1

1.2.-Diodos semiconductores.

Es un dispositivo de unin PN con dos terminales que presenta dos tipos de configuracin, una cuando el potencial es positivo respecto a P (nodo), se dice que el diodo esta polarizado directo, y conduce electricidad. Fig. 1

Fig.2 Un diodo conductor tiene una cada directa de voltaje a travs de l relativamente pequea; la magnitud de esta cada depende del proceso de manufactura y la temperatura de unin. Cuando el potencial del material n (ctodo) es positivo con respecto al del nodo, se dice que el diodo esta polarizado inverso. En estas condiciones pasa una corri nte pequea e inversa (corriente de fuga o corriente de prdida), en el orden de micro o miliamperios, esta corriente de Fig.3 fuga aumenta de magnitud de forma paulatina hasta que se llega al voltaje de avalancha o de zener. Que de acuerdo al tipo de diodo puede ser una zona destructiva. 2.- Caractersticas v-i de un diodo Las caractersticas v i que se ven en la fig.4 se pueden expresar por medio de una ecuacin, llamada ec. de diodo de schockley, que para el funcionamiento en estado permanente es:


= corriente a travs del diodo (A) = voltaje del diodo en directo IS = corriente de fuga (saturacin en

Fig.4

K=11600/ c e ce e ee s e e e e e y e c s cc sc e e e =1 y e s c =2 v es e v je y c e e e e v e e y e e s e y e e s s c c s e s c s e v e es e e 1 1 y 1 8 v es e ev s eVe e e S c e Ge =2
                         

ec 1


es

je

c y se e

ec 2

D e es c e e- =1 6022 10-19 T= e e bs c e v rk = 273 + rC) K=c s e de Boltzman 1 3806 10-23 J/rK Ej a tempe atura de 25 rC en la unin
6 5 & (  % 4 02 0) 3 1 1 '        ! 

OBS = a una temperatura especificada, la corriente de fuga Is es constante para un diodo dado: o la curva caractersticas del diodo en la fig.4 se puede dividir en tres regiones A) Regin de Polarizacin Directa (VD"0) En esta regin la corriente ID es muy pe ue a, si el voltaje del diodo VD es menor que un valor especfico VTD [0,7V (Si) 0,3V (Ge)]. Si VD " VTD (al que se le conoce como voltaje de umbral, voltaje de entrada, voltaje de activacin, voltaje de cierre o voltaje de encendido) el diodo conduce de forma total. Ej: si VD = 0,1 V n = 1 (coeficiente de emisin) y VT= 25,7 mV (voltaje trmico) hallar la corriente del diodo?
       ;
8 7

Por lo que en la respuesta se introduce un error del 2,1%, pero a medida que aumente VD el error disminuye con rapidez, lo que se considera como una buena aproximacin de la ecuacin. En consecuencia, cuando VD " 0,1V como suele ser el caso normal ID "" IS y la ecuacin se puede aproximar a la ec.4 dentro de un error de 2,1%. B) Regin de Polarizacin Inversa (VD<0)

  

#

 

 

 

!

"

je

c e ce e e e s


 

  ! # 

ve s e e 10 -6 y 10-15 =c s ee c v e1 2
      

c y v

 

 

3 Si V es negativo y |V |""V (voltaje trmico), lo cual sucede cuando V < 0,1V, el trmino exponencial de la ec. 1 se vuelve muy pequeo en comparacin con la unidad y se puede despreciar. Entonces,

A

Lo que indica que la corriente I en inverso es constante e igual a IS. C) Regin de Rompimiento, ruptura, disrupcin o avalancha. En esta regin el voltaje en sentido inverso es alto, por lo general de 1000 V o mayor que el voltaje llamado voltaje de rompimiento VBR; por lo que, con un pequeo cam io en el voltaje en sentido inverso aumenta rpidamente y ser destructivo para el diodo(aunque existen diodos hechos para tra ajar en esa zona). Es decir, si los valores especificados por el fa ricante en su hoja de datos (data sheets) son re asados se quema el diodo y si est muy cercano la disipacin de potencia del dispositivo lo destruye con el tiempo (Aunque existen diodos construidos para tra ajar en esa zona), es por ello necesario limitar la corriente inversa en la regin de rompimiento. Ejercicio. La cada directa de voltaje de un diodo de potencia es V = 1,2V a I = 300 A. Suponiendo que n=2 y V =25,7mV. Calcular la corriente de saturacin inversa.
  
C C D B B B B B

Caractersticas de Recuperacin inversa La corriente de un diodo de unin con polarizacin directa, se de e al efecto neto de los portadores mayoritarios y minoritarios. Una vez que un diodo est en modo de conduccin directa y a continuacin su corriente en sentido directo se reduce a cero el diodo continua , conduciendo, por los portadores minoritarios que quedan almacenados en la unin PN y en la masa del material semiconductor. Los portadores minoritarios requieren determinado tiempo para recom inarse con cargas opuestas y quedar neutralizados.A ese tiempo se le llama de recuperacin en sentido inverso del diodo. La siguiente figura muestra dos curvas de recuperacin.
E E

El tiempo de recuperacin inversa se presenta por tr y se mide a partir del cruce inicial de la r corriente en el diodo con cero, hasta que la corriente en inverso aja al 25 de su valor mximo (pico inverso), IRR. El trr (tiempo de recuperacin inverso) est conformado por dos componentes, ta y t . el primero se de e al tiempo de almacenamiento de cargas en la regin de agotamiento de unin y representa el tiempo desde el cruce por cero hasta el
F E E G

Recuperacin Suave

Recuperacin A rupta



4 pico inverso IRR. El segundo se debe al almacenamiento de carga en la masa del material semiconductor. La razn tb/ta se denomina factor de suavidad (SF softness factor), para efectos prcticos solo importa el tiempo total de recuperacin trr y el valor de pico inverso.   ec. 5 La carga de recuperacin inversa QRR es la cantidad de portadores de carga que atraviesan al diodo en inverso, su valor viene determinado con el rea encerrada por la trayectoria de la corriente de recuperacin inversa. La carga de almacenamiento en forma aproximada es: sustituyendo esta ecuacin en la ec. 5 y si tb, es como yo (despreciable); trr ta
 





pero de ec. 5 despejando

sustituimos en @
  

nos queda:


Ejercicio. El tiempo de recuperacin inverso de un diodo es trr = 33Qs, la corriente de recuperacin inversa y la velocidad de cada de la corriente por el diodo di/dt es 30 A/(Q s); determinar: a.- la carga QRR de almacenamiento.


b.- la corriente pico inversa IRR

   

Realizar los ejercicios de la pg. 70. Ni l s d Resisten i en los diodos Debido a que la curva caracterstica de un diodo no es lineal, entonces para que se cumpla la ley de OHM (V=I.R) y se mantenga un equilibrio elctrico se define un nivel de resistencia que varia con el voltaje o la se al aplicada. De esto se desprenden dos casos: i. Aplicacin de un voltaje DC al diodo. Cuando se aplica un voltaje DC a un circuito con diodo, tendr un punto en la curva V -I dado por la posicin que adopte que se denomina punto de operacin; pues por la circunstancia de la alimentacin fija (DC) no variar en el tiempo. Si acerque a cero. , entonces la resistencia ser ms grande a medida que la corriente se
R Q P I I I H

Ejemplo: Determine la resistencia esttica o de DC del diodo del diodo de la figura mostrada al lado izquierdo, para una corriente en polarizacin directa de 2mA.

Ahora, que pasara si la corriente es 20mA, entonces rD=40;

ii.

Aplicacin de voltaje AC

Como es de esperarse, el punto de operacin oscilar con la corriente, con un punto intermedio de variacin al que se le denomina Quiescent del ingls estable o punto Q y la resistencia medida ah se le denomina resistencia dinmica del diodo o resistencia AC. Existen dos formas de encontrar ese punto:
y

A travs de la grafica de V-I del diodo.

Si conocemos los valores mximos de la alimentacin, entonces la grfica aportara el de la corriente a esos mximos y viceversa, en este caso el punto Q ser un punto que es tangente a la curva V-I del diodo que pasa por los extremos antes citados. Veamos un ejemplo: el punto Q est ubicado en Id = 2mA y asumimos un valor de oscilacin de 2mA, por lo que en la grfica para Id = 4mA Vd = 0,76V & para Id = 0mA Vd = 0,65V. Si calculamos la pendiente esta ser: Id = 4mA 0mA = 4mA & Vd = 0,76V 0,65V = 0,11V. por lo que rd = Vd/ Id = 0,11V/4mA = 27,5;.

6 Si hiciramos una comparacin con la resistencia C o esttica para los mismos valores: r = Vd Id = 0,7V 2mA = 2;. Por lo que la resistencia AC supera por mucho a la C.
S T S U U

Matemticamente

La derivada en un punto es igual a la pendiente de una lnea tangente a ese punto. Por lo tanto, si derivamos la ec. del diodo en el punto de operacin Q y se invierte el resultado ya que y=mx m = y/x = I V, que al invertir el resultado ser V I = r.
   

pero por definicin,

Por lo que,

ec. *

Si despejramos la ec. del diodo de modo que la igualamos al resultado nos queda:
  

Y

Sustituyendo ec. ** en *, nos queda: queda: que al invertirlo es

W


X

Como se menciona en la pg. 2, =11600  por lo que si = 1 para e y Si entonces k=11600 en la curva exponencial del neperiano (V-I positivo) y a temperatura am iente (25rC).
c b b

C+273

rC = 25+273 =298rC


=11600 298 38,93

= 26mV

ec. ***
e

En la ec. *** se presentan dos posi les anlisis 1. El diodo genera voltaje a medida que se eleva la temperatura. 2. Que no se necesita de la curva caracterstica para hallar la resistencia dinmica. Ojo: * hay que tener cuidado ya que se asume la parte de la grfica descrita por el neperi e y ano que para la parte inversa en la curva de e sustituirse por 2. * tam in hay que indicar que existen otros valores que no se tomaron en cuenta por lo que el resultado terico es una aproximacin del real. Esos valores son: la resistencia propia del semiconductor (resistencia de cuerpo) y la resistencia del conductor metalico utilizado para conectar la unin P-N con el exterior. Ahora
f f

la corriente es de 25mA

lo que se muestra el error referente al clculo de la grfica de 1,5 ; pero se ha

= 1,04;y para 2mA rd = 26; por

c ad

ec. ** pero como Id "" Is nos

7 demostrado que la respuesta puede ser utilizada para el dise o y los resultados han sido satisfactorios.
g

Estudien, desde la pg. 74 a la 82, boylestad octava edicin, Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Para el laboratorio N 1.