Открыть Электронные книги
Категории
Открыть Аудиокниги
Категории
Открыть Журналы
Категории
Открыть Документы
Категории
581–592
А.В. Кнотько
Химический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова
Ленинские горы, 1, г. Москва, 119991, Россия
В.Е. Слынько
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины
ул. Вильде, 5, г. Черновцы, 58001, Украина
Статья поступила в редакцию 6 декабря 2016 г., опубликована онлайн 24 февраля 2017 г.
Досліджено фазовий та елементний склади і магнітні властивості (B ≤ 7,5 Тл, 2,0 К ≤ T ≤ 70 К) сплавів
Pb1–yFeyTe при варіації концентрації домішки вздовж монокристалічного злитка, синтезованого методом
Бріджмена. Визначено розподіл домішки заліза по довжині злитка в основній фазі та склад мікроскопіч-
них включень другої фази. Встановлено, що намагніченість зразків містить кілька внесків: парамагнітний
іонів домішки, діамагнітний кристалічної гратки, внески вільних носіїв заряду, носіїв заряду в домішко-
вій смузі, кластерів іонів заліза і осцилюючий внесок ефекту де Гааза–ван Альфена. Проведено послідо-
вне видокремлення цих внесків. Шляхом апроксимації польових і температурних залежностей внеску іо-
нів домішки сумою двох доданків на основі модифікованих функцій Бріллюена визначено характер зміни
концентрацій іонів заліза в двох різних зарядових станах уздовж злитка. Показано, що концентрації носі-
їв заряду, визначені по осциляціям де Гааза–ван Альфена, задовільно узгоджуються з холлівськими кон-
центраціями, вказуючи на слабкий вплив включень другої фази і магнітних кластерів на однорідність і
фізичні властивості основної фази в сплавах Pb1–yFeyTe.
Ключевые слова: сплавы на основе PbTe, примеси 3d-переходных металлов, электронная структура, маг-
нитные ионы примеси, полевые и температурные зависимости намагниченности, модифицированная
функция Бриллюэна.
Разбавленные магнитные полупроводники (РМП) Таким образом, магнитные свойства РМП на основе
на основе теллурида свинца, в диамагнитную решетку теллурида свинца с примесями 3d-переходных металлов
которых вводится небольшое (до нескольких процен- (кроме марганца) должны быть связаны с характером
тов) количество 3d-магнитных ионов, исследуются уже перестройки электронной структуры при легировании,
около 40 лет [1−5]. При этом основное внимание всегда изменении состава твердых растворов и давления и
уделялось материалам с примесью марганца, который определяться не только концентрацией магнитной
характеризуется наибольшей растворимостью (до 20%) примеси (полной емкостью примесной зоны), но и
и обладает большим спиновым моментом (S = 5/2). магнитными моментами и соотношением концентра-
РМП на основе теллурида свинца с другими примесями ций примесных ионов, находящихся в двух разных
3d-переходных металлов исследованы гораздо хуже. зарядовых состояниях, имеющих разную не только
В то же время эти материалы существенно отлича- электрическую, но и магнитную активность.
ются по своим свойствам от традиционных РМП с До сих пор систематически изучались магнитные
примесью марганца. Во-первых, в отличие от марганца свойства только сплавов, легированных хромом [6,8–13].
все остальные 3d-примеси электрически активны и Установлено, что при низких температурах их намаг-
легирование ими вызывает как изменение концентра- ниченность хорошо описывается парамагнитной функ-
ций свободных носителей заряда, так и появление глу- цией Бриллюэна. Почти во всех работах в качестве
боких (в основном резонансных) примесных уровней в парамагнитных центров рассматривались изолирован-
3+ 3
окрестности запрещенной зоны. Во-вторых, ионы при- ные ионы Cr (3d ) со спином S = 3/2, «заморожен-
меси могут находиться в двух зарядовых состояниях ным» орбитальным магнитным моментом количества
2+ 3+
Im и Im , а их магнитная активность оказывается движения и g-фактором равным 2. При этом считалось,
2+ 4
непосредственно связанной с их зарядовым состояни- что ионы Cr (3d ) приводят лишь к появлению ван-
ем, которое определяется особенностями электронной флековского парамагнетизма и не дают вклада в темпе-
структуры полупроводника (положением примесного ратурную зависимость намагниченности. Кроме того, в
уровня относительно краев разрешенных зон и уровня ряде работ [8,9,11–13] наблюдался дополнительный
Ферми, степенью его заполнения электронами). Дело в ферромагнитный вклад в намагниченность с темпера-
том, что ионы примеси, растворяясь в подрешетке турами Кюри вплоть до 330 К, связанный, скорее все-
2+
свинца и замещая ионы свинца в состоянии Pb , долж- го, с ферромагнетизмом микроскопических включений
+
ны находиться в двукратно ионизованном состоянии 2 . теллуридов хрома (CrTe, Cr2Te3, Cr3Te4, …). Магнит-
Однако поскольку нелегированные сплавы на основе ные свойства сплавов с примесями Sc, Ti, V, Co, Ni, Cu
PbTe обычно имеют p-тип проводимости, а глубокие исследованы недостаточно либо практически не иссле-
уровни этих примесей в основном расположены выше довались [14−20].
уровня Ферми, энергетически выгодным становится Недавно было установлено, что примесь железа в
перетекание электронов с примесного уровня в неза- PbTe индуцирует появление резонансного примесного
полненные зонные состояния, расположенные под уровня, расположенного под самым потолком валент-
уровнем (самоионизация ионов примеси с появлением ной зоны (Ev − EFe ≈ 20 мэВ) [21–23]. Показано, что
+ 2+ 3+
ионов в состоянии 3 : Im → Im + eband) [6]. В ко- легирование железом PbTe p-типа приводит к умень-
нечном счете уровень Ферми должен стабилизироваться шению концентрации дырок, заполнению состояний
в частично заполненной электронами примесной полосе, валентной зоны, находящихся ниже уровня железа,
концентрация заполненных электронами состояний в электронами и пиннингу уровня Ферми в примесной
которой соответствует концентрации ионов примеси в полосе железа. Однако затем, после протяженного уча-
+
электрически нейтральном состоянии 2 , а концентрация стка стабилизации уровня Ферми, происходит срыв
пустых — концентрации ионов примеси в электрически режима пиннинга, p−n-инверсия типа проводимости и
+
активном состоянии 3 . В противоположность этому, увеличение концентрации свободных электронов, свя-
уровень марганца расположен под уровнем Ферми, где-то занные, по-видимому, с генерацией при легировании
глубоко в валентной зоне и целиком заполнен электрона- дополнительных собственных точечных дефектов до-
ми, а все ионы марганца находятся только в электрически норного типа [22,23].
2+
нейтральном состоянии Mn [7].
Рис. 1. Фотографии поверхностей сколов и рентгеноэмиссионные спектры для образцов 4 и 16 из конца и средней части слитка
Pb1–yFeyTe, полученные с помощью растрового электронного микроскопа.
Рис. 3. Выделение вклада кластеров ионов железа Mc(B) в Рис. 4. Полевые зависимости намагниченности образцов
намагниченность образцов Pb1–yFeyTe (10 и 4) при T = 70 К. Pb1–yFeyTe (10 и 4) после вычитания вклада кластеров ионов
железа, диамагнитного вклада решетки, вкладов свободных
–7 –7
вости χ0 от –1⋅10 до +7,5⋅10 эме/(г⋅Э), заметно носителей заряда и носителей заряда в примесной полосе.
превышающим величину, характерную для диамаг- Линии — аппроксимации экспериментальных кривых сум-
мой двух слагаемых на основе модифицированных функций
нитной восприимчивости кристаллической решетки
–7 Бриллюэна (2) с параметрами, приведенными в табл. 1.
χD ≈ –3,0⋅10 эме/(г⋅Э). Скорее всего, это связано с не-
регулярностью изменения вклада кластеров ионов железа
вдоль слитка и в целом подтверждает сделанный выше Полученные таким образом температурные зависимости
вывод о существенном вкладе кластеров ионов железа, намагниченности M–M0 представлены на рис. 5 (экспе-
свободных носителей заряда и носителей заряда в при- риментальные кривые последовательно сдвинуты вверх
месной полосе в общую намагниченность исследованных относительно кривых для образцов 24 и 20 соответствен-
образцов. но). На рис. 6 часть этих зависимостей представлена в
–1
Для выделения наиболее важного для нас вклада маг- масштабе (M–M0) от температуры Т. Хорошо видно,
нитоактивных ионов примеси железа проведено вычита- что в области низких температур эти зависимости можно
ние не зависящего от температуры вклада M0 из намаг- аппроксимировать прямыми линиями, что находится в
ниченности M(T) всех исследованных образцов. хорошем согласии с законом Кюри–Вейсса (1).
1
=
M ( B, T ) ∑ N i gJ µ B ×
ρ i =2+,3+ Fe
2 J + 1 2 J + 1 gJ µ B B 1 1 gJ µ B B
× cth − cth ,
2J
2 J k B (T − T0 ) 2 J 2 J k B (T − T0 )
(2)
3
где ρ ≈ 8,2 г/см — плотность PbTe, J = L + S — пол-
ный момент количества движения иона, орбитальный
момент считается «замороженным» (т.е. J = S), g-фак-
тор равен 2, N i — концентрации магнитных ионов
Fe 2+ 6 3+ 5
железа в состояниях Fe (3d ) и Fe (3d ) со спинами
S = 2 и S = 5/2 соответственно, T0 — подгоночный
параметр, учитывающий взаимодействие ионов приме-
Рис. 5. Температурные зависимости намагниченности образцов си, µ B — магнетон Бора, k B — постоянная Больцмана.
Pb1–yFeyTe после вычитания не зависящего от температуры При построении теоретических полевых и темпера-
вклада М0. Линии — аппроксимации экспериментальных турных зависимостей намагниченности в качестве под-
кривых суммой двух слагаемых на основе модифицирован- гоночных параметров использовались концентрации
ных функций Бриллюэна (2). магнитных ионов N 2 + и N 3+ и температура T0 .
Fe Fe
Установлено, что, несмотря на то что все указанные
зависимости хорошо описываются суммой модифици-
рованных функций Бриллюэна, одновременное опре-
4. Определение параметров парамагнитных ионов
деление концентраций двух типов магнитных ионов
железа
(ионов Fe2+ и Fe3+) даже по полевым зависимостям на-
Для определения параметров магнитоактивных ио- магниченности при самой низкой температуре Т = 2,0 К
нов примеси железа проведена аппроксимация поле- практически невозможно. Это обстоятельство связано,
вых M–Mc–M0 (см. рис. 4) и температурных M–M0 (см. по-видимому, с ограниченной точностью процедуры
рис. 5) зависимостей намагниченности суммой двух выделения вклада магнитоактивных ионов примеси
слагаемых на основе модифицированных функций железа в намагниченность, а также с тем, что функции
Бриллюэна [4,30]: Бриллюэна, отвечающие близким по величине спинам
магнитных ионов S = 2 и S = 5/2, слабо отличаются
Таблица 1. Параметры образцов Pb1–yFeyTe, определенные по полевым зависимостям намагниченности при T = 2,0−15 К
–7 19 –3 19 –3
Образец T, К T 0, К χ0, 10 эме/(г⋅Э) N , 10 cм N , 10 cм
Fe3+ Fe2 +
2π
M ( x ) = M 0 + Ax + C exp ( Dx) sin x+ f , (3)
∆
где x = 1/B, ∆ — период осцилляций в обратном магнит-
ном поле, M 0 , A, C, D и f — подгоночные параметры.
Полученные таким образом аппроксимации осцил-
ляционных кривых, удовлетворительно согласующие-
ся с экспериментальными, представлены сплошными
линиями на рис. 9, а периоды осцилляций в обратном
магнитном поле ∆(1/B), соответствующие этим ап-
проксимациям, для ряда исследованных образцов при-
ведены в табл. 2. К сожалению, неопределенность в
ориентации образцов относительно вектора магнитной
индукции при измерении полевых зависимостей намаг-
ниченности позволяет оценить лишь диапазоны воз-
можных концентраций носителей заряда, соответст-
вующих определенным нами периодам осцилляций.
Поэтому в табл. 2, кроме периодов осцилляций, приве-
дены значения концентраций электронов или дырок в
предположениях ориентации магнитной индукции
вдоль некоторых рациональных кристаллографических
осей, а также величины концентраций носителей заряда,
определенные по результатам холловских измерений.
Хорошо видно, что для образцов из области пиннин-
га уровня Ферми уровнем железа (для образцов 20–10),
в которых амплитуда осцилляций была максимальной,
периоды осцилляций примерно одинаковые, а значе-
Рис. 9. Осцилляции де Гааза–ван Альфена в прямом и обрат- ния концентраций дырок, определенные по данным
ном магнитном поле при вариации температуры (экспери- холловских измерений, находятся внутри диапазона
ментальные точки) и результаты моделирования осцилляций возможных концентраций, определенных по периоду
функцией (3) (линии) для одного из образцов Pb1–yFeyTe. осцилляций. После инверсии типа проводимости (в
образцах 8–4) согласие намного хуже, поскольку ам-
плитуда осцилляций уменьшается в несколько раз и
существования пиннинга уровня Ферми в образцах и надежное определение периода осцилляций по одно-
связано, очевидно, с тем, что в отсутствие пиннинга му-двум осцилляционным экстремумам становится
квантовые осцилляции обусловлены осцилляциями невозможным. И наконец, для образца 24 p-типа из
уровня Ферми в условиях постоянства концентрации начала слитка не хватает экспериментальных данных
носителей заряда, а в условиях пиннинга уровня Ферми для сравнения, а образец 2, как отмечалось выше, ока-
— осцилляциями концентрации свободных носителей зался двухфазным.
заряда. С этой точки зрения, образец 20 с промежуточ- В целом сопоставление этих данных позволяет заклю-
ной амплитудой осцилляций находится, по-видимому, чить, что концентрации носителей заряда, определенные
на самой границе области пиннинга уровня Ферми. по периоду осцилляций, находятся в удовлетворительном
Поскольку намагниченность измерялась на неори- согласии с данными холловских измерений. Это обстоя-
ентированных образцах, осцилляции в целом не моно- тельство вместе с самим фактом экспериментального
хроматичны и в ряде образцов представляют собой наблюдения квантовых осцилляций намагниченности
590 Low Temperature Physics/Физика низких температур, 2017, т. 43, № 4
Магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Pb1–yFeyTe
Таблица 2. Периоды осцилляций де Гааза–ван Альфена и концентрации носителей заряда, определенные по периоду ос-
цилляций в обратном магнитном поле и по коэффициенту Холла при T = 4,2 К
Образец Δ(1/B), Tл–1 p, n, 1017 см–3 p, n, 1017 см–3 p, n, 1017 см–3 p, n, 1017 см–3
(B||<111>) (B||<100>) (B||<110>) (RH)
24 – – – – 64,8
20 0,203 8,03 4,01 6,13 –
16 0,213 7,47 3,73 5,70 4,74
14 – – – – 6,48
12 0,209 7,69 3,84 5,87 6,53
10 0,242 6,17 3,08 4,71 6,08
8 0,503 2,06 1,03 1,57 0,18
6 0,405 2,85 1,42 2,18 4,20
4 0,483 2,19 1,09 1,67 5,81
2 0,282 4,90 2,45 3,74 0,74
указывает на слабое влияние микроскопических вклю- стей (M–Mc–M0)(B) и (M–M0)(T) суммой двух слагае-
чений второй фазы и кластеров ионов примеси на свой- мых на основе модифицированных функций Бриллюэна.
ства основной фазы, ее высокое структурное совершен- Определены концентрации магнитных ионов железа в
ство и пространственную однородность в сильно двух зарядовых состояниях (N 3+ и N 2 + ) в исследо-
Fe Fe
легированных сплавах Pb1–yFeyTe. ванных образцах и показано, что при существенном
превышении предела растворимости примеси в слитке
6. Заключение растворимость примеси железа в основной фазе дости-
гает лишь 0,1 мол.%.
Методами сканирующей электронной микроскопии и
Показано, что практически во всех образцах наблю-
рентгенофлюоресцентного анализа определены фазовый
даются осцилляции де Гааза–ван Альфена, а макси-
и элементный составы образцов из слитка Pb1–yFeyTe,
мальная амплитуда осцилляций характерна для образ-
синтезированного методом Бриджмена. Показано, что
цов p-типа со стабилизированным уровнем Ферми.
монокристаллы обладают высокой однородностью
Концентрации носителей заряда, определенные по пе-
основной фазы, но превышение предела растворимо-
риоду осцилляций де Гааза–ван Альфена, находятся в
сти примеси в слитке приводит к появлению микро-
удовлетворительном согласии с данными холловских
скопических включений с повышенным содержанием
измерений. Это обстоятельство, а также сам факт экс-
примеси и областей, близких по составу к FeTe, в осо-
периментального наблюдения квантовых осцилляций
бенности в начале и в конце слитка.
намагниченности указывают на слабое влияние вклю-
Установлено, что намагниченность M исследован-
чений второй фазы и магнитных кластеров на одно-
ных образцов Pb1–yFeyTe содержит несколько вкладов:
родность и физические свойства основной фазы в
бриллюэновский парамагнетизм ионов примеси MBr,
сплавах Pb1–yFeyTe.
линейный по магнитному полю вклад M0, включаю-
Авторы благодарны М.М. Маркиной и К.В. Захаро-
щий в себя решеточный диамагнетизм матрицы, пара-
ву (физический факультет МГУ имени М.В. Ломоно-
магнетизм и диамагнетизм свободных носителей заряда и
сова) за помощь в проведении измерений.
парамагнетизм носителей заряда в примесной полосе,
Работа выполнена при финансовой поддержке Рос-
быстро насыщающийся с ростом магнитного поля и, по-
сийского фонда фундаментальных исследований (про-
видимому, не зависящий от температуры вклад кластеров
ект № 16-02-00865).
ионов железа Mс и осциллирующий вклад эффекта де
Гааза–Ван Альфена в магнитном поле.
1. T. Hamasaki, Solid State Commun. 32, 1069 (1979).
При анализе полученных результатов в рамках
2. T. Story, R.R. Galazka, R.B. Frankel, and P.A. Wolff, Phys.
модели перестройки электронной структуры сплава
Rev. Lett. 56, 777 (1986).
Pb1–yFeyTe при легировании железом предполагалось,
3. T. Story, G. Karczewski, L. Swierkowski, and R.R. Galazka,
что вдоль исследованного слитка концентрация ионов
3+ Phys. Rev. B 42, 10477 (1990).
Fe в основной фазе увеличивается только до стаби-
4. Diluted Magnetic Semiconductors, M. Jain (ed.), World
лизации уровня Ферми уровнем железа, затем она вы-
Scientific, Singapore, New Jersey, London, Hong Kong (1991).
ходит на насыщение и начинается рост концентрации
2+ 5. Lead Chalcogenides: Physics and Applications, Dmitriy
ионов Fe . Проведены последовательное выделение
Khokhlov (ed.), ser. Optoelectronic Properties of Semiconduc-
указанных выше вкладов и аппроксимация зависимо-
tors and Superlattices, Taylor and Francis, New York, London 29. E.P. Skipetrov, N.A. Chernova, and E.I. Slyn’ko, Phys. Rev.
(2003), Vol. 183. B 66, 085204 (2002).
6. T. Story, E. Grodzicka, B. Witkowska, J. Gorecka, and 30. M. Gorska, J.R. Anderson, G. Kido, S.M. Green, and Z.
W. Dobrowolski, Acta Phys. Polon. A 82, 879 (1992). Golacki, Phys. Rev. B 45, 11702 (1992).
7. T. Story, Acta Phys. Polon. A 94, 189 (1998). 31. Н. Ашкрофт, Н. Мермин, Физика твердого тела, Мир,
8. T. Story, Z. Wilamowski, E. Grodzicka, W. Dobrowolski, Москва (1979) [N.W. Ashcroft and N.D. Mermin, Solid State
B. Witkowska, and J. Voiron, Acta Phys. Polon. A 87, 229 Physics, Harcourt College Publishing, Philadelphia (1976)].
(1995). 32. G. Nimtz and B. Schlicht, in: Narrow-Gap Semiconductors,
9. W. Mac, T. Story, and A. Twardowski, Acta Phys. Polon. A Springer Tracts in Modern Physics, Springer-Verlag, Berlin
87, 492 (1995). (1983), Vol. 98.
10. E. Grodzicka, W. Dobrowolski, T. Story, Z. Wilamowski,
and B. Witkowska, Cryst. Res. Technol. 31, 651 (1996).
11. E.P. Skipetrov, F.A. Pakpour, M.G. Mikheev, L.A. Magnetic properties of diluted magnetic
Skipetrova, N.A. Pichugin, E.I. Slyn’ko, and V.E. Slyn’ko, semiconductors Pb1–yFeyTe
Semiconductors 43, 297 (2009).
12. E.A. Zvereva, E.P. Skipetrov, O.A. Savelieva, N.A. E.P. Skipetrov, A.A. Solovev, A.V. Knotko,
Pichugin, A.E. Primenko, E.I. Slyn’ko, and V.E. Slyn’ko, J. and V.E. Slynko
Phys: Conf. Series 200, 062039 (2010).
13. M.D. Nielsen, E.M. Levin, C.M. Jaworski, K. Schmidt-Rohr, The phase and elemental composition and magnetic
and J.P. Heremans, Phys. Rev. B 85, 045210 (2012). properties (B ≤ 7.5 T, 2.0 K ≤ T ≤ 70 K) of Pb1–yFeyTe
14. V.V. Asotskii, T.A. Kuznetsova, G.V. Lashkarev, M.V. alloys are studied at a variation of the impurity con-
Radchenko, O.I. Tananaeva, and V.V. Teterkin, Semicon- centration along the single-crystal ingot synthesized
ductors 30, 88 (1996). by the Bridgman technique. The distribution of iron
15. N. Romcevic, J. Trajic, M. Romcevic, D. Stojanovic, T.A. impurity along the length of the ingot in the main
Kuznetsova, D.R. Khokhlov, W. Dobrowolski, R. Rudolf, phase and the composition of microscopic inclusions of a
and I. Anzel, Acta Phys. Polon. A 115, 805 (2009). second phase are determined. It is established that the
16. E.P. Skipetrov, E.A. Zvereva, A.N. Golovanov, N.A. Pichugin, magnetization of the samples contains several contribu-
A.E. Primenko, O.A. Savelieva, V.P. Zlomanov, and A.A. tions: the paramagnetic one of the impurity ions, crystal
Vinokurov, Solid State Phenom. 152–153, 291 (2009). lattice diamagnetism contributions of free charge carriers,
17. A.I. Artamkin, A.A. Dobrovolsky, A.A. Vinokurov, V.P. charge carriers in the impurity band, clusters of iron ions
Zlomanov, S.Y. Gavrilkin, O.M. Ivanenko, K.V. Mitzen, L.I. and an oscillating contribution of the de Haas–van Al-
Ryabova, and D.R. Khokhlov, Semiconductors 44, 1543 (2010). phen effect. Consistent selection of these contributions is
18. N. Romcevic, J. Trajic, M. Romcevic, D. Stojanovic, T.A. made. By approximation of magnetic field and tempera-
Kuznetsova, D.R. Khokhlov, W.D. Dobrowolski, Optoelec- ture dependences of the contribution of the impurity ions
tronics Adv. Mater.-Rapid Commun. 4, 470 (2010). by a sum of two terms based on the modified Brillouin
19. E.P. Skipetrov, M.M. Markina, K.V. Zakharov, L.A. functions, the nature of changes of the concentrations of
Skipetrova, A.A. Solovev, A.V. Knotko, E.I. Slynko, and iron ions in two different charge states along the ingot are
V.E. Slynko, Solid State Phenom. 233–234, 97 (2015). determined. It is shown that the charge carrier concentra-
20. C. Gayner and K.K. Kar, J. Appl. Phys. 117, 103906 (2015). tion, defined by the de Haas–van Alphen oscillations, are
21. E.P. Skipetrov, O.V. Kruleveckaya, L.A. Skipetrova, E.I. in satisfactory agreement with the Hall concentration, in-
Slynko, and V.E. Slynko, Appl. Phys. Lett. 105, 022101 (2014). dicating a weak influence of inclusions of a second phase
22. Е.П. Скипетров, А.В. Кнотько, Е.И. Слынько, В.Е. and magnetic clusters on homogeneity and physical prop-
Слынько, ФНТ 41, 185 (2015) [Low Temp. Phys. 41, 141 erties of the main phase in Pb1–yFeyTe alloys.
(2015)]. PACS: 71.20.Nr Semiconductor compounds;
23. E.P. Skipetrov, O.V. Kruleveckaya, L.A. Skipetrova, A.V. 71.55.–i Impurity and defect levels;
Knotko, E.I. Slynko, and V.E. Slynko, J. Appl. Phys. 118, 75.50.Pp Magnetic semiconductors
195701 (2015).
24. D.G. Andrianov, S.A. Belokon, V.M. Lakeenkov, O.V. Keywords: PbTe-based alloys, 3d-transition metal im-
Pelevin, A.S. Savelev, V.I. Fistul, and G.P. Tsiskarishvili, purities, electronic structure, magnetic impurity ions,
Sov. Phys. Semicond. 14, 102 (1980). magnetic field and temperature dependences of mag-
25. D.T. Morelli, J.P. Heremans, and C.M. Thrush, Phys. Rev. B netization, modified Brillouin function.
67, 035206 (2003).
26. С.В. Вонсовский, Магнетизм, Наука, Москва (1971) [S.V.
Vonsovskii, Magnetism, Wiley & Sons, New York (1974)].
27. G.A. Brain and J.F. Berry, J. Chem. Educ. 85, 532 (2008).
28. M. Gorska and J.R. Anderson, Phys. Rev. B 38, 9120 (1988).
592 Low Temperature Physics/Физика низких температур, 2017, т. 43, № 4