Teyssandier Charles

Thse N 04-2008
UNIVERSITE DE LIMOGES
FACULTE DES SCIENCES
ECOLE DOCTORALE Science Technologie Sant
XLIM : Equipe Circuits et Sous-Ensembles Electroniques Non-Linaires

THESE
Pour obtenir le grade de
DOCTEUR DE LUNIVERSITE DE LIMOGES
Discipline : "Electronique des Hautes Frquences et Optolectronique"

Prsente et soutenue par
Charles TEYSSANDIER
le 6 Mars 2008

Contribution la modlisation non-linaire de transistors
de puissance HEMT Pseudomorphiques sur substrat
AsGa : Analyse des effets parasites

Thse dirige par Raymond QUERE et Raphal SOMMET

Membres du jury :
M Juan OBREGON Professeur mrite, Universit de Limoges Prsident
M Eric BERGEAULT Professeur, lENST (Paris) Rapporteur
M Joaquin PORTILLA Professeur, Universit du Pays Basque (Bilbao) Rapporteur
M Bernard CARNEZ Ingnieur, UMS (Orsay) Examinateur
M Raymond QUERE Professeur, Universit de Limoges Examinateur
M Raphal SOMMET Charg de Recherche CNRS, Universit de Limoges Examinateur
M Christophe CHANG Ingnieur, UMS (Orsay) Invit

A mes parents et toute ma famille,
A tous ceux qui me sont chers...

Remerciements
Contribution la modlisation non-linaire de transistors PHEMT AsGa
Remerciements
Ce travail a t ralis au sein de lquipe Modles de UMS. Je remercie M. Bernard
CARNEZ de m'avoir accueilli au sein de cette quipe afin de raliser mes recherches.
J'exprime mes sincres remerciements M. Christophe CHANG, ingnieur UMS,
pour les prcieux conseils et pour la disponibilit dont il a fait preuve.

L'encadrement universitaire a t assur par lquipe Composants Circuits Signaux et
Systmes Hautes Frquences du site de Brive. Je tiens remercier M. Raymond QUERE,
Professeur l'Universit de Limoges, pour la confiance qu'il m'a tmoign en acceptant de
macceuillir dans le dpartement quil dirige. Je le remercie aussi pour mavoir dirig et
conseill pendant toute la dure de cette thse, en collaboration avec M. Raphal SOMMET,
Charg de recherche au CNRS, leurs suggestions et leur sympathie m'ont permis de mener
bien ce travail.

Jexprime mes sincres remerciements M. Juan OBREGON, Professeur mrite de
luniversit de Limoges, pour lhonneur quil me fait en acceptant de prsider le jury de cette
thse.
Je remercie galement M. Eric BERGEAULT, Professeur cole Nationale Suprieure
des Tlcommunications (ENST) de Paris et M. PORTILLA, Professeur de LUniversit del
Pais Vasco, davoir accepter de juger ce travail en qualit de rapporteurs.

Mes remerciements vont galement Mademoiselle H. BREUZARD, Secrtaire de
lquipe C
2
S
2
Brive, pour sa disponibilit et sa gentillesse. Jassocie mes remerciements
Madame M.-C. LEROUGE, Secrtaire de lquipe C
2
S
2
Limoges, pour son efficacit dans
toutes les dmarches administratives quelle a ralises Limoges.
Un grand merci tout les doctorants et docteurs que jai ctoy durant cette thse pour
leurs aides, leurs convivialits et les sorties du jeudi.
Je souhaite galement exprimer ma sincre gratitude envers tout le personnel comptant
et convivial dUMS avec qui jai pu collaborer, de prs ou de loin, pendant ces trois ans. Les
designers qui mont fait profiter de leurs expriences et de leurs bonnes humeurs.
Remerciements
Enfin, mes remerciements seraient incomplets sans adresser toute ma reconnaissance
aux diffrents membres de l'quipe Modles, les anciens comme les nouveaux. Outre les
changes scientifiques et sportifs que nous avons pu avoir, je tiens exprimer toute ma
reconnaissance Philippe, Olivier, Laurent, Christophe et Sylvain pour l'ambiance amicale et
l'inconditionnel soutient que chacun a su mapporter.
Je noublirai pas les bons moments de rigolade vcus dans le bocal avec les anciens
thsards : Cyril et Julien, comme avec les nouveaux qui je souhaite bon courage : Claude et
Guillaume.

Table des matires
Table des matires
Introduction gnrale 1

Chapitre I : Les composants actifs hyperfrquence 5
I. Introduction 6
II. Les diffrentes filires technologiques 7
A. Introduction 7
B. Prsentation des principaux transistors de puissance 9
1. Les Transistors Bipolaires Htrojonction (HBT) 9
2. Les transistors effet de champ 15
III. Principe de fonctionnement des transistors effet de champ AsGa 24
A. Historique et gnralits 24
B. Le transistor de type MESFET 26
1. Principe du contact mtal-semi-conducteur (Modle de Schottky) 26
2. Le transistor MESFET 29
C. Prsentation des transistors Htrojonction 33
1. Principe de lhtrojonction 34
2. Structure dun HEMT classique 36
3. Structure dun PHEMT conventionnel 37
4. Le HEMT mtamorphique 38
IV. Caractristiques du PHEMT de puissance 40
A. Le processus technologique du PHEMT de puissance 40
B. Caractristiques gomtriques de la structure PHEMT destine aux applications de
puissances 43
C. Critres de performance lectrique du transistor de puissance 47
1. Fonctionnement petit signal 47
2. Fonctionnement grand signal 51
D. Conclusion 53
Bibliographie 55
Table des matires
Chapitre II : Modlisation non linaire des PHEMTs AsGa 63
I. Introduction : les besoins en terme de modlisation 64
II. Les diffrents types de modlisations gnriques [46][47] 66
A. Les modles physiques analytiques 66
B. Les modles physiques numriques 67
1. Les modles macroscopiques 68
2. Les modles microscopiques ou particulaires 69
C. Les modles phnomnologiques 69
1. La source de courant I
ds
71
2. Les capacits non linaires C
gs
et C
gd
74
D. Les modles par tables 76
E. Choix du modle 76
III. Principe de la caractrisation en impulsions 77
A. Introduction 77
B. La caractrisation convective 78
C. La caractrisation hyperfrquence : 80
D. Mesures thermiques 81
IV. Description du modle non linaire du PHEMT AsGa 82
A. Dtermination du schma lectrique quivalent petit signal 82
1. Les lments intrinsques 83
2. Les lments extrinsques 84
B. Dtermination des lments parasites extrinsques du modle 84
1. Mthode dextraction 84
2. Analyse de sensibilit 87
C. Extraction des lments intrinsques 89
1. Mthode dextraction 89
2. Analyse de sensibilit 92
D. Exemple de modlisation petit signal avec la filire PPH25X dUMS 94
E. Modlisation non linaire des caractristiques I(V) 98
1. La modlisation du courant de drain I
ds
99
2. Les diodes dentres ID
GS
et ID
GD
102
3. La modlisation des phnomnes davalanche 102
4. Dtermination des paramtres des lments non linaires du modle 103
F. Les capacits non linaires C
gs
et C
gd
[88] 106
1. Mthode dextraction partir des paramtres [S] 107
Table des matires
2. Le modle une seule variable 109
3. Les modles deux variables 111
G. Loi dchelle 112
1. Le courant de drain 112
2. Les capacits non linaires 114
3. Les gnrateurs davalanches 116
H. Validation du modle 116
1. Validation du modle en rgime grand signal 116
2. Validation du modle au travers de lamplificateur de puissance MILEA 119
V. Conclusion 123
Bibliographie 125

Chapitre III : Les effets thermiques dans les PHEMTs AsGa 133
I. Introduction 134
II. Problmatique 135
A. Pourquoi est-il important de connatre la temprature dun composant ? 135
B. Mise en vidence de lauto-chauffement dans les PHEMTs AsGa 135
III. Mthodes de dtermination de la temprature de jonction des composants MMICs
136
A. Dfinition de la rsistance thermique 137
B. Mesures lectriques de la rsistance thermique [99] 137
1. Mthode du courant de grille 139
2. Mthode du courant de drain 141
C. Mthode de mesures par spectroscopie Raman 144
D. Simulation thermique de transistors 146
1. Introduction 146
2. La simulation 3D ANSYS de la structure PPH25X 148
E. Comparaison des diffrentes techniques de dtermination de Rth 154
IV. Les modles thermiques 156
A. Le modle thermique multi-cellules RC 156
1. Analogie thermique-lectrique 156
2. Dtermination de la capacit thermique 157
3. Le modle multi-cellules dans le simulateur circuit 159
B. Le modle thermique rduit distribu 161
Table des matires
1. Technique de rduction 162
2. Distribution du modle 167
V. Caractrisation de la dpendance thermique des lments du modle 168
A. Objectif de la caractrisation 168
B. Extraction des lments intrinsques partir des paramtres [S] mesurs en temprature
169
C. Influence de la temprature sur la frquence de transition et sur la frquence maximale
doscillation 173
D. Etude des paramtres [S] en fonction de la temprature 176
E. Dpendance en temprature des caractristiques I(V) 177
VI. Modlisations des effets thermiques dans le transistor 179
A. Modlisation des sources de courant 180
B. Modlisation des diodes 183
C. Rcapitulatif des valeurs des paramtres du modle non linaire lectrothermique 185
VII. Les modles thermiques en simulation 186
A. Validation du modle thermique cellules RC 186
1. Vrification sur un transistor PPH25X 186
2. Amplificateur MILEA : comparaison mesure-simulation diffrentes tempratures 188
B. Intrt du modle thermique rduit 189
1. Comparaison des deux circuits thermiques 189
2. Profil de temprature sur le transistor 12x100 190
VIII. Conclusion 191
Bibliographie 192

Chapitre IV : Les effets parasites dans les PHEMTs AsGa 197
I. Introduction 198
II. Les effets de piges dans les transistors PHEMTs AsGa de puissance 198
A. Prsentation du phnomne 198
B. Les diffrents phnomnes de piges 199
C. Impact des piges sur les PHEMTs AsGa 200
1. Mise en vidence des piges dans les transistors PHEMTs AsGa 200
2. Influence de la tension de polarisation V
ds0
sur les effets des piges ( drain-lag ) 201
3. Influence de la tension de polarisation V
gs0
sur les effets des piges ( gate-lag ) 203
Table des matires
4. Leffet kink 204
D. Conclusion 206
III. Les phnomnes de claquage par avalanche 206
A. Pourquoi les analyser ? 206
B. Lavalanche au pincement 207
C. Lionisation par impact [123] 208
1. Le phnomne 208
2. Le modle 210
IV. Lionisation par impact dpend elle de la frquence ? 211
A. Mise en vidence du comportement en frquence de lionisation par impact 211
B. Dtermination dune frquence de coupure et des lments de filtrage 214
C. Rsultats Mesures-Modles au point V
gsi
= 1V et V
dsi
= 7V 217
D. Rsultats Mesures-Modles V
dsi
constant 218
E. Comportement du phnomne en fonction de la temprature 219
F. Conclusion 220
V. Validation en rgime de grand signal RF 221
A. Introduction 221
B. Comportement du cycle de charge dans les zones davalanche : mesures sur le banc
LPT [139] 221
1. Description du banc de mesure 221
2. Caractrisation de composants PHEMT AsGa 223
3. Conclusion 236
C. Perspectives pour une meilleure modlisation 237
VI. Conclusion 238
Bibliographie 239

Conclusion gnrale 243


Table des figures
Table des figures
Figure 1. Figure de mrite des diffrentes technologies damplification de puissance .................................. 7
Figure 2. Vue en coupe dun transistor bipolaire htrojonction ................................................................. 9
Figure 3. Notations et diagrammes de bandes du transistor htrojonction dmetteur sous polarisations
normales ......................................................................................................................................... 10
Figure 4. Performances en puissance de la filire HBT InGaP dUMS en classe B 3.1 GHz pour une
priphrie dmetteur de 1.8mm..................................................................................................... 13
Figure 5. Structure de base du transistor MOSFET canal n....................................................................... 16
Figure 6. Vue en coupe dun transistor LDMOS............................................................................................ 16
Figure 7. Vue en coupe du transistor MESFET SiC....................................................................................... 17
Figure 8. Mesures grand signal dun transistor MESFET SiC de 4.8mm de dveloppement de grille en
condition pulse (dure de pulse=200s, rapport cyclique= 10 %) @ 3 GHz .............................. 18
Figure 9. Mesures grand signal CW du mme transistor MESFET SiC de 4.8mm de dveloppement de grille
@ 3 GHz ......................................................................................................................................... 18
Figure 10. Vue en coupe du transistor HEMT AlGaN/GaN............................................................................. 20
Figure 11. Section dun HEMT AlGaN/GaN de NITRONEX avec un source field plate (SLP) [18]............... 21
Figure 12. Formation de la barrire mtal-semiconducteur dans le modle de Schottky................................ 27
Figure 13. Jonction Schottky : en a) polarise en inverse ; en b) polarise en directe.................................... 28
Figure 14. Vue en coupe de la structure du MESFET...................................................................................... 29
Figure 15. Caractristiques Id(V
ds
) d'un TEC.................................................................................................. 30
Figure 16. En a) le canal est entirement ouvert. Le courant est proportionnel V
ds
. Le transistor se
comporte comme une conductance contrle par la grille. En b) le rtrcissement du canal prs du
drain provoque le ralentissement de la croissance de I
ds
. En c) pincement du canal, le transistor
est en saturation ............................................................................................................................. 32
Figure 17. La structure de base dun transistor htrojonction (pitaxie) ................................................... 34
Figure 18. Deux matriaux de gap diffrents avant contact ............................................................................ 35
Figure 19. Diagramme de bandes aprs contact, formation du puits de potentiel et du gaz dlectrons ........ 35
Figure 20. Structure dun HEMT classique ..................................................................................................... 36
Figure 21. Structure dun PHEMT dopage ................................................................................................ 37
Figure 22. a) Epitaxie en accord de maille pour les transistors HEMTs; b) Dsaccord de maille, cest le cas
des PHEMTs; c) Grand dsaccord de maille, principe de la couche tampon mtamorphique ...... 39
Figure 23. Exemple de couche tampon mtamorphique ralise sur substrat AsGa par HITACHI [41] ........ 39
Figure 24. Procd de fabrication du PHEMT AsGa (1
re
partie) ................................................................... 41
me
partie) .................................................................. 42
Figure 26. Coupe schmatique de la structure de base dun transistor PHEMT dvelopp pour les
applications de puissances par UMS.............................................................................................. 43
Figure 27. Diagramme dnergie de la double htrojonction du transistor de puissance PPH25X.............. 46
Table des figures
Figure 28. Profil des transconductances statique : procd simple htrojonction (en bleu) et double
htrojonction (en noir pais) ........................................................................................................ 46
Figure 29. Quadriple associ sa matrice [S] .............................................................................................. 47
Figure 30. Gain en courant en fonction de la frquence dun PHEMT AsGa de longueur de grille 0.25m
pour V
ds
=8 V et Id=125 mA............................................................................................................ 48
Figure 31. Modle petit signal simplifi dun transistor HEMT...................................................................... 49
Figure 32. Gain maximum disponible en fonction de la frquence dun PHEMT AsGa de 0.8mm de
dveloppement de grille pour V
ds
=24 V et Id=255 mA .................................................................. 50
Figure 33. Synoptique dun amplificateur en grand signal.............................................................................. 51
Figure 34. Maximisation de la puissance de sortie.......................................................................................... 53
Figure 35. Exemple d'un systme lectronique: chane d'mission RF............................................................ 65
Figure 36. Origine physique du schma quivalent dun transistor effet de champ ..................................... 70
Figure 37. Schma quivalent non linaire classique dun TEC ..................................................................... 70
Figure 38. Schma quivalent du modle de Root ........................................................................................... 76
Figure 39. Principe des mesures en impulsion................................................................................................. 79
Figure 40. Principe de mesure des caractristiques I(V) isothermes............................................................... 80
Figure 41. Principe de mesure des paramtres [S].......................................................................................... 81
Figure 42. Schma quivalent petit signal du PHEMT.................................................................................... 83
Figure 43. Modle source commune en rgime pinc et en basse frquence.................................................. 85
Figure 44. a) Modle en T en grille commune basse frquence et b) Modle en quivalent...................... 86
Figure 45. Sensibilit des lments extrinsques sur le module et la phase du paramtre S
11
10 GHz ........ 87
21
10 GHz ........ 88
Figure 47. Sensibilit des lments extrinsques sur le module du paramtre S
22
10 GHz........................... 88
Figure 48. Sensibilit des lments extrinsques sur la phase du paramtre S
22
10 GHz............................. 89
Figure 49. Schma quivalent intrinsque petit signal du PHEMT ................................................................. 91
Figure 50. Sensibilit des lments intrinsques sur le module et la phase du paramtre S
11
10 GHz......... 92
21
10 GHz......... 93
Figure 52. Sensibilit des lments intrinsques sur le module du paramtre S
22
10 GHz........................... 93
Figure 53. Sensibilit des lments intrinsques sur la phase du paramtre S
22
10 GHz ............................. 94
Figure 54. Photographie dun transistor de la filire PPH25X 8 doigts de grille ........................................ 94
Figure 55. Extraction des paramtres extrinsques au point de polarisation V
ds
= 8V, V
gs
= -0.4V et I
ds
=
145mA, en fonction de la frquence de 2 40 GHz (1
re
partie) .................................................... 95
ds
= 8V, V
gs
= -0.4V et I
ds
=
145mA, en fonction de la frquence de 2 40 GHz (2
me
partie) ................................................... 96
Figure 57. Comparaison mesures ( )-modle ( ) des paramtres [S] au point de polarisation V
ds
=
8V, V
gs
= -0.4V et I
ds
= 145mA, en fonction de la frquence de 2 40 GHz (1
re
partie)............... 96
Figure 58. Comparaison mesures ( )-modle ( ) des paramtres [S] au point de polarisation V
ds
=
8V, V
gs
= -0.4V et I
ds
me
partie).............. 97
Figure 59. Variations des capacits C
gs
et C
gd
en fonction des tensions de polarisations instantanes .......... 97
Figure 60. Variations de la transconductance Gm et de la conductance de sortie Gd en fonction des tensions
de polarisations instantanes ......................................................................................................... 98
Table des figures
Figure 61. Modle non linaire des caractristiques I(V) du PHEMT ............................................................ 99
Figure 62. Rsultats des modifications sur le modle par rapport aux mesures............................................ 101
Figure 63. I
ds
(V
ds
) et I
g
(V
ds
) dun transistor 4x75m PPH25X Mesurs sur le banc DIVA puls.................. 104
Figure 64. Comparaison mesures ( )-modle ( ) du courant de sortie et du courant dentre en
fonction de la tension V
ds
.............................................................................................................. 105
Figure 65. Comparaison mesures ( )-modle ( ) de la transconductance (Gm) et de la conductance
de sortie (Gd) respectivement en fonction de la tension V
gs
et de la tension V
ds
pour un V
gs
et un V
ds

constant ........................................................................................................................................ 106
Figure 66. Cycle de charge choisi dans le rseau I(V) pour reprsenter un fonctionnement en puissance du
transistor. Lextraction des valeurs des deux capacits non-linaires Cgs et Cgd est seulement
faite le long du cycle de charge reprsent .................................................................................. 107
Figure 67. Valeurs de la capacit C
gs
extraites sur lensemble du rseau I(V) ( ) et suivant les valeurs
obtenues le long du cycle de charge ( ) .................................................................................. 108
gd
extraites sur lensemble du rseau I(V) ( ) et suivant les valeurs
obtenues le long du cycle de charge ( ) .................................................................................. 108
Figure 69. Cycle de charge estim pour modliser le transistor PPH25X .................................................... 109
Figure 70. Comparaison mesures ( )-modle ( ) des capacits C
gs
(a) et C
gd
(b) extraites le long du
cycle de charge............................................................................................................................. 110
Figure 71. Transforme de Fourrier de I
g
(t) .................................................................................................. 111
Figure 72.
+
ds
I en fonction du dveloppement des transistors....................................................................... 113
Figure 73. Erreur en % entre la simulation et la mesure de
+
ds
I ................................................................... 113
Figure 74. Facteur dchelle
scale
F en fonction de la largeur de grille ........................................................ 114
gs
extraites le long du cycle de
charge pour 6 transistors de taille diffrente ............................................................................... 115
gd
extraites le long du cycle de
charge pour 6 transistors de taille diffrente ............................................................................... 115
Figure 77. Comparaison mesures ( )-modle ( ) du courant de drain I
ds
dun transistor 12x150 avec
une avalanche drain-source lchelle dun 12x150 (a) et avec lavalanche du transistor de
rfrence (b) ................................................................................................................................. 116
Figure 78. Comparaison mesures ( )-modle ( ) grand signal CW 10 GHz du transistor 12x100m
118
Figure 79. Comparaison mesures ( )-modle ( ) grand signal CW 10 GHz du transistor 4x75m119
Figure 80. Architecture de lamplificateur MILEA........................................................................................ 120
Figure 81. Dessin de lamplificateur MILEA 1W........................................................................................... 120
Figure 82. Comparaison des paramtres [S] de lamplificateur : mesurs ( ), simuls avec le modle
( ) et avec la mesure des paramtres [S] du transistor inject dans la simulation ( )..... 121
Figure 83. Comparaison mesures ( ), simulation avec notre modle ( ) et avec le modle PPH25X de
la bibliothque UMS ( ) en fonction de la frquence............................................................. 122
Figure 84. Comparaison mesures ( ), simulation avec notre modle ( ) et avec le modle PPH25X de
la bibliothque UMS ( ), en fonction de la puissance dentre 14 GHz .............................. 123
Table des figures
Figure 85. Caractristiques de sortie dun PHEMT PPH25X 8x100 avec auto-chauffement...................... 136
Figure 86. Transistor mont dans un botier de type BMH60........................................................................ 138
Figure 87. Cellule de test pour BMH60 relie au banc DIVA ....................................................................... 138
Figure 88. La centrale thermique applique une temprature pouvant aller de -80C 250C..................... 139
Figure 89. Mesure du courant de grille en fonction de la temprature ambiante pour P
diss
=0W.................. 140
Figure 90. Mesure du courant de grille en fonction de la puissance dissipe pour une mme temprature
ambiante (22C) ........................................................................................................................... 141
Figure 91. Superposition du rseau I(V) mesur en continu avec le rseau puls 157C........................... 143
Figure 92. Schma du dispositif exprimental ............................................................................................... 144
Figure 93. Agrandissement de la zone mesure par le Raman ...................................................................... 145
Figure 94. Evolution de la temprature mesure en fonction du numro des doigts ..................................... 146
Figure 95. Exemple de discrtisation applique la modlisation dun transistor de type PHEMT ............ 147
Figure 96. Structure 3D du PPH25................................................................................................................ 148
Figure 97. Section et cotation de la moiti dun transistor 12x100 PPH25X................................................ 150
Figure 98. Maillage 3D de la structure PPH25X 12x100.............................................................................. 150
Figure 99. Vue en coupe de la demi-structure maille................................................................................... 151
Figure 100. Zone de dissipation de la chaleur................................................................................................. 152
Figure 101. Zoom sur la vue en coupe dun doigt du transistor ...................................................................... 152
Figure 102. Rpartition de la chaleur dans la structure TV 12x100, avec Tsocle = 27C.............................. 153
Figure 103. Temprature sur lor du transistor ............................................................................................... 154
Figure 104. Analogie thermique lectrique................................................................................................... 156
Figure 105. Forme temporelle dune impulsion du courant I
ds
lors de la caractrisation dun transistor en
rgime dynamique (puls) ............................................................................................................ 158
Figure 106. Courant de repos mesur en fonction de la temprature ambiante pour un transistor 12x100 ... 160
Figure 107. Circuit Electrothermique quivalent pour un dispositif lectronique constitu de trois matriaux
semiconducteur............................................................................................................................. 160
Figure 108. Circuit thermique ADS pour le transistor PPH25X ..................................................................... 161
Figure 109. Simulation en transitoire du rseau thermique distribu ............................................................. 165
Figure 110. Comportement thermique du modle lorsquon applique la mme puissance sur chaque doigt
correspondant une puissance dissipe globale de 1W............................................................... 166
Figure 111. Mise en vidence du couplage entre les doigts dans ANSYS ........................................................ 166
Figure 112. Reprsentation de la distribution des selfs de via......................................................................... 167
Figure 113. Modle distribu dans ADS du transistor 12x100 PPH25X......................................................... 168
Figure 114. Comparaison du courant de drain diffrentes tempratures ..................................................... 169
Figure 115. Extraction des paramtres intrinsques C
gs
et C
gd
, en fonction de la temprature...................... 170
Figure 116. Extraction des paramtres intrinsques Gm et Gd, en fonction de la temprature ...................... 170
ds
, (Tau) et R
i
, en fonction de la temprature ........... 171
Figure 118. Superposition dun modle prenant en compte lavalanche par ionisation par impact avec les
points de notre tude o sont mesurs les paramtres [S] ........................................................... 172
Figure 119. Comparaison mesures en temprature/modle avec avalanche ( 25C) au niveau du Gd......... 172
Figure 120. Comparaison mesures en temprature/modle avec avalanche ( 25C) au niveau de C
ds
......... 173
Table des figures
Figure 121. Paramtres
MSG
G et
21
H 10 GHz en fonction de la temprature de socle........................... 174
Figure 122. Influence de la temprature sur la frquence de transition.......................................................... 174
Figure 123. Influence de la temprature sur la frquence maximale doscillation.......................................... 175
Figure 124. Paramtres [S] au point (-0.3V ; 6V) en fonction de la temprature ........................................... 176
Figure 125. I(V) pulss trois tempratures diffrentes (-40, 25 et 80C) mais pour le mme point de repos
V
gs0
= -0.4V et V
ds0
= 8V ............................................................................................................... 177
Figure 126. Courant de grille mesur en mode puls pour trois tempratures, dans la zone dionisation par
impact ........................................................................................................................................... 178
Figure 127. Mesure du courant grille en fonction de V
ds
pour V
gs
= -1.4V et V
gs
= -2.4V, -40, 25 et 80C
178
gs
pour V
ds
= 0V, -40, 25 et 80C......................... 179
Figure 129. Comparaison mesures-modle sur le rseau de caractristiques de sortie I
ds
(V
gs
,V
ds
) trois
tempratures diffrentes ............................................................................................................... 181
Figure 130. Comparaison mesures-modle sur le courant de grille lorsque le canal est pinc trois
tempratures diffrentes ............................................................................................................... 182
Figure 131. Evolution de Isgs en temprature, comparaison mesure-modle ................................................. 183
Figure 132. Evolution de Isgd en temprature, comparaison mesure-modle................................................. 183
Figure 133. Evolution de N
gs
en temprature, comparaison mesure-modle................................................... 184
gd
en temprature, comparaison mesure-modle .................................................. 184
Figure 135. Comparaison mesures ( )-modle ( ) des critres de performance en puissance dun
transistor 12x130 m de dveloppement deux tempratures diffrentes ................................... 187
Figure 136. Comparaison mesures (traits pleins)modles (traits en pointill) sur le paramtre S
21
de
lamplificateur mesur en temprature......................................................................................... 188
Figure 137. Comparaison du comportement transitoire de la temprature du doigt central pour le modle
ANSYS avec le comportement transitoire de la temprature obtenue avec le modle thermique
deux cellules RC........................................................................................................................... 189
Figure 138. Profil de temprature sur le transistor 12x100 lors dune simulation en puissance pour une charge
de sortie optimale et pour une frquence de 10 GHz.................................................................... 190
Figure 139. Comparaison entre les cycles de charge intrinsque du doigt extrieur et du doigt central bas
niveau (a) et 1dB de compression (b) ........................................................................................ 191
Figure 140. Mise en vidence du phnomne de gate-lag .......................................................................... 200
Figure 141. Mise en vidence des piges dans les transistors PHEMT........................................................... 201
Figure 142. Mthode de caractrisation pour la mise en vidence des effets de drain-lag ............................. 202
Figure 143. Influence de la tension de drain sur un transistor PHEMT AsGa 8x100m, avec une puissance
dissipe nulle ................................................................................................................................ 202
Figure 144. Influence de la tension de grille sur un transistor PHEMT AsGa 8x100m, avec une puissance
dissipe nulle ................................................................................................................................ 203
Figure 145. Mesure I
ds
(V
ds
) dun transistor 12x150 au point de polarisation V
gs0
= -1.4V et V
ds0
= 8V : (a)
rseau entier ; (b) zoom sur leffet kink sur les courbes V
gsi
= 1V et V
gsi
= 0.6V...................... 205
Figure 146. Avalanche standard du transistor PPH25X.................................................................................. 207
Table des figures
Figure 147. Franchissement de la barrire due lhtrojonction par les trous et origine de trois courants : un
courant positif dlectrons vers le drain et deux courants de trous ngatifs vers la source et la
grille. ............................................................................................................................................ 208
Figure 148. Mise en vidence du phnomne davalanche par ionisation par impact dans un PHEMT AsGa
par des mesures en impulsion....................................................................................................... 209
Figure 149. Caractristiques Ig(V
gs
) dun PHEMT double recess de grille et deux plans de dopage....... 210
Figure 150. Courbes en cloche simules avec le modle ................................................................................. 211
Figure 151. Partie relle et imaginaire du paramtre Y
22
intrinsque en fonction de la frquence pour V
dsi
fix
7V et V
gsi
qui varie de -1.2V 1V par pas de 0.1V.................................................................... 213
Figure 152. Conductance Gd statique dun transistor 12x125 V
gs
= 1V en fonction de V
ds
......................... 214
Figure 153. Schma quivalent grand signal impliquant le filtrage de lionisation haute frquence........... 215
Figure 154. Schmas quivalents petit signal (BF) pour calculer Y
22
............................................................. 215
Figure 155. Partie relle de Y22 V
gsi
= 1V et V
dsi
= 7V en fonction de la frquence.................................... 216
Figure 156. Comparaison mesures ( ), simulation avec le modle ( ) pour un transistor PPH25X
12x125 m.................................................................................................................................... 217
Figure 157. Comparaison mesures ( ), simulation avec le modle ( ) pour un transistor PPH25X 4x75
m................................................................................................................................................. 217
Figure 158. Comparaison mesures ( )-simulation avec le modle ( ) pour un transistor PPH25X 4x75
m................................................................................................................................................. 219
Figure 159. Variation de Y
22
en fonction de la temprature de socle au point V
gsi
= 1V et V
dsi
= 6V ............. 220
Figure 160. Banc de mesure LPT XLIM Brive................................................................................................. 222
Figure 161. Mesures du transistor 4x75m 3dB de compression pour diffrentes valeurs dimpdance de
charge........................................................................................................................................... 224
Figure 162. Mesures du transistor 10x125m 3dB de compression pour diffrentes valeurs dimpdance de
charge........................................................................................................................................... 225
Figure 163. Comparaisons 2 GHz des mesures (en bleu) par rapport au modle sans ionisation par impact
226
Figure 164. Comparaisons 2 GHz des mesures (en bleu) par rapport au modle avec ionisation par impact
226
Figure 165. Comparaisons 2 GHz des mesures (en bleu) par rapport au modle avec la self en srie sur la
source I.I....................................................................................................................................... 227
Figure 166. Lieu des points damplitude maximale pour chaque cycle mesur et simul pour une frquence de
2 GHz............................................................................................................................................ 228
Figure 167. Mesure dun cycle de charge traversant les trois zones de fonctionnement (zone ohmique, zone
sature et zone davalanche) ........................................................................................................ 229
Figure 168. Comparaison 2 GHz des mesures (en rouge) par rapport au modle (en bleu) sans la source I.I
231
Figure 169. Comparaison 2 GHz des mesures (en rouge) par rapport au modle (en bleu) avec la source I.I
en parallle................................................................................................................................... 231
Figure 170. Comparaison 2 GHz des mesures (en rouge) par rapport au modle (en bleu) avec la self en
srie sur la source I.I.................................................................................................................... 232
Table des figures
Figure 171. Performance en puissance des mesures et des trois modles simuls 2 GHz sur limpdance de
charge 8-30j Ohm......................................................................................................................... 233
Figure 172. Comparaison 4 GHz des mesures (en rouge) par rapport au modle (en bleu) sans la source I.I
234
Figure 173. Comparaison 4 GHz des mesures (en rouge) par rapport au modle (en bleu) avec la source I.I
en parallle................................................................................................................................... 234
Figure 174. Comparaison 4 GHz des mesures (en rouge) par rapport au modle (en bleu) avec la self en
srie sur la source I.I.................................................................................................................... 235
Figure 175. Performance en puissance des mesures et des trois modles simuls 4 GHz sur limpdance de
charge 8-30j Ohm......................................................................................................................... 236

Liste des tableaux
Liste des tableaux
Tableau 1. Tableau des proprits physiques, lectriques et thermiques........................................................... 8
Tableau 2. Tableau des records de Frquence obtenus par les HBT InP ........................................................ 12
Tableau 3. Tableau des points importants de chaque filire ............................................................................ 22
Tableau 4. Vue densemble des performances des filires dUMS................................................................... 23
Tableau 5. Etat de lart des amplificateurs de puissances (1
re
partie) ............................................................ 24
me
partie) ........................................................... 24
Tableau 7. Avantages et inconvnients de la technologie mtamorphique ...................................................... 40
Tableau 8. Valeurs des lments extrinsques du transistor PPH25X-1200m............................................... 95
Tableau 9. Valeurs des lments intrinsques du transistor PPH25X-1200m au point de polarisation V
ds
=
8V, V
gs
= -0.4V et I
ds
= 145mA....................................................................................................... 95
Tableau 10. Paramtres de lquation et leur rle dans le modle Cobra....................................................... 102
Tableau 11. Valeurs des paramtres de C
gs
(V
gs
) et de C
gd
(V
gd
)........................................................................ 110
Tableau 12. Calcul de R
th
pour les valeurs de V
gs
o se croisent les caractristiques I(V).............................. 143
Tableau 13. Comparaison des rsistances thermiques pour le transistor 12x100 PPH25X suivant les diffrentes
techniques danalyse thermique ................................................................................................... 155
Tableau 14. Dfinition de lquivalence des grandeurs thermiques et lectriques .......................................... 156
Tableau 15. Relations entre les grandeurs physiques et reprsentation du circuit dimpdance thermique
quivalente.................................................................................................................................... 157
Tableau 16. Valeurs des diffrentes constantes de temps................................................................................. 159
Tableau 17. Paramtres de la source de courant I
ds
COBRA modifie............................................................ 185
Tableau 18. Paramtres de la capacit non linaire C
gs
.................................................................................. 185
gd
.................................................................................. 185
Tableau 20. Paramtres de la source de courant reprsentant lavalanche standard..................................... 185
Tableau 21. Paramtres de la source de courant reprsentant lavalanche due ionisation par impact ....... 185
Tableau 22. Valeurs de paramtres extrinsques............................................................................................. 185
Tableau 23. Valeurs de paramtres intrinsques ............................................................................................. 186
Tableau 24. Valeurs finales des tempratures de canal pour chaque doigt du transistor................................ 189
Tableau 25. Comparaison des valeurs maximales de P
out
4 GHz.................................................................. 236

Chapitre I : Les composants actifs hyperfrquence
Contribution la modlisation non-linaire de transistors PHEMT AsGa Page 1
INTRODUCTION GENERALE
Les contraintes qui psent sur les systmes de Tlcommunications et Radars actuels se
durcissent du fait de la demande accrue en bande passante, en efficacit nergtique et en
robustesse. Elles ont, en particulier, un impact trs important sur la conception des
amplificateurs de puissance qui reprsentent, trs frquemment, la pierre dachoppement du
terminal Radio-Frquences.

La mise en place de systmes performants requiert une technologie de semiconducteurs
offrant des performances en termes de frquence, puissance, rendement et linarit toujours
plus leves. Dans la technologie des semi-conducteurs III-V, il existe un grand nombre de
structures de transistors, toutes diffrentes, dont les performances correspondent des
applications spcifiques et un domaine de frquence donn. Pour lamplification de
puissance hyperfrquence, le HEMT pseudomorphique (PHEMT) sur GaAs constitue un des
composants privilgis compte tenu de ses performances et de la maturit de la filire.
Pour rpondre aux besoins en terme de puissance aux hautes frquences, UMS (United
Monolithic Semiconductors) a dvelopp plusieurs filires de composants PHEMT
conduisant lutilisation dempilement de couches semi-conductrices de plus en plus
sophistiques prsentant un comportement physique extrmement complexe. La technologie
de transistor PPH25X fut cre lorigine pour dlivrer une puissance de lordre dun Watt
par millimtre de dveloppement de grille et pour fonctionner en bande X. A sa cration, cette
filire tait destine aux applications radars militaires car les PHEMTs AsGa proposent de
meilleures performances en terme de bruit.

Pour rendre plus facile et moins onreuse la ralisation des circuits MMICs (Monolithic
Microwave Integrated Circuits) optimiss pour la gnration de puissance, le concepteur fait
appel des modles non linaires de transistors intgrables dans les outils de simulation
CAO. Pour tre ralistes, ces modles doivent prendre en compte le maximum de
phnomnes physiques propres la technologie. De nombreuses tudes ont dj t effectues
sur ce sujet, XLIM notamment, mais dans le cadre dune utilisation industrielle de ces
modles, la sophistication des quations mises en uvre est souvent peu compatible avec leur
implantation dans les simulateurs commerciaux, soit cause de la dure prohibitive des temps
de calcul, soit tout simplement parce que les fortes non-linarits mises en jeu conduisent la
non convergence des simulateurs, en particulier dans le cas damplificateurs comportant un
grand nombre de transistors. Des choix et des amliorations sont donc faire au niveau de la
topologie et des quations du modle afin de combler les lacunes et de parfaire la prcision
des modles de transistors actuels.
Ces modlisations sont ralises laide de caractrisations telles que des mesures de
rseaux I(V) et de paramtres [S] pulss. En effet, laspect puls permet dexplorer des zones
de fonctionnement critiques du transistor sans risques destructifs, permettant alors une
modlisation aboutie. Pour sassurer de la fiabilit de ces modles non linaires, une phase de
validation est gnralement ncessaire.

UMS est confronte une demande toujours croissante daugmentation de la puissance
de sortie dans le cadre du dveloppement de ses produits amplificateurs, cet accroissement
constant des densits de puissance au sein des composants fait de la temprature un paramtre
incontournable dans la conception des circuits. En effet, les effets thermiques peuvent avoir
un impact prjudiciable sur la forme des impulsions radar par exemple. La prise en compte du
phnomne dauto-chauffement passe par la dtermination dun circuit thermique coupl au
circuit lectrique. La dtermination de la temprature des composants ncessite de recourir
des techniques de caractrisation spcifiques. Parmi elles, la simulation numrique apparat
comme la mthode adquate pour une analyse complte des problmes thermiques. Ceci est
dautant plus vrai si lon sintresse aux phnomnes dynamiques des transitoires de
temprature. Lobjectif final est de prsenter une tude approfondie du comportement
thermique des transistors de la filire PPH25X et dextraire un modle non-linaire
lectrothermique prcis pour UMS.

Pour la gnration de fortes puissances aux frquences microondes, le principe de
fonctionnement commun est dutiliser des transistors polariss des tensions relativement
importantes et de faire varier un signal radiofrquence autour de ces coordonnes de repos.
Une attention particulire doit alors tre porte sur la modlisation et la caractrisation de
facteurs limitant la gnration de puissance tels que les phnomnes davalanche et les effets
de piges. On apportera un soin tout particulier lanalyse des courants entrans par le
phnomne dionisation par impact en introduisant une hypothse sur son comportement en
hyperfrquence. Le but recherch est de contribuer lexpertise de solutions aux niveaux
modlisation et caractrisation pour amliorer la comprhension de ces effets primordiaux
pour la conception.


CHAPITRE I : LES COMPOSANTS
ACTIFS HYPERFREQUENCE
I. Introduction
Les dispositifs lectroniques mettant en jeu des signaux micro-ondes, tels que les
tlcommunications sans fil, limagerie ou encore les systmes radars, ont besoin dans leur
chane de transmission de lapplication : amplification de puissance. Elle a pour but
damplifier une nergie radiofrquence injecte en entre ; cette action ne peut tre ralise
que par lapport dune nergie continue. Llment actif cl des circuits amplificateurs est le
transistor.
Il existe deux grandes familles de transistor : les transistors bipolaires et les transistors
effet de champ (TEC). La diffrence essentielle se trouve dans la configuration de leur
structure (ou plus simplement, dans le sens de dplacement des lectrons) : verticale pour les
bipolaires et horizontale pour les TECs.
La demande croissante de circuits de plus en plus performants, c'est--dire fonctionnant
des frquences toujours plus hautes et capables de dlivrer des puissances toujours plus
leves, a favoris la cration de sous familles comme les composants dots dune
htrojonction (HBT, HEMT, etc.) par exemple, et, plus rcemment, le dveloppement de
filires technologiques base de nouveaux matriaux semi-conducteurs grand gap comme le
GaN ou le SiC.
Pour bien situer le transistor PHEMT AsGa parmi ses principaux concurrents nous
pouvons tablir un tat de lart des transistors utiliss en hyperfrquences puis faire un tour
dhorizon des dernires applications amplification de puissance pour mettre en vidence les
spcifications de chaque technologie.
Un choix parmi cette grande diversit de techniques doit tre alors ralis pour rpondre
au mieux aux attentes du march.
La modlisation des transistors effet de champ constitue le thme principal de notre
tude, bien comprendre le principe de fonctionnement et la mthode de fabrication de ces
transistors savre donc primordiale. Une des nombreuses voies ltude pour amliorer le
fonctionnement des semi-conducteurs vers les fortes puissances consiste modifier les
caractristiques gomtriques des PHEMT, le but tant de repousser la tension de claquage ou
daugmenter la densit de courant.
La dynamique de dveloppement de nouvelles structures associes aux proprits
intrinsques des transistors PHEMT sur substrat GaAs permettent doffrir, en phase avec la
demande, des performances ultimes en terme de rendement en puissance ajoute, en densit
de puissance et en gain. Ces paramtres constituent les critres de performance principaux de
lamplification de puissance.
II. Les diffrentes filires
technologiques
A. Introduction
Dans le large ventail des applications lectroniques, la domination du silicium est
incontestable. Par contre, lorsquil sagit de gnration de puissance en haute frquence, les
transistors PHEMTs et les transistors Bipolaires htrojonction (HBT) sur substrat AsGa
sont incontournables, ils sont bien implants dans ce domaine grce de nombreux
indicateurs, comme la largeur de bande interdite, la valeur du champ de claquage ou encore la
mobilit des porteurs, qui leurs donnent la possibilit dtre suprieurs au silicium dans le
domaine des hautes frquences.

Figure 1. Figure de mrite des diffrentes technologies damplification de puissance
Nanmoins, la demande toujours constante du consommateur en terme dintgration et
de performance a permis le dveloppement de nouvelles technologies. On peut remarquer sur
la figure de mrite ci-dessus lapparition ces dernires annes de filires trs prometteuses
comme les HEMTs GaN et les MESFETs SiC.
Un choix doit alors tre effectu entre ces diffrentes filires pour offrir les meilleurs
compromis en se basant sur les critres physiques et lectriques.
Si Ge AsGa InP GaN 4H-SiC C
Nature du Gap indirect indirect direct direct direct indirect indirect
Bande interdite Gap
(eV)
1.12 0.66 1.43 1.35 3.39 3.2 5.45
Champs lectriques
davalanche (V/cm)
3.10
5
1.10
5
4.10
5
4.5.10
5
3.3.10
6
3.10
6
5.6.10
6

Densit de porteurs
intrinsques (cm-3)
1.5.10
10
2.10
13
1.79.10
6
1.3.10
7
1.9.10
-10
8.2.10
-9
1.6.10
-27

Permittivit relative
r

11.8 16.2 11.5 12.1 9 10 5.5
Mobilit des porteurs
(cm2/V.s)
1350 3900 8500 5400 1600 900 1900
vsat (cm/s) 1.10
7
0.7.10
7
1.10
7
0.8.10
7
1.5-2 .10
7
2.10
7
2.7.10
7

Conductivit
lectrique
(S/m)
1.10
-4
2.1.10
-4
1.10
-7
1.2.10
-6
6-12 .10
-2
1.10
-2
1.10
-12

Conductivit
thermique
(W/cm.K)
1.57 0.58 0.54 0.68 1.7 3.7 20
Htrostructures SiGe/Si -
AlGaAs/GaAs
InGaP/GaAs
AlGaAs/InGaAs
-
AlGaN/GaN
InGaN/GaN
- -
Tableau 1. Tableau des proprits physiques, lectriques et thermiques
Dans la littrature on trouve beaucoup de nouveaux records en terme de puissance pour
les HEMT GaN ou encore de frquence pour les substrats base dInP par contre les filires
plus matures comme lAsGa prsentent peu dvolutions rcentes. Aprs une brve
prsentation de chaque technologie, un bilan sera ralis sur les diffrentes filires proposes
par les fabricants et les dernires performances obtenues en recherche, et une comparaison
entre quelques rsultats damplificateurs de puissances sur diffrents substrats sera aussi
tablie.
B. Prsentation des principaux transistors
de puissance
1. Les Transistors Bipolaires
Htrojonction (HBT)
a. Rappel sur les transistors bipolaires
htrojonction
La structure du transistor bipolaire htrojonction (not HBT pour Heterojunction
Bipolar Transistor) qui apparat Figure 2 est verticale comme celle du transistor bipolaire,
mais ralis partir dhtrojonctions. Dans ce type de structure, les techniques modernes
dpitaxie permettent de rduire la distance metteur-collecteur moins de 0.1m, ce qui
permet des performances en frquence plus leves. Dans le mme ordre dide, il est
possible de raliser des surfaces dmetteur et de collecteur beaucoup plus importantes, ce qui
autorise des courants et par la suite des puissances plus leves.

Figure 2. Vue en coupe dun transistor bipolaire htrojonction
La jonction metteur-base est de prfrence graduelle, en effet la combinaison dune
base gap graduel avec une htrojonction metteur-base abrupte amliore sensiblement les
performances. La discontinuit de bande de conduction (voir Figure 3 ci-dessous) sert de
rampe de lancement pour les lectrons de lmetteur. Ces derniers sont injects dans la base
avec une nergie cintique initiale gale la discontinuit de bande. Ils traversent alors la
base de manire balistique.

Figure 3. Notations et diagrammes de bandes du transistor htrojonction dmetteur sous
polarisations normales
Alors que dans les dispositifs unipolaires effet de champ (HEMT et PHEMT) la grille
de commande nadmet quun courant ngligeable, llectrode de base du HBT peut tre le
sige dun courant notable d principalement la recombinaison dans la base et linjection
de minoritaires dans lmetteur. Le gain en puissance dans le montage metteur commun
(c'est--dire Lmetteur connect la masse) sen trouve diminu. La technologie du
transistor bipolaire htrojonction aura donc pour premire mission la rduction du courant
de base ou, ce qui revient au mme lobtention dun courant de collecteur I
C
aussi voisin que
possible du courant dmetteur I
E
. Le dispositif sera donc caractris par ses gains en courant :

E
C
I
I
= et
B
C
I
I
= (I-1)
Avec
S P N E
I I I I + + = ,
R N C
I I I + = et
S R P B
I I I I + + =
O I
N
est le courant dlectrons injects de lmetteur vers la base
I
P
est le courant de trous injects de la base vers lmetteur
I
R
est le courant de recombinaison dans la base
I
S
est le courant de recombinaison dans la Zone de Charge dEspace
Le courant principal est le courant dlectrons I
N
, les autres termes sont des termes
parasites quil est ncessaire de rduire au mieux.
Par rapport au transistor bipolaire classique, le dopage de la base est plus grand du fait
de lhtrojonction metteur-base et ainsi entrane la rduction de la rsistance transverse de
la base R
B
.
Cette particularit offre une amlioration de la frquence de transition Ft et une
maximisation de la frquence maximale de fonctionnement Fmax :

ec
t
. . 2
1
F

= (I-2)
o
ec
est le temps de transit des lectrons travers lensemble de la structure.

B BC
t
max
R C 8
F
F

=
(I-3)
o R
B
est la rsistance de la base et CBC est la capacit base collecteur.
Remarque : attention la frquence de transition dpend essentiellement de lpaisseur
du collecteur car le temps de transit dans celui-ci est prdominant pour
ec
.

La rsistance transverse R
B
est celle que prsente la couche P au cheminement latral
des trous constituant le courant de base I
B
. Elle peut tre scinde en deux parties dont les
consquences sont diffrentes : la premire intresse la portion de la base se trouvant dans la
zone active o se manifeste leffet transistor. Elle est responsable de lautopolarisation latrale
de lmetteur. La seconde se situe lextrieur de la zone active (rsistance daccs R
BB
voir
Figure 2). Elle influence la pente externe du transistor et ses proprits hautes frquences.
Elle peut galement conditionner les proprits du transistor en rgime de saturation. En
dautres termes, la rsistance globale R
B
aura un impact direct sur la valeur maximale du gain
en puissance disponible une frquence donne.
Par la suite, laugmentation de la puissance passera par loptimisation de lpaisseur du
collecteur et de son dopage, en effet ces deux paramtres permettent dtablir un compromis
entre la tension de claquage limit par lavalanche et le courant collecteur limit par leffet
Kirk [1].
b. Le HBT SiGe
Le HBT sur Silicium germanium (SiGe) a suscit beaucoup d'attention depuis que les
fabricants ont affin leurs processus et ont commenc offrir des lignes de produits sur des
rondelles SiGe de 8 pouces. Les transistors bipolaires htrojonction SiGe ont trouv des
applications dans beaucoup de produits micro-ondes comme dans les terminaux de tlphonie
mobile o ils peuvent offrir un rendement lev d en grande partie la faible tension de
conduction des jonctions grce lapport de germanium dans la base, de plus cest un procd
rentable par rapport lAsGa et ces transistors permettent dobtenir des performances
inaccessibles sur les plateforme uniquement silicium, malgr la maturit de ce dernier.
Au dbut des annes 80, cette technologie a vu le jour pour amliorer les temps de
transit des fonctions logiques, en effet les tensions de claquage ne dpassent pas 8V alors que
les frquences de transition et les frquences maximales de fonctionnement atteignent 90
GHz.
En bande L, le transistor HBT SiGe montre des performances en puissance convenables
puisse que pour une longueur dmetteur (W
E
) de 0.9m, la puissance de sortie atteint
32.4dBm pour un gain de 12.3dB et une PAE (power added efficiency) de 67% [2]. A une
frquence de 8 GHz, la configuration base-commune, avec un W
E
de 3m, permet dobtenir
le meilleur compromis, une puissance de sortie de 27.7dBm pour un gain de 12.2dB et un
rendement en puissance ajoute de 61% [3].
Cette monte en frquence seffectue nanmoins au dtriment des tensions de claquage
et donc de la puissance. Le procd SiGe est un candidat peu probable pour les applications
demandant des puissances leves de hautes frquences dutilisation.
c. Le HBT InP
Du fait dune grande mobilit des lectrons, les semi-conducteurs base dInP
possdent lavantage de pouvoir fonctionner des frquences trs leves (voir tableau ci-
dessous).
Type de transistor fT (GHz) Ref. fmax (GHz) Ref.
InP HBT 416 [4] 755 [4]
InP HBT
(collecteur face arrire = Transferred Substrate )
300 [5] 1080 [6]
Tableau 2. Tableau des records de Frquence obtenus par les HBT InP
On peut distinguer deux catgories de transistors HBTs sur substrat InP : les transistors
simple htrojonction (SHBT) et double htrojonction (DHBT). Dans le cas du SHBT, le
collecteur est constitu du mme matriau que la base donc la faible largeur de bande interdite
a pour consquence une tension de claquage VB
CE
de lordre de quelques Volts si on utilise
un matriau comme lInGaAs par exemple. Pour atteindre des niveaux de puissances plus
important, ou en dautres termes pour repousser les tensions davalanche, lpaisseur du
collecteur a t augmente tout en maintenant un certain niveau de dopage de celui-ci. On
obtient donc un courant de sortie important.
Les transistors double htrojonction ont t mis au point pour augmenter les tensions
de claquage, en effet on forme une deuxime htrojonction en introduisant de lInP pour
constituer le collecteur. La ralisation dun DHBT InGaP a permis datteindre des tensions de
claquage de lordre de 40V pour des frquences de coupure denviron 40 GHz [7].
Au niveau industriel, UMS propose une filire HBT InGaP destine aux applications en
bande L et S [8] ; la tension de claquage VB
CE
est denviron 35V pour un gain maximal en
courant de 50. Le graphique (Figure 4) ci-dessous montre les performances en puissance de
cette technologie pour un transistor de priphrie dmetteur de 1800m, polaris
VCE0=20V en classe B et une frquence de 3.1 GHz.

Figure 4. Performances en puissance de la filire HBT InGaP dUMS en classe B 3.1 GHz pour
une priphrie dmetteur de 1.8mm
d. Le HBT AsGa
Par rapport aux circuits en silicium, les avantages des circuits AsGa sont : une plus
grande mobilit des lectrons (pour les champs lectriques faibles, cette mobilit est quatre
fois suprieure celle du silicium, ce qui diminue dautant les rsistances daccs des
transistors) et un substrat AsGa semi-isolant qui facilite la ralisation des lignes, diminue les
pertes et amliore les facteurs de bruit.
Pour les hautes frquences et les applications de puissance leve, lAsGa a deux
inconvnients principaux : la dissipation de puissance et le cot. Tous les deux sont
essentiellement lis aux proprits intrinsques du matriau. Le substrat AsGa est plus cher
que le substrat silicium, plus difficile aussi manipuler et possde une plus grande rsistivit
thermique qui rend la dissipation de chaleur plus complique pour des applications de
puissance leve.
Le champ lectrique critique, qui est cinq fois plus petit que celui du GaN, est un autre
inconvnient.
Le HBT a pour intrt dtre rapide, de possder une bonne linarit et un fort
rendement. Il se trouve sans concurrence dans le domaine des tlcommunications et plus
particulirement dans le secteur des tlphones cellulaires car il possde, parmi les filires de
puissances matures, la plus grosse densit de puissance (de lordre de 5W/mm). En contre
partie, le dessin des transistors HBT rend plus difficile la ralisation damplificateurs large
bande ce qui nest pas le cas des PHEMT AsGa.
La frquence et la tension de claquage sont lies aux paisseurs des diffrentes couches,
on trouve dans la littrature un transistor bipolaire htrojonction AlGaAs/GaAs qui, pour
une paisseur de collecteur de 9m, propose des tensions davalanche leves (BV
CE0
=106V)
pour des frquences F
T
et F
MAX
respectivement de 1.16 GHz et 3 GHz [9]. Un compromis est
donc tablir entre les frquences et les tensions de breakdown par le biais des paisseurs des
couches.
e. Les HBTs grand gap
Les transistors grand gap, c'est--dire ralis avec des matriaux comme le Carbure de
Silicium (SiC), le Nitrure de Gallium (GaN) ou encore le Diamant (C), possdent des
proprits physiques qui leurs permettent de supporter de fortes tensions et donc de fortes
puissances tout en dissipant plus facilement la chaleur grce leur forte conductivit
thermique.
Les travaux raliss sur les transistors de puissance de type HBT sont encore
relativement rares, on prfre tudier des topologies plus simples et tout aussi performantes
comme le MESFET pour le SiC et le HEMT pour le GaN. Nanmoins des records en termes
de tensions de claquage ont t obtenus sur des transistors HBTs AlGaN/GaN [10]. En effet,
une tension VB
CE
330 V est obtenue avec un gain en courant ( ) de lordre de 18 pour une
densit moyenne de courant suprieure 1KA/cm
2
, ceci avec une paisseur de collecteur de 8
m.
Remarque : les composants raliss sur SiC ou GaN sont polariss des tensions et des
courants levs mais mme avec de trs grandes conductivits thermiques les puissances mise
en jeux sont telles quil est lheure actuelle difficile de dissiper la chaleur provenant de ces
composants de petites dimensions. Les performances dcrites dans la littrature sont dailleurs
souvent des caractristiques obtenues en mode puls pour viter lchauffement des
transistors.
2. Les transistors effet de champ
a. Les MOSFETs et LDMOS
La structure de base du transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor) est reprsente sur la Figure 5. Le transistor est essentiellement constitu dun
substrat, gnralement de type p, dans lequel deux diffusions n
+
constituent les lectrodes de
source et de drain. Une capacit MOS est ralise sur le substrat entre la source et le drain.
Llectrode de commande de la capacit MOS constitue la grille du transistor.

Figure 5. Structure de base du transistor MOSFET canal n
Si la capacit MOS grille-substrat est en rgime dinversion (V
g
>V
t
), un canal n la
surface du semi-conducteur relie la source et le drain. On module ainsi le courant de drain par
la tension de polarisation de la grille.
Le principe de fonctionnement du transistor effet de champ grille isole consiste
donc moduler, par la tension de grille, la conductivit du canal drain-source rsultant de la
couche dinversion cre la surface du semi-conducteur.
Ce type de transistor prsente lavantage dtre rapide, moins sensible aux effets
thermiques et dtre command par une tension (contrairement au HBT qui ncessite une
consommation de courant). Ces avantages sont nanmoins mineurs dans le domaine de la
puissance et concurrencs par des inconvnients srieux comme dtre limit par une faible
tension de claquage ou un faible courant en rgime de conduction.
Une des filires dveloppes, pour pallier les limites en puissance du MOSFET, est
celle du LDMOS (Lateraly diffused MOS). Il se distingue du MOSFET par un puits dop p+
(Figure 6) jouant le rle de masse RF entre la source et la face arrire du composant.

Figure 6. Vue en coupe dun transistor LDMOS
La filire silicium LDMOS a gagn la plus grande part du march des amplificateurs de
puissance de station de base aux dpens des composants siliciums bipolaires et des MESFETs
AsGa. Le LDMOS offre d'excellents rapports cot/performance dans ce segment.
Cependant, sa capacit continuer doccuper ce march savre incertaine, en effet pour
les prochaines gnrations de systmes il se trouvera limit par sa frquence de
fonctionnement infrieure (frquence dutilisation maximum en bandes L ou S), sa tension de
claquage moins leve et sa plus faible densit de puissance. A lheure actuelle, Freescale
propose des composants, pradapts ou non, pour des applications 3G. Les frquences
dutilisation couvrent la bande 1805MHz-2170MHz pour des tensions dalimentation
comprises entre 26V et 28V, des puissances comprises voluant de 1W 120W et un gain
allant de 10.2dB 15dB [11].
b. Les MESFETs SiC
Lavantage des MESFETs SiC est l'excellente conductivit thermique de son substrat.
Cependant, la mobilit des lectrons est sensiblement infrieure celle de GaN, qui est li au
manque de disponibilit de technologie d'htrojonction dans cette configuration de matriau.
De plus, ces substrats sont coteux et limits en diamtre mais les MESFETs SiC sont de
svres concurrents pour les applications comme les amplificateurs de puissance de station de
base pour les systmes de communications sans fil.

Figure 7. Vue en coupe du transistor MESFET SiC
Le principe du transistor MESFET sera dcrit dans la partie suivante de ce paragraphe.
En juin 2004, H. George Henry prsente des rsultats impressionnants partir dun
MESFET SiC de 4.8 mm de dveloppement fonctionnant 3 GHz [12]. Ce MESFET se
diffrencie dun MESFET classique par lajout dun spacer de 200 en SiC non dop
entre le canal et la grille, minimisant ainsi les piges de surface. Une premire srie de
mesures grand signal puls (Figure 8) est effectue avec une polarisation en classe AB avec
V
gs
pulse et V
ds
continue (dure de pulse=200s, rapport cyclique= 10 %). Ce transistor
MESFET SiC dlivre alors une puissance de sortie gale 21 W (soit environ 4.4 W/mm),
avec une PAE de 62 % et un gain en puissance de 10.6 dB. Une deuxime srie de mesures
grand signal CW (Figure 9) est effectue avec les mmes valeurs de tensions de polarisation
mais en mode continu. Les performances de ce transistor MESFET SiC sont alors en retrait
par rapport celles obtenues en condition pulse. Il dlivre tout de mme une puissance de
sortie de 9.2 W (soit environ 2 W/mm), avec une PAE de 40 % et un gain en puissance de 7
dB pour une frquence de travail toujours gale 3 GHz.

Figure 8. Mesures grand signal dun transistor MESFET SiC de 4.8mm de dveloppement de grille
en condition pulse (dure de pulse=200s, rapport cyclique= 10 %) @ 3 GHz

Figure 9. Mesures grand signal CW du mme transistor MESFET SiC de 4.8mm de dveloppement
de grille @ 3 GHz
De trs bons rsultats en bande X ont t obtenus par Cree en 2000 [13]. Bas sur un
transistor destin la bande S, les auteurs ont diminu la longueur de grille et lev le niveau
de dopage dans le canal pour obtenir une puissance de 30.5W en sortie 9.7 GHz en mesures
pulses (pour saffranchir de la thermique) V
ds0
=50V et V
gs0
=-5.5V.
Le spcialiste amricain Cree Research commercialise aujourdhui des transistors
MESFETs SiC capables datteindre, jusqu 2.4 GHz, des puissances de sortie de 50W au
P
1dB
avec des rendements de 55% et des tensions de drain de fonctionnement de 48V [14].
c. Les HEMTs GaN
Le nitrure de gallium (GaN) fut tudi pour la premire fois dans les annes 1970 puis
abandonn en raison des difficults de synthse. Dans les annes 90, sous l'impulsion de
groupes japonais, dont notamment S. Nakamura de la socit Nichia, des progrs normes
furent raliss sur la synthse des nitrures de gallium. Ces progrs rapides ont stimul un
effort extraordinaire dans le monde entier sur ce thme et ont port ces matriaux un degr
de maturit suffisant pour une industrialisation de masse dans le domaine des diodes
lectroluminescentes. Il faudra attendre la fin des annes 90 pour trouver les premiers
rsultats convaincants en compromis puissance/frquence. En effet, lutilisation de matriaux
grande largeur de bande interdite comme le GaN constitue un axe prometteur pour le
dveloppement de systmes de tlcommunications et de transports mettant en jeu des
niveaux de puissance levs dans le domaine des hyperfrquences [15]. Les grandes tensions
de claquage, les vitesses de saturation et les mobilits leves des lectrons dans GaN
constituent un avantage majeur avec cependant une difficult : lhtropitaxie est ncessaire
du fait de labsence de substrat en accord de maille. Dans ce contexte, les laboratoires et
industriels se concentrent sur les composants de type HEMT AlGaN/GaN qui tirent avantage
des effets de champ pizolectrique interne. Ce dernier conduit au confinement dun gaz
dlectrons dans le canal GaN linterface avec la barrire AlGaN avec des densits de
charges trs leves, mme en labsence de dopage intentionnel, et des mobilits
lectroniques nettement suprieures celles releves dans le matriau GaN massif.

Les proprits du matriau Nitrure de Gallium sont rcapitules dans le Tableau 1, on
peut noter que les HEMTs GaN possdent galement une transconductance plus leve, une
plus grande conductivit thermique et une frquence de coupure plus importante.
Nanmoins la difficult du procd introduit une quantit non ngligeable dimpurets
ou de dfauts dans le rseau cristallin et en surface qui dgradent les performances des
transistors. Ces impurets gnrent des tats nergtiques qui peuvent tre occups par des
porteurs dans la bande interdite du matriau semi-conducteur. Ces porteurs sont alors retenus
pendant un temps t dans ces niveaux d'nergie, et ne peuvent pas participer la conduction ;
cest pour cette raison quon les appelle aussi piges.

Figure 10. Vue en coupe du transistor HEMT AlGaN/GaN
La technologie GaN commence devenir incontournable, les industriels et les
laboratoires universitaires sont tous impliqus dans des actions lies au dveloppement de
cette technologie, en 2007 les publications et articles autour du GaN sont les plus frquents
car des records de puissances sont rgulirement atteints par ces types de transistor.

Pour les applications bande S, Eudyna Devices a atteint un record de puissance en 2007
[16] avec un seul transistor HEMT dlivrant 912 W 2.9 GHz. Des dveloppements rcents
sur Silicium, substrat au cot nettement plus abordable et dont la conductivit thermique
voisine de celle du GaN constitue un autre avantage, dans le cadre dune collaboration
contractuelle avec Daimler Chrysler et la DGA (Direction Gnrale des Armes) tablit un
nouvel tat de lart pour cette filire en obtenant des densits de puissance de 6.6 W/mm 2
GHz [17] et 3 W/mm 8 GHz. Nitronex prsente des travaux sur un transistor HEMT GaN
(sur substrat Si(111)) avec une densit de puissance de 10 W/mm 2.14 GHz en mode puls
[18].
En bande X, Triquint obtient, toujours sur substrat Si, 7 W/mm 10 GHz pour une
polarisation de 40V en V
ds
[19] et LIAF (laboratoire Allemand) sur substrat SiC propose une
technologie fournissant 10 GHz une puissance de sortie autour de 37 dBm avec une PAE de
32.5 %, un gain de 13.2 dB un V
ds
de 35 V [20].

Ces performances exceptionnelles ont toutes t obtenues avec lajout dune
mtallisation de grille, appele field plate ou overlapping gate (voir Figure 11), situe
au-dessus de la couche de passivation du composant. Ces structures field plate permettent
daugmenter les densits de puissance.

Figure 11. Section dun HEMT AlGaN/GaN de NITRONEX avec un source field plate (SLP)
[18]
Cette mtallisation au-dessus de la couche de passivation permet de modifier le profil de
la distribution du champ lectrique du bord de la grille cot drain et de rduire le pic du
champ lectrique critique, augmentant ainsi la tension davalanche.
CREE propose mme un double field plate [21], c'est--dire en plus de la mtallisation
prcdente, la compagnie amricaine optimise la forme de la grille et les matriaux qui la
composent afin de rduire la rsistance de grille tout en offrant la meilleur distribution de
champ lectrique possible et ainsi amliorer les performances.
La technologie GaN reste lheure actuelle en cours de dveloppement, nanmoins
quelques socits comme CREE et SOITEC ont commenc proposer des wafers GaN, tout
en continuant leur production de wafers SiC beaucoup plus matures.
d. Les PHEMTs AsGa
Le transistor PHEMT AsGa est lheure actuelle le composant phare concernant la
conception damplificateurs de puissance MMIC. Il est plus performant en bruit, en puissance
et permet daller plus loin en frquence, de plus durant ces dernires annes, les tensions
davalanche ont t fortement augmentes, permettant ainsi de polariser les transistors effet
de champ avec des tensions de drain suprieures 20 V [22] [23] [24], en revanche il est
limit par la mauvaise conductivit thermique de LAsGa. Nous rentrerons plus en dtail sur
le mode de fonctionnement du PHEMT dans le paragraphe suivant.
e. Rcapitulatif
Le tableau ci-dessous rcapitule les points forts et les points faibles des filires de
puissance.
LDMOS
HBT
SiGe
MESFET
AsGa
HEMT
InP
PHEMT
AsGa
HBT
AsGa
MESFET
SiC
HEMT
GaN
F
T
- ++ - ++ + ++ - -
F
MAX
- + + ++ ++ + - -
NF
MIN
- + + ++ ++ - + +
Linarit - ++ ++ + ++ ++ + +
Gain + ++ - + + ++ + +
Tension de
claquage
+ - ++ - ++ ++ +++ +++
Rendement + ++ + ++ ++ ++ + ++
Commutation + ++ + + + - - -
Thermique ++ + - - - - + +
Prix +++ + + - - - - -
Tableau 3. Tableau des points importants de chaque filire
f. Etat de lart des transistors dUMS
UMS (United Monolithic Semiconductors) est un fabricant de composant semi-
conducteur en Arsniure de Gallium stratgique puisquil est le leader sur ce march en
Europe et quil est issu dune collaboration entre lAllemagne (EADS) et la France
(THALES), qui sont ses actionneurs majoritaires.
Les filires technologiques dveloppes par UMS sont destines aux marchs : des
Tlcommunications (LMDS, VSAT), du spatial (Satellite de comunication), de la dfense
(Radars, communications militaires), de lautomotive (Radar 77 GHz pour lautomobile) ou
de lISM (les bandes de frquence ISM ne sont pas soumises des rglementations nationales
et peuvent tre utilises librement pour des applications Industrielles, Scientifiques et
Mdicales, par exemple le W-LAN).
Le Tableau 4 ci-dessous permet de visualiser lensemble des filires technologiques
dUMS et leurs performances.
Les filires
technologiques
PH25 PH15 PPH25 PPH25X PPH15 HB20P HP07 BES
Application
Faible
bruit
Faible
bruit
Puissance Puiss. Puiss. Puiss. Puiss.
Frquence
leve
Composant
actif
PHEMT PHEMT PHEMT PHEMT PHEMT HBT MESFET
Diode
Schottky
Densit de
puissance
(mW/mm)
250 300 700 900 600 3500 400 -
Longueur de
grille
(m)
0.25 0.15 0.25 0.25 0.15
2m
larg.
metteur
0.7 1
Id (Gm max)
(mA/mm)
200 220 200 170 300 - 300 -
Ids/Ic sat
(mA/mm)
500 550 500 450 600 0.3 450 -
Tension de
claquage
(V)
>6 >4.5 >12 >18 >8 >16 >14 <-5
Frquence de
coupure
(GHz)
90 110 50 45 75 25 15 3.10
3

Tension de
pincement
(V)
-0.8 -0.7 -0.9 -0.9 -0.9 - -4.0 -
Gm max
(mS/mm)
560 640 450 400 550 () 70 110 -
Rapport
Bruit/Gain
0.6dB/13dB
@10GHz
2dB/8dB
@40GHz
0.5dB/14dB
@10GHz
1.9dB/6dB
@60GHz
0.6dB/12dB
@10GHz
-
1.6dB/7dB
@40GHz
- - -
Tableau 4. Vue densemble des performances des filires dUMS
g. Comparaison des rsultats dapplication en
amplificateur de puissance
Fabricants Technologie Topologie
Pout
(W)
Pout
(dBm)
PAE
(%)
Gain
bas
niveau
(dB)
Freq
min
(GHz)
Freq
max
(GHz)
Vd/Vce
(V)
Date
et
Ref
Army
Research
Laboratory
GaN 2 tages 4 36 23 13 26 36
2006
[25]
NEC GaN
2 FET en
parallle
750 58.8 12 2.14 50
2006
[26]
re
partie)
Fabricants Technologie Topologie
Pout
(W)
Pout
(dBm)
PAE
(%)
Gain
bas
niv.
(dB)
Freq
min
(GHz)
Freq
max
(GHz)
Vd/Vce
(V)
Date
et
Ref
IAF GaN Hybrid 20 43 29 22 9.25 10.25 35
2006
[27]
Cree SiC Push-pull 50 47 >20 >9 1 2 48
2006
[28]
Georgia
Institute of
Technology
HBT
SiGe
Hybrid
cascode
0.14 21.4 26 41 8.5 10.5
2007
[29]
Northrop
Grumman
Space
Technology
HEMT
InP
4 tages >0.02 >13 9.5 25 176 191 2
2006
[30]
UMS
HBT
GaInP/GaAs
2 tages 11 40.5 >41 19 8.8 10.6 9
2007
[31]
Raytheon RF
components
PHEMT
GaAs
3 tages 3-4 >34.7 >18 19-23 42 46 6
2006
[32]
Department
of Electrical
Engineering
Taiwan
PHEMT
GaAs
4 tages 10 40 33 40 9.1 10.7 8
2007
[33]
UMS
PHEMT
GaAs
3 tages 2 33.5 20 24 5 18 8
2007
[34]
me
partie)
III. Principe de fonctionnement des
transistors effet de champ AsGa
A. Historique et gnralits
En 1952, W.Shockley [35] introduit le premier le principe du transistor effet de champ
(TEC ou FET pour Field Effect Transistor). Il proposait un nouveau type de composant semi-
conducteur qui, contrairement au transistor bipolaire o les deux types de porteurs
interviennent dans le fonctionnement (les lectrons et les trous), tait unipolaire. Dans ces
dispositifs, les porteurs responsables de leffet transistor sont les lectrons car ils prsentent
les meilleures proprits de transport : mobilit, vitesse et coefficient de diffusion. Le principe
du TEC est le contrle du courant dans un barreau semi-conducteur l'aide de deux tensions.

En effet si on considre un barreau semi-conducteur avec une densit volumique de
porteurs (lectrons) n, le courant scrit :
( ) ( ) ( ) x S x v x n q I = (I-4)
O v est la vitesse des porteurs qui dpend de la tension appliqu entre la source et le
drain.
Le principe de leffet de champ est de moduler la conductivit de la zone drain-source
l'aide du champ lectrique transverse, on distingue plusieurs faons dobtenir ce phnomne :
Par modulation de la section du barreau S(x), cest le principe des JFET (jonction PN) et
des MESFET (jonction MEtal Semiconducteur).
Par modulation de la densit de porteurs n(x), cest le cas des HEMT et des PHEMT.

Il faut attendre le dbut des annes 70 pour voir larrive des premiers transistors
raliss sur semi-conducteurs III-V. Les travaux de Mead [36] en 1966 qui proposa de
remplacer le Silicium par lArsniure de Gallium puis Baechtold [37] en 1973 permettaient
lapparition des transistors MESFETs (MEtal Semi-conductor Field Effect Transistor) sur
substrat AsGa, il sagissait de transistors effet de champ grille mtallique Schottky.
Dans les annes 80, les progrs raliss dans llaboration de matriaux, dans la
technologie de fabrication et dans les structures semi-conductrices ont vu lmergence dune
nouvelle gnration de transistors effet de champs, dits htrojonction (Les HFETs pour
Heterojunction Field Effect Transistor). En effet, en 1980, les laboratoires de recherches de
Thomson-CSF et Fujitsu prsentent un transistor effet de champs bas sur une
htrostructure GaAlAs/GaAs [38][39]. Ce dispositif est baptis TEGFET (Two Dimensional
Electron Gas Field Effect Transistor) Thomson-CSF et HEMT (High Electron Mobility
Transistor) chez Fujitsu.
Le principe de base du TEGFET (ou HEMT) consiste sparer spatialement les
porteurs libres des donneurs ioniss dont ils proviennent [40]. La structure du TEGFET est
ralise de manire intercaler dans un MESFET GaAs une couche mince de GaAlAs dop n
entre llectrode mtallique et la couche active de GaAs non dop. Ainsi, en raison des
diffrences daffinit lectronique entre le GaAs et le GaAlAs, les lectrons librs par les
donneurs situs dans le GaAlAs se thermalisent dans la bande de conduction de GaAs au
niveau de lhtrojonction GaAs-GaAlAs. Dans le GaAs non dop, ces lectrons ont une
grande mobilit, en raison de labsence dions donneurs dont on connat limportance dans les
phnomnes de diffusion. Ces lectrons localiss linterface GaAs-GaAlAs constituent un
gaz dlectrons deux dimensions. La conductance du canal ainsi constitu est commande
par la grille.
Par la suite, afin de satisfaire aux besoins sans cesse croissants de monte en frquence,
lide de base tait dintroduire dans la structure du HEMT un matriau faible gap
(lInGaAs) autorisant une plus grande mobilit des porteurs sous laction dun fort champ
lectrique. Cette diffrence technologique en matire dpitaxie a donc donn naissance un
nouveau type de transistor htrojonction : le HEMT Pseudomorphique (PHEMT).
B. Le transistor de type MESFET
Le principe de fonctionnement d'un transistor effet de champ grille Schottky de type
MESFET est bas sur la modulation de la conductance entre deux contacts ohmiques source
et drain, par l'action lectrostatique de la grille qui joue le rle d'une lectrode de commande.
La variation de cette conductance est proportionnelle au nombre de porteurs libres dans
le canal, et donc au courant entre source et drain. C'est l'effet d'amplification transistor qui
permet de transformer un faible signal appliqu sur la grille en un signal plus fort rcupr sur
le drain.
1. Principe du contact mtal-semi-
conducteur (Modle de Schottky)
Pour une premire approche, nous allons supposer que les surfaces respectives des deux
matriaux en contact sont parfaites et en particulier dpourvues dtats dinterface.
Lapplication des rgles dAnderson permet la construction du diagramme des bandes
de lhtro-barrire mtal-semi-conducteur. La Figure 12 illustre la structure dune telle
barrire au repos.

a) matriaux spars

b) matriaux en contact
Figure 12. Formation de la barrire mtal-semiconducteur dans le modle de Schottky
On remarque la dfinition de la hauteur de barrire
B
(vue par les lectrons du mtal)
et de la barrire de diffusion D (vue par les lectrons du semi-conducteur SC).
On note la conservation du niveau du vide et lgalisation ncessaire, au sens
thermodynamique, du niveaux de Fermi. On appelle hauteur de barrire, ici pour les
lectrons, la quantit
B
=
m
-X
s
, o X
s
est appel affinit lectronique du semi-conducteur et
m
est dfini comme lnergie dextraction du mtal cest--dire lintervalle dnergie
sparant le niveau de Fermi et le niveau de libration des lectrons. Si le semi-conducteur
nest pas dgnr, la densit des lectrons y est plusieurs ordres de grandeur plus faible que
dans le mtal. A limage dune jonction trs dissymtrique, la barrire pntre fort peu dans le
mtal et lessentiel de la circulation du champ lectrostatique seffectue dans le semi-
conducteur.
La variation du potentiel lectrostatique est donc essentiellement reprsente par la
courbure des bandes du semi-conducteur dont lamplitude est D=
M
-X
s
- encore appel
potentiel de diffusion.
Les lectrons diffusent donc du semi-conducteur vers le mtal et entranent ainsi des
modifications nergtiques dans chacun des matriaux. Dans le SC se cre une zone
dpeuple sur une profondeur W. On lappelle Zone de Charge dEspace. Dans le mtal il
apparat une accumulation dlectrons linterface.
A cette double charge despace sont associs un champ lectrique et une tension de
diffusion Vd qui quilibrent les forces de diffusion, dterminent ltat dquilibre et fixent la
distance W lorsque Vd atteint la valeur de la hauteur de barrire
B.
Lorsquon polarise la structure mtal semi-conducteur par une tension extrieure Ve
ngative, la bande de conduction du SC est abaisse, ce qui augmente la hauteur de barrire
qui sopposait la diffusion des lectrons. Lquilibre est rompu entranant ainsi la reprise du
processus de diffusion sur une profondeur W > W. Un nouvel quilibre stablit lorsque Vd
atteint la valeur (-Ve) +
B.

Figure 13. Jonction Schottky : en a) polarise en inverse ; en b) polarise en directe
Si Ve est positive, la bande de conduction du semi-conducteur slve, la courbure
diminue. Lpaisseur W se rduit et les lectrons diffusent du SC vers le mtal donnant
naissance un courant I du mtal vers le SC.
La barrire de Schottky est llment essentiel qui permet, par lintermdiaire de la
profondeur de sa zone de charge despace, le contrle du courant dans le transistor MESFET
AsGa. La rapidit avec laquelle la variation de cette charge despace est obtenue est lune des
clefs de la rapidit de ce composant.
2. Le transistor MESFET
Le MESFET (MEtal Semi-conducteur Field Effect Transistor) est le premier composant
ralis sur AsGa. Il comporte le plus souvent une couche active de type N, ralise sur
substrat semi-isolant (SI), deux contacts ohmiques (source et drain) et une grille mtallique
dpose entre source et drain dans des conditions crant une barrire de Schottky vue
prcdemment.

Figure 14. Vue en coupe de la structure du MESFET
En fonctionnement normal, la grille est gnralement polarise ngativement (V
gs
<0)
par rapport la source tandis que le drain est polaris positivement (V
ds
>0). La prsence du
contact Schottky cre une zone dpeuple de porteurs libres sous la grille. La concentration
des lectrons mobiles est donc maximale dans la fraction restante de la couche conductrice
appele canal conducteur. En effet, lorsquon applique une tension V
ds
positive, un flux
dlectrons traverse le canal de la source vers le drain correspondant un courant I
ds
dans le
sens inverse. Or, la section du canal conducteur disponible est limite a-d. Si on diminue
V
gs
, lpaisseur d augmente. Par consquent le courant I
ds
diminue. Lorsque d atteint la valeur
a, le canal est pinc et I
ds
sannule. On se trouve ainsi en mesure de contrler le passage du
courant de sortie par la commande de grille.
Remarque : On saperoit, sur la Figure 14, que la profondeur de la zone dsert (ZCE) est
plus importante du cot drain que du cot source. Lpaisseur cot Source sexprime par
lquation suivante :
( )
2
1
B
d
source
Vgs
qN
2
d

(I-5)
Alors que cot drain :
( )
2
1
B
d
drain
Vgd
qN
2
d

(I-6)
avec Vds Vgs Vgd = .
Or on a V
ds
>0 et V
gs
<0, do V
gd
<V
gs
et donc d
drain
> d
source
, ceci explique le profil de la
zone de charge despace.
Comme pour le FET ou le TEGFET, on gnre un rseau de caractristiques donnant
lvolution du courant de sortie en faisant varier V
ds
pour plusieurs niveaux de commande V
gs

(voir Figure 15).

Figure 15. Caractristiques Id(V
ds
) d'un TEC
a. Tension de pincement, tension de seuil
La tension de pincement V
p
est la hauteur de barrire lectrostatique qui amnerait la
zone de charge despace situe sous la grille occuper lpaisseur totale de la couche active.
Le transistor est dit pinc car le canal est compltement obstru ne laissant plus passer le
courant.
La tension de seuil V
T
est dfinie comme la tension qui, applique entre la grille et la
couche active, amne la charge despace occuper toute lpaisseur de la couche.
On a entre les deux tensions la relation suivante :

p D T
V V = (I-7)
avec
D
la tension de diffusion de la barrire de Schottky.
b. Les zones de fonctionnement
On observe 2 principaux comportements du transistor : linaire et satur.


Figure 16. En a) le canal est entirement ouvert. Le courant est proportionnel V
ds
. Le transistor se
comporte comme une conductance contrle par la grille. En b) le rtrcissement du canal prs du
drain provoque le ralentissement de la croissance de I
ds
. En c) pincement du canal, le transistor est en
saturation
Fonctionnement linaire :
Pour les faibles valeurs de la tension de drain (V
ds
<<V
gs
- V
T
et donc V
gd
proche de V
gs
)
le canal reste de section sensiblement uniforme sous la grille (voir Figure 16-a). Son
ouverture (sa hauteur) dpend essentiellement de la tension qui polarise celle-ci. Le dispositif
se comporte alors comme une conductance contrle par la grille : le courant I
ds
varie
proportionnellement V
ds
, cette zone est galement appele zone ohmique. Les mlangeurs
ou les dphaseurs par exemple ncessitent ce type de rgime linaire.
Rgime satur du courant :
Lorsque la tension de drain V
ds
augmente, la zone dpeuple devient de plus en plus
importante cot drain. Le canal se resserre et provoque le ralentissement de la croissance du
courant drain (voir Figure 16-b). Puis partir dune certaine valeur de V
ds
= V
gs
V
T
o la
zone de charge despace a rejoint le substrat la sortie du canal, celui-ci est donc pinc, on
entre dans un rgime de saturation (voir Figure 16-c).Le courant de saturation Idss correspond
la quantit de courant pour laquelle le transistor rentre en saturation une tension de
commande V
gs
= 0V.

En fait, le transistor MESFET a t ralis pour mettre profit la rapidit de rponse de
la diode Schottky. Le MESFET AsGa est longtemps rest le composant effet de champ
prpondrant pour lamplification de puissance micro-onde. En effet, les proprits de
transport lectronique de lArsniure de Gallium permettent dobtenir des densits de porteurs
dont la vitesse moyenne dans le canal est bien suprieure celle du Silicium.
Cependant, lobtention de niveaux de courants levs dans ce type de transistor passe
par lemploi de dopages importants, rduisant de ce fait la mobilit des lectrons et les valeurs
de tensions de claquage. Lobtention de MESFET de puissance passe alors par lutilisation de
semi-conducteurs grand gap tel que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium
(GaN).
C. Prsentation des transistors
Htrojonction
Pour diminuer le temps de transit entre la source et le drain, il est naturel de chercher
utiliser les plus fortes mobilits lectroniques possibles. Les transistors effet de champ
htrojonction sont bass sur la modulation de la densit de porteurs dans un canal non dop
laide dune tension applique sur la grille. La possibilit de combiner au sein dun mme
composant des semi-conducteurs de bande diffrente permet le contrle de fortes densits de
courant laide dune faible tension. Il en rsulte une transconductance leve et donc un gain
important aux frquences hautes.
On trouve de nombreuses dnominations du transistor htrojonction :
HEMT (High Electron Mobility Transistor)
PHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)
HFET (Heterojunction Field Effect Transistor)
TEGFET (Transistor Electron Gas Field Effect Transistor)
MODFET (Modulation Doped Field Effect Transistor)

Figure 17. La structure de base dun transistor htrojonction (pitaxie)
Un autre atout majeur des HEMTs rside dans leur structure pitaxiale ralise de
manire sparer physiquement les lectrons libres dans le canal des impurets ionises.
Cette proprit permet d'assurer une mobilit maximum des lectrons.
Sur le schma ci-dessus, on ralise une htrojonction linterface barrire-canal.
Lide de base est de crer dans le canal une zone dont le niveau de la bande de conduction
est plus faible que dans le reste du dispositif. Cela permettra une accumulation dlectrons
que lon met en mouvement suivant laxe drain-source laide dun champ lectrique comme
dans le MESFET.
Lobjectif est donc de crer une densit superficielle de charges n
s
maximum
linterface canal-tampon. Le courant est alors donn par :
Z v n q I
s D
= (I-8)
o Z est la largeur de grille et n
s
la densit surfacique ( 10
12
cm
-2
).
1. Principe de lhtrojonction
L'htrojonction constitue du matriau grand gap (dop N) AlxGa1-xAs et du matriau
faible gap (non dop) AsGa est la plus tudie du fait de la relative facilit de ralisation des
couches pitaxiales. Le diagramme de bandes des deux semi-conducteurs avant contact est
reprsent Figure 21.

Figure 18. Deux matriaux de gap diffrents avant contact
C'est en 1962 que R. L. Anderson a propos le modle de l'htrojonction qui sera le
plus utilis et deviendra une rfrence dans son domaine. Lorsque les deux matriaux sont
mis en contact (voir Figure 19), La formation du diagramme de bandes linterface suit ce
modle :
- Le grand gap transfre ses lectrons dans le petit gap.
- Les niveaux de Fermi doivent saligner.
- Le niveau du vide ne peut pas subir de discontinuit.

Figure 19. Diagramme de bandes aprs contact, formation du puits de potentiel et du gaz dlectrons
Le diagramme de bande doit tendre asymptotiquement vers chacun des diagrammes
initiaux de chaque cot de lhtrojonction et infiniment loin de linterface. Il rsulte de ces
conditions, des courbures et des discontinuits (discrtes) dans les bandes de conduction et de
valence au niveau de la jonction mtallurgique. Il se cre alors un puits de potentiel et une
couche daccumulation de porteurs linterface entre les deux matriaux. Ces lectrons sont
confins dans le puits de potentiel dont la largeur est de quelques dizaines dAngstroms et
dont le fond se trouve au-dessous du niveau de Fermi.
L'troitesse de ce puits induit la quantification des niveaux d'nergie dans la direction
perpendiculaire la jonction et le mouvement des lectrons se fait dans un plan parallle
l'htrojonction. On parle alors de gaz d'lectrons bi-dimensionnel.
2. Structure dun HEMT classique
Un HEMT classique comprend une barrire AlGaAs dope N qui fournit des lectrons
au canal travers une zone non dope appele spacer.

Figure 20. Structure dun HEMT classique
Lhtrojonctions est ralise linterface dun matriau grand gap (AlGaAs) et dun
semi-conducteur faible gap : le canal (AsGa). La couche AlGaAs est spare en deux parties :
une rgion dope qui fournit les lectrons au canal et une rgion non dope appele espaceur
ou spacer qui sert isoler les lectrons du canal, des charges ionises.
La tension de pincement Vp correspond la tension V
gs
pour laquelle on a la densit
surfacique n
s
gale 0. Le dopage et lpaisseur de la barrire AlGaAs permettent de rgler la
tension de pincement.
Le gaz dlectrons deux dimensions est plus ou moins large suivant la tension
applique sur la grille.
Sous les contacts ohmiques source et drain, une couche dAsGa fortement dope N
+

permet de diminuer les rsistances daccs.
Les HEMTs sont des dispositifs qui conviennent particulirement bien aux applications
micro-ondes et millimtriques. Cela est d au fait que les lectrons circulent dans un canal
non dop o ils bnficient de leur mobilit maximum :
Exemple pour lArsniure de Gallium :
- Non dop N
D
= 0 = 8500cm
2
/V.s
- Dop N
D
= 10
17
cm
-3
= 4000cm
2
/V.s
3. Structure dun PHEMT conventionnel
La demande croissante de circuits intgrs hyperfrquences (MMICs) destins des
applications qui ncessitent un maximum de puissance en sortie de plus en plus hautes
frquences a impliqu la recherche de nouvelles structures dhtrojonction. Une des
solutions est daugmenter les dimensions du puits de potentiel. Pour ce faire, le canal est
ralis par une couche mince dInGaAs, un matriau faible gap (infrieur celui de lAsGa).
La structure dun PHEMT est reprsente ci-dessous (Figure 21) :

Figure 21. Structure dun PHEMT dopage
LInGaAs a la facult dacclrer les lectrons dans le canal, en contrepartie sa structure
cristalline ne correspond pas au rseau cristallin AlGaAs/AsGa, on dit alors de cette couche
quelle est pseudomorphique cest dire dsadapte de laccord de mailles. Au contact de
lAsGa et de lAlGaAs, la couche pseudomorphique va se dilater pour saccorder au cristal de
la structure globale. Puisque la compression du canal InGaAs est ralise dune manire
anormale, le HEMT original est donc dsadapt, le transistor est appel HEMT
Pseudomorphique. De plus, la vitesse des lectrons dans lInGaAs (non dop) est galement
plus importante que dans lAsGa ce qui permet de trs hautes frquences de travail.

Remarque : Les deux vues en coupe prcdentes, illustrent les diffrences technologiques
entre un HEMT et un PHEMT. Les dimensions mentionnes sur les schmas sont lchelle,
et reprsentent des donnes classiquement utilises.

Pour rsumer, la diffrence essentielle entre les MESFETs et les HEMTs se situe au
niveau du principe mme du contrle du courant dans le canal. Dans le cas du MESFET,
llectrode de grille contrle la section de canal disponible pour la conduction, et dans le cas
du HEMT, elle contrle la densit dun gaz dlectrons libres dans la zone non dope situe
dans lhtro interface qui constitue le canal du transistor.
4. Le HEMT mtamorphique
Pour palier les inconvnients des filires de matriaux adapts en paramtres de maille,
des structures mtamorphiques ont t dveloppes avec pour objectif la ralisation de
HEMTs AlInAs/GaInAs sur substrat GaAs. Les pitaxies mtamorphiques permettent de
raliser des structures de transistors de bonne qualit cristallographique bien que prsentant
un paramtre de maille notablement diffrent de celui du substrat sur lequel elles sont
dposes.
Ces structures mtamorphiques reposent sur le contrle de la relaxation des contraintes
lies au dsaccord de paramtre de maille entre le matriau dpos et le substrat. Ceci est
obtenu en dposant une couche dalliage du type AlInAs trs paisse et dont la composition
en indium varie graduellement partir dune valeur faible ct substrat. En effet, on ralise la
croissance d'une couche sacrificielle dAlInAs o suivant la distance se produira dans la toute
premire partie de la croissance, proche du substrat, la relaxation de contraintes par formation
de dislocations comme le montre la Figure 22-c (la difficult rside alors dans le confinement
de ces dislocations dans cette couche tampon). Puis on continue faire crotre lAlInAs
jusqu obtenir un matriau sans contraintes sur lequel on pourra raliser une htrojonction
AlInAs/GaInAs plus performante en terme de mobilit lectronique.


Figure 22. a) Epitaxie en accord de maille pour les transistors HEMTs; b) Dsaccord de maille, cest
le cas des PHEMTs; c) Grand dsaccord de maille, principe de la couche tampon mtamorphique
Autrement dit, plus on est proche du substrat, plus il y a de dislocations entre les
atomes. Mais plus on sloigne du substrat, plus le matriau InAlAs devient propre , c'est-
-dire sans dislocations ni contraintes. On absorbe ainsi les diffrences de rseaux cristallins
entre les deux matriaux.

Figure 23. Exemple de couche tampon mtamorphique ralise sur substrat AsGa par HITACHI [41]
L'avantage d'une telle filire est de pouvoir faire crotre des htrostructures
InAlAs/InGaAs sur un substrat GaAs (Figure 23) et ainsi obtenir des performances proches
des filires de transistors InP. Le Tableau 7 ci-dessous fait le point sur la technologie
mtamorphique :
AVANTAGES INCONVENIENTS
Facteur de bruit trs faible
Frquence F
max
leve (>100 GHz)
Commutation rapide grce une
rsistance r
on
faible, performance
comparable aux diodes PIN.
Consommation
Tension de claquage beaucoup plus faible
que sur les PHEMT
Basse tension dutilisation (1 2 Volts)
Puissance dlivre en sortie plus faible
que le PHEMT
Tableau 7. Avantages et inconvnients de la technologie mtamorphique
IV. Caractristiques du PHEMT de
puissance
Notre tude se porte sur un transistor PHEMT de longueur de grille 0.25m , sa
structure est plus complexe que celle des transistors HEMTs classique vues prcdemment, de
plus, de nombreux effets parasites perturbent son fonctionnement comme les piges ou les
effets thermiques.
La filire qui fait lobjet de ce travail est destine aux applications de puissance, elle
possde des caractres qui la distinguent des procds faibles bruits, nous mettrons en
vidence leurs diffrences.
A. Le processus technologique du PHEMT
de puissance
La Figure 24 prsente les diffrentes tapes de ralisation dun transistor PHEMT. Ce
procd de fabrication laisse apparatre des caractristiques technologiques spcifiques ce
type de FET.


Formation de la zone active (AsGa / AlGaAs
/ InGaAs / AlGaAs). Cette opration est excute
par croissance pitaxiale (systme MBE :
Molecular Beam Epitaxy).

Dposition par vaporation dune couche de
mtal ohmique sur tous le wafer. Lapplication puis
insolation dune rsine photosensible permet de
dfinir lemplacement des contacts ohmiques.

Du nitrure de silicium est dpos pour viter
que la surface du wafer ne soit pollue. Ce nitrure
est aussi utilis pour dfinir la grille.
Limplantation de bore permet de dlimiter la zone
active sous le transistor.

La forme en T de la grille est effectue par
lithographie double-faisceau dlectrons. Dans un
premier temps, la longueur la base de 0.25m est
dfinie travers le nitrure de silicium par gravure
ionique puis dans un second temps une couche de
rsine est appliqu pour former la partie suprieur
de la grille de 0.5m. Le mtal de grille AlNi (ou
AlTi) est dpos. Du nitrure de passivation est
ensuite dpos pour protger le transistor.
re
partie)


On ouvre les contacts ohmiques aux endroits
ncessaires en retirant la couche de passivation.

Une couche de TiPtAu est dpose sur les
contacts ohmiques, cette couche est destine en
ralit la cration de llectrode infrieure pour
les capacits, au niveau du transistor on considre
cette couche comme une paisseur supplmentaire
de mtal.

Une couche de dilectrique est dpose par
PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor
Deposition) sur tout le wafer. On enlve le
dilectrique au niveau de la source et du drain du
transistor dans lobjectif de mtalliser les contacts.

Mtallisation des contacts avec une
importante paisseur dor. Ralisation des ponts
air.

Mtallisation face arrire : gravure de via-
hole pour permettre des connexions avec le plan de
masse face arrire. Dicing street est le chemin
de dcoupe pour la sparation des puces.
me
partie)
B. Caractristiques gomtriques de la
structure PHEMT destine aux applications
de puissances
Le cur du PHEMT est compltement dcrit par lhtrojonction, le puits quantique qui
en dcoule et la jonction Schottky grille semi-conducteur. Nanmoins, pour rduire les
phnomnes parasites, plusieurs amliorations ont t apportes la structure du PHEMT
classique. Ces modifications sont devenues communes maintenant et depuis larrive de
nouvelles technologies comme le GaN ou le SiC, la gomtrie de la structure PHEMT AsGa
na presque pas volu.

Figure 26. Coupe schmatique de la structure de base dun transistor PHEMT dvelopp pour les
applications de puissances par UMS
a. Les contacts ohmiques de drain et de source
[42]
Pour viter lapparition dune jonction Schottky parasite sur les contacts de drain ou de
source, on insre sous les plots mtalliques une couche fortement dope N++ puis une couche
N- appele Charge Screen Layer afin de raliser un contact ohmique et ainsi diminuer les
rsistances parasites srie. Celles-ci, notamment la rsistance de source sont responsables
dune chute de gain du transistor.
b. Les couches darrts Etch-Stop
Pour obtenir le double recess sous la grille, on fait appelle la gravure ractive dion et
la gravure chimique. Afin dobtenir la mme profondeur de recess sur la plaque cest dire
une plus grande uniformit des performances dans le procd, on utilise des couches darrts
Etch-Stop qui empchent les gravures daller plus loin dans le composant.
c. Le recess de grille
Le recess de grille consiste rduire lpaisseur de la couche barrire sous la grille.
Dans des conditions optimales de fonctionnement, la couche ternaire doit tre compltement
dplte et aucun courant parasite celui du canal ne doit y circuler. En pratique, et pour des
tensions V
gs
suffisamment positives, il y subsiste toujours un courant parasite. Le recess est
avant tout responsable du contrle de la tension de pincement des transistors. Les rsistances
parasites de source et de drain sont optimises par le choix dpaisseur des couches de contact
N++ et N-, de la couche Schottky AsGa et de la barrire non creuse. Elles sont dfinies
comme la mise en srie des rsistances des contacts ohmiques du drain et de la source, et des
rsistances des rgions du canal qui ne sont ni sous les contacts ohmiques ni sous contrle de
la tension V
gs
. La diminution des rsistances de contact sobtient par une meilleure densit de
charge dans les rgions daccs. On utilise ici un double recess, ce qui nous permet davoir
une tension de claquage Vbds plus grande sans perdre le contrle de la tension de pincement
ainsi la rpartition du champ lectrique dans lespace grille-drain est optimise pour un
fonctionnement en puissance. De plus ce double creusement a lavantage de saffranchir de
certains phnomnes de surface qui perturbent le fonctionnement des transistors mais les
dimensions du recess peuvent faire apparatre plus ou moins des effets de piges en surface.
d. La grille en forme de T ou en champignon
En supposant une distribution bidimensionnelle continue des lectrons dans le puits
quantique dans le sens dcoulement du courant, la proportion dlectrons arrivant
llectrode de sortie suite un signal de commande sur la grille dpend de leur vitesse.
Macroscopiquement, cela se mesure par la frquence de coupure du transistor Ft. A matriau
identique, donc mobilit identique, la frquence de coupure est dtermine par la longueur de
grille. De ce fait, on aboutit des structures mettant en oeuvre des grilles de plus en plus
courtes. Dun autre ct, on dfinit une rsistance daccs la grille intrinsque. Elle
reprsente toutes les parties mtalliques daccs la jonction Schottky. De ce fait, plus la
surface dune section de grille et ses accs sont larges (pour des grilles longues), moins leve
est la valeur de cette rsistance. Comme nous le verrons par la suite, cette rsistance est
responsable de laffaiblissement du signal lentre et dune diminution de la frquence de
coupure. Loptimisation de ces deux paramtres a aboutit des grilles en champignon ou en
T : ainsi, la rsistance daccs est diminue car les sections des accs sont plus larges, et le
temps de transit diminu car la grille (le pied du champignon) est courte.
e. La jonction Schottky
Sous leffet dune tension inverse applique la grille, les lectrons passent du semi-
conducteur vers le mtal crant ainsi une zone de dpltion (ZCE). La profondeur de cette
zone est directement lie la hauteur de barrire
B
, on rajoute donc une couche AsGa sous
la grille pour rduire la barrire Schottky et ainsi contrler au mieux le courant passant dans le
canal.
f. Le double plan de dopage
Le transistor de puissance possde en ralit une double htrojonction, en effet on
ralise deux plans de dopage afin dobtenir deux puits de potentiel (deux canaux) ou un puit
plus large (transistor ouvert), cela a pour consquence laugmentation de la densit de courant
pour une mme tension de claquage, on a donc une puissance plus importante en sortie.

Figure 27. Diagramme dnergie de la double htrojonction du transistor de puissance PPH25X

La diffrence de profondeur entre les deux plans de dopage implique un cart de tension
de pincement entre les deux canaux, on voit alors apparatre un plateau au niveau de la forme
de la transconductance Gm du transistor.

Figure 28. Profil des transconductances statique : procd simple htrojonction (en bleu) et
double htrojonction (en noir pais)
La transconductance Gm du transistor de puissance tudi, dont lallure est donne
Figure 28, voit apparatre un maximum qui stend sur une plage plus grande de V
gs
, cet effet
est bnfique aux performances du composant car il aboutit une meilleure linarit.
C. Critres de performance lectrique du
transistor de puissance
Jusqu prsent, notre propos concernant les paramtres technologiques des matriaux
permet de faire un choix raisonn de la technologie en fonction de sa propre application. Nous
allons maintenant considrer les critres des performances lectriques des transistors pour des
applications de puissance.
1. Fonctionnement petit signal
L'valuation des performances dun transistor, et plus gnralement d'un amplificateur
microonde en rgime linaire (Figure 29), se fait partir des paramtres [S]. Ceux-ci
permettent de dterminer diffrents critres du dispositif micro-onde tudi.

Figure 29. Quadriple associ sa matrice [S]
i. Gain en courant, frquence de transiti on
- On dfinit le gain en courant (not ou |H21|) comme le rapport du courant de sortie sur le
courant dentre lorsque la tension de sortie est court-circuite :

( )( )
21 12 22 11
21
21
11
21
0 V
1
2
S . S S 1 S 1
S . 2
H
Y
Y
I
I
2
+ +
= = = =
=
(I-9)
O I
1
et I
2
sont respectivement les courants dentre et de sortie du quadriple, Yij sont
les paramtres [Y] de la matrice admittance, et Sij sont les paramtres de la matrice [S].

- La frquence de transition (note FT) reprsente la frquence pour laquelle le gain en
courant est gal 1 :

( )( )
1
S . S S 1 S 1
S . 2
H
21 12 22 11
21
Ft
21
=
+ +
= (I-10)
Pour illustrer ces propos, nous traons le gain en courant en fonction de la frquence
(Figure 30) du transistor PHEMT AsGa de 0.8mm de dveloppement de grille, pour V
gs
=-0,4
V, V
ds
=8 V et Id=125 mA, ce qui correspond une polarisation en classe AB. Nous en
dduisons une frquence de transition (
Ft
21
H =1) environ gale 22 GHz.

Figure 30. Gain en courant en fonction de la frquence dun PHEMT AsGa de longueur de grille
0.25m pour V
ds
=8 V et Id=125 mA

La frquence de transition pour un transistor effet de champ, en fonction des lments
du schma petit signal, est donne par la relation suivante :

( )
gd gs
m
T
C C . . 2
g
F
+
=
(I-11)
Attention il ne faut pas se limiter la formule (I-11) dans notre cas, en effet
l'importance de la conductance de sortie Gd pour les HEMT grille courte oblige rajouter
les termes correspondants :

( ) ( )

+ + +
|
|
\
| +
+ +
=
m d s m gd
ds
d s
gd gs
m
T
g . R R . g . C
R
R R
1 . C C . . 2
g
F

[43] (I-12)
Lexpression de
T
F est donne en fonction des lments du schma petit signal
reprsent la Figure 31.

Figure 31. Modle petit signal simplifi dun transistor HEMT
ii. Gain maximum disponibl e, frquence maximale
doscill ation, gain en puissance unil atral.
- Le gain maximum disponible GM (Maximum Available Gain) reprsente le gain maximum
que peut avoir lamplificateur bas niveau :
( ) 1 K K
S
S
G
2
12
21
M
= (I-13)
o K est le facteur de stabilit de Rollet.
Ce gain ne peut tre calcul que si K > 1. Si K < 1, on dfinit alors le gain maximum
stable (Maximum Stable Gain) :

12
21
MSG
S
S
G = (I-14)
De plus, si
12
S = 0, alors on dfinit le gain maximum unilatral
21
S .
- La frquence maximale d'oscillation (note Fmax) reprsente la frquence pour laquelle le
module du gain maximum disponible est gal 0 dB :
( ) ( ) dB 0 1 K K
S
S
log . 10 dB G
2
12
21
max F
M
=
|
|
\
|
= (I-15)
Pour le mme transistor que prcdemment au mme point de fonctionnement, nous
traons le gain maximum disponible en fonction de la frquence (Figure 32). Nous en
dduisons une frquence maximale d'oscillation ( dB 0 G
max F
M
= ) denviron 45 GHz.

Figure 32. Gain maximum disponible en fonction de la frquence dun PHEMT AsGa de 0.8mm de
dveloppement de grille pour V
ds
=24 V et Id=255 mA
De nouveau, dans le cas o lon considre un transistor HEMT dont le modle petit
signal est reprsent la Figure 31, la frquence maximale d'oscillation est alors gale :

|
|
\
|
+
=
ds
g
gd g T
T
max
R
R
C . R . F . . 2 2
F
F
(I-16)
- On peut aussi dfinir la frquence maximale doscillation partir du gain en puissance
unilatral (not UPG pour Unilateral Power Gain). La frquence maximale doscillation est
alors gale la valeur de la frquence pour laquelle le module du gain en puissance unilatral
(|S
12
| = 0) est 0 dB :
( ) dB 0
S 1
1
.
S 1
1
. S log . 10 dB UPG
2
22
2
11
2
21
max F
=
|
|
\
|

= (I-17)
2. Fonctionnement grand signal
Lorsque lamplificateur fonctionne en rgime non-linaire, de nouveaux paramtres
dvaluation grand signal sont considrer. Les diffrentes dfinitions qui vont tre donnes
par la suite sont rfrences par rapport la Figure 33.

Figure 33. Synoptique dun amplificateur en grand signal
i. La densit de puissance
La densit de puissance reprsente la puissance de sortie par unit de largeur de grille
du transistor. Elle s'exprime en gnral en W/mm et permet ainsi une comparaison aise entre
transistors de dveloppements diffrents.
ii. La puissance de sortie
On dfinit la puissance de sortie (note Ps) dun transistor comme :
( )
= I . V Re .
2
1
P
s
(I-18)
A titre dexemple, la puissance de sortie maximale, pour une polarisation en classe A, a
pour valeur :
( )
min max max max S
V V . I .
8
1
P = (I-19)
o Vmax reprsente la tension de claquage, Vmin la tension de dchet et Imax le
courant maximum dans le transistor.
iii. Le gain en puissance
Le gain en puissance (not G
P
) est dfini par le rapport de la puissance de sortie P
S

fournie la charge sur la puissance dentre P
E
:

E
S
P
P
P
G = do ( ) ( ) ( )
dBm E dBm S dB P
P P G = (I-20)
iv. Le rendement en puissance aj oute
Le rendement en puissance ajoute (not PAE pour Power Added Efficiency) exprime le
pourcentage de puissance de polarisation DC apporte au composant converti en puissance
RF (not
PAE
) :

DC
E S
PAE
P
P P
= (I-21)
v. Ladaptation
Pour quun transistor soit mme de gnrer une puissance maximale, il faut maximiser
le produit de la tension par le courant de sortie dans les limites de fonctionnement du
transistor. Dans le cas dune polarisation en classe A, la puissance de sortie sera maximale
(Figure 34) si limpdance de charge est optimale, soit :

( )
max
min max
opt L
I
V V
Z

= (I-22)
Or, la puissance de sortie maximale est gale :
( )
min max max max S
V V . I .
8
1
P = (I-23)
A partir des deux formules prcdentes (I-22) et (I-23), on obtient :

( )
max S
2
min max
opt L
P
V V
.
8
1
Z

= (I-24)

Figure 34. Maximisation de la puissance de sortie
On voit donc que pour une P
Smax
donne, le niveau dimpdance sera dautant plus lev
que la tension V
max
sera importante. Par consquent, ladaptation en sera grandement facilite
(Z
Lopt
proche de 50).
D. Conclusion
Nous avons pass en revue au dbut de ce chapitre les diffrentes filires de puissances
et on peut constater qu lheure actuelle les transistors sur substrat AsGa restent les leaders
incontestables pour les applications demandant un compromis puissance/frquence en
soulignant toutefois les bonnes performances de la technologie HEMT GaN qui nest pas
encore tout fait matrise notamment en termes de reproductibilit. Le PHEMT AsGa reste
le seul composant qui propose une trs bonne linarit avec un fort rendement et une densit
de puissance convenable.
Dans ce chapitre, nous avons dtaill le principe de fonctionnement des transistors
effet de champs en tudiant plusieurs types de composants unipolaires. La comprhension de
leffet transistor et ltude de la structure du composant sont les points de dpart de la
modlisation c'est--dire de la mise en quations des phnomnes linaires et non linaires qui
apparaissent en fonctionnement hyperfrquence.
En effet, la conception de circuits amplificateurs de puissance base sur la filire
PHEMT AsGa dUMS passe par la cration dun modle de transistor pour la CAO
(Conception Assiste par Ordinateur). Ce modle doit prendre tous les phnomnes physiques
mis en jeu lors dun rgime petit ou grand signal afin de reproduire les critres de
performance lectrique du transistor de puissance (cf. paragraphe prcdent) lors dune
simulation.
Le chapitre suivant va sattacher expliquer la mthode dextraction dun modle
classique non linaire puis on dterminera les paramtres sensibles de celui-ci.
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Chapitre II : Modlisation non linaire des PHEMTs AsGa
CHAPITRE II : MODELISATION NON
LINEAIRE DES PHEMTS ASGA
I. Introduction : les besoins en terme
de modlisation
La conception de circuits intgrs monolithiques hyperfrquences non linaires tels que
les mlangeurs, les oscillateurs ou encore, comme lapplication vise dans notre tude,
damplification de puissance, ncessite lutilisation dune description grand signal du
transistor effet de champ pseudomorphique (PHEMT). Cette description doit reflter le
comportement du composant de faon gnrale quels que soient son environnement et sa
configuration. En effet, puisquil ne sera pas possible dajuster un circuit aprs sa ralisation,
le concepteur doit tre en mesure de simuler ce circuit entirement pour optimiser ses
performances.
Pour minimiser lcart possible entre simulations et mesures, il faut disposer pour
chacun des lments du circuit (capacits, inductances, transistors, etc.), des modles les plus
prcis et comprhensibles possible tout en gardant une certaine simplicit dutilisation et
une souplesse dans une ventuelle volution du modle. Malgr lvolution des capacits de
calcul des stations ou des ordinateurs qui utilisent les outils de CAO, la complexit des
circuits concevoir impose aux modles de prendre en compte les temps de calcul en les
rduisant et de ne pas dgrader la convergence du simulateur en minimisant les risques de
divergence.
La demande croissante de circuits de plus en plus performants en termes de puissance et
de frquence, incite la connaissance parfaite des limites du composant et aboutit la
ralisation de modles plus complexes. Par exemple dans les PHEMT AsGa, les effets de
piges et davalanche d lionisation par impact, sont des phnomnes prendre en compte
aujourdhui ds la phase de conception dans les modles de transistors destins des
applications de puissance hyperfrquences.
La diversit des domaines dapplication des circuits microondes : l automotive
(secteur automobile), le spatial ou encore le domaine militaire par exemple, implique la prise
en compte de certains effets dus lenvironnement du circuit. Ltat thermique qui rsulte de
la temprature ambiante et de lauto-chauffement du composant en est le principal effet
devant tre pris en compte dans les modles. Ainsi un modle fiable et prcis permettra de
rduire les temps de cycle de la conception la fabrication en supprimant quelques tapes de
test qui restent toujours coteuses.
On distingue deux grandes familles de modles qui chacune se subdivise en dautres
sous familles. Ces deux familles sont les modles que lon qualifiera de gnriques, et les
modles connus sous le nom de comportementaux.
Les modles comportementaux [44] sont plutt ddis une utilisation au niveau
systme. Ils sont gnralement extraits sous des conditions particulires dimpdance de
charge, de polarisation, de frquence qui font que ces modles sont spcifiques une
utilisation donne. On peut donner deux exemples de sous famille de modles
comportementaux : les modles utilisant les sries de Volterra ou encore les rseaux de
neurones. Leur utilisation principale est lintgration dun sous systme fini dans un systme
plus complet que lon simulera afin den valuer limpact sur ses fonctions globales. Comme
exemple nous citerons lintgration dun amplificateur de puissance dans une chane de
transmission (en mission, Figure 35, ou en rception).

Figure 35. Exemple d'un systme lectronique: chane d'mission RF
Les modles gnriques quant eux peuvent rpondre, de part leur constitution, tous
les types de sollicitation de la part de lutilisateur et du simulateur de circuit. Ils peuvent
prdire des comportements aussi divers que complexes sans tre pour autant spcifis pour
une utilisation particulire. Leur utilisation principale est la conception de circuits tels que les
amplificateurs, les oscillateurs et autres mlangeurs.
Parmi ces circuits les amplificateurs de puissance demeurent parmi les plus difficiles
matriser et ncessitent de disposer, ds la phase de conception, de modles avancs. Cest
pourquoi le travail ralis dans cette thse est entirement dvolu la modlisation des
transistors pour ces circuits.
Les objectifs de prcision et de convergence sont difficiles concilier et de nombreux
modles ont t tudis pour prvoir le fonctionnement non-linaire du transistor [45]. Dans
un premier temps, ce chapitre passe en revue les diffrents types de modlisations gnriques
puis dans un second temps nous allons nous intresser la modlisation dite classique
dun transistor PHEMT de puissance, c'est--dire sans prendre en compte les effets parasites
(thermiques, piges). Lide tant de cibler les lments, linaires ou non linaires, les plus
sensibles du modle. Enfin, une validation du modle sera effectue partir de mesures de
puissance dun transistor seul et dun amplificateur trois tages conu par UMS.
II. Les diffrents types de
modlisations gnriques [46][47]
Afin de placer le travail de modlisation qui a t effectu dans son contexte, cette
partie propose de faire un tour dhorizon des diffrents types de modlisations non linaire
des transistors effet de champs en gnrale. Quatre types de modlisations gnriques
peuvent tre distingus :
Les modles physiques analytiques,
Les modles physiques numriques,
Les modles phnomnologiques,
Les modles tabulaires.
A. Les modles physiques analytiques
Ces modles sont bass sur des expressions analytiques et ncessitent la connaissance
des paramtres technologiques et gomtriques du composant. Dans ce type de modle
physique, la premire tche est de poser les hypothses ncessaires la rsolution du systme
dquations physiques qui dcrivent le comportement du composant : quation de continuit
du courant, quation dcrivant le transport des lectrons dans le canal, etc. La rsolution
complte des quations est mene de manire analytique. La plupart de ces modles sont
bass sur une analyse quasi unidimensionnelle inspire de celle de Shockley [48], deux
rgions (avant et aprs le pincement du canal). Lun des modles les plus cits est celui de
Pucel & al [49], utilis pour des simulations en rgime petit signal et pour tudier le
comportement du TEC en bruit.
Pour des structures simples de transistors, ces modles physiques prsentent lavantage
dtre relativement simples. Les calculs deviennent rapidement plus complexes lorsquil
sagit de modliser des composants avec des matriaux implants (implantation de Bore pour
les PHEMT) o lhypothse de dopage uniforme ne peut tre applique. De plus, aucun des
modles ne prend en considration les phnomnes de dynamique lectronique non
stationnaire c'est--dire lorsque l'on admet que les variations de l'nergie ne peuvent pas
suivre instantanment les variations du champ lectrique.
B. Les modles physiques numriques
Le systme des quations fondamentales du transport des charges dans les semi-
conducteurs est rsolu numriquement, en choisissant des conditions aux limites appropries.
Les variantes de ces modles sont nombreuses suivant la mthode numrique utilise et les
approximations effectues. Deux types de modlisations peuvent cependant tre distingus :
- Les modles macroscopiques, qui rsolvent numriquement (et non par des expressions
analytiques, comme au paragraphe prcdent) les quations de transport dans les
semiconducteurs couples lquation de Poisson,
- Les modles microscopiques ou particulaires, qui consistent suivre lvolution de
chaque lectron dans lespace et dans le temps.
La modlisation numrique de la dynamique des porteurs libres dans les composants
semi-conducteurs repose sur la rsolution de l'quation de transport de Boltzmann [50] :
( ) ( )
c
r k
t
f
f grad v f grad
E q
t
f
|
\
|
= + +
. .
.
(II-1)
Cette quation rgit l'volution de la fonction de distribution f, qui est la probabilit de
prsence d'une particule au point ( ) k , r

de l'espace des phases l'instant t. Le second terme

rend compte de la force de Coulomb dans un champ E
. Le troisime terme reprsente les

forces de diffusion rsultant des gradients de concentration. Le second membre rend compte
des collisions avec le rseau cristallin. Lquation de Boltzmann est valable tant que
ninterviennent pas les effets quantiques, cest--dire pour des composants ayant des zones
actives suffisamment paisses.
1. Les modles macroscopiques
Les modlisations en deux dimension de Kennedy et OBrien [51] ont permis de mettre
en vidence le mcanisme daccumulation-dpltion dans le canal du cot drain. Leurs
travaux montrent que la saturation du courant drain est principalement due la saturation de
la vitesse des porteurs dans le GaAs, et non pas, comme on le supposait auparavant [48],
cause par le pincement partiel du canal produit par une augmentation de la tension drain-
source V
ds
.
A lheure actuelle, les modles macroscopiques visent plus tudier le comportement
du composant qu simuler des circuits intgrs hyperfrquences ou qu optimiser ses
paramtres gomtriques et technologiques.
Les simulations partir de modles macroscopiques sont fondes sur lintgration de
lquation de Boltzmann dans lespace des k
et sur lapproximation du temps de relaxation

pour rendre compte phnomnologiquement des termes de collision. Aprs intgration et
simplification, on aboutit un jeu de trois quations macroscopiques traduisant la
conservation des porteurs, de lnergie moyenne et du moment des porteurs. Coupl
lquation de Poisson, plusieurs modles sont possibles :
- Un modle drive-diffusion o seul est prise en compte la conservation des porteurs. Il
permet de dcrire des structures simple une dimension ce qui permet une bonne
approximation du fonctionnement dun transistor bipolaire. Mais ce modle est insuffisant
dans le cas de composants o interviennent des effets non stationnaires.
- Un modle Energie qui est un modle drive-diffusion avec en plus la prise en compte des
quations de conservation de lnergie moyenne des porteurs. Celui-ci rend donc compte des
effets non stationnaires, tels que la survitesse, dus la relaxation de lnergie moyenne des
porteurs. Il ne tient nanmoins pas compte de la relaxation du moment.
- Un modle hydrodynamique ou modle Energie-Moment qui correspond un modle
Energie amlior puisquil prend en compte la conservation de la quantit de mouvement
(moment). Dans le cas d'un champ lectrique fort et d'une forte densit des impurets, les
deux modles prcdents restent insuffisants. Le modle acceptable dans ce cas est le modle
hydrodynamique
Si les mthodes macroscopiques sont moins rigoureuses, les temps de calcul sont
galement moins importants.
2. Les modles microscopiques ou
particulaires
Il sagit de rsoudre lquation de transport de Boltzmann. Cette quation ne peut tre
rsolue directement, les simulations de type Mont-Carlo sont utilises. Elles offrent la
possibilit de dcrire le dplacement des lectrons soumis un champ lectrique. Ces
simulations donnent les probabilits pour quun lectron rentre en collision ou en interaction
avec dautres particules (impurets, phonons acoustiques ou optiques, etc.). Ces phnomnes
sont quantifis en fonction de lnergie dun lectron et sont intgrs au simulation de type
Mont-Carlo. On connat alors la vitesse, lnergie et donc la position aprs un instant donn
de llectron. Un grand nombre de tirages permet ainsi dobtenir de faon statistique les
densits de porteurs dans une structure sous contrainte de champs lectriques.
Les modlisations microscopiques ncessitent des ressources informatiques (place
mmoire, temps de calcul) considrables et incompatibles avec une utilisation exhaustive d'un
modle. Nanmoins elles permettent d'avoir une description rigoureuse des phnomnes
physiques la condition de connatre parfaitement les caractristiques des matriaux de mme
que leurs imperfections.
C. Les modles phnomnologiques
Cette catgorie regroupe les modles qui utilisent un circuit lectrique quivalent qui
comportera des lments linaires et non linaires. Ces lments non-linaires sont dcrits par
des expressions mathmatiques les plus simples possibles pour ne pas altrer la convergence
et le temps de calculs des simulateurs. Les expressions mathmatiques sont reprsentatives du
fonctionnement global, elles peuvent avoir une signification physique ou pas, on emploi alors
le terme dexpression ou de modle empirique. Ce type de modle prsuppose de raliser des
composants avant de les modliser car les paramtres des expressions sont dtermins partir
de mesures lectriques de ces mmes composants.

Comme le montre la Figure 36, lanalyse en coupe de la structure du transistor effet
de champ (ou dun PHEMT) permet de faire apparatre les lments localiss dun schma
quivalent lectrique simple en petit signal :


Figure 36. Origine physique du schma quivalent dun transistor effet de champ
Le fonctionnement du transistor en rgime grand signal, c'est--dire avec lapplication
son entre dune puissance consquente, ncessite lintroduction dans son schma quivalent
dlments non linaires, comme la source de courant I
ds
ou les capacits C
gs
et C
gd
, qui
dpendent des tensions drain-source et grille-source. La Figure 37 montre le schma classique
non linaire dun transistor effet de champ.

Figure 37. Schma quivalent non linaire classique dun TEC
1. La source de courant I
ds

La source de courant I
ds
est llment non linaire pour lequel le nombre dexpressions
analytiques proposes est le plus important. En 1968, Shichman et Hodges [52] proposent
lun des premiers modles de source de courant pour les transistors effet de champ :
( ) 0 , =
ds gs ds
V V I Pour V
gs
<V
T
, au pincement
( ) ( ) ( )
ds T gs ds gs ds
V V V V V I + = 1 ,
2
Pour la zone sature
( ) ( ) [ ] ( )
ds ds T gs ds ds gs ds
V V V V V V V I + = 1 2 , Pour la zone ohmique

En 1978, Taki [53] propose le premier la description de la totalit de la caractristique
par une seule quation en utilisant une fonction tangente hyperbolique :
( )
( )

|
|
\
|
=
gs P
ds
P
gs
DSS ds gs ds
V V
V
V
V
I V V I tanh 1 ,
2
(II-2)

Curtice [54] sinspire des quations prcdentes pour dvelopper son modle :
( ) ( ) ( ) ( )
ds ds T gs ds gs ds
V V V V V V I + = tanh 1 ,
2
(II-3)
Ce modle est utilis pour modliser les transistors MESFETs, mais aussi les HEMTs
[55]

Materka et Kacprzak modifient la formule de Taki pour tenir compte de la variation de
la tension de pincement V
P
avec la tension de polarisation V
ds
[56][57] :
( )
( )
|
|
\
|

|
|
\
|
=
gs P
ds
2
P
gs
DSS ds gs ds
V V
V
tanh
V
V
1 I V , V I (II-4)
avec
ds P P
V V V + =
0

En 1981, Tajima et al introduisent une expression assez complexe avec 8 paramtres
quils appliqueront un oscillateur contre-raction grille-drain simuls la frquence
fondamentale [58]. Puis en 1984, les mmes auteurs modifient lexpression du courant I
ds

pour lappliquer la simulation dun amplificateur de puissance large bande [59] :
( )
ds 0 D D G DSS ds gs ds
V G F F I V , V I + = (II-5)
avec
( ) ( )
( ) ( )
( )
m
m exp 1
1 k
V p V V
V
V w
1 V
Vds
V
V
V
1 V
V b V a V exp 1 F
m
V m exp 1
V
k
1
F
ds 0 P P
P
gs
dsp
dsn
P
gs
gsn
3
dsn
2
dsn dsn D
gsn
gsn G

=
+ =
|
|
\
|
|
|
\
|
+
=
+ =
+ + =

=

En 1985, Curtice et Ettenberg publient une autre expression empirique, cette fois ci les
auteurs prfrent mettre la source de courant sous la forme dune fonction polynomiale [60] et
lappellent modle Curtice cubique :
( ) ( ) ( ) ( ) t V tanh V A V A V A A V , V I
ds
3
1 3
2
1 2 1 1 0 ds gs ds
+ + + = (II-6)
avec ( ) ( ) ( ) [ ] t V V 1 t V V
ds 0 ds gs 1
+ =
On peut encore citer les travaux de Statz et al en 1987 [61] qui introduisent une
quation en deux parties :
( )
( )
( )
( )
ds
ds
T gs
T gs
ds gs ds
V
V
V V b
V V
V V I +
\
|

+

=
1
3
1 1
1
,
3 2
(II-7)
pour
3
0 < <
ds
V
et ( )
( )
( )
( )
ds
T gs
T gs
ds gs ds
V
V V b
V V
V V I +
+

=
1
1
,
2
(II-8)
pour
ds
V
La premire quation contient en fait une approximation dune fonction tangente
hyperbolique par un polynme, elle est en fait une variante de lexpression propose par
Curtice. La tangente hyperbolique serait plus lente en termes de temps de calcul. On peut dire
que de nos jours les ordinateurs rduisent trs fortement cette diffrence.
En 1990, S. Maas [62] montre que modliser uniquement la source de courant ne suffit
pas et quil faut sintresser galement aux drives pour prdire les phnomnes de
distorsions dintermodulations :
( )
( )
gs
ds gs ds
ds gs
V
V , V I
V , V gm
= et ( )
( )
ds
ds gs ds
ds gs
V
V , V I
V , V gd
= (II-9)
J.P. Teyssier et J.P. Viaud modifient en 1994 le modle de la source de courant de
Tajima pour ladapter aux caractristiques I(V) des transistors htrojonction [63]. Pour ce
faire, les auteurs introduisent des paramtres supplmentaires pour modliser la dcroissance
du Gm pour les valeurs positives de V
gs
. De plus, ils proposent une topologie de modle
prenant en compte les phnomnes davalanche.
I. Angelov et al. proposent en 1992 un nouveau modle empirique qui rejoint la
rflexion prcdente de Maas. Il se sert des modles de Curtice et de Statz mais introduit un
polynme dordre n tel que lextraction des paramtres du courant et de la transconductance,
qui est la drive du courant par rapport V
gs
, soit obtenu partir des caractristiques DC
mesures [64] :
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
ds ds
2
pk ds gs ds
V tanh V 1 tanh 1 I V , V I + + = (II-10)

avec ( ) ( ) ( ) ... V V P V V P V V P
3
pk gs 3
2
pk gs 2 pk gs 1
+ + + = et
ds 0 pk pk
V V V + =
Lauteur montre dans son article que pour le MESFET et le HEMT tudis, seul
1
P et
3
P sont non nuls. Ce modle est appel Chalmers Model car les auteurs appartiennent au
dpartement de physique applique de lUniversit de technologie de Chalmers Gteborg
(Sude). En 1996, Angelov amliore le modle Chalmers pour prendre en compte les effets
dispersifs [65], puis en 2005, il ladapte pour les composants grand gap : le HEMT
AlGaN/GaN et le MESFET SiC [66].
Au dbut des annes 90, David E. Root [67] propose un modle avec une configuration
qui ne permet pas daccder aux lments internes. Il est le plus souvent constitu dquations
empiriques qui dterminent pour des tensions dalimentation donnes les valeurs de charges et
de courants chaque accs du modle.
Une approche de modlisation par tables dinterpolation, utilisant le mode de
caractrisation pulse, est applique sur un transistor de type LDMOS par J.M. Collantes et
J.J. Raoux en 1998. La modlisation des mesures pour toutes les rgions de fonctionnement
du transistor est donc possible par le rgime puls, en plus cette modlisation est quasi
immdiate grace au systme tabulaire. Ce modle tabulaire est facilement implantable dans
les simulateurs de circuit et supprime la phase longue et dlicate d'optimisation mais ne
permet pas un paramtrage facile du modle en fonction de la taille du composant actif.
2. Les capacits non linaires C
gs
et C
gd

Les expressions proposes dans la littrature pour modliser les capacits non linaires
C
gs
et C
gd
sont beaucoup moins nombreuses que pour le courant I
ds
. On utilise pour les
transistors plutt simples, lexpression de la capacit dune jonction Schottky :
( )
2
1
gs
0 gs
gs gs
V
1
C
V C
|
|
\
|
(II-11)
pour <
gs
V
Citons tout de mme le travail de Takada et al [69] :
a gs
V V < aprs le pincement :
( )
( )
( )
2
1
gs 0 T
0 T bi
gs gs
V V
V V
arctan . FC V C
= (II-12)
b gs a
V V V < < rgion de transition :
( )
|
|
\
|
|
|
\
|
+
+
+
|
|
\
|
=
2
1
2 tr
0 T bi
2
1
bi
b
0 gs
2 tr 1 tr
a gs
2
1
2 tr
0 T bi
gs gs
V
V V
arctan . FC
V
V
1
C
2
. FC
.
V V
V V
V
V V
arctan . FC V C

(II-13)
b gs
V V > rgion avant pincement :
( )
2
. FC
V
V
1
C
V C
2
1
bi
gs
0 gs
gs gs
+
|
|
\
|
= (II-14)
avec
0 T
V = tension de seuil,
bi
V = tension de barrire,
2 tr 0 T a
V V V = ,
1 tr 0 T b
V V V = et
grille
W FC = .
Une expression quivalente est donne pour la capacit C
gd
, il suffit de remplacer V
gs

par V
gd
et C
gs0
par C
gd0
.
Un autre modle physique analytique a t propos par Chen et Shur [70].
Le modle de Statz et al [61] permet dinverser les rles du drain et de la source, et donc
les tensions V
gs
et V
gd
. Pour rgler le problme de singularit qui se pose quand la zone
dserte tend vers 0 et de la capacit C
gs
qui tend vers une capacit rsiduelle au pincement,
les auteurs ont particulirement bien tudi limplantation numrique des expressions
mathmatiques dans le simulateur. Les relations tablies sont les suivantes :

( )
2
V V V V
V
2 2
T eff T eff
new
|
\
|
+ + +
=
(II-15)

( )
2
V V V V
V
2 2
gd gs gd gs
eff
|
\
|
+ + +
=
(II-16)
( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( )
+
|
|
\
|

=
2
1
2 2
gd gs
gd gs 0 gd
2
1
2 2
gd gs
gd gs
2
1
2 2
T eff
T eff
2
1
B
new
0 gs
gd gs gs
V V
V V
1
2
C
V V
V V
1
V V
V V
1
V
V
1 4
C
V , V C

(II-17)
avec
B
V = tension de barrire.
Hwang propose des expressions plus simples [71][72] :
[71] ( )
sp
2
1
bi
gs
0 gs
gs gs
C
V
V
1
C
V C +
|
|
\
|
= (II-18)
et ( )
dp
sat
ds
2
1
bi
gs
0 gd
gd gd
C
V
V
1
V
V
1
C
V C +
|
|
\
|

|
|
\
|
= si
sat ds
V V < sinon ( )
dp gd gd
C V C = (II-19)
[72] ( ) ( ) d V b
V
V
C
V V C
ds
r
b
gs
ds gs gs
+ +
|
|
\
|
= 1
1
,
0
(II-20)
Brazil et al [73] ont modifi lquation de la jonction Schottky afin dviter les
discontinuits et ils mettent les lments sous forme de charges dans leur modle pour les
implanter plus facilement dans les simulateurs.
D. Les modles par tables
On peut le dsigner comme le plus simple et le plus rapide mettre au point puisquil ne
ncessite pas dtapes doptimisations. Les valeurs des mesures des composants intrinsques
sont directement stockes dans des tables paramtres suivant plusieurs entres (V
gs
, V
ds
,
temprature ).

Figure 38. Schma quivalent du modle de Root
Pour trouver la valeur du courant pour le point de polarisation V
gs
=-0.1V et V
ds
=3.7V
partir de la table ci-dessus, les valeurs dans la zone grise du tableau sont exploites par des
outils mathmatiques dinterpolations sous forme de routine informatique. Ces outils sont
nombreux, on citera la famille des Splines [74] ou les polynmes par morceaux (par exemple
RungeKutta).
E. Choix du modle
Les modles analytiques ne suffisent pas pour dcrire les phnomnes au sein de
structures complexes comme les PHEMTs et les modles numriques reprsentent de faon
prcise le comportement physique interne du composant, par contre ils exigent des temps de
calcul trs importants et des ressources informatiques consquentes pour ltude du rgime
grand signal.
Le modle de Root est trs facile extraire et utiliser, mais son principal inconvnient
souvent cit est quil ne peut tre extrait qu une seule frquence voire un seul point de
polarisation. Ce nest pas le cas du modle par table de Collantes-Raoux qui utilise la
caractrisation pulse pour dfinir avec prcision chaque partie du rseau I(V). De cette
manire, le modle peut inclure les zones davalanche et la zone o la puissance dissipe est
leve ; une simulation en puissance sera donc possible.
Les modles par tables constituent un bon compromis calcul-prcision-facilit de mis en
uvre, mais il faut raliser un modle par transistor et de plus le modle est valide
uniquement dans la zone mesure car lextrapolation du modle peut-tre inexacte.
Les transistors mis en avant dans cette tude sont destins des applications de
puissance. A UMS, les composants sont dabord modliss puis leur modle est implant dans
le logiciel de simulation ADS dAgilent. Les concepteurs utilisent ces modles dans leurs
topologies damplificateurs mais ils sont amens quelque fois modifier le modle pour se
retrouver dans la configuration technologique adquate. Cest pourquoi le type de
modlisation retenu est le modle phnomnologique. Ces modles ncessitent des
caractrisations spcifiques de composants dj existants. Ces mthodes de caractrisations
seront expliques plus loin dans ce chapitre.
III. Principe de la caractrisation en
impulsions
A. Introduction
La proprit fondamentale du transistor PHEMT est le contrle du courant de sortie
l'aide de la tension dentre ; la conception d'un circuit fonctionnant en rgime non linaire ne
peut donc se faire sans une modlisation prcise des caractristiques courant-tension, ou I(V),
du transistor. Cette caractrisation doit se faire sur tout le domaine de fonctionnement, il faut
donc bien connatre au pralable lapplication vise.
Les techniques classiques de mesure employes aussi bien pour les transistors bipolaires
que pour les transistors effet de champ sont bases sur l'application de tensions continues
aux accs des transistors et sur la mesure des courants continus rsultants. Sur des appareils
tels que les traceurs de caractristiques il est possible de raliser des balayages et d'appliquer
des impulsions de polarisations dont la dure est gnralement de l'ordre de la milliseconde.

Ces techniques ne permettent pas de s'affranchir des deux problmes poss par la
dtermination des caractristiques I(V) des transistors utiliss en microondes :
- le problme de l'auto-chauffement du transistor,
- le problme des piges dans les transistors effet de champ.
Afin de saffranchir de ces problmes, [80], [81] et [82] ont prsent des ralisations de
bancs de mesures plus complexes et automatiss assurant des mesures non linaires
convectives (I=f(V)) en pilotant par impulsions simultanment la grille et le drain des
transistors effet de champ. Depuis, de nombreuses publications ddies la caractrisation
et/ou modlisation des transistors microondes font tat de mesures en impulsions.
B. La caractrisation convective
Le banc de mesure par impulsions repose sur le principe de lapplication de brves
impulsions rectangulaires (typiquement 300 ns) autour dun point de polarisation DC. Durant
ces brves impulsions, un oscilloscope numrique de prcision mtrologique mesure les
grandeurs lectriques tensions et courants aux deux accs du transistor. Les impulsions
doivent balayer tout le domaine des tensions acceptables par le transistor en cours de
caractrisation, et donc dcrire point par point un rseau de caractristiques (Figure 39).

Figure 39. Principe des mesures en impulsion
Ce type de banc de mesure a vu le jour dans les annes 80, avec les travaux de Piaggi
[82] qui dcrivaient les caractristiques non linaires du courant de drain en appliquant dans
un premier temps des impulsions sur la commande de grille. Par la suite, nombreux sont les
chercheurs qui ont peaufin cette technique en dcrivant des bancs de mesures en impulsions
plus complexes et automatiss permettant lacquisition des caractristiques convectives des
transistors [83][84][85][86].
Lintrt fondamental est que ce rseau de caractristiques est dcrit une temprature
qui est quasiment celle correspondant lchauffement du point DC additionn la
temprature dambiance. Ceci est cohrent avec une utilisation RF du transistor, car, durant
son cycle RF, celui-ci ne change pas de temprature, sa temprature est fonction du bilan de
lintgrale des puissances lectriques de polarisation et RF.
Les impulsions doivent satisfaire plusieurs critres :
- Leur dure doit tre infrieure la constante de temps thermique du transistor afin de
maintenir une temprature constante du composant pendant que limpulsion est applique.
- La dure doit tre suffisamment importante pour atteindre le rgime tabli et assurer une
mesure prcise des tensions et courants.
- Le rapport cyclique des impulsions
T
doit tre assez faible pour permettre dimposer

ltat thermique.

Figure 40. Principe de mesure des caractristiques I(V) isothermes
Les caractristiques non linaires convectives sont ensuite directement utilisables pour
constituer un modle non linaire pour la CAO RF ; en effet, les paramtres qui constituent
les expressions des gnrateurs de courant seront optimiss pour que mesure et simulation se
superposent.
C. La caractrisation hyperfrquence :
On superpose, aux impulsions dcrites prcdemment, un petit signal RF, dont la
frquence varie de 0.5 40 GHz et qui peut tre inject sur lentre ou la sortie du composant.
Ceci donne accs des paramtres [S] reprsentatifs du transistor. Ces paramtres [S] sont
disponibles pour chaque point dimpulsion et donc pour la temprature du point de
polarisation instantane.

Figure 41. Principe de mesure des paramtres [S]
En utilisant la technique dextraction des lments intrinsques du schma petit signal,
on pourra dterminer les lments du schma qui dpendent des tensions V
ds
et V
gs
, et ainsi
les modliser.
D. Mesures thermiques
Comme nous venons de le voir, les mesures en impulsions permettent de saffranchir
des problmes de chauffe du transistor. Ainsi, en premire approximation, la temprature de
jonction (
j
T ) du transistor est fonction de sa puissance dissipe moyenne (
diss
P ) et de la
temprature ambiante (
a
T ).

diss th a j
P R T T + = (II-21)
th
R tant la rsistance thermique du transistor et de son support de test.
Le banc en impulsion se sert de cette double dpendance pour proposer deux
configurations de mesures afin de contrler la temprature de jonction du transistor. La
premire solution, classique, consiste jouer sur la puissance dissipe via le point de
polarisation, en maintenant la temprature ambiante celle de la pice. La deuxime solution
contrle simultanment la puissance dissipe du transistor et la temprature ambiante par le
biais dun plateau ( chuck ) rgul en temprature (-60 +200C typiquement). Ce
deuxime cas de figure offre des possibilits de mesure trs intressantes. Par exemple, si le
transistor est polaris froid, soit 0 P
diss
= , et si on a attendu assez longtemps pour que sa
temprature de jonction atteigne celle du chuck , les mesures effectues avec de brves
impulsions (donc quasi sans chauffement) permettent de caractriser le transistor pour une
temprature de jonction gale celle du plateau (allant de -65 C +200 C).
Cette manipulation nous permet donc dajouter une troisime dimension notre
modle : la Temprature T.
IV. Description du modle non linaire
du PHEMT AsGa
Dans cette partie, nous allons dcrire la dmarche pour tablir un modle non linaire
dun PHEMT AsGa de longueur de grille 0.25m. La modlisation hyperfrquence non
linaire grand signal commence par la dtermination dun schma quivalent petit signal
constitu dlments localiss (rsistances, capacits, etc.).
A. Dtermination du schma lectrique
quivalent petit signal
Lanalyse de la structure dun transistor effet de champ classique fait apparatre un
schma quivalent petit signal lments localiss comme sur la Figure 36, pour les
PHEMTs le schma est le mme. Le modle petit signal correspond au fonctionnement du
transistor dans la zone sature.

Figure 42. Schma quivalent petit signal du PHEMT
Ce schma est communment utilis dans les simulateurs microondes, il est compos de
deux parties distinctes : une partie intrinsque et une partie extrinsque. La partie extrinsque
correspond aux lments parasites aux accs du PHEMT et ils sont considrs indpendants
du point de polarisation, par contre les lments intrinsques dpendent de la polarisation du
transistor. Cette hypothse est la base de la procdure dextraction.
1. Les lments intrinsques
- La transconductance Gm et la conductance Gd traduisent leffet fondamental du transistor
en petit signal :

cte Vds
gs
d
V
I
Gm
=
= et
cte Vgs
ds
d
V
I
Gd
=
= (II-22)
Gm correspond au mcanisme de contrle du courant dans le canal par la tension de
grille, on associe cette transconductance un retard . La conductance Gd, reprsente par la
rsistance R
ds
dans le schma, traduit les effets dinjection des lectrons dans le canal sous
influence dune tension V
gs
constante.
- La rsistance R
i
reprsente la rsistance du canal cot grille.
- La capacit C
ds
reprsente la part de la capacit drain source interne au composant.
- Les variations de charges accumules sous la grille sous leffet des tensions V
gs
et V
gd

sont reprsentes respectivement par C
gs
et C
gd
.

cte Vgd
gs
g
gs
V
Q
C
=
= et
cte Vgs
gd
g
gd
V
Q
C
=
= (II-23)
2. Les lments extrinsques
La partie extrinsque est constitue des lments parasites suivants :
- L
g
et C
gm
reprsentent les lments quivalents la mtallisation de la grille.
- R
g
est la rsistance de mtallisation de la grille qui constitue le contact Schottky.
- L
d
et C
dm
reprsentent les lments localiss quivalents la mtallisation du drain du
transistor.
- L
s
et C
sm
reprsentent respectivement linductance et la capacit associes aux trous (via
holes) de sources.
- R
d
et R
s
reprsentent les rsistances parasites dues aux contacts ohmiques et aux zones
conductrices inactives du canal entre les mtallisations drain et source, et la limite de la zone
dserte.
Remarque : ces lments sont dit parasites car ils interviennent plus ou moins sur leffet
transistor alors quils se situent hors de la zone o est localis le phnomne.
B. Dtermination des lments parasites
extrinsques du modle
Les lments parasites sont extraits partir de la mthode du transistor froid [75],
except les rsistances R
s
, R
d
et R
g
qui sont dduits des mesures statiques sous diffrentes
conditions de polarisation.
1. Mthode dextraction
Pour extraire les lments extrinsques, on se place dans un premier temps dans la
configuration suivante :
- Le transistor en montage source commune.
- V
gs
au dessous de la tension de pincement c'est--dire V
gs
-1.5V dans notre cas et V
ds

gale 0 do le nom de transistor froid .
- A basse frquence (2-12 GHz) pour laquelle on peut ngliger limpdance des inductances
daccs.
- On considre V
ds
=0 que la rpartition des charges sous la grille est uniforme donc
C
gs
=C
gd
=C
b
.
- Le schma quivalent est alors le suivant :

Figure 43. Modle source commune en rgime pinc et en basse frquence

On transforme la matrice [S], mesure V
gs
= -1.5V et V
ds
= 0V, en matrice de
paramtres [Y] pour les frquences les plus basses (2-12 GHz). La matrice [Y] calcule
partir du schma de la Figure 43 donne les relations suivantes :
[ ]
[ ] ( )
[ ] [ ]
= +
+ =
=
gm
b gm
b
C Y Y
C C Y
C Y
12 11
11
12
Im 2 Im
2 Im
Im

[ ] ( )
[ ] [ ] ( )
ds dm
ds b dm
C C Y Y
C C C Y
+ = +
+ + =
12 22
22
Im Im
Im

Dans les deux dernires quations on saperoit quon ne peut distinguer C
dm
de C
ds
. De
plus, C
sm
napparat pas dans le schma quivalent.
Cest pour ces raisons que dans un second temps on utilise le transistor en montage srie
c'est--dire avec la grille la masse. Le schma quivalent, basse frquence V
ds
=0 lorsque le
transistor est pinc, devient (Figure 44.a) :

Figure 44. a) Modle en T en grille commune basse frquence et b) Modle en quivalent
En transformant le modle en T de la Figure 44.a en un modle en (Figure 44.b), on
trouve les relations suivantes :
gm b
2
b
ds
C C 2
C
C C
+
= ;
gm b
gm b
out dm
C C 2
C C
C C
+
= ;
gm b
gm b
in sm
C C 2
C C
C C
+
=
C
ds
, C
sm
et C
dm
sont extraits de loptimisation des paramtres C, C
in
et C
out
pour coller
aux parties imaginaires des paramtres [Y] mesurs.
Pour dterminer les inductances daccs L
s
, L
g
et L
d
[75], il faut garder la configuration
de transistor froid c'est--dire V
ds
nul mais avec la grille en directe ( V
gs
positif tel que la
conduction de la jonction Schottky se dclenche). Dans ce cas les lments srie parasites
inductance deviennent prdominants. Ainsi la matrice impdance globale [Z] du transistor
scrit :
( )
( )
d s c s d 22
s
c
s 12 21
g s
g
c
g s 11
L L j R R R Z
L j
2
R
R Z Z
L L j
I q
T k n
3
R
R R Z
+ + + + =
+ + = =
+ +

+ + + =

c
R est la rsistance du canal et
g
I q
T k n

est la rsistance diffrentielle de diode
Schottky.
Nous pouvons alors extraire L
s
de Im(Z
12
), L
g
de Im(Z
11
) et L
d
de Im(Z
22
).
Les rsistances parasites sont quant elle issues de mesures statiques de motifs de test.
2. Analyse de sensibilit
Lanalyse de la sensibilit des lments extrinsques se fait avec le logiciel ADS
dAgilent de la manire suivante : 10 GHz, on relve lcart en pourcent sur S
11
, S
21
et S
22

(en module et en phase) lorsquon augmente successivement chaque lment de 1% de sa
valeur dorigine.
La mthode est utilise pour tous les lments parasites. On obtient les rsultats
suivants :

11
10 GHz

21
10 GHz
On peut remarquer Figure 46 que C
dm
et R
g
vont beaucoup jouer sur le paramtre S
21
.

Figure 47. Sensibilit des lments extrinsques sur le module du paramtre S
22
10 GHz

Figure 48. Sensibilit des lments extrinsques sur la phase du paramtre S
22
10 GHz
Cette analyse nous permet de mettre en vidence le rle jou par chaque lment et ainsi
cibler loptimisation sur les lments sensibles.
C. Extraction des lments intrinsques
1. Mthode dextraction
Nous pouvons dduire, par de simples transformations matricielles, les lments
intrinsques du schma quivalent ; pour cela il faut connatre les lments extrinsques du
schma (cf. paragraphe prcdent) et mesurer les paramtres [S] du transistor dans les zones
de fonctionnement normales.

On saffranchi des lments extrinsques de la manire suivante :

22 21
12 11
S S
S S

(1
re
tape)

Transformation de cette matrice [S] en
matrice [Z]

[ ]

=
d 22 21
12 g 11
L j Z Z
Z L j Z
Z

(2
me
tape)

Transformation de la matrice [Z] obtenue en
matrice [Y]

[ ]

=
dm 22 21
12 gm 11
C j Y Y
Y C j Y
Y

(3
me
tape)

Transformation de la matrice [Y] obtenue en
matrice [Z]

[ ]

=
s d 22 s 21
s 12 s g 11
Z R Z Z Z
Z Z Z R Z
Z
avec
2
sm s
s
s s
C L 1
L
j R Z
+ =
(4me tape)

Transformation de la matrice [Z] obtenue en
matrice [Y]
Aprs chaque opration, on transforme la matrice obtenue pour lopration suivante, on
remonte ainsi jusqu la matrice [Y] du modle intrinsque. Si on considre la rsistance R
gd

trs faible, la Figure 42 devient le schma quivalent suivant :

Figure 49. Schma quivalent intrinsque petit signal du PHEMT
La matrice [Y] nous permet donc de dduire les lments intrinsques par
lintermdiaire des relations ci-dessous :

( ) ( )
\
| +
+ =
2
12 11
gs
C
Y Re Y Re
1
C
C
(II-24)

( ) ( )
( )

|
|
\
|
+ =
2
12
12 12
gd
Y Im
Y Re
1
Y Im
C
(II-25)
( ) ( )
22 12
Y Re Y Re Gd + = (II-26)
( ) ( ) [ ]
2
gs i
2 2
C R 1 A B Gm + + = (II-27)
( ) ( ) ( )
22 12 ds
Y Im Y Im
1
C + =
(II-28)
( ) ( ) ( )
( ) ( )
( )
2
gs
2
12 11
12 11 i
C
1
C
Y Re Y Re
1 Y Re Y Re R
\
| +
+ + =
(II-29)

|
|
\
|

+
=
gs i
gs i
C R B A
C R A B
arctan
1
(II-30)

Avec ( ) ( )
12 21
Y Re Y Re A = ; ( ) ( )
12 21
Y Im Y Im B = et ( ) ( )
12 11
Y Im Y Im C + =
2. Analyse de sensibilit
De la mme manire que pour les lments extrinsques, On effectue une analyse de
sensibilit sur tous les lments du modle petit signal. La simulation est ralise 10 GHz.

11
10 GHz
On peut remarquer sur les Figure 50, Figure 51, Figure 52 et Figure 53, limportance
des capacits C
gs
et C
gd
sur les paramtres [S]. Ces lments sont trs sensibles bas niveau.
En fonctionnement grand signal, C
gs
et C
gd
sont considrs comme non linaires par rapport
aux tensions V
gs
et V
gd
, le comportement du transistor en puissance sera alors extrmement
sensible aux modles utiliss pour dcrire ces capacits.
La mme remarque peut tre faite pour le paramtre Gm, fort niveau, il sera modlis
au travers de la source de courant I
ds
.

21
10 GHz
La rsistance Ri en srie avec la capacit C
gs
entre les ports de grille et de source,
semble avoir peu dinfluence sur les paramtres [S] et donc sur le fonctionnement en rgime
petit signal.

Figure 52. Sensibilit des lments intrinsques sur le module du paramtre S
22
10 GHz

Figure 53. Sensibilit des lments intrinsques sur la phase du paramtre S
22
10 GHz
D. Exemple de modlisation petit signal
avec la filire PPH25X dUMS
Le transistor qui a servi de support pour cette modlisation appartient la filire de
puissance PPH25X (Figure 54) qui a pour particularit davoir une longueur de grille de 0.25
m et les via-holes (connexion la masse par un trou mtallis) sous les plots de source.

Figure 54. Photographie dun transistor de la filire PPH25X 8 doigts de grille

Le transistor de rfrence possde 12 doigts de grille, chacun dune largeur de 100 m,
soit un dveloppement total de 1200 m. Les mesures ont t directement ralises sur
plaque, le banc de mesures de paramtres [S] pulss de XLIM nous permet dextraire laide
de la mthode dcrite dans le Chapitre II :IV.B.1, les lments extrinsques :
R
g
() L
g
(pH) C
gm
(fF) R
d
() L
d
(pH) C
dm
(fF) R
s
() L
s
(pH) C
sm
(fF)
1.083 28.925 37.754 0.521 24.453 63.436 0.521 2.847 67.086
Tableau 8. Valeurs des lments extrinsques du transistor PPH25X-1200m
Puis par la mthode dextraction directe explique dans le Chapitre II :IV.C, en utilisant
les lments extrinsques du tableau ci-dessus, on optimise les lments localiss intrinsques
au point de polarisation V
ds
= 8V, V
gs
= -0.4V et I
ds
= 145mA.
C
gs
(pF) C
gd
(pF) Gm (S) Gd (S) C
ds
(pF) R
i
() T
au
(ps)
2548 103.3 0.446 0.01 205.2 0.338 3.71
Tableau 9. Valeurs des lments intrinsques du transistor PPH25X-1200m au point de polarisation
V
ds
= 8V, V
gs
= -0.4V et I
ds
= 145mA
Pour le mme point de polarisation, on peut considrer que les lments extrinsques
sont indpendants de la frquence, comme le prouve ci-dessous la comparaison mesures-
modle en fonction de la frquence.

ds
= 8V, V
gs
= -0.4V et
I
ds
re
partie)

ds
= 8V, V
gs
= -0.4V et
I
ds
me
partie)
Nous vrifions la Figure 58 lallure des paramtres [S] du transistor 12x100m pour
valider le modle petit signal au mme point de polarisation. La bande de frquence danalyse
est toujours de 2-40 GHz.

Figure 57. Comparaison mesures ( )-modle ( ) des paramtres [S] au point de polarisation
V
ds
= 8V, V
gs
= -0.4V et I
ds
re
partie)

Figure 58. Comparaison mesures ( )-modle ( ) des paramtres [S] au point de polarisation
V
ds
= 8V, V
gs
= -0.4V et I
ds
me
partie)
Sur le banc de Xlim, Les paramtres [S] sont mesurs en chaque point du rseau I(V)
puls, on peut alors extraire les lments pour tous les couples de tensions (V
gs
; V
ds
). Ainsi,
on cible les lments qui varient de faon significative en fonction des deux tensions de
polarisation. Figure 60, nous mettons en vidence la non linarit des lments C
gs
, C
gd
, Gd et
Gm pour 3 tensions de commandes V
gs
(-1.4V, -0.4V et 0.6V) pour une tension V
ds
variant
de 0 8.5V.

Figure 59. Variations des capacits C
gs
et C
gd
en fonction des tensions de polarisations instantanes

Figure 60. Variations de la transconductance Gm et de la conductance de sortie Gd en fonction des
tensions de polarisations instantanes
Remarque : les tensions V
ds
et V
gs
mentionnes ci-dessus sont des tensions de polarisations
instantanes parce que nous sommes dans une configuration de mesure pulse pour
saffranchir des effets lis lchauffement du transistor. Le point de repos des mesures se
trouve V
gs0
=-0.4V et V
ds0
=8V (voir Chapitre II :III.B).

La rsistance R
i
, la capacit C
ds
et le retard seront considrs comme constants dans la
suite de cette tude, mme si ces lments varient lgrement avec la polarisation (surtout
V
ds
faible), cette approximation simplifie le modle sans changement notable du
comportement de celui-ci fort niveau.
E. Modlisation non linaire des
caractristiques I(V)
La topologie du modle non linaire des caractristiques I(V) est prsente la Figure
61. Il est aussi appel modle convectif. Pour un point de polarisation de repos donn, ce
modle permet une description complte du comportement statique laide de lensemble des
lments suivants :
- R
g
, R
d
, R
s
: rsistances daccs,
- I
ds
: modle de la source de courant,
- Iav
dg
, Iav_ion
ds
et Iav_ion
dg
: gnrateurs davalanche,
- ID
gs
, ID
gd
: diodes dentre.

Figure 61. Modle non linaire des caractristiques I(V) du PHEMT
Leffet fondamental du transistor effet de champ est dcrit par une source de courant
non linaire commande par les tensions V
gs
et V
ds
. Il existe une grande varit de possibilit
pour modliser les PHEMTs, nous avons dcrit la plupart de ces modles dans le Chapitre II
:II. Nous avons choisi un modle phnomnologique dont la source de courant est inspire du
modle COBRA propos par Brazil et al [78][79].
1. La modlisation du courant de drain I
ds

La source de courant I
ds
est llment principal de la modlisation convective. Pour
reproduire au mieux le comportement non linaire de cette source, nous avons dcid
dutiliser un modle qui permet une reprsentation complte de toutes les zones de
fonctionnement. Le modle de Tajima tait le modle de base des transistors PHEMT UMS,
nanmoins, cette tude fut loccasion dutiliser dautres expressions notamment pour rendre
compte de limpact du modle de la source de courant sur une simulation en Harmonic
Balance. Lobjectif est donc de montrer si oui ou non le choix de lquation pour exprimer la
source de courant est prpondrant lors dune simulation grand signal (HB).
a. La source de courant I
ds
: source de courant
COBRA (modifi)
Lquation de la source de courant du modle COBRA [79], propos par T. J. Brazil, a
t modifie par I. Kallfass en 2004 pour correspondre aux transistors htrojonction [87].
Lexpression de base qui a servi pour modliser les transistors pseudomorphiques de
puissance PPH25X est la suivante :
( ) [ ]
( )
( )
ds to
2
1 t
2 2
1 t gs 1 t gs eff
2
eff
2
ds
eff ds
num
eff ds
V V 1 V
V V V V
2
1
V
V V 1
num
V 1 V tanh V I
+ =
+ + =
+ +
=
+ =

Les 10 paramtres sont optimiss pour faire correspondre le modle aux mesures sur
plaque ralises sur le Banc I(V) puls DIVA dAccent UMS et sur le Banc XLim. Le
rsultat est correct dans la zone de la caractristique o le transistor est ouvert, toutefois il
nous a paru judicieux de modifier le terme num pour corriger la zone o le transistor est
pinc et de rajouter le terme corzlin en facteur dans lexpression I
ds
pour corriger la zone
linaire tel que :
2
eff
2
ds gs
V V V 1
num
+ +
=

et
( ) [ ]
( ) [ ] { }
v c b ) v ( V
) V ( V V a tanh 1
2
1
corzlin
V 1 V tanh V corzlin I
cor
gs cor ds
eff ds
num
eff ds
+ =
+ =
+ =


Figure 62. Rsultats des modifications sur le modle par rapport aux mesures
b. Rle des paramtres de la source de courant de
type COBRA
La description et la signification physique des paramtres du modle COBRA sont
donnes par [87] et listes dans le Tableau 10 suivant :
Paramtres Units Description
V
-1

Dans la zone rsistive (ou linaire), Le composant se comporte comme une
rsistance contrle par la grille, ajuste la pente de la caractristique dans
cette zone
S
Dtermine la transconductance maximale

Sans unit Dtermine la conductance de sortie
V
Rgle la tension de pincement

V
-1
Introduit une dpendance en V
ds
dans
V
-1

Depart de la compression du gm

Sans unit Pente de la compression de gm

V
-2

Courant dionisation par impact, remarque : le courant modlis par est
insuffisant pour nos transistors, on rajoute I
ds
un courant dionisation
to
V V Tension grille source o la transconductance est maximale
Sans unit Introduit une dpendance en V
ds
dans V
to

Tableau 10. Paramtres de lquation et leur rle dans le modle Cobra
2. Les diodes dentres ID
GS
et ID
GD

Les diodes dentres reprsentent des gnrateurs de courant non linaires permettant de
modliser le courant positif de grille mesur pour les fortes valeurs positives des tensions V
gs

et V
gd
. Les expressions utilises pour modliser ce courant sont les suivantes :
( )
gs gs gs
V alpha exp Isgs ID = (II-31)
( )
gd gd gd
V alpha exp Isgd ID = (II-32)
3. La modlisation des phnomnes
davalanche
La modlisation du courant d'avalanche est trs importante puisquelle permet de limiter
l'excursion de la tension V
ds
. Contrairement une caractrisation classique souvent
destructrice, la technique de mesures en impulsion permet de caractriser les courants
d'avalanche sans dtrioration du composant. Par consquent, une tude approfondie du
phnomne a t ralise sur plusieurs transistors PHEMT qui a aboutit au dveloppement
dun modle non linaire I(V) prenant en compte les diffrents phnomnes davalanche.
a. Avalanche standard : drain - grille
Lorsque le transistor est pinc et quil est soumis un champ lectrique de drain
important, apparat alors un courant, circulant du drain vers la grille, qui augmente
exponentiellement avec le champ lectrique. Dans ce cas, la totalit du courant ngatif mesur
sur la grille se retrouve en positif sur le drain et aucun courant ne circule du drain vers la
source. Ce premier phnomne d'avalanche est modlis par le gnrateur de courant Iav
dg

situ entre le drain et la grille. Nous avons mis au point lquation II-33 suivante, elle
lavantage dtre plutt simple et elle permet de dcrire correctement ce phnomne.
( ) ( )
ds avdg gs dg
V alpha V A exp Idg Iav + = (II-33)
avec ( ) ( ) [ ] DG v CG tanh BG AG v A + + =
b. Avalanche due lionisation par impact : drain -
source
Ce type davalanche apparat pour les tensions V
gs
relativement leves lorsque le
transistor est soumis un fort champ de drain. Celui-ci provoque une ionisation par impact,
cest dire lacclration des lectrons accumuls dans le canal. Les consquences sur les
caractristiques I(V) de ce phnomne sont : laugmentation du courant de sortie I
ds
et
lapparition dun courant ngatif sur la grille (Cf. chapitre IV). La modlisation de ce
comportement davalanche est proche de celui de lavalanche standard, par contre un premier
gnrateur Iav_ion
ds
est plac entre le drain et la source et un second (Iav_ion
dg
) entre le drain
et la grille pour modliser la partie du courant de trous qui part vers la grille. La description
de ce comportement reste classique avec lexpression analytique suivante utilise pour les
deux gnrateurs [77] :
( ) Vgs EF Vgs DF Vgs CF Vgs BF Vds AF exp IF Iav_ion
2 3 4
ds
+ + + + = (II-34)

80
Iav_ion
Iav_ion
ds
dg
= (II-35)
La modlisation du phnomne davalanche due lionisation par impact sur le courant
de grille par une fonction en exponentielle, provoque la dpolarisation du transistor lors de
simulation en Harmonic Balance forte puissance dentre. Il faut donc tre vigilant et
rduire lordre dinterpolation de lexponentielle ou supprimer la fonction si la simulation ne
converge pas.
4. Dtermination des paramtres des
lments non linaires du modle
Le modle I(V) complet est compos du gnrateur de courant COBRA modifi, des
gnrateurs davalanche et des diodes dentre, ce modle comprend 28 paramtres
optimiser sur les caractristiques ) (
ds ds
V I et ) (
ds gs
V I .
Les figures suivantes prsentent les mesures dun transistor PPH25X de 300m de
dveloppement soit 4 doigts de grille de 75m de largeur. Les mesures sont effectues en
mode puls pour un point de polarisation V
gs0
=-0.4V et V
ds0
=8V c'est--dire dans le mode
de fonctionnement typique pour cette filire, la tension V
gs
varie de -2.4V 1V par pas de
0.1V. Avec ces mesures, on peut bien sparer les diffrentes non linarits.

Figure 63. I
ds
(V
ds
) et I
g
(V
ds
) dun transistor 4x75m PPH25X Mesurs sur le banc DIVA puls
Loptimisation des paramtres en fonction de la zone de fonctionnement du transistor
est assure dans un premier temps par le logiciel dextraction IC-CAP (Integrated Circuit
Characterization and Analysis Program) dAgilent, puis le modle est implant dans ADS
(Advanced Design System) pour le vrifier, car cest le logiciel de conception utilis par les
concepteurs UMS.
Les rsultats du modle compars aux mesures de notre transistor de rfrence
(12x100m), toujours au point de polarisation typique (V
gs0
= -0.4V ; V
ds0
= 8V) sont
prsents aux figures ci-dessous.

Figure 64. Comparaison mesures ( )-modle ( ) du courant de sortie et du courant dentre
en fonction de la tension V
ds


Figure 65. Comparaison mesures ( )-modle ( ) de la transconductance (Gm) et de la
conductance de sortie (Gd) respectivement en fonction de la tension V
gs
et de la tension V
ds
pour un
V
gs
et un V
ds
constant
F. Les capacits non linaires C
gs
et C
gd

[88]
La plupart des modles cits prcdemment (voir Chapitre II :II.C.2) utilisent
lexpression de la capacit dune jonction Schottky donnes par :
V
V
C
C
gs
gs
gs
=
1
0
pour
V V
gs
< et
V
V
C
C
gd
gd
gd
=
1
0
pour
V V
gd
<
Cette quation ne suffit pas pour le transistor tudi.
1. Mthode dextraction partir des
paramtres [S]
Un cycle de charge idal est trac sur les mesures du rseau I(V), il doit tre
reprsentatif dun fonctionnement en puissance du transistor.

Figure 66. Cycle de charge choisi dans le rseau I(V) pour reprsenter un fonctionnement en
puissance du transistor. Lextraction des valeurs des deux capacits non-linaires Cgs et Cgd est
seulement faite le long du cycle de charge reprsent
Seuls les paramtres [S] le long de ce cycle sont utiliss, les lments capacitifs
intrinsques sont extraits avec la mthode dcrite dans le Chapitre II :IV.C. Utiliser les points
appartenant ce cycle de charge nous permet dobtenir des capacits non linaires une
dimension C
gs
(V
gs
) et C
gd
(V
gd
) ce qui facilite grandement leur intgration dans les simulateurs
circuits. En effet, si lon ne prend pas de prcautions, des courants continus apparaissent dans
les capacits non linaires deux dimensions lors de simulations grand signal.

La Figure 67 et la Figure 68 montrent la variation des capacits C
gs
et C
gd
extraites sur
lensemble du rseau I(V) (capacits deux dimensions) et la variation des capacits C
gs
et
C
gd
une dimension extraites le long du cycle de charge estim. Ce sont ces dernires que
nous allons modliser.

gs
extraites sur lensemble du rseau I(V) ( ) et suivant les
valeurs obtenues le long du cycle de charge ( )

gd
extraites sur lensemble du rseau I(V) ( ) et suivant les
valeurs obtenues le long du cycle de charge ( )
Des travaux mens lIEMN de Lille [89] montrent que le phnomne de dcroissance
de la capacit C
gs
est d, la fois aux longueurs de grille devenant plus petites (0,25m dans
notre cas) mais aussi d lcartement entre le plot de drain et celui de la grille. Les
technologies utilisant un double recess, comme dans notre cas pour PPH25X, voient pour des
tensions V
ds
proches de lavalanche une rpartition non uniforme des porteurs de charge dans
leur canal [90].
2. Le modle une seule variable
Les quations utilises pour la modlisation des capacits C
gs
(V
gs
) et C
gd
(V
gd
) sont
issues de travaux raliss Xlim [91] :
( ) ( ) [ ] { } ( ) [ ] { }
gs gs gs
gs
gs gs gs
gs gs
gs gs gs
Vp V . b tanh 1
2
2 C
Vm V . a tanh 1
2
0 C 1 C
0 C V C + + + +
+ =
(II-36)
et
( ) ( ) [ ] { } ( ) [ ] { }
gd gd gd
gd
gd gd gd
gd gd
gd gd gd
Vp V . b tanh 1
2
2 C
Vm V . a tanh 1
2
0 C 1 C
0 C V C + + + +
+ =
(II-37)
C0
gs
, C1
gs
, C2
gs
, C0
gd
, C1
gd
, C2
gd
, a
gs
, b
gs
, a
gd
, b
gd
, Vm
gs
, Vm
gd
, Vp
gs
et Vp
gd

reprsentent les diffrents paramtres optimiser.
Une premire optimisation a t ralise avec le logiciel dextraction IC-CAP, puis une
vrification est faite en introduisant la fonction et ses paramtres dans le logiciel ADS.
La Figure 70 prsente la comparaison mesures-modle des capacits C
gs
et C
gd
extraites
le long du cycle de charge estim suivant :

Figure 69. Cycle de charge estim pour modliser le transistor PPH25X

gs
(a) et C
gd
(b) extraites le
long du cycle de charge
Les paramtres des capacits non linaires sont donns dans le Tableau 11 ci-dessous.
C0gs C1gs C2gs ags bgs Vmgs Vpgs
4.606e
-16
2.323e
-15
1.503e
-15
3.97 2.485 0.932 64.33e
-3

C0gd C1gd C2gd agd bgd Vmgd Vpgd
1.104e
-16
6.277e
-16
3.735e
-17
3.47 1.155 -0.309 11.98
Tableau 11. Valeurs des paramtres de C
gs
(V
gs
) et de C
gd
(V
gd
)
3. Les modles deux variables
Lidal pour modliser au mieux le comportement grand signal du transistor serait de
trouver des quations qui dpendraient des deux tensions de polarisation. Cependant il est
primordial de vrifier la condition de conservation de charge [92], elle se prsente de la faon
suivante :
( ) ( )
0
V
C
V
C
gs
gd
ds
g
=
o
gd gs g
C C C +
On vite ainsi lapparition dun courant continu de grille au niveau du modle. En effet
la dmonstration est simple si on prend des expressions simples deux variables susceptibles
de modliser C
gs
et C
gd
:
( )
ds gs
2
ds
2
gs ds 2 gs gs 1 gs 0 gs gs
V V , V , V f V C V C C C + + + = (II-38)
et
( )
ds gs
2
ds
2
gs ds 2 gd gs 1 gd 0 gd gd
V V , V , V f V C V C C C + + + = (II-39)
O
0 gs
C ,
1 gs
C ,
2 gs
C ,
0 gd
C ,
1 gd
C et
2 gd
C sont des constantes.
Supposons que les tensions varient sous les formes suivantes :
( ) ( ) t cos A t V
gs
= (II-40)
et ( ) ( ) t sin A t V
ds
= (II-41)
Le courant ( ) t I
g
scrit :
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) t V
dt
d
t V , t V C t V
dt
d
t V , t V C t I
gd ds gs gd gs ds gs gs g
+ = (II-42)
En remplaant, dans lquation du courant de grille (II-42), les tensions et les capacits
par les expressions (II-38), (II-39), (II-40) et (II-41) ci-dessus, on en dduit un signal ( ) t I
g

dont la transforme dans le domaine frquentiel lallure suivante :

Figure 71. Transforme de Fourrier de I
g
(t)
Avec ( ) ( )
2 gd 1 gd 2 gs
2
g
C C C
2
A
t I + +
=

, ce courant continu va fausser la
reprsentation du fonctionnement en grand signal du transistor sauf si 0 C C C
2 gd 1 gd 2 gs
= + + .
Dans notre exemple ( )
2 gd 2 gs gd gs
ds
C C C C
V
+ = +
et ( )
1 gd gd
gs
C C
V
=
donc on
retrouve la condition nonce prcdemment :
( ) ( ) 0 C
V
C C
V
gd
gs
gd gs
ds
=
+ +
(II-43)

Des auteurs proposent des modles empiriques 2 dimensions [87][93] pour des
transistors MESFET, HEMT ou PHEMT ( simple recess de grille). Dans notre cas, PPH25X
est une filire de puissance avec une grande tension de claquage due son double recess de
grille, il apparat un phnomne de dcroissance sur lallure de la capacit C
gs
forte tension
de grille. Les expressions trouves dans la littrature ne nous permettent pas de modliser les
capacits en rgime grand signal ; de plus, si on trouve des expressions mathmatiques qui
modlisent C
gs
, la modlisation de C
gd
savre complique du fait de la condition de
conservation de la charge.
Une alternative, propose par D.E. Root [67], est dutiliser un modle tabul mais celui-
ci nest seulement prcis que dans la zone de caractrisation.
G. Loi dchelle
1. Le courant de drain
Dans la plupart des cas, les lois dchelle sur le courant de drain sont supposes
linaires et de la forme :
ds
ref ref
ds
I
N W
N W
I
=
avec W la largeur de grille (en m)
N le nombre de doigt

ref
W la largeur de grille du transistor de rfrence en m (100)

ref
N le nombre de doigt du transistor de rfrence (12)

ds
I la valeur du courant pour le transistor de rfrence (en A)
Pour vrifier cette loi dchelle (Scaling en anglais), nous nous sommes attards
mesurer 12 tailles de transistor. Le plus petit dveloppement tant un 4x50m et le plus long
un 12x150m. Pour comparer mesures et simulations, nous nous plaons V
gs
=0.7V et
V
ds
=2.5V et nous comparons les courants mesurs et simuls en ce point.
Appelons
+
ds
I le point V
ds
=2,5V et V
gs
=0.7V. Les deux graphiques suivants montrent
la comparaison du
+
ds
I mesur et simul en fonction du dveloppement de grille Figure 72,
ainsi que lerreur en % Figure 73, tel que :
mes I
sim I mes I
ds
ds ds
+
+ +
=

Figure 72.
+
ds
I en fonction du dveloppement des transistors

Figure 73. Erreur en % entre la simulation et la mesure de
+
ds
I
On peut constater que sur la Figure 73 que le modle est pessimiste sur les petites tailles
mais quil est optimiste sur les transistors fort dveloppement. Cet cart est en grande partie
li aux effets thermiques, dans les modles lectriques classiques cet effet nest pas pris en
compte, il nous a donc paru judicieux de transformer la loi dchelle.
ds scale ds
I F I = avec ( ) ( ) ( ) N C W N B W N A F
2
scale
+ + =
avec W la largeur de grille (en m)
N le nombre de doigts

scale
F est le facteur dchelle

Figure 74. Facteur dchelle
scale
F en fonction de la largeur de grille
2. Les capacits non linaires
Pour les capacits non linaires, 6 tailles de transistors ont t tudies (Figure 75 et
Figure 76), on reste sur une loi dchelle classique avec
d , s
ref ref
d , s
g C
N W
N W
Cg
= , par contre
les paramtres doptimisation des capacits sont rajusts lgrement pour que la simulation
soit en accord avec les mesures.

gs
extraites le long du cycle
de charge pour 6 transistors de taille diffrente

gd
extraites le long du cycle
de charge pour 6 transistors de taille diffrente
3. Les gnrateurs davalanches
La modlisation des phnomnes davalanche se fait grce une fonction exponentielle.
On sait que les tensions de claquage dpendent uniquement de la topologie (recess) et de
lpitaxie du transistor. Sur les transistors tudis, on saperoit quil est prfrable de ne pas
mettre de facteur dchelle pour viter de dplacer les tensions de claquage. Pour toutes les
tailles, on prend donc la mme expression, celle du transistor de rfrence (12 doigts de
100m).
Exemple avec la mesure I(V) pulse dun transistor 12 doigts de 150m.

Figure 77. Comparaison mesures ( )-modle ( ) du courant de drain I
ds
dun transistor
12x150 avec une avalanche drain-source lchelle dun 12x150 (a) et avec lavalanche du transistor
de rfrence (b)
H. Validation du modle
1. Validation du modle en rgime grand
signal
a. Le banc de mesure load-pull
Le banc de mesure load-pull vectoriel, qui nous a servi valider le modle non
linaire du transistor 12x100 PPH25X, permet doptimiser les conditions dadaptation, puis
deffectuer des mesures de puissance. On observe alors les performances du composant en
fonction des impdances de charges prsentes et du niveau de puissance du signal
dexcitation.
Ce banc nous donne la possibilit de calculer le rendement en puissance ajoute (PAE)
grce aux mesures prcises : du coefficient de rflexion en entre du dispositif
e
, du gain en
puissance et de la puissance de sortie. Le rendement en puissance ajoute est alors donn par
lexpression suivante :
( )
DC
e dispo S
P
1 P P
PAE

= o
dispo
P est la puissance disponible dlivre par le
gnrateur
Remarque : Ce banc permet galement dobserver lvolution de la phase du gain
complexe (AM/PM) du transistor sous test en fonction de la puissance dentre du dispositif.
Ce dernier critre permet dobtenir des informations importantes sur les composants en termes
de linarit.
b. Mesures de puissance en mono-porteuse
Une analyse du comportement fort signal en mono-porteuse sur deux tailles de
transistor, la frquence de 10 GHz, a t effectue pour un point de polarisation de repos
gale V
gs0
=-0.4V et V
ds0
=8V.
Limpdance de charge la frquence fondamentale correspond limpdance de
charge prsente au transistor pour obtenir un compromis entre puissance et rendement en
puissance ajoute.
Le transistor 12x100 :
Limpdance de charge est la suivante : ( ) ( ) 37 . 5 j 5 . 15 f Z
0 load
+ =
Les rsultats obtenus sont prsents la Figure 78. La valeur 3dB de compression de
la puissance de sortie est de 30.1 dBm (pour P
entre
= 17.5 dBm). Le rendement en puissance
ajout correspondant cette puissance de sortie est de 58.2% avec un gain en puissance
associ de 12.5 dB.

Figure 78. Comparaison mesures ( )-modle ( ) grand signal CW 10 GHz du transistor
12x100m
Le transistor 4x75 :
Le transistor est charg sur une impdance
load
Z qui GHz 10 f
0
= est gale
( ) 1 . 50 j 6 . 54 + .
La Figure 79 rassemble les principaux critres de performances lectriques obtenu pour
un transistor 4x75m un point de repos gal V
gs0
=-0.4V et V
ds0
=8V.

Figure 79. Comparaison mesures ( )-modle ( ) grand signal CW 10 GHz du transistor
4x75m
Le modle prsent savre valable pour plusieurs tailles de transistors. La comparaison
du modle par rapport aux mesures de puissance constitue la premire tape de la validation
du modle.
2. Validation du modle au travers de
lamplificateur de puissance MILEA
Il est important de valider maintenant le modle dans une structure amplificatrice. Le
circuit MILEA (voir Figure 80 et Figure 81) est un amplificateur de puissance (HPA : High
Power Amplifier) destin fonctionner en bande Ku (12 18 GHz). Avec 3 tages,
lamplificateur doit dlivrer 1W en sortie. Deux tailles de transistor sont prsentes dans le
schma ce qui va nous permettre de vrifier la loi dchelle de notre modle.

Figure 80. Architecture de lamplificateur MILEA

Figure 81. Dessin de lamplificateur MILEA 1W
Remarque : le modle dcrit prcdemment a t ralis partir dune plaque aux
critres de fabrication diffrents du wafer o se trouve lamplificateur MILEA. La filire
PPH25X tant en dveloppement et en cours de qualification pendant la dure de ce travail.
Nous avons donc rajust les paramtres du modle pour correspondre aux performances de
MILEA.
a. Paramtres [S]
La mesure des paramtres [S] de lamplificateur a t effectue UMS de 2 40 GHz.
Ces mesures sont compares aux simulations obtenues en intgrant dans la schmatique le
modle non linaire multi taille et aux simulations ralises en remplaant les modles de
transistors par les mesures de paramtres [S] qui leur correspond.

Figure 82. Comparaison des paramtres [S] de lamplificateur : mesurs ( ), simuls avec le
modle ( ) et avec la mesure des paramtres [S] du transistor inject dans la simulation ( )
Sur les paramtres [S] reprsents dans la bande Ku (Figure 82), On peut remarquer que
le comportement de lamplificateur simul avec le modle est trs proche de la simulation
laide des mesures de paramtres [S] de transistor. On peut donc dduire que le lger cart
avec les mesures de MILEA nest pas d au modle non linaire du transistor.
b. Mesures de puissance
Les mesures de puissance ont t ralises pour des frquences allant de 11 17 GHz et
pour une puissance injecte variant de -15 10dBm. La comparaison, entre le modle
PPH25X de la bibliothque ADS de composants UMS, notre modle et les mesures, est
prsente ci-dessous. Le modle de la bibliothque UMS est issu dune caractrisation sur des
plaques moins rcentes et la technologie PPH25X a volue depuis ; deplus le gnrateur de
courant I
ds
utilise lexpression de Tajima (modifi) et ce modle ne prend pas en compte le
phnomne dionisation par impact.
Le gain en puissance, la puissance de sortie, le rendement en puissance ajout et le
courant de sortie moyen total, sont tout dabord tracs en fonction de la frquence, bas
niveau (-15dBm) et forte compression (10dBm) (Figure 83). Puis, la frquence centrale,
les performances de lamplificateur sont donnes en fonction de la puissance injecte (Pin)
(Figure 84).

Figure 83. Comparaison mesures ( ), simulation avec notre modle ( ) et avec le modle
PPH25X de la bibliothque UMS ( ) en fonction de la frquence

Figure 84. Comparaison mesures ( ), simulation avec notre modle ( ) et avec le modle
PPH25X de la bibliothque UMS ( ), en fonction de la puissance dentre 14 GHz
On peut constater que notre modle est plus prcis que le modle issue de la
bibliothque UMS et cela quelque soit la frquence dans la bande de fonctionnement de
lamplificateur (Figure 83).
V. Conclusion
Ce chapitre fait le point sur les mthodes et les principales tapes de la modlisation. En
effet, nous avons dvelopp un modle non linaire complet de PHEMT en Arsniure de
Gallium. Ce modle est extrait partir des mesures en impulsion des caractristiques
convectives (I(V)) et hyperfrquences (paramtres [S]). La topologie de notre modle, bas
sur des schmas quivalents lectriques et des quations analytiques qui restent simples, lui
confre rapidit et robustesse dans un environnement de CAO.
Notre modle a t valid avec succs par des comparaisons simulations-mesures
mettant en uvre : des simulations en quilibrage harmonique (HB) et un amplificateur de
puissance 3 tages.
Toutefois, lheure daujourdhui, il nest plus possible de se contenter de modles qui
ne prennent pas en compte la dynamique des phnomnes de piges et de thermiques. Le
chapitre suivant mettra en vidence la prsence de ces phnomnes dispersifs dans les
transistors et nous expliquerons leurs provenances. Ensuite, nous proposerons un modle
lectrothermique pour la filire PPH25X aprs avoir cibl les lments dpendants de la
temprature.
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Chapitre III : Les effets thermiques dans les PHEMTs AsGa
CHAPITRE III : LES EFFETS
THERMIQUES DANS LES PHEMTS
ASGA
I. Introduction
Nous avons vu au cours du chapitre II la modlisation phnomnologique classique
dun transistor PHEMT AsGa. On sait aujourdhui que ce type de modlisation ne suffit plus
dcrire les composants de forte puissance. En effet, la demande croissante en terme de
performances hyperfrquences a vu lapparition de nouvelle filire de transistors comme les
PHEMT de puissance, les HBT ou encore plus rcemment les composants SiC et GaN.
Les fortes gnrations de puissance dlivres par ces types de transistors entranent un
chauffement consquent des composants, la mobilit et par consquent la vitesse de
saturation des porteurs diminuent leur tour entranant une chute des puissances de sortie et
des frquences de transition jusqu atteindre un tat tabli.
Ce chapitre a pour objectif de prsenter les effets thermiques dans les transistors
PHEMT AsGa.
Nous ne traiterons pas de manire dtaille les notions thoriques fondamentales des
phnomnes de transfert de la chaleur qui peuvent influencer les ensembles lectroniques,
elles ont t de nombreuses fois abordes dans dautres thses [94][95].
La suite de ce chapitre exposera les diffrentes techniques de mesure et de simulation
utilises pour ltude thermique des transistors de notre filire PPH25X.
Les phnomnes lis la thermique se rpercutent sur le fonctionnement lectrique du
transistor, bien isoler les dpendances en temprature du TEC permettra dintroduire un
modle thermique qui ragira en fonction de ltat lectrique du transistor.
Lanalyse numrique s'est impose comme une alternative incontournable pour raliser
une tude thermique de composants de taille micronique. Elle offre plusieurs techniques de
rsolution parmi lesquelles on peut citer la mthode des lments finis. Cependant, l'analyse
des problmes thermiques ncessite une puissance de calcul et de stockage importantes. Ainsi,
la ralisation de simulations couples lectrique-thermique intgrant une analyse thermique en
lments finis semble actuellement difficile.
En revanche, de nombreuses techniques de rduction permettent de diminuer la taille
des problmes en lments finis, tout en conservant une bonne prcision. Parmi les diffrentes
mthodes existantes, nous retiendrons la technique de rduction par vecteurs de Ritz [94].
Cette rduction offre l'avantage de diminuer la taille des problmes traiter et de permettre
lintgration dun modle rduit dans le simulateur lectrique ADS. Cette technique de
rduction a t traduite sous la forme d'un module informatique par l'XLIM [110].
II. Problmatique
A. Pourquoi est-il important de connatre la
temprature dun composant ?
Lobtention de dispositifs microondes capables de gnrer de fortes densits de
puissance constitue un enjeu majeur dans la conception de systme lectronique de pointe.
Dans ce but, ont merg de nombreuses technologies de composants parmi lesquelles on
trouve les transistors technologie HEMT pseudomorphique qui laissent entrevoir de fortes
potentialits dans ce domaine. La recherche de laccroissement de la densit de puissance fait
que les effets thermiques dans ces transistors sont susceptibles dinduire des drives de gain et
de phase sur la composante RF. Cette drive doit tre matrise pour une prise en compte
ventuelle la conception. Par ailleurs, la connaissance de la valeur de la temprature dite de
jonction dun composant est une donne essentielle dans la prvision du vieillissement des
composants, et donc, dans lestimation de sa dure de vie. Dans certains cas critiques, cette
valeur T est ncessaire pour le dimensionnement des dispositifs thermiques et pour
ltablissement du compromis performances-fiabilit.
B. Mise en vidence de lauto-
chauffement dans les PHEMTs AsGa
Limpact de la temprature de jonction sur le comportement du transistor est facilement
dmontrable en ralisant une mesure en continu du courant de sortie I
ds
en fonction de V
ds

lorsque lon module la tension dentre V
gs
. A chaque point de ce rseau correspond une
temprature. En effet, le produit courant-tension correspond une puissance que le transistor
va devoir dissiper sous forme de chaleur. Plus la puissance est leve plus la temprature
augmente, sur la figure suivante on remarque que plus cette temprature est importante plus le
courant de sortie diminue. Autrement dit, la mobilit des lectrons dcrot avec
laugmentation de la temprature du canal.

Figure 85. Caractristiques de sortie dun PHEMT PPH25X 8x100 avec auto-chauffement
La dcroissance du courant de drain lorsque V
ds
augmente entrane une chute de la
transconductance de sortie (Gm). La temprature aura donc une influence sur les
performances hyperfrquences.
III. Mthodes de dtermination de la
temprature de jonction des
composants MMICs
Il existe diffrents moyens de mesures pour valuer avec plus ou moins de prcision la
temprature au sein dun transistor [96][97][98] mais il est galement possible de passer par le
biais de simulations thermiques pour extraire la rsistance thermique des composants. Nous
allons dcrire ces mthodes qui nous ont permis de caractriser la partie thermique de notre
modle pour le transistor PHEMT de la filire PPH25X provenant de la fonderie UMS.
Plusieurs dveloppements de transistor ont t ncessaire notre tude mais nous avons
essay de normaliser nos rsultats par rapport notre transistor de rfrence : 12 doigts de
grille de 100m de largeur.
A. Dfinition de la rsistance thermique
Dans les circuits lectroniques, lvacuation de la chaleur gnre au sein des
composants (essentiellement vers la face arrire) seffectue principalement par conduction.
Cest le cas que nous retiendrons pour la suite de cette tude.
Dans de nombreux cas, la dfinition de la chaleur dans un matriau bi ou tri-
dimentionnel peut tre simplifie un systme une dimension. Le transfert de chaleur est
assimil au flux travers une surface dfinie. La combinaison de la conductivit thermique,
de lpaisseur du matriau et de la surface permet de dfinir la rsistance thermique
(note
th
R ) de la couche. Lquation de diffusion de la chaleur devient alors en rgime tabli :

x
T
R
1
q
th

= (III-1)
si lon intgre cette quation par rapport la surface, on obtient :

th
R
T
P

= (III-2)
o P est la puissance dissipe en Watts.
Cette quation de la chaleur simplifie nous donne accs la temprature du
composant.
Remarque : La rsistance thermique est de faon gnrale une grandeur non linaire en
fonction de la temprature [95]. Dans notre tude nous la considrons indpendante de la
temprature pour faciliter la modlisation du phnomne.
B. Mesures lectriques de la rsistance
thermique [99]
Les mesures lectriques de la rsistance thermique ont t ralises UMS, le banc
puls DIVA permet de mesurer en mode impulsionnel et en mode continu. Les transistors
sont dabord monts en botier de type BMH60 (Figure 86) provenant de chez NTK
Technologies puis ils sont placs dans un dispositif de test (Figure 87) pour tre mesur par le
banc.

Figure 86. Transistor mont dans un botier de type BMH60

Figure 87. Cellule de test pour BMH60 relie au banc DIVA
Ce montage nous donne la possibilit, au sein mme dUMS, dappliquer une
temprature ambiante par lintermdiaire dune centrale thermique (Figure 88). Une cloche,
situe au bout dun bras tlescopique, est place sur le composant, de cette manire on cre
une enceinte dont lhermtisme est assur par des morceaux de mousse isolante. La centrale
thermique, appele plus familirement girafe de par sa forme, est capable dappliquer une
temprature dans lenceinte de -80C 250C. Pour etre plus prcis une sonde relie un
thernomtre nous donne la temprature au plus prs du transistor, dans le dispositif de test.
G
D
S

Figure 88. La centrale thermique applique une temprature pouvant aller de -80C 250C
1. Mthode du courant de grille
La rsistance thermique d'un transistor
th
R , exprime en W / C , permet de caractriser
llvation de temprature du composant par rapport la temprature ambiante lorsque celui-
ci est soumis une excitation lectrique.
Le principe de la mesure de la rsistance thermique est bas sur la variation de la
tension de seuil de la jonction Schottky avec la temprature [100]. Dans un premier temps,
cest cette mthode que nous allons employer pour dterminer la rsistance thermique dun
transistor PPH25X 4x75.
Nous commenons par calibrer ce thermomtre lectrique en temprature par une
mesure en mode puls (Figure 89) du courant de grille pour deux tempratures ambiantes
diffrentes (22 et 100C). Les tensions de polarisation de repos V
gs0
et V
ds0
sont fixes 0 V ;
la dure des pulses de tension de grille est de 200 ns avec une rcurrence de 500 s. Nous
mesurons alors le rapport
gs
V
T
pour un fort courant de grille, de faon se placer dans la

zone o les courbes de diode sont parallles, et nous obtenons alors pour I
g
=50mA :
V / C 1093
07136 . 0
78
V
T
gs
= =
.

Figure 89. Mesure du courant de grille en fonction de la temprature ambiante pour P
diss
=0W
Ensuite, nous fixons la temprature de socle 22C. Nous recommenons la mme
opration mais avec deux polarisations de repos diffrentes, donc deux puissances dissipes
diffrentes (Figure 90). Nous mesurons alors le rapport
diss
gs
P
V
pour le mme courant

I
g
=50mA et nous obtenons : W / V 203584 . 0
P
V
diss
gs
=

Nous en dduisons ainsi la valeur de la rsistance thermique par la formule suivante :
( ) W / C 5 . 222
P
V
V
T
75 4 R
diss
gs
gs
th
= =


Figure 90. Mesure du courant de grille en fonction de la puissance dissipe pour une mme
temprature ambiante (22C)
On peut remarquer que la mesure est dlicate du fait de la faible prcision de mesure du
banc DIVA sur le courant de grille.
2. Mthode du courant de drain
Cette technique est base sur la chute du courant dans le canal, due au fait que la
mobilit (et donc la vitesse de saturation) des porteurs diminue lorsque la temprature
augmente.
Pour mettre en place cette exprience, nous ralisons deux jeux de mesures dans des
conditions de polarisation diffrentes avec deux tempratures ambiantes diffrentes sur un
transistor 8 doigts de grille de 100m de largeur.
La premire mesure est effectue en mode continu avec la temprature de lenceinte
fixe 25C, et la seconde en mode impulsionnel avec une temprature gale 157C. Pour les
mesures en rgime puls, il faut choisir des dures dimpulsions brves (200 ns) et sparer les
impulsions par un temps trs long de 50ms (rcurrence importante de manire faire des
mesures les plus isothermes possibles).
Lorsque nous superposons les deux rseaux ainsi obtenus, les points dintersection de la
courbe en mode continu et de la courbe en mode puls dsignent lendroit du rseau pour
lesquels la temprature est identique (Figure 91).
Au point dintersection pour la courbe mesure en mode continu :
diss th dc _ ambiante dc _ jonction
P R T T T = = , avec
dc _ ambiante
T =25C et
dc _ jonction
T est la
temprature de jonction du transistor en mode continu.
Au point dintersection pour la courbe mesure en mode puls :
diss th dc _ ambiante pulse _ jonction
P R T T T = = mais C 0 T T
dc _ ambiante pulse _ jonction
= aux points
dintersections et
pulse _ jonction
T =157C car on suppose les mesures quasi-isothermes, c'est--
dire que
pulse _ ambiante pulse _ jonction
T T = .
Comme la temprature de jonction aux points dintersections est identique sur les deux
courbes :
dc _ jonction pulse _ jonction
T T =
On a donc :
diss
dc _ ambiante pulse _ jonction
th
P
T T
R

=

Figure 91. Superposition du rseau I(V) mesur en continu avec le rseau puls 157C
Le Tableau 12 prsente le calcul de la rsistance thermique pour les points
dintersections entre les deux rseaux.
V
gs
Pdiss Rth (C/W)
1v 1.54880973 85.226737
0.8v 1.49692003 88.1810633
0.6v 1.46530419 90.0836844
0.4v 1.55329371 84.9807084
0.2v 1.50244064 87.8570484
0v 1.42202297 92.8255048
Moyenne Rth (8x100) 88.1924577
Tableau 12. Calcul de R
th
pour les valeurs de V
gs
o se croisent les caractristiques I(V)
Remarque 1 : nous navons pas pu mesurer le mme transistor cause de la difficult runir
tous les lments du montage, les quatre centrales thermiques disponibles UMS tant en
priorit utilises pour la mesure des circuits, ce qui prouve lintrt que suscite un modle qui
prdit leffet thermique. Nanmoins une comparaison pourra tre faite si on considre la loi
dchelle standard applique la rsistance thermique tel que
th
ref ref
th
R
N W
N W
R
= .
Remarque 2 : les points dintersection se trouvent dans une zone o la puissance dissipe
dans limpulsion est assez leve, un risque dauto-chauffement du transistor peut crer une
erreur sur la mesure de R
th
. De plus, les points qui permettent de calculer la rsistance
thermique se trouvent dans une partie du rseau o les phnomnes de piges et le phnomne
dionisation par impact se mlangent.
C. Mthode de mesures par spectroscopie
Raman
La spectroscopie Raman est une mthode trs rpandue danalyse physique, en chimie,
en physique des solides ou de la matire molle. Elle exploite le phnomne de diffusion
inlastique de la lumire par lanalyse du champ diffus dun semi-conducteur, sous laction
dune source monochromatique.
D'un point de vue thorique, cette mthode permet dtudier les phnomnes de
dcalage de la longueur d'onde d'une source excitatrice rflchie par un semi-conducteur. En
effet, sous linfluence des vibrations du rseau cristallin qui dpendent de la temprature, la
lumire diffuse prsente des dcalages de leur longueur donde par rapport la source
excitatrice incidente. De ce fait en ralisant une droite dtalonnage, il est possible dassocier
le dcalage dun des pics du spectre Raman la temprature du semi-conducteur.

nnnnmmnnnnLLLn
Laser (Ar ou Kr)
Dtecteur
CCD
Spectromtre
rseaux
Systme polariseur-
analyseur
Interface rseaux
Diaphragmes
Filtre
interfrentiel
(raies plasma)
Miroir
Systme
dauto-
focalisation
Microscope confocal
Station
UNIX
Echantillon
Table X-Y-Z
Lames partiellement
rflchissantes
PC
Interface X-Y
Lumire diffuse
Rseau
infomatique
Filtre (raie laser)

Figure 92. Schma du dispositif exprimental
La socit de caractrisation MC2 implante Lille, a mene une tude exprimentale
pour UMS [101] dont lobjectif tait la dtermination de la temprature de jonction du
transistor PPH25X. Les mesures ont t ralises sur un transistor de dveloppement
12x100m et la longueur donde du faisceau laser utilis pour les mesures Raman est centre
autour de 632nm.
On retiendra de cette tude que pour un point de polarisation V
gs0
=-0.4V et V
ds0
=8V soit
une puissance dissipe gale 1.66W, la temprature releve est de 96.5C sur les doigts du
centre du transistor (cest la valeur moyenne obtenue sur les deux doigts). On calcule la
rsistance thermique de la manire suivante :
W / C 1 . 43
66 . 1
25 5 . 96
P
T T
R
diss
ambiante mesure
th
=
=
La mme mesure a t effectue au centre de chaque doigt o le faisceau a t focalis
dans lespace grille-drain (Figure 93).

Figure 93. Agrandissement de la zone mesure par le Raman

Le graphique ci-dessous prsente lvolution de la temprature mesure obtenue pour la
puissance dissipe de notre point de polarisation en fonction du numro des doigts (les doigts
6 et 7 tant ceux situs au centre du transistor).

Figure 94. Evolution de la temprature mesure en fonction du numro des doigts
On sattend trouver les doigts extrieurs du transistor nettement moins chauds que les
doigts du centre, ce nest pas le cas ici, cette imprcision est sans doute due la rsolution du
faisceau. De plus, il est difficile dobserver des diffrences de temprature entre chaque doigt
tant donn que les valeurs de temprature sont donnes +/- 10C.
D. Simulation thermique de transistors
1. Introduction
Afin d'tablir un modle multi-doigts rigoureux de notre transistor PHEMTs PPH25X, il
est ncessaire de connatre prcisment l'tat thermique de chacun des doigts et donc de faire
appel la simulation thermique 3D. Cette simulation repose sur la rsolution de lquation de
diffusion de la chaleur.
Cette quation [94], dfinie par Fourrier en 1807, permet de dterminer la temprature
instantane en tout point du matriau considr. Dans le cas dun simple cube, ou barreau, de
semi-conducteur les calculs sont relativement simples effectuer. Mais dans le cas de
structures plus complexes tel quun transistor dont les sources de chaleur se situent au niveau
des jonctions Drain-Grille, des phnomnes de couplage thermique compliquent grandement
les calculs.
Dans notre cas avec le logiciel de simulation ANSYS, Le calcul de lensemble des
champs, des potentiels et des gradients de temprature lintrieur du modle est effectu en
utilisant la mthode des lments finis. Cette mthode ncessite la discrtisation de notre
structure (maillage) afin dobtenir un modle compos par un assemblage dlments finis qui
possdent des formes et des tailles varies. Le principe de cette mthode consiste rsoudre le
systme dquations compris dans le domaine de llment fini puis regrouper toutes les
solutions associes chaque lment fini pour obtenir une solution unique pour la structure
globale. Pour permettre lanalyse du dispositif, le modle en lments finis contient un certain
nombre dinformations telles que :
- La gomtrie discrtise en lments finis.
- Les contraintes imposes au dispositif.
- Les excitations du dispositif.
- Les matriaux composant le dispositif.
La Figure 95 montre un exemple de gomtrie discrtise en lments finis.

Figure 95. Exemple de discrtisation applique la modlisation dun transistor de type PHEMT
La dcomposition de la structure en sous domaines simples (lments finis) est
automatiquement gre par le simulateur. Celui-ci ralise un maillage adapt la structure
tudie, pour nous par exemple le maillage sera plus fin au niveau du canal dInGaAs car
cest une couche trs fine par rapport au substrat AsGa.
2. La simulation 3D ANSYS de la structure
PPH25X
a. Introduction
La structure 3D dun transistor PPH25 et son maillage ont t raliss par Mr Raphal
Sommet, charg de recherche au CNRS, dans le cadre dune tude thermique de transistors
PHEMT de puissance UMS.

Figure 96. Structure 3D du PPH25
Notre objectif est de rutiliser le travail et la structure 3D du PPH25 dj ralis pour
une structure PPH25X sans avoir refaire la structure complte et le maillage. Les deux
filires, PPH25 et PPH25X, se diffrencient lune de lautre seulement par leur couche
buffer (qui apparat entre la couche barrire arrire et le substrat).
Le buffer PPH25 est constitu dun super rseau de type AlAs sous la forme dune
squence 15 x (AlAs 3nm / GaAs 4nm) en plus dune couche de 500 nm dAlGaAs en partant
du haut vers le bas. Par contre le super rseau PPH25X est de type AlGaAs et la squence est
15 x (AlGaAs 18.5nm/ GaAs 1.5nm) plus une couche de 300 nm de GaAs en partant du haut
vers le bas.
b. Composition de la structure
Pour simplifier la structure sous la grille, sur les couches formes de plusieurs
matriaux, une moyenne est ralise sur les constantes thermiques au prorata des dimensions
de chacun des matriaux constituant la couche. Cette approximation reste raliste si les
couches de matriaux ne sont pas trop fines.
Par contre, pour le super rseau du transistor PPH25X dont les dimensions de ces
couches sont infrieures au libre parcours moyen des phonons dans le rseau cristallin, les
proprits de conductivit thermique des matriaux ne peuvent pas sinterprter par la simple
moyenne des conductivits thermiques. Nous avons utilis pour les conductivits thermiques
les rsultats issus de la littrature [102],[103],[107]. Cependant il faut noter que la
conductivit thermique de super rseaux est dans tous les cas infrieure la conductivit
respective des matriaux utiliss. De plus cette conductivit dpend trs fortement des
phnomnes de dispersion existant aux interfaces entre les couches du super rseau, et donc
des tats de surfaces.
Ltude se porte sur le transistor de la filire PHEMT PPH25X constitu de 12 doigts de
grille de 100m de largeur. La masse remonte jusque dans chacune des sources du transistor
par lintermdiaire de trou mtallis (via hole), comme le montre la reprsentation suivante.

Figure 97. Section et cotation de la moiti dun transistor 12x100 PPH25X
La moiti du transistor est modlis dans le logiciel, mais on applique une condition de
symtrie au niveau de laxe.

Figure 98. Maillage 3D de la structure PPH25X 12x100
La figure ci-dessus montre le maillage de la structure PPH25X modlis dans le logiciel
de simulation thermique. Cette structure complexe est compose denviron 500000 nuds de
maillage.
La Figure 99 permet de visualiser les trous mtalliss ( via hole ) qui remonte le
potentiel de la face arrire vers les plots de source.

Figure 99. Vue en coupe de la demi-structure maille
La zone de dissipation de la chaleur (Figure 100) pour la structure PPH25X est prise
dans le canal entre grille et drain et sur toute la largeur du doigt en accord avec les simulations
physiques [108].

Figure 100. Zone de dissipation de la chaleur
La densit de puissance applique sous chaque doigt de grille est de 0.833W/mm et la
temprature impose sur le fond de la puce est de 27C.

Figure 101. Zoom sur la vue en coupe dun doigt du transistor
c. Rsultat de lanalyse 3D du transistor
Lorsque tous les doigts sont aliments, il est possible de donner une rsistance
thermique quivalente du transistor qui le caractrise vis vis de la puissance injecte et de
llvation de temprature.

diss
th
P
T
R

= (III-3)
Si on injecte une puissance totale dans la structure gale 1W (soit une densit de
puissance de 0.833 W/mm dans chaque doigt), alors la temprature releve au point le plus
chaud de la structure moins la temprature de socle, nous donne la rsistance thermique
quivalente.

Figure 102. Rpartition de la chaleur dans la structure TV 12x100, avec Tsocle = 27C
La rsistance thermique quivalente du transistor qui le caractrise vis--vis de la
puissance injecte et de llvation de temprature, est alors donne par la relation suivante :
W / C 005 . 61
e 833 . 0 100 12
27 005 . 88
R
3
th
=

(III-4)

Remarque1 : il est galement possible de rcuperer les donnes par type de matriaux,
ce qui nous permet mettre en avant la variation de temprature dans les vias et dans les doigts
de drain et de source (Figure 103).

Figure 103. Temprature sur lor du transistor
Remarque2 : Le logiciel de simulation est aussi capable dextraire le temps que met le canal
atteindre la temprature de jonction impose par la puissance dissipe injecte. On peut donc
dfinir les constantes de temps dun circuit thermique RC, mais on peut galement se servir
des donnes dANSYS pour extraire un circuit quivalent de type SPICE.
E. Comparaison des diffrentes techniques
de dtermination de Rth
Les techniques utilises et prsentes prcdemment nont pas t appliques sur une
mme taille de transistor. Pour comparer ces rsultats, nous considrons une loi dchelle
linaire pour le passage dune taille une autre. Toutes les rsistances thermiques sont
normalises par rapport un transistor 12x100. Par exemple, pour la mesure lectrique avec le
courant de grille : on a W / C 2 . 88 Rth
100 8
=
pour trouver la rsistance thermique dun

12x100, on utilise la relation suivante :
100 8 100 12
Rth
100 12
100 8
Rth

= soit W / C 8 . 58 Rth
100 12
=
.
Le tableau suivant rcapitule les diffrents rsultats obtenus :
Mthodes Courant de grille Courant de drain Diffusion Raman Simulation ANSYS
100 12
Rth

55.625 C/W 58.8 C/W 43.1 C/W 61.005 C/W
Tableau 13. Comparaison des rsistances thermiques pour le transistor 12x100 PPH25X suivant les
diffrentes techniques danalyse thermique
La mthode de diffusion Raman semble tre difficile mettre en oeuvre, de plus la taille
du faisceau laser reste encore trop grande par rapport la dimension de lespace grille-drain.
La mthode par la simulation thermique avec le logiciel ANSYS est cohrente avec les
autres techniques de mesure. Nanmoins il faut noter que la temprature issue de la mthode
ANSYS est la temprature du point le plus chaud, situ au milieu du canal central, alors que
la mthode lectrique reprsente priori la temprature moyenne de la zone active, cependant
la discussion reste lheure actuelle ouverte sur cette hypothse.
Lavantage de la simulation est la possibilit dextraire un modle thermique distribu
qui va permettre de dissocier les doigts des un des autres.
Il existe dautres mthodes de dtermination de la rsistance thermique, on peut citer la
mthode de thermographie cristaux liquides dont la mise en uvre reste dlicate, la
thermographie infrarouge ou encore la photorflectance [104][105].
IV. Les modles thermiques
A. Le modle thermique multi-cellules RC
1. Analogie thermique-lectrique
Grce au principe danalogie des grandeurs thermiques et des grandeurs lectriques, le
modle thermique est reprsent par une impdance thermique, mise sous la forme dun
circuit RC parallle, excite par la puissance dissipe reprsente par une source de courant.
En effet, si on part du principe que la conductivit thermique K correspond la
conductivit lectrique dun barreau semi-conducteur de surface S et dpaisseur d ; alors il
existe une analogie entre la diffrence de potentiel aux bornes de celui-ci et la diffrence de
temprature entre ces mmes bornes lorsque la puissance dissipe P ou le courant lectrique I
le traverse (Figure 104).

Figure 104. Analogie thermique lectrique
Le Tableau 14 donne lquivalence complte entre les grandeurs thermiques et
lectriques et le Tableau 15 montre les relations entre les grandeurs physiques et donne la
reprsentation du circuit dimpdance thermique quivalente.
Grandeurs thermiques Grandeurs lectriques
T Temprature C V Tension V
J Flux de chaleur W/m J Densit de courant A/m
P chaleur W I Courant A
Q Quantit de chaleur Joule ou W/s Q Charge Coulomb ou A/s
K Conductivit W/(C.m) Conductivit 1/(.m)
R
th
Rsistance C/W R Rsistance
C
th
Capacit W.s/C C Capacit A.s/V ou F
Tableau 14. Dfinition de lquivalence des grandeurs thermiques et lectriques
Grandeurs thermiques Grandeurs lectriques
dT
dQ
C
th
=
dV
dQ
C =
S . d . . c C
th
=
d
S
. C =
S . K
d
R
th
=
S .
d
R
=
( ) ( )
=
t
0
dt . t P t Q ( ) ( )
=
t
0
dt . t I t Q

( )
( ) ( )
( ) ( ) ( ) t T t T
dt
d
. Cth
Rth
t T t T
t P
2 1
2 1
+
= ( )
( ) ( )
( ) ( ) ( ) t V t V
dt
d
. C
R
t V t V
t I
2 1
2 1
+
=
Tableau 15. Relations entre les grandeurs physiques et reprsentation du circuit dimpdance
thermique quivalente
2. Dtermination de la capacit thermique
La capacit thermique d'un composant de puissance est une donne importante pour les
applications radars par exemple. En effet, les performances des transistors PHEMT se
dgradent avec l'augmentation de la temprature. Sa valeur permet d'valuer le temps
d'chauffement du dispositif au cours des impulsions et de connatre son impact sur les
performances du circuit.
Les capacits thermiques sont extraites de la mesure temporelle du courant I
ds
lors dune
mesure en impulsion.

Figure 105. Forme temporelle dune impulsion du courant I
ds
lors de la caractrisation dun transistor
en rgime dynamique (puls)
La mesure exploite est mise sous la forme logarithmique pour pouvoir facilement
dduire les constantes de temps thermiques. En effet, une manire de reprsenter lallure du
courant de sortie dans le pulse est une fonction exponentielle ngative de la forme :

( )

=
|
|
\
|
|
|
\
|
=
n
1 i i
i 0
t
exp 1 . I I t i
(III-5)
O i correspond au nombre de constantes de temps ncessaires la modlisation de i(t),
I
0
correspond la valeur du courant au dbut de limpulsion, et I
i
correspond la valeur de la
dcroissance du courant pendant le temps t
i
.
Le temps t
i
correspond au temps que met le courant I
i
pour atteindre son rgime tabli
(t
i
>
i
).
A premire vue sur le graphe Figure 105, on peut sattendre trouver au moins quatre
constantes de temps ; nanmoins dans loptique dun compromis prcision/simplicit, nous
avons estim que seulement deux constantes de temps taient ncessaires et suffisaient dans
notre cas afin de dterminer au mieux l'volution transitoire des performances de notre
transistor.

I
0
(A) I
1
(A) I
2
(A)
0.424 0.0525 0.04

1
(s)
2
(s)
0.41e
-6
4e
-4

Tableau 16. Valeurs des diffrentes constantes de temps
Comme on connat la rsistance thermique, on trouve aisment la ou les capacits
thermiques qui collent au comportement transitoire du transistor, grce la relation :

th th th
C R = (III-6)
3. Le modle multi-cellules dans le
simulateur circuit
a. La Temprature au point de repos :
On remarque pour des rseaux I(V) tracs plusieurs tempratures (par exemple sur la
Figure 125) que le point de polarisation va varier avec la temprature ambiante. Le point de
repos correspond une puissance dissipe
ds0 ds0 diss
V I P = or le courant de repos volue avec
la temprature ambiante
a
T (Figure 106).

Figure 106. Courant de repos mesur en fonction de la temprature ambiante pour un transistor
12x100
Il faut donc prendre en considration cette variation du courant moyen dans le calcul de
la temprature de jonction :
T T T
a j
+ = avec ( )
a diss th
T P . R T = et ( ) ( )
ds0 a ds0 a diss
V . T I T P =
Pour nous ( )
a ds0
T I est un polynme de degr 2.
b. Le circuit thermique
Le modle lectrique qui reprsente le comportement thermique dune succession de
couches semiconductrices est donn sous la forme suivante :

Figure 107. Circuit Electrothermique quivalent pour un dispositif lectronique constitu de trois
matriaux semiconducteur
Ce schma quivalent peut tre mis sous la forme de cellule RC en srie. Cette
architecture en cellule nest pas une reprsentation physique du problme, nanmoins elle
prsente lintrt dtre extraite facilement car les lments R
th
et C
th
sont donns directement
par les mesures ralises prcdemment. En effet, la rsistance thermique est extraite par la
mthode lectrique du courant de drain et les deux constantes de temps thermiques sont
dduites de lallure temporelle de limpulsion (celles-ci nous permettent de choisir les
capacits adquates). Dans notre cas, on retiendra un schma lectrothermique compos de
deux cellules RC en srie.

Figure 108. Circuit thermique ADS pour le transistor PPH25X
Le paramtre dentre du circuit est la puissance dissipe, le paramtre de sortie est la
temprature de jonction (appele aussi temprature de canal).
La temprature du canal sera alors prise en compte dans les quations des lments
dpendant de la temprature dans le schma quivalent du transistor.
B. Le modle thermique rduit distribu
Les simulations 3D avec le logiciel ANSYS ont fait apparatre une diffrence de
temprature entre les doigts. Quantifier cette diffrence dans les logiciels de CAO permettrait
dvaluer la diffrence de performance entre chaque doigt et vrifier limpact de cet cart au
sein des composants MMIC (Microwave Monolithique Integrated Circuit).
Cette analyse passe par la transformation du modle physique complet gnr par la
mthode des lments finis en un modle beaucoup plus simple. En effet, le modle physique
extrait par ANSYS ncessitent un maillage relativement dense ce qui engendre des systmes
matriciels dordre lev difficilement implantables directement dans les simulateurs de
circuits lectriques. Il faut donc rduire lordre des matrices en conservant une bonne
prcision des rsultats. La mthode utilise est la technique de rduction des vecteurs de Ritz.
1. Technique de rduction
a. Principe [110]
Les mthodes de rduction se basent sur lexpression dun systme de dimension
rduite m (sous-espace) par rapport au systme originel de dimension n en conservant la
prcision des phnomnes dcrit au sein du composant [112][113]. Lquation de la chaleur
discrtise dun systme sexprime sous la forme matricielle suivante :

F T K T M = +

(III-7)

M est la matrice de masse.
K est la matrice de rigidit ou de raideur.
F est le vecteur de flux dinjection de puissance et de flux sur les surfaces.
T est le vecteur des tempratures.

Les matrices M et K sont supposes indpendantes de la temprature. Lquation de la
chaleur discrtise (III-7) est alors considre linaire comme un systme du premier ordre.

Le passage vers le sous-espace seffectue par une projection du vecteur des
tempratures T de dimensions (n1) de lespace originel sur le vecteur des tempratures
r
T
de dimensions (m1) dans lespace rduit. Cette projection seffectue grce une base de
vecteurs de Ritz
m
de dimension (nm) telle que m<<n.

r m
T T = (III-8)
Les vecteurs de Ritz sont des vecteurs orthogonaux mais non orthogonaux aux vecteurs
dexcitation de manire ne pas perdre de modes importants faisant partis de la rponse du
systme [114][115].
En remplaant T par
r m
T , lquation de la chaleur peut se mettre sous la forme :
F T K T M
r r r r
= +

(III-9)
avec
m r
M M = et
m r
K K = .
La transforme de Fourier permet dexprimer lquation (III-9) dans le domaine
frquentiel puis de dfinir limpdance thermique rduite
th
Z associe telle que :
) ( F ) ( Z ) ( T
th
= (III-10)
b. Procdure de gnration de limpdance
thermique rduite quivalente
Limplantation de limpdance thermique rduit
th
Z peut seffectuer par lintermdiaire
dun fichier netlist de type SPICE gnr par une routine cr par le laboratoire Xlim
[116][117].

En premier lieu, les matrices M , K et F sont extraites sous forme de deux fichiers
binaires partir du logiciel ANSYS [118] :
Un fichier model.full : ce fichier binaire stocke les informations de charge (densit de
puissance dissipe), les conditions de Dirichlet (temprature de fond de socle), toutes les
quations de contraintes et la matrice de rigidit K.
Un fichier model.emat : ce fichier binaire stocke toutes les composantes du systme
matriciel non considres par le fichier model.full .

Remarque : la taille de ces fichiers ncessite une capacit de stockage importante surtout pour
le fichier model.emat qui considre tous les degrs de liberts du systme tous les
nuds. Dans notre cas, la complexit de la demi-structure PPH25X implique la gnration de
fichiers dont la capacit totale se situe autour de 1,5Go.
De plus, un assemblage des matrices est ncessaire afin dappliquer la procdure de
rduction des vecteurs de Ritz sur le systme dquations diffrentielles. Ces fichiers sont
assembls autour de nuds slectionns grce lapplication Mor4ansys [119] qui extrait les
matrices M , K et F du systme linaire de lquation de la chaleur.

Le programme de rduction (dvelopp par Xlim) gnre ensuite un fichier netlist
incluant limpdance thermique rduite normalise par rapport au vecteur dexcitation F .
c. Ordre de rduction du modle
Cette tape consiste dfinir le nombre de vecteurs de Ritz permettant une modlisation
suffisamment fine des performances en rgimes tabli et transitoire. Plus le nombre de
vecteurs est grand, plus le comportement transitoire du modle sera prcis, mais en contre
partie, le modle sera gourmand en termes de ressources et de temps de calcul. Un modle
un vecteur de Ritz suffit prendre en compte le rgime tabli.
Le modle rduit choisi est celui 10 vecteurs de Ritz.
d. Intgration du modle sous ADS
La procdure de rduction permet de crer un fichier netlist dfinissant l'impdance
thermique rduite
r th
Z normalise. L'importation de ce fichier sous ADS gnre
automatiquement une boite dans laquelle se trouve le schma de circuit quivalent SPICE
(Figure 109).
Ce modle prend en compte le couplage thermique entre les diffrents doigts du
transistor. Les variables dentre sont les puissances dissipes par chaque doigt et la
temprature de socle appliqu au fond de la puce. En sortie, le modle est capable de nous
donner les tempratures de jonction (au niveau du canal, l o la puissance dissipe est la plus
leve) pour chacun des doigts.

Figure 109. Simulation en transitoire du rseau thermique distribu

Lintrt est donc de modliser simplement la rpartition de la temprature dans le
transistor lorsque celui-ci est en fonctionnement ainsi que son comportement transitoire. La
Figure 110 montre le comportement thermique du circuit lorsquune puissance dissipe
globale de 1W est applique au transistor. La simulation est ralise avec une temprature de
socle de 25C.

Figure 110. Comportement thermique du modle lorsquon applique la mme puissance sur chaque
doigt correspondant une puissance dissipe globale de 1W
Dans le logiciel de simulation thermique ANSYS, graphiquement le couplage entre les
doigts du transistor est visible (Figure 111). Le modle rduit extrait de ces simulations prend
donc naturellement en compte ces phnomnes.

Figure 111. Mise en vidence du couplage entre les doigts dans ANSYS
2. Distribution du modle
La distribution dans la modlisation de transistor a deux objectifs majeurs :
Une meilleure comprhension du fonctionnement interne du transistor. Cet aspect
sappuie gnralement sur une modlisation physique faisant intervenir les lois propres
aux semi-conducteurs, la thermique, llectromagntisme et la physique quantique.
Cette approche fournit galement une aide aux technologues.
Une meilleure prdiction des performances lectriques du transistor. Elle tire profit dun
plus grand nombre de phnomnes physiques pris en compte ou bien mieux modliss. Il
sagit principalement de topologies lectriques dans lesquelles, parfois, certains aspects
lectromagntiques sont intgrs. Ce type de modlisation est plus destin au concepteur
de circuit. Cette meilleure prdiction se fait souvent au dtriment de la complexit du
processus dextraction ainsi que par une diminution de la souplesse dutilisation en C.A.O.
Nous ne cherchons pas ici obtenir un modle plus prcis sur le plan lectrique, par
contre la distribution de notre modle va nous permettre de savoir la temprature associe
chacun des doigts.
Pour ce faire, nous devons connatre la puissance dissipe pour chacun des douze
doigts. Il faut donc disposer en parallle 12 transistors de 1 doigt et les relier au modle
thermique rduit. De plus, il est ncessaire de sassurer de la bonne distribution des selfs
modlisant les via hole c'est--dire les trous sous la source qui ramne la masse en
montage source commune.

Figure 112. Reprsentation de la distribution des selfs de via
Dans notre tude, seuls les doigts extrieurs ont leur propre trou. Les doigts intrieurs se
partage les selfs de via par groupe de deux (Figure 112).
Le modle complet distribu dans ADS est reprsent ci-dessous.

Figure 113. Modle distribu dans ADS du transistor 12x100 PPH25X
Avec ce modle on connat la temprature correspondante chacun des doigts.
V. Caractrisation de la dpendance
thermique des lments du modle
Cette caractrisation est effectue partir de mesures I(V) et de Paramtres [S] pulss
mesurs diffrentes tempratures sur le banc DIVA disponible UMS et sur le banc de
caractrisation du laboratoire de recherche Xlim Brive-la-gaillarde. La tension de repos
choisie est la tension typiquement utilise pour cette filire, V
gs0
= -0.4V et V
ds0
= 8V. Pour un
transistor 12x100 par exemple, ce point de repos correspond une puissance dissipe de 1.3W
et donc un T denviron 78C quil faudra prendre en compte dans le modle.
A. Objectif de la caractrisation
Cette caractrisation a pour objectif la modlisation des PHEMTs de puissance de type
PPH25X en temprature, cest dire trouver des lments qui pourraient varier en fonction de
la temprature dans ces transistors et modliser cette dpendance par des quations en relation
avec la temprature de jonction donne par le circuit thermique.
B. Extraction des lments intrinsques
partir des paramtres [S] mesurs en
temprature
Les mesures se sont portes sur un transistor 12x100 et sur un transistor 4x75. Pour
mettre en vidence les variations des paramtres en fonction de la temprature, les transistors
sont mesures un V
dsi
constant gal 6V et un V
gsi
qui varie de -1.6V 0.8V par pas de
0.1V, pour 5 tempratures diffrentes : -25, 0, 25, 50 et 75C. Les paramtres [S] sont
mesurs pour des frquences variant de 2 GHz 40 GHz.
Nous dcidons de prsenter les rsultats obtenus sur le plus petit des transistors (4x75).

Figure 114. Comparaison du courant de drain diffrentes tempratures
Le courant de drain aux diffrentes tempratures de chuck est reprsent Figure 114.
Nous constatons labsence de drive au niveau de la valeur de la tension de pincement et
laugmentation de lamplitude du courant lorsque la temprature diminue.
Lextraction des lments du modle linaire a t ralise la frquence 4 GHz, selon
la mthode de lextraction directe dont le principe est expos dans le chapitre prcdent.
Les lments sont donns ci-dessous en fonction de la temprature :

gs
et C
gd
, en fonction de la temprature

Figure 116. Extraction des paramtres intrinsques Gm et Gd, en fonction de la temprature


ds
, (Tau) et R
i
, en fonction de la temprature
On peut remarquer quil ny a pas vraiment dimpact de la temprature sur les capacits
non-linaires C
gs
et C
gd
, mais aussi sur R
i
, et C
ds
, en effet les variations observes sont
infrieures 10%. Par contre sur la conductance Gd et la transconductance Gm, c'est--dire
les drives de I
ds
, une variation logique avec la temprature semble apparatre.

Les paramtres [S] sont mesurs le long des courbes V
ds
= 6V. Cest--dire que
lorsque on se place V
ds
= 6V pour un V
gs
> 0.4V nous nous trouvons dans la zone o se
dclenche lavalanche due lionisation par impact (Figure 118).

Figure 118. Superposition dun modle prenant en compte lavalanche par ionisation par impact avec
les points de notre tude o sont mesurs les paramtres [S]
Lorsquon se trouve dans cette zone, thoriquement si la pente des courbes du rseau
I(V) augmente brutalement comme cest le cas ici, cela se traduit lors de lextraction partir
des paramtres [S] par laugmentation de la conductance de sortie
cte Vgs
Vds
Ids
Gd
=
= (Figure
119).

Figure 119. Comparaison mesures en temprature/modle avec avalanche ( 25C) au niveau du Gd
On peut remarquer sur la figure ci-dessus laugmentation du Gd, lionisation par impact
semble varier en temprature.

On peut noter la Figure 117 et ci dessous, le comportement de la capacit C
ds
en
opposition avec celui de Gd. En effet, la dcroissance de C
ds
se dclenche au mme endroit
que laugmentation de Gd.

Figure 120. Comparaison mesures en temprature/modle avec avalanche ( 25C) au niveau de C
ds

Le modle avec avalanche ne reprsente pas cette dcroissance, nous dduisons dans un
premier temps que la mthode ou les quations qui permettent lextraction ne sont peut-tre
pas valables lorsquon est en prsence de lavalanche due lionisation par impact.
C. Influence de la temprature sur la
frquence de transition et sur la frquence
maximale doscillation
Comme pour les lments intrinsques, la frquence de transition et la frquence
maximale doscillation sont extrais de la mesure de paramtres [S] au point de repos V
gs0
= -
0.4V et V
ds0
= 8V et au point de polarisation instantane V
gsi
= -0.3V et V
dsi
= 6V pour 5
tempratures de socle : -25, 0, 25, 50 et 75C. Nous reprsentons dans un premier temps la
variation du gain en courant
21
H et du gain maximum stable
MSG
G en fonction de la
temprature de socle la frquence de 10 GHz, puis dans un second temps ces mmes
paramtres sont tracs en fonction de la frquence sur une chelle logarithmique pour toutes
les tempratures afin de dterminer la frquence de transition et maximale doscillation.

Figure 121. Paramtres
MSG
G et
21
H 10 GHz en fonction de la temprature de socle
On peut remarquer que la variation de ces paramtres en fonction de la temprature
savre plutt linaire.

Figure 122. Influence de la temprature sur la frquence de transition

Figure 123. Influence de la temprature sur la frquence maximale doscillation
La frquence de transition Ft obtenue quand
Ft
21
H =1 tendance diminuer lorsque la
temprature augmente. Cette baisse de la valeur de Ft est bien conforme la thorie, car la
frquence de transition est proportionnelle la vitesse de saturation des porteurs. Or, celle-ci
dcrot lorsque la temprature augmente.
La consquence directe de cette baisse de valeur de la frquence de transition est la
diminution du gain en courant.
On peut estimer en regardant la Figure 123 que la frquence maximale doscillation
obit la mme loi que Ft. Cette baisse de la valeur de la frquence maximale doscillation
est une nouvelle fois conforme la thorie, car la frquence maximale doscillation est
proportionnelle la racine carre de la frquence de transition. Donc, si la frquence de
transition chute quand la temprature augmente, la frquence maximale doscillation fait de
mme. En consquence, la diminution de la frquence maximale doscillation lorsque la
temprature augmente entrane une chute du gain maximum disponible.
D. Etude des paramtres [S] en fonction de
la temprature
Nous allons prsenter les paramtres S
11
, S
21
et S
22
pour le point de polarisation
instantane V
gsi
= -0.3V, afin de dterminer si les lments extrinsques du transistor
dpendent de la temprature.

Figure 124. Paramtres [S] au point (-0.3V ; 6V) en fonction de la temprature
On ne peut dduire des mesures du 4x75 mais aussi du transistor 12x100 qui nest pas
prsent ici, une dpendance thermique notable des lments du schma quivalent, autre que
Gd et Gm.
E. Dpendance en temprature des
caractristiques I(V)
Cette partie concerne ltude du comportement en temprature des caractristiques :
I
ds
(V
ds
), I
g
(V
gs
) et I
g
(V
ds
). A partir de ces caractristiques on peut analyser limpact de la
temprature sur les diodes dentre mais aussi sur les phnomnes de claquage par avalanche.
La figure suivante montre la dgradation du courant de drain lorsque la temprature
augmente. La mesure a t effectue pour un transistor 8x100 trois tempratures au point de
repos typique de la filire PPH25X : V
gs0
= -0.4V et V
ds0
= 8V.

Figure 125. I(V) pulss trois tempratures diffrentes (-40, 25 et 80C) mais pour le mme point
de repos V
gs0
= -0.4V et V
ds0
= 8V
On peut remarquer galement Figure 125 lapparition plus rapide du phnomne
dionisation par impact dans les transistors AsGa lorsque la temprature diminue [120]. Aux
fortes tensions de grille, Le phnomne est aussi visible sur le courant de grille Figure 126.
La mobilit et la vitesse des porteurs diminuant avec laugmentation de la temprature, il
faudra donc plus dnergie llectron chaud et donc une tension plus grande aux bornes
du composant pour que celui-ci dclenche une avalanche.

Figure 126. Courant de grille mesur en mode puls pour trois tempratures, dans la zone
dionisation par impact
Cest le mme comportement thermique qui se produit sur le rgime de claquage off
state ou standard. En effet, lorsque la temprature diminue, le porteur froid aura plus de
vitesse et accumulera plus rapidement la quantit suffisante dnergie pour traverser la
barrire lectrostatique et provoquer le claquage du canal. La Figure 127 nous montre le
comportement de ce phnomne en fonction de la temprature.

ds
pour V
gs
= -1.4V et V
gs
= -2.4V, -40, 25 et
80C
A V
ds
nul, Le comportement du courant de grille, en fonction de la temprature, est
reprsent sur la caractristique ci-dessous :

gs
pour V
ds
= 0V, -40, 25 et 80C
Nous pouvons remarquer que lamplitude du courant fort V
gs
est plus leve mais que
la tension de seuil ne change pas lorsque la temprature est leve.
VI. Modlisations des effets thermiques
dans le transistor
Les mesures de rseaux I(V) prcdentes trois tempratures diffrentes (-40, 25 et
80C) et pour le mme point de repos (V
gs0
= -0.4V ; V
ds0
= 8V) vont nous servir modliser
les effets thermiques dans le transistor.
Aprs avoir optimis le modle pour la temprature ambiante (cf. chapitre prcdent), le
passage entre deux rseaux de courbes deux tempratures diffrentes s'effectue par la
modification d'un minimum de paramtres dans les quations du modle.
Remarque : Le nombre de piges ioniss est fix par la polarisation de repos (on admet dans
ce cas que la temprature a une faible influence sur les constantes de temps des piges).
A. Modlisation des sources de courant
Dans la source de courant du modle COBRA [87], on peut considrer que seule la
variation du paramtre appel suffit faire correspondre le modle en temprature. Les
paramtres I
dg
et IF, respectivement les facteurs des quations modlisants les phnomnes
davalanches au pincement et le phnomne dionisation par impact (cf. chapitre prcdent),
vont varier eux aussi avec temprature.
Les paramtres nominaux sont les paramtres extraits dans le Chapitre II : partir des
mesures temprature de socle gale 25C (temprature ambiante) et pour le point de repos
typique V
ds0
= 8V pour V
gs0
= -0.4V.
j
T est la temprature de jonction tel que :
( )
ambiante 0 gs 0 gs 0 ds 0 ds ambiante j
T I V I V Rth T T T + + = + = (III-11)
Les variations en temprature sont intgres dans le modle de la manire suivante :
( ) ( ) + =
j nom j
T T (III-12)
avec
3
e 846 . 1

= et 203 . 1 =

( ) ( )
2
j dg j dg dg
nom
dg j dg
T I T I I I T I + + = (III-13)
avec 62 . 4 I
dg
= ,
3
dg
e 9 . 36 I

= et
5
dg
e 36 . 8 I

=

( ) ( )
F I
j nom j
T F I 1 IF T IF

+ = (III-14)
avec
3
e 914 . 6 F I

= et 5 F I =

Figure 129. Comparaison mesures-modle sur le rseau de caractristiques de sortie I
ds
(V
gs
,V
ds
)
trois tempratures diffrentes

Figure 130. Comparaison mesures-modle sur le courant de grille lorsque le canal est pinc trois
tempratures diffrentes
B. Modlisation des diodes
Les diodes dentres reprsentent des gnrateurs de courant non linaires permettant de
modliser le courant positif de grille mesur pour les fortes valeurs positives des tensions V
gs

et V
gd
.

( )
( )
gd gd gd
gs gs gs
V alpha exp Isgd ID
V alpha exp Isgs ID
=
=
(III-15)
o
T . k . N
q
alpha
gd , gs
gd , gs
=
Les paramtres de diodes Isgs, Isgd, N
gd
et N
gs
varient avec la temprature :

Figure 131. Evolution de Isgs en temprature, comparaison mesure-modle

Figure 132. Evolution de Isgd en temprature, comparaison mesure-modle

gs
en temprature, comparaison mesure-modle

gd
en temprature, comparaison mesure-modle
On introduit alors dans lquation (III-69) les relations suivantes :
( ) ( )
j j
T s Isg exp s Isg T Isgs = avec
12
e 59 . 5 s Isg

= et
3
e 8 . 33 s Isg

=
( ) ( )
j j
T d Isg exp d Isg T Isgd = avec
11
e 77 . 1 d Isg

= et
3
e 25 . 21 d Isg

=
( )
gs j gs
2
j gs j gs
N T N T N T N + + = avec
5
gs
e 5 N

= ,
3
gs
e 8 . 21 N

= et 26 . 4 N
gs
=
( )
gd j gd
2
j gd j gd
N T N T N T N + + = avec
5
gd
e 3 . 6 N

= ,
3
gd
e 25 N

= et 7 . 4 N
gd
=
C. Rcapitulatif des valeurs des paramtres
du modle non linaire lectrothermique
Nous avons donc constat une dpendance en temprature sur la source de courant
drain-source, sur les gnrateurs davalanche et sur les diodes dentres, dans notre cas les
autres paramtres du modle restent inchangs avec la prise en compte des effets thermiques.
Les valeurs des paramtres du modle non linaire lectrothermique, pour un transistor
12x100 m, sont rcapitules dans les tableaux suivants :
La source de courant Ids COBRA modifie
( ) ( ) + =
j j
T T
nom

to
V
4.6
3
360e
=
nom

3
1.85e
= 1.2 =
21e
-3
274.5e
-3
-0.3 1.32 690e
-3
-2.48e
-3
-0.8 2.38
Tableau 17. Paramtres de la source de courant I
ds
COBRA modifie
La capacit non linaire C
gs

C0gs C1gs C2gs a
gs
b
gs
Vm
gs
Vp
gs

4.606e
-16
2.323e
-15
1.503e
-15
3.97 2.485 0.932 64.33e
-3

gs

La capacit non linaire C
gd

C0gd C1gd C2gd a
gd
b
gd
Vm
gd
Vp
gd

1.104e
-16
6.277e
-16
3.735e
-17
3.47 1.155 -0.309 11.98
gd

Gnrateur reprsentant lavalanche standard
( ) ( )
2
j dg j dg dg
nom
dg j dg
T I T I I I T I + + =

alpha
avdg
AG BG CG DG
8
7.21e
=
nom
dg
I

4.62 =
dg
I

3
36.9e
=
dg
I
5
8.36e
=
dg
I

0.512 1.6 1.514 -0.88 1.54
Tableau 20. Paramtres de la source de courant reprsentant lavalanche standard
Gnrateur reprsentant lavalanche due ionisation par impact
( ) ( )
F I
j nom j
T F I 1 IF T IF

+ =

IAF BF CF DF EF
5
2.75e
=
nom
IF
3
6.914e
= F I 5 = F I
1.2 0 1e
-3
-12.11 13.9
Tableau 21. Paramtres de la source de courant reprsentant lavalanche due ionisation par impact
Paramtres extrinsques
R
g
() L
g
(pH) C
gm
(fF) R
d
() L
d
(pH) C
dm
(fF) R
s
() L
s
(pH) C
sm
(fF)
1.083 28.925 37.754 0.521 24.453 63.436 0.521 2.847 67.086
Tableau 22. Valeurs de paramtres extrinsques
Paramtres intrinsques
C
ds
(pF) R
i
() T
au
(ps)
205.2 0.338 3.71
Tableau 23. Valeurs de paramtres intrinsques
VII. Les modles thermiques en
simulation
A. Validation du modle thermique
cellules RC
1. Vrification sur un transistor PPH25X
Un transistor PPH25X 12x130 a t mesur 10 GHz en grand signal mono-porteuse au
point de repos I
ds0
= 150mA ; V
ds0
= 8V par le sous-traitant de mesures MC2.
Les mmes mesures sont ralises temprature ambiante (25C) et 75C
(temprature de socle).
En prenant soin de simuler dans les mmes conditions dans lesquelles se sont droules
les mesures, on peut vrifier notre modle.
Temprature ambiante = 25C Temprature de socle = 75C

Temprature ambiante = 25C Temprature de socle = 75C

Figure 135. Comparaison mesures ( )-modle ( ) des critres de performance en puissance
dun transistor 12x130 m de dveloppement deux tempratures diffrentes
2. Amplificateur MILEA : comparaison
mesure-simulation diffrentes
tempratures
Des mesures de paramtres [S] cinq tempratures ont t effectues UMS sur
lamplificateur MILEA (cf chapitre prcdent). Les mesures du gain bas niveau (S
21
) sont
compares aux simulations obtenues en intgrant dans la schmatique le modle non linaire
lectrothermique multi-taille (Figure 136).

Figure 136. Comparaison mesures (traits pleins)modles (traits en pointill) sur le paramtre S
21
de
lamplificateur mesur en temprature
Le paramtre S
21
est le seul paramtre varier significativement avec la temprature
ambiante. On remarque que le modle reproduit la mesure quelque soit la temprature
applique.
B. Intrt du modle thermique rduit
1. Comparaison des deux circuits
thermiques
Il sagit ici de valider le modle rduit extrait de la simulation sur ANSYS. Le Tableau
24 donne les tempratures finales de canal fournies par le modle, pour une puissance injecte
total de 1 Watt et une temprature de socle de 0C. Dun point de vue statique, le modle
rduit offre peu de diffrence avec le modle thermique RC.
Tcanal finale en C
Tj 1
Doigt central
Tj 2 Tj 3 Tj 4 Tj 5
Tj 6
Doigt extrieur
Modle thermique 61.09 61.01 60.68 60.24 58.72 56.37
Tableau 24. Valeurs finales des tempratures de canal pour chaque doigt du transistor
La rponse des deux modles un chelon de puissance dissipe est reporte sur la
Figure 137.

Figure 137. Comparaison du comportement transitoire de la temprature du doigt central pour le
modle ANSYS avec le comportement transitoire de la temprature obtenue avec le modle thermique
deux cellules RC
Le comportement transitoire des deux modles est trs diffrent, le modle rduit est
considr comme relativement prcis car il est issu dune simulation thermique assez proche
de la ralit. Le modle thermique constitu de deux cellules RC savre trop approximatif,
lutilisation de deux constantes de temps uniquement semble tre insuffisante.
2. Profil de temprature sur le transistor
12x100
La rduction et la distribution du modle nous permettent de connatre la rpartition de
la temprature de jonction sur les doigts du transistor.
On dtermine ci-dessous le profil de temprature lors dune simulation de puissance, le
transistor est polaris V
gs0
= -0.4V et V
ds0
= 8V, la frquence du signal autour de ce point de
repos est fixe 10 GHz. Limpdance vue en sortie par le transistor est choisie de manire
obtenir le maximum de puissance en sortie.

Figure 138. Profil de temprature sur le transistor 12x100 lors dune simulation en puissance pour
une charge de sortie optimale et pour une frquence de 10 GHz
La diffrence de temprature entre un fonctionnement bas niveau et en saturation
sexplique par la prsence dun rendement plus lev fort niveau et donc dune moins
grande puissance dissipe.
Sur les figures ci-dessous, sont reprsents les cycles de charge bas niveau et en fort
signal pour le doigt du centre et le doigt extrieur.

Figure 139. Comparaison entre les cycles de charge intrinsque du doigt extrieur et du doigt central
bas niveau (a) et 1dB de compression (b)
La diffrence de comportement grand signal entre les doigts extrieurs considrs
comme les plus froids et les doigts centraux plus chauds, parait donc ngligeable pour les
transistors PHEMTs.
VIII. Conclusion
Ce chapitre dveloppe une mthode pour la cration dun modle thermique et prsente
les principes des changes thermiques et les lois mathmatiques associes.
Les besoins rcents en termes dvaluation de la temprature dans les systmes et
laugmentation des puissances mises en jeu, rendent lanalyse thermique des composants
indispensable.
Deux modles thermiques ont t extraits par lintermdiaire de deux mthodes
diffrentes :
- Un modle introduisant des cellules RC partir de mesures lectriques
- Un modle rduit partir de simulation numrique
- Concernant la simulation numrique, la difficult a consist rduire prs de 500000
lments utiliss pour la discrtisation (maillage), afin dintgrer un modle plus rduit
dans le simulateur lectrique, tout en restant cohrant et prcis avec la simulation numrique.
La modlisation et la caractrisation thermique complte du transistor de la filire
PPH25X ont t ralises dans ce chapitre. A UMS, la prise en compte de la thermique dans
les modles tait rserve jusqu prsent aux transistors bipolaires htrojonction.
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Chapitre IV : Les effets parasites dans les PHEMTs AsGa
CHAPITRE IV : LES EFFETS
PARASITES DANS LES PHEMTS
ASGA
I. Introduction
Les phnomnes davalanche font partie des effets limitatifs des transistors
hyperfrquences. Analyser leur comportement permet de limiter la zone dutilisation des
composants. Leurs variations avec la temprature sont tudies, grce aux mesures en
impulsion dans le chapitre prcdent. Lavalanche due lionisation par impact a fait lobjet
dune tude particulire.
La technologie rcente des transistors PHEMTs double recess nest pas sans dfaut.
Cela se traduit par les effets de piges qui affectent considrablement la puissance de sortie
des transistors (gate-lag, drain-lag). Nous tudierons ces phnomnes dans un deuxime
temps. Lors des nombreuses campagnes de mesures effectues, diffrentes tailles de
transistors ont t caractriss, un effet kink important apparat dans la zone de forte
tension de drain et de fort courant de drain. Ltude de ce phnomne conclura la partie
ddie aux phnomnes de piges.
Loptimisation des performances des transistors passe par la connaissance des effets
limitatifs regroupant les phnomnes thermiques, davalanches et de piges. La bonne
comprhension de ces phnomnes passe par la mise au point de nouvelles mthodes de
caractrisation afin de les modliser au mieux et ainsi prdire leurs comportements. La
troisime grande partie de ce chapitre montrera les rsultats obtenus sur la filire PPH25X par
ces nouveaux types de bancs de mesures.
II. Les effets de piges dans les
transistors PHEMTs AsGa de puissance
A. Prsentation du phnomne
La demande de circuits intgrs performants pour les applications de puissance en
rgime hyperfrquence implique la ncessit de concevoir des transistors avec des pitaxies
complexes et des structures adaptes. En effet, on peut citer deux exemples comme la
diminution des longueurs de grille tout en loignant les plots de source et de drain par rapport
la grille (simple et double recess), et laugmentation de la taille des canaux avec des
htrojonctions (simple ou pseudomorphiques), ces volutions ont rendu difficile la matrise
des processus technologiques de fabrication.
La prsence dimpurets ou de dfauts dans le rseau cristallin et en surface, due la
ralisation non idale des transistors, gnre des tats nergtiques qui peuvent tre occups
par des porteurs dans la bande interdite du matriau semi-conducteur. Ces porteurs sont alors
retenus pendant un temps t dans ces niveaux d'nergie, et ne peuvent pas participer la
conduction. Ce sont les phnomnes de piges.
B. Les diffrents phnomnes de piges
Les effets de piges peuvent tre regroups en trois catgories : les effets de self-
backgating , de gate-lag et de sidegating .
Les effets de Sidegating et Backgating
Les phnomnes de capture et d'mission d'lectrons dus la proximit de diffrents
composants lors d'une conception dans un environnement MMIC sont regroups sous le terme
sidegating . En effet, la proximit de transistors effet de champ peut les rendre non
indpendants les un des autres ; c'est dire qu'un potentiel appliqu en un point du circuit peut
venir modifier celui prsent sur le composant.
D'autres effets parasites dpendent de la technologie employe par le fondeur et du
niveau d'impuret du substrat. Tous ces phnomnes sont regroups sous les termes de
sidegating et de backgating [124][125][126]. Il en rsulte des rgles de dessin sur les
dimensions gomtriques des MMICs afin de limiter les consquences de ces phnomnes.
Le phnomne de Gate-lag
Les piges de surface sont l'origine de ce phnomne. Ils apparaissent lorsque la
commande de grille passe d'un tat de pincement un tat de conduction, ce qui se traduit par
des tats transitoires sur le courant de drain. Ce phnomne affecte surtout les circuits
numriques fonctionnant grande vitesse.

Figure 140. Mise en vidence du phnomne de gate-lag
Le phnomne de Self-backgating ou Drain lag
La cause principale du Self-backgating est due aux impurets prsentes dans le
substrat semi-isolant.. Lors dune variation rapide du champ lectrique entre le drain et la
source, les lectrons provenant du canal peuvent tre pigs rapidement dans le substrat. Le
substrat proche du canal devient alors charg ngativement. Ces lectrons peuvent tre ensuite
re-mis avec des constantes de temps plus longues. Lquilibrage des charges implique alors
lapparition dune zone charge positivement linterface canal substrat dans le canal. Le
canal est alors momentanment pinc par une deuxime grille au niveau de cette interface
do le terme de self-back-gating . Cest le phnomne le plus prsent dans les PHEMTs
AsGa. Le principal effet du self-backgating se traduit par la rponse transitoire du courant
I
ds
.
C. Impact des piges sur les PHEMTs AsGa
1. Mise en vidence des piges dans les
transistors PHEMTs AsGa
Les phnomnes de piges capturent puis librent les porteurs (lectrons) qui participent
au courant dans le canal. Ces effets sont plus ou moins prdominants en fonction de la filire
(MESFET, PHEMT ou HEMT GaN), la quantit de piges dans les PHEMTs AsGa est
relativement moins limitative que dans le GaN de part sa maturit technologique et sa plus
grande mallabilit.
Nanmoins, dans les PHEMTs AsGa, ces effets de piges altrent considrablement les
performances des transistors. La technique de mesures en mode puls permet de sparer les
effets des piges des effets thermiques, et ainsi, de voir linfluence des piges sur le
comportement lectrique des transistors PHEMTs. En mesurant trois rseaux I(V), pour trois
points de repos diffrent dissipant tous les trois la mme quantit de chaleur, on peut mettre
en avant la prsence dun phnomne parasite qui fait varier lallure du rseau suivant la
position du point de polarisation.

Figure 141. Mise en vidence des piges dans les transistors PHEMT
La Figure 141 montre la diffrence entre les trois rseaux pulss puissance dissipe
identique, on peut voir galement que lorsque tous les piges sont ioniss, les caractristiques
se rejoignent.
2. Influence de la tension de polarisation
V
ds0
sur les effets des piges ( drain-
lag )
Le terme drain lag est utilis pour dcrire le phnomne transitoire du courant de
drain lorsque la tension de drain est pulse de ltat OFF (V
ds
=0) ltat ON (V
ds
>0) pour une
tension de grille constante. On observe alors une dcroissance du courant I
ds
durant cette
impulsion, si celle-ci est suffisamment longue. En fait, ce phnomne correspond aux effets
dispersifs de piges du substrat semi-isolant dus au champ lectrique de sortie gnr par la
commande V
ds
( Self-backgating ).
Pour mettre en vidence, limpact du phnomne de drain-lag sur les performances des
transistors PHEMTs AsGa, nous ralisons trois jeux de mesures diffrentes puissance
dissipe nulle sur un transistor PPH25X 8x100.
Pour commencer, nous ralisons une premire srie de mesures pour lesquelles le
transistor est polaris de la manire suivante : V
gs0
= -1.4V et V
ds0
= 0V ; puis nous polarisons
ce mme transistor V
ds0
= 4V puis V
ds0
= 8V. La dure et la priode des impulsions sont
respectivement de 500 ns et 1 ms afin de minimiser lauto-chauffement.

Figure 142. Mthode de caractrisation pour la mise en vidence des effets de drain-lag
Lorsque nous superposons les trois rseaux de sortie (Figure 143) obtenus partir des
mesures pulses dcrites prcdemment, nous constatons une diminution importante du
courant dans la zone de pige. Cette baisse du courant de sortie entrane une diminution de
lexcursion du cycle de charge, et par voie de consquence, une baisse significative de la
puissance de sortie.

Figure 143. Influence de la tension de drain sur un transistor PHEMT AsGa 8x100m, avec une
puissance dissipe nulle
3. Influence de la tension de polarisation
V
gs0
sur les effets des piges ( gate-
lag )
Agissant sur le mme principe de caractrisation que le phnomne de drain-lag , On
ralise trois nouveaux jeux de mesures toujours sur le mme transistor et puissance dissipe
nulle. On fixe maintenant la tension de polarisation V
ds0
0V et on fait varier la tension de
grille (Figure 144). Comme prcdemment, la dure et la priode des impulsions sont
choisies pour limiter lauto-chauffement.

Figure 144. Influence de la tension de grille sur un transistor PHEMT AsGa 8x100m, avec une
puissance dissipe nulle
On peut remarquer un plus grand cart entre le rseau polaris V
gs0
= -1.4V (<Vp) et
les deux autres rseaux V
gs0
= -0.4V et V
gs0
= 0.4V fort courant I
ds
. Ce comportement peut
tre expliqu de la manire suivante : lorsque V
gs
est gale 0.4V le canal est lgrement
dplt sous la grille. Ainsi la densit ionise des accepteurs profonds varie peu entre les tats
OFF et ON de V
gs
. Dans ce cas, le phnomne de gate-lag est faible. En revanche, lorsque
V
gs0
= -1.4 V, le canal est entirement dplt de la source vers le drain et la densit ionise
des accepteurs profonds varie beaucoup entre les tats OFF (V
gs
= -1.2V) et ON de V
gs
c'est-
-dire entre V
gs
= -1.2V et V
gs
= 0.8V.
Autrement dit, lorsquon gnre une impulsion sur la grille partir dun rgime o le
transistor est pinc, le courant de drain reste faible jusqu ce que la zone de dpltion
commence capturer ou mettre des porteurs pour que sa densit ionise change et ainsi
laisse passer le courant sous la grille. Cela se traduit par des transitoires du courant Id plus
importants et des rseaux I(V) pulss dgrads. Ceci provient du fait que laccepteur profond
agit comme un pige trou.
4. Leffet kink
Leffet kink reprsente une augmentation soudaine du courant de drain pour une
certaine valeur de tension de drain, entranant ainsi laugmentation de la conductance de drain
Gd et la compression de la transconductance Gm, dgradant alors les performances des
transistors effet de champ [128]. Plusieurs auteurs mettent en avant le lien direct entre
lionisation par impacts et les effets de piges pour expliquer leffet kink
[129][130][131][132][133].

Afin de constater si ce phnomne existe dans les transistors PPH25X, on se place dans
les conditions suivantes :
- V
gs0
= -1.4V, pour saffranchir de leffet thermique car le courant I
ds0
est nul (transistor
pinc).
- V
ds0
= 8V, car la quantit de piges ioniss dans le cas de cette polarisation est trs
importante. En effet, les piges de surface et les piges de substrat/buffer sont mis
contribution.


Figure 145. Mesure I
ds
(V
ds
) dun transistor 12x150 au point de polarisation V
gs0
= -1.4V et V
ds0
= 8V :
(a) rseau entier ; (b) zoom sur leffet kink sur les courbes V
gsi
= 1V et V
gsi
= 0.6V
Leffet kink se remarque par un recul de la tension de drain lorsque se produit un saut
de courant. Une explication thorique est donne par C. Charbonniaud [127]. Lauteur met en
vidence un phnomne dhystrsis qui correspond linteraction piges/ionisation par
impact vue par lappareil de mesure. Il introduit galement des quations de transport reliant
les phnomnes dionisation par impact et de piges sous la forme dun systme diffrentiel
non linaire. La solution de ce systme peut prsenter des phnomnes de sauts tels que ceux
observs exprimentalement (Figure 145).
D. Conclusion
Ltude des effets des piges a montr clairement leur implication dans la rduction de
lexcursion du cycle de charge, et donc dans la diminution de la puissance de sortie.
Il faut savoir quil existe des mthodes de caractrisation [134][135] qui ont permis
dextraire des modles pour prdire les effets de piges [136][137][138].
III. Les phnomnes de claquage par
avalanche
A. Pourquoi les analyser ?
La comprhension des phnomnes de claquage par avalanche dans les transistors
effet de champ est ncessaire pour dcrire les limites dutilisation. En effet, lanalyse en
fonctionnement grand signal des TECs montre une nette saturation de la puissance de sortie
de ceux-ci partir dun certain niveau de puissance dentre. Cette saturation est due une
combinaison de deux effets diffrents : la conduction de la grille lorsquelle se trouve
polarise en direct, mais aussi leffet de lavalanche grille-drain.
Lanalyse des phnomnes de claquage est aussi importante pour amliorer les
structures des composants destins lamplification de puissance hyperfrquence, par
exemple la prsence dune grille plus ou moins profonde par rapport aux plots de drain et de
source (recess) permet daugmenter ou de diminuer la tension pour laquelle se dclenche le
claquage.
Les travaux de R.E.Leoni [122] ont montr les effets de la dgradation progressive de
lavalanche grille-drain qui se produit souvent en fonctionnement fort rendement des
transistors PHEMTs de puissance. En effet, dans des conditions de stress acclr, la tension
davalanche augmente et le courant inverse de grille peut atteindre des valeurs relativement
considrables aprs 24h entranant la dgradation des performances en puissance large signal
du composant. Ces rsultats ont permis daffirmer que lexcursion du cycle de charge en zone
davalanche affecte la fiabilit des transistors. Bien modliser les phnomnes davalanche
savre donc galement essentiel pour tudier la robustesse des transistors PPH25X.
Nous allons voir que ses effets limitatifs sont principalement dus des effets de
claquage soit au niveau de la grille, soit dans le canal. On distingue deux principaux
phnomnes qui sont pris en compte dans notre modle : lavalanche due lionisation par
impact (appel aussi claquage on state ) et lavalanche dite standard (ou aussi appel
claquage off state ) qui apparat lorsque le transistor est pinc.
B. Lavalanche au pincement
Lapplication dune forte polarisation inverse sur la grille Schottky (c'est--dire que le
transistor est pinc) lorsque la tension V
ds
est grande, entrane laugmentation du champ
lectrique dans la zone dpeuple permettant aux quelques porteurs prsents dans cette zone
dacqurir une nergie suffisante pour provoquer un claquage. Lavalanche se produit alors au
niveau des bords de llectrode de grille ct drain, ce phnomne entrane laugmentation
rapide du courant de drain et lapparition dun courant de trous se dplaant vers la grille,
cest le phnomne davalanche standard.

Figure 146. Avalanche standard du transistor PPH25X
Le phnomne d'avalanche standard peut tre repouss vers des tensions V
ds
plus
grandes en modifiant la gomtrie en coupe du transistor par la technologie du recess ,
c'est--dire du creusement de la grille, ce qui permet de diminuer le champ lectrique entre les
lectrodes de drain et de grille et donc de s'loigner de la valeur critique de champ lectrique
d'avalanche.
C. Lionisation par impact [123]
1. Le phnomne
Elle rsulte de la collision des porteurs de haute nergie avec les atomes du rseau
cristallin. Les lectrons incidents transfrent une partie de leur nergie aux particules
percutes. Lorsque cette nergie est suffisante, on aura une succession de cration de paires
lectrons-trous : Cest le phnomne dionisation par impact.
Dans les transistors effet de champ, le mcanisme dionisation se produit dans le canal
entre la grille et le drain, l o existent les plus forts champs lectriques (Figure 147).

Figure 147. Franchissement de la barrire due lhtrojonction par les trous et origine de trois
courants : un courant positif dlectrons vers le drain et deux courants de trous ngatifs vers la source
et la grille.
En polarisant le transistor entre drain et source, le champ lectrique peut devenir
suffisamment intense pour provoquer lionisation par impact. Les lectrons ainsi crs
participent au courant drain (Figure 148) tandis que les trous gnrs vont soit franchir la
barrire due lhtrojonction suprieure et remonter vers la grille, soit tre collects par la
source.

Figure 148. Mise en vidence du phnomne davalanche par ionisation par impact dans un PHEMT
AsGa par des mesures en impulsion
Laugmentation du courant de grille en rgime dionisation par impact fait apparatre
des courbes en forme de cloche sur les caractristiques Ig(V
gs
) reprsentes sur la Figure 149
suivante :

Figure 149. Caractristiques Ig(V
gs
) dun PHEMT double recess de grille et deux plans de dopage
2. Le modle
Le modle prsent dans le chapitre II nous a permis destimer entre 80 et 100 (selon les
transistors mesurs) le rapport entre la valeur du courant partant dans le drain et la valeur du
courant partant vers la grille.
0 0 1
Iav_ion
Iav_ion
80
dg
ds
< <
La simulation du modle intgrant lexpression
dg
Iav_ion , c'est lexpression du courant
de trou partant vers la grille, nous donne les caractristiques Ig(V
gs
) ci-dessous pour un
transistor 8x100.

Figure 150. Courbes en cloche simules avec le modle
Nous pouvons remarquer que ce rsultat est en accord avec la mesure, nanmoins le
modle intgrant lavalanche due lionisation par impact entre la grille et le drain introduit
des risques de non convergence au niveau du simulateur comme nous lavions prcis dans le
chapitre prcdent. Lexponentielle trop violente prsente sur la grille dpolarise le transistor.
Cette dpolarisation du transistor apparat en simulation mais ne se produit pas en mesure. Il
faut donc tre vigilant sur lutilisation de cette quation.
IV. Lionisation par impact dpend elle
de la frquence ?
A. Mise en vidence du comportement en
frquence de lionisation par impact
Le point de dpart de cette analyse est lextraction des lments du modle linaire
ralise plusieurs tempratures (voir Chapitre III). Lors de la caractrisation thermique nous
avons pu voir qu V
dsi
constant et lorsque V
gsi
varie jusqu atteindre la zone o est localise
lionisation par impact, la conductance Gd augmentait pour les V
gs
levs (ce qui est normal
puisque Gd est la pente des courbes du rseau I(V)). Lextraction tait alors ralise 4 GHz.
Nous nous sommes donc intresss aux comportements du paramtre Y
22
(intrinsque) en
fonction de la frquence.
Nous rappelons que :
( ) ( )
22 12
Y Re Y Re Gd + = (IV-1)
et
( ) ( ) ( )
22 12 ds
Y Im Y Im
1
C + =
(IV-2)
Avec ( ) 0 Y Re
12
= car il ny a pas de rsistance Rgd entre drain et source dans notre
modle.
Pour vrifier notre hypothse, nous avons mesur en mode puls, pour saffranchir des
effets thermiques, les paramtres [S] dun transistor 12x125. La mesure est effectue au point
de repos V
gs0
=-0.4 et V
ds0
=8V et temprature ambiante. Les paramtres [S] sont mesurs de
0.5 GHz 20 GHz par pas de 0.25 GHz pour avoir le maximum de prcision sur les mesures.
Des paramtres [S] nous pouvons extraire les paramtres [Y].
Les caractristiques suivantes montrent lvolution de lallure des courbes ( )( ) f Y Re
22
et
( )( ) f Y Im
22
en fonction du point de polarisation instantane lorsque V
dsi
est constant (=7V).

Figure 151. Partie relle et imaginaire du paramtre Y
22
intrinsque en fonction de la frquence pour
V
dsi
fix 7V et V
gsi
qui varie de -1.2V 1V par pas de 0.1V
On peut remarquer qu basse frquence les parties relle et imaginaire varient plus
fortement avec la position du point de polarisation, quaux hautes frquences.
La conductance de sortie Gd statique extraite partir du rseau I(V) puls, c'est--dire la
drive du courant par rapport V
ds
, est donne ci-dessous pour un V
gsi
= 1V.

Figure 152. Conductance Gd statique dun transistor 12x125 V
gs
= 1V en fonction de V
ds

On peut voir qu V
dsi
= 6.5V dans la zone dionisation par impact, Gd vaut 76mS en
statique, autrement dit 0 GHz. A partir des paramtres [Y], toujours dans la mme zone, Gd
vaut environ 80 mS 0.5 GHz. En revanche pour des frquences suprieures 6 GHz la
conductance de sortie nest plus que de 25 mS. Qui plus est pour des valeurs de la tension
grille source plus faibles (cest--dire en dehors de la zone dionisation) cette conductance
reste constante en fonction de la frquence.
Ce raisonnement nous fait penser que leffet du lionisation par impact ne se peroit
pas aux hautes frquences.
B. Dtermination dune frquence de
coupure et des lments de filtrage
Nous nous plaons le plus loin possible dans la zone o est localis le phnomne
dionisation par impact V
gsi
= 1V et V
dsi
= 7V.
Nous appliquerons notre raisonnement uniquement sur le courant davalanche drain-
source
ds
Iav_ion .
Si on suppose que le courant dionisation est coup haute frquence, il faut modifier le
schma quivalent de notre modle. Les deux alternatives possibles sont : court-circuiter la
commande de la source davalanche ou ouvrir en HF la branche o se trouve le gnrateur
ds
Iav_ion par lintermdiaire dune inductance place en srie agissant comme un filtre
passe-bas (Figure 153).

Figure 153. Schma quivalent grand signal impliquant le filtrage de lionisation haute frquence
On choisit de filtrer le courant avec linductance Lx en srie, le schma petit signal
V
1
=0 pour calculer Y
22
est le suivant :

Figure 154. Schmas quivalents petit signal (BF) pour calculer Y
22

G
x
est la conductance correspondant au courant dionisation. Si on recalcule Y
22
, on a :

x x
gd ds 22
jL R
1
jC jC Gd Y
+
+ + + = (IV-3)
avec
x
x
G
1
R =
On en dduit :
( )
2 2
x
2
x
x
22
L R
R
Gd Y Re
+
+ = (IV-4)
( )
|
|
|
|
|
\
|
+
+ =

x
2
x
x
ds gd 22
L
R
L
1
C C Y Im (IV-5)

0.024
Fc; 1.00E+09
Gx+Gd; 0.09
0.00E+00
1.00E-02
2.00E-02
3.00E-02
4.00E-02
5.00E-02
6.00E-02
7.00E-02
8.00E-02
9.00E-02
1.00E-01
0.00E+00 5.00E+09 1.00E+10 1.50E+10 2.00E+10
Freq (Hz)
R
e
l
(
Y
2
2
)
Rel(Y22) mesur
Gd
Fc
Gx+Gd

Figure 155. Partie relle de Y22 V
gsi
= 1V et V
dsi
= 7V en fonction de la frquence
Lorsque est grand, ( )
22
Y Re tend vers Gd , graphiquement on retient Gd = 24 mS
(Figure 155).
x
G est gale : ( ) Gd Y Re
0 f
22

=
soit 66 mS. On estime la frquence de
coupure graphiquement galement, Fc est aux alentours de 1 GHz. On peut maintenant
dduire une approximation de linductance qui va nous permettre de couper le phnomne
dionisation par impact. La frquence de coupure pour un circuit RL srie est dfinie par la
relation :

x
x
L . . 2
R
Fc
= (IV-6)
Avec 15
G
1
R
x
x
= = et
9
c
10 . . 2 Fc . . 2 = =
On a alors nH 4 . 2
R
L
c
x
x
= =

Au del de lamlioration de la modlisation apporte par ce nouveau circuit, cette
tude doit tre confirme par de nouvelles techniques de caractrisation en grand signal. Cette
amlioration doit aussi permettre de mieux valuer les performances du circuit dans des
conditions de fonctionnement extrmes : forte compression, forte dsadaptation.
C. Rsultats Mesures-Modles au point V
gsi

= 1V et V
dsi
= 7V
En introduisant linductance, estime prcdemment, en srie avec le gnrateur de
courant dionisation, on estime que le phnomne est suppos prsent uniquement basse
frquence (< 1 GHz). Les caractristiques mesures et simules du paramtre Y
22
en fonction
de la frquence sont traces ci-dessous pour deux tailles de transistor 12x125 et 4x75.
Transistor 12x125 :

Figure 156. Comparaison mesures ( ), simulation avec le modle ( ) pour un transistor
PPH25X 12x125 m
La diffrence entre le modle et la mesure sur la partie relle de Y
22
peut sexpliquer par
la diffrence quil existe entre le Gd
RF
extrait des paramtres [S] et le Gd
DC
issue de la drive
du courant de drain.
Transistor 4x75 :

Figure 157. Comparaison mesures ( ), simulation avec le modle ( ) pour un transistor
PPH25X 4x75 m
Les mesures sont ralises temprature ambiante. On peut remarquer que lallures de
Y
22
dans la zone dionisation par impact est trs proche du modle avec linductance en srie
avec le gnrateur de courant
ds
Iav_ion .
D. Rsultats Mesures-Modles V
dsi

constant
Avec les caractristiques suivantes on peut mettre en vidence notre ide en tudiant
comment volue lallure de Y
22
lorsquon se dplace, par lintermdiaire du point de
polarisation, vers lionisation par impact.

Figure 158. Comparaison mesures ( )-simulation avec le modle ( ) pour un transistor
PPH25X 4x75 m
La Figure 158 reprsente la comparaison mesures-simulation 25C jusqu 10 GHz ;
ces mesures confortent notre ide que le phnomne concerne les basses frquences.
E. Comportement du phnomne en
fonction de la temprature
Dans ce chapitre, nous avons caractris lavalanche due lionisation par impact en
fonction de la temprature. On sait que plus la temprature de jonction est faible, plus
lavalanche se dclenche tt sur les caractristiques. On doit pouvoir constater cet effet sur le
paramtre Y
22
, en se plaant sur un point du rseau appartenant la zone dionisation. Le
modle lectrothermique ajout au modle davalanche doit retranscrire la variation de Y
22
en
fonction de la temprature de socle (Figure 159).

Figure 159. Variation de Y
22
en fonction de la temprature de socle au point V
gsi
= 1V et V
dsi
= 6V
Cette variation en temprature de Y
22
aux basses frquences illustre lide que le
phnomne dionisation par impact est BF (Basse Frquence).
F. Conclusion
Nous avons mis au point un modle qui permet de supprimer lionisation par impact
haute frquence, cependant il na pas pour objectif dtre prcis mais il nous donne une ide
sur le comportement du phnomne. Si notre hypothse est vraie, en basse frquence, la
conductance Gd doit retrouver sa valeur obtenue lors dune mesure statique. Pour comprendre
ces phnomnes les mthodes de caractrisation classique ne suffisent plus. Nous allons voir
dans la suite de ce chapitre de nouvelles perspectives de caractrisation.
V. Validation en rgime de grand signal
RF
A. Introduction
Les contraintes en termes de performance et de fiabilit impliquent la connaissance
exacte du comportement en rgime grand signal dans toutes les zones de fonctionnement. Le
transistor de puissance PPH25X est gnralement utilis en classe de fonctionnement AB,
mais il est souvent demand de tester les amplificateurs de puissance plusieurs niveaux de
compression et sur diffrentes adaptations de sortie.
B. Comportement du cycle de charge dans
les zones davalanche : mesures sur le
banc LPT [139]
Lacronyme LPT (Load Pull Temporel) dsigne le banc de mesure de type load pull
permettant de mesurer les formes dondes temporelles aux accs des transistors, en
introduisant dans larchitecture des bancs load pull classique, un instrument rcepteur RF
appel LSNA.
Le systme LSNA (Large Signal Network Analyser) est un outil trs utile permettant la
mesure des ondes temporelles des tensions/courants aux accs des transistors, en
fonctionnement grand signal et en une seule acquisition. Le LSNA permet aussi de
caractriser la dynamique du cycle de charge extrinsque.
1. Description du banc de mesure
La structure du banc LPT a t labore par Fabien De Groote dans le cadre de ses
travaux de thse avec le laboratoire XLIM [139]. Llment principal de ce banc est le LSNA
pour la mesure des formes dondes temporelles mais la structure du banc permet de garder
toutes les possibilits dun banc load pull classique.
Les autres lments qui constituent le banc sont :
un tuner dentre
un tuner de sortie
un tube ondes progressives pour alimenter en puissance RF des transistors de puissance
ou trs dsadapts
une source RF avec option de puissance, pour fournir jusqu 25 dBm
des alimentations continues jusqu 50 V sur le drain
La figure suivante donne le schma du banc de mesure de transistors tel quil est utilis
pour les mesures ralises sur les transistors PPH25X.

Figure 160. Banc de mesure LPT XLIM Brive
Les mesures prsentes sont ralises avec des tensions de polarisations continues (CW)
et des frquences fondamentales de 2 GHz ou 4 GHz.
Remarque : Le banc de mesure est limit en frquence 20 GHz par le matriel utilis,
notamment par les cbles et les connecteurs. Or pour reconstituer au mieux les formes
dondes, il est prfrable davoir le maximum de frquences harmoniques associes la
frquence fondamentale (2f
0
, 3f
0
,, nf
0
). Cest pour cette raison quil na pas t possible de
mesurer les transistors PPH25X de plus hautes frquences o ils sont gnralement utiliss.
Lors de nos manipulations 2 et 4 GHz, le nombre de frquences harmoniques
associes est respectivement de 9 et 5.
2. Caractrisation de composants PHEMT
AsGa
Le principe de cette caractrisation est lobservation du comportement des transistors
PPH25X sur lallure des formes dondes tensions/courants. Les mesures prsentes dans cette
partie sont parmi les premires ralises sur ce type de composants. Dans un premier temps,
notre tude sur le banc LPT a consist valuer nos transistors, c'est--dire analyser leurs
ractions en appliquant diffrentes conditions de mesures et ainsi nous clairer sur la faon
dutiliser au mieux le banc, car pour nous, lobjectif prpondrant de ces manipulations est
lanalyse des phnomnes limitatifs et tout particulirement linfluence de lionisation par
impact sur le cycle de charge.
De lvaluation prcdente, plusieurs manipulations nous ont sembl pertinentes dans le
cadre de notre objectif :
- Raliser des mesures de cycle de charge en faisant varier la partie relle de impdance de
charge mais en gardant la partie imaginaire nulle.
- Etudier le cas de lavalanche standard en polarisant le transistor au plus prs de la zone de
claquage.
- Appliquer une impdance de sortie telle que la forme du cycle de charge atteigne le lieu
o est localis le phnomne dionisation par impact.
Grce ces manipulations, nous avons pu aussi comparer nos diffrents modles et
ainsi commenter nos hypothses.
Remarque : les mesures des ondes tensions-courants nous donnent les cycles de charge
extrinsques c'est--dire dans le plan des pointes de mesures. Les modles quivalents aux
lignes daccs du transistor seront introduits lors des simulations.
a. Mesures 2 GHz de cycles de charge avec des
impdances de charge partie imaginaire nulle
i. Prsentation de l a mthode de mesure
Les mesures sont raliss V
gs0
= -0.4V et V
ds0
= 8V. Deux tailles de transistor ont t
mesures : un transistor de 4 doigts de 75m de largeur de grille et un transistor de 10 doigts
de 125m de largeur de grille. Le principe est de faire varier la partie relle de limpdance de
charge en fixant la partie imaginaire 0. En pratique la partie relle est presque nulle et le
tuner de sortie ne peut imposer quune partie relle de 10 au minimum. La figure ci-dessous
montre les cycles de charge extrinsques obtenus sur les transistors PPH25X mesurs 2 GHz
CW avec neuf autres frquences harmoniques.

Figure 161. Mesures du transistor 4x75m 3dB de compression pour diffrentes valeurs
dimpdance de charge
En arrire plan est trac le rseau I(V) pour mieux localiser la position du cycle de
charge.
On applique une puissance dentre leve pour essayer de bien dfinir le contour de la
zone de saturation. On peut remarquer sur la Figure 161 que cette faon de mesurer les
transistors nous permet datteindre le lieu de lionisation par impact. Nous allons donc
pouvoir comparer nos modles ces mesures par la suite.
Ce procd de mesure peut tre galement utile pour dlimiter le coude entre la zone
ohmique et la zone de saturation dans les PHEMTs (Figure 162). On peut ainsi imaginer
quavec un grand nombre de valeurs de partie relle sur limpdance de charge, on pourrait
dlimiter avec prcision la zone de fonctionnement RF utile pour la modlisation de
composant de puissance.

Figure 162. Mesures du transistor 10x125m 3dB de compression pour diffrentes valeurs
dimpdance de charge
ii. Comparaison Mesures-Modl es
Nous comparons les mesures ralises sur le transistor 4x75m 3dB de compression
pour des impdances de charge de 10, 30, 50, 100 et 200, avec trois modles simuls
au plus proche des conditions de mesures. Ces trois modles ont en fait pour base le mme
modle grand signal issue de la caractrisation dcrite dans le Chapitre II sans la prise en
compte de la thermique pour allger notre tude et parce que les transistors sont polariss au
point de repos typique de la filire PPH25X. La diffrence entre chaque modle se situe au
niveau de la modlisation du phnomne dionisation par impact.
Le premier modle (Figure 163) ne prend pas en compte le phnomne dI.I (Ionisation
par Impact), entre drain et source rside uniquement la source de courant I
ds
du modle
COBRA [140].
Dans le deuxime modle (Figure 164) la source de courant dionisation est active en
parallle avec la source de courant COBRA.
Le troisime modle (Figure 165) quant lui reprend lhypothse crite dans la partie
IV.B de ce chapitre et utilise donc la topologie qui consiste filtrer lI.I avec la mise en srie
dune inductance pour dsactiver leffet aux hautes frquences.
Il faut rappeler quon observe les cycles de charge extrinsques en mesure, donc il faut
prendre en compte les lignes daccs dans les simulations pour pouvoir comparer mesures-
simulations dans des conditions proches.
Le rseau I(V) relatif au modle est trac en arrire plan sur chaque figure.

Figure 163. Comparaisons 2 GHz des mesures (en bleu) par rapport au modle sans ionisation par
impact

Figure 164. Comparaisons 2 GHz des mesures (en bleu) par rapport au modle avec ionisation par
impact

Figure 165. Comparaisons 2 GHz des mesures (en bleu) par rapport au modle avec la self en srie
sur la source I.I

La partie la plus intressante pour nous se situe au niveau du cycle de charge
Zch=10, parce que celui-ci pntre dans la zone o est localis lI.I.

En reliant les points damplitude maximale pour chaque cycle (exemple sur la Figure
166-a), on peut plus facilement mettre en vidence la diffrence entre les mesures et les
modles.


Figure 166. Lieu des points damplitude maximale pour chaque cycle mesur et simul pour une
frquence de 2 GHz
On peut remarquer sur la Figure 166b, le trs faible cart entre le modle avec I.I et le
modle avec I.I filtr, il est d la frquence de coupure du filtre qui se situe aux alentours de
1-2 GHz. Nanmoins on peut constater que se sont ces deux modles qui sont les plus proches
de la ralit des mesures.
Cependant, il serait intressant de raliser une mesure identique celle-ci une
frquence plus leve, ce dont nous navons pas t en mesure de raliser pour linstant par
manque de disponibilit du banc et de transistors.
b. Avalanche standard vue par le cycle de charge
Il est possible avec le banc LPT dexplorer les zones limites dutilisation des transistors
PHEMT. En effet, le cycle de charge est galement un trs bon outil pour tudier lavalanche
off-state (au pincement). Les mthodes temporelles ont dj t utilises pour mesurer celle-ci
[141].
Lavantage prpondrant de cette mthode reste la possibilit de polariser le transistor
loin de lavalanche comme pour des mesures avec un banc I(V) en impulsion sauf que le
passage dans la zone davalanche se fait aux frquences RF et non plus en continu sous forme
dimpulsions dune centaine de nanoseconde. Lexploration de cette zone se fait donc de
manire trs brve rduisant le risque de destruction du composant lors de la mesure.
Ci-dessous, la mesure du cycle de charge 2 GHz dun transistor PHEMT PPH25X
12x100m, est superpose au rseau I(V) modlis de ce mme transistor.

Figure 167. Mesure dun cycle de charge traversant les trois zones de fonctionnement (zone ohmique,
zone sature et zone davalanche)
Le transistor est polaris V
ds0
=12V, donc avec une marge de tension par rapport la
tension davalanche thorique de la filire, autour de 18V. Limpdance de sortie est choisie
de manire incliner suffisamment le cycle pour atteindre la zone davalanche.
On constate sur la Figure 167 qu en injectant une puissance dentre importante, le
cycle de charge vient buter dans la zone ohmique en haut gauche du rseau et dans la zone
davalanche en bas droite. Les lieux davalanche correspondent bien entre la mesure et le
modle qui est lui dtermin par des mesures sur le banc I(V) en impulsions.
c. Etude du phnomne dionisation par impact par
la mesure de cycles de charge ouverts
i. Prsentation de l a mthode de mesure
Le principe est de trouver une charge appliquer au transistor afin dobtenir un cycle de
charge dform qui atteint la zone dionisation par impact et ainsi vrifier notre hypothse
comme quoi lI.I (ionisation par impact) dpendrait de la frquence. Cette manipulation sera
ralise pour les deux frquences fondamentales disponibles sur le banc, c'est--dire 2 GHz
avec neuf frquences harmoniques et 4 GHz avec cinq frquences harmoniques.

Le point de polarisation est fix V
gs0
= -0.4V et V
ds0
= 8V et limpdance de charge
choisie est Z
ch
= 8-j30 .

Nous comparons ci-dessous les trois modles (sans I.I, avec I.I et modle avec filtre) par
rapport aux mesures en injectant en mesure et en simulation la mme puissance dentre au
transistor.
ii. Comparaison Mesures-Modl es
Il faut noter que le modle nest pas optimis pour fonctionner avec des impdances de
sortie de la sorte. Pour effectuer une comparaison prcise, il serait ncessaire dextraire les
capacits non linaires C
gs
et C
gd
sur tout le rseau et non plus sur un cycle de charge adapt
pour les applications de puissance.
Cependant, pour vrifier notre hypothse, la modlisation du transistor est suffisante. En
effet, nous voulons voir une ventuelle dformation du cycle dans la zone davalanche due
lionisation par impact.
Mesures 2 GHz

Figure 168. Comparaison 2 GHz des mesures (en rouge) par rapport au modle (en bleu) sans la
source I.I
Les cycles tracs ici sont recomposs partir des ondes tension-courant mesures par le
banc dans le plan des pointes hyperfrquences, ce sont donc les cycles de charges
extrinsques.

Figure 169. Comparaison 2 GHz des mesures (en rouge) par rapport au modle (en bleu) avec la
source I.I en parallle

self en srie sur la source I.I
On sait qu 2 GHz, selon notre supposition, nous sommes dans la zone de transition du
phnomne. De plus, le modle du transistor nest pas optimis pour tre simul sur des
impdances de charge qui donnent des cycles aussi ouverts. Nanmoins, les trois modles
sont proches des mesures bas niveau, par contre on constate que le modle avec la source de
courant dionisation en parallle est trop optimiste dans la zone davalanche.

Le fonctionnement du banc LPT est comparable au banc de mesure LoadPull, il est
donc possible dutiliser les ondes releves par le LSNA pour reconstituer les performances en
puissance du dispositif.

Figure 171. Performance en puissance des mesures et des trois modles simuls 2 GHz sur
limpdance de charge 8-30j Ohm
On constate un cart entre chaque modle et la mesure sur le courant moyen I
ds0
qui
correspond aux diffrentes faons de modliser le courant circulant entre drain et source.
Cependant dans lensemble des mesures de puissance 2 GHz, on remarque trs peu de
diffrences entre simulations et mesures.
Mesures 4 GHz
Nous nous plaons dans des conditions identiques aux manipulations 2 GHz, la mme
impdance de charge est applique sur le mme transistor et nous comparons galement les
mesures aux trois modles dcrient prcdemment (modle sans I.I, avec I.I et modle avec
filtre). Par contre, la frquence de mesure est considre maintenant comme suprieure notre
frquence de coupure Fc.

Figure 172. Comparaison 4 GHz des mesures (en rouge) par rapport au modle (en bleu) sans la
source I.I
Nous pouvons remarquer la lgre imprcision au niveau de la reconstitution des cycles
de charge mesurs, caus par le faible nombre dharmoniques disponibles.

source I.I en parallle
Comme pour les cycles de charge 2 GHz, la simulation avec lionisation par impact
semble beaucoup trop optimiste 4 GHz. On peut affirmer la vue de la Figure 173 que la
faon de modliser lionisation par impact en ajoutant une source de courant ddie en
parallle au courant drain source classique , nest pas approprie au fonctionnement des
transistors de puissance PHEMTs.

self en srie sur la source I.I
A 4 GHz (Figure 174), pratiquement tout le phnomne dionisation est filtr, on se
rapproche du fonctionnement sans ionisation.

En traant les performances en puissance du transistor cette frquence, on se rend
galement compte que le modle avec lionisation par impact est faux puissance dentre
leve.

Figure 175. Performance en puissance des mesures et des trois modles simuls 4 GHz sur
limpdance de charge 8-30j Ohm
On peut noter une diffrence trs nette au niveau de la puissance de sortie saturation.
Le tableau ci-dessous regroupe les valeurs maximales de P
out
:
Mesures Modle sans i.i Modle avec i.i
Modle avec i.i
filtre par la self
P
out
(dBm) 27.8 28.1 29.2 27.8
Tableau 25. Comparaison des valeurs maximales de P
out
4 GHz
3. Conclusion
La mesure des cycles de charge est un outil encore trs peu exploit dans la
modlisation des composants hyperfrquences par contre cette technique peut tre utilise
pour vrifier un modle ou explorer les zones inaccessibles avec les bancs en impulsion.
De nombreuses manipulations sont envisageables en utilisant cet outil, nous avons pu
montrer les perspectives pour tudier les phnomnes davalanche dans les PHEMTs. Citons
galement la possibilit dtudier les effets de piges [139] qui na pas t utilise dans cette
partie.
Dans le cadre de nos travaux, le banc de mesure LPT nous a permis de mettre en
vidence le comportement frquentiel du phnomne dionisation par impact, et ainsi de
confirmer une hypothse importante introduite dans ce chapitre : la prsence dune frquence
de coupure de lavalanche autour de 2 GHz.
Sur la base dune caractrisation laide des cycles de charge, des mesures
complmentaires restent entreprendre :
- La mesure dun transistor monodoigt sur plusieurs impdances de charge. Les petites
tailles de composants nous ont paru plus sensibles aux phnomnes dionisation par impact.
- La mesure dun cycle de charge ouvert pour une frquence fondamentale trs suprieure
la frquence de coupure. Actuellement, les instruments de mesure nous limitent dans cette
perspective.
- Par ailleurs la ralisation des mesures prcdentes en impulsion avec la reconstitution des
formes dondes dimpulsion impulsion apporterait dautres informations sur la dynamique
des piges, de la thermiques et de lionisation par impact.
C. Perspectives pour une meilleure
modlisation
Pour amliorer la prcision des modles, il faut se tourner vers de nouvelles mthodes
de caractrisation. Nous avons prsent dans ce chapitre une nouvelle approche pour tudier
lionisation par impact, pour finaliser ce travail dautres moyens de mesures ont t
envisags :
- La mesure de paramtres [S] basses frquences qui nous permettrait dobserver le plateau
qui pourrait apparatre sur le paramtres Y
22
et ainsi concevoir un modle de filtre plus prcis
pour couper lionisation par impact. Cependant, il faudra tre vigilant car les mesures sont
ralises avec une polarisation continue, on sait que dans la zone davalanche, la puissance
dissipe peut tre grande et entraner lauto chauffement du transistor.
- Les mesures convectives avec des largeurs dimpulsions rduites (une dizaine de
nanosecondes). Somerville[142] montre sur un transistor HEMT InAlAs/InGaAs la
disparition de leffet kink (mlange dionisation par impact et deffets de pige) lorsque on
diminue la dure des impulsions lors de la caractrisation.
VI. Conclusion
Nous avons pu remarquer limportance de leffet thermique dans les PHEMTs AsGa
dans le chapitre prcdent. Dans cette dernire partie de notre tude, nous nous sommes
intress aux autres effets dispersifs, galement appels effets parasites, prsents dans nos
composants.
La quantit de piges est importante dans les transistors PHEMTs de puissance avec une
structure double recess. En ralisant des mesures de drain-lag et de gate-lag, nous avons mis
en vidence les effets de pige sur le rseau I(V) et donc de leurs impacts sur les
performances des transistors. De plus, nous avons pu constater lapparition dun saut de
courant dans la zone de transition entre les effets de pige et le phnomne dionisation par
impact : appel leffet kink.
Beaucoup de travaux ont dj t raliss sur les effets de piges, mais encore peu sur la
caractrisation et la modlisation du phnomne dionisation par impact en hyperfrquence.
La demande croissante de performance en termes de puissance et de fiabilit, implique une
connaissance totale des limites du composant. Grce aux bancs de mesure disponibles Xlim,
nous avons mis en vidence la prsence de leffet davalanche on-state dans nos
transistors PPH25X, puis en employant un modle simple qui rend compte du comportement
aux hautes frquences de ce phnomne, nous avons dtermin une frquence de coupure de
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A Physical Model for the Kink Effect in InAlAs/InGaAs HEMTs
IEEE Transactions on Electron Devices, vol.47, no.5, May. 2000, pp.922-930
Conclusion gnrale
CONCLUSION GENERALE
Conclusion gnrale
Lutilisation de matriaux grand gap, et tout particulirement lemploi du nitrure de
gallium semble tre une solution intressante pour la gnration de puissance aux frquences
microondes. Malgr une activit importante autour de ces nouvelles technologies, leurs
utilisations ne sont pas encore exhaustives et la production de grands volumes se fait attendre.
De plus, les transistors de type PHEMT AsGa plus matures possdent toujours le meilleur
rapport performances en puissance/frquence leve.
La prsence des effets dispersifs lis aux variations thermiques, aux piges et aux
phnomnes davalanche rend difficile la conception de circuits hyperfrquences destins aux
applications de puissance, de linarit ou encore radar par exemple. La simulation prcise de
telles applications exige des modles non linaires complets et capables de prdire le
comportement lectrique dun circuit quelles que soient la frquence de fonctionnement et les
conditions de polarisations. Pour cela, les modles ne doivent pas ngliger les effets parasites
intrinsques des transistors.

Le processus de gnration dun modle est trs long, avec de nombreuses mesures
raliser et stocker, de nombreuses optimisations mener, et une vrification densemble
lourde. Par ailleurs, une analyse en petit signal sur la sensibilit des lments extrinsques et
intrinsques a t ralise en marge de cette modlisation. Toute cette dmarche tait
indispensable pour arriver une comprhension globale du fonctionnement de ce transistor et
une modlisation de bonne qualit. Nous avons obtenu, dans un premier temps, un modle
de transistor PHEMT AsGa qui semble tre satisfaisant pour la CAO des circuits.

Dans le milieu industriel, on observe une forte demande pour la dtermination de la
rsistance thermique des composants. Cette demande est lie laugmentation des puissances
mises en jeu dans les circuits MMICs et aux domaines dapplication (spatial, automobile,
militaire).
Dans la premire partie du chapitre consacr aux effets thermiques, nous nous sommes
proccups comparer les diffrentes mthodes de dtermination de la rsistance thermique
mise notre disposition. Puis dans un second temps, nous avons effectu une analyse dtaille
des effets de la temprature sur le fonctionnement des transistors, ce qui a permis de montrer
que llvation de temprature due lautochauffement dans des conditions normales de
fonctionnement avait des rpercussions sur le courant de sortie (donc sur la puissance de
sortie), mais aussi sur les performances en frquence. Afin de prendre en compte facilement
Conclusion gnrale
leffet de la temprature dans un modle CAO de transistor, deux modles thermiques ont t
raliss : le premier est constitu de deux cellules RC et le deuxime est un modle distribu
extrait partir de simulation physique thermique.
A lheure actuelle, les forts niveaux de puissance gnrs provoquent un chauffement
important des transistors et la caractrisation thermique savre invitable.

Dans le dernier chapitre, nous avons prsent une description rapide du mcanisme
physique des piges existant dans les transistors effet de champ AsGa. La modlisation des
piges est un travail compliqu et demande de connatre chaque niveau de pige. Cette tude
implique une mthode de caractrisation bien particulire. De plus, la reproductibilit de ces
phnomnes est difficile entre les plaques et mme entre les transistors dun mme wafer.
Cest pour ces raisons que nous avons dcid de ne pas entreprendre la ralisation dun
modle ddi aux effets de piges. Il existe cependant de nombreux modles de piges
disponibles dans la littrature.

Nous avons mis en vidence leffet kink par des mesures en mode puls. Cet effet
rsulte de linteraction entre les piges et lavalanche par ionisation par impact. Cette dernire
est un phnomne qui peut entraner une drive du courant et de la tension de sortie fort
niveau. Autrement dit, lionisation par impact engendre une variation non contrle de la
puissance de sortie lorsquon applique une forte puissance en entre. Les amplificateurs de
puissance constituent les produits les plus sensibles mettre en uvre pour les concepteurs,
de ce fait il est impratif de connatre avec exactitude limpact de lavalanche lors de
fonctionnement sous des conditions ralistes.
Les mesures temporelles laide du banc LPT sont trs utiles pour vrifier le mode de
fonctionnement dun transistor dans un milieu proche de la ralit. La vrification
mesures/modles des formes dondes est un outil rcent qui permet destimer la qualit des
modles. Nous avons conclu de cette vrification, que la faon dont nous modlisions
lionisation par impact jusqu aujourdhui savrait inexacte aux frquences RF. En effet,
nous avons dtermine une frquence de coupure partir des mesures pulses de paramtres
[S]. Cette hypothse nous a mens vers un modle qui reprsente le phnomne et qui
concide lors de la vrification sur les formes des cycles de charge.

Rsum
Le principal objectif de ce travail est la modlisation prcise dune filire de transistor PHEMTs
fabriques UMS. Notre modle se base sur une dmarche de caractrisation complte et il est facilement
intgrable dans les simulateurs de circuit CAO afin de le rendre utilisable dans un contexte industriel.
Dans le domaine des tlcommunications, la gnration de fortes puissances va entraner un chauffement
du transistor, il est donc important de prendre en compte les effets thermiques lors de la conception des circuits.
Plusieurs mthodes sont tudies pour dterminer la rsistance thermique, partir de cette tude deux modles
thermiques ont t mis au point : le premier est constitu de cellules RC et le deuxime est un modle distribu
extrait partir de simulations physiques thermiques 3D.
Comme les effets de piges, les phnomnes davalanche font partie des effets parasites prsents dans les
PHEMTs AsGa. Analyser leur comportement permet de limiter la zone dutilisation de ces composants. Nous
nous sommes attards tudier et modliser lavalanche due lionisation par impact. La comparaison
mesures/modles des cycles de charges et des mesures de paramtres [Y] pulses nous ont permis de dterminer
une frquence de coupure pour le phnomne dionisation par impact.
Mots cls : PHEMT AsGa, modlisation, modle thermique, effets parasites, frquence de coupure de

Contribution to the modeling of non-linear power devices in pseudomorphic HEMT
technologies on GaAs substrate: Analysis of the dispersive effects

Abstract
The main objective of this work is the accurate modeling of UMS PHEMTs transistors process. Our
model is based on extensive characterizations and can be easily integrated into nonlinear simulators that make it
possible to use it in an industrial context.
For telecommunication applications such as power amplifier, dissipated high power often leads to the
increase of the internal of device temperature and hence to device performance degradation. the Design of
MMICs based on GaAs PHEMTs process requires transistor models which take into account thermal effects. In
this study, several methods are investigated to determinate thermal resistance and two thermal models are
developed: the first consists of RC cells and the second is a distributed model extracted from 3D thermal
simulations.
As trap effects, breakdown phenomena are a part of dispersive effects in microwave transistors. Their
behavior analysis gives limits of these components. We have specially studied impact ionization modeling.
Measurements and simulations of load cycles and pulsed Y-parameters have been compared to determinate a
cutoff frequency for impact ionization phenomenon.
Keywords : PHEMT GaAs, modeling, thermal model, dispersive effects, cutoff frequency for impact
ionization phenomenon.

Teyssandier Charles

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Thse N 04-2008

de l'espace des phases l'instant t. Le second terme

. Le troisime terme reprsente les

et sur lapproximation du temps de relaxation

doit tre assez faible pour permettre dimposer

pour un fort courant de grille, de faon se placer dans la

pour le mme courant

pour trouver la rsistance thermique dun

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