1.

Что общего и чем отличаются гибридные, совмещенные и

полупроводниковые ИС?
Интегральная микросхема (ИМС) – это конструктивно законченное
микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования
информации, содержащее совокупность электрически связанных между собой элементов
(транзисторов, диодов, резисторов и др.), изготовленных в едином технологическом
цикле.
По конструктивно технологическому исполнению микросхемы делят на четыре
группы: пленочные, гибридные, полупроводниковые и совмещенные.

Пленочная микросхема микросхема, все элементы и межэлементные соединения

которой выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов.
Вариантами пленочных являются тонкопленочные и толстопленочные микросхемы. К
тонкопленочным условно относят микросхемы с толщиной пленок менее 1 мкм, а к
толстопленочным микросхемы с толщиной пленок свыше 1 мкм.
Гибридная микросхема микросхема, пассивные элементы которой (резисторы,
конденсаторы и индуктивности) выполнены в виде пленок (толстых или тонких), а
активные (бескорпусные диоды, транзисторы и кристаллы микросхем) элементы
навесные. Одним из видов гибридной микросхемы является многокристальная
микросхема.
Полупроводниковая микросхема микросхема, все элементы и межэлементные
соединения которой выполнены в объеме и наповерхности полупроводника.
Совмещенная микросхема микросхема, которая, кроме полупроводникового
кристалла, содержит тонкоплёночные пассивные элементы, размещённые на
поверхности кристалла.
2. Сравните методы получения тонких пленок.
В настоящее время существует довольно много методов получения тонких пленок,
основанных на различных физических процессах. Основными из них являются
следующие:
1. термическое вакуумное испарение;
2. распыление ионной бомбардировкой (катодное распыление);
3. химическое осаждение из газовой фазы;
4. химическое осаждение из водных растворов.

1. Термическое вакуумное испарение

По этому методу тонкие пленки получаются в результате нагрева, испарения и
осаждения вещества на подложку в замкнутой камере при сниженном давлении
газа в ней.
Основными достоинствами метода являются:
1. Возможность получения резистивных пленок с широким диапазоном изменения
удельного поверхностного сопротивления.
2. Относительная простота технологического контроля, обеспечивающая
хорошую воспроизводимость номиналов резистора.
3. Совместимость технологических процессов получения резистивных,
проводящих и диэлектрических пленок.
4. Высокая производительность при напылении тонкопленочных элементов.

Термическое вакуумное напыление имеет ряд недостатков и ограничений,

главные из которых следующие:
1. напыление плёнок из тугоплавких материалов (W, Mo, SiO2, Al2O3 и др.)
требует высоких температур на испарителе, при которых неизбежно
"загрязнение" потока материалом испарителя;
2. при напылении сплавов различие в скорости испарения отдельных компонентов
приводит к изменению состава плёнки по сравнению с исходным составом
материала, помещённого в испаритель;
3. инерционность процесса, требующая введения в рабочую камеру заслонки с
электромагнитным приводом;
4. неравномерность толщины плёнки, вынуждающая применять устройства
перемещения подложек и корректирующие диафрагмы.
Первые три недостатка обусловлены необходимостью высокотемпературного
нагрева вещества, а последний - высоким вакуумом в рабочей камере. Из-за
недостатков данного способа термическое вакуумное испарение применяется, в
основном, только для чистых металлов.

2. Распыление ионной бомбардировкой (катодное распыление)

Ионно-плазменное напыление происходит в тлеющем разряде и состоит в
распылении материала отрицательно заряженного электрода - мишени под
действием ударяющихся об него ионизированных атомов газа и осаждении
распыленных атомов на подложку.
По сравнению с термическим вакуумным испарением данный процесс позволяет
получать пленки тугоплавких металлов, наносить диэлектрические пленки,
соединения и сплавы, точно выдерживая их состав, обеспечивать равномерность и
точное воспроизведение толщины пленок на подложках большей площади, а
также малую инерционность процесса.
Достоинством метода также является отсутствие в техпроцессе высоких
температур.
Недостатком метода является его длительность - скорость роста плёнки (единицы
нм/с) из-за значительного рассеивания распыляемых атомов материала в объёме
рабочей камеры.

3. Химическое осаждение из газовой фазы

Химическое осаждение из газовой фазы - получение твердых веществ реакциями
с участием газообразных соединений.
Этот способ используется для получения пленок поликристаллического кремния
и диэлектриков.
Достоинствами химического осаждения из газовой фазы являются простота,
хорошая технологическая совместимость с другими процессами создания
полупроводниковых микросхем и сравнительно невысокая температура,
благодаря чему практически отсутствует нежелательная разгонка примеси в
пластинах.
Скорость осаждения определяется температурой и концентрацией реагирующих
газов в потоке нейтрального газа – носителя и составляет в среднем несколько
сотых долей микрометра в минуту

4. Химическое осаждение из водных растворов

Существуют несколько способов химического осаждения металлических
покрытий из водных растворов: 1. контактный; 2. контактно-химический; 3. метод
химического восстановления.
Применяемое в технологии гибридных микросхем химическое осаждение из
водных растворов основано на восстановлении металлов из растворов их солей.
Таким образом, можно получать не только тонкие, но и толстые пленки (более 1
мкм), применяемые, например, для создания жестких и балочных выводов
бескорпусных полупроводниковых микросхем, транзисторов, а также
металлических масок (трафаретов).
3. Как выбирается ширина тонкопленочного резистора?
4. Что и как изменится, если длину и ширину пленочного резистора
увеличить в два раза?
Сопротивление пленочного резистора не изменится, а вот максимальная мощность,
которую может рассеять резистор, увеличится.
5. Какие достоинства и недостатки толстопленочных ИС?
Основное преимущество технологии нанесения толстых пленок - простота применяемого
оборудования и низкая стоимость производства. К недостаткам следует отнести то, что
толстые пленки имеют большие размеры, а элементы на их основе - меньшую точность
воспроизведения номинальных значений по сравнению с тонкими пленками. Для
устранения этих недостатков разрабатываются новые трафареты и пасты, позволяющие
осуществлять фотолитографическую обработку.

6. Сравните методы изготовления двусторонних печатных плат.

7. Перечислите методы изготовления многослойных печатных плат.
8. Перечислите критерии безотказной работы.
9. В чем главное отличие надежности аппаратуры и программ?
10.Перечислите виды обеспечения САПР.
11.Что дает использование блочно-иерархического подхода к
проектированию)?
12.Какие основные причины использования методов автоматизированного
проектирования?
13.В чем сложность конструкторского этапа проектирования ЭВМ? Какие
задачи решаются на этом этапе?
14.Какие основные достоинства и недостатки канального алгоритма?
15.Какие задачи решаются на этапе компоновки?
16.В чем состоит основная цель задачи размещения элементов?
17.Какие задачи решаются на этапе трассировки межсоединений?
18.Какие этапы включает итерационный алгоритм?
19.Сравните алгоритмы трассировки.
20.Как Вы понимаете термин «полузаказное» проектирование?
21.Сравните методы «заказного» проектирования БИС.

22.Для чего делается стоимостной анализ при проектировании БИС?

23.Что общего и чем отличается проектирование БИС на стандартных

элементах и на базовых матричных кристаллах?

24.Перечислите достоинства и недостатки кремневого компилятора.

Задачи
Соединить точки А и В волновым алгоритмом с проставлением
путевых координат.