Caracterizacin elctrica de materiales: Resistividad o e

Julian Moreno
Universidad Nacional de Colombia

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Por qu 4 puntas? e Factores de Correccin o Resistividad de muestras con forma arbitraria

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Por qu 4 puntas? e

Por qu 4 puntas? e Factores de Correccin o Resistividad de muestras con forma arbitraria

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Por qu 4 puntas? e

Figura: 1a

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Por qu 4 puntas? e

Figura: 1b

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Por qu 4 puntas? e

Figura: 2
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Por qu 4 puntas? e

Figura: 4a

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Por qu 4 puntas? e

Figura: 4b

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Por qu 4 puntas? e

Figura: 4c

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Factores de Correccin o

Por qu 4 puntas? e Factores de Correccin o Resistividad de muestras con forma arbitraria

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Factores de Correccin o

L.B. Valdes, Resistivity Measurements on Germanium for Transistors, Proc. IRE 42, 420427, Feb. 1954. A. Uhlir, Jr.,The Potentials of Innite Systems of Sources and Numerical Solutions of Problems in Semiconductor Engineering, Bell Syst. Tech. J. 34, 105128, Jan. 1955; F.M. Smits, Measurement of Sheet Resistivities with the Four-Point Probe, Bell Syst. Tech. J. 37, 711718, May 1958. M.G. Buehler, A Hall Four-Point Probe on Thin Plates, Solid-State Electron. 10, 801812, Aug. 1967. M.G. Buehler, Measurement of the Resistivity of a Thin Square Sample with a Square Four-Probe Array, Solid-State Electron. 20, 403406, May 1977.

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Factores de Correccin o

M. Yamashita, Geometrical Correction Factor for Resistivity of Semiconductors by the Square Four-Point Probe Method, Japan. J. Appl. Phys. 25, 563567, April 1986. S. Murashima and F. Ishibashi, Correction Devisors for the Four-Point Probe Resistivity Measurement on Cylindrical Semiconductors II, Japan. J. Appl. Phys. 9, 13401346, Nov. 1970. M. Yamashita and M. Agu, Geometrical Correction Factor for Semiconductor Resistivity Measurements by Four-Point Probe Method, Japan. J. Appl. Phys. 23, 14991504, Nov. 1984.

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Factores de Correccin o

F = F1 F2 F3 Con
1

(1) (2)

F11 = 2ln F12 = 2ln

t/s
sinh t/s sinh t/2s

t/s
cosh t/s cosh t/2s

(3)

J. Albers and H.L. Berkowitz, An Alternative Approach to the Calculation of Four-Probe Resis-tances on Nonuniform Structures J.Electrochem. Soc. 132, 2453 2456, Oct. 1985.
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Factores de Correccin o

ahora

F2 =

ln2 2 ( D ) +3 5 ln2 + ln D 2 ( 5 ) 3

(4)

M.P. Albert and J.F. Combs, Correction Factors for Radial Resistivity Gradient Evaluation of Semiconductor Slices, IEEE Trans. Electron Dev. ED-11, 148151, April 1964.
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Factores de Correccin o

Figura: 6
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Factores de Correccin o

Figura: 7

L.B. Valdes, Resistivity Measurements on Germanium for Transistors,

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Factores de Correccin o

Figura: Setup

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Factores de Correccin o

Figura: Heads

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Factores de Correccin o

Figura:

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Resistividad de muestras con forma arbitraria

El fundamento terico fue desarrollado por Van der Pauw3 mediante o transformaciones conformes. La resistividad de una muestra de forma arbitraria puede ser medida sin conocer el patron de corriente si se cumple:
1 2 3 4

Los contactos estan en la periferia de la muestra Los contactos son sucientemente pequeos n La muestra tiene espesor uniforme La supercie esta conectada y no tiene huecos

3 L.J. van der Pauw, A Method of Measuring Specic Resistivity and Hall Eect of Discs of Arbitrary Shape, Phil. Res. Rep. 13, 19, Feb. 1958. Presentacin (UNAL) o Caracterizacin elctrica de materiales: Resistividad o e 21 / 27

Resistividad de muestras con forma arbitraria

Figura: 8

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Resistividad de muestras con forma arbitraria

La resistencia R12,34 esta denida como R12,34 = de igual manera R23,41 La resistividad esta dada por = (R12,34 + R23,41 ) t F ln2 2 (6) V34 I12 (5)

Para una muestra simtrica, como un circulo o un cuadrado Rr = 1 y e F =1 = tR12,34 = 4,532tR12,34 (7) ln2

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Resistividad de muestras con forma arbitraria

donde F es una funcion de la tasa Rr =

R12,34 R23,41

que satisface (8)

exp ln2 Rr 1 F F = arccos Rr + 1 ln2 2

Como los contactos tienen dimensiones nitas y no estarn en la periferia a de la muestra se debe introducir un factor de correlacin o = CtR12,34 (9)

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Figura: 11

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Figura: 10

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Bibliograa: Semiconductor material and device characterization, Schroder, D.K.,2006, Wiley-IEEE Press

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