Profa Eliane Materiais Eltricos Condutividade Cargas eltricas podem movimentar-se sob a ao de campos eltricos e magnticos, e em diversos ambientes.

Microscopicamente, a corrente eltrica consiste num fluido de eltrons que se movem ao longo de uma estrutura cristalina. A rede cristalina forma obstculos (presena de impurezas, imperfeies na rede), de modo que o movimento dos eltrons, quando visto microscopicamente, parece catico. Entre os vrios fatores que afetam o movimento eletrnico num condutor, a temperatura um dos mais importantes. O primeiro efeito da temperatura fazer vibrar a rede cristalina, de modo que os obstculos esto constantemente mudando de lugar. medida que a temperatura aumenta as vibraes so introduzidas, de modo que desordens localizadas impedem mais efetivamente o movimento eletrnico. LEI DE OHM Considere-se um fio de cobre cujas extremidades esto ligadas a uma bateria, como se mostra na figura abaixo, se for aplicada ao fio uma diferena de potencial, V, haver passagem de corrente ao longo do fio.

De acordo com a lei de Ohm, a corrente eltrica proporcional voltagem aplicada V e inversamente proporcional resistncia R do fio, como a equao: i = V/R i: corrente eltrica, A (amperes) V: diferena de potencial, V (volts) R: resistncia do fio, (ohms) Entendendo mais a respeito de resistncia: Os obstculos impostos ao movimento eletrnico so representados por uma propriedade mensurvel, denominada resistncia, e definida pela relao R = V/i Onde : V = diferena de potencial (ddp), nas extremidades do condutor, V (volts) R = resistor , (ohms)

i= intensidade da corrente eltrica, A (amperes) Do mesmo modo e mais usual a equao acima : V = Ri A unidade de resistncia eltrica no SI o ohm ( ). As grandezas relacionadas so todas macroscpicas e mensurveis Equipamentos de medida: ohmmetro (para medir R) voltmetro (para medir V) ampermetro (para medir i) Cada uma das grandezas tem uma contrapartida microscpica. A contrapartida microscpica da resistncia denominada resistividade. A resistividade uma constante para cada material a uma dada temperatura. A resistncia eltrica R de um condutor eltrico diretamente proporcional ao seu comprimento e inversamente proporcional sua rea A da sua seco reta.

Estas quantidades esto relacionadas com uma propriedade do material designada por resistividade eltrica, . A Resistividade eltrica () definida pela equao R= . /A ou = R . A/ Unidade de resistividade eltrica a ser usada
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.m (ohm-metro)

= R . A/ =

.m /m = .m (ohm-metro)

Entendendo mais a respeito de Resistividade A resistividade da maioria dos materiais depende fortemente da temperatura. No caso dos slidos metlicos a resistividade aumenta com a elevao de temperatura. Esta dependncia, apesar de no ser exatamente linear para uma grande variao de temperatura, pode ser descrita com suficiente aproximao por uma relao linear num intervalo restrito em torno de uma temperatura de referncia To. Resistividade nada mais de que a resistncia especifica de cada material. Resistncia especfica a resistncia oferecida por um material com 1 metro de comprimento, 1 mm de seco transversal e estando a 20C de temperatura.

Os valores da resistividade variam de acordo com 4 fatores:

1. Natureza do material: - cada material tem um tipo de constituio atmica diferente - os materiais condutores possuem grande nmero de eltrons e por no sofrerem grande atrao do ncleo do tomo, podem ter esses eltrons facilmente retirados de suas rbitas - os isolantes tem seus eltrons presos aos tomos por uma fora de atrao muito maior do que os condutores - os materiais resistores so aqueles que tem fora de atrao maior que nos condutores e menor que nos isolantes. 2. Comprimento do condutor: - quanto maior o comprimento do material, maior ser a sua resistncia, isso quando comparamos tamanhos de materiais de mesma natureza. 3. Seco transversal: - aumentando a seco transversal de um condutor, estar se diminuindo a resistncia, quando comparamos materiais de mesma natureza e tamanho. 4. Temperatura dos materiais: - ao aumentar a temperatura estaremos aumentando a resistncia do material Definio de condutividade eltrica conveniente, por vezes, pensar em termos da passagem da corrente eltrica do que em termos de resistncia, e assim, define-se a condutividade eltrica, , como o inverso da resistividade eltrica. = 1/ As unidades de condutividade eltrica so (ohm-metro) = ( .m) .
-1 -1

Tabela - Condutividade eltrica de alguns metais e no metais temperatura ambiente.

-1 -1

Metais e ligas ( .m) Prata 6,3x10

7

No metais ( .m) Grafite 10 (mdia) Germnio 2,2 Silcio 4,3x10 Diamante 10

7 -4 5

Cobre,pureza comercial 5,8x10 Ouro 4,2x10

7

Polietileno 10

-14

-14

Alumnio,pureza comercial 3,4x10 Recaptulando

As cargas eltricas se deslocam nos materiais em forma de corrente eltrica, resistncia a maior ou menor dificuldade de que se ope um condutor passagem de corrente eltrica mobilidade das cargas varia para cada material. Conduo nos slidos condutores, no mercrio e nos metais em fuso Nestes materiais existem eltrons livres. Os eltrons livres podem se deslocar com um movimento que depende da temperatura, os eltrons se agitam em um movimento desordenado, porm se a substncia for submetida a um campo eltrico, os eltrons se ordenam formando corrente. Conduo nos lquidos Pela hiptese de Arrenhius, sabemos que ao dissolver uma base, um cido ou um sal em gua, as molculas se dissociam gerando ons que se deslocam no lquido, sob a ao de um campo eltrico os ons de cargas opostas vo se deslocar em sentido contrrio. Conduo nos gases Um gs presso atmosfrica considerado um bom isolante, mas se submetido a um campo eltrico suficientemente forte, passa a ser condutor, nesse estgio alguns eltrons se libertam dos tomos que viram ctions, esse fenmeno se chama ionizao do gs. Um gs bem ionizado conduz corrente eltrica luminescente, se a causa da ionizao desaparece o gs mantm a condutividade por um tempo,mas logo o efeito desaparece. Caractersticas dos materiais condutores, semicondutores e isolantes Materiais condutores, possuem de 1 a 3 eltrons em sua camada de valncia, sendo que o elemento que tiver 1 eltron na camada de valncia ser mais

condutor que um elemento que possuir 3 eltrons, quanto mais camadas o elemento tiver, mais condutor ele ser. Os melhores condutores que so a prata, o cobre e o ouro possuem um eltron na camada de valncia. Materiais isolantes so materiais que apresentam de 5 a 8 eltrons na camada de valncia, sendo que o material com 5 eltrons ser menos isolante que um material de 8 eltrons na ultima camada, quanto mais camada o elemento tiver, menos isolante ele ser. Os melhores isolantes possuem oito eltrons na sua camada de valncia. O semicondutor um elemento com propriedades eltricas entre as do condutor e do isolante. Os melhores semicondutores possuem quatro eltrons na camada de valncia. So exemplos de semicondutores o germnio e o silcio. Semicondutores Situado entre condutores e isolantes existem alguns materiais que no so nem bons condutores e nem isolantes, e entre os elementos qumicos com estas caractersticas existem os dois mais importantes, que so o germnio (Ge) e o silcio (Si), como mostra a figura abaixo.

Existem outros elementos semicondutores que so tambm muito importantes para a eletrnica, como o Selnio (Se) e o Glio (Ga). A principal caracterstica que interessa para a eletrnica para o uso do Silcio e do Germnio que estes elementos possuem 4 eltrons na sua ltima camada e que eles se dispem numa estrutura ordenada, como a estrutura de rede cristalina.

Rede cristalina ilustrando a disposio dos tomos de silcio. O Germnio e o Silcio formam ento cristais onde os tomos se unem compartilhando os eltrons da ltima camada. Os tomos dos diversos elementos que existem na natureza tm uma tendncia natural em obter um equilbrio quando sua ltima camada adquire o nmero mximo de eltrons que 8. Formando um cristal, tanto o Germnio como o Silcio fazem com que os tomos, um ao lado do outro possam compartilhar os eltrons havendo sempre 8 tomos em torno de cada ncleo, o que resulta num equilbrio bastante estvel para o material. Assim os eltrons ficam to firmemente presos aos tomos, nestas condies de estrutura cristalina, que no tem mobilidade no podem funcionar como portadores de cargas e com isso transmitir a corrente eltrica com facilidade. O Silcio e o Germnio quando puros, na forma cristalina, apresentam uma resistncia eltrica muito alta, muito mais prxima dos isolantes do que propriamente dos condutores, se bem que numa faixa intermediria ainda. Os semicondutores puros podem ser dopados com impurezas, ou seja, outros elementos para melhorar sua conduo de eletricidade. As impurezas consistem em tomos de algum elemento que tenha nmero diferente de 4 eltrons na sua ltima camada e o processo de dopagem utiliza propores extremamente pequenas destes elementos, da ordem de poucas partes por milho (ppm). O semicondutor intrnseco um semicondutor puro. O cristal de silcio um semicondutor intrnseco se cada tomo no cristal for um tomo de silcio. Na temperatura ambiente, um cristal de silcio age como um isolante porque tem apenas alguns eltrons livres e buracos produzidos pela energia trmica. O semicondutor dopado chamado de semicondutor extrnseco. Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de eltrons livres ou de excesso de buracos, assim existem dois tipos de semicondutores dopados. Existem duas possibilidades de incluir as impurezas: 1) Elementos com tomos pentavalentes, ou seja, dotados de 5 eltrons na ltima camada. Exemplo de tomos usados na dopagem so o arsnico, antimnio e fsforo que possuem 5 eltrons na ltima camada.

2) Elementos com tomos trivalentes, portanto dotados de 3 eltrons na ltima camada. Exemplo de tomos usados so o alumnio, boro e glio que possuem 3 eltrons na ltima camada. Realizando a dopagem com elementos pentavalentes, como os tomos vizinhos s podem compartilhar 8 eltrons na formao da estrutura cristalina, sobra um eltron que no tendo a que se ligar, adquire mobilidade no material, e que por isso pode servir como portador de cargas. O resultado que a resistividade ou capacidade do material de conduzir a corrente se altera e o Germnio ou o Silcio dopados desta forma, se tornam bons condutores de correntes eltricas. Como o transporte das cargas feito neste material pelos eltrons que sobram ou pelos eltrons livres que so cargas negativas, o material semicondutor obtido desta forma, pela adio deste tipo de impureza, recebe o nome de semicondutor do tipo N (N de negativo). Na segunda possibilidade, adiciona-se uma impureza cujos tomos tenham 3 eltrons na sua ltima camada, como por exemplo o ndio obtendo-se ento uma estrutura desejada. importante observar que no local em que se encontra o tomo de ndio no existem 8 eltrons para serem compartilhados de modo que sobra uma vaga, ou buraco. Este buraco que sobra tambm funciona como um portador de cargas, pois os eltrons que queiram se movimentar atravs do material podem pular de buraco em buraco, dessa forma encontram um percurso com pouca resistncia. Como os portadores de carga neste caso so os buracos, e a falta de eltrons corresponde ao predomnio de uma carga positiva, dizemos que o material semicondutor assim obtido do tipo P (P de positivo). Com base nesse conhecimento, podem ser formados materiais semicondutores do tipo P e do tipo N tanto com elementos como o Germnio e o Silcio, como alguns outros elementos que encontram muitas aplicaes na eletrnica. Bibliografia complementar Malvino A., Bates J. D., Eletrnica, volume 1, Mc Graw Hill, 2011.

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