Пензенский артиллерийский институт

Лазерная техника.
Основы устройства и применения

2
 Пензенский артиллерийский инженерный институт

В. Н. Федотов, М. М. Веселов, А. В. Федотов

Лазерная техника.
Основы устройства и применения

ДопущеноУМО вузов по образовонию в области преобразовпния и

оптотехники в качестве учебного пособия для студентов вузов, обучающихся
по специальности 190700 – «Оптико-электронные приборы и системы»
направления подготовки 654000 – «Оптотехника»

ПАИИ
2004

3
УДК 621.375.826
ББК 32.86
Ф34

Рецензенты:
доктор технических наук, профессор кафедры «Приборостроение» Пензенского
государственного университета В.П. Фандеев;

доктор технических наук, профессор кафедры «Транспортные машины»

Пензенского государственного университета Ю.А. Дьячков

Федотов В. Н.
Ф34 Лазерная техника. Основы устройства и применения: Учебное пособие/
В. Н. Федотов, М. М. Веселов, А. В. Федотов. – Пенза: ПАИИ, 2004. - с.,
96 ил., 20 табл., библиограф. 9 назв.

Изложены физические основы лазеров, основы их устройства и применения.

Рассмотрены основные направления применения лазерной техники в образцах
ракетно-артиллерийского вооружения, науке и технике.
Предназначено для студентов вузов, обучающихся по специальностям
«Оптико-электронные приборы и системы», «Приборостроение».

УДК 621.375.826
ББК 32.86

© Федотов В. Н.
Веселов М. М.
Федотов А. В., 2004
© ПАИИ, 2004

4
 ВВЕДЕНИЕ
В настоящее время лазерная техника получила широкое распространение.
Она применяется в науке, технике, промышленности и военном деле. Этому
способствовали фундаментальные исследования в области квантовой
электроники и практические работы по созданию лазеров.
В 1916 г. Альберт Эйнштейн показал, что между средой, состоящей из
молекул, атомов, электронов, и светом постоянно происходит обмен энергией в
результате порождения одних и уничтожения других квантов света. Среда
может поглощать и рассеивать, так и, при определенных условиях, усиливать
падающее на нее излучение. Причем излучение может быть как спонтанным
(самопроизвольным), так и стимулированным.
Значительный вклад в дело развития лазеров внес советский физик
Валентин Александрович Фабрикант. В 1939 г., анализируя в своей докторской
диссертации спектр газового разряда, он указал на возможность усиления света
посредством стимулированного излучения и сформулировал необходимые для
этого условия. Продолжая работать над идеей о возможности создания
усилителя света, он в 1951 г. вместе с Ф.А. Бутаевой и М.М. Вудынским
впервые получил экспериментальное подтверждение своих расчетов и
опубликовал результаты. Была сформулирована заявка на изобретение:
«Предлагается способ усиления электромагнитного излучения, основанный на
использовании явления индуцированного излучения».
В 1952 г. ученые трех стран одновременно (в России – Н.Г. Басов и А.М.
Прохоров, в США – Ч. Таунс, Дж. Гордон и Х. Цайгер, в Канаде – Дж. Вебер)
независимо друг от друга предложили принцип генерации и усиления
сверхвысокочастотных электромагнитных колебаний, основанный на
использовании индуцированного излучения.
Это позволило создать усилители и генераторы сантиметрового и
дециметрового диапазона. Они получили название мазеров. Разработка теории
и устройства молекулярного генератора была содержанием докторской
диссертации молодого в то время ученого Н.Г. Басова.
В 1955-1957 гг. появились работы Н.Г. Басова, Б.М. Вула, Ю.М. Попова и
А.М. Прохорова в России, а также американских ученых Ч. Таунса и А.
Шавлова, в которых были приведены научные обоснования для создания
квантовых генераторов оптического диапазона. В декабре 1960 г. Т. Мейман
сумел построить первый, успешно работающий лазер с рубиновым стержнем в
качестве активного вещества. Этот лазер работал в импульсном режиме и
излучал энергию в красной области спектра.
В 1960 г. под руководством американского ученого А. Джавана был
создан газовый лазер. Он использовал в качестве активной среды смесь газов
гелия и неона. Лазер работал в непрерывном режиме и излучал энергию также в
красной области спектра.
В 1962 г. практически одновременно в России и США был создан лазер, у
которого в качестве активного вещества применили полупроводниковый
элемент (на возможность использования полупроводников было указано в
5
работах Н.Г. Басова, Б.М. Вула и Ю.М. Попова еще в 1958 г.).
Заслуги российских ученых в деле развития квантовой электроники, а
также вклад американских ученых были отмечены Нобелевской премией. Ее
получили в 1964 г. Н.Г. Басов, А.М. Прохоров и Ч. Таунс. С этого момента
началось бурное развитие лазеров и приборов, основанных на их
использовании. Было получено стимулированное излучение от многих
материалов – твердотельных, газовых, жидких, полупроводниковых. Диапазон
излучения стал захватывать широкий участок спектра: от крайнего
ультрафиолета до дальней инфракрасной области, а в последние годы получено
стимулированное излучение, лежащее в рентгеновском диапазоне. Поскольку
стимулированное излучение отличается от теплового монохроматичностью,
узконаправленностью, высокой спектральной яркостью и когерентностью, то
его стали использовать для построения целого ряда приборов, предназначенных
сначала для проведения экспериментальных исследований, а затем для
лазерной технологии. Эти приборы способствовали развитию новых научных
направлений, таких как лазерная интерферометрия, интроскопия, безлинзовая
оптика, голография, термоядерный синтез.
В 1970 г. российский ученый Ю.Н. Денисюк был удостоен Ленинской
премии за цикл работ «Голография с записью в трехмерной среде». По
разработанной им принципиально новой схеме, существенно отличающейся от
схемы Д. Габора – отца голографии, были получены высококачественные
голограммы, которые восстанавливались в белом свете. Вклад российского
ученого настолько значителен, что схема Д. Габора рассматривается как
частный случай метода Ю.Н. Денисюка.
В России промышленность уже в 1975 г. освоила серийный выпуск
лазеров различных типов, серий ГОС и ГОР, серии ЛГ и др. Они
демонстрировались на многих международных выставках и вызывали
всеобщий интерес. Ускоренными темпами развивалась лазерная техника и в
США, Франции, Англии, Италии, ФРГ.
Для решения ряда научных проблем были построены различные
локаторы и дальномеры с лазером в качестве источника излучения. Например,
при проведении локации Луны локатор был размещен в Крымской
обсерватории, им осуществлялось зондирование поверхности Луны. С тем
чтобы получить отраженный сигнал значительной мощности, на Луну был
доставлен зеркальный отражатель, изготовленный французскими учеными и
техниками. О высокой точности лазерной локации говорит такой эксперимент.
Он был выполнен сотрудниками обсерватории Мишель де Прованс по
американскому спутнику «Экспорер-22». Этот спутник был также оснащен
зеркальной панелью, состоящей из 360 оптических элементов. В локаторе в
качестве источника излучения использовался рубиновый лазер. После
обработки результатов локации выяснилось, что в момент измерений наклонная
дальность от локатора до спутника составляла 1571 км 992 м. Причем это
расстояние было измерено с ошибкой всего ±8 м. Такой эксперимент дает
ученым возможность составить более правильное представление о форме Земли
и о распределении поля тяготения.
В последнее время получила распространение еще одна важная область
6
применения лазеров – лазерная технология, при помощи которой
обеспечиваются резка, сварка, легирование, скрайбирование металлов и
обработка интегральных микросхем. Причем отмечаются такие преимущества
лазерной обработки, как высокая скорость выполнения операций, высокое
качество обработки, возможность автоматизации операций обработки и др.
Значительный эффект получен и при использовании лазеров в медицине.
Был создан лазерный скальпель. Возникла лазерная микрохирургия глаза.
В институте хирургии имени А.А. Вишневского лазерный скальпель
используется при операциях на внутренних органах грудной и брюшной
полостей.
В 1981 г. издательство «Медицина» выпустило труд большого коллектива
ученых «Лазеры в клинической медицине». В нем лаконично описаны
результаты операций, выполненных под руководством профессора С.Д.
Плетнева.
Лазеры применяются в стоматологии, нейрохирургии, при операциях на
сердце и диагностике заболеваний. Так, например, с помощью газового лазера
получают фотоснимки кровеносных сосудов конечностей, причем такие
снимки, которые невозможно получить на рентгеновской установке.
Ультрафиолетовые лазеры применяют для раннего обнаружения раковых
опухолей.
Широкое применение лазерная техника находит в ракетно-
артиллерийском вооружении, к которому относятся артиллерийские приборы.
Однако в учебной и научно-технической литературе по лазерной технике
отсутствует достаточно полное и систематизированное изложение основ
лазерной техники артиллерийских приборов.
В учебном плане подготовки специалиста «Оптико-электронные системы
и приборы» дисциплина «Лазерная техника» занимает особое положение. Она
обеспечивает изучение дисциплин «Оптико-электронные системы» и
«Проектирование и конструирование оптико-электронных приборов», которые
являются базовой теоретической основой в формировании специалиста.
Учитывая большое разнообразие лазеров и их широкое применение в
военном деле, науке и технике, нецелесообразно в рамках одного учебного
пособия пытаться изложить данные по устройству и принципу работы всех
типов лазеров. Поэтому авторы сделали попытку, прежде всего, рассмотреть
вопросы построения лазерных систем и частные вопросы применения их в
ракетно-артиллерийском вооружении.
Учебное пособие включает три раздела. В первом разделе излагаются
физические основы построения лазеров. Во втором разделе рассмотрены
вопросы устройства и принципа действия ОКГ, которые составляют основу
построения лазерных артиллерийских приборов. Третий раздел посвящен в
основном применению лазерной техники в ракетно-артиллерийском
вооружении.

7
 ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

Аберрация – явление, заключающееся в том, что световые лучи,

исходящие из одной точки, после отражения их от вогнутого зеркала или
прохождения через линзу не сходятся в одной точке (фокусе), а дают
расплывчатое изображение в виде пятна; объясняется большим отклонением
лучей у краев зеркала или линзы, чем в средней их части.
Апертура – угол между оптической осью и одной из образующих
светового конуса, попадающий в оптический прибор.
Время жизни на уровне – средняя продолжительность пребывания
атома, молекулы и другой квантовой системы в состоянии с определенной
энергией.
Время когерентности – наибольший временной интервал, в течение
которого сохраняется постоянство (или закономерная связь) характеристик
колебания (амплитуды, частоты, фазы). Чем оно больше, тем ближе колебание
к гармоничному.
Гетеродинирование – преобразование модулированных электрических
колебаний высокой частоты в колебания промежуточной частоты. В оптике
гетеродином может служить перестраиваемый лазер.
Глаукома – глазная болезнь, проявляющаяся повышением
внутриглазного давления и нередко оканчивающаяся слепотой.
Голограмма – зарегистрированная фотопластинкой интерференционная
картина, образованная когерентным излучением источника (опорный пучок) и
излучением, рассеянным предметом, освещенным тем же источником.
Голограмма содержит информацию об объемном изображении предмета.
Голограммы Фурье – голограммы плоского объекта, записываемые с
помощью опорного источника, расположенного в плоскости объекта,
параллельной плоскости голограммы.
Голография – принципиально новый метод получения объемных
изображений предметов, основанный на явлении интерференции света.
ГСП – гиростабилизированная платформа. Стабилизация платформы, на
которой располагаются приборы и устройства, нуждающиеся в стабилизации
при движении объекта, осуществляется гироскопами совместно с различными
электроавтоматическими устройствами.
Детектирование (демодуляция) – преобразование электрических
колебаний, в результате которого получается постоянный ток и колебания
более низкой частоты.
Диссектор – электронно-оптический преобразователь, преобразующий
изображение с поверхности фотокатода в поток электронов со всей площади
фотокатода, промодулированный яркостью изображения. Этот поток с
помощью отклоняющей системы развертывается мимо точечного отверстия, за
которым – электронный умножитель.
Диссоциация – распадение (расщепление) молекул на составные части.
Дифракция света – нарушение законов геометрической оптики,
наблюдающееся в местах резкой неоднородности среды. Приводит к
8
отклонению распространения света от прямолинейного вблизи краев
непрозрачных тел и «огибанию» препятствий световыми лучами.
Длина волны - взятое в направлении распространения синусоидальной
волны расстояние между ближайшими точками пространства, в которых
колебания имеют одинаковую фазу.
Инверсия населенностей – неравновесное состояние вещества, при
котором более высокие уровни энергии составляющих его частиц имеют
большую населенность, чем нижние уровни.
Инжекция – проникновение избыточных носителей заряда в
полупроводник или диэлектрик под действием электрического поля.
Интерференция света – явление, заключающееся в том, что при
наложении двух или более световых волн с одинаковой частотой и
поляризацией в различных точках пространства происходит усиление или
ослабление результирующей амплитуды световых колебаний в зависимости от
соотношения между фазами колебаний световых волн в этих точках.
Ион – электрически заряженная частица, образующаяся при потере или
присоединении электронов атомом и молекулой.
Ионизация – образование ионов, происходящее под влиянием
химических процессов, освещения газов ультрафиолетовыми или
рентгеновскими лучами, под действием радиоактивных веществ, высоких
температур, ударов быстрых электронов и ионов.
Катаракта – помутнение хрусталика глаза.
Квантовая система – система нескольких или многих частиц,
подчиняющихся законам квантовой механики.
Квантовая механика – теория движения микрочастиц и их систем.
Когерентность – согласованное протекание во времени и пространстве
нескольких колебательных или волновых процессов, проявляющееся при их
сложении.
Когерентность пространственная – понятие, характеризующее
постоянство или изменение по определенному закону основных характеристик
волны (амплитуды, частоты, фазы, поляризации) в пространстве.
Пространственная когерентность нарушается там, где исчезает закономерная
связь характеристик волны и вместе с ней интерференционная картина.
Криостат – устройство для поддержания в каком-либо объеме
температуры ниже температуры окружающей среды.
Лазер – это слово составлено из первых букв английской фразы: «Light
amplification by stimulated emission of radiation», что означает: усиление света с
помощью стимулированного излучения.
Легирование – введение в основной металл добавки другого для
улучшения его свойства.
Мазер – любой прибор радиодиапазона, в котором используется
стимулированное излучение атомов и молекул. Оно составлено из начальных
букв основных слов английской фразы: «Microwave amplification by stimulated
emission of radiation», что означает: усиление радиоволн в результате
стимулированного излучения.
Микросистема – система, состоящая из конечного числа элементарных
9
частиц (электроны, протоны, нейтроны), взаимодействующих друг с другом,
например атомное ядро, атом, молекула, кристалл.
Модуляция – изменение по заданному закону во времени величин,
характеризующих какой-либо регулярный физический процесс.
Модуляция добротности – метод получения коротких одиночных
лазерных импульсов большой мощности, при котором добротность резонатора
лазера быстро увеличивается от небольших начальных значений до очень
больших величин.
Монохроматичность – степень близости колебаний к идеальным
колебаниям. Чем выше монохроматичность, тем в меньшем интервале частот
группируются частоты его монохроматических составляющих.
Накачка – процесс нарушения равновесного распределения микрочастиц
(электронов, атомов, молекул) по их уровням энергии под действием внешнего
электромагнитного излучения или постоянного электрического поля. Накачка
может перевести вещество из состояния теплового равновесия, когда оно
поглощает излучение, в активное состояние, когда вещество может усиливать и
генерировать излучение.
Неодимий, самарий, гадолиний, иттербий – химические элементы.
Оптический квантовый генератор (ОКГ) – генератор, испускающий
когерентные электромагнитные волны вследствие вынужденного излучения
активной среды, находящейся в оптическом генераторе.
Ортогональный – прямоугольный.
Открытый резонатор – совокупность зеркал, в пространстве между
которыми могут существовать слабозатухающие электромагнитные колебания
с длиной волны, во много раз меньшей расстояния между зеркалами.
Относительная ширина спектра – величина, используемая для
характеристики степени монохроматичности
∆λ ∆ω
М= = ,
λ0 ω0
где ∆ω – полуширина линии, ω – центральная частота. Величина М
представляет собой отклонение от идеальной монохроматичности. Степень
монохроматичности газовых лазеров составляет 10-10. С помощью лучших
монохроматоров спектральных приборов можно получить спектральные линии,
степень монохроматичности которых 10-6.
Плазма (газовая) – состояние газа с высокой концентрацией заряженных
частиц – ионов и электронов.
Порог генерации – состояние квантового устройства, при котором
энергия, излучаемая веществом на частоте рабочего перехода, равна полной
потере энергии на этой частоте.
Резонатор – колебательная система, в которой возможно накопление
энергии колебаний. Если на резонатор действует внешняя периодическая сила,
то в нем возникают вынужденные колебания, амплитуда которых резко
возрастает при приближении частоты внешнего воздействия к определенным
(собственным) значениям частоты, зависящим от свойств резонатора.
Рекомбинация – исчезновение носителей заряда в результате
10
столкновений носителей заряда противоположного знака.

Рубин (синтетический) – твердое кристаллическое вещество. Основой его

является корунд – диэлектрический кристалл окиси алюминия Al2O3. Рубином
он становится тогда, когда небольшую часть атомов алюминия в этом
кристалле заменяют ионами хрома (0,05%).
Сенсибилизатор – органический краситель, способный придавать
веществу чувствительность к свету в определенных участках оптического
спектра.
Сканирование (то же, что и развертка) – движение луча или
изображения, осуществляемое по определенной траектории с известной
скоростью и имеющие целью отобразить какой-либо процесс во времени.
Скрабирование – метод резки и фасонной обработки образцов, в ходе
которого испарением охватывается лишь часть поверхности вдоль границы
раздела.
Спектральная плотность излучения – энергия электромагнитного
излучения, приходящаяся на 1 см3 и на единичный интервал частоты (1 Гц).
Спонтанное излучение – суммарное излучение вещества в результате
самопроизвольных (спонтанных) излучательных квантовых переходов его
частиц (атомов, молекул и др.) на более низкие уровни энергии.
Спонтанный шум – случайные изменения электромагнитного поля,
вызванные самопроизвольным (спонтанным) излучением.
Стимулированное излучение (вынужденное или индуцированное
излучение) – электромагнитное излучение под действием внешнего
электромагнитного поля (излучения), воздействующего на квантовую систему,
уже находящуюся в возбужденном состоянии.
Тепловое равновесие – состояние, в которое приходит любая физическая
система при неизменных внешних условиях.

11
 1. ОСНОВЫ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ЛАЗЕРНОЙ
ТЕХНИКЕ
1.1. Стационарные состояния атомов и молекул
В лазерной технике усиление и генерирование колебаний достигается
благодаря взаимодействию электромагнитного поля и вещества. В результате
взаимодействия происходит преобразование избыточной внутренней энергии
микрочастиц (молекул, ионов, атомов, электронов) в энергию
электромагнитного поля. Эта избыточная энергия приобретается
микрочастицами от внешнего возбуждающего источника и при определенных
условиях передается электромагнитному полю, воздействующему на вещество.
Специфика явлений в лазерной технике связана в первую очередь с тем,
что изменение энергии микрочастиц происходит дискретно. Излучая или
поглощая энергию, микрочастицы скачком переходят из одного состояния в
другое. Основополагающая идея о дискретном, квантовом характере излучения
и поглощения энергии была выдвинута Максом Планком в 1900 г. Согласно
гипотезе Планка, излучение и поглощение электромагнитной энергии
происходит отдельными «порциями» - квантами, и энергия кванта
пропорциональна частоте колебаний электромагнитного поля:
W = hω , (1.1)
-34
где h - постоянная Планка, равная 1,05·10 Дж·с;
ω -угловая частота колебаний, с-1.
Другая особенность квантовых явлений заключается в том, что состояния
микрочастиц и их взаимодействие с внешними полями могут быть описаны
лишь статистически. Статистический характер квантовых явлений обусловлен
двойственной корпускулярно-волновой природой микрочастиц. Своеобразный
характер поведения микрообъектов отражается в современной квантовой
теории волновой функцией ψ . Каждому состоянию квантовой системы
соответствует определенная волновая функция. Волновая функция не
описывает каких-либо физически реальных волн в квантовой системе, она
имеет статистический, вероятностный смысл. Волновая функция (или набор
волновых функций) рассматривается в квантовой теории как вполне
объективная, не зависящая от наблюдателя характеристика квантовой системы.
Для анализа процессов излучения и поглощения энергии в квантовых
системах необходимо предварительно установить, в каких состояниях
находится система, и какие причины вызывают изменения состояний
микрочастиц.
Если на атом (молекулу) не воздействуют внешние поля или частицы, то
состояния, в которых могут находиться электроны, определяются
потенциальным полем, созданным зарядами, образующими атом. Данное поле
остается неизменным во времени. В этом случае волновые функции,
описывающие возможные состояния электрона, могут быть представлены в
виде произведения двух функций, одна из которых есть функция только
координат, а другая - только времени:
W
−i n t
ψ n ( x, y , z , t ) = ψ no ( x, y , z )
e h , (1.2)
12
 где W n- энергия данного состояния, Дж.
Состояния электрона в атоме, не подвергающегося воздействию внешних
переменных полей, остаются неизменными во времени. Такие состояния
называются стационарными.
Стационарные состояния электрона в атоме характеризуются
определенной совокупностью волновых функцийψ 1 , ψ 2 , . . ., ψ n , ψ m , . . .,
которой соответствует ряд значений энергии W1, W2, . . ., Wn, Wm, . . .
Совокупность возможных стационарных состояний атома (иона,
молекулы) принято изображать графически в виде диаграмм энергетических
уровней. Диаграмма энергетических уровней представляет собой рисунок, на
котором горизонтальными линиями показаны значения энергии, которыми
может обладать атом. Каждый из энергетических уровней маркируется
специальным символом, который позволяет установить либо вид волновой
функции, либо ее важнейшие параметры. Диаграмма энергетических уровней
является индивидуальной характеристикой данного типа микрочастиц.
Энергия стационарных состояний непосредственно связана с
параметрами, характеризующими строение электронной оболочки атома.
Такими параметрами являются величины, определяющие размер стационарных
орбит электронов, значения орбитальных, спиновых и полного моментов
количества движения. Указанные величины на практике выражают через
числовые коэффициенты, которые называют квантовыми числами [1] .
Атомы подавляющего большинства веществ являются
многоэлектронными системами. Электроны в них движутся в усредненном
электрическом поле, создаваемом ядром и остальными электронами. Среди
состояний атома имеется такое, в котором его энергия минимальна. Как
известно, такое состояние является состоянием устойчивого равновесия.
Система, выведенная из этого состояния, будет стремиться возвратиться в него.
Состояние с наименьшей энергией называется основным или нормальным. На
диаграммах энергетических уровней вещества энергия основного состояния
обычно принимается за начало отсчета. Остальные состояния называются
возбужденными. Возбужденные состояния неустойчивы. Под действием
возмущений квантовая система из возбужденного состояния стремится перейти
в основное.
При соединении атомов в молекулы происходит объединение их
электронных оболочек. Электрические поля, возникающие в процессе
образования молекулы при сближении электронных оболочек отдельных
атомов, вызывают расщепление и смещение уровней энергии, присущих
соединяющимся атомам. Вследствие этого энергетический спектр молекулы
получается более сложным, чем спектры атомов, из которых она возникла.
Уровни энергии образовавшейся электронной оболочки определяют
электронную энергию молекулы We. Значения We близки, но всегда несколько
отличаются от тех значений энергии, которой могут обладать электроны в
атомах, образующих молекулу.
Так как в молекулах имеется несколько дискретных масс - ядер атомов,
связанных между собой силовыми полями взаимодействия электронных
оболочек, т. е. упругой силой, то молекула обладает колебательными степенями
13
свободы и некоторой колебательной энергией WV. Колебательная энергия
молекулы WV квантуется. Для характеристики величины WV используется
колебательное квантовое число v.
Наряду с колебательным движением ядер относительно друг друга
возможно также вращательное движение молекулы как целого. Следовательно,
в энергетической диаграмме молекулы должны присутствовать также
вращательные уровни энергии Wr.
В простейшем случае все компоненты энергетического состояния
молекулы складываются, т. е.

W=We+WV +Wr. (1.3)

Схема уровней энергии двухатомной молекулы приведена на рис. 1.1.

Характерным для молекул является наличие групп (полос) близко
расположенных энергетических уровней, а не отдельных резко выраженных
энергетических уровней, как у атомов. Спектры излучения и поглощения
молекул имеют в своем составе три выраженные структуры: электронную,
колебательную и вращательную. Это непосредственно следует из соотношения
(1.1), определяющего частоту излучения и поглощения квантовых переходов.
Для частот излучения молекул можно, следовательно, записать:
ω = ω e + ωυ + ω r ,
где
We'' − We' ∆W 
ωe = = ;
h h 
Wυ'' − Wυ' ∆W 
ωυ = = ; (1.4)
h h 
Wr'' − Wr' ∆W 
ωr = = ,
h h 
'' '
где W ,W - соответственно значения энергии верхнего и нижнего
состояния молекулы.
Молекулы излучают (и поглощают) энергию в очень широком диапазоне
частот. Наиболее коротковолновое излучение (ультрафиолетовое, видимое или
инфракрасное) возникает при изменении электронной энергии молекулы We.
Так как изменения We могут сопровождаться также изменением колебательной
WV и вращательной Wr энергии молекулы, то образуются электронно-
колебательно-вращательные спектры. Около каждой частоты ω е,
соответствующей определенной величине ∆We , располагаются колебательные
полосы (с различными величинами ∆ WV), распадающиеся на отдельные
вращательные линии, каждой из которых соответствуют различные ∆Wr .
Характер образования электронно-колебательно-вращательных
спектров показан на рис. 1.2.

14
 Рис. 1.2. Схема
образования электронно-
вращательно-
колебательного спектра

Рис. 1.1. Энергетическая диаграмма

двухатомной молекулы:
1 – электронные; 2 – электронно- колебательные; 3 –
электронно- колебательно-вращательные уровни

Поглощение и выделение энергии в квантовой системе возможно лишь

при переходах из одного стационарного состояния в другое. Любой из
переходов связан со скачкообразным изменением энергии системы.
Вероятности переходов зависят от начального и конечного состояний и
возмущающих факторов, вызывающих переход. В квантовой теории
доказывается, что наибольшая вероятность перехода существует между двумя
состояниями, квантовые числа которых при равенстве спиновых различаются
не более чем на единицу. Переходы между другими парами состояний
происходят со значительно меньшей вероятностью.

1.2. Состояния квантовой системы

При постоянной температуре в активной среде устанавливается

определенное распределение микрочастиц по энергетическим уровням. Это
распределение возникает и поддерживается вследствие взаимодействия
вещества с полем теплового излучения. Число частиц в единице объема среды,
одновременно имеющих одну и ту же внутреннюю энергию, т. е. находящихся
в одном из состояний, соответствующих данному энергетическому уровню,
называется населенностью энергетического уровня Ni. Населенности
энергетических уровней определяются распределением Больцмана. Для
простых невырожденных энергетических уровней распределение Больцмана
имеет вид

15
 1
Ni = N o e −Wi / (kT ) , (1.5)
Z
где Z - нормирующая постоянная;
Т - абсолютная температура, К;
k - постоянная Больцмана.
Z = ∑ g i e −Wi / (kT ) .
i
В соответствии с распределением Больцмана в основном состоянии с
энергией W0, при термодинамическом равновесии находится наибольшее
количество частиц. Населенности верхних (возбужденных) энергетических
уровней уменьшаются с ростом энергии уровня. Отношение населенностей
двух простых невырожденных уровней в равновесном состоянии определяется
в соответствии с распределением Больцмана следующим выражением:

N2
= e − (W2 −W1 ) / (kT ). (1.6)
N1

Равновесное состояние является динамическим равновесием. В системе

непрерывно происходят переходы с выделением и поглощением энергии.
Поглощая энергию, частицы переходят из основного состояния (например, W0)в
одно из возбужденных. Через некоторый промежуток времени частица
самопроизвольно под действием внутренних возмущений возвращается в
основное состояние. Среднее время нахождения частицы в возбужденном
состоянии называется временем жизни τ. Для большинства возбужденных
состояний время жизни составляет 10 -6 …10-9 с. Однако имеются и такие
состояния, время жизни в которых значительно больше и может составлять
величины порядка 10-3 с, а в некоторых случаях даже - нескольких секунд.
Возбужденные состояния с большим временем жизни называются мета-
стабильными. Если частица оказывается на метастабильном уровне, то она
находится на нем значительно дольше, чем частицы на других уровнях, т. е. при
получении возбуждения квантовой системой на метастабильных уровнях
происходит «накопление» частиц, увеличение населенности сверх равновесной.
Изолированная система частиц, находящаяся в любом состоянии,
отличающемся от распределения Больцмана для данной температуры,
неравновесна и будет стремиться к состоянию равновесия. Процессы возврата
системы в равновесное состояние называются релаксационными. Для многих
квантовых систем процесс релаксации можно описать затухающей
экспоненциальной функцией.
Процессы испускания и поглощения энергии представляют собой
результаты взаимодействия излучения и частиц вещества. При излучении
кванта энергии происходит переход атома (или молекулы) из возбужденного
состояния в состояние с меньшей энергией. Частота колебаний, излучаемых
квантовой системой, определяется разностью энергий начального и конечного
состояний и в соответствии с выражением (1.1) вычисляется как
16
 ω 21=(W2-W1)/h, (1.7)

где ω 21 - частота излучаемых колебаний;

W2 ,W1 - энергия верхнего и нижнего стационарных состояний.
При поглощении кванта энергии происходит обратный процесс: из
состояния с меньшей энергией W1 система переходит в состояние с энергией
W2, поглощая излучение на частоте ω 21, равной ω 21.
Квант энергии может быть излучен во внешнее пространство в виде
фотона или выделен в виде тепловой энергии в окружающей среде (например, в
кристаллической решетке твердого тела, в материале стенок газоразрядных
приборов и т. п.). В первом случае переход называют излучательным, во втором
- безызлучательным.
Испускание (излучение) квантов энергии связано с двумя процессами.
Первый процесс - самопроизвольные переходы возбужденных микрочастиц с
верхних энергетических уровней на нижние с излучением энергии. Эти
переходы не связаны с воздействием каких-либо внешних переменных полей на
квантовую систему. Причиной самопроизвольных переходов являются
внутренние возмущения, флюктуации в квантовых системах. Излучение,
возникающее в результате самопроизвольных переходов, называется
спонтанным. Второй процесс - переходы с излучением энергии под
воздействием внешнего электромагнитного поля, частота которого совпадает с
частотой квантового перехода ω 21. Излучение, возникающее в этом случае,
называется индуцированным. Гипотеза о существовании индуцированного
излучения была выдвинута Эйнштейном в 1916 г. и в настоящее время
получила полное экспериментальное подтверждение.
Наряду с процессами излучения в квантовой системе происходит также
поглощение энергии. Поглощение квантов энергии может происходить лишь
при наличии внешнего поля и в этом отношении оно является качественно
таким же эффектом, как и индуцированное излучение, но идет в обратном
направлении.
Если индуцированные переходы с излучением энергии будут преобладать
над переходами с поглощением энергии, станет возможным усиление
электромагнитного поля с помощью квантовой системы.
Индуцированное излучение является тем механизмом, благодаря которому
происходит преобразование избыточной внутренней энергии микрочастиц в
энергию колебаний, когерентных с внешним электромагнитным излучением,
воздействующим на вещество. Но взаимодействие поля и вещества не
ограничивается этим процессом. Электромагнитное поле, вызывающее
индуцированные переходы, частично ослабляется вследствие поглощения его
энергии невозбужденными микрочастицами. Явления поглощения и
индуцированного излучения всегда протекают одновременно, составляя две
неразрывные стороны одного и того же процесса взаимодействия
электромагнитного поля и вещества. Оба процесса носят резонансный характер,
так как они протекают лишь при совпадении частоты колебаний
электромагнитного поля с частотой квантового перехода.
17
 Рассмотрим процесс обмена энергией между полем и веществом,
обусловленный квантовыми переходами. Предположим, что рабочее вещество
состоит из одинаковых молекул или атомов, обладающих двумя
энергетическими уровнями (рис. 1.3). Электромагнитное поле на частоте
перехода ω 21 с плотностью энергии ρ ( ω ) индуцирует переходы между
уровнями 2 и 1.
W2; N2

А12 В21 В12

W1; N1

Рис. 1.3. Квантовые переходы на двух уровнях

Переходы 1 → 2 сопровождаются поглощением энергии, величина

которой определяется следующим образом:

dWпогл = hω 21 N1 B12 p (ω )dt .

Переходы 2 → 1 сопровождаются выделением квантов энергии,

учитывающих энергию внешнего электромагнитного поля. Излучающая
частицы энергия
dWизл = hω 21 N 2 B21 p (ω )d .

Суммарный эффект взаимодействия определяется разностью величин

энергии, излучаемой и поглощаемой квантовой системой. Для результирующей
мгновенной мощности взаимодействия поля и вещества получим следующее
выражение:
dW  g 
= hω 21  N 2 − 2 N1  B21 p(ω ) . (1.8)
dt  g1 

Если dW/dt>0, энергия электромагнитного поля возрастает.

Положительное значение мощности взаимодействия свидетельствует о
преобладании индуцированного излучения над поглощением, о возникновении
новых квантов энергии, происходящих под действием поля и увеличивающих
его энергию. Система частиц, для которой dW/dt>0, становится усилителем
электромагнитных колебаний. Если же dW/dt<0, то энергия электромагнитного
поля в результате взаимодействия уменьшается. Число вынужденных
18
переходов с поглощением энергии превышает число переходов с излучением
энергии. Энергия поля расходуется на увеличение населенности уровня 2 и
создание дополнительного числа возбужденных атомов.
Из формулы (1.8) непосредственно вытекает необходимое условие,
определяющее принципиальную возможность усиления излучения с помощью
данной квантовой системы. Усиление с помощью квантовой системы
возможно,если выполняется условие

g2
N2 − N1 〉0 . (1.9)
g1
Для простых, невырожденных уровней (g2=g1=1) условие (1.9)
упрощается и принимает вид N2 - N1 > 0.
Рассмотрим этот наиболее простой случай. Внешнее электромагнитное
излучение будет усиливаться с помощью квантовой системы, если на верхнем
уровне находится больше частиц, чем на нижнем. Когда N2> N1, говорят, что
вещество обладает отрицательным коэффициентом поглощения.
В состоянии термодинамического равновесия населенность верхних
энергетических уровней всегда меньше, чем нижних. Следовательно, вещество,
находящееся в равновесном состоянии, всегда поглощает падающее на него
электромагнитное излучение. Поглощение энергии приводит к возбуждению
молекул (атомов) вещества и повышению населенности верхнего
энергетического уровня перехода. Следует отметить, что воздействие
вспомогательного излучения на частоте перехода ω 21 не может привести к
состоянию с отрицательным коэффициентом поглощения в переходе 2–>1. С
ростом населенности верхнего уровня N2 уменьшается разность населенностей
N2-N1, а это, в свою очередь, ведет к уменьшению поглощения согласно (1.8).
Квантовая система стремится к состоянию с равными населенностями верхнего
и нижнего уровней перехода. В предельном случае будет иметь место
равенство N2=N1. В этом случае поглощение в веществе отсутствует,
дальнейшее увеличение N2 невозможно, в переходе достигнуто насыщение.
Насыщение перехода достигается при большой мощности падающего
электромагнитного излучения.
Итак, состояние вещества, при котором на верхнем уровне перехода
находится больше частиц, чем на нижнем, т. е. N2>N1, является особым,
специфическим. Оно достигается специальными методами, которые называют
методами инверсии (обращения) населенностей. Простейшей квантовой
системой, в которой с помощью вспомогательного излучения может быть
получена инверсия населенностей, является трехуровневая.
Инвертированное состояние квантовой системы часто называют
состоянием с отрицательной температурой. Согласно закону Больцмана (1.6)
инвертированное состояние системы, когда N2>N1, возможно, если
предположить, что система находится при отрицательной температуре (ниже
абсолютного нуля). Чем больше величина отрицательной температуры, тем
выше степень инверсии населенностей и больше возможная величина усиления.
Таким образом, понятие «отрицательная температура» есть характеристика
состояния двухуровневого квантового перехода, а не физической температуры
19
вещества. В многоуровневых квантовых системах использование этого понятия
становится затруднительным, так как каждая пара уровней должна
характеризоваться своим значением температуры. Поэтому понятием
«отрицательная температура» пользуются сравнительно редко.
Таким образом, для усиления и генерирования колебаний определенной
частоты с помощью квантовых систем необходимо подобрать вещество, в
котором возможны квантовые переходы на данной частоте, и создать в нем
избыток активных частиц на верхнем уровне перехода. Получить инверсию
населенностей можно лишь при определенной структуре энергетических
уровней вещества. Поэтому важной задачей в квантовой электронике является
подбор активных сред и соответствующих методов создания инверсии
населенностей.

1.3. Способы возбуждения квантовых систем

Для получения избытка частиц на верхнем энергетическом уровне

используют ряд методов. Их можно разделить на две основные группы: а)
методы пространственного разделения (сортировки) возбужденных и
невозбужденных атомов или молекул; б) методы с использованием
вспомогательного излучения.
Сортировка атомов (молекул) по состояниям. Пространственное
разделение возбужденных и невозбужденных атомов и молекул осуществляется
в приборах СВЧ-диапазона, например в молекулярных генераторах, с
использованием аммиака или атомарного водорода.
Сущность метода заключается в том, что пучок молекул (атомов),
находящихся в термодинамическом равновесном состоянии, пропускается
через сортирующую систему, в которой создано неоднородное электрическое
или магнитное поле. В результате взаимодействия с полем частица получает
некоторое приращение энергии. Частицы, находящиеся в верхнем и нижнем
энергетических состояниях, получают, как правило, различные по величине и
знаку приращения энергии. Поэтому для них будут наблюдаться различные по
характеру зависимости энергии от величины напряженности поля: для частиц,
получающих положительные приращения + ∆ W, минимальное значение
энергии будет иметь место при напряженности поля, равной нулю; для частиц,
получающих отрицательные приращения - ∆ W , энергия будет минимальной в
области с наибольшей напряженностью поля.
Проходя сортирующую систему, молекулы будут перемещаться в те
области пространства, где их энергия принимает минимальное значение. Таким
образом, в неоднородном поле в одной области пространства окажутся только
возбужденные молекулы, способные отдавать энергию электромагнитному
полю, в другой - невозбужденные. Возбужденные молекулы могут быть теперь
выделены и использованы для усиления электромагнитных колебаний.
Более универсальными являются методы инверсии населенностей с
использованием вспомогательного излучения (накачки), идея использования
вспомогательного излучения для получения инверсии населенностей
принадлежит Н. Г. Басову и А. М. Прохорову.
20
 Рис. 1.4. Трехуровневая
квантовая система
Рассмотрим трехуровневую квантовую систему (рис. 1.4). В равновесном
состоянии населенности уровней определяются распределением Больцмана,
графически они показаны на рис. 1.4 отрезками, ограниченными функцией
eW / kt . Вспомогательное излучение действует на частоте перехода ω 31 и
вызывает переходы с уровня 1 на уровень 3. Если мощность вспомогательного
излучения достаточно велика, то в переходе 1 → 3 будет достигнуто насыщение,
и населенности уровней 1 и 3 можно считать равными. Населенность уровня 1
уменьшится на величину - ∆ N, а уровня 3 - возрастет на + ∆ N. При этом
становится возможным получить инверсию населенностей в переходе 3 → 2
(рис. 1.4).
Переход 3 → 2 является рабочим, на частоте ω 32 вещество проявляет
усилительные свойства. Переход 2 → 1 непосредственно не участвует в
усилении электромагнитного излучения, его роль вспомогательная: переход
2 → 1 обеспечивает отвод частиц с уровня 2, где они могли бы скапливаться и
тем самым препятствовать усилению на частоте перехода 3 → 2.
Кроме описанного, возможны также и другие варианты достижения
инверсии населенностей (например, переход 2 → 1 может быть рабочим, 3 → 2 -
вспомогательным).
Для анализа возможностей создания инверсии населенностей в переходе
3 → 2 используем систему кинетических уравнений:

⋅ hω 21 hω31
1 − 1 −
N1 = − ρ13 ( N 1 − N 3 ) + ( N 2 − N1 ⋅ e kT ) + ( N 3 − N1 ⋅ e kT ) ;
τ 21 τ 31
⋅ hω32 hω31
1 − 1 −
N2 = ( N3 − N 2 ⋅ e kT )− ( N 2 − N1 ⋅ e kT ) ; (1.10)
τ 32 τ 21
N1 + N 2 + N 3 = N 0 ,

где ρ13 - вероятность перехода частицы под воздействием поля накачки

за 1 с;
21
 . .
N1 и N 2 - производные по времени от населенностей уровней
(скорости изменения населенностей уровней);
τ 21 , τ 31 , τ 32 - время спонтанного перехода и релаксации между
соответствующими уровнями;
N0 - плотность активных частиц.
Принцип составления кинетических уравнений поясним на примере
первого уравнения системы (1.10). Населенность уровня 1 уменьшается
вследствие воздействия накачки на частоте ω 31 (первое слагаемое в формуле
для N1 ) и увеличивается за счет релаксационных переходов с уровней 2 и 3.
Равновесие в системе будет наблюдаться, если выполняются условия:
hω 21 hω31
− −
N 2 = N1e kT ; N
3 = N1e kT .

Если N2 и N3 отличаются от равновесных значений, в системе происходят

процессы релаксации с постоянными времени τ 21 и τ 31 . Релаксационные
процессы, стремящиеся возвратить систему в равновесное состояние,
описываются вторым и третьим слагаемыми в формуле для N1.
В установившемся режиме работы для простоты будем полагать, что
сигнал на частоте ω 32 отсутствует. Так как в установившемся режиме
населенности уровней постоянны, то N1=N2=N3=0. Кроме того, N1=N3, так как в
переходе 1 → 3 достигнуто насыщение. Тогда из системы (2-1) получаем:
hω 32
−
N 3 τ 32 + τ 21e rT
= hω 21
. (1.11)
N2 −
τ 21 + τ 32e kT

Для получения инверсии в переходе 3 → 2 необходимо обеспечить N1>N2.

Это возможно, если отношение, определяемое формулой (1.11), может
превышать единицу.
В оптическом диапазоне для насыщения перехода 1–>3 требуется
чрезвычайно большая мощность. В связи с этим в оптическом диапазоне
используют квантовые системы, один из возбужденных уровней которых
обладает большим временем жизни. Типичная схема расположения
энергетических уровней и переходы между ними представлены на рис. 1.5.
Инверсия населенностей обеспечивается между уровнями 2 и 1. Уровень 3
является вспомогательным. Излучение источника накачки переводит частицы
из состояния 1 в состояние 3. Через некоторый промежуток времени частица
без излучения переходит на метастабильный уровень 2, где происходит
накопление возбужденных частиц.

22
 Рис. 1.5. Трехуровневая квантовая Рис. 1.6. Энергетическая
система с метастабильным уровнем диаграмма четырехуровневой
квантовой системы

Рассмотрим условия, при которых в приведенной квантовой системе

можно получить инверсию населенностей, и вновь используем для этого
систему кинетических уравнений, учитывая специфику оптического диапазона.
В оптическом диапазоне энергия теплового движения kT << hω . Это
означает, что в термодинамическом равновесном состоянии населенности
уровней 2 и 3 практически равны нулю и все частицы находятся в основном
состоянии 1. В системе кинетических уравнений экспоненциальные члены
е −hω / kT можно полагать равными нулю.
Система кинетических уравнений с учетом особенностей оптического
диапазона имеет следующий вид:

⋅
N3 N3
N3 = − − + ρ13 ( N1 − N 3 ) ;
τ 32 τ 31
⋅
N2 N3
N2 = − + ;
τ 21 τ 32
N1 + N 2 + N 3 = N 0 .

Вероятность перехода ρ13 пропорциональна мощности накачки.

Воздействие накачки приводит к перераспределению частиц по энергетическим
состояниям.
Минимальная мощность накачки, необходимая для получения усиления в
веществе, будет составлять

23
 hω13 N 0
Pн. мин = p13 ( N1 − N 3 )hω13 ≈ .
2τ 21

К недостаткам трехуровневой системы следует отнести высокую

мощность накачки, необходимую для создания и поддержания состояния
инверсии, поскольку система накачки должна компенсировать значительное
число спонтанных переходов ( N 0 /(2τ 21 ) в секунду).
Если трехуровневая квантовая система работает в импульсном режиме, то
для того чтобы она могла усиливать импульс электромагнитного излучения,
необходимо на уровень 2 предварительно перевести N0/2 частиц и,
следовательно, затратить энергию h ω13 N0/2. Эта энергия расходуется в каждом
цикле импульсной работы и представляет собой потери, так как
непосредственно не используется для усиления колебаний. Необходимость
значительных энергетических затрат при импульсном возбуждении
трехуровневых квантовых систем также является их недостатком.
Значительными преимуществами по сравнению с трехуровневой
cистемой обладают системы с четырьмя энергетическими уровнями (рис. 1.6).
Дополнительный четвертый уровень находится между вторым и первым.
Рабочим является переход 2–>4, переходы 3–>2, 4–>1 - безызлучательные.
Исходя из физических соображений, можно предъявить ряд требований к
веществу, обладающему системой четырех уровней. Тем самым можно
избежать дополнительных математических выкладок.
С уровня 3 возбужденные частицы должны преимущественно переходить
на уровень 2, т. е. целесообразно, чтобы выполнялось условие τ 32 〈〈τ 31 , τ 34 .
Кроме того, желательно также, чтобы частицы, находящиеся на уровне 2, «не
стекали» на уровень 1, уменьшая инверсную населенность, т. е. выполнялось
бы неравенство τ 21 〉〉τ 24 .
Населенности уровней 2 и 3 в равновесном состоянии практически равны
нулю. Населенность уровня 4 хотя и мала, но намного больше населенностей
уровней 2 и 3 и ее следует учесть. Согласно (1.6) в равновесном
− hω ( kT )
состоянии N 4 = N 1e 41 / .
С учетом приведенных соображений система кинетических уравнений
будет иметь следующую математическую форму:

(1.12)

Для стационарного состояния (N3=N2=N4=0) из системы (1.12) получаем,

что инверсия населенностей в переходе 2–>4 будет достигнута при выполнении
24
условия:

Следовательно, вероятность перехода ρ13 обеспечиваемая накачкой,

должна составлять
hω 41
1 −
ρ13 ≥ e kT . (1.13)
τ 24 − τ 41

Из условия (1.13) следует, что целесообразно выбирать квантовую

систему, для которой время жизни частиц на уровне 2 значительно больше, чем
на уровне 4, т. е. τ 24 〉〉τ 41 .
Если hω 41 〉 (2...3)kT , то N1 〉〉 N 2 , N 3 , N 4 и минимальная мощность
накачки, требуемая для поддержания стационарного состояния инверсии
населенностей, определяется выражением
hω 41
N 0 hω13 −
Pн. мин = hω13 p13 ( N1 − N 3 ) ≈ e kT .
τ 24
Получаем, что для четырехуровневой системы мощность накачки в
hω kT
0.5 e 41 / раз меньше, чем для трехуровневой. На практике для
возбуждения четырехуровневой квантовой системы требуется мощность в
десятки и даже сотни раз меньше. Это существенно облегчает создание ОКГ,
работающих в непрерывном режиме.
Мощность, необходимая для возбуждения квантовых систем,
существенно зависит от источника накачки. Широкое применение для накачки
ОКГ находят газоразрядные лампы. Спектр излучения ламп достаточно широк
и их энергия используется эффективно, если активное вещество обладает
широкими полосами поглощения, которые характерны для твердых тел.
Ширина линий поглощения других типов активных сред будет отличаться.
Поэтому для возбуждения других активных сред применяются методы,
отличающиеся от вышеизложенных.
Например, возбуждение активных газообразных сред достигается, как
правило, при соударении молекул газа с электронами или возбужденными
молекулами другого газа. Необходимое количество электронов либо вводится
извне, либо образуется в самой среде при газовом разряде.
Задача получения инверсного состояния облегчается, если использовать
разряд в смеси двух газов. Инверсия создается между энергетическими
уровнями основного газа. Примесный газ служит для передачи возбуждения.
В состоянии с инверсией населенности квантовая система обладает
запасом энергии, которую она может излучать в виде электромагнитных волн.
Именно на этом явлении основана работа квантовых генераторов и усилителей
(лазеров).
25
 1.4. Принцип усиления и генерации электромагнитных волн

Активная среда, в которой создана инверсия населенностей между

какими-либо двумя энергетическими уровнями, способна усиливать на частоте
квантового перехода распространяющееся в ней электромагнитное излучение,
т. е. играет роль квантового усилителя. Квантовый усилитель принципиально
должен содержать два основных элемента - активную среду и источник
накачки, обеспечивающий ее возбуждение (рис. 1.7).

Рис. 1.7. Схема оптического квантового усилителя

.

Предположим, что в активной среде с инверсной населенностью

распространяется электромагнитная волна, интенсивность (плотность потока
энергии) которой в сечении dх равна I. В результате квантовых переходов,
вызванных воздействием электромагнитной волны, в слое dx будет выделена
энергия

где v - скорость электромагнитной волны в активной среде.

Учитывая, что ρ = Iv, определим приращение интенсивности волны за
счет квантовых переходов в активной среде:

Некоторая часть энергии волны поглощается и рассеивается

посторонними примесями и дефектами в структуре активного вещества, а
также теряется за счет дифракции. Вследствие этих нерезонансных потерь
интенсивность волны уменьшается на dI" = β Idx, где β - постоянная,
характеризующая величину потерь на единицу длины в активной среде.
Полное приращение dI интенсивности волны в слое dx будет
составлять

26
 (1.14)

Из формулы (1.14) следует, что интенсивность волны изменяется в

активной среде по экспоненциальному закону

где I0 – интенсивность волны на входе активной среды.

B21hω 21  g 
Величина α=  N 2 − 2 N1  характеризует усиление на
υ  g1 
единицу длины, обусловленное индуцированными переходами. Величина
(α − β ) L
коэффициента усиления для волны, прошедшей путь L, равна e . В
квантовом усилителе легче получить высокий коэффициент усиления, если
использовать (при прочих равных условиях) однородную активную среду с
малой величиной потерь β .
Показатель усиления активной среды α остается неизменным при
небольших интенсивностях потока энергии I. Так как усиление волны
происходит за счет энергии возбужденных атомов, то процесс усиления должен
сопровождаться уменьшением инверсии населенностей. Следовательно, с
увеличением интенсивности I входных сигналов показатель усиления α должен
уменьшаться. Уменьшение α с ростом I ограничивает максимальную величину
интенсивности потока, которая может быть получена в процессе усиления.
Зависимость интенсивности волны на выходе Iвых от входной величины Iвх,
представляет собой амплитудную характеристику квантового усилителя.
Отношение K=Iвых/Iвх называется коэффициентом усиления. Для работы
квантового усилителя характерны два режима - линейный и насыщения. В
линейном режиме коэффициент усиления остается практически постоянным. В
режиме насыщения пропорциональная зависимость между Iвых и Iвх нарушается.
Излучение, проходящее через активную среду, вызывает интенсивное
индуцированное излучение, при этом населенность верхнего уровня
уменьшается и соответственно уменьшается показатель усиления α . При
некоторой предельной величине Iпр увеличение Iвых прекращается,
интенсивность выходного потока остается неизменной независимо от Iвх.
Существование предельного уровня сигнала, усиливаемого активной
средой, обусловлено наличием нерезонансных потерь β . Для увеличения
выходного сигнала необходимо обеспечить определенную длину пути в
активной среде, что приводит к большим габаритам усилителя, или улучшить
качество активной среды.
Если между выходом и входом усилителя создать положительную
обратную связь, то получаем квантовый генератор. Принцип положительной
обратной связи содержится в самом явлении индуцированного излучения.
Поле, воздействующее на активную среду, вызывает излучение микрочастиц,
которое полностью (по частоте, фазе, поляризации и направлению
27
распространения) совпадает с этим полем.
Квантовым генератором (рис. 1.8) по существу может быть активная
среда достаточной длины, в которой обеспечена инверсия населенностей.
Источником, вызывающим появление выходного излучения, являются
спонтанные переходы в активной среде. Спонтанное излучение, проходя через
активную среду, усиливается и в результате процессов насыщения
монохроматизируется. Такое усиленное спонтанное излучение называют
сверхлюминесценцией, или суперлюминесценцией. Суперлюминесценция
характеризуется высокой направленностью, так как наибольшее усиление
получают колебания, распространяющиеся под небольшими углами к оси
активной среды. Остальная часть спонтанного излучения, проходя небольшой
путь в активной среде, уносит небольшую долю энергии возбужденных атомов.
В генераторах оптического диапазона со сверхлюминесценцией в настоящее
время используются газообразные среды, в частности азот и неон.

Рис. 1.8. Схема оптического квантового генератора

В подавляющем большинстве случаев генерирование колебаний в
квантовых приборах происходит в резонансной системе, помещается активная
среда. В этом случае необходимая для генерирования колебаний
положительная обратная связь обеспечивается за счет взаимодействия поля
резонатора и активной среды.
В оптическом диапазоне роль резонатора выполняет система из двух
обращенных друг к другу отражающих поверхностей, между которыми
располагается активная среда (рис. 1.8). Наиболее простым резонатором
является система из двух плоских зеркал. Резонаторы оптического диапазона
очень часто называют интерферометром. Обычно одно из зеркал резонатора
полупрозрачное, часть энергии излучается через него во внешнее пространство.
Наличие отражающих поверхностей создает условия для многократного
прохождения излучения через активную среду. Волна, движущаяся от зеркала
1, вызывает индуцированные переходы в активной среде и усиливается. Часть
энергии волны отражается затем от зеркала 2 и распространяется к зеркалу 1.
Отражением от зеркала 1 завершается цикл движения волны в резонаторе. В
дальнейшем процесс повторяется.
Чтобы происходило непрерывное возобновление, повторение тех же
самых колебаний в резонаторе, фазовый сдвиг, получаемый волной за цикл
движения в резонаторе, должен быть кратен длине волны колебаний.
Интерференция колебаний данной частоты, распространяющихся слева направо
и справа налево, приводит к образованию стоячих волн в резонаторе в
продольном направлении (рис. 1.9). Каждой возможной частоте колебаний
28
соответствует своя картина стоячих волн. Таким образом, геометрические
размеры резонатора оказывают непосредственное влияние на формирование
спектра частот, генерируемых прибором.

Рис. 1.9. Картина стоячих волн в резонаторе:

1 – поле максимально (время t1); 2 – через промежуток времени,
меньее четверти периода ( t 2 〈t + T / 4) ; 3 – через промежуток
времени, равный половине периода (t 3 = t1 + T / 2)

Резонатор ОКГ выполняет активную роль также и в создании высокой

направленности излучения. В резонаторе выделяются те типы колебаний,
направление распространения которых совпадает с осью резонатора или близко
к ней. Волны, распространяющиеся под значительными углами к оси
резонатора, после нескольких отражений выходят за пределы резонатора, не
получив достаточного усиления.
Таким образом, на процесс генерирования колебаний оказывают влияние
характеристики активной среды, в которой происходит усиление колебаний, и
характеристики резонатора, участвующего в формировании спектра частот,
направленности излучения и обеспечивающего вывод части энергии колебаний
во внешнее пространство, т. е. определяющего мощность, излучаемую
генератором. Существенное влияние на распространение лазерного излучения
оказывает среда. Во многих случаях это атмосфера.

1.5. Прохождение лазерного излучения через атмосферу

К основным процессам, сопровождающим распространение лазерного

излучения в атмосфере, относят селективное поглощение его парами воды,
углекислым газом, озоном и метаном, а также рассеяние мельчайшими
частицами, находящимися в атмосфере во взвешенном состоянии.
Концентрация водяных паров в атмосфере изменяется в зависимости от
географического положения, высоты, времени года, местных
-3
метеорологических условий и колеблется (по объему) от 1·10 до 4%. С
увеличением высоты содержание водяных паров в атмосфере резко
уменьшается; на высотах, превышающих 12 км, количество водяных паров в
атмосфере пренебрежимо мало. Концентрация углекислого газа на высотах до
25 км изменяется от 0,03 до 0,05% по объему. Концентрация озона по высотам
неравномерна. Основная часть атмосферного озона находится на высотах
15…40 км и имеет максимум на высоте около 30 км (более 10-3 %). В нижних
слоях атмосферы концентрация озона составляет 10-6...10-5 %, а на высотах
29
65…70 км обнаруживаются только его следы.
Относительно сильные полосы поглощения инфракрасного излучения
соответствуют следующим интервалам длин волн, мкм:
- для паров воды 0,498...0,5114; 0,542...0,5478; 0,567...0,578; 0,586...0,606;
0,682...0,7304; 0,926...0,978; 1,095...1,165; 1,319...1,948; 1,762...1,977;
2,520...2,845; 4,24...4,4; 5,25...7,5;
- для углекислого газа 1,38...1,5; 1,52...1,67; 1,92...2,1; 2,64...2,87;
4,63...4,95; 5,05...5,35; 12,5...16,4;
- для озона 0,6; 4,63...4,95; 8,3...10,6; 12,1...16,4.
Окись углерода имеет полосу поглощения в области 4,7 мкм, у закиси
азота заметна слабая полоса поглощения при 4 мкм и сильные полосы
поглощения при 4,5 и 7,8 мкм. У метана - две линии поглощения на участке от
3,1 до 3,5 мкм и узкая полоса при 7,7 мкм. Для большинства практических
целей поглощение инфракрасного излучения этими газами можно не принимать
во внимание.

Рис. 1.10. Зависимость коэффициента пропускания атмосферы от

длины волны оптического излучения для горизонтальной трассы
На рис. 1.10 изображена кривая, характеризующая спектральное
пропускание атмосферы на горизонтальной трассе протяженностью 1,8 км на
уровне моря. В верхней части рисунка показано, молекулами каких газов
поглощается излучение. Участки, характеризуемые высоким пропусканием,
называют «атмосферными окнами». Наибольшие значения в современной
инфракрасной технике имеют окна 0,95...1,05; 1,15...1,35; 1,5...1,8; 2,1...2,4;
3,3...4,2; 4,5...5,1; 8...14 мкм.
Главным компонентом атмосферы, поглощающим инфракрасное
излучение, является водяной пар. Для расчета поглощения излучения водяным
паром введено понятие количества осажденной воды, обозначаемое w и
измеряемое толщиной слоя воды в миллиметрах, который получится, если при
заданной площади слоя весь содержащийся в атмосфере водяной пар
превратить в воду. Величина w характеризует условия поглощения излучения
на трассе; ее рассчитывают по формуле
(1.15)

где L – толщина поглощающего слоя атмосферы;

w0 = 2,167 10-4/ Т В ⋅ fl – количество осажденной воды, мм на длине 1 км;

30
 f - относительная влажность воздуха в процентах (отношение количества
водяных паров, содержащихся в воздухе, к максимальному количеству,
которое при заданной температуре может содержаться в насыщенном
воздухе);
l - упругость насыщающих паров, Па;
Tв - температура воздуха, К.
Процентное содержание углекислого газа в атмосфере постоянно и
составляет около 0,032%, поэтому для расчета используют эквивалентную
величину Lэкв поглощающего слоя атмосферы, которая учитывает поправку на
температуру и давление

(1.16)

где pв- давление воздуха, Па;

L – действительная толщина слоя.
Расчет поглощения излучения водяными парами и углекислым газом
проводят с помощью специальных таблиц, в основу которых положены
экспериментальные данные. Входными данными в таблицы являются w и Lэкв.
Коэффициент пропускания атмосферы на данной длине волны
представляет собой произведение коэффициентов пропускания для паров воды
и углекислого газа:
τ λ = τ H Oτ CO .
2 2

Кроме поглощения, лучистый поток рассеивается молекулами воздуха

(молекулярное рассеяние) и различными частицами, присутствующими в
атмосфере, - кристаллами солей, пылинками, поднятыми ветром с поверхности
Земли, остатками продуктов сгорания, каплями воды и кристаллами льда
(аэрозольное рассеяние). В то время как коэффициенты пропускания
атмосферой монохроматического потока с учетом молекулярного рассеяния
можно рассчитать достаточно точно, расчет коэффициентов пропускания
потока с учетом аэрозольного рассеяния связан с определенными трудностями,
так как для этого необходимо знать количество, размеры, форму и состав
вещества аэрозольных частиц, на которых происходит рассеяние излучения.
Поэтому рассеяние лучистого потока в окнах пропускания атмосферы
учитывают на основании результатов экспериментальных исследований,
которые показывают, что коэффициент τ р пропускания атмосферой лучистого
монохроматического потока с учетом молекулярного и аэрозольного рассеяния
зависит от длины волны излучения и метеорологической дальности видимости
s МДВ . Значения величин s МДВ для различных условий наблюдения приведены в
табл. 1.1.
При распространении пространственно ограниченных световых пучков в
атмосферных аэрозолях большое значение приобретает рассеянное назад
излучение (обратное рассеяние). В первом приближении считают, что обратное
рассеяние (по направлению к источнику излучения) является изотропным.
31

Международная шкала видимости
Характеристика
Балл МДВ, км Условия наблюдения
видимости
0 〈 0,05
1 Очень плохая 0,05…0,2
2 0,2…0,5
3 0,5…1
Плохая
4 1…2
5 2…4
Средняя
6 4…10
7 Хорошая 10…20
8 Очень хорошая 20…50
9 Исключительная 〉 50
Таблица 1.1
Очень сильный туман
Сильный туман, очень густой
снег
Умеренный туман или сильный
снег
Слабый туман, умеренный снег
или сильная дымка
Умеренный снег, очень
сильный дождь или умеренная
дымка
Слабый снег, сильный дождь
или слабая дымка
Умеренный дождь, очень
слабый снег или слабая дымка
Без осадков или слабый дождь
Без осадков
Совершенно чистый воздух

Интенсивность обратного рассеяния пропорциональна степени

замутненности атмосферы. При наличии дымки, характеризуемой величиной
s МДВ = 3...7 км, яркость обратного рассеяния составляет около 10-3 ...10-10
начальной яркости прямого пучка.
Затухание оптического излучения в атмосфере подчиняется закону
Бугера - Бэра:

(1.17)

где L - длина пути, проходимого излучением в атмосфере, км;

α - показатель затухания, км-';
Р0 и Р - мощность оптического сигнала до и после затухания соответственно.
Затухание обусловлено поглощением и рассеянием оптического
излучения, поэтому
α =αп + α р ,
где α п и α р - показатели поглощения и рассеяния соответственно.
При конструировании лазерного прибора, предназначенного для работы в
атмосфере, выбирают лазер с длиной волны излучения, находящейся в одном из
окон пропускания. Поэтому α п 〈〈α р , и можно считать, что α ≈ α р . Показатель
затухания связан с метеорологическими параметрами атмосферы, которые
меняются во времени и в пространстве. Обычно показатель затухания
вычисляют, учитывая его корреляцию с величиной s МДВ , которая легко

32
определяется экспериментально и систематически фиксируется
метеостанциями. Для чистой атмосферы, когда s МДВ > 10 км,

−n
3,91  λ 
α (λ ) = ⋅  , (1.18)
S МДВ  0,55 

1/ 3
где n=0,585· S МДВ

В условиях дымки и тумана показатели затухания определяют по табл.

1.2 и 1.3, где α 1 и α 2 - показатели затухания излучения с длиной волны 10,6 и
1,06 мкм соответственно; w' - водность, мг/м3.

Таблица 1.2
Зависимость показателя затухания от метеорологической дальности видимости
в условиях дымки
МДВ. >10 9-10 8-9 7-8 6-7 5-6 4-5 3-4 2-1 1-2
км
α1, <0,04 0,043 0,048 0,055 0,064 0,078 0,095 0,13 0,193 3,4
км-1
α2, <0,7 0,78 0,87 0,9 1,1 1,4 1,7 2,3 3,5 10
-1
км

Таблица 1.3
Зависимость показателя затухания от водности и метеорологической дальности
видимости в условиях тумана
Sмдв., км 0,75 0,55 0,35 0,25 0,15
ώ, мг/м3 5 10 20 90 180
α1, км-1 0,9 1,8 5 10 20
α2, км-1 4,0 5,5 8,5 12 20

При дожде показатель затухания ориентировочно рассчитывают по

формуле Поляковой
α = 0.9Ι 0.74 км −1 ,

где Ι - интенсивность дождя, мм/ч.

Коэффициент α в этом случае не зависит от длины волны излучения λ ,
так как радиус рассеивающих частиц r 〉〉 λ .
При распространении лазерного излучения в атмосфере помимо его
затухания возникают искривление световых пучков (качание луча), случайные
изменения фазы колебаний, флюктуации поляризации излучения и другие
явления. Они обусловлены турбулентностью атмосферы, которая вызывает
33
колебания температуры, влажности и плотности воздуха, а следовательно, и его
коэффициента преломления. Области скачков показателя преломления
(неоднородности) могут иметь протяженность от нескольких миллиметров до
сотен метров.
В условиях сильной турбулентности в нижних слоях атмосферы
появляются неоднородности различных масштабов и различных структур,
поэтому при исследовании влияния турбулентности на распространение
лазерного излучения используют так называемые структурные функции,
введенные А. Н. Колмогоровым. Для показателя преломления среды
пространственная структурная функция имеет вид
(1.19)

где r = r2 − r1 - расстояние между точками.

Для локально изотропной и однородной турбулентности справедлив
закон двух третей Колмогорова - Обухова
(1.20)

−h / h
где C n2 (h) = k c h −1 / 3 e 0
- структурная постоянная показателя преломления;
h - высота слоя, км;
k c = 4,2 ⋅ 10 −14 м −1 / 3 ;
h0 =3,2 км - приведенная высота;
l 0 〈 r 〈 L0 ; l 0 =1+2 мм - внутренний масштаб турбулентности;
L=5...10 м - внешний масштаб турбулентности.
Вблизи Земли можно принять C n2 ≈ 10 −4 м −2 / 3 . Способы определения
структурной постоянной показателя преломления основаны на использовании
данных о средних значениях характеристик метеорологических полей.
Турбулентность атмосферы приводит к флюктуации фазы как вдоль, так
и поперек пучка, в результате чего снижается временная и пространственная
когерентность излучения. При горизонтальном распространении плоских волн
степень фазовой когерентности по сечению луча оценивают величиной r0,
называемой длиной когерентности

(1.21)

Величина r0 изменяется в пределах от единиц до десятков сантиметров.

Флюктуации угла прихода излучения ∆β , вызванные турбулентностью
атмосферы,
(1.22)

где Dоп - диаметр выходного зрачка оптической системы;

L - длина трассы.
На реальных трассах среднеквадратическое значение флюктуации угла
34
прихода излучения составляет от единиц до десятков угловых секунд.
Флюктуации интенсивности приходящего оптического сигнала
(1.23)

где Ι - относительная интенсивность сигнала; µ = ln I .

Для однородной турбулентности атмосферы и слабых флюктуаций

(1.24)

где
Для сильных флюктуаций

(
σ 12 = 1 − 1 + 6σ 2 )−1/ 6 . (1.25)

Формула (1.25) справедлива для малых значений радиуса входного зрачка

приемного устройства. При увеличении радиуса входного зрачка величина σ 1
падает вследствие усреднения, но не более чем на 30% от ее значения для
точечного приемника.
Изменения плотности воздуха, вызванные малыми температурными
градиентами в атмосфере, приводят к изменениям показателя преломления
среды, в результате чего искривляются направления световых пучков.
Зависимость изменения показателя преломления воздуха от изменения
температуры имеет вид

(1.26)

Если показатель преломления воздуха ∆n = 1,0003; Т = 300 К и ∆ Т = 1 К,

то ∆n ≈ 10 −6 . Изменение показателя преломления ∆n является случайной
функцией пространственных координат и времени. Зависимость
среднеквадратического значения изменения показателя преломления от высоты
H описывается эмпирической формулой

n∆2 = 10 −12 ⋅ e − H / 1600 , (1.27)

где Н выражено в метрах.

Максимальное значение ∆n 2 наблюдается на высоте 300…400 м
2
( ∆n ≈ 10 −6 ). При длине трассы L=30 км такое изменение показателя
преломления воздуха вызывает угловое отклонение луча, среднеквадратическое
значение которого ∆θ 2 ≈ 1 мрад. Соответствующее линейное отклонение
равно 30 м.
35
 1.6. Опасность облучения лазером

Исследования, проведенные в последние годы, показывают, что работа с

лазерами имеет три вида опасности: воздействие на глаза, воздействие на
кожный покров, прочие опасности.
Установлено, что при воздействии на глаза сетчатка является наиболее
поражаемой частью. Спектральная характеристика глаза показана на рис. 1.11.
Анализ данных показывает, что только излучение с длиной волны 0,4...1,4 мкм
достигает сетчатки глаза, проходя через внешние слои глаза, излучение же с
длиной волны менее 0,4 и более 1,4 мкм не будет воздействовать на сетчатку.
Но это не значит, что глаз не пострадает, так как при большой интенсивности
излучения будет повреждена роговая оболочка. Именно поэтому нужно быть
особенно осторожным с лазером на CO 2 . Излучение невидимо глазом, а
опасность велика.

Рис. 1.11. Спектральные характеристики человеческого глаза

Сущность данной опасности заключается в следующем. Если на

хрусталик глаза попадает незначительная интенсивность излучения, то он, как
фокусирующая система, сконцентрирует на малой площадке сетчатки
значительную плотность, которая окажется намного выше, чем плотность
мощности падающего излучения. Для случая, когда диаметр зрачка равен 0,5
см, а диаметр пятна на сетчатке 20 ⋅ 10 −4 см, получим, что плотность мощности
увеличится в 6 ⋅ 10 4 раз по сравнению с плотностью мощности на входе в глаз.
Поэтому сетчатка может быть повреждена при уровнях мощности, которые
практически считаются безопасными (даже излучение газовых лазеров типа
гелий-неон может представлять опасность, хотя их мощность составляет всего
десятки милливатт). При больших мощностях по сравнению с порогом будут
происходить серьезные повреждения: ожоги и кратеры на сетчатке, выброс
вещества сетчатки в стекловидную среду глаза, кровоизлияния внутри глазного
яблока. На рис. 1.12 приведена мощность на единицу площади, попадающая на
сетчатку глаза при прямом наблюдении импульсного рубинового лазера, в
зависимости от расстояния при трех различных условиях атмосферы.

36
 Рис. 1.12. Облученность на сетчатке глаза

Эти данные важны для тех исследователей, которые работают с

лазерными дальномерами и локаторами. На рисунке представлены два
семейства кривых, одно соответствует импульсу с длительностью 30 нс и
энергией в 1 Дж, второе - для 200 мкс и энергией в 2Дж. Здесь же приведены
пороговые значения для каждой длительности импульса. Анализ данных
показывает, что лазерное излучение может быть опасно для человека даже при
значительном удалении источника излучения от оператора.
Весьма опасным является эффект накопления npи повторяющемся
воздействии. Эксперименты, выполненные на обезьянах, показали, что полная
энергия, необходимая для достижения порога повреждения с вероятностью 0,5,
составляет примерно 560 мкДж при частоте повторения 40 с-1 и составляет
примерно 200 мкДж при частоте 1000 с-1. Таким образом, можно сделать
следующие выводы: излучение лазера опасно, так как может повредить либо
сетчатку, либо роговицу. Для функционирования глаза влияние малого ожога
на сетчатку будет сильно зависеть от его положения. Малый ожог на пятне, где
зрение наиболее четкое, будет снижать остроту зрения. Тот же самый
небольшой ожог на периферийных краях будет оказывать менее заметное
влияние. Малые ожоги на сетчатке со временем частично заживают и
сопровождаются потерей остроты зрения. Излучение лазера, не достигающее
сетчатки, поглощается роговой оболочкой и может вызвать ее ожог. Возникает
непрозрачность роговой оболочки, которая вылечивается в течение нескольких
дней.
Взаимодействие лазерного излучения с кожным покровом зависит от
длины волны и пигментации кожи. В видимой области отражающая
способность кожи очень высока, особенно та, которая слабо пигментирована.
Поэтому значительная часть видимого излучения будет отражаться. В дальней
ИК области (2...20 мкм) кожный покров начинает сильно поглощать. А
поскольку лазеры на СО2 излучают на волне 10 мкм, то они представляют
37
серьезную опасность для человека. Эти лазеры наиболее распространены среди
мощных лазеров, отражательная способность кожи на длине волны 10 мкм
низка, так что почти вся энергия поглощается. Энергия задерживается в тонком
слое. Даже мимолетное попадание излучения на кожу человека приводит к
тяжелым ожогам.
Прочие опасности при работе с лазерами связаны с возможностью
поражения электрическим током, ядовитыми или агрессивными веществами,
используемыми в лазерах или в сопутствующем им оборудовании:
модуляторах, затворах, системах охлаждения. Может представлять опасность и
испарение металла, по которому воздействует лазерное излучение. Так,
например, для рубинового лазера используются конденсаторы ИМ-5-150, число
которых может быть от 10 до 30. Конденсаторы заряжаются до напряжения 4
кВ. Кроме того, в блоке питания имеется импульсный трансформатор,
выдающий напряжение до 40 кВ. Следовательно, должна быть предусмотрена
соответствующая блокировка, обеспечивающая безопасность работы человека.
Меры безопасности при работе с лазерами. Самым первым правилом
является то, что нельзя допускать попадание на глаза и тело человека
излучения, превышающего максимально допустимый уровень воздействия.
Второе - необходимо обеспечить создание физических барьеров, т. е.
непрозрачных для лазерного излучения материалов: очков, защитных покрытий
и пр. Очки необходимо использовать всегда, когда существует опасность
воздействия мощности, превышающей допустимую. Особенно опасно прямое
проникновение лазерного излучения в глаз, однако следует иметь в виду, что и
отраженный лазерный луч может быть очень опасен. Зеркально отраженный
луч действует на глаза так же, как и прямой. Диффузное отражение дает
значительное ослабление лазерного луча. Однако и с ним следует считаться,
когда идет работа с лазерами большой мощности.
Возможность ожога кожи менее вероятна, но может иметь место при
работе с большими лазерами. Здесь лучшим средством является защитный
экран и ограничение зоны нахождения персонала. В настоящее время
существует классификация лазеров в зависимости от степени опасности.
Лазеры с уровнем мощности, не вызывающим каких-либо опасных явлений, -
класс 1. Непрерывные лазеры малой мощности видимого диапазона - класс 2.
Лазеры средней мощности, излучение которых опасно при прямом попадании
луча, - класс 3. Лазеры большой мощности, излучение которых вызывает
поражающее воздействие даже при диффузном отражении,- класс 4. Точная
классификация лазеров сложна. Один из вариантов классификации приведен в
табл. 1.4. В табл. 1.5 приведен сравнительный вариант классификации лазеров
по мощности.

38
 Таблица 1.4
Классификация лазеров по мощности

Длина Верхний предел мощности излучения

Лазер и его активное
волны,
вещество класс 1 класс 2 класс 3 класс 4
мкм
Гелий-неоновый более 0,5
0,6328 6,8 мкВт 1 мВт 0,4 Вт
(непрерывный) Вт
Аргоновый более 0,5
0,5145 0,4 мВт 1 мВт 0,5 Вт
(непрерывный) Вт
CO2 более 0,5
10,6 0,8 мВт … 0,5 Вт
(непрерывный) Вт
CO2 10 более
10,6 80 мк Дж …
(импульсный) Дж/см2 10 Дж/см2
Иттриево-алюминиевый
более 0,5
гранат 1,064 0,2 мВт … 0,5 Вт
Вт
(непрерывный)

Лазеры класса 1 не требуют мер безопасности. Лазеры класса 2 требуют

предупредительных надписей. Лазеры класса 3 требуют специальных мер,
таких как защита глаз, работа в специальном помещении, ограничение пути
луча, предупредительные надписи, обучение операторов. Лазеры класса 4
требуют более 15 предупредительных мер.

Таблица 1.5
Упрощенный вариант классификации лазеров по опасной интенсивности
излучения
Стандартные нормы № 2392-81,
Класс Название класса, США
Россия
1 2 3
1 Лазеры, интенсивность излучения Лазеры, выходное излучение
которых не опасна для глаз, т.е. которых не представляет опасности
безопасные лазеры для глаз и кожи
2 Лазеры видимого диапазона Лазеры, выходное излучение
малой мощности, т.е. лазеры, которых представляет опасность
представляющие небольшую при облучении глаз прямым
опасность излучением
3 Лазеры средней мощности, т.е. Лазеры, выходное излучение
лазеры, представляющие которых представляет опасность
опасность при облучении глаз прямым,
зеркально отраженным, а также
диффузно отраженным излучением
на расстоянии 10 см от диффузно
отражающей поверхности и (или)
при облучении кожи прямым и
зеркально отраженным излучением
39

1 2
4 Лазеры, представляющие большую
опасность не только при
непосредственном наблюдении
излучения на кожу. Лазеры с
непрерывным излучением
мощностью 0,5 Вт и более
Продолжение таблицы 1.5
3
Лазеры, выходное излучение
которых представляет опасность
при облучении кожи диффузно
отраженным излучением на
расстоянии 10 см от диффузно
отражающей поверхности

В России введены предельно допустимые уровни (ПДУ) для излучения в

диапазоне 0,4...1,4 мкм, при этом учитывают их зависимость от углового
размера источника или от диаметра пятна засветки на сетчатке, а также от
диаметра зрачка глаза. В видимом диапазоне волн 0,4...0,7 мкм учитывают
зависимость от фоновой освещенности роговицы. Нормированная
энергетическая экспозиция Н на роговице глаза и кожи за общее время
облучения в течение дня для лазерного излучения с длиной волны 0,2...0,4 мкм
составляет (табл. 1.6)

Таблица 1.6
Значения энергетической экспозиции

λ·102, 20…21 21…21,5 21,5…29 29…30 30…37 Более 37

мкм
Н, 10-8 10-7 10-6 10-5 10-4 10-3
Дж/см2

40
 2. ОСНОВЫ УСТРОЙСТВА И ПРИНЦИПА РАБОТЫ ЛАЗЕРОВ

2.1. Классификация лазеров

Для более детального представления принципов устройства и работы

лазеров рассмотрим следующую классификацию. Лазеры принято
классифицировать по нескольким признакам.
По принципу усиления и генерации излучения, как было рассмотрено в
разделе 1, лазеры можно разделить на усилители и генераторы.
На выходе усилителя появляется лазерное излучение, когда на его вход (а
сам он уже находится в возбужденном состоянии) поступает незначительный
сигнал на частоте перехода. Именно этот сигнал стимулирует возбужденные
частицы к отдаче энергии. Происходит лавинообразное усиление. Таким
образом, на входе - слабое излучение, на выходе - усиленное.
С генератором дело обстоит иначе. На его вход излучение на частоте
перехода уже не подают, а возбуждают и, более того, перевозбуждают активное
вещество. Причем если активное вещество находится в перевозбужденном
состоянии, то существенно возрастает вероятность самопроизвольного
перехода одной или нескольких частиц с верхнего уровня на нижний. Это
приводит к возникновению стимулированного излучения.
Второй подход к классификации лазеров связан с физическим состоянием
активного вещества. По данному признаку лазеры делятся на твердотельные
(например рубиновый, стеклянный или сапфировый), газовые (например гелий-
неоновый, аргоновый и т. п.), жидкостные, полупроводниковые. Третий подход
к классификации связан со способом возбуждения активного вещества.
Различают следующие лазеры: с возбуждением за счет оптического излучения,
с возбуждением потоком электронов, с возбуждением солнечной энергией, с
возбуждением за счет энергий взрывающихся проволочек, с возбуждением
химической энергией, с возбуждением с помощью ядерного излучения
(последние привлекают сейчас пристальное внимание зарубежных военных
специалистов).
Различают также лазеры по спектральному составу излучаемой энергии.
Если энергия излучается импульсно, то говорят об импульсных лазерах, если
непрерывно, то лазер называют лазером с непрерывным излучением. Есть
лазеры и со смешанным режимом работы, например полупроводниковые. Если
излучение лазера сосредоточено в узком интервале длин волн, то лазер
называют монохроматичным, если в широком интервале, то говорят о
широкополосном лазере.
Еще один признак классификации основан на использовании понятия
выходной мощности. Лазеры, у которых непрерывная (средняя) выходная
мощность более 106 Вт, называют лазерами большой мощности. При выходной
мощности в диапазоне 105...103Вт имеем лазеры средней мощности. Если же
выходная мощность менее 103 Вт, то говорят о лазерах малой мощности.
В зависимости от конструкции открытого зеркального резонатора
различают лазеры с постоянной добротностью и лазеры с модулированной
добротностью – у такого лазера одно из зеркал может быть размещено, в
41
частности, на оси электродвигателя, который вращает зеркало. В данном случае
добротность резонатора периодически меняется от нулевого до максимального
значения. Такой лазер называют лазером с Q-модуляцией.
Существует и еще ряд признаков классификации лазеров. Для
сравнительной оценки лазеров используются их характеристики.
Важной характеристикой лазеров является длина волны излучаемой
энергии. Диапазон волн лазерного излучения простирается от рентгеновского
участка до дальнего инфракрасного, т. е. от 10-3 до 102 мкм.
За областью 100 мкм лежит, образно говоря, «целина» до
миллиметрового участка, который относится к радиодиапазону. Этот
неосвоенный участок непрерывно сужается, и есть надежда, что его освоение
завершится в ближайшее время. Доля, приходящаяся на различные типы
генераторов, неодинакова (рис. 2.1). Наиболее широк диапазон газовых ОКГ.
Другой важной характеристикой лазеров является энергия импульса. Она
измеряется в джоулях и наибольшей величины достигает у твердотельных
генераторов - порядка 103 Дж. Третьей характеристикой является мощность.
Энергия в единицу времени и дает мощность. Газовые генераторы, которые
излучают непрерывно, имеют мощность от 10-3 до 102 Bт. Милливаттную
мощность имеют генераторы, использующие в качестве активной среды гелий-
неоновую смесь. Мощность порядка 100 Вт имеют генераторы на СО2. С
твердотельными генераторами разговор о мощности имеет особый смысл. К
примеру, если взять излучаемую энергию в 1 Дж, сосредоточенную в интервале
времени в одну секунду, то мощность составит 1 Вт. Но длительность
излучения генератора на рубине составляет 10-4 с, следовательно, мощность
составляет 10 000 Вт, т.е.10 кВт. Если же длительность импульса уменьшена с
помощью оптического затвора до 10-6 с, мощность составляет 106 Вт, т. е.
мегаватт. Можно увеличить энергию в импульсе до 103 Дж и сократить его
длительность до 10-9 с, тогда мощность достигнет 1012 Вт. Известно, что когда
на металл приходится интенсивность луча, достигающая 105 Вт/см2, то
начинается плавление металла, при интенсивности 107 Вт/см2 - кипение
металла, а при 109 Вт/см2 лазерное излучение начинает сильно ионизировать
пары вещества, превращая их в плазму.
Еще одной важной характеристикой лазера является расходимость
лазерного луча. Наименьшую расходимость имеет луч газовых лазеров. Он
составляет величину нескольких угловых минут. Расходимость луча
твердотельных лазеров около 1...3 град. Полупроводниковые лазеры имеют
лепестковый раскрыв излучения: в одной плоскости - около одного градуса, в
другой – около 10... 15 град.
Следующей важной характеристикой лазера является диапазон длин
волн, в котором сосредоточено излучение, т. е. монохроматичность. У газовых
лазеров монохроматичность очень высокая, она составляет 10-10, т.е.
значительно выше, чем у газоразрядных ламп, которые раньше использовались
как стандарты частоты. Твердотельные лазеры и особенно полупроводниковые,
имеют в своем излучении значительный диапазон частот, т. е. не отличаются
высокой монохроматичностью.

42
 Рис. 2.1. Диапазон электромагнитного излучения лазеров

Очень важной характеристикой лазеров является коэффициент полезного

действия. У твердотельных он составляет от 1 до 3,5%, у газовых 1 ...15%, у
полупроводниковых 40...60%. Вместе с тем принимаются всяческие меры для
повышения КПД лазеров, ибо низкий КПД приводит к необходимости
охлаждения лазеров до температуры 4...77 К, а это сразу усложняет
конструкцию аппаратуры.

2.2. Структурная схема оптического квантового генератора

Для получения высококогерентного и монохроматического излучения

оптического диапазона ОКГ должен включать в себя следующие основные
элементы:
- активное вещество;
- резонатор;
- источник накачки (источник внешней возбуждающей энергии).
Реально ОКГ кроме основных элементов включает в себя:
- модуляторы;
- систему управления;
- систему охлаждения;
- систему питания.
Структурная схема ОКГ показана на рис. 2.2.

43
 Рис. 2.2. Укрупненная схема ОКГ

Активное вещество, используемое для получения индуцированного

излучения, должно обладать такими уровнями энергии, переход между
которыми сопровождается излучением, лежащим в требуемом диапазоне длин
волн. Это вещество должно иметь определенную концентрацию активных
частиц, т. е. тех частиц, которые обеспечивают накопление и выделение
энергии. Для получения положительной обратной связи активное вещество
помещается в открытый зеркальный резонатор. Принцип работы резонатора
показан на рис. 2.3.

а)

б)

в)

г)

д)

е)

Рис. 2.3. Принцип работы зеркального резонатора

В ситуации а в основном все частицы находятся на нижнем
энергетическом уровне. При воздействии внешним электромагнитным полем
частицы переходят в возбужденное состояние, создается инверсная
населенность верхнего энергетического уровня (ситуация б). В ситуации в
44
возникают спонтанные переходы - если излучение частиц происходит под
углом к оси резонатора, то оно покидает резонатор. Иное состояние будет
иметь место, когда излучение частиц будет направлено вдоль оси резонатора.
Это излучение приводит к возбуждению других частиц активного вещества и в
итоге - к его усилению. Многократно отражаясь от зеркал (ситуации г и д)
излучение приводит в возбужденное состояние оставшиеся частицы.
Образуется мощный поток индуцированного излучения. Для вывода излучения
из резонатора одно из зеркал выполняется полупрозрачно (ситуация е).
Таким образом, можно отметить, что волна возрастает по амплитуде и
перемещается в активном веществе. Усиливаться в значительной степени будет
только та волна, которая перемещается перпендикулярно зеркалам, а волна,
которая перемещается параллельно зеркалам, не получает достаточного
усиления и покидает активное вещество. Отсюда следует, что условия для
поперечных волн неблагоприятны, а для продольных – благоприятны. Получив
значительное усиление, продольные волны через полупрозрачное зеркало
покидают активное вещество и будут сосредоточены в узком пучке.
Важным элементом схемы является источник возбуждения. Он
предназначен для перевода в возбужденное состояние большинства активных
частиц. Механизм возбуждения поясним на примере. В качестве активного
вещества рассмотрим синтетический рубин с примесью хрома (рис. 2.4).

Рис. 2.4. Схема энергетических уровней ионов хрома в рубине

При воздействии внешним электромагнитным излучением ионы хрома

возбуждаются и переходят на верхний уровень, поглощая энергию зеленой и
синей частей спектра. Для получения усиления необходимо, чтобы в среднем
не менее половины ионов, находящихся в основном состоянии, перешло на
верхний энергетический уровень. Этот уровень нестабилен, и частицы быстро
совершают безызлучательный переход на промежуточный (метастабильный)
уровень. На метастабильном уровне может находиться значительное число
частиц. При воздействии на кристалл слабого излучения на частоте перехода
(или при самопроизвольном переходе одной из частиц с верхнего уровня на
нижний) возникает индуцированное излучение, сосредоточенное в основном на
45
волне 0,6943 мкм, и слабое – на волне 0,6929 мкм. Все частицы с
метастабильного уровня совершают индуцированный переход на основной
уровень синхронно и в короткий интервал времени. Это способствует
когерентному излучению. Относительная ширина линии излучения лазера
составляет 10-6…10-10. Для сравнения лампа с парами натрия, которая являлась
эталонным источником оптического излучения до появления лазеров, имела
относительную ширину линии 10-5.
Излучение лазера имеет высокую степень пространственной
когерентности, поскольку все волновые фронты плоские и перпендикулярны
направлению распространения волн. Это излучение когерентно и во времени, т.
к. имеет строгое фазовое соответствие между частью волны, излучаемой в один
момент времени, и волной, излучаемой через интервал времени. Причем, чем
выше стабильность излучения по частоте, тем отчетливее проявляется свойство
когерентности волны во времени.
Рассмотренные понятия позволяют привести еще одно обобщенное
свойство лазерного излучения. Это спектральная яркость, - величина, которая
связывает между собой поток энергии, излучаемой лазером, и телесный угол,
где сосредоточено это излучение, а также участок длин волн, в котором
сосредоточена эта энергия. Сравним это свойство с некогерентным источником.
В качестве источника возьмем Солнце. Расчеты показывают, что в полосе 1
МГц на λ = 0,55 мкм квадратный сантиметр Солнца имеет излучаемую
мощность всего 10-5 Вт, что соответствует температуре АЧТ около 6000 К, для
лазера получаем примерно 1018…1019 К. Следовательно, спектральные яркости
лазерных источников значительно превышают спектральную яркость Солнца.
ОКГ отличаются между собой многими параметрами. Эти отличия
обусловлены, прежде всего, типом активного вещества.

2.3. Активные вещества оптических квантовых генераторов

Активные твердые вещества могут иметь кристаллическое или аморфное

строение. Активный кристалл состоит из основы (матрицы) и примеси
замещения. Атомы (ионы) примеси под воздействием периодического поля
кристаллической решетки приобретают свойства оптически активных центров,
поэтому примесь называется активатором. Атомы (ионы) активатора должны
быть равномерно распределены в узлах решетки, замещая атомы матрицы.
Равенство атомных (ионных) радиусов примеси и матрицы является важным
условием. Матрица является диэлектриком, следовательно, имеет ширину
запрещенной зоны более 2 эВ. Внедрение атомов примеси приводит к
появлению внутри запрещенной зоны примесных энергетических уровней.
Количество примесных уровней и их ширина определяются энергетическим
спектром атомов примеси и характером их связи с атомами основного
вещества. В качестве примеси используют атомы актиноидов, редкоземельных
элементов и переходных металлов. У атомов этих элементов излучательные
переходы происходят между энергетическими уровнями электронов,
расположенных на незастроенных внутренних электронных оболочках.

46
 Основные требования к матрице:
− минимальные потери энергии, обусловленные собственным и
примесным поглощением на частотах накачки и генерации;
− высокая теплопроводность;
− отсутствие неоднородности и механически локальных напряжении;
− максимальная прочность, термическая и химическая стойкость;
− устойчивость к ультрафиолетовому облучению со стороны лампы
накачки.
Основные требования к активатору:
− структура спектра должна отвечать требованиям трех - или
четырехуровневой системы, побочные линии поглощения должны
отсутствовать;
− метастабильный уровень должен обладать максимальным временем
жизни и узкой линией люминесценции, не более нескольких
сантиметров в минус первой степени;
− полоса поглощения должна быть по возможности широкой;
− частота поглощения накачки не должна значительно превышать
частоту полезного излучения.
Активные кристаллические вещества
Активные кристаллические вещества твердотельных лазеров можно
классифицировать по их кристаллохимическим свойствам.
Кислородные соединения.
В эту группу входят окислы элементов III группы таблицы Менделеева,
вещества на основе кислородных соединений элементов IV, V и VI групп, а
также некоторые другие, например SiO2 (кварц), ZnO и MgO.
Окислы элементов ΙΙΙ группы.
3+
Рубин - α − Ai 2 O3 (Cr ) - кристаллическая матрица α − корунда ( α − Ai 2 O3 ),
часть узлов которой замещена ионами хрома ( Cr 3+ ). При введении 0,05% хрома
в 1 см3 рубина образуется примерно 1,6 ⋅ 1019 атомов этой примеси. Атомы
хрома в решетке находятся в ионизированном состоянии ( Cr 3+ ). Кристалл
6
рубина имеет ромбоэдридную решетку типа R. Пространственная группа- D3d .
+3 2-
Ион Al окружен шестью ионами O , образующими октаэдр. Ион кислорода
окружен ионом алюминия (0,57·10-4 мкм), они близки по величине, что
обусловливает относительно небольшие искажения решетки при замещении
атома матрицы атомом примеси. Теплопроводность рубина высокая: при
температуре жидкого азота она несколько выше, чем у меди. С увеличением
температуры теплопроводность уменьшается, и при комнатной температуре она
почти на два порядка меньше, чем при температуре 40 К. Химическая
стойкость высокая.
Квантовомеханическая характеристика рубина определяется
3+
расщеплением энергетических уровней иона Cr под влиянием
электрического поля кристаллической решетки (эффект Штарка). Основное
энергетическое состояние 4 A2 содержит два подуровня, разделенных щелью

47
шириной 0,38 см-1 (рис. 2.5). Возбужденные уровни, разделенные щелью,
метастабильны. Уровни 4 F1 и 4 F2 имеют ширину примерно по 800 см-1
каждый. На этих уровнях происходит поглощение энергии накачки.

Рис. 2.5 Диаграмма энергетических уровней синтетического кристалла

рубина при Т=4,2 К:
1 – основной уровень; 2 – метастабильный уровень; 3 – уровни поглощения
Излучательные переходы с этих уровней на метастабильный уровень 2 Е
запрещены правилами отбора, однако вероятность безызлучательных
переходов относительно велика: (2...5) 107. Поэтому энергия накачки
сообщается метастабильному уровню, что как раз и требуется. Вероятность
переходов с нижнего уровня 2 Е на основной уровень ( R1 -линия) больше, чем с
верхнего (R-линия). Поэтому главными в работе рубинового лазера следует
считать переходы, обозначенные линией R1 . Квантовый выход составляет в
среднем 0,52. Степень поляризации излучения R1 - линии - 80%.
Гранат - это соединение, отвечающее формуле A3 B5 O12 или
A3 B2 (BO4 ) 3 , имеющее кубическую решетку структурного типа граната. Здесь
буква А - это ионы иттрия или лантанидов, В - алюминий, галлий, железо,
индий, хром и др. Наибольшее распространение в лазерах имеет иттрий-
алюминиевый гранат (YAG) с неодимом, имеющий формулу Y3 Al 5 O12 (Cr3+,
Nd3+). Неодим и хром входят в матрицу иттрия в виде ионов замещения.
Концентрация неодима составляет 1,3...1,5%, а хрома - 1%. Длина волны
излучения неодима (Nd3+) равна 1,065 мкм. Теплопроводность примерно в
полтора раза меньше, чем у рубина. Квантовомеханическая характеристика
определяется энергетическими уровнями Nd3+ (рис. 2.6).
Слой 4f этого иона не полностью заполнен электронами. Их
взаимодействие с внешними полями экранируется электронами заполненных
оболочек 5s2 и 5p6. Слабое воздействие поля решетки на электроны слоя 4f
обусловливает слабое расщепление их энергетических уровней.
Метастабильным является

48
 Рис. 2.6. Диаграмма энергетических уровней неодима Nd3+ в кристалле
YAG
4
уровень F3 / 2 со временем жизни примерно 0,2 · 10-3с. Излучательному
4 4
переходу F3 / 2 → I 13 / 2 соответствует длина волны 1,34 мкм; переходу
4
F3 / 2 → 4 I 11 / 2 - длина волны 1,06 мкм и переходу 4 F3 / 2 → 4 I 9 / 2 - длина волны
0,91 мкм. Основным является переход с длиной волны 1,06 мкм, с шириной
линии 6,5 см-1 при комнатной температуре и 1 см-1 при температуре кипения
азота. Полосы поглощения энергии накачки расположены в интервале 0,7...0,9
мкм. С целью расширения полосы поглощения в матрицу вводят вторую
примесь - атомы хрома, в результате чего нижняя граница сдвигается до 0,4
мкм. Увеличение эффективности накачки вследствие сложения полос
поглощения Cr3+ и Nd3+ происходит только в непрерывном режиме. Указанный
эффект называется сенсибилизацией, а примесь Cr3+ является
сенсибилизатором. Сенсибилизаторами могут быть также ионы матрицы.

Рис. 2.7. Диаграмма энергетических уровней трехвалентного иона Nd3+ в

CaWO4

Окислы редкоземельных элементов.

Практическое применение получили окислы лантана с примесью
неодима - La2O3(Nd3+), гадолиния с примесью неодима – Gd2O3 (Nd3+), эрбия –
Er2O3 (Но3+, Тm3+). Окись лантана кристаллизуется в виде гексагональной
49
структуры, тогда как большинство других окислов имеют кубическую решетку
типа Мп2О3.
Окись иттрия – Y2O3 (Nd3+, Eu3+). Кристаллическая структура -
кубическая. Концентрация неодима - около 1%.
Материалы на основе кислородных соединений элементов V группы.
К этой группе относятся ванадаты с матрицами Ca2V04, YVO4, GdVO4,
LaVO4, Th2Ln(VO4)3 и примесями Nd, Eu, Tb, Dy, Ег и др., ниобаты и фосфаты.
Ниобаты кальция Са (NbO3)2 X (Nd3+, Но3+, Рг3+, Er3+, Tm3+) и лития LiNbO3
(Nd3+) обладают хорошими характеристиками вынужденного излучения в
диапазоне волн 1,04...2,047 мкм. Ниобаты переходных металлов и двойные
ниобаты (типа Ba2NaNb3015) широко используются в качестве неактивных
материалов для модуляции и умножения частоты, так как они обладают
хорошими электрооптическими нелинейными свойствами.
Фторфосфат кальция Са5 (РО4) F (Nd3+) имеет основную длину волны
излучения 1,0029 мкм при ширине линии 4...5. 10-4 мкм.
В импульсном режиме фторфосфат кальция, легированный неодимом,
имеет в четыре раза большее усиление, чем гранат (также легированный
неодимом).
Материалы на основе кислородных соединений элементов VI группы.
К этой группе материалов относятся вольфраматы и молибдаты.
Вольфраматы имеют матрицы CaWO4, SrWO4 и Na0,5Gd05WO4. Они легированы
соответственно элементами Nd3+, Pr3+, Tm3+, Но3+, Er3+, Dy3+; Nd3+ и Nd3+.
Наиболее широко применяется вольфрамат на основе CaWO4, так как он имеет
малый порог возбуждения и дает возможность осуществлять непрерывную
генерацию при 300 К (рис. 2.7). Кристаллы вольфраматов имеют структуру
шеелита (тетрагональная решетка).
Вольфрамат кальция имеет большую химическую стойкость. Схема
энергетических уровней иона неодима приведена на рисунке 2.7.
Интенсивное излучение происходит при квантовых переходах с уровня
4
F3 / 2 на уровень 4 I 11 / 2 , расположенный выше основного уровня на 2000 см-1.
Полосы поглощения расположены в интервале 0,57…0,9 мкм. Молибдаты
имеют матрицы CaMoO4, SrMoO4, GdMoO4, PbMoO4, NaLaMoO4, NaNd(Mo04)2 и
Gd2(MoO4)3. Все они легируются неодимом, так что полная химическая
структура кристаллов имеет следующий вид: GdMoO4 (Nd3+), РbМоО4 (Nd3+) и
т. д. Кристаллы имеют структуру шеелита, наибольшее применение нашли
кристаллы СаМоО4 (Nd3+) и SrMoO4 (Nd3+). Молибдаты обладают хорошей
теплопроводностью. Уровень легирования неодимом составляет 1...1,5%. Длина
волны излучения у молибдата кальция - 1,067 мкм, у молибдата стронция -
1,0645 мкм (при 300 К). Ширина линии излучения у молибдата кальция - 5 • 10-4
мкм. Пороговая энергия возбуждения - 1 Дж.
Активные аморфные вещества
К твердым телам аморфного строения относится стекло, поскольку
взаимное расположение атомов (ионов) в стекле характеризуется ближним
порядком, тогда как дальний порядок отсутствует. Стеклами называют
неорганические термопластические материалы на основе ковалентно связанной
сетки полиэдров анионов (SiО4)4- ,(ВО3)4- ,(ВО3)3- , (PО4)3-. Компонентами
50
стекла являются кварцевый песок, сода, поташ, известняк, доломит, бура и
окислы различных металлов (свинца, цинка, алюминия, бария, титана).
Стекла классифицируют по основе (стеклообразующему аниону) и по
содержанию окислов - модификаторов. Если основой является кварц (SiO2),
стекло называется силикатным, если бура - боратным, окись свинца -
свинцовым, фторид бериллия - фторбериллатным. Стекла с большим
содержанием окислов щелочных металлов называются щелочными, а при очень
малом их содержании - бесщелочными. Последние широко используются в
лазерах.
Ионы активаторов аморфной матрицы не внедряются в узлы решетки, как
в кристаллической матрице, а входят в стекло в качестве его компонента.
Отсутствие дальнего порядка ухудшает спектральные характеристики
активного вещества. Случайное распределение соседних атомов, окружающих
ионы активаторов, вызывает расширение линий излучения, уменьшение
времени жизни возбужденного состояния и уменьшение квантового выхода.
Относительно широкое применение стеклянных матриц в качестве активного
вещества лазера обусловлено рядом их преимуществ перед кристаллами:
возможностью введения активаторов с большой концентрацией, доступной
воспроизводимостью стержней любой формы и размеров, дешевизной.
Наибольшее применение в лазерах получили стержни из стекла с неодимом
(рис. 2.8). Все квантовые переходы происходят с одного уровня 4 F3 / 2 , причем
всегда можно реализовать четырехуровневую схему генерации. Наиболее
интенсивной является люминесценция ( 4 F3 / 2 → 4 I 11 / 2 ) с длиной волны 1,06
мкм. Ширина этой линии 200см-1. Квантовый выход 0,26. Кроме неодима, в
качестве активаторов можно применять и другие редкоземельные элементы.

Рис. 2.8. Диаграмма энергетических уровней иона Nd3+ в стекле (показаны

нижние уровни)
Активные вещества газовых лазеров
Активным веществом может быть газ нейтральных атомов, газ ионов и
газ молекул. В процессе накачки инверсия населенности образуется вследствие
столкновений I и II рода, диссоциации молекул из преддиссоциативных
состояний, оптического возбуждения, фотодиссоциации, химической реакции, а
51
также за счет различия во времени релаксации колебательных и вращательных
состояний молекул (в газодинамических лазерах). В атомных газоразрядных
лазерах используются соударения I рода (упругие соударения) электронов с
атомами газа (Ne, Аr, Сr, Хе) и с атомами в парах металлов (Си, РЬ, Мn). Кроме
того, используются соударения II рода в процессе передачи энергии от атома
одного элемента (например, Не) атому другого (например, Ne),причем атомы
находятся в возбужденном состоянии. Важным условием при этом является
равенство энергий метастабильного уровня атома активатора и возбужденного
уровня атома, разряжающегося с излучением. По такой схеме накачки работают
гелий-неоновые лазеры, работающие в непрерывном режиме. Соотношение
гелия и неона находится в пределах от 7 : 1 до 5 : 1.
Представителем лазеров с активной ионной газовой средой является
аргонный лазер. Ионизация атомов Аr происходит в дуговом разряде при
давлении 400... 550 Па. Ионные газоразрядные лазеры позволяют получить
мощность излучения около десятка ватт в непрерывном режиме.
В лазерах, работающих на молекулярном газе, излучение обусловлено
квантовыми переходами между электронными, колебательными и
вращательными уровнями. Используются молекулы N2, О2, Н2, СО, СО2 и др.
При использовании переходов между колебательными и вращательными
уровнями излучение происходит в инфракрасной области спектра. Поскольку
энергия вращения в сотни и тысячи раз меньше по сравнению с энергией
колебаний, спектр определяется характером колебаний атомов в молекуле.
Например, трехатомная молекула СО2 имеет линейную структуру, а колебания
могут быть трех типов: симметричные, деформационные и антисимметричные
(рис. 2.9). Диаграмма колебательных уровней молекул СО2 и N2 приведена на
рис. 2.10. Верхние уровни обеих молекул почти совпадают ( ∆ ≈ 18 см-1).
Молекулы азота приобретают энергию в процессе электрического разряда в
газе и передают ее молекулам СО2. Это вызывает резкое увеличение мощности
излучения. Кроме увеличения мощности излучения, введение азота улучшает
условия охлаждения газовой смеси. При введении гелия условия охлаждения
смеси улучшаются наиболее резко.

а) б)

в) г)
Рис. 2.9. Колебание структуры
молекулы СО2:
а – симметричные; Рис. 2.10. Диаграмма колебательных
б, в – деформационные; уровней молекул СО2
г – антисимметричные.

Активные вещества полупроводниковых лазеров

Принцип действия полупроводниковых лазеров основан на явлении
52
излучательной рекомбинации подвижных носителей заряда - электронов и
дырок. В полупроводнике должна быть создана большая концентрация
электронов (дырок), находящихся в неравновесном состоянии 1. Генерация, т.
е. создание электронно-дырочных пар в собственном полупроводнике либо
электронов (дырок) в примесном за счет тепловой энергии, обусловливает
равновесную их концентрацию. Неравновесная концентрация создается с
помощью света (оптическая накачка), облучением быстрыми электронами
(электронно-лучевая накачка), инжекцией носителей заряда через р - n-переход
(инжекционная накачка) и при помощи ударной ионизации в сильном
электрическом поле. Наибольшее применение получили инжекционные лазеры,
основными достоинствами которых являются прямое превращение
электрической энергии в энергию света, возможность модуляции излучения
путем изменения тока накачки, малые размеры.
Излучательная рекомбинация электронов и дырок сопровождается
высвобождением энергии, численное значение которой определяется шириной
запрещенной зоны ∆ Е. Таким образом, энергия фотона, выделяющаяся при
рекомбинации в случае прямого вертикального перехода, равна h ω = ∆Е , а при
непрямом переходе она меньше на величину энергии фонона, т. е. h ω = ∆Е -
hfфн. В зависимости от требующейся длины волны излучения λ = с / ω
выбирают тип полупроводникового материала. Так, например, арсенид галлия
(GaAs) обеспечивает излучение на волне 0,84 мкм, фосфид галлия (GaP) – на
длине волны 0,63 мкм, а селенид свинца (PbSe) - на волне 8,6 мкм.
Помимо излучательной, в полупроводнике происходит безызлучательная
рекомбинация, в результате которой энергия передается решетке, т. е.
происходит нагрев. Полупроводник в лазере находится в тяжелых
температурных условиях, так как на него воздействует охлаждающая жидкость
(жидкие азот, водород, гелий), а при прохождении тока в нем выделяется
большое количество тепла (удельное).
Наиболее широкое применение получил арсенид галлия, кристалл
которого имеет кубическую решетку. Зонная структура арсенида галлия
изображена на рисунке 2.11. В зоне проводимости имеются две долины.
Подвижность электронов в нижней долине примерно 8000 см2/(В . с), тогда как
в верхней - 1ОО...2ОО см2/(В . с). Эффективные массы электронов равны
соответственно 0,07 m0 и 0,4 m0 (m0 - масса покоя электрона).

Рис. 2.11. Зонная структура арсенида галлия

53
 В валентной зоне содержатся легкие (0,01 m0) и тяжелые (0,5 m0) дырки,
которым соответствуют две ветви Е (k). На рис. 2.11 приведены зависимости Е
(k) для двух кристаллографических направлений. Наиболее эффективными
донорами являются селен и теллур, а акцепторами - цинк и кадмий. При
концентрации донорной примеси, превышающей 1017 см-3, примесная зона
смыкается с дном зоны проводимости. При концентрации, меньшей 1015 см-3,
примесная зона вырождается в примесный уровень, отделенный от дна зоны
проводимости энергетической щелью шириной 0,008 эВ.
С целью уменьшения длины волны излучения необходимо создать p-n-
структуру с более широкой запрещенной зоной. Это достигается в
гетероструктурах типа GaAs – GaxAl1-xAs или GaAs – GaAsxP1-x. Важным
преимуществом гетероструктур является также снижение плотности
порогового тока генерации до 8600 А/см2 (вместо 50 000 А/см2 у гомоструктур)
и увеличение КПД лазеров. В лазерах с накачкой пучком быстрых электронов
используются полупроводники GaS, GaSb, PbS, InSb, PbTe, PbSe и др.

Активные вещества жидкостных лазеров

Жидкие активные вещества имеют ряд преимуществ по сравнению с
твердыми веществами. Жидкость можно сделать совершенно однородной в
большом объеме, что позволяет существенно увеличивать предельный уровень
энергии излучения. Осуществив циркуляцию жидкости в кювете, можно
улучшить отвод тепла. Жидкости обладают постоянными оптическими
характеристиками, кроме того, они изотропны. В случае необходимости
отработанный объем жидкости легко заменить свежим. Кроме того, жидкие
активные вещества дешевы. Важным преимуществом жидкостных лазеров
является непрерывная перестройка частоты излучения в относительно широком
диапазоне.
Жидкие активные среды подразделяются на три группы: растворы
дикетонатов редкоземельных элементов в органических растворителях;
растворы органических красителей; растворы неорганических соединений
редкоземельных элементов. Наибольший эффект при работе в лазерах дают
растворы органических красителей, особенно раствор родамина (6G) в
этиловом спирте. Родамин относится к группе так называемых ксантеновых
красителей.

Рис. 2.12 Диаграмма энергетических уровней органической молекулы

Типовая диаграмма энергетических уровней органической молекулы

приведена на рис. 2.12. В основном состоянии уровни являются синглетными. В
возбужденном состоянии они становятся триплетными, причем энергия
54
триплетных уровней меньше, чем синглетных. Правилами отбора квантовые
переходы разрешены либо только между синглетами, либо между триплетами.
При поглощении энергии накачки молекулы переходят с нижних синглетных
уровней в верхние. Излучение происходит при переходе с нижнего уровня
синглета S1 на один из уровней синглета So. Время жизни уровней S1
составляет примерно 10-8 с. Безызлучательные переходы, вызывающие
рассеяние энергии накачки, происходят с уровней синглета на уровни триплета
(например, S1 → T1 ).
Время жизни возбужденного состояния составляет примерно 10-12 с.
Большая вероятность безызлучательного перехода S1 → S 0 приводит к
необходимости производить накачку короткими импульсами. Наличие в
спектре основного состояния So многих уровней, обусловленных
колебательными степенями свободы у молекулы, приводит к тому, что спектр
излучения представляет собой довольно широкую полосу. В пределах этой
полосы можно изменять частоту излучения, например, путем изменения
добротности резонатора или его оптической длины.
Основные свойства лазерного излучения: монохроматичность,
когерентность, направленность и мощность определяются резонаторами ОКГ.
Наиболее эффективное взаимодействие электромагнитного поля с
активной средой осуществляется при помещении ее в резонатор.

2.4. Резонаторы оптических квантовых генераторов

В оптическом диапазоне роль резонатора выполняет система плоских

параллельных или сферических зеркал (рис. 2.13). Идея использования
открытых резонаторов (интерферометров Фабри-Перо) для оптического
диапазона принадлежит А. М. Прохорову.
Строгий расчет характеристик открытых резонаторов требует
привлечения аппарата волновой оптики. Этот расчет выполнен в работах Фокса
и Ли, Бойда и Гордона, Вайнштейна и других исследователей.
Открытый резонатор является многоволновой системой. Он
характеризуется набором резонансных типов колебаний, различающихся
частотой и характером распределения поля в резонаторе. В открытом
резонаторе существует волна ТЕМ, напряженность поля которой по трем осям
изменяется. Тип колебаний характеризуют числом изменений направления
поля по поверхности зеркал (по осям х и y) и вдоль оси z.
Тип колебаний обозначают TEMmng, где m - число изменений направления
поля по оси х (полуокружности - ϕ от 0 до π (для круглых зеркал)); n - число
изменении по y (радиусу для круглых); q - число полуволн, укладывающихся по
оси между зеркалами.
Весьма часто при обозначении типов колебаний ограничиваются лишь
двумя индексами m и n не указывают числа полуволн, укладывающихся между
зеркалами. Типы колебаний, отличающиеся распределением поля по
поверхности зеркал, т. е. индексами m и n, принято называть поперечными (или
угловыми) модами. Типы колебаний, характеризуемые различными значениями
q, т. е. отличающиеся распределением поля по продольной оси резонатора,
55
обычно называют продольными (или аксиальными модами).

Рис. 2.13. Резонаторы ОКГ: а - с плоскими зеркалами; б - со

сферическими зеркалами

Конфигурация поля для круглых зеркал приведена на рис. 2.14. Для

волны ТЕМ00 вектор напряженности электрического поля не изменяет
направления в пределах всей излучающей площадки, отличаясь лишь
величиной. Для высших типов колебаний распределение напряженности
электрического поля по поверхности зеркала носит более сложный характер.

Рис. 2.14. Распределение поля по поверхности зеркал для различных типов

колебаний

Рассмотрим основные свойства интерферометра Фабри-Перо как

резонансной системы. Условие резонанса для открытого резонатора можно
получить следующим образом. Полный фазовый сдвиг в резонаторе должен
быть кратен 2 π . Он складывается из фазового сдвига, возникающего в
результате движения волны между зеркалами, и фазового сдвига ∆ϕ mn (потерь
фазы) при отражении волны от зеркала. Фазовый угол ∆ϕ mn зависит от формы,
размеров резонатора и типа волны, существующей в нем.
Для вычисления резонансных частот получаем соотношение
56
 (2.1)

где λ - длина волны в среде, заполняющей резонатор;

q - целое число;
∆ϕ mn - фазовый угол при отражении волны ТЕМmn от зеркала.
Из выражения (2.1) определяем резонансные частоты:

(2.2)

где v - скорость волны в среде, заполняющей резонатор.

Для типов волн, характеризующихся одинаковым индексом q, различие
резонансных частот согласно (2.2) обусловлено лишь различием фазовых
сдвигов ∆ϕ mn .
В конфокальных резонаторах разница в фазовых сдвигах для двух
соседних типов колебаний составляет π /2 независимо от размеров резонатора.
В резонаторах с плоскими зеркалами эта разница для тех же типов колебаний
намного меньше. Следовательно, интервал между резонансными частотами
типов колебаний с одинаковыми значениями q и различными m и n в
резонаторе с плоскими зеркалами значительно меньше, чем в конфокальном.
Разность частот типов колебаний, отличающихся индексами m или n на
единицу, составляет обычно величину порядка десятых долей или единиц
мегагерц. Наибольший разнос по частоте имеет место для типов колебаний,
различающихся числом q (продольных, или аксиальных, мод). Частотный
интервал между аксиальными модами составляет величину ∆ω = πv / L или
∆f = v /( 2 L) . Для резонатора с расстоянием между зеркалами L = 1 м разнос
аксиальных мод по частоте составляет приблизительно 150 МГц. С
уменьшением длины резонатора разнос аксиальных мод увеличивается. Так,
например, при L = 0,1 м он будет составлять 1500 МГц.
Чтобы проанализировать возможность существования тех или иных
типов колебаний в резонаторе оптического квантового генератора, необходимо
определить величину потерь для каждого типа колебаний. Различными по
величине для каждого типа колебаний являются дифракционные потери.
Наименьшими потерями обладает низший (основной) тип колебаний
ТЕМ00, так как для этого типа колебаний распределение поля по поверхности
зеркал наиболее равномерное, поэтому излучение обладает большей
направленностью и основная его часть попадает на второе зеркало резонатора.
Высшие типы колебаний характеризуются большими дифракционными
потерями. Увеличение дифракционных потерь для высших типов колебаний
легко объяснить, если учесть, что моды резонатора можно рассматривать как
поле, образованное в результате сложения плоских волн, распространяющихся
под определенными углами к оси резонатора. Для низшего типа ТЕМ00 фаза
поля по раскрыву зеркала остается практически неизменной. Такое поле может
57
быть образовано плоскими волнами, распространяющимися перпендикулярно
поверхности зеркал, т. е. вдоль оси резонатора. Для высших типов колебаний
распределение поля на зеркалах носит периодический характер, спадая
практически до нуля на краях зеркала. Такая структура поля обеспечивается
при распространении плоских волн под углами Θ m и Θ n , определяемых
соотношениями:
D sin Θ m = mλ / 2 в плоскости xz;
D sin Θ n = nλ / 2 D в плоскости yz.
При выполнении этих соотношений поле изменяет фазу на
противоположную m раз по оси х и n раз по оси у.
Чем выше тип колебаний (больше m и n), тем больше углы Θ m и Θ n и,
следовательно, больше потери энергии через открытую боковую поверхность
резонатора. При одинаковых условиях дифракционные потери в конфокальном
резонаторе имеют меньшую величину. Это объясняется тем, что в
конфокальном резонаторе излучение концентрируется сферическими зеркалами
и меньшая его часть выходит за пределы резонатора. В плоскопараллельном и
конфокальном резонаторах дифракционные потери для низших типов
колебаний имеют малую величину, менее 1%.
Наиболее полное представление о свойствах открытого резонатора дает
спектр резонансных частот, изображенный на плоскости. На рис. 2.15, а и б
показаны резонансные частоты различных типов колебаний резонаторов с
плоскими и конфокальными сферическими зеркалами соответственно; по оси
ординат можно определить присущие им дифракционные потери.
Наименьшими потерями обладают низшие типы колебаний TEM00g,TEM00g+1,
ТЕМ00g+2 и т. д. Эти типы колебаний называют основной поперечной модой.
Высшие типы колебаний отличаются от основных частотой и величиной
дифракционных потерь. Наличие в открытом резонаторе множества
резонансных частот приводит к тому, что в ОКГ возможно возбуждение целого
ряда различных типов колебаний.

Рис. 2.15. Резонансные частоты открытого резонатора

(интерферометра Фабри-Перо):
а - резонатор с плоскими зеркалами; б – конфокальный резонатор

Существенной характеристикой резонатора является добротность. Она

определяется суммарными потерями в резонаторе. Совершая полный цикл
движения в резонаторе, волна проходит расстояние 2L и ее энергия убывает до
58
α п2 своего начального значения. Величина α п2 определяется следующим
образом:

(2.3)

где r1 и r2 - коэффициенты отражения зеркал;

ξ - потери на дифракцию на одном зеркале;
β - нерезонансные потери в среде на единицу длины;
χ (θ ) - потери, обусловленные неточной юстировкой зеркал резонатора.
Потери энергии на длине L составляют величину

(2.4)

Величина потерь ∆ и добротность резонатора Q связаны соотношением

(2.5)

Чтобы оценить величину добротности резонаторов оптического

диапазона, рассмотрим случай, когда потери в резонаторе относительно малы
∆〈〈1 и обусловлены только пропусканием зеркал резонатора. Тогда выражение
(2.5) можно упростить:
2πL 1 2πL 1
Q≈ ⋅ ≈ .
λ ∆ λ 1 − (r1 r2 )1 / 2

Добротность резонаторов оптического диапазона весьма высока.

Например, если L=1 м, λ = 10-8 м, r1=r2=0,99, то добротность Q ≈ 6,28 .108. При
других параметрах резонатора (L=0,1 м, λ = 10-6 м, r1 = r2 = 0,9 ) добротность
уменьшится и будет составлять 6,28 .106.
На практике стремятся, чтобы добротность резонатора определялась в
основном полезными потерями, а остальные потери были минимальными.
Значительную роль играют потери, вызванные неточной юстировкой зеркал. На
рис. 2.16 показано движение луча в системе плоских непараллельных зеркал.
Луч после ряда отражений выходит из резонатора, вызывая тем самым
определенные потери энергии и снижая добротность резонатора. Качественно
та же картина наблюдается и в резонаторах со сферическими зеркалами, но
величина потерь будет значительно меньше, поскольку система сферических
зеркал концентрирует (фокусирует) поле вблизи оси системы. Требуемую
точность юстировки определяют допустимым углом непараллельности зеркал,
при котором добротность резонатора уменьшается в два раза.

59
 Рис. 2.16. Движение оптического луча в системе плоских
непараллельных зеркал

Допустимый угол непараллельности зеркал, естественно, зависит от

общей величины потерь в резонаторе. Для плоских зеркал допустимый угол θ
составляет единицы секунд. Юстировка конфокального резонатора может
проводиться с гораздо меньшей точностью (до единиц минут). Это
преимущество конфокальных резонаторов привело к их широкому
использованию. В настоящее время широко используются также резонаторы,
образованные плоским и сферическим зеркалом. Если плоскость размещена на
фокусном расстоянии от сферического зеркала, такой резонатор имеет
свойства, сходные с конфокальным резонатором, но его изготовление и
юстировка проще.
В ОКГ оптические резонаторы образованы внешними зеркалами,
имеющими диэлектрические покрытия. При высокой плотности выходной
энергии вспышек покрытия зеркал выгорают.
Это обстоятельство явилось причиной изменения оптической схемы
резонатора. Был рассчитан и исследован резонатор на двух призмах вместо
зеркал. Из-за сложности юстировки и малого КПД камеры резонатор такого
типа не нашел дальнейшего применения. Оптимальной оказалась следующая
схема резонатора с активным веществом, которая получила широкое
распространение и стала почти классической схемой для твердотельных
импульсных ОКГ (рис. 2.17). Одно из зеркал резонатора заменено призмой
полного внутреннего отражения (БР-18О0), а вместо второго зеркала
устанавливалась система плоскопараллельных пластин, что позволило
увеличить энергию накачки на 15% по сравнению с резонатором, образованным
плоскими внешними зеркалами. Увеличение надежности оптической схемы
резонатора (рис. 2.17) и простота построения схемы призменного затвора
обеспечили широкое применение резонаторов в артиллерийских импульсных
дальномерах (рис. 2.17).
Стабильность выходных параметров излучения ОКГ во времени
существенно зависит от изменения выходных характеристик первичных
источников электропитания.

60
 1 2 3 4 5 6 7 8

Рис. 2.17. Резонатор перископического лазерного дальномера 1Д14:

1 – призма БР-1800; 2 - оправа; 3 - пассивный лазерный затвор; 4 - оправа; 5 - трубка; 6
- активный элемент; 7 - оправа; 8 – зеркало

2.5. Электрические схемы оптических квантовых генераторов

Лазерные приборы могут применяться как в стационарных условиях

(передающие лазерные установки, маяки, локаторы), так и различного рода
передвижных устройствах: самолетах, спутниках, боевых наземных средствах.
Первичным источником электропитания указанных лазерных приборов может
быть как промышленная сеть переменного напряжения, так и сеть постоянного
напряжения (бортовые источники питания, аккумуляторы), поэтому при
разработке источников питания для лазеров это обстоятельство является одним
из решающих при выборе электрических схем. Кроме того, необходимо
учитывать, что мощность источников питания может изменяться в пределах
+
− 20% номинального значения и должна быть соизмерима с мощностью,
необходимой для возбуждения самого лазера. Для газовых лазеров напряжение
на газоразрядном промежутке изменяется от 0,5 до 2 кВ для атомарных лазеров,
от единиц до десятков киловольт для молекулярных лазеров и от десятков до
сотен вольт для ламп оптической накачки твердотельных лазеров.
Поэтому проектирование малогабаритных электрических схем для
получения устойчивой импульсной генерации индуцированного излучения
ОКГ является сложной задачей, т. к. необходимо при достаточно малых
габаритах и массах разработать надежную конструкцию блока питания,
обеспечивающую высокие значения энергии накачки и частоты заряда
накопителя.
Для образцов вооружения и военной техники широкое применение нашли
твердотельные ОКГ, поэтому из многообразия электрических схем наиболее
детально рассмотрим схемы питания импульсных ламп.
К основным функциональным элементам электрических схем источников
61
питания импульсных ламп относятся: зарядное устройство (ЗУ), назначением
которого является передача энергии от питающей сети в емкостный
накопитель; разрядный контур (РК), предназначенный для преобразования
запасенной в накопителе электрической энергии в световую энергию
импульсных ламп; блок поджига (БП), необходимый для инициирования
разряда в лампах, и, наконец, система управления (СУ), координирующая
работу всех входящих в источник питания приборов (рис. 2.18).

Рис. 2.18. Структурная схема питания импульсных ламп

Дадим общую характеристику функциональных элементов электрической
схемы. Среди зарядных устройств емкостных накопителей наибольшее
распространение получили схемы, в которых токоограничивающие элементы
устанавливаются на выходе выпрямителей, - это, прежде всего, схемы с
активным или индуктивным сопротивлением.
Правильный выбор разрядного контура определяет длительность
излучения, эффективность и срок службы ОКГ. В зависимости от режима
работы ОКГ (свободная генерация или генерация с модулированной
добротностью) применяются одноконтурные схемы и схемы с искусственными
длинными линиями. Форма импульса разрядного тока накопителя и,
соответственно, форма импульса и длительность вспышки лампы в этих схемах
зависят от соотношения волнового сопротивления разрядного контура и
сопротивления лампы. Поджиг лампы осуществляется высоковольтным
импульсом, вырабатываемым в генераторе импульсов поджига.

Рис. 2.19. Схема включения блока поджига в разряд

62
 При внешнем поджиге высоковольтный импульс подается на
специальный электрод поджига (рис. 2.19, а), которым обычно служит провод,
подводимый к колбе лампы. Если по той или иной причине наличие на колбе
лампы высоковольтного поджигающего провода является нежелательным, то
применяется последовательный внутренний поджиг (рис. 2.19, б), при котором
вторичная обмотка трансформатора поджига ТрП включается в разрядный
контур последовательно с лампой накачки. И, наконец, применяется поджиг
дежурной дугой (рис. 2.19, в), осуществляемый поддержанием маломощного
дугового разряда между электродами лампы. В этом случае лишь в момент
включения источника дежурной дуги подается кратковременный
инициирующий импульс, который после зажигания дежурной дуги снимается с
лампы. При поджиге дежурной дугой обязательным является наличие
контактора в разрядном контуре лампы. Амплитуда импульса поджига обычно
составляет десятки киловольт, а длительность - единицы микросекунд, что
усложняет конструкцию и расчет импульсного трансформатора поджига. В
схеме последовательного поджига трудности возникают из-за необходимости
выполнять вторичную обмотку проводом большого сечения, так как по ней
протекает весь разрядный импульс тока. Несмотря на это, последовательный
поджиг применяется значительно чаще, чем внешний. Большим недостатком
импульсного поджига, как внешнего, так и последовательного, является то, что
он служит источником мощных электромагнитных помех в диапазоне частот от
50 Гц до 30 МГц не только для собственной системы управления, но и для
окружающей ОКГ аппаратуры. В этом отношении поджиг дежурной дугой
является предпочтительным.
Качественные показатели схем питания, такие, как точность,
быстродействие, устойчивость, повторяемость параметров, возможность
задания автоматического режима, эффективность зарядных устройств и другие,
определяются системами управления. Они обеспечивают надежность
функционирования в условиях меняющихся внешних факторов, гарантируют
заданную стабильность выходных параметров модуляторов и устанавливают
требуемый режим работы модулятора и ОКГ.
Принципы построения и структура систем управления в основном
определяются выполняемыми функциями и типом зарядного устройства, в этой
связи возможно множество вариантов схемных решений СУ. Рассмотрим
особенности построения систем управления в зависимости от способа
коммутации зарядного устройства, поскольку подача управляющего сигнала на
зарядный коммутатор всегда предопределяет только разряд накопителя на
импульсную лампу вне зависимости от типа зарядного устройства и характера
работы системы управления.
Если коммутация зарядного устройства осуществляется по цепи
переменного синусоидального тока, зарядный коммутатор выполняется в виде
двух встречно-параллельно соединенных тиристоров, через которые
попеременно в течение нескольких полупериодов протекают токи либо без
принудительного изменения фазы переменного напряжения, либо с изменением
фазы слева или справа от нулевой по определенному закону.
Второй тип зарядного коммутатора предусматривает включение
63
коммутирующего элемента в цепь постоянного тока. Регулирование
напряжения накопителя осуществляется при наличии полностью управляемого
коммутатора, например в схеме колебательного заряда емкостного накопителя
со стабилизацией энергии зарядного контура и в схемах заряда накопителей от
сети переменного напряжения с нулевой фазой. Включение и выключение
зарядных коммутаторов второго типа производится подачей импульса
достаточной мощности от реле управления. Этот импульс имеет задержку во
времени, необходимую для достижения равенства амплитудного значения
синусоидального напряжения значению остаточного напряжения в емкостном
накопителе после разряда его на импульсную лампу. Рассмотрим следующие
возможные варианты электрических схем питания импульсных твердотельных
ОКГ: трансформаторную, бестрансформаторную и преобразовательную.

Рис. 2.20. Трансформаторная схема накачки

Трансформаторная схема (рис. 2.20), включающая силовой

трансформатор Tpl, выпрямитель Д2, блок конденсаторов Cl, C2 и импульсную
лампу ИЛ, обеспечивает накопление электрической энергии в конденсаторе
примерно до 500 Дж за 1 с.

Рис. 2.21. Бестрансформаторная схема накачки

Для накопления энергии в батарее конденсаторов можно использовать
бестрансформаторные схемы питания (рис. 2.21) с удвоением или утроением
напряжения. Наиболее целесообразно с точки зрения получения наименьших
габаритов применить схему двухполупериодного удвоения напряжения при
питании от сети переменного тока с напряжением 380 В. При
однополупериодной схеме удвоения увеличивается время заряда батареи
конденсаторов. Кроме того, конденсаторы приходится рассчитывать на
удвоенное амплитудное значение напряжения сети, что приводит к увеличению
габаритов блока питания. Схемы с утроением напряжения требуют большого
64
количества конденсаторов, что в еще большей степени увеличивает габариты
блока питания.
В показанной на рис. 2.21 схеме применено удвоение напряжения по
двухполупериодной схеме на конденсаторах типа МБГВ 1000x100. Напряжение
на блоке конденсаторов равно удвоенному амплитудному значению
напряжения сети (380 В). КПД схемы с удвоением напряжения составляет
около 40%.
Схемы, содержащие индуктивно-емкостные преобразователи (ИЕП)
источника напряжения в источник неизменного зарядного тока (рис. 2.22),
просты, надежны и обеспечивают оптимальный закон изменения зарядного
тока и напряжения накопителя. Основное свойство ИЕП - стабилизировать ток
нагрузки при ее изменении.

Рис. 2.22. Схема системы накачки с управляемым диодом

Если индуктивность L и емкость С выбраны из условия резонанса при

частоте приложенного напряжения, то ток нагрузки не зависит от величины ее
сопротивления. Таким образом, ИЕП имеет вольтамперную характеристику
источника тока. В устройствах заряда накопителей могут быть использованы Т-
образные схемы ИЕП. Их положительные основные качества - простота
осуществления тиристорного управления (управляемые диоды УД1, УД2 на
рис. 2.22) уровнем предразрядного напряжения, малый ток короткого
замыкания, хорошее согласование с преобразователями постоянного
напряжения в переменное, возможность снижения установленной мощности
реактивных элементов.
Структурная схема источника электропитания в значительной степени
зависит от режима работы и типа лазера. Характерной особенностью
источников электропитания лазеров, работающих в непрерывном режиме,
является необходимость согласования вольтамперной характеристики лазера с
внешней характеристикой источника электропитания. Для импульсных
источников характерно наличие накопителя энергии, емкостного или
индуктивного. Минимальные потери мощности при зарядке емкостного
накопителя будут при внешней характеристике зарядного устройства,
соответствующей характеристике источника тока, а выходная характеристика
зарядного устройства с индуктивным накопителем должна иметь выходную
характеристику источника напряжения.

65
 Структурная схема источника электропитания для газовых лазеров
непрерывного действия (рис. 2.23) состоит из последовательно включенных:
- преобразователя напряжения;
- балластного элемента;
- газоразрядного прибора (газового лазера, лампы);
- устройства зажигания.
Преобразователь напряжения изменяет по величине и выпрямляет
напряжение сети до необходимого значения, определяемого вольтамперной
характеристикой газоразрядного прибора.
Балластный элемент служит для согласования вольтамперной
характеристики газоразрядного прибора с выходной характеристикой
источника электропитания. Балластным элементом может быть резистор,
катушка индуктивности, конденсатор или нелинейный резистор (транзистор,
электронная лампа). Реактивный балластный элемент включается в цепь
переменного тока, активный же балластный элемент может быть включен в
цепь как переменного, так и постоянного тока. Выбор места включения
балластного элемента зависит от значения и диапазона регулирования тока или
напряжения, а также от типа применяемого регулятора (транзистора,
тиристора).
Обязательным функциональным узлом источника электропитания для
газовых лазеров является устройство зажигания (УЗ). В отдельных случаях УЗ
непосредственно входит в состав самого источника электропитания (схема
умножения выходного напряжения) или же в виде отдельного
функционального узла. Импульсные УЗ имеют большее число элементов, чем
УЗ постоянного напряжения, однако это оправдано получением высокого
импульсного напряжения (десятки киловольт) и повышением надежности
зажигания.

Рис. 2.23. Структурная схема источника электропитания

непрерывного действия для газовых лазеров

Для газовых и полупроводниковых лазеров, работающих в импульсном

режиме, структурная схема источника электропитания (рис. 2.24) состоит из
преобразователя напряжения сети, зарядного элемента, накопителя энергии,
разрядного коммутатора и схемы управления коммутатором. Назначение
преобразователя напряжения такое же, как и в предыдущей схеме, - повышение
напряжения сети для газовых лазеров и уменьшение напряжения для
полупроводниковых лазеров.
Зарядный элемент, включенный во входную или выходную цепь
66
преобразователя напряжения, служит для ограничения максимального тока
зарядки накопителя энергии. Емкостные накопители энергии, применяемые в
источниках электропитания для газовых и полупроводниковых лазеров,
работающих в импульсном режиме, подключаются к нагрузке (лазеру) через
разрядный коммутатор. В качестве коммутатора широко используются
тиратроны на напряжение 10…60 кВ, мощные импульсные разрядники до 15
кВ, тиристоры и транзисторы до 1 кВ.

Рис. 2.24. Структурная схема источника электропитания для

полупроводниковых и газовых лазеров, работающих
в импульсном режиме
Для накачки газовых и твердотельных лазеров, работающих в
импульсном режиме, применяются вентильные системы зарядки емкостного
накопителя с токоограничивающими элементами. На рис. 2.25 приведены
некоторые принципиальные электрические схемы указанных систем.
Схема зарядки емкостного накопителя через токоограничивающий
резистор (рис. 2.25,а) имеет довольно низкий КПД (менее 50%), поэтому с
целью его повышения в вентильных системах зарядки вместо
токоограничивающих резисторов используют реактивные элементы: линейные
дроссели или конденсаторы (рис. 2.25,б, в).

Рис. 2.25. Схема зарядки емкостного накопителя:

а- через токоограничивающий резистор; б- через линейный дроссель;
в- через конденсатор

67
 На рис. 2.26 приведена схема зарядки емкостного накопителя при
ступенчатой регулировке коэффициента трансформации трансформатора с
помощью отводов первичной обмотки. Схема состоит из сетевого
трансформатора Tpl с отводами в первичной обмотке, каждый отвод которой
через ограничивающий резистор R1–R4 и тиристорный ключ Д1–Д8 подключен
к фазе питающего напряжения. Вторичная обмотка сетевого трансформатора -
мостовой выпрямитель В1 - подключена через катушку индуктивности Lзар к
накопительному конденсатору Сн, который через разрядную индуктивность Lр
соединен с одним из электродов лампы Л1, второй же ее электрод подключен к
импульсному трансформатору зажигания Тр2.

Рис. 2.26. Электрические схемы зарядки емкостного накопителя

при ступенчатой регулировке коэффициента трансформации
Коэффициент трансформации сетевого трансформатора можно
регулировать с помощью включения управляемых вентилей в цепи отводов как
от первичной, так и от вторичной обмотки и последующим их поочередным
включением. Оптимальное число отводов от обмоток трансформатора и
значение напряжения на каждом из них определяются заданной величиной
глубины модуляции мощности, потребляемой от сети.
Существенными недостатками схем зарядки емкостного накопителя с
помощью токоограничивающего элемента являются неравномерное
потребление мощности от сети, наличие начальных бросков тока при
включении реактивных токоограничивающих элементов. Для снижения
начальных бросков тока и более равномерного потребления мощности от сети
можно использовать трансформаторы с регулируемым коэффициентом
трансформации.
Максимально возможный КПД процесса зарядки накопительного
конденсатора может быть получен при его зарядке от источника тока. Для этой
цели используют ИЕП источники неизменного тока [3]. В процессе зарядки
68
конденсатора, хотя мгновенные значения тока зарядки изменяются, среднее за
период значение тока остается неизменным (рис. 2.27).

Рис. 2.27. Схема зарядки емкостного накопителя через ИЕП

В заключение отметим, что все электрические схемы системы
электропитания ОКГ рассчитываются для соответствующих типов приборов.
Все элементы схем выбираются из условий работы прибора в диапазоне
температур ± 50° С и относительной влажности 98%.

2.6. Элементы электрических схем

Процесс изменения равновесного распределения элементарных частиц в

активном веществе по их уровням энергии под действием внешнего
электромагнитного излучения, постоянного тока или химических реакций
называется накачкой. В лазерной технике применяются различные методы
накачки. Тем не менее, наибольшее распространение как в импульсном, так и в
непрерывном режимах работы твердотельных ОКГ получил метод оптической
накачки газоразрядными лампами, наполненными инертными газами. Среди
других методов оптической накачки следует упомянуть использование энергии
взрывающейся проволочки и возможность применения излучения
сжимающегося плазменного шнура. Возможно также применение энергии
излучения Солнца и рентгеновских лучей для возбуждения флюоресценции в
твердых телах.
Остановимся на кратком описании этих ламп накачки.
При рассмотрении характеристик ламп накачки желательно выбрать те из
них, которые определяют газоразрядную лампу как элемент электрической
цепи, оказывающий существенное влияние на схему блока питания ОКГ.
Одной из характерных особенностей лампы, очень важной для импульсных
лазеров, является возможность использования ее в качестве коммутирующего
устройства. В этом случае лампа обеспечивает непроводящее состояние
разрядного контура при наличии на ней напряжения питания. Однако для
каждой лампы существует минимальное значение напряжения на электродах,
при котором возникает самопроизвольный разряд. Это напряжение, называемое
напряжением самопробоя, является параметром, записываемым в технических
условиях на лампу. Как правило, максимальное напряжение источника питания
не превышает напряжения самопробоя.
Для управления лампой применяют метод инициирования разряда с
помощью высоковольтного кратковременного импульса поджига. Существует
нижний предел напряжения зажигания лампы, при котором в случае подачи
69
импульса поджига может возникнуть самостоятельный разряд. Таким образом,
напряжения самопробоя и зажигания определяют границы изменения
напряжения на выходе источника питания. После поджига импульсной лампы
резко меняется ее сопротивление. Для расчета источника питания ОКГ
необходимо знать зависимость сопротивления ρ л лампы от плотности тока i.
p л = (0,8...0,9 ) / j (0,55...0,5 ) . (2.6)
Нагрузочные характеристики импульсных ламп в значительной мере
определяют параметры силовой части источника питания. Номинальная
энергия вспышки для различных ламп составляет величину от десятков
джоулей до десятков килоджоулей. Предельная величина энергии определяется
конструкцией лампы и параметрами разрядного контура. Наиболее часто
применяется в твердотельных ОКГ прямая импульсная лампа (рис. 2.28),
которая имеет по электроду 2 на каждом конце заполненной инертным газом
цилиндрической кварцевой трубки. Оба конца кварцевой трубки вакуумно
плотно свариваются с молибденовыми стержнями-электродами. Потери
энергии на нагрев лампы и электродов, на поглощение кварцевой трубкой в
области длин волн 0,18...3,5 мкм не превышают 25%.
Лампы накачки, предназначенные для работы в импульсных ОКГ,
наполняются ксеноном. Основные характеристики ламп накачки приведены в
табл. 2.1.
Оптимальное давление ксенона в лампе (4...8) . 104 Па. Ксеноновые лампы
бывают различной формы:
- прямой;
- трубчатой;
- трапецеидальной;
- П-образной;
- коаксиальной;
- спиральной.
К конструктивным параметрам этих ламп прежде всего следует отнести
длину межэлектродного промежутка (4...30 см) и внутренний диаметр
кварцевой трубки (0,2...3 см).
Длительность вспышки и энергия лампы увеличиваются с увеличением
емкости конденсаторов блока питания. Например, при изменении емкости в
пределах 100...800 мкФ длительность вспышки увеличивается от 1 ⋅ 10 −4 с до
7 ⋅ 10 −4 с. Также благоприятно сказывается на возрастании величины
предельной энергии лампы уменьшение крутизны нарастания разрядного
импульса тока. Это достигается введением индуктивности в разрядный контур
лампы.
Для каждой лампы существует своя предельная частота вспышек, при
превышении которой импульсная лампа переходит в стационарный режим
горения. При определенной величине энергии накачки одной микросекунды
недостаточно для восстановления электрической прочности газоразрядного
промежутка, если скорость нарастания напряжения на электродах лампы
составляет около 35 В/мс. Для обеспечения условий коммутации импульсной
лампы требуется введение деионизационного промежутка времени между
70
окончанием разряда накопителя и началом его повторной зарядки.

Рис. 2.28. Малогабаритная импульсная лампа:

1-кварцевая трубка; 2-электрод

Таблица 2.1.
Параметры импульсных ламп оптической накачки лазеров
Напряжение Размеры
Энергия Ламповая
Тип Мощность, Частота, зажигания, лампы
накачки, константа,
лампы Вт Гц кВ, lтр, dтр,
Дж λ
не менее мм
ИФП- 800 800 1 0,7 80×7 560
800
ИФП- 600 6000 10 0,6 120×7 840
1200
ИСП-250 50 250 5 0,5 40×5 200
ИСПТ- 600 6000 10 0,6 120×7 840
6000

Время деионизации зависит от многих причин, а для конкретного типа

лампы в основном определяется мощностью накачки и параметрами схемы
питания. Время деионизации большинства используемых для накачки
импульсных ламп составляет не более 15…20 мс.
Критериями применяемости импульсных ламп в тех или иных режимах
являются их надежность и долговечность. Импульсные лампы имеют
сравнительно небольшой срок службы даже при эксплуатации в номинальном
режиме. Однако его можно значительно увеличить при снижении предельно
допустимых нагрузок. И наоборот, нагрузку можно увеличить за счет снижения
срока службы лампы, поскольку долговечность лампы определяется
коэффициентом нагрузки. Коэффициент нагрузки К представляет собой
отношение рабочей энергии лампы E л к максимальной энергии E л ,
max
которую лампа может еще выдержать при накачке
71
 Eл
K= . (2.7)
Е л max

Максимальная энергия зависит от параметров приложенного импульса

накачки и размеров ламп
E л max = 1,2 ⋅10 4 DLлτ и0,5 , (2.8)
где D и Lл - соответственно диаметр и длина лампы накачки, см.
Примерные соотношения между сроком службы и коэффициентом
нагрузки представлены на рис. 2.29.

Рис. 2.29. Зависимость долговечности N л (числа вспышек)

импульсной лампы от коэффициента нагрузки К

Выбор лампы зависит от типа активного вещества и выходных

энергетических и спектральных характеристик проектируемого ОКГ.
Для питания импульсных ламп накачки применяются накопители
энергии. Они должны обеспечивать высокую импульсную мощность при
сравнительно малой удельной энергии и неравномерной нагрузке питающей
сети. Длительное хранение и управление накопленной энергией невозможно
без знания основных характеристик накопителей энергии. Самыми важными из
них являются удельная энергия, Дж/м3; максимальная импульсная мощность,
Вт; удельный объем, м3/Дж; удельная масса, кг/Дж.
Для систем накачки применяются индуктивные и емкостные накопители
энергии. К достоинствам индуктивных накопителей энергии относится
возможность плавного изменения длительности разрядного импульса.
Индуктивные накопители работают без высоковольтных зарядных устройств.
Кроме того, они имеют практически неограниченный срок службы, высокую
надежность и малые потери в разрядном контуре.
Благодаря высокой импульсной мощности и экономичности режима
заряда в большинстве случаев в системах питания твердотельных ОКГ
применяются емкостные накопители энергии. Так же, как и импульсные лампы,
накопительные конденсаторы могут работать в самых различных режимах, что
является их несомненным достоинством. Тем не менее, при повышении
частоты коммутации после определенного числа циклов «заряд-разряд»
происходит необратимое разрушение изоляции и наступает пробой
конденсатора. Существует еще одна форма пробоя - тепловой пробой, при
72
котором проявляется резкая зависимость электрической прочности от времени
воздействия напряжения и температуры окружающей среды. Для более
объективной оценки параметров накопительных конденсаторов справедливо
рассматривать удельные показатели с учетом долговечности, поскольку от нее
существенно зависят характеристики накопителей. За счет уменьшения
долговечности можно снизить объем и вес конденсаторов. Для определения
долговечности импульсных конденсаторов при работе с напряжением,
отличным от номинального, можно использовать формулу

−1
 n 
N p = 100 N ном  ∑ Pk (U k / U ном )q  , (2.9)
k =1 

где N ном - установленная долговечность при номинальном напряжении U ном ;

Pк - вероятность работы при заданном напряжении, в %;
q - коэффициент, зависящий от режима работы конденсатора и
технологии его изготовления.
Удельные показатели накопительных конденсаторов при заданной
долговечности могут быть заметно улучшены, если применить принудительное
охлаждение. При апериодическом характере разряда в режиме одиночных
импульсов для бумажно-масляного конденсатора обычно гарантируют срок
службы не менее 104 циклов «заряд-разряд». Для уменьшения габаритов
конденсаторов величину рабочей напряженности электрического поля
повышают до 70… 100 кВ/мм, но при этом на порядок уменьшается срок их
службы. Потери энергии в конденсаторах при импульсном разряде
складываются из двух составляющих: потерь энергии в диэлектрике и
металлических частях конденсатора. В работах [1,2,3] показано, что потери в
конденсаторах типа К75-11 при разряде на импульсную лампу составляют
около 20% от запасенной энергии и имеют большой удельный вес в общих
потерях разрядного контура.
В табл. 2.2 приведены основные параметры серийно выпускаемых
накопительных конденсаторов. По удельным экономическим показателям
лучшими отечественными накопительными конденсаторами являются К75-11,
К75-17, К75-19, МБГВ, К75-27, К75-28 (рис. 2.30). Электролитические
конденсаторы, несмотря на меньший удельный вес и объем, по удельным
экономическим показателям проигрывают лучшим бумажным конденсаторам,
которые и следует рекомендовать для малогабаритных систем накачки.
Конденсаторы К75-40, К75-44 широко применяются в импульсных
лазерных дальномерах военного назначения.
На рис. 2.31 и 2.32 показаны блоки конденсаторов дальномеров 1Д11 и
1Д14 соответственно [7,8].

73
 Таблица 2.2.
Основные параметры серийных импульсных накопителей конденсатеров

Частота повторения,

разрядной цепи, Ом

Удельная энергия,

Удельный объем,
напряжение, кВ

Сопротивление
Номинальная

Удельный вес,
Срок службы,
Номинальное

тыс. циклов
емкость,

10-3 кг/Дж
10-6м3/Дж
мкФ

Дж/см3
Режим

Гц
работы
Тип

К41И-7 5 100 0,01 5 Непрерыв- 5 - 6,8 12

ный
МБГВ 1 100 1 0,5 » 1800 - 20 35
1 200 1,5 0,5 » 2700 - 18 31
К42-13 1 20 5 0,1 2/10 60 - 16 31
К75-11 2 100 0,5 0,5 0,5/10 5 0,174 5,5 11
К75-14 3 100 1 0,6 1/0,3 100 - 10 16,5
К75-17 1 50 100 0,5 10/20 36000 - 24 50
К75-19 2 100 10 1,8 60/180 36000 0,04 25 41
К50И-8 0,4 500 0,1 0,45 Непрерыв- 10 - 3,48 6
ный
К75-27 2 100 0,1 3/3 25 0,165
К75-28 3 100 1 1/5 50 0,05 6 11
ИМ5- 5 140 0,16 2500 Непрерыв- 40 - 20,5 35
140 0,3 800 0,1 0,45 ный 10 - 6,7

Рис. 2.30. Конденсаторы, применяемые в схемах накопителей

Рис. 2.31. Блок
энергии твердотельных ОКГ:конденсаторов Г 43.22.173:
1-К – 75; 2 – МБГВ; 3 – электролитические
конденсаторы

74
 Рис. 2.31. Блок конденсаторов Г 43.22.173:
1–крышка Г 61.97.162; 2–корпус Г 61.23.864; 3–конденсатор К75-406-2000 В-20 мкФВ
ОЖО.464.154 ТУ; 4–провод МВП-2-0,75 ТУ-16-505.253-71; 5–бирка Г 73.83.585; 6–винт
М4Х25.58.026 ГОСТ 1491-72; 7–скоба Г 75.80.988

Блок конденсаторов (рис. 2.31) конструктивно имеет два параллельно

соединенных между собой конденсатора накачки типа К75-40 емкостью 20 мкФ
каждый и последовательно соединенные диоды типа 2Д206В. Диоды и
конденсаторы 3 устанавливаются в корпусе 2 блока и закрываются крышкой 1.

Рис. 2.32. Блок конденсаторов дальномера 1Д14:

1–накопительные конденсаторы К75-44а; 2–дроссель; 3–колодка; 4–крышка; 5–диоды; 6–
конденсатор К15-5

Между корпусом, крышкой и конденсаторами проложены резиновые

прокладки. Корпус и крышка стягиваются между собой винтами 6. Выводы
конденсаторов спаяны между собой, а к ним подпаяны провода 4.
При помощи скобы 7 блок извлекают из приемопередатчика. На бирке 5
указывается наименование и номер блока.

75
 2.7. Модуляторы оптических квантовых генераторов

Модуляция - это изменение по заданному закону во времени величин,

характеризующих какой-либо регулируемый физический процесс[5].
Под модуляцией лазерного излучения понимается воздействие
информационного сигнала на излучение лазера, заключающееся в изменении
показателя преломления оптической среды, изменении добротности резонатора,
расщеплении или сдвиге рабочих уровней энергии атомов, молекул,
кристаллов. Изменение показателя преломления производится с помощью
фазовой модуляции. В зависимости от схемы модулятора она может быть
преобразована в амплитудную модуляцию, частотную или поляризационную.
Изменение показателя преломления возможно при воздействии на вещество
электрического, магнитного поля (эффект Фарадея), температуры или же
механических напряжений. Метод изменения добротности резонатора основан
на создании большой перенаселенности активных частиц на метастабильном
уровне активного вещества путем перекрывания излучения светозатвором. В
основе методов модуляции, использующих принцип расщепления и сдвига
рабочих уровней энергии атомов, молекул и кристаллов, лежат эффекты
Зеемана и Штарка.
По расположению модулятора относительно резонатора лазера
модуляторы лазерного излучения (МЛИ) делят на два класса: внерезонаторные
(внешние) и внутрирезонаторные (внутренние). Внешние МЛИ модулируют
уже сформированный лазерный луч, в то время как внутренние модулируют
излучение в процессе его генерации. Применение внутренней модуляции дает
возможность уменьшить мощность питания модулирующего элемента, но
имеет свои недостатки, так как введение внутрь оптического резонатора каких-
либо элементов обусловливает повышенные требования к их оптическим
характеристикам. Внерезонаторные МЛИ подразделяются на: растровые;
электрооптические; акустооптические; магнитооптические; использующие
эффекты Зеемана и Штарка. Внутрирезонаторные МЛИ представляют собой
затворы: оптико-механические; электрооптические; фототропные; с
вращающейся металлической пленкой.
По выходному сигналу МЛИ принято разделять на четыре группы:
амплитудные, фазовые, частотные и поляризованные. Обычно выбор типа
модуляции определяется видом передаваемой информации, глубиной
модуляции, мощностью модулирующего сигнала, режимом работы лазера и т.
д. Наибольшее распространение получили амплитудные МЛИ, что объясняется
относительной простотой их конструкции.
В зависимости от задач, решаемых устройствами, в которых
используются МЛИ, к ним предъявляются требования широкополосности,
малой потребляемой мощности, линейности модуляционной характеристики и
большого динамического диапазона.
Значения основных параметров модулятора рассчитывают или выбирают
исходя из общих требований к приборам и к параметрам модулированного
сигнала. Обычно модулятор должен обеспечить требуемый вид модуляции с
заданными значениями частот, необходимую глубину модуляции,
76
определенную форму модулированного сигнала и стабильность этих
параметров.
Отдельную группу составляют параметры, характеризующие надежность.
К ним относятся срок службы Тс, наработка модулятора до отказа,
интенсивность отказов X, вероятность безотказной работы P(t) и др.
Из внерезонаторных МЛИ большое распространение на практике
получили растровые (механические) модуляторы, представляющие собой
различные растры, приводимые в движение с помощью электромеханических,
электромагнитных, пьезоэлектрических и других узлов (электродвигателей,
вибраторов, реле и т.п.).
Ширину прозрачных и непрозрачных участков растра обычно делают
одинаковой, за исключением модуляторов для импульсной модуляции. Это
обеспечивает максимальную мощность первой гармоники полезного сигнала. В
противном случае растут либо постоянная составляющая модулированного
потока, либо амплитуды высших гармоник.
Форма сигнала (модулирующая функция) зависит от соотношения между
размерами сечения пучка лучей и ячейки (полупериода) растра. Оптимальной с
энергетической точки зрения является прямоугольная форма сигнала Ф(t)
(модулирующей функции). В этом случае амплитуда Ф1 первой гармоники
модулированного потока будет максимальной: Ф1 = (2/ π ) Фmax, где Фmax -
максимальное значение амплитуды модулированного потока.
Прямоугольная форма сигнала получается в том случае, когда сечение
пучка лучей практически можно считать точкой, а ячейка растра по сравнению
с ней имеет достаточно большие размеры, превышающие размеры указанного
сечения на два порядка.
Синусоидальную форму модулированного потока можно получить, в
частности, при следующих условиях: 1) сечение пучка лучей или фигура
изображения объекта в плоскости радиально-секторного растра должна иметь
форму круга, вписываемого в ячейку растра; 2) распределение энергии
излучения по сечению пучка лучей должно быть равномерным, а ширина
прозрачной и непрозрачных ячеек - одинаковой.
При конечном размере (меньше ширины прорези растра) сечения пучка
или кружка рассеяния в плоскости растра модулирующая функция будет
близкой к трапецеидальной с фронтом импульсов θ = πd / l , где d - диаметр
сечения пучка лучей в плоскости растра; l - размер полупериода (ячейки)
растра, отсчитанный вдоль окружности, по которой перемещается изображение
или сечение пучка лучей относительно растра (окружность сканирования). В
зависимости от вида модуляции растры могут быть различной формы.
В рассмотренном случае при любом распределении энергии в сечении
пучка лучей (изображении объекта) фронты трапецеидальных импульсов будут
криволинейными.
Основными достоинствами растровых модуляторов являются простота
конструкции, возможность получения разнообразных форм сигналов,
возможность обеспечения 100% -й глубины модуляции, малое спектральное
поглощение потока или полное его отсутствие.
К их основным недостаткам следует отнести: невозможность получения
77
больших частот модуляции, нестабильность частоты модуляции, небольшой
срок службы и невысокую прочность при больших скоростях движения.
Последнее обусловлено действием больших центробежных сил на модулятор.
Максимальная частота модуляции потока при использовании растровых
модуляторов чаще всего равна нескольким килогерцам. При частоте модуляции
более 100 кГц чрезвычайно усложняется конструкция узла привода модулятора.
Пример конструкции растрового модулятора представлен на рис. 2.33.

Рис. 2.33. Дисковый радиально-секторный модулятор:

1 - модулирующий диск; 2 - гайка; 3 - сегментная шпонка; 4 - фланец; 5 -
электродвигатель; 6 - вал электродвигателя

Специфическими требованиями, предъявляемыми к оптико-физическим

модуляторам, являются: стабильность фазы световых колебаний в поперечном
сечении пучка лучей, проходящих через модулятор; минимальные нелинейные
искажения модулированного сигнала; большой диапазон рабочих частот
модуляции (широкополосность); большой динамический диапазон работы, а в
ряде случаев линейность модуляционной характеристики, т.е. зависимость
амплитуды модулированного потока излучения Ф от управляющего
воздействия, например от амплитуды uу управляющего напряжения для
электрооптических модуляторов.
Электрооптический модулятор на основе продольного эффекта
Поккельса (рис. 2.34) состоит из поляризатора и анализатора, плоскости
поляризации которых взаимно ортогональны, и расположенного между ними
электрооптического кристалла, например из дигидрофосфата аммония (ADP), с
электродами для подачи на него управляющего высоковольтного напряжения
uу. Электроды должны быть прозрачными или иметь отверстия для
прохождения света. Характер поляризации света на выходах элементов показан
на рис. 2.34.

Рис. 2.34. Схема электрооптического модулятора на основе продольного

эффекта Поккельса:
1 - излучатель; 2 - объектив; 3 - поляризатор; 4 - электрооптический кристалл;
5 - анализатор; 6 - приемник излучения
78
 Разность фаз между ортогонально поляризованными кристаллом
компонентами света (обыкновенной и необыкновенной волнами) на выходе
кристалла может быть определена из соотношения

(2.10)
где λ - длина волны;
n0 - показатель преломления кристалла для обыкновенной волны света;
r - электрооптическая константа; для ADP r =8,5 . 10-10 см.В-1.
Допустимая угловая апертура β кристалла при продольном
электрооптическом эффекте зависит от длины кристалла l и не должна
превышать 1,5° при l = 10 мм для кристалла из KDP. В общем случае
допустимое значение Р рассчитывают по формуле

где nе - показатель преломления необыкновенной световой волны.

Переменный поток Фвых на выходе электрооптического модулятора на
основе линейного эффекта Поккельса связан с потоком на его входе Фвх
соотношением
(2.11)
Управляющее напряжение u λ / 2 , при котором разность фаз между
ортогональными компонентами света ϕ = π , называется полуволновым
напряжением. На основе (7.37) и (7.38) выражение, описывающее
модуляционную характеристику, можно представить в виде

(2.12)

где u λ / 2 = λ /(2n 03 r ).
Для кристаллов из KDP и ADP напряжение u λ / 2 равно 7,5 и 8,6 кВ
соответственно при λ = 0,55 мкм.
Как следует из (2.12), модуляционная характеристика модулятора -
функция нелинейная, причем нелинейность значительно уменьшается, если
имеет место постоянное смещение, равное примерно 0,5 uλ / 2 при продольном
электрооптическом эффекте. Кроме того, из (2.12) следует, что эффективность
модулятора ηэ =Фвых/Фвх возрастает при увеличении управляющего напряжения
uу .
При продольном электрооптическом эффекте глубина модуляции на
линейном участке модуляционной характеристики зависит от амплитуды
переменного управляющего напряжения: М=sin[ (2πn0 r / λ )u у ].
При поперечном электрооптическом эффекте имеет место постоянное
смещение за счет естественной анизотропии кристалла.
Глубина модуляции при продольном электрооптическом эффекте в
кристалле зависит от управляющего напряжения и не зависит от его длины,
поэтому кристалл может быть вырезан в виде тонкой пластины. Глубину
79
модуляции можно повысить, применяя несколько последовательно
установленных по ходу лучей тонких пластин с электродами, к которым
прикладывается одинаковое напряжение uу, либо используя поперечный
эффект. В последнем случае глубина модуляции увеличивается в l/(2d) раз, где
d - толщина кристалла. Однако при использовании поперечного эффекта у
модулятора имеет место нестабильность разности фаз ϕ при изменении
температуры, вызывающей неодинаковое изменение показателей преломления
световых компонентов, плоскости поляризации которых ортогональны. В этом
случае приходится термостатировать кристалл и применять температурную
компенсацию.
Модуляторы Поккельса на кристаллах ADP (дигидрофосфат аммония) и
KDP (дигидрофосфат калия) требуют большого управляющего напряжения
питания, имеют небольшие габаритные размеры, массу и нелинейную
модуляционную характеристику. Эти модуляторы обеспечивают частоты
модуляции до 103 МГц и выше, работают в спектральной области примерно
0,35 ... 1,2 мкм и имеют большой динамический диапазон (до 1000) по потоку
излучения, их коэффициент пропускания τ м = 30% . Потребляемая мощность
составляет десятки, а иногда и сотни ватт при напряжении питания несколько
десятков киловольт.
Кристаллы KDP не растворяются в спирте, ацетоне и бензине, но хорошо
растворяются в воде, поэтому их необходимо герметизировать. Они хрупки и
требуют специальных методов обработки. Циклические изменения
температуры вызывают их растрескивание.
Недостатком модуляторов Поккельса является также зависимость
глубины модуляции М (коэффициента модуляции) от частоты, обусловленная
пьезоэффектом. Для устранения этого недостатка необходимо выбирать
большие частоты модуляции, при которых пьезоэффект отсутствует.
В качестве обобщенного параметра электрооптических модуляторов,
характеризующего потребляемую ими мощность Рм, используют величину q,
равную отношению ϕ 2 / Pм . У модуляторов Поккельса величина q мала.
В последние годы в качестве модуляторов Поккельса используются также
кристаллы на основе сернистого цинка (ZnS), теллурида кадмия (CdTe),
арсенида галлия (GaAs), кристаллы сегнетоэлектрических перовскитов (ниобат
лития, танталат лития и др.), отличающиеся высокой прочностью,
негигроскопичностью, меньшей подверженностью влиянию изменений
температуры окружающей среды и большим спектральным диапазоном
пропускания по сравнению с кристаллами из КDP и ADP. Кроме того,
кристаллы из ниобата и танталата лития требуют меньшего по сравнению с
KDP и ADP управляющего напряжения. Модуляторы на кварце имеют хорошее
пропускание до λ = 4 мкм, потребляют малую мощность (обычно несколько
ватт), но работают на фиксированных частотах от 4 до 100 МГц.
Модуляционная характеристика модулятора на основе квадратического
эффекта Керра (модулятора Керра) имеет вид

(2.13)
Схемы этих модуляторов аналогичны схемам модуляторов Поккельса.
80
Наибольшее распространение в таких модуляторах получили жидкостные
ячейки Керра, полуволновое напряжение которых

где В – постоянная Керра (для нитробензола В = 24 .10-11 см .В-2 при температу-

ре t = 20°С и длине волны λ = 0,55 мкм).
Спектральный диапазон работы жидкостного модулятора Керра зависит в
основном от рабочего вещества - наполнителя ячейки и охватывает область
спектра ориентировочно 0,4 ... 2,1 мкм. Коэффициент пропускания τ м не более
0,15. Допустимые частоты модуляции составляют несколько гигагерц.
Квадратическая зависимость Ф=f(uу) приводит к нелинейным искажениям
оптического сигнала. Модуляторы Керра требуют большого управляющего
напряжения (несколько киловольт). Кроме того, нитробензол, используемый в
качестве рабочего вещества жидкостных модуляторов Керра, под влиянием
электролиза довольно быстро темнеет и становится непригодным для работы.
Нитробензол и другие жидкости, применяемые в этих модуляторах, токсичны и
химически агрессивны. Основные параметры некоторых модуляторов
приведены в табл. 2.3.
Таблица 2.3.
Характеристики модуляторов
Физический
Диапазон Спектральная
эффект, Глубина
Тип частот прозрач- Габариты,
лежащий модуляции,
модулятора модуляции, ность, мм
в основе %
Гц мкм
Ячейка
Квадратический
Керра,
электрооптический 0-107 95 0,43…2,1 40×30×10
жидкостная
эффект Керра
Линейный элект- Кристалл
рооптический эф- АДП или 0-106 90 0,25…1,25 30×30×10
фект Поккельса КДП
Модулятор
Вращение плоско-
на эффекте (0-6,8)·105 50 1,25…3,7 …
сти поляризации
Фарадея
Двухлучевая ин- Модулятор
(1-10)·106 80 … 40×40×35
терференция А. Лебедева
Дифракция на Жидкостный
стоячих ультра- модулятор (5-30)·106 50 0,3…5,0 50×50×40
звуковых волнах на УЗ волне
Модулятор
Дифракция на мо-
на
дулированных (0-1,5)·105 50 0,3…50 …
стоячей
звуковых волнах
волне
Изменение опти-
Кристалл
ческих свойств (0-2)·104 50 1,8…25 …
германия
полупроводников

81
 Весьма перспективны модуляторы Керра на кристаллах. Они требуют
малых управляющих напряжений (-10 ... 100 В). Но кристаллы, например
танталатниобат калия (KTN), имеют большую оптическую неоднородность и
создают вследствие этого большие фазовые неоднородности потока излучения.
Широкое применение в ОКГ и других приборах нашел
магнитооптический модулятор Фарадея (рис. 2.35). Основными элементами
модулятора являются магнитоактивный сердечник, изготовленный из
материалов с высокой прозрачностью в данной области спектра, хорошей
температурной стабильностью и большой постоянной Верде, и соленоид,
магнитное поле которого изменяется по гармоническому закону, вызывая
периодические изменения (вращение) азимута линейно поляризованного
излучения.

Рис. 2.35. Принципиальная схема магнитооптического модулятора

Фарадея:
1 - поляризатор; 2 - магнитоактивный сердечник; 3 - соленоид; 4 – анализатор

При установке за катушкой с сердечником анализатора изображения на его

выходе имеет место амплитудная модуляция. При этом поток на выходе
анализатора связан с потоком на входе модулятора соотношением
Фвых = Фвх cos 2 (α + ϕ sin ωt ) ,
где α - угол между электрооптическим вектором излучения, падающего на мо-
дулятор, и плоскостью поляризации поляризатора;
ω - частота напряжения питания катушки;
ϕ - угол поворота плоскости поляризации света;
ϕ = CHl cosθ ; С - постоянная Верде магнитоактивного сердечника, зависящая от
длины волны λ света и температуры;
Н - напряженность приложенного магнитного поля; l - длина пути света в
магнитоактивной среде;
θ - угол между направлением распространения света и направлением
магнитного поля.
Основные преимущества модуляторов Фарадея по сравнению с
электрооптическими - более простая конструкция, значительно меньшее
управляющее напряжение, широкий спектральный диапазон пропускания (от
УФ- до ИК-области спектра), зависящий от применяемых в нем материалов
сердечника (например, кварц, As2S3, различные парамагнитные стекла и др.),
хорошая стабильность параметров ряда модуляторов Фарадея при большом
изменении температуры окружающей среды. Эти модуляторы высокочастотные
- частота модуляции составляет десятки мегагерц. Их недостатками являются
меньшая по сравнению с электрооптическими модуляторами глубина
модуляции вследствие ограниченного вращения плоскости поляризации,
82
значительная зависимость угла поворота ϕ от X (дисперсия) и нелинейность
модуляционной характеристики.

Рис. 2.36. Принципиальная схема акустооптического модулятора

В ОКГ находят применение также акустооптические модуляторы,
состоящие из прозрачной для света фотоупругой среды 1, например из
плавленого кварца, и пьезодатчика 2, выполняемого обычно из
кристаллического кварца или титаната бария (рис. 2.36). Параметры ряда
зарубежных акустооптических модуляторов приведены в табл. 7.11. Эти
модуляторы разделяют на двулучепреломляющие и дифракционные. Принцип
действия первых аналогичен принципу действия электрооптического
модулятора. Отличие заключается в том, что разность фаз между оптическими
компонентами световой волны, плоскости поляризации которых ортогональны,
создается под действием механических напряжений упругой среды, а не
электрического поля. Деформация в кристалле создается продольной стоячей
акустической волной. Указанная разность фаз на выходе акустооптической
среды описывается соотношением

∆ϕ = (2π d / λ )∆n = (πd / λ )n3 ⋅ p ⋅ ∆l ,

где d – толщина акустооптической среды;

∆n – разность показателей преломления компонентов световой волны,
поляризованных ортогонально;
п – показатель преломления среды в отсутствие деформации;
р – эффективный упругооптический коэффициент;
∆l – деформация среды.
Такие модуляторы являются узкополосными и работают на
фиксированных частотах. Максимальная частота модуляции потока ограничена
допустимой деформацией, и при использовании титаната бария в качестве
упругой среды она достигает 30 МГц. Важным преимуществом таких
модуляторов является возможность работы с пучками лучей большой
расходимости, достигающей ±8°.
Другой разновидностью акустооптических модуляторов являются
дифракционные модуляторы, у которых стоячая акустическая волна создает в
фотоупругой среде пространственное распределение показателя преломления,
изменяющееся по амплитуде в такт с изменениями интенсивности акустической
волны, т.е. фазовую дифракционную решетку с изменяющимся коэффициентом
пропускания дифрагированного потока излучения. Частота модуляции при этом
равна частоте акустической волны и достигает сотен мегагерц. Глубина моду-
83
ляции зависит от интенсивности акустической волны и оптической длины d
фотоупругой среды.
Достоинствами акустооптических модуляторов являются простота
конструкции, низкое управляющее напряжение (часто порядка нескольких
вольт), достаточно широкий спектральный диапазон работы λ1 - λ2 = 0,3 ... 2,1
мкм (и более). Недостатки этих модуляторов - малая глубина модуляции,
большие фазовые искажения.
Для импульсных систем наибольший интерес представляют ОКГ,
излучающие мощные и короткие импульсы длительностью 10-6 с и менее.
Наиболее просто задача генерирования коротких импульсов решается
путем введения в резонатор ОКГ управляющего элемента, с помощью которого
можно изменять условия генерирования колебаний. В настоящее время для
управления генерацией преимущественно используется модуляция добротности
резонатора (Q-модуляция). ОКГ с управляемой добротностью резонатора
позволяют получить импульсы света с длительностью 10-7 …10-9 с при пиковой
мощности излучения от единиц до нескольких тысяч мегаватт.
Суть режима модуляции добротности поясняется с помощью рис. 2.37. В
исходном состоянии с помощью управляющего элемента существенно
увеличиваются суммарные потери δ в резонаторе. Добротность резонатора
оказывается небольшой (генератор «закрыт»). В закрытом состоянии пороговая
населенность второго уровня N 2 пор больше, чем та, которая может быть создана
накачкой. Возбуждение колебаний в резонаторе невозможно. Таким образом, в
закрытом состоянии на втором уровне излучательного пepexoда под действием
накачки будет происходить непрерывное накопление активных частиц. Режим
модуляции добротности можно поэтому назвать также режимом накопления.
Через некоторый промежуток времени t1 населенность второго уровня
достигнет максимальной величины. В первом приближении можно считать, что
вся та энергия, которая ранее излучалась в серии релаксационных импульсов к
моменту t1, будет накоплена в активном веществе.
Когда N2 достигает максимума, добротность резонатора увеличивается
(генератор «открывается»). В открытом состоянии пороговая населенность, при
которой происходит самовозбуждение колебаний, оказывается значительно
меньше, чем N2. Происходит быстрое нарастание колебаний в резонаторе, и вся
накопленная энергия излучается в одном импульсе малой длительности.
Возможность получения высокой мощности и малой длительности
импульса при модуляции добротности вытекает из механизма индуцированного
излучения. В режиме свободной генерации колебания в резонаторе возникают,
когда усиление в активной среде α лишь немногим больше, чем величина
суммарных потерь δ в резонаторе. Поэтому нарастание колебаний происходит
сравнительно медленно, количество индуцированных переходов в единицу
времени, пропорциональное плотности энергии в резонаторе, будет небольшим.
Процесс перехода активных частиц с верхнего уровня излучательного перехо-
да будет растянут во времени. При модуляции добротности населенность
второго уровня намного превышает пороговую величину N 2 пор , и величина α
также существенно превышает потери δ в резонаторе. Нарастание колебаний
происходит очень интенсивно, плотность энергии в резонаторе через короткий
84
промежуток времени оказывается значительной. Естественно, что при этих
условиях энергия накопленного избытка активных частиц будет излучена в
течение небольшого отрезка времени.

Рис. 2.37. Временные диаграммы процессов в ОКГ при модуляции

добротности

Таким образом, управление добротностью резонатора позволяет

зафиксировать момент начала генерации, увеличить мощность и значительно
сократить длительность импульса.
В качестве элементов, управляющих добротностью резонатора,
используются механические, электрооптические и пассивные затворы.
В механических затворах для модуляции добротности широко
используется метод, основанный на вращении одного из зеркал резонатора.
Возбуждение колебаний в такой системе возможно лишь в течение короткого
интервала времени, когда угол между плоскостями зеркал не превышает
нескольких угловых минут. При скоростях вращения порядка 20 000… 30 000
об/мин, которые можно реализовать сравнительно просто, время переключения
добротности составляет примерно 10-7 с. Включение лампы накачки
синхронизируется с вращением зеркала таким образом, чтобы разряд в лампе
начинался за время t1, до того как зеркало придет в положение,
соответствующее максимальной добротности резонатора. В механических
затворах обычно используется не плоское зеркало, а призма с полным
внутренним отражением (рис. 2.38). Пороговая энергия возбуждения
генератора Wн.пор с призмой принимает минимальное значение W 0н.пор , когда
ребро прямого двугранного угла призмы перпендикулярно оси резонатора ( θ =
0). При вращении призмы генератор открывается, когда угол θ лежит в
пределах ± (3…4)′, остальное время генератор закрыт. Использование призмы
вместо плоского зеркала обусловлено тем, что небольшие случайные колебания
призмы вокруг горизонтальной оси (перпендикулярной плоскости рисунка) не
сказываются на работе генератора, что оказывается весьма существенным при
эксплуатации такого затвора.
85
 Рис. 2.38. Схема ОКГ с призменным модулятором добротности:
1 – активная среда; 2 – призма

Призменные затворы обладают рядом достоинств: простота устройства;

малые оптические потери, вносимые в резонатор; небольшие габариты и малое
потребление энергии; устойчивость в работе. Основной же недостаток
призменных затворов - недостаточное быстродействие.
Электрооптические затворы позволяют получить наиболее высокую
скорость изменения добротности резонатора. Их основными элементами
являются модуляционный кристалл, в котором под действием электрического
поля возникает двойное лучепреломление, и поляризационная призма. При
модуляции добротности излучение ОКГ дважды проходит через затвор: в
прямом направлении и после отражения от зеркала (рис. 2.39).
Поляризационная призма 3 играет роль поляризатора при распространении
света от активной среды и роль анализатора для отраженного света. Луч света,
поляризованный в плоскости чертежа, проходит через поляризационную
призму без изменения направления, а поляризованный в перпендикулярной
плоскости отклоняется призмой.

Рис. 2.39. Схема ОКГ с электрооптическим модулятором добротности:

1 - активная среда; 2 - поляризационная призма; 3 - электрооптический кристалл

Плоскополяризованное излучение, падающее на модуляционный

кристалл, преобразуется в нем в излучение с эллиптической поляризацией и
разлагается затем призмой на два пучка I1 и I2. К активному веществу
генератора отражается излучение с интенсивностью I1. Величина I1
определяется напряжением, приложенным к электрооптическому кристаллу,
Когда к модуляционному кристаллу напряжение не приложено, почти весь
световой поток выводится из резонатора (I1 - минимально, I2 - максимально). С
увеличением напряжения на кристалле I1 возрастает, а I2 - уменьшается. Когда
напряжение на кристалле станет равным Uкр, величина I1 принимает
максимальное значение. Это соответствует открытому состоянию затвора.
В качестве электрооптической среды в затворах широко используются
кристаллы дигидрофосфата калия (KDP) и кристаллы дигидрофосфата рубидия
(RDP). Для открытия электрооптического затвора к кристаллу необходимо
прикладывать импульсное напряжение 5… 8 кВ.
86
 Электрооптические затворы отличаются высокой стойкостью к
воздействию мощного оптического излучения. К достоинствам
электрооптических затворов следует также отнести высокое быстродействие,
отсутствие подвижных частей, возможность электрического управления.
Однако электрооптические затворы вносят заметные потери в резонатор,
требуют достаточно точной юстировки и для управления ими требуется
источник высоковольтных импульсов.
Эффективное управление добротностью резонатора может
осуществляться также с помощью пассивных, фототропных затворов. Такие
затворы представляют собой нелинейную оптическую среду, для которой
коэффициент поглощения Кп существенно зависит от проходящей через нее
мощности (рис. 2.40). Подобная зависимость от Р наблюдается для ряда
веществ, в которых молекулы красителей, поглощающие излучение ОКГ,
способны длительное время находиться в возбужденном состоянии. Например,
молекулы фталоцианина, поглощая фотоны, переходят на энергетический
уровень 3, с которого они возвращаются в основное состояние 1 через
промежуточный метастабильный уровень 2 (рис. 2.41). Для возвращения
частицы с уровня 3 на уровень 1 необходимо некоторое время τ порядка сотен
микросекунд, которое в основном определяется временем жизни частиц на
промежуточном метастабильном уровне. Когда мощность излучения мала,
молекулы красителя находятся в основном на первом уровне. Коэффициент
поглощения фототропной среды имеет максимальную величину.

Рис. 2.40. Изменение коэффициента поглощения фототропной среды

С увеличением падающей мощности все большее количество частиц

будет находиться на уровнях 2 и 3, а количество частиц, способных поглощать
излучение на частоте перехода 1 → 3, будет уменьшаться. Коэффициент
поглощения Кп станет также меньше.

Рис. 2.41. Схема энергетических уровней молекулы фталоцианина

При больших мощностях на первом уровне остается чрезвычайно малое
количество молекул. Число фотонов, которые проходят через среду, очень
87
велико, и как только молекула красителя оказывается на первом уровне, она
практически сразу же поглощает фотон. Величина мощности, которую
способно поглощать вещество, будет определяться скоростью возвращения
молекул в исходное состояние 1, т. е. временем τ. Поэтому мощность,
поглощаемая таким веществом, не может превышать определенную величину.
Следовательно, с увеличением Р относительная величина поглощаемой
мощности уменьшается и соответственно уменьшается Кп.
Фототропная среда, введенная в резонатор ОКГ, выполняет роль
оптического затвора. В резонаторе на нее воздействует спонтанное излучение.
Когда активная среда возбуждена слабо, спонтанное излучение невелико и,
следовательно, коэффициент поглощения в фототропной среде большой. Так
как фототропная среда вносит большие потери в резонатор, то условия
самовозбуждения не выполняются. Будет происходить накопление активных
частиц на верхнем уровне излучательного перехода.
С увеличением населенности N2 мощность спонтанного излучения
возрастает и коэффициент поглощения фототропной среды уменьшается. Когда
Кп уменьшается до величины, при которой выполняются условия
самовозбуждения, начнется формирование импульса излучения. Происходит
чрезвычайно быстрое изменение Кп. Нарастание амплитуды колебаний
вызывает уменьшение Кп. Суммарные потери в резонаторе уменьшаются, что
приводит к более быстрому нарастанию амплитуды колебаний и
последующему уменьшению коэффициента поглощения фототропной среды.
Процесс изменения Кп протекает лавинообразно.
Когда процесс индуцированного излучения закончится, добротность
резонатора примет первоначальное значение.
Фототропные затворы просты по конструкции и обладают высоким
быстродействием. Применение их ограничивается лишь относительно
невысокой стойкостью к воздействию мощного оптического излучения. Для
мощных ОКГ в качестве пассивного затвора может использоваться тонкая
металлическая пленка, испаряющаяся под воздействием усиленного в активной
среде спонтанного излучения или при пропускании через нее импульса
электронного тока. Характеристика некоторых лазеров с модулированной
добротностью приведена в табл. 2.4.

Таблица 2.4.
Характеристики лазеров с модуляцией добротности
Энергия Длительность Мощность Тип
Активное
импульса, импульса, импульса, оптического
вещество
Дж нс кВт затвора
4
Рубин 0,42 20 2·10 Электрооптический
Стекло
Просветленный
с 2 15 1·105
фильтр
неодимом
Гранат
с 0,05 10 5·103 Электрооптический
неодимом
88
 Модуляция добротности может быть осуществлена также и некоторыми
другими управляющими элементами или комбинированными затворами
(фототропной средой совместно с механическим или электрооптическим
затвором).

2. 8. Оптические системы формирования лазерного излучения

Характеристики временного и пространственного формирования

излучения
Временными характеристиками лазерного излучения являются
длительность генерации и частота следования импульсов излучения. Принято
выделять следующие временные режимы работы лазеров: непрерывный;
одиночного миллисекундного импульса (пичковый); импульсный;
периодический; модуляции добротности (гигантских импульсов);
пикосекундных импульсов (табл. 2.1).

Таблица 2.5
Выходные характеристики лазера
Временной режим Длительность Мощность, Вт Энергия в импульсе,
импульса, с Дж
- 10-3.... 10 -
Непрерывный
Импульсный
периодический (60 Гц) 10-6 50 0,016
Режим одиночного
миллисекундного импульса (0,1…1) 10-6 104…105 1…60

С модуляцией добротности
(низкая частота повторения) 10-8 107…108 0,1…1
Пикосекундного импульса
(низкая частота повторения) 10-11…10-12 109…1013 0,01…0,1

Типичные для миллисекундного режима работы лазера длительности

импульсов лежат в пределах 0,1 ...1 мс. Во многих случаях форма такого
импульса не является гладкой, а представляет собой релаксационные колебания
и состоит из серии пичков микросекундной длительности, причем амплитуды
пичков и расстояние между ними беспорядочно флюктуируют (рис. 2.42).
Подобный режим излучения характерен для таких лазерных сред, как рубин или
стекло, активированное неодимом. При охлаждении рубина до температуры
жидкого азота релаксационные колебания практически исчезают.
Для некоторых активных веществ хаотических пульсаций в излучении не
наблюдается, например для кристалла CaF2 : Sm2+, что обусловлено малым
89
временем жизни метастабильного уровня этого материала (10-6 с). Кристалл
SrF2: Sm2+ имеет большее время жизни метастабильного уровня (около 10-2 с),
и ему свойственен пичковый режим излучения. В импульсном периодическом
режиме при охлаждении частота генерации лазера на рубине достигает 50 Гц, а
в лазере на YAG, активированном неодимом, - 10... 1000 Гц.

Рис. 2.42. Пучковый режим излучения лазера

Получение периодического миллисекундного режима в значительной

степени зависит от эффективного охлаждения активной среды. В режиме
гигантских импульсов можно получать импульсы длительностью от 10 до 1000
нс. Импульсы пикосекундной длительности (10-11...10-12) с мощностью
излучения 1012...1013 Вт получают с помощью метода самосинхронизации мод с
помощью устройств электрооптического управления резонатором лазера.
Таким образом, различия во временных режимах работы лазеров
обусловливают различия в выходных характеристиках.
Пространственные характеристики излучения лазера зависят от
распределения электромагнитного поля, возбужденного внутри резонатора, и,
следовательно, от вида резонатора. Распределение плотности излучения в
сечении пучка представляет собой суперпозицию интенсивностей излучения,
характерных для каждой моды. Каждой конкретной моде соответствует свое
распределение интенсивности по сечению пучка. Наибольший интерес
представляет мода ТЕМ00 (одномодовый режим, при котором выходное
излучение является наиболее однородным в пространстве). Мода ТЕМ00 имеет
наилучшие свойства для фокусировки. Пространственное распределение
интенсивности излучения моды ТЕМ00 описывается функцией Гаусса [1]:

Пространственное распределение на выходе газового лазера имеет ярко

выраженный модовый состав.
Выходное излучение твердотельных лазеров имеет сложное
пространственное распределение. Оно, как правило, достаточно
неупорядоченно, и по нему невозможно установить модовую структуру.
Выходное излучение лазера является суперпозицией многих мод, на которую, к
тому же, оказывают влияние различные неоднородности структуры активного
вещества. Вследствие наличия этих неоднородностей пространственное
90
распределение излучения твердотельных лазеров не поддается математическому
описанию. В этом случае говорят о расходимости излучения лазера (угловой
расходимости) (табл. 2.6). Минимальное значение угловой расходимости
определяется дифракцией θ диф = 1,22λ / d луч , где dлуч - диаметр луча (пучка
излучения), см.

Таблица 2.6
Типичные значения угловой расходимости излучения лазеров
Угловая
Лазер Активное вещество расходимость,
мрад
Не - Ne 0,2…1
Газовый
СО2 1…4

Рубин 1…10
Твердотельный
Стекло с неодимом 0,5…10

YAG - Nd3+ 2…20

Полупроводниковый GaAs 20 х 400

Рис. 2.43. Расходимость излучения твердотельного ОКГ

В пучке излучения твердотельного лазера различают ближнюю и
дальнюю зоны (рис. 2.43). В ближней зоне пространственное распределение
интенсивности в луче такое же, как и на выходной апертуре лазера,
расходимость луча мала. Эти условия сохраняются на расстоянии, примерно
равном 0,1 D, где D ≈ d 2 /(8λ ) . На больших расстояниях угловая расходимость
увеличивается вследствие дифракции и в дальней зоне (около 10D) возрастает
примерно до θ диф .
Для формирования угловой расходимости лазерного луча применяются
различные оптические схемы. По назначению их можно разделить на приемные
и передающие. Главное требование, предъявляемое к передающей оптической
схеме, заключается в формировании узкой диаграммы направленности
излучения. Однако область применения оптических схем значительно
ограничивается и пространственной диффузией излучения в рассеивающих
средах, характер которой почти не зависит от диаграммы направленности. В
91
простейшем случае диаграмма направленности может быть сформирована
резонатором лазера. Обычные многочастотные лазеры имеют диаграммы
направленности шириной 5...40'. Уменьшения ширины диаграммы
направленности можно добиться с помощью внешних оптических устройств:
телескопических систем Галилея, Кеплера, Кассагрена (рис. 2.44). При
совмещении фокальных плоскостей объектива и окуляра амплитудно-фазовое
распределение излучения на выходе объектива соответствует распределению
перед окуляром, но растянуто в W раз, где W= fоб/fок - продольное увеличение
оптической системы. Диаграмма направленности такой оптической антенны в W
раз уже диаграммы направленности самого излучателя лазера. К приемным
оптическим антеннам предъявляются требования максимального приема
световой энергии, помехозащищенности, фильтрации полезного оптического
сигнала. Проблему полной помехозащищенности удалось бы решить,
располагая оптическим фильтром с полосой пропускания (0,1...10) · 10-8 см. На
практике наиболее узкие полосы пропускания, полученные при использовании
интерференционных фильтров [1], обеспечивают полосу пропускания 5 · 10-7 см.
Таким образом в режиме прямого усиления нет возможности полностью
использовать высокую монохроматичность лазерного излучения.
Интерференционный фильтр представляет собой систему из двух многослойных
зеркал, разделенных воздушным промежутком толщиной λ0/2, где λо — длина
волны, соответствующая резонансной частоте спектра излучения. Условием
работы интерференционного фильтра является установка его в параллельном
пучке лучей. На практике интерференционный фильтр часто устанавливают в
сходящемся пучке лучей. Это незначительно ухудшает его работу, если конус
сходящихся лучей имеет угол меньше 12°. Разработаны также поляризационные
узкополосные фильтры с перестраиваемой полосой пропускания. Одним из
методов фильтрации оптического сигнала является оптическое
гетеродинирование [2].

Рис. 2.44. Основные типы оптических схем формирования

лазерного луча:
а - телескопическая система Галилея; б - телескопическая система Кеплера;
в - зеркальная система Кассагрена; г зеркально-линзовая система;
д - совмещенная приемо-передающая система; 1 - активное вещество;
2 - оптическая схема
92
 Требование наиболее возможного увеличения энергии принимаемого
сигнала обусловливает необходимость увеличения размеров приемных
оптических схем. Изготовление зеркал, и особенно линз большой апертуры,
представляет значительные трудности. Поэтому конструктивное оптимальное
решение определяется назначением антенны, условиями работы и техническими
требованиями. При больших размерах приемной апертуры и длинах волн λ >4
мкм становится целесообразным использование зеркальных систем, например
системы Кассагрена. Использование зеркальных приемных оптических схем с
большой апертурой дает улучшение свойств системы оптической локации, так
как величина принимаемого сигнала прямо пропорциональна его площади, а
величина шума, обусловленного фоновой засветкой, пропорциональна корню
квадратному из этой площади. Эти улучшения выражаются в уменьшении
требуемой мощности передатчика, в снижении требований к формированию
диаграммы направленности передающей оптической схеме.

Элементы оптических схем лазеров

Осветители. Для повышения эффективности накачки лампу и активное
вещество размещают в осветителе (рис. 2.45). Эффективность светопередачи
осветителя далеко не идеальная. Потери в осветителе составляют от 20 до 70%
[1], что в основном и обусловливает низкий КПД (0,1…0,5%) твердотельных
лазеров. Наибольший КПД (около 1.5 %) можно получить, применяя
осветитель, показанный на рис. 2.45, а, и нитевидную лампу накачки.

е) ж) з) и)

к) л) м) н)
Рис. 2.45. Схемы конструкций осветителей:
а - г - лампа накачки находится на оси активного вещества; д - и - лампа накачки
параллельна оси активного вещества; к, л - лампа накачки концентрична оси активного
вещества; м, н - лампа накачки параллельна боковой
поверхности активного вещества (прямоугольное активное вещество)

В группе осветителей с лампой накачки, расположенной на оси активного

вещества, максимальная эффективность достигает 56% (см. рис. 2.45, б). У
остальных осветителей этой группы она не превышает 50%. Осветители,
93
показанные на рис. 2.45, в, г, имеют ограниченное применение, так как
получение высокого коэффициента отражения в них связано со значительными
технологическими трудностями. Допустимый уровень энергии накачки не
превышает 25 Дж.
На рис. 2.45, д, е представлены схемы двух эффективных осветителей,
получивших наиболее широкое применение (осветители с «плотной
упаковкой»). Для осветителя с сечением в виде эллипса (рис. 2.45, д)
эффективность светопередачи [3]

где R1, R2 - радиусы лампы накачки и активного вещества;

е - эксцентриситет эллипса. Максимальные значения η осв достигают 75%.
Для осветителя, показанного на рис. 2.45, ж, эффективность светопередачи
η осв = rст S a / S осв ,

где гст - коэффициент отражения стенок;

Sa - площадь боковой поверхности активного вещества;
SQCB - площадь поверхности осветителя.
На рис. 2.45, з, и представлены схемы осветителей, образованных
несколькими эллиптическими цилиндрами. Такие осветители применяются в
лазерах с большой выходной энергией. С увеличением числа ламп накачки
относительная величина энергии накачки возрастает, однако общая
эффективность осветителя снижается. Оптимальное число ламп накачки Nopt =
R2n/Rl , где п - показатель преломления.
Применение осветителя, показанного на рис. 2.45, к, обеспечивает
относительно высокий η осв ≈ 75%. Допустимая величина энергии накачки
достигает 1000 Дж. На рис. 2.45, м, н представлены схемы осветителей для
активных тел прямоугольного сечения. Осветитель на рис. 2.4, н применяется в
схемах накачки лазеров с высокой импульсной мощностью и в каскадах
оптических квантовых усилителей.
Зеркала. В лазерной технике нашли применение зеркала с
металлическими и диэлектрическими отражающими покрытиями. Зеркала с
металлическими отражающими покрытиями имеют существенные недостатки:
отражательная способность металлов мала и составляет 70...90%; покрытия
имеют малую стойкость к световому излучению и малую механическую
прочность. Так, например, при плотностях энергии 50...80 Дж/см2 серебряные
покрытия начинают отслаиваться от стеклянной подложки после 50...200
вспышек [3].
Коэффициент отражения у диэлектриков значительно меньше, чем у
металлов (для стекла с показателем преломления n=1,5 коэффициент
94
отражения составляет всего 4%). Использование многослойных отражающих
диэлектрических покрытий дает возможность получать коэффициенты
отражения более 99%. Диэлектрические зеркала состоят из большого числа
(13…17) слоев двух диэлектриков (с высоким и низким показателями
преломления), расположенных попеременно. Толщина слоя диэлектрического
покрытия ∆ = λn / 4 .
Нечетные слои делают из диэлектриков с высоким показателем
преломления: сульфиды цинка и сурьмы, окислы титана, циркония, гафния,
тория, свинца.
Четные слои - из материалов с низким показателем преломления
(фториды магния и стронция, двуокись кремния) [1]. Преимущества
диэлектрических покрытий можно реализовать лишь при высококачественном
изготовлении подложки. Для получения коэффициента отражения более 99%
при λ = 0,7 мкм высота микронеровностей не должна превышать 0,005 мкм.
Стойкость диэлектрических покрытий к световому излучению зависит от числа
слоев, температуры подложки при нанесении диэлектриков, чистоты исходных
материалов и от ориентации микрокристаллов. Стойкость материалов к
световому воздействию показана в табл. 2.7.

Таблица 2.7.
Стойкость некоторых материалов к световому воздействию
Порог разрушения Порог разрушения
по по по энергии, по
Материал энергии, мощности, Материал кДж/см2 мощности,
кДж/см2 МВт/см2 МВт/см2
при моноимпульсном в режиме свободной
режиме генерации генерации
Плавленый
0,220 4 103 Крон 15 16,5
кварц

Баритовый
Крон 0,133 8,9 .103 13,5 14
крон

Белый крон 0,350 500 .103 Тяжелый крон 7 8,7

Боросиликатны Тяжелый
0,500 710 .103 10 11,7
й крон флинт
Тяжелый
0,500 710 .103 Флинт 9,2 11,5
баритовый крон

Сверхтяжелый
0,040 5,6 .103 Легкий флинт 7,5 9,5
флинт

Примечание. Длина волны излучения в моноимпульсном режиме 0,69

95
мкм, в режиме свободной генерации- 1,06 мкм.

2.9. Твердотельный лазер

Основными характеристиками твердотельных ОКГ являются

энергетические и спектральные.
Энергетические характеристики ОКГ.
Энергия излучения в основном определяется величиной энергии накачки
и величиной пропускания полупрозрачного зеркала.
Для энергии излучения ОКГ импульсного режима можно записать
соотношение
(2.14)
где С1 – постоянная, определяемая эффективностью лампы накачки, отражате
ля, внутренними потерями в резонаторе и пропусканием
полупрозрачного зеркала.
С учетом соотношения (2.14) для КПД лазера η получим

(2.15)
Для лазеров непрерывного режима легко получить аналогичные
соотношения:
)
Ризл = С2 (Рн − Рн.пор ;
Р
η = изл =
(
С2 Рн − Рн.пор
,
) (2.16)
Рн Рн
где С2 – постоянная, определяемая теми же факторами, что и С1.
Зависимости энергии (или мощности излучения) и КПД ОКГ от уровня
накачки показаны на рис. 2.46.

Рис. 2.46. Энергетические характеристики твердотельных ОКГ:

а – импульсного режима; б – непрерывного режима
Энергия излучения с увеличением накачки выше порогового уровня
возрастает линейно, а КПД при сравнительно невысоких уровнях накачки
Wн<(3…4)Wн.пор быстро возрастает и затем с увеличением Wн изменяется слабо,
стремясь к некоторому предельному для данного генератора значению.
Предельное значение КПД лазера существенно зависит от величины
внутренних потерь β в кристалле активного вещества и эффективности
96
использования света лампы накачки. Величина потерь β в стержнях рубина
может составлять от одного до нескольких процентов на 1 см длины. При
малой величине потерь ( β ≈ 0,01 см-1) удается получить КПД генератора свыше
1%. Увеличение же β до 0,05…0,08 см-1 приводит к резкому падению КПД до
величин 0,2…0,1%.
Высокие оптические качества неодимового стекла ( β ≈ 0,005…0,1 см-1)
способствуют получению высокого КПД. Обычно КПД лазеров на стекле с
неодимом близок к 1…2%. В лучших моделях удается получить КПД порядка
5%.
Для повышения КПД ОКГ используются различные меры. Наиболее
значительное увеличение КПД твердотельных ОКГ дает сенсибилизация
активных сред. Суть сенсибилизации состоит в том, что в активную среду
кроме основной – активной примеси вводятся дополнительные примесные
атомы, обладающие широкими полосами поглощения и способные передавать
свою энергию возбуждения атомам активной примеси. Например, в иттрий-
алюминиевый гранат с примесью неодима в качестве сенсибилизатора вводятся
ионы хрома Сr3+. В результате сенсибилизации хромом КПД ОКГ на кристалле
YAG возрастает в 2…3 раза.
Для стекла с примесью неодима хорошим сенсибилизатором является
марганец.
Возможна сенсибилизация активной среды одновременно несколькими
сенсибилизаторами. В этом случае создаются предпосылки для получения
очень высокого КПД (до нескольких десятков процентов).
Энергетические характеристики ОКГ существенно зависят от
пропускания полупрозрачного зеркала резонатора. Максимальная энергия
излучения (или мощность) достигается при определенном, оптимальном
пропускании зеркала. Оптимальное пропускание полупрозрачного зеркала для
большенства ОКГ составляет 20…60%, в мощных ОКГ может достигать 90%.
Основные характеристики твердотельных ОКГ приведены в табл. 2.8.
Таблица 2.8
Характеристики твердотельных лазеров
Энергия Длительность Расходимость
Тип Активное Мощность,
импульса, импульса, лучей,
лазера вещество Вт
Дж с мрад
Разная Рубин 3 0,5·10-3 50 6·103
ГОР-
Рубин 100 1·10-3 40 105
100М
ГОР-300
Рубин 300 5·10-4 30 6·105
ГОС- Стекло с
300 8·10-4 5 3,7·105
301 неодимом
ГОС- Стекло с
1000 2·10-2 3 5·104
1000 неодимом
Гранат с
ЛТИ-4 0,1 4·10-5 5 2·103
неодимом

97
 Существенным фактором, влияющим на энергетические и спектральные
характеристики излучения твердотельных ОКГ, являются изменения
температуры активной среды. Изменение температуры активной среды
непосредственно сказывается на пространственном распределении ионов в
твердом теле, а это вызывает соответствующие изменения внутреннего
электрического поля в среде, под влиянием которого формируется
энергетический спектр активных частиц.
При изменении температуры наблюдаются несколько эффектов. Во-
первых, изменяется положение энергетических уровней и, как следствие этого
наблюдается изменение длины волны генерируемых колебаний (рис. 2.47). Для
рубинового ОКГ при температурах, близких к комнатной, длина волны
увеличивается примерно на 0,065 А на каждый градус изменения температуры,
а относительные изменения длины волны или частоты колебаний составляют
примерно 10-5 град-1.

Рис. 2.47.Зависимость длины волны излучения рубинового ОКГ

от температуры

Во-вторых, с увеличением температуры происходит существенное

расширение спектральной линии излучения (см. рис. 2.47), связанное с
возрастанием тепловых колебаний кристаллической решетки. Это влечет
соответствующее расширение спектра частот колебаний, генерируемых ОКГ, т.
е. ухудшение монохроматичности излучения. Например, для ОКГ на
вольфрамате кальция ширина спектра при комнатной температуре становится
равной 1…3 А, а для ОКГ на неодимовом стекле при высоких уровнях
накачки достигает 50…70 А. Увеличение ширины спектра излучения до
нескольких ангстрем слабо сказывается на характеристиках оптических систем
с использованием ОКГ, поскольку что входные оптические фильтры излучения
и КПД лазера в приемниках имеют полосу пропускания не менее нескольких
ангстрем. Если же ширина спектра более 10 А, приходится использовать
оптические фильтры с широкой полосой пропускания, что неизбежно вызывает
увеличение мощности оптических помех, поступающих извне, и,
следовательно, снижает чувствительность системы.
Наконец, в-третьих, увеличение температуры активной среды приводит к
уменьшению излучаемой энергии и КПД твердотельного лазера (рис. 2.49).
Основной причиной снижения энергии излучения и КПД является расширение
спектральной линии.
98
 Рис. 2.48. Зависимость ширины спектральной линии рубина
от температуры

С ростом температуры энергия возбуждения распределяется в более

широком частотном интервале, и усиление в активной среде падает. Это
означает, что порог генерации достигается при большей энергии накачки.
Другой причиной снижения Wизл и η является возникновение различных
деформаций и неоднородностей в активной среде при ее нагреве, что вызывает
увеличение внутренних потерь в резонаторе.

Рис. 2.49. Влияние температуры кристалла рубина на энергию

излучения и КПД ОКГ

Рассмотрим устройство и основные элементы ОКГ на твердом теле.

Основная часть лазера – оптическая излучающая головка (рис. 2.50). В
нее входят оптическая система накачки, газоразрядная лампа (источник
накачки), образец активной среды и резонатор. Конструкция оптической
излучающей головки во многом определяется формой лампы накачки.

99
 Рис. 2.50. Оптическая излучающая головка ОКГ на твердом теле:
а – схематическое устройство; б – внешний вид;
1 – торцовые стенки; 2 – эллиптический отражатель; 3 – лампа накачки;
4 – разъем; 5 – активная среда

Для фокусировки большей части излучения источника накачки на

стержне активного вещества применяются эллиптические или цилиндрические
отражатели (рис. 2.51).

Рис. 2.51. Фокусировка света с помощью эллиптического отражателя

Рабочее пространство генератора иногда ограничивают торцовыми

зеркальными стенками, что также несколько уменьшает потери света. Для
крепления стержня активного вещества часто используются конусные втулки с
пружинящим зажимом, что позволяет избежать изгибающих напряжений в
стержне.
Для отвода тепла от лампы накачки и активной среды, а также для
стабилизации температурного режима ОКГ широко используется охлаждение –
воздушное, водяное или сжиженными газами. Особое внимание системам
охлаждения приходится уделять в лазерах непрерывного режима. Чтобы
100
избежать чрезмерного нагрева активной среды в непрерывных твердотельных
лазерах, предусматривают две системы охлаждения: отдельно для лампы -
накачки и активной среды (рис. 2.52). Кроме того, часто используют также
фильтрацию излучения ламп накачки, чтобы предотвратить попадание в
активную среду той части спектра излучения, которая выходит за пределы
полос поглощения среды и вызывает лишь ее нагрев.

Рис. 2.52 Схематическое устройство лазера непрерывного режима:

1– кристалл; 2 – лампа накачки; 3 – отражатель; 4 – жидкостный фильтр

Широкое распространение получили конструкции ОКГ с плотной

упаковкой лампы и активного стержня в оптической системе (рис. 2.53). Лампа
и стержень активного вещества устанавливаются вплотную друг к другу внутри
камеры с зеркальной отражающей поверхностью, форму которой подбирают
экспериментальным путем. Достоинствами этой конструкции являются
простота изготовления и юстировки элементов при сборке генератора, малые
габариты и вес камеры. При использовании тонких кристаллов (диаметром до
8…10 мм) система с плотной упаковкой элементов позволяет получить
практически такой же КПД генератора, как и при использовании
эллиптического цилиндра в качестве отражателя.

Рис. 2.53. Схематическое устройство ОКГ с «плотной упаковкой»

элементов: 1- активная среда; 2 – отражатель; 3 – лампа накачки

101
 Рассмотрим подробнее ряд элементов ОКГ на твердых телах.
Лампы накачки.
Большинство используемых в ОКГ активных материалов имеет полосы
поглощения в видимой и прилегающей к ней инфракрасной областях
оптического спектра. Общее требование к лампам накачки заключается в том,
чтобы на эти области приходилась основная часть энергии их излучения. Как
уже отмечалось, наилучшим образом этим требованиям отвечают ксеноновые
лампы, которые имеют максимумы в спектре излучения вблизи полос
поглощения таких материалов, как рубин или стекло с неодимом.
Основным конструктивным элементом импульсных ксеноновых ламп,
используемых в лазерах, является кварцевая (иногда стеклянная) трубка, в
которую ввариваются массивные металлические электроды (рис. 2.54).
Междуэлектродное пространство заполняется ксеноном при давлении около
300 мм рт. ст. Катод и анод лампы изготавливают из разных металлов, чтобы
снизить распыление материала электродов, и маркируют знаками плюс (+) и
минус (–), нанесенными на баллон. При эксплуатации необходимо соблюдать
полярность включения лампы, в противном случае срок ее службы значительно
сокращается.

Рис. 2.54. Импульсные ксеноновые лампы с колпачковыми вводами

(ИФП-1000-2 и ИФП-400)

Схемы включения ламп накачки различаются в основном способом

поджига лампы (рис. 2.55, а и б). В первой схеме запуск обеспечивается с
помощью внешнего электрода поджига. Роль внешнего электрода может
выполнять спираль из никелевой проволоки, навитая на баллон лампы, или
металлический отражатель оптической системы (корпус оптической головки).
Дроссель L1 в цепи разряда накопительной емкости служит для уменьшения
импульса давления газа на стенки баллона и термоудара при возникновении
разряда в лампе. Наиболее целесообразным является апериодический разряд
накопительной емкости Сн. Он обеспечивается при включении в разрядную
цепь дросселя L ≈ 0,25 R л2 С н , где Rл – сопротивление лампы. Естественно,
дроссель должен обладать очень малым омическим сопротивлением, поскольку
сопротивление импульсных ксеноновых ламп составляет десятые доли Ома.
Во второй схеме (рис. 2.55, б) импульс поджига прикладывается
непосредственно к электродам лампы и вызывает первоначальную ионизацию
газа в междуэлектродном пространстве. Вторичная обмотка трансформатора
поджига Тр2 выполняет одновременно роль демпфирующего дросселя, и к ней
предъявляются дополнительно те же требования, что и к дросселю в первой
102
схеме. Вторая схема включения лампы накачки применяется в первую очередь
при водяном охлаждении ОКГ. Ее преимущество заключается в том, что при
поджиге лампы не возникает разряд в охлаждающей жидкости и,
следовательно, не нарушается покрытие отражателя ОКГ.
Импульс поджига создается путем разряда емкости Сх через первичную
обмотку трансформатора Тр2. Ключом может служить реле или электронный
коммутатор (тиратрон или его полупроводниковый аналог – управляемый
переключающий диод). Трансформатор поджига – повышающий, с
коэффициентом трансформации от нескольких десятков до 100–200. На схемах
(рис.2.55, а и б) показаны также трансформатор Tpl и вентиль Д1,
обеспечивающие заряд накопительной емкости Сн.

Рис. 2.55. Схемы включения импульсных ламп накачки

Минимальное напряжение Uзаж на конденсаторе Сн, при котором

возникает основной пробой в лампе после подачи вспомогательного импульса
от схемы поджига, называется напряжением зажигания лампы. Напряжение Uс,
при котором возможно развитие разряда между анодом и катодом лампы и без
подачи вспомогательного импульса поджига, называется напряжением
самопробоя. Диапазон напряжений от Uзаж до Uс является рабочим, зажигание
разряда в лампе контролируется схемой поджига.
Ксеноновые импульсные лампы являются высокоэффективными
преобразователями электрической энергии в энергию оптического излучения.
Коэффициент преобразования η л превышает 50% и незначительно зависит от
режима работы лампы. С достаточной степенью точности можно рассматривать
импульсную лампу как абсолютно черное тело, нагретое до 6000…10 000 К°.
Рассмотрим процесс генерации. После подачи на лампу накачки импульса
поджига (t = 0) начинается разряд накопительной емкости через импульсную
лампу. Интенсивность (мощность) света накачки изменяется во времени (рис.
2.56).
Длительность вспышки обычно составляет 0,1…1 мсек. Под
воздействием света накачки населенность верхнего уровня излучательного
перехода увеличивается, и когда она превысит пороговую величину N 2 пор ,
возникает генерация. Время запаздывания генерации t з относительно момента
включения лампы накачки составляет от десятков до нескольких сотен
микросекунд.
Индуцированное излучение в резонаторе ОКГ возникает из
103
незначительной доли энергии спонтанного излучения, распространяющегося в
малом телесном угле вдоль оси резонатора.

Рис. 2.56. Временные диаграммы процессов в режиме свободной

генерации

Первоначально, при значениях t, ненамного превышающих t з , энергия

индуцированного излучения в резонаторе мала, соответственно мало число
индуцированных переходов, и под действием накачки продолжается
накопление частиц на верхнем уровне перехода, т. е. увеличивается усиление
активной среды. Так как энергия индуцированного излучения экспоненциально
возрастает со временем, интенсивность индуцированных переходов
непрерывно растет, и, начиная с некоторого момента времени, поступление
частиц за счет накачки окажется недостаточным, чтобы скомпенсировать
индуцированные переходы с верхнего уровня. В результате с этого момента
времени N2 будет уменьшаться. Однако энергия индуцированного излучения
еще будет возрастать пока N2 не снизится до N 2 пор и среда не потеряет
усилительные свойства. Скорость убывания N2 при возвращении к пороговому
значению будет наибольшей, так как в этот момент поле в резонаторе
максимально. Когда N2 станет меньше N 2 пор , условие баланса амплитуд не
будет выполняться, генерация сорвется и поле в резонаторе начнет убывать.
Сформируется первый импульс излучения. Поскольку с уменьшением поля в
резонаторе интенсивность индуцированных переходов падает, то когда энергия
поля в резонаторе станет небольшой, вновь будет происходить накопление
возбужденных частиц на втором уровне. Когда N2 опять превысит N 2 пор , поле в
резонаторе вновь будет возрастать, и далее процесс будет качественно
повторяться. Сформулируется следующий импульс и т. д.
Современные модели твердотельных ОКГ широкое применение нашли в
образцах вооружения (рис. 2.56, 2.57 и 2.58).

104
 Рис. 2.57. Внешний вид ОКГ импульсного дальномера 1Д14

Рис. 2. 58. ОКГ со снятой крышкой:

1 - корпус; 2 - резонатор; 3 - отражатель; 4 - крышка; 5 – лампа накачки

2.10. Газовый лазер

Газовыми называются лазеры, в которых активной средой является газ,

смесь нескольких газов или смесь газа с парами металла. Особенностью
активной среды, находящейся в газовой фазе, является ее высокая оптическая
однородность, дающая возможность применять большие оптические
резонаторы и получать высокую направленность и монохроматичность
излучения. Другая особенность такой активной среды – ее малая плотность,
вследствие чего энергетический спектр активных частиц (атомов, ионов,
молекул) не искажается из-за взаимодействия с активными соседними
частицами. Поэтому энергетические уровни в спектре газов узкие, что
позволяет сосредоточить энергию излучения газового лазера в нескольких или
даже одной модах. При соответствующем выборе активной среды в газовых
лазерах можно осуществить генерацию в любой части спектра – от
ультрафиолетовой до далекой инфракрасной области.
Большим достоинством газовых лазеров является их способность
работать как в непрерывном, так и в импульсных режимах. Эти лазеры
характеризуются большим диапазоном мощностей излучения и способностью
работать с высоким КПД.
Первыми были созданы газовые лазеры, возбуждаемые продольным
электрическим разрядом (т. е. разрядом, направленным вдоль оптической оси

105
резонатора) и получившие название газоразрядных лазеров. Инверсия
населенностей уровней в газоразрядных лазерах создается в результате
прохождения через активную газовую среду электрического тока. В качестве
активных частиц в газоразрядных лазерах используют нейтральные атомы,
ионы и молекулы газов. Механизмы возбуждения этих частиц различны. В
лазерах на нейтральных атомах основным механизмом возбуждения является
неупругое столкновение электрона с атомом (столковение I рода). Этот
механизм используют для возбуждения атомов неона, аргона, криптона и
ксенона, а также паров свинца, марганца, меди. Другим важным механизмом
возбуждения атомов является неупругое столкновение возбужденных атомов
одного газа с атомами другого (столкновение II рода). Этот механизм
эффективен тогда, когда энергия метастабильного уровня первого газа близка к
энергии возбужденного уровня атомов другого газа. Характерным примером
активной, газовой среды, возбуждаемой таким образом, является смесь гелия с
неоном.
Наиболее эффективным процессом возбуждения ионных лазеров
непрерывного действия является опустошение нижнего лазерного уровня за
счет спонтанного излучения. Высокая населенность верхнего лазерного уровня
обеспечивается в результате соударения ионов с быстрыми электронами в
газовом разряде. Активным веществом в ионном лазере может быть инертный
газ (аргон, гелий, криптон, неон), пары различных химических элементов
(кадмия, селена, цинка, йода), а также ионы фосфора, серы, хлора, брома и
других элементов.
Инверсия населенностей в молекулярных лазерах происходит под
влиянием различных процессов (соударений молекул с быстрыми электронами,
неупругих столкновений молекул различных газов в рабочей смеси и др.),
которые качественно подобны процессам возбуждения в лазерах на
нейтральных газах. Наиболее распространенными рабочими веществами в
молекулярных лазерах являются азот и углекислый газ (СО2) в смеси с азотом и
гелием.
Газовые лазеры могут возбуждаться не только продольным
электрическим разрядом. Большие мощности излучения обеспечивают
газодинамические, химические, электроионизационные и ТЕА-лазеры.
Название последних образовано из первых букв английских слов «Transversely
Excited, Atmosheric Pressure».
Важным свойством газовых ОКГ является получение высокой
направленности, определенной структуры спектра излучения и стабильности
частоты. Энергетические характеристики газовых ОКГ – мощность излучения и
КПД – зависят от многих факторов: мощности накачки, давления и состава
газовой смеси, диаметра газоразрядной трубки и пропускания полупрозрачных
зеркал резонатора.
Зависимость мощности излучения от тока в газоразрядной трубке iн
(следовательно, и от мощности накачки Рн) для гелий-неонового лазера
приведена на рис. 2.59. Подобная же зависимость наблюдается и для лазеров на
углекислом газе. Характер приведенной зависимости целиком определяется
механизмом возбуждения газовой среды. С увеличением тока разряда
106
возрастает концентрация электронов в газоразрядной плазме и соответственно
увеличиваются населенности всех энергетических уровней как гелия, так и
неона. Населенности верхних уровней 2s и 3s лазерных переходов с
увеличением разрядного тока непрерывно возрастают вследствие передачи
энергии от гелия и непосредственного возбуждения электронами. При больших
разрядных токах возрастание населенностей уровней 2s и 3s неона происходит
несколько медленнее, чем при малых, так как с увеличением концентрации
возбужденных атомов неона существенно увеличивается передача энергии от
неона к гелию.

Рис. 2.59. Зависимость мощности излучения от тока разряда

в гелий-неоновом лазере:
1– λ = 1,15 мкм; 2 – λ = 0,63 мкм

Изменение населенностей нижних лазерных уровней 2р и 3р имеет

другой характер: чем больше разрядный ток, тем быстрее происходит их
увеличение. Это объясняется наличием у неона состояния 1s с большим
временем жизни. Через уровень 1s происходит ступенчатое возбуждение
атомов неона и заселение уровней 2р и 3р. Чем больше разрядный ток, тем
выше концентрация атомов неона в состоянии 1s и тем интенсивнее происходит
дополнительное заселение уровней 2р и 3р. Таким образом, инверсия
населенностей с ростом разрядного тока первоначально растет, достигает
максимума и затем убывает. Точно так же изменяется излучаемая мощность.
Максимальная величина мощности излучения практически во всех газовых
ОКГ ограничивается одним и тем же процессом: заселением нижнего уровня
лазерного перехода.
Значительное влияние на мощность излучения оказывает давление в
газоразрядной трубке. Когда давление мало, возбуждение частиц электронами
протекает весьма эффективно, но концентрация активных частиц в газовой
смеси незначительна, и мощность излучения оказывается небольшой. С
увеличением давления концентрация активных частиц возрастает, но
одновременно снижается длина свободного пробега электронов в
газоразрядной плазме и уменьшается их энергия, что ведет к снижению
вероятности возбуждения атомов или молекул газа при соударениях с
электронами. При значительных давлениях эффективность возбуждения
107
снижается настолько, что мощность излучения падает. Этими причинами
обусловлена величина оптимального давления. Для гелий-неонового лазера
оптимальное давление составляет 1 мм рт. ст., для аргонового – десятые или
сотые доли. Изменение с течением времени давления в газоразрядной трубке
ограничивает срок ее службы. В процессе разряда происходит поглощение газа
стенками трубки давление газа постепенно снижается и мощность лазерного
излучения падает. К снижению излучаемой мощности приводит также натечка
газа при длительном хранении трубки в нерабочем состоянии. При
оптимальных величинах давления и разрядного тока в гелий-неоновых лазерах
удается получить мощность до 100 мВт. Длина лазера такой мощности не
превышает двух метров.
Самым мощным из газовых ОКГ является лазер на углекислом газе.
Использование газоразрядной трубки длиной 1 м позволяет получить около 100
Вт выходной мощности. При поперечной прокачке газа через резонатор и
предварительном охлаждении смеси для снижения населенности нижнего
лазерного уровня в лазере длиной 1 м удалось получить выходную мощность
около 1000 Вт. Увеличение длины разрядной трубки дает примерно
пропорциональное увеличение мощности. Таким путем в непрерывном режиме
достигнута выходная мощность, близкая к 60 000 Вт.
Одной из особенностей лазера на углекислом газе является независимость
выходной мощности и КПД от диаметра разрядной трубки. В этом проявляется
своеобразие механизма опустошения нижнего уровня лазерного перехода.
После излучения фотона молекула СО2 возвращается в основное состояние
благодаря столкновениям с атомами гелия (или молекулами воды). Несколько
десятков таких столкновений оказывается достаточным, чтобы молекулы СО2
передали атомам гелия свою избыточную энергию и перешли в основное
состояние. Роль же стенок трубки в опустошении нижнего уровня лазерного
перехода оказывается незначительной. Поэтому в лазере на СО2 можно
использовать газоразрядные трубки большого диаметра (до 10 см), что
облегчает тепловой режим лазера и, конечно, способствует получению большой
выходной мощности.
Достижение максимальной выходной мощности в газовых ОКГ, как и в
твердотельных, связано также с выбором пропускания полупрозрачного
зеркала. Если пропускание мало, то лишь незначительная часть энергии
выводится из резонатора во внешнее пространство и излучаемая мощность
оказывается небольшой. При больших пропусканиях ухудшаются условия
самовозбуждения генератора, интенсивность поля в резонаторе снижается. При
некотором пропускании зеркал генерация срывается, так как условие баланса
амплитуд уже не выполняется. Оптимальное пропускание полупрозрачного
зеркала существенно зависит от величины усиления в газоразрядной трубке.
Величина усиления в активной среде газовых ОКГ, как показывают
теоретические расчеты и эксперименты, значительно меньше, чем в
твердотельных, и оптимальные значения пропускания также меньше.
Например, в гелий-неоновом лазере на длине волны 0,6328 мкм усиление не
превышает 4% на метр, а на волне 1,153 мкм – 12%. Поэтому и оптимальные
значения пропускания зеркал для этого лазера лежат в пределах от нескольких
108
десятых до единиц процента. В лазере на СО2 усиление намного больше, и
оптимальное пропускание может составлять 10 …20%.
Рассмотрим теперь основные факторы, определяющие КПД газовых
лазеров. Если такие параметры лазера, как давление в трубке, состав газовой
смеси, ток разряда и пропускание полупрозрачного зеркала, выбраны
оптимальными, то возможные значения КПД газового лазера приближенно
оцениваются произведением двух величин. Первая из них – отношение энергии
излучаемого фотона к энергии, которая сообщается частице для возбуждения ее
до верхнего уровня лазерного перехода. Второй является величина,
показывающая, какая доля энергии от источника питания используется для
заселения верхнего лазерного уровня.
Проведем подобную оценку для основных типов газовых ОКГ. В ОКГ с
использованием нейтральных атомов и ионов энергия верхнего лазерного
уровня составляет около 20…40 эВ, а энергия излучаемых фотонов обычно не
превышает 1…2 эВ. Следовательно, в этих лазерах лишь 5…10% энергии,
поглощенной активной средой, преобразуется в когерентное излучение. С
другой стороны, в процессе возбуждения частиц до верхнего лазерного
состояния эффективно участвуют лишь те электроны, энергия которых
превышает 20 эВ. Так как при разряде в активной среде газовых ОКГ наиболее
вероятная энергия электронов составляет 4…8 эВ, то для возбуждения полезно
используется лишь небольшая часть энергии, затрачиваемой на поддержание
газового разряда. Обычно она не превышает 5…10%. Таким образом, в газовых
лазерах на нейтральных атомах и ионах следует ожидать КПД не более 0,25–
1,0%. В действительности КПД гелий-неоновых, гелий-кадмиевых и аргоновых
лазеров ниже этих ориентировочных значений и лежит в пределах от 0,01 до
0,1%.
Из проведенного анализа непосредственно следует, что для повышения
КПД газовых ОКГ целесообразно использовать активные среды, у которых
энергия верхнего лазерного уровня не превышает нескольких электронвольт. В
таких средах можно, по крайней мере, эффективнее использовать энергию
накачки для создания инверсии населенностей. Эта возможность реализуется в
молекулярных лазерах, в частности в лазере на углекислом газе. У молекулы
С02 энергия верхнего лазерного уровня составляет 0,28 эВ, а энергия
излучаемых фотонов равна приблизительно 0,12 эВ. В когерентное излучение
преобразуется, таким образом, около 40% энергии, сообщенной молекуле СО2.
Вместе с тем, поскольку энергия верхнего лазерного уровня невелика, то
подавляющее большинство электронов в газоразрядной плазме способно
сообщить молекулам СО2 и N2 эту энергию. Поэтому можно ожидать, что
значительная часть энергии источника накачки будет использована полезно. В
современных приборах КПД достигает 40…70%.
Большинство газовых ОКГ работает в режимах, близких к одномодовому,
поскольку усиление в газовой среде невелико, и для поперечных мод высокого
порядка условие баланса амплитуд не выполняется. Это обстоятельство
облегчает селекцию типов колебаний в газовых ОКГ. В частности, в гелий-
неоновом лазере одномодовый режим обеспечивается за счет использования
разрядной трубки малого диаметра и резонатора типа плоскость – сфера. В
109
других приборах одномодовый режим достигается аналогичными мерами.
Основные технические характеристики лазеров приведены в табл. 2.9.
Для большинства газовых лазеров характерна общая конструктивная
особенность – большая длина резонатора. В остальном – по внешнему виду,
выходным характеристикам, источникам питания приборы отличаются
существенно. На рис. 2.60 показан внешний вид малогабаритного гелий-
неонового лазера ЛГ-55, который применяется в портативных лазерных
системах. На рис. 2.61 показан мощный импульсный лазер ЛГИ-37,
излучаемый в видимой области спектра. Для его возбуждения используются
импульсы с амплитудой 20…25 кВ. Газовая трубка охлаждается водой.
Излучаемая мощность составляет около 2 кВт. В табл. 2.9 приведены
характеристики отечественных лазеров.

Таблица 2.9
Характеристики отечественных газовых лазеров

Длина Мощность Угловая Излучающая головка

Тип лазера волны, излучения, расходи- масса,
габариты, см
мкм Вт мость, мин кг
ЛГ-24М 0,63…1,15 10-3 20 127×25×26 17
ЛГ-45 0,63 7·10-3 10 50×11×12 5
ЛГ-55 0,63 2·10-3 10 35×7×6 1
ЛГ-65 1,15 2·10-2 15 110×15×12 24
ЛГ-75М 3,39…3,51 10-2 10 108×10×11 10
Малахит 0,45…0,51 0,2…0,5 … 87×41×24 40
Клен 0,45…0,51 0,2 … 80×40×20 40
Прометей 1,06 50 … 180×15×15 …

Рис. 2.60. Гелий-неоновый лазер ЛГ-55 с источником питания

110
 Рис. 2.61. Мощный импульсный газовый лазер ЛГИ-37

Рассмотрим принцип получения излучения гелий-неоновым лазером (рис.

2.60).
Атом гелия в процессе газового разряда возбуждается электронами тока и
переходит с основного уровня 1 на уровень 2. При столкновении атомов гелия с
атомами неона последние также возбуждаются и совершают переход на один из
четырех верхних подуровней. В связи с тем, что перераспределение энергии
при столкновении двух частиц происходит с минимальным изменением общей
внутренней энергии, атомы неона переходят в основном именно на уровень 2, а
не на уровень 3 или 4. Вследствие этого создается перенаселенность верхнего
уровня 2. При переходе атомов неона с уровня 2 на один из подуровней 3 и с
уровня 3 на уровень 4 происходит излучение. Поскольку уровень 2 состоит из
четырех, а уровень 3 – из десяти подуровней, то теоретически имеются более
тридцати возможных переходов. Однако только пять переходов дают
стимулированное излучение, которое сосредоточено на длинах волн: 1,118;
1,153; 1,160; 1,199; 1,207 мкм.

Рис. 2.62. Схема энергетических уровней гелий-неоновой смеси

Схема излучающей головки лазера приведена на рис. 2.63. Она состоит из
газоразрядной трубки, охваченной электродами, к которым подводится
высокочастотное поле, и двух сферических зеркал, находящихся вне трубки.
111
Выходные окна трубки расположены под углом Брюстера к оптической оси
прибора. Это обеспечивает наименьшие потери энергии при многократном
прохождении светового потока между зеркалами резонатора.

Рис. 2.63. Схема излучающей головки газового лазера с внешними зеркалами

Излучение газового лазера отличается от излучения твердотельного

лазера высокой монохроматичностью и когерентностью меньшей
направленностью – его угловая расходимость не превышает одной угловой
минуты.
Основным недостатком лазеров являются большие габариты, что
уменьшает возможность широкого применения их в военном деле.

2.11. Полупроводниковый лазер

Возможность использования полупроводниковых материалов в качестве

рабочего вещества лазера давно привлекает к себе внимание исследователей. Это
обусловлено тем, что полупроводники имеют очень высокую чувствительность к
внешним воздействиям. Их свойствами можно управлять в широких пределах,
варьируя температуру или давление, воздействуя на них световым излучением
или потоком заряженных частиц, а также вводя различные примеси.
Полупроводниковые лазеры должны обладать большим КПД (до 100%) и
перекрывать большой диапазон длин волн: от дальней инфракрасной области до
ультрафиолетовой (табл. 2.10). В создании полупроводникового лазера приоритет
принадлежит российским ученым. Уже в 1958 г. Н. Г. Басовым и его
сотрудниками было указано на возможность использования полупроводниковых
материалов в качестве активных сред. И тогда же отмечалось, что применение
полупроводников даст возможность непосредственно преобразовывать энергию
электрического тока в энергию когерентного излучения. В настоящее время
создано большое количество полупроводниковых лазеров различных типов, на
различных материалах. Полупроводниковые лазеры имеют ряд существенных
отличий от лазеров других типов, что прежде всего связано с особенностями их
энергетической структуры.

112
 Таблица 2.10
Материалы полупроводниковых лазеров
Химическое Длина волны,
Полупроводник
обозначение мкм
Лазеры с электронным возбуждением
1. Сульфид цинка ZnS 0,33
2. Селенид галлия GaSe 0,6
3. Арсенид галлия GaAs 0,85
4. Сульфид свинца PbS 4,3
5. Антимонид индия JnSb 5,3
6. Селенид свинца PbSe 8/6
Инжекционные лазеры
1. Арсенид галлия GaAs 0,85
2. Арсенид индия JnAs 3,2
3. Теллурид свинца PbTe 6,5
4. Селенид свинца PbSe 8,5
Лазеры с оптическим возбуждением
1. Сульфид кадмия CdS 0,5
2. Арсенид индия JnAs 3,2
3. Антимонид индия JnSb 5,3
4. Теллурид свинца (Pb+Sn)Te 6,5…16,5

В твердотельных и газовых лазерах активные атомы (молекулы, ионы и т.

д.) можно рассматривать как независимые, так что энергетические уровни,
между которыми совершается переход, для всех атомов одни и те же. В
полупроводниковых кристаллах имеется частичное пространственное
перекрытие волновых функций атомов, так что каждый уровень (в силу
принципа Паули) может быть занят не более чем двумя электронами.
Вследствие этого вместо узких уровней в полупроводниках образуются
широкие полосы (зоны) разрешенных состояний. Разрешенные зоны отделены
друг от друга запрещенными зонами, шириной Еg от 10-3 до 3эВ. Электроны в
чистом полупроводнике не могут иметь такого значения энергии, которое
лежало бы в пределах запрещенной зоны. Вероятность заполнения
энергетического уровня описывается функцией распределения Ферми – Дирака,
а не функцией Больцмана. Следовательно, при рассмотрении вынужденных
межзонных оптических переходов необходимо рассматривать переходы между
двумя распределениями энергетических уровней, а не между двумя отдельными
уровнями.
Зависимость энергии электронов проводимости вблизи дна зоны
проводимости (Ес) и дырок вблизи потолка валентной зоны (Ev) от величины
их импульса имеет вид двух парабол, расположенных одна над другой. Для
одних полупроводников, например антимонида индия (InSb), арсенида галлия
(GaAs) и др., вершины этих парабол расположены у одного и того же значения,
а для других полупроводников, таких, как, например, германий (Ge) и кремний
(Si), вершины парабол сдвинуты относительно друг друга на некоторую
величину. Переход электрона из зоны проводимости на незанятое место в
113
валентной зоне (рекомбинация электрона и дырки) в первом случае называется
прямым и непрямым - во втором случае.
Принцип работы полупроводникового лазера может быть объяснен
следующим образом. Согласно квантовой теории электроны в полупроводнике
могут занимать две широкие энергетические полосы (рис. 2.64). Нижняя
представляет собой валентную зону, а верхняя – зону проводимости. В
нормальном чистом полупроводнике при низкой температуре все электроны
связаны и занимают энергетический уровень, расположенный в пределах
валентной зоны. Если на полупроводник подействовать электрическим током
или световыми импульсами, то часть электронов перейдет в зону
проводимости. В результате перехода в валентной зоне образуются свободные
места, которые в физике называют «дырками». Эти «дырки» играют роль
положительного заряда. Произойдет перераспределение электронов между
уровнями валентной зоны и зоны проводимости, и можно говорить в
определенном смысле о перенаселенности верхней энергетической зоны. В
некоторых полупроводниках, подобно арсениду галлия, в результате обратного
перехода электронов из зоны проводимости с более высокого уровня в
валентную зону и их соединения с дырками, т. е. при рекомбинации
разноименных носителей заряда, происходит излучение фотонов.

Рис. 2.64. Схема энергетических уровней полупроводникового

лазера
Для уменьшения ширины запрещенной зоны в полупроводник вводят
примеси, которые создают отдельные местные энергетические зоны. Чтобы
создать инверсную населенность, используют различные методы – либо
перевозбуждают с помощью оптического излучения, либо ударной ионизацией,
либо с помощью импульсов электрического тока. Последний метод позволяет
получить инверсную населенность в полупроводниках с различной шириной
запрещенной зоны. Это приводит к тому, что возникают предпосылки к
получению излучения в диапазоне от далекой инфракрасной области до
ультрафиолетовой. При этом сравнительно легко получить КПД около 40...50%.
Схема полупроводникового лазера и его спектральная характеристка
представлены на рис. 2.65. Здесь в качестве активного вещества используется
арсенид галлия, содержащий примеси n-типа, концентрация которых составляет
1017…1018 см-3. Из этого материала делается заготовка в форме
114
параллелепипеда или куба. Она обычно называется полупроводниковым
диодом. Размеры диода очень невелики и составляют доли миллиметра. Диод
припаивают к молибденовому основанию, покрытому золотом, с тем чтобы
обеспечить контакт с n-областью. На поверхность ρ-области наносят сплав
золота с серебром. Торцы диода играют роль зеркал, поэтому они тщательно
полируются, а стороны их делают параллельными, чтобы они играли роль
резонатора. Излучение выходит именно из этих сторон диода. Верхняя и
нижняя стороны являются контактами, к которым прикладывается напряжение.
В начальный период, когда сила тока, протекающего через диод, невелика,
ширина спектральной полосы излучения довольно большая (рис. 2.65, б), а при
превышении током порогового значения полоса резко сужается.
Пространственное излучение лазерного диода имеет форму лепестка.
Лазерный диод может работать как в непрерывном, так и в импульсном
режимах. И весьма важным достоинством такого лазера является то, что
излучение на его выходе очень просто модулировать. Для этого достаточно
модулировать ток, питающий его, и тогда излучение на выходе будет
промодулировано с той же частотой. В качестве активного вещества
используют также фосфид галлия, сурьмянистый индий, сурьмянистый галлий,
арсенид-фосфид галлия и др. Размеры кристалла из арсенида галлия составляют
0,03 мм3. Он находится в термостате с жидким азотом при температуре минус
196 °С, работает в импульсном режиме на волне 0,844 мкм, имея длительность
излучения около 2 мкс. Мощность излучения в импульсе достигает 10 Вт.

Рис. 2.65. Схема полупроводникового лазера а и его спектральная

характеристика б

2.12. Жидкостный лазер

Жидкие активные среды обладают рядом достоинств, потенциально

позволяющих улучшить характеристики ОКГ. Основное достоинство – высокая
оптическая однородность жидкостей при значительной концентрации активных
частиц в них. Это дает возможность получать высокую плотность энергии
индуцированного излучения и существенно снизить внутренние потери в
активной среде. Важным преимуществом является также простота
изготовления активных элементов больших размеров. Кроме того, упрощается
задача охлаждения активной среды, так как температура жидкости может
115
поддерживаться постоянной за счет циркуляции ее через резонатор и внешнее
охлаждающее устройство.
Современные жидкостные лазеры можно разделить на две основные
группы: на неорганических жидкостях и органических красителях.
Для первой группы лазеров в качестве растворителя используются
неорганические жидкости на основе оксихлорида фосфора или селена с
добавкой четыреххлористого олова или других галогенидов металлов.
Активным веществом является окись неодима Nd 2 O3 , растворенная в такой
среде в количестве нескольких процентов. Лазер с подобной активной средой
является по существу аналогом лазера на стекле с примесью неодима. Наиболее
существенное различие этих двух типов лазеров заключается лишь в том, что
жидкостный лазер имеет узкий спектр излучения, поскольку электрическое
поле в жидкости по структуре является более однородным, чем в стекле.
Конструктивно оба типа лазера также близки друг к другу. В твердотельном
лазере активный элемент представляет собой цилиндрический стеклянный
стержень, а в жидкостном – цилиндрическую кювету из высококачественного
стекла или кварца, заполненную жидкостью.
Весьма перспективным для получения генерации на различных частотах
является использование растворов органических красителей. Энергетические
уровни молекул органических красителей образуют широкие полосы (рис.
2.66), в пределах которых распределение частиц по уровням является
больцмановским. После возбуждения красителя больцмановское распределение
устанавливается очень быстро, с постоянной времени менее 10-6 с. Если полосы
1 и 2 достаточно широкие, то можно считать, что частицы сосредоточены лишь
на нижних уровнях этих полос, а верхние уровни в каждой из них свободны.
Излучение накачки воздействуя на молекулы красителей, переводит их с
нижних уровней полосы 1 на верхние в полосе 2. Нарушенное накачкой
распределение частиц быстро восстанавливается. Возбужденные частицы
безызлучательно переходят на нижние уровни полосы 2 и накапливаются на
них. В результате воздействия накачки населенность нижних уровней полосы 2
может превысить населенность верхних уровней полосы 1 и станет возможным
усиление и генерирование в полосе частот, соответствующей переходам между
этими группами уровней.

Рис. 2.66. Диаграмма энергетических уровней в органических

красителях
116
 Обычно время жизни частиц в верхней энергетической полосе τ 21
невелико, и поэтому для возбуждения органических красителей требуется
значительная мощность. Источником накачки могут, в частности, служить
лазеры на рубине и неодимовом стекле. Лазер на органических красителях
выполняет в этом случае роль преобразователя частоты. Схемы таких
преобразователей показаны на рис. 2.67. В резонатор помимо кюветы с
красителем вводится интерферометр-селектор, с помощью которого сужается
спектр выходного излучения, а также может осуществляться перестройка
частоты.
Наиболее высокий коэффициент преобразования энергии лазера-
возбудителя в энергию выходного излучения (до 50%) обеспечивают
полиметиновые красители. Из красителей, генерирующих излучение в видимой
области спектра, высокой эффективностью преобразования (15…20%)
обладают родамины, пиронин, трипафлавин, стильбенилоксазолы и др.
Растворителями для органических красителей обычно служат спирты,
глицерин, вода, кислоты.
Генерация в органических красителях была получена также и при
возбуждении их светом импульсных ксеноновых ламп. Наибольший КПД в
этом режиме (до 75%) получен при использовании родамина 6Ж.

Рис. 2.67. Схема продольного а и поперечного б лазеров на органических

красителях:
1, 3, 6, 7 – зеркала; 2 – активная среда лазера-возбудителя;
4 – интерферометр-селектор; 5 – кювета с раствором красителя

Большие коэффициенты усиления принципиально позволяют

использовать органические красители для создания широкополосных
квантовых усилителей.

2.13. Лазер на парах меди

Одним из достижений лазерной техники является получение

стимулированного излучения от среды, образованной парами меди. Эти пары
являются следствием газового разряда в гелии при большой частоте повторения
импульсов и значительной средней мощности, обеспечивающей получение
высокой температуры в газоразрядной трубке – около 1600°К. Излучение
117
сосредоточено на волнах 0,51 и 0,58 мкм. Кроме высокого коэффициента
усиления, такие лазеры дают КПД, доходящий до 1%. Средняя мощность
лазера достигает 50 Вт.
Имеются пути повышения КПД. Для этого необходимо создавать
импульсы тока с крутым фронтом и короткой длительностью, сравнимой с
длительностью генерации. В этом случае КПД может достигать 20%.
Поскольку такие лазеры имеют высокий коэффициент усиления, они могут
работать в режиме сверхсветимости, т. е. без резонатора. А это позволяет
создать на их основе усилители света, способные за один проход увеличить
яркость на несколько порядков.
В связи с большим коэффициентом усиления и малой длительностью
существования инверсии населенности для получения достаточно малой
расходимости луча эффективно применение неустойчивых резонаторов.

118
 3. ПРИМЕНЕНИЕ ЛАЗЕРНОЙ ТЕХНИКИ В РАКЕТНО-
АРТИЛЛЕРИЙСКОМ ВООРУЖЕНИИ

3.1. Основные направления применения лазеров в военном деле

К настоящему времени сложились основные направления, по которым
идет внедрение лазерной техники в военное дело. Этими направлениями
являются:
1. Лазерная локация (наземная, бортовая, подводная).
2. Лазерная связь.
3. Лазерные навигационные системы.
4. Лазерное оружие.
5. Лазерные системы ПРО и ПКО, создаваемые в рамках стратегической
оборонной инициативы – СОИ.
Сейчас, как сообщается в зарубежной печати, получены такие параметры
излучения лазеров, которые способны существенно повысить тактико-
технические данные различных образцов военной аппаратуры (стабильность
частоты порядка 10-14, пиковая мощность 1012 Вт, мощность непрерывного
излучения 104 Вт, угловой раствор луча 10-6 рад, τ = 10-12 с, λ = 0,2…20 мкм).
Ускоренными темпами идет внедрение лазеров в военную технику США,
Франции, Англии, Японии, Германии, Швейцарии. Государственные
учреждения этих стран всемерно поддерживают и фиксируют работы в данной
области.
Значительные работы ведутся в США по программе СОИ. Идея создания
широкомасштабной ПРО превратилась ныне в главный тормоз,
препятствующий оздоровлению международного климата и устранению угрозы
ядерной войны. Настойчивость, с которой правящие круги США
придерживаются планов милитаризации космоса, объясняется
целенаправленным курсом на создание принципиально нового класса оружия –
ударного космического, и, как результат этого, достижение военно-
стратегического превосходства над Россией.
Разработан общий «интегрированный» план широкомасштабной системы
ПРО с элементами космического базирования. Главная задача сводится к
возможности поражения МРБ и баллистических ракет, запускаемых с
подводных лодок, на всем протяжении их траектории полета до цели.
Рассмотрен вариант системы с семью ярусами. Два первых яруса,
соответствующих активному участку полета ракет, будут занимать боевые
космические станции с оружием направленного излучения (лазерное,
пучковое), а также с кинетическим оружием (самонаводящиеся малогабаритные
ракеты и электромагнитные пушки). Два других яруса также включают
названное оружие, предназначенное для поражения головных частей ракет на
баллистическом участке полета. Создаваемые ударные космические
вооружения, по замыслу Пентагона, должны обладать целым рядом только им
присущих свойств: мгновенным поражением целей на огромных расстояниях,
достигающих 1000 км. С этой целью ведутся большие работы по созданию
лазерно-голографических систем. В этих системах методом динамической
голографии должна обеспечиваться коррекция волнового фронта лазерного
119
излучения, проходящего через атмосферу, что позволит получить минимальные
потери. Особое место занимает рентгеновский лазер с накачкой от ядерного
взрыва, который, по заявлению отца водородной бомбы Э. Теллера, является
«самым новаторским и в потенциале самым плодотворным» из всех видов
оружия. В 1986 г. на работы по созданию рентгеновского лазера было
израсходовано 200 млн долларов.
В ракетно-артиллерийском вооружении лазерная техника широкое
применение находит в средствах артиллерийской разведки, в системах
управления ВТО, в прицельных устройствах для средств ближнего действия.

3.2. Лазерные дальномерные системы

Лазерные дальномерные системы (ЛДС) получили широкое применение

во многих образцах вооружения и военной техники. С их помощью решаются
задачи по разведке целей, корректировке стрельбы, измерению расстояний.
Широкое применение ЛДС получили благодаря ряду преимуществ по
сравнению с радиолокационными системами. К ним можно отнести: высокую
точность определения координат наблюдаемого объекта, малые габариты и
массу, простоту в работе и др. В зависимости от метода определения
расстояний ЛДС подразделяются на фазовые и импульсные дальномеры.
Фазовые дальмеры
В фазовых дальномерах, работающих в непрерывном режиме, излучение
передатчика моделируется по амплитуде синусоидальном сигналом и
направляется на объект. Отраженное излучение принимается оптической
системой и фотоприемником. Дальность до объекта определяется по сдвигу фаз
модулирующих сигналов в исходном и принятом излучении. Расстояние
является функцией разности фаз модуляции и определяется как
c ϕ
D= ( N + ), (3.1)
fm 2π
где f m - частота модуляции, Гц;
N – целое число фазовых циклов в общем сдвиге фаз;
φ/(2π) - дробная часть фазового цикла (φ=0...2π).
В импульсных дальномерах определение расстояния производится по
времени запаздывания τзn отраженного от объекта импульса относительно
опорного:
D = cτ зп / 2 . (3.2)
Промежуток времени τзn измеряется с помощью специальных устройств
формирующих импульсов и счетчика этих импульсов.
Для точного измерения небольших расстояний (от десятков метров до
нескольких километров) применяется фазовый метод, основанный на
определении разности фаз между опорным сигналом и сигналом, прошедшим
измеряемое расстояние.
Одним из первых отечественных лазерных дальномеров является КДГ-3.
Он был разработан в 1964 г. и позволял измерять расстояние до неподвижных
объектов на дистанции от 200 до 2000 м со среднеквадратической ошибкой ± 2
120
см. Дальномер работал в некогерентном режиме излучения, излучателем
служил полупроводниковый ОКГ на кристалле арсенида галлия.
В настоящее время в нашей стране и за рубежом создано большое
количество различных дальномеров с полупроводниковыми излучателями.
Процесс измерения расстояний в некоторых приборах автоматизирован. Так,
фирма Цейс разработала дальномер SM-11, в котором определяемое расстояние
можно прочесть непосредственно на электронном цифровом табло и
зарегистрировать на компьютере. С внедрением в серийное производство
газовых лазеров были разработаны дальномеры, измеряющие расстояния в
пределах нескольких десятков километров. Дальномер «Кварц» позволял
измерять расстояние до объекта на дистанции от 1 м до 30 км в светлое время
суток и до 50 км ночью с ошибкой ±(10 + 10-6 D) мм. В качестве излучателя
использовался газовый лазер ЛГ-56. В лазерном дальномере СГ-2М было
применено счетно-решающее устройство, обеспечивающее непосредственное
получение измеряемого расстояния в цифровой форме на восьмиразрядном
световом табло. Ошибка измерения при этом составляла 3 см на дистанции 16
км. За рубежом также разработан целый ряд фазовых дальномеров, где в
качестве источников излучения применены гелий-неоновые ОКГ. Фирмой AGA
серийно выпускается дальномер, предназначенный для измерения расстояний
до неподвижных объектов в диапазоне от 15 м до 60 км в хороших
метеоусловиях с суммарной погрешностью 10…15 мм.
Рассмотрим фазовый дальномер с ОКГ на СО2, работающий на длине
волны 10,6 мкм, где предположительно имеются значительные полосы
прозрачности в спектре пропускания атмосферы. Такие дальномеры можно
широко применять в геодезии.
Функциональная схема прибора показана на рис. 3.1. В качестве
источника излучения применяется выпускаемый промышленностью
молекулярный лазер 1 типа ОКГ-15 с высокой мощностью излучения.
Луч ОКГ модулируется частотой f m = 5 МГц электрооптическим
модулятором 2 на кристалле арсенида галлия. Фазовые погрешности в этом
модуляторе незначительны, что дает возможность использовать его в точных
фазовых светолокационных устройствах.
Напряжение высокой частоты, питающее модулятор, поступает от
генератора 6, частота которого стабилизирована кварцем через фильтр 5.
Модулятор работает при четвертьволновом постоянном напряжении смещения,
подаваемом от источника 4. Модулированное излучение проходит через
передающую оптику 3 и, пройдя измеряемое расстояние до отражателя 8,
возвращается обратно, попадает через приемную оптику 7 на
фотосопротивление 19, выполненное на основе соединения теллур-кадмий-
ртуть и работающее при температуре жидкого азота.
На фотосопротивление подается опорное переменное напряжение от
гетеродина 23 с частотой f г = 5,25 МГц, стабилизированного кварцем. При
этом в фотосопротивлении происходит смешение сигналов двух частот:
частоты модуляции излучения и частоты гетеродина. Выделяется
f
промежуточная частота пр = 250 кГц. Режим работы фотосопротивления
121
обеспечивает получение почти максимального сигнала на выходе
фотоприемника и минимальных фазовых искажений.

Рис.3.1. Функциональная схема фазового дальномера с лазером на СО2

Сигнал с выхода фотоприемника поступает на каскадный
предварительный усилитель 18 и резонансный УПЧ 17, где происходит
f
усиление на частоте пр = 250 кГц. После усиления сигнал промежуточной
частоты поступает на фазовый детектор 16, куда одновременно подается
опорный сигнал той же промежуточной частоты.
В канал опорного напряжения входит смеситель 22, на выходе которого
f
выделяется пр = 250 кГц. Со смесителя напряжение промежуточной частоты
поступает через катодный повторитель и фазовый модулятор 21. В фазовом
модуляторе фаза напряжения промежуточной частоты периодически, с
частотой 70 Гц, изменяется на 180°. Фазовая модуляция обеспечивает высокую
чувствительность при минимальном значении выходного напряжения. Этот
минимум получается при разности фаз, соответствующей точкам максимальной
крутизны синусоидального сигнала. Фазовый модулятор приводится в действие
от генератора 14, дающего напряжение частоты 70 Гц. После фазового
модулятора напряжение поступает в фазовращатель 20, где фаза может плавно
изменяться от 0 до 360°, в усилитель 15, который необходим для компенсации
ослабления напряжения в фазовращателе, далее - в фазовый детектор 16.
Таким образом, на фазовый детектор поступает напряжение сигнала и
опорное напряжение. В результате детектирования выделяется напряжение
частоты 70 Гц, амплитуда которого зависит от разности фаз сравниваемых
напряжений. Напряжение частоты 70 Гц усиливается избирательными
усилителями 13, 12 и детектируется в синхронном детекторе 11. Опорное
напряжение на синхронный детектор подается с генератора. После усиления
постоянного тока 10 сигнал регистрируется индикатором 9.
Расстояние определяется по разности фаз ϕ опорного сигнала и сигнала,
122
прошедшего измеряемое расстояние. Усилительный тракт приемной части
прибора до фазового детектирования дает усиление порядка 10е. Для
поддержания постоянства сигнала на выходе фазового детектора при работе на
различных расстояниях введена система автоматической регулировки
усиления.
Оптическая схема фазового дальномера с ОКГ на СО2 показана на рис.
3.2.

Рис. 3.2. Оптическая схема фазового дальномера

Лазерное излучение проходит подвижное зеркало 3 и линзу 4, затем
подвижное зеркало 5, линзу 6 и падает на отражатель 7, расстояние до которого
измеряется. Зеркала 3, 5 и линзу 4 можно перемещать при юстировке прибора.
Световые потери на линзах, выполненных из бромистого калия, и
алюминиевых зеркалах передающей оптики не превышают 50%.
Приемная оптика содержит параболическое зеркало И, сферическое 13,
два плоских зеркала 10, 12 и линзу 9. Плоское зеркало 12 имеет в центре
отверстие диаметром 1 мм, расположенное в совмещенной фокальной
плоскости сферического и параболического зеркал. Назначение плоских зеркал
- изменить направление оптической оси телескопа для более удачной
компоновки узла фотоприемника. При помощи линзы 9, конструктивно
связанной с микрометрическими винтами, принятое излучение фокусируется на
фазочувствительную поверхность фотоприемника 8. Световые потери в
приемной оптике составляют примерно 70%.
Следует заметить, что приемники оптического диапазона
характеризуются многообразием схемных решений. В то же время высокой
чувствительности приемной системы можно достичь лишь двумя способами:
оптическим гетеродинированием и прямым фотодетектированием. Различие
этих способов состоит в том, что при фотодетектировании вся информация о
частоте и фазе оптического излучения теряетс, так как фотодетектор реагирует
только на интенсивность приходящего излучения, а при оптическом
гетеродинировании высокой чувствительности можно добиться в условиях
больших фоновых засветок или значительного ослабления сигнала на трассе.
Однако метод оптического гетеродинирования не нашел широкого
123
применения в практике. Главной причиной этого является необходимость
иметь высокостабильный узкополосный источник светового излучения для
местного гетеродина и передатчика. Все существующие промышленные
образцы лазеров на СО2 не удовлетворяют этому требованию.
Такого недостатка не имеет метод прямого фотодетектирования. Кроме
того, сигнал, получаемый с фотодетектора, не зависит от эффекта Доплера, что
важно при определении расстояния до движущихся объектов. Поэтому следует
отдать предпочтение методу прямого фотодетектирования, не требующему
высокостабильного узкополосного лазера и позволяющему применять в
дальномерах выпускаемые промышленностью ОКГ на СО2.
В настоящее время из всех фотодетекторов наиболее освоенными для
приема модулированного излучения на λ = 10,6 мкм следует считать
полупроводниковые фотосопротивления. Однако их полоса пропускания
ограничивается единицами мегагерц, поэтому приходится уменьшать входное
сопротивление первого усилителя, что отрицательно сказывается на
чувствительности приема в целом.
Фотоприемник в схеме фазового дальномера может функционировать в
двух режимах: работы при питании постоянным напряжением смещения и при
питании напряжением высокой частоты. Недостатком первого режима следует
считать то, что при увеличении электрического поля коэффициент усиления
фотоприемника не зависит от напряжения смещения. Поэтому предложена
замена постоянного смещения переменным. Преимуществом схемы смещения
напряжением переменного тока является возможность использования
оптимальной характеристики объемного фотопроводника. В этом случае не
нужны проводящие контакты, и при емкостной связи можно избежать таких
паразитных эффектов фотосопротивления, как инжекция объемного заряда и
контактный шум. При проектировании фазового дальномера с ОКГ на СО2
необходимо знать режим работы фотоприемника для получения наибольшего
сигнала на его выходе с учетом возможных частотных и фазовых искажений.
В фазовых дальномерах целесообразно применять электрооптические
модуляторы на кристалле арсенида галлия. На модулятор от генератора
высокой частоты через фильтр подается переменное напряжение,
соответствующее примерно 20%-й глубине модуляции. Модулятор должен
работать на линейном участке характеристики. Это достигается путем подачи
четвертьволнового напряжения смещения от источника переменного тока.
Фотоприемники на основе соединения теллур–кадмий–ртуть являются
достаточно чувствительными и малоинерционными для приема
модулированного излучения на длине волны 10,6 мкм. Однако эти приемники
требуют глубокого охлаждения, что представляет значительные технические
трудности при создании дальномерных устройств инфракрасного диапазона.
В фазовых дальномерных системах с ОКГ модулятор излучения лазера
является одним из основных элементов, требующих тщательного схемного
обоснования в каждом конкретном случае. Требования, предъявляемые к
модуляторам излучения, зависят от требований к прибору в целом, а именно: от
точности измеряемого расстояния, которую он должен обеспечить, условий
работы и стабильности фотоприема. Тем не мене, можно назвать целый ряд
124
общих требований, предъявляемых к модуляторам: достаточно большая
глубина модуляции при небольшой величине управляющего напряжения;
стабильность характеристик модулятора; малые потери излучения;
сравнительно высокая частота модуляции, обеспечивающая необходимую
точность измерения расстояния; достаточно широкая частотная
характеристика; стойкость модулятора к излучению мощных ОКГ, в частности
лазеров на СО2. Методы модуляции излучения ОКГ можно разделить на два
больших класса: методы внутренней и внешней модуляции.
Фазовые дальномеры нашли широкое применение в топогеодезии (табл.
3.1 и 3.2)
Таблица 3.1
Основные характеристики геодезических дальномеров
Тип Длина
Источник Мощность, Дальность, Погрешность,
дальномера волны,
излучения мВт мкм мм
и страна мкм
ГД-314, Арсенид
0,91 0,5 2 50
Россия галлия
КДГ-3, Арсенид
0,91 1 2 20
Россия галлия
«Кварц»,
Гелий-неон 0,63 5 30 10
Россия
«Кварц-3»,
Гелий-неон 0,63 2 1 0,2
Россия
США Гелий-неон 0,63 5 60 0,5
Франция Гелий-неон 0,63 5 60 5
Арсенид
Швеция 0,91 1 1,7 5
галлия

Таблица 3.2
Основные характеристики лазерных фазовых дальномеров военного назначения

Частота Время Потреб-

Даль- Ошиб-
модуля- одного ляемая Масса,
Тип дальномера и страна ность, ка,
ции, измерения мощность, кг
км м
МГц мин Вт
НР-3800 А, США 3 25 ±10 2 12 7
Адисто-S2000, Франция 2 7,5 ±10 1 10 12,5
SМ-11, ФРГ 2 15 ±10 0,5 12 14
D1-01, Франция-
1 15 ±10 1 10 7
Швейцария
D1-01, Франция-
1 15 ±10 1 10 4,5
Швейцария
МА-100, Англия 3 75 ±9 - 6,5 16
Reg Elta, ФРГ 2 15 ±10 0,5 20 18

125
 Импульсные дальномеры

Принцип действия дальномера основан на измерении времени

прохождения светового сигнала до цели и обратно.
Мощный импульс излучения малой длительности, генерируемый
ОКГ и формируемый оптической системой, направляется к цели,
дальность до которой необходимо измерить. Отраженный от цели импульс
излучения, пройдя оптическую систему, попадает на фотоприемник
дальномера. Момент излучения зондирующего и моменты поступления
отраженных сигналов регистрируются блоком запуска и фотоприемного
устройства (ФПУ), которые вырабатывают электрические сигналы для
запуска и остановки измерителя временных интервалов (ИВИ). ИВИ
измеряет временной интервал между передними фронтами излученного и
отраженного импульсов. Дальность до цели пропорциональна этому
интервалу и определяется по формуле (3.2).
Результат измерения в метрах высвечивается на цифровом
индикаторе, введенном в поле зрения левого окуляра.
В качестве примера рассмотрим принцип работы импульсного
дальномера по укрупненной функциональной схеме (рис. 3.3).
Твердотельный ОКГ работает в режиме модуляции добротности,
осуществляемом вращающейся призмой. Генерируемые импульсы имеют
длительность 20...30 нс.

Рис. 3.3. Функциональная схема импульсного дальномера:

1 - система накачки и поджига; 2 - индикатор; 3 - ИВИ; 4 - схема совпадения;
5 - фильтр; 6 - ФПУ; 7 - усилитель и формирователь; 8 -триггер

Накачка активного вещества производится при помощи импульсной

ксеноновой лампы. Выходящее из лазера излучение направляется на трассу
телескопической системой, уменьшающей его угловую расходимость.
Отраженное от объекта излучение собирается оптической системой Кассагрена
и через интерференционный оптический фильтр поступает на ФПУ. Часть
излучения лазера с помощью делительной пластины передается
126
непосредственно в приемную оптику, минуя трассу. Таким образом, создается
опорный сигнал. После фотоэлектрического преобразования опорный сигнал
усиливается и из него формируется импульс, под действием которого
происходит переброска триггера. Стартовый импульс триггера запускает
счетное устройство. Отраженное от объекта излучение образует импульс на
выходе ФПУ, сдвинутый по времени относительно опорного, и он также после
усиления и формирования подается в триггер. Под действием этого импульса
триггер перебрасывается в исходное состояние и генерирует стоп-импульс,
останавливающий счетчик. Таким образом, счетное устройство измеряет время
запаздывания τ зап отраженного лазерного импульса относительно опорного. В
дальномере используется схема совпадения и два кварцевых генератора.
Результат измерения дальности выдается на цифровой индикатор.
Оптическая схема дальномера показана на рис. 3.4.

Рис. 3.4. Типовая оптическая схема лазерного дальномера:

1 – оптическая система приемнопередатчика;2 – объектив с
фотоприемником; 3 – обтюратор; 4 – ОКГ-излучатель

В армиях различных стран, лазерные дальномеры используются в

системах управления огнем артиллерии, танков, БМП, где требуется в короткий
промежуток времени определить дальность с высокой точностью. Основные
характеристики некоторых типов импульсных дальномеров приведены в табл.
3.3.

127
 Таблица 3.3

Основные характеристики лазерных импульсных дальномеров

военного назначения

Мощ- Дальность и
Тип дальномера и Источник Масса,
ность, ошибки ее
страна излучения кг
МВт измерения
Дальномеры для танков
AN/VVS-1, США Рубин 1 4700±10 16
La-65, США Рубин 2 6000±5 20
LF-2, Англия Рубин 1 10000±20 29
TCV-15, Франция Неодимовое 4 10000±5 24
стекло
Артиллерийские дальномеры
XM-23, США Рубин 2,5 1000±10 12,5
AN/CVS-1, США Рубин 2 16000±10 14
LRR-101, США Неодимовое … 9995±5 6,5
стекло
UAL-11105, Швеция Неодимовое 2 10000±8 22
стекло
TM-10, Франция Неодимовое 2 10000±5 44,5
стекло
LP-4, Норвегия Неодимовое 1 20000±5 1
стекло
Портативные дальномеры
Дальномер-бинокль, Ал.-иттр. гранат 1,5 6000±10 2
США
Дальномер AN/GVS- Ал.-иттр. гранат 2 10000±10 2,2
S,США

На рис. 3.5 приведены зависимости, показывающие, как изменяется

вероятность поражения неподвижной цели в случае использования обычного
прицела, стереодальномера с простейшим счетным прибором, системы с
лазерным дальномером. Анализ графиков показывает, что использование
системы с лазерным дальномером и ЭВМ обеспечивает вероятность
поражения цели, близкую к расчетной.

128
 Рис. 3.5. Вероятность поражения цели для различных средств
разведки

Широкое применение для решения задач разведки целей находят

импульсные дальномеры в Российской армии. Наиболее современными из них
являются перископический лазерный дальномер ПЛД-1 (индекс 1Д14) (рис.
3.6 и 3.7) и унифицированный лазерный бинокль-дальномер модульной
конструкции ЛПР-2 (индекс 1Д18) (рис. 3.8 и 3.9).
Дальномер состоит из приемопередатчика с блоком питания 1
(см. рис. 3.6), устройства горизонтирования и треноги.
В приемопередатчике размещены оптические системы визира цели и
твердотельного ОКГ, индикаторное устройство, электронные блоки,
механизмы измерения вертикальных и горизонтальных углов.
Блок питания предназначен для защиты дальномера от
перенапряжений и напряжений обратной полярности, возникающих при
подключении к бортсети. В блоке питания размещены печатные платы с
электрорадиоэлементами.
Перископический лазерный дальномер ПЛД-1 устанавливают на
машины в качестве стационарного или выносного варианта. Дальномер
предназначен:
- для измерения полярных координат до неподвижных и подвижных
объектов, местных предметов и разрывов снарядов (целей) при ведении
разведки и обслуживании стрельбы наземной артиллерии;
- ведения визуальной разведки местности;
- топогеодезической привязки элементов боевых порядков артиллерии
с помощью других топогеодезических приборов;
- выдачи полярных координат на ЭВМ.

129
Рис. 3.6. Перископический лазерный дальномер ПЛД-1
(индекс 1Д14):
1 – приемопередатчик; 2–механизм горизонтирования; 3–тренога

130
 Рис. 3.7. Дальномер (вид со стороны окуляров):
1 - патрон осушки; 2-крышка; 3-ручка перемены увеличения; 4-пульт управления;
5-тумблер ПИТАНИЕ; 6-рукоятка СТРОБ; 7-кнопка УГЛЫ; 8-рукоятка переключателя
ИНФОРМАЦИЯ; 9, 12-уровни цилиндрические; 10-кнопка ИЗМЕРЕНИЕ; 11-вилка; 13-
бинокуляр; 14-налобник; 15-шкалы (грубая и точная) механизма отсчета вертикальных
углов

Технические характеристики
Максимальная дальность действия до цели
типа «танк» (лобовая проекция) при МДВ≥20 км,
м, не менее ......................................................................................................10000
Максимальная дальность действия до крупно-
размерных целей при МДВ≥50 км, м, не менее ..........................................20000
Минимальная измеряемая дальность, м, не боле ............................................100
Приборная среднеквадратическая ошибка измерения:
дальности до 10 км, м .........................................................................................3,5
дальности свыше 10 км, м .....................................................................................5
горизонтальных углов, д.у. ..............................................................................0-01
вертикальных углов, д.у.. .................................................................................0-01
Предел допустимой погрешности измерения:
дальности до 10 км, м, не более ..........................................................................10
дальности до 20 км, м, не более ..........................................................................15
Увеличение монокуляра визира (сменное), крат .....................................7,3 и 18
Поле зрения визира, град .............................................................................8 и 3,3

131
Диаметр выходного зрачка визира, мм,
не менее:
при увеличении 7,3 крат .......................................................................................6
при увеличении 18 крат
Удаление выходного зрачка, мм .........................................................................21
Диоптрийная наводка окуляра, дптр .................................................................±4
Диапазон наведения:
в горизонтальной плоскости (при установке на
треноге), угол α, д.у. .......................................................................................60-00
в вертикальной плоскости, угол β, д.у. .......................................................±05-00
Время готовности к измерению дальности, с,не более ......................................2
Режим работы:
циклами без введения защиты - по 12 измерений
через 5 с каждое с перерывом между циклами 1 мин;
с введенной защитой - по 6 измерений через 5 с каж-
дое с перерывом между циклами 1 мин
Разрешающая способность по дальности при коли-
честве отраженных импульсов более одного, м,
не более ..................................................................................................................50
Перископичность, мм .........................................................................................345
Масса изделия в боевом положении со встроенной
аккумуляторной батареей при установке на треноге,
кг, не более ............................................................................................................25
Цена малого деления угломерной сетки визира .............................................0-05
Количество измерений дальности без подзарядки
аккумуляторной батареи в диапазоне температур от
-40 до +50°С, не менее ........................................................................................500
Измерение и запоминание дальности до целей при
одном излучении ................................................................................................до 3
Питание изделия осуществляется от следующих источ-
ников:
штатная аккумуляторная батарея напряжением, В .....................................10-14
нештатные аккумуляторные батареи напряжением, В ...............................22-29
однопроводная бортовая сеть напряжением, В ............................................22-29
Потребляемый ток, А, не более .............................................................................2
Вероятность достоверного измерения, не менее ..............................................0,9
Масса изделия в походном положении, кг, не более ........................................50
Габаритные размеры:
в боевом положении, мм ........................................................2072-1522×282×292
в походном положении, мм ...............................................................300×550×191

132
 Рис. 3.8. Вид дальномера:
а – со стороны окуляра:
1- ручка переключателя режима работы; 2 – кнопка ПАМЯТЬ; 3- кожух; 4 –
рукоятка стробирования; 5- кнопка ИЗМЕРЕНИЕ; 6- панель; 7- вилка ОНЦ-ВС;
8 – окуляр визира; 9- окуляр индикатора; 10- вилка ОНЦ-БМ; 11-крышка;
б – со стороны объектива:
1 – крышка; 2- кронштейн; 3- крышка; 4- ремень; 5-патрон осушки

133
 Рис. 3.9. Элементы комплекта дальномера;
а - углоизмерительная платформа:
1- маховичок точного наведения; 2- рукоятка; 3- кронштейн; 4- фиксатор; 5- шкала; 6- лупа;
7- маховичок точного наведения; 8- буссоль; 9- гайка; 10- лупа; 11- ручка; 12- шаровая опора;
13- уровень; 14- лимб; 15- корпус;
б – тренога:
1- головка; 2- основание; 3- телескопическая нога; 4-гайка

Унифицированный лазерный бинокль-дальномер модульной конструкции

предназначен для измерения дальности до наблюдаемых наземных и
воздушных целей.
Технические характеристики

Увеличение, крат.......................................................................................................8
Поле зрения, град.......................................................................................................6
Диоптрийная наводка визира, дптр.......................................................................±5
Максимальная измеряемая дальность при
134
метеорологической дальности видимости
20 км, не менее, км
до танка.......................................................................................................................5
до вертолета...............................................................................................................6
до облаков.................................................................................................................10
Минимальная измеряемая дальность, м................................................................50
Погрешность измерения, м.....................................................................................10
Стробирование измеряемой дальности, м .................................................. 50-6000
Потребляемый ток, А.............................................................................................0,5
Напряжение питания, В.....................................................................................10-14
Время готовности к измерению дальности, с........................................................3
Время отображения информации об измеряемой
дальности, с.............................................................................................................5-8
Количество измерений дальности без
замены встроенного источника питания
в НКУ, не менее....................................................................................................1000
Цена малого деления угломерной сетки
визира, д.у...............................................................................................................0-05

В последние годы широкое применение получили лазерные

полуактивные системы управления артиллерийскими снарядами, например 152
мм артиллерийский комплекс 2К25 «Краснополь». В состав комплекса входит
лазерный целеуказатель-дальномер ЛЦД-1 (индекс 1Д15) или ЛЦД-2 (индекс
1Д22).
Лазерный целеуказатель-дальномер ЛЦД-2 предназначен для
обеспечения артиллерийской стрельбы обычными и управляемыми
артиллерийскими боеприпасами с полуактивной лазерной системой наведения.
Лазерный целеуказатель-дальномер обеспечивает оптическую разведку
целей на местности, измерение сферических координат (дальность,
дирекционный угол и угол места) целей и разрывов боеприпасов, целеуказание
(лазерный подсвет цели) при наведении управляемых артиллерийских
боеприпасов.
Технические характеристики

Длина волны излучения, мкм..........................................................................1,064

Минимальная измеряемая дальность, м, не более...........................................120
Предельная измеряемая дальность (до крупно-
размерных местных объектов) при МДВ = 30000 м,
м, не менее........................................................................................................20000
Максимальная ошибка измерения расстояния
(при отсутствии в створе лазерного луча посторон-
них предметов), м, не более................................................................................10
Максимальная дальность опознавания открыто
расположенной цели типа «танк» (лобовая проекция
на травяном фоне) при МДВ не менее 20000 м с
вероятностью не менее 0,9, м, не менее .........................................................7000
135
Максимальная измеряемая дальность до открыто
расположенной цели типа «танк» (лобовая проекция)
при МДВ не менее 20000 м, м, не менее ......................................................10000
Максимальная дальность подсвета открыто располо-
женной цели типа «танк», ДЗОС в режиме целеуказа-
ния, м, не менее .................................................................................................7000
Минимальная дальность подсвета, м ................................................................300
Диапазон наведения, д.у.:
в горизонтальной плоскости ........................................................................ ±30-00
в вертикальной плоскости ...............................................................................±4-00
Диапазон стробирования целей до дальности, м:
нижняя граница ...................................................................................................120
верхняя граница .................................................................................................5000
Параметры дневного оптического визира:
увеличение, крат .............................................................................................15 и 6
угол поля зрения (переключаемый), град .....................................................4 и 10
угловое разрешение в центре поля зрения визирного
канала, с, не более .................................................................................................. 4
диаметр выходного зрачка, мм ............................................................................. 4
удаление выходного зрачка, мм ..........................................................................20
цена деления угломерных шкал, д.у. ...............................................................0-05
диоптрийный расход, дптр, не менее ..................................................................±4
перископичность, мм ..........................................................................................339
светопропускание, не менее ............................................................................... 0,2
Время готовности дальномера к излучению
После включения питания, с, не более .................................................................3
Напряжение первичного питания, В ....................................................от 22 до 29
Источники первичного питания:
штатная аккумуляторная батарея 21НКБН-6;
бортсеть с минусом на корпусе напряжением
от 22 до 29 В и амплитудой пульсаций не более 3%;
нештатные аккумуляторные батареи (21НКБН-3,5 и др,),
обеспечивающие под нагрузкой напряжение
от 22 до 29 В
Время перевода дальномера из походного положения
в боевое (время развертывания) на выносном
КНП, мин, не более .............................................................................................3
Масса переносного комплекта ЛЦД-2, кг, не более ......................................45
Масса комплекта ЛЦД-2 в укладке, кг:
укладочный ящик № 1 ......................................................................................57
укладочный ящик № 2 ......................................................................................29

136
 3.3. Лазерная гироскопия
Хорошо известно устройство для определения истинных азимутов
ориентирных направлений на основе механического гироскопа, где
используется ротор, обладающий свойством сохранять свое положение в
пространстве. Чем ротор быстрее вращается, тем упорнее и с большей силой он
сопротивляется всякой попытке изменить направление оси его вращения.
Поэтому такой ротор используют как хранитель направления, датчик угла
поворота и т. д. Скорость современных роторов достигает десятков тысяч
оборотов в минуту. Основными недостатками гироскопов, использующих
быстровращающиеся роторы являются: во-первых, отсутствие уникальных
подшипников; во-вторых, сложность предельной балансировки; в-третьих, из-
за трения в осях «уход» гироскопа.
Ученые стали искать устройства, которые смогли бы заменить роторный
гироскоп. Вспомнили об эксперименте Альберта Майкельсона, выполненном в
конце XIX в. А. Майкельсон задумал обнаружить влияние вращения на
скорость распространения света. Для этого он использовал данные о суточном
вращении Земли. Ввиду малого значения угловой скорости Земли (15 град/ч)
ему пришлось сделать прибор большого размера. Схема этого прибора показана
на рис. 3.10. Оптическая схема прибора включает в себя систему зеркал,
образующую большой контур и малый контур. В левой части контура
размещается источник света Л, от которого свет через щель Щ направляется на
полупрозрачное зеркало 31. Световой поток разделяется на два, один идет в
обход малого и большого контуров по часовой стрелке, другой – против. Они
направляются на матовое стекло П.
Если источник света монохроматический, то на приемное устройство
попадают две световые волны и складываются, т. е. получаем
интерференционную картину, представляющую собой чередование черно-
белых полос. Характер этой картины зависел от сдвига фаз этих волн. Для света
относительный сдвиг фаз лучей в данной точке зависит от начального
состояния лучей, частоты колебаний и разности путей для этих двух лучей до
данной точки. Так как для всего поля наблюдения разность хода различна, то в
различных местах поля происходит либо взаимное ослабление, либо взаимное
усиление складывающихся лучей света. Полосы эти четко наблюдаются на
матовом стекле. При неподвижной системе эти полосы стоят неподвижно. Если
теперь всю систему зеркал, источник света и наблюдательную систему
привести во вращение по часовой стрелке, то путь луча А до наблюдательного
прибора увеличится (за время распространения света наблюдательный прибор
как бы убегает от него), а путь луча Б уменьшится (наблюдательный прибор
набегает на второй луч). Поэтому положение интерференционных полос в поле
зрения наблюдательного прибора должно измениться, полосы сместятся.

137
 Рис. 3.10. Схема экспериментальной установки Майкельсона

Увеличим скорость вращения - полосы сместятся на еще большую

величину. По этому смещению можно судить о скорости поворота системы.
Майкельсон не мог остановить Землю, с тем чтобы получить начальную точку
отсчета. Поэтому он и ввел дополнительный контур. Промежуточные зеркала
позволяли включать в работу то один контур, то другой, для этого нужно было
отбросить зеркала. Источником света служила узкая щель, и если изображения
источника, получающиеся при обходе двух контуров, точно совпадали бы друг
с другом, то, если бы не сказывалось вращение, должны были бы совпадать и
системы полос. При длине волны 0,57 мкм эффект вращения Земли на широте
41 940' должен был вызвать смещение, равное 0,236 полосы. Наблюдаемое
смещение составило бы 0,230 полосы. Для проведения этого уникального
эксперимента Майкельсон вынужден был использовать контур значительной
площади – 60x33 м2. Свет проходил по трубам, из которых был выкачан воздух.
Сдвиг интерференционных полос определялся по формуле
2S
∆N = Ω,
λ
где ∆N – сдвиг интерференционной полосы в долях полосы;
S – площадь светового контура;
λ – угловая скорость вращения Земли;
Ω – длина волны света.
C появлением лазеров появилась возможность поставить вместо
источника излучения лазер внутри контура. Это сразу приводит к уменьшению
размеров контура из-за того, что в кольцевом лазере оба луча многократно
обегают окружность, т.е. имеет место накопление фазового сдвига, и лучи не
ослабляются в среде, а усиливаются за счет получения энергии от активного
вещества. Схема лазерного датчика угловой скорости показана на рис. 3.11.

138
 Рис. 3.11. Схема лазерного датчика угловых скоростей
Видно, что в контуре циркулируют два луча навстречу друг другу. Они
приходят на приемник излучения ФЭУ, перед которым расположена щель.
Поскольку набег фазы происходит непрерывно, то интерференционная картина
как бы бежит перед щелью. Это приводит к тому, что на экране осциллографа
отображаются синусоидальные колебания. Зависимость частоты от скорости
вращения носит линейный характер. Первый такой прибор, созданный в 1963
г., имел габариты 1,5х1,5 м2. При испытаниях его вращали с угловыми
скоростями от 2 до 600 град/мин, что приводило к частоте на выходе ФЭУ от
500 Гц до 150 кГц. Лазерный гироскоп более поздней конструкции был
изготовлен на монолитном основании и имел вид равностороннего
треугольника. Зеркал в резонаторе было три и располагались они по вершинам.
Через одно из зеркал сигнал подавался на фотоприемник. Внутренние полости I
заполнялись гелий-неоновой смесью. Такой прибор отличался тем, что имел
очень жесткое исполнение, размеры его не более 25 см по одной из сторон, а
время готовности к работе всего 1...2 с. Поскольку поле тяготения Земли здесь
не влияло (которое в роторных гироскопах приводит к трению в осях и к
уходу), то «уход» его определялся стабильностью работы лазера и составлял
всего несколько угловых секунд в сутки. Сравнительные данные роторного и
лазерного гироскопов даны в табл. 3.4.
Таблица 3.4
Характеристики лазерных и роторных гироскопов
Наименование Лазерный Роторный
Чувствительность 10-3 град/ч 10-1 град/ч (для
серийных)
Время готовности к работе 1 ... 2 с 3 ... 10 мин (на раскрутку
ротора)
Форма выходного сигнала Цифровая Аналоговая
Чувствительность к Нет Есть (уход)
линейному ускорению
Уход гироскопа 5...6 угл. с/сутки 0,1 угл. мин/мин

139
 Лазерные гироскопы находят применение в устройствах измерительной
техники, в системах наземной ориентации, в системах ориентации воздушных и
космических аппаратов, а также при создании бесплатформенных
инерциальных систем (БИС) навигации.

Рис. 3.12. Функциональная схема инерциальной системы

Функциональная схема инерциальной системы без

гиростабилизированной платформы приведена на рис. 3.12. В системе для
определения пути используются датчики первичной информации и
вычислительные устройства. Такими датчиками являются блок гироскопов,
блок акселерометров (измерителей ускорений), блок оптических телескопов.
Поступающая информация обрабатывается в вычислительном устройстве и
поступает на органы летательного аппарата, управляющие им и регулирующие
его движение (рулевые органы, двигательную установку). Все вычисления при
работе БИС разбивают на две группы: вычисление ориентации объекта и
навигационные вычисления. Для коррекции БИС используются оптические
телескопические системы типа солнечных или звездных ориентаторов. БИС
наиболее чувствительна к ошибкам группы приборов, выдающей информацию
об угловом движении объекта. Поэтому использование лазерных датчиков
угловой скорости вращения дает существенные преимущества. Ожидается, что
с их применением можно построить высокоточную, простую, малогабаритную
БИС, пригодную к использованию в быстроманеврирующих объектах.
Лазерный гироскоп имеет и недостатки. К ним относятся необходимость
оснащения прибора рядом вспомогательных систем, трудности калибровки и т.
п. Их наличие позволяет сделать вывод, что лазерный гироскоп не сможет
полностью заменить роторный. Скорее всего он будет применяться в комплексе
измерителей первичной информации и лишь в отдельных случаях
использоваться самостоятельно.
3.4. Лазерные линии связи
Под лазерной системой связи понимается совокупность устройств,
обеспечивающих передачу информации из одного пункта в другой с
помощью генерируемых лазером электромагнитных волн. Лазерные
системы пригодны для передачи различной информации: телеграфных,
телефонных, телевизионных и других сигналов. Обобщенная
функциональная схема односторонней лазерной линии связи показана на
рис. 3.13.
140
 Рис. 3.13. Обобщенная функциональная схема лазерной системы связи:
1 - лазер; 2 - модулятор; 3 - передающая оптическая система; 4 - среда между
пунктами передачи и приема; 5 - приемная оптическая система; 6 - оптический
приемник; 7 - демодулятор; 8 - источник информации; 9, 10 - системы нацеливания; 11
- устройство использования информации

Излучение лазера 1 модулируется оптическим модулятором 2 в

соответствии с характером сигналов, поступающих из источника
информации 8. С помощью передающей 3 и приемной 5 оптических систем
это излучение поступает на оптический приемник 6, где преобразуется в
электрический сигнал. После выделения в демодуляторе 7 информация
поступает в устройство 11 для использования. Системы нацеливания 9 и 10
служат для совмещения оптических осей приемной и передающей оптических
систем. Пункты передачи и приема разделены средой 4, в которой и
распространяется лазерное излучение. Таким образом, структурно лазерная
система связи аналогична системе связи, работающей в радиодиапазоне.
Однако лазерные системы связи имеют ряд особенностей, которые
определяются характером используемых электромагнитных колебаний и
условиями их распространения в разделяющей пункты передачи и приема
среде.
Лазерные системы связи отличаются от обычных радиолиний, прежде
всего, диапазоном используемых электромагнитных колебаний (1014...1018 Гц
в лазерных системах и не более 1010 Гц в радиотехнических системах).
Поскольку с увеличением несущей частоты возрастает емкость системы
связи, с помощью лазерных систем можно передавать значительно большее
количество информации по сравнению с радиолиниями. Например, в УКВ
диапазоне с несущей частотой 3·108 Гц полоса пропускания линии связи
составляет 3·107 Гц, что позволяет передавать одновременно до пяти
телевизионных программ. В оптическом диапазоне длин волн при несущей
частоте 1015 Гц полоса пропускания будет иметь значение 1014 Гц. Это
означает, что с помощью луча лазера можно передавать в принципе 107
телевизионных программ. В действительности это число будет на несколько
порядков меньше, но все же оно очень велико. Таким образом, лазерные
системы связи являются высокоинформативными. Их внедрение в практику
позволит разрешить проблему «частотной тесноты» радиодиапазона.
Другой важной особенностью лазерных систем связи является
использование в них когерентного излучения. Благодаря пространственной
когерентности колебаний излучение лазера может быть сужено до малой
141
величины при небольших габаритах передающей оптической системы. Так, при
действующем диаметре оптической системы, равном 100 мм, угловая
расходимость излучения будет равна всего двум угловым секундам. Таким
образом, пространственная когерентность лазерного излучения позволяет
сконцентрировать передаваемую энергию в чрезвычайно узком пучке и тем
самым значительно увеличить дальность действия и повысить скрытность
работы системы передачи информации. Кроме того, эта особенность лазерного
излучения позволяет использовать супергетеродинный принцип приема, что
значительно повышает помехозащищенность системы передачи информации.
Благодаря временной когерентности лазерного излучения мощность,
приходящаяся на единицу полосы частот, в миллионы раз превышает
соответствующее значение для нелазерных источников оптического излучения.
Ширина спектральной линии излучения лазера очень узкая, что дает
возможность использовать узкополосные интерференционные фильтры в
приемной оптической системе и тем самым обеспечить низкий уровень
оптических шумов даже в условиях интенсивного солнечного излучения.
Еще одной особенностью лазерных систем связи является некоторая
специфика шумов. Как известно, любой источник излучения создает тепловой и
квантовый шумы с энергетическим спектром

(3.3)
где h- постоянная Планка;
k - постоянная Больцмана;
Т - абсолютная температура;
v - частота колебаний.
В полосе частот ∆ν мощность шумов Рш = Р (v) ∆ν . До частот 1012 Гц, т.
е. во всем радиодиапазоне, hν << kT, и поэтому учитывается только тепловой
шум, следовательно, Рш = kTAv. В оптическом диапазоне выполняется
условие hν 〉〉 kT, и поэтому преобладает квантовый шум: Рш = hν ∆ν .
Источниками квантового шума являются все источники оптического излучения,
в том числе и сам лазер. Основными источниками шумов являются Солнце,
Луна, яркие звезды и облака, освещаемые солнечным светом. Для снижения
уровня шумов от этих источников используются узкополосные фильтры.
Наиболее специфичным и принципиально неустранимым является квантовый
шум от лазера, обусловленный спонтанным излучением и флюктуациями числа
квантов индуцированного излучения. Таким образом, в лазерных системах связи
принимаемый сигнал неизбежно содержит шум в виде флюктуации числа
квантов, вызывающий флюктуацию числа фотоэлектронов в приемнике. Кроме
квантового шума в оптическом диапазоне, как и в радиодиапазоне, имеются
внутренние шумы приемника.
Одной из основных трудностей в освоении лазерных систем связи
является ослабление и искажение оптического излучения при прохождении
через атмосферу. Для уменьшения вредного влияния атмосферы необходимо
142
работать в окнах прозрачности и дублировать передачу по нескольким
направлениям. Применение дублирования позволяет обойти зону дождя или
тумана, через которую лазерное излучение проходит с большим ослаблением и
искажением. В космическом пространстве проблемы, связанные с ослаблением
и искажением излучения в атмосфере, отпадают, поэтому применение лазеров в
космических системах связи весьма перспективно. В наземных линиях связи
влияние атмосферы может быть полностью устранено в результате передачи
лазерного излучения от передатчика к приемнику по световому волноводу
(световоду). Световоды выполняют в виде металлических труб с
расположенными внутри них линзами или в виде гибких диэлектрических
волокон. Потери в таких световодах малы.
В значительной мере определяют дальность действия и информационную
емкость системы связи, принцип построения и параметры передающего
устройства. Поэтому к основным элементам передающего устройства (лазеру,
модулятору и оптике, формирующей луч) предъявляются довольно жесткие
требования. Важнейшими параметрами лазера, определяющими возможность
его использования в системе связи, являются следующие: мощность или
энергия излучения; длина волны излучения; КПД; срок службы; габариты и
масса.
Лазеры, работающие в режиме непрерывной генерации, очень удобны
для линий связи, так как позволяют передать наибольшее количество
информации. В системах связи широко используются гелий-неоновые лазеры,
лазеры на углекислом газе. Из твердотельных лазеров, работающих в
непрерывном режиме, наиболее перспективен лазер на иттрий-алюминиевом
гранате, легированном неодимом. Импульсные лазеры можно использовать в
системах связи только если они имеют высокую пиковую мощность излучения
и высокую частоту повторения импульсов. Для целей связи весьма перспективны
полупроводниковые лазеры и лазеры на иттрий-алюминиевом гранате с
присадкой неодима, работающие в режиме непрерывной синхронизации мод.
При выборе длины волны излучения, т. е. несущей частоты, приходится
учитывать несколько факторов. Прежде всего необходимо иметь в виду, что чем
больше длина волны, тем лучше предельная чувствительность и больше
предельная информационная емкость электромагнитной волны. С этой точки
зрения целесообразно выбирать длину волны лазера в диапазоне 25…30 мкм.
Однако пропускание атмосферой излучения с такими длинами волн невелико.
Поэтому системы, проектируемые для связи через атмосферу, должны иметь
длину волны, попадающую в одно из окон прозрачности: 0,6; 1,06; 1,7…1,9;
2,1…2,7; 3,5…4,5; 8…12 мкм. Следует учитывать и практические соображения,
такие как наличие лазера с желаемой длиной волны излучения, возможность
промодулировать излучение с этой длиной волны, наличие фотоприемника,
эффективно воспринимающего излучение лазера. С учетом этих обстоятельств
часто приходится использовать видимый и ближний инфракрасный диапазоны.
В соответствии с выбранной длиной волны излучения и необходимой для
нормальной работы фотоприемника средней мощностью Рпр на его входе можно
подсчитать мощность передатчика Рпер, которая обеспечит связь на заданное
расстояние D, по формуле
143
 (3.4)
где d2 - действующий диаметр приемной оптической системы;
τ 1 , τ а (λ ), τ 2 - коэффициенты пропускания излучения лазера передающей
оптикой, атмосферой и приемной оптикой соответственно.
Величины коэффициентов τ 1 и τ 2 лежат в диапазоне 0,5…0,9 в
зависимости от конструктивных особенностей оптических систем. Методы
расчета коэффициента τ а (λ ) изложены в разделе 1.6. Если лазерное излучение
распространяется в космосе, то τ а (λ ) ≈ 1. Величина τ а (λ ) при распространении
излучения по оптическому волноводу зависит от материала волновода и его
длины.
Для реализации принципиальных возможностей лазерных систем связи по
передаче большого объема информации важно правильно выбрать способ
наложения информации на луч, т. е. вид модуляции. В лазерных системах связи
можно использовать аналоговую, импульсную и цифровую модуляцию,
осуществляемую модуляторами, принцип действия которых описан в разделе
2.5.
В аналоговых системах модуляции амплитуда, интенсивность (квадрат
амплитуды электрического поля), частота, фаза или поляризация колебаний
несущей частоты непрерывно изменяются в соответствии с аналоговым
информационным сигналом. При амплитудной модуляции (AM) или модуляции
по интенсивности (ИМ) обеспечиваются малые искажения и допускаются
высокие частоты модуляции, но возникают большие потери в модуляторе и,
кроме того, требуется высокая линейность его модуляционных характеристик.
Аналоговая поляризационная модуляция (ПМ) имеет те же свойства, что и AM,
но сопровождается меньшими потерями мощности и дает возможность получить
более высокое отношение сигнал/шум при наличии шумов фона. При частотной
(ЧМ) и фазовой (ФМ) модуляции можно использовать высокие частоты и
широкие полосы модулирующего сигнала. Потери мощности по сравнению с
AM малы, поэтому отношение сигнал/шум значительно больше, чем при AM.
Однако сложность демодуляции ЧМ и ФМ излучения препятствует широкому
использованию этих видов модуляции, особенно в видимом и ближнем
инфракрасном диапазонах.
В импульсных системах модуляции в соответствии с передаваемой
информацией изменяются один или несколько параметров, характеризующих
импульс электрического поля оптической частоты. Возможно использование
амплитудно-импульсной (АИМ), частотно-импульсной (ЧИМ), широтно-
импульсной (ШИМ), позиционно-импульсной (ПИМ) и счетно-импульсной
(СИМ) модуляции.
В цифровых системах модуляции каждому квантованному отсчету
соответствует дискретная группа символов или код. Обычно используется
кодово-импульсная модуляция (КИМ), при которой кодовый набор состоит из
последовательности «единиц» и «нулей». При КИМ–ИМ (КИМ–AM)
интенсивность (амплитуда) оптического колебания максимальна, когда
144
передается «единица», и минимальна при передаче «нуля». В случае КИМ – ЧМ
осуществляется дискретный сдвиг частоты несущего оптического колебания:
одному значению частоты соответствует «единица», а другому - «нуль». При
КИМ – ФМ фаза несущего оптического колебания изменяется по отношению к
опорной фазе на фазовые углы 0 и φ в соответствии с «единицей» и «нулем».
КИМ – ПМ должна быть осуществлена в двух вариантах: линейно-
ортогональном и циркулярно-ортогональном. В первом варианте «единице» кода
соответствует вертикальная поляризация колебания оптической частоты, а
«нулю» - горизонтальная поляризация; во втором - «единице» соответствует
правая круговая поляризация несущего колебания, а «нулю» - левая.
Перспективными считаются также двоичная фазово-импульсная модуляция
(бинарный ФИМ), частотная (ЧМА) и фазовая (ФМА) манипуляции, некоторые
виды М-ричной модуляции.
Эффективность различных видов модуляции можно оценивать по скорости
передачи информации при определенных вероятностях ошибок. Эта
эффективность зависит также от характеристик передатчика, приемника и среды
распространения лазерного излучения. Поэтому окончательный выбор вида
модуляции можно сделать лишь при наличии данных о назначении системы
связи и характеристиках ее основных элементов.
Основным требованием, предъявляемым к передающей оптической
системе, является обеспечение заданной расходимости лазерного излучения.
Для уменьшения расходимости используют оптические системы, действие
которых основано на использовании телескопического принципа. При этом
угловая расходимость излучения уменьшается во столько раз, во сколько раз
фокусное расстояние выходного элемента телескопа больше фокусного
расстояния входного элемента. Если требуется незначительное уменьшение
расходимости, то используют линзовые телескопические системы,
отличающиеся (при малых размерах линз) конструктивной простотой. Для
формирования луча, расходимость которого близка к дифракционному пределу,
целесообразно использовать зеркальную оптику, так как оптические системы
больших габаритов с такой оптикой значительно легче и дешевле линзовых.
Кроме того, зеркальные оптические системы, в отличие от линзовых, не имеют
хроматических аберраций, т. е. могут работать в широком диапазоне длин волн.
Это дает возможность при одной передающей системе использовать лазеры,
работающие в различных участках спектра (от видимого до далекого
инфракрасного).
Приемные устройства лазерных систем связи отличаются от
радиотехнических приемных устройств только входной частью, состоящей из
оптической приемной системы и оптического приемника (см. рис. 3.13).
Приемная оптическая система, предназначенная для фокусировки
излучения передающего устройства на поверхности фотодетектора оптического
приемника, может быть линзовой, зеркальной или зеркально-линзовой. Два
типа оптических систем приемного устройства показаны на рис. 3.14. На рис.
3.14, а показана оптическая система Кассагрена. В этой системе первое зеркало
1 направляет излучение передатчика на второе зеркало 2, которое отражает это
излучение через линзу 3 и оптический фильтр 4 на фотодетектор 5. Недостаток
145
этой системы в сложности ее юстировки. Легче юстировать оптическую систему
Ньютона (рис. 3.14 б), в которой используются два вспомогательных зеркала 6
и 7. Действующий диаметр этих оптических систем

d 2 = d п2 + d в2 , (3.5)

где dn - диаметр первичного зеркала; dB - диаметр вторичного зеркала.

Диаметр первых зеркал приемных оптических систем может достигать

10 м. В этом случае применяют сферические зеркала, состоящие из нескольких
сот сегментированных зеркальных элементов, каждый из которых юстируют
отдельно. Необходимо иметь в виду, что при больших размерах приемного
зеркала возможно только прямое детектирование принятых оптических
сигналов. Для гетеродинных и гомодинных оптических приемников размеры
приемного зеркала ограничены площадью когерентности принимаемого
излучения.

Рис. 3.14. Схема приемной оптической системы:

а - Кассагрена; б - Ньютона; 1 - первое (приемное) зеркало;
2 - второе зеркало; 3 - линзы; 4 - оптический фильтр;
5 - фотодетектор; 6 , 7 - вспомогательные зеркала

Оптический приемник можно выполнить по схеме прямого усиления (с

непосредственным детектированием), а также по гетеродинной и гомодинной
схемам.
В приемнике прямого усиления (рис. 3.15) лазерное 1 и фоновое 2
излучения проходят через узкополосный оптический фильтр 3,
предназначенный для ослабления фонового излучения, и попадают на
чувствительную поверхность фотодетектора 4. Выходной ток
фотодетектора пропорционален мгновенной интенсивности несущей, т. е.
фотодетектор можно рассматривать как линейный преобразователь
«интенсивность - ток» или как квадратичный преобразователь
«электрическое поле - ток». После усиления в блоке 5 выходной ток
фотодетектора поступает на нагрузку 6 приемника. Электрический фильтр 7,
установленный после нагрузки, имеет полосу пропускания,
соответствующую полосе информационного сигнала.

146
 Рис. 3.15. Функциональная схема оптического приемника
прямого усиления:
1 - лазерное излучение; 2 - фоновое излучение; 3 - оптический фильтр;
4 – фотодетектор; 5 - усилитель; 6 - нагрузка приемника;
7 - электрический выходной фильтр

При непосредственном детектировании информация о частоте и фазе

оптического излучения полностью теряется. Кроме того, в такой системе не
различаются сигнальные и фоновые фотоны, поэтому для обеспечения высокой
спектральной избирательной способности необходимо использовать возможно
более узкополосный оптический фильтр. Пространственная селекция
падающего излучения обеспечивается только за счет соответствующего выбора
поля зрения приемной оптической системы. Минимально допустимый угол
зрения определяется точностью установки оптической системы в направлении
передатчика и искажениями фронта волны из-за турбулентности атмосферы.
Отношение т сигнал/шум оптического приемника прямого усиления
рассчитывают по формуле

(3.6)
где G - усиление фотодетектора по току;
q - заряд электрона;
RH - сопротивление нагрузки приемника;
Рф - средняя мощность фонового излучения, падающего на
чувствиительную поверхность фотодетектора;
Jт - средний темновой ток фотодетектора;
Т - температура резистора RH.
Приемник прямого усиления обеспечивает максимальное отношение
сигнал/шум в том случае, когда фоновое излучение, темновой ток и тепловые
шумы малы.
Приемник прямого усиления можно использовать для детектирования
оптического сигнала, промодулированного по интенсивности
высокочастотным сигналом поднесущей. Сигнал поднесущей, в свою очередь,
модулируется информационным сигналом. На выходе оптического приемника
в этом случае выделяется синусоидальное колебание поднесущей частоты в
смеси с шумами фотодетектора. Для выделения информационного сигнала
необходимо использовать демодулятор, представляющий собой в данном
случае электрический детектор.
В приемниках прямого усиления в качестве фотодетекторов можно
применять фоторезисторы и фотодиоды, ФЭУ, а при модуляции с
высокочастотным сигналом поднесущей – ФЭУ со статическими и
147
динамическими полями, фотоэлементы с бегущей волной. При импульсной
модуляции эффективным может оказаться применение квантового счетчика.
Оптические приемники прямого усиления отличаются простотой и не требуют
пространственной когерентности излучения; влияние атмосферы на них
незначительно.
По назначению и условиям работы лазерные системы можно разделить на
четыре класса: наземные короткие линии связи с прохождением лазерного
излучения в открытой атмосфере; световодные высокоинформативные линии для
связи между крупными источниками и потребителями информации; космические
связные и ретрансляционные системы ближнего действия; дальние космические
линии связи с другими планетами.
Лазерные наземные линии связи через атмосферу - это уже сегодняшний
день квантовой электроники.
Лазерные системы связи рассматриваемого класса действуют в пределах
прямой видимости. В дальнейшем возможно создание таких систем,
работающих за пределами прямой видимости. Эти возможности обусловлены
особенностями строения тропосферы Земли. При некоторых метеорологических
условиях показатель преломления воздуха аномально быстро убывает с
высотой, что приводит к распространению лазерного луча вдоль земной
поверхности на расстояния, много большие прямой видимости. Основной
недостаток подобной линии связи - ее непостоянство. Для дальней связи можно
использовать также лазерные системы, действие которых основано на
рассеянии света на неоднородностях тропосферы.
В наземных условиях весьма перспективны световодные линии связи.
Один из возможных вариантов телефонной связи с применением лазеров и
световодов показан на рис. 3.16. Уплотняющая аппаратура двух центральных
телефонных станций соединена световодным оптическим кабелем. Входной
телефонный сигнал с помощью селектора подается на свободную
магистральную линию станции № 1. Этим сигналом модулируются колебания
одного из генераторов поднесущих, которыми в дальнейшем модулируются
колебания генератора высокочастотной несущей. Затем высокочастотный сигнал
несущей, модулированный несколькими поднесущими, модулирует световой
пучок лазера, который с помощью светопроводящих волокон подводится к
модуляторам. На станции № 2 производится демодуляция сигнала, и
выделенный телефонный сигнал селектором этой станции подсоединяется к
нужному абоненту.
Наиболее полно преимущества лазерных линий связи можно реализовать
в системах космической связи. Например, при испытаниях лазерной системы
связи и слежения «Локатс» (США) было установлено [1], что при помощи
лазера мощностью в 0,1 Вт можно обеспечить связь на расстояние до 1000 км
при ширине полосы пропускания 1 МГц и отношении сигнал/шум, равном 20.
Систему «Локатс» можно использовать для связи между космическим кораблем
и Землей, между двумя космическими кораблями, а также для ретрансляции
передачи с Земли на космический корабль, находящийся на большом
расстоянии от нее.

148
 Рис. 3.16. Структурная схема системы телефонной связи на основе
применения лазеров и световодов:
А – центральная телефонная станция № 1; Б – центральная телефонная станция № 2; 1 –
селектор; 2 – генераторы поднесущих; 3 – генераторы высокочастотной несущей; 4 – лазер; 5 –
волоконные световоды; 6 – модуляторы; 7– оптический кабель, связывающий телефонные
станции; 8 – детекторы; 9 – демодуляторы несущей и фильтры поднесущих; 10 – демодуляторы
поднесущих; 11 – селектор

Упрощенная функциональная схема этой системы связи приведена на рис.

3.17 [1, 4]. Система состоит из трех основных элементов: наземного маяка,
передающего и приемного устройств. Маяк, представляющий собой
полупроводниковый лазер на арсениде галлия, служит ориентиром, по которому
бортовое передающее устройство наводится на наземное приемное устройство.
Расходимость излучения маяка 10-3 рад, мощность в импульсе 1 Вт,
длительность импульса 5 мкс, длина волны излучения 0,84 мкм.
Луч лазерного маяка с помощью визирного телескопа направлялся в
преобразователь, с помощью которого космонавт мог обнаружить маяк и
направить на него излучение передатчика. Передатчик включает в себя
полупроводниковый лазер со средней мощностью излучения 0,25 Вт на длине
волны 0,89 мкм. Излучение лазера подвергается частотно-импульсной
модуляции в соответствии с речевым сигналом. Приемное устройство включает
в себя оптическую систему диаметром 0,75 м, интерференционный фильтр с
полосой пропускания 5·10-3 мкм, фотоумножитель и электронные устройства для
усиления, демодуляции и воспроизведения сигналов.
Космические ретрансляционные системы лазерной связи могут быть
построены в разных вариантах. Первый вариант основан на запуске
стационарных спутников ATS-F и ATS-G и низколетящих спутников типа
«Нимбус-Е». Передаваемая с Земли информация поступает на синхронный
спутник ATS-F, а затем ретранслируется на синхронные спутники ATS-G. В
зависимости от местонахождения пункта приема информация передается на
него непосредственно с синхронного спутника или же с ретрансляцией через
спутник «Нимбус-Е». Второй вариант системы предполагает использование
стационарных спутников типа DRS с лазерными ретрансляционными каналами
связи на длине волны 1,06 или 0,53 мкм. В третьем варианте планировалось
применить спутники типа LES. В этом случае предполагалось осуществлять
межспутниковую ретрансляцию с помощью лазеров на основе иттриево-
149
алюминиевого граната.

Рис. 3.17. Упрощенная функциональная схема лазерной системы

связи между космическим кораблем и Землей:
1 – визирный телескоп с электронно-оптическим преобразователем; 2 – оптика,
формирующая излучение наземного лазерного маяка; 3 – лазер маяка; 4 – модулятор маяка;
5 – микрофон; 6 – усилитель низкой частоты; 7 – модулятор; 8 – лазер; 9 – передающая
оптическая система; 10 – усилитель низкой частоты; 11 – демодулятор; 12 – видеоусилитель;
13 – фотоэлектронный умножитель; 14 – приемная оптическая система;
15 – регистрирующее устройство; 16 – система автоматической регулировки усиления

Высокие скорости передачи информации из дальнего космоса могут быть

обеспечены с помощью лазерных систем связи, использующих технику
импульсной модуляции. Лазерная система связи, пригодная для передачи
информации на Нептун, должна иметь следующие параметры [1]:
Скорость передачи информации, бит/с .......................10 000
Диаметр передающей антенны, м ...................................0,1
Диаметр приемной антенны, м ........................................16
Длительность лазерного импульса, нс ...............................1
Пиковая мощность лазерного излучения, мВт ...............1,2
Частота повторения импульсов, с-1 ..................................500
Скважность ........................................................................10-6
Средняя мощность сигнала, мВт .....................................600
Поле зрения приемника, рад .......................................3.10-4
Полоса пропускания оптического фильтра, мкм .............10-4
Лазерные системы можно использовать для обмена информацией с объектами,
находящимися за пределами солнечной системы. Расчеты показывают, что
излучение лазера в виде импульсов с энергией 104 Дж и длительностью 1 нс
при расхождении 10-6 рад может быть зарегистрировано на Земле с расстояния
в 10 световых лет. Таким образом, лазерным системам связи принадлежит
большое будущее.
3.5. Обработка материалов и сварка
Обработка материалов с помощью лазеров вылилась в последнее время в
мощное направление, которое получило название лазерной технологии. Вот что
говорит об этом направлении академик Н. Г. Басов: «Лазерный луч – это
уникальный тепловой источник, способный нагреть облучаемый участок детали
до высоких температур за столь малое время, в течение которого тепло не
успевает «растрескаться». Нагреваемый участок может быть при этом
размягчен, расплавлен, наконец, его можно испарить. Дозируя тепловые
150
нагрузки путем регулирования мощности и продолжительности лазерного
облучения, можно обеспечить практически любой температурный режим и
реализовать различные виды термообработки. Лазерный нагрев используется
для поверхностной закалки и легирования металлов, для плавления при сварке,
для плавления и испарения с выбросом паров при резке и сверлении».
Как же проходят физические процессы при этом?
Если направить на металл лазерный луч и изменять его мощность, то при
значении облученности в 105 Вт/см2 начнется плавление. Вблизи поверхности
под световым пятном возникает область расплавленного металла. Поверхность
расплава начнет перемещаться вглубь металла по мере поглощения световой
энергии. Площадь расплава будет расти, теплота начнет более интенсивно
проникать в глубину. В конце установится неизменная поверхность расплава.
Увеличим мощность лазера, пусть облученность достигнет 107 Вт/см2. В этом
случае вместе с плавлением будет происходить кипение металла и его
испарение. На поверхности образуется лунка, которая начнет изменяться в
размерах. Еще увеличим мощность лазера – пусть облученность достигнет 109
Вт/см2. В этом случае свет начнет ионизировать пары вещества, превращая их в
плазму. Известно, что плазма интенсивно поглощает свет, поэтому доступ
энергии к металлу прекратится.
В импульсном режиме работы лазера картина будет несколько иная. Если
облученности достаточно, чтобы материал не только плавился, но и кипел, а
длительность импульса мала – около 10-7 с, то в металле поглотится
значительная часть энергии. Но за короткое время тепло не проникнет внутрь,
поверхность расплава не увеличится и начнется интенсивное испарение.
Следовательно, в данном случае основная часть энергии тратится на испарение,
а не на плавление.
Таким образом, могут быть предложены следующие рекомендации по
использованию лазеров для обработки металлов. Для сварки желательны
импульсы порядка 10-2...10-4 с, а для пробивания отверстий – 10-5...10-6 с при
требуемой облученности, которая для каждого материала должна быть
определенной.
Например, для того чтобы сделать отверстие в стальной пластине
толщиной в 1 мм лучом лазера, необходимо иметь длительность импульса 10-3 с
и энергию около 0,5 Дж. В результате получим отверстие 0,1...0,2 мм. Чтобы
получить отверстие в стальной пластине толщиной в 5 мм, нужен импульс с
энергией от 20 до 100 Дж.
Существенного эффекта можно достигнуть при обработке сверхтвердых
сплавов и таких материалов, как рубиновые камни, алмазы и т. п. В камне при
толщине заготовки 0,5...1 мм отверстие пробивается серией импульсов,
имеющих энергию 0,1...0,5 Дж при длительности 10-4 с. Это обеспечивает
производительность в 1000 раз большую, чем при механическом сверлении
отверстий.
Лазеры дают принципиально новый эффект при обработке материалов,
отличающихся повышенной хрупкостью, таких как подложки микросхем,
изготавливаемые из глиноземной керамики. Из-за высокой хрупкости
механическое сверление отверстий в ней выполняют, как правило, «на сыром
материале». Обжигают керамику уже после сверления. При этом происходит
некоторая деформация изделия.
151
 ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение
Термины и определения
Основные понятия и определения

1. Основы физических процессов в лазерной технике

1.1. Стационарные состояния атомов и молекул
1.2. Состояния квантовой системы
1.3. Способы возбуждения квантовых систем
1.4. Принцип усиления и генерации электромагнитных волн
1.5. Прохождение лазерного излучения через атмосферу
1.6. Опасность облучения лазером

2. Основы устройства и принцип работы лазеров

2.1. Классификация лазеров
2.2. Структурная схема оптического квантового генератора
2.3. Активные вещества оптических квантовых генераторов
2.4. Резонаторы оптических квантовых генераторов
2.5. Электрические схемы оптических квантовых генераторов
2.6. Элементы электрических схем
2.7. Модуляторы оптических квантовых генераторов
2.8. Оптические системы формирования лазерного излучения
2.9. Твердотельный лазер
2.10. Газовый лазер
2.11. Полупроводниковый лазер
2.12. Жидкостный лазер
2.13. Лазер на парах меди

3. Применение лазерной техники в ракетно-артиллерийском

вооружении
3.1. Основные направления применения лазеров в военном деле
3.2. Лазерные дальномерные системы
3.3. Лазерная гироскопия
3.4. Лазерные линии связи
3.5. Обработка материалов и сварка

Список литературы

152
 Список литературы
1.Справочник по лазерной технике/ Под ред. Ю. В. Байбородина. -
Киев: Техника,1978.-288 с.
2. Батраков А. С. Квантовые приборы. - Л.:Энергия,1972.-176 с.
3. Шмелев К. Д., Королев Г. В. Источники электропитания лазеров.-
М.:Энергоиздат.1981.-168 с.
4. Колмыков В. А. и др. Основы теории и расчета
электроннооптических приборов.- Пенза: ПВАИУ,1988.-148 с.
5. Федоров Б. Ф. Лазеры.- М.: ДОСААФ,- 1988.- 189 с.
6. Брюханов А. В. и др. Толковый физический словарь. Основные
термины. - М.: Рус. яз., 1987.- 232 с.
7. Дальномер артиллерийский квантовый ДАК-2М (индекс 1Д11М).
Техническое описание и инструкция по эксплуатации. – Г36.48.070 ТО. –
142 с.
8. Перископический лазерный дальномер ПЛД-1 (индекс 1Д14).
Техническое описание и инструкция по эксплуатации.
9. Парвулюсов Ю.Б. и др. Проектирование оптико-электронных
приборов: Учебное пособие для студентов ВТУЗов /Под общ. ред. Ю. Г.
Якушенкова. – М.: Машиностроение, 1990. – 432 с.

153
 Учебное издание

Федотов Владимир Николаевич

Веселов Михаил Михайлович
Федотов Алексей Владимирович

Лазерная техника.
Основы устройства и применения

Учебное пособие

Редактор С. О. Логанова
Технический редактор Т. В. Фролова
Корректор_________________

Подписано в печать________Формат 60х90/16

Бумага офсетная. Печать офсетная.
Усл. печ. л.____ Уч.- изд. л.________ Тираж 100 экз.
Изд. №___ Заказ №____
Бесплатно. Для внутриведомственной продажи. Типография ПАИИ

154