Федеральное агентство связи

Федеральное государственное бюджетное

образовательное учреждение высшего образования
«Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики»
(СибГУТИ)

А. Г. Черевко

Физика конденсированного состояния

Часть 1

КРИСТАЛЛЫ И ИХ ТЕПЛОВЫЕ СВОЙСТВА

Учебное пособие

Новосибирск
2016
УДК 538.95

Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ

Рецензенты: д.ф.-м.н., проф. Айрапетян В.С.,

д.ф.-м.н., проф. Палымский И.Б.

Черевко А. Г. Физика конденсированного состояния. Часть 1. Кристаллы

и их тепловые свойства : Учебное пособие. / Сибирский государственный
университет телекоммуникаций и информатики. – Новосибирск, 2016. – 81 с.

Учебное пособие предназначено для оказания помощи студентам в работе

над курсом «Физика конденсированного состояния».
Учебное пособие соответствует требованиям к курсу физики
конденсированного состояния Федеральных государственных
образовательных стандартов и посвящено рассмотрению тепловых свойств
кристаллов. Пособие кроме общепринятых разделов содержит материал по
современным экспериментальным методам измерения теплофизических
характеристик твердых тел и включает теоретические и экспериментальные
результаты, полученные автором в этой области.

Кафедра физики

© Черевко А. Г., 2016

© Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики, 2016

2
 ОГЛАВЛЕНИЕ

Методические указания для студентов по изучению дисциплины

«Физика конденсированного состояния» ………………………………… 5
Введение…………………………………………………………………….. 9
1 Элементы кристаллографии …………………………………………….. 10
1.1 Определения……………………………………………………....….. 10
1.2 Прямая кристаллическая решетка ……………………………....….. 11
1.2.1 Направления в кристаллической решетке, индексы
Миллера............................................................................................... 11
1.2.2 Симметрия решетки ………………………………………….. 13
1.2.3 Элементарные
ячейки................................................................. 15
1.2.3.1 Ячейка Вигнера-Зейтца ……………...……………..... 17
1.3 Обратная решетка (ОР) …………………………………………....… 18
1.3.1 Связь между векторами трансляции обратной и прямой
решетки ……………………………………………............................ 20
1.4 Зоны Бриллюэна (ЗБ) …………………………………………...…..... 20
1.4.1 Физический смысл зоны 20
Бриллюэна………………………....
1.4.2 Построение зоны Бриллюэна……………………………….... 21
2 Квазичастицы …………………………………………………………….. 23
2.1 Основные характеристики квазичастиц…………………………….. 23
3 Тепловые свойства кристаллов. Фононы ………………………………. 26
3.1Тепловые возбуждения решетки,
нормальные колебания (моды)…………………..….............……...…... 26
3.2 Методы описания тепловых колебаний
кристаллической решѐтки, фононы………………………………...….. 27
3.2.1 Описание колебаний решетки с помощью стоячих волн….. 27
3.2.2 Описание колебаний решетки с помощью бегущих волн .... 28
3.2.1.1 Бегущие волны в кристаллической решетке……....... 29
3.2.3 Закон дисперсии акустических фононов. Случай
одноатомной элементарной ячейки………………………………... 31
3.2.4 Первая зона Бриллюэна…………………………………..….... 34
3.2.5 Кристалл с элементарной ячейкой, состоящей из двух
атомов. Оптические колебания …………………………………..... 35
3.2.6 Сравнение микрочастицы фотона с квазичастицей фононом.. 40
4 Теплофизические свойства кристаллов. Теплоемкость………….…... 41
4.1 Термодинамика. Основные определения ……………………..….. 41
4.2 Основные законы термодинамики ………………………………… 43
4.3 Теплоемкость твердого тела. Решеточная теплоемкость.
Теплоемкость диэлектриков …………………………………………… 46
4.3.1 Закон Дюлонга-Пти………………………………………....… 46

3
 4.3.2 Учет гармонических колебаний атомов в решетке. Модель
Эйнштейна ……………………………………………………..…… 47
4.3.3 Учет гармонических колебаний атомов в решетке.
Модель Дебая …………………………………………………...….. 48
4.3.4 Соотношение между температурами Эйнштейна и Дебая … 51
4.4 Электронная теплоемкость. Теплоемкость металлов …………….. 52
4.5 Учет ангармонизма в колебаниях атомов кристаллической
решетки....................................................................................................... 53
4.5.1 Тепловое расширение (α, [1/K])……………………………… 54
4.5.2 Теплопроводность (К [Вт/(м∙К)])………………………..…… 55
5 Исследование теплофизических свойств металлов ………………..…… 59
5.1 Термошумовой термометр …………………………………………. 59
5.1.1 Тепловые шумы. Формула Найквиста ……………………… 59
5.1.2 Дробовой шум. Формула Шотки ………………………..…… 62
5.1.3 Измерение абсолютной температуры по тепловым шумам.
Термошумовой термометр …………………………………………. 63
5.2 Измерение теплофизических характеристик тугоплавких
металлов и сплава с использованием термошумового термометра … 67
6 Шумовые измерения при исследовании фундаментальных явлений … 71
6.1 Измерение постоянной Больцмана …………………………….….. 71
6.2 Исследование нулевых колебаний ………………………………… 71
Заключение …………………………………………………………………. 72
ПРИЛОЖЕНИЕ. Краткая информация о случайных процессах ………… 73
1 Классификация случайных процессов …………………………………. 73
2 Вероятностные характеристики случайных процессов ………………….. 74
3 Свойства гауссовых случайных процессов ………………………..… 77
4 Оценки вероятностных характеристик случайных процессов …….…… 78
Литература ………………………………………………………………… 80

4
 МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ДЛЯ СТУДЕНТОВ
ПО ИЗУЧЕНИЮ ДИСЦИПЛИНЫ «ФИЗИКА
КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ»

Дисциплина «Физика конденсированного состояния» входит в базовую

часть профессионального цикла дисциплин, служит связующим звеном
между блоками естественнонаучных и специальных дисциплин. Для
успешного освоения физики конденсированного вещества студенты должны
обладать определѐнными знаниями по физике, математике и химии.
Программа аудиторных занятий по физике состоит из лекций,
практических и лабораторных занятий. Для освоения материала студент
обязан посещать все виды аудиторных занятий.
1. Лекции необходимо записывать в тетради с полями, на которых делать
пометки, ставить вопросы и т.д. Дома необходимо прорабатывать лекции,
отмечать непонятные моменты, которые позже выяснить у преподавателя.
При работе с теоретическим материалом обязательно пользоваться
учебниками по физике конденсированного состояния и физике твердого тела.
Они имеются в электронном и бумажном виде в библиотеке, в электронной
библиотеке и в материалах УМКД.
2. Практические занятия служат для закрепления теоретических знаний,
а также для приобретения соответствующих знаний и умений, развития
навыков самостоятельной работы студентов. Задачи решаются по
задачникам, при этом для самостоятельной работы обязательно
использование лекций и учебников по теории.
При решении задач необходимо:
 записать краткое условие задачи, выразить все известные величины в
одной и той же системе единиц (как правило, в СИ);
 установить, какие закономерности физики конденсированного
состояния лежат в основе данной задачи, затем из формул, выражающих эти
закономерности, найти решение задачи в общем виде;
 после этого можно перейти к подстановке численных данных,
выраженных в одной и той же системе единиц (как правило, в
Международной системе – СИ);
 при подстановке в расчѐтную формулу значения величин представлять
в показательной форме, т.е. в виде произведения десятичной дроби с одной
значащей цифрой перед запятой на соответствующую степень десяти.
Например, вместо 1250 надо записать 1,25.103. В таком виде представляется и
окончательный ответ задачи;
 при получении численного ответа нужно обращать внимание на
степень точности окончательного результата, точность ответа не должна
превышать точности, с которой даны исходные величины.

5
 Пример решения и оформления задачи

Определите число атомов n 0 в элементарной ячейке железа,

кристаллизующегося в кубической системе. Ребро куба a  2,86 Å, атомный
вес железа А = 55,84 г/моль, плотность   7800 кг м 3 .
Дано: Решение
а=2,86 Å Число атомов в элементарной ячейке можно
A  55,84 г моль определить через массу атомов в элементарной ячейке:
  7800 кг м 3 V  n0 m0 , (1)
n0 - ?
где V – объем элементарной ячейки, m0 – масса одного
атома железа.
V  a3

Для нахождения массы атома железа разделим

молярную массу железа на число Авогадро:

m0  . (2)
NA

Подставляем массу атома железа из (2) в формулу

(1), выражаем искомое число атомов в элементарной
ячейке:
a 3 N A
n0  .

Подставляя в данное выражение числовые
значения, находим:
7,8  10 3  2,86 3  10 30  6  10 23
n0   1,98  2.
55,84  10 3

Ответ: n0  2.

3. Лабораторные работы выполняются по графику.

Для подготовки к лабораторной работе необходимо прочитать
методические указания к данной работе, понять смысл работы, уяснить цель
работы, понять смысл всех физических величин, определяемых в работе.
После этого подготовить бланк краткого отчѐта, содержащего:
1. Титульный лист, в соответствии с образцом (см. с. 8).
2. Основные положения теории.
6
 3. Предварительные расчеты.
4. Письменные ответы на контрольные вопросы.
5. Решения задач.
6. Таблицы, в которые будут заноситься измеряемые и вычисляемые
величины.
Для защиты лабораторной работы необходимо:
1. Произвести все расчѐты, предусмотренные в работе.
2. Представить, при необходимости, графики на миллиметровой
бумаге.
3. Представить объяснение полученных результатов.
4. Представить выводы по выполненной работе.
При подготовке к выполнению и к защите лабораторной работы
необходимо пользоваться лекциями, учебниками и учебными пособиями,
соответствующими данной теме.
4. Рейтинговый контроль проводится 2 раза в семестре. Для
положительного результата необходимо выполнить программу по
практическим занятиям и по лабораторным работам. Результат оценивается в
трехбалльной системе.
5. Расчетно-графическое задание (РГЗ) выполняется в течение семестра
и защищается не позднее четырех недель до его окончания.
6. Экзамен. К экзамену допускаются студенты, выполнившие программу
по практическим и лабораторным занятиям. Для подготовки к экзамену
необходимо пользоваться лекциями, учебными пособиями, учебниками.

7
 Федеральное агентство связи
СибГУТИ
Кафедра физики
Дисциплина «Физика конденсированного состояния»

Лабораторная работа № ___

Наименование лабораторной работы

Студент (ка) гр ______ ФИО

Допущен ДАТА Подпись преподавателя Расшифровка подписи

Выполнил ДАТА Подпись преподавателя Расшифровка подписи
Защитил ДАТА Подпись преподавателя Расшифровка подписи

Новосибирск 20___

8
 ВВЕДЕНИЕ
Дисциплина «Физика конденсированного состояния» (ФКС) является
связующим звеном между блоками естественнонаучных и специальных
дисциплин. Для успешного освоения физики конденсированного вещества
студенты должны обладать базовыми (по сути, элементарными) знаниями по
векторному анализу, дифференциальному и интегральному исчислению.
В настоящем пособии рассматриваются элементы кристаллографии,
необходимые для дальнейшего освоения курса ФКС, вводится понятие «Зона
Бориллюэна». Вводится понятие квазичастиц, при этом основное внимание
уделяется одной из них – фонону. Дается краткая информация по
электрическим флуктуациям (шумам) в термодинамических системах.
Рассматриваются тепловые свойства кристаллов и нестандартные,
современные методы измерения абсолютной (термодинамической)
температуры и теплоемкости. Приводится краткое математическое введение
в теорию случайных процессов.

9
 1 ЭЛЕМЕНТЫ КРИСТАЛЛОГРАФИИ
При написании этого раздела автор опирался на работы [1, 2].
1.1. Определения
Симметричная фигура – объект, который может быть совмещен сам с
собой определѐнными преобразованиями, например, поворотами или
отражениями.
Операция симметрии – преобразование, совмещающее симметричную
фигуру с собой. (Обычно это поворот, или отражение.)

Элемент симметрии – вспомогательные геометрические образы (точки,

прямые, плоскости), с помощью которых обнаруживается симметрия фигур.

Кристаллы

Существуют твердые и жидкие кристаллы. Обычно под термином

кристаллы подразумевают твердые кристаллы, в противном случае
применяется термин – жидкие кристаллы, мы также будем придерживаться
этого правила.

Кристаллы – это твѐрдые вещества, имеющие естественную внешнюю

форму правильных симметричных многогранников, основанную на их
внутренней структуре, то есть на одном из нескольких определѐнных
регулярных расположений составляющих вещество частиц (атомов, молекул,
ионов), т.е. в кристаллах атомы (молекулы, ионы) расположены закономерно,
образуя трѐхмерно-периодическую пространственную укладку –
кристаллическую решѐтку.

Примечание. Кристаллы могут содержать атомы, молекулы, ионы.

Далее мы будем употреблять термин атомы, если контекст не будет
требовать использования других терминов.

Идеальные кристаллы – модель кристалла, лишѐнного любых дефектов

строения, а также имеющего полную, свойственную ему симметрию,
идеально ровные гладкие грани.

Реальные кристаллы – всегда содержат различные дефекты внутренней

структуры решетки, искажения и неровности на гранях и имеют пониженную
симметрию многогранника вследствие специфики условий роста,
неоднородности питающей среды, повреждений и деформаций. Реальный
кристалл не обязательно обладает кристаллографическими гранями и
правильной формой, но у него сохраняется главное свойство – закономерное
положение атомов в кристаллической решѐтке.

10
 Химическая связь в кристаллах. В настоящее время по характеру связи
атомов выделяют 5 типов кристаллов: 1) ионные кристаллы; 2) ковалентные
кристаллы; 3) металлические кристаллы; 4) молекулярные кристаллы с
водородными связями; 5) Ван-дер-Ваальсовы кристаллы. Существуют
кристаллы, которые можно считать переходными между этими типами,
встречаются кристаллы, в которых часть связей ковалентная, а часть –
водородная.

1.2. Прямая кристаллическая решетка

Прямая кристаллическая решетка (далее – кристаллическая

решетка) – вспомогательный геометрический образ, вводимый для анализа
строения кристалла, она определяет присущее веществу в кристаллическом
состоянии правильное расположение атомов (ионов, молекул),
характеризующееся периодической повторяемостью в трех измерениях.
Строго говоря, кристаллическая решетка соотносится с идеальным
кристаллом.

Следует четко отличать понятие «кристаллическая решетка» и «структура

кристалла», первое – математическая модель, второе – физическая
реальность, учитывающая свойства атомов и несовершенства (дефекты), в
частности поверхность кристалла.

1.2.1. Направления в кристаллической решетке, индексы

Миллера

КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ ИНДЕКСЫ ПЛОСКОСТИ

В кристаллографии часто приходится описывать взаимное расположение

отдельных плоскостей кристалла, его направлений, для чего удобно
пользоваться кристаллографическими индексами. Кристаллографические
индексы дают представление о расположении плоскости или направления
относительно системы координат. При этом не имеет значения,
прямоугольная или косоугольная система координат, одинаковые или разные
масштабные отрезки по координатным осям. Представим себе ряд
параллельных плоскостей, проходящих через одинаковые узлы
пространственной решетки. Эти плоскости расположены на одинаковом
расстоянии друг от друга и составляют семейство параллельных плоскостей.
Они одинаково ориентированы в пространстве и потому характеризуются
одинаковыми индексами. Выберем из этого семейства какую-либо плоскость
и введем в рассмотрение отрезки, которые плоскость отсекает по
координатным осям (координатные оси x, y, z обычно совмещают с ребрами
элементарной ячейки, масштаб по каждой оси равняется соответствующему
осевой единице – периоду решетки a, или b, или c). Величины отрезков
выражают в осевых единицах. Кристаллографические индексы плоскости –
11
это три наименьших целых числа, которые обратно пропорциональны числу
осевых единиц, отсекаемых плоскостью на координатных осях. Индексы
плоскости обозначаются буквами h, k, l, записываются подряд и заключаются
в круглые скобки – ( hkl ).

Индексами (hkl) характеризуются все плоскости семейства параллельных

плоскостей. Этот символ означает, что семейство параллельных плоскостей
рассекает осевую единицу вдоль оси x на h частей, вдоль оси y на k частей и
вдоль оси z на l частей. При этом плоскость ближайшая к началу координат,
отсекает на координатных осях отрезки 1/h (по оси x), 1/k (по оси y), 1/l (по
оси z).
Порядок нахождения кристаллографических индексов плоскости:
1. Находим отрезки, отсекаемые плоскостью на координатных осях,
измеряя их в осевых единицах.
2. Берем обратные значения этих величин.
3. Приводим отношение полученных чисел к отношению трех
наименьших целых чисел.
4. Полученные три числа заключаем в круглые скобки.
Пример. Найти индексы плоскости, которая отсекает на
координатных осях следующие отрезки:1/2; 1/4; 1/4.
Решение, согласно порядку, изложенному выше:
1. Поскольку длины отрезков выражены в осевых единицах, имеем
1/h=1/2; 1/k=1/4; 1/l=1/4.
2. Находим обратные значения 2; 4; 4.
3. Берем их отношение h: k : l = 2 : 4 : 4. Сократив на два, приведем
отношение полученных величин к отношению трех целых наименьших
чисел: h: k : l = 1 : 2 : 2.
4. Индексы плоскости записываем в круглых скобках подряд, без запятых
– (122). Они читаются порознь – "один, два, два".

Если плоскость пересекает кристаллографическую ось в отрицательном

направлении, над соответствующим индексом сверху ставится знак "минус".

Если плоскость параллельна какой-либо координатной оси, то в символе

плоскости индекс, соответствующий этой оси, равен нулю. Например,
символ (hko) означает, что плоскость пересекается с осью z в бесконечности
и индекс плоскости по этой оси будет 1/∞ = 0.

Плоскости, отсекающие на каждой оси по равному числу осевых единиц,

обозначаются как (111). Плоскости, отсекающие по двум осям равное число
осевых единиц и параллельные третьей оси (например, оси z) обозначаются
(110).

Плоскости, пересекающие одну ось и параллельные двум другим

(например, осям y и z), обозначаются (100).
12
 КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ ИНДЕКСЫ УЗЛА

Кристаллографические индексы узла – это его координаты, взятые в

долях осевых единиц и записанные в сдвоенных квадратных скобках. При
этом координата, соответствующая оси x, обозначается в общем виде буквой
u, для оси y – v, для оси z – w. Символ узла имеет вид [[uvw]].

КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ ИНДЕКСЫ НАПРАВЛЕНИЯ

В кристалле, где все параллельные направления идентичны друг другу,

направление, проходящее через начало координат, характеризует все данное
семейство параллельных направлений. Положение в пространстве
направления, проходящего через начало координат, определяется
координатами любого узла, лежащего на этом направлении. Координаты
любого узла, принадлежащего направлению, выраженные в долях осевых
единиц и приведенные к отношению трех целых наименьших чисел, и есть
кристаллографические индексы направления. Они обозначаются целыми
числам U, V, W и записываются слитно в квадратных скобках [UVW].

Порядок нахождения индексов направления

1. Из семейства параллельных направлений выбрать такое, которое

проходит через начало координат, или перенести данное направление
параллельно самому себе в начало координат, или перенести начало
координат в узел, лежащий на данном направлении.

2. Найти координаты любого узла, принадлежащего данному

направлению, выразив их в осевых единицах.

3. Взять отношение координат узла и привести его к отношению трех

целых наименьших чисел.

4. Полученные три числа заключить в квадратные скобки.

Например, в кубическом кристалле индекс направления вдоль оси Х –

[100], вдоль оси Y – [010], вдоль оси Z – [001].

1.2.2. Симметрия решетки

Согласно определению симметрии известного кристаллографа

Е.С. Фѐдорова, «симметрия есть свойство геометрических фигур повторять
свои части, или, выражаясь точнее, свойство их в различных положениях
приходить в совмещение с первоначальным положением», т.е. после
симметрических операций (преобразований), например, поворота вокруг оси,
отражений в плоскостях симметрии, идеальный кристалл совмещается сам с
собой. Симметрия внешней формы (огранки) кристалла определяется
13
симметрией его внутреннего атомного строения, которая обусловливает
также и симметрию физических свойств кристалла.

1. Трансляционная симметрия – тип симметрии, при которой свойства

рассматриваемой системы не изменяются при сдвиге на определѐнный
вектор, который называется вектором трансляции. Трансляционная
симметрия свойственна также кристаллическим решеткам. В этом случае
векторы трансляции не произвольны, хотя их существует бесконечное число.
2. Период решетки – расстояние между центрами двух соседних частиц
(атомов, ионов) в элементарной ячейке решетки. Периоды решетки
выражаются в ангстремах (1А = 10-10 м). Параметры решетки металлов
находятся в пределах 2–7 А и определяются методом рентгеноструктурного
анализа с точностью до третьего, а при необходимости и до четвертого или
даже пятого знака после запятой.
3. Атомный радиус – половина межатомного расстояния между
центрами ближайших атомов в кристаллической решетке элемента при
нормальной температуре и атмосферном давлении. Однако атомный радиус
не является постоянной величиной, а изменяется в зависимости от ряда
факторов, важнейшими из которых являются координационное число и тип
химической связи между атомами в кристалле.
4. Энергия кристаллической решетки – энергия, выделяющаяся при
образовании кристалла из ионов, атомов или других частиц, образующих
кристалл, когда исходное состояние этих частиц газообразное. От величины
энергии решетки зависят такие свойства вещества, как температура
плавления, модуль упругости, прочность, твердость и др. Увеличение
валентности атомов приводит к увеличению энергии решетки.
5. Координационное число (К) – показывает количество атомов,
находящихся на наиболее близком и равном расстоянии от любого
выбранного атома в решетке.
6. Базис решетки – количество атомов, приходящихся на одну
элементарную ячейку решетки, базисом также называют атомы,
составляющие элементарную решетку.
7. Элементарная ячейка (рис. 1) – элемент объема из минимального
числа атомов, многократным переносом которого в пространстве можно
построить весь кристалл. Элементарная ячейка характеризует особенности
строения кристалла.

14
 Рис. 1.1. Фрагмент кристаллической решетки с выделенной элементарной ячейкой:
a, b, c – периоды решетки (расстояния между центрами ближайших атомов);
(α, β, χ) – углы между осями (углы элементарной ячейки)

Важно. Ячейка, приведенная на рис. 1.1, является элементарной

примитивной ячейкой. Если достроить рисунок 1.1, изобразив все
элементарные ячейки, которые граничат с выделенной, включая ячейки под и
над выделенной, то будет видно, что на каждый атом выделенной ячейки
претендуют 8 элементарных ячеек. Поскольку число атомов, изображенных в
углах ячейки, тоже 8, то на элементарную примитивную ячейку
приходится 1 атом.

1.2.3. Элементарные ячейки

Примитивная элементарная ячейка

Один из способов построения пространственной решетки состоит в

трансляции элементарной ячейки, имеющей вид элементарного
параллелепипеда, построенного на трех некомпланарных векторах 𝑎, 𝑏, 𝑐,
называемых векторами основных трансляций. За начало этих векторов
можно принять любой узел решетки. Модули векторов 𝑎 , 𝑏 , 𝑐 являются
периодами элементарной ячейки, а углы между ними , ,   углами
элементарной ячейки (рис. 1.1).

Типы элементарных ячеек

Существует всего семь типов элементарных ячеек: кубическая,

тетрагональная, гексагональная, тригональная, ромбическая, моноклинная и
триклинная. Эти элементарные ячейки называют примитивными, или
сингониями. Каждая из сингоний представлена примитивной
кристаллической ячейкой. Кроме того, существуют еще семь типов
15
центрированных ячеек, которые содержат частицы на гранях и внутри
ячейки. Всего существует 14 типов элементарных ячеек, которые называются
решетками Браве, по имени французского ученого, который показал, что
любую ячейку можно преобразовать в одну из 14. Чтобы выбрать ячейку,
наиболее полно отражающую все особенности данной решетки, нужно
придерживаться следующих правил:
– симметрия ячейки должна соответствовать симметрии решетки в целом;
– число прямых углов в ячейке должно быть максимальным;
– объем ячейки должен быть минимальным.
Вид решеток Браве приведен в таблице 1.1.

Таблица 1.1 Решетки Браве

Параметры
Тип элементарной
Сингония элементар- Изображение
ной ячейки ячейки

Примитивная
Пример вещества –
Кубическая каменная соль NaCl
Пример
вещества –
a=b=c
кремний Si, α=β=γ= Объемноцентрированная
германий Ge, 90°

арсенид галлия
GaAs, алмаз Гранецентрированная

Примитивная
a=b c
Тетрагональная α = β = γ =
90°

Объемноцентрированная

a=b c
Гексагональная α = β = 90° γ Примитивная
= 120°

16
Тригональная a=b=c
(ромбоэдричес- α = β = γ Примитивная
кая) 90°

Примитивная

Объемноцентрированная
a b c
Ромбическая α=β=γ=
90°
Базоцентрированная

Гранецентрированная

Примитивная
a b c
Моноклинная α = β = 90° γ
90°

Базоцентрированная

a b c
Триклинная a b γ Примитивная
90°

1.2.3.1 Ячейка Вигнера–Зейтца

Ячейка Вигнера –Зейтца – область кристаллической решѐтки с центром в

некоторой точке решѐтки Браве, которая лежит ближе к этой точке решѐтки,
чем к какой-либо другой точке решѐтки.

Построение ячейки Вигнера–Зейтца

Выбирается произвольный узел решѐтки Браве и соединяется отрезками

со всеми ближайшими соседними узлами. Через середины этих отрезков
проводим перпендикулярные отрезкам плоскости. Ограниченная
17
плоскостями область наименьшего объѐма будет являться ячейкой Вигнера–
Зейтца (рис. 1.2, а – заштрихована).

a б
Рис. 1.2. Элементарные ячейки в форме ячеек Вигнера–Зейтца (В-З):
а – построение ячейки В-З для двумерной решетки, ячейка В-З заштрихована;
б – ячейка В-З для объѐмноцентрированной кубической решѐтки кристалла

Свойства ячейки Вигнера–Зейтца

1. Ячейка Вингера–Зейтца является примитивной, поскольку только один

атом в центре принадлежит ей. Еѐ объем равен объему элементарной ячейки
в нормальном пространстве.
2. На ячейку Вигнера–Зейтца (как и на любую другую элементарную
ячейку) приходится один узел решѐтки Браве.
3. Ячейка Вигнера–Зейтца обратной решѐтки есть первая зона Бриллюэна.
4. Ячейка Вигнера–Зейтца имеет ту же точечную группу симметрии, что
и вся решѐтка Браве кристалла, и при смещениях на векторы трансляций
решѐтки ячейка заполняет весь кристалл.

1.3 Обратная решетка (ОР)

Физический смысл понятия обратная решетка

Под термином «кристаллическая решетка» понимают решетку в
координатном пространстве, ему соответствуют термины пространственная
решетка, прямая решетка.
В физике конденсированного состояния при анализе явлений, связанных
с периодическим положением дискретных частиц, таких как
электропроводность, дифракция и т.д., важную роль играет понятие
«обратная решетка». Обратная решетка (ОР) не является пространственной
решеткой. Обратной решетки не существует в кристалле (т.е. ее не
существует в реальном r-пространстве). ОР – это удобная абстракция,
позволяющая упростить математическое описание физических процессов в
кристалле. Каждой решетке Браве в прямом пространстве соответствует

18
решетка Браве обратного пространства, но она может быть решеткой другого
типа. Например, обратная по отношению к гранецентрированной есть
объемноцентрированная решетка и наоборот; обратная решетка по
отношению к кубической является также кубической и наоборот.
ОР можно рассматривать как абстрактную решетку в абстрактном к-
пространстве волновых векторов, но не в координатном r-пространстве.
Между параметрами кристаллической (прямой) решетки, построенной на
векторах трансляций, 𝑎, 𝑏, 𝑐, и параметрами обратной (абстрактной) решетки,
построенной на векторах трансляций 𝑎1 , 𝑏1 , 𝑐1 , имеется определенная связь.
Вектора 𝑎1 , 𝑏1 , 𝑐1 – суть вектора трансляций в абстрактном к-пространстве.
Рассмотрим плоскую волну 𝑒 𝑖(𝑘 ,𝑟 ) , удовлетворяющую следующему
условию:
𝑒 𝑖(𝑘 ,𝑟 ) = 𝑒 𝑖(𝑘 ,(𝑟 + 𝑅 )) . (1.1)
Здесь 𝑘, 𝑟 – скалярное произведение волнового вектора 𝑘 и радиус-вектора
𝑟,
𝑅 = 𝑛1 𝑎 + 𝑛2 𝑏 + 𝑛3 𝑐 , (1.2)
где 𝑛1 , 𝑛2 , 𝑛3 – целые числа, 𝑎, 𝑏, 𝑐 – вектора трансляции прямой решетки.
Совокупность векторов 𝑅, соответствующих различным ni, образуют
прямую решетку в координатном пространстве.
Из (1.1) следует: 𝑒 𝑖(𝑘 ,𝑅 ) = 1
Учитывая формулу Муавра, получаем:
𝑒 𝑖(𝑘 ,𝑅 ) = cos 𝑘, 𝑅 + 𝑖𝑠𝑖𝑛 𝑘, 𝑅 = 1,
отсюда следует, что мнимая часть этого выражения равна нулю и

cos 𝑘, 𝑅 = 1, (1.3)
Соотношение (1.3) выполняется при
𝑘, 𝑅 = 2𝜋𝑛, (1.4)
где 𝑛 = 0, 1, 2, 3 …
В результате получаем множество волновых векторов 𝑘,
удовлетворяющих (1.4). Из этих векторов можно составить решетку в
абстрактном к-пространстве. Эта решетка называется обратной.
Обратная решетка играет важную роль в физике конденсированного
состояния. Поэтому введем вектор обратной решетки 𝐺 по аналогии с
вектором прямой решетки 𝑅 (1.2):
𝐺 = 𝑔1 𝑎1 + 𝑔2 𝑏1 + 𝑔3 𝑐1 , (1.5)
где 𝑔1 , 𝑔2 , 𝑔3 – целые числа, 𝑎1 , 𝑏1 , 𝑐1 – векторы трансляции обратной
решетки.
Для векторов прямой и обратной решетки выполняется соотношение

19
 𝐺 , 𝑅 = 2𝜋𝑛. (1.6)
1.3.1 Связь между векторами трансляции обратной и прямой
решетки. Эта связь может быть достаточно легко получена, например, [1], и
имеет вид:
𝑏 ,𝑐 𝑐 ,𝑎 𝑎 ,𝑏
𝑎1 = 2π , 𝑏1 = 2π , 𝑐1 = 2π , 𝛺 = (𝑎 𝑏, 𝑐 ) , м3 (1.7)
𝛺 𝛺 𝛺
где 𝛺 – объем элементарной ячейки прямого пространства, 𝑏, 𝑐 – векторное
произведение векторов 𝑏 и 𝑐.

Объем элементарной ячейки обратного пространства равен

3
𝛺обр = 8π 𝛺 , 1 3 . (1.8)
м

1.4 Зоны Бриллюэна (ЗБ)

Рассмотрим наиболее простую кубическую решетку. В этой решетке

длины (модули) векторов трансляции равны между собой (a=b=c), углы
между ними прямые. Для элементарной (примитивной) кубической ячейки
Бравэ со стороной а обратной является примитивная кубическая ячейка
Бравэ со стороной 1/а.
Для обратной кубической ячейки Браве
𝑘 = 𝑘х 𝑖орт + 𝑘𝑦 𝑗орт + 𝑘𝑧 𝑘орт ,

где 𝑖орт , 𝑗орт , 𝑘орт – орты осей координат, 𝑘х , 𝑘𝑦 , 𝑘𝑧 – проекции волнового

вектора на оси координат.
Можно показать, что соотношение (1.4) 𝑘, 𝑅 = 2𝜋𝑛 будет выполняться
при n=1, если 𝑘х , 𝑘𝑦 , 𝑘𝑧 лежат в пределах:
2𝜋 2𝜋 2𝜋 2𝜋 2𝜋 2𝜋
− ≤ 𝑘𝑥 ≤ , − ≤ 𝑘𝑦 ≤ , − ≤ 𝑘𝑧 ≤ . (1.9)
𝑎 𝑎 𝑏 𝑏 𝑐 𝑐

Область изменения вектора 𝑘, определяемая формулой (1.9), называется

первой зоной Брюллиэна. Полагая n=2, 3 ..., получим вторую, третью и т.д.
зоны Брюллиэна.
Можно показать [1], что первая зона Бриллюэна это ячейка Вигнера–
Зейтца в обратной решетке.
1.4.1 Физический смысл зоны Бриллюэна: на границе ЗБ
происходит брэгговское отражение электронов (отражение в соответствии с
законом Вульфа–Брэггов), вследствие этого образуется энергетическая щель,
т.е. возникает диапазон энергий, которые не могут иметь электроны в
кристалле (запрещенная зона).
20
 Волновая функция электронов в кристалле полностью описывается еѐ
поведением в первой зоне Бриллюэна (в рамках приближении волн Блоха).
Первая ЗБ содержит все физически неэквивалентные, наименьшие
разрешенные волновые вектора, характеризующие состояние электронов.
Форма ЗБ определяется только симметрией кристалла и не зависит от рода
частиц, образующих кристалл, или от их межатомного взаимодействия.
Физический смысл границ зоны Бриллюэна заключается в том, что они
показывают такие значения волновых векторов электрона, при которых
электронная волна не может распространяться в кристалле.
Существование большого числа зон Бриллюэна не означает, что
необходимо рассматривать энергию электрона в каждой из них: любое
состояние электрона можно выразить посредством вектора 𝑘, в пределах ЗБ,
приведенной к первой зоне.

1.4.2 Построение зоны Бриллюэна

Поскольку ЗБ представляет собой ячейку Вигнера–Зейтца в обратном

пространстве, то ее строят аналогично построению ячейки ВЗ в прямом
пространстве. На рисунке 1.3 показано построение ЗБ для двумерной
обратной решетки, а на рисунке 1.4 ее вид в трехмерной обратной решетке.
Необходимо помнить, что это построение в обратном пространстве, т.е. к-
пространстве, а не в пространстве координат, шары на рис. 1.3 – узлы
обратной решетки, а не атомы.

Порядок построения ЗБ
1. Все размеры обратной решетки увеличивают в 2π раз.
2. В получившейся «растянутой» решетке выбирают узел и соединяют его
отрезками прямых линий с ближайшими соседями (на рис. 1.3 – 4 соседа).
3. Через середины этих отрезков проводят перпендикулярные им
плоскости (на рис. 1.3 – линии, т.к. это двумерная решетка). Эти плоскости
(линии) выделяют вокруг выбранного узла ячейку, которую называют первой
зоной Бриллюэна – белый квадрат на рис. 1.3.
Построение 2-ой ЗБ:
4. Исходный узел соединяют со следующими ближайшими соседями, на
рис. 1.3 их тоже 4.
5. Через середины этих отрезков проводят перпендикулярные им линии.
Эти линии являются границей 2-ой ЗБ (полосатая темная площадка на
рис. 1.3). Площади зон Бриллюэна равны.

21
 Рис. 1.3.
Построение первой и второй
зон Бриллюэна двумерного
кристалла в к-пространстве

Рис. 1.4. Первая зона Бриллюэна прямой

гранецентрированной кубической решетки (ГЦК)
(сравните рис. 2). Напомним, что обратная по
отношению к ГЦК, есть ОЦК –
объемноцентрированная кубическая решетка, т.е. эта
ЗБ построена в обратной ОЦК решетке

22
 2 КВАЗИЧАСТИЦЫ

При написании этого раздела автор опирался на работы [1, 3, 4].

С точки зрения термодинамики макроскопическая система находится в
основном состоянии при температуре абсолютного нуля. Минимуму
потенциальной энергии взаимодействия должно соответствовать такое
расположение частиц, при котором система однородна, так как любые
вариации плотности связаны с увеличением потенциальной энергии. При
повышении температуры эта система переходит в возбужденное состояние.
Свойства конденсированных сред определяются не только структурой, но
и динамикой их поведения, т.е. особенностями движений, сопровождающих
переход среды в возбуждѐнное состояние. В пространственно-однородной
системе движение возникает в виде отдельных дискретных порций (квантов)
– элементарных возбуждений. Характерной особенностью элементарных
возбуждений в конденсированных средах является то, что каждое
элементарное возбуждение охватывает много структурных единиц.
В том случае, когда эти элементарные возбуждения могут
распространяться в среде, их называют квазичастицами. Если квазичастицы
существуют достаточно долго в неизменном виде, они подобны частицам,
т.е. характеризуются определѐнными значениями энергии и импульса.
Условием существования квазичастиц является следующее требование:
время жизни квазичастицы τ должно быть много больше неопределѐнности
во времени Δt, которое определяется соотношением неопределѐнностей
Гейзенберга
𝜏 ≫ ∆𝑡~ℏ/𝐸, (2.1)
где Ε – энергия квазичастицы. Это условие означает, что возбуждѐнные
состояния, соответствующие квазичастицам, должны быть
квазистационарными.
В динамическом отношении квазичастицы подобны обычным частицам.
Однако характерной особенностью квазичастиц является то, что они не могут
появляться в вакууме. Для существования квазичастиц необходимо наличие
среды, так как, являясь носителями движения, они не представляют собой
строительный материал среды, в которой существуют. Чтобы подчеркнуть
это отличие, принято говорить не об импульсе квазичастиц, а о
квазиимпульсе.

2.1 Основные характеристики квазичастиц

Основными являются следующие характеристики квазичастиц:

1. Энергия Е.
2. Квазиимпульс р.
3. Закон дисперсии Е(р) – зависимость энергии квазичастицы от еѐ
квазиимпульса или зависимость ω(k) частоты от волнового числа k=2π/λ,
поскольку 𝐸 = ℏ𝜔, а 𝑝 = ℏ𝑘.
23
 Для классической свободной частицы с массой m в нерелятивистском
случае (υ<<c) полная энергия равна 𝐸 = 𝑚0 𝑐 2 + 𝑝2 /2𝑚, где 𝑚0 𝑐 2 – энергия
покоя, которая в законе дисперсии не учитывается.
Таким образом, закон дисперсии для свободной частицы является
квадратичным и имеет вид
𝑝2
𝐸= . (2.2)
2𝑚
В отличие от невзаимодействующих (свободных) частиц, закон
дисперсии квазичастиц может иметь очень сложный характер.
4. Эффективная масса квазичастицы (m*) – некоторое условное
понятие, позволяющее формально записать при анализе взаимодействия
второй закон Ньютона в виде 𝐹 = 𝑚∗ 𝑎, в свою очередь m* может
определяться сложным математическим выражением. Эффективная масса
описывает поведение квазичастиц, при определѐнных внешних условиях не
является постоянной и даже может быть отрицательной.
5. Константа взаимодействия – заряд.
6. Статистика, которой описывается ансамбль квазичастиц.
7. Энергетический спектр – структура энергетических состояний, в
которых может находиться квазичастица.
8. Функция спектральной плотности состояний, описывающая
зависимость числа состояний dN, в которых может находиться частица в
интервале энергий dE, т. е. зависимость dN/dE от энергии частицы Ε,
(dN/dE=f(E)).
Описание процессов в твердом теле с помощью квазичастиц является
одним из основных методов физики конденсированного состояния. В
частности, кинетика процессов в твердом теле может быть представлена в
виде движения и столкновения квазичастиц.
Основные типы квазичастиц в твердом теле представлены в таблице 2.1
[4].

Таблица 2.1 Основные квазичастицы твердого тела

Соответст-
вующая Статис-
Квазичастица Учитываемое взаимодействие
элементар- тика
ная частица
Квазисвободный Электрон Кулоновское взаимодействие Ферми-
электрон, дырка электрона с ионами решетки Дирака
Фонон Взаимодействие тепловых колебаний Бозе-
соседних атомов решетки Эйнштейна
Экранированный Электрон Кулоновское взаимодействие Ферми-
квазисвободный электрона с электронами Дирака
электрон
Плазмон Взаимодействие колебаний Бозе-
электронов твердого тела Эйнштейна
Полярон Электрон Кулоновское притяжение электроном Ферми-
положительных ионов и Дирака
24
 Соответст-
вующая Статис-
Квазичастица Учитываемое взаимодействие
элементар- тика
ная частица
отталкивание отрицательных при
движении по ионному кристаллу
Экситон Кулоновское притяжение электрона и Бозе-
дырки Эйнштейна
Поляритон Фотон Силовое взаимодействие Бозе-
переменного электрического поля с Эйнштейна
положительными и отрицательными
ионами (возбуждение их колебаний)
при движении фотона по ионному
кристаллу
Магнон Взаимодействие ориентации Бозе-
магнитных моментов соседних Эйнштейна
атомов
Куперовская пара Два Притяжение двух электронов за счет Бозе-
электрона обмена виртуальными фононами Эйнштейна

Использование квазичастиц при изучении тепловых свойств кристаллов

оказалось очень плодотворным. Этими квазичастицами являются фононы.

25
 3 ТЕПЛОВЫЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ. ФОНОНЫ

При написании этого раздела автор опирался на работы [1, 3].

3.1 Тепловые возбуждения решетки, нормальные колебания (моды)

Кристалл представляет собой совокупность структурных элементов,

связанных упругими силами. Структурными элементами решѐтки металла
являются положительно заряженные атомные остовы, у полупроводников и
диэлектриков – атомы, у молекулярных кристаллов – двух или более
атомные молекулы. Характерной особенностью колебаний любого ансамбля
взаимодействующих элементов является то, что частотный спектр колебаний
ансамбля и каждого его элемента определяется всей системой в целом. В
кристалле, состоящем из N элементарных ячеек и j атомов в каждой ячейке,
существуют (3jN – 6) типов гармонических или квазигармонических
колебаний, которые принято называть нормальными колебаниями или
модами. Каждому нормальному колебанию соответствует стоячая волна
определѐнной длины. Число нормальных колебаний равно числу степеней
свободы у совокупности частиц, образующих кристалл, т. е. у jN частиц в
кристалле 3 jN степеней свободы минус 3 степени свободы, отвечающие за
поступательное и 3 степени свободы, отвечающие за вращательное движение
кристалла как целого. При рассмотрении кристаллов макроскопических
размеров последними шестью степенями свободы можно пренебречь.
Сильная зависимость сил взаимодействия от расстояния между атомами
приводит к тому, что колебания атомов в решѐтке при больших отклонениях
от положения равновесия нельзя считать гармоническими – они будут
ангармоническими. Гармоническое приближение справедливо лишь при
малых амплитудах смещения атомов, т. е. достаточно низких температурах.
Каждое нормальное колебание с частотой ω можно рассматривать как
гармонический осциллятор, энергия которого квантуется:
𝐸𝑛 = ℏ𝜔(𝑛 + 1/2) . (3.1)
Из формулы (3.1) следует, что энергия любого периодического
гармонического движения с частотой ω состоит из двух частей: энергии,
характеризующей возбуждение системы 𝐸𝑛 = ℏ𝜔𝑛, 𝑛 = 1, 2, 3 … .., и энергии
в невозбуждѐнном состоянии 𝐸0 = ℏ𝜔/2 (п = 0). Эта энергия (Е0) является
энергией нулевых колебаний, которые существуют и при абсолютном нуле
температур. Существование энергии нулевых колебаний является следствием
принципа неопределенности Гейзенберга.
Реальное движение каждого атома в решѐтке является суперпозицией
гармонических колебаний с разными амплитудами и частотами,
соответствующими частотам нормальных колебаний в кристалле в диапазоне
от ωmin до ωmax.

26
 3.2 Методы описания тепловых колебаний кристаллической
решѐтки, фононы

Существует два способа описания колебаний кристаллической решѐтки,

дающих практически эквивалентные результаты. Первый из них основан на
представлении о нормальных колебаниях решѐтки в виде стоячих волн,
второй – на представлении нормальных колебаний в виде бегущих волн.

3.2.1 Описание колебаний решетки с помощью стоячих волн

В этом первом способе нормальные колебания (моды) решѐтки

рассматриваются как стоячие волны, базируется на предположении, что
совокупность нормальных колебаний в кристалле адекватно описывает набор
частот ωn, характеризующий сложные колебательные движения атомов в
кристаллической решѐтке.
Рассмотрим нормальные колебания одномерной цепочки длины L
одинаковых атомов с расстоянием между атомами а с закреплѐнными
концами. Нормальные колебания по сути дела представляют собой стоячие
волны сжатия и растяжения, которые могут существовать в такой цепочке.
(Для наглядности цепочку атомов можно заменить струной и рассматривать
вместо волн сжатия и растяжения поперечные колебания струны.)
Наиболее высокую частоту ωmax имеют нормальные колебания с
минимально возможной для цепочки атомов длиной волны 𝜆𝑚𝑖𝑛 = 2𝑎, при
которой соседние атомы колеблются в противофазе, наиболее низкую
частоту ωmin – колебания с 𝜆𝑚𝑎𝑥 = 2𝐿. Каждое нормальное колебание
характеризуется волновым числом 𝑘𝑛 = 2𝜋/𝜆𝑛 . При этом 𝑘𝑚𝑖𝑛 = 𝜋/𝐿,
а 𝑘𝑚𝑎𝑥 = 𝜋/𝑎. Общее число нормальных колебаний, которые могут
существовать в цепочке из N атомов длины L = Να, равно отношению 𝑘𝑚𝑎𝑥 /
𝑘𝑚𝑖𝑛 = 𝑁, т. е. числу атомов в цепочке.
При повышении температуры кристалла выше 0 К начинают
возбуждаться нормальные колебания, связанные с тепловым движением
атомов. Поскольку при температуре Τ могут возбуждаться только такие
нормальные колебания, энергия которых ℏ𝜔𝑛 меньше тепловой энергии kТ,
то при повышении температуры возбуждаются сначала низкочастотные моды
нормальных колебаний, а затем всѐ более и более высокочастотные моды до
тех пор, пока не будут возбуждены все моды до предельной частоты ωmax.
Кроме того, при повышении температуры одновременно с увеличением
числа возбуждѐнных мод увеличивается число возбуждѐнных квантов
энергии в каждой моде.
Каждый квант энергии ℏ𝝎𝒏 называется фононом. На языке фононов
тепловое возбуждение решѐтки описывается следующим образом. При Τ = О
фононы отсутствуют. С повышением температуры возбуждаются сначала
низкочастотные, а затем всѐ более и более высокочастотные фононы и
одновременно увеличивается число фононов каждой частоты. Поскольку
27
минимальная частота нормальных колебаний обратно пропорциональна
размеру, то минимальная энергия фонона растет с уменьшением размера
кристалла 𝐸𝑚𝑖𝑛 = ℏ𝜔𝑚𝑖𝑛 ∝ 1/𝐿. Поэтому в кристаллах, размер которых
меньше микрона, при очень низких температурах значительная часть
фононов находится в основном состоянии, т.е. не участвует в тепловых
процессах.
ВАЖНО. Фононы, которые рассматриваются как кванты энергии
стоячих волн, не распространяются вдоль атомной цепочки, т.е. им нельзя
приписать определѐнный импульс. Поэтому фононы, введенные таким
образом, не являются квазичастицами.
Вывод. Чтобы фононы рассматривались как квазичастицы, их надо
вводить через бегущие волны, распространяющиеся в кристалле.

3.2.2 Описание колебаний решетки с помощью бегущих волн

Бегущие волны, основные понятия

Рассмотрим бесконечную струну с линейной плотностью ρ и модулем
упругости (модулем Юнга) Е. Для бегущих волн в такой одномерной струне
волновое уравнение имеет вид
𝜕2𝑢 𝜕2𝑢
= 𝜐2 , (3.2)
𝜕𝑡 2 𝜕𝑥 2
здесь u – смещение струны от положения равновесия, 𝝊 = 𝑬/𝝆 – фазовая
скорость волны, она равна скорости звука, поскольку 𝝊зв = 𝑬/𝝆. Эта
скорость от частоты не зависит. Таким образом, упругая волна в струне
распространяется со скоростью звука.
Уравнение бегущей волны, распространяющейся с фазовой скоростью 𝝊,
имеет вид
𝑢 = 𝑢𝑚 𝐶𝑜𝑠 𝜔𝑡 − 𝑘𝑥 , (3.3)
𝟐𝝅
здесь 𝒖𝒎 – амплитуда, 𝒌 = − волновое число. Мы полагаем, для простоты,
𝝀
что начальная фаза волны равна нулю, что не нарушает общности основных
выводов.
Учитывая, что длина волны равна 𝝀 = 𝟐𝝅𝝊/𝝎 и что 𝒌 = 𝟐𝝅/𝝀, получаем
закон дисперсии 𝝎(𝒌) для струны:
𝜔 = 𝜐𝑘. (3.4)
Таким образом, при распространении упругой волны в струне частота
колебаний прямо пропорциональна волновому вектору (линейный закон
дисперсии).
Скорость переноса энергии волной определяется ее групповой
скоростью, 𝝊гр .
Групповая скорость волны определяется законом дисперсии и равна
𝜕𝜔
𝜐гр = . (3.5)
𝜕𝑘

28
 При линейной дисперсии групповая скорость равна фазовой скорости
𝜕𝜔 𝜕(𝜐𝑘)
𝜐гр = = = 𝜐.
𝜕𝑘 𝜕𝑘
Итак, следствием линейного закона дисперсии является то, что в упругой
струне групповая скорость равна фазовой, т.е. равна скорости звука 𝜐гр = 𝜐 =
𝜐зв = 𝐸/𝜌. Например, для железной струны скорость звука – 5000 м/с.
В бесконечной струне значения волнового вектора 𝑘 и частота могут
меняться непрерывно, т.к. никаких ограничений на их значения закон
дисперсии не накладывает.
Для бесконечного твердого тела (трехмерный случай) решение волнового
уравнения приводит также к линейному закону дисперсии, при этом скорость
распространения волны не зависит от частоты. Принципиальное отличие в
том, что для одного и того же волнового вектора 𝑘, возникают три бегущие
волны. В частности, для кубического кристалла, если направить вектор 𝑘
вдоль ребра (направление [100]), то возникнет одна продольная волна и две
поперечные, при этом скорости распространения поперечных волн
одинаковы, но могут отличаться от скорости распространения продольной
волны.

3.2.2.1 Бегущие волны в кристаллической решетке

В ограниченной по размеру решетке возникают стоячие волны, которым

соответствуют нормальные колебания (моды). Чтобы заменить нормальные
колебания решетки соответствующим набором бегущих волн, вводят
циклические граничные условия, благодаря которым кристаллическую
решетку можно считать квазибесконечной, в которой могут без
отражений распространяться бегущие волны.

Циклические граничные условия.

Одномерную цепочку длиной L с числом атомов N и периодом а
достраивают бесконечным числом аналогичных цепочек и накладывают
ограничение – циклические граничные условия (условие Борна–
Кармана): смещения в любой разрешенной моде повторяются через
расстояние L = Na. Таким образом, смещение i-го атома (𝒖𝒊 ) равно
смещению атома с номером N+i, (uN+i), т.е. (𝒖𝒊 = 𝒖𝑵+𝒊 ). Циклические
граничные условия позволяют не учитывать эффекты отражения волн от
границ кристалла. Введение этих условий означает, что волны в
ограниченном кристалле распространяются так же, как в бесконечной среде,
образованной данным кристаллом и бесконечным числом окружающих его
копий. В такой модели могут распространяться бегущие волны только со
следующим набором длин волн (разрешенный набор длин волн):
𝐿 𝐿 𝐿 2𝐿
𝜆1 = 𝐿 = 𝑁𝑎 = 𝜆𝑚𝑎𝑥 ; 𝜆2 = ; 𝜆3 = ; 𝜆𝑖 = ; … . 𝜆𝑁 = = 2𝑎 = 𝜆𝑚𝑖𝑛 (3.6)
2 3 𝑖 2 𝑁
29
 Этому набору соответствует набор волновых чисел
2𝜋 2𝜋𝑖 𝑁 2𝜋 2𝜋𝑁 𝜋
𝑘𝑖 = = , 𝑖 = 1, 2,3 … . ; 𝑘𝑚𝑖𝑛 = , 𝑘𝑚𝑎𝑥 = = . (3.7)
𝜆𝑖 𝐿 2 𝐿 2𝐿 𝑎

Теперь каждому значению модуля волнового вектора соответствуют две

бегущих волны, которые распространяются в противоположных
направлениях.
Следствие.
1. Все возможные значения волнового вектора 𝑘𝑖 расположены в
интервале от –π/α до +π/α, т.е. на отрезке длины 2π/α.
2. Общее число разрешѐнных значений волнового вектора для всей
совокупности бегущих волн (прямых и обратных) составляет (2π/a)
/(2π/L) = L/a = N. Как и число нормальных колебаний, оно равно числу
атомов в цепочке.
Вывод. Замена нормальных колебаний бегущими волнами позволяет, с
одной стороны, очень просто находить соответствующие им значения частот
и, с другой стороны, используя идею дуализма волн и частиц, ввести понятие
фононов как квазичастиц, обладающих энергией 𝜀 = ℏ𝜔 и
квазиимпульсом 𝑝 = ℏ𝑘. Каждому кванту энергии ℏ𝜔𝑖 волны с волновым
вектором 𝑘𝑖 удобно поставить в соответствие квазичастицу – фонон с
энергией ℏ𝜔𝑖 и квазиимпульсом 𝑝𝑖 = ℏ𝑘𝑖 . Скорость фонона, в общем случае,
определяется групповой скоростью волны 𝜐гр = 𝜕𝜔/𝜕𝑘 = 𝜕𝐸/𝜕𝑝. В случае
линейной дисперсии (при малых k (𝑘 < 𝜋/2𝑎)) скорость фонона можно
считать равной скорости звука в кристалле (𝜐гр = 𝜐зв ). Малым k
соответствуют большие длины волн λ>2а.
Фононы, соответствующие звуковым волнам, называются
акустическими фононами, поскольку в кристаллах волны такого частотного
диапазона можно возбудить переменным упругим воздействием на кристалл.
Длинноволновые (λ>>а) волны распространяются в кристалле как в
непрерывной среде со скоростью звука 𝜐зв . При λ>>а дискретность
структуры кристалла никак не проявляется и скорость звука практически не
зависит от длины волны (от волнового вектора 𝑘). Поэтому частота ωi
связана с длиной волны λi соотношением 𝜆𝑖 = 2𝜋𝜐зв /𝜔𝑖 или 𝜔𝑖 = 𝜐зв 𝑘𝑖 , т.е.
получаем линейный закон дисперсии, но, в отличие от струны, в одномерном
кристалле могут распространяться только волны с дискретным набором длин
волн, даваемым соотношением (3.6).
Типичные значения энергий, длин волн и частот акустических
фононов:
максимальная частота для большинства металлов 𝜔𝑚𝑎𝑥 ~1013 1/𝑐,
10 5 1
минимальная частота фонона 𝜔𝑚𝑎𝑥 ~ , – в кристалле размером ~ 1 см,
𝑐
амплитуда колебаний 𝑥𝑚𝑎𝑥 ~0,1𝐴,

30
минимальная длина волны 𝜆𝑚𝑖𝑛 = 2𝑎. В германии период решетки 𝑎𝐺𝑒 =
5,66𝐴, в кремнии – 𝑎𝑆𝑖 = 5,43𝐴.
5∙10 3 м
скорость звука в металлах 𝜐зв ~ , в германии 𝜐зв =5400 м/с.
𝑐
энергия одного кванта фононов равна 𝜀 = ℏ𝜔 = 𝑘𝑇, т.е. в зависимости от
температуры меняется, как kT.

3.2.3 Закон дисперсии акустических фононов. Случай

одноатомной элементарной ячейки

Для вывода этого закона рассмотрим кристалл, удовлетворяющий

циклическим граничным условиям, т.е. в этом кристалле могут
распространяться бегущие волны и можно использовать формализм
квазичастиц – фононов.
Особенности акустических фононов в реальных кристаллах определяются
особенностями распространения соответствующих им звуковых волн.
Любую кристаллическую решѐтку можно бесконечным числом способов
разбить на семейство эквидистантных атомных плоскостей так, чтобы все
атомы располагались только на этих плоскостях. Для каждого направления в
решѐтке существует семейство перпендикулярных ему эквидистантных
плоскостей. Звуковую волну в кристалле, распространяющуюся в
направлении волнового вектора 𝑘, можно рассматривать как результат
смещения атомных плоскостей друг относительно друга в семействе,
перпендикулярном 𝑘. Такие плоскости по определению являются
плоскостями постоянной фазы, атомы в каждой из них движутся синфазно.

Рассмотрим для простоты кубический кристалл с примитивной

элементарной ячейкой с периодом a с базисом, состоящим из одного атома. В
этом кристалле рассмотрим плоскую продольную волну,
распространяющуюся вдоль направления [100], т.е. направление вдоль оси
абсцисс Х. Массу атома обозначим М, а отклонение положения атома от
равновесия – u. Абсциссу отклоненного атома n-той атомной плоскости
обозначим х, поскольку период решетки равен а, то 𝑥 = 𝑎𝑛 + 𝑢𝑥 ; для
отклоненной атомной плоскости (n-1) абсцисса равна 𝑥−1 = 𝑛 − 1 𝑎 + 𝑢𝑥 −1 ,
а для атомной плоскости (n+1) абсцисса равна 𝑥+1 = 𝑛 + 1 𝑎 + 𝑢𝑥 +1 (см.
рис. 3.1).

31
 Рис. 3.1. Плоская продольная волна, распространяющаяся вдоль направления [100], в
кубическом кристалле с примитивной элементарной ячейкой с периодом a с базисом,
состоящим из одного атома. Штриховые линии – равновесное положение атомных
плоскостей

Рассмотрим взаимодействие атомов, расположенных в плоскостях

кристалла. Для простоты мы ограничимся первым приближением –
приближением ближайших соседей, т.е. будем учитывать только
взаимодействие с двумя плоскостями слева и справа от n-ной плоскости с
абсциссой х. Это оправдано тем, что силы взаимодействия атомов в первом
приближении являются короткодействующими. Первое приближение, в этом
случае, отражает основные закономерности, учет взаимодействия с другими
плоскостями будет вносить непринципиальные поправки. Взаимодействие
между атомами будем считать упругим.
Атомы, расположенные в одной плоскости (100) с номером n и абсциссой
х, смещены на величину 𝑢𝑥 вдоль нормали к этой плоскости с одной фазой.
На выбранный атом в этой плоскости будет действовать c силой 𝐹𝑥,−1
плоскость с абсциссой 𝑥−1 и с силой 𝐹𝑥,+1 плоскость с абсциссой 𝑥+1 . В
случае малых смещений u сила взаимодействия плоскостей равна
𝐹𝑥 = 𝐹𝑥 +1 − 𝐹𝑥 −1 = С 𝑢𝑥 +1 − 𝑢𝑥 − С 𝑢𝑥 − 𝑢𝑥 −1 = С(𝑢𝑥 +1 + 𝑢𝑥 −1 − 2𝑢𝑥 ),
здесь С – силовая постоянная взаимодействия.
Согласно второму закону Ньютона для движения атомной плоскости х
можно записать дифференциальное уравнение в виде
𝑑 2𝑢𝑥
𝑀 = С(𝑢𝑥 +1 + 𝑢𝑥 −1 − 2𝑢𝑥 ), (3.8)
𝑑𝑡 2

32
где М – масса атома, поскольку атом движется вместе с плоскостью, то
уравнение для плоскости совпадает с уравнением для атома. Таким образом,
уравнение для рассматриваемых плоскостей (100) совпадает с уравнением
для одномерной цепочки атомов массой М, находящихся на расстоянии а
друг от друга. Решением этого уравнения будет уравнение бегущей волны.
Ищем его в комплексной форме.
Уравнение волны в комплексной форме.
Уравнение бегущей волны имеет вид 𝑢 = 𝑢𝑚 𝐶𝑜𝑠 𝜔𝑡 − 𝑘𝑥 , здесь 𝑢𝑚 −
амплитуда смещения атома, начальная фаза принята равной нулю, что не
нарушает общности рассмотрения. Это уравнение записано в
тригонометрической форме. Эта форма записи усложняет математические
преобразования. Более удобно использовать комплексную запись уравнения
бегущей волны.
Согласно формуле Муавра 𝑒 ±𝑖𝛼 = 𝐶𝑜𝑠𝛼 ± 𝑖𝑆𝑖𝑛𝛼, где i – мнимая единица,
отсюда реальная часть комплексного числа: 𝑅𝑒 𝑒 ±𝑖𝛼 = 𝐶𝑜𝑠𝛼, мнимая
часть: 𝐼𝑚 𝑒 ±𝑖𝛼 = ±𝑖𝑆𝑖𝑛𝛼, тогда 𝐶𝑜𝑠 𝜔𝑡 − 𝑘𝑥 = 𝑅𝑒 𝑒 𝑖 𝜔𝑡 −𝑘𝑥 и уравнение
бегущей волны в комплексной форме будет иметь вид:
𝑢 = 𝑢𝑚 𝑒 𝑖 𝜔𝑡 −𝑘𝑥 = 𝑢𝑚 𝑒 𝑖 𝜔𝑡 −𝑘𝑥 = 𝑢𝑚 𝑒 −𝑖𝑘𝑥 𝑒 𝑖𝜔𝑡 , (3.9)
−𝑖𝑘𝑥
сомножитель 𝑒 указывает на то, что волна бегущая.
Использование такой формы записи упрощает математические
преобразования. Результат математических преобразований получается в
комплексной форме. Взяв от него реальную часть, получаем конечный
результат в виде гармонических функций.
Уравнение волны ищем в виде 𝑢𝑛 +𝑝 = 𝑢𝑚 𝑒 −𝑖𝑘(𝑛 +𝑝)𝑎 𝑒 𝑖𝜔𝑡 , здесь р=-1, 0, +1,
поскольку мы рассматриваем три плоскости, то 𝑢𝑥 соответствует 𝑢𝑛 , р=0;
соответственно 𝑢𝑥 −1 → 𝑢𝑛−1 , а 𝑢𝑥 +1 → 𝑢𝑛+1 .
Подставляя уравнение волны в дифференциальное уравнение, получаем
𝑑 2𝑢
для правой части: 𝑑𝑢𝑛 /𝑑𝑡 = 𝑖𝜔𝑢𝑚 𝑒 −𝑖𝑘(𝑛+𝑝)𝑎 𝑒 𝑖𝜔𝑡 = 𝑖𝜔𝑢𝑛 ; тогда 𝑀 2𝑛 =
𝑑𝑡
−𝑀𝜔2 𝑢𝑛 и уравнение приобретет вид −𝑀𝜔2 𝑢𝑛 = С 𝑢𝑛+1 + 𝑢𝑛−1 − 2𝑢𝑛 .
Подставляя сюда (3.9) и учитывая, что 𝑒 −𝑖𝑘𝑎 + 𝑒 −𝑖𝑘𝑎 = 2𝐶𝑜𝑠𝑘𝑎 и что 1 −
𝐶𝑜𝑠𝑘𝑎=2𝑆𝑖𝑛2(𝑘𝑎/2), получаем закон дисперсии для акустических фононов в
одномерной цепочке атомов (в одномерном кристалле с одноатомным
базисом), а также для рассматриваемого нами кристалла одноатомным
базисом, он имеет вид
𝐶 𝑘𝑎
𝜔 = ±2 ∙ 𝑆𝑖𝑛 , (3.10)
𝑀 2
так как ω всегда больше нуля, то знак минус перед корнем соответствует
области отрицательных значений k.
Соответствующая дисперсионная кривая представлена на рисунке 3.2.

33
 Рис. 3.2. Зависимость частоты колебаний атомов от волнового числа для акустических
фононов – плоской продольной волны, распространяющаяся вдоль направления [100], в
кубическом кристалле с примитивной элементарной ячейкой с периодом a и базисом,
состоящим из одного атома (дисперсионная кривая). Аналогичная дисперсионная кривая
будет и для одномерного кристалла с одноатомным базисом

3.2.4 Первая зона Бриллюэна

Из рисунка 3.2 видно, что дисперсионная кривая представляет собой
периодическую функцию с периодом 2π/а (от - π/а до + π/а). Таким образом,
частота оказывается периодической функцией волнового числа и на k+2π/a
возвращается к прежнему значению. Область физически различных значений
волнового числа имеет ширину 2π/a. Эту область принято выбирать так,
чтобы точка с k=0 лежала в ее центре. Поскольку бегущие волны могут
распространяться в прямом и обратном направлениях, то волновой вектор
должен иметь как положительные, так и отрицательные эквивалентные
значения.
Диапазон изменения волнового числа (от - π/а до + π/а) носит
название первой зоны Бриллюэна.
В первой зоне Бриллюэна должны содержаться все физически различные
значения волнового числа. Если это верно, то отклонения атомов,
описываемые в первой зоне Бриллюэна, соответствуют отклонениям,
описываемым в любой другой зоне Бриллюэна, действительно это так, и
следующий рисунок является подтверждением

Рис. 3.3. Две волны из разных зон Бриллюэна.

Штриховая линия – волна с волновым числом k1 (1-я зона Бриллюэна), сплошная
линия – волна с волновым числом (k2=k1+(2π/a)) (2-я зона Бриллюэна). Обе кривые
проходят через все отклоненные атомы (шарики)

Напомним, что зона Бриллюэна – это отображение ячейки Вигнера–

Зейтца в обратном пространстве. Волновая функция для периодического
твѐрдого тела полностью описывается еѐ поведением в первой зоне
Бриллюэна.

34
 Анализ дисперсионной кривой
Малые значения волнового вектора (𝑘 < 𝜋/2𝑎), (длинные волны, низкие
частоты и низкие энергии).
𝐶 𝑘𝑎
Разлагая в ряд формулу 𝜔 = 2 𝑆𝑖𝑛 , вблизи нуля получаем
𝑀 2

𝐶
𝜔= 𝑘𝑎 , (3.11)
𝑀

т.е. в области длинных волн и малых энергий фононов, когда дискретностью

линейной цепочки атомов можно пренебречь, закон дисперсии фононов
является линейным. Он соответствует закону дисперсии для упругих волн в
струне. Групповая скорость постоянно равна фазовой и скорости звука в
кристалле.
Как видно из графика, при уменьшении длины волны фонона
(увеличении k) закон дисперсии отклоняется от линейного, производная 𝑑𝜔/
𝑑𝑘 = 𝜐гр , равная тангенсу наклона касательной к графику, уменьшается и при
𝜋
𝑘 = становится равной нулю. Волновой процесс, с групповой
𝑎
скоростью равной нулю, является стоячей волной.
Уравнение стоячей волны в комплексной форме для линейной цепочки
атомов имеет вид:
𝑢𝑛 = 𝑢𝑚 (−1)𝑛 𝑒 𝑖𝜔𝑡 . (3.12)
Из этого уравнения следует, что атомы колеблются вокруг положения
равновесия с постоянной амплитудой, при этом атомы, находящиеся рядом,
колеблются в противофазе.
Выводы: в кристаллической решетке тепловое возбуждение описывается
квазичастицами – фононами, при больших длинах волн их закон
дисперсии 𝜔(𝑘) является линейным. На границе первой зоны
𝜋
Бриллюэна (𝑘 = ± ) бегущие волны переходят в стоячие и групповая
𝑎
скорость волны становится равной нулю. Этот эффект соответствует
уравнению Вульфа–Брэггов. Длина волны при этом равна 𝜆𝑚𝑖𝑛 =
2𝑎, а частота 𝜔𝑚𝑎𝑥 = 𝜐зв /2𝑎.

3.2.5 Кристалл с элементарной ячейкой, состоящей из двух

атомов. Оптические колебания

Наряду с акустическими волнами и соответствующими им

акустическими фононами, в кристаллах, состоящих из атомов разного сорта,
(например, из атомов различной массы), а также в кристаллах, состоящих из
атомов одного сорта, но имеющих несколько атомов в элементарной ячейке,
кроме рассмотренного существует ещѐ один тип коллективных возбуждений,

35
при котором соседние атомы независимо от длины волны колеблются в
противофазе.
Впервые такой тип колебаний был возбужден и исследован в ионных
кристаллах (таких, как NaCl, КВг) при воздействии на кристалл
электромагнитным полем световой волны. Поэтому этот тип колебаний
называется «оптические колебания».
Таким образом, в кристаллах, где возможны оптические колебания,
одному и тому же значению волнового вектора 𝑘 соответствуют две волны с
одной и той же поляризацией: акустическая и оптическая. Оптические
колебания, как и акустические, квантуются. Кванты энергии оптических
колебаний называются оптическими фононами. Характерной особенностью
оптических колебаний является то, что во всех оптических модах,
независимо от длины волны, соседние атомы колеблются практически в
противофазе и поэтому частоты оптических фононов близки к значению
предельной частоты акустических фононов и слабо зависят от величины
волнового вектора.
В общем случае в трѐхмерных решѐтках возможны три типа акустических
колебаний: продольные и два типа поперечных и, соответственно, три типа
оптических. Таким образом, спектр колебаний кристаллической решѐтки при
каждом заданном волновом векторе к описывается шестью ветвями: тремя
акустическими и тремя оптическими.
Рассмотрим кубический кристалл с примитивной элементарной ячейкой с
периодом а и с базисом, состоящим из двух атомов. Пусть атомы имеют
массы M и m, причем, M>m.
В этом кристалле рассмотрим направление [100] и плоскую продольную
волну, распространяющуюся вдоль этого направления, (случай поперечной
волны рассматривается подобным же образом).
Атомы с массой M (темные), расположенные в одной плоскости (100) с
номером n и абсциссой х, смещены величину ux с одной фазой вдоль
нормали к этой плоскости, то есть вся плоскость атомов колеблется как
целое. Аналогично светлые атомы с массой m, расположенные в одной
плоскости с номером n, смещены на величину vx. Предположим, что силы
взаимодействия атомов являются короткодействующими, поэтому на один
выбранный атом в плоскости с номером n будут действовать только атомы
двух ближайших плоскостей.

36
 Рис. 3.4. Плоская продольная волна, распространяющаяся вдоль направления [100], в
кубическом кристалле с примитивной элементарной ячейкой с периодом a с базисом,
состоящим из двух атомов с массами М (зачерненные атомы) и m (светлые атомы)

Как и в случае кристалла с одноатомной ячейкой, используя второй закон

Ньютона получаем уравнение связывающее частоту колебаний атомов с
волновым числом, оно совпадает с уравнением для одномерной цепочки
атомов (одномерного кристалла) с двухатомным базисом:
f(k, ω)) = 0 → 𝑀𝑚𝜔4 − 2𝐶 𝑀 + 𝑚 𝜔2 + 2𝐶 2 1 − 𝐶𝑜𝑠 𝑘𝑎 = 0.
Рассмотрим 2 варианта решения этого уравнения: для малых значений
волновых векторов (длинноволновый предел) и результат на границе зоны
Бриллюэна.
1. Дисперсионные соотношения при малых значениях 𝑘 , 𝑘𝑎 ≪ 1 .
После разложения в ряд Тейлора по (ka≪1) получаем, что 𝐶𝑜𝑠 𝑘𝑎 ≈ 1 −
𝑘𝑎 2 /2. С учетом этого, решение уравнения f(k,ω)=0 дает два
действительных корня и, следовательно, мы имеем две формулы
дисперсионных законов при малых значениях волновых векторов:
1 1
𝜔≈ 2С + оптическая ветвь, (3.13)
𝑀 𝑚

37
 1 С
𝜔 ≈ 𝑘𝑎 акустическая ветвь. (3.14)
2 𝑀+𝑚

Первой формуле соответствует оптическая ветвь дисперсионных

кривых фонона, а второй формуле – акустическая ветвь.
Дисперсионные соотношения на границе зоны Бриллюэна.
На границе первой зоны Бриллюэна 𝑘𝑎 = ±𝜋, следовательно, 𝐶𝑜𝑠 𝑘𝑎 =
−1, решая уравнение (f(k, ω))=0), получаем 2 дисперсионных соотношения,
при условии, что (M>m):
2С
𝜔≈ , оптическая ветвь (граница зоны Бриллюэна, M>m), (3.15)
𝑚

2С
𝜔≈ , акустическая ветвь (граница зоны Бриллюэна, M>m). (3.16)
𝑀

Дисперсионные кривые, построенные по формулам (3.13–3.16) имеют

следующий вид.

Рис. 3.5. Дисперсионные кривые (зависимость частоты от волнового числа ω(k)) для
плоской продольной волны, распространяющаяся вдоль направления [100], в кубическом
кристалле с примитивной элементарной ячейкой с периодом a и с базисом, состоящим из
двух атомов с массами М и m (M>m)

Анализ колебаний атомов, соответствующих оптической и

акустической ветви, т.е. оптическим и акустическим фононам, при 𝑘𝑎 ≪ 1.
Этот диапазон значений волновых векторов фононов важен хотя бы
потому, что в процессе поглощения фотонов с частотой ~ 1013 Гц
кристаллами достаточную вероятность имеют процессы образования одного
фонона на каждый фотон. В этих процессах образуются фононы с волновыми
векторами, удовлетворяющими условию 𝑘𝑎 ≪ 1.

38
 Оптическая ветвь. Название «оптическая» ветвь получила в связи с тем,
что колебания, соответствующие этой ветви, можно возбудить
электромагнитным полем световой волны. Колебания, соответствующие этой
ветви, также называют «оптическими колебаниями».
При оптических колебаниях атомы элементарной ячейки колеблются в
противофазе (рис. 3.6) так, что центр их масс остается неподвижным,
амплитуды колебаний разных атомов ячейки обратно пропорциональны
массе атомов, т.е. при k=0 выполняется соотношение u/v=–m/M.
Акустическая ветвь. Название «акустическая» ветвь получила в связи с
тем, что колебания, соответствующие этой ветви, можно возбудить
переменным упругим воздействием на кристалл. Колебания,
соответствующие этой ветви, также называют «акустическими
колебаниями». Акустические колебания кристалла при 𝑘𝑎 ≪ 1
соответствуют акустическим колебаниям атомов в длинноволновом
приближении сплошной среды поскольку, в этом случае, длина волны
акустического фонона много больше расстояния между атомами и
неоднородностью среды можно пренебречь. Атомы движутся согласованно
приблизительно в одной фазе (рис. 3.6), при k=0 выполняется соотношение
u/v=1, т.е. атомы движутся синхронно и отклонения в каждый момент
времени одинаковы.

Анализ колебаний атомов, соответствующих оптической и

акустической ветви на границе зоны Бриллюэна при 𝑘 = ±𝜋/𝑎.
2С 2С
На границе зоны Бриллюэна 𝜔опт ≈ для оптической ветви и 𝜔А ≈
𝑚 𝑀
для акустической ветви (M>m). В этом случае оптические колебания
отличаются от акустических тем, что в оптической ветви колебаний
неподвижны более тяжѐлые атомы, а колеблются более лѐгкие, а в
акустической ветви неподвижны более легкие атомы, а колеблются более
тяжѐлые. Поэтому частота оптических колебаний больше, чем частота
акустических, 𝜔опт > 𝜔А .

Рис. 3.6. Поперечные оптические и

акустические колебания в линейной решетке с
двухатомным базисом из ионов при малых
волновых векторах. Оптические колебания
являются противофазными – черные и белые
ионы отклоняются в разные стороны.
Акустические колебания являются
синфазными – черные и белые ионы
отклоняются в одну сторону.

39
 Вывод. Как видно из дисперсионных кривых двухатомного кристалла
2С
(рис. 3.5), существует запрещенная область частот между 𝜔опт ≈ и 𝜔А ≈
𝑚
2С
. В этой области не существует решений для вещественных значений k и
𝑀
волновой вектор является комплексной величиной, что приводит к тому, что
любая волна, попадающая в запрещенную область, сильно поглощается. Этот
факт является характерной особенностью распространения упругих волн в
многоатомной решетке.

3.2.6 Сравнение микрочастицы фотона с квазичастицей фононом

Следует помнить, что фонон не является реальной микрочастицей, он

является квазичастицей, введенной для удобства описания явлений в твердом
теле с помощью математического аппарата, развитого для микрочастиц.

Таблица 3.1. Сравнение свойств фотона и фонона

Свойство Фотон Фонон
Тип частицы Частица Квазичастица
Определение Квант Элементарная порция энергии
электромагнитного звуковой частоты
поля
Область существования Вакуум, вещество Кристалл
Спин Спин=1, Бозон Спин=1, Бозон
Степень вырождения – число 2 (Две 3 (Продольная волна + две
возможных состояний с поляризации поляризации поперечной
одинаковой энергией поперечной волны) волны)
Масса 0 0
Импульс 𝑝 =ℏ𝑘 𝑝 =ℏ𝑘

Скорость Скорость света, Скорость зависит от

постоянная дисперсионного соотношения.
При ka<<1 равна скорости
звука в кристалле
Диапазон частот 0−∞ 0 − 𝜔𝑚𝑎𝑥
Закон дисперсии 𝜔=𝑐 𝜔 ≈ 𝜐зв 𝑘, при ka<<1. На
границе зоны Бриллюэна
𝜔опт ≈ 2𝐶/𝑚 и 𝜔А ≈ 2𝐶/𝑀.

40
 4 ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ.
ТЕПЛОЕМКОСТЬ

Кристалл является термодинамической системой. Поэтому напомним

некоторые основные определения термодинамики.

4.1 Термодинамика. Основные определения

Термодинамическая система (ТД система), выделяемая (реально или

мысленно) для изучения – это макроскопическая физическая система,
состоящая из большого числа частиц и не требующая для своего описания
привлечения микроскопических характеристик отдельных частиц.
Единицей измерения числа частиц в термодинамической системе обычно
служит число Авогадро (NA = 6,0221412·1023 частиц на моль вещества,
1
единица измерения = моль−1 ) Число Авогадро дает представление, о
моль
величинах какого порядка идѐт речь. Ограничения на природу материальных
частиц, образующих термодинамическую систему, не накладываются: это
могут быть атомы, молекулы, электроны, ионы, фотоны и т. д.
Термодинамическая подсистема – любая часть термодинамической
системы.
Параметры состояния ТД системы. Для описания состояния
термодинамической системы используются макроскопические параметры,
называемые параметрами состояния: температура, давление, объѐм,
концентрация вещества; если система находится в электромагнитном поле,
то также электрическая и магнитная индукция.
Под температурой в термодинамике понимают абсолютную
(термодинамическую) температуру, единица измерения температуры – [K].
Связь между параметрами состояния устанавливается уравнением
состояния.
Окружающая среда. Каждая термодинамическая система имеет
границы, реальные или условные, отделяющие еѐ от окружающей среды.
Считается, что окружающая среда достаточно велика и поэтому еѐ
параметры не зависят от протекающих в рассматриваемой системе
процессов. Кроме того, обычно подразумевается, что окружающая среда
находится в состоянии термодинамического равновесия и еѐ характеристики
не зависят от времени и пространственных координат.
Виды ТД системы. Термодинамические системы бывают трех видов:
изолированные – нет обмена с окружающей средой ни веществом, ни
энергией, пример – термоизолированный сосуд с газом;
замкнутые – нет обмена веществом с окружающей средой, пример –
герметичный сосуд;
открытые – существует энерго- и массообмен с окружающей средой.

41
 Как правило, изучаемые нами ТД системы будут замкнутыми и (или)
изолированными.
Термодинамический процесс. Термодинамическим процессом
называется процесс изменения состояния термодинамической системы. Он
характеризует термодинамическую систему с точки зрения ее
энергетического взаимодействия с окружающей средой. ТД процессы
бывают обратимыми и необратимыми. Обратимыми называются
процессы, которые могут быть проведены в прямом и обратном
направлениях таким образом, что все тела, участвующие в процессе,
проходят через одни и те же промежуточные равновесные состояния (но в
обратной последовательности), а после проведения прямого и обратного
процессов все тела системы возвращаются в первоначальное состояние, и,
следовательно, распределение энергии между ними оказывается прежним.
Обратимые процессы являются квазиравновесными, т.е. такими
процессами, время протекания которых значительно больше времени
установления ТД равновесия в системе.
Процессы, не отвечающие поставленным условиям, называются
необратимыми. Мы будем рассматривать в основном обратимые процессы.
Процессы, проходящие при постоянном давлении, называются
изобарными, при постоянном объеме – изохорными, при постоянной
температуре – изотермическими, при постоянной энтропии –
адиабатическими.
Функции состояния ТД системы – функции, описывающие состояние
ТД системы и не зависящие от предыстории системы, т.е. от того, как она
попала в данное состояние. Они определяются только начальным и конечным
состояниями системы.
Как следствие, может быть получена связь полного дифференциала
функции состояния с параметрами системы.
К функциям состояния системы относятся: внутренняя энергия (U),
энтропия (S), энтальпия (H), термодинамический потенциал (G) и т.д.
Отметим, что теплота не относится к параметрам состояния системы.
Вид функции состояния определяется видом ТД процесса.
Энтропия, S, Дж (моль ∙ К) – функция состояния термодинамической
системы, которая при обратимом (квазиравновесном) процессе равна
количеству теплоты 𝛿𝑄 сообщѐнной системе или отведѐнной от системы,
отнесѐнному к термодинамической температуре системы:
𝛿𝑄
𝑑𝑠 = 𝑇. (4.1)
В этом выражении 𝑑𝑠 – полный дифференциал, в то время как 𝛿𝑄 –
вариация, тоже бесконечно малая величина, но полным дифференциалом не
являющаяся. Далее мы сохраним эти обозначения для бесконечно малых
величин.

42
 Энтропия может быть найдена интегрированием (4.1), поэтому в
термодинамике энтропия определена с точностью до постоянной.
Поскольку энтропия является функцией состояния, то она не зависит от
того, как осуществлѐн переход из одного состояния системы в другое, а
определяется только начальным и конечным состояниями системы. Энтропия
равновесного тела равна сумме энтропии его малых равновесных частей, т.е.
является экстенсивной величиной. Энтропия зависит от энергии и объема
тела V, но не зависит от формы тела.
В природе могут идти только такие ТД процессы, в которых энтропия
растет или остается постоянной.
С точки зрения статистической физики энтропию можно рассматривать
как меру вероятности осуществления какого-либо макроскопического
состояния, абсолютное значение энтропии состояния ТД системы равно
𝑠 = 𝑘𝐿𝑛𝑊, (4.2)
где W – термодинамическая вероятность реализации термодинамического
состояния, k – постоянная Больцмана.
Исходя из (4.2), энтропию можно рассматривать как меру хаотичности
ТД состояния. В равновесном состоянии энтропия максимальна.
Связь энтропии с температурой. Если система находится в состоянии
ТД равновесия, то производная энтропии по энергии для всех ее частей
одинакова, т.е. постоянна вдоль всей системы, аналогичным свойством
обладает температура. Связь между энтропией и температурой имеет вид
𝑇=1 (4.3)
𝑑𝑠
𝑑𝐸 .

Внутренняя энергия (U, [Дж]).

Сумма кинетических энергий хаотического движения всех частиц тела
относительно центра масс тела (молекул, атомов) и потенциальных энергий
их взаимодействия друг с другом называется внутренней энергией.
Поскольку внутренняя энергия включает потенциальную энергию, то ее
абсолютное зависит от системы отсчета, его можно определить с точностью
до постоянной. Точно определяется изменение внутренней энергии при
изменении состояния системы (Состояние1 → Состояние2, ∆𝑈 = 𝑈2 − 𝑈1 ).

4.2 Основные законы термодинамики

Первое начало термодинамики: Количество тепла, сообщаемое системе,

затрачивается на приращение внутренней энергии системы и совершение
системой работы над внешними силами. Правило знаков: то, что входит в
систему берется со знаком «плюс», что покидает ее – со знаком «минус». В
дифференциальной форме первое начало имеет вид
𝛿𝑄 = 𝑑𝑈 + 𝛿𝐴, (4.4)

43
где 𝛿𝐴 – работа против внешних сил, она определяется в соответствии с тем,
в каком поле сил находится система. В простейшем случае, если объем
системы, находящейся под постоянным давлением Р, увеличился на 𝑑𝑉, то
𝛿𝐴 = 𝑃𝑑𝑉.

Второе начало термодинамики. Энтропия изолированной системы не

может убывать:
𝑑𝑆 ≥ 0 , (4.5)
знак равенства в этом выражении относится к обратимому процессу.

Объединенная запись первого и второго начал ТД.

Согласно второму началу связь передаваемого системе тепла с энтропией
имеет вид
𝛿𝑄
𝑑𝑆 ≥ 𝑇, (4.6)
знак равенства в этом выражении относится к обратимому процессу.
Для обратимых процессов, комбинируя (4.4) и (4.6), получаем
объединенную запись первого и второго начал ТД
𝑑𝑈 = 𝑇𝑑𝑆 + 𝛿𝐴. (4.7)

Теорема Нернста (третье начало термодинамики).

Энтропия всякого тела стремится к нулю при стремлении к нулю
температуры
lim 𝑇→0 𝑠 = 0. (4.8)
Это соотношение можно рассматривать как следствие формулы 𝑠 =
𝑘𝐿𝑛𝑊, поскольку, как правило, система при абсолютном нуле находится в
основном состоянии, термодинамическая вероятность которого W=1.

Закон равнораспределения энергии по степеням свободы. Энергия

классического гармонического осциллятора.
Согласно закону равнораспределения энергии по степеням свободы, на
одну степень свободы поступательного и вращательного движения молекул
(атомов), которое связано только с кинетической энергией, приходится
1
средняя энергия 𝑘𝑇 , на одну колебательную степень свободы приходится
2
средняя энергия kT, поскольку колебательное движение связано с наличием
как кинетической, так и потенциальной энергии. В результате средняя
энергия молекулы равна
𝑖
< 𝜀 >= 𝑘𝑇, (4.9)
2
здесь i – число степеней свободы,
𝑖 = 𝑖поступ + 𝑖вращат + 2𝑖колеб . (4.10)

44
 Энергия элементарного трехмерного гармонического осциллятора.
Такой осциллятор имеет три колебательных степеней свободы, поэтому,
согласно (4.9), его средняя энергия равна
< 𝜀 >осциллятора = 3𝑘𝑇 . (4.11)

Теплоѐмкость, С, Дж (моль ∙ К) .
Теплоемкость ТД системы является одной из основных теплофизических
характеристик. Мы будем использовать следующие единицы измерения
теплоемкости:
1. Молярная теплоемкость, т.е. теплоемкость, приходящаяся на один моль
вещества С, Дж (моль ∙ К) .
2. Удельная теплоемкость, т.е. теплоемкость, приходящаяся на один
килограмм вещества Суд, Дж (кг ∙ К) , при этом Суд = С/𝜇, здесь 𝜇 -
молекулярная масса [кг/моль].
3. Теплоемкость единицы объема вещества Соб , Дж 𝟑 ; Соб =
(м ∙ К)
𝜌
Суд𝜌; Соб = С ∙ , здесь ρ [кг/м3] – удельная масса вещества.
𝜇
Как правило, под термином теплоемкость будем понимать молярную
теплоемкость С, если в тексте не будет указано иное.
Теплоемкость – физическая величина, равная количеству тепла, которое
необходимо сообщить системе, чтобы повысить ее температуру на 1 К:
𝛿𝑄
С= 𝑑𝑇 . (4.12)
Из первого начала ТД следует, что изохорная теплоемкость (при
постоянном объеме, С𝑉 ) равна первой частной температурной производной
внутренней энергии при постоянном объеме:
𝜕𝑈
С𝑉 = . (4.13)
𝜕𝑇 𝑉
𝑖
Согласно (4.9) изохорная теплоемкость равна: С𝑉 = 𝑅, изобарная
2
𝑖+2
теплоемкость С𝑃 = 𝑅. Для одноатомного газа с тремя поступательными
2
свободы: С𝑉 = 𝑅; С𝑃 = 𝑅 (𝑅 = 8,3144 Дж (моль ∙ К) ) –
3 5
степенями
2 2

универсальная газовая постоянная.

Как видно, изобарная теплоемкость больше изохорной, их разность
разности для идеального газа дается соотношением Майера

Соотношение Майера:
𝐶𝑃 − 𝐶𝑉 = 𝑅 , (4.14)

45
разность изобарной и изохорной молярной теплоемкости идеального газа –
постоянна и равна значению универсальной газовой постоянной.

4.3 Теплоемкость твердого тела. Решеточная теплоемкость.

Теплоемкость диэлектриков

4.3.1 Закон Дюлонга–Пти

У атомов в идеальном кристалле нет поступательных степеней свободы,

т.к. они находятся в узлах решетки, но возможны колебания атомов. В
трехмерном кристалле у атома три колебательных степени свободы, на
каждую из которых приходится средняя энергия, равная kT. Число атомов в
моле кристаллов равно числу Авогадро, NA. Таким образом, внутренняя
энергия одного моля кристалла равна 𝑈 = 3𝑘𝑇 ∙ 𝑁𝐴 = 3𝑅𝑇, т. к. 𝑘𝑁𝐴 = 𝑅 =
8,3144 Дж/(моль К). Отсюда следует экспериментальный закон Дюлонга–
Пти:
𝐶𝑉 крист = 3𝑅 ≈ 25 Дж моль ∙ К . (4.15)
Экспериментальные результаты, относящиеся к теплоемкости твердых
тел, можно суммировать следующим образом:
1. При комнатных и более высоких температурах значения молярной
теплоемкости почти всех твердых тел близки к 3R, т.е. 25 Дж/(моль К).
2. При низких температурах теплоемкость заметно уменьшается и в
области абсолютного нуля температуры приближается к нулю по закону Т3
для диэлектриков и по закону Т для металлов (несверхпроводящих). В
сверхпроводящем состоянии закон уменьшения теплоемкости более резкий,
чем Т. При этом для диэлектриков теплоемкость определяется
теплоемкостью решетки (закон Т3).
Для металлов теплоемкость определяется суммой теплоемкости решетки
и электронной подсистемы – электронного газа. При понижении
температуры сначала основной вклад дает теплоемкость решетки
(теплоемкость падает пропорционально Т3: 𝐶𝑉 𝑇 3 ), а при дальнейшем
понижении температуры теплоемкость решетки становится меньше
теплоемкости электронного газа и теплоемкость падает пропорционально
Т:𝐶𝑉 𝑇.
На основе представлений классической физики полученные
экспериментальные результаты объяснить не удается.
С точки зрения квантовой теории теплоемкости, тепловые колебания
кристаллических решеток описываются как газ фононов. Поэтому задача о
теплоемкости решетки сводится к расчету суммарной энергии фононов и
𝜕𝑈
определению теплоемкости по формуле С𝑉 = .
𝜕𝑇 𝑉

46
 4.3.2 Учет гармонических колебаний атомов в решетке. Модель
Эйнштейна

Если колебания атомов в решетке гармонические, то с точки зрения

фононного подхода это эквивалентно газу невзаимодействующих фононов.
То есть фононы не рассеиваются, их длина свободного пробега не меньше
наибольшего из размеров исследуемого образца. Согласно фононному
подходу, именно эти предположения использованы в моделях Эйнштейна и
Дебая.
Модель Эйнштейна. В модели Эйнштейна [5] считают, что атомы
колеблются независимо друг от друга и что частоты колебаний всех
атомов одинаковы.
В таком случае для подсчета внутренней энергии кристалла, содержащего
N атомов, достаточно рассмотреть один осциллятор, а затем домножить
результат на 3N – число осцилляторов. Пусть каждый осциллятор имеет
частоту ω=ωE. Средняя энергия < 𝜀 >, запасенная в таком осцилляторе,
вычисляется с использованием распределения Бозе-Эйнштейна:
ℏ𝜔 𝐸
< 𝜀 >= ℏ𝜔𝐸 / 𝑒𝑥𝑝 −1 .
𝑘𝑇
Внутренняя энергия кристалла, содержащего NA атомов равна < 𝑈 >=
3𝑁 < 𝜀 >.
Теплоемкость при постоянном объеме определяется соотношением:
2 𝑒𝑥𝑝
 𝜔𝐸
𝜕𝑈  𝜔𝐸 𝑘𝑇
𝐶𝑉 = = 3𝑅 2 .
𝜕𝑇 𝑉 𝑘𝑇  𝜔𝐸
𝑒𝑥𝑝 −1
𝑘𝑇

𝜔
Назовем отношение 𝐸
= 𝜃𝐸 , имеющее размерность температуры,
𝑘
температурой Эйнштейна. Оно будет параметром уравнения для
теплоемкости, тогда
𝜃𝐸
𝜕𝑈 𝜃𝐸 2 𝑒𝑥𝑝
𝑇
𝐶𝑉 = 𝐶𝑉 = = 3𝑅 2 . (4.15)
𝜕𝑇 𝑉 𝑇 𝜃
𝑒𝑥𝑝 𝑇𝐸 −1
Модель Эйнштейна дает хорошее совпадение с экспериментом для
температур выше 50–100 К (не слишком близких к абсолютному нулю).
В области высоких температур модель Эйнштейна хорошо описывает
экспериментальные данные, однако в области низких температур убывание
теплоемкости по модели Эйнштейна оказывается более быстрым, чем
наблюдают экспериментально. Это связано с некорректностью допущений о
независимости колебаний отдельных атомов. Известно, что атомы
взаимодействуют друг с другом, например, в кристалле существуют упругие
волны с разной длиной волны, соответствующие коллективным, зависящим
друг от друга, колебаниям атомов.
Вывод. Модель теплоемкости кристалла по Эйнштейну хорошо
описывает теплоемкость кристаллов при комнатных и более высоких

47
температурах. Также эта модель идеально подходит для описания
теплоемкости отдельных молекул и хорошо подходит для описания вклада
оптических фононов (частота которых обычно слабо зависит от волнового
вектора) в теплоемкость кристаллов. Для описания вклада акустических мод,
являющихся преобладающими при низких температурах, используется
модель теплоемкости Дебая.

4.3.3 Учет гармонических колебаний атомов в решетке. Модель

Дебая

Дебай учел, что колебания атомов в кристаллической решетке являются

взаимозависимыми. Смещение от положения равновесия одного атома
влечет за собой смещение соседних атомов. В результате решетка
представляет собой N материальных точек, которые связаны упругими
силами. Число степеней свободы этой системы равно 3N.
Ниже будут приведены некоторые результаты теории Дебая, но
полученные с использованием формализма фононов [3, 6]. Согласно этому
формализму внутренняя энергия U кристалла, определяемая, как энергия
тепловых колебаний атомов решетки, равна U= E – энергии идеального газа
квазичастиц – фононов с разными энергиями, а значит, и частотами,
поскольку энергия фонона равна 𝜺𝒊 = ℏ𝝎𝒊 . Отсюда ясно, что у фононов в
кристалле дискретный частотный спектр.
Энергия идеального газа равна сумме энергий его частиц, поэтому,
если < 𝑛𝑖 > среднее число фононов с энергией 𝜀𝑖 (частотой 𝜔𝑖 ), то
𝑈 = 𝑖 < 𝑛𝑖 > 𝜀𝑖 = 𝑖 < 𝑛𝑖 > ℏ𝜔𝑖 . (4.16)
Когда фононов много, то от суммирования по частотам можно перейти к
интегрированию. В этом случае дискретный частотный спектр фононов
необходимо аппроксимировать непрерывным частотным спектром и
определить для него как спектральную плотность состояний (СПС) фононов
D(ω), так и среднее число фононов в каждом состоянии 𝒏(𝝎, 𝑻) (число
заполнения).
СПС D(ω) показывает число нормальных колебаний – мод, приходящихся
на единичный интервал частот вокруг частоты ω или, что то же самое,
число разрешенных частот фононов, в единичном интервале частот.
Напомним, что нормальное колебание носит название «мода».
Среднее число фононов 𝒏(𝝎, 𝑻) в каждом таком состоянии (т.е. число
фононов, относящихся к определенной моде) дается распределением Планка:
1
𝑛 𝜔, 𝑇 = ℏ𝜔 . (4.17)
𝑒𝑥𝑝 −1
𝑘𝑇
Это распределение получено Планком для фотонов при исследовании
излучения абсолютно черного тела. Оно является следствием распределения
Бозе-Эйнштейна и справедливо как для фотонов, так и для фононов, так как
они являются бозонами. Таким образом, среднее число фононов,

48
приходящихся на частотный интервал от частоты 𝝎 до частоты 𝝎 + 𝒅𝝎
равно
1
𝑑𝑛 𝜔, 𝑇 = 𝐷 𝜔 𝑑𝜔,
ℏ𝜔
𝑒𝑥𝑝 −1
𝑘𝑇
здесь внутренняя энергия кристалла равна
𝜔
𝑈 = 0 𝑚𝑎𝑥 ℏ𝜔𝑑𝑛 𝜔, 𝑇 , (4.18)
здесь, 𝜔𝑚𝑎𝑥 – максимальная частота фононного спектра. Учитывая
предыдущую формулу, получаем
𝜔 ℏ𝜔
𝑈 = 0 𝑚𝑎𝑥 𝐷(𝜔) ℏ𝜔 𝑑𝜔. (4.19)
𝑒𝑥𝑝 −1
𝑘𝑇
Как видно из этой формулы, главной трудностью при расчете внутренней
энергии является определение спектральной плотности состояния фононов –
𝐷 𝜔 , которую часто можно найти только экспериментально, т.к.
теоретические модели сильно упрощают реальную картину.
В общем случае вычислить спектральную плотность 𝐷 𝜔 сложно, но в
простейшем случае (модель Дебая) спектральная плотность вычисляется
точно.
Параметры теории Дебая, согласно фононному подходу:
1. Кристалл изотропен (свойства не зависят от направления, т.е. скорость
звука по всем направлениям одинакова, максимальные значения волнового
вектора и частоты по всем направлениям одинаково),
2. Закон дисперсии является линейным 𝜔 = 𝜐зв 𝑘,
3. Форма зоны Бриллюэна является сферической.
Такая модель является идеализацией. Ни одно из сделанных
предположений не применимо даже к простой кубической решѐтке. Однако
использование такой модели позволяет правильно понять некоторые
особенности поведения спектральной плотности.
Вычисления показывают, что спектральная плотность 𝐷 𝜔
пропорциональна квадрату частоты фонона и для каждого типа поляризации
равна:
𝑉
2𝜐3
𝜔2 , 𝜔 ≤ 𝜔𝑚𝑎𝑥 = 𝜔𝐷
𝐷 𝜔 = 2𝜋 зв (4.20)
0, 𝜔 ≤ 𝜔𝑚𝑎𝑥 = 𝜔𝐷
здесь V – объем кристалла, а 𝜔𝐷 – частота Дебая.
Как видим в приближении Дебая спектр фононов непрерывен и
обрезается на максимальной частоте 𝜔𝑚𝑎𝑥 = 𝜔𝐷 , называемой частотой Дебая.
Таким образом, частота Дебая – это максимальная частота, на
которой обрезается непрерывный спектр фононов, т.е. это максимальная
частота акустических фононов в модели Дебая.
Частота Дебая равна
3
𝜔𝐷 = 𝜐зв 6 𝜋 2 𝑁/𝑉 , (4.21)
где N – число атомов в кристалле.

49
 Соответствующая частоте Дебая наименьшая длина волны, 𝜆𝑚𝑖𝑛 в
2𝜋𝜐зв
кристалле определяется соотношением 𝜆𝑚𝑖𝑛 = 𝜔𝐷 . С учетом того, что
𝜐 2𝜋
в модели Дебая закон дисперсии линеен (𝜔 = 𝜐зв 𝑘 = зв ) для кубического
𝜆
кристалла с периодом решетки d (V=Nd3) наименьшая длина возбуждаемой
стоячей волны равна
2𝜋𝜐зв 2
𝜆𝑚𝑖𝑛 = 𝜆𝐷 = 𝜔𝐷 ≈ 3 ≈ 2𝑑. (4.22)
1/𝑑 3
Подставляя (4.20) и (4.21) в (4.19), с учетом трех поляризаций волн в
кристалле (добавляется множитель 3), получаем, что внутренняя энергия
решетки без учета нулевых колебаний равна
9𝑁ℏ 𝜔𝑚 𝜔 3 𝑑𝜔 𝑇 3 𝑥 𝐷 𝑥 3 𝑑𝑥
𝑈= 3 = 9𝑁𝑘𝑇 , (4.23)
𝜔𝑚 0 𝑒𝑥𝑝 ℏ𝜔 𝑘𝑇 −1 𝜃𝐷 0 𝑒 𝑥 −1
𝜃𝐷 ℏ𝜔𝑚
где 𝑥𝐷 = , 𝜃𝐷 = 𝑘 − является параметром уравнения (4.23) и
𝑇
называется характеристической температурой Дебая или просто
температурой Дебая. Ее значения для разных веществ лежат в диапазоне от
десятков до тысяч К, например, для цезия 𝜃𝐷,𝐶𝑠 = 38 К, для углерода
𝜃𝐷,𝐶 = 2230 К.
Примечание. В трехмерном кристалле имеются волны трех поляризаций
(одна поляризация – продольные волны и две поляризации – поперечные
волны), поэтому значение 𝐷 𝜔 следует утроить.
Изохорная теплоемкость является первой производной свободной
энергии по температуре. Дифференцируя (4.23) и, учитывая, что 𝑁𝑘 = 𝑅 ≈
8,31 Дж/ моль ∙ 𝐾 – универсальная газовая постоянная, получаем, что
формула Дебая для молярной изохорной теплоемкости имеет вид:
𝜕𝑈 𝑇 3 𝑥 𝐷 𝑥 4 𝑒 𝑥 𝑑𝑥
С𝑉 = = 9𝑅𝑇 . (4.24)
𝜕𝑇 𝜃𝐷 0 𝑒 𝑥 −1 2
Порядок значений характеристик акустических фононов в типичных
кристаллах можно понять из следующих расчетов: если скорость звука 𝜐зв =
5000 м/с, плотность атомов 1029 1/м3, то:
1
𝜔𝐷 = 𝜔𝑚𝑎𝑥 = 1 ∙ 1014 ; 𝜆𝐷 = 𝜆𝑚𝑖𝑛 = 2𝜋𝜐зв /𝜔𝐷 ≈ 3 ∙ 10−10 м;
с
𝜔𝐷 ℏ𝜔𝐷
𝑘𝐷 = = 2 ∙ 1010 1/м ; 𝜃𝐷 = = 760 К.
𝜐зв 𝑘
Теплоемкость кристаллической решетки при низких температурах
(T<<θD).
При этих условиях интегрирование упрощается. Энергии решетки при
низких температурах определяется следующей приближенной формулой:
3𝜋 4 𝑁𝑘𝑇 𝑇 3
𝑈= , при T<<θD. (4.25)
5 𝜃𝐷
Дифференцируя (17) по температуре получаем формулу для молярной
низкотемпературной теплоемкости решетки (Закон Т3 Дебая):
50
 12𝜋 4 𝑅 𝑇 3
С𝑉 = , при T<<θD. (4.26)
5 𝜃𝐷
𝜃𝐷 ℏ𝜔𝑚
При высоких температурах, когда T>>θD, 𝑥𝐷 = =
𝑘𝑇 ≪ 1
𝑇

экспоненту можно разложить около нуля и 𝑒 𝑥 ≈ 1 + 𝑥. В результате

интегрирования (16) для внутренней энергии получаем
𝑈 = 3𝑅𝑇,
а для теплоемкости получаем закон Дюлонга–Пти
С𝑉 = 𝜕𝑈/𝜕𝑇 = 3𝑅 . (4.27)
Выводы. Модель Дебая обладает рядом достоинств: она достаточно
проста. Расчет теплоемкости сводится к расчету интеграла из формулы
(4.24). Несмотря на простоту модели, результаты расчета достаточно хорошо
совпадают с экспериментом, как это видно из рисунка 4.1, где представлены
результаты измерения теплоемкости диэлектриков в широком
температурном интервале.

Рис. 4.1. Теплоемкость диэлектриков [15 Белонучкин]. Горизонтальная прямая I –

закон Дюлонга–Пти, сплошная кривая II – расчет по формуле Дебая. По оси абсцисс
отложено отношение температуры образца к его температуре Дебая

4.3.4 Соотношение между температурами Эйнштейна и Дебая

Расчеты по моделям Эйнштейна и Дебая дают совпадающие значения для

теплоемкости при высоких температурах. Обе теории имеют по одному
параметру, определяемому характеристиками вещества: температуру
Эйнштейна θЕ и температуру Дебая, θD.
Анализ показывает, что для совпадения результатов, даваемых теорией
Эйнштейна и Дебая при высоких температурах, необходимо чтобы частота
Эйнштейна ωE совпадала со среднеквадратическим значением частоты Дебая
ωD, при этом θЕ=0,775 θD. Как видно из сравнения графиков теплоемкостей
твердого тела по модели Эйнштейна и Дебая, заметное различие между ними
наблюдается при T< 0,5θD (рис. 4.2).

51
 Рис. 4.2. Сравнение моделей Дебая и
Эйнштейна для теплоѐмкости твѐрдого
тела

Обе теории теплоемкости применяются для анализа экспериментальных

данных. Они дополняются данными по распределению частот колебаний
атомов в твердом теле.

4.4 Электронная теплоемкость. Теплоемкость металлов

Модель Эйнштейна и Дебая удовлетворительно описывают теплоемкость

диэлектриков и металлов при высоких температурах. Однако они не могут
описать температурную зависимость теплоемкости металлов при низких
температурах. Это связано с тем, что теплоемкость кристалла равна сумме
теплоемкостей 𝐶𝑉реш решетки и свободных электронов (электронного
газа), 𝐶𝑉эл . В диэлектриках свободных электронов практически нет, т.к. все
электроны принадлежат конкретным атомам, т.е. являются связанными,
поэтому 𝐶𝑉диэл = 𝐶𝑉реш . В металлах 𝐶𝑉мет = 𝐶𝑉реш + 𝐶𝑉эл , при низких
температурах 𝐶𝑉эл пренебречь нельзя, мало того, при понижении
температуры металла 𝐶𝑉эл может стать определяющей.
Термодинамическая подсистема свободных электронов (электронный газ)
даже при высоких температурах остается квантовой. Распределение
свободных электронов по энергиям описывается распределением Ферми,
которое учитывает, что свободные электроны будучи фермионами (спин ½)
подчиняются принципу Паули, согласно которому в квантовой системе два и
более тождественных фермиона не могут одновременно находиться в одном
и том же квантовом состоянии. Поэтому в тепловом движении могут
принимать участие не все электроны, а только те, чья энергия близка к
энергии Ферми (EF), т.е отличается от ЕF не более чем на кТ. В классических
системах, например, в идеальном газе, в тепловом движении принимают
участие все атомы. Распределение атомов по энергиям в идеальном газе
описывается распределением распределением Максвелла–Больцмана, в
котором принцип Паули не работает. Классическое описание
электронного газа возможно при температурах выше температуры Ферми, но
𝐸
𝑇𝐹 = 𝐹 ≈ 5 ∙ 104 𝐾. Таким образом, электронный газ в кристаллах остается
𝑘
квантовым вплоть до температуры плавления.

52
 Расчет дает для электронной удельной теплоемкости соотношение
𝜋 2 𝑁𝑘 2
𝐶𝑉эл = 𝑇 = 𝛾эл 𝑇, (4.28)
2 𝐸𝐹 (0)
здесь 𝐸𝐹 0 − энергия Ферми при температуре абсолютного нуля, n –
концентрация электронов.
Сравним значение электронной теплоемкости с теплоемкостью
3
классического идеального газа, которая равна 𝐶𝑉газ = 𝑁𝑘𝑇
2
𝐶𝑉эл 𝜋 2 𝑘𝑇
= .
𝐶𝑉газ 3 𝐸𝐹 (0)
При температуре 300 К это отношение равно ~ 0,01. Как видно, при
высоких температурах электронная теплоемкость не вносит заметный вклад в
теплоемкость металлов.
При очень низких температурах наблюдается обратная картина.
Учитывая модель Дебая (4.26), общее выражение для молярной теплоемкости
металла принимает вид
𝐶𝑉мет = 𝛾𝐷 𝑇 3 + 𝛾эл 𝑇. (4.29)
Из этой формулы видно, что вблизи абсолютного нуля решеточная
теплоемкость падает быстрее электронной и при температуре 𝑇𝑐 ≈ 0,1𝜃𝐷 они
становятся равными, при дальнейшем понижении температуры
преобладающей становится электронная теплоемкость (рис. 4.3).

Рис. 4.3. Теплоемкость металла при низких

температурах (абстрактный расчет). При 30 К
решеточная теплоемкость равна электронной,
при T < 30 К электронная теплоемкость
преобладает

При расче теплоемкости мы использовали гармоническое приближение,

считали фононы монохроматическими квазичастицами. В этом приближении
их аналогом являются кванты света. Как и в случае световых квантов,
гармонические фотоны не взаимодействуют друг с другом, т.е. не
сталкиваются и не рассеиваются. Их длину свободного пробега можно
считать бесконечной или равной размеру образца. (Вспомним, что одним из
постулатов оптики является положение о том, что оптические волны
распространяются независимо, т.е. рассеивание оптических квантов друг на
друге отсутствует.)

4.5 Учет ангармонизма в колебаниях атомов кристаллической

решетки

Если колебания атомов в решетке не гармонические (ангармонические),

то с точки зрения фононного подхода это означает, что фононы
53
взаимодействуют друг с другом, с дефектами, границами кристалла, что
приводит к рассеиванию фононов. Ангармонизм колебаний атомов позволяет
объяснить тепловое расширение и температурную зависимость
теплопроводности кристаллов.

4.5.1 Тепловое расширение (α, [1/K])

В теории теплоемкости предполагалось, что колебания атомов в решетке

гармонические, в результате чего среднее значение смещения атома
относительно его положения равновесия равно нулю. Это предположение
является идеализацией, но оно достаточно для теории теплоемкости.
Однако при описании теплового расширения такое предположение
является грубым, необходимо учитывать то, что колебания атомов являются
ангармоническими. Действительно, если колебания атомов были бы
гармоническими, то тепловое расширение равнялось бы нулю, т.к. оно
возникает только тогда, когда среднее значение смещения атома
относительно его положения равновесия не равно нулю. Тепловое
расширение определяется именно этим смещением.
Если атом сместился от положения равновесия на расстояние х и на него
действует упругая сила с коэффициентом упругости β, то <x>=0 и
потенциальная энергия равна U= βх2. В этом случае тепловое расширение
отсутствует. Если колебания ангармонические (не гармонические), то в
уравнении для потенциальной энергии появятся слагаемые с более высокими
степенями, чем х2, поскольку из-за малого значения х потенциальную
энергию можно разложить в ряд Тейлора по х. Отбрасывая члены более
высоких порядков по х, получаем
𝑈 𝑥 = 𝛽𝑥 2 + g𝑥 3 . (4.30)
3
Член с х описывает ассиметрию взаимодействия атомов, вызванную тем,
что силы отталкивания растут быстрее при сближении атомов, чем силы
притяжения при их удалении друг от друга. Среднее значение смещения
вычисляется, используя общее соотношение
∞
𝑥𝑓 𝑥 𝑑𝑥
< 𝑥 >= −∞ ∞ , (4.31)
−∞
𝑓 𝑥 𝑑𝑥
где f(x) – функция распределения вероятности, в нашем случае это
распределение Больцмана
𝑈(𝑥)
𝑓 𝑥 = 𝑒𝑥𝑝 − 𝑘𝑇 . (4.32)
Расчет дает
3𝑔
< 𝑥 >= 2 𝑘𝑇. (4.33)
8𝛽
Полагая среднее расстояние между атомами до расширения равным х0
для коэффициента линейного расширения получаем:
1 𝑑<𝑥> 3𝑘𝑔
𝛼= = 2 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡. (4.34)
𝑥0 𝑑𝑇 8𝛽 𝑥 0
54
 Таким образом, теория дает, что температурный коэффициент линейного
расширения (ТКЛР) твердых тел – постоянная величина, не зависящая от
температуры. Этот результат в первом приближении соответствует
эксперименту. Экспериментальные значения ТКЛР - 𝛼 порядка 10-5 1/К.
Однако точные измерения показывают, что наблюдается слабая
зависимость 𝛼 от температуры, при этом характер зависимости зависит от
вещества.
Вывод: при повышении температуры увеличивается амплитуда
колебаний атомов, что приводит к возрастанию ангармонизма колебаний
атомов. В результате увеличивается среднее расстояние между атомами, что
приводит к расширению твердого тела.

4.5.2 Теплопроводность (К [Вт/(м∙К)])

Закон Фурье: поток тепла 𝑞 через единичное сечение, перпендикулярное

этому потоку, пропорционален градиенту температуры вдоль нормали 𝑛 к
изотермической поверхности и направлен противоположно градиенту
температуры, т.е. от горячей области к холодной. Коэффициент
пропорциональности К [Вт/(м∙К)] называется коэффициентом
теплопроводности
𝑞 = −𝐾 𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑇 = −𝐾 𝜕𝑇 𝜕𝑛 . (4.35)
𝑛
Теплопроводность диэлектриков. Эта теплопроводность обусловлена
фононами, т.е. колебаниями атомов в решетке. В теплопроводности
металлов надо кроме этого учитывать теплопроводность, связанную с
электронным газом (электронную теплопроводность).
С микроскопической точки зрения теплопроводность решетки – это
передача кинетической энергии колебаний атомов от нагретого участка
решетки холодному.
Согласно молекулярно-кинетической теории газов коэффициент
теплопроводности газа равен
1
𝐾 = Соб 𝜌 < 𝜐 >< 𝑙 > , (4.36)
3
где Суд − удельная теплоемкость вещества; < 𝜐 > и < 𝑙 > − средняя
скорость и средняя длина свободного пробега молекул газа,
соответственно, 𝜌 − плотность вещества.
Применим эту формулу для определения коэффициента
теплопроводности диэлектриков, поскольку их теплопроводность
определяется теплопроводностью решетки. Она будет определяться
фононами, поэтому рассмотрим газ акустических фононов.
Если считать, что колебания атомов гармонические, то фононы не
испытывают рассеивания, их длина свободного пробега равна бесконечности,
т.е. размеру решетки. И, следовательно, теплопроводность также стремится к
бесконечности.
55
 Однако эксперимент показывает, что теплопроводность конечна, а это
значит, что колебания атомов в реальных телах (кристаллических решетках)
– ангармонические. При этом именно ангармонизм колебаний делает
теплопроводность решетки конечной. Ангармонизм можно учесть, введя
рассеивание фононов, которое приводит к уменьшению длины их свободного
пробега. Температурная зависимость теплопроводности диэлектриков
(решетки) в основном определяется рассеиванием рассеивание фононов на
фононах и температурной зависимостью решеточной теплоемкости.
В результате учета рассеивания фононов для коэффициента
теплопроводности решетки, Креш, а значит, и диэлектриков, получаем
1 1
𝐾реш = С𝑉 < 𝜐зв >< 𝑙 >= С𝑉 < 𝜐зв > 2 𝜏 , (4.37)
3 3
здесь < 𝜐зв > – средняя скорость фононов приблизительно равная скорости
звука в кристалле, которая слабо зависит от температуры; < 𝑙 > − средняя
длина свободного пробега фононов в кристалле (далее длина свободного
пробега), 𝜏 = < 𝑙 > < 𝜐 > – эффективное время релаксации – величина
зв

обратная частоте столкновения фононов. Таким образом теплоемкость С𝑉 и

длина свободного пробега фононов определяют температурную зависимость
теплопроводности.
При высоких температурах 𝑇 ≫ 𝜃𝐷 ; концентрация фононов велика и
растет с температурой линейно, поэтому длина их свободного пробега –
обратно пропорционально температуре < 𝑙 >∝ 1/𝑇; теплоемкость, согласно
закону Дюлонга–Пти, постоянна и равна С𝑉 = 3𝑅. В результате,
коэффициент теплопроводности, согласно (27), обратно пропорционален
температуре
3𝑅
𝐾реш ∝ , 𝑇 ≫ 𝜃𝐷 . (4.38)
𝑇
При низких температурах 𝑇 < 𝜃𝐷 ; число фононов падает по экспоненте
𝜃
поэтому < 𝑙 >∝ 𝑒𝑥𝑝 𝐷 ; теплоемкость, согласно закону Дебая, уменьшается
𝑇
как С𝑉 ∝ 𝑇 3 . В результате, соотношение для коэффициента
теплопроводности, согласно (27), приобретает вид
𝜃
𝐾реш ∝ 𝑇 3 𝑒𝑥𝑝 𝐷 , 𝑇 < 𝜃𝐷 . (4.39)
𝑇
При приближении к температуре абсолютного нуля длина свободного
пробега возрастает и становится сравнимой с размером кристалла, после чего
не меняется с температурой. Поэтому при 𝑇 << 𝜃𝐷 из (28) получаем 𝐾реш ∝
𝑇 3 . Учитывая асимтотические зависимости (4.38, 4.39), получаем, что
температурная зависимость теплопроводности должна проходить через
максимум, что подтверждается экспериментальными данными (см. рис. 4.4).

56
 Рис. 4.4. Типичная температурная
зависимость решеточной
теплопроводности. Максимум для
маленького образца соответствует
более высоким температурам.
Такая теплопроводность наблюдается
у диэлектриков

Теплопроводность металлов. Учет вклада свободных электронов.

Температурная зависимость теплопроводности металлов в основном
определяется рассеиванием электронов на фононах, а при очень низких
температурах, много ниже температуры Дебая, 𝜃𝐷 , – с примесями. Кроме
того, она определяется температурной зависимостью электронной
теплоемкости. Закон Видемана-Франца: отношение коэффициента
теплопроводности к удельной электропроводности для большинства
металлов прямо пропорционально температуре, причем коэффициент
пропорциональности для многих металлов одинаков. Этот коэффициент
называется числом Лорентца, L.
𝐾 𝜋2 𝑘 2
= 𝐿𝑇; 𝐿 = = 2,45 ∙ 10−8 Вт ∙ Ом/К2 (4.40)
𝜍 3 𝑒
Исходя из закона Видемана–Франца и учитывая, что электропроводность
определяется электронами, энергия которых близка к энергии Ферми, можно
предположить, что и теплопроводность металлов определяется такими же
электронами. Отметим, что энергия Ферми (𝐸𝐹 = 𝑚𝜐𝐹2 /2) и скорость
электронов 𝜐𝐹 , имеющих эту энергию, равны:
ℏ 3 ℏ2 3
𝜐𝐹 = 3𝜋 2 𝑛; 𝐸𝐹 = 3𝜋 2 𝑛 2 , (4.41)
𝑚 2𝑚
здесь n – концентрация электронов, m – масса электрона.
Рассматривая свободные электроны в металле как электронный газ,
подчиняющийся статистике Ферми–Дирака (спин электрона равен ½,
электрон является фермионом), и учитывая рассеяние электронов на
фононах, для коэффициента электронной теплопроводности можно получить
формулу
1
𝐾эл = Сэл 𝜐𝐹 < ℓэл > , (4.42)
3
здесь Сэл − электронная теплоемкость кристалла, < ℓэл > − средняя длина
свободного пробега электрона в кристалле, 𝜐𝐹 − скорость электронов,
участвующих в теплопроводности (это электроны с энергией близкой или
равной энергии Ферми), 𝜐𝐹 − слабо зависит от температуры.

57
 С учетом формулы для электронной теплоемкости и формулы для
скорости электрона 𝜐𝐹 , получаем, что коэффициент электронной
теплопроводности равен:
𝜋 2 𝑛𝑘 2 𝜋 2 𝑛𝑘 2
𝐾эл = < ℓэл > 𝑇 = 𝜏𝑇, (4.43)
3 𝑚 𝜐𝐹 3 𝑚
здесь 𝜏 =< ℓэл >/𝜐𝐹 − среднее время между столкновениями электронов с
фононами либо (при очень низких температурах, 𝑇 ≪ 𝜃𝐷 ) с примесями.
Высокие температуры ( 𝑻 ≫ 𝜽𝑫 ): учет рассеивания электронов на
фононах при высоких температурах показывает, что < ℓэл > ∝ 1/𝑇. Тогда,
учитывая, что Сэл ∝ Т и что скорость электронов слабо зависит от
температуры, из (4.42) получаем: при высоких температурах электронная
теплопроводность постоянна и не зависит от температуры.
Низкие температуры ( 𝑻 < 𝜽𝑫 ): учет рассеивания электронов на
фононах при низких температурах показывает, что < ℓэл > ∝ 1/𝑇 3 . Тогда,
учитывая, что Сэл ∝ Т и что скорость электронов слабо зависит от
температуры, из (4.42) получаем, что электронная теплопроводность
пропорциональна 𝑇 2 .
Очень низкие температуры (𝑻 ≪ 𝜽𝑫 ): концентрация фононов
становится очень малой и рассеивание электронов на фононах можно
пренебречь. Длина свободного пробега электронов определяется примесями
и не зависит от температуры, поэтому электронная теплопроводность
падает пропорционально температуре Кэл ∝ Т, также, как и электронная
теплоемкость. Типичная температурная зависимость коэффициента
электронной теплопроводности приведена на рис. 4.5.

Рис. 4.5. Температурная зависимость

теплопроводности металлов, типичная
зависимость

Выводы. Теплопроводность металлов определяется как сумма фононной

(решеточной) и электронной составляющих 𝐾 = 𝐾реш + 𝐾эл . Ее электронная
составляющая преобладает во всем диапазоне температур. Например, для
одновалентных металлов электронная теплопроводность в 100 раз больше,
чем решеточная, определяемая фононами.

58
 5 ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ
МЕТАЛЛОВ

Классические методы исследования теплофизических свойств описаны в

ряде фундаментальных учебников и монографий с различной степенью
подробности (см., например, [1]). Поэтому в настоящем разделе мы
рассмотрим относительно новые методы, в которых используются измерения
электрических флуктуаций для определения абсолютной температуры,
теплофизических свойств, постоянной Больцмана и нулевых колебаний.

5.1 Термошумовой термометр

Термодинамическая (абсолютная) температура – является параметром

состояния термодинамической системы (ТД). В термодинамике в качестве
аксиомы принимается основанное на опыте положение о том, что
термодинамическая температура есть величина, для всех ТД ограниченная с
одной стороны, причѐм температура, соответствующая этой границе,
одинакова для всех термодинамических систем и, следовательно, может быть
использована в качестве естественной нулевой точки шкалы температур.
Термодинамическая температура всегда положительна, т.е.
термодинамическая шкала является абсолютной температурной шкалой
(шкала Кельвина). Единица измерения этой шкалы – кельвин – является
одной из основных единиц системы СИ. Пример формы записи абсолютной
(термодинамической) температуры: 5 К.
Абсолютная температура твердых тел может измеряться вторичными
термометрами, например, термопарами или термометрами сопротивления,
прокалиброванными по первичному эталону. Но для исследования
физических явлений важно непосредственно измерить термодинамическую
(абсолютную) температуру образца. Непосредственно абсолютную
температуру твердых тел можно определить пирометром, но это требует
знания коэффициента черноты исследуемого твердого тела. Коэффициент
черноты не всегда известен и зависит от окружающей среды и предыстории.
Другим непосредственным методом определения абсолютной температуры
является ее измерение с помощью теплового шума. Он свободен от
вышеуказанных недостатков.

5.1.1 Тепловые шумы. Формула Найквиста

Тепловые шумы (тепловые электрические флуктуации) явление

фундаментальное, они наблюдаются как в любых пассивных объектах, так и
в электронных приборах и системах. Эти шумы легко наблюдать на экране
чувствительного осциллографа, просто подключив резистор к его входу

59
(рис. 5.1). Далее под термином шум (шумы) мы будем понимать тепловой
шум, если иное не ясно из контекста.

Рис. 5.1. Осциллограмма теплового

(электрического) шума резистора 20 кОм
подключенного на вход осциллографа

Условием существования теплового шума является наличие

диссипации энергии.
Некоторые термины, справедливые для электрических шумов любого
типа, приведены ниже.
Спектральная плотность шумового напряжения
2
S f = 𝑆𝑈 (𝑓) = 𝑑 < 𝑢 > 𝑑𝑓 (5.1)

показывает значение среднего квадрата шумового напряжения, < 𝑢2 >,

приходящегося на единичный интервал частот вокруг заданной частоты f,
2
единица измерения В Гц .
Спектральная плотность шумового тока
2
𝑆 (𝑓) = 𝑑 < 𝑖 >
𝐼 𝑑𝑓 (5.2)

показывает значение среднего квадрата шумового тока, < 𝑖 2 >,

приходящегося на единичный интервал частот вокруг заданной частоты f,
2
единица измерения А Гц .
Спектральная плотность мощности шума
𝑆 (𝑓) = 𝑑 < 𝑃 >
𝑃 𝑑𝑓, (5.3)

показывает значение средней активной мощности, приходящейся на

единичный интервал частот вокруг заданной частоты f, единица
измерения Вт Гц .

Белый шум (шум с белым спектром) – шумовое напряжение,

спектральная плотность которого не зависит от частоты, т.е. у такого шума
S f = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡 и, соответственно, 𝑆𝐼 (𝑓) = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡; 𝑆𝑃 (𝑓) = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡. Тепловой
шум, для практических целей, до частот f в сотни МГц можно считать белым.
60
 Формула Найквиста [7]. Спектральная плотность напряжения теплового
шума определяется формулой Найквиста: спектральная плотность шумового
напряжения на зажимах любого образца, находящегося в
термодинамическом равновесии, пропорциональна произведению его
абсолютной температуры Т и реальной части его импеданса 𝑅𝑒 𝑍 .
Отметим, что реальная часть импеданса – это сопротивление, R f =
Re Z .
Классическая формула Найквиста (далее формула Найквиста) имеет
вид:
𝑆 𝑓 = 4𝑘𝑇𝑅𝑒 𝑍 = 4𝑘𝑇𝑅 𝑓 , (5.4)
−3 −23
здесь k – постоянная Больцмана (k = (1,380622 ± 4,3 ∙ 10 %) ∙ 10 Дж/K).
Классическая формула Найквиста не справедлива в области сверхвысоких
частот и сверхнизких температур, она справедлива при типичных условиях
работы радиоэлектронной аппаратуры 𝑓/Т < 108 Гц/К .
Средний квадрат напряжения теплового шума на зажимах любого образца
в термодинамическом равновесии, в частности термочувствительного
элемента (ТЧЭ), согласно (5.1) и (5.4), равен
f f
< 𝑢2 >= f 2 S(f)df = f 2 4kTR(f)df , (5.5)
1 1
здесь f1,2 – граничные частоты полосы частот, в которой проведено
измерение.
Если сопротивление ТЧЭ не зависит от частоты, т.е. R f = R, то
средний квадрат напряжения на его зажимах равен:
< 𝑢2 >= 4𝑘𝑇𝑅∆𝑓, (5.6)
здесь ∆f – полоса частот, в которой проводят измерение.
Таким образом, тепловой шум резистора, сопротивление которого не
зависит от частоты – белый, т.е. его спектральная плотность 𝑆(𝑓) = 4kTR
не зависит от частоты.
Как следствие, формулы Найквиста классическая формула спектральной
плотности шумового тока имеет вид:
𝑆𝐼 (𝑓) = 4kTRe Y , (5.7)
здесь Re Y – реальная часть полной проводимости Re Y = Re 1/Z ,
классическая формула спектральной плотности мощности теплового шума
имеет вид:
𝑆𝑃 (𝑓) = 𝑘𝑇 . (5.8)
Формула Найквиста, общий вид (учет квантовых поправок). Если
учесть квантовые поправки, то формула Найквиста приобретает вид:
𝑕𝑓 𝑕𝑓 −1
𝑆 𝑓 = 4𝑘𝑇𝑅𝑒 𝑍 𝑒𝑥𝑝 −1 , (5.9)
𝑘𝑇 𝑘𝑇
где k – постоянная Больцмана, k = (1,380622 ± 4,3 ∙ 10−3 %) ∙ 10−23 Дж/K;
h – постоянная Планка h = (6,6261967,6 ∙ 10−4 %) ∙ 10−34 Дж ∙ с;
Т – термодинамическая (абсолютная) температура термочувствительного
элемента (ТЧЭ); Re{Z} =R(f) – реальная часть импеданса ТЧЭ.
61
 𝑕𝑓 𝑕𝑓 −1
Множитель 𝑒𝑥𝑝 −1 > 1, и значимо отличается от единицы,
𝑘𝑇 𝑘𝑇
𝑓
если > 108 Гц/К . Этот множитель учитывает квантовые поправки.
𝑇
Для применения этой формулы ограничения по частоте и
температуре не обнаружены.
Учет квантовых поправок приводит к следующему виду формулы для
спектральной плотности мощности теплового шума образца
𝑕𝑓 𝑕𝑓 −1
𝑆𝑃 (𝑓) = + 𝑕𝑓 𝑒𝑥𝑝 −1 , (5.10)
2 𝑘𝑇
где hf/2 – энергия нулевых колебаний. Надо иметь в виду, что единица
измерения спектральной плотности мощности [Вт/Гц=Дж].
Формулы (5.9) и (5.10) показывают, что при очень высоких частотах и
сверхнизких температурах спектр теплового шума не является белым. При
этих частотах и температурах на спектре теплового шума будут
сказываться квантовые поправки. Выявляя отклонение частотной
зависимости измеренного шумового напряжения от линейной зависимости,
можно, например, определить энергию нулевых колебаний.
Квантовые поправки существенны при высоких частотах и низких
температурах. Так, при температуре 300 К это частоты свыше 60 ГГЦ (вклад
квантовых поправок более 1%), при температуре жидкого гелия вклад
квантовых поправок можно заметить уже при частоте выше 800 МГц.
Флуктуационно-диссипационная теорема.
Формула Найквиста связывает свойство равновесной термодинамической
системы – напряжение флуктуаций – с параметром, характеризующим
необратимый процесс, – электрическим сопротивлением. Оно дает не только
величину среднего квадрата напряжения флуктуации, но и их частотный
спектр. Авторы работы [8] квантово-механическим и термодинамическим
путями обобщили это соотношение на широкий класс систем, получив для
них аналогичную связь между параметром, ответственным за диссипативные
свойства системы, обобщенным сопротивлением и флуктуациями параметра,
характеризующего систему в равновесии, – обобщенной силой. Это
позволило с единой точки зрения рассмотреть электрические флуктуации,
броуновское движение, излучение черного тела, флуктуации давления в газе.
Обобщенная формула Найквиста носит название флуктуационно-
диссипационной теоремы.

5.1.2 Дробовой шум. Формула Шотки

Дробовой шум – это беспорядочные флуктуации напряжений и токов

относительно их среднего значения в цепях электрических и электронных
устройств, обусловленные дискретностью носителей электрического заряда –
электронов, ионов.
Условиями существования дробового шума являются:
1. Дискретность заряда электрона е=1,6∙10-19 кулона.
62
 2. Отличие от нуля средней дрейфовой скорости электрона, т.е. имеется
выделенное направление движения электрона.
3. Стохастичность инжекции электронов в выделенном направлении.
Чтобы наблюдать дробовой шум, необходимо, чтобы дрейфовая скорость
электрона была сравнима с его тепловой скоростью. В металле, по которому
течет дрейфовый ток, условия (1–3) выполняются, но дрейфовая скорость
значительно меньше, чем тепловая, поэтому дробовой шум не
регистрируется.
Дробовой шум наблюдается в полупроводниках и инжекционных
приборах. В электровакуумных и полупроводниковых диодах и транзисторах
дробовой шум есть всегда. Хорошими источниками дробового шума
являются вакуумные насыщенные диоды.
Формула Шотки: спектральная плотность шумового тока в дробовом
шуме постоянна и равна
2
S𝐼 f Др = 𝑑 < 𝑖 > 𝑑𝑓 = 2𝑒𝐼0 , А2 /Гц , (5.11)

здесь 𝐼0 − средний ток через прибор.

Как видно из формулы Шотки, спектральная плотность дробового шума
не зависит от частоты, следовательно, спектр дробового шума – белый.
Дробовой шум вакуумных диодов можно считать белым до 10 ГГц, а
полупроводниковых приборов – до 104 – 1010 Гц в зависимости от типа
приборов.

5.1.3 Измерение абсолютной температуры по тепловым шумам.

Термошумовой термометр

Термошумовой термометр (ТШТ). Метод противопоставления [9 –

12].
Формула Найквиста является теоретической основой для создания
термометра, который может определять термодинамическую (абсолютную)
температуру образца по измерению тепловых шумов термочувствительного
элемента (ТЧЭ), в частных случаях термочувствительным элементом может
выступать сам образец. Такой термометр называется термошумовым
термометром (шумовым термометром), а область термометрии,
разрабатывающая и использующая такие термометры, – шумовой
термометрией.
Диапазон частот, который обычно используется в шумовой термометрии
3–
(10 107 Гц). В этом диапазоне тепловой шум – белый, и квантовые поправки
могут сказываться на результате только при измерении сверхнизких
температур.
С принципиальных позиций измерение абсолютной температуры
достаточно просто. Для этого необходимо измерить средний квадрат
шумового напряжения на выходе термометра 𝑈ВЫХ и обработать результаты в
63
соответствии формулой Найквиста. Такой метод измерения называется
методом непосредственной оценки (Рис. 5.2).

Рис. 5.2. ТШТ непосредственной оценки. 1 – первичный преобразователь,

содержащий термочувствительный элемент (ТЧЭ): TX – определяемая температура;
RД – активное сопротивление ТЧЭ, u(t) – измеряемое шумовое напряжение ТЧЭ; 2 –
линия связи, соединяющая ТЧЭ и масштабный преобразователь (3 МП): uN – напряжение
собственных шумов МП, К(t) – коэффициент передачи МП, зависящий от времени и
частоты; 4 ПрП – промежуточный преобразователь с коэффициентом передачи К4, 5 СОР
– система обработки и регистрации информации, θ=f(R4, R(t), u, uN) – оценка
температуры ТЧЭ

ТШТ работает следующим образом: измеряемое шумовое напряжение

ТЧЭ – u(t) ТЧЭ с первичного преобразователя 1 через линию связи 2
подается на масштабный преобразователь 3, которым служит усилитель с
коэффициентом усиления К(t) и собственным (вредным) шумовым
напряжением uN. С выхода МП напряжение, представляющее собой
усиленную сумму измеряемого шумового напряжения и напряжения
собственных шумов МП, u=K(t)(u(t)+uN), поступает в промежуточный
преобразователь ПрП 4, где возводится в квадрат и далее поступает на блок
5 СОР, где интегрируется, измеряется и обрабатывается совместно с
данными по полосе частот, сопротивлению ТЧЭ и коэффициентам передачи
для получения значения температуры. В результате получаем оценку
температуры ТЧЭ TX=f(К4, К(t), u(t), uN, ∆𝐟). Как видно, эта оценка зависит
не только от значения измеряемых шумов, но и еще от четырех параметров,
в частности от коэффициента передачи МП и его стабильности, и также от
величины собственных шумов МП. Поэтому измерения таким ТШТ
являются не точными, особенно если учесть, что тепловые шумы малы, их
величина – доли микровольта; они могут быть меньше собственных шумов
измерительной аппаратуры.
Метод противопоставления (рис. 5.3), разработанный при активном
участии автора, в основном исключает эти недостатки [9–12]. В этом методе
искомый параметр термочувствительного элемента определяется по
измерению параметра другого объекта, который называется «мерой». При
этом должны удовлетворяться следующие условия:
1. Непосредственно измеряемый параметр ТЧЭ и противопоставляемый
параметр меры являются параметрами с аналогичными характеристиками (в
нашем случае это должны быть белые шумы).

64
 2. Измерительная система является двухканальной, но параметры
каналов не влияют на результат измерения.
3. Метод противопоставления является нулевым, т.е. в блоке
противопоставления добиваются равенства противопоставляемых
параметров.

Рис. 5.3. ТШТ противопоставления, ОППМ – опорный первичный преобразователь меры,

ПрПМ – промежуточный преобразователь меры. Остальные обозначения см. подпись к
рис. 5.2

В нашем случае непосредственно измеряемым параметром является

белый тепловой шум ТЧЭ. Нам надо найти другой источник белого шума,
чтобы разработать метод противопоставления. Таким источником может
служить шумовой диод. Его анодный ток обладает дробовым шумом,
спектральная плотность которого не зависит от частоты в широком
интервале частот, по крайней мере до 10 МГц, т.е. дробовой шум шумового
диода – белый.
Спектральная плотность дробового шума определяется его анодным
током Iа и зарядом электрона е, согласно формуле Шотки она равна:
S𝐼 f Др = 2𝑒𝐼𝑎 . (5.12)
Опорный первичный преобразователь меры (6 ОППМ).
Шумовой ток 𝑖𝑁𝐴 диода в режиме насыщения представляет собой
перекрывающиеся импульсы тока, длительность которых равна времени
пролета электронов (  ~ 10 9 c ). Его средний квадрат равен
2
< 𝑖𝑁𝐴 >= 2𝑒𝐼𝑎 ∆𝑓. (5.13)
Таким образом, при использовании в качестве ОППМ шумового диода
(ШД), например, 2Д9С, реализуется первое условие.
Мгновенное значение шумового тока 𝑖𝑁𝐴 преобразуется в мгновенное
значение шумового напряжения 𝑢𝑁𝐴 в опорном промежуточном
преобразователе меры (6 ОППМ) с коэффициентом преобразования α, т.е.
𝑢𝑁𝐴 = 𝛼𝑖𝑁𝐴 . (5.14)
65
 Применение корреляционного метода измерения позволило
реализовать второе условие. Корреляционный метод измерения
позволяет выделять слабый полезный сигнал из шумов аппаратуры,
величина напряжения которых может превышать напряжение полезного
сигнала. Его реализация понятна из структурной схемы (рис. 5.4):
масштабный преобразователь делается двухканальным (МП1 и МП2) с
коэффициентами передачи (усиления) K 1 и K2 и напряжением собственных
шумов (𝑢𝑁1 ) и (𝑢𝑁2 ) , соответственно. Выходы каналов подключены к
схеме перемножения сигналов (перемножителю) – 3, выход схемы
перемножения подключен к интегратору – 4, к выходу которого
подключен вольтметр – 5.

Рис. 5.4. Структурная схема корреляционного метода: 1 – источник измеряемого

(полезного) сигнала, 2.1, 2.2 – каналы масштабного преобразователя, 3 – перемножитель,
4 – вольтметр

На входы обоих каналов подается полезный сигнал (𝑢𝐾 ). Выходное

напряжение каналов представляет собой усиленное значение суммы полез-
ного сигнала и собственных шумов МП: 𝐾1 (𝑢𝐾 + 𝑢𝑁1 ) и 𝐾2 (𝑢𝐾 + 𝑢𝑁2 ).
Выходное напряжение перемножителя, равное 𝐾1 𝐾2 𝑢𝐾 + 𝑢𝑁1 𝑢𝐾 +
𝑢𝑁2=𝐾1𝐾2𝑢𝐾2+𝑢𝑁1𝑢𝑁2+𝑢𝑁1𝑢𝐾+𝑢𝑁2𝑢𝐾 , поступает на вход
интегратора. Напряжение, измеряемое вольтметром на выходе интегратора
пропорционально среднему квадрату напряжения измеряемого сигнала
(𝑉 = 𝐾1 𝐾2 < 𝑢𝐾2 > . Действительно, поскольку выходное напряжение
интегратора равно усредненному значению его входного напряжения, то
его выходное напряжение 𝑉 =< 𝐾1 𝐾2 𝑢𝐾2 + 𝑢𝑁1 𝑢𝑁2 + 𝑢𝑁1 𝑢𝐾 + 𝑢𝑁2 𝑢𝐾 >=
𝐾1 𝐾2 < 𝑢𝐾2 > +< 𝑢𝑁1 𝑢𝑁2 > +< 𝑢𝑁1 𝑢𝐾 > +< 𝑢𝑁2 𝑢𝐾 > =𝐾1 𝐾2 < 𝑢𝐾2 > .
Такой результат объясняется тем, что напряжения собственных шумов
МП1 и МП2, не коррелированы (не взаимозависимы) между собой и с
полезным сигналом, поэтому средние значения < 𝑢𝑁1 𝑢𝑁2 ≥ 0, < 𝑢𝑁1 𝑢𝐾 ≥
0, < 𝑢𝑁2 𝑢𝐾 >= 0.
Особенностью метода противопоставления является то, что
масштабные преобразователи имеют по два входа: первые входы для
шумового напряжения ТЧЭ, вторые для шумового напряжения опорного
промежуточного преобразователя меры (6 ОППМ) 𝑢𝑁𝐴 = 𝛼𝑖𝑁𝐴 .

66
 На первые входы поступает измеряемое шумовое напряжение
ТЧЭ (𝑢𝑁𝐾 ), на вторые – противофазное напряжение ±𝑢𝑁𝐴 = ±𝛼𝑖𝑁𝐴 .
снимаемое с промежуточного преобразователя меры (7 ПрПМ, рис. 5.3). С
выходов МП шумовые напряжения поступают на перемножитель (4-ПрП),
а именно, на верхний (первый) вход поступает напряжение
равное 𝐾1 (𝑡)(𝑢𝑁𝐾 + 𝛼𝑖𝑁𝐴 + 𝑢𝑁1 ), на нижний (второй) – напряже-
ние 𝐾2 (𝑡)(𝑢𝑁𝐾 − 𝛼𝑖𝑁𝐴 + 𝑢𝑁2 ). Выходное напряжение перемножителя
интегрируется в блоке 5 – СОР. Для выходного напряжения СОР
справедливо соотношение
𝑉 = 𝐾1 𝑡 𝑢𝑁𝐾 + 𝛼𝑖𝑁𝐴 + 𝑢𝑁1 𝐾2 𝑡 𝑢𝑁𝐾 − 𝛼𝑖𝑁𝐴 + 𝑢𝑁2 =
2 2
= 𝛼𝐾1 𝑡 𝐾2 𝑡 < 𝑢𝑁𝐾 > −𝛼 2 < 𝑖𝑁𝐴 > .
Этот результат объясняется тем, что собственные шумы каналов МП, шум
ТЧЭ и шум ОППМ не коррелированны между собой и поэтому среднее от их
произведения обращается в нуль (< 𝑢𝑖 𝑢𝑗 >= 0 при 𝑖 ≠ 𝑗).
Выходное напряжение СОР регулирует выходное шумовое напряжение
опорного преобразователя меры (6 ОППМ), которым служит шумовой
диод. (Регулируется анодный ток шумового диода ( Ia ) путем изменения
его тока накала.) При Ia  Iao напряжение на выходе СОР становится
2 2
равным нулю. В этом случае выполняется равенство < 𝑢𝑁𝐾 >= 𝛼 2 < 𝑖𝑁𝐴 >.
Как следствие, результат измерения не зависит от коэффициентов передачи
МП и их нестабильности, от собственных шумов МП. Отсутствует
требование идентичности частотных характеристик МП, снижаются
2
требования к характеристике схемы перемножения. Из равенства < 𝑢𝑁𝐾 >=
2 2
𝛼 < 𝑖𝑁𝐴 > следует 4kTRf   2eIaf . Введя обозначение   A для искомой
2 2

температуры, получаем
e A
TX  Iao . (5.14)
2k R Д

Уравнение (5.14) показывает, что метод противопоставления позволил

создать линейную шкалу для измерения абсолютной температуры, т.к.
согласно (5.14) зависимость искомой абсолютной температуры от анодного
тока ШД является линейной. Она определяется фундаментальными
постоянными (e, k), сопротивлением датчика и коэффициентом
преобразования А шумового тока в шумовое напряжение.
5.2 Измерение теплофизических характеристик тугоплавких
металлов и сплава с использованием термошумового термометра
Теплофизические характеристики металлов и сплавов при высоких
температурах удобно измерять на тонких проволочных образцах,
нагреваемых током. Главной трудностью таких измерений является
определение абсолютной температуры образцов. Задачу можно решить с
помощью шумовой термометрии, измеряя абсолютную температуру
непосредственно на образцах. Однако в этом случае измерения проводятся на
67
образцах, которые находятся в неравновесном состоянии. Кроме того, при
протекании тока через контакт проволок с электродами могут возникнуть
1
избыточные шумы со спектром типа 𝛽 . Доля избыточных шумов, связанных
𝑓
с отклонением от термодинамического равновесия, обусловленного
нагреванием металлического образца током, пропорциональна отношению
W / kT . Здесь W – энергия, приобретаемая электроном на длине свободного
пробега за счет движения во внешнем электрическом поле. Учитывая, что
отношение дрейфовой скорости упорядоченного движения электрона к его
тепловой скорости при температуре 1000 К  / T  10 3 получаем, что этой
поправкой можно пренебречь при погрешностях, присущих
высокотемпературным измерениям. Контактные шумы могут быть
исключены подбором не шумящих контактов (сварка) и применением
четырехзондового метода измерения. Исключению этих шумов способствует
смещение нижней границы полосы пропускания МП в область более высоких
частот. Полоса пропускания шумового термометра составляла 30–70 кГц, что
оптимально, поскольку надежно исключаются сетевые и эфирные помехи и
подавляются собственные низкочастотные шумы масштабных
преобразователей. Результаты измерения температурной зависимости
электросопротивления вольфрама, платины и сплава вольфрам-рений ВР-20
приведены на рис. 5.5.

Рис. 5.5. Электросопротивление платины – 1, вольфрама – 2. Сплав W-20 wt % Re, 3, 4 [9–

12]. Сплошные линии 1–4 литературные данные, см. список литературы в работах [9–12]

Как видно, результаты измерения согласуются с литературными

данными. При измерении электросопротивления вольфрама плотность тока
достигала значения 5·105 А/см2, однако отклонений от литературных
68
данных, рекомендованных национальным бюро стандартов (NBS, США), не
было обнаружено, что подтверждает отсутствие избыточных шумов и
возможность использования шумовой термометрии для непосредственного
измерения температуры образцов, нагреваемых током.
Шумовые измерения позволили измерить не только абсолютную
температуру образцов, на которых проводились исследования, но и ее
колебания, и в результате определить температурный коэффициент
сопротивления и теплоемкость образцов тугоплавких металлов при высоких
температурах. Результаты приведены на рисунках 5.6 и 5.7.

Рис. 5.6. Температурный коэффициент электросопротивления платины – 1, вольфрама – 2

и сплава W-20 wt % Re – 3. Сплошные линии 1–3 литературные данные [9–12]

69
 Cp, Дж /(моль К), W
39,00

37,00

35,00

33,00

31,00

29,00

27,00

25,00
1000 1500 2000 2500 3000
T, K
…
a
Cp,10^-3 Дж /(г К), W-20wt%Re

220

210

200

190

180

170

160

150
1500 2000 2500 3000
T, K

b
Рис. 5.7. Теплоемкость вольфрама (а) и сплава ВР-20 (W-20wt%Re) (b).
Сплошные линии – литературные данные, см. список литературы в работах [11, 12]

70
 6 ШУМОВЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ ПРИ ИССЛЕДОВАНИИ
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ЯВЛЕНИЙ

6.1 Измерение постоянной Больцмана

Точное измерение мировых постоянных, к которым относится постоянная

Больцмана, является одним из фундаментальных направлений метрологии.
Эти постоянные измеряются различными методами, и одним из
развивающихся методов является метод шумовой термометрии.
Постоянная Больцмана может быть определена из результатов измерений
теплового шума образца с известными сопротивлением и температурой.
Основной трудностью таких измерений является определение коэффициента
передачи ТШТ.
Метод противопоставления позволил обойти эти трудности и повысить
точность измерения постоянной Больцмана до 10 -3 % [13]. В качестве
искусственного источника шумовой меры применялся разработанный
цифровой генератор белого шума на базе нестационарного эффекта
Джозефсона (будет изучаться в настоящем курсе). Его спектральная
плотность равнялась
2
 h
SQ    K Q , (6.1)
 2e 
где e – заряд электрона, h – постоянная Планка, KQ – коэффициент
преобразования источника шумовой меры. В качестве источника теплового
шума использовалось шумовое сопротивление на базе квантового эффекта
Холла (будет изучаться в настоящем курсе). Спектральная плотность шума
этого источника равна
h
SR  4kT K R , (6.2)
e2
где KR – коэффициент преобразования источника теплового шума.
В результате при эквивалентности спектральных плотностей получаем
экспериментальное соотношение, связывающее постоянную Больцмана с
постоянной Планка, значение которой известно с погрешностью ≈ 10-5% :
1 KQ
k h . (6.3)
4T K R

6.2 Исследование нулевых колебаний

Сравнение результатов измерения сверхнизких температур

(милликельвиновый диапазон) термошумовым термометром (ТШТ) на
основе эффекта Джозефсона (будет изучаться в настоящем курсе) [14]
показало, что наблюдается значимое отклонение показаний ТШТ от
показаний термометра на основе церий-магниевого нитрата (рис. 6.1). Это
71
отклонение можно связать с влиянием нулевых колебаний. Оценка по
hf hf
формуле (𝑃 f = + hf см. (3.2)) подтверждает это предположение.
2 exp −1
kT

Рис. 6.1. Результаты измерения

низких температур термошумовым
термометром на основе эффекта
Джозефсона – точки на графике [14].