TEMA 2. DIODOS SEMICONDUCTORES. 2.1. Tensin de contacto en una unin PN.

Si se forma una barra semiconductora extrnseca con simetra axial sobre el eje longitudinal, de forma que al fabricarla se ha dopado media barra con una concentracin impurezas aceptoras NA y la otra mitad con una concentracin de impurezas dadoras ND, se ha obtenido una unin PN, es decir lo que se denominar un diodo de unin PN, figura 2.1.

En el equilibrio trmico, en el seno del semiconductor P habr una concentracin de huecos pp0, portadores mayoritarios, y en el seno del semiconductor N la concentracin de huecos ser pn0, portadores minoritarios. Estas concentraciones, en un intervalo de temperaturas muy amplio alrededor de la temperatura ambiente, son funcin del dopado existente en cada zona de la barra segn las expresiones:

En el ltimo apartado del tema anterior se vio que en una barra semiconductora en la que en dos puntos de la misma, a y b, haba concentraciones de portadores diferentes, p(a) y p(b), entre dichos dos puntos exista una diferencia de potencial dada por:

Aplicando esta expresin a dos puntos de la barra tal que uno est en la zona P y el otro en la zona N, resulta:

Como es de suponer dicha barrera de potencial se ha formado en la unin de las zonas

P y N, y a dicho potencial se le denomina como V0. Pero ser conveniente analizar que es lo que ha ocurrido en la zona de la unin de ambos tipos de semiconductor extrnseco para que se haya formado esta barrera de potencial. Para tratar de entenderlo se supondr que inicialmente se tienen dos barras semiconductoras extrnsecas, una P y otra N, y que en un instante dado se unen. A partir de ese instante, debido al gradiente de portadores que hay en la unin, pp0 >> pn0 y nn0 >> np0, habr una difusin de huecos de la zona P hacia la N y de electrones de la zona N hacia la P. A medida que esto ocurre, en la zona ms prxima a la unin van desapareciendo los portadores de carga por recombinacin y slo quedan las cargas fijas de las impurezas que se denominarn cargas descubiertas, cargas negativas en la zona P y positivas en la zona N. Las cargas descubiertas crean un campo elctrico en la zona de la unin que da lugar a la existencia de la barrera de potencial en la zona. El equilibrio se alcanza cuando el valor de la barrera de potencial es suficiente para mantener el gradiente de concentracin de portadores existente entre ambas zonas semiconductoras, y su valor V0 depende de la temperatura y de los niveles de dopado.

La zona prxima a la unin se ha quedado sin portadores libres de carga, con las cargas fijas de las impurezas, figura 2.2, y por ello a dicha zona se la denomina zona de deplexin, zona de agotamiento o zona de cargas descubiertas. 2.2. Concentracin y corriente de portadores minoritarios en funcin de la tensin aplicada a una unin pn. Si ahora se aplica una diferencia de potencial positiva entre los extremos de la unin mediante una pila externa VF, figura 2.3, la barrera de potencial en la unin bajar en dicho valor. La disminucin de la barrera rompe el equilibrio y provoca que aumente el paso de huecos de P a N y de electrones de N a P. Esto equivale a una inyeccin de portadores minoritarios: huecos en N y electrones en P. NA

Segn se vio en el tema anterior esta inyeccin de portadores minoritarios da lugar a un gradiente de stos con decrecimiento exponencial. En el caso de los huecos en la zona N ser:

Dando lugar a una corriente de difusin de huecos, que en la entrada de la zona N ser:

Si VF es el potencial aplicado externamente a la unin:

Luego la corriente de difusin de huecos en el inicio de la zona N valdr:

Similarmente en la zona P, la inyeccin de electrones, portadores minoritarios, da lugar a una corriente de difusin, que en la entrada de la zona P tomar la expresin:

Por tanto la corriente total que atraviesa la unin ser:

Donde I0 se denomina corriente inversa de saturacin:

la cual es funcin de la geometra de la unin, nivel de dopado y con una fuerte dependencia trmica. El nombre con que se denomina a esta corriente es fcil de deducir ya que si se polariza inversamente la unin y se aumenta paulatinamente esta polarizacin inversa, la corriente en la unin se satura rpidamente tomando el valor -I0. Cuando se calcula la corriente de difusin de huecos en la zona N, se calcula a la entrada de la zona, x = 0, pero esta corriente de difusin, fijndose en la expresin de la cual proviene, decae exponencialmente a medida que penetramos en el semiconductor N. La expresin que toma la corriente de difusin de huecos a lo largo de la zona N

ser:

Como se acaba de ver, la corriente de difusin de huecos que entra en la zona N va decreciendo exponencialmente a medida que se avanza a lo largo de dicha zona. Pero la corriente total debe ser la misma en cualquier seccin de la barra

semiconductora, por tanto este decaimiento de la corriente de difusin de huecos debe ser compensada por una corriente de desplazamiento de electrones hacia la unin, y tal que en cualquier seccin de la barra semiconductora N se cumpla:

Un razonamiento similar se puede establecer en la barra semiconductora P. Estos razonamientos sern vlidos supuesta una recombinacin de portadores nula en la zona de cargas descubiertas. Esto es bastante cierto en el caso del Ge, pero no as en el del Si, por ello la ecuacin anterior se modifica introduciendo un parmetro corrector h:

donde h = 1 para el Ge y h = 2 para el Si con intensidades de corriente dbiles. Para corrientes de conduccin intensas h = 1 en el Si. De la relacin tensin-corriente que se ha deducido tericamente se puede obtener una grfica que en los aspectos ms importantes coincide con la que se puede obtener experimentalmente de cualquier unin PN, en el futuro a dicho dispositivo se le denominar diodo. En la figura 2.4 se representa la curva I-V del diodo 1N4148, en la regin de polarizacin directa, obtenida con el simulador Pspice, este es uno de los diodos que ms se usan en el diseo de cualquier sistema electrnico.

En polarizacin inversa la corriente del diodo alcanza rpidamente la corriente de

saturacin inversa, para el diodo 1N4148 unos nanoamperios, aunque al aumentar la polarizacin inversa la corriente aumenta algo debido fundamentalmente a las corrientes superficiales de prdidas. Si la polarizacin inversa se lleva ms all de 100 V, se vera que a partir de esta tensin el diodo se dispara a conducir, se ha alcanzado la tensin de ruptura inversa, tensin Zener. Esta tensin se tratar con detalle posteriormente al hablar del diodo Zener. En la zona de polarizacin directa cabe destacar la tensin Vg, a partir de la cual el diodo conduce de forma apreciable. Se toma Vg como el valor de V que da una corriente de conduccin del 1% del valor nominal mximo, tpicamente Vg toma un valor de 0,1V a 0,2V para el Ge y 0,5V a 0,6V para el Si. En la resolucin de problemas se suele tomar como valores Vg : 0,15 V para el Ge y 0,5 V para el Si. La relacin exponencial de I con V para polarizacin directa por encima de Vg , se conserva hasta un cierto valor de I en que pasa a ser cuasi lineal: la resistencia de los cuerpos semiconductores empieza a imponer su ley. La corriente de saturacin inversa I0, depende de la temperatura. La relacin terica de esta corriente con la temperatura es de un incremente del 8%/C, pero hay componentes de I0 que no son funcin de la temperatura, como fugas superficiales, que hacen que experimentalmente se rebaje a un 7%/C, como:

I0 se duplica cada diez grados centgrados, pero se ha de tener en cuenta que a 300K la cada de tensin en la unin disminuye con la temperatura en 2,2 mV / C, lo cual compensa en parte el incremento de I0. 2.3. Resistencia dinmica del diodo. Otro aspecto importante a considerar en el diodo es la resistencia dinmica en el punto de funcionamiento en que est trabajando ste, es decir como vara la tensin al variar la corriente en un punto de funcionamiento dado, tanto en polarizacin directa como inversa. La resistencia dinmica del diodo es por tanto la relacin:

En polarizacin inversa, y antes de alcanzar la tensin Zener, r toma un valor muy alto. En polarizacin inversa y por encima de la tensin Zener, r toma un valor muy bajo. En polarizacin directa, y por encima de Vg , r es muy baja:

Como VT, a temperatura ambiente, se suele aproximar por 25 mV. La expresin 2-17 permite evaluar h en funcin del grado de conduccin. Para una corriente de 25mA h, ya debera de haber bajado a un valor de 1, y por tanto r debera tomar un valor muy prximo a 1 ;, pero la resistencia de los cuerpos semiconductores pueden complicar la

medida. 2.4. Capacidades en un diodo. La distribucin de cargas en un diodo tanto en polarizacin directa como en polarizacin inversa sugiere un comportamiento con aspectos capacitivos del diodo. El comportamiento de un diodo en polarizacin directa y en polarizacin inversa es muy distinto, por tanto es de esperar que tambin sea muy distinta la capacidad equivalente en ambos estados. Por ello se estudiar separadamente el comportamiento capacitivo del diodo en ambos tipos de polarizacin. 2.4.1 Capacidad de un diodo polarizado inversamente: Capacidad de carga espacial. Se iniciar el estudio analizando el comportamiento capacitivo de un diodo polarizado inversamente. Con polarizacin inversa la barrera de potencial en la unin aumenta en el valor de la tensin inversa aplicada al diodo. En estas condiciones la zona de agotamiento o carga espacial aumenta su profundidad. Con polarizacin inversa la capacidad que tiene la unin se denomina capacidad de carga espacial, CT, y se define como una capacidad incremental:

Partiendo de la suposicin de que el diodo es de unin abrupta, es decir que los niveles de dopado son constantes en ambas zonas y que la transicin de una zona a otra se realiza abruptamente, si las concentraciones de dopado son: NA en la zona P y ND en la zona N, dado que en la zona de cargas descubiertas de ambas zonas debe de haber la misma cantidad total de carga descubierta, se cumplir:

Donde lp y ln son la profundidad de la zona de carga espacial en la zona P y la zo na N respectivamente, y l es la anchura total de la zona de carga espacial de la unin. En la zona de cargas descubiertas de las zonas P y N habr una densidad de cargas fijas por unidad de volumen: Zona P: rP = -q NA Zona N: rN = q ND Como el diodo tiene simetra axial la relacin del potencial elctrico y del vector intensidad del campo elctrico, con estas distribuciones de carga ser:

Sustituyendo r para cada zona e integrando se obtiene la variacin del campo elctrico a lo largo de la zona de carga espacial. En la figura 2.5 se puede observar esta variacin. El valor mximo del campo elctrico, Eo, lo alcanza en el lmite de la unin y su valor es:

Dado que:

La segunda integral es el rea del tringulo de la figura 2.5 cambiada de signo, por tanto:

La barrera de potencial en la unin es:

donde:

Despejando l en la expresin de la barrera de potencial en la unin, (2-23), se obtiene:

Esta relacin expresa que la profundidad de la zona de agotamiento es funcin del nivel de dopado a travs de la expresin 2-24, y de la cada de potencial en la unin. Volviendo a la expresin de la capacidad en la unin:

La expresin obtenida de la capacidad en la unin es la misma que la de un condensador plano. Si la unin en vez de ser abrupta fuera gradual, con graduacin lineal, el campo elctrico variara con el cuadrado de x. La profundidad de la zona de cargas descubiertas variara con la raz cbica de la barrera de potencial en la unin:

Pero la expresin que se obtiene para la capacidad en la unin sigue tomando la misma expresin que cuando la unin era abrupta:

Variando la tensin inversa aplicada al diodo se vara la profundidad total de la zona de cargas descubiertas y por tanto la capacidad de la unin. Una aplicacin de este hecho es los denominados varicaps o varactores; capacidades cuya C es controlada por tensin, una de sus aplicaciones actuales es en circuitos resonantes de sintona. El valor tpico de un varicap es de 20 pF para una tensin inversa de unos cuantos voltios. 2.4.2 Concentracin de portadores minoritarios con polarizacin directa: Capacidad de difusin Sea una unin PN con NA >> ND, polarizada directamente. La corriente en la unin ser debida prcticamente a la inyeccin de huecos en la regin N ya que :

n(0)

Como NA >> ND, entonces p >> np(0). En primera aproximacin se obtiene:

El exceso de huecos en la zona N tiene una carga total:

La expresin obtenida para la corriente indica que sta es proporcional al exceso de portadores minoritarios y que esta corriente se invierte en reponer los portadores minoritarios que se recombinan. Para una polarizacin inversa del diodo, el exceso de concentracin de portadores minoritarios pasa a ser negativo anulndose para valores de polarizacin negativos suficientemente elevados. La corriente en esas condiciones es la de saturacin inversa I0. Como el exceso de carga almacenada es proporcional a la tensin directa, es lgico definir una capacidad incremental que relaciona las variaciones de la carga almacenada con las variaciones de la tensin aplicada. Esta capacidad se denomina Capacidad de difusin

Capacidad que es mayor que CT, y es funcin de cmo vara V 2.5 Tiempos de conmutacin en una unin PN Supuesta una unin PN polarizada directamente mediante una fuente de tensin y resistencia serie, la corriente de conduccin directa da lugar a un gradiente de portadores minoritarios con unas corrientes de difusin:

Si ahora en el circuito bascula el conmutador de la figura 2.6 de la posicin 1, polarizacin directa del diodo, a la posicin 2, polarizacin inversa del diodo. La carga de los portadores minoritarios en exceso que existe va a dar lugar a que no se corte la corriente, sino que simplemente se invierta su sentido, figuras 2.7 y 2.8, y la cada de tensin en el diodo siga siendo positiva hasta que . A partir de ese instante

se hace negativo y la corriente disminuye hasta I0 corriente de saturacin inversa.

En el transitorio hay que distinguir dos tiempos. El primero es ts, tiempo de almacenamiento, tiempo que tarda en ser nulo el exceso de portadores minoritarios en el borde de la unin:

El segundo es tp, tiempo de transicin, tiempo que tarda la concentracin de portadores minoritarios, en el borde de la unin, en pasar de la concentracin de equilibrio a anularse:

Fig. 2.8 El ms importante de los dos tiempos es ts. Una estimacin del mismo se da en la expresin 2-35:

2.6 Modelos del diodo para gran seal En primer lugar se va a incluir un diodo en un circuito elemental. Tomando una pila de tensin V0 de valor ajustable y una resistencia R0 cuyo valor tambin se puede hacer variar, se conectan en serie con un diodo. La tensin de la pila ser igual a la cada de potencial en la resistencia ms la cada de potencial en el diodo:

Esta ecuacin lleva a la grfica de la figura 2.9 donde el punto de funcionamiento del diodo se obtiene grficamente de la interseccin de la curva caracterstica del diodo con la "recta de carga". La recta de carga est definida por V0 y la resistencia externa R0. En la figura 2.9 se puede observar la curva I-V del diodo 1N4148 y la recta de carga para V0 = 2 V y R0 = 100 ohms.

Variando V0, sin modificar R0, la recta de carga se desplazar paralelamente a si misma. Mientras que si se vara R0, sin variar V0, aparecen nuevas rectas de carga, con nuevas pendientes, que pasan todas ellas por V0. La grfica de la figura 2.9 sugiere un primer modelo para el diodo que es el denominado "lineal por tramos". En este modelo, en la zona V0 > 0, se aproxima su curva caracterstica por dos tramos rectos. En el primero de los tramos ID = 0 para VD<=Vg (0,6 V en el Si). A partir de este punto se supone que ID crece linealmente con VD con pendiente 1/R, por tanto se est aproximando el diodo por un circuito equivalente, que se muestra en la figura 2.10:

La figura 2.11 muestra la curva I-V experimental del diodo 1N4148, en la zona de polarizacin directa, y la aproximacin que se obtiene al sustituirlo por el circuito lineal de dos tramos Evidentemente la aproximacin es burda, aunque segn se ver puede ser muy til. Una variante mejor sera la que en vez de sustituir, para VD >= VD0 , por una sola recta, sustituirlo por varios segmentos que se van empalmando y aproximando ms a su curva real. La mejora en la aproximacin no compensa la complejidad de aumentar el nmero de tramos.

Con polarizacin inversa la resistencia es muy alta. El diodo en polarizacin inversa se sustituye por una resistencia Rr >>. Una mejora sera incluir una fuente de corriente, en paralelo con Rr , de valor I0 corriente inversa de saturacin. El modelo expuesto es para circuitos de continua o en los que si hay variaciones de las tensiones aplicadas estas varan lentamente con el tiempo. Por ejemplo en circuitos de continua, circuitos rectificadores, circuitos fijadores o recortadores. 2.7 Modelo de pequea seal Si ahora en el circuito de polarizacin del diodo se provocan variaciones de la tensin aplicada al mismo, y estas variaciones DVD son pequeos, se ve que el comportamiento

dinmico del diodo equivale a una resistencia, cuyo valor se obtiene de la tangente a la curva V-I en el punto Q, punto de funcionamiento esttico. El valor de esta tangente se puede obtener derivando la expresin ana ltica de la corriente del diodo:

El modelo expuesto es un modelo de primera aproximacin ya que un modelo dinmico ms exacto debera incluir las capacidades: de difusin en polarizacin directa y de transicin en polarizacin inversa.