UNIVERSIDAD DE GUANAJUATO

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
PRCTICA 6.
M.I. ENRIQUE FLORES CRDENAS INTEGRANTES DEL EQUIPO: - CAMPOS LPEZ LEONARDO DANIEL - OJEDA BUTANDA CARLOS ALBERTO EQUIPO 12

MIRCOLES 23 DE MARZO DE 2011

EXPERIMENTO 12. PRINCIPIOS DE AMPLIFICACIN

OBJETIVO: En este experimento estudiaremos las caractersticas de entrada y de salida de amplificacin, usando un canal n del transistor MOSFET.

DESARROLLO DEL EXPERIMENTO: Conectar el circuito de la figura 1, utilizando pocas conexiones, con el voltaje de PS1 fija en cero por ahora. El CI que se utilizar en este experimento es el CD4007, se utiliza el mismo chip en la primera mitad del experimento. La figura 3 de este experimento muestra la asignacin de pines para el transistor que se va a utilizar. El circuito de la figura 1 se utilizar en los pasos siguientes para investigar el uso de un amplificador MOSFET.

El voltaje de la compuerta-fuente del MOSFET, VGS, es igual al voltaje de la fuente PS1, cuando este voltaje es 0, la corriente en el transistor es cero. Si VGS se eleva gradualmente, inicialmente el transistor actual permanecer en cero. Cuando esta tensin se eleva lo suficiente, la corriente drenaje-fuente IDS del MOSFET se acerca a 0. Esto provocar una cada de tensin a travs de la resistencia de carga R. Usando LVK se puede ver el voltaje con la ecuacin , se puede conocer los valores para y incremento, tambin aumentar, por lo tanto disminuir. Finalmente, puede llegar a ser tan pequeo que limita el aumento de ms de y por lo tanto en . Obtenga las mediciones y elabore una tabla de asegrese de tomar medidas suficientes. entre 0 V y 5 V,

0 1 2 3 4 5

0.0049 0.0048 0.00467 0.00256 0.0006 0.00040

 En la grfica producida en el paso anterior, considere el punto valor correspondiente de obtenido en la grfica?

Cul es el

El valor que se produce por

es aproximadamente

Basndose en la grfica anterior, si vara alrededor de este punto la variacin correspondiente de debe ser mayor, Cul es el valor aproximado de la pendiente alrededor de este punto?

(0.0049-0.00256)/3-1=0.00117

Fijar PS1 a 2.5 V. Se va a utilizar el valor de voltaje de polarizacin para , medir el valor correspondiente de , esto se denomina valor de voltaje de polarizacin para . Reporte los valores para y .

 Incremente una pequea cantidad en el orden de .1 V, cercano al valor de polarizacin. Registras los correspondientes cambios . De estos resultados, calcule la pequea seal de salida y la ganancia de voltaje . Est de acuerdo con el valor encontrado en el paso 5.

Repita el paso anterior, utilizando en su lugar una disminucin de polarizacin inversa.

de su valor de

 mover el valor de PS1 de ida y vuelta continuamente alrededor del punto de polarizacin, alrededor de 0.1 V en cualquier direccin, observe la variacin de .

crees que 0,25 V? S. CONCLUSIONES:

se vera como si se

fuese un voltaje sinusoidal con una amplitud de

OJEDA BUTANDA CARLOS ALBERTO El desarrollo de esta prctica me gust mucho porque nuevamente volvimos a trabajar con el circuito MOSFET, me gusto tambin porque dentro de la prctica aprend nuevas cosas que me permitieron comprender ms a fondo el anlisis de los circuitos y por tal motivo a relacionarme con los transistores de efecto de campo. En trminos generales, la prctica estuvo muy interesante y creo que me sirvi de mucho.

CAMPOS LPEZ LEONARDO DANIEL Esta prctica me fue de utilidad para trabajar con el MOSFET y utilizarlo como amplificador, dentro de lo desarrollado en la prctica uno de los conceptos ms importantes que yo considero es el trabajar con el clculo de los voltajes de drenaje-fuente, compuerta-fuente, etc. En conclusin, la implementacin de los circuitos mencionados en la prctica me ayud a comprender ms a fondo el funcionamiento y aplicacin de lo que son los MOSFET.