравнения:
N ( p) = 0 .
Корни характеристического уравнения обусловливают вид переходной ха-

рактеристики и могут быть:
1. Действительные различные – процесс апериодический, монотонный.
2. Действительные кратные – процесс апериодический, монотонный.
3. Комплексно-сопряженные – процесс колебательный, затухающий.
Случай действительных различных корней приводит к более длитель-
ному переходному процессу по времени установления t уст . При комплексно-
сопряженных корнях на переходной характеристике присутствуют выбросы.
Причем рост выбросов обычно приводит к сокращению времени установле-
ния, т. е. уменьшаются искажения в области малых времен, но растут в об-
ласти больших времен.
Таким образом, при анализе усилительных схем во временной области
необходимо найти корни характеристического уравнения и затем определить
вид переходной характеристики, причем рассмотрение необходимо произво-
дить отдельно для области малых и больших времен.
8.2. Определение оптимальных параметров

усилительных схем в области малых времен
Это наиболее сложный вопрос в проектировании усилительных уст-

ройств. В импульсных усилителях наилучшими параметрами считаются те,
которые обеспечивают наименьшее искажение формы усиливаемых сигналов.
Важную роль в импульсных усилителях играет критический выброс –
это такой выброс, величина которого не меняется при увеличении числа кас-
кадов усилителя. Чем больше критический выброс, тем медленнее увеличи-
вается t уст при увеличении числа каскадов.
Таким образом, общее правило для переходной характеристики такое:
получить наименьшую длительность фронта, больший критический выброс и
наибольшее затухание колебаний переходной характеристики.
Если в схеме реализована одна цепь коррекции, то перечисленные па-
раметры переходной характеристики зависят только от одного коэффициента
коррекции, при определенном значении которого выброс оказывается крити-

8.2. Определение оптимальных параметров усилительных схем в области малых времен
ческим. В этом случае достаточно просто определить влияние коэффициента
на переходную характеристику и выбрать его оптимальное значение.
При наличии нескольких коэффициентов коррекции, т. е. когда
N ( p ) = 0 превышает 2, задача усложняется и случайным перебором этих ко-
эффициентов ее решить обычно не удается. Целесообразно в этом случае ис-
пользовать метод оптимального проектирования.
Отметим особенности колебательного режима:
переходная характеристика содержит затухающие синусоидальные со-
ставляющие.
переход от случая равных вещественных корней (критический режим)
к комплексно-сопряженным корням, соответствующим колебательному ре-
жиму, позволяет уменьшить t уст на 10–15 %. Но появляется выброс в 1–3 %.
8.3. Переходная характеристика многокаскадного усилителя
Переходная характеристика – это реакция системы на единичный ска-

чок напряжения на входе.
При этом на вход второго и последующих каскадов подается сигнал,
отличный от единичного скачка. Поэтому приходится определять отклик по-
следующих каскадов на сигнал сложной формы. Прямое решение задачи
возможно с помощью интеграла Дюамеля:
t
U вых (t )τ) ∫(e( τ)
= h tτ− d .
0
Uвх2 (t) = h1(t)

Uвх1(t)
1 1
0 t 0 t
h1(t) h2(t)
Рис. 8.3. Испытательный импульс на входе первого и второго каскада усилителя

8.3. Переходная характеристика многокаскадного усилителя
h1(t)
h1(t)
а4
а3
а2
а1
0 t1 τ t2 t3 t4 t 0 t1 t2 t3 t
Рис. 8.4. Ступенчатая аппрок- Рис. 8.5. Кусочно-линейная

симация переходной характе- аппроксимация переходной
ристики усилителя характеристики усилителя
Однако на практике для расчета переходных характеристик используют

три основных метода:
1. Метод ступенчатой аппроксимации.
По этому методу переходную характеристику представляют в виде со-
вокупности ступеней. А сигнал на выходе получается как сумма сигналов от
отдельных ступеней (на основе принципа суперпозиции) с учетом временно-
го сдвига.
2. Метод кусочно-линейной аппроксимации.
3. Метод приближенных вычислений по известным частотным и фазо-
вым характеристикам.
При этом если выброс S ≤ 3–4 %, то
t уст = 2
t y1 + t y2
2
+ ... .
Время установления t yi целесообразно выбирать одинаковым для различных

каскадов
tз = tз1 + tз2 + tз3 + ...
Выброс определится выражением
δ= S12 + S22 + ... , ∆= ∑∆ i .
8.4. Реостатный каскад на полевом транзисторе
Выражение для относительного усиления данного каскада в комплекс-

ной форме имеет вид (случай без коррекции)
. 1
Y= ,
+j в
1ωτ
где=
τ в RН экв ⋅ Cн .

Отсюда можно получить изображение переходной характеристики
1
h( p ) = .
p (1τ+ )p в
Оригинал переходной характеристики

t
−
τв
h(t ) = 1 − e .
Определим время установления:

t
−
τв
0,1= 1 − e ,
отсюда τ1в=− τ ⋅ ln 0,9 ; τ1в= 0,105τ ; τ 2в =− τ ⋅ ln 0,1 ; τ 2в = 2,302τ .

Окончательно получаем:
τ уст = τ 2 − τ1 = (2,302 − 0,105) ⋅ τ в  2,2τ в .
Для каскада с простой параллельной коррекцией выражение для отно-

сительного усиления имеет вид
. + jτ k в
1ω
Y= ,
+ j (в +ω) j τ 2 k
1ωτ 2
в
откуда h(t)
k = 0,25 : 1,43
1τ+ pk в k > 0,25
h( p ) = . k = 0,35 : 1,68
1τ+ p в + τp 2 k 2
в
1
Характеристическое уравнение 0,9

k < 0,25
второй степени p kτ в + pτ в + 1 =
2 2
0 k = 0,25
имеет корни: 0,1
Рис. 8.6. Переходная характеристика

−1 ± (1 − 4k ) при различных значениях коэффициента
p1,2 = .
2τk в коррекции К
Анализ корней показывает:
при k < 0,25 – корни действительные и различные.
при k = 0,25 – корни действительные кратные (критический режим).
при k > 0,25 – корни комплексно-сопряженные (колебательный режим).
При k < 0,25

t t
− −
h(t ) =
1 − A1e t1
− A2e t2
,
при k = 0,25
 t  −2
t
h(t ) =1 − 1 +  e τв ,
 τв 
при k > 0,25
t
−
τв
1 −ωAe ψ).⋅ sin( t −
h(t ) =
Если сравнить время установления переходной характеристики коррек-

тированного каскада с временем установления некорректированного каскада,
то окажется, что
t
при k = 0,25 уст = 1,54 , выигрыш – 1,43,
τв
t
при k = 0,35 (что соответствует критическому выбросу) уст = 1,308 ,
τв
выигрыш – 1,68.
Для комплексного относительного коэффициента усиления можно записать:

. 1
j =
Y (ω) ,
+ j ) вх(1 ⋅ ωτ
(1ωτ + j) н
где τ в – постоянная времени транзистора на верхних частотах; τ н – постоян-

ная времени цепи нагрузки,= τ н RН экв ⋅ Cн ,=
τ вх RГ экв ⋅ C0 .
Для изображения переходной характеристики получим:
1
h( p ) = .
p (1τ+ p) вх(1 ⋅ τ+ )p н
Характеристическое уравнение имеет три корня. Корни действительные,
различные. Оригинал переходной характеристики
t t
τ вх − τн −
h(t ) =
1− ⋅ e τвх − ⋅ e τн ,
τ вх − τ н τ н − τ вх

т. е. переходная характеристика имеет монотонный характер и определяется
двумя постоянными времени τ вх и τ н .
Время установления для данного случая определится выражением:
τ уст = 2,2 ⋅ τ н2 + τ вх
2
.
Для корректированного каскада на биполярном транзисторе, когда не

производится пересчет емкости либо во входную цепь, либо в нагрузку, об-
щее выражение для комплексного относительного усиления имеет вид
. 1ω+ jа 1
Y= .
+ j b(1 +ω) j 2 b(2 +ω) j
1ω 3
b3
Тогда
1 + pа1
h( p ) = .
p (1 + pb1 + p 2b2 + p 3b3 )
Вид характеристического уравнения:
N ( p ) = p 3b3 + p 2b2 + pb1 + 1 .
Для физически реализуемой системы данное уравнение должно иметь

три корня: один – обязательно действительный, а два других – действитель-
ные или комплексно-сопряженные:
p1 = −c; p2 = −d ; p =−d + jω′;

либо 2
p3 = −e; p3 =−e − jω′.
Тогда различные варианты корней приводят к различному протеканию

переходного процесса. Так, при действительных корнях N ( p ) = 0 :
1 − ( A1e − p1t + A2e − p2t + A3e − p3t ) ,

h(t ) =
т. е. процесс монотонный и фактически определяется постоянными времени

цепи нагрузки. При одинаковых корнях получаем критический режим. При
комплексно-сопряженных корнях переходная характеристика носит колеба-
тельный характер и описывается выражением
h(t ) = 1 −ωA1e − p1t) + A2e −α t ⋅ sin( ′t + ϕ .
Если вид и номиналы цепи известны, то можно определить h(t ) . Если необ-
ходимо рассчитать элементы цепи коррекции, задаются случаем комплексно-
сопряженных корней и ищут, исходя из ТЗ, решение.

Различные расчеты показывают, что в качестве начального приближе-
ния для поиска необходимого коэффициента коррекции можно выбрать kопт
для АЧХ, уменьшенное на 10–20 %.
kопт = kАЧХ ⋅ (0,1 − 0,2)
и в этой окрестности искать оптимальное решение.
8.6. Каскад с коррекцией в области больших времен
В реостатном каскаде элементы фильтра по питанию Rф , Cф могут ис-

пользоваться в качестве элементов низкочастотной коррекции, т. е. коррек-
ции в области больших времен. Определим вид переходной характеристики
h(t ) в области больших времен и оценим влияние элементов фильтра.
Для некорректированного каскада при работе на высокоомную нагруз-
ку выражение для Y имеет вид
jωCpнд
R
Y = ,
+ j Cpнд
1ω R
что дает
pCpнд
R
h( p ) = ,
p (1 + pCpнд
R )
отсюда
t
−
h(t ) = 1 − e
Cpнд
R
,
т. е. характеристика имеет монотонный характер. Определим спад вершины

∆ на интервале T :
T
−
∆ p = 1 − h(T ) = 1 − e
Cpнд
R
.
Если ввести коррекцию, то выражение для Y примет вид
  R 
R 1 + ф   + ( jω) 2 C
jω Cpнд ф ф RC R
p нд
  R к 
Y = .
(1ω + j Cф)(1
Rф ω + j Cp R ) нд
Тогда изображение переходной характеристики

  R 
R  1 + ф   + p 2C
p Cpнд ф фRC R
p нд
 R 
h( p ) =  
к
.
(1 + pCф Rф )(1 + pCp Rнд )
Здесь два корня и оба действительные и отрицательные, т. е. процесс зату-
хающий:
1 1
p1 = − ; p2 = − .
Cф Rф Cpнд
R
Выражение для оригинала переходной характеристики имеет вид
t t
− −
h(t ) =
1 − A1e − A2e
Cф Rф Cр Rнд
,
где
Rф 1
A1р=
нд ⋅ C R ⋅ ,
Rк Cф Rф − Cр Rнд
h(t)
  R   1 Cр = const
A2р нд C R 1 + фф −ф C R  ⋅
= Rнд = const
  Rк   Cф Rф − Cр Rнд
.
Cф = 0
В области больших времен целесо-
образно в качестве оптимальной пере-
ходной характеристики выбрать такую, Cф = ∞
которая не имеет ни положительного,
0
ни отрицательного спада вершины, т. е. t
максимально-плоскую переходную ха- Рис. 8.7. Переходная характеристика
рактеристику. При разложении в ряд усилительного каскада в области
Тейлора или Лорана такая переходная больших времен при различных
значениях Сф
характеристика должна иметь равными
нулю максимальное число производ-
ных. Причем число приравненных нулю производных определяется поряд-
ком цепи, т. е. числом элементов коррекции, так как остальные элементы це-
пи остаются постоянными, т. е.
h(t ) =h(0) + h' (0)t + h'' (0)t 2 + h''' (0)t 3 + ... ,
здесь h(0) = 1, а первая производная
Cpнд
R  1 1  фR  C R 
ф ф
=
h (0) '
⋅ + ⋅  1 + − .
Cф Rф − Cp Rнд  Cф Rк Cp Rнд  Rк  Cp Rнд  
Приравнивая ее к нулю, запишем условие коррекции:

Cpнд
R R R C R 
1 ф − ф ⋅ ф ф ,
=+
Cф Rф Rк Rк  Cp Rнд 
отсюда
Cф Rк = Cp Rнд .
Для спада вершины выражение имеет вид

2
R  T 
∆ кор = к ⋅ и  .
Rф C R 
 p нд 
Тогда выигрыш по спаду вершины по сравнению с простым реостатным

каскадом:
∆р R 1
γ=
к = ф⋅ .
∆ кор Rк ∆ р
Отсюда видно, что выигрыш существенно зависит от значения сопро-

тивления фильтра. Значительно увеличить выигрыш можно, используя дина-
мическую нагрузку.
Выводы
1. При анализе и проектировании импульсных усилителей основным

методом является временной метод, основанный на изучении переходной ха-
рактеристики.
2. Различным корням характеристического уравнения N ( p ) = 0 соот-
ветствует монотонный или колебательный переходный процесс. Наимень-
шая длительность фронта свойственна колебательному переходному процес-
су (корни комплексно-сопряженные). Однако в этом случае на переходной
характеристике имеется выброс. Наибольшее t уст свойственно случаю дейст-
вительных различных корней. Случай действительных кратных корней (кри-
тический режим) занимает промежуточное положение по t уст .
3. В случае многокаскадного усилителя важным параметром является
критический выброс, т. е. такой, который не изменяется с ростом числа кас-
кадов. При этом анализ таких усилителей можно проводить на основе инте-
грала Дюамеля.
4. Добавление к реостатному каскаду элементов коррекции позволяет
перейти от монотонного переходного процесса к колебательному и критиче-
скому. Это позволяет искать оптимальную переходную характеристику в об-

Выводы
ласти трех вариантов значений корней характеристического уравнения. Вы-
игрыш по времени установления при использовании корректированных кас-
кадов при критическом выбросе (колебательная переходная характеристика)
составляет примерно 1,7.
5. В области больших времен коррекция спада вершины достигается
выбором элементов фильтра в коллекторной цепи Rф , Cф . Оптимальной пе-
реходной характеристикой считается максимально-плоская. Выигрыш в ве-
R
личине выброса определяется соотношением ф ; чем больше отношение,
Rк
тем меньше выброс в корректированном каскаде.

9. ОКОНЕЧНЫЕ КАСКАДЫ
9.1. Особенности оконченных каскадов
Одной из особенностей оконечных каскадов является высокий уровень

выходного сигнала. Для активной и активно-емкостной нагрузки этот уро-
вень выражается номинальной выходной мощностью. В этом случае речь
ведут об усилителе мощности. При работе на реактивную нагрузку (чаще
всего это емкость) – об усилителе напряжения.
Учет высокого уровня выходного сигнала – одно из требований дости-
жение высокого КПД при заданном уровне нелинейных искажений. При этом
коэффициент усиления оконечных каскадов может быть меньше, чем у про-
межуточных каскадов, и для них важны: выбор режима усилительного эле-
мента, напряжения питания, сопротивлений нагрузки. Как правило, графиче-
ские методы дают в этом случае большую точность по сравнению с аналити-
ческим, поскольку линейные модели транзисторов перестают работать, а па-
раметры транзисторов зависят от тока. Оконечные каскады могут строится
по одно- и двухтактной схемам (содержат четное число усилительных эле-
ментов). При этом в зависимости от элемента связи с нагрузкой различают
трансформаторные, дроссельные и резистивные каскады.
9.2. Однотактный трансформаторный каскад
Функциональная схема выходной цепи представлена на рис. 9.1. В этой

схеме элементом связи является трансформатор. Поскольку в большинстве
случаев нагрузка оконечного каскада не совпадает с оптимальной, то
форматор позволяет согласовывать выходное сопротивление усилительного
элемента и сопротивления нагрузки. Это осуществляется выбором
циента трансформации:
=
n
N 2н
=
R
. Eг
Ег R'н
R'н
N1вых. каскада
R
N
N11 N2
N2
VT1
Учитывая, что сопротивление
вичной обмотки постоянному току очень
незначительно, можно считать напряжение
Рис. 9.1. Функциональная
на коллекторе равным напряжению пита- схема трансформаторного
ния, что приводит к росту КПД каскада. каскада

Рассмотрим работу
Iк
да, используя семейство выход-
ных статических характеристик Iк max
и нагрузочные прямые.
Для сопротивления нагруз-
ки по переменному току можно I0
записать
Iк min
r +r R
=
Rí  1 2 2 + 2í ,
n n 0 Uкэ
Uкэ min
где r1 , r2 – сопротивления пер-
вичной и вторичной обмоток со-
Uкэ max
ответственно.
В каскаде с трансформа-
торным выходом нагрузочная
прямая по постоянному току Рис. 9.2. Графическое представление
работы усилительного каскада
проходит гораздо круче из-за то- в режиме «А»
го, что сопротивление постоян-
ному току гораздо меньше, чем сопротивление переменному. Из графиков
(рис. 9.2) видно, что амплитуда коллекторного тока iкm всегда меньше тока
покоя I 0 , а амплитуда U кm меньше напряжения питания (можно считать
U 0 ≅ Eï ). Отсюда следует, что коэффициенты использования напряжения и
тока всегда меньше единицы:
Uк iк
ξ u = m < 1; ξ i =m < 1.
Eп I0
Мощность в цепи нагрузки определяется выражением
1
Pн = ⋅ U кm ⋅ I кm .
2
Потребляемая от источника мощность определяется выражением
P0п≅ E0 ⋅ I =
const .
КПД схемы определяется как отношение Pí / P0 :
Pн 1ξ Uξ кm i ⋅ u
η= = ⋅ = < 0,5,
P0п 20 E ⋅ I 2
т. е. КПД схемы всегда меньше 50 %.
Точку покоя трансформаторного каскада можно выбрать из соотношений:

U кдоп Pк max
=Ua = ; I0 .
1+ξ н U0
Коэффициент усиления каскада определяется выражением:
β Rн
=
K ⋅ .
n rб'б + rб'э
2
В заключение отметим, что из-за особенностей трансформатора верх-

няя и нижняя граничные частоты жестко связаны между собой, в отличие от
реостатного каскада, поэтому, изменяя одну частоту, обязательно изменяют
другую. АЧХ трансформаторного каскада хуже, чем резистивного.
9.3. Эмиттерный повторитель как усилитель мощности
1
Коэффициент усиления по току ЭП больше единицы, K i= ⋅ β, поэтому
2
ЭП является усилителем мощности.
Рассмотрим основные энергетические соотношения данной схемы. Ес-
ли не считать, что в выходном сигнале отсутствует постоянная составляю-
щая, то максимальная амплитуда U âû õ определяется выражением:
Rн
= Eп ⋅
U вых max .
Rн + Rэ
Полезная мощность в нагрузке в этом случае равна:
2
1 U вых Eп 2 ⋅ Rн
Pн max = ⋅ max
= .
2 Rн 2 ⋅ ( Rэ + Rн ) 2
А максимальное значение мощности в нагрузке получится при выпол-
нении условия:
dPн
=0 → Rн =Rэ ,
dRн
тогда
Eп 2 ⋅ Rэ Eп 2 ⋅ Rэ Eп 2
= Pн max = = ,
2 ⋅ ( Rэ + Rэ ) 2 8 ⋅ Rэ 2 8 ⋅ Rэ
Eп 2
Pн max = .
8 ⋅ Rэ
В общем случае при гармоническом выходном сигнале мощность в на-
грузке определяется соотношением:
1 Ua2
Pн= ⋅ .
2 Rн

9.3. Эмиттерный повторитель как усилитель мощности
Мощность, рассеиваемая на транзисторе,
Eп 2 1 U a 2 1 U a 2
Pт= − ⋅ − ⋅ .
Rэ 2 Rн 2 Rэ
Мощность максимальна при отсутствии входного сигнала U a = 0 .
На эмиттерном сопротивлении рассеивается мощность:
Eï 2 1 U a 2
PRý= + ⋅ .
Rý 2 Rý
Суммарная потребляемая мощность от источника питания определяется
выражением:
Eп 2 1 U a 2 1 U a 2 Eп 2 1  1 1 
PΣ = PRэ + Rн + Pт = + ⋅ + ⋅ + − ⋅U a2  +  ,
Rэ 2 Rэ 2 Rн Rэ 2  Rн Rэ 
2 ⋅ Eп 2
PΣ = .
Rэ
Потребляемая мощность от источника питания не зависит от амплиту-
ды входного сигнала.
КПД данной схемы:
Pн 1 U a 2 Rэ
η = =⋅ ⋅ .
PΣ 2 Rн 2 ⋅ Eп 2
Eп 2
Если использовать выражение для Pн max = , то получим:
8 ⋅ Rэ
Eп 2 Rэ 1
η= ⋅ == 6,25 % .
8 ⋅ Rэ 2 ⋅ Eп 16
2
– это максимально возможный КПД.

Таким образом, для всех схем, работающих в классе «А», характерным
является очень низкий КПД, даже в режиме молчания, когда входной сигнал
отсутствует.
9.4. Двухтактные усилительные каскады
Двухтактный усилительный каскад содержит два усилительных эле-

мента, работающих поочередно со сдвигом во времени на половину периода
(рис. 9.3). Основным достоинством двухтактной схемы является возможность
использования экономичного режима «B». Если двухтактный каскад реали-
зован на транзисторах одинакового типа проводимости, то его возбуждение
осуществляется фазоинверсными каскадами.
Простейший вариант схемы выходного каскада – транзисторный каскад
с заземленной средней точкой трансформатора.
Фазоинверсный каскад с разделенной нагрузкой (рис. 9.4).

В данном варианте две одинаковые внешние нагрузки подключают к
эмиттеру и коллектору:
=Rнк R=
к || Rдоп ; Rнэ Rэ || Rдоп .
Тогда для коэффициента усиления коллекторной и эмиттерной цепей

β ⋅ Rнк
Kк = .;
rб'б + rб'э + Rнэ ⋅ (β + 1)
β ⋅ Rнэ
Kэ = .
rб'б + rб'э + Rнэ ⋅ (β + 1)
R Rк Cр
Rдоп
C
Cр2 R
доп
R Rэ
Рис. 9.3. Условное обозначение

двухтактного усилительного Рис. 9.4. Фазоинверсный каскад
каскада с раздельной нагрузкой
В рассматриваемой схеме коэффициенты усиления каждого плеча не

превышают 1.
Недостатки схемы: низкое усиление, низкий уровень выходного на-

пряжения, большое различие выходных сопротивлений плеч. Для устранения
последнего недостатка используют добавочный резистор Räî á .
Достоинства: простота схемы, низкая стоимость, хорошие характери-
стики на ВЧ из-за обратной связи, малый коэффициент гармоник, хорошая
термостабильность, высокое входное сопротивление.
Фазоинвертор с эмиттерной связью (рис. 9.5).
Используются два усилительных элемента: T1 включен с ОЭ, T2 через
Cбл включен с ОБ. На T2 сигнал подается с сопротивления связи Rэс . По-
скольку T1 включен с ОЭ, то он переворачивает фазу сигнала. Если ввести

U вх1 I вых1
ν
коэффициент асимметрии = −=
1 − 1, то на основе законов Кирх-
U вх 2 I вых 2
гофа можно показать, что для заданного значения ν выбор Rэс должен осу-
ществляться по формуле
1
Rэс = ,
ν ⋅S
где S – крутизна транзистора.
Режим работы «B». Режим работы класса «B» характеризуется тем,

что усилительный элемент работает с отсечкой тока, т. е. ток в выходной це-
пи протекает только в течение половины периода входного колебания
(рис. 9.6).
iк1
t
Еп iк2
R R R t
R
Сбл
Т1 iн
Т2 t
Uвх1
Rэс
R U R iпит
вх2
t
Рис. 9.6. Диаграммы работы

Рис. 9.5. Принципиальная электрическая выходного каскада усилителя
схема фазоинвертора в режиме «В»
При разложении в ряд получаем следующее выражение для пульси-

рующего тока коллектора
i i 2 ⋅ i к max 2 ⋅ i к max
iк =к max + к max ⋅ cosω t + ⋅ cos 2ω t − ⋅ cos 4ω t + ...
π 2 1⋅ 3 ⋅ π 3⋅5⋅ π
В данном токе наряду с гармоникой основной частоты содержится постоян-
ная составляющая
i
I 0 = к max
π
и четные гармоники. В частности уровень второй гармоники составляет
42,5 %, четвертой – 8,5 % от уровня основной гармоники. При отсутствии
входного сигнала мощность от источника питания не потребляется I 0 = 0 .

При работе в двухтактной схеме ток второго транзистора изменяется со
сдвигом фазы, равным 180°. Диаграммы работы каскада показаны на рис. 9.6.
Для получения сигнала, соответствующего входному сигналу, токи в
нагрузке от первого и второго транзистора вычитаются i=
н iк1 − iк2 .
В этом случае от источника питания потребляется ток i= п iк1 + iк2 , со-
2
держащий постоянную составляющую 2 ⋅ I 0к= max ⋅ i .
π
Мощность, потребляемую от источника питания за период, можно най-
ти по формуле
2
P0 = 2 ⋅ I 0 ⋅0E0 = ⋅ i
к max ⋅E .
π
Амплитуда сигнала в нагрузке, или амплитуда коллекторного напряже-
ния, может быть определена следующим образом:
U=
с Rн ⋅ iк max .
Тогда мощность в нагрузке за период
U a ⋅ iк max Rн ⋅ iк2 max

=Pн = .
2 2
Отсюда КПД схемы получается следующим:
Pн U ⋅i π π
η= = a к max ⋅ = ⋅ ξ н ,
P0 к max2 ⋅ E0 ⋅ i 2 4
Uн
где ξ = .
E0
iн iк
Uб
Uб0
Рис. 9.7. Искажения сигнала на выходе усилителя вида «центральная отсечка»
Тогда предельное значение η = 78,5 % . Реально ξ н = 0,9 и η = 70 % .

Характерной особенностью режима «B» являются искажения типа
«центральная отсечка», возникающие из-за нелинейности характеристики
iк (ИТ) (рис. 9.7).
Обычно используется промежуточный режим «AB»
I 0к= max(0,05 − 0,2) ⋅ I .
9.5. Двухтактный трансформаторный каскад
Важнейшей характеристикой усилителя мощности является коэффициент

полезного действия (КПД). Достичь высокого КПД возможно в усилителях
мощности, построенных на двухтактных трансформаторных каскадах. Принци-
пиальная электрическая схема такого каскада представлена на рис. 9.8. Данная
схема обеспечивает экономичный режим усиления знакопеременного сигнала
при незначительных потерях энергии от источника питания в режиме покоя.
По определению КПД (η) – это отношение мощности сигнала в нагруз-
ке (Ρн) к мощности, потребляемой от источника питания (Ρип) за определен-
ный промежуток времени (tk = t2 – t1)
t
1 2
t2 − t1 ∫t1
U н (t )iн (t )dt
Pн
η
= = t
,
Pип 1 2
t2 − t1 t∫
Eип (t )iип (t )dt
1
где Uн(t), iн(t) – напряжение и ток усиливаемого сигнала соответственно;

Eип (t) и Iип (t) – напряжение и ток, потребляемый каскадом от источника пи-
тания, соответственно.
Rб1 Еп
VT1
Rэ1
Rб2
Rн
Rэ2
VT2
Рис. 9.8. Электрическая принципиальная схема

двухтактного трансформаторного каскада

9.5. Двухтактный трансформаторный каскад
В общем случае КПД зависит от формы сигнала, поэтому принято оп-
ределять предельное значение КПД линейных усилителей мощности в режи-
ме усиления гармонического сигнала.
Тогда, полагая, что Eип = const, получаем
T
1
T0∫ U н cosω t ⋅ iн cos(ω t + ϕ) dt U нiн cos ϕ
2
=η = T 0
,
1 2 Eипiип
2 Eип ⋅ ∫ iип (t )dt
T0
где T – период гармонического сигнала; iип

0
– постоянная составляющая тока
источника питания.
При чисто активной нагрузке ϕ =0 имеем:
U нiн
η= 0
.
4 Eипiип
Минимальное значение КПД соответствует величине фазового сдвига

между током и напряжением в нагрузке, равном 90° (φ = 90°).
9.6. Бестрансформаторные каскады усилителей
Различают:
1) схемы с параллельным возбуждением однофазным напряжением;
2) схемы с последовательным возбуждением однофазным напряжением;
3) схемы с параллельным возбуждением двухфазным напряжением.
Двухтактный каскад на основе эмиттерного повторителя. Схема
каскада ЭП имеет вид, представленный на рис. 9.9.
Следует отметить, что простейшие выходные каскады строятся на базе
двухтактных эмиттерных повторителей, работающих в режимах «A», «АВ», «В».

+Еп
Т1
Rн R1
Rн
Uвх
Т2 R2
–Еп
Рис. 9.9. Двухтактный Рис. 9.10. Двухтактный

каскад на эмиттерных каскад с коррекцией
повторителях по току
Для обеспечения заданной мощности в нагрузке выходного каскада
предварительный усилитель должен обладать очень большим усилением. Вся
система охватывается глубокой ООС, что позволяет реализовать режим «В»
с малым уровнем нелинейных искажений.
Вернемся к рассматриваемой схеме.
При положительной амплитуде входного сигнала работает верхний
транзистор T1 , а T2 закрыт. При отрицательной – Т2 открыт, Т1 закрыт. При
отсутствии входного сигнала оба транзистора закрыты и ток покоя практиче-
ски равен нулю.
Особенность схемы по сравнению с однотактным ЭП: ток в нагрузке
равен току, потребляемому от источника питания, амплитуда выходного на-
пряжения может достигать значения Eï . Этим достигается высокий КПД.
Для данной схемы мощность находим из выражения
1
Pн = ⋅ I a 2 ⋅ Rн .
2
При заданной нагрузке КПД определяется предельным током и максималь-
ной мощностью рассеивания транзисто-
ра.
Схема для режима «АВ» имеет вид
(рис. 9.11). Для реализации этого режима
Т1 необходимо между базой и эмиттером
каждого транзистора включить источник
U п = 0,6–0,7 В. Резисторы используются
для дополнительной термостабилизации
режима, реализуя ОС по току.
Поскольку R1 , R2 включены после-
довательно с нагрузкой, то на них теряет-
ся часть мощности, поэтому их величина
должна быть гораздо меньше Rн .
Рис. 9.11. Выходной каскад усилителя, Возможные варианты реализации
работающий в режиме «АВ» напряжения смещения следующие:

• Источники тока I1 , I 2 необходимы для того, чтобы диоды VD1 , VD 2

и транзисторы T 1 , T 2 были открыты.
• Источники должны выбираться из условия I1,2б>maxi , чтобы при
максимальных значениях входного сигнала VD1 , VD 2 , T 1 , T 2 были откры-
ты. Поскольку R1 , R2 , как правило, не обеспечивают заданной термостабили-
зации, то введение элементов VD1 , VD 2 – основной путь повышения термо-
стабильности режима.
9.7. Комплементарный эмиттерный повторитель Дарлингтона
Для повышения тока в нагрузке можно использовать схему Дарлингто-

на. Это составной транзистор, ко-
торый состоит из двух, собранных
по следующей схеме (рис. 9.12). Еп
Т1
Т1'
R1 Rн
Uвх
Т2 R2
Т2'
–Еп
Рис. 9.13. Выходной каскад с нагрузкой

в цепи эмиттера, собранный по схеме
Рис. 9.12. Усилительный Дарлингтона
каскад, собранный
по схеме Дарлингтона Для данной схемы можно получить:
β= β1 ⋅ β 2 ;
rвх =⋅
2 (rб'э1 + rб'б1 ) ;
R1 может включаться для повышения скорости перехода T 2 в закрытое состояние.

Схема выходного каскада имеет вид, приведенный на рис. 9.13.
Поскольку задать ток покоя в режиме «АВ» сразу четырех элементов
очень трудно, то задают ток покоя только транзисторов T 1 и T 2 , при этом мощ-
ные выходные транзисторы открываются только при больших выходных токах.

9.8. Схемы защиты по току
Из-за малого выходного сопро- +Еп

тивления усилители мощности силь-
но перегружаются, поэтому исполь- R1
Rн
зуют схемы защиты по току, ограни-
чивающие значение выходного тока. R2
Простейшая схема защиты имеет
вид, представленный на рис. 9.14.
Ограничение наступает, когда один Рис. 9.14. Схема защиты
из светодиодов открыт по току со светодиодами
UVD1б−э U
I а+ max = ′
. +Еп
R1
Аналогичное выражение для другого I1 Т1
плеча.
Еще одна схема (рис. 9.15). Т3 R1
Здесь транзисторы T 3 или T 4 от- Rн
кроются, если падение напряжения Uвх
на R1 или R2 превысит 0,6 В и в этом Т4 R2
случае рост базовых токов транзи-
сторов T 1 , T 2 прекратится: I2 Т2
0,6В
I а+ max ≅ ,
R1 –Еп
0,6В Рис. 9.15. Схема защиты по току
I а− max ≅ .
R2 на транзисторах Т3, Т4
Выводы
Основные схемы выходных каскадов – двухтактные выходные каска-

ды, работающие в режиме «АВ». Это позволяет обеспечить низкий уровень
нелинейных искажений при достаточно высоком КПД.

10. ЭЛЕМЕНТЫ АНАЛОГОВЫХ УСТРОЙСТВ
НА БАЗЕ ОУ
Функциональные узлы аналоговых устройств реализуют по единой

общей схеме, состоящей из ОУ, охваченной глубокой обратной связью. Об-
ратная связь позволяет формировать амплитудную характеристику, соответ-
ствующую реализации заданной математической функции, или реализовать
другие функции, например, обеспечить стабилизацию напряжения или гене-
рацию синусоидальных колебаний.
10.1. ОУ в линейных схемах
Линейными считаются схемы, у которых входной и входной сигналы

связаны линейным оператором.
Инвертирующий усилитель. Схема

инвертирующего усилителя показана на R1 RОС
рис. 10.1. Сопротивление R2 = R1 вводится
R2
для компенсации смещения из-за наличия
входных токов в реальном ОУ. Необходимо,
чтобы по каждому входу были одинаковые
Рис. 10.1. Инвертирующий
сопротивления. Для определения R2 нужно усилитель
учитывать выходное сопротивление собст-
венно усилителя Râû õ и внутреннее сопротивление генератора Rг . Обратная
связь в данной схеме параллельна по напряжению.
Учитывая, что в идеальном ОУ K = ∞; Rвх =∞ , можно записать:
RОС
K ОС ≅ − ;
R1
Rвх ОС= R1 + RОС / K 0 ;
R вых
Rвых ОС = .
 R1 
1+ K ⋅ 
 RОС + R1 
При K → ∞ Rвых ОС → 0. При RОС = R1 получаем повторитель напряжения.

10. ЭЛЕМЕНТЫ АНАЛОГОВЫХ УСТРОЙСТВ НА БАЗЕ ОУ
10.1. ОУ в линейных схемах
Rг
R2 RОС Rн Е +
R1 –
Рис. 10.2. Неинвертирующий Рис. 10.3. Включение ОУ

усилитель на ОУ по схеме повторителя
напряжения
Неинвертирующий усилитель. Схему неинвертирующего усилителя

можно представить в следующем виде (рис. 10.2). Сопротивление R2 вводит-
ся для компенсации смещения из-за входных токов:
= R1 || R ,
R2 ОС
т. е. необходимо уравнять сопротивления внешних резисторов, подключае-

мых к входам:
R=
г R2 + R1 || RОС .
Для данной схемы:
 R1 
β ⋅ U вых =
U ОС = U вых ⋅  .
+R
 R1ОС 
В случае идеального ОУ напряжение между входами равно 0, тогда
U свх ≅ U ОС ;
U вых R1 + RОС R
=
K = ≅ 1 + ОС .
U свх R1 R1
На основе данной схемы можно выполнить неинвертирующий повто-

ритель напряжения (рис. 10.3).

10.2. Дифференциальное включение ОУ
Схема дифференциального включения ОУ имеет вид, показанный на

рис. 10.4. Учитывая свойства идеального ОУ, U вх+ = U вх− и токи сигналов не
ответвляются на входы ОУ. Тогда для инверти-
рующего входа можно записать: R1 R2
Uвх1
(U вх1 − U вх− ) (U вх− − U вых ) R3
= = ; R1 R2 ,
R1 R2 Uвх2
R4
тогда
Рис. 10.4. Схема
U вх1 + U вых дифференциального
U вх− = . включения ОУ
2
Для неинвертирующего входа
R4 U вх
U вх+ =
U вх 2 ⋅ = 2 ; R3 =
R4 .
R3 + R4 2
Учитывая, что U вх+ = U вх− , запишем:
U вх 2 U вх1 + U вых
= ,
2 2
откуда
U=
вых U вх 2 − U вх1 .
На основе схемы (рис. 10.4) можно получить вариант, когда
U вых =⋅
N (U вх 2 − U вх1 ).
Для этого должно выполняться условие
R4 R2
= = N.
R3 R1

10.3. Суммирующий усилитель
Рассмотрим следующую схему (рис. 10.5).

U1 R R Для идеального ОУ можно получить следую-
щее выражение:
U2 R
U3 R1 (U c3 +вых
U c4 ) − (U c1 + U c2 ) =
U .
U4 R1 R1
Таким образом, данная схема (рис. 10.5) явля-
ется усилителем разности суммы нескольких
Рис. 10.5. Суммирующий источников. Причем можно обеспечить инвер-
усилитель сию суммы и умножение на коэффициент N .
10.4. Усилитель с регулируемым усилением
Сначала рассмотрим схему обычного инвертирующего усилителя с ре-

гулируемым коэффициентом усиления (рис. 10.6).
Для инвертирующего включения можем записать:
RОС
K= − ,
R1
′ = ρ ⋅ RОС , причем 0 < ρ ≤ 1 .

где RОС
R1 RОС
R
Uвх RОС –
+
+
– R
Рис. 10.6. Усилитель с регули- Рис. 10.7. Усилитель с регули-

руемым коэффициентом усиле- руемым коэффициентом
ния в цепи ОС усиления по входу
Другой вариант схемы с регулируемым коэффициентом, позволяющий

одновременно изменять знак передаточной функции, имеет вид, показанный
на рис. 10.7. При крайних положениях движка потенциометра имеет либо ин-
версное включение, либо неинверсное включение ОУ.
Фактически здесь ОУ работает как дифференциальный усилитель.

10.5. Интеграторы
Процедура интегрирования в операционной форме имеет вид
A⋅ x
y= ,
p
где у – выходная переменная (сигнал); х – входная переменная (входной сигнал).

Тогда передаточная функция интегратора запишется в виде
y A
H ( p=
) = .
x p
Для инвертирующего усилителя мы определили, что
RОС
K ОС = − ,
R1
или
Ψ1 ( p )
H ( p) = − ,
Ψ ОС ( p )
т. е. проводимость обратной связи должна зависеть от частоты. Поскольку

Ψ c = ω ⋅ C = p ⋅ C , то это конденсатор.
RОС
ZОС С
R1
R1
– –
+
+
Rбал
Рис. 10.8. Функциональная Рис. 10.9. Схема интегратора

схема интегратора с повышенной линейностью
Простейшая схема интегратора приведена на рис. 10.8.

Действительно,
U=
вых K ОС ⋅ U вх ;
U=
вых ( p ) K ОС ( p ) ⋅ U вх ( p ) ;

10.5. Интеграторы
1
U вых ( p ) =
− ⋅ U вх ( p ) ;
p ⋅ R ⋅C
t
1 1
R ⋅ C ∫0
U вых (t ) = − U вх (t )dt ;
т. е. в интеграторе выходное напряжение пропорционально интегралу по

времени входного напряжения.
Более сложная схема интегратора приведена на рис. 10.9. Здесь RОС ,
шунтирующее конденсатор, вводится для компенсации смещения. Rбал слу-
жит для уменьшения ошибки интегрирования, вызванной входным током.
Иногда параллельно Rбал включают конденсатор. На практике интеграторы
часто объединяют с сумматорами.
10.6. Дифференциатор
Для операции дифференцирования в опе-

RОС
раторной форме можно записать следующее
Uвх С выражение:
+ y = B ⋅ p ⋅ x.
–
Из данного выражения находим передаточную
функцию
Рис. 10.10. Функциональная
схема дифференциатора y
H ( p )= = B ⋅ p.
x
По этому выражению можно нарисовать простейшую схему (рис. 10.10).
Для данной схемы:
dU вх
U выхС =
− RОС ⋅ .
dt
СОС R1 RОС
R1
Uвх С RОС С1 СОС
+ –
– +
Uвх
а б
Рис. 10.11. Принципиальная схема дифференциальных каскадов

10.6. Дифференциатор
В простейших схемах имеет место ошибка интегрирования. Цепь CОС , RОС
(рис. 10.11, а) обеспечивает спад усиления на ВЧ, что устраняет дифферен-
цирование собственных шумов. Цепь C1 , R1 (рис. 10.11, б) устраняет само-
возбуждение.
10.7. Источник стабильного напряжения
ОУ можно использовать в качестве источника опорного напряжения,

имеющего низкое выходное сопротивление (рис. 10.12, а). Это простейшая
схема, здесь опорное напряжение подают от отдельного источника стабиль-
ного напряжения
RОС  R 
K = 1+ , тогда U вых = U оп ⋅ 1 + ОС  .
R1  R1 
R1 RОС
R1 RОС
–
R1
Uоп +
–
Uоп +
а б
Рис. 10.12. Источники стабильного напряжения
Однако во всех схемах обычно используют в качестве опорного напря-

жения стабилитрон (рис. 10.12, б).
10.8. Операционные усилители с нелинейными элементами

в цепях ОС
Выпрямители и детекто-
Uвых
ры сигналов. Для обычных схем
R2
выпрямления и детектирования
напряжение открывания p–n- VD3
R1 R3
перехода около 0,6–0,7 В. Для
Uвх
измерительных приборов эта ве- VD2
личина недопустимо велика. На VD1 +
рис. 10.13 приводится схема од- –
нополупериодного выпрямителя. Rб
В данной схеме порог срабаты- Рис. 10.13. Схема однополупериодного
вания можно снизить в K 0 раз. выпрямителя
В данной схеме для поло-

10.8. Операционные усилители с нелинейными элементами в цепях ОС
жительных полуволн U вх выходное напряжение равно нулю (диод VD3 в этот
момент закрыт отрицательным выходным напряжением).
Диод VD1 защищает входы ОУ от перегрузки положительным сигна-
лом. Для отрицательных полуволн U вх диод VD3 открывается и выпрямитель
работает как усилитель
RОС
U вых =
−U c ⋅ .
R
Добавление к данной схеме инвертирующего сумматора позволяет реализо-

вать двухполупериодный выпрямитель.
10.9. Логарифмический усилитель
Логарифмический усилитель (ЛУ) – усилитель, у которого выходное

напряжение пропорционально по времени логарифму U . Функциональная
схема такого усилителя показана на рис. 10.14.
Для получения данного усилителя в цепь ОС включают элемент лога-
рифмической ВАХ. Обычно в качестве такого элемента используется харак-
теристика p–n-перехода. Для p–n-перехода (диода) имеем:
 q ⋅U д  q ⋅U д
=I д I 0  exp − ≈ (10.1)
k ⋅ T 
1 I 0 exp .
 k ⋅T
где q – заряд электрона; k – постоянная Больцмана; Т – абсолютная температура.
Решая данное выражение относительно напряжения на диоде, получим:
κ ⋅T
Uд =
− ⋅ ( ln I д − ln I 0 ) , (10.2)
q
U вх
где I д = .
R
Из (10.1) и (10.2) находим:
R Iд VD
κ ⋅T  U 
Uс U вых =
−U д =
− ⋅  ln⋅ вх − a  .
q  R 
Если диод VD поменять местами с

резистором, то получим антилогарифми-
Рис. 10.14. Функциональная схема ческий усилитель. Вместо диода можно
логарифмического усилителя использовать транзистор в схема с ОБ.

10.10. Умножитель аналоговых сигналов
Операция умножения может быть выполнена несколькими методами.

Наиболее часто применяют следующие:
Rос
U1
U3 Uвых
U2
Рис. 10.15. Схема реализации умножения сигналов методом логарифмирования
1. Метод логарифмирования сигналов (рис. 10.15).

2. Метод управления передаточной проводимостью транзисторов.
U3
U вых = K 2 ⋅ anti ln = K 2 ⋅ U1 ⋅ U 2 ,
K1
U3 =
K1 ⋅ (ln U1 + ln U 2 ) =
K1 ln(U1 ⋅ U 2 ).
Частное от деления двух аналоговых сигналов получают путем вычи-

тания их логарифмов и взятия антилогарифма от этой разности.
10.11. Генераторы гармонических колебаний
Практически чаще всего строятся автогенераторы с мостом Вина (рис.

10.16), где r1 , r2 – активная ветвь; C1 , R1 , C2 , R2 – реактивная ветвь. Это квази-
резонансная цепь с частотой
1
ω0 = .
R1 ⋅ R2 ⋅ C1 ⋅ C2
Максимальный коэффициент передачи реактивной части моста

U вых 1
= на частоте ω0 .
U вх 3

10.11. Генераторы гармонических колебаний
Uвх
С1
r1 R1 2R1
R1
Uвых
–
R2 С
+
С2 R2
R С R
Рис. 10.16. Избирательная цепь Рис. 10.17. Функциональная

для реализации генератора схема генератора
Для получения монохроматического колебания необходимо выпол-

нить:
1) баланс амплитуд, т. е. произведение коэффициента передачи RC-
цепи и коэффициента усиления ОУ должно быть больше или равно единице.
2) баланс фаз, т. е. сдвиг фаз по петле ОС должен быть близок к нулю
или кратен полному числу периодов колебания с частотой ω0 . Поскольку ко-
1
эффициент передачи моста Вина , то коэффициент усиления ОУ должен
3
быть ≥ 3 . По неинвертирующему коэффициент усиления ОУ равен 3, поэто-
му в схеме возникает устойчивая генерация. R1 , 2 R1 – цепочка частотно-неза-
висимой отрицательной ОС – формирует заданный коэффициент усиления,
по прямому входу задействована положительная частотно-зависимая ОС.
Если последовательно с R1 включить источник сигнала, то при R1 > 2 R1
баланс амплитуд перестанет выполняться и получим избирательный усили-
тель, настроенный на ω0 .
10.12. Преобразователи тока в напряжение
Идеальный источник тока имеет бесконечно большое выходное сопро-

тивление и его выходной ток не зависит от нагрузки.
В данной схеме (рис. 10.18) сопротивление нагрузки для источника то-
ка := 0 , так как потенциал инвертирующего входа ОУ равен нулю.

10.12. Преобразователи тока в напряжение
Тогда
СОС
U вых =− I1 ⋅ RОС . RОС
Нижний предел измерения тока определя- –

+
ется током смещения. CОС включают для I1 R1
уменьшения влияния высокочастотных

Рис. 10.18. Принципиальная схема
шумовых токов. источника тока
10.13. Усилители постоянного тока
Усилители постоянного тока (УПТ) (рис. 10.19) предназначены для

усиления медленно изменяющихся во времени сигналов, содержащих как пе-
ременную, так и постоянную составляющую.
Для идеального УПТ АЧХ и амплитудная характеристики должны
иметь вид (рис.10.19). Поэтому в таких усилителях используют гальваниче-
скую связь между каскадами.
Различают УПТ прямого усиления и усилители с переносом спектра
(МДМ) . УПТ с гальваническими связями (рис. 10.20):
Rэ1 > Rэ2 > Rэ3 ,
Rк1 > Rк2 > Rк3 .
К(f) Uвых Rб1 Rг1 Rк1

Ег Rг
Uвх
0
Rб2 Rг2 Rэ2
f
0
Рис. 10.19. Характеристики усилителя Рис. 10.20. УПТ с гальвани-

постоянного тока ческими связями

10.13. Усилители постоянного тока
Каскад на основе мостовой схемы представлен на рис. 10.20. В диагональ
моста включен источник сигнала Eг . Изменение Eг в диагонали вызывает
изменение U б′э и изменение сигнала в нагрузке. Недостатки: малое усиление,
нет общего провода.
Выводы
Усилительные устройства составляют наиболее широкий класс анало-

говой электроники.
Применение отрицательной обратной связи является основным спосо-
бом повышения стабильности параметров усилительных устройств, линеари-
зации АЧХ и ФЧХ.
Функционально полными элементами аналоговой электроники явля-
ются операционные усилители (ОУ). В зависимости от используемых в ОУ
параметров цепи обратной связи реализуют схемы, выполняющие различные
функции, включая выполнение математических операций с поступающими
на вход ОУ сигналами.
На ОУ могут строиться разнообразные функциональные преобразова-
тели аналоговых сигналов. Анализ таких преобразователей упрощается с
использованием модели идеального ОУ, степень приближения к которой ре-
альных ОУ достаточно высока.
При проектировании усилителей большой мощности особое внимание
следует уделять решению задачи повышения КПД. Высокий КПД достигает-
ся при работе усилительных каскадов в ключевом режиме.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИ СПИСОК
1. Войшилло, Г. В. Усилительные устройства / Г. В. Войшилло. – М.:

Радио и связь, 1983.
2. Юзов, В. И. Усилительные устройства / В. И. Юзов. – Красноярск:
КГТУ, 1993.
3. Войшилло, Г. В. Усилительные устройства / Г. В. Войшилло. – М.:
Радио и связь, 1975.
4. Сергеев, В. М. Электроника. Ч. 1. Элементная база, аналоговые
функциональные устройства: учеб. пособие / В. М. Сергеев. – Томск: Изд-во
ТПУ, 2005. – 132 с.
5. Лурье, О. Б. Усилители видеочастоты / О. Б. Лурье. – М.: Советское
радио, 1961.
6. Усилительные устройства: учеб. пособие для вузов / ред. О. В. Го-
ловин. – М.: Радио и связь, 1993.
7. Остапенко, Г. С. Усилительные устройства: учеб. пособие для вузов /
Г. С. Остапенко. – М.: Радио и связь, 1989.
8. Юзов, В. И. Проектирование широкополосных и импульсных уси-
лителей / В. И. Юзов. – Красноярск: КрПИ, 1983. – Ч. 1–3.
9. Легостаев, Н. С. Мотоды анализа и расчета электронных схем. Руко-
водство к организации самостоятельной работы / Н. С. Легостаев, К. В. Чет-
вергов. – Томск: Томский государственный университет систем управления и
радиоэлектроники, 2006. – 215 с.

3 Stu Uchebnoe Posobie Po Usilitelyam

Загружено:

Сведения о документе

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

3 Stu Uchebnoe Posobie Po Usilitelyam

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

учебно-методический комплекс

Учебная программа дисциплины

электронных устройств с применением интернет-технологий»

© Сибирский федеральный университет, 2008

Рекомендовано Инновационно-методическим управлением СФУ

Разработка и оформление электронного образовательного ресурса: Центр технологий

Подп. к использованию 01.09.2008

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие -3-

3.3. Нагрузочная характеристика усилителя по переменному току .. 62

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие -4-

5.3.2. Область средних частот.............................................................. 103

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие -5-

9.8. Схемы защиты по току ...................................................................... 154

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие -6-

Целью изучения дисциплины «Схемотехника аналоговых электронных

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие -7-

Электроника решает следующие задачи:

Основание логарифмов a может быть выбрано любым, но наибольшее рас-

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие -8-

ω0 и фаза сигнала ϕ0 , то напряжение на входе генератора U ( t ) может быть

Подобные процессы называются

где m – любое целое чис- S (t)

2 Fm Рис. 1.2. Временное представление

S(t) = UH ⋅ (1 + m ⋅ cos(Ω ⋅ t)) ⋅ cos(ω0 ⋅ t)),

поскольку – cosα ⋅ cosβ = 1/2 ⋅ [cos(α − β) + cos(α + β)],

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие -9-

Из выражения (1.1) следует, что

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие -10-

Амплитуда An и фаза ϕn выражаются через an и bn :

Рис. 1.6. Искажения сигнала, прошедшего

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие -11-

S(ω) Например, телевизионный сиг-

распределение мощности сигнала по диапазону частот.

1.2. Усиление сигналов в АЭУ

Принцип усиления электрических сигналов можно рассматривать как

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие -12-

УЭ Uy (t) = F(Uy) УЭ I = F(Uy) Н

Рис. 1.10. Схематическое изображение двухкаскадного усилителя

Практически все усилительные устройства строятся по многокаскадной

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие -13-

1.3. Классификация усилителей

В состав каждого усилительного каскада обязательно входит собственно

Импульсные Гармонические Специальные

Постоянного Переменного Широкополосные Избирательные

Рис. 1.11. Классификация усилителей

Радиоэлектроника находит применение во всех сферах жизнедеятель-

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие -14-

2.1. Параметры оценки свойств усилительных устройств

Практически для всех классов усилителей используют три группы по-

2.2. Энергетические показатели усилительных устройств

Входные и выходные параметры

Рис. 2.1. Структурная схема усилителя

Входные параметры U вх = U1 ; Rвх ; Cвх ; I вх = I1 связаны соотношениями:

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие -15-

где K вх − потери во входной цепи.

коэффициент усиления по току

сквозной коэффициент усиления по напряжению

U вых U вых ( Rвх ) Rвх

сквозной коэффициент усиления по току

где I1′ − источник тока на входе.

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие -16-

Обычно используют значения K для области средних частот. На этих

где N − число каскадов.

Амплитудная характеристика и динамический диапазон